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JP2009109629A - プラズマディスプレイパネル装置 - Google Patents

プラズマディスプレイパネル装置 Download PDF

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JP2009109629A JP2007280203A JP2007280203A JP2009109629A JP 2009109629 A JP2009109629 A JP 2009109629A JP 2007280203 A JP2007280203 A JP 2007280203A JP 2007280203 A JP2007280203 A JP 2007280203A JP 2009109629 A JP2009109629 A JP 2009109629A
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信義 近藤
Takashi Sasaki
孝 佐々木
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Hitachi Ltd
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Abstract

【課題】サステイン期間での省電力化と適正な消去動作の両方を満たすことができるPDP装置を提供する。
【解決手段】基板表面に複数の表示電極を有するPDP装置において,表示電極は互いに隣接するX電極とY電極を有し,X,Y電極の駆動回路がLC共振回路を含む電力回収回路を有する。そして,サステイン期間で,X,Y電極駆動回路は,立ち上がり時に立ち上がり鈍波形を立ち下がり時に立ち下がり鈍波形をそれぞれ有するサステインパルスをX,Y電極間に複数回印加し,当該複数のサステインパルスを印加した後に,立ち上がり時に立ち上がり鈍波形より急峻な立ち上がり特性を有しサステインパルスより短いパルス幅を有する細幅消去パルスをX,Y電極間に印加する。
【選択図】図7

Description

本発明は,プラズマディスプレイパネル装置(PDP装置)に関し,特にサステイン動作での細幅消去を改善したPDP装置に関する。
PDP装置は,大画面のフラットテレビとして注目されている。従来のPDP装置は,前面側の透明基板上に複数の表示電極(X,Y電極)を設け,背面側の基板上に表示電極と交差する複数のアドレス電極と蛍光体とを有する。そして,その表示動作では,リセット期間でX,Y電極間にリセット放電を発生させてパネル上の壁電荷の状態を均一にし,アドレス期間でY電極を走査しながら表示データに応じてアドレス電極を駆動してY電極とアドレス電極間でアドレス放電を発生させサステイン時の放電に必要な壁電荷を生成し,サステイン期間でX,Y電極間に所定回数のサステインパルスを印加し,アドレス放電が生じたセルに所定回数のサステイン放電を発生させる。
PDP装置は,サステイン期間における消費電力を削減することが従来からの課題の一つである。サステイン期間では,隣接するX電極とY電極との間にサステインパルスを複数回印加する。具体的には,X電極とY電極とに交互にサステインパルスを印加することで,X,Y電極間に極性が交互に反転するサステインパルスが印加される。このサステインパルスの電圧は例えば200Vと高いのでサステイン動作における消費電力が非常に高くなる。
消費電力を削減するために,X電極及びY電極のサステイン駆動回路は,電力回収回路を有する。電力回収回路はLC共振回路を有し,LC共振回路は,サステインパルスの終了時にパネルから電力を回収しキャパシタに電荷を蓄積し,サステインパルスの開始時にキャパシタに蓄積した電荷をパネルに供給する。したがって,サステインパルスの波形は,その立ち上がり時では電力を供給するための鈍波形,立ち下がり時では電力を回収するための鈍波形とを有する。この電力回収回路については,例えば特許文献1に記載されている。
一方,PDP装置は,サステイン期間において,アドレス期間に点灯したセルにのみサステイン放電を発生させる。サステイン放電終了時に,点灯セルではX,Y電極の表面に電荷(残留電荷)が蓄積された状態になっている。そこで,サステイン期間に続くリセット期間では,非常に高い電圧を有するリセットパルスをX,Y電極間に印加し,点灯セルも非点灯セルも含めて全てのセルでリセット放電を発生させ,パネル上の残留電荷の状態を均一にする。
しかし,サステイン期間終了時は,点灯セルのX,Y電極上の残留電荷量が極めて大きい状態になっているので,サステイン期間の最後にパルス幅がサステインパルスより狭い細幅消去パルスを印加して,サステイン放電したセルの残留電荷量を減少させる細幅消去が行われている。例えば,特許文献2,3には,サステイン期間での細幅消去が記載されている。
