[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2009094050A - Light-emitting element or display element, and manufacturing method of them - Google Patents

Light-emitting element or display element, and manufacturing method of them Download PDF

Info

Publication number
JP2009094050A
JP2009094050A JP2008134080A JP2008134080A JP2009094050A JP 2009094050 A JP2009094050 A JP 2009094050A JP 2008134080 A JP2008134080 A JP 2008134080A JP 2008134080 A JP2008134080 A JP 2008134080A JP 2009094050 A JP2009094050 A JP 2009094050A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
film
light emitting
organic
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Abandoned
Application number
JP2008134080A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Jiro Tsukahara
次郎 塚原
Mitsuru Sawano
充 沢野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Priority to JP2008134080A priority Critical patent/JP2009094050A/en
Priority to US12/209,984 priority patent/US8033882B2/en
Priority to KR1020080091098A priority patent/KR20090030227A/en
Priority to EP08016446A priority patent/EP2040314A1/en
Publication of JP2009094050A publication Critical patent/JP2009094050A/en
Abandoned legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12044OLED
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting element or a display element which is thin and is hardly cracked. <P>SOLUTION: The light-emitting element or the display element has a resin film or a resin layer, a glass substrate, a light-emitting device laminated body or a display device laminated body, and a gas barrier film in that order. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光素子または表示素子およびこれらの製造方法に関する。   The present invention relates to a light-emitting element or a display element and a method for manufacturing the same.

従来から、有機EL素子に、ガラス基板やガスバリアフィルムを用いることが検討されている。例えば、特許文献1には、極薄板ガラスと、透明樹脂層とを供える透明ガスバリアフィルムを、有機EL素子の封止材として用いることが記載されている。また、特許文献2には、ガラス基板とパネル保護フィルムを有する有機電界発光素子が記載されている。かかる有機電界発光素子は、キャップにより素子への水分の浸入を防いでいる。   Conventionally, it has been studied to use a glass substrate or a gas barrier film for an organic EL element. For example, Patent Literature 1 describes that a transparent gas barrier film provided with an ultrathin plate glass and a transparent resin layer is used as a sealing material for an organic EL element. Patent Document 2 describes an organic electroluminescent element having a glass substrate and a panel protective film. In such an organic electroluminescent device, the cap prevents moisture from entering the device.

特開2004−79432号公報JP 2004-79432 A 特開2005−63976号公報JP 2005-63976 A

しかしながら、ガラス基板を用いる場合、割れやすいという問題がある。また、割れにくくしようとすると、ガラス基板を厚くする必要があり、素子の厚さが厚くなってしまうという問題がある。また、上記特許文献2(特開2005−63976号公報)のように、キャップを用いると、発光デバイス積層体または表示デバイス積層体との間に空間が開いてしまう。この空間も、素子の厚さを厚くする。さらに、ガラス基板を使用せずに素子を作製する試みとして、ガラス基板を用いずにすべてガスバリアフィルムで代用することも検討されているが、素子の作製段階において、寸法精度が悪化するという問題がある。
本発明は上記課題を解決することを目的としたものであって、ガラス基板を用い、かつ、薄くて割れにくい発光素子または表示素子を提供することを目的とする。
However, when a glass substrate is used, there is a problem that it is easily broken. In addition, if it is difficult to break, it is necessary to increase the thickness of the glass substrate, resulting in a problem that the thickness of the element increases. Further, as in Patent Document 2 (Japanese Patent Laid-Open No. 2005-63976), when a cap is used, a space is opened between the light emitting device stack or the display device stack. This space also increases the thickness of the element. Furthermore, as an attempt to fabricate an element without using a glass substrate, it is also considered to substitute a gas barrier film without using a glass substrate, but there is a problem that dimensional accuracy deteriorates in the element fabrication stage. is there.
An object of the present invention is to provide a light-emitting element or a display element that uses a glass substrate and is thin and hardly broken.

上記課題の下、本発明者らが鋭意検討を行った結果、下記手段により上記課題を解決しうることを見出した。
(1)樹脂フィルムまたは樹脂層と、ガラス基板と、発光デバイス積層体または表示デバイス積層体と、ガスバリアフィルムとを、該順に有する、発光素子または表示素子。
(2)樹脂フィルムまたは樹脂層が、円偏光機能を有する、(1)に記載の発光素子または表示素子。
(3)樹脂フィルムまたは樹脂層が、光拡散機能を有する、(1)に記載の発光素子または表示素子。
(4)ガラス基板の厚さが、100μm〜300μmである、(1)〜(3)のいずれか1項に記載の発光素子または表示素子。
(5)発光デバイス積層体または表示デバイス積層体と、ガスバリアフィルムとの間に接着層を有する、(1)〜(4)のいずれか1項に記載の発光素子または表示素子。
(6)ガスバリアフィルムが、接着層を有する、(1)〜(5)のいずれか1項に記載の発光素子または表示素子。
(7)樹脂フィルムと、ガラス基板との間に、接着層を有する、(1)〜(6)のいずれか1項に記載の発光素子または表示素子。
(8)樹脂フィルムまたは樹脂層の厚さが、10〜1000μmである、(1)〜(7)のいずれか1項に記載の発光素子または表示素子。
(9)ガラス基板と、発光デバイス積層体または表示デバイス積層体との間に、平滑層を有する、(1)〜(8)のいずれか1項に記載の発光素子または表示素子。
(10)前記平滑層の厚さが、0.5〜10μmである、(1)〜(9)のいずれか1項に記載の発光素子または表示素子。
(11)ガラス基板の厚みムラが、100μm以下である、(1)〜(10)のいずれか1項に記載の発光素子または表示素子。
(12)ガスバリアフィルムは、基材フィルム上に、少なくとも1つの有機領域と少なくとも1つの無機領域を有する、(1)〜(11)のいずれか1項に記載の発光素子または表示素子。
(13)(1)〜(12)のいずれか1項に記載の発光素子または表示素子の製造方法であって、樹脂フィルムとガラス基板を貼り合わせた後に、エッチングしてから、発光デバイス積層体または表示デバイス積層体を設けることを特徴とする、製造方法。
(14)(13)の製造方法により製造した、発光素子または表示素子。
(15)発光素子または表示素子が、有機EL素子である、(1)〜(12)、(14)に記載の発光素子または表示素子。
As a result of intensive studies by the present inventors under the above problems, it has been found that the above problems can be solved by the following means.
(1) A light-emitting element or display element having a resin film or resin layer, a glass substrate, a light-emitting device laminate or a display device laminate, and a gas barrier film in that order.
(2) The light-emitting element or display element according to (1), wherein the resin film or resin layer has a circularly polarizing function.
(3) The light emitting element or display element as described in (1) whose resin film or resin layer has a light-diffusion function.
(4) The light emitting element or display element of any one of (1)-(3) whose thickness of a glass substrate is 100 micrometers-300 micrometers.
(5) The light emitting element or display element of any one of (1)-(4) which has an contact bonding layer between a light emitting device laminated body or a display device laminated body, and a gas barrier film.
(6) The light-emitting element or display element according to any one of (1) to (5), wherein the gas barrier film has an adhesive layer.
(7) The light emitting element or display element of any one of (1)-(6) which has an contact bonding layer between a resin film and a glass substrate.
(8) The light emitting element or display element of any one of (1)-(7) whose thickness of a resin film or a resin layer is 10-1000 micrometers.
(9) The light emitting element or display element of any one of (1)-(8) which has a smooth layer between a glass substrate and a light emitting device laminated body or a display device laminated body.
(10) The light-emitting element or display element according to any one of (1) to (9), wherein the smooth layer has a thickness of 0.5 to 10 μm.
(11) The light emitting device or the display device according to any one of (1) to (10), wherein the thickness unevenness of the glass substrate is 100 μm or less.
(12) The gas barrier film according to any one of (1) to (11), wherein the gas barrier film has at least one organic region and at least one inorganic region on the base film.
(13) The method for manufacturing a light emitting device or a display device according to any one of (1) to (12), wherein after the resin film and the glass substrate are bonded together, the light emitting device laminate is etched. Or a manufacturing method characterized by providing a display device laminated body.
(14) A light emitting device or a display device manufactured by the manufacturing method of (13).
(15) The light-emitting element or the display element according to any one of (1) to (12) and (14), wherein the light-emitting element or the display element is an organic EL element.

本発明により、薄くて割れにくい発光素子または表示素子を提供することが可能になった。
特に、本発明では、ガラス基板にフィルムを貼りあわせた後に、エッチングを行うことができるため、エッチング操作が容易になった。すなわち、ガラス基板単体について、エッチングを行おうとすると、ガラス基板が割れやすいためエッチングを精密かつ慎重に行う必要があったが、本発明ではこのような問題がない。また、素子をある程度組み立てた後にエッチングする場合、液晶表示装置のように、空セルの状態でエッチングするものは、エッチングしやすいが、有機EL素子のように発光デバイス積層体を設けた後にしか、エッチングできない素子の場合は、発光デバイス積層体が劣化してしまうため、素子をある程度組み立てた後にエッチングをすることも問題が多かった。本発明では、これらの問題点をすべて回避できる点で極めて有用である。
According to the present invention, it is possible to provide a light-emitting element or a display element that is thin and hardly cracked.
In particular, in the present invention, since the etching can be performed after the film is bonded to the glass substrate, the etching operation is facilitated. That is, if an attempt is made to etch a single glass substrate, the glass substrate is easily broken, and thus etching must be performed precisely and carefully. However, the present invention does not have such a problem. Also, when etching after assembling the element to some extent, what is etched in the state of an empty cell like a liquid crystal display device is easy to etch, but only after providing a light emitting device stack like an organic EL element, In the case of an element that cannot be etched, the light-emitting device laminate deteriorates, and it is also problematic to perform etching after assembling the element to some extent. The present invention is extremely useful in that all of these problems can be avoided.

以下において、本発明の内容について詳細に説明する。尚、本願明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。また、本発明における有機EL素子とは、有機エレクトロルミネッセンス素子のことをいう。   Hereinafter, the contents of the present invention will be described in detail. In the present specification, “to” is used to mean that the numerical values described before and after it are included as a lower limit value and an upper limit value. The organic EL element in the present invention refers to an organic electroluminescence element.

本発明の発光素子または表示素子は、樹脂フィルムまたは樹脂層と、ガラス基板と、発光デバイス積層体または表示デバイス積層体、ガスバリアフィルムとを該順に有することを特徴とする。以下、図面にしたがって本発明の発光素子または表示素子を説明する。本発明の発光素子または表示素子がこれらに限定されるものではないことは言うまでもない。
図1は、本発明の発光素子または表示素子の概略図を示したものであって、1は樹脂フィルムまたは樹脂層を、2はガラス基板を、3は発光デバイス積層体または表示デバイス積層体を、4はガスバリアフィルムをそれぞれ示している。
本発明では、樹脂フィルムまたは樹脂層1と、ガラス基板2を併用することにより、ガラス基板を薄くしても、エッチング等の操作において割れにくいため、極めて有用である。また、封止材として、ガスバリアフィルム4を用いることにより、キャップ等を用いて封止するよりも、素子の厚みを薄くすることができる。ここで、発光デバイス積層体または表示デバイス積層体は、発光素子または表示素子の中核をなす部分であり、通常、一対の電極層と、該電極層の間に設けられた有機化合物層等からなる積層体である。
本発明における発光素子または表示素子は、上記以外の構成層を有していてもよく、例えば、発光デバイス積層体または表示デバイス積層体3とガスバリアフィルム4の間、および/または、樹脂フィルムとガラス基板2の間に接着層を有する構成が挙げられる。このとき、ガスバリアフィルムや樹脂フィルムとして接着層付きのものを採用すると、製造工程が簡略化されるので好ましい。また、ガラス基板2と発光デバイス積層体または表示デバイス積層体3の間に、平滑層を設けることも好ましい。さらにまた、発光デバイス積層体または表示デバイス積層体3とガスバリアフィルム4の間にパシベーション層を設けることも好ましい。
The light-emitting element or display element of the present invention is characterized by having a resin film or resin layer, a glass substrate, a light-emitting device laminate or a display device laminate, and a gas barrier film in that order. The light-emitting element or display element of the present invention will be described below with reference to the drawings. Needless to say, the light-emitting element or the display element of the present invention is not limited thereto.
FIG. 1 is a schematic view of a light emitting element or a display element of the present invention, wherein 1 is a resin film or resin layer, 2 is a glass substrate, and 3 is a light emitting device laminate or a display device laminate. Reference numerals 4 denote gas barrier films, respectively.
In the present invention, by using the resin film or resin layer 1 and the glass substrate 2 in combination, even if the glass substrate is thinned, it is difficult to break in an operation such as etching, which is extremely useful. Further, by using the gas barrier film 4 as the sealing material, the thickness of the element can be made thinner than sealing with a cap or the like. Here, the light-emitting device laminate or the display device laminate is a portion that forms the core of the light-emitting element or the display element, and usually includes a pair of electrode layers and an organic compound layer provided between the electrode layers. It is a laminate.
The light emitting element or the display element in the present invention may have a constituent layer other than those described above, for example, between the light emitting device laminate or the display device laminate 3 and the gas barrier film 4 and / or the resin film and the glass. The structure which has an contact bonding layer between the board | substrates 2 is mentioned. At this time, it is preferable to use a gas barrier film or a resin film with an adhesive layer because the manufacturing process is simplified. It is also preferable to provide a smooth layer between the glass substrate 2 and the light emitting device laminate or the display device laminate 3. Furthermore, it is also preferable to provide a passivation layer between the light emitting device laminate or the display device laminate 3 and the gas barrier film 4.

