JP2008234932A - Display device - Google Patents
Display device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008234932A JP2008234932A JP2007071134A JP2007071134A JP2008234932A JP 2008234932 A JP2008234932 A JP 2008234932A JP 2007071134 A JP2007071134 A JP 2007071134A JP 2007071134 A JP2007071134 A JP 2007071134A JP 2008234932 A JP2008234932 A JP 2008234932A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- display device
- layer
- active layer
- pixel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 88
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 28
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 18
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
この発明は、表示装置に係り、特に、自発光性素子を含んで構成される表示装置に関する。 The present invention relates to a display device, and more particularly to a display device including a self-luminous element.
近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置が注目されている。この有機EL表示装置は、自発光性素子であることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。 In recent years, organic electroluminescence (EL) display devices have attracted attention as flat display devices. Since this organic EL display device is a self-luminous element, it has a wide viewing angle, can be thinned without requiring a backlight, has low power consumption, and has a high response speed. ing.
これらの特徴から、有機EL表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。このような有機EL表示装置は、陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を挟持した有機EL素子を備えている。有機EL素子には、有機活性層に低分子系材料を用いた素子構成と、高分子系材料を用いた素子構成とがある。 Because of these characteristics, organic EL display devices are attracting attention as potential candidates for next-generation flat display devices that can replace liquid crystal display devices. Such an organic EL display device includes an organic EL element in which an organic active layer containing an organic compound having a light emitting function is sandwiched between an anode and a cathode. The organic EL element has an element configuration using a low molecular material for an organic active layer and an element configuration using a high molecular material.
低分子系の素子は真空蒸着法などのドライプロセスにより形成する例が多く、積層構造を容易に形成しやすい。一方、高分子系の素子はインクジェット法等の選択塗布法により形成する例が多く、この選択塗布法は、有機活性層を形成するための材料の使用効率が格段に良いといった利点がある。 In many cases, low-molecular elements are formed by a dry process such as a vacuum evaporation method, and a laminated structure is easily formed. On the other hand, polymer elements are often formed by a selective coating method such as an ink jet method, and this selective coating method has an advantage that the use efficiency of a material for forming an organic active layer is remarkably good.
選択塗布法により高分子系材料を用いて有機活性層を形成する場合には、液状材料を精度良く画素毎に塗布することが求められる。このような要望に対して、例えば、隣接画素間を分離(絶縁)する隔壁及び陽極(画素電極)をそれぞれ形成する材料と、有機活性層を形成する液状材料との間の濡れ性の違いを利用して、パターン精度を向上させる手法が用いられる。この場合、有機活性層材料に対する隔壁材料の濡れ性は低く、逆に、液状材料に対する陽極材料の濡れ性は高く設計する。 When an organic active layer is formed using a polymer material by a selective coating method, it is required to apply a liquid material to each pixel with high accuracy. In response to such a demand, for example, a difference in wettability between a material for forming a partition and an anode (pixel electrode) for separating (insulating) adjacent pixels and a liquid material for forming an organic active layer is described. A technique for improving the pattern accuracy is used. In this case, the partition wall material is designed to have low wettability with respect to the organic active layer material, and conversely, the anode material is designed to have high wettability with respect to the liquid material.
この場合、塗布され隔壁に乗り上げた液状材料は、隔壁表面の撥液作用により、隔壁から露出した有効部(つまり隔壁から露出している陽極の表面)に向かって流れ落ちる。しかしながら、液状材料は隔壁に馴染まないため、有効部の周辺部(つまり隔壁と陽極とが接する部分近傍)で液状材料の膜厚が極端に薄くなるおそれがある。このような場合、液状材料が乾燥することによって形成される有機活性層の膜厚についても、周辺部が極端に薄くなるおそれがある。 In this case, the liquid material applied and climbed on the partition wall flows down toward the effective part exposed from the partition wall (that is, the surface of the anode exposed from the partition wall) due to the liquid repellent action on the partition wall surface. However, since the liquid material is not compatible with the partition wall, the liquid material may be extremely thin in the periphery of the effective portion (that is, in the vicinity of the portion where the partition wall and the anode are in contact). In such a case, the thickness of the organic active layer formed by drying the liquid material may be extremely thin at the periphery.
