JP2009151053A - Light receiving module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光ファイバ通信に用いられる受光モジュールに関する。 The present invention relates to a light receiving module used for optical fiber communication.
高速光ファイバ通信では、高速応答性と高い受光感度を有する受光素子が求められている。特に高速応答性を実現するためには、受光素子をフリップチップ実装することで、ボンディングワイヤによるインダクタンス成分、発生磁界の伝播などを低減する構造が提案されている。また、光ファイバ通信の高速化対応を満たす一方で、小型化、低コスト化も重要となっている。 In high-speed optical fiber communication, a light receiving element having high-speed response and high light receiving sensitivity is required. In particular, in order to realize high-speed response, a structure has been proposed in which the light receiving element is flip-chip mounted to reduce the inductance component due to the bonding wire, the propagation of the generated magnetic field, and the like. In addition, while satisfying the high-speed response of optical fiber communication, downsizing and cost reduction are also important.
これらの要求に対して、例えば、特許文献1には、配線膜と透光性樹脂膜を有する基板上に光素子をフリップチップ実装することで、小型化や高周波特性の改善を図ると共に、トランスファモールドにより気密封止して保護された構造の光通信モジュールが開示されている。また、特許文献2では、フリップチップ実装するに適した構造の受光素子が開示されている。さらに、特許文献3には、受光素子、発光素子を回路チップ上にフリップチップ実装することが開示されている。
特許文献1に開示の光通信モジュールは、複数の光素子をアライメント調整でフリップチップ実装し、この後、ダイシングにより各モジュールに分割している。しかし、その構造上、封止のためのトランスファモールドが必要とされが、個別のモジュールごとのモールドで行われているため量産性が悪い。量産性を高めるには、複数のモジュールを一度にトランスファモールドする必要があるが、これには、金型が大型になり設備投資の負担が大きくなる。
また、特許文献3に開示のように、回路チップ上に受光素子または発光素子をフリップチップ接続で実装することで信号の高速応答が期待できる。しかし、回路チップと配線基板間は、ワイヤ接続を行う構造であり改善の余地がある。
In the optical communication module disclosed in
Further, as disclosed in
本発明は、上述した実情に鑑みてなされたもので、寄生インピーダンスによる高周波信号、高速応答への悪影響を抑制し、トランスファモールドを必要としない生産性のよい受光モジュールの提供を目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and an object of the present invention is to provide a high-productivity light-receiving module that suppresses adverse effects on high-frequency signals and high-speed responses due to parasitic impedance and does not require a transfer mold.
本発明による受光モジュールは、受光素子がフリップチップ実装されたプリアンプ回路チップと、受光素子及びプリアンプ回路チップを収容する収容部と受光素子が受光する信号光の透過口を有し、且つ配線導体及び電極を有するパッケージと、光ファイバを接続保持するスリーブとを備える。プリアンプ回路チップは前記パッケージの電極にフリップチップ実装で搭載され、スリーブは光ファイバからの信号光を前記受光素子で受光するように調芯されてパッケージに固定される。前記のパッケージは、複数のセラミック基板を積層して形成することができ、また、信号光の透過口を所定の光波長に対して透光性のある封止板で封止することができる。 The light-receiving module according to the present invention has a preamplifier circuit chip on which the light-receiving element is flip-chip mounted, a receiving portion for receiving the light-receiving element and the pre-amplifier circuit chip, a transmission port for signal light received by the light-receiving element, and a wiring conductor and A package having an electrode; and a sleeve for connecting and holding the optical fiber. The preamplifier circuit chip is mounted on the electrode of the package by flip chip mounting, and the sleeve is aligned and fixed to the package so that signal light from the optical fiber is received by the light receiving element. The package can be formed by stacking a plurality of ceramic substrates, and the signal light transmission port can be sealed with a sealing plate having a light-transmitting property with respect to a predetermined light wavelength.
また、本発明による受光モジュールは、前記の受光素子が、入光面側に集光レンズを備え、入光面と反対の面側に受光部とフリップチップ実装用の電極を備える構成とすることができる。また、プリアンプ回路チップは、パッケージにフリップチップ実装するための電極と、受光素子をフリップチップ実装するための電極とを同一面内に備える構成とすることができる。さらに、プリアンプ回路チップが収容される収容空間に、封止樹脂が充填されている構成とすることができる。 In the light receiving module according to the present invention, the light receiving element includes a condensing lens on a light incident surface side, and a light receiving portion and an electrode for flip chip mounting on a surface side opposite to the light incident surface. Can do. In addition, the preamplifier circuit chip can be configured to include an electrode for flip-chip mounting on the package and an electrode for flip-chip mounting the light receiving element in the same plane. Further, the housing space in which the preamplifier circuit chip is housed can be configured to be filled with sealing resin.
