JP2009077028A

JP2009077028A - Antenna equipment and communication equipment

Info

Publication number: JP2009077028A
Application number: JP2007242198A
Authority: JP
Inventors: Shigeya Aoyama; ▲恵▼哉青山; Naoki Otaka; 直樹大鷹; Masaki Shibata; 正樹柴田; Manabu Sato; 学佐藤
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 2007-09-19
Filing date: 2007-09-19
Publication date: 2009-04-09

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique providing an antenna having a wide frequency band. <P>SOLUTION: The antenna equipment is provided with a feed element and a passive element. The feed element includes a feed part, a linear matching element one end of which is connected to the feed part, and an expansion plate part which is connected to the other end of the matching element and has a part wider as it goes away from the other end. The passive element includes a passive element plate part placed almost in parallel to the expansion plate part. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、アンテナ装置に関するものである。 The present invention relates to an antenna device.

携帯電話や無線ネットワーク端末等の無線通信機器が広く普及している。このような無線通信機器のために、種々のアンテナが提案されている。例えば、平板状の放射電極に整合素子を追加したアンテナが提案されている。 Wireless communication devices such as mobile phones and wireless network terminals are widely used. Various antennas have been proposed for such wireless communication devices. For example, an antenna in which a matching element is added to a flat radiation electrode has been proposed.

特開２００７−８８６２８号公報JP 2007-88628 A

近年、広い周波数帯域を利用する無線通信方式が提案されている。このような通信方式としては、例えば、ＵＷＢ（Ultra Wide Band）やＷｉＭＡＸ（Worldwide Interoperability for Microwave Access）が挙げられる。このような通信方式を利用するために、周波数帯域の広いアンテナを提供する技術が望まれていた。 In recent years, wireless communication systems that use a wide frequency band have been proposed. Examples of such communication methods include UWB (Ultra Wide Band) and WiMAX (Worldwide Interoperability for Microwave Access). In order to use such a communication method, a technique for providing an antenna having a wide frequency band has been desired.

本発明は、上記の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、周波数帯域の広いアンテナを提供することができる技術を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve at least a part of the above-described problems, and an object thereof is to provide a technique capable of providing an antenna having a wide frequency band.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

［適用例１］アンテナ装置であって、給電部と、一端が前記給電部に接続された線状の整合素子と、前記整合素子の他端に接続されるとともに前記他端から遠いほど幅が広くなる部分を含む拡張平板部と、を含む給電素子と、前記拡張平板部とほぼ平行に配置された第１無給電平板部を含む第１無給電素子と、を備える、アンテナ装置。 [Application Example 1] An antenna device, which is connected to the feeding unit, a linear matching element having one end connected to the feeding unit, and the other end of the matching element, and has a width that is farther from the other end. An antenna device comprising: a feeding element including an extended flat plate portion including a widened portion; and a first parasitic element including a first parasitic flat plate portion disposed substantially parallel to the extended flat plate portion.

この構成によれば、給電素子と無給電素子との間の電磁的な相互作用によって、周波数帯域の広いアンテナを提供することができる。 According to this configuration, an antenna having a wide frequency band can be provided by electromagnetic interaction between the feeding element and the parasitic element.

［適用例２］適用例１に記載のアンテナ装置であって、さらに、前記拡張平板部とほぼ平行に配置された第２無給電平板部を含む第２無給電素子を含み、前記拡張平板部は、前記第１無給電平板部と前記第２無給電平板部との間に配置されている、アンテナ装置。 [Application Example 2] The antenna device according to Application Example 1, further including a second parasitic element including a second parasitic plate portion arranged substantially parallel to the extension plate portion, and the extension plate portion Is an antenna device disposed between the first parasitic flat plate portion and the second parasitic flat plate portion.

この構成によれば、第１無給電素子と第２無給電素子との２つの素子のそれぞれと、給電素子との間の電磁的な相互作用によって、周波数帯域を更に拡張することができる。 According to this configuration, the frequency band can be further expanded by electromagnetic interaction between each of the two elements, the first parasitic element and the second parasitic element, and the feeder element.

［適用例３］適用例２に記載のアンテナ装置であって、前記拡張平板部と前記第１無給電平板部との間の間隔と、前記拡張平板部と前記第２無給電平板部との間の間隔とは、それぞれ、２０μｍ以上３０μｍ以下の値に設定されている、アンテナ装置。 [Application Example 3] The antenna device according to Application Example 2, wherein an interval between the extended flat plate portion and the first parasitic flat plate portion, and between the extended flat plate portion and the second parasitic flat plate portion. The interval between the antenna devices is set to a value of 20 μm or more and 30 μm or less.

この構成によれば、電圧定在波比が高くなることを抑制できる。 According to this structure, it can suppress that a voltage standing wave ratio becomes high.

［適用例４］適用例１ないし適用例３のいずれかに記載のアンテナ装置であって、さらに、誘電体または磁性体で構成された素子基材を備え、前記拡張平板部と前記無給電平板部とのそれぞれは、前記素子基材の表面または内部に設けられている、アンテナ装置。 [Application Example 4] The antenna device according to any one of Application Examples 1 to 3, further comprising an element substrate made of a dielectric material or a magnetic material, wherein the extension plate portion and the parasitic plate Each of the parts is an antenna device provided on the surface or inside of the element substrate.

この構成によれば、アンテナ装置の小型化することができる。 According to this configuration, the antenna device can be reduced in size.

［適用例５］適用例１ないし適用例４のいずれかに記載のアンテナ装置であって、さらに、基板を備え、前記給電素子と前記無給電素子とは前記基板に設けられ、前記基板の一部の領域であるグランド領域には、前記基板の表面あるいは内部にグランド導電パターンが設けられ、前記給電素子と前記無給電素子とは、前記基板の厚さ方向に沿って見たときに、前記グランド領域と重ならない位置に配置されている、アンテナ装置。 Application Example 5 The antenna device according to any one of Application Examples 1 to 4, further including a substrate, wherein the feeding element and the parasitic element are provided on the substrate, A ground conductive pattern is provided on the surface or inside of the substrate in the ground region which is a region of the portion, and when the feeder element and the parasitic element are viewed along the thickness direction of the substrate, An antenna device arranged at a position that does not overlap the ground area.

この構成によれば、給電素子と無給電素子とを利用した無線通信が、グランド導電パターンによって遮られることを抑制できる。 According to this configuration, it is possible to suppress the wireless communication using the feeding element and the parasitic element from being blocked by the ground conductive pattern.

［適用例６］適用例５に記載のアンテナ装置と、前記グランド領域に設けられるとともに前記アンテナ装置に接続される信号処理回路と、を備える、通信装置。 Application Example 6 A communication apparatus comprising: the antenna device according to Application Example 5; and a signal processing circuit provided in the ground region and connected to the antenna device.

なお、本発明は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、アンテナ装置、そのアンテナ装置とそのアンテナに接続された信号処理回路とを備える通信装置、等の形態で実現することができる。 The present invention can be realized in various forms, for example, in the form of an antenna device, a communication device including the antenna device and a signal processing circuit connected to the antenna, and the like. it can.

次に、この発明の実施の形態を実施例に基づいて以下の順序で説明する。
Ａ．第１実施例：
Ｂ．第２実施例：
Ｃ．変形例： Next, embodiments of the present invention will be described in the following order based on examples.
A. First embodiment:
B. Second embodiment:
C. Variations:

Ａ．第１実施例：
Ａ１．装置構成：
図１、図２は、本発明の一実施例としてのアンテナ装置１０の説明図である。図１はアンテナ装置１０の斜視図であり、図２はアンテナ装置１０の上面図である。このアンテナ装置１０は、平板形状の誘電体基板９００と、その基板９００の上面に固定されたチップアンテナ１００とを備えている。このアンテナ装置１０は、図示しないケース内に収納され、無線通信装置を構成する。この無線通信装置は、ＵＷＢの通信方式に従って、図示しない他の無線通信装置との間でデータ通信を行う。本実施例では、データ通信には、３〜５ＧＨｚの周波数帯が利用される。 A. First embodiment:
A1. Device configuration:
1 and 2 are explanatory views of an antenna device 10 as an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a perspective view of the antenna device 10, and FIG. 2 is a top view of the antenna device 10. The antenna device 10 includes a flat plate-shaped dielectric substrate 900 and a chip antenna 100 fixed to the upper surface of the substrate 900. The antenna device 10 is housed in a case (not shown) and constitutes a wireless communication device. This wireless communication apparatus performs data communication with another wireless communication apparatus (not shown) according to the UWB communication method. In the present embodiment, a frequency band of 3 to 5 GHz is used for data communication.

誘電体基板９００としては、矩形の基板を加工したものが利用されている。ｘ方向は、この矩形の短辺と平行な方向を示し、ｙ方向は矩形の長辺と平行な方向を示し、ｚ方向は厚さ方向を示している。本実施例では、短辺の長さＸｂは２０ｍｍであり、長辺の長さＹｂは４５ｍｍであり、厚さＴｂは１ｍｍである。また、この誘電体基板９００の比誘電率は４．６である。なお、誘電体基板９００の上面は＋ｚ側の表面である。 As the dielectric substrate 900, a rectangular substrate processed is used. The x direction indicates the direction parallel to the short side of the rectangle, the y direction indicates the direction parallel to the long side of the rectangle, and the z direction indicates the thickness direction. In this embodiment, the short side length Xb is 20 mm, the long side length Yb is 45 mm, and the thickness Tb is 1 mm. The dielectric substrate 900 has a relative dielectric constant of 4.6. The upper surface of the dielectric substrate 900 is the + z side surface.

