JP2008201117A - Metal thin film with plastic, printed-circuit board, its manufacturing method, multilayer wiring board, and its manufacturing method - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 285
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 285
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 37
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 title abstract description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 title abstract description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 169
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 169
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 83
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 74
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 54
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 52
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 22
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 22
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 22
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 20
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 claims description 15
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 15
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 claims description 15
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 287
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 25
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 20
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 18
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 18
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 17
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 15
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 10
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 9
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 8
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 6
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 5
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 4
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N trimellitic anhydride Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229920001646 UPILEX Polymers 0.000 description 3
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 3
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 3
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZTYYGOKRVBIMI-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfone Chemical compound C=1C=CC=CC=1S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 KZTYYGOKRVBIMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 125000006273 (C1-C3) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- SBJCUZQNHOLYMD-UHFFFAOYSA-N 1,5-Naphthalene diisocyanate Chemical class C1=CC=C2C(N=C=O)=CC=CC2=C1N=C=O SBJCUZQNHOLYMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATOUXIOKEJWULN-UHFFFAOYSA-N 1,6-diisocyanato-2,2,4-trimethylhexane Chemical compound O=C=NCCC(C)CC(C)(C)CN=C=O ATOUXIOKEJWULN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical class C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGDMDBHLKNQPSD-UHFFFAOYSA-N 2-amino-5-(4-amino-3-hydroxyphenyl)phenol Chemical compound C1=C(O)C(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C(O)=C1 ZGDMDBHLKNQPSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGZNZXOHAFRWEN-UHFFFAOYSA-N 3-[4-(2,5-dioxopyrrol-3-yl)triazin-5-yl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1NC(=O)C(C=2C(=NN=NC=2)C=2C(NC(=O)C=2)=O)=C1 LGZNZXOHAFRWEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUSNPFGLKGCWGN-UHFFFAOYSA-N 3-[4-(3-aminopropyl)piperazin-1-yl]propan-1-amine Chemical compound NCCCN1CCN(CCCN)CC1 XUSNPFGLKGCWGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCXGOVYROJJXHA-UHFFFAOYSA-N 3-[4-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfonylphenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=CC(=CC=2)S(=O)(=O)C=2C=CC(OC=3C=C(N)C=CC=3)=CC=2)=C1 WCXGOVYROJJXHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYIMZXITLDTULQ-UHFFFAOYSA-N 4-(4-amino-2-methylphenyl)-3-methylaniline Chemical compound CC1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C QYIMZXITLDTULQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPRYUDHUFLKFL-UHFFFAOYSA-N 4-[3-(4-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=CC(OC=2C=CC(N)=CC=2)=C1 WUPRYUDHUFLKFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCRRFJIVUPSNTA-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 JCRRFJIVUPSNTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHLMWQDRYZAENA-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[2-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(C(C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)C=C1 HHLMWQDRYZAENA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMKWGXGSGPYISJ-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[2-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propan-2-yl]phenoxy]aniline Chemical compound C=1C=C(OC=2C=CC(N)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 KMKWGXGSGPYISJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDFYRFKAYFZVNH-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[4-(4-aminophenoxy)phenoxy]phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 LDFYRFKAYFZVNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYDATEKARGDBKU-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]phenoxy]aniline Chemical group C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)C=C1 HYDATEKARGDBKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTDAGHZGKXPRQI-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfonylphenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(S(=O)(=O)C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)C=C1 UTDAGHZGKXPRQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJCCVNKHRXIAHZ-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[[4-(4-aminophenoxy)phenyl]methyl]phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1CC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 PJCCVNKHRXIAHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 5-(2,4-dioxooxolan-3-yl)-7-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C(C(OC2=O)=O)C2C(C)=CC1C1C(=O)COC1=O FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000009261 D 400 Substances 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- SQSPRWMERUQXNE-UHFFFAOYSA-N Guanylurea Chemical compound NC(=N)NC(N)=O SQSPRWMERUQXNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000388 Polyphosphate Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUQQUUXMCKXGDI-UHFFFAOYSA-N bis(3-aminophenyl)methanone Chemical compound NC1=CC=CC(C(=O)C=2C=C(N)C=CC=2)=C1 TUQQUUXMCKXGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLSMCQSGRWNEGX-UHFFFAOYSA-N bis(4-aminophenyl)methanone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N)C=C1 ZLSMCQSGRWNEGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSDYQEILXDCDTR-UHFFFAOYSA-N bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]methanone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(C(=O)C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)C=C1 LSDYQEILXDCDTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- QSAWQNUELGIYBC-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCCCC1C(O)=O QSAWQNUELGIYBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N diphenylmethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1CC1=CC=CC=C1 CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006838 isophorone group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 239000001205 polyphosphate Substances 0.000 description 1
- 235000011176 polyphosphates Nutrition 0.000 description 1
- 150000007519 polyprotic acids Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical class CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N toluene 2,6-diisocyanate Chemical class CC1=C(N=C=O)C=CC=C1N=C=O RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005628 tolylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
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- Laminated Bodies (AREA)
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
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Abstract
Description
本発明は、樹脂付き金属薄膜、印刷回路板及びその製造方法、並びに、多層配線板及びその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a resin-coated metal thin film, a printed circuit board and a manufacturing method thereof, and a multilayer wiring board and a manufacturing method thereof.
プリント配線板用の積層板は、電気絶縁性を有する樹脂組成物をマトリックスとするプリプレグを所定の枚数重ね、加熱加圧して一体化することにより得られる。また、プリント配線板の作製において、プリント回路をサブトラクティブ法により形成する場合には、金属張積層板が用いられる。この金属張積層板は、プリプレグの表面(片面又は両面)に銅箔等の金属箔を重ねて加熱加圧することにより製造される。 A laminated board for a printed wiring board can be obtained by stacking a predetermined number of prepregs having a resin composition having electrical insulation as a matrix, and heating and pressing to integrate them. In the production of a printed wiring board, when a printed circuit is formed by a subtractive method, a metal-clad laminate is used. This metal-clad laminate is manufactured by stacking a metal foil such as a copper foil on the surface (one side or both sides) of the prepreg and heating and pressing.
電気絶縁性を有する樹脂としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等のような熱硬化性樹脂が広く用いられる。また、フッ素樹脂やポリフェニレンエーテル樹脂等のような熱可塑性樹脂が用いられることもある。 一方、パーソナルコンピュータや携帯電話等の情報端末機器の普及に伴って、これらに搭載される印刷回路板は小型化、高密度化が進んでいる。その実装形態はピン挿入型から表面実装型、さらにはプラスチック基板を使用したBGA(ボールグリッドアレイ)に代表されるエリアアレイ型へと進んでいる。 Thermosetting resins such as phenol resin, epoxy resin, polyimide resin, bismaleimide-triazine resin, etc. are widely used as the resin having electrical insulation. In addition, a thermoplastic resin such as a fluororesin or a polyphenylene ether resin may be used. On the other hand, with the widespread use of information terminal devices such as personal computers and mobile phones, printed circuit boards mounted on them are becoming smaller and higher in density. The mounting form has progressed from a pin insertion type to a surface mounting type, and further to an area array type represented by a BGA (ball grid array) using a plastic substrate.
このBGAのようなベアチップを直接実装する基板では、チップと基板の接続は、熱超音波圧着によるワイヤボンディングで行うのが一般的である。このため、ベアチップを実装する基板は150℃以上の高温にさらされることになり、電気絶縁性樹脂にはある程度の耐熱性が必要となる。 In a substrate on which a bare chip such as a BGA is directly mounted, the chip and the substrate are generally connected by wire bonding by thermosonic bonding. For this reason, the substrate on which the bare chip is mounted is exposed to a high temperature of 150 ° C. or higher, and the electrically insulating resin needs a certain degree of heat resistance.
さらに、このような基板では、一度実装したチップを外す、いわゆるリペア性も要求される場合がある。この場合には、チップ実装時と同程度の熱がかけられ、また、基板にはその後再度チップ実装が施されることになり、さらに熱処理が行われることになる。したがって、リペア性の要求される基板では、高温でのサイクル的な耐熱衝撃性も要求される。そして、従来の絶縁性樹脂では、繊維基材と樹脂の間で剥離が生じる場合があった。 Further, in such a substrate, there is a case where so-called repairability in which a chip once mounted is removed is also required. In this case, the same level of heat as that applied during chip mounting is applied, and then the chip mounting is again performed on the substrate, and further heat treatment is performed. Therefore, in a substrate that requires repairability, cyclic thermal shock resistance at high temperatures is also required. In the conventional insulating resin, peeling may occur between the fiber base material and the resin.
そこで、印刷回路板において、耐熱衝撃性、耐リフロー性、耐クラック性に加え、微細配線形成性を向上させるために、繊維基材にポリアミドイミドを必須成分とする樹脂組成物を含浸したプリプレグが提案されている(例えば、特許文献1参照)。また、シリコーン変性ポリイミド樹脂と熱硬化性樹脂からなる樹脂組成物を繊維基材に含浸させた耐熱性の基材が提案されている(例えば、特許文献2参照)。 Therefore, in a printed circuit board, a prepreg impregnated with a resin composition containing polyamideimide as an essential component in a fiber substrate is used in order to improve the fine wiring formability in addition to thermal shock resistance, reflow resistance, and crack resistance. It has been proposed (see, for example, Patent Document 1). In addition, a heat-resistant base material in which a fiber base material is impregnated with a resin composition composed of a silicone-modified polyimide resin and a thermosetting resin has been proposed (for example, see Patent Document 2).
さらに、電子機器の小型化、高性能化に伴い印刷回路板における微細化が進んでいるため、最近では回路形成法としてセミアディティブ法が一般化している。セミアディティブ法は、金属からなる薄膜の給電層上に所定パターンの電解めっきを施した後、給電層をエッチングにより除去して回路パターンを形成する方法である。このセミアディティブ法では、上述の給電層が薄く平坦になるほど、より微細な回路パターンを形成できる。 Furthermore, since the miniaturization of the printed circuit board is progressing with the miniaturization and high performance of the electronic equipment, the semi-additive method has recently been generalized as a circuit forming method. The semi-additive method is a method of forming a circuit pattern by performing electrolytic plating of a predetermined pattern on a thin-film power feeding layer made of metal and then removing the power feeding layer by etching. In this semi-additive method, a finer circuit pattern can be formed as the above-described feeding layer becomes thinner and flatter.
給電層は通常無電解めっきにより形成されるが、極薄の銅箔を給電層として用いることも可能である。しかし、それらよりも表面の平滑性に優れる点から、スパッタ法により形成される給電層が好適に用いられる。例えば非特許文献1によると、ポリイミドフィルムの表面にスパッタ法により銅からなる給電層を形成する方法が開示されている。この方法によると、ライン幅が10μm以下の銅回路パターンが形成される旨、非特許文献1に記載されている。
The power feeding layer is usually formed by electroless plating, but an extremely thin copper foil can be used as the power feeding layer. However, a power feeding layer formed by a sputtering method is preferably used because it is superior in surface smoothness. For example, Non-Patent
ところで、ポリイミドをベースとするフレキシブル基板として、一般に、ポリイミドフィルム及び銅箔が直接積層された2層タイプのものと、ポリイミドフィルム及び銅箔が接着剤からなる接着層により貼り合わされた3層タイプのものとが用いられている。このうち2層タイプのフレキシブル基板は、銅箔の表面にポリイミドの前駆体であるポリアミック酸を含有するペーストを所定の厚みに塗布して、これを硬化することにより得られる。ところが、その硬化の際には300〜400℃程度の高温で加熱処理する必要がある。 By the way, as a flexible substrate based on polyimide, generally, a two-layer type in which a polyimide film and a copper foil are directly laminated, and a three-layer type in which a polyimide film and a copper foil are bonded together by an adhesive layer made of an adhesive. Things are used. Of these, a two-layer type flexible substrate is obtained by applying a paste containing polyamic acid, which is a polyimide precursor, to a predetermined thickness on the surface of a copper foil and curing the paste. However, it is necessary to perform heat treatment at a high temperature of about 300 to 400 ° C. during the curing.
また、通常ポリイミド及び銅間の接着性が低いため、上記銅箔としては表面に微細な凹凸形状を設けた所謂粗化銅箔が採用される。フレキシブル基板から回路パターンを形成する場合、従来銅箔を所定の形状にエッチングして回路パターンを形成するサブトラクティブ法が用いられている。しかし、上述の粗化銅箔からサブトラクティブ法により微細な回路パターンを形成しようとすると、粗化銅箔表面の凹凸形状に起因する回路の断線が発生しやすくなる。 Moreover, since the adhesiveness between polyimide and copper is usually low, a so-called roughened copper foil having a fine concavo-convex shape on the surface is employed as the copper foil. When forming a circuit pattern from a flexible substrate, a subtractive method is conventionally used in which a circuit pattern is formed by etching a copper foil into a predetermined shape. However, if a fine circuit pattern is to be formed from the above roughened copper foil by a subtractive method, circuit disconnection due to the uneven shape on the surface of the roughened copper foil is likely to occur.