本発明によれば、受光素子の接続電極面、プリアンプ回路チップの接続電極面およびパッケージ内に形成されているチップ実装用の配線導体面を、同一面に対向する形態で構成することができるので、これらの部品間の電気接続は全てフリップチップ実装が可能となる。この結果、ワイヤ接続による電気接続を省略することができ、浮遊インピーダンスによる高周波応答性の低下を抑制することができ、高周波特性に優れた受光モジュールを実現できる。
また、トランスファモールドを必要としない構造であるため金型の使用が不要で、大きなサイズのパッケージを用いてマトリックス状に組立てることが可能で、安価で生産性のよい受光モジュールを提供することが可能となる。
According to the present invention, the connection electrode surface of the light receiving element, the connection electrode surface of the preamplifier circuit chip, and the wiring conductor surface for chip mounting formed in the package can be configured to face the same surface. All electrical connections between these components can be flip-chip mounted. As a result, electrical connection by wire connection can be omitted, a decrease in high frequency response due to floating impedance can be suppressed, and a light receiving module having excellent high frequency characteristics can be realized.
In addition, since it does not require a transfer mold, it does not require the use of a mold, can be assembled in a matrix using a large package, and can provide an inexpensive and highly productive light receiving module. It becomes.
図により本発明の実施の形態を説明する。図1(A)は本発明による受光モジュールの概略を説明する斜視図、図1(B)はその断面図である。図中、1は受光モジュール、2は受光素子、3はプリアンプ回路チップ、4はパッケージ、5は封止板、6は封止樹脂材、7は信号光の透過口、8a,8bは収容部、9はスリーブ、9aはフランジ部、9bは光コネクタの挿着孔を示す。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1A is a perspective view for explaining the outline of a light receiving module according to the present invention, and FIG. 1B is a sectional view thereof. In the figure, 1 is a light receiving module, 2 is a light receiving element, 3 is a preamplifier circuit chip, 4 is a package, 5 is a sealing plate, 6 is a sealing resin material, 7 is a signal light transmission port, and 8a and 8b are accommodating portions. , 9 is a sleeve, 9a is a flange portion, and 9b is an insertion hole of the optical connector.
本発明による受光モジュール1は、フォトダイオード(PD)等の受光素子2が実装されたプリアンプ回路チップ3と、このプリアンプ回路チップ3が実装される配線導体及び電極を有するパッケージ4(以下、単にパッケージという)と、該パッケージ4に接着等により固定されるスリーブ9とで構成される。プリアンプ回路チップ3は、受光素子2で受光した光電流をプリアンプ回路で電圧信号に変換される。このプリアンプ回路には、低雑音で広いダインミックレンジのものが要求されていて、通常は、増幅器の入力部と出力部の間に帰還抵抗を入れたトランスインピーダンス型のプリアンプ(TIA)が用いられる。このTIA回路は、プリアンプ回路チップ3として、一体化された矩形状のチップ状部品で提供される。
A
受光素子2は、後述するように、プリアンプ回路チップ3にフリップチップ実装が可能な形状のものが用いられ、プリアンプ回路チップ3の中央部分に接続実装される。パッケージ4は、プリアンプ回路チップ3及び受光素子2を収容する収容部8a,8bを有し、受光素子2で受光する信号光の透過口7を備えている。また、信号光の透過口7は、所定の光波長に対して透光性のある材料で形成された封止板5で封止することができる。
As will be described later, the
パッケージ4に設けられる収容部8aの段差部分の上面側に、配線導体が形成されていて、この配線導体に対して受光素子2を搭載したプリアンプ回路チップ3がフリップチップ実装で搭載される。プリアンプ回路チップ3が収容されるパッケージ4の収容部8aには、必要に応じて、封止樹脂材6を充填して気密封止することができる。なお、封止樹脂材6が所定の光波長に対して透光性を有している場合は、発光素子2が収容され、封止板5で封鎖された収容部8bにも充填させることができる。
A wiring conductor is formed on the upper surface side of the step portion of the
スリーブ9は、光ファイバを接続するための光コネクタを嵌合保持するためのもので、フランジ部9aでパッケージ4に接着材等により固定される。このスリーブ9の光コネクタ挿着孔9bには、光ファイバの端部に取り付けられた光コネクタのフェルール(図示せず)が挿着され、外部装置からの信号光が受光素子2に向けて出射される。光ファイバから出射される信号光が効率よく受光素子2で受光できるように、パッケージ4との接着に際しては調芯して位置決めされる。
The
図2は、受光素子とプリアンプ回路チップの概略を説明する図で、図2(A)は受光素子の一例を示す図、図2(B)はプリアンプ回路チップの実装面を示す図である。図中10は受光部、11a,11bは受光素子の電極リード、12は受光素子の半田バンプ、13はモノシリックレンズ、14は回路チップの電極、15は回路チップの接続電極を示す。 2A and 2B are diagrams for explaining the outline of the light receiving element and the preamplifier circuit chip. FIG. 2A is a diagram illustrating an example of the light receiving element, and FIG. 2B is a diagram illustrating a mounting surface of the preamplifier circuit chip. In the figure, 10 is a light receiving portion, 11a and 11b are electrode leads of the light receiving element, 12 is a solder bump of the light receiving element, 13 is a monolithic lens, 14 is an electrode of the circuit chip, and 15 is a connection electrode of the circuit chip.