有機活性層のうちの薄膜化した部分では、有機活性層上に配置された電極(陰極)と陽極との間でショートしやすく、非点灯画素(点欠陥)を発生させるおそれがある。また、有機活性層のうちの薄膜化した部分では、電流が集中することによる寿命の低下を招くおそれがある。 In the thinned portion of the organic active layer, a short circuit is likely to occur between the electrode (cathode) and the anode disposed on the organic active layer, and there is a possibility that non-lighting pixels (point defects) are generated. Further, in the thinned portion of the organic active layer, there is a possibility that the lifetime is reduced due to the concentration of current.
このような課題に対して、塗布された液状材料が画素内にまんべんなく付与されるように、隔壁に親液性を有する親液性絶縁膜を備える構成が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
このような親液性絶縁膜の形成にあたっては、CVD法などで無機絶縁材料を成膜した後に、フォトレジストを塗布し、このフォトレジストをフォトエッチングプロセスによってパターン化し、フォトレジストから露出した無機絶縁材料を除去し、さらに、フォトレジストを除去することで形成することが考えらえる。このため、製造工程数が多く、製造高コストの増大を招く。 In forming such a lyophilic insulating film, after depositing an inorganic insulating material by CVD or the like, a photoresist is applied, the photoresist is patterned by a photoetching process, and the inorganic insulating material exposed from the photoresist is exposed. It is conceivable to form by removing the material and further removing the photoresist. For this reason, the number of manufacturing steps is large, resulting in an increase in manufacturing cost.
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、製造コストの増大を招くことなく、表示品位が良好であり、且つ、長寿命化が可能な表示装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a display device that has good display quality and can have a long life without causing an increase in manufacturing cost. There is.
この発明の態様による表示装置は、
各画素に配置された第1電極と、
前記第1電極上に配置された有機活性層と、
前記有機活性層上に配置され、複数の画素に共通の第2電極と、
前記第1電極の周縁を覆うように配置され、各画素を分離する隔壁と、を基板上に備え、
前記有機活性層の下地となる前記第1電極を含む下地層は、前記隔壁から露出した有効部の周辺部に凹部を有することを特徴とする。
A display device according to an aspect of the present invention includes:
A first electrode disposed in each pixel;
An organic active layer disposed on the first electrode;
A second electrode disposed on the organic active layer and common to a plurality of pixels;
A partition wall disposed on the periphery of the first electrode and separating each pixel, the substrate comprising:
The underlayer including the first electrode serving as the underlayer of the organic active layer has a recess in the periphery of the effective portion exposed from the partition.
この発明によれば、製造コストの増大を招くことなく、表示品位が良好であり、且つ、長寿命化が可能な表示装置を提供することが可能となる。 According to the present invention, it is possible to provide a display device that has good display quality and can have a long life without causing an increase in manufacturing cost.
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示装置を例にして説明する。 A display device according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In this embodiment, a self-luminous display device such as an organic EL (electroluminescence) display device will be described as an example of the display device.