特開2006−154287号公報 特開2005−173625号公報 特開2006―189847号公報
上記の通り,サステイン期間では,消費電力削減のためにサステイン駆動回路内にLC共振回路からなる電力回収回路を設け,サステインパルスの立ち下がりでLC共振回路によりパネルから電力を回収し,立ち上がりでLC共振回路によりパネルに電力を供給する。そのため,サステインパルスの波形は立ち上がりと立ち下がりで鈍波形になる。また,サステイン期間の終了時にXまたはY電極に細幅消去パルスを印加して,X,Y電極上の残留電荷の量を減らす必要がある。
しかし,電力回収回路の動作により細幅消去パルスの立ち上がり波形が鈍波形になると,パネル内の複数のセルの特性ばらつきに起因して,消去放電の規模がセル間でばらつくという課題がある。立ち上がり時の鈍波形は,X,Y間の電圧を徐々に上昇させ,放電閾値を越えたセルから順に消去放電が開始する。セルの特性ばらつきにより消去放電の開始が遅くなるセルは,細幅消去パルスで充分に消去放電が生じず,残留電荷量を充分に減らすことができない。
そこで,本発明の目的は,サステイン期間での省電力化と適正な消去動作の両方を満たすことができるPDP装置を提供することにある。
上記の課題を解決するために,本発明の第1の側面によれば,基板表面に複数の表示電極を有するPDP装置において,表示電極は互いに隣接するX電極とY電極(第2,第1電極)を有し,X,Y電極を駆動するX,Y駆動回路を有する。そして,サステイン期間で,前記X,Y電極駆動回路は,立ち上がり時に立ち上がり鈍波形を有し立ち下がり時に立ち下がり鈍波形を有するサステインパルスをX,Y電極間に複数回印加し,当該複数のサステインパルスを印加した後に,立ち上がり時に前記立ち上がり鈍波形より急峻な立ち上がり特性を有し前記サステインパルスより短いパルス幅を有する細幅消去パルスをX,Y電極間に印加する。
上記の第1の側面において,X,Y駆動回路はLC共振回路からなる電力回収回路を有し,電力回収回路のLC共振回路は,サステインパルスの立ち下がり時にX,Y電極間の電荷を回収し立ち上がり時に回収した電荷をX,Y電極間に供給することで,消費電力を抑える。そして,複数のサステインパルス印加後の細幅消去パルスの立ち上がり特性は立ち上がり鈍波形より急峻な特性にして,セル間の特性ばらつきにかかわらず一律に消去放電を発生させる。
上記の第1の側面において,X,Y駆動回路は,前記電力回収回路に加えて前記X,Y電極間に所定のクランプ電圧を印加するクランプ回路を有する。そして,X,Y駆動回路は,X,Y電極間に,前記サステインパルスの立ち上がり時に前記電力回収回路により立ち上がり鈍波形電圧を印加した後前記クランプ回路によりクランプ電圧を印加し,立ち下がり時に前記電力回収回路により立ち下がり鈍波形電圧を印加した後前記クランプ回路によりクランプ電圧を除去する。また,X,Y駆動回路は,X,Y電極間に,前記細幅消去パルスの立ち上がり時に前記クランプ回路によりクランプ電圧を印加する。細幅パルスの立ち下がり時は,前記電力回収回路により立ち下がり鈍波形電圧を印加した後前記クランプ回路によりクランプ電圧を除去してもよいし,立ち下がり鈍波形電圧を印加せずにクランプ電圧を除去してもよい。
上記の課題を解決するために,本発明の第2の側面によれば,基板表面に複数の表示電極を有し,前記表示電極は互いに隣接する第1の電極と第2の電極とを有するプラズマディスプレイパネル装置において,
前記第1の電極を駆動する第1の電極駆動回路と,
前記第2の電極を駆動する第2の電極駆動回路とを有し,
サステイン期間において,前記第1,第2の電極駆動回路は,前記第1,第2の電極に交互に,立ち上がり時に立ち上がり鈍波形を有し立ち下がり時に立ち下がり鈍波形を有するサステインパルスを印加し,
前記第2の電極に前記サステインパルスを印加した後に,前記第1の電極駆動回路は,立ち上がり時に前記立ち上がり鈍波形より急峻な立ち上がり特性を有し前記サステインパルスより短いパルス幅を有する細幅消去パルスを前記第1の電極に印加する。
上記の課題を解決するために,本発明の第3の側面によれば,基板表面に複数の表示電極を有し,前記表示電極は互いに隣接する第1の電極と第2の電極とを有するプラズマディスプレイパネル装置において,
前記第1の電極を駆動する第1の電極駆動回路と,
前記第2の電極を駆動する第2の電極駆動回路とを有し,
サステイン期間において,前記第1,第2の電極駆動回路は,前記第1,第2の電極に交互に,立ち上がり時に立ち上がり鈍波形を有し立ち下がり時に立ち下がり鈍波形を有するサステインパルスを印加し,
前記第2の電極に前記サステインパルスを印加した後に,前記第1の電極駆動回路は,第1の時間に前記立ち上がり鈍波形より急峻な立ち上がり特性を有する第1の消去パルスを前記第1の電極に印加し,前記第2の電極駆動回路は,前記第1の時間後前記サステインパルスのパルス幅より短い時間経過した第2の時間に前記第1の消去パルスと同極性の第2の消去パルスを前記第2の電極に印加する。