誘電体基板９００の上面には、グランド導電パターン４００が形成されている。このグランド導電パターン４００は、基板９００を横切る仮想的な直線Ｌｎｇによって区切られる２つの領域の内の一方の領域（−ｙ側の領域）を占めている。本実施例では、この直線Ｌｎｇは、ｘ方向と平行である。また、基板９００の−ｙ側の端からこの直線Ｌｎｇまでの距離Ｙｇは３４ｍｍである。以下、誘電体基板９００におけるグランド導電パターン４００が形成された領域を「グランド領域ＧＡ」とも呼ぶ。このグランド領域ＧＡには、フィルタ、アンプ、ミキサ等の電子部品を利用した信号処理回路ＳＣが実装される。すなわち、グランド領域ＧＡは、信号処理回路の実装用領域として利用される。なお、グランド導電パターン４００は、銅や銀等の導電体の薄膜で形成されている。また、グランド導電パターン４００は、誘電体基板９００の表面の代わりに、誘電体基板９００の内部に形成されてもよい。また、アンテナ装置１０と信号処理回路ＳＣとの全体は、無線通信装置として利用される。 A ground conductive pattern 400 is formed on the upper surface of the dielectric substrate 900. The ground conductive pattern 400 occupies one of the two regions (the region on the −y side) separated by a virtual straight line Lng that crosses the substrate 900. In this embodiment, the straight line Lng is parallel to the x direction. The distance Yg from the −y side end of the substrate 900 to the straight line Lng is 34 mm. Hereinafter, the region where the ground conductive pattern 400 is formed in the dielectric substrate 900 is also referred to as a “ground region GA”. A signal processing circuit SC using electronic parts such as a filter, an amplifier, and a mixer is mounted on the ground area GA. That is, the ground area GA is used as a mounting area for the signal processing circuit. The ground conductive pattern 400 is formed of a thin film of a conductor such as copper or silver. The ground conductive pattern 400 may be formed inside the dielectric substrate 900 instead of the surface of the dielectric substrate 900. The entire antenna device 10 and the signal processing circuit SC are used as a wireless communication device.

誘電体基板９００の上面の＋ｙ側には、固定パッド７８０と給電パッド７９０とが形成されている。これらのパッド７８０、７９０には、アンテナ１００（図１）の側面に設けられた端子１８０が、固定される。固定には、ハンダ付けや銀ロウ付け等の、導電性の固定方法が利用される。なお、これらのパッド７８０、７９０も、グランド導電パターン４００と同様に、導電体の薄膜で形成されている。このようなパッドは「ランド」とも呼ばれている。 A fixed pad 780 and a power supply pad 790 are formed on the + y side of the upper surface of the dielectric substrate 900. A terminal 180 provided on the side surface of the antenna 100 (FIG. 1) is fixed to the pads 780 and 790. For fixing, a conductive fixing method such as soldering or silver brazing is used. These pads 780 and 790 are also formed of a conductive thin film, like the ground conductive pattern 400. Such a pad is also called "land".

次に、基板９００に固定された状態のアンテナ１００について説明する。図２に示すように、ｚ方向に沿って見たアンテナ１００の形状は矩形状である。短辺はｘ方向と平行であり、短辺の長さＸａは４ｍｍである。長辺はｙ方向と平行であり、長辺の長さＹａは８ｍｍである。基板９００の＋ｘ側の端からアンテナ１００の＋ｘ側の端までのｘ方向に沿った距離Ｘ１は２．５ｍｍである。基板９００の＋ｙ側の端からアンテナ１００の＋ｙ側の端までのｙ方向に沿った距離Ｙ１は１ｍｍである。直線Ｌｎｇからアンテナ１００の−ｙ側の端までのｙ方向に沿った距離Ｙ２は２ｍｍである。 Next, the antenna 100 fixed to the substrate 900 will be described. As shown in FIG. 2, the shape of the antenna 100 viewed along the z direction is rectangular. The short side is parallel to the x direction, and the length Xa of the short side is 4 mm. The long side is parallel to the y direction, and the long side length Ya is 8 mm. A distance X1 along the x direction from the + x side end of the substrate 900 to the + x side end of the antenna 100 is 2.5 mm. A distance Y1 along the y direction from the + y side end of the substrate 900 to the + y side end of the antenna 100 is 1 mm. A distance Y2 along the y direction from the straight line Lng to the −y side end of the antenna 100 is 2 mm.

また、アンテナ１００の＋ｘ側には、アンテナ１００から＋ｘ側に突出する３つの固定パッド７８０が配置されている。３つの固定パッド７８０は、アンテナ１００の−ｙ側の端部と中央部と＋ｙ側の端部とに、それぞれ配置されている。固定パッド７８０の約１／３の部分はアンテナ１００の後ろに隠れ、約２／３の部分はアンテナ１００の外に現れている。現れている部分の形状は、１ｍｍ（ｘ方向）＊１ｍｍ（ｙ方向）の矩形状である。隠れている部分の形状は、０．５ｍｍ（ｘ方向）＊０．８ｍｍ（ｙ方向）の矩形状である。ｘ方向に沿って見たときに、隠れている部分の中心は、現れている部分の中心と同じである。アンテナ１００の−ｘ側にも、中央部と＋ｙ側の端部とのそれぞれに、同様の固定パッド７８０が配置されている。 In addition, on the + x side of the antenna 100, three fixing pads 780 protruding from the antenna 100 to the + x side are arranged. The three fixed pads 780 are respectively disposed at the −y side end, the center portion, and the + y side end of the antenna 100. About 1/3 of the fixed pad 780 is hidden behind the antenna 100, and about 2/3 of the fixed pad 780 appears outside the antenna 100. The shape of the appearing portion is a rectangular shape of 1 mm (x direction) * 1 mm (y direction). The shape of the hidden portion is a rectangular shape of 0.5 mm (x direction) * 0.8 mm (y direction). When viewed along the x direction, the center of the hidden part is the same as the center of the appearing part. On the −x side of the antenna 100, the same fixed pad 780 is disposed at each of the center portion and the + y side end portion.

また、アンテナ１００の−ｘ側の、−ｙ側の端部には、給電パッド７９０が配置されている。この給電パッド７９０も、アンテナ１００の後ろに隠れた部分と、アンテナ１００の外に現れた部分とを有している。隠れた部分の形状は、０．５ｍｍ（ｘ方向）＊１ｍｍ（ｙ方向）の矩形状である。現れている部分は、ｙ方向に沿って延びる線状線路である。この線状線路の幅は２ｍｍであり、また、この線状線路は、アンテナ１００の近傍からグランド導電パターン４００の中まで延びている（直線Ｌｎｇの＋ｙ側から−ｙ側まで）。グランド導電パターン４００には、給電パッド７９０を囲む窪みが形成されている。なお、給電パッド７９０の形状は、Ｌ字形状である。 In addition, a feed pad 790 is disposed at the −x side end of the antenna 100 on the −y side. The power supply pad 790 also has a portion hidden behind the antenna 100 and a portion appearing outside the antenna 100. The shape of the hidden portion is a rectangular shape of 0.5 mm (x direction) * 1 mm (y direction). The appearing portion is a linear line extending along the y direction. The width of this linear line is 2 mm, and this linear line extends from the vicinity of the antenna 100 into the ground conductive pattern 400 (from the + y side to the −y side of the straight line Lng). The ground conductive pattern 400 is formed with a recess surrounding the power supply pad 790. Note that the shape of the power supply pad 790 is L-shaped.

後述するように、給電パッド７９０は、アンテナ１００の給電素子と電気的に接続される。そして、この給電パッド７９０には給電ラインＦＬが接続される。この給電ラインＦＬによって、アンテナ１００と信号処理回路ＳＣとが接続される。給電ラインＦＬとしては、同軸ケーブルやマイクロストリップライン等の種々の給電ラインを採用可能である。 As will be described later, the power feeding pad 790 is electrically connected to the power feeding element of the antenna 100. A power supply line FL is connected to the power supply pad 790. The antenna 100 and the signal processing circuit SC are connected by the feed line FL. Various power supply lines such as a coaxial cable and a microstrip line can be adopted as the power supply line FL.

給電パッド７９０の直線Ｌｎｇよりも−ｙ側の部分は、グランド導電パターン４００に囲まれているので、アンテナ素子としては機能せずに給電ラインとして機能する。一方、給電パッド７９０の直線Ｌｎｇよりも＋ｙ側の部分は、アンテナ素子として機能する。このように、給電パッド７９０の直線Ｌｎｇと交差する位置が、給電点となる。 Since the portion of the power supply pad 790 on the −y side of the straight line Lng is surrounded by the ground conductive pattern 400, it does not function as an antenna element but functions as a power supply line. On the other hand, the portion on the + y side of the straight line Lng of the power supply pad 790 functions as an antenna element. Thus, the position where the power supply pad 790 intersects the straight line Lng is the power supply point.

図３は、アンテナ１００の分解斜視図である。図中のｘ、ｙ、ｚ方向は、アンテナ１００を誘電体基板９００（図１、図２）に固定した状態におけるｘ、ｙ、ｚ方向（図１、図２）を、それぞれ示している。 FIG. 3 is an exploded perspective view of the antenna 100. The x, y, and z directions in the figure respectively show the x, y, and z directions (FIGS. 1 and 2) when the antenna 100 is fixed to the dielectric substrate 900 (FIGS. 1 and 2).

図３に示すように、アンテナ１００は、第１誘電層１４１と、第１無給電導体部１３１と、第２誘電層１４２と、給電導体部１１０と、第３誘電層１４３と、第２無給電導体部１３２と、第４誘電層１４４とが、ｚ方向に沿ってこの順番に積層された構造を有している。各誘電層１４１〜１４４は、ホウケイ酸ガラス系セラミックの矩形シートであり、長辺の長さＹａと短辺の長さＸａとは、各誘電層１４１〜１４４に共通である。各誘電層１４１〜１４４の比誘電率は、本実施例では７．５である。また、３つの導体部１１０、１３１、１３２は、銀や銅等の導電体の薄膜であり、互いに平行に配置されている。 As shown in FIG. 3, the antenna 100 includes a first dielectric layer 141, a first parasitic conductor portion 131, a second dielectric layer 142, a feeder conductor portion 110, a third dielectric layer 143, and a second parasitic layer. The power supply conductor portion 132 and the fourth dielectric layer 144 have a structure in which they are stacked in this order along the z direction. The dielectric layers 141 to 144 are rectangular sheets of borosilicate glass-based ceramic, and the long side length Ya and the short side length Xa are common to the dielectric layers 141 to 144. The relative dielectric constant of each of the dielectric layers 141 to 144 is 7.5 in this embodiment. The three conductor portions 110, 131, and 132 are thin films made of a conductor such as silver or copper, and are arranged in parallel to each other.

図４は、アンテナ１００の側面図である。この側面図は、−ｙ側から＋ｙ側に向かって見た側面図である。アンテナ１００の厚さＴａは０．８ｍｍである。給電導体部１１０の厚さ方向（ｚ方向）の位置は、アンテナ１００の中央である。図中の距離ｄは、給電導体部１１０と第１無給電導体部１３１との間の間隔を示している。給電導体部１１０と第２無給電導体部１３２との間の間隔も同じ値ｄに設定されている。本実施例では、距離ｄは、２５μｍである。 FIG. 4 is a side view of the antenna 100. This side view is a side view seen from the -y side toward the + y side. The thickness Ta of the antenna 100 is 0.8 mm. The position of the feeding conductor portion 110 in the thickness direction (z direction) is the center of the antenna 100. A distance d in the drawing indicates a distance between the feeding conductor portion 110 and the first parasitic conductor portion 131. The distance between the feeding conductor portion 110 and the second parasitic conductor portion 132 is also set to the same value d. In this embodiment, the distance d is 25 μm.

