JP2009141332A - オゾン水混合液供給装置及び方法、並びにこれを具備する基板処理装置 - Google Patents
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- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 270
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 136
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 112
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 49
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 273
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 115
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 48
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 30
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 10
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004065 wastewater treatment Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F23/00—Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
- B01F23/20—Mixing gases with liquids
- B01F23/23—Mixing gases with liquids by introducing gases into liquid media, e.g. for producing aerated liquids
- B01F23/237—Mixing gases with liquids by introducing gases into liquid media, e.g. for producing aerated liquids characterised by the physical or chemical properties of gases or vapours introduced in the liquid media
- B01F23/2376—Mixing gases with liquids by introducing gases into liquid media, e.g. for producing aerated liquids characterised by the physical or chemical properties of gases or vapours introduced in the liquid media characterised by the gas being introduced
- B01F23/23761—Aerating, i.e. introducing oxygen containing gas in liquids
- B01F23/237613—Ozone
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F23/00—Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
- B01F23/40—Mixing liquids with liquids; Emulsifying
- B01F23/45—Mixing liquids with liquids; Emulsifying using flow mixing
- B01F23/454—Mixing liquids with liquids; Emulsifying using flow mixing by injecting a mixture of liquid and gas
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- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F23/00—Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
- B01F23/40—Mixing liquids with liquids; Emulsifying
- B01F23/49—Mixing systems, i.e. flow charts or diagrams
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F25/00—Flow mixers; Mixers for falling materials, e.g. solid particles
- B01F25/105—Mixing heads, i.e. compact mixing units or modules, using mixing valves for feeding and mixing at least two components
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F25/00—Flow mixers; Mixers for falling materials, e.g. solid particles
- B01F25/40—Static mixers
- B01F25/42—Static mixers in which the mixing is affected by moving the components jointly in changing directions, e.g. in tubes provided with baffles or obstructions
- B01F25/43—Mixing tubes, e.g. wherein the material is moved in a radial or partly reversed direction
