JP2009141263A - 露光方法、フォトマスクおよびレチクルステージ - Google Patents

Abstract

【課題】ウエハ面内のパターン寸法を安定させるとともに高スループットでウエハを露光する露光方法を得ること。
【解決手段】ウエハ８の中心部９１を露光するための製品領域Ａｘおよびウエハ８の周辺部９２を露光するための周辺露光領域Ｂｘを有するとともに周辺露光領域Ｂｘが複数種類のパターン密度を有した領域となるよう形成されたフォトマスク６を用いて周辺部９２を露光する際に、周辺露光領域Ｂｘ内から選択された１〜複数の所定領域が周辺部９２のショット位置に応じたパターン密度となるようブラインド４Ｐ〜４Ｓによってフォトマスク上の１〜複数の所定領域が開けられる開ステップと、開けられた１〜複数の所定領域からウエハ８へ露光光を照射して周辺部９２を露光する露光ステップと、を含む。
【選択図】 図１

Description

本発明は、露光方法、フォトマスクおよびレチクルステージに関するものである。

半導体リソグラフィ工程で用いる露光方法の１つにスキャン露光（スキャン投影露光方法）がある。このスキャン露光では、フォトマスク上のマスクパターンの像をウエハ上の１ショット分にスキャン投影（マスクパターンを走査露光）する処理と、隣のショットへのステップ移動と、を繰り返すことによって、ウエハ面内に複数ショットの露光を行ない、ウエハ面内の略全面にマスクパターンの像を投影している。

スキャン露光によって１枚のウエハを露光処理する場合に、ウエハの周辺露光領域で１ショット分のスキャン露光を行なうと、この１ショット分のマスクパターンの像の一部がウエハの外側にはみ出すので、マスクパターンのうち一部分しかウエハ上に転写されない。従来、このような周辺露光領域のショットであっても、ウエハ面内の中心部と同様に、１ショット分の露光処理を行っていた（特許文献１参照）。

マスクパターン内には、メモリやロジックなどの種々のパターンが形成されるので、マスクパターン内には種々のパターン密度（単位面積当たりのパターン形成量）が分布することとなる。このため、周辺露光領域に位置するショットのようにマスクパターン内の所定領域（一部分）しかウエハ上に転写できない場合、この所定領域のパターン密度は、１ショット分のパターン密度と異なることとなる。この結果、上記従来の技術では、ウエハ周辺部に転写されるパターンのパターン密度が、ウエハ中心部に転写されるパターンのパターン密度と異なっていた。周辺露光領域のショット内に転写されるパターンは、１チップ分の製品チップを形成することができない場合があるが、このようなパターンであってもエッチングの際にはウエハの中心側に隣接する周囲の製品チップのパターン寸法に影響を与える。このため、エッチング後のパターン寸法がウエハ面内でばらつくという問題があった。

特開平７−１６１６１４号公報（第７，８頁、図５）

本発明は、ウエハ面内のパターン寸法を安定させてウエハを露光する露光方法、フォトマスクおよびレチクルステージを提供することを目的とする。

本願発明の一態様によれば、ウエハへ露光するパターンが形成されたフォトマスクを載置するとともに、前記フォトマスクの所定領域を閉ざすことによって光源から前記ウエハへの露光光の一部を遮蔽する開閉部とを有した露光装置で前記ウエハを露光する露光方法において、前記ウエハの中心部を露光する際に用いられるパターンが形成された製品領域および前記ウエハの周辺部を露光する際に用いられるパターンが形成された周辺露光領域を有するとともに前記周辺露光領域が複数種類のパターン密度を有した領域となるよう形成されたフォトマスクを用いて前記周辺部を露光する際に、前記周辺露光領域内から選択された１〜複数の所定領域が前記周辺部のショット位置に応じたパターン密度となるよう前記開閉部が前記フォトマスク上の前記１〜複数の所定領域を開ける開ステップと、前記開閉部によって開けられた前記１〜複数の所定領域から前記ウエハへ前記露光光を照射して前記周辺部を露光する露光ステップと、を含むことを特徴とする露光方法が提供される。

また、本願発明の一態様によれば、ウエハへ露光するパターンが形成されたフォトマスクを載置するとともに、前記フォトマスクを載置するレチクルステージと、前記フォトマスクまたは前記レチクルステージの所定領域を閉ざすことによって光源から前記ウエハへの露光光の一部を遮蔽する開閉部とを有した露光装置で前記ウエハを露光する露光方法において、前記ウエハの中心部を露光する際に用いられるパターンが形成された製品領域を有するフォトマスクと、前記ウエハの周辺部を露光する際に用いられるパターンが形成された周辺露光領域が複数種類のパターン密度を有した領域となるよう形成されたレチクルステージとを用いて前記周辺部を露光する際に、前記周辺露光領域内から選択された１〜複数の所定領域が前記周辺部のショット位置に応じたパターン密度となるよう前記開閉部が前記フォトマスク上の前記１〜複数の所定領域を開ける開ステップと、前記開閉部によって開けられた１〜複数の所定領域から前記ウエハへ前記露光光を照射して前記周辺部を露光する露光ステップと、を含むことを特徴とする露光方法が提供される。

また、本願発明の一態様によれば、ウエハの中心部を露光する際に用いられるパターンが形成された製品領域および前記ウエハの周辺部を露光する際に用いられるパターンが形成された周辺露光領域を有するとともに、前記周辺露光領域が複数種類のパターン密度を有した領域となるよう形成されたことを特徴とするフォトマスクが提供される。

また、本願発明の一態様によれば、ウエハの中心部を露光する際に用いられるパターンが形成されたフォトマスクを載置するとともに、前記ウエハの周辺部を露光する際に用いられるパターンが形成された周辺露光領域を有し、前記周辺露光領域が複数種類のパターン密度を有した領域となるよう形成されたことを特徴とするレチクルステージが提供される。

本発明によれば、ウエハ面内のパターン寸法を安定させてウエハを露光できるという効果を奏する。

以下に添付図面を参照して、この発明に係る露光方法、フォトマスクおよびレチクルステージの実施の形態を詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。

（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る露光装置の概略構成を示す斜視図である。なお、以下では説明の便宜上、水平方向（後述のウエハ８の主面と平行な方向）をＸＹ方向とし、露光光の照射方向（本実施の形態では後述のウエハ８の主面と垂直な方向）をＺ方向として説明する。