有機EL表示装置1は、図1及び図2に示すように、画像を表示する表示エリア102を有するアレイ基板100を備えている。表示エリア102は、マトリクス状に配置された複数の画素PX(R、G、B)によって構成されている。アレイ基板100の少なくとも表示エリア102は、封止体200によって封止されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the organic EL display device 1 includes an
また、アレイ基板100は、画素PXの行方向(すなわち図1のY方向)に沿って配置された複数の走査線Ym(m=1、2、…)と、走査線Ymと略直交する列方向(すなわち図1のX方向)に沿って配置された複数の信号線Xn(n=1、2、…)と、有機EL素子40に電源を供給するための電源供給線Pと、を備えている。
In addition, the
さらに、アレイ基板100は、表示エリア102の外周に沿った周辺エリア104に、走査線Ymのそれぞれに走査信号を供給する走査線駆動回路107として機能する少なくとも一部と、信号線Xnのそれぞれに映像信号を供給する信号線駆動回路108として機能する少なくとも一部と、を備えている。すべての走査線Ymは、走査線駆動回路107に接続されている。また、すべての信号線Xnは、信号線駆動回路108に接続されている。
Furthermore, the
各画素PX(R、G、B)は、画素回路及びこの画素回路によって駆動制御される表示素子を備えている。図1に示した画素回路は、一例であって、他の構成の画素回路を適用しても良いことは言うまでもない。図1に示した例では、画素回路は、オン画素とオフ画素とを電気的に分離しかつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチ10と、画素スイッチ10を介して供給される映像信号に基づき表示素子へ所望の駆動電流を供給する駆動トランジスタ20と、駆動トランジスタ20のゲート−ソース間電位を所定期間保持する蓄積容量素子30とを有している。これらの画素スイッチ10及び駆動トランジスタ20は、例えば薄膜トランジスタにより構成され、ここでは、ポリシリコンからなる半導体層を備えた薄膜トランジスタを適用している。
Each pixel PX (R, G, B) includes a pixel circuit and a display element that is driven and controlled by the pixel circuit. The pixel circuit shown in FIG. 1 is an example, and it goes without saying that a pixel circuit having another configuration may be applied. In the example shown in FIG. 1, the pixel circuit is supplied via the
駆動トランジスタ20のゲート20Gは、画素スイッチ10のドレイン及び蓄積容量素子30の一端に接続されている。駆動トランジスタ20のソース20Sは、電源供給線P及び蓄積容量素子30の他端に接続されている。
The
表示素子は、自発光素子である有機EL素子40(R、G、B)によって構成されている。すなわち、赤色画素PXRは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機EL素子40Rを備えている。緑色画素PXGは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機EL素子40Gを備えている。青色画素PXBは、主に青色波長に対応した光を出射する有機EL素子40Bを備えている。 The display element is composed of organic EL elements 40 (R, G, B) which are self-luminous elements. That is, the red pixel PXR includes an organic EL element 40R that mainly emits light corresponding to the red wavelength. The green pixel PXG includes an organic EL element 40G that mainly emits light corresponding to the green wavelength. The blue pixel PXB includes an organic EL element 40B that mainly emits light corresponding to the blue wavelength.
各種有機EL素子40(R、G、B)は、基本的に同一構成であり、例えば、図2に示すように、配線基板120上に配置されている。なお、配線基板120は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性の支持基板101上に、第1絶縁層(アンダーコート層)111、第2絶縁層(ゲート絶縁膜)112、第3絶縁層(層間絶縁膜)113、第4絶縁層114などの絶縁層を備える他に、画素スイッチ10、駆動トランジスタ20、蓄積容量素子30、走査線駆動回路107、信号線駆動回路108、各種配線(走査線、信号線、電源供給線等)などを備えて構成されたものとする。
The various organic EL elements 40 (R, G, B) have basically the same configuration, and are disposed on the
この有機EL素子40は、画素毎PXに独立島状に配置された第1電極60と、第1電極60に対向して配置され複数の画素PXに共通の第2電極64と、これらの第1電極60と第2電極64との間に保持された有機活性層62と、によって構成されている。
The
第1電極60は、配線基板120表面の第4絶縁層114上に配置され、陽極として機能する。この第1電極60は、第4絶縁層114に形成されたコンタクトホールを介して駆動トランジスタ20のドレイン20Dに接続されている。
The
有機活性層62は、第1電極60上に配置され、少なくとも発光層を含んでいる。この有機活性層62は、発光層以外の層として、例えば、正孔輸送層、正孔注入層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などを含んでも良いし、またこれらを機能的に複合した層を含んでもよい。発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有する有機化合物によって形成される。このような有機活性層62は、その少なくとも一部が高分子系材料によって形成されており、インクジェット法等の選択塗布法により液状材料を塗布した後に乾燥することによって成膜可能である。