- B01F25/431—Straight mixing tubes with baffles or obstructions that do not cause substantial pressure drop; Baffles therefor
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F35/00—Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
- B01F35/80—Forming a predetermined ratio of the substances to be mixed
- B01F35/83—Forming a predetermined ratio of the substances to be mixed by controlling the ratio of two or more flows, e.g. using flow sensing or flow controlling devices
- B01F35/833—Flow control by valves, e.g. opening intermittently
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- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F2101/00—Mixing characterised by the nature of the mixed materials or by the application field
- B01F2101/58—Mixing semiconducting materials, e.g. during semiconductor or wafer manufacturing processes
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
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Abstract
【課題】オゾン水混合液供給装置及び方法、並びにこれを具備する基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明によるオゾン水混合液供給装置は、処理液供給ライン及びオゾン水供給ライン夫々から処理液及びオゾン水の供給を受けこれを混合して予め設定された濃度範囲内のオゾン水混合液を製造する混合ラインと、混合ラインから製造するオゾン水混合液を処理ユニットに分配させる分配ラインと、を有する。混合ラインには、混合バルブ及びスタティックミキサを設ける。本発明は、混合タンクのような混合容器なしにインライン混合方式で予め設定のオゾン水混合液を製造及び供給する。
【選択図】図1
【解決手段】本発明によるオゾン水混合液供給装置は、処理液供給ライン及びオゾン水供給ライン夫々から処理液及びオゾン水の供給を受けこれを混合して予め設定された濃度範囲内のオゾン水混合液を製造する混合ラインと、混合ラインから製造するオゾン水混合液を処理ユニットに分配させる分配ラインと、を有する。混合ラインには、混合バルブ及びスタティックミキサを設ける。本発明は、混合タンクのような混合容器なしにインライン混合方式で予め設定のオゾン水混合液を製造及び供給する。
【選択図】図1
Description
本発明は、基板を洗浄処理する処理液及び基板処理装置に係り、より詳しくは、オゾン水混合液を供給する装置及び方法、並びにこれを具備する基板処理装置に関する。
半導体製造工程のうち洗浄工程は、ウェハ上に残留する異物を除去する工程である。かかる洗浄工程のうちウェット洗浄工程は、様々な種類の処理液を使用してウェハ表面に残留する異物を洗浄する。例えば、ウェット洗浄工程のうちオゾン洗浄(Ozone Cleaning)工程は、オゾン及び超純水または処理液を混合した溶液(以下、「オゾン水混合液」と称する)を使用してウェハ表面に残留する汚染物質を除去する工程である。オゾン水溶液とHF水溶液とを含む半導体基板の処理溶液が報告されている(例えば特許文献1を参照)。
かかるオゾン洗浄工程を行う装置は、混合容器、バッファ容器、及び循環ラインを有する。
混合容器は、内部に処理液とオゾンの供給を受けこれを混合してオゾン水混合液を製造する空間を提供する。処理液は、超純水または様々な種類の酸/アルカリ性薬液を使用することができる。混合容器には混合タンクが使用される。バッファ容器は、混合容器からオゾン水混合液の供給を受け、オゾン水混合液を噴射してウェハを洗浄する処理槽に供給する。循環ラインは、混合容器内のオゾン及び処理液を循環させ、予め設定された濃度範囲内のオゾン水混合液を製造する。循環ラインには濃度計が設けられる。
混合容器は、内部に処理液とオゾンの供給を受けこれを混合してオゾン水混合液を製造する空間を提供する。処理液は、超純水または様々な種類の酸/アルカリ性薬液を使用することができる。混合容器には混合タンクが使用される。バッファ容器は、混合容器からオゾン水混合液の供給を受け、オゾン水混合液を噴射してウェハを洗浄する処理槽に供給する。循環ラインは、混合容器内のオゾン及び処理液を循環させ、予め設定された濃度範囲内のオゾン水混合液を製造する。循環ラインには濃度計が設けられる。
しかし、上述のオゾン洗浄装置はオゾン水混合液の濃度管理が困難である。すなわち、オゾン(O3)は酸素ガス(O2)に容易に分解することから、混合容器で製造した後混合容器に貯蔵されたオゾン水混合液のオゾン濃度は次第に減少する。このため、オゾン水混合液の濃度管理が容易ではない。
また、処理が行われるユニット中のオゾン水混合液の待機時間が増加すると、装置内に待機状態にあるオゾン水混合液の濃度が変化するため、オゾン水混合液の濃度を維持するのが困難である。予め設定された濃度範囲内にない濃度のオゾン水混合液を使用すると洗浄效率が低下する。
特開平8‐250460号公報
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、基板表面の異物を除去する工程の效率を向上させるオゾン水混合液供給装置及び方法、並びに、これを具備する基板処理装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、オゾン水混合液の濃度管理を效果的に行うオゾン水混合液供給装置及び方法、並びにこれを具備する基板処理装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、オゾン水混合液の濃度管理を精密且つ容易に行うオゾン水混合液供給装置及び方法、並びにこれを具備する基板処理装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、オゾン水混合液の濃度管理を精密且つ容易に行うオゾン水混合液供給装置及び方法、並びにこれを具備する基板処理装置を提供することにある。
本発明によるオゾン水混合液供給装置は、処理液供給ラインから処理液の供給を受け、オゾン水供給ラインからオゾン水の供給を受けて、処理液とオゾン水とをインライン混合方式で混合してオゾン水混合液を製造する混合ラインを含むことを特徴とする。
また、本発明によるオゾン水混合液供給装置は、オゾン水混合液の供給を受けるマニホールドから基板処理工程が行われる処理ユニットにオゾン水混合液を供給する分配ラインを更に含むことが好ましい。
また、本発明によるオゾン水混合液供給装置は、オゾン水混合液の供給を受けるマニホールドから基板処理工程が行われる処理ユニットにオゾン水混合液を供給する分配ラインを更に含むことが好ましい。
また、本発明によるオゾン水混合液供給装置は、オゾン水混合液の供給を受けるマニホールドから、基板処理工程が行われる処理ユニットに、前記オゾン水混合液を供給する分配ラインを更に設けることが好ましい。
また、本発明によるオゾン水混合液供給装置は、処理液の供給とオゾン水の供給とを開放又は遮断するように、混合ライン上に設けられた混合バルブと、混合ラインに沿って流れる処理液とオゾン水とが互いに混合するように混合ライン上に設けられたスタティックミキサと、を更に含むことが好ましい。
本発明による基板処理装置は、基板処理工程を行う複数の処理槽と、処理液を貯蔵する処理液貯蔵ユニットと、処理液貯蔵ユニットから処理液の供給を受けてオゾン水混合液を製造するオゾン水混合液製造ユニットと、オゾン水混合液製造ユニットで製造したオゾン水混合液を処理槽に分配するオゾン水混合液分配ユニットと、を含み、
前記オゾン水混合液製造ユニットは、処理液を供給する処理液供給ラインと、オゾン水を供給するオゾン水供給ラインと、処理液供給ラインから処理液の供給を受けオゾン水供給ラインからオゾン水の供給を受けてインライン混合方式で処理液とオゾン水とを混合してオゾン水混合液を製造する混合ラインと、を含むことを特徴とする。
前記オゾン水混合液製造ユニットは、処理液を供給する処理液供給ラインと、オゾン水を供給するオゾン水供給ラインと、処理液供給ラインから処理液の供給を受けオゾン水供給ラインからオゾン水の供給を受けてインライン混合方式で処理液とオゾン水とを混合してオゾン水混合液を製造する混合ラインと、を含むことを特徴とする。
また、本発明による基板処理装置は、オゾン水混合液の供給を受けるマニホールドと、マニホールドから前記処理槽にオゾン水混合液を供給する分配ラインと、を含むことが好ましい。
本発明の基板処理装置は、処理液供給ラインから混合ラインへの処理液の供給とオゾン水供給ラインから混合ラインへのオゾン水の供給とを開放又は遮断するように前記混合ラインに設けられた混合バルブと、混合ラインに沿って流れる処理液とオゾン水とが互いに混合するように混合ライン上に設けられたスタティックミキサと、を更に含むことが好ましい。
本発明の処理槽は、基板を水平状態に支持するスピンチャックと、スピンチャックに載置された基板上にオゾン水混合液を供給するノズルを含むことが好ましい。
また、本発明によるオゾン水混合液供給方法は、処理液とオゾン水を混合してオゾン水混合液を製造した後、製造したオゾン水混合液をマニホールドで分岐し、分岐されたオゾン水混合液の濃度を測定し、分岐されたオゾン水混合液の濃度が予め設定された濃度範囲内であれば分岐されたオゾン水混合液を基板処理工程が行われる処理ユニットに供給するオゾン水混合液の供給方法であって、処理液とオゾン水の混合はインライン混合方式で行うことを特徴とする。
また、本発明によるオゾン水混合液供給方法は、処理液とオゾン水を混合してオゾン水混合液を製造した後、製造したオゾン水混合液をマニホールドで分岐し、分岐されたオゾン水混合液の濃度を測定し、分岐されたオゾン水混合液の濃度が予め設定された濃度範囲内であれば分岐されたオゾン水混合液を基板処理工程が行われる処理ユニットに供給するオゾン水混合液の供給方法であって、処理液とオゾン水の混合はインライン混合方式で行うことを特徴とする。
また、本発明は、処理液とオゾン水との混合は、処理液とオゾン水が流れるライン上に混合バルブとびスタティックミキサとを設けて行うことが好ましい。
また、本発明の処理槽は枚葉式で基板を洗浄する装置であることが好ましい。
また、本発明の処理槽は枚葉式で基板を洗浄する装置であることが好ましい。
本発明によるオゾン水混合液供給装置及び方法、並びに、これを具備する基板処理装置は、インライン方式でオゾン水混合液を製造及び供給することができる。
本発明によるオゾン水混合液供給装置及び方法、並びに、これを具備する基板処理装置は、精密なオゾン水混合液の濃度管理を行うことができる。
本発明によるオゾン水混合液供給装置及び方法、並びに、これを具備する基板処理装置は、オゾン水の排水量を減少させてオゾン水混合液供給装置の維持管理費用を節減することができる。
本発明によるオゾン水混合液供給装置及び方法、並びに、これを具備する基板処理装置は、精密なオゾン水混合液の濃度管理を行うことができる。
本発明によるオゾン水混合液供給装置及び方法、並びに、これを具備する基板処理装置は、オゾン水の排水量を減少させてオゾン水混合液供給装置の維持管理費用を節減することができる。
以下に、図面を参照して本発明の実施の形態によるオゾン水混合液供給装置及び方法、並びに、これを具備する基板処理装置を詳細に説明する。添付した図面は本発明を明確に説明のためのものであって、形状や寸法を誇張して示してある。
この記載は、本発明を説明するためのものであって、この記載によって本発明の技術範囲が限定されるものではない。本発明は、本発明の技術範囲から逸脱しない範囲で、多様に変更して実施することが可能である。また、本発明の実施の形態では、半導体基板表面を処理するための枚葉式洗浄装置を例として取り上げて説明するが、本発明の実施の形態はこれに限られるものではない。本発明は、オゾン水混合液を使用する全ての装置に適用が可能である。