(樹脂フィルムまたは樹脂層)
本発明における樹脂フィルムまたは樹脂層は、樹脂を主成分とするものであって、フィルム状のものを貼り付けてもよいし、樹脂組成物等を塗布して層状のものを設けても良い。樹脂フィルムまたは樹脂層の材料は特に定めるものではないが、例えば、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、メタクリル酸−マレイン酸共重合体、ポリスチレン、透明フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素化ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、セルロースアシレート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、脂環式ポリオレフィン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリスルホン樹脂、シクロオレフィルンコポリマー、フルオレン環変性カーボネート樹脂、脂環変性ポリカーボネート樹脂、アクリロイル化合物などの熱可塑性樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂などの熱または光硬化性樹脂等が挙げられる。また、樹脂フィルムまたは樹脂層は、ボトムエミッション型の発光素子または表示素子の場合、透明であることが必要であるが、トップエミッション型の発光素子または表示素子の場合、透明でなくても良い。
樹脂フィルムまたは樹脂層の厚さは、特に定めるものではないが、10〜1000μmが好ましく、20〜200μmがより好ましい。
本発明における樹脂フィルムまたは樹脂層は、円偏光機能または光拡散機能を有していてもよい。このような構成とすることにより、ボトムエミッション型の発光素子または表示素子とする場合に、より素子の厚さを薄くすることができる。ここで、円偏光機能または光拡散機能を付与するには、例えば、特開平8−321381号公報、特開平9−127885号公報、特開平7−142170号公報等に記載の方法を採用することができる。
(Resin film or resin layer)
The resin film or resin layer in the present invention is mainly composed of a resin, and a film-like one may be attached, or a layer-like one may be provided by applying a resin composition or the like. The material of the resin film or the resin layer is not particularly defined. For example, polyester resin, methacrylic resin, methacrylic acid-maleic acid copolymer, polystyrene, transparent fluororesin, polyimide resin, fluorinated polyimide resin, polyamide resin, polyamide Imide resin, polyether imide resin, cellulose acylate resin, polyurethane resin, polyether ether ketone resin, polycarbonate resin, alicyclic polyolefin resin, polyarylate resin, polyether sulfone resin, polysulfone resin, cycloolefin copolymer, fluorene ring Examples thereof include thermoplastic resins such as modified carbonate resins, alicyclic modified polycarbonate resins, and acryloyl compounds, and heat or photocurable resins such as acrylic resins and epoxy resins. Further, the resin film or the resin layer needs to be transparent in the case of a bottom emission type light emitting element or display element, but may not be transparent in the case of a top emission type light emitting element or display element.
Although the thickness of a resin film or a resin layer is not specifically defined, 10-1000 micrometers is preferable and 20-200 micrometers is more preferable.
The resin film or resin layer in the present invention may have a circular polarization function or a light diffusion function. With such a structure, the thickness of the element can be further reduced in the case of a bottom emission type light emitting element or display element. Here, in order to provide the circular polarization function or the light diffusion function, for example, the method described in JP-A-8-321381, JP-A-9-127858, JP-A-7-142170, or the like is employed. Can do.

(ガラス基板)
本発明におけるガラス基板は、表示素子または発光素子に用いられるガラス基板を広く採用できる。本発明では、樹脂フィルムまたは樹脂層と併用することにより、ガラス基板の厚さを薄くしても、ガラス基板を割れにくくすることができる。特に、樹脂フィルムまたは樹脂層とガラス基板を貼りあわせた後に、エッチングすると、エッチングの際にも割れにくいため、生産が容易になり、さらに、片面のみをエッチングすることができるため、ガラス基板の厚みムラを減少させることができる。例えば、本発明においては、ガラス基板の厚みムラを、100μm以下とすることができ、さらには、50μm以下とすることができる。厚みムラは、平均厚みの50%以下であることが好ましい。
ガラス基板の厚さは、例えば、100μm〜300μmとすることができ、さらには、100〜200μmとすることができる。
(Glass substrate)
As the glass substrate in the present invention, a glass substrate used for a display element or a light emitting element can be widely adopted. In the present invention, by using together with a resin film or a resin layer, the glass substrate can be made difficult to break even if the thickness of the glass substrate is reduced. In particular, etching after laminating a resin film or resin layer and a glass substrate is easy to produce because it is difficult to break during etching, and furthermore, only one side can be etched, so the thickness of the glass substrate Unevenness can be reduced. For example, in the present invention, the thickness unevenness of the glass substrate can be 100 μm or less, and further can be 50 μm or less. The thickness unevenness is preferably 50% or less of the average thickness.
The thickness of the glass substrate can be, for example, 100 μm to 300 μm, and further can be 100 to 200 μm.

(ガスバリアフィルム)
本発明におけるガスバリアフィルムは大気中の酸素、水分を遮断する機能を有するバリア層を有するフィルムである。本発明におけるバリア層は、ガスバリア能があると知られている層であればいかなる層でも良いが、有機領域と無機領域もしくは有機層と無機層を交互積層した有機無機積層型であることが好ましい。以下、有機領域と無機領域もしくは有機層と無機層を交互積層した有機無機積層型のバリア層を有するフィルムを、「有機無機積層型ガスバリアフィルム」ということがある。
有機領域と無機領域もしくは有機層と無機層は、通常、交互に積層している。有機領域と無機領域より構成される場合、各領域が膜厚方向に連続的に変化するいわゆる傾斜材料層であってもよい。前記傾斜材料の例としては、キムらによる論文「Journal of Vacuum Science and Technology A Vol. 23 p971−977(2005 American Vacuum Society) ジャーナル オブ バキューム サイエンス アンド テクノロジー A 第23巻 971頁〜977ページ(20005年刊、アメリカ真空学会)」に記載の材料や、米国公開特許2004−46497号明細書に開示してあるように有機層と無機層が界面を持たない連続的な層等が挙げられる。以降、簡略化のため、有機層と有機領域は「有機層」として、無機層と無機領域は「無機層」として記述する。
カスバリアフィルムを構成する層数に関しては特に制限はないが、典型的には2層〜30層が好ましく、3層〜20層がさらに好ましい。なお、バリア層は基材フィルムの片面にのみ設けられていてもよいし、両面に設けられていてもよい。
(Gas barrier film)
The gas barrier film in the present invention is a film having a barrier layer having a function of blocking oxygen and moisture in the atmosphere. The barrier layer in the present invention may be any layer as long as it is known to have gas barrier ability, but is preferably an organic-inorganic laminated type in which organic regions and inorganic regions or organic layers and inorganic layers are alternately laminated. . Hereinafter, a film having an organic-inorganic laminated barrier layer in which organic regions and inorganic regions or organic layers and inorganic layers are alternately laminated may be referred to as an “organic-inorganic laminated gas barrier film”.
Organic regions and inorganic regions or organic layers and inorganic layers are usually laminated alternately. In the case of an organic region and an inorganic region, a so-called gradient material layer in which each region continuously changes in the film thickness direction may be used. Examples of the gradient materials include a paper by Kim et al. “Journal of Vacuum Science and Technology A Vol. 23 p971-977 (2005 American Vacuum Society) Journal of Vacuum Science and Technology A Vol. , American Vacuum Society) ”, or a continuous layer in which the organic layer and the inorganic layer do not have an interface as disclosed in US Published Patent Application No. 2004-46497. Hereinafter, for simplification, the organic layer and the organic region are described as “organic layer”, and the inorganic layer and the inorganic region are described as “inorganic layer”.
Although there is no restriction | limiting in particular regarding the number of layers which comprises a cas barrier film, Typically 2-30 layers are preferable, and 3-20 layers are more preferable. In addition, the barrier layer may be provided only on one side of the base film, or may be provided on both sides.

(基材フィルム)
本発明におけるガスバリアフィルムは、通常、基材フィルムとして、プラスチックフィルムを用いる。用いられるプラスチックフィルムは、有機層、無機層等の積層体を保持できるフィルムであれば材質、厚み等に特に制限はなく、使用目的等に応じて適宜選択することができる。前記プラスチックフィルムとしては、具体的には、金属支持体(アルミニウム、銅、ステンレス等)ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、メタクリル酸−マレイン酸共重合体、ポリスチレン樹脂、透明フッ素樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、セルロースアシレート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、脂環式ポリオレフィン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリスルホン樹脂、シクロオレフィルンコポリマー、フルオレン環変性ポリカーボネート樹脂、脂環変性ポリカーボネート樹脂、フルオレン環変性ポリエステル樹脂、アクリロイル化合物などの熱可塑性樹脂が挙げられる。
(Base film)
The gas barrier film in the present invention usually uses a plastic film as the base film. The plastic film to be used is not particularly limited in material, thickness and the like as long as it can hold a laminate such as an organic layer and an inorganic layer, and can be appropriately selected according to the purpose of use. Specifically, as the plastic film, metal support (aluminum, copper, stainless steel, etc.) polyester resin, methacrylic resin, methacrylic acid-maleic acid copolymer, polystyrene resin, transparent fluororesin, polyimide, fluorinated polyimide resin , Polyamide resin, polyamideimide resin, polyetherimide resin, cellulose acylate resin, polyurethane resin, polyetheretherketone resin, polycarbonate resin, alicyclic polyolefin resin, polyarylate resin, polyethersulfone resin, polysulfone resin, cycloolefin Examples thereof include thermoplastic resins such as filn copolymers, fluorene ring-modified polycarbonate resins, alicyclic ring-modified polycarbonate resins, fluorene ring-modified polyester resins, and acryloyl compounds.

