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JP2008219037A - Electron gun, and device and method of electron beam drawing - Google Patents

Electron gun, and device and method of electron beam drawing Download PDF

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JP2008219037A JP2008110009A JP2008110009A JP2008219037A JP 2008219037 A JP2008219037 A JP 2008219037A JP 2008110009 A JP2008110009 A JP 2008110009A JP 2008110009 A JP2008110009 A JP 2008110009A JP 2008219037 A JP2008219037 A JP 2008219037A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve an electron gun equipped with a plurality of cathodes to provide a method of adjusting each electron beam in order to improve throughput of an electron beam drawing device. <P>SOLUTION: A deflector (408) and rotation coil (409) acting on all electron beams are installed in an acceleration space. The deflector (410) acting on each electron beam is installed outside the acceleration space. An electron beam shielding board (411) having a heat dissipation mechanism is installed outside the acceleration space. Each cathode is used in a temperature limited area. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体プロセス等において用いられる電子銃を含む電子線描技術に関する。   The present invention relates to an electron beam drawing technique including an electron gun used in a semiconductor process or the like.

近年、半導体プロセス等において試料上に所望のパターンを描画する電子線描画装置にはさらに高い描画精度およびスループットが求められているが、電子銃についても一層の性能向上が要求されている。   In recent years, an electron beam drawing apparatus that draws a desired pattern on a sample in a semiconductor process or the like is required to have higher drawing accuracy and throughput, but further improvement in performance of the electron gun is also required.

まず、描画方式の観点から電子銃を眺めてみると、従来、電子銃に備えられた電子を放出し得る素子(以下、陰極と呼ぶ)の数は1つであり、放出される電子ビームも1本であるが、スループット向上のためには複数の陰極を用いることが望ましい。これに関しては、複数の陰極から複数の電子ビームを放出させることのできる電子銃と、複数の電子ビームに対応する複数のカラムを備えた電子ビーム描画装置が提案されている(例えば、非特許文献1参照)。   First, looking at the electron gun from the viewpoint of the drawing method, conventionally, the number of elements (hereinafter referred to as cathodes) capable of emitting electrons provided in the electron gun is one, and the emitted electron beam is also Although it is one, it is desirable to use a plurality of cathodes in order to improve the throughput. In this regard, an electron beam drawing apparatus including an electron gun capable of emitting a plurality of electron beams from a plurality of cathodes and a plurality of columns corresponding to the plurality of electron beams has been proposed (for example, non-patent literature). 1).

一方、陰極の種類およびその使用方法の観点から電子銃を眺めると、従来、電子ビーム描画装置においては、サーマルフィールドエミッション電子銃または熱電子銃が用いられることが多い。特に、半導体デバイスのマスク製造、または半導体デバイスの製造プロセスに用いられる高スループット型の電子ビーム描画装置においては、大きな電流が得やすく電子放出が安定な、三極管型の熱電子銃が用いられることが多い。   On the other hand, looking at the electron gun from the viewpoint of the type of cathode and the method of using the same, conventionally, in an electron beam drawing apparatus, a thermal field emission electron gun or a thermal electron gun is often used. In particular, in a high-throughput electron beam lithography apparatus used in semiconductor device mask manufacturing or semiconductor device manufacturing processes, a triode type thermoelectron gun that can easily obtain a large current and has stable electron emission may be used. Many.

図1に、一般的な三極管型の熱電子銃の模式図を示す。ヒーター102に通電し加熱することにより、仕事関数の低い物質よりなる陰極101を加熱し、陰極表面の障壁を乗り越えるのに充分なエネルギーを電子に与え、陰極に対して高い電位を持つ陽極104に向かって加速させる。105は電子の軌道を示す。   FIG. 1 is a schematic diagram of a general triode type thermoelectron gun. By energizing and heating the heater 102, the cathode 101 made of a material having a low work function is heated, and energy sufficient to overcome the barrier on the cathode surface is given to the electrons, so that the anode 104 having a high potential with respect to the cathode. Accelerate towards. Reference numeral 105 denotes an electron trajectory.

陰極表面における電流密度(以下、陰極放出電流密度)は、(1)陰極材料の仕事関数、(2)陰極温度、(3)陰極表面での電場強度、(4)真空の質などで決まる。このうち、(1)陰極材料の仕事関数と(4)真空の質は自由に操作することが難しいので、(2)陰極温度および(3)陰極表面での電場強度によって、電子ビームの特性をコントロールする。陰極温度については、陰極を加熱するためのヒーターに流す電流の調節により操作を行い、陰極表面での電場強度については、陰極と陽極の間に設置したウェネルト電極103に印加する電圧の調節により操作を行う。なお、図中106は、電子ビームのクロスオーバーである。クロスオーバーとは、同一陰極内の異なる位置から同一方向に放出された電子ビームが交わる時、形成する像のことである。クロスオーバーの大きさ(直径)はクロスオーバー径、(ビーム軸上における)クロスオーバーの形成される位置はクロスオーバー位置と呼ばれる。クロスオーバー径およびクロスオーバー位置は、電子銃の構造および各電極に印加する電圧などによって変化する。   The current density at the cathode surface (hereinafter referred to as cathode emission current density) is determined by (1) work function of the cathode material, (2) cathode temperature, (3) electric field strength at the cathode surface, (4) vacuum quality, and the like. Of these, (1) the work function of the cathode material and (4) the quality of the vacuum are difficult to manipulate freely, and (2) the temperature of the cathode and (3) the electric field strength at the cathode surface, To control. The cathode temperature is controlled by adjusting the current supplied to the heater for heating the cathode, and the electric field strength at the cathode surface is controlled by adjusting the voltage applied to the Wehnelt electrode 103 placed between the cathode and the anode. I do. In the figure, reference numeral 106 denotes an electron beam crossover. Crossover is an image formed when electron beams emitted in the same direction from different positions in the same cathode intersect. The size (diameter) of the crossover is called the crossover diameter, and the position where the crossover is formed (on the beam axis) is called the crossover position. The crossover diameter and the crossover position vary depending on the structure of the electron gun and the voltage applied to each electrode.

一方、図2は、陰極温度(T)および陰極表面での電場強度に対する陰極放出電流密度の関係について、その典型例を模式的に表したものである。図に示されているように、電場強度に対して陰極放出電流密度が急激に変化する空間電荷制限領域201と、電場強度に対して陰極放出電流密度の変化が緩やかで、温度(T)に対して大きく変化する温度制限領域202に分けられる(図中、T>T>T)。従来の電子ビーム描画装置においては、熱電子銃は空間電荷制限領域で使用されている。 On the other hand, FIG. 2 schematically shows a typical example of the relationship between the cathode temperature (T) and the cathode emission current density with respect to the electric field intensity on the cathode surface. As shown in the figure, the space charge limiting region 201 in which the cathode emission current density rapidly changes with respect to the electric field intensity, and the change in the cathode emission current density with respect to the electric field intensity is gradual and the temperature (T). On the other hand, it is divided into a temperature limit region 202 that varies greatly (in the drawing, T 1 > T 2 > T 3 ). In a conventional electron beam drawing apparatus, a thermionic gun is used in a space charge limited region.

「第62回応用物理学会学術講演会予稿集(講演No.11a-C-5)」"Proceedings of the 62nd JSAP Scientific Lecture Meeting (Lecture No. 11a-C-5)"

電子ビーム描画装置のスループットを向上させるために、複数の陰極から複数の電子ビームを放出させることのできる電子銃と、複数の電子ビームに対応する複数のカラムを備えた電子ビーム描画装置を実現するためには、複数の陰極から、特性の揃った電子ビームを放出させることのできる電子銃が必要である。   In order to improve the throughput of an electron beam drawing apparatus, an electron beam drawing apparatus having an electron gun capable of emitting a plurality of electron beams from a plurality of cathodes and a plurality of columns corresponding to the plurality of electron beams is realized. For this purpose, an electron gun capable of emitting electron beams with uniform characteristics from a plurality of cathodes is required.

そのためには、ビームの強度および安定性の高い電子銃の形態を選択する必要がある。その点においては、従来用いられてきた三極管構造による熱電子銃は望ましい形態であるといえる。一方、複数の陰極を用いて同一試料上を同時に描画するためには、陰極間の間隔は数10mmから長くとも100mm程度とし、複数の陰極を同一真空装置内に搭載することが望ましい。   For this purpose, it is necessary to select an electron gun configuration with high beam intensity and high stability. In this respect, it can be said that a thermoelectron gun having a triode structure that has been used conventionally is a desirable form. On the other hand, in order to draw simultaneously on the same sample using a plurality of cathodes, it is desirable that the distance between the cathodes is several tens mm to about 100 mm at the longest, and the plurality of cathodes are mounted in the same vacuum apparatus.