The organic
第2電極64は、有機活性層62上に配置され、陰極として機能する。この第2電極64は、表示エリア102の周囲に配置されコモン電位ここでは接地電位を供給する図示しない第2電極電源線に接続されている。
The
また、アレイ基板100は、表示エリア102において、各画素PX(R、G、B)を分離する隔壁70を備えている。隔壁70は、第1電極60の全周縁を覆うように格子状に配置されている。この隔壁70は、有機活性層62を形成するための高分子系材料に対して撥液性を有する材料によって形成される、または、少なくとも表面が撥液性を有するように処理されている。
Further, the
ところで、この実施の形態においては、有機活性層62の下地となる下地層は、隔壁70から露出した有効部の周辺部に凹部を有している。図2に示した構成例において、下地層80とは、第1電極60を含み、さらに、支持基板101上の第1絶縁層111から第4絶縁層114までの層を含むものとする。有効部90とは、下地層80のうちの隔壁70から露出した部分(つまり隔壁70から露出した第1電極60の表面部分であり、発光に寄与する領域)に相当する。有効部90の周辺部90Pは第1電極60と隔壁70とが接する部分の近傍に相当し、有効部90の中央部90Cは実質的に画素PXの中央部PXCに対応する。この下地層80は、有効部90の中央部90Cが有機活性層62に向かって突出した形状を有しており、中央部90Cと周辺部90Pとの間に段差を有している。つまり、下地層80は、周辺部90Pにおいて、中央部90Cよりも窪んだ凹部81を有している。
By the way, in this embodiment, the base layer serving as the base of the organic
このような構成により、有機活性層62を形成するための液状材料を有効部90に向けて塗布した際、隔壁70に乗り上げた液状材料及び有効部90の中央部90Cに到達した液状材料は、周辺部90Pの凹部81に向かって流れ落ちやすくなる。つまり、液状材料は、隔壁70に馴染みにくいが、隔壁70近傍に形成された凹部81に集まる。このため、液状材料が乾燥した後に成膜された有機活性層62において、周辺部(隔壁近傍)での薄膜化を抑制することが可能となる。
With such a configuration, when the liquid material for forming the organic
これにより、第1電極60と第2電極64とのショートの発生を防止することが可能となり、また、有機活性層62の薄膜化した部分での電流集中による寿命の低下を抑制することが可能となる。また、隔壁70として、有機活性層62を形成するための液状材料に対して親液性の高い絶縁膜を必要としないため、製造コストの増大を抑制することも可能となる。したがって、製造コストの増大を招くことなく、表示品位が良好であり、かつ、長寿命化が可能な表示装置を提供可能となる。
As a result, it is possible to prevent a short circuit between the
次に、下地層80の具体的な構成例について説明する。
Next, a specific configuration example of the
図2及び図3に示す第1構成例においては、下地層80は、画素の中央部PXCに配置された凸パターンCPを含んでいる。このような凸パターンCPが配置されたことにより、隔壁70によって囲まれた有効部90において、中央部90Cが周辺部90Pよりも突出し、周辺部90Pに凹部81が形成される。
In the first configuration example shown in FIGS. 2 and 3, the
換言すると、下地層80は、有効部90において中央部90Cが周辺部90Pよりも突出した断面形状を有している。このとき、図2に示した例では、実質的に均一な厚みの支持基板101上において、中央部90Cは、第1絶縁層111、第2絶縁層112、第3絶縁層113、凸パターンCP、第4絶縁層114、及び、第1電極60の膜厚の総和に相当する厚みを有するのに対して、周辺部90Pは、中央部90Cよりも凸パターンCPの膜厚分だけ厚みが薄い。これにより、周辺部90Pには、隔壁70と中央部90Cとの間に凹部81が形成される。
In other words, the
特に、図3に示した例では、凸パターンCPは、島状に配置されている。したがって、下地層80は、有効部全周の周辺部90Pにおいて凹部81を有している。このため、周辺部90Pの全体において、成膜された有機活性層62の薄膜化を抑制することが可能となる。
In particular, in the example shown in FIG. 3, the convex patterns CP are arranged in an island shape. Therefore, the
このような凸パターンCPは、同一層の配線と同一材料によって形成可能である。図2に示した例では、凸パターンCPは、信号線Xや駆動トランジスタ20のソース20S及びドレイン20Dと同一材料を同一工程にてパターニングすることによって形成された島状の金属層である。このため、凸パターンCPを形成する、つまり、下地層80に凹部81を形成するための別途の工程が不要であり、製造コストの増大を招くことがない。
Such a convex pattern CP can be formed of the same material as the wiring of the same layer. In the example shown in FIG. 2, the convex pattern CP is an island-shaped metal layer formed by patterning the same material as the signal line X and the source 20S and drain 20D of the driving transistor 20 in the same process. This eliminates the need for a separate process for forming the convex pattern CP, that is, for forming the
図2及び図4に示す第2構成例においても、下地層80は、画素の中央部PXCに配置された凸パターンCPを含んでいる。特に、図4に示した例では、凸パターンCPは、略長方形状の有効部90の長手方向に沿って配置されている。したがって、下地層80は、有効部の長手方向に沿った周辺部90Pにおいて凹部81を有している。このため、少なくとも有効部90の長辺に相当する周辺部90Pにおいては、成膜された有機活性層62の薄膜化を抑制することが可能となる。また、有効部90の短辺については、長辺に対して十分に短いため、薄膜化の影響は極めて小さく、第1構成例と同様の効果が得られる。
Also in the second configuration example shown in FIGS. 2 and 4, the
このような凸パターンCPは、同一層の配線によって形成可能である。図4に示した例では、凸パターンCPは、1本の配線であり、例えば、信号線Xnである。このため、凸パターンCPを形成する、つまり、下地層80に凹部81を形成するための別途の工程が不要であり、製造コストの増大を招くことがない。なお、凸パターンCPは、図5に示すように、2本以上の配線であっても良く、この場合であっても、同様の効果が得られる。
Such a convex pattern CP can be formed by wiring of the same layer. In the example illustrated in FIG. 4, the convex pattern CP is one wiring, for example, the signal line Xn. This eliminates the need for a separate process for forming the convex pattern CP, that is, for forming the
次に、有機EL表示装置の製造方法について説明する。なお、ここでは、有機活性層62は高分子系材料を用いてインクジェットによる選択塗布法により形成されるものとする。
Next, a method for manufacturing an organic EL display device will be described. Here, it is assumed that the organic
まず、図6Aに示すように、第3絶縁層113上に凸パターンCPを形成する。すなわち、すなわち、金属膜及び絶縁膜の成膜、パターニングなどの処理を繰り返し、支持基板101上に、画素スイッチ10、駆動トランジスタ20、蓄積容量素子30、走査線駆動回路107、信号線駆動回路108、信号線Xn、走査線Ym、電源供給線P等を形成する。これらの工程のうち、画素スイッチ10及び駆動トランジスタ20のそれぞれのソース及びドレイン、信号線Xnなどを形成する工程においては、第3絶縁層113上に、導電膜、例えばアルミニウム膜を成膜した後、フォトリソグラフィプロセスなどによってパターニングする。これと同一工程にて、画素の中央部PXCに所定の形状でアルミニウム膜が残るようにパターニングすることにより、700nmの膜厚の凸パターンCPが形成される。
First, as shown in FIG. 6A, a convex pattern CP is formed on the third insulating
続いて、図6Bに示すように、第4絶縁層114を形成する。すなわち、有機材料、例えばアクリル樹脂材料を成膜することによって、2.5μmの膜厚の第4絶縁層114が形成される。この工程の後、凸パターンCPを有する領域とそれ以外の領域とで200nmの段差が観測された。その後、第4絶縁層114上に駆動トランジスタ20のドレイン20Dにコンタクトした第1電極60を形成する。すなわち、第4絶縁層114上に、導電膜、例えばインジウム・ティン・オキサイド(ITO)を成膜した後に、パターニングする。これにより、50nmの膜厚の第1電極60が形成される。この工程の後も凸パターンCPを有する領域とそれ以外の領域との段差は200nmのままであった。つまり、第1電極60を含む下地層80に段差が形成される。なお、この第1電極60については、一般的はフォトリソグラフィプロセスで形成しても良いし、マスクスパッタ法で形成しても良い。その後、隔壁70を形成する。すなわち、有機材料、例えばアクリル樹脂材料を成膜し、画素開口形状に合わせてパターニングする。そして、アクリル樹脂材料の表面をフッ素化する目的でプラズマ処理を行う。これにより、表面に撥液性を有する隔壁70が形成される。
Subsequently, as shown in FIG. 6B, a fourth insulating
このようにして、隔壁70から露出した下地層80の有効部90における周辺部90Pに、中央部90Cよりも200nm窪んだ凹部81が形成される。
In this manner, a
続いて、図6Cに示すように、第1電極60上に有機活性層62を形成する。すなわち、ホール注入機能及びホール輸送機能を有した有機材料を含んだ液状材料を選択塗布法により各画素に順次塗布し、200℃で5分間加熱乾燥を行い膜形成し、その後、この膜上に、発光機能を有しかつ電子注入機能及び電子輸送機能を有した有機材料を含んだ液状材料を選択塗布法により塗布し、150℃で60分間加熱乾燥を行う。これにより、有機活性層62が形成される。
Subsequently, as shown in FIG. 6C, the organic
続いて、図6Dに示すように、有機活性層62上に第2電極64を形成する。すなわち、第2電極となる導電層を真空蒸着法により成膜する。その後、不活性ガス、例えば窒素(N2)雰囲気中で封止体200による封止する。
Subsequently, as illustrated in FIG. 6D, the
このようにして製造した有機EL表示装置によれば、各画素の有効部に対応する領域で均一に発光することが確認された。したがって、有機活性層の一部に電流が集中することがなく、このような構造を採用することによって有機EL素子を長寿命化することが可能となるとともに、表示品位を向上することが可能となる。 According to the organic EL display device thus manufactured, it was confirmed that light was emitted uniformly in the region corresponding to the effective portion of each pixel. Therefore, the current does not concentrate on a part of the organic active layer, and by adopting such a structure, it is possible to extend the lifetime of the organic EL element and improve the display quality. Become.
