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JP2009164025A - Light-emitting device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus - Google Patents

Light-emitting device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus Download PDF

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JP2009164025A
JP2009164025A JP2008001868A JP2008001868A JP2009164025A JP 2009164025 A JP2009164025 A JP 2009164025A JP 2008001868 A JP2008001868 A JP 2008001868A JP 2008001868 A JP2008001868 A JP 2008001868A JP 2009164025 A JP2009164025 A JP 2009164025A
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JP
Japan
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light emitting
light
emission luminance
emitting element
colored layer
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Withdrawn
Application number
JP2008001868A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Sen
峻 銭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting device that can simplify a structure to reduce variations in the luminance, and to provide a method of manufacturing such a light-emitting device and an electronic apparatus. <P>SOLUTION: An organic EL device 1 includes a number of light-emitting elements 21 on which light-emitting layers 40 are interposed between positive electrodes 10 and negative electrodes 11, and a number of coloring layers 37R-1 and 37R-2 arranged corresponding to a number of light-emitting elements 21. The thicknesses of the coloring layers 37R-1 and 37R-2 corresponding to the light-emitting elements 21 are set up according to the light-emitting luminance of the light emitted from the light-emitting elements 21. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法、電子機器に関するものである。   The present invention relates to a light emitting device, a method for manufacturing the light emitting device, and an electronic apparatus.

近年、情報機器の多様化等に伴い、消費電力が低く軽量化された発光装置のニーズが高まっている。この様な発光装置の一つとして、有機エレクトロルミネッセンス装置(以下、「有機EL装置」という)が知られている。この有機EL装置は、陽極(第1電極)と陰極(第2電極)との間に発光層を有する発光素子を備えたものが一般的である。有機EL装置は、発光素子の発光層自体が発光する性質を有するため、消費電力が低い、コントラストが高い、視野角特性が良い等の利点があり、LCD(Liquid Crystal Display)に代わる発光装置として注目されている。   In recent years, with the diversification of information equipment and the like, there is an increasing need for light-emitting devices with low power consumption and light weight. As one of such light emitting devices, an organic electroluminescence device (hereinafter referred to as “organic EL device”) is known. This organic EL device generally includes a light emitting element having a light emitting layer between an anode (first electrode) and a cathode (second electrode). Since the organic EL device has the property that the light emitting layer itself of the light emitting element emits light, it has advantages such as low power consumption, high contrast, and good viewing angle characteristics, and as a light emitting device to replace LCD (Liquid Crystal Display). Attention has been paid.

ところで、上述の有機EL装置は、発光素子に流れる駆動電流や発光層の膜厚に比例して発光輝度が変化する。そのため、電源供給線による電圧降下や、駆動TFTの閾値電圧・移動度のばらつき、発光素子自体の電流−光出力特性(I−L特性)のばらつき等により、発光輝度の低下や輝度ムラが発生するという問題がある。   By the way, in the above-described organic EL device, the light emission luminance changes in proportion to the drive current flowing through the light emitting element and the film thickness of the light emitting layer. For this reason, a decrease in light emission luminance or luminance unevenness occurs due to a voltage drop due to the power supply line, variations in threshold voltage / mobility of the driving TFT, current-light output characteristics (IL characteristics) of the light emitting elements themselves, and the like. There is a problem of doing.

そこで、有機EL装置の輝度ムラを抑制するために、種々の技術が提案されている。例えば特許文献1に示すように、閾値電圧のばらつきを補償するための組み込み回路の構成が知られている。また、例えば特許文献2に示すように、電圧降下算出手段によって算出された各画素毎の電源電圧降下に基づいて、電源電圧降下による発光輝度低下を補完するような構成が知られている。
特開2003−22049号公報 特開2003−280590号公報
Therefore, various techniques have been proposed in order to suppress the luminance unevenness of the organic EL device. For example, as shown in Patent Document 1, a configuration of an embedded circuit for compensating for variations in threshold voltage is known. Further, for example, as shown in Patent Document 2, a configuration is known in which emission luminance reduction due to power supply voltage drop is complemented based on power supply voltage drop for each pixel calculated by a voltage drop calculation unit.
Japanese Patent Laid-Open No. 2003-22049 JP 2003-280590 A

しかしながら、上述した従来技術にあっては、輝度ムラを抑制するために電気的な制御を行う構成であるため、有機EL装置に補正回路を設ける必要がある。そのため、有機EL装置の回路構成が複雑になってしまうという問題がある。また、上述したように輝度ムラの発生原因としては様々な原因が考えられるため、それら全ての原因に対して補正を行うことができるものでもない。さらに、発光素子は経時劣化するため、電気的に補正を行って初期発光時の輝度ムラを改善することができても、各発光素子に流れる電流値の差によって発光素子の劣化速度にばらつきが生じ、その結果、輝度ムラを招く虞となる。   However, since the above-described conventional technique is configured to perform electrical control in order to suppress luminance unevenness, it is necessary to provide a correction circuit in the organic EL device. Therefore, there is a problem that the circuit configuration of the organic EL device becomes complicated. Further, as described above, since various causes are considered as the cause of occurrence of luminance unevenness, it is not possible to correct all the causes. Furthermore, since the light emitting element deteriorates with time, even if the electrical correction can be performed to improve the luminance unevenness at the initial light emission, the deterioration rate of the light emitting element varies depending on the difference in the current value flowing through each light emitting element. As a result, there is a risk of luminance unevenness.

そこで、本発明は上記課題を解決するためになされたものであって、構造の簡素化を図った上で、輝度ムラを抑制することができる発光装置及び発光装置の製造方法、電子機器を提供することを目的とする。   Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems, and provides a light-emitting device, a method for manufacturing the light-emitting device, and an electronic apparatus that can suppress luminance unevenness while simplifying the structure. The purpose is to do.

上記目的を達成するため、本発明に係る発光装置は、第1電極と第2電極との間に発光層が挟持された複数の発光素子と、前記複数の発光素子に対応して配置された複数の着色層と、を備えた発光装置において、前記複数の発光素子から射出される光の発光輝度に応じて、前記発光素子に対応する前記着色層の光透過率が補正されていることを特徴とする。
この構成によれば、発光素子から射出される光の発光輝度に応じて、着色層の光透過率を補正することで、発光素子から射出された光の輝度ムラを抑制することができる。つまり、発光素子から射出される光が着色層を透過することで、様々な原因により発光素子に輝度ムラが発生した場合でも、表示面(着色層の射出側)から取り出される光の発光輝度を均一化することができる。したがって、従来のように発光素子の発光輝度を電気的な制御で補正する場合に比べ、構造の簡素化を図った上で、輝度ムラを抑制することができる。
In order to achieve the above object, a light emitting device according to the present invention includes a plurality of light emitting elements in which a light emitting layer is sandwiched between a first electrode and a second electrode, and the light emitting devices are disposed corresponding to the plurality of light emitting elements. In a light emitting device comprising a plurality of colored layers, the light transmittance of the colored layer corresponding to the light emitting elements is corrected according to the light emission luminance of light emitted from the plurality of light emitting elements. Features.
According to this configuration, the luminance unevenness of the light emitted from the light emitting element can be suppressed by correcting the light transmittance of the colored layer according to the light emission luminance of the light emitted from the light emitting element. In other words, the light emitted from the light emitting element is transmitted through the colored layer, so that even when luminance unevenness occurs in the light emitting element due to various causes, the emission luminance of the light extracted from the display surface (emission side of the colored layer) is reduced. It can be made uniform. Therefore, as compared with the conventional case where the light emission luminance of the light emitting element is corrected by electrical control, the luminance unevenness can be suppressed while the structure is simplified.

また、前記複数の発光素子から射出される光の発光輝度に応じて、前記発光素子に対応する前記着色層の膜厚が設定されていることを特徴とする。
この構成によれば、着色層の膜厚を設定することで、着色層を透過する光の透過率を調整することができる。つまり、発光素子から射出される光の発光輝度に応じて、着色層の膜厚を設定することで、着色層を透過して表示面から取り出される光の発光輝度を均一化することができる。
Further, the thickness of the colored layer corresponding to the light emitting element is set according to the light emission luminance of light emitted from the plurality of light emitting elements.
According to this structure, the transmittance | permeability of the light which permeate | transmits a colored layer can be adjusted by setting the film thickness of a colored layer. In other words, by setting the film thickness of the colored layer according to the light emission luminance of light emitted from the light emitting element, the light emission luminance of light extracted from the display surface through the colored layer can be made uniform.

また、前記複数の発光素子のうち、発光輝度が高い前記発光素子に対応する前記着色層の膜厚が、発光輝度が低い前記発光素子に対応する前記着色層の膜厚に比べて厚く形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、着色層の膜厚を厚く形成するにつれ、光の透過率が低下して着色層で吸収される光の吸収量が多くなるため、発光素子から射出される光の発光輝度は低下する。これにより、発光輝度の高い発光素子に対応した着色層を透過する光の発光輝度を、発光輝度の低い発光素子に対応する着色層を透過する発光輝度に近づけることができる。つまり、発光素子から射出される光の発光強度に応じて、着色層の膜厚を設定することで、着色層を透過して表示面から取り出される光の発光輝度を均一化することができる。
In addition, among the plurality of light emitting elements, the thickness of the colored layer corresponding to the light emitting element having high emission luminance is formed thicker than the thickness of the colored layer corresponding to the light emitting element having low emission luminance. It is characterized by.
According to this configuration, as the colored layer is formed thicker, the light transmittance decreases and the amount of light absorbed by the colored layer increases. Will decline. Thereby, the light emission luminance of the light transmitted through the colored layer corresponding to the light emitting element having a high light emission luminance can be brought close to the light emission luminance transmitting through the colored layer corresponding to the light emitting element having a low light emission luminance. That is, by setting the film thickness of the colored layer in accordance with the light emission intensity of light emitted from the light emitting element, the light emission luminance of light extracted from the display surface through the colored layer can be made uniform.

また、前記複数の発光素子から射出される光の発光輝度に応じて、前記発光素子に対応する前記着色層の色材の濃度が設定されていることを特徴とする。
この構成によれば、着色層の色材の濃度を設定することで、着色層を透過する光の透過率を調整することができる。つまり、発光素子から射出される光の発光強度に応じて、着色層の色材の濃度を設定することで、着色層を透過して表示面から取り出される光の発光輝度を均一化することができる。
Further, the density of the color material of the colored layer corresponding to the light emitting element is set according to the light emission luminance of light emitted from the plurality of light emitting elements.
According to this structure, the transmittance | permeability of the light which permeate | transmits a colored layer can be adjusted by setting the density | concentration of the coloring material of a colored layer. That is, by setting the colorant concentration of the colored layer according to the emission intensity of the light emitted from the light emitting element, the emission luminance of the light that is transmitted through the colored layer and extracted from the display surface can be made uniform. it can.

また、前記複数の発光素子のうち、発光輝度が高い前記発光素子に対応する前記着色層の色材の濃度が、発光輝度が低い前記発光素子に対応する前記着色層の色材の濃度に比べて濃く形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、着色層の色材の濃度を濃く形成するにつれ、光の透過率が低下して着色層で吸収される光の吸収量が多くなり、発光素子から射出される光の発光強度は低下する。これにより、発光強度の高い発光素子に対応した着色層を透過する光の発光強度を、発光強度の低い発光素子に対応する着色層を透過する発光強度に近づけることができる。つまり、発光素子から射出される光の発光強度に応じて、着色層の色材の濃度を設定することで、着色層を透過して表示面から取り出される光の発光輝度を均一化することができる。
Further, among the plurality of light emitting elements, the color material concentration of the colored layer corresponding to the light emitting element having high light emission luminance is higher than the color material concentration of the color layer corresponding to the light emitting element having low light emission luminance. It is characterized by being deeply formed.
According to this configuration, as the color material concentration of the colored layer is increased, the light transmittance is reduced and the amount of light absorbed by the colored layer is increased, so that light emitted from the light emitting element is emitted. The strength decreases. Thereby, the light emission intensity of the light transmitted through the colored layer corresponding to the light emitting element having a high light emission intensity can be brought close to the light emission intensity transmitted through the colored layer corresponding to the light emitting element having a low light emission intensity. That is, by setting the colorant concentration of the colored layer according to the emission intensity of the light emitted from the light emitting element, the emission luminance of the light that is transmitted through the colored layer and extracted from the display surface can be made uniform. it can.