かかる回路の断線を防止できるフレキシブル基板として、ポリイミドフィルムの表面上にスパッタ法によりニッケル、クロム等の金属層を積層し、更にその上からスパッタ法により銅を積層して得られる2層タイプのものが提案されている(例えば、特許文献3参照)。この技術によると、ポリイミドフィルム及び銅層間の接着性は、銅箔にポリアミック酸を含有するペーストを塗布して得られる2層タイプのものよりも劣っているが、ポリイミドフィルムと銅層との界面が極めて平坦であるため、微細な回路を形成するには適しているとされている。
ポリイミドフィルムの表面上にスパッタ法で金属層を形成する場合、ポリイミドフィルムを減圧下等の金属層を形成するために必要な条件下に晒すことになる。しかしながら、ポリイミドフィルムをそのような条件下に晒すことは、ポリイミドフィルムの材料コスト及び金属層形成時の歩留を考慮すると、生産コストが高くなり量産性に適していない。また、金属層を形成する際、その基板となるフィルムは高温に加熱される。そのため、ポリイミドフィルム以外の材料からなる従来のフレキシブル基板用のフィルムを、金属層形成用の基板に適用することはできない。 When a metal layer is formed on the surface of the polyimide film by sputtering, the polyimide film is exposed to conditions necessary for forming the metal layer under reduced pressure. However, exposing the polyimide film to such a condition is not suitable for mass productivity because the production cost becomes high in consideration of the material cost of the polyimide film and the yield when forming the metal layer. Moreover, when forming a metal layer, the film used as the board | substrate is heated by high temperature. Therefore, the conventional film for flexible substrates which consists of materials other than a polyimide film cannot be applied to the board | substrate for metal layer formation.
さらには、ポリイミドは実質的に軟化点を有しないため、加熱加圧による成形は極めて困難である。そのため、上述のフレキシブル基板を用いて多層配線板を形成することは実質的に不可能である。また、ポリイミドフィルムに代えて、加熱により流動性が発現する樹脂のフィルムを用いて多層配線板を形成する方法が考えられる。しかしながら、そのような樹脂は、そもそもスパッタ法により金属層を形成する際の加熱に耐えることはできない。 Furthermore, since polyimide has substantially no softening point, molding by heating and pressing is extremely difficult. Therefore, it is practically impossible to form a multilayer wiring board using the above-described flexible substrate. Moreover, it replaces with a polyimide film and the method of forming a multilayer wiring board using the film | membrane of resin which expresses fluidity by heating is considered. However, such a resin cannot withstand the heating when the metal layer is formed by the sputtering method in the first place.
そこで、本発明は上記事情にかんがみてなされたものであり、微細な回路パターンを十分良好に形成可能であり、かつ、金属層を形成する際にポリイミドフィルムを用いる必要のない樹脂付き金属薄膜、これを用いた印刷回路板及びその製造方法、並びに多層配線板及びその製造方法を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been made in view of the above circumstances, a metal thin film with a resin that can form a fine circuit pattern sufficiently satisfactorily and does not require the use of a polyimide film when forming a metal layer, It is an object of the present invention to provide a printed circuit board using the same and a manufacturing method thereof, and a multilayer wiring board and a manufacturing method thereof.
上記目的を達成するため、本発明は、支持体と、該支持体上に蒸着法により形成された第1の金属層と、該第1の金属層上に形成された第2の金属層と、該第2の金属層上に形成された絶縁性の樹脂組成物からなる樹脂層とを備える樹脂付き金属薄膜を提供する。 To achieve the above object, the present invention provides a support, a first metal layer formed on the support by a vapor deposition method, and a second metal layer formed on the first metal layer. And a resin-coated metal thin film comprising a resin layer made of an insulating resin composition formed on the second metal layer.
また、本発明は、上記樹脂付き金属薄膜から支持体を除去する工程と、除去する工程を経て露出した第1の金属層上に、第1に金属層及び第2の金属層を給電層としてセミアディティブ法により第3の金属層を形成して回路を得る工程とを有する印刷回路板の製造方法を提供する。 The present invention also includes a step of removing the support from the resin-coated metal thin film, and a first metal layer and a second metal layer serving as a power feeding layer on the first metal layer exposed through the removal step. And a method of manufacturing a printed circuit board including a step of forming a third metal layer by a semi-additive method to obtain a circuit.
この製造方法によって得られる本発明の印刷回路板は、絶縁性の樹脂組成物の硬化物からなる絶縁層と、該絶縁層上に設けられた回路であって、パターン化された第2の金属層と、該第2の金属層上に設けられ、蒸着法により形成されパターン化された第1の金属層と、該第1の金属層上に設けられたパターン化された第3の金属層と、を有する前記回路とを備える印刷回路板である。 The printed circuit board of the present invention obtained by this manufacturing method includes an insulating layer made of a cured product of an insulating resin composition, a circuit provided on the insulating layer, and a patterned second metal A first metal layer provided on the second metal layer and formed by vapor deposition and patterned, and a patterned third metal layer provided on the first metal layer A printed circuit board.
さらに、本発明は、可とう性を有する基板とその基板の主面上に設けられた第1の回路とを備えるフレキシブル回路基板を準備する工程と、フレキシブル回路基板上に、上記樹脂付き金属薄膜を、基板及び第1の回路の表面と樹脂層の表面とが接するように積層する工程と、樹脂付き金属薄膜から支持体を除去する工程と、除去する工程を経て露出した第1の金属層上に、第1に金属層及び第2の金属層を給電層としてセミアディティブ法により第3の金属層を形成して第2の回路を得る工程と、第1の回路と第2の回路とを電気的に接続する工程とを有する多層配線板の製造方法を提供する。 Furthermore, the present invention provides a step of preparing a flexible circuit board comprising a flexible substrate and a first circuit provided on the main surface of the substrate, and the resin-coated metal thin film on the flexible circuit board. The first metal layer exposed through the step of laminating the substrate and the surface of the first circuit and the surface of the resin layer, the step of removing the support from the metal thin film with resin, and the step of removing First, a step of forming a third metal layer by a semi-additive method using the metal layer and the second metal layer as a power feeding layer to obtain a second circuit, the first circuit and the second circuit, And a method of manufacturing a multilayer wiring board having a step of electrically connecting the two.
この製造方法によって得られる本発明の多層配線板は、可とう性を有する基板と、該基板の主面上に設けられた第1の回路と、基板及び第1の回路上に設けられ、絶縁性の樹脂組成物の硬化物からなる絶縁層と、該絶縁層上に設けられた第2の回路であって、パターン化された第2の金属層と、該第2の金属層上に設けられ、蒸着法により形成されパターン化された第1の金属層と、該第1の金属層上に設けられたパターン化された第3の金属層とを有する第2の回路と、第1の回路と第2の回路とを電気的に接続する接続部とを備えるものである。 The multilayer wiring board of the present invention obtained by this manufacturing method includes a flexible substrate, a first circuit provided on the main surface of the substrate, and provided on the substrate and the first circuit. An insulating layer made of a cured product of a conductive resin composition, and a second circuit provided on the insulating layer, the second patterned metal layer being provided on the second metal layer A second circuit having a first metal layer formed by vapor deposition and patterned, and a patterned third metal layer provided on the first metal layer; A connection portion that electrically connects the circuit and the second circuit is provided.
上述の本発明において、樹脂付き金属薄膜を構成する支持体は、第1の金属層を形成する際にその蒸着用の基板として機能する。そして、この支持体は、印刷回路板及び多層配線板を製造する際に、樹脂付き金属薄膜から除去される。したがって、この支持体は印刷回路板及び多層配線板の絶縁層として機能するものではない。そのような絶縁層として機能するのは、絶縁性の樹脂組成物の硬化物からなる絶縁層(樹脂付き金属薄膜における樹脂層の硬化物)である。よって、本発明によれば、第1の金属層を形成する際にポリイミドフィルムを用いる必要はない。その結果、支持体に比較的安価なフィルムを採用すれば、従来よりも安価に樹脂付き金属薄膜、印刷回路板及び多層配線板を製造することができる。 In the above-mentioned present invention, the support constituting the metal thin film with resin functions as a substrate for vapor deposition when the first metal layer is formed. And this support body is removed from the metal thin film with resin, when manufacturing a printed circuit board and a multilayer wiring board. Therefore, this support does not function as an insulating layer for the printed circuit board and the multilayer wiring board. What functions as such an insulating layer is an insulating layer (cured product of the resin layer in the metal thin film with resin) made of a cured product of the insulating resin composition. Therefore, according to the present invention, it is not necessary to use a polyimide film when forming the first metal layer. As a result, if a relatively inexpensive film is used for the support, a resin-coated metal thin film, a printed circuit board, and a multilayer wiring board can be manufactured at a lower cost than in the past.
また、印刷回路板における回路及び多層配線板における第2の回路は、粗化銅箔から形成されるのではなく、その第1の金属層上にセミアディティブ法により第3の金属層を設けることで形成されるものである。したがって、粗化銅箔をエッチングするサブトラクティブ法により回路パターンを形成する従来の方法と比較して、より微細な回路パターンを十分良好に形成することができる。 In addition, the circuit in the printed circuit board and the second circuit in the multilayer wiring board are not formed from the roughened copper foil, but a third metal layer is provided on the first metal layer by a semi-additive method. Is formed. Therefore, a finer circuit pattern can be formed satisfactorily as compared with the conventional method of forming a circuit pattern by a subtractive method of etching the roughened copper foil.
さらには、絶縁層を構成する樹脂としてポリイミド樹脂を採用する必要はなく、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミドイミド樹脂を適用することも可能となる。これにより、印刷回路板及び多層配線板の用途は、従来の樹脂付き金属箔を用いて形成したものよりも広範に亘るようになる。 Furthermore, it is not necessary to employ a polyimide resin as a resin constituting the insulating layer, and an acrylic resin, an epoxy resin, or a polyamideimide resin can be applied. As a result, the uses of the printed circuit board and the multilayer wiring board are broader than those formed using the conventional metal foil with resin.
なお、上述の樹脂付き金属薄膜において樹脂層は硬化していないため、この本発明の樹脂付き金属薄膜は印刷回路板及び多層配線板の製造に好適に用いることが可能である。 In addition, since the resin layer is not hardened in the above-described metal thin film with resin, the metal thin film with resin of the present invention can be suitably used for manufacturing printed circuit boards and multilayer wiring boards.
本発明によると、第1の金属層を蒸着法により形成しているため、従来よりも薄型の印刷回路板及び多層配線板を提供することができる。また、それらを製造する際の設計裕度を従来よりも高くすることが可能となるばかりでなく、耐熱性にも優れた印刷回路板及び多層配線板を製造することができる。 According to the present invention, since the first metal layer is formed by the vapor deposition method, it is possible to provide a printed circuit board and a multilayer wiring board that are thinner than conventional ones. In addition, it is possible to produce printed circuit boards and multilayer wiring boards that are not only higher in design tolerance than those in the past but also excellent in heat resistance.
上述の本発明において、第1の金属層が0.01〜0.5μmの厚みを有するものであると好適である。また、第2の金属層が0.1〜2.0μmの厚みを有するものであると好ましい。これらにより、多層配線板及び必要に応じて印刷回路板に備えられる可とう性を有する基板に基づく折り曲げ性の低下を最小限にとどめて回路パターンを形成することができる。また、かかる厚みを有することにより、第1及び第2の金属層は、セミアディティブ法で回路を形成する際に、より良好に給電層として機能することができ、かつ所望通りの形状を有する回路パターンを形成可能となる。 In the above-mentioned present invention, it is preferable that the first metal layer has a thickness of 0.01 to 0.5 μm. The second metal layer preferably has a thickness of 0.1 to 2.0 μm. As a result, it is possible to form a circuit pattern while minimizing a decrease in bending property based on the multilayer wiring board and the flexible substrate provided in the printed circuit board as required. Further, by having such a thickness, the first and second metal layers can function as a power feeding layer better when forming a circuit by a semi-additive method, and have a desired shape. A pattern can be formed.
本発明において、第1の金属層が銅を含有することが好ましい。また、第2の金属層が銅を含有すると好適である。これらの金属層は、回路を形成する際に給電層として更に良好に機能することができる。 In the present invention, the first metal layer preferably contains copper. Moreover, it is preferable that the second metal layer contains copper. These metal layers can function better as a power feeding layer when forming a circuit.
また、上述の樹脂層が70μm以下の厚みを有すると好ましい。これにより、より十分な折り曲げ性を確保することができる。 Moreover, it is preferable that the above-mentioned resin layer has a thickness of 70 μm or less. Thereby, more sufficient bendability can be ensured.
