JP2009075044A - Film thickness defective inspection device for conductive polymer layer of organic el panel substrate, and method for inspecting film thickness defective using the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、導電性ポリマー層が形成された有機ELパネル基板の導電性ポリマー層の膜厚不良検査装置及び膜厚不良検査方法に関する。 The present invention relates to a film thickness defect inspection apparatus and a film thickness defect inspection method for a conductive polymer layer of an organic EL panel substrate on which a conductive polymer layer is formed.
有機ELパネルでは正孔輸送層、発光層の膜厚バラツキが発光ムラの大きな要因となる。発光層は励起光を当てることで蛍光するのでその明るさを観察することで膜厚異常のセルを特定可能であるが、正孔輸送層は非発光材料であるのでこのような方法は使えない。セル毎に膜厚測定装置で測定しなければならず、時間がかかるため、パネルの一部しか測定はできない。そのため、最終的にパネルが完成して発光させてみないと導電性ポリマー層の膜厚不良が分からないという問題がある。
このようなことから、簡単な装置と構成で、カラーフィルタの膜厚差を検出する検出装置と膜厚差検出方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
For this reason, a detection apparatus and a film thickness difference detection method for detecting a film thickness difference between color filters with a simple apparatus and configuration have been proposed (see, for example, Patent Document 1).
本発明は、上記問題点に鑑み考案されたもので、陽極、正孔輸送層、発光層・電子輸送層、陰極の順で構成された有機ELパネルにおいて、陽極にITO膜を、正孔輸送層にPEDOT等の導電性ポリマー層を用いた場合に、導電性ポリマー層形成後に導電性ポリマー層の膜厚不良を効率よく検査できるようにした有機ELパネル基板の導電性ポリマー層の膜厚不良検査装置及びそれを用いた膜厚不良検査方法を提供することを目的とする。 The present invention has been devised in view of the above problems. In an organic EL panel composed of an anode, a hole transport layer, a light emitting layer / electron transport layer, and a cathode in this order, an ITO film is transported to the anode, and the hole transport is performed. When a conductive polymer layer such as PEDOT is used for the layer, the film thickness defect of the conductive polymer layer of the organic EL panel substrate is made possible to efficiently inspect the film thickness defect of the conductive polymer layer after the formation of the conductive polymer layer. An object of the present invention is to provide an inspection apparatus and a film thickness defect inspection method using the inspection apparatus.
本発明に於いて上記課題を達成するために、まず請求項1においては、少なくとも使用する導電性ポリマー材料の光学定数と製造工程で想定される導電性ポリマー層の膜厚範囲から最低3水準の膜厚での分光反射率を予め測定する分光反射率測定手段10と、該分光反射率測定定手段10により得られた結果から最も反射率に差が生じる波長を透過するバンドパスフィルタ22を備えた撮像手段20と、撮像したアナログデータ画像をデジタルデータ画像に変換するA/D変換手段30と、デジタルデータ画像を処理する画像処理手段40と、膜厚の正常、不良を判断処理する膜厚不良判断処理手段50と、各手段の制御を司る制御手段60と、を備えていることを特徴とする有機ELパネル基板の導電性ポリマー層の膜厚不良検査装置としたものである。 In order to achieve the above object in the present invention, first, in claim 1, at least three levels from the optical constant of the conductive polymer material to be used and the film thickness range of the conductive polymer layer assumed in the manufacturing process. Spectral reflectance measuring means 10 for measuring spectral reflectance at the film thickness in advance, and bandpass filter 22 that transmits a wavelength that most causes a difference in reflectance from the result obtained by the spectral reflectance measuring / fixing means 10 are provided. Imaging means 20, A / D conversion means 30 for converting the captured analog data image into a digital data image, image processing means 40 for processing the digital data image, and film thickness for determining whether the film thickness is normal or defective An apparatus for inspecting a film thickness defect of a conductive polymer layer of an organic EL panel substrate, comprising: a defect judgment processing means 50; and a control means 60 for controlling each means. It is intended.