以下、複数の陰極を搭載した熱電子銃を用いて、陰極の数と同数の電子ビームを発生させた場合に、新たに生じる課題について、単一の陰極を用いた熱電子銃を用いて単一の電子ビームを発生させた場合と対比して、以下に列挙する。
(1)電子ビームの数が複数になることによって、各電子ビームの配列(位置、距離、方向)を制御する必要が生じる。
(2)電子ビームは、描画装置内の熱源でもあるため、電子ビームの本数の増加により、電子光学鏡筒内の発熱問題が深刻になる。
(3)先に挙げた従来例「第62回応用物理学会学術講演会」に提案された描画方式のように、電子銃から放出された複数の電子ビームの各々に1つずつ電子光学系を割り当てる場合においては、電子銃より後段(下流)に設置された複数の電子光学系の条件をできるだけ揃えて、描画装置全体のシステムをできるだけ簡略にすることが重要である。このため、電子銃から放出される電子ビームの特性(プローブ電流, クロスオーバー径, クロスオーバー位置)を揃える必要が生じる。
In the following, regarding a new problem when a number of electron beams equal to the number of cathodes are generated using a thermoelectron gun equipped with a plurality of cathodes, a thermoelectron gun using a single cathode is used. In contrast to the case where one electron beam is generated, the following is listed.
(1) Since the number of electron beams becomes plural, it is necessary to control the arrangement (position, distance, direction) of each electron beam.
(2) Since the electron beam is also a heat source in the drawing apparatus, the problem of heat generation in the electron optical column becomes serious due to the increase in the number of electron beams.
(3) One electron optical system is provided for each of a plurality of electron beams emitted from an electron gun, as in the drawing method proposed in the conventional example “62nd JSAP Scientific Lecture”. In the case of assignment, it is important to make the system of the entire drawing apparatus as simple as possible by making the conditions of a plurality of electron optical systems installed downstream (downstream) from the electron gun as much as possible. For this reason, the characteristics (probe current, crossover diameter, crossover position) of the electron beam emitted from the electron gun need to be made uniform.

本発明は、前述の従来の課題に鑑みてなされたものであり、電子ビーム描画装置のスループット向上のために、複数の陰極から複数の電子ビームを放出させることのできる電子銃を実現し、それを用いた電子ビーム描画技術を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and has realized an electron gun capable of emitting a plurality of electron beams from a plurality of cathodes in order to improve the throughput of an electron beam lithography apparatus. It is an object of the present invention to provide an electron beam drawing technique using.

本発明の目的を達成するための第一の側面は、各電子ビームの配列(位置、距離、方向)の調整に関する。そのために、本発明は、加速空間内に8極以上の電磁偏向器または静電偏向器を設置して全ての電子ビームに作用させ、ビームの配列のシフトおよびゲインおよび歪み等の補正を行うことを特徴とする。   A first aspect for achieving the object of the present invention relates to adjustment of the arrangement (position, distance, direction) of each electron beam. For this purpose, the present invention provides an electromagnetic deflector or electrostatic deflector having eight or more poles in the acceleration space to act on all the electron beams, and corrects the shift of the beam arrangement and the gain and distortion. It is characterized by.

また、本発明は、加速空間内に回転コイルを設置し、全ての電子ビームに作用させ、ビームの配列の回転補正を行うことを特徴とする。   In addition, the present invention is characterized in that a rotating coil is installed in the acceleration space, and acts on all electron beams to correct the rotation of the beam arrangement.

また、本発明は、陽極の下流に複数の偏向器を設置し、各ビームに個別に作用させ、ビームの配列の高次の位置ずれ補正を行うことを特徴とする。   Further, the present invention is characterized in that a plurality of deflectors are installed downstream of the anode and individually act on each beam to perform high-order positional deviation correction of the beam arrangement.

本発明の目的を達成するための第二の側面は、総電流が増えることによって生じる発熱問題に関し、そのために、本発明は、陽極の下流に放熱機構を設けた絞りを設置することを特徴とする。   A second aspect for achieving the object of the present invention relates to a heat generation problem caused by an increase in the total current, and for this purpose, the present invention is characterized by installing a diaphragm provided with a heat dissipation mechanism downstream of the anode. To do.

本発明の目的を達成するための第三の側面は、熱電子銃の調整方法に関する。そのために、本発明は、陰極を温度制限領域にて使用することを特徴とする。   A third aspect for achieving the object of the present invention relates to a method for adjusting a thermionic gun. For this purpose, the present invention is characterized in that the cathode is used in a temperature limited region.

また、本発明は、ウェネルト電極に印加する電圧の制御により、クロスオーバー径またはクロスオーバー位置の調整を行った後、陰極温度の制御により試料上に到達する電流を調整することを特徴とする。   In addition, the present invention is characterized in that the current reaching the sample is adjusted by controlling the cathode temperature after adjusting the crossover diameter or the crossover position by controlling the voltage applied to the Wehnelt electrode.

また、本発明は、ウェネルト電極に印加する電圧の制御により、クロスオーバー径またはクロスオーバー位置の調整を行った後、陰極温度の制御により陰極より放出される電流を調整することを特徴とする。   In addition, the present invention is characterized in that the current discharged from the cathode is adjusted by controlling the cathode temperature after adjusting the crossover diameter or the crossover position by controlling the voltage applied to the Wehnelt electrode.

以上詳述したように、本発明によれば、複数の陰極を搭載した熱電子銃を用いて、陰極の数と同数の電子ビームを発生させた場合に、
(1)電子ビームの配列を制御し、
(2)電子ビームの本数の増加に伴う電子光学鏡筒内の発熱問題を解決し、
(3)各電子ビームの特性のバラツキを抑えること、が出来る。
As described above in detail, according to the present invention, when a number of electron beams equal to the number of cathodes are generated using a thermionic gun equipped with a plurality of cathodes,
(1) Control the arrangement of electron beams,
(2) Resolving the heat generation problem in the electron optical column due to the increase in the number of electron beams,
(3) It is possible to suppress variations in the characteristics of each electron beam.

以下、本発明の実施例について、添付図面を参照しながら説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

(実施例1)
図3は、本発明による電子ビーム描画装置の一実施例を示す構成図である。本実施例においては、一例として、それぞれ4×4個の陰極およびウェネルト電極を備えた電子銃を使用し、4×4本の電子ビームを放出させている。
(Example 1)
FIG. 3 is a block diagram showing an embodiment of an electron beam drawing apparatus according to the present invention. In this embodiment, as an example, electron guns each having 4 × 4 cathodes and Wehnelt electrodes are used, and 4 × 4 electron beams are emitted.

陰極301a、301b、301c、301dから放出された電子は、ウェネルト電極302a、302b、303c、303dの作り出す電場の作用を受け、クロスオーバー303a、303b、303c、303dを作りながら、陽極304に向かって加速される。全ての陰極および全てのウェネルト電極および陽極は、同一の真空装置に搭載され、これを電子銃と呼ぶ。また、陰極から陽極までの加速電場が印加される領域を、加速空間と呼ぶ。   Electrons emitted from the cathodes 301a, 301b, 301c, and 301d are subjected to the action of the electric field generated by the Wehnelt electrodes 302a, 302b, 303c, and 303d, toward the anode 304 while forming the crossovers 303a, 303b, 303c, and 303d. Accelerated. All cathodes and all Wehnelt electrodes and anodes are mounted in the same vacuum apparatus, which is called an electron gun. A region to which an acceleration electric field from the cathode to the anode is applied is called an acceleration space.

電子銃より放出された4×4本の電子ビームは、陽極を貫通する4×4個の孔314を通過後、電磁レンズ群305、306、307、308の作り出す磁場の作用を受け、 最終的にはクロスオーバーの縮小像が移動可能なステージ309上に搭載された試料310上に投影される。311はブランカー群であり、各電子ビームが試料上に照射されるか否かを決定するものである。312はビーム較正用マークである。313は半導体検出器である。なお、図3においては、電子ビームの一部または全部を遮断する絞り、および電子ビームの進行方向を変化させる偏向器等については省略した。   The 4 × 4 electron beams emitted from the electron gun pass through the 4 × 4 holes 314 penetrating the anode, and then are subjected to the action of the magnetic field generated by the electromagnetic lens groups 305, 306, 307, and 308. , A reduced image of the crossover is projected onto the sample 310 mounted on the movable stage 309. Reference numeral 311 denotes a blanker group that determines whether or not each electron beam is irradiated onto the sample. Reference numeral 312 denotes a beam calibration mark. Reference numeral 313 denotes a semiconductor detector. In FIG. 3, the diaphragm for blocking part or all of the electron beam and the deflector for changing the traveling direction of the electron beam are omitted.

図4に、電子銃部の断面図を示す。図中、点線で示した401は陰極およびウェネルト電極部である。402は各陰極より放出された電子ビームである。403は陽極である。404は陽極孔であり、加速された電子ビームはこの孔を通過する。陰極およびウェネルト電極および陽極孔は同数であり、本実施例においてはそれぞれ4×4個である。   FIG. 4 shows a cross-sectional view of the electron gun portion. In the figure, 401 shown by a dotted line is a cathode and a Wehnelt electrode part. Reference numeral 402 denotes an electron beam emitted from each cathode. Reference numeral 403 denotes an anode. Reference numeral 404 denotes an anode hole, and the accelerated electron beam passes through this hole. The number of cathodes, Wehnelt electrodes, and anode holes is the same, and in this embodiment, 4 × 4 each.

陰極とウェネルト電極に印加する電圧は、電源(図示せず)より高圧ケーブル405を介して供給される。陰極を加熱するヒーターに流す電流も同じ電源およびケーブルで供給される。全ての陰極は同電位(本実施例においては50KV)であり、4×4個の陽極もまた同電位(本実施例においてはアース電位)である。   The voltage applied to the cathode and Wehnelt electrode is supplied from a power source (not shown) via a high voltage cable 405. The same current and cable are used to supply current to the heater that heats the cathode. All cathodes are at the same potential (50 KV in this embodiment), and 4 × 4 anodes are also at the same potential (earth potential in this embodiment).

一方、各ウェネルト電極に印加する電圧は互いに独立に制御され、各ヒーターに流す電流もまた互いに独立に制御される。高圧ケーブル405の末端部を含む高電圧空間406には、放電を防ぐためにSF(六フッ化硫黄)ガスが封入されている。チップ保持部407には熱膨張率の低いセラミックスを用いた。これは、陰極を加熱することにより摂氏数十度から摂氏数百度になるチップ保持部が膨張して陰極間の距離が変化してしまうことを防ぐためである。また、加速空間内には電磁偏向器408および回転コイル409が設置されている。また、陽極の下流には、電子遮断板411および静電偏向器410が設置されている。 On the other hand, the voltages applied to each Wehnelt electrode are controlled independently of each other, and the currents flowing through the heaters are also controlled independently of each other. SF 6 (sulfur hexafluoride) gas is sealed in the high voltage space 406 including the end portion of the high voltage cable 405 to prevent discharge. Ceramics having a low coefficient of thermal expansion were used for the chip holding part 407. This is to prevent the tip holding portion, which is several tens of degrees Celsius to several hundred degrees Celsius, from expanding due to heating of the cathode and the distance between the cathodes from changing. An electromagnetic deflector 408 and a rotating coil 409 are installed in the acceleration space. Further, an electron blocking plate 411 and an electrostatic deflector 410 are installed downstream of the anode.

次に、陰極およびウェネルト電極について詳細に説明するために、陰極およびウェネルト電極部401を,図5に拡大して表示する。   Next, in order to describe the cathode and Wehnelt electrode in detail, the cathode and Wehnelt electrode portion 401 is enlarged and displayed in FIG.

陰極501とウェネルト電極503の中心軸を揃えるため、陰極501およびウェネルト電極503は、陰極を加熱するヒーター502、および、ウェネルト電極503と陰極501とヒーター502に電圧または電流を供給する端子504も含めて、一体型となっている。ウェネルト電極503と端子504との間は、例えば、アルミナ製の絶縁碍子505により絶縁されている。   In order to align the central axes of the cathode 501 and the Wehnelt electrode 503, the cathode 501 and the Wehnelt electrode 503 also include a heater 502 for heating the cathode and a terminal 504 for supplying voltage or current to the Wehnelt electrode 503, the cathode 501 and the heater 502. And integrated. The Wehnelt electrode 503 and the terminal 504 are insulated by, for example, an insulator 505 made of alumina.

以上に説明した電子銃から、4×4本の電子ビームが放出された時、各電子ビームの位置が、理想的な位置からずれることがあった。その主な原因は、陰極、ウェネルト電極、陽極の製作誤差および設置誤差などである。そこで、電子ビームをビーム較正用マーク(図3中の312)に照射し、半導体検出器(図3中の313)により反射電子を検出することにより、電子ビームの位置を測定した。   When 4 × 4 electron beams were emitted from the electron gun described above, the position of each electron beam sometimes deviated from the ideal position. The main causes are manufacturing errors and installation errors of cathodes, Wehnelt electrodes, and anodes. Therefore, the position of the electron beam was measured by irradiating the beam calibration mark (312 in FIG. 3) with the electron beam and detecting the reflected electrons with the semiconductor detector (313 in FIG. 3).

図6に、その測定結果の例を示す。図中、点線で描かれた格子601は各電子ビームの理想的な位置を、602は各電子ビームの位置の測定結果を示す。   FIG. 6 shows an example of the measurement result. In the figure, a lattice 601 drawn by a dotted line indicates an ideal position of each electron beam, and 602 indicates a measurement result of the position of each electron beam.

図6の(a)では、4×4本の電子ビームがいずれも理想的な位置に対してシフトしている。   In FIG. 6A, all 4 × 4 electron beams are shifted with respect to the ideal position.

図6の(b)では、4×4本の電子ビーム間の相対的な距離が、理想的な相対距離に対して大きくなっている。   In FIG. 6B, the relative distance between 4 × 4 electron beams is larger than the ideal relative distance.

図6の(c)では、投影された電子ビームが理想格子に対して歪んでいる。   In FIG. 6C, the projected electron beam is distorted with respect to the ideal lattice.

図6の(d)では、電子ビームの相対的な距離が、縦方向に対しては大きく、横方向に対しては倍率が小さくなっている。   In FIG. 6D, the relative distance of the electron beam is large in the vertical direction and the magnification is small in the horizontal direction.

これらを補正するために、加速空間内に電磁偏向器(図4中の408)を設置した。電磁偏向器のうち2極を取り出して図7の(a)に示す。全ての電子ビームが通過する領域を囲んでコイル701を鞍型に巻くことによって、電子ビームの進行方向702に対して垂直な磁場が全ての電子ビームに作用し、偏向させる。本実施例においては、図7の(b)に示したように、これを1組として45°(度)間隔で4組、合計8極のコイルを加速空間内に設置した。なお、加速空間中で補正を行うことにより、電子ビームが完全に加速される前に補正を行うことができるので、補正量を小さく抑えることができる。また、本実施例においては、鞍型の電磁偏向器を用いたが、静電偏向器を用いてもよい。一方、偏向器の極数については、各電子ビームの相対的な位置の補正を行うためには、8極以上である必要がある。   In order to correct these, an electromagnetic deflector (408 in FIG. 4) was installed in the acceleration space. Two poles of the electromagnetic deflector are taken out and shown in FIG. By winding the coil 701 in a saddle shape surrounding a region through which all electron beams pass, a magnetic field perpendicular to the traveling direction 702 of the electron beam acts on all the electron beams and deflects them. In the present embodiment, as shown in FIG. 7B, four sets of coils with a 45 ° (degree) interval and a total of eight poles were installed in the acceleration space. Note that by performing correction in the acceleration space, correction can be performed before the electron beam is completely accelerated, so that the correction amount can be kept small. In this embodiment, a saddle type electromagnetic deflector is used, but an electrostatic deflector may be used. On the other hand, the number of poles of the deflector needs to be 8 or more in order to correct the relative position of each electron beam.

一方、図6の(e)では、投影された電子ビームが理想的な位置に対して回転している。これを補正するために、加速空間内に回転コイル(図4中の409)を設置した。   On the other hand, in FIG. 6E, the projected electron beam is rotated with respect to an ideal position. In order to correct this, a rotating coil (409 in FIG. 4) was installed in the acceleration space.

本実施例で使用した回転コイルを、図7の(c)に示す。全てのビームが通過する領域を囲んでビームの進行方向704に対して垂直な面内でコイル703を巻くことにより、ビーム軸に対して平行な方向の磁場が全ての電子ビームに作用し、電子ビームの形成する像を回転させる。   The rotating coil used in the present example is shown in FIG. By winding the coil 703 in a plane perpendicular to the beam traveling direction 704 surrounding the region through which all the beams pass, a magnetic field in a direction parallel to the beam axis acts on all the electron beams. The image formed by the beam is rotated.

以上に述べたように、電磁偏向器および回転コイルを用いて電子ビームの位置を補正することにより、電子ビームの位置を理想的な位置に近づけることが出来た。   As described above, the position of the electron beam can be brought close to the ideal position by correcting the position of the electron beam using the electromagnetic deflector and the rotating coil.

本実施例においては、電磁偏向器、回転コイル共に真空内に設置したが、電子が通過する領域に電磁場を作り出せるならば、真空外に設置しても得られる効果は同様である。   In this embodiment, both the electromagnetic deflector and the rotating coil are installed in a vacuum. However, if an electromagnetic field can be created in a region through which electrons pass, the same effect can be obtained even if installed outside the vacuum.

また、電子ビームの位置の検出を行う際に、ステージ上に設置したビーム校正用マークと半導体検出器を用いたが、ビーム進行方向に対してさらに上流、例えば、図3の電磁レンズ群306と電磁レンズ群307の間などに検出手段を設置しても、同様の効果が得られる。また、検出手段についてもマークと半導体検出器の組み合わせに限らない。   Further, when the position of the electron beam is detected, the beam calibration mark and the semiconductor detector installed on the stage are used, but further upstream with respect to the beam traveling direction, for example, the electromagnetic lens group 306 in FIG. Even if the detection means is installed between the electromagnetic lens groups 307, the same effect can be obtained. Further, the detection means is not limited to the combination of the mark and the semiconductor detector.

また、電子ビームの位置ずれが、図6の(a)から(e)に示したビームの位置ずれを複合した場合であっても、本実施例と同様に補正することができる。   Further, even when the positional deviation of the electron beam is a combination of the positional deviation of the beam shown in FIGS. 6A to 6E, it can be corrected in the same manner as in this embodiment.

(実施例2)
本実施例では、実施例1で実施した補正の残りを取り扱う。実施例1では、全ての電子ビームに作用する電磁偏向器および回転コイルを用いたため、シフト・倍率・歪み・非点・回転およびそれらの複合については補正することが出来たが、さらに高次の収差や個々のビームのばらつきなどは補正することが出来なかった。
(Example 2)
In the present embodiment, the remainder of the correction performed in the first embodiment is handled. In Example 1, since electromagnetic deflectors and rotating coils that act on all electron beams were used, shift, magnification, distortion, astigmatism, rotation, and their combination could be corrected. Aberrations and individual beam variations could not be corrected.

図8に、実施例1で取りきれなかったずれの測定例を示す。図中、点線で描かれた格子801は、各電子ビームの理想的な位置を、802は各電子ビームの位置の測定結果を示す。   FIG. 8 shows a measurement example of the deviation that cannot be completely removed in the first embodiment. In the figure, a lattice 801 drawn by a dotted line indicates an ideal position of each electron beam, and 802 indicates a measurement result of the position of each electron beam.

本実施例においては、個々の電子ビームに作用する偏向器(図4中の410)を用いる。陽極の下流に設置した、8極2段の静電偏向器410を用いて、4×4本の電子ビームの位置および進行方向を個別に補正することにより、電子ビームの位置を理想的な位置に移動させることが出来た。   In this embodiment, a deflector (410 in FIG. 4) acting on each electron beam is used. The position of the electron beam is an ideal position by individually correcting the position and traveling direction of the 4 × 4 electron beams using an 8-pole, two-stage electrostatic deflector 410 installed downstream of the anode. We were able to move to.

本実施例においては、静電偏向器を用いたが、電磁偏向器を用いてもよい。また、偏向器の極数については、8極には限定されない。偏向器の段数も2段に限定されない。   In this embodiment, an electrostatic deflector is used, but an electromagnetic deflector may be used. Further, the number of poles of the deflector is not limited to eight. The number of stages of deflectors is not limited to two.

(実施例3)
本実施例においては、複数の陰極を用いて複数の電子ビームを発生させることにより、深刻になる発熱問題の解決を図る。
(Example 3)
In this embodiment, a plurality of electron beams are generated using a plurality of cathodes to solve a serious heat generation problem.

図4に示した陰極およびウェネルト電極部401と陽極403と電子遮蔽板411に関する部分412(図中、点線部)を拡大した図9を用いて、本実施例の構成を説明する。なお、図4と同一の符号を用いているものは同一のものを示している。   The configuration of this embodiment will be described with reference to FIG. 9 in which a portion 412 (dotted line portion in the drawing) relating to the cathode and Wehnelt electrode portion 401, the anode 403, and the electron shielding plate 411 shown in FIG. In addition, the thing using the same code | symbol as FIG. 4 has shown the same thing.

電子ビーム描画装置においては、陰極から加速された電子ビームのうち、試料上に投影に必要なのは、高く均一な輝度が得られる部分のみであり、残りの不要な部分は電子光学鏡筒内に設置された絞り等によって試料に到達する前に遮断される。さらに、電子ビームが陰極から放出されてから試料上に到達するまでの間に、電子間に働く斥力によって空間的およびエネルギー的な分散が大きくなる場合もあるので、不要な電子ビームはできるだけ上流で遮断されることが望ましい。   In the electron beam lithography system, only the portion of the electron beam accelerated from the cathode that can be projected onto the sample is capable of obtaining high and uniform brightness, and the remaining unnecessary portions are placed in the electron optical column. The sample is blocked before reaching the sample by the diaphragm or the like. Further, since the repulsive force acting between the electrons may increase the spatial and energy dispersion between the time when the electron beam is emitted from the cathode and the time when it reaches the sample, the unnecessary electron beam may be as upstream as possible. It is desirable to be blocked.

しかし、電子を遮断すると、衝突によって熱が発生する上、反射電子が散乱するため、付近の電子光学素子に悪影響を及ぼす場合がある。したがって、電子ビームの遮断は、発熱および反射電子が電子光学素子に悪影響を与えない限りにおいてに、できるだけ上流で行う必要がある。   However, when electrons are blocked, heat is generated by collision and scattered electrons are scattered, which may adversely affect nearby electron optical elements. Therefore, it is necessary to block the electron beam as upstream as possible as long as heat generation and reflected electrons do not adversely affect the electron optical element.

そこで、本発明においては、陽極孔404の大きさは陽極孔通過時の電子ビームよりも大きくする。陽極孔404の径が電子ビームよりも小さい場合、陽極403に散乱した電子が電子銃内の絶縁部分にチャージアップし、加速空間内の電場を乱したり、放電を引き起こしたりする可能性があるからである。一方で、電子銃部を高真空に保つためには、陽極孔は小さい方が有利なので、本実施例においては、陽極孔通過時の電子ビームの大きさ(半値幅)1.2mmに対して、陽極孔の大きさを直径2mmとした。なお、陽極孔の最適な大きさは、電子銃の光学的な構造および真空装置としての構造によって変化する。   Therefore, in the present invention, the size of the anode hole 404 is made larger than the electron beam when passing through the anode hole. When the diameter of the anode hole 404 is smaller than the electron beam, electrons scattered on the anode 403 may be charged up to the insulating portion in the electron gun, disturbing the electric field in the acceleration space or causing discharge. Because. On the other hand, in order to keep the electron gun portion in a high vacuum, it is advantageous that the anode hole is small. Therefore, in this embodiment, the electron beam size (half width) when passing through the anode hole is 1.2 mm. The anode hole was 2 mm in diameter. The optimum size of the anode hole varies depending on the optical structure of the electron gun and the structure as a vacuum device.

一方、静電偏向器410に大量の電子ビームが照射すると、静電偏向器の発熱が問題になるため、陽極403と静電偏向器410の間に、電子遮断板411を設置した。電子遮断板には、例えばモリブデン製の絞り902が取り付けられており、これら2つによって電子ビーム901は輝度が高く均一な中心部分を除いた部分が遮断される。電子遮断板の内部には水冷管903を通し、これに例えば水を流すことにより、遮断板の発熱を抑えた。   On the other hand, when the electrostatic deflector 410 is irradiated with a large amount of electron beams, heat generation of the electrostatic deflector becomes a problem. Therefore, an electron blocking plate 411 is installed between the anode 403 and the electrostatic deflector 410. A diaphragm 902 made of, for example, molybdenum is attached to the electron blocking plate, and these two blocks the portion of the electron beam 901 except for the central portion where the luminance is high and uniform. A water-cooled tube 903 was passed through the inside of the electronic shielding plate, and for example, water was allowed to flow therethrough to suppress heat generation of the shielding plate.

(実施例4)
本実施例による電子ビーム描画装置では、図3に示したような、複数の陰極と、陰極と同数のウェネルト電極(図3ではそれぞれ4×4個ずつ)を備えた電子銃を用いて、複数(図3では4×4本)の電子ビームを放出させ、電子銃より下流においては、各電子ビームにレンズ、偏向器等の電子光学系を割り当てることを特徴とする。このような電子ビーム描画装置においては、描画装置全体のシステムを簡略化するために、電子銃よりも後段(下流)の電子光学系の条件を同一にすることが望ましい。そのためには、電子銃から放出される複数の電子ビームの特性は揃っている必要がある。
Example 4
In the electron beam drawing apparatus according to the present embodiment, a plurality of electron guns having a plurality of cathodes and the same number of Wehnelt electrodes (4 × 4 in FIG. 3) as shown in FIG. (4 × 4 in FIG. 3) is emitted, and an electron optical system such as a lens and a deflector is assigned to each electron beam downstream from the electron gun. In such an electron beam drawing apparatus, in order to simplify the system of the entire drawing apparatus, it is desirable to make the conditions of the electron optical system downstream (downstream) from the electron gun the same. For this purpose, the characteristics of a plurality of electron beams emitted from the electron gun must be uniform.

ここで、揃えるべき電子ビームの特性とは、プローブ電流およびクロスオーバー径およびクロスオーバー位置である。また、プローブ電流とは、陰極より放出された電子ビームのうち、試料上に到達する電子ビームの電流である。本実施例においては、ステージ(図3中の309)上に搭載したファラデーカップ(図示せず)を用いて測定を行う。   Here, the characteristics of the electron beams to be aligned are the probe current, the crossover diameter, and the crossover position. The probe current is the current of an electron beam that reaches the sample among the electron beams emitted from the cathode. In the present embodiment, measurement is performed using a Faraday cup (not shown) mounted on a stage (309 in FIG. 3).

また、クロスオーバーとは、図1において106で示したように、同一陰極内の異なる位置から同一方向に放出された電子ビームが交わる時、形成する像のことである。クロスオーバーの大きさ(直径)をクロスオーバー径、(ビーム進行方向に対して)クロスオーバーの形成される位置をクロスオーバー位置と呼ぶ。本実施例においては、ステージ(図3中の309)上に設置したナイフエッジ(図示せず)を用いて、ステージ上に投影されたクロスオーバーの縮小像の大きさを測定する。また、クロスオーバー位置は、クロスオーバーの縮小像が試料上に結ばれた時のレンズの焦点距離から求めることが出来る。   The crossover is an image formed when electron beams emitted in the same direction from different positions in the same cathode intersect as indicated by 106 in FIG. The size (diameter) of the crossover is called the crossover diameter, and the position where the crossover is formed (relative to the beam traveling direction) is called the crossover position. In this embodiment, the size of the reduced image of the crossover projected on the stage is measured using a knife edge (not shown) installed on the stage (309 in FIG. 3). The crossover position can be obtained from the focal length of the lens when the reduced image of the crossover is formed on the sample.

プローブ電流およびクロスオーバー径およびクロスオーバー位置の揃った電子ビームを得るためには、陰極およびウェネルト電極および陽極孔の形状と相対的な位置を揃えることが必要であるが、機械加工の精度の限界や設置誤差、陰極を加熱するヒーターの抵抗誤差や陰極の表面状態の不均一性などから、特性の揃った電子ビームを得るのは必ずしも簡単ではない。   In order to obtain an electron beam with the same probe current, crossover diameter, and crossover position, it is necessary to align the cathode and Wehnelt electrode and anode hole shape and relative position. It is not always easy to obtain an electron beam with uniform characteristics due to the installation error, the resistance error of the heater for heating the cathode, and the non-uniformity of the surface state of the cathode.

本実施例においては、全ての陰極から放出される電子ビームのプローブ電流およびクロスオーバー径およびクロスオーバー位置が予め設定した上限値と下限値の間に入るように、ウェネルト電極に印加する電圧により陰極表面の電場の強さを調整したり、フィラメントに流す電流により陰極温度を調整したりする。   In this embodiment, the cathode current is applied by the voltage applied to the Wehnelt electrode so that the probe current, the crossover diameter, and the crossover position of the electron beams emitted from all the cathodes are between preset upper and lower limits. The intensity of the electric field on the surface is adjusted, and the cathode temperature is adjusted by the current passed through the filament.

ここで、4×4本の電子ビームのうち1本を例にして、ビームの特性のウェネルト電圧とフィラメント電流Iに対する振る舞いを図示する。 Here, the one of the 4 × 4 electron beams as an example, illustrates the behavior for Wehnelt voltage and the filament current I F of the characteristics of the beam.

まず、プローブ電流の振る舞いを、図10の(a)に示す。プローブ電流は、陰極放出電流密度と密接な関係がある。したがって、陰極放出電流密度がウェネルト電圧に対して急激に変化する空間電荷制限領域においては、プローブ電流も敏感に変化する。また、この領域においては、陰極放出電流密度が陰極温度には依存しないため、プローブ電流もまたフィラメント電流Iに依存しない。一方、陰極放出電流密度が陰極表面の電場の強さに対して緩やかに変化し、陰極温度に対しては大きく変化する温度制限領域においては、プローブ電流はフィラメント電流Iに対して大きく変化する(図中、I>I>I)。 First, the behavior of the probe current is shown in FIG. The probe current is closely related to the cathode emission current density. Therefore, in the space charge limited region where the cathode emission current density changes rapidly with respect to the Wehnelt voltage, the probe current also changes sensitively. Further, in this area, since the cathode emission current density does not depend on the cathode temperature, probe current is also not dependent on the filament current I F. On the other hand, cathode emission current density gently changes with respect to the strength of the electric field of the cathode surface, in the temperature limited region varies greatly with respect to the cathode temperature, the probe current changes greatly with respect to the filament current I F (In the figure, I 1 > I 2 > I 3 ).

プローブ電流の上限値と下限値の一例を挙げると、図10の(a)において示したように、上限値1001は1.6μA、下限値1002は1.4μAである。下限値は描画装置が達成するべきスループットから求めた。上限値を設定したのは、陰極温度を高く設定しすぎると、陰極の劣化を速める恐れがあるためである。   As an example of the upper limit value and the lower limit value of the probe current, as shown in FIG. 10A, the upper limit value 1001 is 1.6 μA, and the lower limit value 1002 is 1.4 μA. The lower limit value was obtained from the throughput that the drawing apparatus should achieve. The reason why the upper limit value is set is that if the cathode temperature is set too high, the deterioration of the cathode may be accelerated.

次に、クロスオーバー径の振る舞いを、図10の(b)に示す。クロスオーバー径は、陰極放出電流密度よりはむしろ、陰極から放出された後の電子の軌道と密接な関係がある。したがって、陰極温度に対する依存性はなく、ウェネルト電圧の変化に伴う陰極付近の電場分布の変化により、クロスオーバー径は変動する。   Next, the behavior of the crossover diameter is shown in FIG. The crossover diameter is closely related to the trajectory of electrons after being emitted from the cathode, rather than the cathode emission current density. Therefore, there is no dependence on the cathode temperature, and the crossover diameter varies due to the change in electric field distribution near the cathode accompanying the change in Wehnelt voltage.

クロスオーバー径については、求められる描画精度から上限値および下限値を決定した。一例としては、図10の(b)において示したように、クロスオーバー径の上限値1003を11μm、下限値1004を9μmとした。本実施例においては、光学系の縮小率が1/500倍であるから、ステージ上におけるクロスオーバーの縮小像は22nmから18nmの間に入っている必要がある。   For the crossover diameter, an upper limit value and a lower limit value were determined from the required drawing accuracy. As an example, as shown in FIG. 10B, the upper limit value 1003 of the crossover diameter was 11 μm, and the lower limit value 1004 was 9 μm. In this embodiment, since the reduction ratio of the optical system is 1/500, the reduced image of the crossover on the stage needs to be between 22 nm and 18 nm.

クロスオーバー位置の振る舞いを、図10の(c)に示す。クロスオーバー位置も、クロスオーバー径と同様に、陰極温度に対する依存性は極めて小さく、ウェネルト電圧を変化させると変動する。   FIG. 10C shows the behavior of the crossover position. Similarly to the crossover diameter, the crossover position has very little dependence on the cathode temperature, and fluctuates when the Wehnelt voltage is changed.

クロスオーバー位置については、下流に設置したレンズの焦点距離から、上限値および下限値を決定した。一例としては、図10の(c)に示したように、陰極先端よりビームの進行方向を正の向きとして上限値1006を10mm、下限値1007を0mmと設定した。   For the crossover position, an upper limit value and a lower limit value were determined from the focal length of the lens installed downstream. As an example, as shown in FIG. 10C, the upper limit value 1006 is set to 10 mm and the lower limit value 1007 is set to 0 mm with the beam traveling direction from the cathode tip as a positive direction.

従来の電子ビーム描画装置においては、陰極を空間電荷制限領域で使用し、ウェネルト電圧の調整のみによりプローブ電流を制御するのが一般的であった。空間電荷制限領域においては、プローブ電流は陰極温度に依らず、クロスオーバー径やクロスオーバー位置もまた、陰極温度に対する依存性が極めて小さい。したがって、電子ビームの特性を調整するためのパラメータがウェネルト電圧ただ一つとなってしまう。複数の電子ビームを取り扱い、その特性を揃える為には、陰極温度というパラメータも調整に使うことが望ましい。そこで、本実施例においては、陰極を温度制限領域で使用する。   In a conventional electron beam drawing apparatus, it is common to use a cathode in a space charge limited region and control the probe current only by adjusting the Wehnelt voltage. In the space charge limited region, the probe current does not depend on the cathode temperature, and the dependency of the crossover diameter and the crossover position on the cathode temperature is extremely small. Therefore, there is only one parameter for adjusting the characteristics of the electron beam. In order to handle a plurality of electron beams and make their characteristics uniform, it is desirable to use a parameter called cathode temperature for adjustment. Therefore, in this embodiment, the cathode is used in the temperature limited region.

この温度制限領域においては、ウェネルト電圧に対してプローブ電流の変化が緩やかで、陰極温度に対する感度が高く、一方では、クロスオーバー径およびクロスオーバー位置が陰極温度によらず各電極に印加する電圧によって決定される。この点に注目すると、効率よく調整を行うためには、まず、クロスオーバー径およびクロスオーバー位置が所望の値となるようにウェネルト電圧を設定し、その後、プローブ電流が所望の値となるようにヒーター電流を設定すればよい。   In this temperature limited region, the probe current changes slowly with respect to the Wehnelt voltage, and the sensitivity to the cathode temperature is high. On the other hand, the crossover diameter and the crossover position depend on the voltage applied to each electrode regardless of the cathode temperature. It is determined. Focusing on this point, in order to perform the adjustment efficiently, first, the Wehnelt voltage is set so that the crossover diameter and the crossover position become the desired values, and then the probe current becomes the desired value. What is necessary is just to set a heater current.