受光素子2は、図2(A)に示すようなフリップチップ実装が可能な形状のもの(例えば、特許文献2に開示のような受光素子)が用いられる。この受光素子2は、中央部に受光部10を有し、この受光部10が接する実装面2a側において、受光素子の電極リード11a,11bの端部に半田バンプ12が、蒸着法、めっき法、または印刷法等により形成されている。また、受光部10に対向する信号光が入射される入光面2b側には、集光レンズとしてモノシリックレンズ13が形成されていて、このレンズ13の光軸上にある光ファイバからの信号光を受光部10に集光させる。
The light receiving
プリアンプ回路チップ3は、例えば、トランスインピーダンス型のプリアンプ(TIA)で形成され(回路構成は省略)、実装面3aの中央部に上記した受光素子2をフリップチップ接続で直接実装させるための電極14が形成されている。また、プリアンプ回路チップ3の実装面3aには、この他、後述するパッケージ4を介して次段の増幅回路等への接続のための接続電極15が設けられている。この接続電極15は、プリアンプ回路チップ3をパッケージ4にフリップチップ接続で搭載するために、半田バンプで形成される。
The
図3は、上述した受光素子2をフリップチップ実装したプリアンプ回路チップ3を、パッケージ4の中間に積層配置されるベース基板20にフリップチップ接続で実装する例を説明する図である。図2(B)で説明したように、プリアンプ回路チップ3には、受光素子2が、プリアンプ回路チップ3の実装面3aから突出する形態でフリップチップ実装されている。このため、プリアンプ回路チップ3が実装されるベース基板20には、受光素子2を収容するための収容開口20aが形成されている。
FIG. 3 is a diagram for explaining an example in which the
また、ベース基板20の配線導体面16には、プリアンプ回路チップ3を次段増幅等の外部回路に接続するための配線導体17が形成されている。この配線導体17の内側の電極17aは、受光素子2が収容される収容開口20aの周りに配列され、プリアンプ回路チップ3の半田バンプで形成された接続電極15が、フリップチップ接続される。配線導体17の外側の電極17bは、ベース基板20の周縁に配列され、外部回路との接続に供せられる。受光素子2は、収容開口20a内に浮いた状態で収容される。
In addition, a
上記の構成によれば、受光素子2の接続電極面(実装面2a)、プリアンプ回路チップ3の接続電極面(実装面3a)、及び、パッケージ4のベース基板20に配線導体面16を同一面に対向する形態で構成することができるので、これらの部品間の電気接続は、上述したように全てフリップチップ接続が可能となる。
また、ベース基板20の配線導体17は、所定に導体幅と厚さで所定の特性インピーダンスとなるように形成され、ワイヤ接続のような3次元配線を用いていないので、浮遊インピーダンスによる高周波信号の劣化が低減され、信号劣化の少ない高速伝送の実現を可能としている。
According to the above configuration, the connection electrode surface (mounting surface 2 a) of the
In addition, the
図4は、上述したパッケージを積層により形成する構成例を説明する図で、図中、18,19は側面電極、20はベース基板、21は第1の支持基板、21aは収容開口、22は第2の支持基板、23は第1のカバー基板、23aは収容開口、24は第2のカバー基板、24aは収容開口を示し、その他の符号は図1〜3で用いたの同じ符号を用いることにより説明を省略する。 FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration example in which the above-described package is formed by stacking, in which 18 and 19 are side electrodes, 20 is a base substrate, 21 is a first support substrate, 21a is an accommodation opening, and 22 is The second support substrate, 23 is the first cover substrate, 23a is the accommodation opening, 24 is the second cover substrate, 24a is the accommodation opening, and the other symbols are the same as those used in FIGS. Therefore, the description is omitted.
本発明におけるパッケージは、複合回路チップ等を外力等から保護するとともに、パッケージ内に外部装置に接続可能に実装する配線導体、電極等を備えている。また、本発明で用いるパッケージは、図4に示すように、複数の基板を積層して形成することができる。積層する各基板は、例えば、アルミナ等の加工性のよいセラミック、さらには放熱性に優れた窒化アルミのような高熱伝導性の材料で形成することができる。 The package according to the present invention includes a wiring conductor, an electrode, and the like that are mounted on the package so as to be connectable to an external device while protecting the composite circuit chip and the like from an external force or the like. The package used in the present invention can be formed by stacking a plurality of substrates as shown in FIG. Each of the substrates to be stacked can be formed of, for example, a ceramic with good workability such as alumina, and a material with high thermal conductivity such as aluminum nitride with excellent heat dissipation.
パッケージ4は、積層基板の中央に位置する基板に、例えば、図3で説明したような、配線導体17及び電極17a,17bを備えた基板をベース基板20とする。そして、その下面側に支持基板を積層し、上面側にカバー基板を積層する。なお、ベース基板20にセラミック基板を用いた場合、配線導体17には、セラミック基板との密着性を考慮して、Ti/Pt/Auなどの薄膜で形成されているのが好ましい。
In the package 4, a substrate provided with the
ベース基板20の下面側に設ける支持基板は、例えば、第1の支持基板21と第2の支持基板22の2枚の基板を用いて形成することができる。ベース基板20と接する第1の支持基板21には、ベース基板20の収容開口に連通して貫通する収容開口21aが形成され、第2の支持基板22には信号光の透過口7が形成される。この信号光の透過口7は、所定の光波長に対して透光性のある材料で形成された封止板5で封止するようにしてもよい。
The support substrate provided on the lower surface side of the
信号光の透過口7を封止板5で封止することにより、基板内に搭載された受光素子2、プリアンプ回路チップ3が、外囲気や湿気に曝されることから保護し、劣化を抑制することが可能となる。封止板5には、石英や珪酸ガラスや、その他所定の光波長に対して透光性のあるセラミックが用いられる。なお、第2の支持基板22を、所定の光波長に対して透光性のあるセラミックで形成することにより、透過口7の形成や封止板5は不要とすることができる。
By sealing the signal
ベース基板20の上面側に設けるカバー基板は、ベース基板20に実装されたプリアンプ回路チップ3を外力から保護する機能を有するもので、例えば、第1のカバー基板23と第2のカバー基板24の2枚の基板を用いて形成することができる。ベース基板20と接する第1のカバー基板23には、中央部にベース基板20上に実装されたプリアンプ回路チップ3を収容する収容開口23aが形成される。第2のカバー基板24は、第1のカバー基板23と同形状で形成され、中央部に同様にプリアンプ回路チップ3の収容開口24aを有している。
The cover substrate provided on the upper surface side of the
第1及び第2のカバー基板23,24の側縁には、半円状の凹み内にベース基板20上の電極17bと電気接続を形成する側面電極18,19を形成することができる。この側面電極18,19は、ベース基板20の配線導体17の外側の電極17bに対応する位置に形成され、半田材等により電気的に接続される。プリアンプ回路チップ3の外部回路への接続は、この側面電極18,19を介して行われる。なお、このカバー基板は、ベース基板20に実装されるプリアンプ回路チップ3の高さ寸法に応じて、その積層枚数が調整される。
図5は、パッケージ4に受光素子2とプリアンプ回路チップ3を実装した状態を示す図で、図5(A)は、封止樹脂材が充填されていない状態を示し、図5(B)は、受光素子2およびプリアンプ回路チップ3を気密封止する形態を示す図である。封止樹脂材を充填しない形態でも使用可能であるが、図5(B)に示すように、信号光の透過口7を封止板5で封止すると共に、第1及び第2のカバー基板23,24の収容開口により形成された収容部8aとプリアンプ回路チップ3との間の空間に接着性の封止樹脂材6を充填する。
FIG. 5 is a diagram showing a state in which the
