JP2008258505A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】異なる運用方式が指定された場合でもスループットの低下を防止する。
【解決手段】複数のウエハを収納するキャリアと、ウエハに処理を施す複数の処理モジュールと、これら処理モジュールにウエハを搬送する搬送装置が設置された搬送室と、キャリアに収納されたそれぞれのウエハに指定された運用方式に基づき搬送装置および処理モジュール内の処理を実行させるコントローラとを備えており、コントローラはそれぞれのウエハに指定された運用方式のうち所定の運用方式を選択し、選択された運用方式が指定されているウエハから優先して実行させる。一枚のウエハ毎に処理条件を変更せずに済むので、連続処理装置のスループットを向上できる。
【選択図】図４

Description

本発明は、基板処理装置に関し、特に、運用順序の最適化技術に係り、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造工場において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に金属膜や絶縁膜および半導体膜を形成するのに利用して有効なものに関する。

ＩＣの製造方法において、ウエハに金属膜や絶縁膜および半導体膜を形成する成膜工程には、マルチチャンバ型基板処理装置（以下、基板処理装置という。）が広く使用されている。
従来の基板処理装置として、平面視が六角形で上下両端が閉塞した箱形状のロードロックチャンバ構造に形成されてウエハ移載室を構成する筐体を備えており、ウエハ移載室にはウエハ移載装置が設置されているとともに、筐体の６枚の側壁には複数の予備室および複数の処理モジュールがそれぞれ連結されているものがある。
また、基板処理装置には、ウエハの運用方式を指定してウエハ移載装置や処理モジュールにそれを実行させる制御コントローラが、搭載されている。

前述した基板処理装置においては、異なる運用方式が指定されたウエハが複数枚混流している場合には、スループットが低下するという問題点があった。

本発明の目的は、異なる運用方式が指定される基板が複数枚混流している場合であってもスループットの低下を防止することができる基板処理装置を提供することにある。

本願において開示される発明のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）複数の基板を収納するキャリアと、前記基板に処理を施す複数の処理モジュールと、これら処理モジュールに前記基板を搬送する搬送装置が設置された搬送室と、前記キャリアに収納されたそれぞれの基板に指定された運用方式に基づき前記搬送装置および前記処理モジュール内の処理を実行させるコントローラとを備えており、
前記コントローラは、前記それぞれの基板に指定された運用方式のうち所定の運用方式を選択し、選択された運用方式が指定されている基板から優先して実行させる基板処理装置。

前記手段によれば、異なる運用方式が指定される基板が複数枚混流している場合であってもスループットの低下を防止することができる。

以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。

本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、図１および図２に示されているように、マルチチャンバ型基板処理装置（以下、連続処理装置という。）として構成されている。この連続処理装置はＩＣの製造方法にあってウエハに所望の薄膜を堆積させる成膜工程に使用されるように構成されている。
なお、本実施の形態に係る連続処理装置においてはウエハ搬送用のキャリアとしては、ＦＯＵＰ（front opening unified pod 。以下、ポッドという。）が使用されている。
以下の説明において、前後左右は図１を基準とする。すなわち、第二ウエハ移載室４０側が前側、その反対側すなわち第一ウエハ移載室１０側が後側、第一予備室２０側が左側、第二予備室３０側が右側とする。

図１および図２に示されているように、連続処理装置は搬送室としての第一ウエハ移載室１０を備えており、第一ウエハ移載室１０は大気圧未満の圧力（負圧）に耐えるロードロックチャンバ構造に構成されている。第一ウエハ移載室（以下、負圧移載室という。）１０の筐体（以下、負圧移載室筐体という。）１１は、平面視が六角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。