また、前記複数の発光素子から射出される光の発光輝度に応じて、前記発光素子の発光領域に対応する前記着色層の前記発光領域との対向面の面積が設定されていることを特徴とする。
この構成によれば、発光領域に対応する着色層の発光領域との対向面の面積を調整することで、発光素子から射出される光のうち、一部の光は着色層を透過し、残りの光は着色層を透過せず、発光素子から射出された光の状態で表示面から取り出されることになる。つまり、着色層を透過しない光は着色層で吸収されず、発光素子から射出された状態の発光強度を維持することができる。具体的には、着色層と発光領域との対向面の面積を小さく形成するにつれ、着色層で吸収される光の吸収量が少なくなり、発光素子から射出される光の発光強度が維持される。したがって、着色層を透過して表示面から取り出される光の発光輝度を均一化することができる。
Further, the area of the surface facing the light emitting region of the colored layer corresponding to the light emitting region of the light emitting device is set according to the light emission luminance of the light emitted from the plurality of light emitting devices. To do.
According to this configuration, by adjusting the area of the colored layer corresponding to the light emitting region, the surface of the colored layer facing the light emitting region, part of the light emitted from the light emitting element is transmitted through the colored layer and remains. This light is not transmitted through the colored layer, but is extracted from the display surface in the state of light emitted from the light emitting element. That is, light that does not pass through the colored layer is not absorbed by the colored layer, and the emission intensity in a state of being emitted from the light emitting element can be maintained. Specifically, as the area of the facing surface between the colored layer and the light emitting region is reduced, the amount of light absorbed by the colored layer decreases, and the light emission intensity of light emitted from the light emitting element is maintained. . Therefore, it is possible to make the light emission luminance of the light transmitted through the colored layer and extracted from the display surface uniform.

また、前記複数の発光素子のうち、発光輝度が高い前記発光素子の発光領域に対応する前記着色層の前記発光領域との対向面の面積が、発光輝度が低い前記発光素子に対応する前記着色層の前記発光領域との対向面の面積に比べて大きく形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、発光強度の高い発光素子に対応した着色層を透過する光の発光強度を、発光強度の低い発光素子に対応する着色層を透過する発光強度に近づけることができる。つまり、発光素子の発光強度が低い発光素子の着色層と発光領域との対向面の面積を小さく形成するにつれ、着色層で吸収される光の吸収量が少なくなるため、着色層を透過して表示面から取り出される光の発光輝度を均一化することができる。
In addition, among the plurality of light emitting elements, an area of a surface facing the light emitting region of the colored layer corresponding to the light emitting region of the light emitting element having high light emission luminance is the color corresponding to the light emitting element having low light emission luminance. The layer is formed larger than the area of the surface facing the light emitting region.
According to this configuration, the light emission intensity of the light transmitted through the colored layer corresponding to the light emitting element having a high light emission intensity can be brought close to the light emission intensity transmitted through the colored layer corresponding to the light emitting element having a low light emission intensity. In other words, as the area of the opposing surface between the colored layer and the light emitting region of the light emitting element having a low light emission intensity is formed smaller, the amount of light absorbed by the colored layer decreases, so that the colored layer passes through the colored layer. The light emission luminance of light extracted from the display surface can be made uniform.

また、前記発光素子から射出され隣接する前記発光素子に対応した前記着色層に入射する光が、全反射条件を満たすように設定されていることを特徴とする。
この構成によれば、発光素子から射出された光が、隣接する発光素子の着色層を透過して表示面から射出することがない。つまり、発光素子から射出して隣接する発光素子の着色層に入射する光は、表示面と空気との境界面を透過せず、全て発光素子側に反射することになる。そのため、例えば着色層間にブラックマトリクス層等の非発光領域を設けることなく、隣接する発光素子間の光漏れを防止して、色再現性を維持することができる。
The light emitted from the light emitting element and incident on the colored layer corresponding to the adjacent light emitting element is set so as to satisfy the total reflection condition.
According to this configuration, the light emitted from the light emitting element does not pass through the colored layer of the adjacent light emitting element and is not emitted from the display surface. That is, light emitted from the light emitting element and incident on the colored layer of the adjacent light emitting element does not pass through the boundary surface between the display surface and air, but is reflected to the light emitting element side. For this reason, for example, without providing a non-light-emitting region such as a black matrix layer between colored layers, light leakage between adjacent light-emitting elements can be prevented and color reproducibility can be maintained.

また、前記発光層は、白色光を発光することを特徴とする。
この構成によれば、発光素子から射出された光は、着色層で着色されて取り出されるため、製造効率を向上させた上で安価にフルカラー表示を行うことができる。
Further, the light emitting layer emits white light.
According to this configuration, since the light emitted from the light emitting element is colored and extracted by the colored layer, full color display can be performed at low cost while improving manufacturing efficiency.

また、前記第1電極は光透過性を有するとともに、前記第2電極は半透過反射性を有し、前記第1電極を挟んで前記発光層の反対側には光反射層が配置され、前記光反射層と前記第2電極との間で、前記発光素子から射出された光を共振させる光共振器構造が構成されていることを特徴とする。
この構成によれば、発光素子から射出された光を共振させる光共振構造を構成することで、発光素子からは光反射層と第2電極との間の光学的距離に対応した共振波長の条件を満たす光のみが増幅されて取り出される。つまり、赤(R),緑(G),青(B)の各色に対応する共振波長を有する発光素子を形成することで、フルカラー表示が可能な発光装置を提供することができる。これにより、着色層を透過せずに着色層の周囲を透過した光自体も、各発光領域に対応した色を有することになる。そして、表示面から表示される画像は、着色層によって着色された光と、着色層を透過せずに取り出された高輝度かつ各発光領域に対応した色を有する光とによって表示される。したがって、低電流で高輝度を得ることに加え、色再現性を向上させることができる。
また、視野角が大きい場合においても、発光輝度及び色純度の視野角特性を向上させることができる。
The first electrode is light transmissive, the second electrode is transflective, and a light reflecting layer is disposed on the opposite side of the light emitting layer across the first electrode, An optical resonator structure for resonating light emitted from the light emitting element is formed between the light reflecting layer and the second electrode.
According to this configuration, by configuring an optical resonance structure that resonates the light emitted from the light emitting element, a condition for the resonance wavelength corresponding to the optical distance between the light reflecting layer and the second electrode from the light emitting element. Only light that satisfies is amplified and extracted. That is, a light emitting device capable of full color display can be provided by forming a light emitting element having a resonance wavelength corresponding to each color of red (R), green (G), and blue (B). Thereby, the light itself that has passed through the periphery of the colored layer without passing through the colored layer also has a color corresponding to each light emitting region. Then, the image displayed from the display surface is displayed by light colored by the colored layer and light having a color corresponding to each light emitting area and extracted without passing through the colored layer. Therefore, in addition to obtaining high luminance at a low current, color reproducibility can be improved.
Even when the viewing angle is large, it is possible to improve the viewing angle characteristics of light emission luminance and color purity.

また、第1電極と第2電極との間に発光層が挟持された複数の発光素子を形成する発光素子形成工程と、前記複数の発光素子に対応して複数の着色層を形成する着色層形成工程と、を有する発光装置の製造方法であって、前記着色層形成工程に先立って、前記発光素子から射出される光の発光輝度を検出する発光輝度検出工程を有し、前記着色層形成工程では、前記発光輝度検出工程の検出結果に基づいて、前記着色層の光透過率を補正することを特徴とする。
この構成によれば、発光輝度検出工程に基づいて、着色層の光透過率を補正することで、発光素子から射出された光の輝度ムラを抑制することができる。つまり、発光素子から射出される光が着色層を透過することで、様々な原因により発光素子に輝度ムラが発生した場合でも、表示面(着色層の射出側)から取り出される光の発光輝度を均一化することができる。したがって、従来のように発光素子の発光輝度を電気的な制御で補正する場合に比べ、構造の簡素化を図った上で、輝度ムラを抑制することができる。
Further, a light emitting element forming step for forming a plurality of light emitting elements in which a light emitting layer is sandwiched between the first electrode and the second electrode, and a colored layer for forming a plurality of colored layers corresponding to the plurality of light emitting elements. Forming the color layer, comprising: a light emission luminance detection step for detecting light emission luminance of light emitted from the light emitting element prior to the color layer formation step. In the step, the light transmittance of the colored layer is corrected based on the detection result of the light emission luminance detection step.
According to this configuration, the luminance unevenness of the light emitted from the light emitting element can be suppressed by correcting the light transmittance of the colored layer based on the light emission luminance detecting step. In other words, the light emitted from the light emitting element is transmitted through the colored layer, so that even when luminance unevenness occurs in the light emitting element due to various causes, the emission luminance of the light extracted from the display surface (emission side of the colored layer) is reduced. It can be made uniform. Therefore, as compared with the conventional case where the light emission luminance of the light emitting element is corrected by electrical control, the luminance unevenness can be suppressed while the structure is simplified.

また、前記発光輝度検出工程は、前記複数の発光素子の輝度ムラを測定する工程と、前記発光ムラに基づいて前記発光素子から射出される光の発光輝度を算出する工程と、を有することを特徴とする。
この構成によれば、発光素子自体の発光輝度を算出することができるため、この検出結果に基づいて、容易に着色層の補正を行うことができる。
Further, the emission luminance detecting step includes a step of measuring luminance unevenness of the plurality of light emitting elements, and a step of calculating light emission luminance of light emitted from the light emitting element based on the light emission unevenness. Features.
According to this configuration, since the light emission luminance of the light emitting element itself can be calculated, the colored layer can be easily corrected based on the detection result.

また、前記発光輝度検出工程は、前記発光素子に流れる駆動電流の電流値を測定する工程と、前記電流値に基づいて前記発光素子から射出される光の発光輝度を算出する工程と、を有することを特徴とする。
この構成によれば、発光素子自体の発光輝度を算出することができるため、この検出結果に基づいて、容易に着色層の補正を行うことができる。
The light emission luminance detecting step includes a step of measuring a current value of a drive current flowing through the light emitting element, and a step of calculating light emission luminance of light emitted from the light emitting element based on the current value. It is characterized by that.
According to this configuration, since the light emission luminance of the light emitting element itself can be calculated, the colored layer can be easily corrected based on the detection result.

また、前記着色層形成工程は、液滴吐出法により前記着色層の形成材料を塗布することを特徴とする。
この構成によれば、液滴吐出法の吐出条件を設定することで、着色層を各着色層の形成領域に、精度良く形成することができる。
In the colored layer forming step, the colored layer forming material is applied by a droplet discharge method.
According to this configuration, by setting the discharge conditions of the droplet discharge method, the colored layers can be formed with high accuracy in the formation regions of the respective colored layers.

一方、本発明に係る電子機器は、上記発光装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、上記本発明の発光装置を備えているため、構造の簡素化を図った上で、輝度ムラを抑制することができる。
On the other hand, an electronic apparatus according to the present invention includes the light emitting device.
According to this configuration, since the light emitting device of the present invention is provided, luminance unevenness can be suppressed while the structure is simplified.

(第1実施形態)
(有機EL装置)
図1は、本実施形態の有機EL装置の配線構造を示す模式図であり、図1において符号1は有機EL装置である。
この有機EL装置1は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下TFTと称する。)を用いたアクティブマトリクス方式のもので、複数の走査線101…と、各走査線101に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線102…と、各信号線102に並列に延びる複数の電源線103…とからなる配線構成を有し、走査線101…と信号線102…との各交点付近に画素領域(単位画素領域)X…を形成したものである。
もちろん本発明の技術的思想に沿えば、TFTなどを用いるアクティブマトリクスは必須ではなく、単純マトリクス向けの素子基板を用いて本発明を実施し、単純マトリクス駆動しても全く同じ効果が低コストで得られる。
(First embodiment)
(Organic EL device)
FIG. 1 is a schematic diagram showing a wiring structure of the organic EL device of the present embodiment. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes the organic EL device.
This organic EL device 1 is of an active matrix type using a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) as a switching element, and intersects a plurality of scanning lines 101 at right angles to each scanning line 101. And a plurality of power lines 103 extending in parallel to each signal line 102, and in the vicinity of the intersections of the scanning lines 101 and the signal lines 102. A pixel region (unit pixel region) X... Is formed.
Of course, according to the technical idea of the present invention, an active matrix using TFT or the like is not indispensable. Even if the present invention is implemented using an element substrate for a simple matrix and the simple matrix is driven, the same effect can be obtained at low cost. can get.

信号線102には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路100が接続されている。また、走査線101には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路80が接続されている。   A data line driving circuit 100 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch is connected to the signal line 102. Further, a scanning line driving circuit 80 including a shift register and a level shifter is connected to the scanning line 101.