また、請求項2においては、陽極、正孔輸送層、発光層・電子輸送層、陰極の順で構成された有機EL(エレクトロルミネッセンス)ディスプレイパネルにおいて、陽極にITO(酸化インジウム錫)膜を、正孔輸送層に導電性ポリマー層を用いた場合に、前記導電性ポリマー層形成後に行う導電性ポリマー層の膜厚不良検査方法であって、使用する導電性ポリマー材料の光学定数と製造工程で想定される導電性ポリマー層の膜厚範囲から最低3水準の膜厚での分光反射率を予め計算で求めておき、得られた結果から最も反射率に差が生じる波長を選択し、その波長を透過するバンドパスフィルタを装着して撮像することで膜厚の差をコントラスト良く撮像し、膜厚異常のセルを検出することを特徴とする有機ELパネル基板の導電性ポリマー層の膜厚不良検査方法としたものである。 Moreover, in Claim 2, in the organic EL (electroluminescence) display panel comprised in order of the anode, the hole transport layer, the light emitting layer / electron transport layer, and the cathode, an ITO (indium tin oxide) film is formed on the anode. In the case of using a conductive polymer layer for the hole transport layer, a method for inspecting the film thickness defect of the conductive polymer layer performed after the formation of the conductive polymer layer, the optical constant of the conductive polymer material used and the manufacturing process Spectral reflectance at the minimum three levels of film thickness is calculated in advance from the assumed film thickness range of the conductive polymer layer, and the wavelength with the greatest difference in reflectance is selected from the obtained results. A conductive polymer for an organic EL panel substrate, characterized in that a difference in film thickness is imaged with a good contrast by mounting a bandpass filter that transmits light, and a cell having an abnormal film thickness is detected. It is obtained by the film thickness defect inspection method of the layers.
さらにまた、請求項3においては、前記導電性ポリマー層は、PEDOTであることを
特徴とする請求項2に記載の導電性ポリマー層の膜厚不良検査方法としたものである。
Furthermore, in Claim 3, the said conductive polymer layer is PEDOT, It is set as the film thickness defect inspection method of the conductive polymer layer of Claim 2 characterized by the above-mentioned.
本発明によれば、有機ELパネルの製造において、従来困難であった導電性ポリマー層形成後の導電性ポリマー層の膜厚不良検査を効率よく行うことが可能となり、パネル化して駆動するまで分からなかった導電性ポリマー層の膜厚不良を早期に発見でき、有機ELパネルの不良品を削減することができる。 According to the present invention, in manufacturing an organic EL panel, it is possible to efficiently perform a film thickness defect inspection of a conductive polymer layer after forming a conductive polymer layer, which has been difficult in the past. The film thickness defect of the conductive polymer layer that did not exist can be found at an early stage, and defective organic EL panels can be reduced.
以下、本発明の実施の形態につき説明する。
図1は、本発明の有機ELパネル基板の導電性ポリマー層の膜厚不良検査装置の一実施例を示す模式構成図である。
本発明の有機ELパネル基板の導電性ポリマー層の膜厚不良検査装置100は、導電性ポリマー材料の光学定数と製造工程で想定される導電性ポリマー層の膜厚範囲から最低3水準の膜厚での分光反射率を予め測定する分光反射率測定手段10と、該分光反射率測定定手段10により得られた結果から最も反射率に差が生じる波長を透過するバンドパスフィルタ22を備えた撮像手段20と、撮像したアナログデータ画像をデジタルデータ画像に変換するA/D変換手段30と、デジタルデータ画像を処理する画像処理手段40と、膜厚の正常、不良を判断処理する膜厚不良判断処理手段50と、各手段の制御を司る制御手段60と、から構成されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an example of a film thickness defect inspection apparatus for a conductive polymer layer of an organic EL panel substrate of the present invention.
The film thickness
分光反射率測定手段10では、使用する導電性ポリマー材料の光学定数と製造工程で想定される導電性ポリマー層の膜厚範囲から最低3水準の膜厚での分光反射率を分光光度計で予め測定しておき、撮像手段20で導電性ポリマー層の膜厚差を撮像する際のバンドパスフィルタの選定に利用する。 In the spectral reflectance measuring means 10, the spectrophotometer preliminarily calculates the spectral reflectance at a film thickness of at least three levels from the optical constant of the conductive polymer material to be used and the film thickness range of the conductive polymer layer assumed in the manufacturing process. It is measured and used to select a bandpass filter when the imaging means 20 images the film thickness difference of the conductive polymer layer.
撮像手段20では、被検査対象物である有機ELパネル基板71を基板搬送ステージ61にセットする。ライン照明23からの照明光はバンドパスフィルタ22を透過し、導電性ポリマー層の膜厚差をコントラスト良く撮像可能な波長域だけの光を透過すると、ビームスプリッタ24で90度向きを変え、有機ELパネル基板71に垂直入射する。
垂直入射した光は導電性ポリマー層表面での反射と導電性ポリマー層を透過し、ITO膜面との界面で反射し戻ってくる光との間で干渉が生じ、導電性ポリマー層の膜厚に応じた波長で反射の強弱が生じる。これをラインカメラに代表される電子光学的な検出手段21で撮像する。
In the imaging means 20, an organic
The normal incident light is reflected on the surface of the conductive polymer layer and transmitted through the conductive polymer layer, causing interference between the light reflected at the interface with the ITO film surface and returning, and the film thickness of the conductive polymer layer. The intensity of reflection is generated at a wavelength corresponding to. This is imaged by an electro-optical detection means 21 typified by a line camera.
A/D変換手段30では、撮像手段20で得られたアナログ画像をデジタル画像信号に変換する。
画像処理手段40では、A/D変換した二次元のデジタル画像を二次元の走査領域に亘って処理し、画像メモリに格納する。
The A / D conversion means 30 converts the analog image obtained by the imaging means 20 into a digital image signal.
The image processing means 40 processes the A / D converted two-dimensional digital image over a two-dimensional scanning area and stores it in the image memory.
膜厚不良判断処理手段50では、画像メモリに格納された画像から、膜厚不良を抽出するプログラムを実行し、導電性ポリマー層の膜厚の正常、不良を判断処理する。もちろんコンピュータプログラム以外にハードウエア回路により欠陥検出処理を行うことも可能である。 The film thickness defect determination processing means 50 executes a program for extracting film thickness defects from the image stored in the image memory, and determines whether the film thickness of the conductive polymer layer is normal or defective. Of course, defect detection processing can also be performed by a hardware circuit other than the computer program.
取り込んだ画像の処理手順は以下のようになる。画像をX方向及びY方向にプロジェクション処理して1次元データにする。1次元データを走査することでセルの位置が認識できるので予め決めておいた矩形サイズで各セルを囲み、予め設定した閾値で2値化した後、矩形内の黒画素数を集計する。この値が予め決めた正常範囲から逸脱しているセルを導電性ポリマー層の膜厚不良と判定する。 The processing procedure for the captured image is as follows. The image is projected in the X and Y directions to become one-dimensional data. Since the position of the cell can be recognized by scanning the one-dimensional data, each cell is surrounded by a predetermined rectangular size, binarized by a preset threshold value, and then the number of black pixels in the rectangle is totalized. A cell in which this value deviates from a predetermined normal range is determined as a film thickness defect of the conductive polymer layer.
制御手段60では、各手段への指示、制御を行うと同時に、有機ELパネル基板の導電性ポリマー層の膜厚不良検査装置全体の制御を行う。 The control means 60 controls and controls the entire film defect inspection apparatus for the conductive polymer layer of the organic EL panel substrate at the same time as instructing and controlling each means.
以下本発明の有機ELパネル基板の導電性ポリマー層の膜厚不良検査装置を用いた導電性ポリマー層の膜厚不良検査方法について説明する。
まず、有機ELパネルの層構成を図2で説明する。ガラス基板111にITO(酸化インジウム錫)膜121があり、各画素の隔壁131が形成された状態で導電性ポリマー層からなる正孔輸送層141が形成される。この後の工程でR、G、B発光層151、161、171と陰極層181が形成され、封止されて有機ELパネルが完成する。
ここで、導電性ポリマー層は、PEDOTから構成されている。
本発明ではで導電性ポリマー層からなる正孔輸送層141が形成された有機ELパネル基板(図3参照)の状態で導電性ポリマー層141の膜厚異常を検査する。
Hereinafter, a method for inspecting a film thickness defect of a conductive polymer layer using a film thickness defect inspection apparatus for a conductive polymer layer of an organic EL panel substrate of the present invention will be described.
First, the layer structure of the organic EL panel will be described with reference to FIG. A glass substrate 111 has an ITO (indium tin oxide)
Here, the conductive polymer layer is made of PEDOT.