この封止樹脂材6の充填は、少なくともプリアンプ回路チップ3の露出面3bの位置に達する程度としてもよいが、プリアンプ回路チップ3の露出面3bを完全に覆うように充填するようにしてもよい。また、パッケージ4を構成する複数の基板の積層面間も、接合あるいは接着剤を浸透充填させて、受光素子2およびプリアンプ回路チップ3を完全に気密封止する。封止樹脂材6に透光性のものが用いられる場合は、受光素子2の収容部8b内にも充填するようにしてもよい。
The sealing resin material 6 may be filled so as to reach at least the position of the exposed
図6〜図8は、信号線の特性インピーダンスを調整するに適した構成例を説明する図である。図6は、信号線の両側をグランド線で挟む例を示す図、図7は信号線が形成されている基板と隣接する基板にインピーダンス調整用のグランド線を設ける例を示す図、図8は信号線が形成されている基板と隣接する上下の基板にインピーダンス調整用のグランド線を設ける例を示す図である。図中、26はベース基板、27は支持基板、28はカバー基板、29は信号線、30a〜32はグランド線を示す。 6 to 8 are diagrams for explaining a configuration example suitable for adjusting the characteristic impedance of the signal line. 6 is a diagram showing an example in which both sides of a signal line are sandwiched between ground lines, FIG. 7 is a diagram showing an example in which a ground line for impedance adjustment is provided on a substrate adjacent to the substrate on which the signal line is formed, and FIG. It is a figure which shows the example which provides the ground line for impedance adjustment in the upper and lower board | substrates adjacent to the board | substrate with which the signal line is formed. In the figure, 26 is a base substrate, 27 is a support substrate, 28 is a cover substrate, 29 is a signal line, and 30a to 32 are ground lines.
図6に示すように、プリアンプ回路チップ等が搭載されるベース基板26上に形成される配線導体で、信号線29をベース基板26上で両側から挟むようにしてグランド線30a,30bを配置する。信号線29とグランド線30a,30bとの離間距離を変えることにより、信号線29の静電容量を調整し、外部回路とのインピーダンス整合をとることができる。
As shown in FIG. 6,
また、図7に示すように、信号線29が形成されているベース基板26の下面側に接合される支持基板27に、信号線29と対向するようにグランド線31を設けてマイクロストリップラインを形成する。このグランド線31の幅等を変えることにより、信号線29の静電容量を調整し、外部回路とのインピーダンス整合をとることができる。
In addition, as shown in FIG. 7, a
また、図8に示すように、信号線29が形成されているベース基板26の下面側に接合される支持基板27に、信号線29と対向するようにグランド線31を設けるとともに、ベース基板26の上面側に接合されるカバー基板28に、信号線29と対向するようにグランド線32を設けてマイクロストリップラインを形成する。このグランド線31、32の幅等を変えることにより、信号線29の静電容量を調整し、外部回路とのインピーダンス整合をとることができる。
In addition, as shown in FIG. 8, a
図9は、パッケージ内に搭載されるプリアンプ回路チップに対して、電磁シールドする構成例を示す図である。図中、4’はパッケージ、26’はベース基板、27a,27bは支持基板、28a,28bはカバー基板、33a,33bは表層グランド線、33cは内層グランド線を示す。 FIG. 9 is a diagram illustrating a configuration example in which electromagnetic shielding is performed on a preamplifier circuit chip mounted in a package. In the figure, 4 'is a package, 26' is a base substrate, 27a and 27b are support substrates, 28a and 28b are cover substrates, 33a and 33b are surface layer ground lines, and 33c is an inner layer ground line.