以上説明したような積層アンテナの製造方法としては、種々の方法を採用可能である。例えば、最初に、セラミックグリーンシートの表面に、導電材料を用いたスクリーン印刷によって、第２無給電導体部１３２の導電パターンを形成する。次に、導電パターンが形成された表面の上に、別のセラミックグリーンシートを積層することによって、３層の積層体を形成する。このように、セラミックグリーンシートの表面に対する導体部の印刷と、別のセラミックグリーンシートの積層とを繰り返すことによって、図３に示す７層の積層体を形成する。そして、この積層体の焼成によって、アンテナ１００を形成する。なお、セラミックグリーンシートとしては、種々のシートを採用可能である。例えば、ホウケイ酸ガラスとアルミナとアクリル樹脂とを含むスラリーからドクターブレード法によって形成されたシートを採用可能である。また、導電材料としては、種々の材料を採用可能である。例えば、銀や金等の導電体とアクリル樹脂とを含む混合物を採用可能である。 Various methods can be adopted as a method for manufacturing the laminated antenna as described above. For example, first, the conductive pattern of the second parasitic conductor portion 132 is formed on the surface of the ceramic green sheet by screen printing using a conductive material. Next, another ceramic green sheet is laminated on the surface on which the conductive pattern is formed, thereby forming a three-layer laminate. In this manner, by repeating the printing of the conductor portion on the surface of the ceramic green sheet and the lamination of another ceramic green sheet, a seven-layer laminate shown in FIG. 3 is formed. And the antenna 100 is formed by baking this laminated body. Various sheets can be adopted as the ceramic green sheet. For example, a sheet formed by a doctor blade method from a slurry containing borosilicate glass, alumina, and an acrylic resin can be employed. Various materials can be adopted as the conductive material. For example, a mixture containing a conductor such as silver or gold and an acrylic resin can be employed.

図５は、給電導体部１１０の上面図である。図中のｘ、ｙ、ｚ方向は、アンテナ１００を誘電体基板９００（図１）に固定した状態におけるｘ、ｙ、ｚ方向（図１、図２）を、それぞれ示している。図５（Ａ）は、給電導体部１１０の全体を示し、図５（Ｂ）は、給電導体部１１０の−ｙ側の端部の拡大図を示している。 FIG. 5 is a top view of the power supply conductor 110. The x, y, and z directions in the figure respectively indicate the x, y, and z directions (FIGS. 1 and 2) when the antenna 100 is fixed to the dielectric substrate 900 (FIG. 1). 5A shows the entire power supply conductor portion 110, and FIG. 5B shows an enlarged view of the end portion of the power supply conductor portion 110 on the −y side.

給電導体部１１０のパターン形状は、誘電層１４１よりも一回り小さい矩形ＲＡに、この矩形ＲＡの左辺Ｓ１から＋ｘ方向へ向かうＶ字形の切込１１６ｔと、この切込１１６ｔから＋ｘ方向へ延びるスリット１１６ｓと、矩形の開口１１８とを設けて得られる形状と、ほぼ同じである。本実施例では、この仮想的な矩形ＲＡは、誘電層１４１の四辺のそれぞれを０．１５ｍｍだけ内側に移動させて得られる矩形と同じである。また、図中の４つの矢印Ｓ１〜Ｓ４は、この矩形ＲＡの４つの辺をそれぞれ示している。各矢印は、辺に沿った方向を示している。例えば、辺Ｓ１は、ｙ方向に平行な−ｘ側の辺を示している。 The pattern shape of the feed conductor 110 is a rectangular RA that is slightly smaller than the dielectric layer 141, a V-shaped cut 116t that extends from the left side S1 of the rectangular RA toward the + x direction, and a slit that extends from the cut 116t in the + x direction. 116s and the shape obtained by providing the rectangular opening 118 are substantially the same. In this embodiment, the virtual rectangle RA is the same as the rectangle obtained by moving each of the four sides of the dielectric layer 141 inward by 0.15 mm. Also, the four arrows S1 to S4 in the figure indicate the four sides of the rectangle RA, respectively. Each arrow indicates a direction along the side. For example, the side S1 indicates a side on the −x side parallel to the y direction.

また、このパターン形状（矩形ＲＡ）の−ｘ側の辺Ｓ１には、３つの突出部Ｐ１〜Ｐ３が設けられている。また、＋ｘ側の辺Ｓ２には、３つの突出部Ｐ４〜Ｐ６が設けられている。これら６つの突出部Ｐ１〜Ｐ６のそれぞれは、アンテナ１００の側面に設けられた端子１８０（図１）に電気的に接続される。端子１８０は、各突出部Ｐ１〜Ｐ６の近傍に、１つずつ設けられている。すなわち、アンテナ１００の−ｘ側の側面には、−ｙ側の端部と中央部と＋ｙ側の端部とに、ｚ方向に延びるライン状の端子１８０が、それぞれ設けられている。アンテナ１００の＋ｘ側の側面についても同様である。そして、これらの端子１８０は、パッド７８０、７９０に固定される（電気的に接続される）。これらの結果、本実施例では、給電パッド７９０の直線Ｌｎｇよりも＋ｙ側の部分と、固定パッド７８０と、端子１８０と、給電導体部１１０との全体が、給電素子として機能する。 In addition, three protrusions P1 to P3 are provided on the side S1 on the −x side of the pattern shape (rectangular RA). Further, three protrusions P4 to P6 are provided on the side S2 on the + x side. Each of these six protrusions P1 to P6 is electrically connected to a terminal 180 (FIG. 1) provided on the side surface of the antenna 100. One terminal 180 is provided near each of the protrusions P1 to P6. That is, on the side surface on the −x side of the antenna 100, line-shaped terminals 180 extending in the z direction are provided at the −y side end portion, the center portion, and the + y side end portion, respectively. The same applies to the side surface of the antenna 100 on the + x side. These terminals 180 are fixed (electrically connected) to the pads 780 and 790. As a result, in this embodiment, the portion of the power supply pad 790 on the + y side of the straight line Lng, the fixed pad 780, the terminal 180, and the power supply conductor portion 110 function as a power supply element.

なお、このような端子１８０（図１）は、いわゆるキャスタレーションによって形成可能である。本実施例では、各端子１８０の幅は０．３ｍｍである。また、各突出部Ｐ１〜Ｐ６（図５）は、矩形ＲＡの外側に０．０７５ｍｍだけ突出している。辺Ｓ１、Ｓ２の中央部に配置された突出部Ｐ２、Ｐ５と、給電パッド７９０に接続される突出部Ｐ１との幅は０．６ｍｍである。また、他の突出部Ｐ３、Ｐ４、Ｐ６の幅は０．６５ｍｍである。 Such a terminal 180 (FIG. 1) can be formed by so-called castellation. In the present embodiment, the width of each terminal 180 is 0.3 mm. Moreover, each protrusion part P1-P6 (FIG. 5) protrudes only 0.075 mm on the outer side of the rectangle RA. The width of the protrusions P2 and P5 arranged at the center of the sides S1 and S2 and the protrusion P1 connected to the power supply pad 790 is 0.6 mm. Moreover, the width | variety of other protrusion part P3, P4, P6 is 0.65 mm.

給電導体部１１０は、大きく３つの導体部１１１、１１２、１１３に分けられる。図５（Ａ）では、各導体部１１１、１１２、１１３は、互いに異なる種類のハッチングによって示されている。ただし、各導体部１１１、１１２、１１３は、同一材料で連続した領域として形成されている。 The feeding conductor portion 110 is roughly divided into three conductor portions 111, 112, and 113. In FIG. 5A, each of the conductor portions 111, 112, and 113 is indicated by different types of hatching. However, each of the conductor portions 111, 112, 113 is formed as a continuous region of the same material.

第１導体部１１１は、図５（Ａ）、５（Ｂ）における給電導体部１１０の左下のコーナーｃｎ１を形成するＬ字形の線状導体部である。第１導体部１１１は、第１直線部１１１Ｌ１と第２直線部１１１Ｌ２とを有している。第１直線部１１１Ｌ１は、コーナーｃｎ１から＋ｙ方向に延びて端１１１ｅ１に至る。この第１直線部１１１Ｌ１の幅ＸＬ１ｓは０．３ｍｍである。また、第１誘電層１４１の−ｙ側の辺（以下、「底辺１４１Ｂ」とも呼ぶ）から端１１１ｅ１までのｙ方向に沿った距離ＹＬ１は０．７５ｍｍである。 The first conductor portion 111 is an L-shaped linear conductor portion that forms the lower left corner cn1 of the power supply conductor portion 110 in FIGS. 5 (A) and 5 (B). The first conductor portion 111 has a first straight portion 111L1 and a second straight portion 111L2. The first straight part 111L1 extends in the + y direction from the corner cn1 and reaches the end 111e1. The width XL1s of the first straight part 111L1 is 0.3 mm. In addition, a distance YL1 along the y direction from the −y side side (hereinafter also referred to as “base 141B”) of the first dielectric layer 141 to the end 111e1 is 0.75 mm.

第１直線部１１１Ｌ１は、第１突出部Ｐ１を含んでいる。この第１突出部Ｐ１は、図１のアンテナ１００の裏側に隠れている端子１８０を介して給電パッド７９０（図１、図２）に接続される。 The first straight portion 111L1 includes a first protrusion P1. The first protrusion P1 is connected to the power supply pad 790 (FIGS. 1 and 2) via a terminal 180 hidden behind the antenna 100 of FIG.

一方、第２直線部１１１Ｌ２は、コーナーｃｎ１から＋ｘ方向に延びて端１１１ｅ２に至る。この第２端１１１ｅ２は、給電導体部１１０の−ｙ側の辺Ｓ４の途中に位置している。この第２端１１１ｅ２から第１誘電層１４１の＋ｘ側の辺（以下「右辺１４１Ｒ」とも呼ぶ）までのｘ方向に沿った距離Ｘｃは０．８５ｍｍである。また、右辺１４１Ｒから第２直線部１１１Ｌ２の−ｘ側の端部までの距離ＸＬは３．６２５ｍｍである。また、第２直線部１１１Ｌ２の幅ＷＬは０．１５ｍｍである。 On the other hand, the second straight line portion 111L2 extends from the corner cn1 in the + x direction and reaches the end 111e2. The second end 111e2 is located in the middle of the side S4 on the -y side of the power supply conductor portion 110. A distance Xc along the x direction from the second end 111e2 to the + x side of the first dielectric layer 141 (hereinafter also referred to as “right side 141R”) is 0.85 mm. The distance XL from the right side 141R to the −x side end of the second straight line portion 111L2 is 3.625 mm. The width WL of the second straight part 111L2 is 0.15 mm.