本発明のガスバリアフィルムは、耐熱性を有する素材からなることが好ましい。具体的には、ガラス転移温度(Tg)が100℃以上および/または線熱膨張係数が40ppm/℃以下で耐熱性の高い透明な素材からなることが好ましい。Tgや線膨張係数は、添加剤などによって調整することができる。このような熱可塑性樹脂として、例えば、ポリエチレンナフタレート(PEN:120℃)、ポリカーボネート(PC:140℃)、脂環式ポリオレフィン(例えば日本ゼオン(株)製 ゼオノア1600:160℃)、ポリアリレート(PAr:210℃)、ポリエーテルスルホン(PES:220℃)、ポリスルホン(PSF:190℃)、シクロオレフィンコポリマー(COC:特開2001−150584号公報の化合物:162℃)、ポリイミド(例えば三菱ガス化学(株)ネオプリム:260℃)、フルオレン環変性ポリカーボネート(BCF−PC:特開2000−227603号公報の化合物:225℃)、脂環変性ポリカーボネート(IP−PC:特開2000−227603号公報の化合物:205℃)、アクリロイル化合物(特開2002−80616号公報の化合物:300℃以上)が挙げられる(括弧内はTgを示す)。特に、透明性を求める場合には脂環式ポレオレフィン等を使用するのが好ましい。   The gas barrier film of the present invention is preferably made of a heat-resistant material. Specifically, it is preferable that the glass transition temperature (Tg) is 100 ° C. or higher and / or the linear thermal expansion coefficient is 40 ppm / ° C. or lower and is made of a transparent material having high heat resistance. Tg and a linear expansion coefficient can be adjusted with an additive. As such a thermoplastic resin, for example, polyethylene naphthalate (PEN: 120 ° C.), polycarbonate (PC: 140 ° C.), alicyclic polyolefin (for example, ZEONOR 1600: 160 ° C. manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.), polyarylate ( PAr: 210 ° C., polyethersulfone (PES: 220 ° C.), polysulfone (PSF: 190 ° C.), cycloolefin copolymer (COC: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-150584 compound: 162 ° C.), polyimide (for example, Mitsubishi Gas Chemical) Neoprim: 260 ° C.), fluorene ring-modified polycarbonate (BCF-PC: compound of JP 2000-227603 A: 225 ° C.), alicyclic modified polycarbonate (IP-PC: compound of JP 2000-227603 A) : 205 ° C), acryloyl compound (Compound described in JP-A 2002-80616: 300 ° C. or more) (the parenthesized data are Tg). In particular, when transparency is required, it is preferable to use an alicyclic polyolefin or the like.

本発明のガスバリアフィルムを偏光板と組み合わせて使用する場合、ガスバリアフィルムのバリア性積層体がセルの内側に向くようにし、最も内側に(素子に隣接して)配置することが好ましい。このとき偏光板よりセルの内側にガスバリアフィルムが配置されることになるため、ガスバリアフィルムのレターデーション値が重要になる。このような態様でのガスバリアフィルムの使用形態は、レターデーション値が10nm以下の基材フィルムを用いたガスバリアフィルムと円偏光板(1/4波長板+(1/2波長板)+直線偏光板)を積層して使用するか、あるいは1/4波長板として使用可能な、レターデーション値が100nm〜180nmの基材フィルムを用いたガスバリアフィルムに直線偏光板を組み合わせて用いるのが好ましい。   When the gas barrier film of the present invention is used in combination with a polarizing plate, it is preferable that the barrier laminate of the gas barrier film faces the inside of the cell and is arranged on the innermost side (adjacent to the element). At this time, since the gas barrier film is disposed inside the cell from the polarizing plate, the retardation value of the gas barrier film is important. The usage form of the gas barrier film in such an embodiment includes a gas barrier film using a base film having a retardation value of 10 nm or less and a circularly polarizing plate (¼ wavelength plate + (½ wavelength plate) + linear polarizing plate. ) Or a linear barrier plate is used in combination with a gas barrier film using a base film having a retardation value of 100 nm to 180 nm, which can be used as a quarter wavelength plate.

レターデーションが10nm以下の基材フィルムとしてはセルローストリアセテート(富士フイルム(株):富士タック)、ポリカーボネート(帝人化成(株):ピュアエース、(株)カネカ:エルメック)、シクロオレフィンポリマー(JSR(株):アートン、日本ゼオン(株):ゼオノア)、シクロオレフィンコポリマー(三井化学(株):アペル(ペレット)、ポリプラスチック(株):トパス(ペレット))ポリアリレート(ユニチカ(株):U100(ペレット))、透明ポリイミド(三菱ガス化学(株):ネオプリム)等を挙げることができる。
また1/4波長板としては、上記のフィルムを適宜延伸することで所望のレターデーション値に調整したフィルムを用いることができる。
As a base film having a retardation of 10 nm or less, cellulose triacetate (Fuji Film Co., Ltd .: Fuji Tac), polycarbonate (Teijin Chemicals Co., Ltd .: Pure Ace, Kaneka: Elmec Co., Ltd.), cycloolefin polymer (JSR Co., Ltd.) ): Arton, Nippon Zeon Co., Ltd .: Zeonoa), cycloolefin copolymer (Mitsui Chemicals Co., Ltd .: Appel (pellet), Polyplastic Co., Ltd .: Topas (pellet)) Polyarylate (Unitika Co., Ltd.): U100 (pellet) )), Transparent polyimide (Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd .: Neoprim) and the like.
Moreover, as a quarter wavelength plate, the film adjusted to the desired retardation value by extending | stretching said film suitably can be used.

本発明のガスバリアフィルムは透明であること、すなわち、光線透過率が通常80%以上、好ましくは85%以上、さらに好ましくは90%以上である。光線透過率は、JIS−K7105に記載された方法、すなわち積分球式光線透過率測定装置を用いて全光線透過率および散乱光量を測定し、全光線透過率から拡散透過率を引いて算出することができる。
本発明のガスバリアフィルムをディスプレイ用途に用いる場合であっても、観察側に設置しない場合などは必ずしも透明性が要求されない。したがって、このような場合は、プラスチックフィルムとして不透明な材料を用いることもできる。不透明な材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアクリロニトリル、公知の液晶ポリマーなどが挙げられる。
本発明のガスバリアフィルムに用いられるプラスチックフィルムの厚みは、用途によって適宜選択されるので特に制限がないが、典型的には1〜800μmであり、好ましくは10〜200μmである。これらのプラスチックフィルムは、透明導電層、プライマー層等の機能層を有していても良い。機能層については、特開2006−289627号公報の段落番号0036〜0038に詳しく記載されている。これら以外の機能層の例としてはマット剤層、保護層、帯電防止層、平滑化層、密着改良層、遮光層、反射防止層、ハードコート層、応力緩和層、防曇層、防汚層、被印刷層、易接着層等が挙げられる。
The gas barrier film of the present invention is transparent, that is, the light transmittance is usually 80% or more, preferably 85% or more, and more preferably 90% or more. The light transmittance is calculated by measuring the total light transmittance and the amount of scattered light using the method described in JIS-K7105, that is, an integrating sphere light transmittance measuring device, and subtracting the diffuse transmittance from the total light transmittance. be able to.
Even when the gas barrier film of the present invention is used for display, transparency is not necessarily required when it is not installed on the observation side. Therefore, in such a case, an opaque material can be used as the plastic film. Examples of the opaque material include polyimide, polyacrylonitrile, and known liquid crystal polymers.
The thickness of the plastic film used for the gas barrier film of the present invention is appropriately selected depending on the application and is not particularly limited, but is typically 1 to 800 μm, preferably 10 to 200 μm. These plastic films may have functional layers such as a transparent conductive layer and a primer layer. The functional layer is described in detail in paragraph numbers 0036 to 0038 of JP-A-2006-289627. Examples of functional layers other than these include matting agent layers, protective layers, antistatic layers, smoothing layers, adhesion improving layers, light shielding layers, antireflection layers, hard coat layers, stress relaxation layers, antifogging layers, and antifouling layers. , Printing layer, easy adhesion layer and the like.

(無機層)
無機層は、通常、金属化合物からなる薄膜の層である。無機層の形成方法は、目的の薄膜を形成できる方法であればいかなる方法でも用いることができる。例えば、塗布法、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマCVD法などが適しており、具体的には特許第3400324号、特開2002−322561号、特開2002−361774号各公報記載の形成方法を採用することができる。
前記無機層に含まれる成分は、上記性能を満たすものであれば特に限定されないが、例えば、Si、Al、In、Sn、Zn、Ti、Cu、Ce、またはTa等から選ばれる1種以上の金属を含む酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物、酸化窒化炭化物などを用いることができる。これらの中でも、Si、Al、In、Sn、Zn、Tiから選ばれる金属の酸化物、窒化物または酸化窒化物が好ましく、特に、SiまたはAlの金属酸化物、窒化物または酸化窒化物が好ましい。これらは、副次的な成分として他の元素を含有してもよい。
前記無機層の厚みに関しては特に限定されないが、5nm〜500nmの範囲内であることが好ましく、さらに好ましくは、10nm〜200nmである。また、2層以上の無機層を積層してもよい。この場合、各層が同じ組成であっても異なる組成であっても良い。また、上述したとおり、米国公開特許2004−46497号明細書に開示してあるように有機層との界面が明確で無く、組成が膜厚方向で連続的に変化する層であっても良い。
(Inorganic layer)
The inorganic layer is usually a thin film layer made of a metal compound. As a method for forming the inorganic layer, any method can be used as long as it can form a target thin film. For example, a coating method, a sputtering method, a vacuum deposition method, an ion plating method, a plasma CVD method, and the like are suitable, and specifically, Japanese Patent No. 3400324, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-322561, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-361774. The described forming method can be employed.
The component contained in the inorganic layer is not particularly limited as long as it satisfies the above performance, but for example, one or more selected from Si, Al, In, Sn, Zn, Ti, Cu, Ce, Ta, or the like An oxide containing metal, nitride, carbide, oxynitride, oxycarbide, nitride carbide, oxynitride carbide, or the like can be used. Among these, a metal oxide, nitride, or oxynitride selected from Si, Al, In, Sn, Zn, and Ti is preferable, and a metal oxide, nitride, or oxynitride of Si or Al is particularly preferable. . These may contain other elements as secondary components.
Although it does not specifically limit regarding the thickness of the said inorganic layer, It is preferable to exist in the range of 5 nm-500 nm, More preferably, it is 10 nm-200 nm. Two or more inorganic layers may be laminated. In this case, each layer may have the same composition or a different composition. Further, as described above, a layer whose interface with the organic layer is not clear as disclosed in US Patent Publication No. 2004-46497 and whose composition changes continuously in the film thickness direction may be used.

(有機層)
本発明において有機層は、通常ポリマーの層である。有機層は、ポリマーを溶液塗布して設けてもよいし、特開2000−323273号公報、特開2004−25732号公報に開示されているような無機物を含有するハイブリッドコーティング法を用いてもよい。また、ポリマーの前駆体(例えば、モノマー)を成膜後、重合することによりポリマー層を形成させても良い。
(Organic layer)
In the present invention, the organic layer is usually a polymer layer. The organic layer may be provided by applying a polymer solution, or a hybrid coating method containing an inorganic substance as disclosed in JP 2000-323273 A or JP 2004-25732 A may be used. . Alternatively, a polymer layer may be formed by polymerizing a polymer precursor (for example, a monomer) after film formation.

本発明においては、ポリマーとして好ましくはラジカル重合性化合物および/またはエーテル基を官能基に有するカチオン重合性化合物の重合物から構成された有機層である。
(重合性化合物)
本発明で用いる重合性化合物は、エチレン性不飽和結合を末端または側鎖に有する化合物、および/または、エポキシまたはオキセタンを末端または側鎖に有する化合物である。これらのうち、エチレン性不飽和結合を末端または側鎖に有する化合物が好ましい。エチレン性不飽和結合を末端または側鎖に有する化合物の例としては、(メタ)アクリレート系化合物(アクリレートとメタクリレートをあわせて(メタ)アクリレートと表記する)、アクリルアミド系化合物、スチレン系化合物、無水マレイン酸等が挙げられる。
In the present invention, the organic layer is preferably composed of a polymer of a radically polymerizable compound and / or a cationically polymerizable compound having an ether group as a functional group as a polymer.
(Polymerizable compound)
The polymerizable compound used in the present invention is a compound having an ethylenically unsaturated bond at the terminal or side chain and / or a compound having epoxy or oxetane at the terminal or side chain. Of these, compounds having an ethylenically unsaturated bond at the terminal or side chain are preferred. Examples of compounds having an ethylenically unsaturated bond at the terminal or side chain include (meth) acrylate compounds (acrylates and methacrylates are collectively referred to as (meth) acrylates), acrylamide compounds, styrene compounds, and anhydrous maleic compounds. An acid etc. are mentioned.

(メタ)アクリレート系化合物としては、(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレートやポリエステル(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート等が好ましい。
スチレン系化合物としては、スチレン、α−メチルスチレン、4−メチルスチレン、ジビニルベンゼン、4−ヒドロキシスチレン、4−カルボキシスチレン等が好ましい。
As the (meth) acrylate compound, (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate and the like are preferable.
As the styrene compound, styrene, α-methylstyrene, 4-methylstyrene, divinylbenzene, 4-hydroxystyrene, 4-carboxystyrene and the like are preferable.