負圧移載室１０の中央部には、ウエハを保持して搬送する搬送装置としてのウエハ移載装置１２が設置されており、ウエハ移載装置１２は負圧下においてウエハＷを移載するように構成されている。ウエハ移載装置（以下、負圧移載装置という。）１２は、スカラ形ロボット（selective compliance assembly robot arm ＳＣＡＲＡ）によって構成されており、負圧移載室筐体１１の底壁に設置されたエレベータ１３によって気密シールを維持しつつ昇降するように構成されている。
負圧移載装置１２はウエハＷを保持する保持部としての一対のアーム１４、１５を備えている。上側に位置する第一アーム（以下、上側アームという。）１４の先端部には、二股のフォーク形状に形成された上側エンドエフェクタ１６が取り付けられており、下側に位置する第二アーム（以下、下側アームという。）１５の先端部には、下側エンドエフェクタ１７が取り付けられている。

負圧移載室筐体１１の６枚の側壁のうち正面側に位置する２枚の側壁には、負圧移載室１０に対してウエハＷを搬入搬出する予備室としての第一予備室２０と第二予備室３０とがそれぞれ隣接して連結されている。
第一予備室２０の筐体（以下、第一予備室筐体という。）２１および第二予備室３０の筐体（以下、第二予備室筐体という。）３１はいずれも、平面視が大略四角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されているとともに、負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。

互いに隣接した第一予備室筐体２１の側壁および負圧移載室筐体１１の側壁には搬入搬出口２２、２３がそれぞれ開設されており、負圧移載室１０側の搬入搬出口２３には搬入搬出口２２、２３を開閉するゲートバルブ２４が設置されている。第一予備室２０には第一予備室用仮置き台２５が設置されている。
互いに隣接した第二予備室筐体３１の側壁および負圧移載室筐体１１の側壁には搬入搬出口３２、３３がそれぞれ開設されており、負圧移載室１０側の搬入搬出口３３には搬入搬出口３２、３３を開閉するゲートバルブ３４が設置されている。第二予備室３０には第二予備室用仮置き台３５が設置されている。

第一予備室２０および第二予備室３０の前側には、大気圧以上の圧力（正圧）を維持可能な構造に構成された第二ウエハ移載室（以下、正圧移載室という。）４０が隣接して連結されており、正圧移載室４０の筐体（以下、正圧移載室筐体という。）４１は、平面視が横長の長方形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。
正圧移載室４０には正圧下でウエハＷを移載する第二ウエハ移載装置（以下、正圧移載装置という。）４２が設置されており、正圧移載装置４２はスカラ形ロボットによって２枚のウエハを同時に搬送し得るように構成されている。
正圧移載装置４２は正圧移載室４０に設置されたエレベータ４３によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ４４によって左右方向に往復移動されるように構成されている。

互いに隣接した第一予備室筐体２１の側壁および正圧移載室筐体４１の側壁には搬入搬出口２６、２７がそれぞれ開設されており、正圧移載室４０側の搬入搬出口２７には搬入搬出口２６、２７を開閉するゲートバルブ２８が設置されている。
互いに隣接した第二予備室筐体３１の側壁および正圧移載室筐体４１の側壁には搬入搬出口３６、３７がそれぞれ開設されており、正圧移載室４０側の搬入搬出口３７には搬入搬出口３６、３７を開閉するゲートバルブ３８が設置されている。
図１に示されているように、正圧移載室４０の左側にはノッチ合わせ装置４５が設置されている。
また、図２に示されているように、正圧移載室４０の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット４６が設置されている。

図１および図２に示されているように、正圧移載室筐体４１の正面壁には三つのウエハ搬入搬出口４７、４８、４９が左右方向に並べられて開設されており、これらのウエハ搬入搬出口４７、４８、４９はウエハＷを正圧移載室４０に対して搬入搬出し得るように設定されている。これらのウエハ搬入搬出口４７、４８、４９にはポッドオープナ５０がそれぞれ設置されている。

ポッドオープナ５０はポッドＰを載置する載置台５１と、載置台５１に載置されたポッドＰのキャップを着脱するキャップ着脱機構５２とを備えており、載置台５１に載置されたポッドＰのキャップをキャップ着脱機構５２によって着脱することにより、ポッドＰのウエハ出し入れ口を開閉するようになっている。
ポッドオープナ５０の載置台５１に対してはポッドＰが、図示しない構内搬送装置（ＲＧＶ）によって供給および排出されるようになっている。したがって、載置台５１によってキャリアステージとしてのポッドステージが構成されていることになる。