後述するように、この第２直線部１１１Ｌ２の長さを調整することによって、アンテナ１００のＶＳＷＲ（電圧定在波比）を調整することができる。すなわち、第２直線部１１１Ｌ２は、特許請求の範囲における「整合素子」に相当する。また、給電パッド７９０の直線Ｌｎｇよりも＋ｙ側の部分（図１、図２）と、給電パッド７９０に接続された端子１８０と、第１直線部１１１Ｌ１と、の全体は、「給電部」に相当する。 As will be described later, the VSWR (voltage standing wave ratio) of the antenna 100 can be adjusted by adjusting the length of the second linear portion 111L2. That is, the second straight portion 111L2 corresponds to a “matching element” in the claims. Further, the portion of the power supply pad 790 on the + y side from the straight line Lng (FIGS. 1 and 2), the terminal 180 connected to the power supply pad 790, and the first straight line portion 111L1 are all referred to as a “power supply unit”. Equivalent to.

第２導体部１１２は、給電導体部１１０を横切る直線１１２Ｕ（図５（Ｂ））から辺Ｓ４までの導体部の内の第１導体部１１１（１１１Ｌ１、１１１Ｌ２）を除く残りの部分である。この第２導体部１１２は、辺Ｓ４と第１ライン１１２Ｕとの間の第２ライン１１２Ｄによって、２つの部分１１２ｐ１、１１２ｐ２に分けられる。なお、これらのライン１１２Ｕ、１１２Ｄは、いずれも、ｘ方向と平行である。 The second conductor portion 112 is the remaining portion excluding the first conductor portion 111 (111L1, 111L2) among the conductor portions from the straight line 112U (FIG. 5B) crossing the power supply conductor portion 110 to the side S4. The second conductor portion 112 is divided into two portions 112p1 and 112p2 by a second line 112D between the side S4 and the first line 112U. Note that these lines 112U and 112D are both parallel to the x direction.

第１部分１１２ｐ１は、図５（Ａ）、５（Ｂ）における給電導体部１１０の右下のコーナーｃｎ２を形成する矩形状の導体部である。この第１部分１１２ｐ１の−ｘ側の端部には、第２直線部１１１Ｌ２の第２端１１１ｅ２が接続されている。これらの導体部１１１Ｌ２、１１２ｐ１は、辺Ｓ４を形成する。 The first portion 112p1 is a rectangular conductor portion that forms the lower right corner cn2 of the power supply conductor portion 110 in FIGS. 5 (A) and 5 (B). The second end 111e2 of the second linear portion 111L2 is connected to the end of the first portion 112p1 on the −x side. These conductor portions 111L2 and 112p1 form a side S4.

第１部分１１２ｐ１の＋ｙ側には、第２部分１１２ｐ２が接続されている。第２部分１１２ｐ２は、略台形状の導体部である。この第２部分１１２ｐ２の輪郭は、２つのライン１１２Ｄ、１１２Ｕと、切込１１６ｔの輪郭の一部である第３ライン１１２Ｓと、給電導体部１１０の＋ｘ側の輪郭の一部分と、を含んでいる。 The second portion 112p2 is connected to the + y side of the first portion 112p1. The second portion 112p2 is a substantially trapezoidal conductor portion. The contour of the second portion 112p2 includes two lines 112D and 112U, a third line 112S that is a part of the contour of the cut 116t, and a part of the contour on the + x side of the feed conductor portion 110. .

第２ライン１１２Ｄは、第１部分１１２ｐ１を超えて−ｘ方向に延び、第１頂点１１２ｖ１に至る。この第１頂点１１２ｖ１と右辺１４１Ｒとの間のｘ方向に沿った距離Ｘｓは２．４５ｍｍである。 The second line 112D extends in the −x direction beyond the first portion 112p1 and reaches the first vertex 112v1. The distance Xs along the x direction between the first vertex 112v1 and the right side 141R is 2.45 mm.

第１頂点１１２ｖ１からは、辺Ｓ１の途中に位置する第２頂点１１２ｖ２まで、第３ライン１１２Ｓが延びている。第２頂点１１２ｖ２は、第１頂点１１２ｖ１から見て、左上の方向に位置している（−ｘ方向、＋ｙ方向）。この第２頂点１１２ｖ２から底辺１４１Ｂまでのｙ方向に沿った距離Ｙｔは、０．９６ｍｍである。 The third line 112S extends from the first vertex 112v1 to the second vertex 112v2 located in the middle of the side S1. The second vertex 112v2 is located in the upper left direction when viewed from the first vertex 112v1 (−x direction, + y direction). A distance Yt along the y direction from the second vertex 112v2 to the base 141B is 0.96 mm.

第２頂点１１２ｖ２からは、辺Ｓ２まで、第１ライン１１２Ｕが延びている。 The first line 112U extends from the second vertex 112v2 to the side S2.

第２部分１１２ｐ２と第１導体部１１１（直線部１１１Ｌ１、１１１Ｌ２）との間には、スリット１１６ｓと切込１１６ｔとが形成されている。スリット１１６ｓは、第２直線部１１１Ｌ２と第２ライン１１２Ｄとの間の切れ目である。また、スリット１１６ｓは、第１部分１１２ｐ１の−ｘ側に形成されている。このスリット１１６ｓの幅Ｗｓは０．１５ｍｍである、切込１１６ｔは、第３ライン１１２Ｓと第１導体部１１１（１１１Ｌ１、１１１Ｌ２）に囲まれている。 A slit 116s and a notch 116t are formed between the second portion 112p2 and the first conductor portion 111 (the straight portions 111L1 and 111L2). The slit 116s is a break between the second straight line portion 111L2 and the second line 112D. The slit 116s is formed on the −x side of the first portion 112p1. The slit 116s has a width Ws of 0.15 mm, and the cut 116t is surrounded by the third line 112S and the first conductor portion 111 (111L1, 111L2).

第３導体部１１３は、給電導体部１１０の残りの部分である。この第３導体部１１３は、第２導体部１１２の＋ｙ側に位置する略矩形の導体部である。この第３導体部１１３の端部（例えば、＋ｙ側の端部）は、給電導体部１１０の開放端として機能する。この第３導体部１１３の内には、矩形状の開口１１８が設けられている。開口１１８を設けることによって、第２誘電層１４２（図３）が第３誘電層１４３と接する領域の面積が増大する。その結果、第２誘電層１４２が第３誘電層１４３から剥がれることが抑制される。 The third conductor portion 113 is the remaining portion of the power feeding conductor portion 110. The third conductor portion 113 is a substantially rectangular conductor portion located on the + y side of the second conductor portion 112. An end portion (for example, an end portion on the + y side) of the third conductor portion 113 functions as an open end of the power supply conductor portion 110. A rectangular opening 118 is provided in the third conductor portion 113. By providing the opening 118, the area of the region where the second dielectric layer 142 (FIG. 3) is in contact with the third dielectric layer 143 is increased. As a result, the second dielectric layer 142 is prevented from peeling from the third dielectric layer 143.

なお、この開口１１８の形状は、ｘ方向と平行な２辺と、ｙ方向と平行な２辺とに囲まれる矩形状である。この開口１１８のｘ方向の長さＸｈｓは、２．８５ｍｍであり、ｙ方向の長さＹｈｓは５．５ｍｍである。そして、右辺１４１Ｒから開口１１８の−ｘ側の端までのｘ方向に沿った距離Ｘｈは３．４２５ｍｍであり、底辺１４１Ｂから開口１１８の−ｙ側の端までのｙ方向に沿った距離Ｙｈは１．８５ｍｍである。 The shape of the opening 118 is a rectangular shape surrounded by two sides parallel to the x direction and two sides parallel to the y direction. The length Xhs in the x direction of the opening 118 is 2.85 mm, and the length Yhs in the y direction is 5.5 mm. The distance Xh along the x direction from the right side 141R to the −x side end of the opening 118 is 3.425 mm, and the distance Yh along the y direction from the bottom side 141B to the −y side end of the opening 118 is 1.85 mm.

ところで、第２部分１１２ｐ２の幅（ｘ方向の長さ）は、第１部分１１２ｐ１から遠いほど広い。すなわち、第２導体部１１２の幅は、第２端１１１ｅ２から遠いほど広いということができる。このように、第２導体部１１２は、特許請求の範囲における「拡張平板部」に相当する。 By the way, the width (length in the x direction) of the second portion 112p2 is wider as it is farther from the first portion 112p1. That is, it can be said that the width of the second conductor portion 112 is wider as it is farther from the second end 111e2. Thus, the 2nd conductor part 112 is corresponded to the "extended flat plate part" in a claim.

このように第２端１１１ｅ２から徐々に幅が広くなる第２導体部１１２を設ける理由は、アンテナ１００の周波数帯域を拡張するためである。給電側から開放端側に向かって幅が広がる第２導体部１１２を利用することによって、電流は、長さの異なる複数の通り道を流れることが可能である。換言すれば、給電導体部１１０の見かけ上の長さは、互いに異なる複数の長さを含む、と言うこともできる。この結果、給電導体部１１０（アンテナ１００）の周波数帯域を拡張することができる。ここで、導体部の幅の変化が大きいほど、周波数帯域も広くなる傾向にある。ただし、幅の変化が大きいほど、アンテナの大きさが大きくなる傾向にある。そこで、望ましい周波数帯域と望ましいアンテナの大きさとを考慮して、第２導体部１１２（拡張平板部）の形状を実験的に決定することが好ましい。 The reason for providing the second conductor portion 112 that gradually increases in width from the second end 111e2 is to extend the frequency band of the antenna 100. By using the second conductor portion 112 whose width increases from the power supply side toward the open end side, current can flow through a plurality of paths having different lengths. In other words, it can be said that the apparent length of the power supply conductor portion 110 includes a plurality of different lengths. As a result, the frequency band of the power supply conductor 110 (antenna 100) can be expanded. Here, the greater the change in the width of the conductor portion, the wider the frequency band. However, the larger the change in width, the larger the size of the antenna. Therefore, it is preferable to experimentally determine the shape of the second conductor portion 112 (expanded flat plate portion) in consideration of a desirable frequency band and a desirable antenna size.