これを、全ての電子ビームについて独立に行うことにより、全ての電子ビームの陰極放出電流密度とクロスオーバー径およびクロスオーバー位置を所望の値に揃えることが可能になる。   By performing this independently for all the electron beams, the cathode emission current density, the crossover diameter, and the crossover position of all the electron beams can be set to desired values.

一方、スループットの観点からは、より高い陰極放出電流密度を得ることが望ましい。図2に示した陰極温度および陰極表面での電場強度に対する陰極放出電流密度の関係から明らかなように、高い陰極放出電流密度を得るためには、陰極温度を高めるか、陰極に印加される電場を強めればよい。しかし、陰極温度を高めると、電子銃内の真空度の低下および陰極の劣化の恐れがある。即ち、できるだけ低い陰極温度で、高い陰極放出電流密度を得ることが得策であり、そのためには、従来よりも陰極表面の電場強度を高めて、温度制限領域または温度制限領域に近い領域で使用することが望ましい。即ち、温度制限領域にて電子銃を使用することは、スループットの観点からも望ましいことであるといえる。   On the other hand, from the viewpoint of throughput, it is desirable to obtain a higher cathode emission current density. As is apparent from the relationship between the cathode temperature and the cathode field current density at the cathode surface shown in FIG. 2, in order to obtain a high cathode emission current density, the cathode temperature is increased or the electric field applied to the cathode is increased. Should be strengthened. However, when the cathode temperature is increased, the degree of vacuum in the electron gun may be lowered and the cathode may be deteriorated. In other words, it is a good idea to obtain a high cathode emission current density at the lowest possible cathode temperature. For this purpose, the electric field strength on the cathode surface is increased as compared with the prior art, and it is used in a temperature limited region or a region close to the temperature limited region. It is desirable. That is, it can be said that the use of an electron gun in the temperature limited region is desirable from the viewpoint of throughput.

なお、上記においては、クロスオーバー径、クロスオーバー位置が共にそれぞれ設定された上限値と下限値の間に入るようにウェネルト電圧を調整すると説明したが、本実施例においては、図10の(b)と(c)に示したように、クロスオーバー位置に対する電場の強さの適正範囲1005は、クロスオーバー径に対する電場の強さの適正範囲1008を完全に含むことが分かった。したがって、ウェネルト電圧の調整はクロスオーバー径のみを基準にが設定された上限値と下限値の間に入るように調整すれば、充分であった。   In the above description, the Wehnelt voltage is adjusted so that both the crossover diameter and the crossover position are between the set upper limit value and lower limit value. However, in this embodiment, (b) in FIG. ) And (c), it was found that the appropriate range 1005 of the electric field strength with respect to the crossover position completely includes the proper range 1008 of the electric field strength with respect to the crossover diameter. Therefore, it was sufficient to adjust the Wehnelt voltage so as to be between the upper limit value and the lower limit value set based on only the crossover diameter.

電子銃の構造、下流の電子光学系の設計によっては、本実施例とは逆に、クロスオーバー径に対する電場の強さの適正範囲がクロスオーバー位置に対する電場の強さの適正範囲を完全に含む場合もある。その場合は、クロスオーバー位置を基準にウェネルト電圧の調整を行ってもよい。また、クロスオーバー径およびクロスオーバー位置の双方を基準にウェネルト電圧の調整を行っても同様の効果が得られる。   Depending on the structure of the electron gun and the design of the downstream electron optical system, contrary to this embodiment, the appropriate range of the electric field strength with respect to the crossover diameter completely includes the appropriate range of the electric field strength with respect to the crossover position. In some cases. In that case, the Wehnelt voltage may be adjusted based on the crossover position. The same effect can be obtained by adjusting the Wehnelt voltage based on both the crossover diameter and the crossover position.

次に、図11に示したフローチャートを用いて、本実施例の構成を詳細に説明する。   Next, the configuration of this embodiment will be described in detail using the flowchart shown in FIG.

ステップ1では、複数の陰極を加熱する全てのヒーターについて基準電流値を設定し、全てのウェネルト電極に対して基準電圧値を設定する。   In step 1, reference current values are set for all heaters that heat a plurality of cathodes, and reference voltage values are set for all Wehnelt electrodes.

ステップ2では、複数の陰極から放出された全ての電子ビームについて、クロスオーバー径を個別に測定する。   In step 2, the crossover diameter is individually measured for all electron beams emitted from the plurality of cathodes.

ステップ3では、ステップ2における測定に基づいて、全ての電子ビームについて個別に、クロスオーバー径が上限値と下限値の間に入っているか否かを判定する。   In Step 3, based on the measurement in Step 2, it is individually determined whether or not the crossover diameter is between the upper limit value and the lower limit value for all the electron beams.

ステップ3における判定で、全ての電子ビームのうち一つでもクロスオーバー径が上限値と下限値の間に入っていないものがあると判定された場合は、該当する電子ビームに対応するウェネルト電圧を再設定し、ステップ2に戻った。そして、ステップ3における判定で、全ての電子ビームのクロスオーバー径が上限値と下限値の間に入っていると判定されるまでステップ2からステップ3を繰り返した。ステップ3における判定で、全ての電子ビームのクロスオーバー径が上限値と下限値の間に入っていると判定された場合は、ステップ4に進む。   If it is determined in step 3 that there is one of all the electron beams whose crossover diameter is not between the upper limit value and the lower limit value, the Wehnelt voltage corresponding to the corresponding electron beam is set. Reset and return to step 2. Steps 2 to 3 were repeated until it was determined in step 3 that the crossover diameters of all electron beams were between the upper limit value and the lower limit value. If it is determined in step 3 that the crossover diameters of all electron beams are between the upper limit value and the lower limit value, the process proceeds to step 4.

ステップ4では、個々の電子ビームのプローブ電流を測定する。   In step 4, the probe current of each electron beam is measured.

ステップ5では、 ステップ4で測定されたプローブ電流が上限値と下限値の間に入っているか、否かを判定する。   In step 5, it is determined whether or not the probe current measured in step 4 is between the upper limit value and the lower limit value.

ステップ5における判定で、全ての電子ビームのうち一つでもプローブ電流が上限値と下限値の間に入っていないものがあると判定された場合、該当する電子ビームに対応するヒーターに流す電流を再設定し、ステップ4に戻った。ステップ5における判定で、全ての電子ビームのプローブ電流が下限値を満たしていると判定されるまでステップ4から5を繰り返す。   If it is determined in step 5 that any one of all the electron beams does not have the probe current between the upper limit value and the lower limit value, the current to be supplied to the heater corresponding to the corresponding electron beam is determined. Reset and go back to step 4. Steps 4 to 5 are repeated until it is determined in step 5 that the probe currents of all electron beams satisfy the lower limit value.

ステップ5における判定で、全ての電子ビームのプローブ電流が下限値を満たしていると判定された場合は、ステップ6に進む。   If it is determined in step 5 that the probe currents of all the electron beams satisfy the lower limit value, the process proceeds to step 6.

ステップ6では、実施例1と同様の方法で、電磁偏向器および回転コイルの調整を行う。   In step 6, the electromagnetic deflector and the rotating coil are adjusted in the same manner as in the first embodiment.

ステップ7では、実施例2と同様の方法で各静電偏向器の調整を行う。   In step 7, each electrostatic deflector is adjusted in the same manner as in the second embodiment.

以上の手順によるビーム較正を、陰極の交換時に加え、一週間に1回の頻度で、定期的な較正で実施した結果、スループットを低下させることなく、良好な描画結果を保つことが出来た。   Beam calibration according to the above procedure was performed at the time of replacing the cathode, and the calibration was performed once a week with regular calibration. As a result, good drawing results could be maintained without reducing the throughput.

なお、本実施例においては、陰極・陽極・ウェネルト電極からなる三極管構造を持った熱電子銃を用いたが、例えば、一本のビームに対して陰極と陽極間に2つ以上の電極を2つ用いたような場合であっても、三極管構造と同様の陰極放出電流密度の特性が得られる場合は、本実施例と同様の効果をあげることが出来る。
また、本実施例においては、陰極を加熱するためにヒーターを用い、これに通電する電流を調整することにより陰極温度の制御を行ったが、異なる形態のヒーターを用いて陰極を加熱する場合は、例えば、ヒーターに印加する電圧を調整するなどしてもよい。
In this embodiment, a thermoelectron gun having a triode structure composed of a cathode, an anode, and a Wehnelt electrode is used. For example, two or more electrodes are provided between a cathode and an anode for one beam. Even if one is used, the same effect as the present embodiment can be obtained if the same cathode emission current density characteristic as that of the triode structure can be obtained.
In this example, a heater was used to heat the cathode, and the cathode temperature was controlled by adjusting the current applied to the cathode. However, when heating the cathode using a heater of a different form, For example, the voltage applied to the heater may be adjusted.