露光装置１は、ウエハ８に対してステップアンドスキャン方式の露光を行なう装置であり、ウエハ８の中心部９１を露光する場合と周辺部（エッジ部）９２を露光する場合とで、ウエハに転写するフォトマスク（レチクル）６上のパターン（マスクパターン）の領域をフォトマスク６内で切り替える。本実施の形態では、フォトマスク６内に、ウエハ８の周辺部９２をスキャン露光する際に用いる露光領域（後述の周辺露光領域Ｂｘ）と、ウエハ８の中心部９１をスキャン露光する際に用いる露光領域（後述の製品領域Ａｘ）と、を別々に設ける。さらに、ウエハ８の面内でエッチング後の寸法がばらつかないよう、周辺露光領域Ｂｘのパターン密度（被覆率）を、製品領域Ａｘのパターン密度に応じたパターン密度に設定しておく。

露光装置１は、光源（図示せず）から導かれてくる露光光（レーザ光やＸ線など）の一部をフォトマスク６側へ通過させるスリット板２およびブラインド（開閉部）４Ｐ，４Ｑ，４Ｒ，４Ｓと、フォトマスク６を載置するレチクルステージ５と、ウエハ８を載置するウエハステージ７と、を含んで構成されている。

スリット板２は、ＸＹ平面に平行な概略平板状をなすとともに、光源から導かれてＺ方向に向かって照射される露光光の一部を開口部３からフォトマスク６側（ウエハ８側）に通過させる。開口部３は、例えばＸ方向が長手方向でＹ方向が短手方向を有した矩形状をなしており、光源からの露光光を矩形状の露光領域に絞り込んでブラインド４Ｐ〜４Ｓ側に通過させる。

ブラインド４Ｐ〜４Ｓは、それぞれＸＹ平面に平行な概略矩形板状をなしており、Ｘ方向またはＹ方向に移動できるよう構成されている。ブラインド４Ｐ〜４Ｓは、開口部３からの露光光を、ブラインド４Ｐ〜４Ｓで囲まれた領域にのみ通過させる。これにより、ブラインド４Ｐ〜４Ｓは、開口部３からの露光光を、フォトマスク６内の所定の露光領域（製品領域Ａｘなど）にのみ通過させる。

ここで、フォトマスク６内の露光領域である製品領域Ａｘと周辺露光領域Ｂｘについて説明する。図２は、フォトマスク内の露光領域の配置を説明するための図である。図２では、フォトマスク６をＺ方向（上面）から見た場合の製品領域Ａｘと周辺露光領域Ｂｘの配置を示している。以下、露光装置１内の各部材をＺ方向から見た場合の説明では、説明の際に示す上下左右方向が、各部材をＺ方向から見た場合の上下左右方向を示すものとする。図２（ａ）に示すように、フォトマスク６には、ウエハ８（レジスト膜上）に転写するためのパターンとして、フォトマスク６の中心部に製品領域Ａｘが配置され、製品領域Ａｘの外縁側に製品領域Ａｘを取り囲むよう環状の周辺露光領域Ｂｘが配置されている。

製品領域Ａｘは、製品チップが並べられた１ショット分の露光領域（本体領域）であり、製品領域Ａｘの全領域をウエハ８内に収めることができる場合に用いられる。したがって、製品領域Ａｘは、製品領域Ａｘ上のパターンがウエハ８外にはみ出すことのない、ウエハ８の中心部９１の露光などに用いられる。

また、周辺露光領域Ｂｘ内の所定領域（周辺露光領域Ｂｘの一部）が１ショット分の露光領域となる。周辺露光領域Ｂｘは、ウエハ８の周辺ショット（外周部近傍）を露光するためのダミーの露光領域であり、製品領域Ａｘに隣接したショット位置（周辺部９２）などで用いられる。周辺露光領域Ｂｘは、製品領域Ａｘで露光した場合に、製品領域Ａｘの一部しかウエハ８上に転写できない周辺ショットの露光に用いる領域である。周辺露光領域Ｂｘは、フォトマスク６内から製品領域Ａｘを除外した領域（余っている領域）に配置される。本実施の形態では、ウエハ８に転写されるパターンのパターン密度が、ウエハ８の面内で均一になるよう、周辺露光領域ＢｘのパターンをＣＡＤ装置などで設計しておく。換言すると、本実施の形態では、製品領域Ａｘによって形成されるエッチング後寸法（深さ寸法など）が、ウエハ８の中心部近傍（内側）とウエハ８の周辺部近傍（外側）とで同じになるよう周辺露光領域Ｂｘのパターンを制御しておく。

（手法１）
例えば、製品領域Ａｘと周辺露光領域Ｂｘとが隣り合うよう、製品領域Ａｘと周辺露光領域Ｂｘとを近接して露光した場合に、この製品領域Ａｘと周辺露光領域Ｂｘとを合わせた領域のパターン密度が、製品領域Ａｘだけのパターン密度と等しくなるよう周辺露光領域Ｂｘのパターンを作製しておく。

（手法２）
また、製品領域Ａｘが転写される領域内のうち周辺露光領域Ｂｘが転写される領域の近傍に位置する外縁領域（製品領域Ａｘの一部の領域）と、この周辺露光領域Ｂｘと、を合わせた領域のパターン密度が、製品領域Ａｘだけのパターン密度と等しくなるよう周辺露光領域Ｂｘのパターンを設計しておいてもよい。

製品領域Ａｘには、メモリやロジックなどの種々のパターンが形成されるので、製品領域Ａｘには種々のパターン密度が分布することとなる。例えば、製品領域Ａｘのうち、左上部のパターン密度と、右下部のパターン密度とが、異なっている場合がある。そこで、本実施の形態では、周辺露光領域Ｂｘにも種々のパターン密度を有したパターンを配置しておく。

例えば、図２（ｂ）に示すように、製品領域Ａｘの左上部（左上頂点）と近接する周辺露光領域Ｂｘの左上部を周辺露光領域Ｂ１とし、製品領域Ａｘの上部（上辺）と近接する周辺露光領域Ｂｘの上部を周辺露光領域Ｂ２とし、製品領域Ａｘの右上部（右上頂点）と近接する周辺露光領域Ｂｘの右上部を周辺露光領域Ｂ３とする。また、製品領域Ａｘの右部（右辺）と近接する周辺露光領域Ｂｘの右部を周辺露光領域Ｂ４とし、製品領域Ａｘの右下部（右下頂点）と近接する周辺露光領域Ｂｘの右下部を周辺露光領域Ｂ５とし、製品領域Ａｘの下部（下辺）と近接する周辺露光領域Ｂｘの下部を周辺露光領域Ｂ６とする。また、製品領域Ａｘの左下部（左下頂点）と近接する周辺露光領域Ｂｘの左下部を周辺露光領域Ｂ７とし、製品領域Ａｘの左部（左辺）と近接する周辺露光領域Ｂｘの左部を周辺露光領域Ｂ８とする。各周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８は、それぞれ製品領域Ａｘよりも狭い領域としておく。