なお、切込１１６ｔとスリット１１６ｓとは、第１導体部１１１（１１１Ｌ１、１１１Ｌ２）と第２導体部１１２とによって囲まれている。換言すれば、図５の実施例では、矩形ＲＡに切込１１６ｔとスリット１１６ｓとを設けるだけで、整合素子（第２直線部１１１Ｌ２）と拡張平板部（第２導体部１１２）との両方が形成される。 The notches 116t and the slits 116s are surrounded by the first conductor portion 111 (111L1, 111L2) and the second conductor portion 112. In other words, in the embodiment of FIG. 5, only the notch 116t and the slit 116s are provided in the rectangular RA, and both the matching element (second straight portion 111L2) and the extended flat plate portion (second conductor portion 112) are It is formed.

図６は、無給電導体部１３１、１３２の上面図である。図中のｘ、ｙ、ｚ方向は、アンテナ１００を誘電体基板９００（図１）に固定した状態におけるｘ、ｙ、ｚ方向（図１、図２）を、それぞれ示している。上面から見た２つの無給電導体部１３１、１３２の形状は、同じである。 FIG. 6 is a top view of the parasitic conductor portions 131 and 132. The x, y, and z directions in the figure respectively indicate the x, y, and z directions (FIGS. 1 and 2) when the antenna 100 is fixed to the dielectric substrate 900 (FIG. 1). The shapes of the two parasitic conductor portions 131 and 132 viewed from the top are the same.

無給電導体部１３１、１３２の形状は、誘電層１４１よりも一回り小さい矩形状である。ｘ方向の長さＸｐｓは３ｍｍであり、ｙ方向の長さＹｐｓは７ｍｍである。また、底辺１４１Ｂから無給電導体部１３１、１３２の−ｙ側の端までのｙ方向に沿った距離Ｙｐは０．３ｍｍである。第１誘電層１４１の−ｘ側の辺（以下「左辺１４１Ｌ」とも呼ぶ）から無給電導体部１３１、１３２の−ｘ側の端までのｘ方向に沿った距離Ｘｐは０．５ｍｍである。このように、各無給電導体部１３１、１３２は、誘電体に覆われており、給電パッド７９０（図１、図２）から絶縁されている。このように、無給電導体部１３１、１３２は、それぞれ、無給電素子として機能する。なお、各無給電導体部１３１、１３２は、さらに、グランド導電パターン４００と固定パッド７８０とからも絶縁されている。 The parasitic conductor portions 131 and 132 have a rectangular shape that is slightly smaller than the dielectric layer 141. The length Xps in the x direction is 3 mm, and the length Yps in the y direction is 7 mm. The distance Yp along the y direction from the base 141B to the −y side ends of the parasitic conductor portions 131 and 132 is 0.3 mm. A distance Xp along the x direction from the −x side edge of the first dielectric layer 141 (hereinafter also referred to as “left side 141L”) to the −x side ends of the parasitic conductor portions 131 and 132 is 0.5 mm. As described above, each of the parasitic conductor portions 131 and 132 is covered with a dielectric and insulated from the feeding pad 790 (FIGS. 1 and 2). Thus, the parasitic conductor portions 131 and 132 each function as a parasitic element. The parasitic conductor portions 131 and 132 are further insulated from the ground conductive pattern 400 and the fixed pad 780.

ｚ方向に沿って見た場合には、無給電導体部１３１、１３２は、給電導体部１１０と重なっている。特に、第２導体部１１２（拡張平板部）の一部と無給電導体部１３１、１３２の一部とが重なっている。これは、無給電導体部１３１、１３２と、給電導体部１１０との間の電磁的な相互作用を利用するためである（詳細は後述）。 When viewed along the z direction, the parasitic conductor portions 131 and 132 overlap the feeder conductor portion 110. In particular, a part of the second conductor part 112 (extended flat plate part) and a part of the parasitic conductor parts 131 and 132 overlap each other. This is because the electromagnetic interaction between the parasitic conductor portions 131 and 132 and the feeder conductor portion 110 is used (details will be described later).

Ａ２．ＶＳＷＲ特性：
図７は、アンテナのＶＳＷＲ（電圧定在波比）を示すグラフである。横軸は周波数ｆｒｅｑ（ＧＨｚ）を示し、縦軸はＶＳＷＲを示している。第１グラフＶＥは、アンテナ装置１０の特性を示している。比較グラフＶＣは、比較例のアンテナ装置の特性を示している。この比較例は、アンテナ１００から２枚の無給電導体部１３１、１３２を省略したものである（他の構成は、アンテナ装置１０と同じ）。これらのグラフＶＥ、ＶＣは、いずれもシミュレーションによる計算値を示している。このシミュレーションは、図１〜図６に示す構成に基づいて行われている。 A2. VSWR characteristics:
FIG. 7 is a graph showing the VSWR (voltage standing wave ratio) of the antenna. The horizontal axis indicates the frequency freq (GHz), and the vertical axis indicates VSWR. The first graph VE shows the characteristics of the antenna device 10. The comparison graph VC shows the characteristics of the antenna device of the comparative example. In this comparative example, the two parasitic conductor portions 131 and 132 are omitted from the antenna 100 (other configurations are the same as those of the antenna device 10). These graphs VE and VC both show calculated values by simulation. This simulation is performed based on the configuration shown in FIGS.

比較グラフＶＣが示すように、比較例は３．５ＧＨｚ周辺において良好なＶＳＷＲを示している。これは、無給電導体部１３１、１３２を利用せずに得られる特性である。 As the comparative graph VC shows, the comparative example shows a good VSWR around 3.5 GHz. This is a characteristic obtained without using the parasitic conductor portions 131 and 132.

第１グラフＶＥが示すように、第１実施例のアンテナ装置１０は、３．５ＧＨｚ帯に加えて、５ＧＨｚ周辺においても良好なＶＳＷＲを示している。これは、無給電導体部１３１、１３２を追加することによって得られる特性である（図３）。 As shown by the first graph VE, the antenna device 10 of the first embodiment shows a good VSWR in the vicinity of 5 GHz in addition to the 3.5 GHz band. This is a characteristic obtained by adding the parasitic conductor portions 131 and 132 (FIG. 3).

ここで、「ＶＳＷＲ＜２．０」を満たす周波数の上限を比較する。
比較例−約４．１ＧＨｚ：
第１実施例−約５．１ＧＨｚ： Here, the upper limit of the frequency satisfying “VSWR <2.0” is compared.
Comparative example-about 4.1 GHz:
Example 1-about 5.1 GHz:

このように、無給電導体部１３１、１３２を追加することによって、ＶＳＷＲが小さい周波数帯域を大幅に広げることができる。特に、第１実施例では、高域側のＶＳＷＲが大幅に低減されるので、３．５ＧＨｚ帯に加えて、５ＧＨｚ帯でも通信を良好に行うことが可能である。 In this manner, by adding the parasitic conductor portions 131 and 132, it is possible to greatly widen the frequency band in which the VSWR is small. In particular, in the first embodiment, since the VSWR on the high frequency side is significantly reduced, it is possible to perform communication satisfactorily in the 5 GHz band in addition to the 3.5 GHz band.

このような周波数帯域の拡張は、給電導体部１１０（図３）と無給電導体部１３１、１３２との間の電磁的な相互採用に起因する。特に、本実施例のように大幅に周波数帯域を拡張可能な理由は、アンテナ１００が、無給電導体部１３１、１３２による共振によって複共振アンテナとして動作しているからであると推定される。 Such expansion of the frequency band is caused by electromagnetic mutual adoption between the feeding conductor portion 110 (FIG. 3) and the parasitic conductor portions 131 and 132. In particular, it can be presumed that the reason why the frequency band can be greatly expanded as in this embodiment is that the antenna 100 operates as a double resonance antenna due to resonance by the parasitic conductor portions 131 and 132.

なお、「ＶＳＷＲ＜２．０」を満たす周波数帯域は、反射特性が特に良好な帯域を示しているので、このような周波数帯域を利用して通信を行うことが好ましい。ただし、ＶＳＷＲが２よりも大きくてもよい。一般には、ＶＳＷＲが３．０より小さいことが好ましく、ＶＳＷＲが２．５より小さいことが特に好ましく、ＶＳＷＲが２．０より小さいことが最も好ましい。本実施例では、３〜５ＧＨｚの全範囲において、ＶＳＷＲが３．０より小さな値に維持されている（図７：グラフＶＥ）。 Note that the frequency band satisfying “VSWR <2.0” indicates a band having particularly good reflection characteristics, and it is preferable to perform communication using such a frequency band. However, VSWR may be larger than 2. In general, the VSWR is preferably less than 3.0, the VSWR is particularly preferably less than 2.5, and the VSWR is most preferably less than 2.0. In this example, VSWR is maintained at a value smaller than 3.0 in the entire range of 3 to 5 GHz (FIG. 7: graph VE).

Ａ３．整合素子の長さとＶＳＷＲとの関係：
図８（Ａ）は、整合素子（第２直線部１１１Ｌ２）の長さＳＬを示す概略図である。図８（Ａ）には、給電導体部１１０の−ｙ側の一部分が示されている。本実施例では、スリット１１６ｓの長さを調整することによって、第２直線部１１１Ｌ２の長さＳＬを調整することができる。スリット１１６ｓの＋ｘ側の端ＳＥを＋ｘ側にシフトさせることによって、第２端１１１ｅ２を＋ｘ側にシフトさせることができる（長さＳＬが長くなる）。逆に、端ＳＥを−ｘ側にシフトさせることによって、第２端１１１ｅ２を−ｘ側にシフトさせることができる（長さＳＬが短くなる）。なお、第１実施例のアンテナ装置１０では、長さＳＬは２．７７５ｍｍである。 A3. Relationship between matching element length and VSWR:
FIG. 8A is a schematic diagram showing the length SL of the matching element (second linear portion 111L2). FIG. 8A shows a part on the −y side of the power feeding conductor portion 110. In the present embodiment, the length SL of the second linear portion 111L2 can be adjusted by adjusting the length of the slit 116s. By shifting the end SE on the + x side of the slit 116s to the + x side, the second end 111e2 can be shifted to the + x side (the length SL becomes longer). Conversely, by shifting the end SE to the −x side, the second end 111e2 can be shifted to the −x side (the length SL is shortened). In the antenna device 10 of the first embodiment, the length SL is 2.775 mm.