In the present invention, the film thickness abnormality of the
PEDOTからなる導電性ポリマー層の光学定数を図4(a)に、ITO膜の光学定数を図4(b)にそれぞれ示す。多層膜であっても光学定数と膜厚が与えられると分光反射率が計算できる。
この数値を使ってガラス基板上でITO膜の膜厚150nmとして、PEDOTからなる導電性ポリマー層の膜厚を40nm、50nm、60nmと変えたときの垂直入射分光反射率を計算させた結果を図5に示す。
グラフからわかるように短波長側で膜厚差による反射率差が大きくなっている。従って、この波長域を透過し、他の波長域をカットするバンドパスフィルタを使用してパネルの撮像を行えば標準膜厚である50nmに対して薄ければ明るく、厚ければ暗く撮像される。バンドパスフィルタを使用しない場合に比べてよりコントラスト良く撮像出来る。
The optical constant of the conductive polymer layer made of PEDOT is shown in FIG. 4 (a), and the optical constant of the ITO film is shown in FIG. 4 (b). Even in the case of a multilayer film, the spectral reflectance can be calculated if the optical constant and the film thickness are given.
Using this numerical value, the normal incidence spectral reflectance is calculated when the film thickness of the ITO polymer film is 150 nm on the glass substrate and the film thickness of the conductive polymer layer made of PEDOT is changed to 40 nm, 50 nm, and 60 nm. 5 shows.
As can be seen from the graph, the reflectance difference due to the film thickness difference is large on the short wavelength side. Therefore, if the panel is imaged using a bandpass filter that transmits this wavelength range and cuts other wavelength ranges, the image is brighter if it is thinner than the standard film thickness of 50 nm, and darker if it is thicker. . Images can be captured with better contrast than when no bandpass filter is used.
上記バンドパスフィルタの波長域を決定する膜厚の3水準は、理想膜厚及び実際の製造工程における膜厚の上限値、下限値から設定することができる。この範囲において、最も反射率差が大きな波長域を選択することによって、効率的に導電性ポリマー層の膜厚変化を検査することが可能となる。 The three levels of film thickness that determine the wavelength range of the bandpass filter can be set from the ideal film thickness and the upper and lower limits of the film thickness in the actual manufacturing process. In this range, it is possible to efficiently inspect the change in film thickness of the conductive polymer layer by selecting a wavelength region having the largest reflectance difference.
また、図6には隔壁131と隔壁131の間にPEDOTからなる導電性ポリマー層141を形成した後、触針式段差計で測定した結果をプロットした図を示す。ここで、発光に寄与するのは隔壁間の中央付近のフラットな部分で隔壁131近くの膜厚が厚くなっている部分は発光に寄与しない。従って、膜厚異常を判断する際に、中央部のフラットな部分の面積が重要ということになる。中央部のフラットな部分の面積が異なる例を断面図と上面図で図7に示す。セル51に比べてセル52の方が中央部のフラットな部分が大きい。そこで、撮像した画像を2値化し、セル毎にその面積を算出し、正常部の面積と比較することで膜厚異常起因の発光ムラと相関の高い結果が得られる。
FIG. 6 shows a plot of the results measured with a stylus profilometer after the
本発明によれば、有機ELパネルの製造において、従来困難であった導電性ポリマー層形成後の導電性ポリマー層の膜厚不良検査を効率よく行うことが可能となり、パネル化して駆動するまで分からなかった導電性ポリマー層の膜厚不良を早期に発見でき、有機ELパネルの不良品を削減することができる。 According to the present invention, in manufacturing an organic EL panel, it is possible to efficiently perform a film thickness defect inspection of a conductive polymer layer after forming a conductive polymer layer, which has been difficult in the past. The film thickness defect of the conductive polymer layer that did not exist can be found at an early stage, and defective organic EL panels can be reduced.
10……分光反射率測定手段
20……撮像手段
21……電子光学的な検出手段
22……バンドパスフィルタ
23……ライン照明
24……ビームスプリッタ
30……A/D変換手段
40……画像処理手段
50……膜厚不良判断処理手段
51、52……セル
60……制御手段
61……ステージ
71……有機ELパネル基板
100……膜厚不良検査装置
111……ガラス基板
121……ITO(酸化インジウム錫)膜
131……隔壁
141……導電性ポリマー層
151……R発光層
161……G発光層
171……B発光層
181……陰極層
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Claims (3)
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CN102494620A (en) * | 2011-12-06 | 2012-06-13 | 成都中科唯实仪器有限责任公司 | Full-automatic optical thickness gauge and refractive index/transmittance data processing method thereof |
US8628982B2 (en) | 2010-02-22 | 2014-01-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of depositing and inspecting an organic light emitting display panel |
JP2014508921A (en) * | 2011-01-31 | 2014-04-10 | ビアメトリクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Method and apparatus for determining optical properties by simultaneously measuring intensities in thin film layers using light of multiple wavelengths |
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