本実施の形態では、例えば製品領域Ａｘ内の外周部と周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８の何れかを合わせた領域のパターン密度が、製品領域Ａｘだけのパターン密度と等しくなるよう周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８のパターンを設計しておく（手法２）。換言すると、周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８の近傍に配置されている製品領域Ａｘのパターン密度に応じて、各周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８のパターンを設計しておく。

具体的には、製品領域Ａｘの左上部と周辺露光領域Ｂ１とを合わせた領域のパターン密度が、製品領域Ａｘだけのパターン密度と等しくなるよう周辺露光領域Ｂ１のパターンを設計しておく。同様に、製品領域Ａｘの上部、右上部、右部、右下部、下部、左下部、左部の各領域と、周辺露光領域Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５，Ｂ６，Ｂ７，Ｂ８の各領域とを合わせた領域のパターン密度が、それぞれ製品領域Ａｘだけのパターン密度と等しくなるよう周辺露光領域Ｂ２〜Ｂ８のパターンを設計しておく。

（手法３）
また、製品領域Ａｘ内に配置されている製品チップのパターンを周辺露光領域Ｂｘに配置してもよい。例えば、製品領域Ａｘの外側（上下と左右）に１〜複数列の製品チップを配置し、この外側の製品チップのパターンを周辺露光領域Ｂｘのパターンとする。この場合、例えば周辺露光領域ＢｘにＯＰＣ（Optical Proximity Correction）処理を行なって、周辺露光領域Ｂｘのパターン寸法を、製品領域Ａｘ内で最外周部に配置される製品チップのパターン寸法と同じか又は大きくしておく。また、周辺露光領域Ｂｘを用いてパターンを形成した場合のパターン寸法が、製品領域Ａｘを用いてパターンを形成した場合のパターン寸法と同じになるよう、ＯＰＣ処理を行なって周辺露光領域Ｂｘのパターン寸法を決定してもよい。

露光装置１（後述のブラインド領域設定部１４）では、周辺露光領域Ｂｘを用いて周辺露光を行うショット位置として、このショット位置の近傍に位置する製品領域Ａｘ内のパターンに応じたフォトマスク６上の露光領域を周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８の中から選択して設定する。例えば、フォトマスク６上の製品領域Ａｘの左上側のショット位置に周辺露光領域Ｂｘで露光する場合には、製品領域Ａｘの左上部のパターン密度に応じてパターン設計されている周辺露光領域Ｂ１で露光を行なう。同様に、フォトマスク６上の製品領域Ａｘの上側、右上側、右側、右下側、下側、左下側、左側の各ショット位置に周辺露光領域Ｂｘで露光する場合には、それぞれ製品領域Ａｘの上部、右上部、右部、右下部、下部、左下部、左部のパターン密度に応じてパターン設計されている周辺露光領域Ｂ２〜Ｂ８を用いて露光を行なう。

ブラインド４Ｐ〜４Ｓは、開口部３を通過した露光光のうち露光対象となる製品領域Ａｘや周辺露光領域Ｂｘへの露光光のみをフォトマスク６側へ通過させるよう、所定の位置に移動させられる。

具体的には、ブラインド４Ｐ，４Ｒは、Ｙ方向に移動できるよう構成されており、ブラインド４Ｑ，４Ｓは、Ｘ方向に移動できるよう構成されている。ブラインド４Ｐは、フォトマスク６の図中の上辺側に配置され、ブラインド４Ｒは、フォトマスク６の図中の下辺側に配置されている。また、ブラインド４Ｓは、フォトマスク６の左辺側に配置され、ブラインド４Ｑは、フォトマスク６の右辺側に配置されている。ブラインド４Ｐ〜４Ｓで囲まれた領域が露光光の通過できる領域であり、この領域がフォトマスク６上のスキャン露光領域となる。換言すると、ブラインド４Ｐとブラインド４Ｒとの間がフォトマスク６上での露光領域のＹ方向の幅となり、ブラインド４Ｑとブラインド４Ｓとの間がフォトマスク６上での露光領域のＸ方向の幅となる。

本実施の形態では、ブラインド４Ｐ〜４Ｓは、ウエハ８のショット位置（ショット領域８１）に応じて種々の位置に移動させられ、各ショット領域８１に応じた範囲の露光光を通過させる。例えば、ウエハ８の中心部９１を露光する際には、ブラインド４Ｐ〜４Ｓは、フォトマスク６の領域のうちウエハ８の中心部９１を露光するための製品領域Ａｘにのみ露光光を通過させるとともに、周辺露光領域Ｂｘへの露光光を閉ざす。また、ウエハ８の周辺部９２を露光する際には、ブラインド４Ｐ〜４Ｓは、フォトマスク６の領域のうちウエハ８の周辺部９２を露光するための環状の周辺露光領域Ｂｘの一部にのみ露光光を通過させるとともに、周辺露光領域Ｂｘで露光に用いない領域や製品領域Ａｘへの露光光を閉ざす。

開口部３からブラインド４Ｐ〜４Ｓへの露光光は、Ｘ方向の寸法がフォトマスク６のＸ方向と略同じ寸法であるが、開口部３からフォトマスク６へは、ブラインド４Ｐ〜４Ｓを通過した矩形状領域の露光光６１が照射される。フォトマスク６に照射された露光光６１は、縮小投影レンズ（図示せず）を介してウエハ８側に送られ、ウエハ８には矩形状の露光光（スキャンエリア）８２として照射される。

露光装置１がウエハ８のスキャン露光を行う際には、フォトマスク６とウエハ８とをＹ方向（スキャン方向）で相対走査し、ブラインド４Ｐ〜４Ｓで囲まれた領域に開口部３を通過した露光光６１を順番に照射していく。これにより、フォトマスク６上の製品領域Ａｘや周辺露光領域Ｂｘを用いてウエハ８上の各ショット領域８１に逐次露光する。このとき、フォトマスク６とブラインド４Ｐ〜４Ｓとが、同じ方向に同じ距離だけ移動するよう、レチクルステージ５とブラインド４Ｐ〜４ＳとをＹ方向で同期移動させておく。これにより、ウエハ８には、ブラインド４Ｐ〜４Ｓで囲まれた領域に対応するフォトマスク６上の露光領域のみが投影される。

図３は、露光装置の構成を示すブロック図である。同図に示すように、露光装置１は、ウエハ８のスキャン露光を行なう露光機構２０と、ブラインド４Ｐ〜４Ｓの動作を制御するブラインド制御機構１０と、を有している。

ブラインド制御機構１０は、入力部１１、マスク情報記憶部１２、ショット情報記憶部１３、ブラインド領域設定部１４、露光位置検出部１５、ブラインド制御部１６を備えている。

入力部１１は、マウスやキーボードなどを備えて構成され、フォトマスク６内に形成されるパターンに関するマスク情報や、ウエハ８への露光ショット位置に関するショット情報を入力する。

マスク情報記憶部１２は、入力部１１から入力されるマスク情報を記憶するメモリなどの記憶手段である。本実施の形態では、マスク情報記憶部１２が、フォトマスク６に製品チップのショット領域となる製品領域Ａｘと、ダミーショット領域となる周辺露光領域Ｂｘと、に関するマスク情報を記憶しておく。

ショット情報記憶部１３は、入力部１１から入力されるショット情報を記憶するメモリなどの記憶手段である。ショット情報は、ウエハ８に対して製品領域Ａｘによって露光するショット位置の情報や、ウエハ８に対して周辺露光領域Ｂｘによって露光するショット位置の情報である。

ブラインド領域設定部１４は、マスク情報記憶部１２内のマスク情報と、ショット情報記憶部１３内のショット情報に基づいて、各ショット領域の露光に用いるフォトマスク６内の露光領域を決定し、決定したフォトマスク６内の露光領域に応じたブラインド領域を設定する。

露光位置検出部１５は、ウエハ８上での露光位置（ショット位置やスキャン位置）を検出し、検出結果をブラインド制御部１６に送る。露光位置検出部１５は、ウエハステージ７などから実際の露光位置を検出してもよいし、露光の手順を示す露光プログラム、露光条件、露光開始からの時間などに基づいて、露光位置を算出してもよい。

ブラインド制御部１６は、露光位置検出部１５から送られてくる露光位置の検出結果、ブラインド領域設定部１４が設定したショット位置毎のブラインド領域に基づいて、ショット位置毎のブラインド４Ｐ〜４Ｓの移動位置（移動量、移動方向）を算出し、この算出結果に基づいてブラインド４Ｐ〜４Ｓを制御する。ブラインド制御部１６は、製品領域Ａｘによってウエハ８を露光する場合には、製品領域Ａｘ以外の領域を遮断するようブラインド４Ｐ〜４Ｓを移動させ、周辺露光領域Ｂｘ内の一部のみを用いてウエハ８を露光する場合には、この周辺露光領域Ｂｘの一部以外の領域を遮断するようブラインド４Ｐ〜４Ｓを移動させる。

露光機構２０は、ブラインド４Ｐ〜４Ｓを備えており、各ブラインド４Ｐ〜４Ｓは、図示しない駆動装置によって駆動される。この駆動装置は、ブラインド制御部１６からの指示にしたがって、各ブラインド４Ｐ〜４Ｓを移動させる。

つぎに、露光装置１の露光処理手順について説明する。図４は、露光装置の動作手順の一例を示すフローチャートである。露光装置１へは、予め入力部１１からマスク情報とショット情報を入力しておく（ステップＳ１０，Ｓ２０）。マスク情報記憶部１２は、入力部１１からのマスク情報を記憶しておき、ショット情報記憶部１３は、入力部１１からのショット情報を記憶しておく。

ブラインド領域設定部１４は、マスク情報記憶部１２内のマスク情報と、ショット情報記憶部１３内のショット情報に基づいて、各ショット位置の露光に用いるフォトマスク６内の露光領域を決定し、さらに決定したフォトマスク６上の露光領域に応じたブラインド領域を各ショット位置毎に設定する（ステップＳ３０）。

ブラインド領域設定部１４が、フォトマスク６上の露光領域に応じたブラインド領域を設定すると、露光装置１は、ウエハステージ７を移動させることによって、露光位置をウエハ８上の最初のショット位置へ移動させ、ウエハ８への露光を開始する（ステップＳ４０）。

露光装置１では、露光位置検出部１５がウエハ８上の露光位置（ショット位置）を検出する（ステップＳ５０）。露光位置検出部１５は、検出した露光位置をブラインド制御部１６に送る。

ブラインド制御部１６は、露光位置検出部１５から送られてくる露光位置の検出結果、ブラインド領域設定部１４が設定したショット位置毎のブラインド領域に基づいて、ブラインド４Ｐ〜４Ｓの移動位置を算出し、この算出結果に基づいてブラインド４Ｐ〜４Ｓを制御する。具体的には、露光位置となっているショットに何れのブラインド領域が設定されているかを判断し、このブラインド領域を形成させるよう、各ブラインド４Ｐ〜４Ｓを移動させる（ステップＳ６０）。

ここで、ショット位置毎（露光領域毎）のブラインド領域について説明する。図５−１〜図５−３は、第１の実施の形態に係る露光装置で設定されるショット位置毎のブラインド領域を説明するための図である。図５−１〜図５−３では、第１の実施の形態に係る露光装置１が設定する、フォトマスク６上の露光領域に応じたブラインド領域の例を示している。

図５−１は、製品領域Ａｘによって１ショットを露光する際のブラインド領域（ブラインド４Ｐ〜４Ｓの位置）を示している。製品領域Ａｘによってウエハ８内のショット領域を露光する場合、露光装置１は、フォトマスク６のうち製品領域Ａｘ以外の領域（周辺露光領域Ｂｘ）を、ブラインド４Ｐ〜４Ｓによって全て遮断する。

図５−２は、周辺露光領域Ｂ６によって１ショットを露光する際のブラインド領域を示している。周辺露光領域Ｂ６によってウエハ８内のショット領域を露光する場合、露光装置１は、フォトマスク６のうち周辺露光領域Ｂ６以外の領域（製品領域Ａｘ、周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ５，Ｂ７，Ｂ８）を、ブラインド４Ｐ〜４Ｓによって全て遮断する。

周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ５，Ｂ７，Ｂ８の何れかによってウエハ８内のショット領域を露光する場合も、周辺露光領域Ｂ６によってウエハ８内のショット領域を露光する場合と同様に、露光装置１は、フォトマスク６のうち選択した周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ５，Ｂ７，Ｂ８以外の領域を、ブラインド４Ｐ〜４Ｓによって全て遮断する。

なお、周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８は、それぞれ１領域ずつを１ショットして露光する場合に限らず、複数領域（周辺露光領域Ｂｘ内から選択された複数の所定領域）を１ショットとして露光してもよい。図５−３は、周辺露光領域Ｂ５〜Ｂ７によって１ショットを露光する場合のブラインド領域を示している。同図に示すように、周辺露光領域Ｂ５〜Ｂ７によってウエハ８内の１ショットを露光する場合、露光装置１は、フォトマスク６のうち周辺露光領域Ｂ５〜Ｂ７以外の領域（製品領域Ａｘ、周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ４，Ｂ８）を、ブラインド４Ｐ〜４Ｓによって全て遮断する。

図６は、第１の実施の形態に係る露光装置で各ショット領域に設定されるフォトマスク上の露光領域の一例を示す図である。同図に示すように、製品領域Ａｘがウエハ８外にはみ出すことなくウエハ８上に製品領域Ａｘを配置できるショット領域には、製品領域Ａｘが配置される。一方、製品領域Ａｘをウエハ８上に配置した場合に、製品領域Ａｘがウエハ８外にはみ出す場合には、周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８の何れかが配置される。

例えば、ショット（ショット位置）ａ１〜ａ４は、製品領域Ａｘがウエハ８外にはみ出すことなくウエハ８上に製品領域Ａｘを配置できるショットである。したがって、ショットａ１〜ａ４へは、製品領域Ａｘが配置される。

ショットａ１の図内上部に位置するショットｂ１に製品領域Ａｘを配置すると、製品領域Ａｘがウエハ８外にはみ出してしまう。したがって、ショットｂ１には、周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８のうち、製品領域Ａｘの上部に対応したパターン密度を有する周辺露光領域Ｂ２を配置する。

同様に、ショットａ２の上部に位置するショットｂ２，ｂ３に製品領域Ａｘを配置すると、製品領域Ａｘがウエハ８外にはみ出す。したがって、ショットｂ２，ｂ３には、周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８のうち、製品領域Ａｘの上部に対応する周辺露光領域Ｂ２を配置する。ショットａ２の上部に位置するショットｂ２，ｂ３は、ショットａ１の右部に位置するショットでもある。このため、ショットｂ２，ｂ３の領域に、製品領域Ａｘの右部に対応する周辺露光領域Ｂ４を配置してもよい。また、ショットｂ２，ｂ３の領域に、周辺露光領域Ｂ２と周辺露光領域Ｂ４とを組み合わせて配置してもよい。

また、ショットａ２の右上部に位置するショットｂ４、ショットａ２の右部に位置するショットｂ５、ショットａ３の右部に位置するショットｂ６に製品領域Ａｘを配置すると、製品領域Ａｘがウエハ８外にはみ出す。したがって、ショットｂ４〜ｂ６には、それぞれ、製品領域Ａｘの右上部に対応する周辺露光領域Ｂ３、製品領域Ａｘの右部に対応する周辺露光領域Ｂ４、製品領域Ａｘの右部に対応する周辺露光領域Ｂ４を配置する。

また、ショットａ４の右部に位置するショットｂ７、ショットａ４の右下部に位置するショットｂ８、ショットａ４の下部に位置するショットｂ９に製品領域Ａｘを配置すると、製品領域Ａｘがウエハ８外にはみ出す。したがって、ショットｂ７〜ｂ９には、それぞれ、製品領域Ａｘの右部に対応する周辺露光領域Ｂ４、製品領域Ａｘの右下部に対応する周辺露光領域Ｂ５、製品領域Ａｘの下部に対応する周辺露光領域Ｂ６を配置する。

露光装置１は、ブラインド４Ｐ〜４Ｓをショット位置に応じた所定の位置へ移動させた後、フォトマスク６、ブラインド４Ｐ〜４Ｓ、ウエハ８を同期移動させ、その後現在のショット位置（ここでは最初のショット）でのスキャン露光を行なう（ステップＳ７０）。

露光装置１は、現在のショット位置でのスキャン露光が終わると、未露光のショット領域が残っているか否かを判断する（ステップＳ８０）。ウエハ８内に未露光のショット領域が残っている場合（ステップＳ８０、Ｙｅｓ）、露光装置１は、ウエハステージ７を移動させることによって、露光位置をウエハ８上の次のショット位置へ移動させる（ステップＳ９０）。

この後、露光位置検出部１５は、ウエハ８上の露光位置を検出し（ステップＳ５０）、ブラインド制御部１６は、現在のショット位置に応じた位置にブラインド４Ｐ〜４Ｓを移動させる（ステップＳ６０）。そして、露光装置１は、フォトマスク６、ブラインド４Ｐ〜４Ｓ、ウエハ８を同期移動させて現在のショット位置でのスキャン露光を行なう（ステップＳ７０）。

露光装置１は、現在のショット位置でのスキャン露光が終わると、未露光のショット領域が残っているか否かを判断する（ステップＳ８０）。ウエハ８内に未露光のショット領域が残っている場合（ステップＳ８０、Ｙｅｓ）、露光装置１は、ウエハステージ７を移動させることによって、露光位置をウエハ８上の次のショット位置へ移動させる（ステップＳ９０）。このように、露光装置１では、未露光のショット領域がなくなるまで、ステップＳ９０、ステップＳ５０〜Ｓ８０の処理を繰り返す。

ウエハ８内に未露光のショット領域が残っていなければ（ステップＳ８０、Ｎｏ）、ウエハ８への露光処理を終了する。これにより、露光装置１は、ウエハ８上の全てのショット領域に製品領域Ａｘや周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８を露光する。

なお、製品領域Ａｘを露光した後の次のショット領域が周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８の何れかである場合、ウエハ８を移動させることなく、ブラインド４Ｐ〜４Ｓの移動のみによって周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８のショット領域を露光してもよい。例えば、ショットａ２に製品領域Ａｘを露光した後、ショットｂ５に周辺露光領域Ｂ４を露光する場合、まずショットａ２の位置で製品領域Ａｘのみが露光されるようブラインド４Ｐ〜４Ｓを移動させて製品領域Ａｘで露光する。この後、ウエハ８を移動させることなく、周辺露光領域Ｂ４のみが露光されるようブラインド４Ｐ〜４Ｓを移動させて、周辺露光領域Ｂ４で露光する。これにより、ショットｂ５の位置に周辺露光領域Ｂ４が露光される。

なお、本実施の形態では、周辺露光領域Ｂｘを、図２（ｂ）に示したように、周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８で分割する場合に限らず、他の領域によって分割してもよい。図７は、フォトマスク内の露光領域の他の配置例を示す図である。

図７に示すフォトマスクでは、図２（ｂ）の周辺露光領域Ｂ１を周辺露光領域Ｂ１１〜Ｂ１４で分割している。また、図２（ｂ）の周辺露光領域Ｂ２，Ｂ４，Ｂ６，Ｂ８を、それぞれ周辺露光領域Ｂ１５，Ｂ１６、周辺露光領域Ｂ１７，Ｂ１８、周辺露光領域Ｂ１９，Ｂ２０、周辺露光領域Ｂ２１，Ｂ２２で分割している。

この場合、ブラインド領域設定部１４は、周辺露光するショット領域のショットサイズに応じて、周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８の何れを組合わせて露光するかを設定する。例えば、製品領域Ａｘの上部のショット領域に周辺露光領域Ｂｘを露光する場合、ショットサイズが所定値以上であれば、周辺露光領域Ｂ１５と周辺露光領域Ｂ１６の両方で露光するようブラインド領域を設定する。一方、ショットサイズが所定値よりも小さければ、周辺露光領域Ｂ１６のみによって露光するようブラインド領域を設定する。これにより、ショットサイズに応じたフォトマスク６上の露光領域の大きさでウエハ８の周辺露光を行なうことが可能となる。

また、本実施の形態では、ブラインドがブラインド４Ｐ〜４Ｓの４枚である場合について説明したが、ブラインドは５枚以上であってもよい。図８は、ブラインドが５枚である場合のブラインドの配置例を説明するための図である。

同図では、ブラインド４Ｐ〜４Ｓに新たなブラインド４Ｔを追加した場合を示している。このブラインド４Ｔは、ブラインド４Ｐ〜４Ｓと同様に概略矩形板状をなしており、Ｙ方向に移動できるよう構成されている。ブラインド４Ｔをブラインド４Ｐの横（フォトマスク６の上辺側）に配設することによって、ブラインド領域の上部をブラインド４Ｐとブラインド４Ｔによって領域設定することが可能となる。

これにより、Ｌ字型のブラインド領域を設定することが可能となる。また、ブラインドを６枚にすることによって、凸字型のブラインド領域やＳ字型のブラインド領域を設定することが可能となる。さらに、ブラインドを７枚以上にすることによって、ブラインドが４〜６枚の場合よりも、さらに多種類のブラインド領域を設定することが可能となる。

なお、各ブラインド４Ｐ〜４Ｔが、それぞれＸ方向およびＹ方向の両方向に移動できる構成としてもよい。これにより、種々の位置で種々のブラインド領域を容易に設定することが可能となる。

なお、本実施の形態では、ブラインド領域設定部１４がマスク情報およびショット情報に基づいて、各ショット領域の露光に用いるフォトマスク６内での露光領域を設定したが、各ショット領域の露光に用いるフォトマスク６内での露光領域を手動で設定してもよい。この場合、ユーザから入力部１１に外部入力される指示に従って、各ショット領域の露光に用いるフォトマスク６内での露光領域が設定される。

また、本実施の形態では、周辺露光領域Ｂｘを用いたスキャン露光（スキャン投影法）によってウエハ８の周辺露光を行なったが、一括投影法（ステッパー）によってウエハ８の周辺露光を行なってもよい。この場合、露光装置１には、静止露光機能（スタティック露光手段）と走査露光機能（ダイナミック露光手段）の両方を配設しておく。そして、ウエハ８の中心部９１を製品領域Ａｘを用いて走査露光し、ウエハ８の周辺部９２を周辺露光領域Ｂｘを用いて静止露光する。

また、ブラインド領域設定部１４が、各ショット領域の周辺露光を行なう際に用いるショット領域の広さ分だけ、周辺露光領域Ｂｘ内の領域から必要な露光領域を抽出し、抽出した広さの露光領域を用いてウエハ８の周辺露光を行なってもよい。

また、本実施の形態では、フォトマスク６上の製品領域Ａｘの周りに周辺露光領域Ｂｘを形成した場合について説明したが、周辺露光領域Ｂｘはフォトマスク６上の何れの位置に形成されてもよい。

また、図４のフローチャートでは、マスク情報を入力した後にショット情報を入力した場合について説明したが、マスク情報とショット情報の入力は、何れを先に入力してもよい。また、本実施の形態では、フォトマスク６の上部にブラインド４Ｐ〜４Ｓを配設したが、フォトマスク６の下部にブラインド４Ｐ〜４Ｓを配設してもよい。

このように第１の実施の形態によれば、ウエハ８の周辺露光を行なう場合に、製品領域Ａｘのパターン密度に応じて形成された周辺露光領域Ｂｘを用いてスキャン露光を行なうので、ウエハ８に形成されるパターンのパターン密度が、ウエハ８の面内で均一になる。したがって、ウエハ８のエッチングを行なう際のエッチング速度が面内で均一になり、ウエハ８上に作製される製品チップ内のパターン寸法をウエハ８の面内で均一化することが可能となる。

また、周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８は、製品領域Ａｘよりも狭いので、周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８を用いて露光する場合には、製品領域Ａｘによってスキャン露光する場合よりもスキャン領域が狭くなる。したがって、周辺露光を行なう際のスキャンに要する時間が短くなり、製品領域Ａｘによって周辺露光を行なう場合よりも短い露光時間で周辺露光ができる。この結果、スキャン露光の時間（ＴＡＴ（Turn Around Time））を短縮することができ、スループットを向上させることが可能となる。

また、フォトマスク６毎に製品領域Ａｘに応じた周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８を作製しているので、種々のフォトマスク６に対し各フォトマスク６に応じた正確なパターン寸法を形成することが可能となる。

また、周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８の近傍に配置されている製品領域Ａｘのパターン密度に応じて、各周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８のパターンを設計しているので、製品領域Ａｘを露光した後の次のショット領域が周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８の何れかである場合、ウエハ８を移動させることなく、ブラインド４Ｐ〜４Ｓの移動のみによって周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８のショット領域を露光できる。これにより、製品領域Ａｘによる露光と周辺露光領域Ｂｘによる露光とを連続して行なう場合には、ウエハ８のステップ移動を省略することができる。したがって、ウエハ８の全面を露光する際に要するステップ移動距離を短くすることが可能となり、ウエハ８を短時間で露光することが可能となる。また、複数の周辺露光領域をまとめて同時に露光する場合には、ブラインド４Ｐ〜４Ｓの移動を省略できるので、ウエハ８を短時間で露光することが可能となる。

また、一括投影法によってウエハ８の周辺露光を行なう場合には、スキャン露光によって周辺露光を行なう場合よりも短時間でウエハ８の周辺露光を行なうことが可能となる。したがって、ウエハ８を迅速に短時間で露光することが可能となり、スループットを向上させることが可能となる。

（第２の実施の形態）
つぎに、図９−１、図９−２、図１０を参照して、この発明の第２の実施の形態について説明する。第２の実施の形態ではウエハ８の周辺露光を行う際に、製品領域Ａｘと所定の周辺露光領域Ｂｘを同時に用いて周辺露光する。

図９−１および図９−２は、製品領域と周辺露光領域を同時に行う場合のブラインド領域を説明するための図である。図９−１、図９−２では、フォトマスク６上の露光領域に応じたブラインド領域の例を示している。

図９−１は、製品領域Ａｘと周辺露光領域Ｂ４〜Ｂ６の４領域によって１ショットを露光する場合のブラインド領域を示している。製品領域Ａｘと周辺露光領域Ｂ４〜Ｂ６によってウエハ８内の１ショットを露光する場合、露光装置１は、フォトマスク６のうち製品領域Ａｘと周辺露光領域Ｂ４〜Ｂ６の４領域以外の領域（周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ３，Ｂ７，Ｂ８）を、ブラインド４Ｐ〜４Ｓによって全て遮断する。

図９−２は、製品領域Ａｘと周辺露光領域Ｂ１，Ｂ２，Ｂ８の４領域によって１ショットを露光する場合のブラインド領域を示している。製品領域Ａｘと周辺露光領域Ｂ１，Ｂ２，Ｂ８によってウエハ８内の１ショットを露光する場合、露光装置１は、フォトマスク６のうち製品領域Ａｘと周辺露光領域Ｂ１，Ｂ２，Ｂ８の４領域以外の領域（周辺露光領域Ｂ３〜Ｂ７）を、ブラインド４Ｐ〜４Ｓによって全て遮断する。

図１０は、第２の実施の形態に係る露光装置で各ショット領域に設定されるフォトマスク上の露光領域の一例を示す図である。本実施の形態でも、第１の実施の形態と同様に、ウエハ８外にはみ出すことなくウエハ８上に製品領域Ａｘを配置できるショット領域には、製品領域Ａｘを配置する。さらに、製品領域Ａｘをウエハ８上に配置した場合に、製品領域Ａｘがウエハ８外にはみ出す場合には、周辺露光領域Ｂｘの何れかが配置される。

例えば、ショットａ１１，ａ２１は、製品領域Ａｘがウエハ８外にはみ出すことなくウエハ８上に製品領域Ａｘを配置できるショット領域である。したがって、ショットａ１１，ａ２１へは、製品領域Ａｘが配置される。

ショットａ１１，ａ２１からウエハ８の外周部方向に位置するショットｂ１１〜ｂ１３，ｂ２１〜ｂ２３に製品領域Ａｘを配置すると、製品領域Ａｘがウエハ８外にはみ出す。したがって、ショットｂ１１〜ｂ１３には、周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８のうち、製品領域Ａｘの右下側に対応する周辺露光領域Ｂ４〜Ｂ６を配置する。また、ショットｂ２１〜ｂ２３には、周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８のうち、製品領域Ａｘの左上側に対応する周辺露光領域Ｂ１，Ｂ２，Ｂ８を配置する。

本実施の形態では、製品領域Ａｘと周辺露光領域Ｂ４〜Ｂ６の４領域を１ショットで露光するために、製品領域Ａｘと周辺露光領域Ｂ４〜Ｂ６とを開けたブラインド領域として図９−１に示したブラインド領域を用いる。

また、製品領域Ａｘと周辺露光領域Ｂ１，Ｂ２，Ｂ８の４領域を１ショットで露光するために、製品領域Ａｘと周辺露光領域Ｂ１，Ｂ２，Ｂ８とを開けたブラインド領域として図９−２に示したブラインド領域を用いる。

これにより、ウエハ８の周辺部９２では、ウエハ８の移動やブラインド４Ｐ〜４Ｓを移動させることなく、周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８の何れかと製品領域Ａｘとを同時に１ショットで露光することが可能となる。

なお、本実施の形態では、製品領域Ａｘと周辺露光領域Ｂ４〜Ｂ６を１ショットで露光する場合や、製品領域Ａｘと周辺露光領域Ｂ１，Ｂ２，Ｂ８を１ショットで露光する場合について説明したが、製品領域Ａｘとともに露光する周辺露光領域Ｂｘの組み合わせは、周辺露光領域Ｂ４〜Ｂ６や周辺露光領域Ｂ１，Ｂ２，Ｂ８に限らない。例えば、製品領域Ａｘと周辺露光領域Ｂ１を１ショットで露光してもよいし、製品領域Ａｘと周辺露光領域Ｂ４〜Ｂ８を１ショットで露光してもよい。

このように第２の実施の形態によれば、周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８の何れかと製品領域Ａｘとを同時に１ショットで露光できるので、第１の実施の形態の場合よりも、迅速にウエハ８の露光処理を行うことが可能となる。したがって、第１の実施の形態の場合よりも、高スループットでウエハ８を露光することが可能となる。

（第３の実施の形態）
つぎに、図１１、図１２−１、図１２−２を参照して、この発明の第３の実施の形態について説明する。第３の実施の形態ではレチクルステージ５に、周辺露光を行うためのパターン（後述の周辺露光パターンＣ１〜Ｃ８）を設ける。

図１１は、本実施の形態に係る露光装置のレチクルステージの構成を示す図である。図１１では、レチクルステージ５上の周辺露光パターン（周辺露光領域）Ｃ１〜Ｃ８の配置例を示している。周辺露光パターンＣ１〜Ｃ８は、それぞれウエハ８の周辺露光などで用いられるパターンであり、製品領域Ａｘよりも狭い領域に形成されている。例えば、製品領域Ａｘに何れのパターン密度が形成されている場合であっても（何れの種類のフォトマスク６を用いて露光を行う場合であっても）、ウエハ８に転写されるパターンのパターン密度が、ウエハ８の面内で均一になるよう、種々のパターン密度を有したパターンを周辺露光パターンＣ１〜Ｃ８に作製しておく。周辺露光パターンＣ１〜Ｃ８は、例えば周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８と同じパターンである。

つぎに、ショット領域毎のブラインド領域について説明する。図１２−１および図１２−２は、第３の実施の形態に係る露光装置で設定されるショット領域毎のブラインド領域を説明するための図である。図１２−１と図１２−２では、第３の実施の形態に係る露光装置１が設定する、フォトマスク６上の露光領域に応じたブラインド領域の例を示している。

図１２−１では、フォトマスク６内の製品領域Ａｘによって１ショットを露光する際のブラインド領域を示している。製品領域Ａｘによってウエハ８内のショット領域を露光する場合、露光装置１は、レチクルステージ５のうち製品領域Ａｘ以外の領域（周辺露光パターンＣ１〜Ｃ８など）を、ブラインド４Ｐ〜４Ｓによって全て遮断する。

図１２−２では、周辺露光パターンＣ２によって１ショットを露光する際のブラインド領域を示している。周辺露光パターンＣ２によってウエハ８内のショット領域を露光する場合、露光装置１は、レチクルステージ５のうち周辺露光パターンＣ２以外の領域（フォトマスク６、周辺露光パターンＣ１，Ｃ３〜Ｃ８など）を、ブラインド４Ｐ〜４Ｓによって全て遮断する。

周辺露光パターンＣ１，Ｃ３〜Ｃ８の何れかによってウエハ８内のショット領域を露光する場合も、周辺露光パターンＣ２によってウエハ８内のショット領域を露光する場合と同様に、露光装置１は、レチクルステージ５のうち選択した周辺露光パターンＣ１，Ｃ３〜Ｃ８以外の領域を、ブラインド４Ｐ〜４Ｓによって全て遮断する。