図１に示されているように、負圧移載室筐体１１の６枚の側壁のうち背面側に位置する２枚の側壁には、第一処理モジュールとしての第一ＣＶＤモジュール６１と、第二処理モジュールとしての第二ＣＶＤモジュール６２とがそれぞれ隣接して連結されている。第一ＣＶＤモジュール６１および第二ＣＶＤモジュール６２はいずれも、枚葉式ＣＶＤ装置（枚葉式コールドウオール形ＣＶＤ装置）によってそれぞれ構成されている。
また、負圧移載室筐体１１における６枚の側壁のうちの残りの互いに対向する２枚の側壁には、第三処理モジュールとしての第一クーリングモジュール６３と、第四処理モジュールとしての第二クーリングモジュール６４とがそれぞれ連結されており、第一クーリングモジュール６３および第二クーリングモジュール６４はいずれも、処理済みのウエハＷを冷却するように構成されている。
なお、図１中、６５、６６、６７、６８はウエハ搬入搬出口である。

連続処理装置は図３に示された制御システム７０を備えている。
図３に示されているように、制御システム７０はパーソナルコンピュータ等から構築されたメインコントローラ７１を備えている。メインコントローラ７１にはＬＡＮシステム７２を介して、負圧移載装置１２を制御するサブコントローラ７３、正圧移載装置４２を制御するサブコントローラ７４、第一ＣＶＤモジュール（第一処理モジュール）６１を制御するサブコントローラ７５、第二ＣＶＤモジュール（第二処理モジュール）６２を制御するサブコントローラ７６、第一クーリングモジュール（第三処理モジュール）６３を制御するサブコントローラ７７、第二クーリングモジュール（第四処理モジュール）６４を制御するサブコントローラ７８等が接続されている。
メインコントローラ７１には、キーボードやマウス等の入力手段によって構成された入力装置８１、テレビモニタ等の表示部（操作画面）によって構成された表示装置８２、記憶媒体駆動装置等によって構成された記憶装置８３等が接続されている。
また、メインコントローラはホストコンピュータ８４に接続することができるようになっている。

メインコントローラ７１はＧＵＩ（グラフィカル・ユーザ・インタフエース）８５を備えている。ＧＵＩ８５は表示装置８２に表示された操作画面上のアイコン（機能を表す図形記号）をマウスポインタで指示してクリックしたり、カーソルで指示して決定したりして選択することにより、画面を切り替えたり、処理や命令、判断およびデータ（情報）を入力することができるようにするソフトウエア、である。

メインコントローラ７１には負圧移載装置１２、正圧移載装置４０、第一ＣＶＤモジュール６１、第二ＣＶＤモジュール６２、第一クーリングモジュール６３および第二クーリングモジュール６４の運用を最適化するプログラム（以下、最適化プログラムという。）８６が組み込まれている。
運用最適化プログラム８６は、ウエハに対する負圧移載装置１２、正圧移載装置４０および第一ＣＶＤモジュール６１〜第二クーリングモジュール６４の運用方式（後述する）を指定する運用方式指定部８７と、運用方法テーブルを作成する運用方式テーブル作成部８８と、テーブルから同一運用方式を選択する同一運用方式選択部８９とを備えており、後述するプロセスフローを実行するように構成されている。

以下、前記構成に係る連続処理装置の運用方法を説明する。
まず、ＩＣの製造方法における成膜工程（プロセス）を実施する場合に即して、ウエハのフローに伴う連続処理装置の作動を説明する。
これから成膜すべきウエハＷは２５枚がポッドＰに収納された状態で、成膜工程を実施する連続処理装置へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。
図１および図２に示されているように、搬送されて来たポッドＰは第一予備室２０におけるポッドオープナ５０の載置台５１の上に構内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッドＰのキャップがキャップ着脱機構５２によって取り外され、ポッドＰのウエハ出し入れ口が開放される。