また、本実施例においては、クロスオーバー径を測定するために、ステージ上に設置したナイフエッジに反射した電子を半導体検出器により検出したが、測定手段はこの組み合わせに限らない。例えば、ナイフエッジの代りにクロスワイヤーやビーム較正用マークを用いてもよいし、半導体検出器の代りに光電子増倍管を用いても良い。また、微小な絞りと絞りを通過した電流を測定するための半導体検出器の組み合わせでもよい。   Further, in this embodiment, in order to measure the crossover diameter, the electrons reflected on the knife edge placed on the stage are detected by the semiconductor detector, but the measuring means is not limited to this combination. For example, a cross wire or a beam calibration mark may be used instead of the knife edge, or a photomultiplier tube may be used instead of the semiconductor detector. Also, a combination of a fine diaphragm and a semiconductor detector for measuring the current passing through the diaphragm may be used.

また、本実施例においては、複数の電子ビームのプローブ電流の測定を行い、これらを所望の値にするべく陰極温度の調整を行ったが、プローブ電流と陰極から放出された電流の関係がよく分かっている場合は、各陰極から放出された電流の測定を行い、これらを所望の値にするべく陰極温度の調整を行ってもよい。   In this example, the probe currents of a plurality of electron beams were measured, and the cathode temperature was adjusted so as to obtain a desired value. However, the relationship between the probe current and the current emitted from the cathode was good. If known, the current emitted from each cathode may be measured and the cathode temperature adjusted to bring them to the desired value.

本発明は、以下の構成例を包含する。   The present invention includes the following configuration examples.

(1)複数の陰極と、前記複数の陰極から発生した複数の電子ビームを加速する電場を発生させる手段を有する電子銃において、前記複数の電子ビームを加速する電場内に、前記複数の電子ビームの全てに作用する、8個以上のコイルまたは8個以上の電極よりなる偏向器を有することを特徴とする電子銃。   (1) In an electron gun having a plurality of cathodes and means for generating an electric field for accelerating a plurality of electron beams generated from the plurality of cathodes, the plurality of electron beams are included in an electric field for accelerating the plurality of electron beams. An electron gun having a deflector composed of eight or more coils or eight or more electrodes that act on all of the above.

(2)複数の陰極と、前記複数の陰極から発生した複数の電子ビームを加速する電場を発生させる手段を有する電子銃において、前記複数の電子ビームを加速する電場内に、前記複数の電子ビームに作用する回転コイルを有することを特徴とする電子銃。   (2) In an electron gun having a plurality of cathodes and means for generating an electric field for accelerating a plurality of electron beams generated from the plurality of cathodes, the plurality of electron beams are included in the electric field for accelerating the plurality of electron beams. An electron gun having a rotating coil that acts on

(3)前記事項(1)乃至(2)の何れかの電子銃を備えることを特徴とする電子ビーム描画装置。   (3) An electron beam drawing apparatus comprising the electron gun according to any one of the items (1) to (2).

(4)複数の陰極と、前記複数の陰極に対して正の電位を持ち、前記複数の陰極から発生した複数の電子ビームを加速する電場を発生させる陽極を有する電子銃を備えた電子ビーム描画装置において、前記電子ビームの進行方向に対して、前記陽極よりも下流に、複数の電子ビームに対して個別に作用する複数の偏向器を有することを特徴とする電子ビーム描画装置。   (4) Electron beam drawing provided with an electron gun having a plurality of cathodes and an anode that has a positive potential with respect to the plurality of cathodes and generates an electric field that accelerates a plurality of electron beams generated from the plurality of cathodes. An apparatus according to claim 1, further comprising a plurality of deflectors that individually act on the plurality of electron beams downstream of the anode in the traveling direction of the electron beam.

(5)複数の陰極と、前記複数の陰極に対して正の電位を持ち、前記陰極から発生した複数の電子ビームを加速する電場を発生させる陽極を有する電子銃を備えた電子ビーム描画装置において、前記電子ビームの進行方向に対して前記陽極よりも下流に、放熱機構を有する電子を遮断する手段を備えることを特徴とする電子ビーム描画装置。   (5) In an electron beam lithography apparatus comprising a plurality of cathodes and an electron gun having a positive potential with respect to the plurality of cathodes and generating an electric field for accelerating a plurality of electron beams generated from the cathodes An electron beam drawing apparatus comprising: means for blocking electrons having a heat dissipation mechanism downstream of the anode with respect to the traveling direction of the electron beam.

(6)複数の陰極と、前記複数の陰極の温度を個々に調整する、前記陰極と同数のヒーターと、前記複数の陰極の表面付近の電場の強さを個々に調整する、前記陰極と同数のウェネルト電極と、前記複数の陰極に対して正の電位を持ち、前記複数の陰極から発生した複数の電子ビームを加速する電場を発生させる陽極を有することを特徴とする電子銃と、描画すべき対象物を搭載することのできる移動可能なステージを用いて、各陰極の少なくとも一部の領域を温度制限領域で動作させることを特徴とする電子ビーム描画方法。   (6) A plurality of cathodes, temperatures of the plurality of cathodes are individually adjusted, the same number of heaters as the cathodes, and an electric field intensity in the vicinity of the surfaces of the plurality of cathodes are individually adjusted, the same number as the cathodes An electron gun having a positive electrode potential with respect to the plurality of cathodes and generating an electric field for accelerating a plurality of electron beams generated from the plurality of cathodes; An electron beam drawing method, wherein a movable stage capable of mounting a target object is used to operate at least a part of each cathode in a temperature limited region.

(7)前記事項(6)において、
(a)前記複数のウェネルト電極に印加する電圧と、前記複数のヒーターの温度を決定するパラメータを、基準値に設定する工程と、
(b)前記複数の陰極から放出された全ての電子ビームについて、クロスオーバーの大きさを個別に測定する工程と、
(c)前記(b)の測定に基づいて、全ての電子ビームについて個別に、クロスオーバーの大きさが所望の値になっているか否かを判定する工程と、
(d)前記(c)の工程において、クロスオーバーの大きさが所望の値になっていないと判定された電子ビームが一つ以上ある場合は、該当する電子ビームに対応するウェネルト電圧を再設定し、前記(b)の工程に戻る工程と、
(e)前記(c)の工程において、全ての電子ビームのクロスオーバーの大きさが所望の値になっていると判定された場合は、前記複数の陰極の全てについて、放出された電子ビームの電流を個別に測定する工程と、
(f)前記(e)の測定に基づいて、全ての陰極について個別に、放出された電子ビームの電流が所望の値になっているか否かを判定する工程と、
(g)前記(f)の工程において、放出された電子ビームの電流が所望の値になっていないと判定された陰極が一つ以上ある場合は、該当する陰極を加熱するヒーターの温度を決定するパラメータを再設定し、前記(e)の工程に戻る工程、
とを有することを特徴とする電子ビーム描画方法。
(7) In item (6) above,
(A) setting a voltage to be applied to the plurality of Wehnelt electrodes and a parameter for determining a temperature of the plurality of heaters to a reference value;
(B) a step of individually measuring the magnitude of crossover for all electron beams emitted from the plurality of cathodes;
(C) Based on the measurement in (b), determining whether or not the magnitude of the crossover is a desired value individually for all electron beams;
(D) In the step (c), when there is one or more electron beams that are determined to have no desired crossover magnitude, the Wehnelt voltage corresponding to the corresponding electron beam is reset. And returning to the step (b),
(E) In the step (c), when it is determined that the magnitude of the crossover of all the electron beams is a desired value, all of the plurality of cathodes Measuring the current individually,
(F) determining whether the current of the emitted electron beam has a desired value individually for all the cathodes based on the measurement of (e);
(G) In the step (f), if there is one or more cathodes for which the current of the emitted electron beam is determined not to have a desired value, the temperature of the heater for heating the corresponding cathode is determined. Resetting the parameters to be performed and returning to the step (e),
An electron beam drawing method comprising:

