JP2008504371A - 有機金属化合物およびかかる化合物で形成された素子 - Google Patents
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Abstract
【化1】
(式中、L1はアリール−N−複素環配位子およびヘテロアリール−N−複素環配位子から選択され、L2はアニオン性配位子であり、L3はノニオン性配位子であり、L4はL1およびL2から選択され、MはRe、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、PtおよびAuから選択される金属であり、Fwは少なくとも2個の(L4−Ye)基を担持可能な部分であり、Yはアルキレン、ヘテロアルキレン、アルケニレン、ヘテロアルケニレンおよびアルキニレンから選択される基であり、aは1および2から選択され、bは0および1から選択され、cは0、1および2から選択され、dは0および、1から8の整数から選択され、eは0および1から選択され、fは0および1から選択され、gは1から4の整数であり、ならびに、hは1および2から選択され、ただし、a、b、およびcは、MがAu、Pd、またはPtであるとき金属は4配位であり、およびMがRe、Ru、Os、RhまたはIrであるとき金属は6配位であるよう選択され、ならびに、ただし、f=0であるとき、e=0であり、および少なくとも1個の置換基R1が少なくとも1個の配位子にあり、ここでR1は溶剤可溶化性である)
Description
本出願は、2004日6月9日に出願された米国仮特許出願第60/545,596号に基づく優先権を主張する。
L1はアリール−N−複素環配位子およびヘテロアリール−N−複素環配位子から選択され、
L2はアニオン性配位子であり、
L3はノニオン性配位子であり、
L4はL1およびL2から選択され、
MはRe、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、PtおよびAuから選択される金属であり、
FWは少なくとも2個の(L4−Ye)基を担持可能な部分であり、
Yはアルキレン、ヘテロアルキレン、アルケニレン、ヘテロアルケニレンおよびアルキニレンから選択される基であり、
aは1および2から選択され、
bは0および1から選択され、
cは0、1および2から選択され、
dは1から8の整数から選択され、
eは0および1から選択され、
fは0および1から選択され、
gは1から4の整数であり、および
hは1および2から選択され、
ただし、a、b、およびcは、MがAu、Pd、またはPtであるとき金属は4配位であり、およびMがRe、Ru、Os、RhまたはIrであるとき金属は6配位であるよう選択され、ならびに
ただし、f=0であるとき、e=0であり、および少なくとも1個の置換基R1が少なくとも1個の配位子にあり、ここでR1は溶剤可溶化性である)
を有する化合物に関する。
1,3−ジフェニル−1,3−プロパンジオネート[DI]
2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオネート[TMH]
4,4,4−トリフルオロ−1−(2−チエニル)−1,3−ブタンジオネート[TTFA]
7,7−ジメチル−1,1,1,2,2,3,3−ヘプタフルオロ−4,6−オクタンジオネート[FOD]
1,1,1,3,5,5,5−ヘプタフルオロ−2,4−ペンタンジオネート[F7acac]
1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ペンタンジオネート[F6acac]
1−フェニル−3−メチル−4−i−ブチリル−ピラゾリノネート[FMBP]
8−ヒドロキシキノリネート[8hq]
2−メチル−8−ヒドロキシキノリネート[Me−8hq]
10−ヒドロキシベンゾキノリネート[10−hbq]
が挙げられる。
親ヒドロキシキノリン化合物は一般に市販されている。
R4は各出現において同一であっても異なっていてもよく、ならびにHおよびCn(H+F)2n+1から選択され、
R5は各出現において同一であっても異なっていてもよく、ならびにCn(H+F)2n+1およびC6(H+F)5、またはC6H5-m(R6)mから選択され、
R6=CF3、C2F5、n−C3F7、i−C3F7、C4F9、CF3SO2および
Φは2または3であり、
mは0または1から5の整数であり、ならびに
nは1から20の整数である)を有する。
3−(ジフェニルフォスフィノ)−1−オキシプロパン[dppO]、
1,1−ビス(トリフルオロメチル)−2−(ジフェニルフォスフィノ)−エトキシド[tfmdpeO]、
1,1−ビス(トリフルオロメチル)−2−(ビス(3’5’−ジトリフルオロメチルフェニル)フォスフィノ)エトキシド[PO−2]、
1,1−ビス(トリフルオロメチル)−2−(ビス(4’−トリフルオロメチルフェニル)フォスフィノ)エトキシド[PO−3]、および
1,1−ビス(トリフルオロメチル)−2−(ビス(ペンタフルオロフェニル)フォスフィノ)エトキシド[PO−4]
が挙げられる。
Ar[−(CH2)q−Q]p (VI)
PAr3 (VII)
Ar2P−Z−PAr2 (VIII)
他の実施形態は、上記有機金属化合物を含む少なくとも1つの層を含む新規の有機電子素子である。有機金属化合物は、個別の層中にあることができ、または素子中の他の活性または非活性材料と組み合わすことができる。
(1)電気エネルギーを放射線に転換する素子(例えば、発光ダイオード、発光ダイオードディスプレイ、またはダイオードレーザー)、(2)電子処理を介して信号を検知する素子(例えば、受光器(例えば、光導電セル、光抵抗器、光スイッチ、フォトトランジスタ、光電管)、IR検知器)、(3)放射線を電気エネルギーに転換する素子(例えば、光起電素子または太陽電池)、および(4)1つまたは複数の有機半導体層を包含する1つまたは複数の電子構成成分を包含する素子(例えば、トランジスタまたはダイオード)が挙げられる。
この実施例は、式I(式中、d=4である)を有する新規の有機金属化合物、化合物1の調製を例示する。
この実施例は、式I(式中、e=f=0である)を有する新規の有機金属化合物、化合物2の調製を例示する。
この実施例は、式I(式中、e=f=0である)を有する新規の有機金属化合物、化合物3を例示する。
これは、配位子合成において3−トリフルオロメチルボロン酸を4−フルオロフェニルボロン酸に置き換えて、上記化合物2について記載したものと同じ方法で調製した。最終生成物のNMRは、それがfac異性体として所望の化合物(19F3重線の3重線−118.65ppmで)であることを示した。
これは、配位子合成において、3−トリフルオロメチルボロン酸を4−n−ブチル−フェニルボロン酸に置き換えて、上記化合物2について記載したものと同じ方法で調製した。最終生成物のNMRは、それがfac異性体として所望の化合物(1H:δ:7.9(1H)d、7.8(1H)d、7.55(1H)t、7.52(1H)d、7.42(2H)d、7.11(2H)d、7.0(1H)d、6.85(2H)m、2.52(2H)m、1.50(2H)m、1.25(2H)m、0.90(3H)t.)であることを示した。
これは、配位子合成において、3−トリフルオロメチルボロン酸を4−t−ブチル−フェニルボロン酸に置き換えて、上記化合物2について記載したものと同じ方法で調製した。最終生成物のNMRは、それがfac異性体として所望の化合物(1Hδ:7.9(1H)d、7.78(1H)d、7.55(1H)t、7.50(1H)d、7.40(2H)d、7.23(2H)d、6.93(1H)d、6.80(2H)m、1.19(9H)s.)であることを示した。
これは、配位子合成において、3−トリフルオロメチルボロン酸を3,5−ビス−トリフルオロメチルフェニルボロン酸に置き換えて、上記化合物2について記載したものと同じ方法で調製した。最終生成物のNMRは、それがfac異性体として所望の化合物(19F1重線−63.56ppmで)であることを示した。
この実施例は、式I(式中、e=f=0である)を有する新規の有機金属化合物、化合物4の調製を例示する。
この実施例は中間体構成組織−配位子、化合物5の調製を例示する。
この実施例は、式I(式中、d=2である)を有する新規の有機金属化合物、化合物6の調製を例示する。
この実施例は、式I(式中、d=2である)を有する新規の有機金属化合物、化合物7の生成を例示する。
この実施例は、構成組織−配位子前駆体、化合物8の調製を例示する。
この実施例は、式I(式中、d=2である)を有する新規の有機金属化合物、化合物9の調製を例示する。
この実施例は、式I(式中、d=2である)を有する新規の有機金属化合物、化合物10の調製を例示する。
この実施例は、式I(式中、e=f=0である)を有する新規の有機金属化合物、化合物11の調製を例示する。
この実施例は、式I(式中、e=f=0である)を有する新規の有機金属化合物、化合物12の調製を例示する。
この実施例は、式I(式中、d=2である)を有する新規の有機金属化合物、化合物13の調製を例示する。
この実施例は、式I(式中、d=2である)を有する新規の有機金属化合物、化合物14の調製を例示する。