以下に、(メタ)アクリレート系化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

Figure 2009094050
Although the specific example of a (meth) acrylate type compound is shown below, this invention is not limited to these.
Figure 2009094050

Figure 2009094050
Figure 2009094050

Figure 2009094050
Figure 2009094050

Figure 2009094050
Figure 2009094050

Figure 2009094050
Figure 2009094050

Figure 2009094050
Figure 2009094050

また、上記化合物のほか、例えば、米国特許6083628号明細書、米国特許6214422号明細書に記載の化合物も好ましく用いられる。  In addition to the above compounds, for example, compounds described in US Pat. No. 6,083,628 and US Pat. No. 6,214,422 are also preferably used.

有機層は、平滑で、膜硬度が高いことが好ましい。有機層の平滑性は10μm角の平均粗さ(Ra値)として10nm以下であることが好ましく、2nm以下であることがより好ましい。有機層の膜硬度は鉛筆硬度としてHB以上の硬さを有することが好ましく、H以上の硬さを有することがより好ましい。
有機層の膜厚については特に限定はないが、薄すぎると膜厚の均一性を得ることが困難となるし、厚すぎると外力によりクラックを発生し、バリア性能が低下する。かかる観点から、有機層の厚みは、10nm〜2000nmが好ましく、100nm〜1000nmさらに好ましい。
The organic layer is preferably smooth and has a high film hardness. The smoothness of the organic layer is preferably 10 nm or less, and more preferably 2 nm or less, as an average roughness (Ra value) of 10 μm square. The film hardness of the organic layer preferably has a pencil hardness of HB or higher, and more preferably H or higher.
The film thickness of the organic layer is not particularly limited, but if it is too thin, it will be difficult to obtain film thickness uniformity, and if it is too thick, cracks will be generated by external force and the barrier performance will deteriorate. From this viewpoint, the thickness of the organic layer is preferably 10 nm to 2000 nm, more preferably 100 nm to 1000 nm.

有機層の形成方法としては、通常の溶液塗布法、あるいは真空成膜法等を挙げることができる。溶液塗布法としては、例えばディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、スライドコート法、或いは、米国特許第2681294号明細書に記載のホッパ−を使用するエクストル−ジョンコート法により塗布することができる。真空成膜法としては、特に制限はないが、蒸着、プラズマCVD等の成膜方法が好ましい。  Examples of the method for forming the organic layer include a normal solution coating method or a vacuum film forming method. Examples of the solution coating method include a dip coating method, an air knife coating method, a curtain coating method, a roller coating method, a wire bar coating method, a gravure coating method, a slide coating method, or a hopper described in US Pat. No. 2,681,294. It can apply | coat by the extrusion-coating method which uses-. Although there is no restriction | limiting in particular as a vacuum film-forming method, Film-forming methods, such as vapor deposition and plasma CVD, are preferable.

モノマー重合法としては特に限定は無いが、加熱重合、光(紫外線、可視光線)重合、電子ビーム重合、プラズマ重合、あるいはこれらの組み合わせが好ましく用いられる。加熱重合を行う場合、基材となるプラスチックフィルムは相応の耐熱性を有する必要がある。この場合、少なくとも、加熱温度よりもプラスチックフィルムのガラス転移温度(Tg)が高いことが必要である。
光重合を行う場合は、光重合開始剤を併用する。光重合開始剤の例としてはチバ・スペシャルティー・ケミカルズ社から市販されているイルガキュア(Irgacure)シリーズ(例えば、イルガキュア651、イルガキュア754、イルガキュア184、イルガキュア2959、イルガキュア907、イルガキュア369、イルガキュア379、イルガキュア819など)、ダロキュア(Darocure)シリーズ(例えば、ダロキュアTPO、ダロキュア1173など)、クオンタキュア(Quantacure)PDO、サートマー(Sartomer)社から市販されているエザキュア(Ezacure)シリーズ(例えば、エザキュアTZM、エザキュアTZTなど)等が挙げられる。
照射する光は、通常、高圧水銀灯もしくは低圧水銀灯による紫外線である。照射エネルギーは0.5J/cm2以上が好ましく、2J/cm2以上がより好ましい。アクリレート、メタクリレートは、空気中の酸素によって重合阻害を受けるため、重合時の酸素濃度もしくは酸素分圧を低くすることが好ましい。窒素置換法によって重合時の酸素濃度を低下させる場合、酸素濃度は2%以下が好ましく、0.5%以下がより好ましい。減圧法により重合時の酸素分圧を低下させる場合、全圧が1000Pa以下であることが好ましく、100Pa以下であることがより好ましい。また、100Pa以下の減圧条件下で2J/cm2以上のエネルギーを照射して紫外線重合を行うのが特に好ましい。
The monomer polymerization method is not particularly limited, but heat polymerization, light (ultraviolet ray, visible light) polymerization, electron beam polymerization, plasma polymerization, or a combination thereof is preferably used. When performing heat polymerization, the plastic film used as a base material needs to have appropriate heat resistance. In this case, it is necessary that at least the glass transition temperature (Tg) of the plastic film is higher than the heating temperature.
When carrying out photopolymerization, a photopolymerization initiator is used in combination. Examples of the photopolymerization initiator include Irgacure series (for example, Irgacure 651, Irgacure 754, Irgacure 184, Irgacure 2959, Irgacure 907, Irgacure 369, Irgacure 379, Irgacure, commercially available from Ciba Specialty Chemicals. 819), Darocure series (eg, Darocur TPO, Darocur 1173, etc.), Quantacure PDO, Ezacure series (eg, Ezacure TZM, Ezacure TZT, commercially available from Sartomer). Etc.).
The light to irradiate is usually ultraviolet light from a high pressure mercury lamp or a low pressure mercury lamp. The irradiation energy is preferably 0.5 J / cm 2 or more, and more preferably 2 J / cm 2 or more. Since acrylate and methacrylate are subject to polymerization inhibition by oxygen in the air, it is preferable to lower the oxygen concentration or oxygen partial pressure during polymerization. When the oxygen concentration during polymerization is lowered by the nitrogen substitution method, the oxygen concentration is preferably 2% or less, and more preferably 0.5% or less. When the oxygen partial pressure during polymerization is reduced by the decompression method, the total pressure is preferably 1000 Pa or less, and more preferably 100 Pa or less. Further, it is particularly preferable to perform ultraviolet polymerization by irradiating energy of 2 J / cm 2 or more under a reduced pressure condition of 100 Pa or less.

このとき、モノマーの重合率は80%以上であることが好ましく、85%以上であることがより好ましく、90%以上であることがさらに好ましい。ここでいう重合率とはモノマー混合物中の全ての重合性基(アクリロイル基およびメタクリロイル基)のうち、反応した重合性基の比率を意味する。  At this time, the polymerization rate of the monomer is preferably 80% or more, more preferably 85% or more, and further preferably 90% or more. The polymerization rate here means the ratio of the reacted polymerizable groups among all the polymerizable groups (acryloyl group and methacryloyl group) in the monomer mixture.

(接着層)
接着層は、接着剤を主成分とする層であり、通常、接着層の70重量%以上が、接着剤であることをいい、接着層の80〜90重量%が接着剤であることが好ましい。
接着剤としては、発光素子または表示素子の接着剤として用いられるものが広く採用できるが、好ましくは、エポキシ系接着剤である。ここでエポキシ系接着剤としては、熱硬化型、紫外線硬化型が挙げられる。バリアフィルムが紫外線を吸収するものである場合、熱硬化型が好ましい。熱硬化型の中には1液型、2液混合型があるが、本発明ではいずれでも好ましく用いられる。本発明においては硬化後に無色透明となる接着剤が好ましい。市販品としては、ダイゾーニチモリ製エポテックシリーズ、ナガセケムテックス製XNR−5000シリーズ、スリーボンド製3000シリーズ等が挙げられる。
また、ガスバリアフィルムの表面に接着層が設けられた接着層付ガスバリアフィルムを採用してもよい。このようなガスバリアフィルムを採用することにより、より製造工程が簡略化されるという利点がある。
接着層の厚みに関しては特に限定されないが、2〜100μmの範囲であることが好ましく、さらに好ましくは5〜20μmである。
(Adhesive layer)
The adhesive layer is a layer mainly composed of an adhesive, and usually 70% by weight or more of the adhesive layer is an adhesive, and preferably 80 to 90% by weight of the adhesive layer is an adhesive. .
As the adhesive, those used as an adhesive for a light emitting element or a display element can be widely used, and an epoxy adhesive is preferable. Here, examples of the epoxy adhesive include a thermosetting type and an ultraviolet curing type. When the barrier film absorbs ultraviolet rays, a thermosetting type is preferable. Among thermosetting types, there are a one-component type and a two-component mixed type, and any of them is preferably used in the present invention. In the present invention, an adhesive that becomes colorless and transparent after curing is preferred. Examples of commercially available products include Epotech series made by Daizonichimomori, XNR-5000 series made by Nagase ChemteX, and 3000 series made by ThreeBond.
Moreover, you may employ | adopt the gas barrier film with an adhesive layer by which the adhesive layer was provided in the surface of the gas barrier film. By employing such a gas barrier film, there is an advantage that the manufacturing process is further simplified.
Although it does not specifically limit regarding the thickness of an contact bonding layer, It is preferable that it is the range of 2-100 micrometers, More preferably, it is 5-20 micrometers.

(平滑層)
平滑層は、表面を平滑にするために設ける層であり、次の層の積層を容易にすることができる。平滑層は、発光素子および表示素子に用いられる公知のものが採用できる。例えば、特開2003−251731号公報の段落番号0011に記載のプライマーコート層の作成方法に従って設けることができる。
平滑層の厚みに関しては特に限定されないが、0.5〜10μmの範囲であることが好ましい。
(Smooth layer)
A smooth layer is a layer provided in order to make the surface smooth, and can laminate | stack the next layer easily. As the smooth layer, a known layer used for a light emitting element and a display element can be adopted. For example, it can be provided in accordance with the method for producing a primer coat layer described in paragraph No. 0011 of JP-A-2003-251731.
Although it does not specifically limit regarding the thickness of a smooth layer, It is preferable that it is the range of 0.5-10 micrometers.

(表示素子または発光素子)
本発明における表示素子または発光素子としては、液晶表示素子、有機EL素子、無機EL素子、蛍光表示素子等が挙げられる。
(Display element or light emitting element)
Examples of the display element or the light emitting element in the present invention include a liquid crystal display element, an organic EL element, an inorganic EL element, and a fluorescent display element.

液晶表示素子
反射型液晶表示装置は、下から順に、下基板、反射電極、下配向膜、液晶層、上配向膜、透明電極、上基板、λ/4板、そして偏光膜からなる構成を有する。カラー表示の場合には、さらにカラーフィルター層を反射電極と下配向膜との間、または上配向膜と透明電極との間に設けることが好ましい。
透過型液晶表示装置は、下から順に、バックライト、偏光板、λ/4板、下透明電極、下配向膜、液晶層、上配向膜、上透明電極、上基板、λ/4板および偏光膜からなる構成を有する。カラー表示の場合には、さらにカラーフィルター層を下透明電極と下配向膜との間、または上配向膜と透明電極との間に設けることが好ましい。
液晶セルの種類は特に限定されないが、より好ましくはTN(Twisted Nematic)型、STN(Super Twisted Nematic)型またはHAN(Hybrid Aligned Nematic)型、VA(Vertically Alignment)型、ECB型(Electrically Controlled Birefringence)、OCB型(Optically Compensated Bend)、CPA型(Continuous Pinwheel Alignment)、IPS型(In-Plane Switching)であることが好ましい。
Liquid crystal display element A reflective liquid crystal display device has a configuration comprising, in order from the bottom, a lower substrate, a reflective electrode, a lower alignment film, a liquid crystal layer, an upper alignment film, a transparent electrode, an upper substrate, a λ / 4 plate, and a polarizing film. . In the case of color display, it is preferable to further provide a color filter layer between the reflective electrode and the lower alignment film, or between the upper alignment film and the transparent electrode.
The transmissive liquid crystal display device includes, in order from the bottom, a backlight, a polarizing plate, a λ / 4 plate, a lower transparent electrode, a lower alignment film, a liquid crystal layer, an upper alignment film, an upper transparent electrode, an upper substrate, a λ / 4 plate, and a polarization It has the structure which consists of a film | membrane. In the case of color display, it is preferable to further provide a color filter layer between the lower transparent electrode and the lower alignment film, or between the upper alignment film and the transparent electrode.
The type of the liquid crystal cell is not particularly limited, but more preferably TN (Twisted Nematic) type, STN (Super Twisted Nematic) type, HAN (Hybrid Aligned Nematic) type, VA (Vertically Alignment) type, ECB type (Electrically Controlled Birefringence) OCB type (Optically Compensated Bend), CPA type (Continuous Pinwheel Alignment), and IPS type (In-Plane Switching) are preferable.

タッチパネル
タッチパネルは、特開平5-127822号公報、特開2002-48913号公報等に記載されたものに応用することができる。
Touch Panel The touch panel can be applied to those described in JP-A-5-127822, JP-A-2002-48913, and the like.

有機EL素子
有機EL素子とは、有機エレクトロルミネッセンス素子のことをいう。有機EL素子は、樹脂フィルムまたは樹脂層が設けられた基板の反対側の面上に陰極と陽極を有し、両電極の間に発光層を含む有機化合物層を有する。発光素子の性質上、陽極および陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明である。
Organic EL element An organic EL element means an organic electroluminescence element. An organic EL element has a cathode and an anode on a surface opposite to a substrate provided with a resin film or a resin layer, and an organic compound layer including a light emitting layer between both electrodes. Due to the nature of the light emitting element, at least one of the anode and the cathode is transparent.

本発明における有機化合物層の積層の態様としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。さらに、正孔輸送層と発光層との間、または、発光層と電子輸送層との間には、電荷ブロック層等を有していてもよい。陽極と正孔輸送層との間に、正孔注入層を有してもよく、陰極と電子輸送層との間には、電子注入層を有してもよい。また、発光層としては一層だけでもよく、また、第一発光層、第二発光層、第三発光層等に発光層を分割してもよい。さらに、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。  As an aspect of lamination of the organic compound layer in the present invention, an aspect in which a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer are laminated in this order from the anode side is preferable. Furthermore, a charge blocking layer or the like may be provided between the hole transport layer and the light-emitting layer, or between the light-emitting layer and the electron transport layer. A hole injection layer may be provided between the anode and the hole transport layer, and an electron injection layer may be provided between the cathode and the electron transport layer. Further, the light emitting layer may be a single layer, or the light emitting layer may be divided into a first light emitting layer, a second light emitting layer, a third light emitting layer, and the like. Furthermore, each layer may be divided into a plurality of secondary layers.

陽極
陽極は、通常、有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。上述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。透明陽極については、沢田豊監修「透明電極膜の新展開」シーエムシー刊(1999)に詳述がある。基板として耐熱性の低いプラスチック基材を用いる場合は、ITOまたはIZOを使用し、150℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。
Anode The anode usually has a function as an electrode for supplying holes to the organic compound layer, and there is no particular limitation on the shape, structure, size, etc., depending on the use and purpose of the light-emitting element. Thus, it can be appropriately selected from known electrode materials. As described above, the anode is usually provided as a transparent anode. The transparent anode is described in detail in Yutaka Sawada's “New Development of Transparent Electrode Film” published by CMC (1999). When using a plastic substrate with low heat resistance as the substrate, ITO or IZO is used, and a transparent anode formed at a low temperature of 150 ° C. or lower is preferable.

陰極
陰極は、通常、有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
Cathode The cathode usually has a function as an electrode for injecting electrons into the organic compound layer, and there is no particular limitation on the shape, structure, size, etc., depending on the use and purpose of the light-emitting element. , Can be appropriately selected from known electrode materials.

陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としては2属金属(たとえばMg、Ca等)、金、銀、鉛、アルミニウム、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、2種以上を好適に併用することができる。  Examples of the material constituting the cathode include metals, alloys, metal oxides, electrically conductive compounds, and mixtures thereof. Specific examples include Group 2 metals (eg, Mg, Ca, etc.), gold, silver, lead, aluminum, lithium-aluminum alloys, magnesium-silver alloys, rare earth metals such as indium, ytterbium, and the like. These may be used alone, but two or more can be suitably used in combination from the viewpoint of achieving both stability and electron injection.

これらの中でも、陰極を構成する材料としては、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと0.01〜10質量%のアルカリ金属または2属金属との合金(例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など)をいう。なお、陰極の材料については、特開平2−15595号公報、特開平5−121172号公報に詳述されている。また、陰極と前記有機化合物層との間に、アルカリ金属または2属金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を0.1〜5nmの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。
Among these, as a material constituting the cathode, a material mainly composed of aluminum is preferable.
The material mainly composed of aluminum refers to aluminum alone or an alloy of aluminum and 0.01 to 10% by mass of an alkali metal or a Group 2 metal (for example, lithium-aluminum alloy, magnesium-aluminum alloy, etc.). The cathode material is described in detail in JP-A-2-15595 and JP-A-5-121172. Further, a dielectric layer made of a fluoride or oxide of an alkali metal or a Group 2 metal may be inserted between the cathode and the organic compound layer with a thickness of 0.1 to 5 nm. This dielectric layer can also be regarded as a kind of electron injection layer.

陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常10nm〜5μm程度であり、50nm〜1μmが好ましい。
また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を1〜10nmの厚さに薄く成膜し、さらにITOやIZO等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
The thickness of the cathode can be appropriately selected depending on the material constituting the cathode and cannot be generally defined, but is usually about 10 nm to 5 μm, and preferably 50 nm to 1 μm.
Further, the cathode may be transparent or opaque. The transparent cathode can be formed by depositing a thin cathode material to a thickness of 1 to 10 nm and further laminating a transparent conductive material such as ITO or IZO.

発光層
有機EL素子は、発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有しており、有機発光層以外の他の有機化合物層としては、前述したごとく、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。
Light-Emitting Layer The organic EL element has at least one organic compound layer including a light-emitting layer, and as the organic compound layer other than the organic light-emitting layer, as described above, a hole transport layer, an electron transport layer, a charge Examples of the layer include a block layer, a hole injection layer, and an electron injection layer.

−有機発光層−
有機発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、または正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、または電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子との再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。発光層は、発光材料のみで構成されていてもよく、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でもよい。発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であってもよく、ドーパントは1種であっても2種以上であってもよい。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は1種であっても2種以上であってもよく、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料とを混合した構成が挙げられる。さらに、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいてもよい。また、発光層は1層であっても2層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
-Organic light emitting layer-
The organic light-emitting layer receives holes from the anode, the hole injection layer, or the hole transport layer when an electric field is applied, and receives electrons from the cathode, the electron injection layer, or the electron transport layer, and recombines the holes and electrons. It is a layer having a function of providing light and emitting light. The light emitting layer may be composed of only the light emitting material, or may be a mixed layer of the host material and the light emitting material. The light emitting material may be a fluorescent light emitting material or a phosphorescent light emitting material, and the dopant may be one type or two or more types. The host material is preferably a charge transport material. The host material may be one kind or two or more kinds, and examples thereof include a configuration in which an electron transporting host material and a hole transporting host material are mixed. Furthermore, the light emitting layer may include a material that does not have charge transporting properties and does not emit light. Further, the light emitting layer may be a single layer or two or more layers, and each layer may emit light in different emission colors.

前記蛍光発光材料の例としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、8−キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。   Examples of the fluorescent light-emitting material include, for example, benzoxazole derivatives, benzimidazole derivatives, benzothiazole derivatives, styrylbenzene derivatives, polyphenyl derivatives, diphenylbutadiene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, naphthalimide derivatives, coumarin derivatives, condensed aromatics. Compound, perinone derivative, oxadiazole derivative, oxazine derivative, aldazine derivative, pyralidine derivative, cyclopentadiene derivative, bisstyrylanthracene derivative, quinacridone derivative, pyrrolopyridine derivative, thiadiazolopyridine derivative, cyclopentadiene derivative, styrylamine derivative, di Typical examples include ketopyrrolopyrrole derivatives, aromatic dimethylidin compounds, metal complexes of 8-quinolinol derivatives and metal complexes of pyromethene derivatives. Various metal complexes are, polythiophene, polyphenylene, polyphenylene vinylene polymer compounds include compounds such as organic silane derivatives.

前記燐光発光材料は、例えば、遷移金属原子またはランタノイド原子を含む錯体が挙げられる。
前記遷移金属原子としては、特に限定されないが、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、および白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、および白金である。
前記ランタノイド原子としては、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテシウムが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、およびガドリニウムが好ましい。
Examples of the phosphorescent material include a complex containing a transition metal atom or a lanthanoid atom.
Although it does not specifically limit as said transition metal atom, Preferably, ruthenium, rhodium, palladium, tungsten, rhenium, osmium, iridium, and platinum are mentioned, More preferably, they are rhenium, iridium, and platinum.
Examples of the lanthanoid atom include lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, and lutetium. Among these lanthanoid atoms, neodymium, europium, and gadolinium are preferable.

錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著,Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press社1987年発行、H.Yersin著,「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」 Springer−Verlag社1987年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社1982年発行等に記載の配位子などが挙げられる。   Examples of the ligand of the complex include G. Wilkinson et al., Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press, 1987, H. Yersin, “Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds,” Springer-Verlag, 1987, Akio Yamamoto. Examples of the ligands described in the book “Organic Metal Chemistry-Fundamentals and Applications-” published in 1982 by Hankabosha.

また、発光層に含有されるホスト材料としては、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するものおよびアリールシラン骨格を有するものや、後述の正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の項で例示されている材料が挙げられる。   Examples of the host material contained in the light emitting layer include those having a carbazole skeleton, those having a diarylamine skeleton, those having a pyridine skeleton, those having a pyrazine skeleton, those having a triazine skeleton, and those having an arylsilane skeleton. And materials exemplified in the sections of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, and an electron transport layer described later.

−正孔注入層、正孔輸送層−
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極または陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。正孔注入層、正孔輸送層は、具体的には、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、カーボン、等を含有する層であることが好ましい。
-Hole injection layer, hole transport layer-
The hole injection layer and the hole transport layer are layers having a function of receiving holes from the anode or the anode side and transporting them to the cathode side. Specifically, the hole injection layer and the hole transport layer are carbazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamines. Derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidin compounds, porphyrin compounds, organosilane derivatives, carbon , Etc. are preferable.

−電子注入層、電子輸送層−
電子注入層、電子輸送層は、陰極または陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。電子注入層、電子輸送層は、具体的には、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。
-Electron injection layer, electron transport layer-
The electron injection layer and the electron transport layer are layers having a function of receiving electrons from the cathode or the cathode side and transporting them to the anode side. Specifically, the electron injection layer and the electron transport layer are triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, fluorenone derivatives, anthraquinodimethane derivatives, anthrone derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, Carbodiimide derivatives, fluorenylidenemethane derivatives, distyrylpyrazine derivatives, aromatic tetracarboxylic anhydrides such as naphthalene and perylene, phthalocyanine derivatives, metal complexes of 8-quinolinol derivatives, metal phthalocyanines, benzoxazoles and benzothiazoles as ligands It is preferably a layer containing various metal complexes typified by metal complexes, organosilane derivatives, and the like.

−正孔ブロック層−
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として、正孔ブロック層を設けることができる。また、電子輸送層・電子注入層が正孔ブロック層の機能を兼ねていてもよい。
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、BAlq等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、BCP等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
また、陰極側から発光層に輸送された電子が陽極側に通りぬけることを防止する機能を有する層を、発光層と陽極側で隣接する位置に設けることもできる。正孔輸送層・正孔注入層がこの機能を兼ねていてもよい。
-Hole blocking layer-
The hole blocking layer is a layer having a function of preventing holes transported from the anode side to the light emitting layer from passing through to the cathode side. In the present invention, a hole blocking layer can be provided as an organic compound layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side. In addition, the electron transport layer / electron injection layer may also function as a hole blocking layer.
Examples of the organic compound constituting the hole blocking layer include aluminum complexes such as BAlq, triazole derivatives, phenanthroline derivatives such as BCP, and the like.
In addition, a layer having a function of preventing electrons transported from the cathode side to the light emitting layer from passing through to the anode side can be provided at a position adjacent to the light emitting layer on the anode side. The hole transport layer / hole injection layer may also serve this function.

TFT表示素子
薄膜トランジスタ(TFT)画像表示素子とすることができる。TFTアレイの作製方法としては、特表平10−512104号公報に記載されている方法等が挙げられる。さらにこの基板はカラー表示のためのカラーフィルターを有していてもよい。カラーフィルターはいかなる方法を用いて作製されてもよいが、好ましくはフォトリソグラフィー手法を用いることが好ましい。
TFT display element It can be set as a thin film transistor (TFT) image display element. Examples of the method for producing the TFT array include the method described in JP-T-10-512104. Further, this substrate may have a color filter for color display. The color filter may be produced using any method, but it is preferable to use a photolithography technique.

以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。   The present invention will be described more specifically with reference to the following examples. The materials, amounts used, ratios, processing details, processing procedures, and the like shown in the following examples can be changed as appropriate without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the scope of the present invention is not limited to the specific examples shown below.

(ガスバリアフィルムの作製)
基材フィルム上に無機層と有機層を設けたガスバリアフィルム(試料No.101〜103)を下記の手順にしたがって作製した。各ガスバリアフィルムの構造の詳細は表1に記載されるとおりである。基材フィルムには、ポリエチレンナフタレート(PEN、厚み100μm、帝人デュポン(株)製、Q65A)フィルムを用いた。
(Production of gas barrier film)
A gas barrier film (sample Nos. 101 to 103) in which an inorganic layer and an organic layer were provided on a base film was produced according to the following procedure. Details of the structure of each gas barrier film are as shown in Table 1. Polyethylene naphthalate (PEN, thickness 100 μm, manufactured by Teijin DuPont Co., Ltd., Q65A) film was used as the base film.

[1]無機層(X)の形成
リアクティブスパッタリング装置を用いて、酸化アルミニウムの無機層を形成した。以下に具体的な成膜条件を示す。
リアクティブスパッタリング装置の真空チャンバーを、油回転ポンプとターボ分子ポンプとで到達圧力5×10-4Paまで減圧した。次にプラズマガスとしてアルゴンを導入し、プラズマ電源から電力2000Wを印加した。チャンバー内に高純度の酸素ガスを導入し、成膜圧力を0.3Paになるように調整して一定時間成膜し、酸化アルミニウムの無機層を形成した。得られた酸化アルミニウム膜は、膜厚が40nmで、膜密度が3.01g/cm3であった。
[1] Formation of inorganic layer (X) An inorganic layer of aluminum oxide was formed using a reactive sputtering apparatus. Specific film forming conditions are shown below.
The vacuum chamber of the reactive sputtering apparatus was evacuated to an ultimate pressure 5 × 10 -4 Pa by an oil rotary pump and a turbo molecular pump. Next, argon was introduced as a plasma gas, and power of 2000 W was applied from a plasma power source. A high-purity oxygen gas was introduced into the chamber, the film formation pressure was adjusted to 0.3 Pa, and the film was formed for a certain period of time to form an aluminum oxide inorganic layer. The obtained aluminum oxide film had a thickness of 40 nm and a film density of 3.01 g / cm 3 .

[2]有機層(Y、Z)の形成
有機層は、常圧下での溶剤塗布による成膜方法(有機層Y)と、減圧下でフラッシュ蒸着法による成膜方法(有機層Z)の2通りを用いて行った。以下に具体的な成膜内容を示す。
有機層(Y)の成膜
光重合性アクリレートとしてトリプロピレングリコールジアクリレート(TPGDA、ダイセル・サイテック製)9g、および光重合開始剤(チバ・スペシャリティ・ケミカルズ製、イルガキュア907)0.1gを、メチルエチルケトン190gに溶解させて塗布液とした。この塗布液を、ワイヤーバーを用いて基材フィルム上に塗布し、酸素濃度0.1%以下の窒素パージ下で160W/cmの空冷メタルハライドランプ(アイグラフィックス(株)製)を用いて、照度350mW/cm2、照射量500mJ/cm2の紫外線を照射して有機層Yを形成した。膜厚は、約500nmであった。
[2] Formation of organic layer (Y, Z) The organic layer is formed by two methods: a film formation method (organic layer Y) by solvent coating under normal pressure and a film formation method (organic layer Z) by flash vapor deposition under reduced pressure. Done using the street. Specific film formation contents are shown below.
Film formation of organic layer (Y) 9 g of tripropylene glycol diacrylate (TPGDA, manufactured by Daicel Cytec) as photopolymerizable acrylate, and 0.1 g of photopolymerization initiator (manufactured by Ciba Specialty Chemicals, Irgacure 907), methyl ethyl ketone It was dissolved in 190 g to obtain a coating solution. This coating solution was applied onto a base film using a wire bar, and a 160 W / cm air-cooled metal halide lamp (manufactured by Eye Graphics Co., Ltd.) under a nitrogen purge with an oxygen concentration of 0.1% or less, The organic layer Y was formed by irradiating ultraviolet rays having an illuminance of 350 mW / cm 2 and an irradiation amount of 500 mJ / cm 2 . The film thickness was about 500 nm.

有機層(Z)の成膜
光重合性アクリレートとしてブチルエチルプロパンジオールジアクリレート(BEPGA、共栄社化学製)9.7g、および光重合開始剤(Lamberti spa製、EZACURE−TZT)0.3gを混合し蒸着液とした。この蒸着液を、真空チャンバーの内圧が3Paの条件でフラッシュ蒸着法により基板に蒸着した。続いて同じ真空度の条件で、照射量2J/cm2の紫外線を照射して有機層Zを形成した。膜厚は、約1200nmであった。有機層Zの形成には、有機無機積層成膜装置Guardian200(ヴァイテックス・システムズ社製)を用いて実施した。
Film formation of organic layer (Z) 9.7 g of butylethylpropanediol diacrylate (BEPGA, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) and 0.3 g of a photopolymerization initiator (Lamberti spa, EZACURE-TZT) were mixed as a photopolymerizable acrylate. A vapor deposition solution was used. This vapor deposition solution was vapor-deposited on the substrate by a flash vapor deposition method under the condition that the internal pressure of the vacuum chamber was 3 Pa. Then the conditions of the same degree of vacuum, thereby forming an organic layer Z and an irradiation dose of 2J / cm 2. The film thickness was about 1200 nm. The organic layer Z was formed using an organic / inorganic laminated film forming apparatus Guardian 200 (manufactured by Vytex Systems).

[3]ガスバリアフィルムの作製
ガスバリアフィルムは、基材フィルムに上記の無機層と有機層を表1に記載された各試料の構成に従って順次形成することで作製した。また作製の方法は、次の2通りで行った。
[3−1]溶剤塗布による有機層形成と減圧下での無機層形成を繰り返す方法(積層A)
基板上に有機層と無機層を交互に積層した。有機層の上に無機層を積層する時は、溶剤塗布で有機層を成膜した後に真空チャンバーに入れて減圧し、真空度が10-3Pa以下の状態で一定時間保持してから無機層を成膜した。また無機層の上に有機層を積層する時は、無機層を成膜後直ちに、溶剤塗布で有機層を成膜した。
[3−2]減圧下で有機層と無機層を一貫成膜する方法(積層B)
上述の有機無機積層成膜装置Guardian200を用い、有機層と無機層を積層した。この装置は、有機層および無機層とも減圧環境下で成膜を行い、且つ有機層と無機層の成膜チャンバーが連結しているので、減圧環境下で連続成膜することが可能である。そのため、バリア層が完成するまで大気に開放されることがない。
[3] Production of gas barrier film The gas barrier film was produced by sequentially forming the inorganic layer and the organic layer on the base film according to the constitution of each sample described in Table 1. The production method was performed in the following two ways.
[3-1] Method of repeating organic layer formation by solvent coating and inorganic layer formation under reduced pressure (Lamination A)
Organic layers and inorganic layers were alternately laminated on the substrate. When laminating an inorganic layer on top of an organic layer, the organic layer is formed by solvent application, and then placed in a vacuum chamber and depressurized, and after maintaining for a certain time in a state where the degree of vacuum is 10 −3 Pa or less, Was deposited. When the organic layer was laminated on the inorganic layer, the organic layer was formed by solvent coating immediately after the inorganic layer was formed.
[3-2] Method for consistently forming an organic layer and an inorganic layer under reduced pressure (Lamination B)
The organic layer and the inorganic layer were laminated | stacked using the above-mentioned organic-inorganic laminated film-forming apparatus Guardian200. In this apparatus, both the organic layer and the inorganic layer are formed in a reduced pressure environment, and the organic and inorganic layer forming chambers are connected. Therefore, it is possible to continuously form the film in a reduced pressure environment. Therefore, it is not released to the atmosphere until the barrier layer is completed.

Figure 2009094050
Figure 2009094050

有機EL素子の作製
(比較例1)
[1]ボトムエミッション型有機EL素子基板の作製
ITO膜を有する導電性のガラス基板(表面抵抗値10Ω/□)を2−プロパノールで洗浄した後、10分間UV−オゾン処理を行った。この基板(陽極)上に真空蒸着法にて以下の有機化合物層を順次蒸着した。
(第1正孔輸送層)
銅フタロシアニン:膜厚10nm
(第2正孔輸送層)
N,N’−ジフェニル−N,N’−ジナフチルベンジジン:膜厚40nm
(発光層兼電子輸送層)
トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム:膜厚60nm
最後にフッ化リチウムを1nm、金属アルミニウムを100nm順次蒸着して陰極とし、その上に厚さ3μm窒化珪素膜を平行平板CVD法によって付け、有機EL素子を作製した。
Preparation of organic EL element (Comparative Example 1)
[1] Production of Bottom Emission Type Organic EL Element Substrate A conductive glass substrate having an ITO film (surface resistance value 10Ω / □) was washed with 2-propanol and then subjected to UV-ozone treatment for 10 minutes. The following organic compound layers were sequentially deposited on this substrate (anode) by vacuum deposition.
(First hole transport layer)
Copper phthalocyanine: film thickness 10nm
(Second hole transport layer)
N, N′-diphenyl-N, N′-dinaphthylbenzidine: film thickness 40 nm
(Light emitting layer and electron transport layer)
Tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum: film thickness 60nm
Finally, 1 nm of lithium fluoride and 100 nm of metal aluminum were sequentially deposited to form a cathode, and a 3 μm thick silicon nitride film was formed thereon by a parallel plate CVD method to produce an organic EL device.

[2]有機EL素子上へのガスバリアフィルムの設置
熱硬化型の接着剤(エポテック310、ダイゾーニチモリ(株))を用いて、ガスバリアフィルムと有機EL素子基板を、ガスバリア層側が有機EL素子の側となるように貼り合せ、65℃で3時間加熱して接着剤を硬化させた。このようにして封止された有機EL素子(試料No.201〜203)を各20素子ずつ作製した。
[2] Installation of gas barrier film on organic EL element Using a thermosetting adhesive (Epotec 310, Daizonitomoly Co., Ltd.), the gas barrier film and the organic EL element substrate are disposed on the side of the organic EL element. Then, the adhesive was cured by heating at 65 ° C. for 3 hours. 20 organic EL elements (Sample Nos. 201 to 203) sealed in this way were produced.