ポッドＰがポッドオープナ５０によって開放されると、正圧移載室４０に設置された正圧移載装置４２はウエハ搬入搬出口４７を通してポッドＰからウエハＷを１枚ずつピックアップし、第一予備室２０に搬入搬出口２６、２７を通して搬入（ウエハローディング）し、ウエハＷを第一予備室用仮置き台２５に移載して行く。
この移載作業中には、負圧移載室１０側の搬入搬出口２２、２３はゲートバルブ２４によって閉じられており、負圧移載室１０の負圧は維持されている。

ポッドＰ内のウエハＷの第一予備室用仮置き台２５への移載が完了すると、正圧移載室４０側の搬入搬出口２６、２７がゲートバルブ２８によって閉じられ、第一予備室２０が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。
第一予備室２０が予め設定された圧力値に減圧されると、負圧移載室１０側の搬入搬出口２２、２３がゲートバルブ２４によって開かれる。

次に、負圧移載室１０の負圧移載装置１２は搬入搬出口２２、２３を通して第一予備室用仮置き台２５から処理前のウエハＷを１枚ずつピックアップして負圧移載室１０に搬入する。
例えば、負圧移載装置１２は処理前のウエハＷを第一ＣＶＤモジュール６１のウエハ搬入搬出口６５に搬送して、ウエハ搬入搬出口６５から第一ＣＶＤモジュール６１である枚葉式ＣＶＤ装置の処理室へ搬入（ウエハローディング）する。

第一ＣＶＤモジュール６１において所定の成膜処理が終了すると、成膜処理後（成膜済）のウエハＷは第一ＣＶＤモジュール６１から負圧移載装置１２によってピックアップされて、負圧に維持されている負圧移載室１０に第一ＣＶＤモジュール６１のウエハ搬入搬出口６５から搬出（ウエハアンローディング）される。

成膜処理後のウエハＷを第一ＣＶＤモジュール６１から負圧移載室１０に搬出すると、負圧移載装置１２は成膜処理後のウエハＷを第一クーリングモジュール６３の冷却室へウエハ搬入搬出口６７およびゲート６７Ａを通して搬入するとともに、冷却室のウエハ載置台に移載する。
ウエハＷは第一クーリングモジュール６３において冷却処理される。

第一クーリングモジュール６３において予め設定された冷却時間が経過すると、冷却処理後のウエハＷは負圧移載装置１２によって第一クーリングモジュール６３からピックアップされて、負圧移載室１０の搬入搬出口２３へ搬送され、第一予備室２０に搬入搬出口２３を通して搬出されて第一予備室用仮置き台２５に移載される。

第一予備室２０のロードロックが解除された後に、正圧移載室４０の第一予備室２０に対応したウエハ搬入搬出口４７がポッドオープナ５０によって開かれるとともに、載置台５１に載置された空のポッドＰのキャップがポッドオープナ５０によって開かれる。
続いて、正圧移載室４０の正圧移載装置４２は第一予備室用仮置き台２５からウエハＷを搬入搬出口２７を通してピックアップして正圧移載室４０に搬出し、正圧移載室４０のウエハ搬入搬出口４７を通してポッドＰに収納（チャージング）して行く。

処理済の２５枚のウエハＷのポッドＰへの収納が完了すると、ポッドＰのキャップがポッドオープナ５０のキャップ着脱機構５２によってウエハ出し入れ口に装着され、ポッドＰが閉じられる。
閉じられたポッドＰは載置台５１の上から次の工程へ構内搬送装置によって搬送されて行く。
以上の作動が繰り返されることにより、ウエハが１枚ずつ順次に処理されて行く。

次に、運用最適化プログラム８６による最適運用方法を図４および図５について説明する。
ここでは、便宜上、１台のポッドＰ内の２５枚のウエハＷに対して、第一ＣＶＤモジュール６１および／または第二ＣＶＤモジュール６２がそれぞれ適宜に使用されることにより、２５枚のウエハＷに対して所望の処理がそれぞれ施される場合について説明する。

ここで、第一ＣＶＤモジュール６１および／または第二ＣＶＤモジュール６２を使用する連続処理装置の運用方式としては図６〜図１０に示された５通りの運用方式がある。
図６に示された運用方式は、第一ＣＶＤモジュール６１を使用して処理を施す方式（以下、第一運用方式という。）である。
第一運用方式は次のように実行される（図６および図３参照）。
第一運用方式が指定されたウエハＷがポッドＰから連続して第一予備室２０の仮置き台２５へ搬送される。
サブコントローラ７３が負圧移載装置１２を制御することにより、第一運用方式が指定されたウエハＷが第一予備室２０の仮置き台２５からピックアップされ、第一ＣＶＤモジュール６１に搬入される。
サブコントローラ７５の制御により、第一ＣＶＤモジュール６１がウエハＷにレシピに指定された処理を施す。
処理が終了すると、サブコントローラ７３が負圧移載装置１２を制御することにより、処理済のウエハＷがピックアップされ、第二予備室３０の仮置き台３５の対応する番号のスロットに移載される。
図７に示された運用方式は、第二ＣＶＤモジュール６２を使用して処理を施す方式（以下、第二運用方式という。）である。
第二運用方式は次のように実行される（図７および図３参照）。
第二運用方式が指定されたウエハＷがポッドＰから連続して第一予備室２０の仮置き台２５へ搬送される。
サブコントローラ７３が負圧移載装置１２を制御することにより、第二運用方式が指定されたウエハＷが第一予備室２０の仮置き台２５からピックアップされ、第二ＣＶＤモジュール６２に搬入される。
サブコントローラ７６の制御により、第二ＣＶＤモジュール６２がウエハＷにレシピに指定された処理を施す。
処理が終了すると、サブコントローラ７３が負圧移載装置１２を制御することにより、処理済のウエハＷがピックアップされ、第二予備室３０の仮置き台３５の対応する番号のスロットに移載される。
図８に示された運用方式は、第一ＣＶＤモジュール６１と第二ＣＶＤモジュール６２のどちらを使用してウエハＷに処理を施してもよい方式（以下、第三運用方式という。）であり、使用されていない方のＣＶＤモジュールを使用してウエハＷに処理を施すことができる。
第三運用方式は次のように実行される（図８および図３参照）。
第三運用方式が指定されたウエハＷがポッドＰから連続して第一予備室２０の仮置き台２５へ搬送される。
サブコントローラ７３が負圧移載装置１２を制御することにより、第三運用方式が指定されたウエハＷが第一予備室２０の仮置き台２５からピックアップされ、第一ＣＶＤモジュール６１または第二ＣＶＤモジュール６２の都合のよい方に搬入される。
サブコントローラ７５または７６の制御により、第一ＣＶＤモジュール６１または第二ＣＶＤモジュール６２がウエハＷにレシピに指定された処理を施す。
処理が終了すると、サブコントローラ７３が負圧移載装置１２を制御することにより、処理済のウエハＷがピックアップされ、第二予備室３０の仮置き台３５の対応する番号のスロットに移載される。
図９に示された運用方式は、第一ＣＶＤモジュール６１を使用してウエハＷに処理を施した後に、同一のウエハＷに対して第二ＣＶＤモジュール６２を使用して処理を施す方式（以下、第四運用方式という。）である。
第四運用方式は次のように実行される（図９および図３参照）。
第四運用方式が指定されたウエハＷがポッドＰから連続して搬送される。
サブコントローラ７３が負圧移載装置１２を制御することにより、第四運用方式が指定されたウエハＷが第一予備室２０の仮置き台２５からピックアップされ、まず、第一ＣＶＤモジュール６１に搬入される。
サブコントローラ７５の制御により、第一ＣＶＤモジュール６１がウエハＷにレシピに指定された処理を施す。
処理が終了すると、サブコントローラ７３が負圧移載装置１２を制御することにより、第一ＣＶＤモジュール６１での処理済のウエハＷがピックアップされ、第二ＣＶＤモジュール６２に搬入される。
サブコントローラ７６の制御により、第二ＣＶＤモジュール６２がウエハＷにレシピに指定された処理を施す。
処理が終了すると、サブコントローラ７３が負圧移載装置１２を制御することにより、第二ＣＶＤモジュール６２での処理済のウエハＷがピックアップされ、第二予備室３０の仮置き台３５の対応する番号のスロットに移載される。
図１０に示された運用方式は、第二ＣＶＤモジュール６２を使用してウエハＷに処理を施した後に、同一のウエハＷに対して第一ＣＶＤモジュール６１を使用して処理を施す方式（以下、第五運用方式という。）である。
第五運用方式は次のように実行される（図１０および図３参照）。
第五運用方式が指定されたウエハＷがポッドＰから連続して搬送される。
サブコントローラ７３が負圧移載装置１２を制御することにより、第五運用方式が指定されたウエハＷが第一予備室２０の仮置き台２５からピックアップされ、まず、第二ＣＶＤモジュール６２に搬入される。
サブコントローラ７６の制御により、第二ＣＶＤモジュール６２がウエハＷにレシピに指定された処理を施す。
処理が終了すると、サブコントローラ７３が負圧移載装置１２を制御することにより、第二ＣＶＤモジュール６２での処理済のウエハＷがピックアップされ、第一ＣＶＤモジュール６１に搬入される。
サブコントローラ７５の制御により、第一ＣＶＤモジュール６１がウエハＷにレシピに指定された処理を施す。
処理が終了すると、サブコントローラ７３が負圧移載装置１２を制御することにより、第一ＣＶＤモジュール６１での処理済のウエハＷがピックアップされ、第二予備室３０の仮置き台３５の対応する番号のスロットに移載される。