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。 Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the components without departing from the gist of the invention in the stage of implementation. Further, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, you may combine suitably the component covering different embodiment.
PX…画素 Ym…走査線 Xn…信号線 P…電源供給線
1…有機EL表示装置 10…画素スイッチ 20…駆動トランジスタ 30…蓄積容量素子 40…有機EL素子 60…第1電極 62…有機活性層 64…第2電極 70…隔壁 80…下地層 81…凹部 90…有効部
100…アレイ基板 101…支持基板 111…第1絶縁層 112…第2絶縁層 113…第3絶縁層 114…第4絶縁層 CP…凸パターン 120…配線基板 200…封止体
PX ... pixel Ym ... scanning line Xn ... signal line P ... power supply line 1 ... organic
Claims (8)
前記第1電極上に配置された有機活性層と、
前記有機活性層上に配置され、複数の画素に共通の第2電極と、
前記第1電極の周縁を覆うように配置され、各画素を分離する隔壁と、を基板上に備え、
前記有機活性層の下地となる前記第1電極を含む下地層は、前記隔壁から露出した有効部の周辺部に凹部を有することを特徴とする表示装置。 A first electrode disposed in each pixel;
An organic active layer disposed on the first electrode;
A second electrode disposed on the organic active layer and common to a plurality of pixels;
A partition wall disposed on the periphery of the first electrode and separating each pixel, the substrate comprising:
The display device according to claim 1, wherein the base layer including the first electrode serving as a base of the organic active layer has a recess in a peripheral portion of the effective portion exposed from the partition.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007071134A JP2008234932A (en) | 2007-03-19 | 2007-03-19 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007071134A JP2008234932A (en) | 2007-03-19 | 2007-03-19 | Display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008234932A true JP2008234932A (en) | 2008-10-02 |
Family
ID=39907507
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007071134A Pending JP2008234932A (en) | 2007-03-19 | 2007-03-19 | Display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008234932A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010225403A (en) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Toppan Printing Co Ltd | Organic el panel and its manufacturing method |
US8592809B2 (en) | 2010-01-07 | 2013-11-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same |
KR20180110258A (en) * | 2017-03-27 | 2018-10-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device |
-
2007
- 2007-03-19 JP JP2007071134A patent/JP2008234932A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010225403A (en) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Toppan Printing Co Ltd | Organic el panel and its manufacturing method |
US8592809B2 (en) | 2010-01-07 | 2013-11-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same |
KR20180110258A (en) * | 2017-03-27 | 2018-10-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device |
KR102384774B1 (en) * | 2017-03-27 | 2022-04-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9941484B2 (en) | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same | |
US11004920B2 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
CN102082164B (en) | Oled display apparatus and method of manufacturing the same | |
JP6211873B2 (en) | Organic EL display device and method of manufacturing organic EL display device | |
EP3242344B1 (en) | Organic light-emitting diode array substrate, manufacturing method therefor, and display device | |
US7576354B2 (en) | Organic light emitting diode display and method of fabricating the same | |
JP2005327674A (en) | Organic electroluminescent display element, display device having the same, and manufacturing method thereof | |
JP4497185B2 (en) | Manufacturing method of display device | |
US20140084258A1 (en) | Organic light emitting display device | |
JP2008235033A (en) | Display device and manufacturing method of display device | |
JP2006140145A (en) | Organic electroluminescence display | |
KR20150096547A (en) | Organic light emitting display panel and method of manufacturing the same | |
JP2008235605A (en) | Display device and method for manufacturing display device | |
JP4167651B2 (en) | Display device | |
JP2004319119A (en) | Display device and its manufacturing method | |
JP2006004743A (en) | Display device and its manufacturing method | |
JP2008234932A (en) | Display device | |
JP2010287634A (en) | Transistor substrate having transistor, and method of manufacturing transistor substrate having transistor | |
JP4884452B2 (en) | Method for manufacturing organic electroluminescent panel | |
KR102616245B1 (en) | Display device | |
JP2007101713A (en) | Display device | |
KR20130121452A (en) | Organic light emitting display device and the fabrication method thereof | |
KR102037487B1 (en) | Method for fabricating Organic Electroluminescence Device and the Organic Electroluminescence Device fabricated by the method | |
KR102455578B1 (en) | Luminescence dispaly panel | |
JP2006172940A (en) | Display and its manufacturing method |