この記載は、本発明を説明するためのものであって、この記載によって本発明の技術範囲が限定されるものではない。本発明は、本発明の技術範囲から逸脱しない範囲で、多様に変更して実施することが可能である。また、本発明の実施の形態では、半導体基板表面を処理するための枚葉式洗浄装置を例として取り上げて説明するが、本発明の実施の形態はこれに限られるものではない。本発明は、オゾン水混合液を使用する全ての装置に適用が可能である。
本発明による基板処理装置は、半導体基板W(以下、「ウェハW」と略記する)を処理する工程を行う。
図9は、本発明による基板処理装置の概略を示す構成図である。
図9を参照すると、本発明による基板処理装置1は、処理ユニット10、オゾン水混合液供給ユニット2、排水ユニット50、及び制御ユニット60を含むことが好ましい。
処理ユニット10は、ウェハW上に残留する異物を除去する洗浄処理を行い、オゾン水混合液供給ユニット2は、オゾン水混合液を製造し処理ユニット10にオゾン水混合液を供給することが好ましい。
図9を参照すると、本発明による基板処理装置1は、処理ユニット10、オゾン水混合液供給ユニット2、排水ユニット50、及び制御ユニット60を含むことが好ましい。
処理ユニット10は、ウェハW上に残留する異物を除去する洗浄処理を行い、オゾン水混合液供給ユニット2は、オゾン水混合液を製造し処理ユニット10にオゾン水混合液を供給することが好ましい。
ここでオゾン水混合液は、オゾンガスを含有する水(以下「オゾン水」と略記する)と処理液との混合液である。また、処理液は様々な種類の酸性又はアルカリ性薬液を使用することができる。
図1は、本発明による基板処理装置を示す図であり、図2は、図1に図示された処理槽の構成を示す図である。
図1、図2及び図9を参照すると、オゾン水混合液供給ユニット2は、処理液貯蔵ユニット20、オゾン水混合液製造ユニット30、及びオゾン水混合液分配ユニット40を含んで構成することが好ましい。
図1、図2及び図9を参照すると、オゾン水混合液供給ユニット2は、処理液貯蔵ユニット20、オゾン水混合液製造ユニット30、及びオゾン水混合液分配ユニット40を含んで構成することが好ましい。
排水ユニット50は、オゾン水混合液製造ユニット30及びオゾン水混合液分配ユニット40内のオゾン水混合液を排水し、制御ユニット60は処理ユニット10、オゾン水混合液供給ユニット2、及び排水ユニット50を制御することが好ましい。
オゾン水混合液供給ユニット2は、インライン(in−line)混合方式でオゾン水混合液を製造し供給する。インライン混合方式は、オゾン水及び処理液の混合液をタンクのような貯蔵容器に貯蔵することなく、処理ユニット10に供給する工程中においてオゾン水と処理液とを混合して供給する方式である。従って、本発明のオゾン水混合液供給ユニット2は、例えば、オゾン水と処理液とを混合して貯蔵する混合タンクのようにオゾン水混合液の供給が滞留する可能性のある部材を含まない。
処理ユニット10は、複数の処理槽100を有することができる。図2を参照すると、夫々の処理槽100は、処理時にオゾン水混合液供給ユニット2からオゾン水混合液の供給を受け、枚葉式でウェハWを洗浄することができる。
処理槽100は、ハウジング110、スピンチャック120、及びノズル130を含んで構成されることが好ましい。
ハウジング110は洗浄処理を行う空間を提供する。ハウジング110は、上部が開放されたカップ形状を有することができる。ここで開放された上面は、ウェハWの出入りのための通路に使用することができる。
ハウジング110は洗浄処理を行う空間を提供する。ハウジング110は、上部が開放されたカップ形状を有することができる。ここで開放された上面は、ウェハWの出入りのための通路に使用することができる。
スピンチャック120は、処理時にハウジング110内部でウェハWを支持及び回転させることができる。
ノズル130は、洗浄処理時にオゾン水混合液供給ユニット2からオゾン水混合液の供給を受け、スピンチャック120に載置されたウェハWの処理面にオゾン水混合液を噴射することができる。
ノズル130は、洗浄処理時にオゾン水混合液供給ユニット2からオゾン水混合液の供給を受け、スピンチャック120に載置されたウェハWの処理面にオゾン水混合液を噴射することができる。
処理液貯蔵ユニット20は、オゾン水混合液製造のための処理液を貯蔵する。処理液貯蔵ユニット20は、処理液供給源22とオゾン水供給源24とを含むことが好ましい。処理液供給源22は処理液を貯蔵し、オゾン水供給源24はオゾン水を貯蔵する。
処理液にはフッ酸溶液(HF)を使用することができる。本実施の形態ではフッ酸溶液とオゾン水とを混合してオゾン水混合液を製造する例を示したが、処理液の種類は多様に変更することが可能である。
オゾン水混合液製造ユニット30は、処理液貯蔵ユニット20から処理液の供給を受けてオゾン水混合液を製造することができる。オゾン水混合液製造ユニット30は、処理液供給ライン32、オゾン水供給ライン34、及び混合ライン36を有することが好ましい。
処理液供給ライン32は、処理液供給源22から混合ライン36に処理液を供給し、オゾン水供給ライン34は、オゾン水供給源24から混合ライン36にオゾン水を供給することが好ましい。
処理液供給ライン32上には第1圧力計32a、第1定圧バルブ32b、第1流量計32c、及び第1逆圧バルブ32dを設けることが好ましい。
第1圧力計32aは、処理液供給ライン32の処理液供給圧力を測定することができる。第1定圧バルブ32bは、処理液供給ライン32を介して供給される処理液の流量が予め設定された流量範囲を維持するように処理液供給ライン32の供給圧力を調節することができるバルブであることが好ましい。第1流量計32cは、処理液供給ライン32を介して供給される処理液の流量を測定することができる。第1逆圧バルブ32dは、混合ライン36の供給圧力が処理液供給ライン32の供給圧力に比べて大きい場合に、混合ライン36から処理液供給ライン32に処理液が逆流することを防止することができるバルブであることが好ましい。
