JP2008304986A - 半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】チップ1は、mビット長(m≧2)を有するグループ1内のビット列のうち、総数mより少ないnビットを制御対象に対して処理を行う命令として解釈するとともに、nビット長を有する少なくとも2以上のビット列からなるグループ1内の各々のビット列に一の所定のビット列を付加してなるmビット長を有する各ビット列を制御対象に対して処理を行わない命令として解釈する第1のTAPコントローラ10と、グループ2内の各々のビット列を命令として解釈するとともに、グループ1内のビット列のうち、TAPコントローラ10が制御対象に対して処理を行う命令として解釈する各ビット列から、nビット長を有し制御対象に対して処理を行わない命令を示す一のビット列を抽出して解釈する第2のTAPコントローラ20と有する。
【選択図】図1
Description
第1のTAPコントローラ270に6ビットの選択用IRコードを送信したとする。ここで第1のTAPコントローラ270に対する6ビット選択用IRコードは、上位4ビットが全て1であって下位2ビットが"00"または"11"以外であるとする。上記6ビットの選択用IRコードを受けて、第1のTAPコントローラは制御信号をセレクタ278に出力する。セレクタ278は当該制御信号に応じて例えばプロセッサコア290を選択する。この場合、セレクタ278が先に選択していたプロセッサコア280には上記6ビットの選択用IRコードが入力されるが、第2のTAPコントローラ281内のIRシフトレジスタから下位6ビットはシフトアウトし、上位4ビットが当該IRシフトレジスタ内に残存する。ここで第2のTAPコントローラ281内のIRシフトレジスタに残存した4ビットは全て1であるため、第2のTAPコントローラ281は、Update-IRステートでIRシフトレジスタからIRレジスタに当該4ビットを取り込みバイパス命令を認識する。
7、8.207、208、277、278 セレクタ
8 セレクタ
10,210、270 第1のTAPコントローラ
20、30、40、220、230、240、250、280、290 プロセッサコア
21、31、42、221、231、241、251、281、291 第2のTAPコントローラ
100 デバッガ
101 TAPステートマシン
102、111 OR回路
103、104、109、112、114 AND回路
105、114、117、119 セレクタ
106 IRシフトレジスタ
107 IRレジスタ
108、118 デコーダ
110 バイパスレジスタ
115 DRシフトレジスタ
116 DRレジスタ
260 下位階層部
Claims (10)
- 第1ビット長を有する少なくとも2以上のビット列からなる第1ビット列グループ内のビット列のうち、前記第1ビット列グループに含まれるビット列の総数より少ない数のビット列を制御対象に対して処理を行う命令として解釈するとともに、前記第1ビット長より短い第2ビット長を有する少なくとも2以上のビット列からなる第2ビット列グループ内の各々のビット列に一の所定のビット列を付加してなる前記第1ビット長を有する各ビット列を制御対象に対して処理を行わない命令として解釈する第1コントローラと、
前記第2ビット列グループ内の各々のビット列を命令として解釈するとともに、前記第1ビット列グループ内のビット列のうち、前記第1コントローラが制御対象に対して処理を行う命令として解釈する各ビット列から、前記第2ビット長を有し制御対象に対して処理を行わない命令を示す一のビット列を抽出して解釈する第2コントローラと有する半導体集積回路。 - 前記第1コントローラが制御対象に処理を行う命令として解釈する各ビット列の最上位ビットから前記第2ビット長の範囲までに位置するビット列に対し、前記第2コントローラが制御対象に処理を行わない命令を示すビット列を割り当てる
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。 - 前記第1コントローラが制御対象に処理を行う命令として解釈する各ビット列の最下位ビットから前記第1ビット長と前記第2ビット長の差分に相当するビット長の範囲までに位置するビット列は、前記所定のビット列以外のビット列を有する
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路。 - 前記第1コントローラは前記第1ビット長のビット列を記憶する第1シフトレジスタおよび第1レジスタを含み、前記第1コントローラは、制御対象に処理を行う命令として解釈する一のビット列を最下位ビットから最上位ビットまで前記第1シフトレジスタに記憶し、前記第1シフトレジスタに記憶した前記一のビット列を前記第1レジスタに記憶し、前記第1レジスタに記憶した前記一のビット列を命令として解釈する
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体集積回路。 - 前記第1コントローラは、前記所定のビット列を前記第1シフトレジスタに記憶した後、加えて前記第2ビット列グループ内の一のビット列を最下位ビットから最上位ビットまで前記第1シフトレジスタに記憶し、前記第1シフトレジスタに記憶したビット列を前記第1レジスタに記憶し、前記第1レジスタに記憶したビット列を命令として解釈する
ことを特徴とする請求項4に記載の半導体集積回路。 - 前記第2コントローラは、第2ビット長のビット列を記憶する第2シフトレジスタおよび第2レジスタを含み、前記第2コントローラは、前記第2ビット列グループ内の一のビット列を最下位ビットから最上位ビットまで前記第2シフトレジスタに記憶し、前記第2シフトレジスタに記憶した前記一のビット列を前記第2レジスタに記憶し、前記第2レジスタに記憶した前記一のビット列を命令として解釈する
ことを特徴とする請求項5に記載の半導体集積回路。 - 前記第2コントローラは、前記第1コントローラが制御対象に処理を行う命令として解釈する一のビット列を最下位ビットから最上位ビットまで順に前記第2シフトレジスタに入力し、前記第2シフトレジスタに記憶した前記第1コントローラが制御対象に処理を行う命令として解釈するビット列のうちの最上位ビットから前記第2ビット長までの範囲に位置するビット列を前記第2レジスタに記憶し、前記第2レジスタに記憶したビット列を命令として解釈する
ことを特徴とする請求項6に記載の半導体集積回路。 - 前記第1および第2コントローラが各々の制御対象に処理を行わない命令は、前記第1および第2のコントローラのそれぞれに入力される各ビットの各々を前記第1および第2のそれぞれの制御対象に入力することなく出力するバイパス命令である
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項記載の半導体集積回路。 - 前記バイパス命令を示すビット列は全て1である
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項記載の半導体集積回路。 - データ列が入力される入力端と、
前記入力端に接続されると共に前記入力端に入力された第1のビット長を有する第1のビット列に応答して動作する第1コントローラと、
前記入力端に前記第1コントローラと共通接続されると共に前記入力端に入力された第2のビット長を有する第2のビット列に応答して被制御回路を動作させる第2コントローラであって、前記第1コントローラに対して供給された第1のビット列を受け取ったときには前記被制御回路を動作させないデータ列として解釈する第2コントローラとを有する半導体集積回路。
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