前述した連続処理装置の運用方法において、メインコントローラ７１の表示装置８２の表示部（操作画面）の運用最適化プログラム開始釦（図示せず）がクリックされると、図４に示されているように、運用最適化プログラム８６は運用方式作成要求を受信する（ステップＡ１）。
運用最適化プログラム８６は運用方式を作成する（ステップＡ２）。
各ウエハをどのようにして処理するかが、前述した５通りの運用方式のうちから適切な運用方式が操作画面上で選択される。
ちなみに、ポッドＰの２５段のスロット番号と２５枚のウエハの識別コードとは、対応されて記憶装置８３等に記憶されているので、どのウエハかは特定することができる。

２５枚のウエハについて運用方式の選択が完了すると、運用最適化プログラム８６は運用方式テーブル作成要求を受信する（ステップＡ３）。
運用最適化プログラム８６は、次の表１に示されているような運用方式テーブルを作成する（ステップＡ４）。

次に、運用最適化プログラム８６は図５に示されたプログラムフローを実行する（ステップＡ６）。

図５に示されたプログラムフローにおいては、まず、ウエハの運用方式が調査される（ステップＢ１）。
運用方式が未実行かが判断される（ステップＢ２）。
未実行の場合には、先頭かが判断される（ステップＢ３）。
先頭の場合には、運用方式が退避される（ステップＢ４）。
次いで、退避した運用方式と同じ運用方式かが判断される（ステップＢ５）。
同じ場合には、その運用方式にフラグが立てられる（ステップＢ６）。
違うと判断された場合およびフラグが立てられると、図４に示されたステップＡ６に進む。

ステップＡ６においては、運用方式の実行がチェックされる。
続いて、チェック良かが判断される（ステップＡ７）。
不良（ＮＯ）の場合には、ステップＡ６に戻り、再度、チェックされる。
良（ＹＥＳ）の場合には、サブコントローラへチェックされた運用方式の実行が指令される（ステップＡ８）。

サブコントローラは前述した連続処理装置の運用方法を実行する（ステップＡ９）。

運用方式の終了が通知される（ステップＡ１０）と、運用最適化プログラム８６は終了かを判断する（ステップＡ１１）。
終了でない場合（ＮＯ）には、ステップＡ５に戻り、図５に示された運用最適化プログラムフローを繰り返す。

運用最適化プログラムフローの繰り返しに際しては、前回実行された運用方式が優先的に指令される。
表１のテーブルの例では、１番目に選択された第三運用方式は、１番スロットの他は、６番スロット、１１番スロット、１６番スロットおよび２１番スロットの各ウエハに選択されているので、これらのウエハについて、第三運用方式が連続して実行される。