(8)前記事項(6)において、
(a)前記複数のウェネルト電極に印加する電圧と、前記複数のヒーターの温度を決定するパラメータを、基準値に設定する工程と、
(b)前記複数の陰極から放出された全ての電子ビームについて、クロスオーバーの大きさを個別に測定する工程と、
(c)前記(b)の測定に基づいて、全ての電子ビームについて個別に、クロスオーバーの大きさが所望の値になっているか否かを判定する工程と、
(d)前記(c)の工程において、クロスオーバーの大きさが所望の値になっていないと判定された電子ビームが一つ以上ある場合は、該当する電子ビームに対応するウェネルト電圧を再設定し、前記(b)の工程に戻る工程と、
(e)前記(c)の工程において、全ての電子ビームのクロスオーバーの大きさが所望の値になっていると判定された場合は、前記複数の陰極から放出された全ての電子ビームについて、ステージ上に到達した電流を個別に測定する工程と、
(f)前記(e)の測定に基づいて、全ての電子ビームについて個別に、ステージ上に到達した電流が所望の値になっているか否かを判定する工程と、
(g)前記(f)の工程において、ステージ上に到達した電流が所望の値になっていないと判定された電子ビームが一つ以上ある場合は、該当する電子ビームに対応する陰極を加熱するヒーターの温度を決定するパラメータを再設定し、前記(e)の工程に戻る工程とを、
有することを特徴とする電子ビーム描画方法。
(8) In item (6) above,
(A) setting a voltage to be applied to the plurality of Wehnelt electrodes and a parameter for determining a temperature of the plurality of heaters to a reference value;
(B) a step of individually measuring the magnitude of crossover for all electron beams emitted from the plurality of cathodes;
(C) Based on the measurement in (b), determining whether or not the magnitude of the crossover is a desired value individually for all electron beams;
(D) In the step (c), when there is one or more electron beams that are determined to have no desired crossover magnitude, the Wehnelt voltage corresponding to the corresponding electron beam is reset. And returning to the step (b),
(E) In the step (c), when it is determined that the magnitude of crossover of all electron beams is a desired value, for all electron beams emitted from the plurality of cathodes, Individually measuring the current that has reached the stage;
(F) determining whether or not the current reached on the stage has a desired value individually for all electron beams based on the measurement in (e);
(G) In the step (f), when there is one or more electron beams determined that the current reached on the stage is not a desired value, the cathode corresponding to the corresponding electron beam is heated. Resetting the parameter for determining the temperature of the heater and returning to the step (e),
An electron beam drawing method comprising:

一般的な三極間型の熱電子銃の模式図。Schematic diagram of a general three-electrode type thermoelectron gun. 陰極温度および陰極表面での電場強度に対する陰極放出電流密度の関係を説明する図。The figure explaining the relationship of the cathode emission current density with respect to the cathode temperature and the electric field strength on the cathode surface. 本発明による電子ビーム描画装置の一実施例の構成を説明する図。The figure explaining the structure of one Example of the electron beam drawing apparatus by this invention. 図3における電子銃部の断面図。Sectional drawing of the electron gun part in FIG. 図3における陰極およびウェネルト電極部の拡大図。The enlarged view of the cathode and Wehnelt electrode part in FIG. 電子ビームの位置の測定結果の一例を示す図。The figure which shows an example of the measurement result of the position of an electron beam. 図3における、電磁偏向器(a)、(b)、および回転コイル(c)の具体例を示す図。The figure which shows the specific example of an electromagnetic deflector (a) in FIG. 3, (b), and a rotating coil (c). 電子ビームの位置の測定結果の他の例を示す図。The figure which shows the other example of the measurement result of the position of an electron beam. 図3における、陰極とウェネルト電極、および陽極と電子遮断板にかかる部分の拡大図。The enlarged view of the part concerning a cathode and a Wehnelt electrode in FIG. 陰極温度および陰極表面での電場強度に対するプローブ電流およびクロスオーバー径およびクロスオーバー位置の関係を説明する図。The figure explaining the relationship between the probe current, the crossover diameter, and the crossover position with respect to the cathode temperature and the electric field strength on the cathode surface. 本発明における電子銃の調整方法を説明するフロー図。The flowchart explaining the adjustment method of the electron gun in this invention.

符号の説明Explanation of symbols

101…陰極、102…ヒーター、103…ウェネルト電極、104…陽極、105…クロスオーバー、201…空間電荷制限領域、202…温度制限領域、
301a、301b、301c、301d…陰極、302a、302b、302c、302d…ウェネルト電極、303a、303b、303c、303d…クロスオーバー、304…陽極、305…電磁レンズ群、306…電磁レンズ群、307…電磁レンズ群、308…電磁レンズ群、309…ステージ、310―試料、311…ブランカー群、312…ビーム較正用マーク、313…半導体検出器、401…陰極およびウェネルト電極部、402…電子ビーム、403…陽極、404…陽極孔、405…高圧ケーブル、406…高電圧空間、407…チップ保持部、408…電磁偏向器、409…回転コイル、410…静電偏向器、411…電子遮断板、412…陰極およびウェネルト電極および陽極および電子遮断板部、501…陰極、502…ヒーター、503…ウェネルト電極、504…端子、505…絶縁碍子、601…各電子ビームの理想的な位置、602…各電子ビームの位置の測定結果、701…コイル、702…電子ビームの進行方向、703…コイル、704…電子ビームの進行方向、801…各電子ビームの理想的な位置、802…各電子ビームの位置の測定結果、901…電子ビーム、902…絞り、903…水冷管、1001…プローブ電流の上限値、1002…プローブ電流の下限値、1003…クロスオーバー径の上限値、1004…クロスオーバー径の下限値、1005…クロスオーバー位置に対する電場の強さの適正範囲、1006…クロスオーバー位置の上限値、1007…クロスオーバー位置の下限値、1008…クロスオーバー径に対する電場の強さの適正範囲。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 ... Cathode, 102 ... Heater, 103 ... Wehnelt electrode, 104 ... Anode, 105 ... Crossover, 201 ... Space charge limited area, 202 ... Temperature limited area,
301a, 301b, 301c, 301d ... cathode, 302a, 302b, 302c, 302d ... Wehnelt electrode, 303a, 303b, 303c, 303d ... crossover, 304 ... anode, 305 ... electromagnetic lens group, 306 ... electromagnetic lens group, 307 ... Electromagnetic lens group, 308 ... Electromagnetic lens group, 309 ... Stage, 310-Sample, 311 ... Blanker group, 312 ... Beam calibration mark, 313 ... Semiconductor detector, 401 ... Cathode and Wehnelt electrode section, 402 ... Electron beam, 403 ... Anode, 404 ... Anode hole, 405 ... High voltage cable, 406 ... High voltage space, 407 ... Chip holding part, 408 ... Electromagnetic deflector, 409 ... Rotary coil, 410 ... Electrostatic deflector, 411 ... Electronic blocking plate, 412 ... Cathode, Wehnelt electrode and anode and electron blocking plate, 501 ... Cathode, 502 ... He -503 ... Wehnelt electrode, 504 ... Terminal, 505 ... Insulator, 601 ... Ideal position of each electron beam, 602 ... Measurement result of position of each electron beam, 701 ... Coil, 702 ... Direction of travel of electron beam, 703 ... Coil, 704 ... Electron beam traveling direction, 801 ... Ideal position of each electron beam, 802 ... Measurement result of position of each electron beam, 901 ... Electron beam, 902 ... Aperture, 903 ... Water-cooled tube, 1001 ... Upper limit value of probe current, 1002 ... Lower limit value of probe current, 1003 ... Upper limit value of crossover diameter, 1004 ... Lower limit value of crossover diameter, 1005 ... Appropriate range of electric field strength with respect to crossover position, 1006 ... Crossover Upper limit value of position, 1007 ... Lower limit value of crossover position, 1008 ... Electric field strength with respect to crossover diameter The proper range.

Claims (2)

複数の陰極と、前記複数の陰極の表面付近の電場の強さを個々に調整する複数のウェネルト電極と、前記複数の陰極に対して正の電位を持ち、前記複数の陰極から発生した複数の電子ビームを加速する電場を発生させる陽極とを備えた電子銃を用いて、試料上に所望のパターンを描画する工程を有し、前記ウェネルト電極に印加する電圧の制御により、前記複数の陰極から放出された前記複数の電子ビームのすべてについて、クロスオーバー径もしくはクロスオーバー位置を個別に調整した後、前記複数の陰極の温度を制御することにより、前記複数の陰極より放出される電流もしくは前記試料上に到達する電流を調整するようにしたことを特徴とする電子ビーム描画方法。   A plurality of cathodes, a plurality of Wehnelt electrodes for individually adjusting the electric field strength in the vicinity of the surfaces of the plurality of cathodes, and a plurality of cathodes having a positive potential with respect to the plurality of cathodes and generated from the plurality of cathodes. A step of drawing a desired pattern on a sample using an electron gun including an anode for generating an electric field for accelerating an electron beam, and controlling the voltage applied to the Wehnelt electrode to control the voltage from the plurality of cathodes For all of the plurality of emitted electron beams, the crossover diameter or the crossover position is individually adjusted, and then the temperature of the plurality of cathodes is controlled to control the current emitted from the plurality of cathodes or the sample. An electron beam drawing method characterized by adjusting an electric current reaching the top. 前記電子銃は、前記複数の電子ビームを加速する電場内に、前記複数の電子ビームが通過する領域を囲むように配置され、前記複数の電子ビームのすべてに作用する偏向器および回転コイルを有し、前記偏向器および前記回転コイルを用いて、前記複数の電子ビームの配列を補正するようにしたことを特徴とする請求項7記載の電子ビーム描画方法。   The electron gun is disposed in an electric field for accelerating the plurality of electron beams so as to surround a region through which the plurality of electron beams pass, and has a deflector and a rotating coil that act on all of the plurality of electron beams. 8. The electron beam writing method according to claim 7, wherein the arrangement of the plurality of electron beams is corrected using the deflector and the rotating coil.
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