なお、周辺露光パターンＣ１〜Ｃ８は、それぞれ１パターンずつを１ショットして露光する場合に限らず、複数パターンを１ショットとして露光してもよい。また、各周辺露光パターンＣ１〜Ｃ８の一部を用いて周辺露光を行なってもよい。例えば、周辺露光パターンＣ２の上半分のみを用いて周辺露光を行なってもよい。また、周辺露光パターンＣ１〜Ｃ８へは、周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８と同様のパターンを配設してもよい。

このように第３の実施の形態によれば、レチクルステージ５上に設けられた種々のパターン密度を有した周辺露光パターンＣ１〜Ｃ８を用いて周辺露光を行うので、第１の実施の形態と同様に、ウエハ８に形成されるパターンのパターン密度が、ウエハ８の面内で均一になる。したがって、ウエハ８上に作製される製品チップ内のパターン寸法をウエハ８の面内で均一化することが可能となる。

また、周辺露光パターンＣ１〜Ｃ８は、製品領域Ａｘよりも狭いので、周辺露光パターンＣ１〜Ｃ８を用いて露光する場合には、製品領域Ａｘによってスキャン露光する場合よりもスキャン領域が狭くなる。したがって、第１の実施の形態と同様に、周辺露光を行なう際のスキャンに要する時間が短くなり、製品領域Ａｘによって周辺露光を行なう場合よりも短い露光時間で周辺露光ができ、この結果スループットを向上させることが可能となる。

さらに、種々のパターン密度を周辺露光パターンＣ１〜Ｃ８に作製しておくので、フォトマスク６毎に周辺露光領域Ｂ１〜Ｂ８を作製する必要がなく、従来から使われているフォトマスク６を用いて高スループットな露光処理を行うことが可能となる。

なお、第１の実施の形態〜第３の実施の形態で説明した露光装置１、フォトマスク６、レチクルステージ５をそれぞれ組み合わせてウエハ８の露光処理を行ってもよい。

第１の実施の形態に係る露光装置の概略構成を示す斜視図である。 フォトマスク内の露光領域の配置を説明するための図である。 第１の実施の形態に係る露光装置の構成を示すブロック図である。 露光装置の動作手順を示すフローチャートである。 製品領域を露光する際のブラインド領域を説明するための図である。 １つの周辺露光領域を露光する際のブラインド領域の一例を説明するための図である。 複数の周辺露光領域を露光する際のブラインド領域の一例を説明するための図である。 第１の実施の形態に係る露光装置で各ショット領域に設定されるフォトマスク上の露光領域の一例を示す図である。 フォトマスク内の露光領域の他の配置例を示す図である。 ブラインドが５枚である場合のブラインドの配置例を説明するための図である。 製品領域と周辺露光領域を同時に行う場合のブラインド領域を説明するための図（１）である。 製品領域と周辺露光領域を同時に行う場合のブラインド領域を説明するための図（２）である。 第２の実施の形態に係る露光装置で各ショット領域に設定されるフォトマスク上の露光領域の一例を示す図である。 第３の実施の形態に係る露光装置のレチクルステージの構成を示す図である。 フォトマスクに形成されたパターンを露光する際のブラインド領域の一例を説明するための図である。 レチクルステージに形成されたパターンを露光する際のブラインド領域の一例を説明するための図である。

符号の説明

１ 露光装置、４Ｐ〜４Ｔ ブラインド、５ レチクルステージ、６ フォトマスク、８ ウエハ、１０ ブラインド制御機構、１６ ブラインド制御部、２０ 露光機構、Ａｘ 製品領域、Ｂｘ，Ｂ１〜Ｂ８ 周辺露光領域、Ｃ１〜Ｃ８ 周辺露光パターン。

Claims (5)

1. ウエハへ露光するパターンが形成されたフォトマスクを載置するとともに、前記フォトマスクの所定領域を閉ざすことによって光源から前記ウエハへの露光光の一部を遮蔽する開閉部とを有した露光装置で前記ウエハを露光する露光方法において、
   前記ウエハの中心部を露光する際に用いられるパターンが形成された製品領域および前記ウエハの周辺部を露光する際に用いられるパターンが形成された周辺露光領域を有するとともに前記周辺露光領域が複数種類のパターン密度を有した領域となるよう形成されたフォトマスクを用いて前記周辺部を露光する際に、前記周辺露光領域内から選択された１〜複数の所定領域が前記周辺部のショット位置に応じたパターン密度となるよう前記開閉部が前記フォトマスク上の前記１〜複数の所定領域を開ける開ステップと、
   前記開閉部によって開けられた前記１〜複数の所定領域から前記ウエハへ前記露光光を照射して前記周辺部を露光する露光ステップと、
   を含むことを特徴とする露光方法。
2. ウエハへ露光するパターンが形成されたフォトマスクを載置するとともに、前記フォトマスクを載置するレチクルステージと、前記フォトマスクまたは前記レチクルステージの所定領域を閉ざすことによって光源から前記ウエハへの露光光の一部を遮蔽する開閉部とを有した露光装置で前記ウエハを露光する露光方法において、
   前記ウエハの中心部を露光する際に用いられるパターンが形成された製品領域を有するフォトマスクと、前記ウエハの周辺部を露光する際に用いられるパターンが形成された周辺露光領域が複数種類のパターン密度を有した領域となるよう形成されたレチクルステージとを用いて前記周辺部を露光する際に、前記周辺露光領域内から選択された１〜複数の所定領域が前記周辺部のショット位置に応じたパターン密度となるよう前記開閉部が前記フォトマスク上の前記１〜複数の所定領域を開ける開ステップと、
   前記開閉部によって開けられた１〜複数の所定領域から前記ウエハへ前記露光光を照射して前記周辺部を露光する露光ステップと、
   を含むことを特徴とする露光方法。
3. 前記開ステップは、
   前記周辺部を露光する際に、前記１〜複数の所定領域が前記製品領域よりも狭い領域となるよう前記開閉部が前記フォトマスク上の前記１〜複数の所定領域を開けることを特徴とする請求項１または２に記載の露光方法。
4. ウエハの中心部を露光する際に用いられるパターンが形成された製品領域および前記ウエハの周辺部を露光する際に用いられるパターンが形成された周辺露光領域を有するとともに、前記周辺露光領域が複数種類のパターン密度を有した領域となるよう形成されたことを特徴とするフォトマスク。
5. ウエハの中心部を露光する際に用いられるパターンが形成されたフォトマスクを載置するとともに、前記ウエハの周辺部を露光する際に用いられるパターンが形成された周辺露光領域を有し、前記周辺露光領域が複数種類のパターン密度を有した領域となるよう形成されたことを特徴とするレチクルステージ。

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