１番スロット、６番スロット、１１番スロット、１６番スロットおよび２１番スロットの各ウエハに対して１番目の運用方式である第三運用方式が全て実行されると、運用最適化プログラムフローにおいては、２番スロットのウエハに選択された第一運用方式の実行が指令されるので、第一運用方式の実行が２番目の運用方式としてチェックされる（ステップＡ６）。
続いて、チェック良かが判断される（ステップＡ７）。
不良（ＮＯ）の場合には、ステップＡ６に戻り、再度、チェックされる。
良（ＹＥＳ）の場合には、サブコントローラへチェックされた第一運用方式の実行が指令される（ステップＡ８）。

サブコントローラは前述した連続処理装置の運用方法を実行する（ステップＡ９）。

表１のテーブルの例では、２番目に選択された第一運用方式は、２番スロットの他は、７番スロット、１２番スロット、１７番スロットおよび２２番スロットの各ウエハに選択されているので、これらのウエハについて、第一運用方式が連続して実行される。

２番スロット、７番スロット、１２番スロット、１７番スロットおよび２２番スロットの各ウエハに対して２番目の運用方式である第一運用方式が全て実行されると、運用最適化プログラムフローにおいては、３番スロットのウエハに選択された第二運用方式の実行が指令されるので、第二運用方式の実行が３番目の運用方式としてチェックされる（ステップＡ６）。
続いて、チェック良かが判断される（ステップＡ７）。
不良（ＮＯ）の場合には、ステップＡ６に戻り、再度、チェックされる。
良（ＹＥＳ）の場合には、サブコントローラへチェックされた第二運用方式の実行が指令される（ステップＡ８）。

サブコントローラは前述した連続処理装置の運用方法を実行する（ステップＡ９）。

表１のテーブルの例では、３番目に選択された第二運用方式は、３番スロットの他は、８番スロット、１３番スロット、１８番スロットおよび２３番スロットの各ウエハに選択されているので、これらのウエハについて、第二運用方式が連続して実行される。

３番スロット、８番スロット、１３番スロット、１８番スロットおよび２３番スロットの各ウエハに対して３番目の運用方式である第二運用方式が全て実行されると、運用最適化プログラムフローにおいては、４番スロットのウエハに選択された第四運用方式の実行が指令されるので、第四運用方式の実行が４番目の運用方式としてチェックされる（ステップＡ６）。
続いて、チェック良かが判断される（ステップＡ７）。
不良（ＮＯ）の場合には、ステップＡ６に戻り、再度、チェックされる。
良（ＹＥＳ）の場合には、サブコントローラへチェックされた第四運用方式の実行が指令される（ステップＡ８）。

サブコントローラは前述した連続処理装置の運用方法を実行する（ステップＡ９）。

表１のテーブルの例では、４番目に選択された第四運用方式は、４番スロットの他は、９番スロット、１４番スロット、１９番スロットおよび２４番スロットの各ウエハに選択されているので、これらのウエハについて、第四運用方式が連続して実行される。

４番スロット、９番スロット、１４番スロット、１９番スロットおよび２４番スロットの各ウエハに対して４番目の運用方式である第四運用方式が全て実行されると、運用最適化プログラムフローにおいては、５番スロットのウエハに選択された第五運用方式の実行が指令されるので、第五運用方式の実行が５番目の運用方式としてチェックされる（ステップＡ６）。
続いて、チェック良かが判断される（ステップＡ７）。
不良（ＮＯ）の場合には、ステップＡ６に戻り、再度、チェックされる。
良（ＹＥＳ）の場合には、サブコントローラへチェックされた第五運用方式の実行が指令される（ステップＡ８）。

サブコントローラは前述した連続処理装置の運用方法を実行する（ステップＡ９）。

表１のテーブルの例では、５番目に選択された第五運用方式は、５番スロットの他は、１０番スロット、１５番スロット、２０番スロットおよび２５番スロットの各ウエハに選択されているので、これらのウエハについて、第五運用方式が連続して実行される。