サステイン期間の最後にX,Y電極間に印加する細幅消去パルスがサステインパルスの立ち上がり鈍波形よりも急峻な立ち上がり特性を有するので,細幅消去パルス印加時にセルの特性ばらつきにかかわらず全ての点灯セルで消去放電を発生させることができ,点灯セルの残留電荷をばらつき少なく減少させることができる。
図1は,本実施の形態におけるPDP装置の全体構成図である。パネル10は,前面側の透明基板と背面側の基板とを有し,前面側基板と背面側基板との間には放電ガスが封入された放電空間が形成されている。前面側基板の上には,水平方向に延びる複数の表示電極X1〜X4,Y1〜Y4が形成されている。表示電極は,互いに隣接するX電極(第2の電極)X1〜X4とY電極(第1の電極)Y1〜Y4とを有する。また,背面側基板の上には,垂直方向に延びて表示電極X,Yと交差する複数のアドレス電極A1〜A6を有する。X,Y電極とアドレス電極との交差位置にセルが形成される。
PDP装置は,パネル10に加えて,アドレス期間中に表示データに応じてアドレス電極を駆動するアドレスドライバ回路14と,表示電極であるX電極を駆動するXサステインドライバ回路20と,表示電極であるY電極を駆動するYサステインドライバ回路16とを有する。X,Yサステインドライバ回路20,16は,サステイン期間中にX,Y電極それぞれにサステインパルスを印加する。また,PDP装置は,アドレス期間中にY電極を走査するYスキャンドライバ回路18を有する。そして,制御回路12は,表示映像データを供給され,表示データをアドレスドライバ回路14に供給するとともに,Yスキャンドライバ18にスキャン制御信号を供給し,X,Yサステインドライバ20,16にサステイン制御信号を供給する。
図2は,PDP装置のパネル断面図である。この図は,アドレス電極に沿った断面図である。前面側の透明基板SubAと背面側基板SubBとが放電空間DSを挟んで封止されている。放電空間DS内には放電ガスが封入されている。前面側基板SubAには,複数のX,Y電極が交互に形成され,各X,Y電極は,例えばITO(インジウム・チン酸化膜)からなる透明電極TRSと,Cr/Cu/Crからなる金属バス電極BUSとで構成され,誘電体層IF1で被覆されている。誘電体層IF1の表面には図示しないMgOからなる保護層が形成されている。背面側基板SubBには,金属からなるアドレス電極Aが形成され,誘電体層IF2で被覆されている。
図3は,PDP装置の駆動波形図である。図3には,アドレス電極A,X電極X1−Xn,Y電極Y1−Ynの駆動波形の一例がそれぞれ示されている。PDP装置の駆動は,1つのフィールド期間を複数のサブフィールドSub-Fieldに分割して行われる。図3には1サブフィールド期間の駆動波形が示されている。
各サブフィールドは,リセット期間Tresetと,アドレス期間Taddと,サステイン期間Tsusとを有する。リセット期間Tresetでは,全てのX電極X1〜Xnに負極性のリセット電圧Vr1を印加しながら,全てのY電極Y1〜Ynに正極性で徐々に電圧が上昇するランプ電圧Vr2が印加される。これにより,全てのセルでリセット放電が発生し,ランプ電圧Vr2の印加が終了した時に全てのセルで電荷調整のための消去放電が発生する。
リセット期間Treset後のアドレス期間Taddでは,Xサステインドライバ回路20が全てのX電極をグランド電位に維持した状態で,Yスキャンドライバ回路18がY電極に負極性のスキャンパルスVscを順次印加しながらY電極を走査し,そのタイミングに同期して,アドレスドライバ回路14がアドレス電極Aに表示データに応じた電圧(0V又はVa)を印加する。これにより,選択されたセルのY−A間及びX−Y間にアドレス放電が発生し,X電極とY電極上の誘電体層上に負電荷と正電荷の残留電荷がそれぞれ形成される。
次に,サステイン期間Tsusでは,X,Y電極間にサステインパルスが印加される。X,Y電極間に印加されるサステインパルスは,その極性が交互に変更される。具体的には,図3に示されるとおり,最初に全てのX電極がグランド電位にされ全てのY電極に電圧Vsを有するサステインパルスVsが印加され,X,Y電極間には負極性のパルスが印加される。この時,アドレス期間終了時点で選択されたセルのX電極とY電極上の誘電体層上に負電荷と正電荷の残留電荷がそれぞれ形成されているので,このサステインパルスの印加により,選択セルにはサステイン放電が発生し,X電極とY電極上の誘電体層上に正電荷と負電荷の残留電荷がそれぞれ形成される。非選択セルには残留電荷が形成されていないので,サステインパルスが印加されてもサステイン放電は発生しない。