図８（Ｂ）は、整合素子（図８（Ａ）：第２直線部１１１Ｌ２）の長さＳＬとＶＳＷＲとの関係を示すグラフである。横軸は周波数ｆｒｅｑ（ＧＨｚ）を示し、縦軸はＶＳＷＲを示している。図８（Ｂ）には３つのグラフＶＥ、ＶＥＳ、ＶＥＬが示されている。第１グラフＶＥは、図７に示す第１グラフＶＥと同じである。第２グラフＶＥＳは、第１グラフＶＥと比べて長さＳＬが０．５ｍｍだけ短い場合のグラフである。第３グラフＶＥＬは、第１グラフＶＥと比べて長さＳＬが０．５ｍｍだけ長い場合のグラフである。これらのグラフＶＥ、ＶＥＳ、ＶＥＬは、いずれもシミュレーションによる計算値を示している。シミュレーションに用いたアンテナ装置の構成は、長さＳＬが異なる点以外は、図１〜図６に示すアンテナ装置１０と同じである。 FIG. 8B is a graph showing the relationship between the length SL and the VSWR of the matching element (FIG. 8A: second linear portion 111L2). The horizontal axis indicates the frequency freq (GHz), and the vertical axis indicates VSWR. FIG. 8B shows three graphs VE, VES, and VEL. The first graph VE is the same as the first graph VE shown in FIG. The second graph VES is a graph when the length SL is shorter by 0.5 mm than the first graph VE. The third graph VEL is a graph when the length SL is longer by 0.5 mm than the first graph VE. These graphs VE, VES, and VEL all show calculated values by simulation. The configuration of the antenna device used for the simulation is the same as that of the antenna device 10 shown in FIGS. 1 to 6 except that the length SL is different.

図示するように、長さＳＬを変えることによって、ＶＳＷＲが変化する。すなわち、整合素子（第２直線部１１１Ｌ２）の長さＳＬを調整することによって、ＶＳＷＲを調整することができる。また、本実施例では、スリット１１６ｓの長さを調整するだけで、長さＳＬを調整することができる。このように、ＶＳＷＲの調整を容易に行うことができる。 As shown in the figure, the VSWR changes by changing the length SL. That is, the VSWR can be adjusted by adjusting the length SL of the matching element (second linear portion 111L2). In the present embodiment, the length SL can be adjusted only by adjusting the length of the slit 116s. Thus, the VSWR can be easily adjusted.

Ａ４．給電導体部と無給電導体部との間の距離とＶＳＷＲとの関係：
図９は、給電導体部１１０と無給電導体部１３１、１３２との間の距離ｄ（図４）と、ＶＳＷＲとの関係を示すグラフである。横軸は周波数ｆｒｅｑ（ＧＨｚ）を示し、縦軸はＶＳＷＲを示している。図９の下部のグラフは、一部の周波数範囲の拡大図を示している。図中には、５つのグラフＶＥｄ１０、ＶＥｄ２０、ＶＥｄ２５、ＶＥｄ３０、ＶＥｄ４０が示されている。グラフに付された符号のうちの「ｄ」に続く数字は、距離ｄを表している（単位はμｍ）。例えば、第１グラフＶＥｄ２５は、距離ｄが２５μｍの場合のＶＳＷＲを示し、第２グラフＶＥｄ１０は、距離ｄが１０μｍの場合のＶＳＷＲを示している。なお、第１グラフＶＥｄ２５は、図７に示す第１グラフＶＥと同じである。また、これらのグラフＶＥｄ１０〜ＶＥｄ４０は、いずれもシミュレーションによる計算値を示している。シミュレーションに用いたアンテナ装置の構成は、距離ｄが異なる点以外は、図１〜図６に示すアンテナ装置１０と同じである。 A4. Relationship between the distance between the feeding conductor portion and the parasitic conductor portion and VSWR:
FIG. 9 is a graph showing the relationship between the distance d (FIG. 4) between the feeding conductor portion 110 and the parasitic conductor portions 131 and 132 and VSWR. The horizontal axis indicates the frequency freq (GHz), and the vertical axis indicates VSWR. The lower graph of FIG. 9 shows an enlarged view of a part of the frequency range. In the figure, five graphs VEd10, VEd20, VEd25, VEd30, and VEd40 are shown. Of the symbols attached to the graph, the number following “d” represents the distance d (unit: μm). For example, the first graph VEd25 indicates the VSWR when the distance d is 25 μm, and the second graph VEd10 indicates the VSWR when the distance d is 10 μm. The first graph VEd25 is the same as the first graph VE shown in FIG. In addition, these graphs VEd10 to VEd40 are all calculated values by simulation. The configuration of the antenna device used for the simulation is the same as that of the antenna device 10 shown in FIGS. 1 to 6 except that the distance d is different.

図示するように、距離ｄを変えることによって、高い周波数帯（４〜５ＧＨｚ）のＶＳＷＲが変化する。ここで、距離ｄが２０μｍ〜３０μｍの範囲内の場合には、ＶＳＷＲは２．０以下に維持される（グラフＶＥｄ２０、ＶＥｄ２５、ＶＥｄ３０）。 As shown in the figure, the VSWR in the high frequency band (4 to 5 GHz) changes by changing the distance d. Here, when the distance d is in the range of 20 μm to 30 μm, the VSWR is maintained at 2.0 or less (graphs VEd20, VEd25, and VEd30).

距離ｄが４０μｍの場合には、４．７ＧＨｚ周辺でＶＳＷＲが２よりも大きくなる（グラフＶＥｄ４０）。この理由は、以下のように推定される。距離ｄが過剰に長い場合には、給電導体部１１０と無給電導体部１３１、１３２との間の電磁的な相互作用が過剰に弱くなる。従って、給電導体部１１０と無給電導体部１３１、１３２とを利用する共振によって低いＶＳＷＲが実現される第１の周波数範囲（４．７〜５ＧＨｚ）が、給電導体部１１０のみによって低いＶＳＷＲが実現される第２の周波数範囲（３〜４ＧＨｚ）から遠くなる。その結果、これらの周波数範囲の間に、ＶＳＷＲの大きな周波数範囲が生じると推定される。そこで、距離ｄを３０μｍ以下にすれば、これらの周波数範囲の間にＶＳＷＲの大きな周波数範囲が生じることを抑制できる。 When the distance d is 40 μm, the VSWR is larger than 2 around 4.7 GHz (graph VEd40). The reason is estimated as follows. When the distance d is excessively long, the electromagnetic interaction between the feeding conductor portion 110 and the parasitic conductor portions 131 and 132 becomes excessively weak. Accordingly, the first frequency range (4.7 to 5 GHz) in which a low VSWR is realized by resonance using the feed conductor portion 110 and the parasitic conductor portions 131 and 132 is realized, and the low VSWR is realized only by the feed conductor portion 110. Is far from the second frequency range (3-4 GHz). As a result, it is estimated that a frequency range having a large VSWR occurs between these frequency ranges. Therefore, if the distance d is set to 30 μm or less, it is possible to suppress the generation of a frequency range having a large VSWR between these frequency ranges.

また、距離ｄが１０μｍの場合には、約４．９ＧＨｚ以上の周波数においてＶＳＷＲが２よりも大きくなる（グラフＶＥｄ１０）。この理由は、以下のように推定される。距離ｄが過剰に短い場合には、給電導体部１１０と無給電導体部１３１、１３２との間の電磁的な相互作用が過剰に強くなる。従って、給電導体部１１０と無給電導体部１３１、１３２とによって得られる低ＶＳＷＲ周波数範囲（第１周波数範囲）が、給電導体部１１０のみによって得られる低ＶＳＷＲ周波数範囲（第２周波数範囲）に近くなる。その結果、ＶＳＷＲの良好な周波数範囲が狭くなると推定される。そこで、距離ｄを２０μｍ以上にすれば、ＶＳＷＲの良好な周波数範囲が狭くなることを抑制できる。 When the distance d is 10 μm, the VSWR becomes larger than 2 at a frequency of about 4.9 GHz or more (graph VEd10). The reason is estimated as follows. When the distance d is excessively short, the electromagnetic interaction between the feeding conductor portion 110 and the parasitic conductor portions 131 and 132 becomes excessively strong. Therefore, the low VSWR frequency range (first frequency range) obtained by the feeding conductor portion 110 and the parasitic conductor portions 131 and 132 is close to the low VSWR frequency range (second frequency range) obtained by the feeding conductor portion 110 alone. Become. As a result, it is estimated that the favorable frequency range of VSWR becomes narrow. Therefore, if the distance d is set to 20 μm or more, it can be suppressed that the favorable frequency range of VSWR is narrowed.

以上のように、距離ｄを、２０μｍ以上３０μｍ以下の範囲内の値に設定することが好ましい。こうすれば、ＶＳＷＲが高くなることを抑制できる。具体的には、所望の周波数範囲の途中にＶＳＷＲの大きな周波数範囲が生じることを抑制し、そして、ＶＳＷＲの良好な周波数範囲が狭くなることを抑制できる。 As described above, the distance d is preferably set to a value within the range of 20 μm or more and 30 μm or less. In this way, it is possible to suppress the VSWR from becoming high. Specifically, it is possible to suppress the generation of a frequency range having a large VSWR in the middle of the desired frequency range, and to suppress the narrowing of the favorable frequency range of the VSWR.

Ｂ．第２実施例：
図１０は、第２実施例におけるアンテナ装置のＶＳＷＲを示すグラフである。横軸は周波数ｆｒｅｑ（ＧＨｚ）を示し、縦軸はＶＳＷＲを示している。図１０には、４つのグラフＶＣ、ＶＥ、ＶＵ、ＶＤが示されている。比較グラフＶＣと第１グラフＶＥとは、図７に示す比較グラフＶＣと第１グラフＶＥと、それぞれ、同じである。第２グラフＶＵは、アンテナ１００（図３）から第２無給電導体部１３２を省略して得られるアンテナ装置の特性を示している（他の構成は、アンテナ装置１０と同じ）。第３グラフＶＤは、アンテナ１００から第１無給電導体部１３１を省略して得られるアンテナ装置の特性を示している（他の構成は、アンテナ装置１０と同じ）。このように、第２グラフＶＵと第３グラフＶＤとは、無給電導体部の数が１つである場合の特性を示している。これらのグラフＶＵ、ＶＤは、いずれもシミュレーションによる計算値を示している。シミュレーションに用いたアンテナ装置の構成は、無給電導体部１３１、１３２の有無が異なる点以外は、図１〜図６に示すアンテナ装置１０と同じである。 B. Second embodiment:
FIG. 10 is a graph showing the VSWR of the antenna device in the second embodiment. The horizontal axis indicates the frequency freq (GHz), and the vertical axis indicates VSWR. FIG. 10 shows four graphs VC, VE, VU, and VD. The comparison graph VC and the first graph VE are the same as the comparison graph VC and the first graph VE shown in FIG. 7, respectively. The second graph VU shows the characteristics of the antenna device obtained by omitting the second parasitic conductor 132 from the antenna 100 (FIG. 3) (other configurations are the same as those of the antenna device 10). The third graph VD shows the characteristics of the antenna device obtained by omitting the first parasitic conductor 131 from the antenna 100 (other configurations are the same as those of the antenna device 10). Thus, the 2nd graph VU and the 3rd graph VD have shown the characteristic in case the number of parasitic conductor parts is one. These graphs VU and VD both show the calculated values by simulation. The configuration of the antenna device used for the simulation is the same as that of the antenna device 10 shown in FIGS. 1 to 6 except that the presence or absence of the parasitic conductor portions 131 and 132 is different.

