JP2009111431A - ウェハのダイシング方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】薄型の半導体チップの形成が可能なウェハのダイシング方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供する。
【解決手段】ウェハ１０の回路面１４側にサポート部材２０を貼り合わせる工程と、前記ウェハ１０の回路面１４とは反対側の裏面１８を薄型加工する工程と、前記ウェハ１０の裏面１８側に、接着剤層１０３を形成する工程と、前記接着剤層１０３上に、少なくとも粘着剤層１０２ｂを有するダイシングテープ１０２を、接着剤層１０３と粘着剤層１０２ｂとが対向する様に貼り合わせる工程と、前記ウェハ１０を、前記接着剤層１０３及びサポート部材２０と共に切断してチップ化する工程とを有しており、前記ダイシングテープ１０２の粘着剤層１０２ｂは、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートにより炭素−炭素二重結合が導入されたアクリル系ポリマーをベースポリマーとする内在型の放射線硬化型粘着剤により形成されたものであることを特徴とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、ウェハのダイシング方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。

半導体ウェハ（以下、「ウェハ」と言う）の製造工程において、通常、パターンを形成したウェハの裏面には、所定の厚さまでウェハの裏面を研削、研磨等する薄型加工工程が一般的に施される。当該工程では、ウェハの回路面を保護等する目的で保護シートを貼り合わせて行うのが一般的である。最近では、８インチ（２００ｍｍ）や１２インチ（３００ｍｍ）といったウェハの大型化や、ＩＣカード用の為に薄型化が進んでいる。ウェハの薄型化が進む中で、ウェハの裏面研削後の加工工程のシステム自体も変化している。例えば、従来は、ウェハ裏面の薄型加工時に回路面を保護する保護シートは、裏面加工後すぐに剥離され、その後にダイアタッチフィルムを貼合わせるのが通常であった。

しかし、ウェハの薄型化により、裏面研削したウェハのハンドリングが難しくなった。そのため、ウェハ破損等を考慮したダイアタッチフィルムを貼合わせる際にも、ウェハ表面をバックグラインドシートで保護したままダイアタッチフィルムを貼り合せ、その後にバックグラインドシートを剥離する工法が広がりつつある。前記工法においてダイアタッチフィルムを貼合わせた後には、通常、１２０℃〜２００℃程度の高温でダイアタッチフィルムをプレキュアする加熱工程が施される。しかし、従来知られているバックグラインドシートでは耐熱性が不十分である。また当該加熱工程後に室温へ冷却した際には、ウェハとバックグラインドシートの線膨張係数の違いからウェハが大きく反り返る問題もある。

近年半導体ウェハの大型化・薄型化が進んでおり、それに伴って半導体ウェハの加工方法が問題となってきている。特に、半導体ウェハの大型化・薄型化が進むと、裏面研磨した際に半導体ウェハが反ってしまい、今までに装置では搬送できない等の問題点が発生しており、また、反った半導体ウェハをダイシングできるようにサポート部材で補強しても、サポートウェハの回路面をハーフカットし、ウェハの裏面を研削することによってウェハを個々の薄い半導体チップに分割する方法が知られている。

しかし、ハーフカット後のウェハは割れやすいので、研削の工程に移行する際ウェハの取り扱いが難しい。また、ハーフカットを確実に行うためには、ウェハは一定程度の厚みを有していることが必要であり、厚みの薄いウェハの場合にはハーフカットが困難であった。

本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、薄型の半導体チップの形成が可能なウェハのダイシング方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。

本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、ウェハのダイシング方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器について鋭意検討した。その結果、下記の構成を採用することにより、前記目的を達成できることを見出して、本発明を完成させるに至った。

即ち、前記の課題を解決する為に、本発明に係るウェハのダイシング方法は、ウェハの回路面側にサポート部材を貼り合わせる工程と、前記ウェハの回路面とは反対側の裏面を薄型加工する工程と、前記ウェハの裏面側に、接着剤層を形成する工程と、前記接着剤層上に、少なくとも粘着剤層を有するダイシングテープを、接着剤層と粘着剤層とが対向する様に貼り合わせる工程と、前記ウェハを、前記接着剤層及びサポート部材と共に切断してチップ化する工程とを有することを特徴とする。

前記の方法に於いては、サポート部材を貼り合わせてウェハを補強した状態でその裏面を薄型加工し、かつ切断するので、ウェハの強度不足を補いその破損を低減できる。当該切断は、ウェハをダイシングテープに接着固定した状態で接着剤層と共にフルカットする。よって、チップ飛びを防止し、切断の際にウェハが破損するのを防止する。尚、サポート部材は、ウェハの補強が可能な程度に剛性を有するものであれば良い。また、サポート部材はウェハの回路面側に貼り合わされるので、回路面が、他の物と直接接触するのを防止したり、薄型加工の際に生じる研削屑や砥粒によって汚染されるのを防止する。

また、前記の課題を解決する為に、本発明に係るウェハのダイシングは、ウェハの回路面側にサポート部材を貼り合わせる工程と、前記ウェハの回路面とは反対側の裏面を薄型加工する工程と、前記ウェハの裏面側に、少なくとも接着剤層及び粘着剤層が積層されたダイシングテープを、ウェハの裏面と接着剤層とが対向する様に貼り合わせる工程と、前記ウェハを、前記接着剤層及びサポート部材と共に切断してチップ化する工程とを有することを特徴とする。

前記の方法に於いては、粘着剤層及び接着剤層を有するダイシングテープに貼り合わされたウェハを該接着剤層と共にフルカットしており、ダイシングテープに接着固定された状態で行う。当該方法に於いても、ウェハはサポート部材を貼り合わせて補強した状態でフルカットされるので、ウェハの強度不足による破損の防止が可能となる。尚、サポート部材は、ウェハの補強が可能な程度に剛性を有するものであれば良い。また、サポート部材はウェハの回路面側に貼り合わされるので、回路面が例えば、チャックテーブル等と直接接触するのを防止し、薄型加工の際に生じる研削屑や砥粒によって汚染されるのを防止する。

また、前記の課題を解決する為に、本発明に係るウェハのダイシングは、ウェハの回路面側にサポート部材を貼り合わせる工程と、前記ウェハの回路面とは反対側の裏面を薄型加工する工程と、前記ウェハの裏面側に、少なくとも粘接着剤層を有するダイシングテープを、ウェハの裏面と粘接着剤層とが対向する様に貼り合わせる工程と、前記ウェハを、前記粘接着剤層及びサポート部材と共に切断してチップ化する工程とを有することを特徴とする。

前記の方法に於いては、粘接着剤層を有するダイシングテープに貼り合わされたウェハを該粘接着剤層と共にフルカットしており、ダイシングテープに接着固定された状態で行う。当該方法に於いても、ウェハはサポート部材を貼り合わせて補強した状態でフルカットされるので、ウェハの強度不足による破損の防止が可能となる。尚、サポート部材は、ウェハの補強が可能な程度に剛性を有するものであれば良い。また、サポート部材はウェハの回路面側に貼り合わされるので、回路面が例えば、チャックテーブル等と直接接触するのを防止し、薄型加工の際に生じる研削屑や砥粒によって汚染されるのを防止する。

前記の方法に於いては、前記サポート部材を、粘着剤または両面粘着シートを介して前記ウェハに貼り合わせることができる。

前記の課題を解決する為に、本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウェハの回路面側にサポート部材を貼り合わせる工程と、前記ウェハの回路面とは反対側の裏面を薄型加工する工程と、前記ウェハの裏面側に、接着剤層を形成する工程と、前記接着剤層上に、少なくとも粘着剤層を有するダイシングテープを、接着剤層と粘着剤層とが対向する様に貼り合わせる工程と、
前記ウェハを、前記接着剤層及びサポート部材と共に切断してチップ化する工程と、前記接着剤層付きのチップを前記ダイシングテープから剥離する工程と、前記接着剤層付きのチップを、該接着剤層を介して基板上にダイボンドする工程とを有することを特徴とする。

前記の方法に於いては、接着剤層を介してダイシングテープに貼り合わされたウェハをフルカットしており、ダイシングテープに接着固定された状態で行う。よって、チップ欠けやチップ飛びの発生を抑制し、ウェハの破損を防止する。また、切断は接着剤層と共になされるので、チップをダイシングテープから剥離するときには、該チップは接着剤層が貼り合わされた状態にある。これにより、チップを、接着剤層を介して基板上にダイボンドすることが可能となる。よって、前記の方法によれば、歩留まりを向上させて半導体装置の製造が可能となる。尚、サポート部材は、ウェハを補強できる硬さを有するものであれば良い。

また、前記の課題を解決する為に、本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウェハの回路面側にサポート部材を貼り合わせる工程と、前記ウェハの回路面とは反対側の裏面を薄型加工する工程と、前記ウェハの裏面側に、少なくとも接着剤層及び粘着剤層が積層されたダイシングテープを、ウェハの裏面と接着剤層とが対向する様に貼り合わせる工程と、前記ウェハを、前記接着剤層及びサポート部材と共に切断してチップ化する工程と、前記接着剤層付きのチップを前記ダイシングテープから剥離する工程と、前記接着剤層付きのチップを、該接着剤層を介して基板上にダイボンドする工程とを有することを特徴とする。

前記の方法に於いては、接着剤層及び粘着剤層を有するダイシングテープに貼り合わされたウェハをフルカットしており、ダイシングテープに接着固定された状態で行う。よって、チップ飛びの発生を抑制し、ウェハの破損を防止する。また、切断は接着剤層と共になされるので、チップをダイシングテープから剥離するときには、該チップは接着剤層が貼り合わされた状態にある。これにより、チップを、接着剤層を介して基板上にダイボンドすることが可能となる。よって、前記の方法によれば、歩留まりを向上させて半導体装置の製造が可能となる。尚、サポート部材は、ウェハを補強できる硬さを有するものであれば良い。

また、前記の課題を解決する為に、本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウェハの回路面側にサポート部材を貼り合わせる工程と、前記ウェハの回路面とは反対側の裏面を薄型加工する工程と、前記ウェハの裏面側に、少なくとも粘接着剤層を有するダイシングテープを、ウェハの裏面と粘接着剤層とが対向する様に貼り合わせる工程と、前記ウェハを、前記粘接着剤層及びサポート部材と共に切断してチップ化する工程と、前記粘接着剤層付きのチップを前記ダイシングテープから剥離する工程と、前記粘接着剤層付きのチップを、該粘接着剤層を介して基板上にダイボンドする工程とを有することを特徴とする。

前記の方法に於いては、粘接着剤層を有するダイシングテープに貼り合わされたウェハをフルカットしており、ダイシングテープに接着固定された状態で行う。よって、チップ飛びの発生を抑制し、ウェハの破損を防止する。また、切断は粘接着剤層と共になされるので、チップをダイシングテープから剥離するときには、該チップは粘接着剤層が貼り合わされた状態にある。これにより、チップを、粘接着剤層を介して基板上にダイボンドすることが可能となる。よって、前記の方法によれば、歩留まりを向上させて半導体装置の製造が可能となる。尚、サポート部材は、ウェハを補強できる硬さを有するものであれば良い。

前記の方法に於いては、前記サポート部材を、粘着剤または両面粘着シートを介して前記ウェハに貼り合わせてもよい。

前記の方法に於いて、前記ダイボンドは、前記サポート部材を前記チップから剥離した後に行ってもよい。

前記の方法に於いて、前記ダイボンドの後に、前記サポート部材を前記チップから剥離してもよい。

前記の課題を解決する為に、本発明に係る半導体装置は、前記に記載の半導体装置の製造方法により製造されたものである。

前記の課題を解決する為に、本発明に係る回路基板は、前記に記載の半導体装置が実装されたものである。

前記の課題を解決する為に、本発明に係る電子機器は、前記に記載の半導体装置を備えたものである。

本発明は、前記に説明した手段により、以下に述べるような効果を奏する。即ち、本発明によれば、破損を低減してウェハの加工が可能となり、その結果歩留まりを向上させて半導体装置の製造が可能となる。

本発明の実施の一形態に係る半導体装置の製造工程を示す説明図である。 前記実施の形態に於いてウェハのダイシング工程を説明する為の断面模式図である。 前記実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す説明図である。 本発明に係る半導体装置の製造方法に使用する他のダイシングテープを示す断面模式図である。 本発明を適用した実施の形態２に係る半導体装置の製造方法を示す図である。

（実施の形態１）
本発明の実施の形態について、図を参照しながら以下に説明する。但し、説明に不要な部分は省略し、また説明を容易にする為に拡大または縮小等して図示した部分がある。

図１（ａ）〜図１（ｅ）は、本実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す説明図である。本実施の形態では、ウェハを切断するときに、本発明に係るウェハのダイシング方法を適用する。ウェハのダイシング方法は、チップの製造方法でもある。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、先ず、ウェハ１０の回路面１４側にサポート部材２０を貼り合わせる（図１（ａ）参照）。貼り合わせは、ウェハ１０とサポート部材２０との位置合わせをして行う。サポート部材２０の貼り合わせは、ウェハ１０が後述の薄型加工をした後に於いても、その強度不足を補うべく行うものである。よって、前記サポート部材２０は、少なくとも一定形状を維特する硬さを有する。サポート部材２０としては、ウェハ１０と同質の材料を用いることで、サポート部材２０がウェハ１０と同程度の強度を有してもよい。例えば、ウェハ１０の材料がシリコン（Ｓｉ）である場合は、サポート部材２０には、シリコンやガラスを用いてもよい。また、サポート部材２０の材料としてはこれに限られるものではなく、セラミックや、ガラスエポキシ、ポリイミド樹脂等の有機材料でも良い。

また、ウェハ１０の薄型加工後に於いて、その厚みを擬似的に増加させるものでもある。例えば、約５０μｍの薄さのウェハが、サポート部材２０の貼り合わせにより約２００〜３００μｍ以上の厚みのウェハと同程度の強度を有することになる。なお、サポート部材２０をウェハ１０に貼り付けた状態において、ウェハ１０が切断可能な強度を確保できるのであれば、ウェハ１０及びサポート部材２０の合計の厚さは限定されない。尚、後述のダイシング時にウェハ１０を固定するために、ウェハ１０にウェハシートが貼り付けられているとしても、ウェハシートは、ウェハ１０を補強する強度を有しておらず、一定の形状を維持しない材料からなるので、サポート部材２０ではない。

ウェハ１０とサポート部材２０とは、粘着剤２２を介して貼り合わせてもよい。例えば、ウェハ１０の回路面（集積回路が形成された面）に、粘着剤２２を介してサポート部材２０を貼り付ける。粘着剤２２として、シート状のものを用いても良いし、ペースト状のものを用いても良い。

粘着剤２２は、後の工程で、少なくともウェハ１０から剥離できる材料であることが好ましい。剥離が可能であれば、粘着剤２２は、硬化する材料すなわち接着剤（接着材料）であってもよい。接着剤は、接着時には接着力を保つとともに一定処理により容易に剥離可能な性質を有することが好ましい。接着剤として、水剥離性接着部材、熱剥離性接着部材、電磁波硬化剥離性接着部材（紫外線剥離性接着部材、光硬化剥離性接着部材、電子線硬化剥離性部材等）などを使用してもよい。水剥離性の接着部材としては、水溶性の部材、例えばアムレコプロダクツ社の仮付け接着剤を使用する亡とができる。熱剥離性接着部材としては、熱を与えると接着表面から発泡して剥離する性質を有するものを用いることができる。熱剥離性接着剤としては、日東電工（株）のリバアルファ（登録商標）シリーズを使用することができる。電磁波硬化剥離性接着部材としては、紫外線、光、電子線などを照射することにより樹脂硬化が進み、粘着力が低下するものなどがある。

粘着剤２２はウェハ１０から剥離しやすいが、サポート部材２０から剥離し難いことが好ましい。このような粘着剤２２によれば、ウェハ１０からサポート部材２０を剥離する際にも、粘着剤２２がサポート部材２０に付着してウェハ１０に残らない。ウェハ１０とサポート部材２０とが異なる性質を有する場合には、このような特性を有する粘着剤２２を選択すればよい。

あるいは、サポート部材２０における粘着剤２２との粘着力（接着力）を強化するために、サポート部材２０に表面改質加工を施してもよい。詳しくは、サポート部材２０における粘着剤２２が設けられる面（ウェハ１０に貼り付けられる面）に表面改質加工を施す。表面改質加工の一つとして、サポート部材２０の表面の粗化処理がある。粗化処理は、表面を研磨するといった物理的処理によって行っても良いし、表面を酸化させたり、表面を親水化処理（シランカップリング処理やプライマー処理等）するといった化学的処理により行ってもよい。

粗化処理により、サポート部材２０の粘着剤２２との粘着力（接着力）を、ウェハ１０に比して強化する。こうすることで、サポート部材２０をチップ２６から分離する際に、粘着剤２２を、サポート部材２０とともにチップ２６から剥離させることができる。尚、本発明に於いては、粘着剤２２に代えて、粘着剤層が基材の両面に設けられた両面粘着シートを用いてもよい。

ウェハ１０は、例えばシリコン(Ｓｉ)、ゲルマニウム(Ｇｅ)、またはガリウム−ヒ素(Ｇａ−Ａｓ)等の半導体からなる半導体ウェハであり、一方の面（回路面１４）に複数の集積回路（ＬＳＩ回路パターン等）や複数のパッドが形成されている。ウェハ１０は、集積回路ごとに切断されてチップ化される（詳細については後述する）。

次に、図１（ｂ）に示すように、ウェハ１０の回路面１４とは反対側の裏面１８を薄型加工する。本工程は、例えば研削工程、研磨工程（ＣＭＰ）若しくはエッチング工程といった機械的または化学的方法等の従来公知の種々の方法を行う工程である。具体的には、ウェハ１０の位置を上下反転し、サポート部材２０をチャッキングしてウェハ１０の裏面１８の薄型加工を行う。この様な薄型加工に用いる薄型加工機１０１としては特に限定されず、例えば研削機（バックグラインダー）、ＣＭＰパッド等が例示できる。薄型加工は、ウェハ１０が所望の厚さになるまで行われる。回路面１４はサポート部材２０により保護されているので、研削時に生じる研削屑等によって回路面が汚染されることはない。

次に、図１（ｃ）に示すように、薄型加工後のウェハ１０’の裏面１８側に接着剤層１０３を形成する。接着剤層１０３は、ウェハ１０’をチップ状にダイシングする際にチップ（切断片）が飛散するのを防止するため、ウェハ１０’を貼着して固定するものである。接着剤層１０３は、これに圧着されるウェハ１０’をチップ状にダイシングする際に、チップ（切断片）を接着剤層１０３に密着させて飛散するのを防止する機能を果たす。更に、チップをマウントする際には、チップを基板等に固定するダイ接着用接着剤層としての機能を果たす。特に、接着剤層１０３としては、ウェハ１０’のダイシングの際に切断片を飛散させない接着性を有していることが重要である。

接着剤層１０３は、通常のダイ接着剤により形成することができる。ダイ接着剤としては、シート状にできるものが好ましい。具体的なダイ接着剤としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂からなるダイ接着剤を好適に用いることができる。ダイ接着剤は単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。又、接着剤層１０３は、７０℃以下でウェハ１０’に粘着可能なものが好ましく、更には常温で粘着可能なものがより好ましい。

ダイ接着剤として用いられる熱可塑性樹脂（熱可塑性ダイ接着剤）としては、例えば、飽和ポリエステル樹脂、熱可塑性ポリウレタン系樹脂、アミド系樹脂（ナイロン系樹脂）、イミド系樹脂などが挙げられる。又、熱硬化性樹脂（熱硬化性ダイ接着剤）としては、例えば、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、熱硬化性アクリル樹脂、フェノール系樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂としては、脱溶媒化し、シート化、Ｂステージ化（一時硬化）した熱硬化性樹脂が好適である。なお、これらの熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との混合物もＢステージ化された状態で使用できる。また本発明では、ガラス転移温度が高いシリコーン系、ゴム系、ウレタン系、イミド系、アクリル系などの樹脂をダイ接着剤として使用することもできる。

接着剤層１０３は、ガラス転移温度の異なる熱可塑性樹脂、熱硬化温度の異なる熱硬化性樹脂を適宜に組み合わせて、２層以上の多層構造を有してもよい。なお、ウェハ１０’のダイシング工程では切削水を使用することから、接着剤層１０３が吸湿して、常態以上の含水率になる場合がある。このような高含水率のまま、基板などに接着させると、アフターキュアの段階で接着界面に水蒸気が溜まり、浮きが発生する場合がある。従って、接着剤層１０３としては、透湿性の高いフィルムをダイ接着剤で挟んだ構成とすることにより、アフターキュアの段階では、水蒸気をフィルムを通じて拡散して、かかる問題を回避することが可能となる。従って、接着剤層１０３は、接着層、フィルム、接着剤層の順で積層された多層構造からなってもよい。

接着剤層１０３の厚さは特に限定されないが、例えば５〜１００μｍ程度であることが好ましく、１０〜５０μｍ程度であることがより好ましい。

また接着剤層１０３中には、被接続体同士の電気的な接続性能を向上させるために、導電性物質を含んでいてもよい。導電性物質としては、例えば、ロウ材、ハンダ等の粒子が挙げられる。接着剤層１０３には、かかる導電性物質が分散して構成されている。こうすることで、被接続体同士の接合時に、その粒子が接合のロウとして働き、接合性をさらに著しく向上することができる。

次に、図１（ｄ）に示すように、接着剤層１０３上にダイシングテープ１０２を貼り合わせる。ダイシングテープ１０２の貼り合わせは、ウェハ１０’を接着固定する為に行う。ダイシングテープ１０２は、少なくとも基材１０２ａの一方の面に粘着剤層１０２ｂが設けられた構造である。その詳細については、後述する。貼り合わせは、テーブル上に接着剤層１０３が上になる様にウェハ１０’を載置し、ダイシングテープ１０２の粘着剤層１０２ｂを接着剤層１０３に重ね、圧着ロールなどの押圧手段により、押圧しながら貼り付ける。また、加圧可能な容器（例えばオートクレーブなど）中で、ウェハ１０’とダイシングテープ１０２を上記のように重ね、容器内を加圧することによりウェハ１０’に貼り付けることもできる。この際、押圧手段により押圧しながら貼り付けてもよい。また、真空チャンバー内で、上記と同様に貼り付けることもできる。これらの方法で貼り付ける際には、ダイシングテープ１０２を３０〜１５０℃程度まで加熱してもよい。

次に、図１（ｅ）に示すように、ウェハ１０’を、接着剤層１０３及びサポート部材２０と共に切断してチップ化する。本工程は、ダイシングによりウェハ１０’を個片化してチップを製造する為に行うものである。ダイシングは、ウェハ１０’の回路面１４側から行う。また、図２に示すように、ダイシング装置に於けるダイシングソー１０７が、粘着剤層１０２ｂまで切断する様にウェハ１０’をフルカットして行う。但し、本発明は、粘着剤層１０２ｂまで切断する必要はなく、少なくとも接着剤層１０３まで切断されていれば良い。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。ウェハ１０’は、サポート部材２０と貼り合わせたことにより補強されている。このため、ウェハ１０’の強度不足によるウェハの破損（ヒビ、欠け、割れ等）を防止することができる。また、ウェハ１０’は、ダイシングテープ１０２により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを低減できると共に、ウェハ１０’の破損も抑制できる。尚、チップ（例えば半導体チップ）１０８の平面形状は一般的には矩形である。チップ２６の一方の面に、複数のパッドが形成されている。パッドは、チップ２６の面の少なくとも１辺（多くの場合、２辺又は４辺）に沿って並んでいる。パッドはアルミニウムなどで薄く平らに形成されている。パッドの少なくとも一部を避けてチップ２６には、パッシベーション膜（図示しない）が形成されている。パッシベーション膜は、例えば、ＳｉＯ_２、Ｓｉｎ、ポリイミド樹脂などで形成することができる。

次に、図３（ａ）に示すように、接着剤層１０３付きのチップ２６をピックアップする。ピックアップにより、チップ２６は前記ダイシングテープ１０２から剥離される。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々のチップ２６をダイシングテープ１０２側（下方側）からニードルによって突き上げ、突き上げられたチップ２６をピックアップ装置によってピックアップする方法などが挙げられる。

ここで、後述の熱剥離型の粘着剤層、または放射線硬化型の粘着剤層を有するダイシングテープ１０２を用いる場合には、粘着剤層１０２ｂを加熱処理または放射線照射してもよい。熱剥離型の粘着剤層の場合、これを加熱すると、熱発泡性又は熱膨張性成分により気泡層が膨張して、チップ２６との接着面積を著しく減少させることができる。これにより、チップ２６に対するダイシングテープ１０２の粘着力が低下し、チップ２６からダイシングテープ１０２の剥離が容易になる。その結果、チップ２６を損傷させることなくピックアップが可能となる。加熱処理を行う場合に於ける加熱温度、加熱時間等の加熱の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、放射線硬化型の粘着剤層の場合、放射線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。尚、放射線としては、例えば紫外線、電子線等が挙げられる。

次に、チップ２６からサポート部材２０を剥離する。粘着剤２２が水剥離性接着部材である場合には、水を粘着剤２２に与えることで、サポート部材２０とチップ２６とを分離させることができる。この場合、水を与えるまではサポート部材２０とチップ２６との接続状態は持続するため、チップ２６の取り扱い（製造の操作）が容易である。

粘着剤２２が熱剥離性接着部材である場合には、ダイシング工程後においてチップを加熱処理するときの熱を利用してもよい。そして、熱剥離性接着部材を発泡させることにより、熱剥離性接着部材の接着面積を減少させてチップ２６とサポート部材２０との分離を行うことができる。これによれば、チップ２６とサポート部材２０との分離に、特別な工程を設けることなく処理できるため、処理の効率化を図ることができる。

粘着剤２２が電磁波硬化剥離性接着部材である場合には、サポート部材２０として、ガラス等の電磁波を透過させる性質を有するものを使用し、紫外線、光、または電子線などによる剥離は低コストで行えるというメリットがある。

本実施の形態においては、サポート部材２０の表面（ウェハ１０との接着面）を粗化処理してあるため、サポート部材２０に対する粘着剤２２の粘着力（接着力）が、ウェハ１０に対する粘着剤２２の粘着力（接着力）に比して強化されている。このため、サポート部材２０をチップ２６から分離させる際に、粘着剤２２をサポート部材２０と一体的にチップ２６から剥離させることができ、チップ２６に粘着剤２２が残存することを防止できる。

次に、チップ２６の実装を行う。実装は、接着剤層１０３付きのチップ２６を、接着剤層１０３を介してリードフレーム等の基板３０上の所定位置にダイボンドすることにより行う。本実施の形態では、フェースアップ構造の場合を例にして説明している。フェースアップ構造を形成するときには、チップ２６の能動素子が形成された回路面を上方（基板３０とは反対側）に向けて、基板３０にチップ２６を搭載する。

本実施の形態では、チップ２６の電極（パッド）と、基板３０に形成された配線パターン（図示しない）とを、ワイヤで電気的に接続する（ワイヤボンディング）。変形例として、チップ２６のパッドにバンプを設け、リード（インナーリード）をバンプに接合してもよい。その場合、ギャングボンディング及びシングルポイントボンディング、フェイスダウンボンディングのいずれを適用してもよい。

また、チップ２６の周囲を、樹脂などの封止材にて封止する。封止材は、チップ２６の表面や、パッド又は配線パターンとワイヤとの電気的な接続部などを保護する。基板３０には、例えばチップ２６の搭載面の反対側の面に、外部端子（例えば半田ボール）を設けてもよい。

以上説明したように、本実施の形態では、薄型化（例えば５０μｍ程度）されたウェハ１０にサポート部材２０を接着することにより、ウェハ１０を擬似的に増加させることができ、ウェハ１０の厚み方向強度を補強させることができる。そして、ダイシングエ程において、ウェハ１０を補強して切断することができ、さらに基板またはチップに接着させる接着剤も同時に切断できるため、強度不足によるウェハ１０の破損を防止させることができ、薄型のチップ２６を高い歩留まりで製造することができる。また、当該チップ２６を備えた半導体装置に於いては、これを有する電子機器の厚さを薄くでき、厚さ方向に重ねるスペースができるので、実装密度を高くすることができる。従って、高性能な半導体装置や電子機器を製造することが可能となる。

尚、前記ダイシングテープ１０２を構成する基材１０２ａは、ダイシングテープ１０２の強度母体となるものである。基材１０２ａの材料としては、例えば低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙などが挙げられる。又、前記樹脂の架橋体などのポリマーも挙げられる。

又、基材１０２ａとしては、無延伸のものを用いてもよい。更に、適宜必要に応じて一軸又は二軸延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートからなる基材１０２ａであると、ダイシング後にその基材１０２ａを熱収縮させることにより粘着剤層１０２ｂと接着剤層１０３との接着面積を低下させて、チップ回収の容易化が図れる。

基材１０２ａの表面は、隣接する層との密着性、保持性などを高めるため、慣用の表面処理を行ってもよい。その方法としては、例えばクロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理等が挙げられる。

前記基材１０２ａは、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができる。又、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。更に、基材１０２ａには、帯電防止能を付与するため、上記の基材１０２ａ上に金属、合金又はこれらの酸化物などからなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることもできる。又、基材１０２ａは、単層又は前記樹脂のフィルム等を２層以上に複層化した積層フィルムであってもよい。尚、粘着剤層１０２ｂが放射線硬化型の場合にはＸ線、紫外線、電子線等の放射線を少なくとも一部透過するものを用いる。

基材１０２ａの厚さは、例えば５〜２００μｍ程度であり、前記熱収縮によって接着剤層１０３による張力に耐えられる厚さで有れば、特に制限されるものではない。

ダイシングテープ１０２を構成する粘着剤層１０２ｂは、前記基材１０２ａ上に設けられている。前記粘着剤層１０２ｂの形成に用いる粘着剤は特に制限されるものではない。例えば、例えばゴム系、アクリル系、シリコーン系．ポリビニルエーテル系等の各種の一般的な感圧性粘着剤や放射線硬化型粘着剤等を採用できる。

前記感圧性粘着剤としては、ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性などの点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。

前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステルなどのアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステルなど）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステルなど）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマーなどがあげられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。

前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性などの改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリルなどがあげられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。

更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマーなども、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。このような多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートなどがあげられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。

前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。

又、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤などのいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法があげられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、上記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１〜５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤などの添加剤を用いてもよい。

前記放射線硬化型粘着剤としては、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができ、具体的には、例えば前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化性粘着剤等を採用できる。

配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレートなどがあげられる。又放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。

又、放射線硬化型粘着剤としては、上記説明した添加型の放射線硬化性粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化性粘着剤があげられる。内在型の放射線硬化性粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、または多くを含まないため、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができるため好ましい。

前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。このようなベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーがあげられる。

前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に限定されず、様々な方法を採用できる。炭素−炭素二重結合は、ポリマー側鎖に導入する方が、分子設計上容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応し得る官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。

これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。又、これら官能基の組み合わせにより、上記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネートなどがあげられる。又、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物などを共重合したものが用いられる。

前記内在型の放射線硬化性粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。

前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合、光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１などのアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどの光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３′−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナートなどがあげられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。

また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシランなどの光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物などの光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤などがあげられる。

粘着剤層１０２ｂの厚さは特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性などの点より、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、更には５〜２５μｍが好ましい。

また、本実施の形態に於いては、ダイシングテープ１０２として、基材１０２ａ上に粘着剤層１０２ｂが設けられた態様を例にして説明したが、本発明はこれに何ら限定されない。即ち、図４（ａ）に示すように、粘着剤層１０２ｂ上に接着剤層１０２ｃが設けられた態様のダイシングテープ１０２’であってもよい。接着剤層１０２ｃとしては、基本的には前記接着剤層１０３と同様にチップを基板等に固定するダイ接着用接着剤層としての機能を果たし、接着剤層１０３と同様の構成材料により形成されるものである。

また、図４（ｂ）に示すように、基材１０２ａ上に粘接着剤層１０２ｄが設けられた態様のダイシングテープ１０２”であってもよい。粘接着剤層１０２ｄを構成する材料としては、例えば飽和ポリエステル樹脂、熱可塑性ポリウレタン系樹脂、アミド系樹脂（ナイロン系樹脂）、イミド系樹脂等の熱可塑性樹脂が挙げられる。又、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、熱硬化性アクリル樹脂、フェノール系樹脂などの熱硬化性樹脂（熱硬化性ダイ接着剤）が挙げられる。前記熱硬化性樹脂としては、脱溶媒化し、シート化、Ｂステージ化（一時硬化）した熱硬化性樹脂が好適である。なお、これらの熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との混合物もＢステージ化された状態で使用できる。また本発明では、ガラス転移温度が高いシリコーン系、ゴム系、ウレタン系、イミド系、アクリル系などの樹脂を使用することもできる。尚、ダイシングテープ１０２’、１０２”を用いる場合には、前記接着剤層１０３は不要である。

次に、図１（ｄ）に示すように、接着剤層１０３上にダイシングテープ１０２を貼り合わせる。ダイシングテープ１０２の貼り合わせは、ウェハ１０を接着固定する為に行う。ダイシングテープ１０２は、少なくとも基材１０２ａの一方の面に粘着剤層１０２ｂが設けられた構造である。その詳細については、後述する。貼り合わせは、テーブル上に接着剤層１０３が上になる様にウェハ１０’を載置し、ダイシングテープ１０２の粘着剤層１０２ｂを接着剤層１０３に重ね、圧着ロールなどの押圧手段により押圧しながら貼り付ける。また、加圧可能な容器（例えばオートクレーブなど）中で、ウェハ１０とダイシングテープ１０２を上記のように重ね、容器内を加圧することによりウェハ１０’に貼り付けることもできる。この際、押圧手段により押圧しながら貼り付けてもよい。また、真空チャンバー内で、上記と同様に貼り付けることもできる。これらの方法で貼り付ける際には、ダイシングテープ１０２を３０〜１５０℃程度まで加熱してもよい。

（実施の形態２）
図５（ａ）〜図５（ｅ）は、本発明を適用した実施の形態２に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。

本実施の形態では、図５（ａ）に示すように、ウェハ１０にサポート部材２０を貼り付けてから、ウェハ１０を研削する。本実施の形態に於いては、研削工程としてラッピングの例を示す。先ず、ラッピング台（研磨盤）１２の上にウェハ１０を配置する。次に、ウェハ１０の回路面（集積回路が形成された面）１４側には、予めサポート部材２０を貼り付ける。こうすることで、回路面１４を保護すると共に、ウェハ１０の強度を補強して研削を行うことができる。尚、サポート部材２０が回路面１４を保護するので、保護テープが不要になる。

ラッピング台１２とウェハ１０との間に、研磨剤１６を介在させる。研磨剤１６は、ウェハ１０の裏面１８に接触する。研削工程において、ウェハ１０の厚みが所定の厚さとなるよう、ウェハ１０の裏面１８を研磨剤１６により研磨する。尚、上記点を除き、本実施の形態にも、実施の形態１で説明した内容が該当する。

こうして、図５（ｂ）に示すように、サポート部材２０が貼り付けられた薄型のウェハ１０が得られ、これを図５（ｃ）に示すようにダイシングする。その詳細については、実施の形態１で説明した通りである。

次に、図５（ｄ）に示すように、サポート部材２０が貼り付けられたチップ２６を、フェースアップ構造を形成するように基板３０に搭載する。詳しくは、チップ２６におけるサポート部材２０が貼り付けられた面とは反対側の面（研削された面）を、基板３０に向けて、チップ２６を基板３０に搭載する。その詳細については、サポート部材２０が貼り付けられている点を除き、実施の形態１で説明した内容が該当する。

次に、サポート部材２０をチップ２６から剥離する。その詳細については、チップ２６が基板３０に取り付けられている点を除く。

その後、実施の形態１で説明したように、必要に応じて、ワイヤ等を使用した電気的な接続を行い、封止材を設け、外部端子を設ける。

本実施の形態によれば、サポート部材２０をウェハ１０に貼り付けて、このウェハ１０を研削するので、研削工程においてもウェハ１０を補強することができる。ダイシング工程における効果については、実施の形態１で説明した通りである。また、チップ２６の実装に於いても、該チップ２６をの強度を補強した状態で実装処理を行うので、チップの薄型化で問題となっていた強度不足による破損を実装工程においても防止させることができ、半導体装置の製造歩留まりをより高くすることができる。また、チップ２６を基板３０に対して押圧するときに、サポート部材２０が緩衝材又は保護材の役目を果たす。例えば、サポート部材２０を介してコレットがチップ２６を押圧するので、チップ２６の破損を防止できる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、ウェハを薄型加工してからこれにサポート部材を貼り付けてダイシングし、チップからサポート部材を剥離してから、チップを実装する。実施の形態２と異なるのは、チップの実装前にサポート部材を剥離する点である。

すなわち、ウェハ１０の裏面１８を研削し、図１（ａ）に示すようにウェハ１０の回路面１４にサポート部材２０を貼り付け、図１（ｅ）に示すようにダイシングする。そして、図３（ａ）に示すように、チップ２６をピックアップし、該チップ２６からサポート部材２０を剥離して、チップ２６を基板３０に実装する。なお、チップ２６は、フェースアップ構造形成するように実装される。

本実施の形態でも、実施の形態１で説明した効果を奏することができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、ウェハの回路面にサポート部材を貼り付けてから、ウェハを研削してダイシングし、サポート部材を剥離してからチップを基板に実装する。実施の形態２と異なるのは、サポート部材を剥離してからチップを基板に実装する点である。

すなわち、図３（ａ）に示すように、ウェハ１０の回路面１４にサポート部材２０を貼り付け、図３（ｃ）に示すようにダイシングする。そして、図１（ｄ）に示すように、チップ２６からサポート部材２０を剥離して、チップ２６を基板３０に実装する。なお、チップ２６は、フェースアップ構造を形成して実装される。

本実施の形態でも、実施の形態１及び３で説明した効果を達成することができる。

本発明の実施の形態に係る半導体装置１は、回路基板に実装して使用される。半導体装置１は、上述した実施の形態で説明した方法で得られたチップを含み、パッケージ化されていてもよいし、チップにバンプが形成されたフリップチップであってもよい。回路基板には、例えばガラスエポキシ基板等の有機系基板を用いることが一般的である。回路基板には、例えば銅からなる配線パターンが形成されている。配線パターンのボンディング部（例えばランド）と半導体装置１の外部電極とを機械的に接続することでそれらの電気的導通が図られる。

なお、パッケージ化された半導体装置１は、実装面積をベアチップ（フリップチップ）にて実装する面積にまで小さくすることができる。この回路基板を電子機器に用いれば電子機器自体の小型化が図れる。また、同一面積内においては、より実装スペースを確保することができ、高機能化を図ることも可能である。

半導体装置１又は回路基板を備える電子機器としては、ノート型パーソナルコンピュータや携帯電話器等が例示できる。

１ 半導体装置
１０ ウェハ
１４ 回路面
１６ 研磨剤
１８ 裏面
２０ サポート部材
２２ 粘着剤
２６ チップ
３０ 基板
１０２ ダイシングテープ
１０２ａ 基材
１０２ｂ 粘着剤層
１０２ｃ 接着剤層
１０２ｄ 粘接着剤層
１０３ 接着剤層
１０７ ダイシングソー

Claims (11)

1. ウェハの回路面側にサポート部材を貼り合わせる工程と、
   前記ウェハの回路面とは反対側の裏面を薄型加工する工程と、
   前記ウェハの裏面側に、接着剤層を形成する工程と、
   前記接着剤層上に、少なくとも粘着剤層を有するダイシングテープを、接着剤層と粘着剤層とが対向する様に貼り合わせる工程と、
   前記ウェハを、前記接着剤層及びサポート部材と共に切断してチップ化する工程とを有しており、
   前記ダイシングテープにおける粘着剤層は、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートにより炭素−炭素二重結合が導入されたアクリル系ポリマーをベースポリマーとする内在型の放射線硬化型粘着剤により形成されたものであることを特徴とするウェハのダイシング方法。
2. ウェハの回路面側にサポート部材を貼り合わせる工程と、
   前記ウェハの回路面とは反対側の裏面を薄型加工する工程と、
   前記ウェハの裏面側に、少なくとも接着剤層及び粘着剤層が積層されたダイシングテープを、ウェハの裏面と接着剤層とが対向する様に貼り合わせる工程と、
   前記ウェハを、前記接着剤層及びサポート部材と共に切断してチップ化する工程とを有しており、
   前記ダイシングテープにおける粘着剤層は、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートにより炭素−炭素二重結合が導入されたアクリル系ポリマーをベースポリマーとする内在型の放射線硬化型粘着剤により形成されたものであることを特徴とするウェハのダイシング方法。
3. 請求項１又は２に記載のウェハのダイシング方法であって、
   前記サポート部材を、粘着剤または両面粘着シートを介して前記ウェハに貼り合わせることを特徴とするウェハのダイシング方法。
4. ウェハの回路面側にサポート部材を貼り合わせる工程と、
   前記ウェハの回路面とは反対側の裏面を薄型加工する工程と、
   前記ウェハの裏面側に、接着剤層を形成する工程と、
   前記接着剤層上に、少なくとも粘着剤層を有するダイシングテープを、接着剤層と粘着剤層とが対向する様に貼り合わせる工程と、
   前記ウェハを、前記接着剤層及びサポート部材と共に切断してチップ化する工程と、
   前記接着剤層付きのチップを前記ダイシングテープから剥離する工程と、
   前記接着剤層付きのチップを、該接着剤層を介して基板上にダイボンドする工程とを有しており、
   前記ダイシングテープにおける粘着剤層は、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートにより炭素−炭素二重結合が導入されたアクリル系ポリマーをベースポリマーとする内在型の放射線硬化型粘着剤により形成されたものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. ウェハの回路面側にサポート部材を貼り合わせる工程と、
   前記ウェハの回路面とは反対側の裏面を薄型加工する工程と、
   前記ウェハの裏面側に、少なくとも接着剤層及び粘着剤層が積層されたダイシングテープを、ウェハの裏面と接着剤層とが対向する様に貼り合わせる工程と、
   前記ウェハを、前記接着剤層及びサポート部材と共に切断してチップ化する工程と、
   前記接着剤層付きのチップを前記ダイシングテープから剥離する工程と、
   前記接着剤層付きのチップを、該接着剤層を介して基板上にダイボンドする工程とを有しており、
   前記ダイシングテープにおける粘着剤層は、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートにより炭素−炭素二重結合が導入されたアクリル系ポリマーをベースポリマーとする内在型の放射線硬化型粘着剤により形成されたものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 請求項４又は５に記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記サポート部材を、粘着剤または両面粘着シートを介して前記ウェハに貼り合わせることを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 請求項４〜６の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記ダイボンドは、前記サポート部材を前記チップから剥離した後に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 請求項４〜６の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記ダイボンドの後に、前記サポート部材を前記チップから剥離することを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 請求項４〜８の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置。
10. 請求項９に記載の半導体装置が実装された回路基板。
11. 請求項９に記載の半導体装置を備えた電子機器。
    

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