続いて,全てのY電極がグランド電位にされ全てのX電極に電圧Vsを有するサステインパルスVsが印加され,X,Y電極間には正極性のパルスが印加される。この時,直前のサステインパルス終了時点で選択セルのX電極とY電極上の誘電体層上に正電荷と負電荷の残留電荷がそれぞれ形成されているので,このサステインパルスの印加により,選択セルにはサステイン放電が発生し,X電極とY電極上の誘電体層上に負電荷と正電荷の残留電荷がそれぞれ形成される。つまり,最初のサステインパルス印加と逆極性のサステイン放電がX,Y電極間で発生する。
上記のサステイン放電が,サステインパルスの回数だけX,Y電極間で交互に行われる。サステインパルス数は,サブフィールド毎に予め所定の比率になるように設定されていて,サブフィールドの組み合わせにより,各セルには所望の表示輝度が生成される。
そして,サステイン期間Tsusの最後に,全てのX電極をグランド電位にした状態で全てのY電極にサステインパルスと同じ電圧値を有しサステインパルスよりパルス幅が狭い細幅消去パルス(図示せず)が印加される。この細幅消去パルスの印加により,X,Y電極上の残留電荷の量が減少する。
図4は,サステイン期間における選択セルの残留電荷の状態を示す図である。図4(A)は,アドレス期間終了時,つまりサステイン期間開始時の状態を示す,アドレス期間では,Y電極に負の走査パルスが印加され,アドレス電極とY電極の間にアドレス放電が発生し,さらにX電極とY電極との間にもアドレス放電が発生する。X電極側がグランド電位(または正電位),Y電極側が負電位であるため,放電空間に発生した正電荷はY電極上に負電荷はX電極上にそれぞれ引きつけられ残留電荷として蓄積される。
図4(A)の状態で,Y電極に正極性のサステインパルスが印加されると,サステインパルス放電が発生する。その結果,X電極側がグランド電位,Y電極側が正電位であるため,図4(B)に示すとおり,放電空間に発生した正電荷はX電極上に負電荷はY電極上にそれぞれ引きつけられ残留電荷として蓄積される。
その後は,サステインパルスが全てのX電極と全てのY電極とに交互に印加され,図4(A),(B)の状態が交互に繰り返される。
上記のサステイン放電は,次のようにも説明できる。図4(A)の状態でY電極に正のサステイン電圧Vsが印加されると,それに反発して誘電体層IF1上に残留している正電荷が放電空間に移動し,X電極の誘電体層IF1上に残留している負電荷はY電極の正の電圧に引き寄せられて放電空間に移動し,正,負電荷が結合しサステイン放電を発生する。そして,サステイン電圧が印加されているので,放電空間中の正電荷はX電極上に引き寄せられ,負電荷はY電極上に引き寄せられ,図4(B)の状態になる。
図5は,本実施の形態におけるサステインドライバ回路の具体的回路図を示す図である。Y電極を駆動するYサステインドライバ回路16は,LC共振回路を有する電力回収回路LCと,Y電極をサステイン電圧Vsにクランプするクランプ回路CPとを有する。電力回収回路LCは,電荷蓄積用キャパシタC0と,Y電極Yと電荷蓄積キャパシタC0との間に電力回収用のインダクタンスL2,ダイオードD2,NMOSトランジスタからなるスイッチLDと,電力供給用のNMOSトランジスタからなるスイッチLUと,ダイオードD1と,インダクタンスL1とを有する。クランプ回路CPは,Y電極にサステイン電圧Vsを印加するNMOSトランジスタからなるスイッチCUと,Y電極にグランド電位を印加してサステイン電圧Vsを除去するNMOSトランジスタからなるスイッチCDとを有する。なお,スイッチCUとサステイン電圧Vsとの間には逆流防止用ダイオードD3が設けられている。
X電極を駆動するXサステインドライバ回路20も,Yサステインドライバ回路16と同じ構成である。
図5には,さらに,リセット期間においてY電極YにランプパルスVr2を印加するためのリセットドライバ回路22が示されている。リセットドライバ回路22は,リセット電圧Vr2に接続されたスイッチSW1とランプパルスを形成するための遅延素子として抵抗R1とを有する。リセット期間において,スイッチSW1が閉じられると,Y電極には正極生のランプパルスが印加される。この時,トランジスタCUの寄生ダイオード(図示せず)を介してサステイン電圧Vs側に電流が逆流しないように,ダイオードD3が設けられている。
Yサステインドライバ回路16の4つのスイッチLU,LD,CU,CDには,それぞれ制御パルスPLU,PLD,PCU,PCDが制御回路12から供給され,所望のタイミングでオン,オフ制御される。
図6は,サステインドライバ回路16の制御パルスの波形図である。サステインパルスPsusの印加開始時t1において,制御パルスPLUがHレベルになり,スイッチLUが導通する。これにより,電荷蓄積用キャパシタC0内に蓄積されている電荷が,スイッチLU,ダイオードD1,インダクタンスL1を介してY,X電極間の寄生キャパシタCxyに供給される。インダクタンスL1と寄生キャパシタCxyとからなるLC共振回路特性により,Y電極Yi(i=1〜n)の電圧は鈍波形で立ち上がる。そして,時間t2で,制御パルスPCUがHレベルになり,スイッチCUが導通し,サステイン電圧VsがY電極に印加される。これにより,Y電極はサステイン電圧Vsにクランプされる。この時,インダクタンスL1に蓄積されたエネルギーは図示しないダイオード回路により電源側に逃がされる。
所定のサステインパルスのパルス幅後の時間t3で,制御パルスPLDがHレベルになり,スイッチLDが導通する。これにより,寄生キャパシタCxyに蓄積されていた電荷が,インダクタンスL2,ダイオードD2,スイッチLDを介して電荷蓄積用キャパシタC0に回収される。インダクタンスL2と寄生キャパシタCxyとからなるLC共振回路特性により,Y電極Yiの電圧は鈍波形で立ち下がる。そして,時間t4で,制御パルスPCDがHレベルになり,スイッチCDが導通し,グランド電位GNDがY電極に印加される。これにより,Y電極からサステイン電圧Vsが除去される。この時,インダクタンスL2に蓄積されたエネルギーは図示しないダイオード回路により電源側に逃がされる。
電荷蓄積用キャパシタC0は,充分に大きな電荷量を蓄積できるほど容量が大きい。よって,上記の電力回収動作と電力供給動作を繰り返すうちに,十分に大きな電荷量を蓄積することになる。
このように,サステインドライブ回路16内に電力回収回路LCを設けたことで,クランプ回路CPのトランジスタスイッチCU,CDの電流供給能力を小さく設計することができ,トランジスタサイズを小さくすることができる。さらに,電力回収回路LCによりパネル上の複数のセルの電荷を回収し供給することができるので,省電力化することができる。
図7は,本実施の形態におけるサステインパルスの波形図である。本実施の形態のX,Yサステインドライブ回路16,18は,サステインクランプ回路CPと電力回収回路LCとを有する。それに伴い,サステインパルスPsusは,鈍波形の立ち上がり特性と鈍波形の立ち下がり特性を有する。電力回収回路LCを使用することで電力消費を抑制することができる。
また,サステイン期間において,X,Y電極への所定数のサステインパルスPsusを印加した後に,Y電極にサステインパルスPsusよりパルス幅が狭いが同じ電圧を有する細幅消去パルスPerが印加される。この細幅消去パルスPerの印加により,X,Y電極上の残留電荷量を減らすことができる。
図8は,消去パルスによる残留電荷の状態を示す図である。図8(A)は,図4(A)と同じ状態であり,最後のサステインパルスPsusがX電極に印加された後の状態を示す。X電極上の誘電体層IF1上には負の電荷が,Y電極上の誘電体層IF1上には正の電荷がそれぞれ残留している。
この状態で,短いパルス幅で正極性の細幅消去パルスPerをY電極に印加すると,Y電極上の正電荷が反発して放電空間DSに飛び出し,X電極上の負電荷が引き寄せられて放電空間DSに飛び出し,両者が結合して消去放電に至る。しかし,細幅消去パルスPerはパルス幅がサステインパルスPsusより短いため,X,Y電極上の一部の電荷のみが放電空間に飛び出して結合するだけである。その結果,図8(B)に示すとおり,細幅消去パルスPerの印加終了時は,X電極上の誘電体層IF1上の残留負電荷と,Y電極上の誘電体層IF1上の残留正電荷は,細幅消去パルス印加前よりその電荷量が減少する。
つまり,細幅消去パルスの印加により,サステイン放電により生成された残留電荷の量を減らすことができる。これにより,後続のリセット期間では全てのセルにリセット放電を発生させ,その後の電荷調整放電を発生させることができる。
しかしながら,X,Yサステインドライブ回路16,18の電力回収回路を動作させて細幅消去パルスPerの立ち上がりを立ち上がり鈍波形30にすると,以下のような問題が生じる。立ち上がり鈍波形30は,X,Y電極間の電圧を徐々に大きくし,セルの放電閾値電圧を超えた時点で微少放電を発生させる。一旦微少放電が発生するとX,Y電極上の電荷量が減少しX,Y電極間電圧が低下し微少放電は停止する。さらに,立ち上がり鈍波形30によりX,Y電極間の電圧が高くなると,再度微少放電が発生する。
このように細幅消去パルスPerの立ち上がり鈍波形は,セルの動作特性に応じて,放電開始タイミングが異なるという問題を招く。そのため,複数のセルの動作特性のばらつきに起因して,消去放電の規模がセル毎に異なり,選択セルの残留電荷量を均等に減らすことができなくなる。
本実施の形態では,この点を改善し,消費電力の削減とサステイン期間での適切な消去動作との両方を達成するために,サステイン期間で,X,Yサステインドライブ回路は,立ち上がり時に立ち上がり鈍波形を有し立ち下がり時に立ち下がり鈍波形を有するサステインパルスPsusをX,Y電極間に複数回印加し,複数のサステインパルスを印加した後に,立ち上がり時に立ち上がり鈍波形より急峻な立ち上がり特性を有しサステインパルスより短いパルス幅を有する細幅消去パルスPer1,Per2をX,Y電極間に印加する。