この実施例は、式I(式中、d=2である)を有する新規の有機金属化合物、化合物15の調製を例示する。
この実施例は、多金属赤色放射材料(実施例9からの化合物9、以下に例示した)をドーパントとして、ポリ(フルオレン)マトリックス中で用いる、有機発光ダイオード(OLED)の製造を例示する。得られたブレンドは、OLEDにおける活性赤色−放射層として用いられる。この素子の電気的性能を、第2の素子が類似する単金属化合物(実施例11からの化合物11、以下に例示した)を多金属化合物の代わりの赤色ドーパントとして含有すること以外は同じOLEDと比較する。
このOLED実施例中の有機フィルム構成成分は、すべて溶液処理された。素子アセンブリは以下の通りである。ITO/ガラス基材(適用されたフィルム)をパターン化し(素子活性領域=25mm2の全体)および水性洗浄剤続いてイソプロパノールを用いて超音波的に洗浄した。基材を、次いで、300W酸素プラズマオーブン中に15分置くことによりさらに洗浄した。ポリ(エチレンジオキシチオフェン)−ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT−PSSA、バイエル社(Bayer Corp.))緩衝層(すなわち正孔輸送/注入層)を、次いで、60nmの厚さにスピンコートした。フィルムを200℃のホットプレート上で3分乾燥させた。基材を、次いで、窒素充填グローブボックスに移し、この時点でポリ(フルオレン)溶液(75mg)、赤色放射多金属化合物(1.5mg)、および無水トルエン(7.5mL)を70nmの厚さで基材上にスピンコートした。基材を、次いで、高真空室に移し、ここでLiF(2.0nm)続いてCa(20.0nm)および次いでAl(400nm)を2.0×10-6torrで熱的に堆積した。得られたOLED素子を、次いでガラススライドを陰極の頂部にUV硬化性エポキシ樹脂を用いて接着することにより空気からシールした。
このOLED実施例中の有機フィルム構成成分は、すべて溶液処理された。素子アセンブリは以下の通りである。ITO/ガラス基材(適用されたフィルム)をパターン化し(素子活性領域=25mm2の全体)および水性洗浄剤続いてイソプロパノールを用いて超音波的に洗浄した。基材を、次いで、300W酸素プラズマオーブン中に15分置くことによりさらに洗浄した。ポリ(エチレンジオキシチオフェン)−ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT−PSSA、バイエル社(Bayer Corp.))緩衝層(すなわち正孔輸送/注入層)を、次いで60nmの厚さにスピンコートした。フィルムを200℃のホットプレート上で3分乾燥させた。基材を、次いで、窒素充填グローブボックスに移し、この時点でポリ(フルオレン)溶液(75mg)、赤色放射単金属化合物(1.5mg)、および無水トルエン(7.5mL)を70nmの厚さで基材上にスピンコートした。基材を、次いで、高真空室に移し、ここでLiF(2.0nm)続いてCa(20.0nm)および次いでAl(400nm)を2.0×10-6torrで熱的に堆積した。得られたOLED素子を、次いでガラススライドを陰極の頂部にUV硬化性エポキシ樹脂を用いて接着することにより空気からシールした。
この実施例は、式I(式中、e=f=0、およびa=3である)を有する新規の有機金属化合物、化合物17の調製を例示する。
この実施例は、式I(式中、e=f=0、およびa=2である)を有する新規の有機金属化合物、化合物18の調製を例示する。
Claims (23)
- 式I、式II、または式III
L1はアリール−N−複素環配位子およびヘテロアリール−N−複素環配位子から選択され、
L2はアニオン性配位子であり、
L3はノニオン性配位子であり、
L4はL1およびL2から選択され、
MはRe、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、PtおよびAuから選択される金属であり、
FWは少なくとも2個の(L4−Ye)基を担持可能な部分であり、
Yはアルキレン、ヘテロアルキレン、アルケニレン、ヘテロアルケニレンおよびアルキニレンから選択される基であり、
aは1および2から選択され、
bは0および1から選択され、
cは0、1および2から選択され、
dは1から8の整数から選択され、
eは0および1から選択され、
fは0および1から選択され、
gは1から4の整数から選択され、および
hは1および2から選択され、