以上のようにして、５番目の運用方式である第五運用方式が連続して実行され、２５番スロットのウエハについての終了が通知される（ステップＡ１０）と、終了の判断ステップＡ１１においては、終了（ＹＥＳ）が判断されるので、図４のプロセスフローは終了する。

前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。

1) １台のポッドに運用方式がそれぞれ異なる複数枚のウエハが収納されている場合において、同一の運用方式毎に連続して処理を施すことにより、一枚のウエハ毎に処理条件を変更せずに済むために、連続処理装置のスループットを高めることができる。

2) 連続処理装置の複数個のモジュールの構造や配置等は変更しなくて済むために、連続処理装置のコストアップを抑制することができる。

なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。

例えば、実行する運用方式の順序は、ポッドのスロット番号順によって決定するに限らず、連続処理装置の処理モジュールの都合に対応して決定してもよい。

運用方式は５通りに限らず、処理モジュールの数等に対応して変更調整することができる。

前記実施の形態ではマルチチャンバ型連続処理装置について説明したが、クラスタ型連続処理装置等の基板処理装置全般に適用することができる。

また、ウエハを処理する場合について説明したが、液晶パネルや磁気ディスク、光ディスク等の基板全般について適用することができる。

本発明の一実施の形態であるマルチチャンバ型連続処理装置を示す平面断面図である。 その側面断面図である。 その制御システムを示すブロック図である。 最適運用を示すプロセスフローチャートである。 最適化プログラムのフローチャートである。 第一運用方式を示す模式図である。 第二運用方式を示す模式図である。 第三運用方式を示す模式図である。 第四運用方式を示す模式図である。 第五運用方式を示す模式図である。

符号の説明

Ｗ…ウエハ（基板）、Ｐ…ポッド（基板キャリア）、
１０…負圧移載室（搬送室）、１１…負圧移載室筐体、１２…負圧移載装置（搬送装置）、１３…エレベータ、１４…上側アーム（保持部）、１５…下側アーム（保持部）、１６、１７…エンドエフェクタ、
２０…第一予備室、２１…第一予備室筐体、２２、２３…搬入搬出口、２４…ゲートバルブ、２５…第一予備室用仮置き台、２６、２７…搬入搬出口、２８…ゲートバルブ、
３０…第二予備室、３１…第二予備室筐体、３２、３３…搬入搬出口、３４…ゲートバルブ、３５…第二予備室用仮置き台、３６、３７…搬入搬出口、３８…ゲートバルブ、
４０…正圧移載室（ウエハ移載室）、４１…正圧移載室筐体、４２…正圧移載装置（ウエハ移載装置）、４３…エレベータ、４４…リニアアクチュエータ、４５…ノッチ合わせ装置、４６…クリーンユニット、
４７、４８、４９…ウエハ搬入搬出口、５０…ポッドオープナ、５１…載置台、５２…キャップ着脱機構、
６１…第一ＣＶＤモジュール（第一処理モジュール）、６２…第二ＣＶＤモジュール（第二処理モジュール）、６３…第一クーリングモジュール（第三処理モジュール）、６４…第二クーリングモジュール（第四処理モジュール）、６５、６６、６７、６８…ウエハ搬入搬出口、
７０…制御システム（制御装置）、７１…メインコントローラ、７２…ＬＡＮシステム、７３〜７８…サブコントローラ、８１…入力装置、８２…表示装置、８３…記憶装置、８４…ホストコンピュータ、８５…ＧＵＩ、
８６…運用最適化プログラム、８７…運用方式指定部、８８…テーブル作成部、８９…同一運用方式選択部。

Claims (1)

1. 複数の基板を収納するキャリアと、前記基板に処理を施す複数の処理モジュールと、これら処理モジュールに前記基板を搬送する搬送装置が設置された搬送室と、前記キャリアに収納されたそれぞれの基板に指定された運用方式に基づき前記搬送装置および前記処理モジュール内の処理を実行させるコントローラとを備えており、
   前記コントローラは、前記それぞれの基板に指定された運用方式のうち所定の運用方式を選択し、選択された運用方式が指定されている基板から優先して実行させる基板処理装置。

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