図9に示すように、パッケージ4’は、図4で説明したのと同様に、ベース基板26’、第1と第2の支持基板27a,27b、第1と第2のカバー基板28a,28bの5層の基板を積層し、これらの積層される各基板の周辺部にグランド線(グランド導体)を形成する。最外層の基板となる支持基板27bには、信号光の透過口を除いたほぼ全面に表層グランド線33aを形成し、また、もう一方の最外層の基板となるカバー基板28bには、同様にプリアンプ回路チップ3の収容開口を除いたほぼ全面に表層グランド線33bを形成する。
As shown in FIG. 9, the package 4 'includes a base substrate 26', first and
パッケージ4’の各基板で、外面に表出されない積層面には、積層されるいずれか一方の基板側に、内層グランド線33cが基板の周辺にループ状(閉じていなくてもよい)に形成される。それぞれの基板に形成された表層グランド線33a,33bおよび内層グランド線33cは、それぞれの基板を貫通するヴィアホール34等によって、電気的に接続される。
これにより、パッケージ4’内に搭載される受光素子2およびプリアンプ回路チップ3は、電磁シールドすることができ、外部からの電磁ノイズを吸収して誤動作するのを排除、することができる。また、パッケージ4’の外にプリアンプ回路チップ3で生じる信号が漏出するのを抑制することができる。
In each substrate of the package 4 ′, an inner
Thereby, the
なお、上述した図1〜図9では、個別に受光モジュール品を製造する例で説明したが、
各積層基板(20〜21または26’〜28b)をマトリックス状に備える大きいサイズの基板を積層し、多数のパッケージ4,4’をマトリックス状に形成する。次いで、これをダイシング加工により個別のパッケージに分断し、パッケージの収容開口21a,23a,24aを通して封止板5を取付ける。また、発光素子2が実装されたプリアンプ回路チップ3を収容開口23a,24aを通してベース基板20,26’に実装し、この後、収納開口内に封止樹脂材6を充填し受光モジュールとする。なお、カバー基板23,24の側面電極となる部分は、貫通導体(スルホール、または、ヴィアホール)で形成され、切断により側面電極となる。
In addition, in FIG. 1 to FIG. 9 described above, the example in which the light receiving module product is individually manufactured has been described.
A large-sized substrate having each laminated substrate (20 to 21 or 26 'to 28b) arranged in a matrix is laminated, and a large number of packages 4 and 4' are formed in a matrix. Next, this is divided into individual packages by dicing, and the sealing
また、上記のように個別のパッケージに分断する前に、封止板5、プリアンプ回路チップ3、封止樹脂材6を充填して、複数の受光モジュール品を一体に形成する。次いで、ダイシング加工により個別の受光モジュール品単位に切り出し、次いで、光ファイバ接続用のスリーブを取り付けて完成品とするようにしてもよい。この方法によれば、安価で生産性のよい受光モジュールを提供することが可能となる。
In addition, before dividing into individual packages as described above, the sealing
図10は、本発明による受光モジュールの使用形態の一例を示す図である。本発明による受光モジュール1は、図1で説明したように、パッケージ4にスリーブ9を接着剤で固定することにより完成される。スリーブ9の接着固定に際しては、スリーブ9の挿着孔9bに光コネクタのフェルールを挿着した状態で、パッケージ4をスリーブ9のフランジ部9a上をスライドさせ、受光素子が高光結合を得られるように調芯する。なお、接着剤には、調芯後に直ちに接着固定できるように、紫外線硬化型の接着剤を用いることが望ましい。
完成した受光モジュール1は、回路基板等に直接実装するようにしてもよいが、フレキシブル回路板25を用いて電気接続するようにしてもよい。
FIG. 10 is a diagram showing an example of usage of the light receiving module according to the present invention. The
The completed
1…受光モジュール、2…受光素子、2a…実装面、2b…入光面、3…プリアンプ回路チップ、3a…実装面、3b…露出面、4,4’…パッケージ、5…封止板、6…封止樹脂材、7…信号光の透過口、8a,8b…収容部、9…スリーブ、9a…フランジ部、9b…挿着孔、10…受光部、11a,11b…電極リード、12…半田バンプ、13…モノシリックレンズ(集光レンズ)、14…電極、15…接続電極、16…配線導体面、17…配線導体、17a…内側の電極、17b…外側の電極、18、19…側面電極、20…ベース基板、21…第1の支持基板、21a…収容開口、22…第2の支持基板、23…第1のカバー基板、23a…収容開口、24…第2のカバー基板、24a…収容開口、25…フレキシブル回路板、26,26’…ベース基板、27,27a,27b…支持基板、28,28a,28b…カバー基板、29…信号線、30a〜33b…グランド線、34…ヴィアホール。
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記プリアンプ回路チップは前記パッケージの電極にフリップチップ実装で搭載され、前記スリーブは光ファイバからの信号光を前記受光素子で受光するように調芯されて前記パッケージに固定されていることを特徴とする受光モジュール。 A preamplifier circuit chip on which a light receiving element is flip-chip mounted, a receiving part for receiving the light receiving element and the preamplifier circuit chip, a package having a transmission port for signal light received by the light receiving element, and a wiring conductor and an electrode; A sleeve for connecting and holding the optical fiber,
The preamplifier circuit chip is mounted on the electrode of the package by flip chip mounting, and the sleeve is aligned and fixed to the package so that signal light from an optical fiber is received by the light receiving element. Receiving module.
Priority Applications (1)
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