図示するように、無給電導体部の数が１つである場合には（ＶＵ、ＶＤ）、無給電導体部の数が２つである場合と比べて（ＶＥ）、高い周波数帯（４〜５ＧＨｚ）でのＶＳＷＲが大きくなる。ただし、いずれの場合も、無給電導体部を利用することによって、３〜５ＧＨｚの全範囲においてＶＳＷＲは３．０より小さな値に維持されている（グラフＶＥ、ＶＵ、ＶＤ）。 As shown in the figure, when the number of parasitic conductor portions is one (VU, VD), compared with the case where the number of parasitic conductor portions is two (VE), a higher frequency band (4 to 4). VSWR at 5 GHz) increases. However, in any case, the VSWR is maintained at a value smaller than 3.0 in the entire range of 3 to 5 GHz by using the parasitic conductor portion (graphs VE, VU, VD).

このように、１つの無給電導体部を利用することによって、ＶＳＷＲの良好な周波数範囲を拡張することができる。そして、給電導体部１１０を挟む２つの無給電導体部１３１、１３２を利用することによって、さらに良好なＶＳＷＲを実現することができる（すなわち、周波数帯域を更に拡張することができる）。 As described above, by using one parasitic conductor portion, it is possible to extend a favorable frequency range of VSWR. Further, by using the two parasitic conductor portions 131 and 132 sandwiching the feeding conductor portion 110, it is possible to realize an even better VSWR (that is, the frequency band can be further expanded).

Ｃ．変形例：
なお、上記各実施例における構成要素の中の、独立クレームでクレームされた要素以外の要素は、付加的な要素であり、適宜省略可能である。また、この発明は上記の実施例や実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。 C. Variations:
In addition, elements other than the elements claimed in the independent claims among the constituent elements in each of the above embodiments are additional elements and can be omitted as appropriate. The present invention is not limited to the above-described examples and embodiments, and can be implemented in various modes without departing from the gist thereof. For example, the following modifications are possible.

変形例１：
上述の各実施例において、給電素子の構成としては、種々のモノポールアンテナの構成を採用可能である。例えば、線状の整合素子が、曲がっていても良く、アンテナ１００の側面に形成されていてもよい。また、給電素子が、ミアンダ形状を形成する線状の導体部を含んでも良い。また、開口１１８が省略されてもよい。また、拡張平板部の形状としては、台形状に限らず、整合素子の他端から遠いほど幅が広くなる部分を含む種々の形状を採用可能である。例えば、扇形に広がる形状を採用してもよい。また、誘電体基板９００上の固定パッド７８０が、給電素子（給電導体部１１０）から絶縁されていてもよい。ただし、上述の実施例のように固定パッド７８０を給電素子の一部として利用すれば、より低い周波数でのＶＳＷＲを低減できる（すなわち、アンテナを小型化できる）。 Modification 1:
In each of the above-described embodiments, various monopole antenna configurations can be adopted as the configuration of the feed element. For example, the linear matching element may be bent or formed on the side surface of the antenna 100. In addition, the power feeding element may include a linear conductor portion that forms a meander shape. Further, the opening 118 may be omitted. Further, the shape of the extended flat plate portion is not limited to the trapezoidal shape, and various shapes including a portion whose width increases as the distance from the other end of the matching element can be adopted. For example, you may employ | adopt the shape which spreads in a fan shape. Further, the fixed pad 780 on the dielectric substrate 900 may be insulated from the feed element (feed conductor portion 110). However, if the fixed pad 780 is used as a part of the feeding element as in the above-described embodiment, the VSWR at a lower frequency can be reduced (that is, the antenna can be downsized).

いずれの場合も、給電素子の構成としては、給電部と、一端が給電部に接続された線状の整合素子と、整合素子の他端に接続されるとともに他端から遠いほど幅が広くなる部分を含む拡張平板部と、を含む種々の構成を採用可能である。ここで、図５に示す給電導体部１１０のように、矩形の一部を切り欠くことによって整合素子と拡張平板部との両方を形成することが好ましい。 In any case, the configuration of the power feeding element includes a power feeding unit, a linear matching element whose one end is connected to the power feeding unit, and a width that increases as the distance from the other end increases. Various configurations including an extended flat plate portion including a portion can be employed. Here, it is preferable to form both the matching element and the extended flat plate portion by cutting out a part of the rectangle as in the power supply conductor portion 110 shown in FIG.

また、無給電素子の構成としても、種々の構成を採用可能である。例えば、無給電素子の形状としては、矩形に限らず、種々の形状を採用可能である。例えば、種々の多角形（例えば、三角形や五角形）を採用してもよい。また、給電素子の代わりに無給電素子が固定パッド７８０に接続されてもよい。この場合には、固定パッド７８０も無給電素子の一部として機能する。また、上述の各実施例では、無給電素子（無給電導体部１３１、１３２）が、グランド導電パターン４００から絶縁されているが、無給電素子がグランド導電パターン４００に電気的に接続されても良い。 Various configurations can be adopted as the configuration of the parasitic element. For example, the shape of the parasitic element is not limited to a rectangle, and various shapes can be employed. For example, various polygons (for example, a triangle or a pentagon) may be adopted. Further, a parasitic element may be connected to the fixed pad 780 instead of the feeder element. In this case, the fixed pad 780 also functions as a part of the parasitic element. Further, in each of the above-described embodiments, the parasitic element (parasitic conductor portions 131 and 132) is insulated from the ground conductive pattern 400, but the parasitic element may be electrically connected to the ground conductive pattern 400. good.

いずれの場合も、無給電素子の構成としては、給電素子の拡張平板部とほぼ平行に配置された平板部を含む種々の構成を採用可能である。ここで、拡張平板部と垂直な方向に沿って見たときに、拡張平板部の少なくとも一部と、無給電素子の平板部の少なくとも一部とが重なっていることが好ましい。こうすれば、給電素子と無給電素子との間の電磁的相互作用を強くすることができる。その結果、給電素子と無給電素子とを利用した複共振による周波数帯の拡張が可能となる。 In any case, as the configuration of the parasitic element, various configurations including a flat plate portion arranged substantially parallel to the extended flat plate portion of the feed element can be employed. Here, it is preferable that at least a part of the extended flat plate part and at least a part of the flat plate part of the parasitic element overlap when viewed along a direction perpendicular to the extended flat plate part. In this way, the electromagnetic interaction between the feeding element and the parasitic element can be strengthened. As a result, it is possible to expand the frequency band by multiple resonance using the feeding element and the parasitic element.

変形例２：
上述の各実施例において、アンテナ装置が良好な特性を示す周波数帯としては、３〜５ＧＨｚに限らず、種々の周波数帯を採用可能である。また、アンテナ装置の形状と寸法（例えば、給電素子と無給電素子とのそれぞれの形状と寸法）は、所望の周波数帯に適合するように実験的に決定すればよい。ここで、２つの無給電素子を有するアンテナ装置においては、第１無給電素子の形状と寸法との少なくとも一部が、第２無給電素子と異なっていても良い。また、第１無給電素子の平板部と給電素子の拡張平板部との距離（第１距離）が、第２無給電素子の平板部と給電素子の拡張平板部との距離（第２距離）と異なっていても良い。この場合も、第１距離と第２距離とのそれぞれが、２０μｍ以上３０μｍ以下の値に設定されることが好ましい。こうすれば、給電素子と無給電素子との間の電磁的相互作用が過剰に強くなることと、その相互作用が過剰に弱くなることとを防止できる。ただし、第１距離と第２距離とがほぼ同じであることが好ましい。こうすれば、２つの無給電素子が給電素子を挟んで対称に配置されるので、給電素子から第１無給電素子へ向かう方向と、給電素子から第２無給電素子へ向かう方向との間の放射特性の差が過剰に大きくなることを抑制できる。いずれの場合も、３〜５ＧＨｚの少なくとも一部の周波数範囲を含む周波数帯を採用すれば、上述の各実施例のアンテナ装置に基づいて、容易に、アンテナ装置の構成を決定できる。 Modification 2:
In each of the above-described embodiments, the frequency band in which the antenna device exhibits good characteristics is not limited to 3 to 5 GHz, and various frequency bands can be employed. Further, the shape and size of the antenna device (for example, the shape and size of each of the feeding element and the parasitic element) may be determined experimentally so as to match a desired frequency band. Here, in the antenna device having two parasitic elements, at least a part of the shape and size of the first parasitic element may be different from that of the second parasitic element. Further, the distance (first distance) between the flat plate portion of the first parasitic element and the extended flat plate portion of the feed element is the distance (second distance) between the flat plate portion of the second parasitic element and the extended flat plate portion of the feed element. And may be different. Also in this case, it is preferable that each of the first distance and the second distance is set to a value of 20 μm or more and 30 μm or less. In this way, it is possible to prevent the electromagnetic interaction between the feeding element and the parasitic element from becoming excessively strong and the interaction from becoming excessively weak. However, it is preferable that the first distance and the second distance are substantially the same. In this way, the two parasitic elements are arranged symmetrically with the feeding element interposed therebetween, and therefore, between the direction from the feeding element toward the first parasitic element and the direction from the feeding element toward the second parasitic element. An excessive increase in the difference in radiation characteristics can be suppressed. In any case, if a frequency band including at least a part of the frequency range of 3 to 5 GHz is employed, the configuration of the antenna device can be easily determined based on the antenna devices of the above-described embodiments.