ただし、a、b、およびcは、MがAu、Pd、またはPtであるとき金属は4配位であり、およびMがRe、Ru、Os、RhまたはIrであるとき金属は6配位であるよう選択され、ならびに
ただし、f=0であるとき、e=0であり、および少なくとも1個の置換基R1が少なくとも1個の配位子にあり、ここでR1は溶剤可溶化性である)
から選択される式を有する化合物を含む少なくとも1つの層を含むことを特徴とする有機電子素子。 - MがOs、Ir、およびPtから選択されることを特徴とする請求項1に記載の素子。
- L1がフェニル−ピリジン、フェニル−ピリミジン、フェニル−キノリン、ビピリジン、およびチエニル−ピリジンから選択されることを特徴とする請求項1に記載の素子。
- 式Iを有し、a=2、b=0、c=0であり、およびL4が二座モノアニオン性配位子であることを特徴とする請求項1に記載の素子。
- L4が、β−エノレート配位子、β−エノレート配位子のNアナログ、β−エノレート配位子のSアナログ、アミノカルボキシレート配位子、イミノカルボキシレート配位子、サリチレート配位子、ヒドロキシキノリネート配位子、ヒドロキシキノリネート配位子のSアナログおよびフォスフィノアルコキシド配位子から選択されることを特徴とする請求項4に記載の素子。
- アリールまたはヘテロアリール環に少なくとも1個のR1置換基があり、およびR1がアルキル、フルオロアルキル、アリール、フルオロアリール、アルキルアリール、アルコキシ、アリールオキシ、フルオロアルコキシ、フルオロアリールオキシ、ヘテロアルキル、フルオロヘテロアルキル、ヘテロアリール、フルオロヘテロアリール、ヘテロアルキルアリール、ヘテロアルコキシ、ヘテロアリールオキシ、フルオロヘテロアルコキシ、およびフルオロヘテロアリールオキシから選択されることを特徴とする請求項1に記載の素子。
- 式Iを有し、e=0、f=0であり、およびR1がアルキル、フルオロアルキル、アリール、フルオロアリール、アルキルアリール、アルコキシ、アリールオキシ、フルオロアルコキシ、フルオロアリールオキシ、ヘテロアルキル、フルオロヘテロアルキル、ヘテロアリール、フルオロヘテロアリール、ヘテロアルキルアリール、ヘテロアルコキシ、ヘテロアリールオキシ、フルオロヘテロアルコキシ、およびフルオロヘテロアリールオキシから選択されることを特徴とする請求項1に記載の素子。
- R1がフェニル、フルオロフェニル、アルキルフェニル、フルオロアルキルフェニル、アルコキシフェニル、およびフルオロアルコキシフェニルから選択されることを特徴とする請求項7に記載の素子。
- a=2、b=0、c=0、およびL4=L1であることを特徴とする請求項7に記載の素子。
- a=2、b=0、c=0であり、およびL4が、β−エノレート配位子、β−エノレート配位子のNアナログ、β−エノレート配位子のSアナログ、アミノカルボキシレート配位子、イミノカルボキシレート配位子、サリチレート配位子、ヒドロキシキノリネート配位子、ヒドロキシキノリネート配位子のSアナログ、およびフォスフィノアルコキシド配位子から選択されることを特徴とする請求項7に記載の素子。
- 前記少なくとも1つの層が発光層であることを特徴とする請求項1に記載の素子。
- 前記発光層は希釈剤をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の素子。
- 前記希釈剤は高分子あるいは低分子材料、またはそれらの混合物を含むことを特徴とする請求項12に記載の素子。
- 請求項14に記載の化合物を含む少なくとも1つの層を含むことを特徴とする有機電子素子。
- 請求項15に記載の化合物を含む少なくとも1つの層を含むことを特徴とする有機電子素子。
- 請求項16に記載の化合物を含む少なくとも1つの層を含むことを特徴とする有機電子素子。
- 請求項1に記載の化合物の少なくとも一種を含むことを特徴とする組成物。
- ホストをさらに含むことを特徴とする請求項20に記載の組成物。
- 前記ホストは、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、共役ポリマー、ポリシラン、第3級芳香族アミン、およびそれらの混合物から選択されることを特徴とする請求項21に記載の組成物。
- 前記ホストがポリアリーレンビニレン、ポリフルオレン、ポリオキサジアゾール、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリフェニレン、それらのコポリマー、およびそれらの混合物から選択されることを特徴とする請求項20に記載の組成物。
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