第1圧力計32aは、処理液供給ライン32の処理液供給圧力を測定することができる。第1定圧バルブ32bは、処理液供給ライン32を介して供給される処理液の流量が予め設定された流量範囲を維持するように処理液供給ライン32の供給圧力を調節することができるバルブであることが好ましい。第1流量計32cは、処理液供給ライン32を介して供給される処理液の流量を測定することができる。第1逆圧バルブ32dは、混合ライン36の供給圧力が処理液供給ライン32の供給圧力に比べて大きい場合に、混合ライン36から処理液供給ライン32に処理液が逆流することを防止することができるバルブであることが好ましい。
オゾン水供給ライン34上には処理液供給ライン32上に設けられる部材と同一の構成要素を設けることが好ましい。すなわち、オゾン水供給ライン34上には第2圧力計34a、第2定圧バルブ34b、第2流量計34c、及び第2逆圧バルブ34dを設けることが好ましい。
第2圧力計34aは、オゾン水供給ライン34のオゾン水供給圧力を測定することができる。第2定圧バルブ34bは、オゾン水供給ライン34を介して供給されるオゾン水の流量が予め設定された流量範囲を維持するようにオゾン水供給ライン34の供給圧力を調節することができるバルブであることが好ましい。第2流量計34cは、オゾン水供給ライン34を介して供給されるオゾン水の流量を測定することができる。第2逆圧バルブ34dは、混合ライン36からオゾン水供給ライン34へのオゾン逆流を防止することができるバルブであることが好ましい。
混合ライン36は、処理液供給ライン32とオゾン水供給ライン34とから夫々処理液とオゾン水との供給を受けてこれらを混合する。
混合ライン36上には、混合バルブ36a、スタティックミキサ36b、及び第3圧力計36cを設置することが好ましい。
混合ライン36上には、混合バルブ36a、スタティックミキサ36b、及び第3圧力計36cを設置することが好ましい。
混合バルブ36aは、処理液供給ライン32とオゾン水供給ライン34との開閉を效果的に行えるように、処理液供給ライン32とオゾン水供給ライン34との開放時に処理液とオゾン水との供給量を精密に調節することができるバルブであることが好ましい。
スタティックミキサ36bは、混合ライン36を流れる処理液とオゾン水とを效果的に混合することが好ましい。
スタティックミキサ36bは、混合ライン36を流れる処理液とオゾン水とを效果的に混合することが好ましい。
第3圧力計36cは、混合ライン36のオゾン水供給圧力を測定し、測定した圧力データを制御ユニット60に入力することが好ましい。
オゾン水混合液分配ユニット40は、オゾン水混合液製造ユニット30によって製造されたオゾン水混合液を処理ユニット10の処理槽100に分配する。オゾン水混合液分配ユニット40は、マニホールド42、分配ライン44、及び濃度検査部材を有することが好ましい。
濃度検査部材は、濃度検査ライン46及び濃度計48を有することが好ましい。
オゾン水混合液分配ユニット40は、オゾン水混合液製造ユニット30によって製造されたオゾン水混合液を処理ユニット10の処理槽100に分配する。オゾン水混合液分配ユニット40は、マニホールド42、分配ライン44、及び濃度検査部材を有することが好ましい。
濃度検査部材は、濃度検査ライン46及び濃度計48を有することが好ましい。
マニホールド42は、混合ライン36によって製造したオゾン水混合液の供給を受けこれを収容することができる。
マニホールド42に第4圧力計42aを設けることが好ましい。第4圧力計42aは、マニホールド42内の圧力を測定し、測定された圧力データを制御ユニット60に入力することが好ましい。
マニホールド42に第4圧力計42aを設けることが好ましい。第4圧力計42aは、マニホールド42内の圧力を測定し、測定された圧力データを制御ユニット60に入力することが好ましい。
複数の分配ライン44は、マニホールド42から複数の処理槽100の夫々にオゾン水混合液を独立的に分配・供給することが好ましい。夫々の分配ライン44は夫々の処理槽100にオゾン水混合液を供給する。
複数の濃度検査ライン46は複数の分配ライン44内のオゾン水混合液の濃度を夫々別個に検査することが好ましい。夫々の分配ライン44上に濃度検査ライン46が設けられ、夫々の濃度検査ライン46上にバルブ46a〜46dが設けられる。夫々の濃度検査ライン46の他端は互いに異なる分配ライン44と連結され、濃度計48に連結される。濃度計48は夫々の濃度検査ライン46に沿って流れるオゾン水混合液の濃度を別個に測定する。濃度計48が測定した濃度データは制御ユニット60に入力することが好ましい。
排水ユニット50は、オゾン水混合液製造ユニット30及びオゾン水混合液分配ユニット40内のオゾン水混合液を排水する。排水ユニット50は、第1排水ライン52、第2排水ライン54、及び排水容器56を有することが好ましい。
第1排水ライン52の一端は混合ライン36と連結し、他端は排水容器56と連結することができる。
第1排水ライン52は、混合ライン36内の圧力が予め設定された圧力範囲を外れると、混合ライン36内のオゾン水混合液を排水容器56へ排出することが好ましい。オゾン水混合液の迅速な排出のために、第1排水ライン52に設けるバルブ52aはリリーフバルブ(relief valve)を使用することが好ましい。混合ライン36内の圧力が予め設定された圧力範囲を外れると、バルブ52aは自動的に開放され、混合ライン36内のオゾン水混合液を第1排水ライン52から排水容器56へ排出することができる。
第1排水ライン52は、混合ライン36内の圧力が予め設定された圧力範囲を外れると、混合ライン36内のオゾン水混合液を排水容器56へ排出することが好ましい。オゾン水混合液の迅速な排出のために、第1排水ライン52に設けるバルブ52aはリリーフバルブ(relief valve)を使用することが好ましい。混合ライン36内の圧力が予め設定された圧力範囲を外れると、バルブ52aは自動的に開放され、混合ライン36内のオゾン水混合液を第1排水ライン52から排水容器56へ排出することができる。
第2排水ライン54の一端はマニホールド42と連結し、他端は排水容器56と連結することができる。
第2排水ライン54は、マニホールド42内のオゾン水混合液を排水容器56に排出することが好ましい。第2排水ライン54に設けるバルブ54aは流量調節バルブを使用することが好ましい。バルブ54aは、マニホールド42内のオゾン水混合液の排水量の調節を可能にし、第2排水ライン54のオゾン水混合液の排水量を調節することができることが好ましい。また、バルブ54aには第1排水ライン52に設けられるバルブ52aと同一の機能を有するリリーフバルブを使用することもできる。
第2排水ライン54は、マニホールド42内のオゾン水混合液を排水容器56に排出することが好ましい。第2排水ライン54に設けるバルブ54aは流量調節バルブを使用することが好ましい。バルブ54aは、マニホールド42内のオゾン水混合液の排水量の調節を可能にし、第2排水ライン54のオゾン水混合液の排水量を調節することができることが好ましい。また、バルブ54aには第1排水ライン52に設けられるバルブ52aと同一の機能を有するリリーフバルブを使用することもできる。
排水容器56は、第1及び第2排水ライン52、54を介して流入するオゾン水混合液を貯蔵する。排水容器56に収容されるオゾン水混合液は排出ライン56aによって基板処理装置1の外部に排出される。
制御ユニット60は、処理ユニット10、オゾン水混合液供給ユニット2、及び配水ユニット50の工程を制御することが好ましい。制御ユニット60は後述する。
以下、図3を参照して本発明による基板処理装置1の工程を詳しく説明する。
図3は、本発明によるオゾン水混合液供給方法を示すフローチャートであり、図4は、本発明によるオゾン水混合液の供給過程を示す図である。
図3、4を参照すると、処理液供給ライン32は処理液供給源22から混合ライン36に処理液を供給し、オゾン水供給ライン34はオゾン水供給源24から混合ライン36にオゾン水を供給する(S110)。
図3は、本発明によるオゾン水混合液供給方法を示すフローチャートであり、図4は、本発明によるオゾン水混合液の供給過程を示す図である。
図3、4を参照すると、処理液供給ライン32は処理液供給源22から混合ライン36に処理液を供給し、オゾン水供給ライン34はオゾン水供給源24から混合ライン36にオゾン水を供給する(S110)。
制御ユニット60は混合バルブ36aを開放する。この時、制御ユニット60は、第1圧力計32a、第2圧力計34a、及び第3圧力計36cが測定した圧力が予め設定された圧力範囲内であるかどうかを測定する(S120)。
これはオゾン水供給ライン34と処理液供給ライン32との供給圧力が変化すると、第1流量計32cと第2流量計34cとの測定感度が変化し、混合ライン36によって製造されるオゾン水混合液の濃度が変化する可能性があるからである。
これはオゾン水供給ライン34と処理液供給ライン32との供給圧力が変化すると、第1流量計32cと第2流量計34cとの測定感度が変化し、混合ライン36によって製造されるオゾン水混合液の濃度が変化する可能性があるからである。
第1圧力計32a、第2圧力計34a、及び第3圧力計36cが測定した圧力値が予め設定された圧力範囲を外れると、制御ユニット60は、作業者がこれを認知できるように基板処理装置1の外部表示装置に表示する(S130)。
また、制御ユニット60は、第1流量計32cが測定した処理液供給ライン32の処理液供給流量と、第2流量計34cが測定したオゾン水供給ライン34のオゾン水供給流量と、が予め設定された流量範囲内であるかどうかを測定する。
第1流量計32cと第2流量計34cとが測定した処理液及びオゾン水の供給流量が予め設定された流量範囲を外れると、作業者がこれを認知できるように基板処理装置1の外部表示装置に表示する。作業者は、第1定圧バルブ32bと第2定圧バルブ34bとを調節して処理液及び/またはオゾン水の供給流量を調節する。
混合ライン36に流入した処理液とオゾン水とは混合ライン36に沿って流れる間に混合されマニホールド42に供給される(S140)。すなわち、混合ライン36に沿って流れる処理液及びオゾン水は、スタティックミキサ36bによって混合されて予め設定された濃度範囲内のオゾン水混合液を製造した後にマニホールド42に供給される。
制御ユニット60は、混合ライン36がオゾン水混合液を製造している期間中は、混合ライン36及びマニホールド42内の圧力が予め設定された圧力範囲を外れないかどうか測定することが好ましい(S150)。混合ライン36又は/及びマニホールド42内の圧力が予め設定された圧力範囲を逸脱すると、例えば、予め設定の圧力範囲を超過すると、処理液とオゾン水との混合效率が低下して予め設定された濃度範囲のオゾン水混合液を效果的に製造し難くなることがある。制御ユニット60は、混合ライン36及びマニホールド42内の圧力が予め設定された圧力範囲を外れた場合は、混合ライン36及びマニホールド42内の圧力を設定の圧力範囲内に調節することが好ましい。
図5は、本発明によるオゾン水混合液の供給過程を示す図である。
図5を参照すると、第3圧力計36cが測定した混合ライン36のオゾン水混合液の圧力が予め設定された圧力範囲を超過した場合は、バルブ52aが自動的に開放され、混合ライン36内のオゾン水混合液が第1排水ライン52を介して排水容器56に排出されることが好ましい(S160)。
図5を参照すると、第3圧力計36cが測定した混合ライン36のオゾン水混合液の圧力が予め設定された圧力範囲を超過した場合は、バルブ52aが自動的に開放され、混合ライン36内のオゾン水混合液が第1排水ライン52を介して排水容器56に排出されることが好ましい(S160)。
混合ライン36内のオゾン水混合液を混合ライン36から排出すると、混合ライン36の供給圧力が減少することがある。制御ユニット60は、混合ライン36の圧力が設定の圧力範囲に戻った後にバルブ52aを遮断し第1排水ライン52からのオゾン水混合液の排水を中止することが好ましい。
図6は、本発明によるオゾン水混合液の供給過程を示す図である。
図6を参照すると、第4圧力計42aが測定したマニホールド42内の圧力が予め設定の圧力を超過した場合に、制御ユニット60は、バルブ54aを開放し、マニホールド42内のオゾン水混合液を第2排水ライン54から排水容器56に排出するようにすることが好ましい(S160)。マニホールド42内のオゾン水混合液がマニホールド42から排出されると、マニホールド42内の圧力が減少することがある。マニホールド42の圧力が予め設定の圧力範囲に戻った後に、制御ユニット60はバルブ54aを遮断し第2排水ライン54のマニホールド42内のオゾン水混合液の排水を中止することが好ましい。
図6を参照すると、第4圧力計42aが測定したマニホールド42内の圧力が予め設定の圧力を超過した場合に、制御ユニット60は、バルブ54aを開放し、マニホールド42内のオゾン水混合液を第2排水ライン54から排水容器56に排出するようにすることが好ましい(S160)。マニホールド42内のオゾン水混合液がマニホールド42から排出されると、マニホールド42内の圧力が減少することがある。マニホールド42の圧力が予め設定の圧力範囲に戻った後に、制御ユニット60はバルブ54aを遮断し第2排水ライン54のマニホールド42内のオゾン水混合液の排水を中止することが好ましい。