変形例３：
上述の各実施例において、給電素子の拡張平板部が誘電体または磁性体の表面または内部に設けられていることが好ましい。こうすれば、給電素子を小型化することができる。ここで、拡張平板部の一部が、誘電体または磁性体で構成された素子基材の表面に形成され、拡張平板部の残りの部分が、その素子基材の内部に形成されてもよい。また、給電素子の全体が、その素子基材の表面または内部に設けられていることは特に好ましい。以上の説明は、無給電素子の平板部と無給電素子の全体とについても同様である。ここで、２つの無給電素子を利用する場合には、２つの無給電平板部の両方が、素子基材の表面または内部に設けられていることが好ましく、２つの無給電素子の両方の全体が、素子基材の表面または内部に設けられていることが特に好ましい。 Modification 3:
In each of the above-described embodiments, it is preferable that the extended flat plate portion of the feed element is provided on the surface or inside of the dielectric or magnetic material. In this way, the power feeding element can be reduced in size. Here, a part of the extended flat plate part may be formed on the surface of the element base made of a dielectric or magnetic material, and the remaining part of the extended flat plate part may be formed inside the element base. . Moreover, it is particularly preferable that the entire power feeding element is provided on the surface or inside of the element substrate. The above description is the same for the flat plate portion of the parasitic element and the entire parasitic element. Here, when two parasitic elements are used, it is preferable that both of the two parasitic flat plate portions are provided on the surface or inside of the element substrate, and the whole of both of the two parasitic elements. Is preferably provided on the surface or inside of the element substrate.

なお、誘電体としては、種々の材料を採用可能である。例えば、ホウケイ酸ガラス系セラミックやガラスエポキシ等を採用可能である。また、誘電体の比誘電率は、望ましい周波数帯での通信が可能なように実験的に決定すればよい。これらは、誘電体基板９００についても同様である。 Various materials can be used as the dielectric. For example, a borosilicate glass-based ceramic or glass epoxy can be used. The relative dielectric constant of the dielectric may be determined experimentally so that communication in a desired frequency band is possible. The same applies to the dielectric substrate 900.

また、磁性体としては、種々の材料を採用可能である。例えば、フェライトやＹＩＧ（イットリウム・アイアン・ガーネット）を採用可能である。また、磁性体の比透磁率は、望ましい周波数帯での通信が可能なように実験的に決定すればよい。 Various materials can be used as the magnetic material. For example, ferrite or YIG (yttrium iron garnet) can be used. The relative permeability of the magnetic material may be determined experimentally so that communication in a desired frequency band is possible.

変形例４：
上述の各実施例では、給電素子の一部を有する別の部材（チップアンテナ１００）を誘電体基板９００に固定することによって、給電素子の全体が形成されている。この代わりに、給電素子の全体が誘電体基板９００の表面または内部に形成されてもよい。一般には、給電素子が基板に設けられていれることが好ましい。ここで、「素子が基板に設けられる」とは、以下の３つの構成を含む広い概念を意味している。
（１）素子の全体が基板の表面または内部に形成される。
（２）素子の一部が基板の表面または内部に形成され、そして、素子の残りの部分を有する別部材が基板に固定される。
（３）素子の全体を有する別部材が基板に固定される。
以上の説明は、無給電素子についても、同じである。このように、アンテナ素子（給電素子と無給電素子とを含む）を基板に設ければ、アンテナ素子の保持が容易である。ここで、２つの無給電素子を利用する場合には、２つの無給電素子の両方が基板に設けられることが好ましい。 Modification 4:
In each of the above-described embodiments, the entire feeding element is formed by fixing another member (chip antenna 100) having a part of the feeding element to the dielectric substrate 900. Alternatively, the entire feeding element may be formed on the surface of or inside the dielectric substrate 900. In general, it is preferable that the power feeding element is provided on the substrate. Here, “the element is provided on the substrate” means a broad concept including the following three configurations.
(1) The entire device is formed on the surface or inside of the substrate.
(2) A part of the element is formed on the surface or inside of the substrate, and another member having the remaining part of the element is fixed to the substrate.
(3) Another member having the entire element is fixed to the substrate.
The above description is the same for the parasitic element. Thus, if an antenna element (including a feeding element and a parasitic element) is provided on the substrate, the antenna element can be easily held. Here, when two parasitic elements are used, it is preferable that both of the two parasitic elements are provided on the substrate.

ここで、基板の一部の領域であるグランド領域に、基板の表面あるいは内部にグランド導電パターンを設けてもよい。このように、アンテナ素子に加えてグランド導電パターンを基板に設ければ、アンテナ素子（モノポールアンテナ）の特性を向上させることができる。また、グランド領域に信号処理回路を設けることが可能であるので、無線通信装置の小型化が可能である。ここで、基板の厚さ方向に沿って見たときに、グランド領域と重ならない位置に給電素子と無給電素子とが配置されていることが好ましい。２つの無給電素子を利用する場合には、２つの無給電素子のそれぞれが、グランド領域と重ならない位置に配置されていることが好ましい。こうすれば、給電素子と無給電素子を利用した無線通信が、グランド導電パターンによって遮られることを抑制できる。なお、アンテナ素子が設けられている基板から、グランド導電パターンが省略されてもよい。また、信号処理回路が実装された基板とは別の基板に、アンテナ素子が設けられても良い。 Here, a ground conductive pattern may be provided on the surface or inside of the substrate in the ground region which is a partial region of the substrate. Thus, if a ground conductive pattern is provided on the substrate in addition to the antenna element, the characteristics of the antenna element (monopole antenna) can be improved. In addition, since a signal processing circuit can be provided in the ground region, the size of the wireless communication device can be reduced. Here, it is preferable that the feeding element and the parasitic element are arranged at a position that does not overlap the ground region when viewed along the thickness direction of the substrate. When two parasitic elements are used, it is preferable that each of the two parasitic elements is arranged at a position that does not overlap the ground region. If it carries out like this, it can suppress that the radio | wireless communication using a feed element and a parasitic element is interrupted | blocked by a ground conductive pattern. Note that the ground conductive pattern may be omitted from the substrate on which the antenna element is provided. Further, the antenna element may be provided on a substrate different from the substrate on which the signal processing circuit is mounted.

アンテナ装置１０の斜視図である。1 is a perspective view of an antenna device 10. FIG. アンテナ装置１０の上面図である。2 is a top view of the antenna device 10. FIG. アンテナ１００の分解斜視図である。1 is an exploded perspective view of an antenna 100. FIG. アンテナ１００の側面図である。1 is a side view of an antenna 100. FIG. 給電導体部１１０の上面図である。FIG. 6 is a top view of a feeding conductor portion 110. 無給電導体部１３１、１３２の上面図である。4 is a top view of parasitic conductor portions 131 and 132. FIG. アンテナのＶＳＷＲ（電圧定在波比）を示すグラフである。It is a graph which shows VSWR (voltage standing wave ratio) of an antenna. 整合素子の長さとＶＳＷＲとの関係を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the relationship between the length of a matching element, and VSWR. 給電導体部と無給電導体部との間の距離とＶＳＷＲとの関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the distance between a feeding conductor part and a parasitic conductor part, and VSWR. 第２実施例におけるアンテナ装置のＶＳＷＲを示すグラフである。It is a graph which shows VSWR of the antenna apparatus in 2nd Example.

Explanation of symbols

１０…アンテナ装置
１００…チップアンテナ
１１０…給電導体部
１１１…第１導体部
１１１Ｌ１…第１直線部
１１１Ｌ２…第２直線部
１１２…第２導体部
１１２Ｕ…第１ライン
１１２Ｄ…第２ライン
１１２Ｓ…第３ライン
１１２ｐ１…第１部分
１１２ｐ２…第２部分
１１２ｖ１…第１頂点
１１２ｖ２…第２頂点
１１３…第３導体部
１１６ｓ…スリット
１１６ｔ…切込
１１８…開口
１３１…第１無給電導体部
１３２…第２無給電導体部
１４１…第１誘電層
１４２…第２誘電層
１４３…第３誘電層
１４４…第４誘電層
１８０…端子
４００…グランド導電パターン
７８０…固定パッド
７９０…給電パッド
９００…誘電体基板
Ｐ１〜Ｐ６…突出部
ＧＡ…グランド領域
ＳＣ…信号処理回路
ＦＬ…給電ライン DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Antenna apparatus 100 ... Chip antenna 110 ... Feeding conductor part 111 ... 1st conductor part 111L1 ... 1st linear part 111L2 ... 2nd linear part 112 ... 2nd conductor part 112U ... 1st line 112D ... 2nd line 112S ... 2nd 3 lines 112p1 ... 1st part 112p2 ... 2nd part 112v1 ... 1st vertex 112v2 ... 2nd vertex 113 ... 3rd conductor part 116s ... Slit 116t ... notch 118 ... opening 131 ... 1st parasitic conductor part 132 ... 2nd Parasitic conductor portion 141 ... first dielectric layer 142 ... second dielectric layer 143 ... third dielectric layer 144 ... fourth dielectric layer 180 ... terminal 400 ... ground conductive pattern 780 ... fixed pad 790 ... feed pad 900 ... dielectric substrate P1 P6 ... Projection GA ... Ground area SC ... Signal processing circuit FL ... Feed line

Claims

An antenna device,
A power supply unit, a linear matching element having one end connected to the power supply unit, and an extended flat plate part including a portion that is connected to the other end of the matching element and becomes wider as it is farther from the other end. Including a feed element,
A first parasitic element including a first parasitic flat plate portion disposed substantially parallel to the extended flat plate portion;
An antenna device comprising:

The antenna device according to claim 1, further comprising:
Including a second parasitic element including a second parasitic flat plate portion disposed substantially parallel to the extended flat plate portion;
The extended flat plate portion is disposed between the first parasitic flat plate portion and the second parasitic flat plate portion,
Antenna device.

The antenna device according to claim 2, wherein
The interval between the extended flat plate portion and the first parasitic flat plate portion and the interval between the extended flat plate portion and the second parasitic flat plate portion are set to values of 20 μm or more and 30 μm or less, respectively. The antenna device.

The antenna device according to any one of claims 1 to 3, further comprising:
Comprising an element substrate made of a dielectric or magnetic material;
Each of the extended flat plate portion and the non-feeding flat plate portion is provided on the surface or inside of the element substrate.
Antenna device.

The antenna device according to any one of claims 1 to 4, further comprising:
Equipped with a substrate,
The feeding element and the parasitic element are provided on the substrate,
In the ground region which is a partial region of the substrate, a ground conductive pattern is provided on the surface or inside of the substrate,
The feeding element and the parasitic element are arranged at positions that do not overlap the ground region when viewed along the thickness direction of the substrate.
Antenna device.

An antenna device according to claim 5;
A signal processing circuit provided in the ground region and connected to the antenna device;
A communication device comprising: