JP2009100170A - Differential wires, wiring board, wiring structure, and differential transmission line - Google Patents
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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Abstract
Description
本発明は、差動配線、これを有する配線基板及び配線構造、並びに差動伝送路に係り、特に差動配線の構成に関する。 The present invention relates to differential wiring, a wiring board and wiring structure having the differential wiring, and a differential transmission path, and more particularly to the configuration of the differential wiring.
回路の高速化高密度化に伴い、差動線路(差動配線)においてもクロストーク低減の必要性が生じている。差動線路は、2つの線路(配線)をペアとし、送信すべき信号として送信側の回路から両線路に沿ってプラス側とマイナス側とに互いに反転した信号(以下、「差動信号」)を伝送させ、その差動信号を受信側の差動増幅回路で受けることで信号伝送により生じる同相ノイズをキャンセルできるように構成されたものである。 With the increase in circuit speed and density, there is a need to reduce crosstalk even in differential lines (differential wiring). A differential line is a signal in which two lines (wirings) are paired, and are inverted from each other on the plus side and the minus side along both lines as a signal to be transmitted (hereinafter, “differential signal”). Is transmitted, and the differential signal is received by the differential amplifier circuit on the receiving side so that the common-mode noise generated by the signal transmission can be canceled.
例えば、図11(a)及び(b)に示すようなポート構成を持つ差動線路(「スタックドペア差動配線」とも言う。)の場合を考える。図11(a)及び(b)において、1は差動配線のペアとなる配線(ペア線)、3はリファレンスグランド、11は絶縁層(層間膜)をそれぞれ示す。この差動線路は、図11(b)に示すように、隣接する2つの差動線路(差動ポート1〜4)を有し、プラス側(+)とマイナス側(−)とでそれぞれペアとなる2つの線路(ポート1〜8)1から構成される。この場合、隣接する2つの差動線路間の近端遠端クロストークは、図18(a)及び(b)に示すSパラメータを用いた表記法で表すと、次のような関係にある。
For example, consider the case of a differential line (also referred to as “stacked pair differential wiring”) having a port configuration as shown in FIGS. In FIGS. 11A and 11B,
SDD31=S51−S71−S73+S53 …(式1)
SDD41=S61−S81−S83+S63 …(式2)
ここで、SDD31とSDD41は、2つの差動線路の内、一方の差動ポート1(ポート1、3)に差動信号を入力したときに、他方の差動ポート3(ポート5、7)に現れる近端クロストークと、他方の差動ポート4(ポート6、8)に現れる遠端クロストークをそれぞれ表す(図18(b)参照)。また、S51〜S81とS53〜S83は、ポート1とポート3にそれぞれ差動信号を入力したときにポート5〜8に現れる差動信号に対応する(図18(a)参照)。
SDD31 = S51-S71-S73 + S53 (Formula 1)
SDD41 = S61−S81−S83 + S63 (Formula 2)
Here, when the
この差動線路の場合、もし、S51とS71が等しい場合、差動線路の対称性から信号S73とS53も等しくなるので、上記の式1より、近端クロストークSDD31を理論上0にすることができる。同様に、S61とS81が等しい場合、差動線路の対称性からS83とS63も等しくなるので、上記の式2より、遠端クロストークSDD41を理論上0にすることができる。
In the case of this differential line, if S51 and S71 are equal, the signals S73 and S53 are also equal because of the symmetry of the differential line, so that the near-end crosstalk SDD31 is theoretically set to 0 from