(比較例2)
[1]トップエミッション型有機EL素子基板の作製
ITO膜を有する導電性のガラス基板(表面抵抗値10Ω/□)を2−プロパノールで洗浄した後、10分間UV−オゾン処理を行った。この基板(陽極)上に真空蒸着法にて以下の有機化合物層を順次蒸着した。
(第1正孔輸送層)
銅フタロシアニン:膜厚10nm
(第2正孔輸送層)
N,N’−ジフェニル−N,N’−ジナフチルベンジジン:膜厚40nm
(発光層兼電子輸送層)
トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム:膜厚60nm
(電子注入層)
フッ化リチウム:厚膜1nm
(透明陰極と保護層)
銀:膜厚10nm、その上にITOを100nmを順次蒸着して透明陰極とし、その上に厚さ3μm窒化珪素膜を平行平板CVD法によって付け、有機EL素子を作製した。
(Comparative Example 2)
[1] Production of Top Emission Type Organic EL Element Substrate A conductive glass substrate having an ITO film (surface resistance value 10Ω / □) was washed with 2-propanol, and then subjected to UV-ozone treatment for 10 minutes. The following organic compound layers were sequentially deposited on this substrate (anode) by vacuum deposition.
(First hole transport layer)
Copper phthalocyanine: film thickness 10nm
(Second hole transport layer)
N, N′-diphenyl-N, N′-dinaphthylbenzidine: film thickness 40 nm
(Light emitting layer and electron transport layer)
Tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum: film thickness 60nm
(Electron injection layer)
Lithium fluoride: thick film 1nm
(Transparent cathode and protective layer)
Silver: 10 nm in thickness and 100 nm of ITO were sequentially deposited thereon to form a transparent cathode, and a 3 μm thick silicon nitride film was attached thereon by a parallel plate CVD method to produce an organic EL device.

[2]有機EL素子上へのガスバリアフィルムの設置
比較例1と同様にして、ガスバリアフィルムを有機EL素子に貼り合わせ、有機EL素子(試料No.301〜303)を各20素子ずつ作製した。
[2] Installation of Gas Barrier Film on Organic EL Element In the same manner as in Comparative Example 1, the gas barrier film was bonded to the organic EL element to prepare 20 organic EL elements (Sample Nos. 301 to 303).

(実施例1)
比較例1において、ガラス基板を、以下の基板に代えて他は同様に行い、有機EL素子(試料No.401〜403)を各20素子ずつ作製した。
基板の調整
ガラス基板(厚み:400μm)と、ポリエチレンナフタレート(PEN、厚み100μm、帝人デュポン(株)製、Q65A)フィルムを、熱硬化型の接着剤(エポテック310、ダイゾーニチモリ(株))を用いて貼り合せ、65℃で3時間加熱して接着剤を硬化させた。得られたPENフィルム・ガラス基板積層体を、フッ化水素酸液に浸漬し、ガラスが約200μmの厚さまでエッチングされたところで引揚げた。
Example 1
In Comparative Example 1, the glass substrate was replaced with the following substrate in the same manner, and 20 organic EL elements (Sample Nos. 401 to 403) were produced.
Preparation of substrate Glass substrate (thickness: 400 μm), polyethylene naphthalate (PEN, thickness 100 μm, manufactured by Teijin DuPont Co., Ltd., Q65A) film, thermosetting adhesive (Epotech 310, Daizonichi Mori Co., Ltd.) The adhesive was cured by heating at 65 ° C. for 3 hours. The obtained PEN film / glass substrate laminate was immersed in a hydrofluoric acid solution and pulled up when the glass was etched to a thickness of about 200 μm.

(実施例2)
比較例1において、ガラス基板を、以下の基板に代えて他は同様に行い、有機EL素子(試料No.501〜503)を各20素子ずつ作製した。
基板の調整
ガラス基板(厚み:400μm)上に、エポキシ樹脂を厚みが0.1mmになるように塗布し、150℃で、1時間)加熱して硬化させた。得られたエポキシ樹脂層・ガラス基板積層体を、フッ化水素酸液に浸漬し、ガラスが約200μmの厚さまでエッチングされたところで引揚げた。
(Example 2)
In Comparative Example 1, the glass substrate was replaced with the following substrate in the same manner, and 20 organic EL elements (Sample Nos. 501 to 503) were produced.
Preparation of substrate On a glass substrate (thickness: 400 μm), an epoxy resin was applied to a thickness of 0.1 mm, and cured by heating at 150 ° C. for 1 hour. The obtained epoxy resin layer / glass substrate laminate was immersed in a hydrofluoric acid solution and pulled up when the glass was etched to a thickness of about 200 μm.

(実施例3)
比較例2において、ガラス基板を実施例1で用いたものに置き換え、他は同様に行って有機EL素子(試料No.601〜603)を各20素子ずつ作製した。
(Example 3)
In Comparative Example 2, the glass substrate was replaced with that used in Example 1, and the others were carried out in the same manner to produce organic EL elements (Sample Nos. 601 to 603) each for 20 elements.

(実施例4)
比較例2において、ガラス基板を実施例2で用いたものに置き換え、他は同様に行って有機EL素子(試料No.701〜703)を各20素子ずつ作製した。
Example 4
In Comparative Example 2, the glass substrate was replaced with that used in Example 2, and the others were carried out in the same manner to produce 20 organic EL elements (Sample Nos. 701 to 703).

(実施例5)
比較例1において、ガラス基板を、以下の基板に代えて他は同様に行い、有機EL素子(試料No.801〜803)を各20素子ずつ作製した。
基板の調整
ガラス基板(厚み:400μm)と、円偏光フィルム(厚み280μm、製造元:(株)美館イメージング)を、熱硬化型の接着剤(エポテック310、ダイゾーニチモリ(株))を用いて貼り合せ、65℃で3時間加熱して接着剤を硬化させた。得られた円偏光フィルム・ガラス基板積層体を、フッ化水素酸液に浸漬し、ガラスが約200μmの厚さまでエッチングされたところで引揚げた。
(Example 5)
In Comparative Example 1, the glass substrate was replaced with the following substrate in the same manner, and 20 organic EL elements (Sample Nos. 801 to 803) were produced.
Substrate adjustment A glass substrate (thickness: 400 μm) and a circularly polarizing film (thickness: 280 μm, manufacturer: Bikan Imaging Co., Ltd.) are attached using a thermosetting adhesive (Epotech 310, Daizonichi Mori Co., Ltd.) Combined and heated at 65 ° C. for 3 hours to cure the adhesive. The obtained circularly polarizing film / glass substrate laminate was dipped in a hydrofluoric acid solution and pulled up when the glass was etched to a thickness of about 200 μm.

(実施例6)
比較例1において、ガラス基板を、以下の基板に代えて他は同様に行い、有機EL素子(試料No.901〜903)を各20素子ずつ作製した。
基板の調整
ガラス基板(厚み:400μm)と、光拡散フィルム(厚み100μm、富士フイルム製、UAフィルム)を、熱硬化型の接着剤(エポテック310、ダイゾーニチモリ(株))を用いて貼り合せ、65℃で3時間加熱して接着剤を硬化させた。得られた光拡散フィルム・ガラス基板積層体を、フッ化水素酸液に浸漬し、ガラスが約200μmの厚さまでエッチングされたところで引揚げた。
(Example 6)
In Comparative Example 1, the glass substrate was replaced with the following substrate in the same manner, and 20 organic EL elements (sample Nos. 901 to 903) were produced.
Preparation of substrate A glass substrate (thickness: 400 μm) and a light diffusion film (thickness 100 μm, manufactured by Fuji Film, UA film) are bonded together using a thermosetting adhesive (Epotech 310, Daizonichi Mori Co., Ltd.) The adhesive was cured by heating at 65 ° C. for 3 hours. The obtained light diffusing film / glass substrate laminate was immersed in a hydrofluoric acid solution and pulled up when the glass was etched to a thickness of about 200 μm.

得られた試料について、サイズ2cm角のものを、高さ50cmからコンクリートの床面に落下させガラスが割れるかどうか調べたところ、比較例1、2の有機EL素子では、ガラスが割れたが、実施例1〜6の有機EL素子ではガラスが割れなかった。   About the obtained sample, when a glass of 2 cm square size was dropped from a height of 50 cm onto a concrete floor to determine whether the glass was broken, in the organic EL elements of Comparative Examples 1 and 2, the glass was broken. In the organic EL elements of Examples 1 to 6, the glass was not broken.

また、比較例1、2、実施例1〜6の有機EL素子について、下記の方法に従って、厚みムラを測定したところ、比較例1および2の有機EL素子は、厚みムラが100μm以上であり、実施例1〜6の有機EL素子は、厚みムラが50μm以下であることが確認された。
(厚みムラの測定方法)
サイズ2cm角の有機EL素子の角部の4点(有機EL素子の対角線上であって、角から0.1mmの位置の点)の厚みの平均と、2本の対角線が交わる点の厚みの差を厚みムラとした。
Moreover, when the thickness unevenness was measured according to the following method for the organic EL elements of Comparative Examples 1 and 2 and Examples 1 to 6, the organic EL elements of Comparative Examples 1 and 2 had a thickness unevenness of 100 μm or more. As for the organic EL element of Examples 1-6, it was confirmed that thickness nonuniformity is 50 micrometers or less.
(Thickness unevenness measurement method)
The average thickness of four corners of an organic EL element having a size of 2 cm square (on the diagonal line of the organic EL element and located at a position of 0.1 mm from the corner) and the thickness at the point where the two diagonal lines intersect The difference was regarded as uneven thickness.

有機層において用いるアクリレートを、上記に例示したビスフェノール系アクリレート化合物に置き換えても、同様の効果が得られた。  Even when the acrylate used in the organic layer was replaced with the bisphenol acrylate compound exemplified above, the same effect was obtained.

本発明の製造方法では、素子の製造メーカーの製造時のハンドリング性が向上し、歩留まりが向上するという利点がある。   The manufacturing method of the present invention has an advantage that the handling property at the time of manufacture of the device manufacturer is improved and the yield is improved.

図1は、本発明の発光素子または表示素子の一例を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic view showing an example of a light emitting device or a display device of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 樹脂フィルム
2 ガラス基板
3 発光デバイス積層体または表示デバイス積層体
4 ガスバリアフィルム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Resin film 2 Glass substrate 3 Light emitting device laminated body or display device laminated body 4 Gas barrier film

Claims (15)

樹脂フィルムまたは樹脂層と、ガラス基板と、発光デバイス積層体または表示デバイス積層体と、ガスバリアフィルムとを、該順に有する、発光素子または表示素子。 A light-emitting element or display element comprising a resin film or resin layer, a glass substrate, a light-emitting device laminate or a display device laminate, and a gas barrier film in that order. 樹脂フィルムまたは樹脂層が、円偏光機能を有する、請求項1に記載の発光素子または表示素子。 The light emitting element or display element of Claim 1 in which a resin film or a resin layer has a circularly-polarizing function. 樹脂フィルムまたは樹脂層が、光拡散機能を有する、請求項1に記載の発光素子または表示素子。 The light emitting element or display element of Claim 1 in which a resin film or a resin layer has a light-diffusion function. ガラス基板の厚さが、100μm〜300μmである、請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光素子または表示素子。 The light emitting element or display element of any one of Claims 1-3 whose thickness of a glass substrate is 100 micrometers-300 micrometers. 発光デバイス積層体または表示デバイス積層体と、ガスバリアフィルムとの間に接着層を有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光素子または表示素子。 The light emitting element or display element of any one of Claims 1-4 which has an contact bonding layer between a light emitting device laminated body or a display device laminated body, and a gas barrier film. ガスバリアフィルムが、接着層を有する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の発光素子または表示素子。 The light emitting element or display element of any one of Claims 1-5 in which a gas barrier film has an contact bonding layer. 樹脂フィルムと、ガラス基板との間に、接着層を有する、請求項1〜6のいずれか1項に記載の発光素子または表示素子。 The light emitting element or display element of any one of Claims 1-6 which has an contact bonding layer between a resin film and a glass substrate. 樹脂フィルムまたは樹脂層の厚さが、10〜1000μmである、請求項1〜7のいずれか1項に記載の発光素子または表示素子。 The light emitting element or display element of any one of Claims 1-7 whose thickness of a resin film or a resin layer is 10-1000 micrometers. ガラス基板と、発光デバイス積層体または表示デバイス積層体との間に、平滑層を有する、請求項1〜8のいずれか1項に記載の発光素子または表示素子。 The light emitting element or display element of any one of Claims 1-8 which has a smooth layer between a glass substrate and a light emitting device laminated body or a display device laminated body. 前記平滑層の厚さが、0.5〜10μmである、請求項1〜9のいずれか1項に記載の発光素子または表示素子。 The light emitting element or display element of any one of Claims 1-9 whose thickness of the said smooth layer is 0.5-10 micrometers. ガラス基板の厚みムラが、100μm以下である、請求項1〜10のいずれか1項に記載の発光素子または表示素子。 The light emitting element or display element of any one of Claims 1-10 whose thickness nonuniformity of a glass substrate is 100 micrometers or less. ガスバリアフィルムは、基材フィルム上に、少なくとも1つの有機領域と少なくとも1つの無機領域を有する、請求項1〜11のいずれか1項に記載の発光素子または表示素子。 The light-emitting element or display element according to any one of claims 1 to 11, wherein the gas barrier film has at least one organic region and at least one inorganic region on the base film. 請求項1〜12のいずれか1項に記載の発光素子または表示素子の製造方法であって、樹脂フィルムとガラス基板を貼り合わせた後に、エッチングしてから、発光デバイス積層体または表示デバイス積層体を設けることを特徴とする、製造方法。 It is a manufacturing method of the light emitting element or display element of any one of Claims 1-12, Comprising: After bonding a resin film and a glass substrate, after etching, a light emitting device laminated body or a display device laminated body The manufacturing method characterized by providing. 請求項13の製造方法により製造した、発光素子または表示素子。 A light emitting device or a display device manufactured by the manufacturing method according to claim 13. 発光素子または表示素子が、有機EL素子である、請求項1〜12、14に記載の発光素子または表示素子。 The light emitting element or the display element according to claim 1, wherein the light emitting element or the display element is an organic EL element.
JP2008134080A 2007-09-19 2008-05-22 Light-emitting element or display element, and manufacturing method of them Abandoned JP2009094050A (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008134080A JP2009094050A (en) 2007-09-19 2008-05-22 Light-emitting element or display element, and manufacturing method of them
US12/209,984 US8033882B2 (en) 2007-09-19 2008-09-12 Light-emitting device or display device, and method for producing them
KR1020080091098A KR20090030227A (en) 2007-09-19 2008-09-17 Light emitting element or display element, and method of manufacturing the same
EP08016446A EP2040314A1 (en) 2007-09-19 2008-09-18 Light-emitting device or display device, and method for producing them

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007242716 2007-09-19
JP2008134080A JP2009094050A (en) 2007-09-19 2008-05-22 Light-emitting element or display element, and manufacturing method of them

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009094050A true JP2009094050A (en) 2009-04-30

Family

ID=40494146

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008134080A Abandoned JP2009094050A (en) 2007-09-19 2008-05-22 Light-emitting element or display element, and manufacturing method of them

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2009094050A (en)
KR (1) KR20090030227A (en)
CN (1) CN101393969A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011014483A (en) * 2009-07-06 2011-01-20 Seiko Epson Corp Electro-optical device, method for manufacturing electro-optical device and electronic equipment
JP2013137888A (en) * 2011-12-28 2013-07-11 Sekisui Chem Co Ltd Barrier film and device element sealing structure
WO2014171504A1 (en) * 2013-04-19 2014-10-23 コニカミノルタ株式会社 Glass laminate
WO2016080431A1 (en) * 2014-11-20 2016-05-26 日東電工株式会社 Circular polarization plate for organic el display device and organic el display device
JP2016105166A (en) * 2014-11-20 2016-06-09 日東電工株式会社 Circular polarization plate for organic el display device and organic el display device
JP2020160473A (en) * 2014-06-30 2020-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 Light emission device and mobile information terminal

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103299448B (en) * 2010-09-29 2016-09-07 Posco公司 Use the manufacture method of flexible electronic device, flexible electronic device and the flexible base board of roll shape mother substrate
US9891361B2 (en) * 2011-08-05 2018-02-13 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
CN104659051B (en) * 2013-11-20 2018-11-23 昆山国显光电有限公司 Organic light emitting diode display
KR102054754B1 (en) 2015-02-04 2019-12-11 후지필름 가부시키가이샤 Image display device
CN108365117A (en) * 2018-01-31 2018-08-03 昆山国显光电有限公司 Encapsulating structure and encapsulating method and structure preparation facilities

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11329715A (en) * 1998-04-02 1999-11-30 Cambridge Display Technol Ltd Flexible substrate for organic device, and organic device and production of the same
JP2000133465A (en) * 1998-10-30 2000-05-12 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> Electroluminescent element and its manufacture
JP2002184566A (en) * 2000-12-11 2002-06-28 Canon Inc Electroluminescent element and manufacturing method
JP2002359068A (en) * 2001-05-31 2002-12-13 Seiko Epson Corp El device, el display, el lighting system, liquid crystal device using this lighting system and electronic equipment
JP2002361774A (en) * 2001-06-08 2002-12-18 Dainippon Printing Co Ltd Gas barrier film
JP2003251731A (en) * 2002-03-06 2003-09-09 Dainippon Printing Co Ltd Gas-barrier vapor deposition laminate
JP2003295791A (en) * 2002-03-29 2003-10-15 Dainippon Printing Co Ltd Method of manufacturing base material for display element
JP2003337549A (en) * 2002-05-17 2003-11-28 Asahi Glass Co Ltd Substrate for flat panel display, display device, organic electroluminescence element, and liquid crystal display element
JP2004046115A (en) * 2002-05-17 2004-02-12 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Display device and method for manufacturing the same
JP2004079432A (en) * 2002-08-21 2004-03-11 Nitto Denko Corp Transparent gas barrier member and organic electroluminescent element using it
US20040046497A1 (en) * 2002-09-11 2004-03-11 General Electric Company Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same
JP2005150076A (en) * 2003-11-14 2005-06-09 Samsung Sdi Co Ltd Organic electroluminescent display device and its manufacturing method
JP2006059542A (en) * 2004-08-17 2006-03-02 Mitsubishi Rayon Co Ltd El device
JP2006289627A (en) * 2005-04-06 2006-10-26 Fuji Photo Film Co Ltd Gas barrier film and organic device using the same
JP2007080551A (en) * 2005-09-12 2007-03-29 Seiko Instruments Inc Method for manufacturing organic electronic device
JP2007220563A (en) * 2006-02-18 2007-08-30 Seiko Instruments Inc Method of manufacturing organic electronic device

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11329715A (en) * 1998-04-02 1999-11-30 Cambridge Display Technol Ltd Flexible substrate for organic device, and organic device and production of the same
JP2000133465A (en) * 1998-10-30 2000-05-12 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> Electroluminescent element and its manufacture
JP2002184566A (en) * 2000-12-11 2002-06-28 Canon Inc Electroluminescent element and manufacturing method
JP2002359068A (en) * 2001-05-31 2002-12-13 Seiko Epson Corp El device, el display, el lighting system, liquid crystal device using this lighting system and electronic equipment
JP2002361774A (en) * 2001-06-08 2002-12-18 Dainippon Printing Co Ltd Gas barrier film
JP2003251731A (en) * 2002-03-06 2003-09-09 Dainippon Printing Co Ltd Gas-barrier vapor deposition laminate
JP2003295791A (en) * 2002-03-29 2003-10-15 Dainippon Printing Co Ltd Method of manufacturing base material for display element
JP2003337549A (en) * 2002-05-17 2003-11-28 Asahi Glass Co Ltd Substrate for flat panel display, display device, organic electroluminescence element, and liquid crystal display element
JP2004046115A (en) * 2002-05-17 2004-02-12 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Display device and method for manufacturing the same
JP2004079432A (en) * 2002-08-21 2004-03-11 Nitto Denko Corp Transparent gas barrier member and organic electroluminescent element using it
US20040046497A1 (en) * 2002-09-11 2004-03-11 General Electric Company Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same
JP2005150076A (en) * 2003-11-14 2005-06-09 Samsung Sdi Co Ltd Organic electroluminescent display device and its manufacturing method
JP2006059542A (en) * 2004-08-17 2006-03-02 Mitsubishi Rayon Co Ltd El device
JP2006289627A (en) * 2005-04-06 2006-10-26 Fuji Photo Film Co Ltd Gas barrier film and organic device using the same
JP2007080551A (en) * 2005-09-12 2007-03-29 Seiko Instruments Inc Method for manufacturing organic electronic device
JP2007220563A (en) * 2006-02-18 2007-08-30 Seiko Instruments Inc Method of manufacturing organic electronic device

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011014483A (en) * 2009-07-06 2011-01-20 Seiko Epson Corp Electro-optical device, method for manufacturing electro-optical device and electronic equipment
JP2013137888A (en) * 2011-12-28 2013-07-11 Sekisui Chem Co Ltd Barrier film and device element sealing structure
WO2014171504A1 (en) * 2013-04-19 2014-10-23 コニカミノルタ株式会社 Glass laminate
JPWO2014171504A1 (en) * 2013-04-19 2017-02-23 コニカミノルタ株式会社 Glass laminate
JP2020160473A (en) * 2014-06-30 2020-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 Light emission device and mobile information terminal
WO2016080431A1 (en) * 2014-11-20 2016-05-26 日東電工株式会社 Circular polarization plate for organic el display device and organic el display device
JP2016105166A (en) * 2014-11-20 2016-06-09 日東電工株式会社 Circular polarization plate for organic el display device and organic el display device
US20180284332A1 (en) * 2014-11-20 2018-10-04 Nitto Denko Corporation Circular polarization plate for organic el display device and organic el display device
US10520656B2 (en) 2014-11-20 2019-12-31 Nitto Denko Corporation Circular polarization plate for organic EL display device and organic EL display device
US10613263B2 (en) 2014-11-20 2020-04-07 Nitto Denko Corporation Circular polarization plate for organic EL display device and organic EL display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090030227A (en) 2009-03-24
CN101393969A (en) 2009-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009094050A (en) Light-emitting element or display element, and manufacturing method of them
JP5161470B2 (en) GAS BARRIER LAMINATED FILM, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND IMAGE DISPLAY ELEMENT
JP5174517B2 (en) Gas barrier film and organic device using the same
US8033882B2 (en) Light-emitting device or display device, and method for producing them
JP2009083465A (en) Gas-barrier film and display element using this gas-barrier film
JP5139153B2 (en) Gas barrier film and organic device using the same
JP2009076232A (en) Environment-sensitive device, and method for sealing environment-sensitive element
JP2009090633A (en) Gas-barrier film, its manufacturing method, and electronic device using gas-barrier film
US8101288B2 (en) Gas barrier film and organic device using the same
JP2008087163A (en) Gas barrier laminated film and image display element using it
JP2007118564A (en) Gas barrier material, its production process, and method for mounting gas barrier layer
JP2009067040A (en) Composite gas-barrier film and display element using the same
JP2009090632A (en) Laminated film and light emitting element or display element using the same
JP4995137B2 (en) Gas barrier film and organic device using the same
US8067085B2 (en) Gas barrier film, and display device comprising the same
JP2009081123A (en) Top emission type organic el element, and its manufacturing method
US20080303431A1 (en) Gas barrier film and organic device using the same
JP2009081122A (en) Method of manufacturing organic el device sealed with gas barrier film and organic el device sealed with gas barrier film
JP2009081124A (en) Method of manufacturing image display device, and method of cleaning gas barrier film
JP2009094051A (en) Manufacturing method of transparent conductive film, and the transparent conductive film
JP2009298135A (en) Laminate film and method for improving heat dissipation capacity of gas-barrier film
JP2009094049A (en) Patterning method and display element
JP2010205548A (en) Organic el element and method of manufacturing the same
JP5259247B2 (en) Method for sealing display element and method for manufacturing display element sealed with gas barrier film
JP5232528B2 (en) ENVIRONMENTAL SENSITIVE DEVICE SEALING METHOD AND IMAGE DISPLAY ELEMENT

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110207

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120316

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120410

A762 Written abandonment of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762

Effective date: 20120517