具体的には,図7(B)に示すとおり,Y電極とX電極に交互に印加されるサステインパルスPsusは,鈍波形の立ち上がり波形と鈍波形の立ち下がり波形を有し,電力回収回路による省電力効果を利用する。一方,複数のサステインパルスPsusを印加した後,サステイン期間の最後に印加する細幅消去パルスPer1は,立ち上がりと立ち下がりが共に急峻なパルス,つまり矩形パルスにする。これにより,セルの動作特性にばらつきがあっても,消去放電では急峻な立ち上がり特性を有する消去パルスによる強放電が発生し,全ての選択セルで消去放電が発生する。
また,図7(C)に示すとおり,サステイン期間の最後に印加する細幅消去パルスPer2は,立ち上がりが急峻で立ち下がりが鈍波形のパルスにする。これにより,セルの動作特性にばらつきがあっても,急峻な立ち上がり特性を有する消去パルスの印加により強放電が発生し,全ての選択セルで消去放電が同等に発生する。しかも,パルスの立ち下がりでは電力回収回路による電荷の回収が行われるので,省電力化に寄与することができる。
なお,細幅消去パルスの急峻な立ち上がり特性による強放電の発生は,各サブフィールドSub−Fieldに1回ずつに過ぎないので,それによる消費電力の増加はそれほど問題はない。
上記の細幅消去パルスPer1,Per2の生成を図6を参照して説明する。図6において,制御パルスPLUとPLDをLレベルに保つことで,電力回収回路LCの動作が停止する。そして,制御パルスPCU,PCDをタイミングt2,t4でHレベルにすることで,クランプ回路CPによりY電極には,立ち上がりと立ち下がりが共に急峻な細幅消去パルスPer1を生成することができる。なお,細幅消去パルスPer1はパルス幅がサステインパルスよりも短いので,タイミングt4をより早める必要がある。
つまり,Yサステインドライブ回路18の電力回収回路LCは動作させず,クランプ回路CPのみで立ち上がりと立ち下がりが急峻な細幅消去パルスPer1を生成する。
また,制御パルスPLUのみをLレベルに保ち,制御パルスPCU,PLD,PCDをタイミングt2,t3,t4でHレベルにすることで,立ち上がりが急峻で立ち下がりは鈍波形の細幅消去パルスPer2を生成することができる。この場合も細幅消去パルスPer2のパルス幅を短くするために,タイミングt3,t4を早める必要がある。
つまり,Yサステインドライブ回路18は,電力回収回路LCを動作させずにクランプ回路CPのみで立ち上がりが急峻な細幅消去パルスPer2を生成し,電力回収回路LCとクランプ回路CPを動作させて立ち下がりが鈍波形の細幅消去パルスPer2を生成する。
図9は,本実施の形態における第2のサステインパルスの波形図である。X,Yサステインドライブ回路18,20は,電力回収回路LCを設けたことにより,クランプ回路CPのスイッチCU,CDのトランジスタサイズを比較的小さくしている。そのため,細幅消去パルスPer1,2をクランプ回路CPのスイッチCU,CDだけで生成すると,その立ち上がり特性と立ち下がり特性とがやや緩慢になり,正確に細いパルス幅を再現することが容易でない。
そこで,図9(A)の第2のサステインパルスでは,サステインパルスPsusは図7と同じであるが,細幅消去パルスPer1は,Yサステインドライバ回路によるY消去パルスPer1yと,Xサステインドライバ回路によるX消去パルスPer1xとの合成パルスになる。時間t10で,Y消去パルスPer1yが急峻に立ち上がり,時間t10後細幅消去パルスのパルス幅時間経過後の時間t11で,X消去パルスPer1xが急峻に立ち上がり,その後の時間t12でX,Y消去パルスPer1x,Per1yの両方が同時に急峻に立ち下がる。このX,Y消去パルスPer1x,Per1yにより合成されたX,Y電極間の消去パルスは,図7の細幅消去パルスPer1と同じ波形になる。
X,Yサステインドライブ回路18,20は,電力回収回路の動作を停止させ,クランプ回路CPのみにより,上記のX,Y消去パルスPer1x,Per1yを生成することができる。しかも,それぞれのX,Y消去パルスPer1x,Per1yのパルス幅は比較的長くすることできる。時間t10とt11との間を短くすることで,合成パルスを所望のパルス幅にできる。
図9(B)の第2のサステインパルスでも,細幅消去パルスPer1は,Yサステインドライバ回路によるY消去パルスPer1yと,Xサステインドライバ回路によるX消去パルスPer1xとの合成パルスである。時間t10で,Y消去パルスPer1yが急峻に立ち上がり,時間t10後パルス幅の時間経過後の時間t11で,X消去パルスPer1xが急峻に立ち上がり,その後の時間t12でX,Y消去パルスPer1x,Per1yの両方が同時に立ち下がり鈍波形で立ち下がる。このX,Y消去パルスPer1x,Per1yにより合成されたX,Y電極間の消去パルスも,図7の細幅消去パルスPer1と同じ波形になる。
X,Yサステインドライブ回路18,20は,電力回収回路の動作を停止させ,クランプ回路CPのみにより,上記のX,Y消去パルスPer1x,Per1yを急峻に立ち上げることができる。また,立ち下げは電力回収回路LCとクランプ回路CPとにより生成することができる。
図10は,本実施の形態における第3のサステインパルスの波形図である。この第3のサステインパルスの波形図によれば,図7(C)に示した細幅消去パルスPer2を生成することができる。
図10(A)の第3のサステインパルスでは,サステインパルスPsusは図7と同じであるが,細幅消去パルスPer2は,Yサステインドライバ回路によるY消去パルスPer2yと,Xサステインドライバ回路によるX消去パルスPer2xとの合成パルスになる。時間t10で,Y消去パルスPer2yが急峻に立ち上がり,時間t10後パルス幅の時間経過後の時間t11で,X消去パルスPer2xが鈍波形で立ち上がり,その後の時間t12でX,Y消去パルスPer2x,Per2yの両方が同時に急峻に立ち下がる。このX,Y消去パルスPer2x,Per2yにより合成されたX,Y電極間の消去パルスは,図7(C)の細幅消去パルスPer2と同じ波形になる。
Yサステインドライブ回路18は,電力回収回路LCの動作を停止させ,クランプ回路CPのみにより,上記のY消去パルスPer2yを生成することができる。また,Xサステインドライブ回路20は,電力回収回路LCとクランプ回路CPとにより,X消去パルスPer2xを鈍波形の立ち上がり特性にし,クランプ回路CPにより急峻な立ち下がり特性にできる。そして,それぞれのX,Y消去パルスPer2x,Per2yのパルス幅は比較的長くすることできる。時間t10とt11との間を短くすることで,合成パルスを所望のパルス幅にできる。
図10(B)の第3のサステインパルスでも,細幅消去パルスPer2は,Yサステインドライバ回路によるY消去パルスPer2yと,Xサステインドライバ回路によるX消去パルスPer2xとの合成パルスである。時間t10で,Y消去パルスPer2yが急峻に立ち上がり,時間t10後パルス幅の時間経過後の時間t11で,X消去パルスPer2xが鈍波形で立ち上がり,その後の時間t12でX,Y消去パルスPer2x,Per2yの両方が同時に鈍波形で立ち下がる。このX,Y消去パルスPer2x,Per2yにより合成されたX,Y電極間の消去パルスも,図7の細幅消去パルスPer2と同じ波形になる。
しかも,Y消去パルスPer2yの立ち上がり時のみ電力回収回路を停止し,それ以外のY消去パルスPer2yの立ち下がりと,X消去パルスPer2xの立ち上がり及び立ち下がりとで全て電力回収回路を動作させている。よって,省電力化に有利である。
Yサステインドライブ回路20は,電力回収回路の動作を停止させ,クランプ回路CPのみにより,上記のY消去パルスPer2yを急峻に立ち上げることができる。それ以外,Y消去パルスPer2yの立ち下げ,X消去パルスPer2xの立ち上げと立ち下げとは,電力回収回路LCとクランプ回路CPとにより図10(B)の波形を生成することができる。
以上の通り,本実施の形態によれば,サステイン期間では,サブフィールドの輝度特性に対応したサステインパルスは,電力回収回路の動作により立ち上がりと立ち下がりとが鈍波形の特性を有し,省電力化を図ることができ,一方で,サステインパルス印加後の細幅消去パルスは,電力回収回路の動作と一部停止して,その立ち上がり特性をより急峻にし,セルの特性ばらつきに起因する細幅消去動作のばらつきを抑制することができる。
本実施の形態におけるPDP装置の全体構成図である。 PDP装置のパネル断面図である。 PDP装置の駆動波形図である。 サステイン期間における選択セルの残留電荷の状態を示す図である。 本実施の形態におけるサステインドライバ回路の具体的回路図を示す図である。 サステインドライバ回路16の制御パルスの波形図である。 本実施の形態におけるサステインパルスの波形図である。 消去パルスによる残留電荷の状態を示す図である。 本実施の形態における第2のサステインパルスの波形図である。 本実施の形態における第3のサステインパルスの波形図である。
符号の説明
Psus:サステインパルス Per,Per1,Per2:細幅消去パルス
X,Y:第1,第2の電極 A:アドレス電極
16:Yサステインドライバ回路 20:Xサステインドライバ回路

Claims (10)

  1. 基板表面に複数の表示電極を有し,前記表示電極は互いに隣接する第1の電極と第2の電極とを有するプラズマディスプレイパネル装置において,
    前記第1の電極及び第2の電極を駆動する駆動回路を有し,