高密度高速差動配線の低クロストーク化に関しては、特許文献1に開示される図12に示すようなダイアゴナル差動線路が提案されている。図12において、1は差動配線のペアとなる配線(ペア線)、3はリファレンスグランド、11は絶縁層(層間膜)をそれぞれ示す。これによると、差動線路のペア線1のそれぞれとクロストーク量が同じになるように隣接差動配線の1配線を配置して、クロストークをキャンセルする構成をくりかえし配置することにより低クロストーク高密度高速差動配線が実現されている。また、特許文献1では、図13に示すようなスタックドペア差動配線も提案されている。図13において、1は差動配線のペアとなる配線(ペア線)、3はリファレンスグランド、11は絶縁層(層間膜)をそれぞれ示す。この構成においては、高密度配線を構成できる。
With respect to the reduction in crosstalk of high-density and high-speed differential wiring, a diagonal differential line as shown in FIG. In FIG. 12,
また、特許文献2には、図14に示すような差動信号伝送用コネクタが開示されている。図14において、21、23はペアを成すコンタクト、22、24はコンタクト21、23のペアを成す方向に対して横方向に間隔を空けて平行に並設されるペアを成すコンタクト、25は誘電体、26、27は空洞である。図14の構成によると、図13の配線構成において、白矢印どうし、黒矢印どうしのキャンセルを実現させるため、距離の小さい部分(空洞)26、27の誘電率を下げ、実効的な距離を長くしている。または、距離の大きい部分の誘電率を上げ実効的な距離を短くしている。
また、特許文献3では、図15に示すような構成も開示されている。これによると、一方の差動配線28のペアとなる配線30、31と、他方の差動配線28のペアとなる配線29、32を互いにクロス配置することにより、黒矢印と白矢印を等距離にし、キャンセルを実現している。
また、図15の構成と同様であるが、特許文献4では、図16に示すような有線伝送路の構成も開示されている。図16に示す有線伝送路は、第1および第2の差動伝送線路を備え、第1の差動伝送線路は2つのストリップライン34、35からなり、第2の差動伝送線路は2つのストリップライン36、37からなり、ストリップライン34、35がストリップライン36、37の双方から同じ距離だけ離れた位置に配置されている。この場合、差動伝送線路を構成する配線34〜37が正方形でなくても、近端遠端クロストークをキャンセルできる。
Moreover, although it is the same as that of the structure of FIG. 15, in
さらに、特許文献5には、図17に示すようなフレキシブル配線板が開示されている。これによると、隣接する2つの差動線路である差動データ線41、42と、差動クロック線との配線間にグランド配線43を設けることで、カップリングを弱めている。
しかしながら、特許文献1の構成(図12参照)では、図12に示す黒矢印どうしのクロストークはキャンセルできるが、白矢印どうしのクロストークはキャンセルできない。また、図13に示すようなスタックドペア差動配線では、高密度配線を構成できるが、白矢印どうし、黒矢印どうしの距離が異なるため、クロストークのキャンセルは行われない。 However, in the configuration of Patent Document 1 (see FIG. 12), the crosstalk between the black arrows shown in FIG. 12 can be canceled, but the crosstalk between the white arrows cannot be canceled. Further, in the stacked pair differential wiring as shown in FIG. 13, a high-density wiring can be formed, but the crosstalk is not canceled because the distance between the white arrows and the black arrows is different.
また、特許文献2の構成(図14参照)では、近端クロストークは主として容量性であり、遠端クロストークはインダクタンス性であるため、誘電率を変更しただけでは、近端と遠端のクロストークを同時にキャンセルすることはできない。また、差動線路間に誘電率の異なる領域を設ける為、余分に配線間距離を設ける必要があり、高密度化の観点から良くない。 In the configuration of Patent Document 2 (see FIG. 14), the near-end crosstalk is mainly capacitive, and the far-end crosstalk is inductive. Crosstalk cannot be canceled at the same time. Further, since regions having different dielectric constants are provided between the differential lines, it is necessary to provide an extra inter-wiring distance, which is not good from the viewpoint of increasing the density.
また、特許文献3の構成(図15参照)では、距離自体が等しいので、配線30〜33が正方形の場合、近端遠端クロストークをキャンセルできるものの、正方形でない場合は近端遠端で差がでてしまう。また、更に隣接させて差動配線を形成する場合、キャンセル構成ではなくなってしまうので、距離をあけて隣接差動配線を形成する必要がある。
In the configuration of Patent Document 3 (see FIG. 15), since the distances themselves are equal, if the
また、特許文献4の構成(図16参照)では、更に隣接させて差動配線を形成する場合、キャンセル構成ではなくなってしまうので、距離をあけて隣接差動配線を形成する必要がある。 Further, in the configuration of Patent Document 4 (see FIG. 16), when the differential wiring is formed further adjacent to each other, the cancel configuration is not used, so it is necessary to form the adjacent differential wiring at a distance.
さらに、特許文献5の構成(図17参照)では、カップリングを完全に0にはできていないし、近端遠端クロストークを同時に0にはできていない。 Further, in the configuration of Patent Document 5 (see FIG. 17), the coupling cannot be completely reduced to 0, and the near end and far end crosstalk cannot be simultaneously reduced to 0.
本発明の目的は、無限に隣接する差動配線の近端遠端クロストークを許容誤差範囲内において実質的に0とする低クロストーク高速高密度差動配線を実現することにある。 An object of the present invention is to realize a low crosstalk high-speed and high-density differential wiring in which the near-end and far-end crosstalk of infinitely adjacent differential wirings is substantially zero within an allowable error range.
本発明においては、上記課題を、以下の構成とすることにより解決している。 In the present invention, the above problem is solved by adopting the following configuration.
第1の差動配線は、配線幅より配線厚さが小さい配線をペアとする差動配線と、前記配線のリファレンスグランドとを有するスタックドペア差動配線において、隣接する前記差動配線の間の前記リファレンスグランド寄りの位置にグランド配線が設けられていることを特徴とする。 The first differential wiring is a stacked pair differential wiring having a differential wiring paired with a wiring having a wiring thickness smaller than the wiring width, and a reference ground of the wiring. A ground wiring is provided at a position near the reference ground.
第2の差動配線は、配線幅より配線厚さが小さい配線をペアとする差動配線と、前記配線のリファレンスグランドとを有し、隣接する前記差動配線のペアとなる配線を互いにクロスに配置して成るスタックドペア差動配線において、隣接する前記差動配線の間の前記リファレンスグランド寄りの位置にグランド配線が設けられていることを特徴とする。 The second differential wiring includes a differential wiring paired with a wiring having a wiring thickness smaller than the wiring width, and a reference ground of the wiring, and the adjacent differential wiring pairs cross each other. In the stacked pair differential wiring, the ground wiring is provided at a position near the reference ground between the adjacent differential wirings.
好適には、前記グランド配線は、隣接する前記差動配線の間の上下の前記リファレンスグランド寄りの位置に上下対称に設けられている。また、前記配線の配線厚さは、前記差動配線の近端クロストークをキャンセル可能に設定され、前記グランド配線は、前記リファレンスグランドとの間の距離が前記差動配線の遠端クロストークをキャンセル可能に設定されている。 Preferably, the ground wiring is provided symmetrically in the vertical direction at a position near the upper and lower reference ground between the adjacent differential wirings. In addition, the wiring thickness of the wiring is set so that the near end crosstalk of the differential wiring can be canceled, and the distance between the ground wiring and the reference ground is the far end crosstalk of the differential wiring. It is set to be cancelable.
第3の差動配線は、配線幅より配線厚さが小さい配線をペアとする差動配線と、前記配線のリファレンスグランドとを有するスタックドペア差動配線において、前記リファレンスグランド領域のうち、隣接する前記差動配線の間の領域が前記リファレンスグランドの他の領域と比べて、前記差動配線寄りの位置に存在することを特徴とする。 The third differential wiring is a stacked pair differential wiring having a differential wiring paired with a wiring having a wiring thickness smaller than the wiring width, and a reference ground of the wiring. The region between the differential wires is located closer to the differential wires than the other regions of the reference ground.
好適には、前記リファレンスグランド領域のうち、隣接する差動配線の間の上下の領域が前記リファレンスグランドの他の領域と比べて、前記差動配線寄りの位置に存在する。 Preferably, in the reference ground region, upper and lower regions between adjacent differential wires are located closer to the differential wires than other regions of the reference ground.
第4の差動配線は、ペアとなる配線から構成される差動配線と、前記配線のリファレンスグランドとを有するスタックドペア差動配線において、前記差動配線と交互に配置されるシングルエンド配線を有し、前記シングルエンド配線は、前記差動配線の中央の高さに位置していることを特徴とする。 The fourth differential wiring is a single-ended wiring alternately arranged with the differential wiring in a stacked pair differential wiring having a differential wiring composed of a pair of wirings and a reference ground of the wiring. And the single-ended wiring is located at the center height of the differential wiring.
本発明によれば、無限に隣接する差動配線の近端遠端クロストークを許容誤差範囲内において実質的に0とする低クロストーク高速高密度差動配線を実現することができる。 According to the present invention, it is possible to realize a low-crosstalk high-speed and high-density differential wiring in which the near-end and far-end crosstalk of infinitely adjacent differential wirings is substantially zero within an allowable error range.
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、以下では、スタックドペア差動配線について説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、スタックドペア差動配線を有する配線基板及び配線構造、差動伝送路等にも適用可能であり、これらも本発明の範疇にある。 Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following, the stacked pair differential wiring will be described. However, the present invention is not limited to this, and is also applicable to a wiring board and wiring structure having a stacked pair differential wiring, a differential transmission path, and the like. These are possible and are within the scope of the present invention.
本実施の形態においては、図13に示すスタックドペア差動配線の配線構成において、近端クロストークを差動配線の配線厚さを変更することによりキャンセルし、グランド配線を設けることで遠端クロストークをキャンセルし、無限に隣接する差動配線の近端遠端クロストークを許容誤差範囲内において実質的に0とする低クロストーク高速高密度差動配線を実現している。 In this embodiment, in the wiring configuration of the stacked pair differential wiring shown in FIG. 13, the near end crosstalk is canceled by changing the wiring thickness of the differential wiring, and the far end is provided by providing the ground wiring. A low crosstalk high-speed and high-density differential wiring is realized in which the crosstalk is canceled and the near-end far-end crosstalk of the infinitely adjacent differential wiring is substantially zero within an allowable error range.
また、他の実施の形態として、図13に示すスタックドペア差動配線の配線構成において、隣接する差動配線の間にシングルエンド配線を配置することで、無限に隣接する差動配線の近端遠端クロストークを許容誤差範囲内において実質的に0とする低クロストーク高速高密度差動配線を実現している。 As another embodiment, in the wiring configuration of the stacked pair differential wiring shown in FIG. 13, a single-ended wiring is arranged between the adjacent differential wirings, so that the differential wirings infinitely close to each other are arranged. A low crosstalk high-speed and high-density differential wiring is realized in which the far-end crosstalk is substantially zero within an allowable error range.
以下、本発明の実施例について具体的に説明する。 Examples of the present invention will be specifically described below.
まず、図1〜図8を参照して、本発明の第1の実施例について説明する。 First, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
図1に示す本実施例に係る差動配線は、図13と同様のスタックドペア差動配線の配線構成、すなわちプラス側(+)とマイナス側(−)とに互いに反転する差動信号を伝送する差動配線のペアを構成し、且つ、厚さ方向(垂直方向)に距離d2離れて配置される幅w(mm)、厚さt(mm)の配線1を有している。
The differential wiring according to the present embodiment shown in FIG. 1 has the same stacked pair differential wiring configuration as that of FIG. 13, that is, differential signals that are inverted to the positive side (+) and the negative side (−). A pair of differential wirings to be transmitted is provided, and a
差動配線のペアとなる配線1は、幅方向(水平方向)に所定間隔(線路間距離)d1で平行に隣接して配置され、これにより隣接する差動配線が構成されている。隣接する差動配線は、誘電率(比誘電率)εrの絶縁層(層間膜)11内に配置されている。絶縁層11は、図中の厚さ方向(垂直方向)の上下にリファレンスグランド3によって挟まれている。リファレンスグランド3と差動配線との間は、所定距離d3(mm)離れている。
The
本実施例では、これに加え、差動配線のペアとなる配線1の幅方向の線路間の所定位置(図中の例では中央)において、厚さ方向の上下のリファレンスグランド3寄りの位置にそれぞれグランド配線2が設けられている。このグランド配線2は、リファレンスグランド3との間で所定距離d4(mm)離れて配置されている。
In the present embodiment, in addition to this, at a predetermined position (in the center in the example in the figure) between the lines in the width direction of the
次に、本実施例の作用効果について、グランド配線がない比較例と対比して説明する。 Next, the operation and effect of the present embodiment will be described in comparison with a comparative example having no ground wiring.
図2は、比較例の差動配線を示す。この構成は、図13に示す配線構成と同様のものである。 FIG. 2 shows a differential wiring of a comparative example. This configuration is the same as the wiring configuration shown in FIG.
図3は、図2に示す比較例の構成において、縦軸に典型的な寸法(w=0.15mm、t=0.025mm、d2=0.14mm、d3=0.086mm)を適用した場合のSDD11、SDD21、SDD31、SDD41、S61、S81、S51、S71の値を示し、横軸に隣接する差動配線の線路間距離d1(mm)を示すグラフである。図3に示すグラフの縦軸の各値は、それぞれ周波数が10GHz(下側)と20GHz(上側)との値を示している。なお、本例では、絶縁層11の誘電率εrは、εr=3.7としている。
FIG. 3 shows a case where typical dimensions (w = 0.15 mm, t = 0.025 mm, d2 = 0.14 mm, d3 = 0.086 mm) are applied to the vertical axis in the configuration of the comparative example shown in FIG. It is a graph which shows the value of SDD11, SDD21, SDD31, SDD41, S61, S81, S51, S71 of this, and shows the distance d1 (mm) between the lines of the differential wiring adjacent to a horizontal axis. Each value on the vertical axis of the graph shown in FIG. 3 indicates a frequency of 10 GHz (lower side) and 20 GHz (upper side). In this example, the dielectric constant εr of the insulating
なお、図1及び図2に示す隣接する差動配線の差動ポートの構成は、前述した図11(b)と同様であり、そのSパラメータを用いた表記法については、前述した図18と同様である。ここで、SDD11とSDD21は、隣接する2つの差動線路の内、図11(b)に示す一方の差動ポート1(ポート1、3)に差動信号を入力したときに、反射されてその差動ポート1に現れる差動信号と、伝送されて他方の差動ポート2(ポート2、4)に現れる差動信号とをそれぞれ表す(図18(b)参照)。また、SDD31とSDD41は、2つの差動線路の内、一方の差動ポート1(ポート1、3)に差動信号を入力したときに、他方の差動ポート3(ポート5、7)に現れる近端クロストークと、他方の差動ポート4(ポート6、8)に現れる遠端クロストークをそれぞれ表す(図18(b)参照)。さらに、S51〜S81は、ポート1に差動信号を入力したときにポート5〜8に現れる差動信号に対応する(図18(a)参照)。
The configuration of the differential port of the adjacent differential wiring shown in FIGS. 1 and 2 is the same as that of FIG. 11B described above, and the notation using the S parameter is the same as that of FIG. It is the same. Here, the
図4は、図1に示す本実施例の構成において、図3に示す比較例と同様の寸法を適用した場合の同様のグラフを示す。用いた寸法は、図2のものと同じであるが、2本のグランド配線が追加されている点が相違する。この場合、グランド配線2とリファレンスグランド3との間の距離d4は、d4=0.13mmとしている。
FIG. 4 shows a similar graph when the same dimensions as those of the comparative example shown in FIG. 3 are applied to the configuration of the present embodiment shown in FIG. The dimensions used are the same as those in FIG. 2 except that two ground wires are added. In this case, the distance d4 between the
図3と図4の比較により、例えばd1=0.2mmのとき、隣接する差動配線の近端クロストークSDD31はあまり変化していないが、隣接する差動配線の遠端クロストークSDD41はS61とS81が一致することで、より改善されていることが確認された。このとき、SDD11はあまり変化しておらず、追加グランド配線2によるインピーダンス不整合の影響も小さいことが確認された。
3 and FIG. 4, for example, when d1 = 0.2 mm, the near-end crosstalk SDD31 of the adjacent differential wiring does not change much, but the far-end crosstalk SDD41 of the adjacent differential wiring is S61. And S81 were confirmed to be further improved. At this time, it was confirmed that the
図5及び図6は、本実施例の構成において、縦軸にd1=0.2mmで周波数10GHzの場合のクロストーク量(dB)を示し、横軸にグランド配線2とリファレンスグランド層3との距離d4(mm)をパラメータとして示すグラフである。
5 and 6, in the configuration of this embodiment, the vertical axis indicates the crosstalk amount (dB) when d1 = 0.2 mm and the frequency is 10 GHz, and the horizontal axis indicates the relationship between the
図5に示すように、本実施例ではグランド配線2の追加により、S61とS81は増加し、S81よりもS61の増加の割合の方が大きいことが確認された。これに対し、図6に示すように、S51とS71は減少し、両者の減少の割合の差は小さいことが確認された。また、本実施例の構成においては、比較例のようにグランド配線2がない場合、S61とS81はS61が小さく、S51とS71はS51が大きくなっていることが確認された。そして、図5に示すように、S61とS81は、グランド配線2とリファレンスグランド3との距離d4が0.13mmのときに交差し、その交点ではSDD41が0となっていることが確認された。通常の差動配線の配線構成で幅wに比して厚さtが薄い場合、このような大小関係になっていると考えられる。
As shown in FIG. 5, in the present example, the addition of the
ここで注目すべき点は、グランド配線2とリファレンスグランド3との距離d4が小さいときに、S61とS81とのクロスポイントが存在するため、グランド配線2がない場合とインピーダンスの差が小さく、SDD11の差が小さいことと、グランド2を配置しても元の差動配線は隣接間距離を広げる必要がないこと、及び、グランド配線2により変化するのはSDD41のみなので、近端クロストークを別の手段で0にしておけば、両者を0とできることである。また、S61がS81より大きい場合、グランド配線2は中央に1本おく必要があり、この場合、隣接差動配線との距離を広げる必要があり高密度化の観点から良くない。配線幅wに比して厚さtが小さい場合が良い。
What should be noted here is that when the distance d4 between the
図7及び図8は、図2に示す配線構成で配線厚さtを変化させ、近端クロストークを0となるようにした後、図1に示す配線構成のようにグランド配線2を追加した場合の結果を示す。ここで、配線厚さtを変化させているのは、配線厚さtはインピーダンスへの影響が他のパラメータに比べ小さいからである。
7 and 8, after changing the wiring thickness t in the wiring configuration shown in FIG. 2 so that the near-end crosstalk becomes 0, the
その結果、配線厚さtをt=0.013mmとした場合、SDD31がほぼ0となることが確認された。この場合、配線幅wが厚さtより大きい長方形となっており、この場合もS61とS81はS61の方が大きくなっている。このときのd1は0.2mmである。
As a result, it was confirmed that when the wiring thickness t was t = 0.013 mm, the
この状態で、グランド配線2を追加すると、図7及び図8に示すように、SDD31は変化せず0であり、リファレンスグランド3からの距離d4が0.23mmのとき、SDD41が0となることが確認された。SDD11の変化は小さい。
When the
以上により、本実施例のグランド配線を設けたスタックドペア差動配線の配線構成により、以下のことが確認された。 As described above, the following was confirmed by the wiring configuration of the stacked pair differential wiring provided with the ground wiring of this example.
1)SDD31とSDD41を0とできている。 1) SDD31 and SDD41 are set to zero.
2)グランド配線2とリファレンスグランド層3との距離d4が小さいときに、クロスポイントが存在するため、グランド配線2がない場合とインピーダンスの差が小さく、SDD11の差が小さい。
2) Since the cross point exists when the distance d4 between the
3)グランド配線2を配置しても元の差動配線は隣接間距離を広げる必要がないため、高密度を保てる。
3) Even if the
4)この構成は、無限に隣接差動配線を増やすことができるため、高密度配線を実現できる。 4) Since this configuration can increase the number of adjacent differential wirings infinitely, high-density wiring can be realized.
従って、本実施例によれば、無限に隣接する差動配線の近端遠端クロストークを許容誤差範囲内において実質的に0とする低クロストーク高速高密度差動配線を実現することができる。 Therefore, according to the present embodiment, it is possible to realize a low-crosstalk high-speed and high-density differential wiring in which the near-end and far-end crosstalk of the infinitely adjacent differential wiring is substantially zero within the allowable error range. .
なお、本実施例の構成は、図15の構成において、配線幅wより配線厚さtが小さい場合にも適用できる。すなわち、配線幅wより配線厚さtが小さい2ペアの差動配線をクロスに配置させたスタックドペア差動配線において、隣接する差動配線の間の上下のリファレンスグランド寄りに2本以上のグランド配線が上下対称に設けられる構成においても適用可能である。 The configuration of the present embodiment can also be applied to the configuration of FIG. 15 where the wiring thickness t is smaller than the wiring width w. That is, in a stacked pair differential wiring in which two pairs of differential wirings having a wiring thickness t smaller than the wiring width w are arranged in a cross, two or more reference wirings near the upper and lower reference grounds between adjacent differential wirings. The present invention can also be applied to a configuration in which ground wirings are provided symmetrically in the vertical direction.
次に、図9を参照して、本発明の第2の実施例について説明する。 Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
図9に示す本実施例に係る差動配線では、図1の構成において、グランド配線を設けず、その代わりにリファレンスグランド3に凸部3aを設けることにより、第1の実施例と同様に無限に隣接する差動配線の近端遠端クロストークを許容誤差範囲内において実質的に0とする低クロストーク高速高密度差動配線を実現している。
In the differential wiring according to the present embodiment shown in FIG. 9, in the configuration of FIG. 1, the ground wiring is not provided, but instead the
本実施例では、余分な層をなくして、6層基板でなく4層基板で実現している。本実施例に係る差動配線の製造方法としては、リファレンスグランド層とグランド配線との間に層間膜を形成せずに製造する方法や、層間膜にエッチングをしておき、その後、リファレンスグランド層を成膜する方法等が考えられる。 In this embodiment, an extra layer is eliminated, and a 4-layer substrate is used instead of a 6-layer substrate. As a manufacturing method of the differential wiring according to the present embodiment, a method of manufacturing without forming an interlayer film between the reference ground layer and the ground wiring, or etching the interlayer film, and then the reference ground layer A method of forming a film can be considered.
なお、本実施例では、グランド配線の代わりにリファレンスグランド3に凸部3aを設けているが、本発明はこれに限定されるものではない。要するに、配線幅より配線厚さが小さいスタックドペア差動配線において、リファレンスグランド領域のうち、隣接する差動配線の間の上下の領域がリファレンスグランドの他の領域に比して、差動配線寄りに存在するものであれば、適用可能である。
In this embodiment, the
次に、図10を参照して、本発明の第3の実施例について説明する。 Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
図10に示す本実施例に係る差動配線は、図13と同様のスタックドペア差動配線の配線構成において、図1のグランド配線や図9のリファレンスグランドの凸部を設けずに、その代わりに隣接する差動配線のペアとなる配線1の幅方向の線路間の位置の中央にシングルエンド配線4を配置している。すなわち、差動配線とシングルエンド配線4とが交互に配置され、シングルエンド配線4が差動配線の中央の高さに位置している。こうすることで、第1及び第2の実施例と同様に、無限に隣接する差動配線の近端遠端クロストークを許容誤差範囲内において実質的に0とする低クロストーク高速高密度差動配線を実現している。
The differential wiring according to the present embodiment shown in FIG. 10 is the same as the stacked pair differential wiring shown in FIG. 13 except that the ground wiring in FIG. 1 and the convex portion of the reference ground in FIG. Instead, the single-
本発明は、上記のスタックドペア差動配線のほか、スタックドペア差動配線を用いた差動伝送路、配線基板、及び配線構造等の用途にも適用できる。 The present invention can be applied to applications such as a differential transmission line, a wiring board, and a wiring structure using the stacked pair differential wiring in addition to the stacked pair differential wiring.
1 差動配線のペアとなる配線
2 グランド配線
3 リファレンスグランド
3a 凸部
4 シングルエンド配線
DESCRIPTION OF
Claims (10)
前記配線のリファレンスグランドとを有するスタックドペア差動配線において、
隣接する前記差動配線の間の前記リファレンスグランド寄りの位置にグランド配線が設けられていることを特徴とする差動配線。 Differential wiring paired with wiring having a wiring thickness smaller than the wiring width; and
In a stacked pair differential wiring having a reference ground of the wiring,
A differential wiring, wherein a ground wiring is provided at a position near the reference ground between the adjacent differential wirings.
前記配線のリファレンスグランドとを有し、
隣接する前記差動配線のペアとなる配線を互いにクロスに配置して成るスタックドペア差動配線において、
隣接する前記差動配線の間の前記リファレンスグランド寄りの位置にグランド配線が設けられていることを特徴とする差動配線。 Differential wiring paired with wiring having a wiring thickness smaller than the wiring width; and
A reference ground for the wiring;
In a stacked pair differential wiring formed by arranging wirings that form a pair of adjacent differential wirings to cross each other,
A differential wiring, wherein a ground wiring is provided at a position near the reference ground between the adjacent differential wirings.
前記グランド配線は、前記リファレンスグランドとの間の距離が前記差動配線の遠端クロストークをキャンセル可能に設定されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の差動配線。 The wiring thickness of the wiring is set so that the near-end crosstalk of the differential wiring can be canceled,
4. The difference according to claim 1, wherein the distance between the ground wiring and the reference ground is set such that far-end crosstalk of the differential wiring can be canceled. 5. Dynamic wiring.
前記配線のリファレンスグランドとを有するスタックドペア差動配線において、
前記リファレンスグランド領域のうち、隣接する前記差動配線の間の領域が前記リファレンスグランドの他の領域と比べて、前記差動配線寄りの位置に存在することを特徴とする差動配線。 Differential wiring paired with wiring having a wiring thickness smaller than the wiring width; and
In a stacked pair differential wiring having a reference ground of the wiring,
The differential wiring, wherein a region between the adjacent differential wirings in the reference ground region is present at a position closer to the differential wiring than other regions of the reference ground.
前記配線のリファレンスグランドとを有するスタックドペア差動配線において、
前記差動配線と交互に配置されるシングルエンド配線を有し、
前記シングルエンド配線は、前記差動配線の中央の高さに位置していることを特徴とする差動配線。 Differential wiring composed of paired wiring; and
In a stacked pair differential wiring having a reference ground of the wiring,
Having single-ended wiring alternately arranged with the differential wiring;
The differential wiring is characterized in that the single-ended wiring is located at a central height of the differential wiring.
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JP2012124042A (en) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Sony Corp | Connector, cable, transmitter, receiver, and connector manufacturing method |
-
2007
- 2007-10-16 JP JP2007268913A patent/JP2009100170A/en not_active Withdrawn
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