また、樹脂組成物が熱硬化性樹脂組成物であると、耐熱性に一層優れるため好適である。この熱硬化性樹脂組成物がエポキシ樹脂を含有すると、耐熱性及び絶縁性を向上することができるので好ましい。また、熱硬化性樹脂組成物がアクリル樹脂を含有すると、耐熱性及び柔軟性に一層優れる樹脂組成物を得ることができ、印刷回路板及び多層配線板の折り曲げ性を向上することができるので好適である。 Further, it is preferable that the resin composition is a thermosetting resin composition because it is further excellent in heat resistance. It is preferable that the thermosetting resin composition contains an epoxy resin because heat resistance and insulation can be improved. In addition, when the thermosetting resin composition contains an acrylic resin, a resin composition having further excellent heat resistance and flexibility can be obtained, and the bendability of the printed circuit board and the multilayer wiring board can be improved. It is.
また、熱硬化性樹脂組成物が、下記一般式(1)で表される構造を有するポリアミドイミド樹脂を含有することが好ましい。このようなポリアミドイミド樹脂を用いることにより、金属薄膜又は回路と樹脂層又は絶縁層との間のより高い接着性、並びに樹脂層及び絶縁層のより高い耐熱性が得られる。 Moreover, it is preferable that a thermosetting resin composition contains the polyamide-imide resin which has a structure represented by following General formula (1). By using such a polyamideimide resin, higher adhesion between the metal thin film or circuit and the resin layer or insulating layer, and higher heat resistance of the resin layer and insulating layer can be obtained.
本発明によれば、微細な回路パターンを十分良好に形成可能であり、かつ、金属層を形成する際にポリイミドフィルムを用いる必要のない樹脂付き金属薄膜、これを用いた印刷回路板及びその製造方法、並びに多層配線板及びその製造方法を提供することができる。 According to the present invention, a metal thin film with a resin capable of forming a fine circuit pattern sufficiently satisfactorily and without using a polyimide film when forming a metal layer, a printed circuit board using the same, and a production thereof A method, a multilayer wiring board, and a manufacturing method thereof can be provided.
以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings as necessary. In the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. Further, the positional relationship such as up, down, left and right is based on the positional relationship shown in the drawings unless otherwise specified. Further, the dimensional ratios in the drawings are not limited to the illustrated ratios.
図1は、本発明の好適な実施形態に係る樹脂付き金属薄膜を模式的に示す断面図である。樹脂付き金属薄膜100は、支持体1と、該支持体上に蒸着法により形成された第1の金属層2と、該第1の金属層2上に形成された第2の金属層3と、該第2の金属層3上に形成された絶縁性の樹脂組成物からなる樹脂層4とを備えるものである。支持体1、第1の金属層2及び第2の金属層3は、樹脂層4を形成する際の基材110としても用いられる。
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a resin-coated metal thin film according to a preferred embodiment of the present invention. The resin-coated metal
支持体1は、その上に金属の蒸着を施せるものであれば特に制限はなく、後述する樹脂層4とは異なる材料で構成されていると好適である。より具体的には、支持体1は、可とう性を有する有機材料を主成分として含むフィルムであると好ましく、樹脂組成物を硬化させたフィルムであると好ましい。このようなフィルムは、樹脂付き金属薄膜100から剥離除去することが容易である。以上の観点から、支持体1としてはポリエチレンテレフタラート(PET)フィルム及びポリエチレンナフタレート(PEN)フィルムが特に好ましい。
The
支持体1としてPETフィルムを採用する場合、その厚みは10〜100μmであると好ましく、30〜60μmであるとより好ましい。この厚みが10μmを下回ると金属の蒸着に対する耐性が低下する傾向にある。また、この厚みが100μmを超えると可とう性が低下するため、樹脂付き金属薄膜から支持体1を剥離除去することが困難となる傾向にある。
When a PET film is employed as the
第1の金属層2は、上記支持体1を基板として、その上に蒸着法により形成されるものである。第1の金属層2は、後述の第2の金属層3と支持体1とを剥離する際の離型層として機能すると共に、後述のセミアディティブ工程の際には電解めっきの給電層としても機能する。第1の金属層2を構成する金属としては、上記離型層及び給電層として機能できるものであれば特に限定されず、例えばニッケル、アルミニウム及び銅が挙げられる。これらの金属は1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いられる。これらのうち、第1の金属層2を構成する金属としては、離型層及び給電層としてより有効に機能する観点、並びに印刷回路板及び多層配線板を作製する際のエッチングにより容易に除去できる観点から、銅が好ましい。
The
第1の金属層2を形成する方法は蒸着法であれば特に限定されないが、物理的蒸着法が好ましい。物理的蒸着法としては、例えば、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングが挙げられる。
The method for forming the
第1の金属層2の厚みは、離型層として機能できる厚みであればよく、0.01〜0.5μmであると好ましく、0.01〜0.05μmであるとより好ましい。この厚みが0.01μm未満であると支持体1との離型性が確保し難くなる傾向にある。また、この厚みが0.5μmを超えると回路成形性が低下する傾向にある。
The thickness of the
第2の金属層3は、後述のセミアディティブ工程の際に電解めっきの給電層として機能するものである。したがって、第2の金属層3を構成する金属は電解めっきの給電層として機能できるものであれば特に限定されない。ただし、給電層としてより有効に機能する観点、並びに印刷回路板及び多層配線板を作製する際のエッチングにより容易に除去できる観点から、第2の金属層3を構成する金属が銅であると好適である。
The
第2の金属層3は第1の金属層2上に形成される。その形成方法は、物理的蒸着法であると好ましい。物理的蒸着法としては、例えば、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングが挙げられ、これらの中では、優れた成膜性及び低コストの観点から、スパッタリングが好ましい。
The
第2の金属層3の厚みは、給電層として機能できる厚みであればよく、0.1〜2.0μmであると好ましい。この厚みが0.1μm未満であると、セミアディティブ工程の際に給電層として機能し難くなる傾向にある。これは、第2の金属層3の一部が十分に成膜されていないために、第2の金属層3における電気抵抗が高くなるためと推測される。また、この厚みが2.0μmを超えると微細な回路パターンの形成が困難になる傾向にある。
The thickness of the
樹脂層4は絶縁性の樹脂組成物からなるものである。絶縁性の樹脂組成物は、印刷回路板や多層配線板を作製する際に耐熱性を要する点から、熱硬化性樹脂組成物であると好ましい。熱硬化性樹脂組成物は、加熱により硬化して絶縁性の硬化物を形成する。熱硬化性樹脂組成物は、架橋性の官能基を有する熱硬化性樹脂を含有することが好ましい。そのような熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ビスマレイミド樹脂、トリアジン−ビスマレイミド樹脂及びフェノール樹脂が挙げられる。これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いられる。
The
熱硬化性樹脂は、グリシジル基を有する樹脂であると好ましく、エポキシ樹脂であるとより好ましい。エポキシ樹脂を用いることにより、熱硬化性樹脂組成物を180℃以下の温度で硬化することが可能であり、形成される硬化物の熱的、機械的、電気的特性が特に優れたものとなる。 The thermosetting resin is preferably a resin having a glycidyl group, and more preferably an epoxy resin. By using an epoxy resin, the thermosetting resin composition can be cured at a temperature of 180 ° C. or less, and the formed cured product has particularly excellent thermal, mechanical, and electrical characteristics. .
また、エポキシ樹脂は2個以上のグリシジル基を有することが好ましい。グリシジル基は多いほどよく、3個以上であればさらに好ましい。エポキシ樹脂の具体例としては、ビスフェノールA、ノボラック型フェノール樹脂、オルトクレゾールノボラック型フェノール樹脂等の多価フェノール又は1,4−ブタンジオール等の多価アルコールとエピクロルヒドリンとを反応させて得られるポリグリシジルエーテル、フタル酸、ヘキサヒドロフタル酸等の多塩基酸とエピクロルヒドリンを反応させて得られるポリグリシジルエステル、アミン、アミド又は複素環式窒素塩基を有する化合物のN−グリシジル誘導体、脂環式エポキシ樹脂が挙げられる。 The epoxy resin preferably has two or more glycidyl groups. The more glycidyl groups, the better, and more preferably 3 or more. Specific examples of the epoxy resin include polyglycidyl obtained by reacting polychlorophenol such as bisphenol A, novolak type phenol resin, orthocresol novolac type phenol resin or polyhydric alcohol such as 1,4-butanediol with epichlorohydrin. N-glycidyl derivatives of polyglycidyl esters, amines, amides or heterocyclic nitrogen base compounds obtained by reacting polybasic acids such as ether, phthalic acid, hexahydrophthalic acid and epichlorohydrin, and alicyclic epoxy resins Can be mentioned.
エポキシ樹脂を用いる場合、その硬化剤を組み合わせて用いることが好ましい。また、硬化促進剤を用いてもよい。エポキシ樹脂が有するグリシジル基の数が多いほど、硬化剤及び硬化促進剤の配合量を少なくすることができる。 When using an epoxy resin, it is preferable to use the curing agent in combination. Moreover, you may use a hardening accelerator. The greater the number of glycidyl groups that the epoxy resin has, the smaller the blending amount of the curing agent and curing accelerator.
エポキシ樹脂の硬化剤及び硬化促進剤は、エポキシ樹脂と反応するもの、または、エポキシ樹脂の硬化を促進させるものであれば制限なく用いられる。例えば、アミン類、イミダゾール類、多官能フェノール類、酸無水物類等が使用できる。アミン類として、ジシアンジアミド、ジアミノジフェニルメタン、グアニル尿素等がある。多官能フェノール類としては、ヒドロキノン、レゾルシノール、ビスフェノールA及びこれらのハロゲン化合物、さらにホルムアルデヒドとの縮合物であるノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂などがある。酸無水物類としては、無水フタル酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、メチルハイミック酸等がある。硬化促進剤としては、イミダゾール類としてアルキル基置換イミダゾール、ベンゾイミダゾール等が使用できる。 The curing agent and curing accelerator for the epoxy resin can be used without limitation as long as they react with the epoxy resin or accelerate the curing of the epoxy resin. For example, amines, imidazoles, polyfunctional phenols, acid anhydrides and the like can be used. Examples of amines include dicyandiamide, diaminodiphenylmethane, and guanylurea. Examples of polyfunctional phenols include hydroquinone, resorcinol, bisphenol A and their halogen compounds, and novolak-type phenol resins and resol-type phenol resins that are condensates with formaldehyde. Examples of acid anhydrides include phthalic anhydride, benzophenone tetracarboxylic dianhydride, and methyl hymic acid. As the curing accelerator, alkyl group-substituted imidazole, benzimidazole and the like can be used as imidazoles.
硬化剤または硬化促進剤の量は、アミン類の場合は、アミンの活性水素の当量と、エポキシ樹脂のエポキシ当量がほぼ等しくなる量であることが好ましい。硬化促進剤であるイミダゾールの場合は、単純に活性水素との当量比とならず、経験的にエポキシ樹脂300重量部に対して、0.001〜10重量部が好ましい。多官能フェノール類や酸無水物類の場合、エポキシ樹脂1当量に対して、フェノール性水酸基やカルボキシル基0.6〜1.2当量が好ましい。硬化剤または硬化促進剤の量は、少なければ未硬化のエポキシ樹脂が残り、Tg(ガラス転移温度)が低くなり、多すぎると、未反応の硬化剤及び硬化促進剤が残り、硬化物の絶縁性が低下する傾向にある。 In the case of amines, the amount of the curing agent or the curing accelerator is preferably such that the equivalent of the active hydrogen of the amine is approximately equal to the epoxy equivalent of the epoxy resin. In the case of imidazole which is a curing accelerator, it is not simply an equivalent ratio with active hydrogen, and empirically, 0.001 to 10 parts by weight is preferable with respect to 300 parts by weight of epoxy resin. In the case of polyfunctional phenols and acid anhydrides, phenolic hydroxyl groups and carboxyl groups of 0.6 to 1.2 equivalents are preferred with respect to 1 equivalent of epoxy resin. If the amount of the curing agent or the curing accelerator is small, an uncured epoxy resin remains, and the Tg (glass transition temperature) becomes low. If too large, an unreacted curing agent and a curing accelerator remain, and insulation of the cured product Tend to decrease.
また、熱硬化性樹脂組成物は可とう性や耐熱性の向上を目的に高分子量の樹脂成分を含有してもよい。そのような高分子量の樹脂成分としては、例えばアクリル樹脂及びポリアミドイミド樹脂が挙げられる。 Moreover, the thermosetting resin composition may contain a high molecular weight resin component for the purpose of improving flexibility and heat resistance. Examples of such high molecular weight resin components include acrylic resins and polyamideimide resins.
アクリル樹脂としては、例えば、アクリル酸モノマ、メタクリル酸モノマ、アクリロニトリル、グリシジル基を有するアクリルモノマなどを単独で重合した重合物、又はこれらを複数共重合した共重合物を使用することができる。アクリル樹脂の分子量は、特に規定されるものではないが、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量で、30万〜100万のものが好ましく、40万〜80万のものがより好ましい。 As the acrylic resin, for example, an acrylic acid monomer, a methacrylic acid monomer, acrylonitrile, a polymer obtained by polymerizing an acrylic monomer having a glycidyl group alone, or a copolymer obtained by copolymerizing a plurality thereof can be used. The molecular weight of the acrylic resin is not particularly specified, but is preferably 300,000 to 1,000,000, and more preferably 400,000 to 800,000 in terms of standard polystyrene equivalent weight average molecular weight.
これらのアクリル樹脂に、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤等を適宜加えて使用することが好ましい。なお、アクリル樹脂として、HTR−860−P3(ナガセケムテックス社製、商品名、重量平均分子量85万)、HM6−1M50(ナガセケムテックス社製、商品名、重量平均分子量50万)等が例示できる。 It is preferable to add an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, or the like to these acrylic resins as appropriate. Examples of acrylic resins include HTR-860-P3 (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, trade name, weight average molecular weight 850,000), HM6-1M50 (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, trade name, weight average molecular weight 500,000), and the like. it can.
ポリアミドイミド樹脂は、上記一般式(1)で表される構造、より具体的には下記一般式(2)で表される構造を主鎖中に含むことが好ましい。
上記特定構造を含むポリアミドイミド樹脂を用いることにより、金属薄膜又は回路と樹脂層又は絶縁層との間のより高い接着性、並びに樹脂層及び絶縁層のより高い耐熱性が得られる。 By using the polyamideimide resin including the specific structure, higher adhesion between the metal thin film or circuit and the resin layer or insulating layer, and higher heat resistance of the resin layer and insulating layer can be obtained.
式(1)又は(2)の構造を含むポリアミドイミド樹脂は、例えば、下記一般式(3)で表される脂環式ジアミンを含むジアミンと無水トリメリット酸とを反応させてジイミドジカルボン酸を生成させるステップと、ジイミドジカルボン酸とジイソシアネートとを反応させてアミド基を生成させてポリアミドイミド樹脂を得るステップと、を備える方法により得られる。ジイミドジカルボン酸は、2つのイミド基及び2つのカルボキシル基を有する化合物である。
無水トリメリット酸と反応させるジアミンは、式(3)の脂環式ジアミンの他に、芳香族環を2個以上有する芳香族ジアミン及びシロキサンジアミンを含むことが好ましい。この場合、式(3)の脂環式ジアミンの量aと芳香族ジアミン及びシロキサンジアミンの合計量bとの混合比率(モル比)は、好ましくはa/b=0.1/99.9〜99.9/0.1、より好ましくはa/b=10/90〜50/50、更に好ましくはa/b=20/80〜40/60の範囲内である。 The diamine to be reacted with trimellitic anhydride preferably includes an aromatic diamine having two or more aromatic rings and a siloxane diamine in addition to the alicyclic diamine of the formula (3). In this case, the mixing ratio (molar ratio) of the amount a of the alicyclic diamine of the formula (3) and the total amount b of the aromatic diamine and the siloxane diamine is preferably a / b = 0.1 / 99.9 to It is 99.9 / 0.1, More preferably, it is in the range of a / b = 10 / 90-50 / 50, More preferably, a / b = 20 / 80-40 / 60.
上記芳香族ジアミンとしては、例えば2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]メタン、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2’−ジメチルビフェニル−4,4’−ジアミン、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル−4,4’−ジアミン、2,6,2’,6’−テトラメチル−4,4’−ジアミン、5,5’−ジメチル−2,2’−スルホニル−ビフェニル−4,4’−ジアミン、3,3’−ジヒドロキシビフェニル−4,4’−ジアミン、(4,4’−ジアミノ)ジフェニルエーテル、(4,4’−ジアミノ)ジフェニルスルホン、(4,4’−ジアミノ)ベンゾフェノン、(3,3’―ジアミノ)ベンゾフェノン、(4,4’−ジアミノ)ジフェニルメタン、(4,4’−ジアミノ)ジフェニルエーテル、(3,3’―ジアミノ)ジフェニルエーテルがある。 Examples of the aromatic diamine include 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane (BAPP), bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, and bis [4- (4- Aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, 4,4′-bis (4- Aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ketone, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4- Bis (4-aminophenoxy) benzene, 2,2′-dimethylbiphenyl-4,4′-diamine, 2,2′-bis (trifluoro) (Romethyl) biphenyl-4,4′-diamine, 2,6,2 ′, 6′-tetramethyl-4,4′-diamine, 5,5′-dimethyl-2,2′-sulfonyl-biphenyl-4,4 '-Diamine, 3,3'-dihydroxybiphenyl-4,4'-diamine, (4,4'-diamino) diphenyl ether, (4,4'-diamino) diphenyl sulfone, (4,4'-diamino) benzophenone, There are (3,3′-diamino) benzophenone, (4,4′-diamino) diphenylmethane, (4,4′-diamino) diphenyl ether, and (3,3′-diamino) diphenyl ether.
上記シロキサンジアミンとしては、例えば下記一般式(11)、(12)、(13)又は(14)で表されるものがある。これら式中、n及びmはそれぞれ独立に正の整数を示す。 Examples of the siloxane diamine include those represented by the following general formula (11), (12), (13) or (14). In these formulas, n and m each independently represent a positive integer.
式(11)で表されるシロキサンジアミンとしては、KF−8010(アミン当量450、信越化学工業株式会社製)、BY16−853(アミン当量650、東レダウコーニングシリコーン株式会社製)が例示できる。式(12)で表されるシロキサンジアミンとしては、X−22−9409(アミン当量700)、X−22−1660B−3(アミン当量2200)(以上、信越化学工業株式会社製)が例示できる。 Examples of the siloxane diamine represented by the formula (11) include KF-8010 (amine equivalent 450, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and BY16-853 (amine equivalent 650, manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.). Examples of the siloxane diamine represented by formula (12) include X-22-9409 (amine equivalent 700) and X-22-1660B-3 (amine equivalent 2200) (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).
ジアミンとして脂肪族ジアミンを用いてもよい。脂肪族ジアミンとしては、例えば下記一般式(5)で表される化合物がある。
式(5)中、Xはメチレン基、スルホニル基、オキシ基、カルボニル基又は単結合を示し、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又は置換基を有していてもよいフェニル基を示し、pは1〜50の整数を示す。R1及びR2としてのアルキル基は炭素数が1〜3であることが好ましい。フェニル基が有する置換基としては、炭素数1〜3のアルキル基、ハロゲン原子が例示できる。低弾性率及び高Tgの両立の観点から、式(5)におけるXはオキシ基であることが好ましい。このような脂肪族ジアミンの具体例としては、ジェファーミンD−400(アミン当量200)、ジェファーミンD−2000(アミン当量1000)が例示できる。 In formula (5), X represents a methylene group, a sulfonyl group, an oxy group, a carbonyl group or a single bond, and R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or a phenyl group which may have a substituent. Represents a group, and p represents an integer of 1 to 50. The alkyl group as R 1 and R 2 preferably has 1 to 3 carbon atoms. As a substituent which a phenyl group has, a C1-C3 alkyl group and a halogen atom can be illustrated. From the viewpoint of achieving both low elastic modulus and high Tg, X in Formula (5) is preferably an oxy group. Specific examples of such aliphatic diamines include Jeffamine D-400 (amine equivalent 200) and Jeffamine D-2000 (amine equivalent 1000).
ジイミドジカルボン酸と反応させるジイソシアネートは、例えば下記一般式(6)で表される。
OCN−R3−NCO (6)
The diisocyanate to be reacted with diimide dicarboxylic acid is represented, for example, by the following general formula (6).
OCN-R 3 -NCO (6)
式(6)中、R3は少なくとも1つの芳香環を有する2価の有機基、又は、2価の脂肪族炭化水素基を示す。式(6)のジイソシアネートは、R3が芳香環を有する2価の有機基であるとき芳香族ジイソシアネートであり、R3が2価の脂肪族炭化水素基であるとき脂肪族ジイソシアネートである。ジイソシアネートとしては、芳香族ジイソシアネートを用いることが好ましい。この場合、芳香族ジイソシアネートと、脂肪族ジイソシアネートとを併用することがより好ましい。 In formula (6), R 3 represents a divalent organic group having at least one aromatic ring or a divalent aliphatic hydrocarbon group. The diisocyanate of the formula (6) is an aromatic diisocyanate when R 3 is a divalent organic group having an aromatic ring, and is an aliphatic diisocyanate when R 3 is a divalent aliphatic hydrocarbon group. As the diisocyanate, it is preferable to use an aromatic diisocyanate. In this case, it is more preferable to use an aromatic diisocyanate and an aliphatic diisocyanate in combination.
芳香環を有する2価の有機基の好ましい例としては、−C6H4−CH2−C6H4−で表される基、トリレン基及びナフチレン基がある。2価の脂肪族炭化水素基の好ましい例としては、ヘキサメチレン基、2,2,4−トリメチルヘキサメチレン基及びイソホロン基がある。 Preferred examples of the divalent organic group having an aromatic ring, -C 6 H 4 -CH 2 -C 6 H 4 - , a group represented by is a tolylene group and a naphthylene group. Preferable examples of the divalent aliphatic hydrocarbon group include a hexamethylene group, a 2,2,4-trimethylhexamethylene group, and an isophorone group.
芳香族ジイソシアネートとしては、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(MDI)、2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート、ナフタレン−1,5−ジイソシアネート、2,4−トリレンダイマーが例示できる。これらの中でもMDIが特に好ましい。MDIを用いることにより、得られるポリアミドイミド樹脂の可撓性をより向上させることができる。 Examples of aromatic diisocyanates include 4,4′-diphenylmethane diisocyanate (MDI), 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, naphthalene-1,5-diisocyanate, and 2,4-tolylene dimer. it can. Among these, MDI is particularly preferable. By using MDI, the flexibility of the resulting polyamideimide resin can be further improved.
脂肪族ジイソシアネートとしては、ヘキサメチレンジイソシアネート、2,2,4−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネートが例示できる。 芳香族ジイソシアネート及び脂肪族ジイソシアネートを併用する場合は、脂肪族ジイソシアネートを芳香族ジイソシアネートに対して5〜10モル%程度添加することが好ましく、かかる併用により、得られるポリアミドイミド樹脂の耐熱性を更に向上させることができる。 Examples of the aliphatic diisocyanate include hexamethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethylhexamethylene diisocyanate, and isophorone diisocyanate. When using an aromatic diisocyanate and an aliphatic diisocyanate in combination, it is preferable to add the aliphatic diisocyanate to about 5 to 10 mol% with respect to the aromatic diisocyanate, and this combination further improves the heat resistance of the resulting polyamideimide resin. Can be made.
熱硬化性樹脂組成物は、難燃性の向上を目的に添加型の難燃剤を含んでいてもよい。添加型の難燃剤としてはリンを含有するフィラーが好ましい。リンを含有するフィラーとしては、OP930(クラリアント社製商品名、リン含有量23.5%)、HCA−HQ(三光社製商品名、リン含有量9.6%)、ポリリン酸メラミンPMP−300(リン含有量13.8%)PMP−200(リン含有量9.3%)PMP−300(リン含有量9.8%)(以上、日産化学社製商品名)等が挙げられる。 The thermosetting resin composition may contain an additive-type flame retardant for the purpose of improving flame retardancy. As the additive type flame retardant, a filler containing phosphorus is preferable. As fillers containing phosphorus, OP930 (trade name, manufactured by Clariant, phosphorus content 23.5%), HCA-HQ (trade name, manufactured by Sanko, phosphorus content 9.6%), melamine polyphosphate PMP-300 (Phosphorus content 13.8%) PMP-200 (Phosphorus content 9.3%) PMP-300 (Phosphorus content 9.8%) (The above-mentioned product name made by Nissan Chemical Co., Ltd.) etc. are mentioned.
樹脂層4の厚みは70μm以下であることが好ましく、10〜60μmであることがより好ましい。この厚みが70μmを超えると、樹脂付き金属薄膜100を用いて作製される印刷回路板及び多層配線板の可とう性が低下する傾向にある。また、樹脂層4の厚みが10μm未満であると、多層化した際に内層基板に施した回路パターンの埋め込み性が低下する傾向にある。
The thickness of the
樹脂層4は、例えば、下記のようにして得られる。まず、樹脂組成物に含まれる上述の各成分を、有機溶媒中で混合、溶解、分散して、樹脂ワニスを作製する。有機溶媒としては、樹脂を溶解できるものであればよく、例えばジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチルラクトン、スルホラン、シクロヘキサノン等を用いることができる。
The
次いで、作製した樹脂ワニスを第2の金属層3上に塗布する。その後、例えば80℃〜180℃で加熱して有機溶媒の一部又は全部を除去することにより、樹脂層4が得られる。加熱時間は樹脂ワニスのゲル化時間との兼ね合いで設定することができる。樹脂ワニスの製造に使用した有機溶剤は80質量%以上揮発除去されていることが好ましい。また、樹脂層4は、樹脂ワニスが半硬化のBステージ状態であることが好ましいが、硬化したCステージ状態でもよい。なお、有機溶媒の一部又は全部を除去した後の樹脂層4の厚みは70μm以下であると好ましく、10〜60μmであることがより好ましい。
Next, the produced resin varnish is applied on the
次に上記樹脂付き金属薄膜100を用いた印刷回路板及びその製造方法について説明する。図2は、本発明の好適な実施形態に係る印刷回路板の製造方法を示す概略工程図である。本実施形態の印刷回路板の製造方法は、本発明に係る樹脂付き金属薄膜を準備する金属薄膜準備工程と、フレキシブル回路基板(以下、「FPC」という。)を準備するFPC準備工程と、FPC上に樹脂付き金属薄膜を積層して積層体を得る積層工程と、樹脂付き金属薄膜から支持体を除去する支持体除去工程と、セミアディティブ法により回路を形成するセミアディティブ工程とを有する。セミアディティブ工程は、更に、積層体上にレジストパターンを形成するレジスト形成工程と、回路パターンを形成する回路形成工程と、レジストパターンを除去するレジスト除去工程と、レジスト除去工程の後にエッチングを行うエッチング工程とを有する。以下、各工程について説明する。
Next, a printed circuit board using the metal thin film with
まず、金属薄膜準備工程では、上述の樹脂付き金属薄膜100を準備する(図2(a)参照)。なお、図2(a)では、図1における樹脂付き金属薄膜100を上下逆にして示している。
First, in the metal thin film preparation step, the above-described metal thin film with
また、金属薄膜準備工程と同時にFPC準備工程において、FPC200を準備する(図2(a)参照)。FPC200は、可とう性を有する基板6とその基板6の一方の主面上に設けられた第1の回路5とを備えるものである。このようなFPC200は、常法により作製したり、市販のものを入手したりすることができる。例えば、ユーピレックス(宇部興産社製、商品名)、カプトン(東レ・デュポン社製)などの可とう性フィルム上に、又は、繊維基材に樹脂を含浸して作製される可とう性を有する基板上に銅箔等の金属箔を積層し、それにより得られた金属箔付き絶縁板に回路加工を施すことで作製してもよい。
Moreover, FPC200 is prepared in a FPC preparation process simultaneously with a metal thin film preparation process (refer Fig.2 (a)). The
次いで、積層工程において、FPC200上に樹脂付き金属薄膜100を積層して積層体300を得る(図2(b)参照)。この際、まず、FPC200の基板6及び第1の回路5と、樹脂付き金属薄膜100の樹脂層4とが接するようにして、それらを配置する。次に、プレス、ロールラミネート、プレスラミネート等の方法により、樹脂付き金属薄膜100及びFPC200を互いに密着させる。この密着の際又は密着の後、必要に応じて加熱処理を施すことで、樹脂層4を硬化させて、その硬化物からなる絶縁層10を形成する。
Next, in the stacking step, the resin-coated metal
続いて、支持体除去工程において、上述の積層体300から支持体1を剥離除去する。これにより第1の金属層2の表面が露出する。
Subsequently, in the support body removing step, the
次に、レジスト形成工程において、第1の金属層2の表面上に所定のパターンを有するレジストパターン7を形成する(図2(c)参照)。レジストパターン7の形成には、フォトリソグラフィ等の公知のパターン形成方法を採用することができる。このレジスト形成工程を経ることで、第1の金属層2の表面は、一部がレジストパターン7で被覆され、その他の部分は露出した状態となる。なお、レジスト材料は、電解めっき用のレジスト材料であると好ましい。
Next, in a resist formation step, a resist
次いで、回路形成工程において、第1の金属層2の表面の露出した部分に電解めっきを施す。これにより、回路パターン8が形成される(図2(d)参照)。電解めっきは公知の方法を採用することができ、第1の金属層2及び第2の金属層3がその給電層として機能する。電解めっきにより形成される回路パターン8の材料は、公知のものであればよく、例えば銅、はんだ、ニッケル、ロジウム及び金などの金属が挙げられる。これらの中では、印刷回路板の導体材料として一般的に用いられている観点から銅が好適である。
Next, in the circuit forming step, electrolytic plating is performed on the exposed portion of the surface of the
回路パターン8の厚みは3〜40μmであると好ましく、5〜20μmであるとより好ましい。この厚みが40μmを超えると、微細な回路パターン8の形成が困難になる傾向にある。また、この厚みが3μm未満であると、その後のエッチング工程において回路パターン8が容易に除去されてしまう傾向にある。
The thickness of the
その後、レジスト除去工程において、レジストパターン7を除去する(図2(e)参照)。レジストパターン7の除去方法は、公知の方法であればよく、例えばメチレンクロライド等の有機溶剤による除去、並びに、水酸化ナトリウム等のアルカリ溶液による除去が挙げられる。これにより、レジストパターン7で被覆されていた第1の金属層2の表面が露出する。
Thereafter, in the resist removing step, the resist
次いで、エッチング工程においてエッチング処理を行い、印刷回路板700を得る(図2(f)参照)。エッチング方法は、スプレーエッチング等の公知の方法であればよい。また、エッチング処理に用いるエッチング液は、第1の金属層2及び第2の金属層3を構成する金属を溶解可能なエッチング液であれば特に限定されない。これにより、レジスト除去工程を経て露出した第1の金属層2の表面側から、第1の金属層2及び第2の金属層3の一部が除去される。また、エッチング処理に先立ち、後述する第2の回路15となるべき部分を公知のエッチング用レジストで被覆すると好ましい。
Next, an etching process is performed in an etching process to obtain a printed circuit board 700 (see FIG. 2F). The etching method may be a known method such as spray etching. Moreover, the etching solution used for the etching process is not particularly limited as long as it is an etching solution that can dissolve the metal constituting the
こうして得られた印刷回路板700は、可とう性を有する基板6と、第1の回路5と、絶縁性の樹脂組成物の硬化物からなる絶縁層10と、該絶縁層10上に設けられた回路であって、パターン化された第2の金属層3と、該第2の金属層3上に設けられ、第2の金属層3と同様のパターンにパターン化された第1の金属層2と、該第1の金属層2上に設けられ、第2の金属層3及び第1の金属層2と同様にパターン化された第3の金属層8とを有する第2の回路15とをこの順で積層して構成される。
The printed
次に上記樹脂付き金属薄膜100を用いた多層配線板及びその製造方法について説明する。図3、4は、本発明の好適な実施形態に係る多層配線板の製造方法を示す概略工程図である。本実施形態の多層配線板の製造方法は、本発明に係る樹脂付き金属薄膜を準備する金属薄膜準備工程と、FPCを準備するFPC準備工程と、FPCを挟むようにして樹脂付き金属薄膜を積層して積層体を得る積層工程と、回路間を接続する回路接続工程と、樹脂付き金属薄膜から支持体を除去する支持体除去工程と、セミアディティブ法により回路を形成するセミアディティブ工程と、を有する。セミアディティブ工程は、更に、積層体上にレジストパターンを形成するレジスト形成工程と、回路パターンを形成する回路形成工程と、レジストパターンを除去するレジスト除去工程と、レジスト除去工程の後にエッチングを行うエッチング工程とを有する。以下、各工程について説明する。
Next, a multilayer wiring board using the metal thin film with
まず、金属薄膜準備工程では、上述の樹脂付き金属薄膜100を2枚準備する(図3(a)参照)。また、金属薄膜準備工程と同時にFPC準備工程において、FPC800を準備する(図3(a)参照)。FPC800は、可とう性を有する基板6とその基板6の両主面側に設けられた第1の回路5とを備えるものである。このようなFPC800は、上述のFPC200と同様に、常法により作製したり、市販のものを入手したりすることができる。
First, in the metal thin film preparation step, the two metal thin films with
次いで、積層工程において、FPC800をその両主面側から挟むようにして2枚の樹脂付き金属薄膜100を積層して積層体900を得る(図3(b)参照)。この際、まず、FPC800の基板6及びその両主面側の第1の回路5と、それぞれの樹脂付き金属薄膜100の樹脂層4とが接するようにして、それらを配置する。次に、プレス、ロールラミネート、プレスラミネート等の方法により、2枚の樹脂付き金属薄膜100及びFPC800を互いに密着させる。この密着の際又は密着の後、必要に応じて加熱処理を施すことで、樹脂層4を硬化させて、その硬化物からなる絶縁層10を形成する。
Next, in the laminating step, the laminate 900 is obtained by laminating the two metal
次に、回路接続工程において、まず、積層体900の両支持体1側から、所定の第1の回路5が露出するように穴あけを行う(図3(c)参照)。穴あけは公知のレーザーを用いて行えばよい。これにより、孔18が形成され、所定の第1の回路5が露出すると共に、第1の金属層2及び第2の金属層3の一部も露出する。続いて、穴あけ後の積層体900の両支持体1側から無電解めっきを行う(図3(d)参照)。無電解めっきは公知の方法を採用することができる。無電解めっき液としては、例えば銅、ニッケル、錫、金などの無電解めっき液が挙げられる。また、還元剤としてはホルムアルデヒド、次亜リン酸イオン、ヒドラジンなどが挙げられる。これにより、無電解めっき膜9が支持体1の表面、孔18の内壁及び第1の回路5の表面に形成され、第1の回路5と第1の金属層2及び第2の金属層3とが電気的に接続される。第1の金属層2及び第2の金属層3は、後工程で第2の回路15を構成するため、この回路接続工程を経て、第1の回路5及び第2の回路15が電気的に接続されることになる。
Next, in the circuit connection step, first, a hole is made from the both
次いで、支持体除去工程において、支持体1を剥離除去する(図4(a)参照)。これにより第1の金属層2の表面が露出する。また、支持体1の表面に形成されていた無電解めっき膜9も併せて除去される。そのため、無電解めっき膜9は孔18の内壁及び第1の回路5の表面に残存する。
Next, in the support removing step, the
そして、セミアディティブ工程において、支持体1を除去した後の積層体910の両主面側から、上述の印刷回路板700を製造する場合と同様にして、セミアディティブ法により第2の回路15を形成する(図4(b)参照)。こうして得られた多層配線板50は、可とう性を有する内層基板6を両主面側から挟むようにして、第1の回路5と、絶縁性の樹脂組成物の硬化物からなる絶縁層10と、該絶縁層10上に設けられた回路であって、パターン化された第2の金属層3と、該第2の金属層3上に設けられ、第2の金属層3と同様のパターンにパターン化された第1の金属層2と、該第1の金属層2上に設けられ、第2の金属層3及び第1の金属層2と同様にパターン化された第3の金属層8とを有する第2の回路15とをこの順で積層して構成される。また、多層配線板50は、第1の回路5の一部に向かって、両主面側から開けられた孔18を有しており、その孔18の内壁及び第1の回路5の表面に無電解めっき膜9が設けられている。この無電解めっき膜9は、第1の回路5及び第2の回路15を電気的に接続する接続部として機能する。
Then, in the semi-additive process, the
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。 The preferred embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the above embodiment. The present invention can be variously modified without departing from the gist thereof.
例えば、本発明の別の実施形態において、多層配線板は貫通孔を有していてもよい。図5は、本発明の別の実施形態に係る多層配線板の製造方法を示す概略工程図である。この多層配線板の製造方法において、まず、上記好適な実施形態の多層配線板の製造方法と同様にして、積層体900を得る。 For example, in another embodiment of the present invention, the multilayer wiring board may have a through hole. FIG. 5 is a schematic process diagram showing a method for manufacturing a multilayer wiring board according to another embodiment of the present invention. In this multilayer wiring board manufacturing method, first, a laminate 900 is obtained in the same manner as in the multilayer wiring board manufacturing method of the preferred embodiment.