    サステイン期間で,前記駆動回路は,立ち上がり時に立ち上がり鈍波形を有し立ち下がり時に立ち下がり鈍波形を有するサステインパルスを前記第1,第2の電極間に複数回印加し,当該複数のサステインパルスを印加した後に,立ち上がり時に前記立ち上がり鈍波形より急峻な立ち上がり特性を有し前記サステインパルスより短いパルス幅を有する細幅消去パルスを前記第1,第2の電極間に印加するプラズマディスプレイパネル装置。
  2. 請求項1において,
    前記細幅消去パルスは,立ち下がり時に前記立ち下がり鈍波形を有するプラズマディスプレイパネル装置。
  3. 請求項1において,
    前記駆動回路は,LC共振回路からなる電力回収回路と,前記第1,第2の電極間にクランプ電圧を印加するクランプ回路とを有し,
    前記駆動回路は,第1,第2の電極間に,前記サステインパルスの立ち上がり時に前記電力回収回路により立ち上がり鈍波形電圧を印加しその後前記クランプ回路によりクランプ電圧を印加し,立ち下がり時に前記電力回収回路により立ち下がり鈍波形電圧を印加しその後前記クランプ回路によりクランプ電圧を除去し,前記細幅消去パルスの立ち上がり時に前記電力回収回路を動作させずに前記クランプ回路によりクランプ電圧を印加するプラズマディスプレイパネル装置。
  4. 請求項3において,
    前記駆動回路は,前記細幅消去パルスの立ち下がり時に前記電力回収回路により立ち下がり鈍波形電圧を印加しその後前記クランプ回路によりクランプ電圧を除去するプラズマディスプレイパネル装置。
  5. 基板表面に複数の表示電極を有し,前記表示電極は互いに隣接する第1の電極と第2の電極とを有するプラズマディスプレイパネル装置において,
    前記第1の電極を駆動する第1の電極駆動回路と,
    前記第2の電極を駆動する第2の電極駆動回路とを有し,
    サステイン期間において,前記第1,第2の電極駆動回路は,前記第1,第2の電極に交互に,立ち上がり時に立ち上がり鈍波形を有し立ち下がり時に立ち下がり鈍波形を有するサステインパルスを印加し,
    前記第2の電極に前記サステインパルスを印加した後に,前記第1の電極駆動回路は,立ち上がり時に前記立ち上がり鈍波形より急峻な立ち上がり特性を有し前記サステインパルスより短いパルス幅を有する細幅消去パルスを前記第1の電極に印加するプラズマディスプレイパネル装置。
  6. 請求項5において,
    前記第1,第2の電極駆動回路は,LC共振回路からなる電力回収回路と,第1,第2の電極にクランプ電圧を印加するクランプ回路とをそれぞれ有し,
    前記第1,第2の電極駆動回路は,第1,第2の電極に交互に印加する前記サステインパルスの立ち上がり時に前記電力回収回路により立ち上がり鈍波形電圧を印加しその後前記クランプ回路によりクランプ電圧を印加し,立ち下がり時に前記電力回収回路により立ち下がり鈍波形電圧を印加しその後前記クランプ回路によりクランプ電圧を除去し,
    前記第1の電極駆動回路は,前記細幅消去パルスの立ち上がり時に前記電力回収回路を動作させずに前記クランプ回路によりクランプ電圧を印加するプラズマディスプレイパネル装置。
  7. 請求項6において,
    前記第1の電極駆動回路は,前記細幅消去パルスの立ち下がり時に前記電力回収回路により立ち下がり鈍波形電圧を印加しその後前記クランプ回路によりクランプ電圧を除去するプラズマディスプレイパネル装置。
  8. 基板表面に複数の表示電極を有し,前記表示電極は互いに隣接する第1の電極と第2の電極とを有するプラズマディスプレイパネル装置において,
    前記第1の電極を駆動する第1の電極駆動回路と,
    前記第2の電極を駆動する第2の電極駆動回路とを有し,
    サステイン期間において,前記第1,第2の電極駆動回路は,前記第1,第2の電極に交互に,立ち上がり時に立ち上がり鈍波形を有し立ち下がり時に立ち下がり鈍波形を有するサステインパルスを印加し,
    前記第2の電極に前記サステインパルスを印加した後に,前記第1の電極駆動回路は,第1の時間に前記立ち上がり鈍波形より急峻な立ち上がり特性を有する第1の消去パルスを前記第1の電極に印加し,前記第2の電極駆動回路は,前記第1の時間後前記サステインパルスのパルス幅より短い時間経過した第2の時間に前記第1の消去パルスと同極性の第2の消去パルスを前記第2の電極に印加するプラズマディスプレイパネル装置。
  9. 請求項8において,
    前記第1の消去パルスは,前記第2の時間後の第3の時間に,前記立ち下がり鈍波形を有し,
    前記第2の消去パルスは,前記第3の時間に,前記立ち下がり鈍波形を有するプラズマディスプレイパネル装置。
  10. 請求項8または9において,
    前記第2の消去パルスは,前記第2の時間に,前記立ち上がり鈍波形を有するプラズマディスプレイパネル装置。
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