製造したオゾン水混合液をマニホールド42に収容すると、オゾン水混合液分配ユニット40は、マニホールド42から処理槽100のうち工程上要求される処理槽100にオゾン水混合液の供給を開始することができる。この時、制御ユニット60は、分配ライン44のうち処理槽100にオゾン水混合液を供給する分配ライン44のオゾン水混合液の濃度が予め設定された濃度範囲内をかどうかを測定することが好ましい(S170)。
図7は、本発明によるオゾン水混合液の供給過程を示す図である。
図7を参照すると、制御ユニット60は、複数の分配ライン44のうち何れか一つの分配ライン44´と連結する濃度検査ライン46´に設けられたバルブ46aを開放することができる。濃度計48は、濃度検査ライン46´に沿って流れるオゾン水混合液の濃度が予め設定された濃度範囲内であるかかどうかを測定することができる。濃度計48が測定したオゾン水混合液の濃度が予め設定された濃度を外れた場合は、制御ユニット60は、濃度検査を行った分配ライン44´へのオゾン水混合液の供給を中断し、基板処理装置1の外部表示装置にこれを表示して作業者に知らせることが好ましい(S180)。
図7を参照すると、制御ユニット60は、複数の分配ライン44のうち何れか一つの分配ライン44´と連結する濃度検査ライン46´に設けられたバルブ46aを開放することができる。濃度計48は、濃度検査ライン46´に沿って流れるオゾン水混合液の濃度が予め設定された濃度範囲内であるかかどうかを測定することができる。濃度計48が測定したオゾン水混合液の濃度が予め設定された濃度を外れた場合は、制御ユニット60は、濃度検査を行った分配ライン44´へのオゾン水混合液の供給を中断し、基板処理装置1の外部表示装置にこれを表示して作業者に知らせることが好ましい(S180)。
濃度計48が測定したオゾン水混合液の濃度が予め設定された濃度範囲内であれば、分配ライン44は処理槽100にオゾン水混合液を供給し、処理槽100はオゾン水混合液の供給を受けて洗浄処理を行うことが好ましい(S190)。
図8は、本発明によるオゾン水混合液の供給過程を示す図である。
図8を参照すると、ステップ(S190)において、制御ユニット60はバルブ44aを開放し、分配ライン44´は処理槽100に予め設定された濃度範囲のオゾン水混合液を供給することが好ましいい。処理槽100は、供給を受けたオゾン水混合液をウェハW上に噴射する。噴射されたオゾン水混合液は、ウェハW表面に残留する異物を除去した後、処理槽100外部に排水することが好ましい。
図8を参照すると、ステップ(S190)において、制御ユニット60はバルブ44aを開放し、分配ライン44´は処理槽100に予め設定された濃度範囲のオゾン水混合液を供給することが好ましいい。処理槽100は、供給を受けたオゾン水混合液をウェハW上に噴射する。噴射されたオゾン水混合液は、ウェハW表面に残留する異物を除去した後、処理槽100外部に排水することが好ましい。
上記のように、本発明は、インライン混合方式で一定濃度範囲のオゾン水混合液を製造し処理ユニットに供給することによって基板処理工程の效率を向上させることができる。特に、本発明は、従来の混合タンクのような混合容器を具備せず、予め設定された濃度範囲内のオゾン水混合液の製造及び供給、並びに、濃度管理を行うことができる。従って、本発明はオゾン水混合液供給装置内のオゾン水混合液の滞留区間を最小化することができる。これによって、従来のように混合容器でオゾン水混合液を製造する場合に、混合容器内のオゾン水混合液のオゾンが分解されてオゾン水混合液の濃度が低下する現象を防止できる。
また、本発明は処理槽にオゾン水混合液を分配させる夫々の分配ラインのオゾン水混合液濃度を測定し、予め設定の濃度を外れるオゾン水混合液が残留する分配ライン内のオゾン水混合液のみを選択的に排水処理することによって、オゾン水混合液の排水量を最小化することができる。
上記の詳細な説明は、本発明を例示するものである。また、上記の内容は本発明の好ましい実施の形態を示し説明するものに過ぎず、本発明の技術範囲は、他の様々な態様の組合せ、変更、及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の思想の範囲は、上記した開示内容と均等な範囲及び/または当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。上記の実施の形態は、本発明を実施することにおいて最善の状態を説明するためのものであり、本発明のような他の発明を利用することにおいて当業界に知られた他の状態への実施、並びに発明の具体的な適用分野及び用途で要求される様々な変更も可能である。従って、上記の発明の詳細な説明は開示された実施の状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された特許請求の範囲は他の実施の状態も含むものと解釈されるべきである。
1 基板処理装置
2 オゾン水混合液供給ユニット
10 処理ユニット
20 処理液貯蔵ユニット
22 処理液供給源
24 オゾン水供給源
30 オゾン水混合液製造ユニット
32 処理液供給ライン
32a 第1圧力計
32b 第1定圧バルブ
32c 第1流量計
32d 第1逆圧バルブ
34 オゾン水供給ライン
34a 第2圧力計
34b 第2定圧バルブ
34c 第2流量計
34d 第2逆圧バルブ
36 混合ライン
36a 混合バルブ
36b スタティックミキサ
36c 第3圧力計
40 オゾン水混合液分配ユニット
42 マニホールド
42a 第4圧力計
44 分配ライン
46 濃度検査ライン
48 濃度計
50 排水ユニット
52 第1排水ライン
52a バルブ
54 第2排水ライン
54a バルブ
56 排水容器
56a 排出ライン
60 制御ユニット
100 処理槽
110 ハウジング
120 スピンチャック
130 ノズル
2 オゾン水混合液供給ユニット
10 処理ユニット
20 処理液貯蔵ユニット
22 処理液供給源
24 オゾン水供給源
30 オゾン水混合液製造ユニット
32 処理液供給ライン
32a 第1圧力計
32b 第1定圧バルブ
32c 第1流量計
32d 第1逆圧バルブ
34 オゾン水供給ライン
34a 第2圧力計
34b 第2定圧バルブ
34c 第2流量計
34d 第2逆圧バルブ
36 混合ライン
36a 混合バルブ
36b スタティックミキサ
36c 第3圧力計
40 オゾン水混合液分配ユニット
42 マニホールド
42a 第4圧力計
44 分配ライン
46 濃度検査ライン
48 濃度計
50 排水ユニット
52 第1排水ライン
52a バルブ
54 第2排水ライン
54a バルブ
56 排水容器
56a 排出ライン
60 制御ユニット
100 処理槽
110 ハウジング
120 スピンチャック
130 ノズル
Claims (10)
- 処理液供給ラインから処理液の供給を受け、オゾン水供給ラインからオゾン水の供給を受けて、前記処理液と前記オゾン水とをインライン混合方式で混合してオゾン水混合液を製造する混合ラインを含むことを特徴とするオゾン水混合液供給装置。
- オゾン水混合液供給装置は、前記オゾン水混合液の供給を受けるマニホールドから、基板処理工程が行われる処理ユニットに、前記オゾン水混合液を供給する分配ラインを更に設けたことを特徴とする請求項1記載のオゾン水混合液供給装置。
- 前記オゾン水混合液供給装置は、前記処理液の供給と前記オゾン水の供給とを開放又は遮断するように、前記混合ラインに設けられた混合バルブと、前記混合ラインに沿って流れる前記処理液と前記オゾン水とが互いに混合するように前記混合ライン上に設けられたスタティックミキサと、を更に含むことを特徴とする請求項1または2記載のオゾン水混合液供給装置。
- 基板処理工程を行う複数の処理槽と、処理液を貯蔵する処理液貯蔵ユニットと、前記処理液貯蔵ユニットから前記処理液の供給を受けてオゾン水混合液を製造するオゾン水混合液製造ユニットと、前記オゾン水混合液製造ユニットで製造された前記オゾン水混合液を処理槽に分配するオゾン水混合液分配ユニットと、を含み、
前記オゾン水混合液製造ユニットは、
前記処理液を供給する処理液供給ラインと、
オゾン水を供給するオゾン水供給ラインと、
前記処理液供給ラインから前記処理液の供給を受け、前記オゾン水供給ラインから前記オゾン水の供給を受けて、インライン混合方式で前記処理液と前記オゾン水とを混合して前記オゾン水混合液を製造する混合ラインと、
を含むことを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板処理装置は、前記オゾン水混合液の供給を受けるマニホールドと、前記マニホールドから前記処理槽に前記オゾン水混合液を供給する分配ラインと、を含むことを特徴とする請求項4記載の基板処理装置。
- 前記基板処理装置は、前記処理液供給ラインから前記混合ラインへの前記処理液の供給と前記オゾン水供給ラインから前記混合ラインへの前記オゾン水の供給とを開放又は遮断するように、前記混合ラインに設けられた混合バルブと、前記混合ラインに沿って流れる前記処理液と前記オゾン水とを互いに混合するように前記混合ライン上に設けられたスタティックミキサと、を更に含むことを特徴とする請求項4または請求項5記載の基板処理装置。
- 前記処理槽は、基板を水平状態に保持するスピンチャックと、前記スピンチャックに載置された前記基板上に前記オゾン水混合液を供給するノズルと、を含むことを特徴とする請求項6記載の基板処理装置。
- 処理液とオゾン水とを混合してオゾン水混合液を製造し、製造された前記オゾン水混合液をマニホールドで分岐し、分岐されたオゾン水混合液の濃度を測定し、前記分岐されたオゾン水混合液の濃度が予め設定された濃度範囲内であれば前記分岐されたオゾン水混合液を基板処理工程が行われる処理槽に供給する前記オゾン水混合液の供給方法であって、
前記処理液と前記オゾン水との混合は、インライン混合方式で行うことを特徴とするオゾン水混合液の供給方法。 - 前記処理液と前記オゾン水との混合は、前記処理液と前記オゾン水とが流れるライン上に混合バルブとスタティックミキサとを設けて行うことを特徴とする請求項8記載のオゾン水混合液の供給方法。
- 前記処理槽は、枚葉式で基板を洗浄する装置であることを特徴とする請求項8または請求項9記載のオゾン水混合液の供給方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070126055A KR100904452B1 (ko) | 2007-12-06 | 2007-12-06 | 오존수혼합액 공급장치 및 방법, 그리고 이를 구비하는기판 처리 설비 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009141332A true JP2009141332A (ja) | 2009-06-25 |
Family
ID=40720370
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008284699A Pending JP2009141332A (ja) | 2007-12-06 | 2008-11-05 | オゾン水混合液供給装置及び方法、並びにこれを具備する基板処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090145463A1 (ja) |
JP (1) | JP2009141332A (ja) |
KR (1) | KR100904452B1 (ja) |
CN (1) | CN101452823B (ja) |
TW (1) | TWI353878B (ja) |
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TW200932344A (en) | 2009-08-01 |
CN101452823A (zh) | 2009-06-10 |
US20090145463A1 (en) | 2009-06-11 |
KR100904452B1 (ko) | 2009-06-24 |
KR20090059286A (ko) | 2009-06-11 |
TWI353878B (en) | 2011-12-11 |
CN101452823B (zh) | 2010-09-22 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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