次いで、回路接続工程において、積層体900の一方の支持体1側から、所定の第1の回路5を経由して貫通するように、積層方向に穴あけを行う(図5(a)参照)。穴あけは公知のドリルを用いて行えばよい。これにより、貫通孔19が形成され、所定の第1の回路5が露出すると共に、第1の金属層2及び第2の金属層3の一部も露出する。続いて、穴あけ後の積層体900の両支持体1側から無電解めっきを行う(図5(b)参照)。無電解めっきの方法、無電解めっき液、還元剤は上記好適な実施形態に係る方法と同様であればよい。これにより、無電解めっき膜29が支持体1の表面、貫通孔19の内壁に形成され、第1の回路5と第1の金属層2及び第2の金属層3とが電気的に接続される。第1の金属層2及び第2の金属層3は、後工程で第2の回路15を構成するため、この回路接続工程を経て、第1の回路5及び第2の回路15が電気的に接続されることになる。
Next, in the circuit connection step, holes are formed in the stacking direction so as to penetrate through the predetermined
次いで、支持体除去工程において、支持体1を剥離除去する(図5(c)参照)。これにより第1の金属層2の表面が露出する。また、支持体1の表面に形成されていた無電解めっき膜29も併せて除去される。そのため、無電解めっき膜29は貫通孔19の内壁に残存する。
Next, in the support removing step, the
そして、セミアディティブ工程において、支持体1を除去した後の積層体910の両主面側から、上述の印刷回路板700を製造する場合と同様にして、セミアディティブ法により第2の回路15を形成する。こうして得られた多層配線板60は、可とう性を有する内層基板6を両主面側から挟むようにして、第1の回路5と、絶縁性の樹脂組成物の硬化物からなる絶縁層10と、該絶縁層10上に設けられた回路であって、パターン化された第2の金属層3と、該第2の金属層3上に設けられ、第2の金属層3と同様のパターンにパターン化された第1の金属層2と、該第1の金属層2上に設けられ、第2の金属層3及び第1の金属層2と同様にパターン化された第3の金属層8とを有する第2の回路15とをこの順で積層して構成される。また、多層配線板60は、積層方向に貫通した貫通孔19を有しており、その孔19の内壁に無電解めっき膜29が設けられている。この無電解めっき膜29は、第1の回路5及び第2の回路15を電気的に接続する接続部として機能する。
Then, in the semi-additive process, the
また、更に別の実施形態において、樹脂付き金属薄膜における樹脂層4は以下のようにして形成されてもよい。まず、PETフィルムなどの基材上に上記絶縁性の樹脂組成物を含有する樹脂ワニスを塗布して更に乾燥することにより樹脂膜を形成する。次いで、その樹脂膜を第2の金属層3の表面上に積層することで樹脂層4を得る。
In still another embodiment, the
上述の印刷回路板100、可とう性を有する基板6と第1の回路5とを含むFPCを備えるものであるが、本発明の印刷回路板はこのFPCを必ずしも備える必要はない。さらには、本発明の樹脂付き金属薄膜をその各部材の積層方向に加熱加圧することで、樹脂層4を絶縁層10に変換してもよい。
Although the printed
なおも別の実施形態において、本発明の樹脂付き金属薄膜は第2の金属層と樹脂層との間に更に別の金属層を設けてもよい。この金属層は第2の金属層と樹脂層との間の接着性を向上させることを目的とするものである。この金属層の材料としては例えばニッケルが挙げられる。 In still another embodiment, the resin-attached metal thin film of the present invention may further include another metal layer between the second metal layer and the resin layer. The purpose of this metal layer is to improve the adhesion between the second metal layer and the resin layer. An example of the material for this metal layer is nickel.
以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited to these Examples.
(実施例1)
(樹脂付き金属薄膜の作製)
上述の支持体に相当する50μmの厚みを有するPETフィルム上に、銅の真空蒸着により第1の金属層に相当する第1の銅層を形成した。この第1の銅層の厚みは0.05μmであった。次いで、その第1の金属層上に、銅のスパッタリングにより第2の金属層に相当する第2の銅層を形成した。この第2の銅層の厚みは0.2μmであった。更に、第2の金属層上に、ニッケルのスパッタリングによりニッケル層を形成した。このニッケル層の厚みは0.01μmであった。こうして、後述の樹脂層を形成するための基材Hを得た。
(Example 1)
(Production of metal thin film with resin)
A first copper layer corresponding to the first metal layer was formed by vacuum deposition of copper on a PET film having a thickness of 50 μm corresponding to the above support. The thickness of this first copper layer was 0.05 μm. Next, a second copper layer corresponding to the second metal layer was formed on the first metal layer by sputtering of copper. The thickness of this second copper layer was 0.2 μm. Further, a nickel layer was formed on the second metal layer by sputtering of nickel. The nickel layer had a thickness of 0.01 μm. In this way, the base material H for forming the below-mentioned resin layer was obtained.
還流冷却器を連結したコック付き25mLの水分定量受器、温度計及び撹拌器を備えた1Lのセパラブルフラスコ内に、芳香族環を2個以上有するジアミンであるDDS(ジアミノジフェニルスルホン)12.5g(0.05mol)、シロキサンジアミンである反応性シリコーンオイルKF−8010(信越化学工業社製、商品名、アミン当量430)43.0g(0.05mol)、ジェファーミンD2000(三井化学ファイン社製、商品名、アミン当量1000)74.0g(0.37mol)、上記式(3)で表される脂環式ジアミンであるワンダミンHM(新日本理化社製、商品名)11.3g(0.054mol)、TMA(無水トリメリット酸)80.7g(0.42mol)及び非プロトン性極性溶媒であるNMP(N−メチル−2−ピロリドン)589gを仕込み、80℃で2.5分間撹拌した。 11. DDS (diaminodiphenyl sulfone), which is a diamine having two or more aromatic rings, in a 1 L separable flask equipped with a 25 mL moisture meter with a cock connected to a reflux condenser, a thermometer and a stirrer. 5 g (0.05 mol), reactive silicone oil KF-8010 (trade name, amine equivalent 430), which is a siloxane diamine, 43.0 g (0.05 mol), Jeffamine D2000 (manufactured by Mitsui Chemical Fine) , Trade name, amine equivalent 1000) 74.0 g (0.37 mol), Wandamine HM (trade name, manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd.) which is an alicyclic diamine represented by the above formula (3) 054 mol), 80.7 g (0.42 mol) of TMA (trimellitic anhydride) and NMP (N- G of chill-2-pyrrolidone) 589 g, was stirred at 80 ° C. 2.5 min.
そして、水と共沸可能な芳香族炭化水素であるトルエン150mLを投入してから温度を上げ、約160℃で2時間環流させた。水分定量受器に水が約7.2mL以上たまっていること、及び水の留出が見られなくなっていることを確認し、水分定量受器にたまっている留出液を除去しながら、約190℃まで温度を上げて、トルエンを除去した。 Then, 150 mL of toluene, which is an aromatic hydrocarbon azeotropic with water, was added, and then the temperature was raised and refluxed at about 160 ° C. for 2 hours. Confirm that water has accumulated in the moisture determination receiver more than 7.2mL and that no water is being distilled, and while removing the distillate collected in the moisture determination receiver, The temperature was raised to 190 ° C. to remove toluene.
その後、反応液を室温(25℃)に戻し、芳香族ジイソシアネートであるMDI(4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート)55.1g(0.22mol)を投入し、190℃で2時間反応させた。反応終了後、ポリアミドイミド樹脂のNMP溶液を得た。 Thereafter, the reaction solution was returned to room temperature (25 ° C.), and 55.1 g (0.22 mol) of MDI (4,4′-diphenylmethane diisocyanate), which is an aromatic diisocyanate, was added thereto and reacted at 190 ° C. for 2 hours. After completion of the reaction, an NMP solution of polyamideimide resin was obtained.
得られたポリアミドイミド樹脂のNMP溶液250.0g(樹脂固形分32質量%)とエポキシ樹脂であるEPPN−502H(日本化薬社製、商品名)22.4g(樹脂固形分50質量%のジメチルアセトアミド溶液)及びHP−4023D(大日本インキ社製、商品名)45.6g(樹脂固形分50質量%のジメチルアセトアミド溶液)、並びに2−エチル−4−メチルイミダゾール0.2gを混合し、樹脂が均一になるまで約1時間撹拌した後、脱泡のため24時間室温で静置した。こうして、上記式(1)の構造を有するポリアミドイミド樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物のワニス(樹脂ワニス)を得た。
NMP solution of the obtained polyamideimide resin 250.0 g (resin
得られた樹脂ワニスを、上記基材Hにおけるニッケル層の表面上に塗布し、150℃で15分間加熱することによって溶媒の一部を揮発除去して、50μmの厚みを有する樹脂層を得た。こうして、樹脂付き金属薄膜Aを完成させた。 The obtained resin varnish was applied on the surface of the nickel layer in the base material H, and a part of the solvent was volatilized and removed by heating at 150 ° C. for 15 minutes to obtain a resin layer having a thickness of 50 μm. . Thus, the metal thin film A with resin was completed.
(多層配線板の作製)
次に、可とう性を有する基板の両主面側に銅箔を積層した銅張積層板であるTC−C−500(日立化成工業社製、商品名、基板の厚み:50μm)を準備し、その両面の銅箔をパターニングして所定パターンの第1の回路を設けたFPCを得た。このFPCの基板及びその両主面側の回路と、2枚の樹脂付き金属薄膜Aの樹脂層とがそれぞれ接するようにして、それらを積層配置した。そして、200℃、90分間、4.0MPaの条件でそれらの積層方向にプレスを行って積層体を得た。
(Production of multilayer wiring board)
Next, TC-C-500 (trade name, thickness of substrate: 50 μm, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), which is a copper clad laminate in which copper foils are laminated on both principal surface sides of a flexible substrate, is prepared. The copper foils on both sides were patterned to obtain an FPC provided with a first circuit having a predetermined pattern. The FPC substrate and the circuits on both main surfaces thereof were in contact with the resin layers of the two resin-attached metal thin films A, and they were laminated. And it pressed in those lamination directions on 200 degreeC and 90 minute conditions of 4.0 Mpa, and obtained the laminated body.
次いで、得られた積層体の両支持体側から、所定の第1の回路が露出するように炭酸ガスレーザーを用いて直径100μmの穴あけを行って孔を設けた。次に穴あけ後の積層体の両支持体側から無電解めっきを行って、穴あけにより露出した第1の回路、支持体及び孔の内壁を被覆した、2μmの厚みを有する無電解銅めっき膜を形成した。 Next, a hole having a diameter of 100 μm was formed using a carbon dioxide gas laser so that a predetermined first circuit was exposed from both support sides of the obtained laminate. Next, electroless plating is performed from both support sides of the laminated body after drilling to form an electroless copper plating film having a thickness of 2 μm covering the first circuit exposed by drilling, the support, and the inner wall of the hole. did.
その後、両側の支持体を剥離除去して露出した第1の金属層の表面に、めっきレジストであるAZ10XT(クラリアント社製、商品名)を15μmの厚みになるようスピンコートにより塗布した。続いて、フォトリソグラフィにより所定のレジストパターンとなるようにめっきレジストを加工した。これにより、第1の金属層の表面が一部露出した。次に、フォトリソグラフィ後の積層体に、第1の金属層及び第2の金属層を給電層として、電解銅めっきを施した。この電解銅めっきは、めっき浴として硫酸銅めっき浴を用い、0.8A/dm2の電流密度で行った。これにより、露出していた第1の金属層の表面に、12μmの厚みを有する電解銅めっき膜が形成された。 Thereafter, AZ10XT (trade name, manufactured by Clariant), which is a plating resist, was applied by spin coating to the surface of the first metal layer exposed by peeling off and removing the supports on both sides to a thickness of 15 μm. Subsequently, a plating resist was processed so as to have a predetermined resist pattern by photolithography. Thereby, a part of the surface of the first metal layer was exposed. Next, electrolytic copper plating was performed on the laminated body after photolithography using the first metal layer and the second metal layer as a power feeding layer. This electrolytic copper plating was performed at a current density of 0.8 A / dm 2 using a copper sulfate plating bath as a plating bath. As a result, an electrolytic copper plating film having a thickness of 12 μm was formed on the exposed surface of the first metal layer.
次いで、めっきレジストを除去し、それにより露出した第1の金属層の表面から、エッチング液である硝酸/過酸化水素を用いてエッチング処理し、第1の金属層及び第2の金属層の一部を除去した。その後、水洗及び乾燥を行って、図3(f)に示すものと同様に両面に第2の回路を備えた多層配線板を得た。 Next, the plating resist is removed, and etching is performed using nitric acid / hydrogen peroxide as an etching solution from the surface of the first metal layer exposed thereby, and one of the first metal layer and the second metal layer is etched. Part was removed. Then, it washed with water and dried, and obtained the multilayer wiring board provided with the 2nd circuit on both surfaces similarly to what is shown in FIG.3 (f).
(実施例2)
下記のようにして調製した樹脂ワニスを用いた以外は実施例1と同様にして樹脂付き金属薄膜Bを得た。まず、エポキシ樹脂であるEPICLON153(大日本インキ社製、商品名)340.0g、硬化剤であるFG−2000(帝人化成社製、商品名)181g、及び硬化促進剤である2PZ−CN(四国化成社製、商品名)1.0gを、メチルイソブチルケトン600.0gに溶解した。そこに、アクリル樹脂であるHTR−860−P3(ナガセケムテックス社製、商品名、重量平均分子量:85万、15質量%メチルエチルケトン溶液)287.0gを添加し、1時間撹拌して樹脂ワニスを得た。
(Example 2)
A resin-coated metal thin film B was obtained in the same manner as in Example 1 except that the resin varnish prepared as described below was used. First, EPICLON 153 (trade name, manufactured by Dainippon Ink Co., Ltd.) which is an epoxy resin, FG-2000 (trade name, manufactured by Teijin Chemicals Co., Ltd.) 181 g, which is a curing agent, and 2PZ-CN (Shikoku), which is a curing accelerator. 1.0 g of Kasei Co., Ltd., trade name) was dissolved in 600.0 g of methyl isobutyl ketone. Thereto, 287.0 g of HTR-860-P3 (trade name, weight average molecular weight: 850,000, 15 mass% methyl ethyl ketone solution, manufactured by Nagase ChemteX Corporation), which is an acrylic resin, was added and stirred for 1 hour to obtain a resin varnish. Obtained.
そして、樹脂付き金属薄膜Aに代えて樹脂付き金属薄膜Bを用い、FPCとして、銅張積層板であるTC−C−100(日立化成工業社製、商品名、基板の厚み:50μm)の両面の銅箔をパターニングして所定パターンの第1の回路を設けたFPCを用いた以外は実施例1と同様にして、多層配線板を得た。 Then, instead of the metal thin film with resin A, the metal thin film with resin B is used as the FPC as both sides of TC-C-100 (trade name, thickness of substrate: 50 μm), which is a copper-clad laminate. A multilayer wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that an FPC provided with a first circuit having a predetermined pattern by patterning the copper foil was obtained.
(実施例3)
まず、可とう性を有するポリイミドフィルム(宇部興産社製、商品名「ユーピレックス」)の両主面に銅箔を接着剤により貼り合わせた銅張基板を準備した。この銅張基板の両主面側にエッチングレジストであるMIT−215(日本合成モートン社製、商品名)を15μmの厚みになるようラミネートした。続いて、フォトリソグラフィにより所定のレジストパターンとなるようにエッチングレジストを加工した。これにより、銅箔表面が一部露出した。次に、露出した銅箔表面から、塩化第二鉄系の銅エッチング液を用いてエッチング処理し、銅箔の一部をエッチング処理により除去して所定パターンの回路を得た。その後、水洗及び乾燥を行って、印刷回路板を得た。
(Example 3)
First, a copper-clad substrate in which a copper foil was bonded to both main surfaces of a flexible polyimide film (trade name “UPILEX” manufactured by Ube Industries, Ltd.) with an adhesive was prepared. MIT-215 (trade name, manufactured by Nihon Gosei Morton Co., Ltd.), which is an etching resist, was laminated on both main surfaces of the copper-clad substrate so as to have a thickness of 15 μm. Subsequently, the etching resist was processed so as to have a predetermined resist pattern by photolithography. Thereby, a part of copper foil surface was exposed. Next, the exposed copper foil surface was etched using a ferric chloride-based copper etchant, and a part of the copper foil was removed by the etching process to obtain a circuit with a predetermined pattern. Then, it washed with water and dried and obtained the printed circuit board.
この印刷回路板をFPCとして用いた以外は実施例1と同様にして、多層配線板を得た。 A multilayer wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that this printed circuit board was used as an FPC.
(実施例4)
上述の支持体に相当する50μmの厚みを有するPENフィルム上に、銅の真空蒸着により第1の金属層に相当する第1の銅層を形成した。この銅層の厚みは0.05μmであった。次いで、その第1の金属層上に、銅のスパッタリングにより第2の金属層に相当する第2の銅層を形成した。この第2の銅層の厚みは0.2μmであった。更に、第2の金属層上に、ニッケルのスパッタリングによりニッケル層を形成した。このニッケル層の厚みは0.01μmであった。こうして、後述の樹脂層を形成するための基材Iを得た。
Example 4
A first copper layer corresponding to the first metal layer was formed on a PEN film having a thickness of 50 μm corresponding to the above support by vacuum deposition of copper. The thickness of this copper layer was 0.05 μm. Next, a second copper layer corresponding to the second metal layer was formed on the first metal layer by sputtering of copper. The thickness of this second copper layer was 0.2 μm. Further, a nickel layer was formed on the second metal layer by sputtering of nickel. The nickel layer had a thickness of 0.01 μm. In this way, the base material I for forming the below-mentioned resin layer was obtained.
次いで、実施例1と同様にして得られた樹脂ワニスを、上記基材Iにおけるニッケル層の表面上に塗布し、150℃で15分間加熱することによって溶媒の一部を揮発除去して、50μmの厚みを有する樹脂層を得た。こうして、樹脂付き金属薄膜Cを完成させた。 Next, the resin varnish obtained in the same manner as in Example 1 was applied onto the surface of the nickel layer in the base material I, and a part of the solvent was removed by volatilization by heating at 150 ° C. for 15 minutes. A resin layer having a thickness of 5 mm was obtained. Thus, the metal thin film C with resin was completed.
その後、樹脂付き金属薄膜Aに代えて樹脂付き金属薄膜Cを用いた以外は実施例1と同様にして、多層配線板を得た。 Thereafter, a multilayer wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the metal thin film C with resin was used instead of the metal thin film A with resin.
(実施例5)
上述の支持体に相当する50μmの厚みを有するPETフィルム上に、ニッケルの真空蒸着により第1の金属層に相当する第1のニッケル層を形成した。この第1のニッケル層の厚みは0.05μmであった。次いで、その第1の金属層上に、銅のスパッタリングにより第2の金属層に相当する銅層を形成した。この銅層の厚みは0.2μmであった。更に、第2の金属層上に、ニッケルのスパッタリングにより第2のニッケル層を形成した。この第2のニッケル層の厚みは0.01μmであった。こうして、後述の樹脂層を形成するための基材Jを得た。
(Example 5)
A first nickel layer corresponding to the first metal layer was formed by vacuum deposition of nickel on a PET film having a thickness of 50 μm corresponding to the above support. The thickness of the first nickel layer was 0.05 μm. Next, a copper layer corresponding to the second metal layer was formed on the first metal layer by sputtering of copper. The thickness of this copper layer was 0.2 μm. Further, a second nickel layer was formed on the second metal layer by sputtering of nickel. The thickness of this second nickel layer was 0.01 μm. In this way, the base material J for forming the below-mentioned resin layer was obtained.
次いで、実施例1と同様にして得られた樹脂ワニスを、上記基材Jにおける第2のニッケル層の表面上に塗布し、150℃で15分間加熱することによって溶媒の一部を揮発除去して、50μmの厚みを有する樹脂層を得た。こうして、樹脂付き金属薄膜Dを完成させた。 Next, the resin varnish obtained in the same manner as in Example 1 was applied on the surface of the second nickel layer in the base material J, and a part of the solvent was volatilized and removed by heating at 150 ° C. for 15 minutes. Thus, a resin layer having a thickness of 50 μm was obtained. Thus, the metal thin film D with resin was completed.
その後、樹脂付き金属薄膜Aに代えて樹脂付き金属薄膜Dを用いた以外は実施例1と同様にして、多層配線板を得た。 Thereafter, a multilayer wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the metal thin film D with resin was used instead of the metal thin film A with resin.
(実施例6)
上述の支持体に相当する50μmの厚みを有するPETフィルム上に、銅の真空蒸着により第1の金属層に相当する第1の銅層を形成した。この第1の銅層の厚みは0.01μmであった。次いで、その第1の金属層上に、銅のスパッタリングにより第2の金属層に相当する第2の銅層を形成した。この第2の銅層の厚みは0.15μmであった。更に、第2の金属層上に、ニッケルのスパッタリングによりニッケル層を形成した。このニッケル層の厚みは0.01μmであった。こうして、後述の樹脂層を形成するための基材Kを得た。
(Example 6)
A first copper layer corresponding to the first metal layer was formed by vacuum deposition of copper on a PET film having a thickness of 50 μm corresponding to the above support. The thickness of this first copper layer was 0.01 μm. Next, a second copper layer corresponding to the second metal layer was formed on the first metal layer by sputtering of copper. The thickness of this second copper layer was 0.15 μm. Further, a nickel layer was formed on the second metal layer by sputtering of nickel. The nickel layer had a thickness of 0.01 μm. In this way, the base material K for forming the below-mentioned resin layer was obtained.
次いで、実施例1と同様にして得られた樹脂ワニスを、上記基材Kにおけるニッケル層の表面上に塗布し、150℃で15分間加熱することによって溶媒の一部を揮発除去して、50μmの厚みを有する樹脂層を得た。こうして、樹脂付き金属薄膜Eを完成させた。 Next, the resin varnish obtained in the same manner as in Example 1 was applied onto the surface of the nickel layer in the substrate K, and a part of the solvent was removed by volatilization by heating at 150 ° C. for 15 minutes to obtain 50 μm. A resin layer having a thickness of 5 mm was obtained. Thus, a metal thin film E with resin was completed.
その後、樹脂付き金属薄膜Aに代えて樹脂付き金属薄膜Eを用いた以外は実施例1と同様にして、多層配線板を得た。 Thereafter, a multilayer wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the metal thin film E with resin was used instead of the metal thin film A with resin.
(実施例7)
まず、樹脂付き金属薄膜Aを、200℃、90分間、4.0MPaの条件で、その積層方向にプレスして、片面金属張積層板を得た。そこからPETフィルムを剥離除去して第1の金属層の表面を露出させた。露出した第1の金属層の表面に、めっきレジストであるAZ10XT(クラリアント社製、商品名)を15μmの厚みになるようスピンコートにより塗布した。続いて、フォトリソグラフィにより所定のレジストパターンとなるようにめっきレジストを加工した。これにより、第1の金属層の表面が一部露出した。次に、フォトリソグラフィ後の積層板に、第1の金属層及び第2の金属層を給電層として、電解銅めっきを施した。この電解銅めっきは、めっき浴として硫酸銅めっき浴を用い、0.8A/dm2の電流密度で行った。これにより、露出していた第1の金属層の表面に、12μmの厚みを有する電解銅めっき膜が形成された。
(Example 7)
First, the metal thin film A with resin was pressed in the lamination direction at 200 ° C. for 90 minutes and 4.0 MPa to obtain a single-sided metal-clad laminate. From there, the PET film was peeled and removed to expose the surface of the first metal layer. On the exposed surface of the first metal layer, AZ10XT (trade name, manufactured by Clariant), which is a plating resist, was applied by spin coating so as to have a thickness of 15 μm. Subsequently, a plating resist was processed so as to have a predetermined resist pattern by photolithography. Thereby, a part of the surface of the first metal layer was exposed. Next, electrolytic copper plating was applied to the laminated plate after photolithography using the first metal layer and the second metal layer as power feeding layers. This electrolytic copper plating was performed at a current density of 0.8 A / dm 2 using a copper sulfate plating bath as a plating bath. As a result, an electrolytic copper plating film having a thickness of 12 μm was formed on the exposed surface of the first metal layer.
次いで、めっきレジストを除去し、それにより露出した第1の金属層の表面から、エッチング液である硝酸/過酸化水素を用いてエッチング処理し、第1の金属層及び第2の金属層の一部を除去した。その後、水洗及び乾燥を行って、片面に第2の回路を備えた印刷回路板を得た。 Next, the plating resist is removed, and etching is performed using nitric acid / hydrogen peroxide as an etching solution from the surface of the first metal layer exposed thereby, and one of the first metal layer and the second metal layer is etched. Part was removed. Then, it washed with water and dried and obtained the printed circuit board provided with the 2nd circuit on the single side | surface.
(比較例1)
まず、可とう性を有するポリイミドフィルム(宇部興産社製、商品名「ユーピレックス」)の両主面に銅箔を接着剤により貼り合わせた銅張基板を準備した。この銅張基板の両主面側にエッチングレジストであるMIT−215(日本合成モートン社製、商品名)を15μmの厚みになるようラミネートした。続いて、フォトリソグラフィにより所定のレジストパターンとなるようにエッチングレジストを加工した。これにより、銅箔表面が一部露出した。次に、露出した銅箔表面から、塩化第二鉄系の銅エッチング液を用いてエッチング処理し、銅箔の一部をエッチング処理により除去して所定パターンの回路を得た。その後、水洗及び乾燥を行って、印刷回路板を得た。
(Comparative Example 1)
First, a copper-clad substrate in which a copper foil was bonded to both main surfaces of a flexible polyimide film (trade name “UPILEX” manufactured by Ube Industries, Ltd.) with an adhesive was prepared. MIT-215 (trade name, manufactured by Nihon Gosei Morton Co., Ltd.), which is an etching resist, was laminated on both main surfaces of the copper-clad substrate so as to have a thickness of 15 μm. Subsequently, the etching resist was processed so as to have a predetermined resist pattern by photolithography. Thereby, a part of copper foil surface was exposed. Next, the exposed copper foil surface was etched using a ferric chloride-based copper etchant, and a part of the copper foil was removed by the etching process to obtain a circuit with a predetermined pattern. Then, it washed with water and dried and obtained the printed circuit board.
(比較例2)
上述の支持体に相当する50μmの厚みを有するPETフィルム上に、銅のスパッタリングにより銅層を形成した。この銅層の厚みは0.2μmであった。こうして、後述の樹脂層を形成するための基材Lを得た。
(Comparative Example 2)
A copper layer was formed by sputtering copper on a PET film having a thickness of 50 μm corresponding to the above support. The thickness of this copper layer was 0.2 μm. In this way, the base material L for forming the below-mentioned resin layer was obtained.
次いで、実施例1と同様にして得られた樹脂ワニスを、上記基材Lにおける銅層の表面上に塗布し、150℃で15分間加熱することによって溶媒の一部を揮発除去して、50μmの厚みを有する樹脂層を得た。こうして、樹脂付き金属薄膜Fを完成させた。 Next, the resin varnish obtained in the same manner as in Example 1 was applied onto the surface of the copper layer in the base material L, and a part of the solvent was removed by volatilization by heating at 150 ° C. for 15 minutes to obtain 50 μm. A resin layer having a thickness of 5 mm was obtained. Thus, the resin-coated metal thin film F was completed.
その後、樹脂付き金属薄膜Aに代えて樹脂付き金属薄膜Fを用いた以外は実施例1と同様にして、多層配線板の作製を試みた。しかし、積層体の両面の支持体であるPETフィルムを剥離除去する際に、PETフィルムと銅層との接着力が強すぎて剥離することができず、回路パターンを形成することはできなかった。 Thereafter, production of a multilayer wiring board was attempted in the same manner as in Example 1 except that the metal thin film F with resin was used instead of the metal thin film A with resin. However, when peeling and removing the PET film, which is the support on both sides of the laminate, the adhesive strength between the PET film and the copper layer was too strong to peel, and a circuit pattern could not be formed. .
得られた実施例1〜6の多層配線板、実施例7及び比較例1の印刷回路板の回路パターンを観察した。その結果、実施例1〜6の多層配線板及び実施例7の印刷回路板は、回路パターンのライン幅/スペース幅が15μm/15μmであっても短絡や断線が認められず、良好な回路パターンを形成可能であった。一方、比較例1の印刷回路板は、回路パターンのライン幅/スペース幅が40μm/40μmで短絡や断線が認められた。 The circuit patterns of the obtained multilayer wiring boards of Examples 1 to 6, Example 7 and Comparative Example 1 were observed. As a result, the multilayer wiring boards of Examples 1 to 6 and the printed circuit board of Example 7 are free from short circuit or disconnection even when the line width / space width of the circuit pattern is 15 μm / 15 μm. Could be formed. On the other hand, in the printed circuit board of Comparative Example 1, the circuit pattern line width / space width was 40 μm / 40 μm, and short circuit or disconnection was observed.
また、実施例1〜6の多層配線板及び実施例7の印刷回路板は任意に折り曲げることができた。具体的には、曲率半径1mmのピンに沿って180度折り曲げても、クラックや破断は生じなかった。 Moreover, the multilayer wiring board of Examples 1-6 and the printed circuit board of Example 7 were able to be bent arbitrarily. Specifically, no cracks or breakage occurred even when bent 180 degrees along a pin with a radius of curvature of 1 mm.
1…支持体、2…第1の金属層、3…第2の金属層、4…樹脂層、5…第1の回路、6…可とう性を有する基板、7…レジストパターン、8…回路パターン、9、29…無電解めっき膜、10…絶縁層、15…第2の回路、18…孔、19…貫通孔、100…樹脂付き金属薄膜、50、60…多層配線板、700…印刷回路板。
DESCRIPTION OF
Claims (14)
該支持体上に蒸着法により形成された第1の金属層と、
該第1の金属層上に形成された第2の金属層と、
該第2の金属層上に形成された絶縁性の樹脂組成物からなる樹脂層と、
を備える樹脂付き金属薄膜。 A support;
A first metal layer formed by vapor deposition on the support;
A second metal layer formed on the first metal layer;
A resin layer made of an insulating resin composition formed on the second metal layer;
A metal thin film with a resin.
前記除去する工程を経て露出した前記第1の金属層の表面上に、前記第1の金属層及び前記第2の金属層を給電層としてセミアディティブ法により第3の金属層を形成して回路を得る工程と、
を有する印刷回路板の製造方法。 Removing the support from the resin-coated metal thin film according to any one of claims 1 to 10,
A circuit is formed by forming a third metal layer by a semi-additive method on the surface of the first metal layer exposed through the removing step, using the first metal layer and the second metal layer as a power feeding layer. Obtaining
A method for manufacturing a printed circuit board comprising:
該絶縁層上に設けられた回路であって、パターン化された第2の金属層と、該第2の金属層上に設けられ、蒸着法により形成されパターン化された第1の金属層と、該第1の金属層上に設けられたパターン化された第3の金属層と、を有する前記回路と、
を備える印刷回路板。 An insulating layer made of a cured product of an insulating resin composition;
A circuit provided on the insulating layer, the second metal layer patterned, and the first metal layer provided on the second metal layer and formed by vapor deposition and patterned A circuit having a patterned third metal layer provided on the first metal layer, and
Printed circuit board comprising.
前記フレキシブル回路基板上に、請求項1〜10のいずれか一項に記載の樹脂付き金属薄膜を、前記基板及び前記第1の回路の表面と前記樹脂層の表面とが接するように積層する工程と、
前記樹脂付き金属薄膜から前記支持体を除去する工程と、
前記除去する工程を経て露出した前記第1の金属層上に、前記第1の金属層及び前記第2の金属層を給電層としてセミアディティブ法により第3の金属層を形成して第2の回路を得る工程と、
前記第1の回路と前記第2の回路とを電気的に接続する工程と、
を有する多層配線板の製造方法。 Preparing a flexible circuit board comprising a flexible substrate and a first circuit provided on the main surface of the substrate;
The step of laminating the metal thin film with resin according to any one of claims 1 to 10 on the flexible circuit board so that the surface of the substrate and the first circuit and the surface of the resin layer are in contact with each other. When,
Removing the support from the metal thin film with resin;
On the first metal layer exposed through the removing step, a third metal layer is formed by a semi-additive method using the first metal layer and the second metal layer as a power feeding layer to form a second metal layer. Obtaining a circuit;
Electrically connecting the first circuit and the second circuit;
The manufacturing method of the multilayer wiring board which has this.
該基板の主面上に設けられた第1の回路と、
前記基板及び前記第1の回路上に設けられ、絶縁性の樹脂組成物の硬化物からなる絶縁層と、
該絶縁層上に設けられた第2の回路であって、パターン化された第2の金属層と、該第2の金属層上に設けられ、蒸着法により形成されパターン化された第1の金属層と、該第1の金属層上に設けられたパターン化された第3の金属層と、を有する前記第2の回路と、
前記第1の回路と前記第2の回路とを電気的に接続する接続部と、
を備える多層配線板。 A flexible substrate;
A first circuit provided on the main surface of the substrate;
An insulating layer provided on the substrate and the first circuit and made of a cured product of an insulating resin composition;
A second circuit provided on the insulating layer, the second metal layer patterned, and the first circuit provided on the second metal layer, formed by vapor deposition, and patterned. The second circuit comprising: a metal layer; and a patterned third metal layer provided on the first metal layer;
A connecting portion for electrically connecting the first circuit and the second circuit;
A multilayer wiring board comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007094701A JP2008201117A (en) | 2007-01-24 | 2007-03-30 | Metal thin film with plastic, printed-circuit board, its manufacturing method, multilayer wiring board, and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007013653 | 2007-01-24 | ||
JP2007094701A JP2008201117A (en) | 2007-01-24 | 2007-03-30 | Metal thin film with plastic, printed-circuit board, its manufacturing method, multilayer wiring board, and its manufacturing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008201117A true JP2008201117A (en) | 2008-09-04 |
Family
ID=39779075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2007094701A Pending JP2008201117A (en) | 2007-01-24 | 2007-03-30 | Metal thin film with plastic, printed-circuit board, its manufacturing method, multilayer wiring board, and its manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2008201117A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2109143A2 (en) | 2008-04-09 | 2009-10-14 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, production method thereof, and electronic device |
US10640614B2 (en) | 2016-07-28 | 2020-05-05 | 3M Innovative Properties Company | Segmented silicone polyamide block copolymers and articles containing the same |
US10865330B2 (en) | 2016-07-28 | 2020-12-15 | 3M Innovative Properties Company | Segmented silicone polyamide block copolymers and articles containing the same |
JPWO2022038875A1 (en) * | 2020-08-20 | 2022-02-24 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02141233A (en) * | 1988-11-22 | 1990-05-30 | Toyo Metaraijingu Kk | Laminated transfer film for printed wiring board |
JPH03203394A (en) * | 1989-12-29 | 1991-09-05 | Hitachi Chem Co Ltd | Manufacture of insulating substrate with thin metallic layer and manufacture of wiring board using insulating substrate manufactured thereby |
JPH03203393A (en) * | 1989-12-29 | 1991-09-05 | Hitachi Chem Co Ltd | Manufacture of wiring board |
JPH10335785A (en) * | 1997-05-29 | 1998-12-18 | Matsushita Electric Works Ltd | Circuit formation method |
JP2002539645A (en) * | 1999-03-12 | 2002-11-19 | ジーエイ−テック インク(ディービーエイ ゴールド エレクトロニックス インク) | Laminates for multilayer printed circuits |
WO2003004262A1 (en) * | 2001-07-06 | 2003-01-16 | Kaneka Corporation | Laminate and its producing method |
JP2004009357A (en) * | 2002-06-04 | 2004-01-15 | Toyo Metallizing Co Ltd | Metal vapor-deposited/metal plated laminated film and electronic part using the same |
JP2004122456A (en) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Panac Co Ltd | Metal layer transferred film excellent in crack resistance and metal layer transferring method |
JP2005325326A (en) * | 2004-04-12 | 2005-11-24 | Hitachi Chem Co Ltd | Prepreg, and metal-clad laminated plate and printed circuit board obtained using the same |
-
2007
- 2007-03-30 JP JP2007094701A patent/JP2008201117A/en active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02141233A (en) * | 1988-11-22 | 1990-05-30 | Toyo Metaraijingu Kk | Laminated transfer film for printed wiring board |
JPH03203394A (en) * | 1989-12-29 | 1991-09-05 | Hitachi Chem Co Ltd | Manufacture of insulating substrate with thin metallic layer and manufacture of wiring board using insulating substrate manufactured thereby |
JPH03203393A (en) * | 1989-12-29 | 1991-09-05 | Hitachi Chem Co Ltd | Manufacture of wiring board |
JPH10335785A (en) * | 1997-05-29 | 1998-12-18 | Matsushita Electric Works Ltd | Circuit formation method |
JP2002539645A (en) * | 1999-03-12 | 2002-11-19 | ジーエイ−テック インク(ディービーエイ ゴールド エレクトロニックス インク) | Laminates for multilayer printed circuits |
WO2003004262A1 (en) * | 2001-07-06 | 2003-01-16 | Kaneka Corporation | Laminate and its producing method |
JP2004009357A (en) * | 2002-06-04 | 2004-01-15 | Toyo Metallizing Co Ltd | Metal vapor-deposited/metal plated laminated film and electronic part using the same |
JP2004122456A (en) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Panac Co Ltd | Metal layer transferred film excellent in crack resistance and metal layer transferring method |
JP2005325326A (en) * | 2004-04-12 | 2005-11-24 | Hitachi Chem Co Ltd | Prepreg, and metal-clad laminated plate and printed circuit board obtained using the same |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2109143A2 (en) | 2008-04-09 | 2009-10-14 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, production method thereof, and electronic device |
US10640614B2 (en) | 2016-07-28 | 2020-05-05 | 3M Innovative Properties Company | Segmented silicone polyamide block copolymers and articles containing the same |
US10865330B2 (en) | 2016-07-28 | 2020-12-15 | 3M Innovative Properties Company | Segmented silicone polyamide block copolymers and articles containing the same |
JPWO2022038875A1 (en) * | 2020-08-20 | 2022-02-24 | ||
WO2022038875A1 (en) * | 2020-08-20 | 2022-02-24 | 長瀬産業株式会社 | Method for producing polymer film laminate, polymer film laminate and device provided with polymer film laminate |
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