さらに、画素領域Xの各々には、走査線101を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用TFT(スイッチング素子)112と、このスイッチング用TFT112を介して信号線102から共有される画素信号を保持する保持容量113と、該保持容量113によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用TFT(スイッチング素子)123と、この駆動用TFT123を介して電源線103に電気的に接続したときに該電源線103から駆動電流が流れ込む陽極10と、該陽極10と陰極11との間に挟み込まれた発光層40が設けられている。   Further, in each pixel region X, a switching TFT (switching element) 112 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 101 and a pixel shared from the signal line 102 via the switching TFT 112 are provided. A holding capacitor 113 for holding a signal, a driving TFT (switching element) 123 to which a pixel signal held by the holding capacitor 113 is supplied to a gate electrode, and the power supply line 103 through the driving TFT 123 are electrically connected An anode 10 into which drive current flows from the power supply line 103 when connected, and a light emitting layer 40 sandwiched between the anode 10 and the cathode 11 are provided.

この有機EL装置1によれば、走査線101が駆動されてスイッチング用TFT112がオン状態になると、そのときの信号線102の電位が保持容量113に保持され、該保持容量113の状態に応じて、駆動用TFT123のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用TFT123のチャネルを介して、電源線103から陽極10に電流が流れ、さらに発光層40を介して陰極11に電流が流れる。発光層40は、これを流れる電流量に応じて発光する。   According to the organic EL device 1, when the scanning line 101 is driven and the switching TFT 112 is turned on, the potential of the signal line 102 at that time is held in the holding capacitor 113, and according to the state of the holding capacitor 113. The on / off state of the driving TFT 123 is determined. Then, a current flows from the power supply line 103 to the anode 10 through the channel of the driving TFT 123, and further a current flows to the cathode 11 through the light emitting layer 40. The light emitting layer 40 emits light according to the amount of current flowing through it.

次に、本実施形態の有機EL装置の具体的な態様を、図2〜図4を参照して説明する。ここで、図2は有機EL装置の構成を模式的に示す平面図である。図3は図2のA−A’線に沿う断面図であり、有機EL装置を模式的に示す断面図である。   Next, specific modes of the organic EL device of the present embodiment will be described with reference to FIGS. Here, FIG. 2 is a plan view schematically showing the configuration of the organic EL device. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line A-A ′ of FIG. 2, and is a cross-sectional view schematically showing the organic EL device.

まず、図2を参照し、有機EL装置1の構成を説明する。
図2は、基板本体20上に形成された前述した各種配線,TFT,各種回路によって、発光層40を発光させるTFT素子基板(以下「素子基板」という。)20Aを示す図である。
有機EL装置の素子基板20Aは、中央部分の実表示領域4(図2中二点鎖線枠内)と、実表示領域4の周囲に配置されたダミー領域5(一点鎖線および二点鎖線の間の領域)とを備えている。
First, the configuration of the organic EL device 1 will be described with reference to FIG.
FIG. 2 is a diagram showing a TFT element substrate (hereinafter referred to as “element substrate”) 20 </ b> A that causes the light emitting layer 40 to emit light by the above-described various wirings, TFTs, and various circuits formed on the substrate body 20.
The element substrate 20A of the organic EL device includes an actual display region 4 (inside the two-dot chain line in FIG. 2) in the center portion and a dummy region 5 (between the one-dot chain line and the two-dot chain line) arranged around the actual display region 4. Area).

図1に示す画素領域Xからは、赤色光(R)、緑色光(G)または青色光(B)のいずれかの光が取り出され、図2に示す表示領域RGBが形成されている。実表示領域4においては、表示領域RGBがマトリクス状に配置されている。また、表示領域RGBの各々は、紙面縦方向において同一色で配列しており、いわゆるストライプ配置を構成している。そして、表示領域RGBが一つのまとまりとなって、表示単位画素が構成されており、該表示単位画素はRGBの発光を混色させてフルカラー表示を行うようになっている。   One of red light (R), green light (G), and blue light (B) is extracted from the pixel region X shown in FIG. 1, and the display region RGB shown in FIG. 2 is formed. In the actual display area 4, the display areas RGB are arranged in a matrix. In addition, each of the display areas RGB is arranged in the same color in the vertical direction of the paper, and constitutes a so-called stripe arrangement. The display area RGB is combined into one display unit pixel, and the display unit pixel mixes RGB light emission to perform full color display.

実表示領域4の図2中両側であってダミー領域5の下層側には、走査線駆動回路80、80が配置されている。また、実表示領域4の図2中上方側であってダミー領域5の下層側には、検査回路90が配置されている。この検査回路90は、有機EL装置1の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段(不図示)を備え、製造途中や出荷時における有機EL装置1の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。   Scan line drive circuits 80 and 80 are arranged on both sides of the actual display area 4 in FIG. 2 and on the lower layer side of the dummy area 5. Further, an inspection circuit 90 is disposed above the actual display area 4 in FIG. 2 and below the dummy area 5. This inspection circuit 90 is a circuit for inspecting the operating state of the organic EL device 1, and includes, for example, inspection information output means (not shown) for outputting the inspection result to the outside, and the organic EL during production or at the time of shipment. The apparatus 1 is configured to be able to inspect the quality and defects.

図3に示すように、本実施形態における有機EL装置1は、いわゆる「トップエミッション構造」の有機EL装置である。この有機EL装置1は、素子基板20A上に陽極10と陰極11の間に有機機能層12が挟持された複数の発光素子21と、発光素子21を画素領域XR、XG,XB毎に区切る画素隔壁13と、素子基板20Aに対向配置された封止基板31と、を備えている。この有機EL装置1は、素子基板20Aの対向側である封止基板31側から発光光を取り出す構成であるため、素子基板20Aの材料としては、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。   As shown in FIG. 3, the organic EL device 1 according to the present embodiment is a so-called “top emission structure” organic EL device. The organic EL device 1 includes a plurality of light emitting elements 21 having an organic functional layer 12 sandwiched between an anode 10 and a cathode 11 on an element substrate 20A, and pixels that divide the light emitting elements 21 into pixel regions XR, XG, and XB. A partition wall 13 and a sealing substrate 31 disposed to face the element substrate 20A are provided. Since the organic EL device 1 is configured to extract emitted light from the side of the sealing substrate 31 that is opposite to the element substrate 20A, any of a transparent substrate and an opaque substrate can be used as the material of the element substrate 20A. . Examples of the opaque substrate include a thermosetting resin and a thermoplastic resin in addition to a ceramic sheet such as alumina and a metal sheet such as stainless steel that has been subjected to an insulation treatment such as surface oxidation.

素子基板20A上には、窒化珪素等からなる無機絶縁層14が形成されている。
無機絶縁層14上にはアルミ合金等からなる金属反射板(光反射層)15が内装された平坦化層16が形成されている。この平坦化層16は、アクリル系やポリイミド系等の、耐熱性絶縁性樹脂などによって形成されたもので、駆動用TFT123等による表面の凹凸をなくすために形成されている。
An inorganic insulating layer 14 made of silicon nitride or the like is formed on the element substrate 20A.
On the inorganic insulating layer 14, a planarizing layer 16 is formed in which a metal reflector (light reflecting layer) 15 made of an aluminum alloy or the like is housed. The planarization layer 16 is formed of a heat-resistant insulating resin such as acrylic or polyimide, and is formed to eliminate surface irregularities due to the driving TFT 123 or the like.

平坦化層16上には、陽極10が形成されている。この陽極10は、酸化物系透明導電材料によって形成され、具体的にはITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)が好適に用いられている。陽極10は、各発光素子21に対応して形成されており、その一端側が無機絶縁層14に形成されたコンタクトホール(不図示)を介して駆動用TFT123に接続されている。   An anode 10 is formed on the planarization layer 16. The anode 10 is formed of an oxide-based transparent conductive material, and specifically, ITO (Indium Tin Oxide) is suitably used. The anode 10 is formed corresponding to each light emitting element 21, and one end thereof is connected to the driving TFT 123 via a contact hole (not shown) formed in the inorganic insulating layer 14.

陽極10上には、画素隔壁13が形成されている。この画素隔壁13は、陽極10上に開口部を有し、複数の発光素子21を独立させて区分するものである。つまり、画素隔壁13に囲まれた領域が発光素子21の画素領域X(図1参照)となっており、これらは赤色光、青色光、緑色光のそれぞれの光が封止基板31側から取り出される画素領域XR、XG,XBとして割り当てられている。なお、画素隔壁13を形成する材料として、例えばポリイミド、アクリル等の絶縁性を有する有機物を用いることができる。なお、画素隔壁13を形成する材料として、無機物と有機物とを組み合わせたものであってもよい。   A pixel partition wall 13 is formed on the anode 10. The pixel partition 13 has an opening on the anode 10 and separates the plurality of light emitting elements 21 independently. That is, a region surrounded by the pixel partition wall 13 is a pixel region X (see FIG. 1) of the light emitting element 21, and each of red light, blue light, and green light is extracted from the sealing substrate 31 side. Assigned as pixel regions XR, XG, and XB. In addition, as a material for forming the pixel partition wall 13, for example, an insulating organic material such as polyimide or acrylic can be used. The material for forming the pixel partition wall 13 may be a combination of an inorganic material and an organic material.

発光素子21は、正孔注入・輸送層30と発光層40とを備えている。
正孔注入・輸送層30は、陽極10の正孔を発光層40に注入・輸送するためのものであり、素子基板20A上に各画素隔壁13を跨いで形成されている。正孔注入・輸送層30の形成する材料としては、特に3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(PEDOT/PSS)の水分散液が好適に用いられる。なお、正孔注入・輸送層30の形成材料としては、上述のものに限定されることなく種々のものが使用可能である。例えば、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体などを、適宜な分散媒、例えば前記のポリスチレンスルフォン酸に分散させたものなどが使用可能である。
The light emitting element 21 includes a hole injection / transport layer 30 and a light emitting layer 40.
The hole injection / transport layer 30 is for injecting and transporting holes of the anode 10 to the light emitting layer 40, and is formed across the pixel partition walls 13 on the element substrate 20A. As a material for forming the hole injection / transport layer 30, an aqueous dispersion of 3,4-polyethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid (PEDOT / PSS) is particularly preferably used. The material for forming the hole injection / transport layer 30 is not limited to those described above, and various materials can be used. For example, a material obtained by dispersing polystyrene, polypyrrole, polyaniline, polyacetylene or a derivative thereof in an appropriate dispersion medium such as the aforementioned polystyrene sulfonic acid can be used.

発光層40は、陰極11から注入される電子と正孔注入・輸送層30から注入される正孔とが結合して所定波長の光が射出される部分であり、正孔注入・輸送層30上の全域に亘って形成されている。発光層40は、赤色、緑色、青色を発光する発光材料が積層されて白色に発光する白色発光層を採用している。このように、白色発光層を採用することで、発光素子21から射出された光は、後述する着色層37R,37G,37Bで着色されて取り出されるため、製造効率を向上させた上で安価にフルカラー表示を行うことができる。なお、発光層40の構成材料として、例えばポリフルオレン誘導体(PF)やポリパラフェニレンビニレン誘導体(PPV)、ポリパラフェニレン誘導体(PPP)、ポリビニカルバゾール(PVK)、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン(PMPS)などのポリシラン系などの高分子有機材料を用いることができる。また、上記高分子有機材料に、例えばペリレン系色素や、クマリン系色素、ローダミン系色素、ルブレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、キナクリドンなどの低分子有機材料をドープしたものを用いてもよい。また、発光層40の上層に、電子輸送層やホールブロック層を形成することが好ましい。   The light emitting layer 40 is a part where electrons injected from the cathode 11 and holes injected from the hole injection / transport layer 30 are combined to emit light of a predetermined wavelength. It is formed over the entire upper area. The light emitting layer 40 employs a white light emitting layer in which red, green, and blue light emitting materials are laminated to emit white light. As described above, by adopting the white light emitting layer, the light emitted from the light emitting element 21 is colored and extracted by the coloring layers 37R, 37G, and 37B described later, so that the manufacturing efficiency is improved and the cost is low. Full color display can be performed. As the constituent material of the light emitting layer 40, for example, polyfluorene derivative (PF), polyparaphenylene vinylene derivative (PPV), polyparaphenylene derivative (PPP), polyvinylcarbazole (PVK), polythiophene derivative, polymethylphenylsilane ( A high molecular organic material such as polysilane such as (PMPS) can be used. In addition, the polymer organic material doped with a low molecular organic material such as perylene dye, coumarin dye, rhodamine dye, rubrene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, nile red, quinacridone, etc. May be used. Moreover, it is preferable to form an electron transport layer or a hole block layer on the light emitting layer 40.

陰極11は、各画素隔壁13を跨いで発光層40上の全域に亘って形成されている。陰極11を形成するための材料としては、本実施形態はトップエミッション構造であることから光透過性を有する材料である必要があり、したがって透明導電材料が用いられる。透明導電材料としては、ITOが好適とされるが、これ以外にも、例えば酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜(Indium Zinc Oxide:IZO/アイ・ゼット・オー(登録商標))等を用いることができる。なお、本実施形態ではITOを用いるものとする。   The cathode 11 is formed over the entire area of the light emitting layer 40 across the pixel partition walls 13. As a material for forming the cathode 11, since this embodiment has a top emission structure, it needs to be a light-transmitting material, and thus a transparent conductive material is used. As the transparent conductive material, ITO is suitable, but other than this, for example, an indium oxide / zinc oxide based amorphous transparent conductive film (Indium Zinc Oxide: IZO) is used. be able to. In the present embodiment, ITO is used.

陰極11上には、有機緩衝層18が形成されている。画素隔壁13の形状の影響により、凹凸状に形成された陰極11の凹凸部分を埋めるように配置され、さらに、その上面は略平坦に形成されている。有機緩衝層18は、素子基板20Aの反りや体積膨張により発生する応力を緩和し、不安定な形状の画素隔壁13からの陰極11の剥離を防止する機能を有する。また、有機緩衝層18の上面が略平坦化されるので、有機緩衝層18上に形成される硬い被膜からなる後述するガスバリア層19も平坦化される。したがって、応力が集中する部位がなくなり、これにより、ガスバリア層19でのクラックの発生を防止することができる。   An organic buffer layer 18 is formed on the cathode 11. Due to the influence of the shape of the pixel partition wall 13, it is arranged so as to fill the uneven portion of the cathode 11 formed in an uneven shape, and its upper surface is formed substantially flat. The organic buffer layer 18 has a function of relieving stress generated by warpage and volume expansion of the element substrate 20A and preventing the cathode 11 from peeling from the pixel partition wall 13 having an unstable shape. In addition, since the upper surface of the organic buffer layer 18 is substantially flattened, a gas barrier layer 19 (to be described later) made of a hard film formed on the organic buffer layer 18 is also flattened. Therefore, there is no portion where stress is concentrated, and thereby, generation of cracks in the gas barrier layer 19 can be prevented.

有機緩衝層18上には、有機緩衝層18を覆うようにガスバリア層19が形成されている。ガスバリア層19は、発光素子21内に酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより酸素や水分による発光素子21の劣化等を抑えることができる。ガスバリア層19の材質は、透明性、ガスバリア性、耐水性を考慮して、好ましくは窒素を含む珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物などによって形成される。   A gas barrier layer 19 is formed on the organic buffer layer 18 so as to cover the organic buffer layer 18. The gas barrier layer 19 is for preventing oxygen and moisture from entering into the light emitting element 21, thereby suppressing deterioration of the light emitting element 21 due to oxygen and moisture. The material of the gas barrier layer 19 is preferably formed of a silicon compound containing nitrogen, that is, silicon nitride, silicon oxynitride, or the like in consideration of transparency, gas barrier properties, and water resistance.

ガスバリア層19上には、ガスバリア層19を覆うようにシール層22が形成されている。シール層22は、ガスバリア層19上に封止基板31を固定させ、かつ外部からの機械的衝撃に対して緩衝機能を有し、発光層40やガスバリア層19の保護をするものである。シール層22は、例えばウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの樹脂で、封止基板31より柔軟でガラス転移点の低い材料からなる接着剤によって形成されている。   A seal layer 22 is formed on the gas barrier layer 19 so as to cover the gas barrier layer 19. The sealing layer 22 fixes the sealing substrate 31 on the gas barrier layer 19 and has a buffering function against mechanical shock from the outside, and protects the light emitting layer 40 and the gas barrier layer 19. The sealing layer 22 is formed of an adhesive made of a material that is softer than the sealing substrate 31 and has a low glass transition point, for example, a resin such as urethane, acrylic, epoxy, or polyolefin.

封止基板31は、上述した素子基板20Aに対向配置されている。封止基板31は、その上面が発光光を取り出す表示面として機能するため、ガラスまたは透明プラスチック(ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポリカーボネ―ト、ポリオレフィン等)などの光透過性を有する材料で構成されている。   The sealing substrate 31 is disposed to face the element substrate 20A described above. Since the upper surface of the sealing substrate 31 functions as a display surface for extracting emitted light, the sealing substrate 31 is made of a light transmissive material such as glass or transparent plastic (polyethylene terephthalate, acrylic resin, polycarbonate, polyolefin, or the like). Yes.

封止基板31の下面には、赤色着色層37R、緑色着色層37G、青色着色層37Bがマトリクス状に配列形成されたカラーフィルタ37が構成されている。各着色層37R,37G,37Bは、透明バインダー層に顔料または染料が混合して構成された層で、顔料を選択することにより目的とする赤(R)、緑(G)あるいは青(B)に調整されている。なお、着色層37R,37G,37Bは、各色のカラーレジストをパターニングして形成してもよい。また、着色層37R,37G,37Bの色は目的に応じてライトブルーやライトシアン、白などを加えてもよい。これにより、発光層40から射出された光のうち、各色の波長に対応した光(例えば、赤色光は波長610nm、緑色光は波長530nm、青色光は波長470nm)のみが着色層37R,37G,37Bの各々を透過し、各色光として観察者側に射出されるようになっている。このように着色層37R,37G,37Bを透過した光のみが取り出されるため、より色再現性のよい有機EL装置1を提供することができる。   On the lower surface of the sealing substrate 31, a color filter 37 in which a red colored layer 37R, a green colored layer 37G, and a blue colored layer 37B are arranged in a matrix is configured. Each of the colored layers 37R, 37G, and 37B is a layer formed by mixing a pigment or a dye with a transparent binder layer. By selecting a pigment, the target red (R), green (G), or blue (B) Has been adjusted. The colored layers 37R, 37G, and 37B may be formed by patterning a color resist of each color. The colors of the colored layers 37R, 37G, and 37B may be light blue, light cyan, white, or the like depending on the purpose. As a result, among the light emitted from the light emitting layer 40, only the light corresponding to the wavelength of each color (for example, red light has a wavelength of 610 nm, green light has a wavelength of 530 nm, and blue light has a wavelength of 470 nm) is colored layers 37R, 37G, Each of the light beams 37B is transmitted to the viewer side as each color light. As described above, since only the light transmitted through the colored layers 37R, 37G, and 37B is extracted, the organic EL device 1 with better color reproducibility can be provided.

着色層37R,37G,37Bの領域の間には、ブラックマトリクス層32が形成されている。このブラックマトリクス層32は、着色層37R,37G,37Bを区分して非発光部分として構成しており、隣接する画素領域XR,XG、XB間の光漏れを防止するものである。ブラックマトリクス層32の構成材料としては、カーボンブラック等の顔料が混入された樹脂からなる遮光層である。なお、このブラックマトリクス層32には、フッ素樹脂等の撥液性を有する樹脂を混合させてもよい。   A black matrix layer 32 is formed between the regions of the colored layers 37R, 37G, and 37B. The black matrix layer 32 is configured as a non-light-emitting portion by dividing the colored layers 37R, 37G, and 37B, and prevents light leakage between adjacent pixel regions XR, XG, and XB. The constituent material of the black matrix layer 32 is a light shielding layer made of a resin mixed with a pigment such as carbon black. The black matrix layer 32 may be mixed with a liquid repellent resin such as a fluororesin.

図4は図2のB−B’線に沿う断面図であり、有機EL装置を模式的に示す断面図である。なお、各色の着色層の構成は略同一であるため、本実施形態では赤色着色層を例にして説明する。
ところで、有機EL装置1は発光素子21に流れる駆動電流や発光層40の膜厚に比例して発光輝度が変化する。従来技術にあっては、輝度ムラを抑制するために電気的な制御を行う構成であるため、有機EL装置に補正回路を設ける必要がある。そのため、有機EL装置の回路構成が複雑になってしまうという問題がある。また、輝度ムラの発生原因としては上述した様々な原因が考えられるため、それらに全ての原因に対して補正を行うことができるものでもない。その結果、発光素子の発光輝度にばらつきが生じ、輝度ムラを招く虞となる。
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. 2, and is a cross-sectional view schematically showing the organic EL device. In addition, since the structure of the colored layer of each color is substantially the same, in this embodiment, it demonstrates taking a red colored layer as an example.
By the way, the light emission luminance of the organic EL device 1 changes in proportion to the drive current flowing through the light emitting element 21 and the film thickness of the light emitting layer 40. In the prior art, since the electric control is performed in order to suppress luminance unevenness, it is necessary to provide a correction circuit in the organic EL device. Therefore, there is a problem that the circuit configuration of the organic EL device becomes complicated. Moreover, since the various causes mentioned above can be considered as a cause of occurrence of luminance unevenness, it is not possible to correct all of them. As a result, the light emission luminance of the light emitting element varies, which may cause luminance unevenness.

そこで、図4に示すように、本実施形態では、各発光素子21から射出される光の発光輝度に応じて、各発光素子21に対応する各着色層37R,37G,37B(図3参照)における光の透過率を補正する構成とした。具体的には、発光素子21から射出される光の発光輝度が高い発光素子21に対応する赤色着色層37R−1の膜厚が厚く、発光輝度が低い発光素子21に対応する着色層37R−2の膜厚が薄く形成されている。つまり、発光輝度の高い発光素子21に対応する着色層37R−1の膜厚が、発光輝度の低い発光素子21に対応する着色層37R−2の膜厚に比べ厚く形成されている。   Therefore, as shown in FIG. 4, in the present embodiment, the colored layers 37 </ b> R, 37 </ b> G, and 37 </ b> B corresponding to the light emitting elements 21 are used according to the light emission luminance of the light emitted from the light emitting elements 21 (see FIG. 3). In this configuration, the light transmittance is corrected. Specifically, the red colored layer 37R-1 corresponding to the light emitting element 21 having a high emission luminance of light emitted from the light emitting element 21 has a large thickness and the colored layer 37R- corresponding to the light emitting element 21 having a low emission luminance. 2 is formed thin. That is, the film thickness of the colored layer 37R-1 corresponding to the light emitting element 21 with high emission luminance is formed thicker than the film thickness of the color layer 37R-2 corresponding to the light emitting element 21 with low emission luminance.

このように、着色層37R,37G,37B(図3参照)の膜厚を設定することで、着色層37R,37G,37Bを透過する光の透過率を調整することができる。具体的には、着色層37R,37G,37Bの膜厚を厚く形成するにつれ、光の透過率が低下して着色層37R,37G,37Bで吸収される光の吸収量が多くなるため、着色層37R,37G,37Bを透過した光の発光輝度は低下する。つまり、発光素子21から射出される光の発光輝度に応じて、着色層37R,37G,37Bの膜厚を設定することで、着色層37R,37G,37Bを透過して表示面(封止基板31の表面)から取り出される光の発光輝度を均一化することができる(図4中矢印参照)。   Thus, by setting the film thickness of the colored layers 37R, 37G, and 37B (see FIG. 3), the transmittance of light that passes through the colored layers 37R, 37G, and 37B can be adjusted. Specifically, as the colored layers 37R, 37G, and 37B are formed thicker, the light transmittance decreases and the amount of light absorbed by the colored layers 37R, 37G, and 37B increases. The light emission luminance of the light transmitted through the layers 37R, 37G, and 37B decreases. That is, by setting the film thickness of the colored layers 37R, 37G, and 37B in accordance with the light emission luminance of the light emitted from the light emitting element 21, the colored layer 37R, 37G, and 37B is transmitted through the display surface (sealing substrate). The emission luminance of light extracted from the surface 31) can be made uniform (see the arrow in FIG. 4).

(有機EL装置の製造方法)
次に、図5,6を参照して本実施形態における有機EL装置1の製造方法を説明する。
ここで、図5は、有機EL装置1の素子基板20A側の工程図であり、図6は、封止基板31側の工程図である。
(Method for manufacturing organic EL device)
Next, a method for manufacturing the organic EL device 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.
Here, FIG. 5 is a process diagram on the element substrate 20A side of the organic EL device 1, and FIG. 6 is a process diagram on the sealing substrate 31 side.

発光素子形成工程として、まず図5(a)に示すように、陽極10及び画素隔壁13までが積層された素子基板20A上に正孔注入・輸送層30を形成する。具体的には、素子基板20A上にスピンコート法等を用いて不図示の機能液(PEDOT/PSS分散液)を塗布し、乾燥及び焼成することにより形成する。
次に、図5(b)に示すように、正孔注入・輸送層30上に発光層40を形成する。具体的には、スピンコート法等を用いて不図示の機能液(発光層の形成材料を含む機能液)を塗布し、乾燥およびアニール処理して形成する。
As a light emitting element forming step, first, as shown in FIG. 5A, the hole injection / transport layer 30 is formed on the element substrate 20A on which the anode 10 and the pixel partition walls 13 are laminated. Specifically, it is formed by applying a functional liquid (PEDOT / PSS dispersion) (not shown) on the element substrate 20A using a spin coat method or the like, and drying and baking.
Next, as shown in FIG. 5B, the light emitting layer 40 is formed on the hole injection / transport layer 30. Specifically, a functional liquid (not shown) (functional liquid containing a material for forming the light emitting layer) is applied by spin coating or the like, and dried and annealed.

そして、図5(c)に示すように、発光層40上に陰極11を形成する。具体的には、真空蒸着法等により発光層40を覆うように形成する。これにより、素子基板20A上に発光素子21が形成される。   Then, as shown in FIG. 5C, the cathode 11 is formed on the light emitting layer 40. Specifically, it is formed so as to cover the light emitting layer 40 by a vacuum deposition method or the like. Thereby, the light emitting element 21 is formed on the element substrate 20A.

次に、図5(d)に示すように、スクリーン印刷法等により陰極11上に有機緩衝層18を形成し、その後、ECRスパッタ法やイオンプレーティング法等の高密度プラズマ成膜法により有機緩衝層18上にガスバリア層19を形成する。これにより、素子基板20A側の工程が終了する。   Next, as shown in FIG. 5D, an organic buffer layer 18 is formed on the cathode 11 by a screen printing method or the like, and then organically formed by a high density plasma film forming method such as an ECR sputtering method or an ion plating method. A gas barrier layer 19 is formed on the buffer layer 18. Thus, the process on the element substrate 20A side is completed.

ここで、発光素子21の発光輝度を検出する(発光輝度測定工程)。具体的には、素子基板20A側の工程が終了した時点で、発光素子21を発光させ、ムラ測定器を用いて各発光素子21の輝度ムラを測定する。そして、測定した輝度ムラから各発光素子21の発光輝度を算出する。なお、発光輝度検出工程は、有機緩衝層18を形成する前に行ってもよい。   Here, the light emission luminance of the light emitting element 21 is detected (light emission luminance measurement step). Specifically, when the process on the element substrate 20A side is completed, the light emitting element 21 is caused to emit light, and the luminance unevenness of each light emitting element 21 is measured using the unevenness measuring device. Then, the light emission luminance of each light emitting element 21 is calculated from the measured luminance unevenness. Note that the emission luminance detection step may be performed before the organic buffer layer 18 is formed.

一方、図6(a)に示すように、封止基板31側には、まず封止基板31の表面にブラックマトリクス層32を形成する。具体的には、ブラックマトリクス層32の材料液をインクジェット法等の非接触塗布法により塗布する。   On the other hand, as shown in FIG. 6A, a black matrix layer 32 is first formed on the surface of the sealing substrate 31 on the sealing substrate 31 side. Specifically, the material liquid of the black matrix layer 32 is applied by a non-contact coating method such as an ink jet method.

ここで、図6(b)に示すように、ブラックマトリクス層32の間に着色層37R,37G,37Bを形成する(着色層形成工程)。着色層形成工程では、まず上述の発光輝度検出工程で算出した各発光素子21の発光輝度のデータに基づいて、各発光素子21に対応した着色層37R,37G,37Bの最適な膜厚を算出する(膜厚算出工程)。着色層37R,37G,37Bの膜厚は、各発光素子21のそれぞれの発光輝度と着色層37R,37G,37Bの透過率との積により求めることができる。   Here, as shown in FIG. 6B, colored layers 37R, 37G, and 37B are formed between the black matrix layers 32 (colored layer forming step). In the colored layer forming step, first, the optimum film thickness of the colored layers 37R, 37G, and 37B corresponding to each light emitting element 21 is calculated based on the light emission luminance data of each light emitting element 21 calculated in the above-described light emission luminance detecting step. (Film thickness calculation step). The film thicknesses of the colored layers 37R, 37G, and 37B can be obtained by the product of the respective light emission luminances of the light emitting elements 21 and the transmittances of the colored layers 37R, 37G, and 37B.

そして、着色層37R,37G,37Bを透過して表示面から射出される光の発光輝度が、各発光素子21間で均一になるように設定する。具体的には、発光輝度が高い発光素子21に対応する赤色着色層37R−1(図4参照)における光の透過率が、発光輝度が低い発光素子21に対応する着色層37R−2(図4参照)における光の透過率に比べ高くなるように設定する。つまり、発光輝度の高い発光素子21に対応する着色層37R−1の膜厚を、発光輝度の低い発光素子21に対応する着色層37R−2の膜厚に比べ厚く形成する。これにより、発光輝度の高い発光素子21に対応した赤色着色層37R−1を透過する光の発光輝度を、発光輝度の低い発光素子21に対応した赤色着色層37R−2を透過する光の発光輝度に近づけることができる。   Then, the light emission luminance of the light that passes through the colored layers 37R, 37G, and 37B and is emitted from the display surface is set to be uniform among the light emitting elements 21. Specifically, the light transmittance in the red colored layer 37R-1 (see FIG. 4) corresponding to the light emitting element 21 with high emission luminance is the colored layer 37R-2 (see FIG. 4) corresponding to the light emitting element 21 with low emission luminance. 4)) to be higher than the light transmittance. That is, the film thickness of the colored layer 37R-1 corresponding to the light emitting element 21 with high emission luminance is formed thicker than the film thickness of the color layer 37R-2 corresponding to the light emitting element 21 with low emission luminance. As a result, the light emission luminance of the light transmitted through the red colored layer 37R-1 corresponding to the light emitting element 21 having a high light emission luminance is set to the light emission luminance of the light transmitted through the red colored layer 37R-2 corresponding to the light emitting element 21 having a low light emission luminance. It can be close to the brightness.

着色層37R,37G,37Bの形成は、ブラックマトリクス層32を隔壁として、着色層37R,37G,37Bの材料液を、インクジェット法を用いて塗布することで形成する。具体的には、インクジェット法の吐出量や、吐出回数等の吐出条件を調整することによって、上述した膜厚算出工程で算出した着色層37R,37G,37Bの膜厚に形成する。このように、インクジェット法を用いることで、着色層37R,37G,37Bを各着色層37R,37G,37Bの形成領域に、精度良く形成することができる。なお、着色層37R,37G,37Bの形成は、インクジェット法以外の非接触塗布法により塗布する方法を用いてもよい。   The colored layers 37R, 37G, and 37B are formed by applying the material liquid of the colored layers 37R, 37G, and 37B using the inkjet method using the black matrix layer 32 as a partition. Specifically, the colored layers 37R, 37G, and 37B calculated in the above-described film thickness calculating step are formed by adjusting discharge conditions such as the discharge amount of the ink jet method and the number of discharges. As described above, by using the ink jet method, the colored layers 37R, 37G, and 37B can be accurately formed in the formation regions of the colored layers 37R, 37G, and 37B. The colored layers 37R, 37G, and 37B may be formed by a non-contact coating method other than the ink jet method.

次に、ディスペンス法等により、着色層37R,37G,37B及びブラックマトリクス層32が形成された封止基板31上にシール層22を塗布する。
最後に、ガスバリア層19までが形成された素子基板20A側(図4(d)参照)と、シール層22が塗布された封止基板31とを貼り合わせる。以上より、前述した本実施形態における所望の有機EL装置1(図3参照)を得ることができる。
Next, the sealing layer 22 is applied on the sealing substrate 31 on which the colored layers 37R, 37G, and 37B and the black matrix layer 32 are formed by a dispensing method or the like.
Finally, the element substrate 20A side (see FIG. 4D) on which the gas barrier layer 19 is formed and the sealing substrate 31 coated with the seal layer 22 are bonded together. As described above, the desired organic EL device 1 (see FIG. 3) in the present embodiment described above can be obtained.

このように、本実施形態によれば、発光素子21から射出される光の発光輝度に応じて、着色層37R,37G,37Bにおける光の透過率を補正することで、発光素子21から射出された光の輝度ムラを抑制することができる。具体的には、発光素子21から射出される光の発光輝度に応じて着色層37R,37G,37Bの膜厚を設定することで、着色層37R,37G,37Bを透過する光の透過率を調整することができる。つまり、発光素子21から射出される光が着色層37R,37G,37Bを透過することで、上述した様々な原因により発光素子21に輝度ムラが発生した場合でも、表示面から取り出される最終的な光の発光輝度を均一化することができる。   Thus, according to the present embodiment, the light emitted from the light emitting element 21 is corrected by correcting the light transmittance in the colored layers 37R, 37G, and 37B according to the light emission luminance of the light emitted from the light emitting element 21. The brightness unevenness of the light can be suppressed. Specifically, by setting the film thickness of the colored layers 37R, 37G, and 37B in accordance with the light emission luminance of the light emitted from the light emitting element 21, the transmittance of the light transmitted through the colored layers 37R, 37G, and 37B can be set. Can be adjusted. That is, the light emitted from the light emitting element 21 is transmitted through the colored layers 37R, 37G, and 37B, so that even when luminance unevenness occurs in the light emitting element 21 due to the various causes described above, the final light extracted from the display surface is obtained. The light emission luminance can be made uniform.

したがって、従来のように発光素子21の発光輝度を電気的な制御で補正する場合に比べ、駆動電流の補正回路を設ける必要がないため、構造の簡素化及び製造効率の維持を図った上で、輝度ムラ発生の原因を問わず、総合的に輝度ムラを抑制することができる。
さらに、発光素子21に流れる駆動電流を個々に補正する必要がないため、各発光素子21に流れる電流値の差による発光素子21の劣化速度にばらつきが生じることがなく、発光輝度を増加させるために電流を多く流す必要もないため、長寿命化を図ることができる。
Therefore, it is not necessary to provide a drive current correction circuit as compared with the conventional case where the light emission luminance of the light emitting element 21 is corrected by electrical control. Therefore, the structure is simplified and the manufacturing efficiency is maintained. Regardless of the cause of the occurrence of luminance unevenness, the luminance unevenness can be comprehensively suppressed.
Further, since it is not necessary to individually correct the drive currents flowing through the light emitting elements 21, there is no variation in the deterioration rate of the light emitting elements 21 due to the difference in the current value flowing through each light emitting element 21, and the light emission luminance is increased. Therefore, it is not necessary to pass a large amount of current in the battery, so that the life can be extended.

なお、上述した発光輝度検出工程として、発光素子21に流れる駆動電流の電流値を測定して発光素子21から射出される光の発光輝度を算出することも可能である。具体的には、駆動用TFT123(図3参照)に電流を流し、各駆動用TFT123に流れる電流値を測定する。この時、駆動用TFT123に流れる電流値が大きい程、各発光素子21に流れる電流値が大きく、発光輝度が高いということになる。そして、各発光素子21の発光輝度のばらつきを検出し、この検出結果に基づいて着色層37R,37G,37Bの膜厚を算出する。これにより、上述した第1実施形態と同様の効果を奏することができる。なお、発光輝度検出工程では、各発光素子21の輝度ムラの測定と駆動用TFT123の電流値の測定との双方を行うようにしてもよい。   Note that, as the above-described light emission luminance detecting step, it is also possible to calculate the light emission luminance of light emitted from the light emitting element 21 by measuring the current value of the drive current flowing through the light emitting element 21. Specifically, a current is passed through the driving TFT 123 (see FIG. 3), and a current value flowing through each driving TFT 123 is measured. At this time, the larger the current value flowing through the driving TFT 123, the larger the current value flowing through each light emitting element 21, and the higher the light emission luminance. And the dispersion | variation in the light emission luminance of each light emitting element 21 is detected, and the film thickness of the colored layers 37R, 37G, and 37B is calculated based on this detection result. Thereby, there can exist the same effect as a 1st embodiment mentioned above. In the light emission luminance detection step, both measurement of luminance unevenness of each light emitting element 21 and measurement of the current value of the driving TFT 123 may be performed.

(第2実施形態)
次に、図7に基づいて本発明の第2実施形態について説明する。図7は、図2のB−B’線に相当する断面図であり、第2実施形態の有機EL装置を模式的に示す断面図である。本実施形態では、複数の発光素子から射出される光の発光輝度に応じて、着色層の色材の濃度が設定されている点で上述した第1実施形態と相違している。なお、上述した第1実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、説明は省略する。また、各色の着色層の構成は略同一であるため、本実施形態では赤色着色層を例にして説明する。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described based on FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view corresponding to the line BB ′ of FIG. 2, and is a cross-sectional view schematically showing the organic EL device of the second embodiment. This embodiment is different from the above-described first embodiment in that the color material density of the colored layer is set according to the light emission luminance of light emitted from a plurality of light emitting elements. In addition, about the structure similar to 1st Embodiment mentioned above, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted. Moreover, since the structure of the colored layer of each color is substantially the same, in this embodiment, it demonstrates taking a red colored layer as an example.

図7に示すように、本実施形態の有機EL装置2は、上述した発光輝度検出工程の検出結果に基づいて、発光素子21から射出される光の発光輝度が高い発光素子21に対応する赤色着色層137R−1の色材の濃度が濃く、発光輝度が低い発光素子21に対応する赤色着色層137R−2の色材の濃度が薄く形成されている。つまり、発光輝度の高い発光素子21に対応する赤色着色層137R−1の色材の濃度が、発光輝度の低い発光素子21に対応する赤色着色層137R−2の色材の濃度に比べ濃くなるように形成されている。各着色層137R−1,137R−2の色材の濃度は、着色層137R−1,137R−2の形成材料に含まれる着色剤や添加剤の混合比率を異ならせて調整することが可能である。   As shown in FIG. 7, the organic EL device 2 of the present embodiment has a red color corresponding to the light emitting element 21 having a high light emission luminance of the light emitted from the light emitting element 21 based on the detection result of the light emission luminance detection step described above. The coloring material 137R-1 has a high color material concentration, and the red coloring layer 137R-2 has a low color material concentration corresponding to the light emitting element 21 having low emission luminance. That is, the density of the color material of the red coloring layer 137R-1 corresponding to the light emitting element 21 with high emission luminance is higher than the concentration of the color material of the red coloring layer 137R-2 corresponding to the light emitting element 21 with low emission luminance. It is formed as follows. The concentration of the color material in each of the colored layers 137R-1 and 137R-2 can be adjusted by changing the mixing ratio of the colorant and additive contained in the forming material of the colored layers 137R-1 and 137R-2. is there.

このように、着色層37R,37G,37B(図3参照)の色材の濃度を調整することで、着色層37R,37G,37Bを透過する光の透過率を調整することができる。具体的には、着色層37R,37G,37Bの色材の濃度を濃く形成するにつれ、光の透過率が低下して着色層37R,37G,37Bで吸収される光の吸収量が多くなるため、着色層37R,37G,37Bを透過した光の発光輝度は低下する。つまり、発光素子21から射出される光の発光輝度に応じて、着色層37R,37G,37Bの色材の濃度を設定することで、着色層37R,37G,37Bを透過して表示面から取り出される光の発光輝度を均一化することができる。   Thus, by adjusting the density of the color material of the colored layers 37R, 37G, and 37B (see FIG. 3), the transmittance of light transmitted through the colored layers 37R, 37G, and 37B can be adjusted. Specifically, as the color material density of the colored layers 37R, 37G, and 37B is increased, the light transmittance decreases, and the amount of light absorbed by the colored layers 37R, 37G, and 37B increases. The light emission luminance of the light transmitted through the colored layers 37R, 37G, and 37B decreases. That is, by setting the density of the color material of the colored layers 37R, 37G, and 37B according to the light emission luminance of the light emitted from the light emitting element 21, the colored layers 37R, 37G, and 37B are transmitted through and extracted from the display surface. It is possible to make the emission luminance of the emitted light uniform.

したがって、本実施形態によれば、上述した第1実施形態と同様の効果を奏することに加え、各着色層37R,37G,37Bの形成時には各着色層37R,37G,37Bの色材の濃度を調整するだけであるので、製造効率を向上させることができる。   Therefore, according to the present embodiment, in addition to the same effects as those of the first embodiment described above, the concentration of the color material of the colored layers 37R, 37G, and 37B is set when the colored layers 37R, 37G, and 37B are formed. Since only adjustment is required, manufacturing efficiency can be improved.

(第3実施形態)
次に、図8,9に基づいて本発明の第3実施形態について説明する。図8は、図2のB−B’線に相当する断面図であり、第3実施形態の有機EL装置を模式的に示す断面図である。図9は図8の平面図である。なお、図8では説明をわかり易くするため、着色層及びブラックマトリクス層のみを示している。本実施形態では、複数の発光素子から射出される光の発光輝度に応じて、発光素子のそれぞれの発光領域に対応する着色層の発光領域との対向面の面積が設定されている点で、上述した第1,2実施形態と相違している。なお、上述した第1実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、説明は省略する。また、各色の着色層の構成は略同一であるため、本実施形態では赤色着色層を例にして説明する。
(Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a cross-sectional view corresponding to the line BB ′ of FIG. 2, and is a cross-sectional view schematically showing the organic EL device of the third embodiment. FIG. 9 is a plan view of FIG. In FIG. 8, only the colored layer and the black matrix layer are shown for easy understanding. In the present embodiment, the area of the surface facing the light emitting region of the colored layer corresponding to each light emitting region of the light emitting device is set according to the light emission luminance of light emitted from the plurality of light emitting devices, This is different from the first and second embodiments described above. In addition, about the structure similar to 1st Embodiment mentioned above, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted. Moreover, since the structure of the colored layer of each color is substantially the same, in this embodiment, it demonstrates taking a red colored layer as an example.

図8,9に示すように、本実施形態の有機EL装置3は、上述した発光輝度検出工程の検出結果に基づいて、各発光素子21のうち、発光輝度が高い発光素子21の発光領域50R−1に対応する赤色着色層237R−1の発光領域50R−1との対向面の面積が大きく、発光輝度が低い発光素子21に対応する赤色着色層237R−2の発光領域50R−2との対向面の面積が小さく形成されている。つまり、発光輝度の高い発光素子21に対応する赤色着色層237R−1の発光領域50R−1との対向面の面積が、発光輝度の低い発光素子21に対応する赤色着色層237R−2の発光領域50R−2との面積に比べ大きくなるように形成されている。   As shown in FIGS. 8 and 9, the organic EL device 3 of the present embodiment has a light emitting region 50 </ b> R of the light emitting element 21 having a high light emission luminance among the light emitting elements 21 based on the detection result of the light emission luminance detection process described above. -1 of the red colored layer 237R-1 corresponding to the light emitting region 50R-1 has a large area facing the light emitting region 50R-1, and the light emitting luminance of the red colored layer 237R-2 corresponding to the light emitting element 21 is low. The area of the opposing surface is formed small. That is, the area of the surface facing the light emitting region 50R-1 of the red colored layer 237R-1 corresponding to the light emitting element 21 having high light emission luminance is the light emission of the red colored layer 237R-2 corresponding to the light emitting element 21 having low light emission luminance. It is formed to be larger than the area of the region 50R-2.

具体的には、発光輝度の低い発光素子21は、発光領域50R−2と赤色着色層237R−2との平面視で重なった領域の面積が、発光領域50R−2の面積より小さく形成されている。また、赤色着色層237R−2は、発光領域50R−2の平面視中央部で重なるように配置されている。したがって、発光領域50R−2と赤色着色層237R−2とが平面視で重ならない領域、つまり赤色着色層237R−2の周囲には、透過エリアFが形成される。この透過エリアFは、ブラックマトリクス層32と赤色着色層237R−2との間であって、赤色着色層237R−2を取り囲むように形成された領域である。透過エリアFでは、発光素子21から射出される白色光が封止基板31をそのまま透過することになる。なお、上述した発光領域(例えば、図8,9中符号50R−1,50R−2)とは、陽極10及び発光層40、陰極11の3層が積層された領域、つまり陽極10と陰極11によって発光層40が挟持され、実質的に発光に寄与する領域を示している。また、着色層の形状は矩形状に限らず、円形等の様々な形状を採用することが可能である。   Specifically, the light emitting element 21 with low light emission luminance is formed such that the area of the light emitting region 50R-2 and the red colored layer 237R-2 overlapped in plan view is smaller than the area of the light emitting region 50R-2. Yes. Further, the red colored layer 237R-2 is disposed so as to overlap with the central portion in plan view of the light emitting region 50R-2. Accordingly, the transmission area F is formed in a region where the light emitting region 50R-2 and the red colored layer 237R-2 do not overlap in a plan view, that is, around the red colored layer 237R-2. The transmission area F is an area formed between the black matrix layer 32 and the red colored layer 237R-2 so as to surround the red colored layer 237R-2. In the transmission area F, the white light emitted from the light emitting element 21 passes through the sealing substrate 31 as it is. Note that the above-described light emitting regions (for example, reference numerals 50R-1 and 50R-2 in FIGS. 8 and 9) are regions in which three layers of the anode 10, the light emitting layer 40, and the cathode 11 are laminated, that is, the anode 10 and the cathode 11. The region where the light emitting layer 40 is sandwiched by and substantially contributes to light emission is shown. Moreover, the shape of the colored layer is not limited to a rectangular shape, and various shapes such as a circular shape can be employed.

このように、本実施形態によれば、発光素子21から射出される光のうち、一部の光は赤色着色層237R−2を透過し、残りの光は赤色着色層237R−2を透過せずに透過エリアFを透過するため、発光層40から射出された白色光の状態で封止基板31を透過することになる。つまり、封止基板31から取り出される光は、赤色着色層237R−2を透過した光と透過エリアFを透過した光とによって構成されることになる。
ここで、透過エリアFから取り出される光は、赤色着色層237R−2で吸収されることなく取り出されるため、発光素子21から射出された状態の発光輝度を維持することができる。そして、封止基板31の表示面から表示される画像は、赤色着色層237R−2によって着色された光と、透過エリアFを透過した高輝度な光とによって表示される。したがって、上述した第1実施形態と同様に、様々な原因により発光素子21に輝度ムラが発生した場合でも、表示面から取り出される最終的な光の発光輝度を均一化することができる。
Thus, according to the present embodiment, part of the light emitted from the light emitting element 21 is transmitted through the red colored layer 237R-2, and the remaining light is transmitted through the red colored layer 237R-2. Therefore, since the light passes through the transmission area F, it passes through the sealing substrate 31 in the state of white light emitted from the light emitting layer 40. That is, the light extracted from the sealing substrate 31 is composed of light transmitted through the red colored layer 237R-2 and light transmitted through the transmission area F.
Here, since the light extracted from the transmission area F is extracted without being absorbed by the red colored layer 237R-2, the light emission luminance in the state of being emitted from the light emitting element 21 can be maintained. The image displayed from the display surface of the sealing substrate 31 is displayed by light colored by the red colored layer 237R-2 and high-luminance light transmitted through the transmission area F. Accordingly, as in the first embodiment described above, even when luminance unevenness occurs in the light emitting element 21 due to various causes, the final light emission luminance of light extracted from the display surface can be made uniform.

また、発光輝度の低い発光領域50R−2の平面視中央部にのみ赤色着色層237R−2が重なるように配置されているため、表示面を斜めから見た場合、つまり視野角が大きい場合にも所望の発光輝度を確保することができる。つまり、視野角が大きい場合には、赤色着色層237R−2の周囲に形成された透過エリアFから透過した発光輝度の高い光を見ることになるため、発光輝度の視野角特性を向上させることができる。また、赤色着色層237R−2を発光領域50R−2の中央部に形成することで、赤色着色層237R−2の形成時における誤差を許容することができるため、アライメントが容易になる。
なお、透過エリアFの面積が大きくなり色純度が低い場合には、各着色層37R,37G,37Bの膜厚や色材の濃度を変更して各着色層37R,37G,37Bの色純度を向上させることで、全体の色再現性を調整することが可能である。
In addition, since the red colored layer 237R-2 is disposed so as to overlap only in the central portion of the light emitting region 50R-2 having low light emission luminance, the display surface is viewed obliquely, that is, when the viewing angle is large. In addition, a desired light emission luminance can be ensured. That is, when the viewing angle is large, light with high emission luminance transmitted from the transmission area F formed around the red colored layer 237R-2 is seen, so that the viewing angle characteristic of the emission luminance is improved. Can do. In addition, by forming the red colored layer 237R-2 at the center of the light emitting region 50R-2, an error in forming the red colored layer 237R-2 can be allowed, so that alignment becomes easy.
When the area of the transmissive area F is large and the color purity is low, the color purity of each of the colored layers 37R, 37G, and 37B is changed by changing the thickness of the colored layers 37R, 37G, and 37B and the density of the coloring material. By improving it, it is possible to adjust the overall color reproducibility.

(光共振器構造)
次に、図10に基づいて、本発明の有機EL装置の他の構成について説明する。図10は有機EL装置の他の構成を模式的に示す断面図である。図10では、上述した金属反射板と陰極との間で発光層から射出された光を共振させる光共振構造を採用している点で、第3実施形態と相違している。したがって、上述した第3実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、説明は省略する。
(Optical resonator structure)
Next, another configuration of the organic EL device of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing another configuration of the organic EL device. FIG. 10 is different from the third embodiment in that an optical resonance structure that resonates light emitted from the light emitting layer between the metal reflector and the cathode described above is employed. Therefore, the same components as those in the third embodiment described above are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

図10に示すように、本実施形態における有機EL装置6の陰極111は、発光層40から発光した光の一部を透過し、残りの光の一部又は全部を金属反射板15側に反射する半透過反射性を有しており、画素隔壁13及び発光層40を覆うように形成されている。一般に、上述したITO等の透光性導電膜は、大気層との界面で10%程度の反射率を有しており、特段の工夫を施さなければ、このような透光性導電膜を用いた陰極111は、上記のような半透過反射性を有するものとなっている。   As shown in FIG. 10, the cathode 111 of the organic EL device 6 in the present embodiment transmits part of the light emitted from the light emitting layer 40 and reflects part or all of the remaining light to the metal reflector 15 side. It is semi-transmissive reflective and is formed so as to cover the pixel partition wall 13 and the light emitting layer 40. In general, the above-described translucent conductive film such as ITO has a reflectivity of about 10% at the interface with the atmospheric layer, and such a translucent conductive film is used unless special measures are taken. The negative electrode 111 has a transflective property as described above.

ここで、発光層40は、上述した半透過反射機能を有する陰極111と金属反射板15との間に挟持されており、これら陰極111と金属反射板15との間で、発光層40から射出された光を共振させる光共振構造が形成されている。この構成によれば、発光層40から射出された光は、金属反射板15と陰極111との間で往復し、金属反射板15と陰極111との間の光学的距離に対応した共振波長の光だけが増幅されて取り出される(図5中矢印参照)。このため、発光輝度が高く、スペクトルもシャープな光を取り出すことができる。   Here, the light emitting layer 40 is sandwiched between the above-described cathode 111 having a transflective function and the metal reflector 15, and is emitted from the light emitting layer 40 between the cathode 111 and the metal reflector 15. An optical resonance structure for resonating the emitted light is formed. According to this configuration, the light emitted from the light emitting layer 40 reciprocates between the metal reflector 15 and the cathode 111 and has a resonance wavelength corresponding to the optical distance between the metal reflector 15 and the cathode 111. Only light is amplified and extracted (see arrow in FIG. 5). For this reason, light with high emission luminance and sharp spectrum can be extracted.

各発光素子21の共振波長は、金属反射板15と陰極111との間の光学的距離、つまり金属反射板15と陰極111との間に形成された各層(例えば、有機機能層12、陽極110)の膜厚と屈折率とのそれぞれの積の総和によって求められる。本実施形態では、各画素領域XR,XG、XBの光共振器構造における金属反射板15と陰極111との間の光学的距離を調整することで、各画素領域XR,XG、XBの共振波長を異ならせている。つまり、光共振器構造における共振波長の異なる複数の発光素子21が含まれているため、白色光を発光する発光層40からはそれぞれ異なった色(例えば、赤色光、緑色光、青色光)が取り出されるようになっている。   The resonance wavelength of each light emitting element 21 is the optical distance between the metal reflector 15 and the cathode 111, that is, each layer formed between the metal reflector 15 and the cathode 111 (for example, the organic functional layer 12 and the anode 110). ) Of each product of the film thickness and the refractive index. In the present embodiment, the resonance wavelength of each pixel region XR, XG, XB is adjusted by adjusting the optical distance between the metal reflector 15 and the cathode 111 in the optical resonator structure of each pixel region XR, XG, XB. Are different. That is, since the plurality of light emitting elements 21 having different resonance wavelengths in the optical resonator structure are included, different colors (for example, red light, green light, and blue light) are emitted from the light emitting layer 40 that emits white light. It comes to be taken out.

これらの共振波長は、本実施形態の場合、発光素子21の陽極110の膜厚によって調節することが好ましい。具体的には、各画素領域XR,XG、XBにおける陽極110の膜厚は、共振波長が最も大きくなる画素領域XRの陽極110Rが最大となり、その次に、画素領域XGの陽極110G、画素領域XBの陽極110Bの順で膜厚が薄くなっている。また、光学的距離は表示面(封止基板31の表面)を正面から見た場合、つまり視野角0°の時に各色を発光する発光素子21が最適な共振波長の条件となるように設定されている。具体的には、光学的距離をL、発光層40で発光した光が陽極10または陰極111で反射する際に生じる位相シフトをΦ(例えば、−3/2π(rad))、発光層40から射出される光のうち取り出したい光のスペクトルのピーク波長をλとすると、2L=λ(m−Φ/2π)(mは整数)となる。なお、上述した視野角とは、視覚方向と封止基板31の表示面の法線とのなす角度とする。   In the case of this embodiment, these resonance wavelengths are preferably adjusted by the film thickness of the anode 110 of the light emitting element 21. Specifically, the film thickness of the anode 110 in each of the pixel regions XR, XG, and XB is the maximum for the anode 110R of the pixel region XR where the resonance wavelength is the largest, and then the anode 110G and the pixel region of the pixel region XG. The film thickness decreases in the order of the XB anode 110B. Further, the optical distance is set so that the light emitting element 21 that emits each color has the optimum resonance wavelength condition when the display surface (the surface of the sealing substrate 31) is viewed from the front, that is, when the viewing angle is 0 °. ing. Specifically, the optical distance is L, the phase shift generated when the light emitted from the light emitting layer 40 is reflected by the anode 10 or the cathode 111 is Φ (for example, −3 / 2π (rad)), and the light emitting layer 40 If the peak wavelength of the spectrum of light to be extracted out of the emitted light is λ, 2L = λ (m−Φ / 2π) (m is an integer). The viewing angle described above is an angle formed between the visual direction and the normal line of the display surface of the sealing substrate 31.

このように本実施形態によれば、第3実施形態と同様の効果を奏することに加え、発光層40から射出された光を共振させる光共振構造を採用したため、各画素領域XR,XG、XBからは金属反射板15と陰極111との間の光学的距離に対応した共振波長の条件を満たす光のみが増幅されて取り出される。つまり、赤色光(R),緑色光(G),青色光(B)の各色に対応する共振波長を有する発光素子21を形成することで、フルカラー表示が可能な有機EL装置6を提供することができる。
これにより、赤色着色層237R−2(図9参照)を透過せずに透過エリアF(図9参照)を透過した光自体も、赤色光、緑色光、青色光の各画素領域XR,XG、XBに対応した色の光として取り出すことができる。そして、封止基板31の表示面から表示される画像は、赤色着色層237R−2によって着色された光と、透過エリアFを透過した高輝度かつ画素領域XR,XG、XBに対応した色を有する光とによって表示される。したがって、低電流で高輝度を得ることに加え、色再現性を向上させることができる。
また、視野角が大きい場合においても、発光輝度及び色純度の視野角特性を向上させることができる。
As described above, according to the present embodiment, in addition to the same effects as those of the third embodiment, since the optical resonance structure that resonates the light emitted from the light emitting layer 40 is employed, each pixel region XR, XG, XB Only the light satisfying the condition of the resonance wavelength corresponding to the optical distance between the metal reflector 15 and the cathode 111 is amplified and extracted. That is, the organic EL device 6 capable of full-color display is provided by forming the light emitting elements 21 having resonance wavelengths corresponding to the colors of red light (R), green light (G), and blue light (B). Can do.
As a result, the light itself that has not passed through the red colored layer 237R-2 (see FIG. 9) and has passed through the transmissive area F (see FIG. 9) is also the pixel regions XR, XG, It can be extracted as light of a color corresponding to XB. Then, the image displayed from the display surface of the sealing substrate 31 has light colored by the red colored layer 237R-2 and high brightness transmitted through the transmission area F and colors corresponding to the pixel regions XR, XG, and XB. It is displayed by the light it has. Therefore, in addition to obtaining high luminance at a low current, color reproducibility can be improved.
Even when the viewing angle is large, it is possible to improve the viewing angle characteristics of light emission luminance and color purity.

なお、上述した実施形態では、各着色層の間にブラックマトリクス層32を形成した場合について説明したが、ブラックマトリクス層32を形成せず、各着色層の間の領域を光透過領域として構成することも可能である。この場合、光透過領域において、発光素子21から隣接する発光素子21に対応する着色層に入射する光が、封止基板31と空気との境界面で全反射条件を満たすように設定されていることが好ましい。この全反射条件は、封止基板31の屈折率をn1、空気の屈折率をn2、封止基板31への入射角をθ1、封止基板31からの出射角をθ2とすると、n1,n2,sinθ1,sinθ2の関係は、n1sinθ1=n2sinθ2となる。そして、全反射条件を満たすためには、θ2≧90°となるようにn1,sinθ1を設定すればよい。具体的には、任意の発光領域と隣接する発光領域の着色層との水平及び垂直方向の距離を調整することで任意の発光領域から射出され隣接する着色層に入射する光の入射角θ1を調整する。また、封止基板の屈折率n1を調整することも可能である。この場合、θ2≧90°となる光は、封止基板31と空気との境界面を透過せず、全て素子基板20A側に反射するようになっている。これにより、発光領域から射出された光が、隣接する発光領域に対応する着色層を透過することがない。そのため、例えば着色層間にブラックマトリクス層等の非発光領域を設けることなく、隣接する画素領域間の光漏れを防止して、色再現性を維持することができる。   In the above-described embodiment, the case where the black matrix layer 32 is formed between the colored layers has been described. However, the black matrix layer 32 is not formed, and a region between the colored layers is configured as a light transmission region. It is also possible. In this case, in the light transmission region, the light incident on the colored layer corresponding to the adjacent light emitting element 21 from the light emitting element 21 is set so as to satisfy the total reflection condition at the boundary surface between the sealing substrate 31 and the air. It is preferable. This total reflection condition is n1, n2 where n1 is the refractive index of the sealing substrate 31, n2 is the refractive index of air, θ1 is the incident angle to the sealing substrate 31, and θ2 is the exit angle from the sealing substrate 31. , Sin θ1 and sin θ2 are n1 sin θ1 = n2 sin θ2. In order to satisfy the total reflection condition, n1 and sin θ1 may be set so that θ2 ≧ 90 °. Specifically, by adjusting the horizontal and vertical distances between the arbitrary light emitting region and the colored layer of the adjacent light emitting region, the incident angle θ1 of light emitted from the arbitrary light emitting region and incident on the adjacent colored layer is set. adjust. It is also possible to adjust the refractive index n1 of the sealing substrate. In this case, the light satisfying θ2 ≧ 90 ° does not pass through the boundary surface between the sealing substrate 31 and the air, but is reflected on the element substrate 20A side. Thereby, the light emitted from the light emitting region does not pass through the colored layer corresponding to the adjacent light emitting region. Therefore, for example, without providing a non-light emitting region such as a black matrix layer between the colored layers, light leakage between adjacent pixel regions can be prevented and color reproducibility can be maintained.

(電子機器)
次に、本発明の電子機器について説明する。
電子機器は、上述した有機EL装置(例えば、有機EL装置1〜3,6)を表示部として有したものであり、具体的には図11に示すものが挙げられる。
図11(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図11(a)において、携帯電話1000は、上述した有機EL装置を用いた表示部1001を備える。
図11(b)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図11(b)において、時計(電子機器)1100は、上述した有機EL装置を用いた表示部1101を備える。
図11(c)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図11(c)において、情報処理装置1200は、キーボードなどの入力部1202、上述した有機EL装置を用いた表示部1206、情報処理装置本体(筐体)1204を備える。
図11(d)は、薄型大画面テレビの一例を示した斜視図である。図11(d)において、薄型大画面テレビ1300は、薄型大画面テレビ本体(筐体)1302、スピーカーなどの音声出力部1304、上述した有機EL装置1を用いた表示部1306を備える。
(Electronics)
Next, the electronic apparatus of the present invention will be described.
The electronic apparatus has the above-described organic EL device (for example, organic EL devices 1 to 3 and 6) as a display unit, and specifically, the one shown in FIG.
FIG. 11A is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 11A, a mobile phone 1000 includes a display unit 1001 using the organic EL device described above.
FIG. 11B is a perspective view showing an example of a wristwatch type electronic device. In FIG. 11B, a timepiece (electronic device) 1100 includes a display unit 1101 using the organic EL device described above.
FIG. 11C is a perspective view showing an example of a portable information processing apparatus such as a word processor or a personal computer. In FIG. 11C, the information processing apparatus 1200 includes an input unit 1202 such as a keyboard, a display unit 1206 using the above-described organic EL device, and an information processing apparatus body (housing) 1204.
FIG. 11D is a perspective view showing an example of a thin large-screen television. In FIG. 11D, a thin large-screen TV 1300 includes a thin large-screen TV main body (housing) 1302, an audio output unit 1304 such as a speaker, and a display unit 1306 using the organic EL device 1 described above.

図11(a)〜(d)に示すそれぞれの電子機器は、上述した有機EL装置を有した表示部1001,1101,1206,1306を備えているので、表示部が低電流で高輝度を得ることを図られたものとなる。   Each of the electronic devices shown in FIGS. 11A to 11D includes the display portions 1001, 1101, 1206, and 1306 having the above-described organic EL devices, so that the display portion can obtain high luminance with low current. It is intended.

また、有機EL装置を表示部として備える場合に限らず、発光部として備える電子機器であってもよい。例えば、有機EL装置を露光ヘッド(ラインヘッド)として備えるページプリンタ(画像形成装置)であってもよい。   Moreover, not only the case where an organic EL device is provided as a display unit, but also an electronic device provided as a light emitting unit. For example, a page printer (image forming apparatus) including an organic EL device as an exposure head (line head) may be used.

なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。例えば、上述した正孔注入・輸送層あるいは発光層のインク組成物は、低分子、高分子、デンドリマー等の分子形態に関係なく、また発光層の形成材料は、例えば蛍光、燐光材料ともに有効である。   It should be noted that the technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments, and includes those in which various modifications are made to the above-described embodiments without departing from the spirit of the present invention. For example, the ink composition for the hole injection / transport layer or the light emitting layer described above is effective regardless of the molecular form such as low molecule, polymer, dendrimer, and the material for forming the light emitting layer is effective for both fluorescent and phosphorescent materials. is there.

また、上述した第1〜第3実施形態を適宜組み合わせたり、各実施形態の構成に加えて駆動電流を補正する補正回路を設けたりすることも可能である。
さらに、上述の実施形態では、各発光素子に対応する着色層の膜厚や、濃度、面積等を調整する場合について説明したが、表示面の領域毎(例えば、表示面の中央部、外周部等)に区画して調整することも可能である。この場合、着色層の形成方法は、インクジェット法に限らず、スピンコート法の回転速度を各領域毎に調整したり、スクリーン印刷法等により形成したりすることも可能である。
In addition, the first to third embodiments described above can be appropriately combined, or a correction circuit for correcting the drive current can be provided in addition to the configuration of each embodiment.
Further, in the above-described embodiment, the case where the film thickness, concentration, area, and the like of the colored layer corresponding to each light emitting element is adjusted has been described. Etc.) and can be adjusted. In this case, the method for forming the colored layer is not limited to the ink jet method, and it is possible to adjust the rotational speed of the spin coating method for each region, or to form the screen by a screen printing method or the like.

また、上述した光共振器構造において、光学的距離の設定方法として、陽極の膜厚を調整する場合について説明したが、有機機能層の膜厚を厚く形成してもよい。
また、有機機能層や陽極の構成材料を変化させて屈折率を調整することで、光学的距離を調整することも可能である。
また、各画素隔壁間(画素領域)に赤色発光層、緑色発光層、青色発光層をそれぞれ形成し、これら各色の発光層に対応して各色の着色層を配置する構成も可能である。
In the optical resonator structure described above, the case where the film thickness of the anode is adjusted as a method for setting the optical distance has been described. However, the organic functional layer may be formed thick.
It is also possible to adjust the optical distance by adjusting the refractive index by changing the constituent material of the organic functional layer and the anode.
Further, a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer may be formed between pixel partition walls (pixel regions), and a colored layer of each color may be disposed corresponding to the light emitting layer of each color.

本発明の実施形態における有機EL装置の配線構造を示す図である。It is a figure which shows the wiring structure of the organic electroluminescent apparatus in embodiment of this invention. 本発明の実施形態における有機EL装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the organic electroluminescent apparatus in embodiment of this invention. 本発明の実施形態における図2のA−A’線に沿う有機EL装置を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the organic electroluminescent apparatus in alignment with the A-A 'line | wire of FIG. 2 in embodiment of this invention. 本発明の実施形態における有機EL装置の素子基板側の工程図である。It is process drawing by the side of the element substrate of the organic EL device in an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態における有機EL装置の封止基板側の工程図である。It is process drawing by the side of the sealing substrate of the organic electroluminescent apparatus in embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態における図2のB−B’線に沿う有機EL装置を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the organic electroluminescent apparatus which follows the B-B 'line | wire of FIG. 2 in 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態における図2のB−B’線に相当する有機EL装置を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the organic electroluminescent apparatus equivalent to the B-B 'line | wire of FIG. 2 in 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態における図2のB−B’線に相当する有機EL装置を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the organic electroluminescent apparatus corresponded to the B-B 'line | wire of FIG. 2 in 3rd Embodiment of this invention. 図6の平面図である。FIG. 7 is a plan view of FIG. 6. 本発明の実施形態における図2のA−A’線に相当する光共振器構造を有する有機EL装置を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the organic electroluminescent apparatus which has the optical resonator structure corresponded to the A-A 'line | wire of FIG. 2 in embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る電子機器を示す図である。It is a figure which shows the electronic device which concerns on embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1,2,3,4…有機EL装置(発光装置) 10,110,110R,110G,110B…陽極(第1電極) 11,111…陰極(第2電極) 15…金属反射板(光反射層) 21…発光素子 37R,37G,37B,37R−1,37R−2,137R−1,137R−2,237R−1,237R−2…着色層 40…発光層 50R−1,50R−2…発光領域 1000…携帯電話(電子機器)、1100…時計(電子機器)、1200…情報処理装置(電子機器)、1300…薄型大画面テレビ(電子機器)、1001,1101,1206,1306…表示部(発光装置) X,XR,XG,XB…画素領域   1, 2, 3, 4 ... Organic EL device (light emitting device) 10, 110, 110R, 110G, 110B ... Anode (first electrode) 11, 111 ... Cathode (second electrode) 15 ... Metal reflector (light reflecting layer) 21 ... Light emitting element 37R, 37G, 37B, 37R-1, 37R-2, 137R-1, 137R-2, 237R-1, 237R-2 ... Colored layer 40 ... Light emitting layer 50R-1, 50R-2 ... Light emitting Area 1000: Mobile phone (electronic device), 1100 ... Clock (electronic device), 1200 ... Information processing device (electronic device), 1300 ... Thin large-screen TV (electronic device), 1001, 1101, 1206, 1306 ... Display ( Light emitting device) X, XR, XG, XB ... Pixel area

Claims (15)

第1電極と第2電極との間に発光層が挟持された複数の発光素子と、
前記複数の発光素子に対応して配置された複数の着色層と、を備えた発光装置において、
前記複数の発光素子から射出される光の発光輝度に応じて、前記発光素子に対応する前記着色層の光透過率が補正されていることを特徴とする発光装置。
A plurality of light emitting elements each having a light emitting layer sandwiched between a first electrode and a second electrode;
A plurality of colored layers arranged corresponding to the plurality of light emitting elements, and a light emitting device comprising:
A light-emitting device, wherein the light transmittance of the colored layer corresponding to the light-emitting element is corrected in accordance with light emission luminance of light emitted from the plurality of light-emitting elements.
前記複数の発光素子から射出される光の発光輝度に応じて、前記発光素子に対応する前記着色層の膜厚が設定されていることを特徴とする請求項1記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein a thickness of the colored layer corresponding to the light emitting element is set according to light emission luminance of light emitted from the plurality of light emitting elements. 前記複数の発光素子のうち、発光輝度が高い前記発光素子に対応する前記着色層の膜厚が、発光輝度が低い前記発光素子に対応する前記着色層の膜厚に比べて厚く形成されていることを特徴とする請求項2記載の発光装置。   Among the plurality of light emitting elements, the colored layer corresponding to the light emitting element having high emission luminance is formed thicker than the thickness of the colored layer corresponding to the light emitting element having low emission luminance. The light-emitting device according to claim 2. 前記複数の発光素子から射出される光の発光輝度に応じて、前記発光素子に対応する前記着色層の色材の濃度が設定されていることを特徴とする請求項1ないし請求項3の何れか1項に記載の発光装置。   4. The color material concentration of the colored layer corresponding to the light emitting element is set according to the light emission luminance of light emitted from the plurality of light emitting elements. The light emitting device according to claim 1. 前記複数の発光素子のうち、発光輝度が高い前記発光素子に対応する前記着色層の色材の濃度が、発光輝度が低い前記発光素子に対応する前記着色層の色材の濃度に比べて濃く形成されていることを特徴とする請求項4記載の発光装置。   Among the plurality of light emitting elements, the color material concentration of the colored layer corresponding to the light emitting element having high light emission luminance is higher than the color material concentration of the color layer corresponding to the light emitting element having low light emission luminance. The light emitting device according to claim 4, wherein the light emitting device is formed. 前記複数の発光素子から射出される光の発光輝度に応じて、前記発光素子の発光領域に対応する前記着色層の前記発光領域との対向面の面積が設定されていることを特徴とする請求項1ないし請求項5の何れか1項に記載の発光装置。   The area of the surface facing the light emitting region of the colored layer corresponding to the light emitting region of the light emitting device is set according to the light emission luminance of the light emitted from the plurality of light emitting devices. The light-emitting device according to any one of claims 1 to 5. 前記複数の発光素子のうち、発光輝度が高い前記発光素子の発光領域に対応する前記着色層の前記発光領域との対向面の面積が、発光輝度が低い前記発光素子に対応する前記着色層の前記発光領域との対向面の面積に比べて大きく形成されていることを特徴とする請求項6記載の発光装置。   Of the plurality of light emitting elements, an area of the colored layer corresponding to the light emitting region of the light emitting element having a high light emission luminance is a surface of the colored layer corresponding to the light emitting element having a low light emission luminance. The light emitting device according to claim 6, wherein the light emitting device is formed to be larger than an area of a surface facing the light emitting region. 前記発光素子から射出され隣接する前記発光素子に対応した前記着色層に入射する光が、全反射条件を満たすことを特徴とする請求項1ないし請求項7の何れか1項に記載の発光装置。   8. The light emitting device according to claim 1, wherein light emitted from the light emitting element and incident on the colored layer corresponding to the adjacent light emitting element satisfies a total reflection condition. 9. . 前記発光層は、白色光を発光することを特徴とする請求項1ないし請求項8の何れか1項に記載の発光装置。   The light emitting device according to any one of claims 1 to 8, wherein the light emitting layer emits white light. 前記第1電極は光透過性を有するとともに、前記第2電極は半透過反射性を有し、前記第1電極を挟んで前記発光層の反対側には光反射層が配置され、前記光反射層と前記第2電極との間で、前記発光素子から射出された光を共振させる光共振器構造が構成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項9の何れか1項に記載の発光装置。   The first electrode is light transmissive, the second electrode is transflective, a light reflecting layer is disposed on the opposite side of the light emitting layer across the first electrode, and the light reflecting 10. The optical resonator structure for resonating light emitted from the light emitting element is formed between the layer and the second electrode. 10. Light-emitting device. 第1電極と第2電極との間に発光層が挟持された複数の発光素子を形成する発光素子形成工程と、
前記複数の発光素子に対応して複数の着色層を形成する着色層形成工程と、を有する発光装置の製造方法であって、
前記着色層形成工程に先立って、前記発光素子から射出される光の発光輝度を検出する発光輝度検出工程を有し、
前記着色層形成工程では、前記発光輝度検出工程の検出結果に基づいて、前記着色層の光透過率を補正することを特徴とする発光装置の製造方法。
A light emitting element forming step of forming a plurality of light emitting elements in which a light emitting layer is sandwiched between the first electrode and the second electrode;
A colored layer forming step of forming a plurality of colored layers corresponding to the plurality of light emitting elements,
Prior to the colored layer forming step, a light emission luminance detecting step for detecting light emission luminance of light emitted from the light emitting element,
In the colored layer forming step, the light transmittance of the colored layer is corrected based on the detection result of the emission luminance detecting step.
前記発光輝度検出工程は、前記複数の発光素子の輝度ムラを測定する工程と、
前記輝度ムラに基づいて前記発光素子から射出される光の発光輝度を算出する工程と、を有することを特徴とする請求項11記載の発光装置の製造方法。
The emission luminance detecting step includes measuring luminance unevenness of the plurality of light emitting elements;
The method of manufacturing a light emitting device according to claim 11, further comprising: calculating a light emission luminance of light emitted from the light emitting element based on the luminance unevenness.
前記発光輝度検出工程は、前記発光素子に流れる駆動電流の電流値を測定する工程と、
前記電流値に基づいて前記発光素子から射出される光の発光輝度を算出する工程と、を有することを特徴とする請求項11記載の発光装置の製造方法。
The light emission luminance detection step includes a step of measuring a current value of a drive current flowing through the light emitting element,
The method for manufacturing a light emitting device according to claim 11, further comprising: calculating light emission luminance of light emitted from the light emitting element based on the current value.
前記着色層形成工程は、液滴吐出法により前記着色層の形成材料を塗布することを特徴とする請求項11ないし請求項13の何れか1項に記載の発光装置の製造方法。   The method for manufacturing a light emitting device according to claim 11, wherein in the colored layer forming step, a material for forming the colored layer is applied by a droplet discharge method. 請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the light-emitting device according to claim 1.
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