[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2008255003A - カーバイド誘導炭素を利用したカーボンナノチューブ混成体とその製造方法、それを含む電子放出源及び前記電子放出源を備えた電子放出素子 - Google Patents

カーバイド誘導炭素を利用したカーボンナノチューブ混成体とその製造方法、それを含む電子放出源及び前記電子放出源を備えた電子放出素子 Download PDF

Info

Publication number
JP2008255003A
JP2008255003A JP2008080005A JP2008080005A JP2008255003A JP 2008255003 A JP2008255003 A JP 2008255003A JP 2008080005 A JP2008080005 A JP 2008080005A JP 2008080005 A JP2008080005 A JP 2008080005A JP 2008255003 A JP2008255003 A JP 2008255003A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carbide
carbon
electron emission
derived
derived carbon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008080005A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoon-Jin Kim
潤珍 金
Jae Myung Kim
載明 金
Hee-Sung Moon
希誠 文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung SDI Co Ltd
Original Assignee
Samsung SDI Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung SDI Co Ltd filed Critical Samsung SDI Co Ltd
Publication of JP2008255003A publication Critical patent/JP2008255003A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158—Carbon nanotubes
    • C01B32/16—Preparation
    • C01B32/162—Preparation characterised by catalysts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
    • C01B2202/02—Single-walled nanotubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/304—Field emission cathodes
    • H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
    • H01J2201/30453—Carbon types
    • H01J2201/30469—Carbon nanotubes (CNTs)
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/734—Fullerenes, i.e. graphene-based structures, such as nanohorns, nanococoons, nanoscrolls or fullerene-like structures, e.g. WS2 or MoS2 chalcogenide nanotubes, planar C3N4, etc.
    • Y10S977/742—Carbon nanotubes, CNTs
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Abstract

【課題】カーバイド誘導炭素を利用したカーボンナノチューブ混成体、それを含む電子放出源及び前記電子放出源を備えた電子放出素子を提供する。
【解決手段】カーバイド化合物をハロゲン族元素含有気体と反応させて、カーバイド化合物内の炭素以外の残りの元素を抽出することによって製造されたカーバイド誘導炭素と、カーバイド誘導炭素に担持された金属またはカーバイド誘導炭素に残留する金属と、カーボンソースとの反応によって得られたカーボンナノチューブ混成体であって、カーボンナノチューブ混成体が、カーバイド誘導炭素とそれから成長したカーボンナノチューブとを含むカーボンナノチューブ混成体である。
【選択図】図１Ａ

Description

本発明は、カーバイド誘導炭素を利用したカーボンナノチューブ（ＣＮＴ：Ｃａｒｂｏｎ Ｎａｎｏ Ｔｕｂｅ）混成体とその製造方法、それを含む電子放出源及び前記電子放出源を備えた電子放出素子に係り、さらに具体的には、均一性に優れ、かつ長寿命を有する電子放出源が提供できるだけでなく、従来の炭素ナノチューブを採用する場合に比べて、はるかに低いコストで電子放出源を製造できるＣＮＴ混成体とその製造方法、それを含む電子放出源及び前記電子放出源を備えた電子放出素子に関する。
一般的に、電子放出素子は、電子放出源として熱陰極を利用する方式と冷陰極を利用する方式とがある。冷陰極を利用する方式の電子放出素子としては、ＦＥＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｔｔｅｒ Ａｒｒａｙ）型、ＳＣＥ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｍｉｔｔｅｒ）型、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）型及びＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型、ＢＳＥ（Ｂａｌｌｉｓｔｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ）型が知られている。
前記ＦＥＡ型は、仕事関数が低いか、またはβ関数が高い物質を電子放出源として使用する場合、真空中で電界差によって容易に電子が放出される原理を利用したものであって、Ｍｏ、Ｓｉなどを主材質とする先端がとがっているチップ構造物やグラファイト、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）などの炭素系物質、そして、最近、ナノチューブやナノワイヤなどのナノ物質を電子放出源として適用した素子が開発されている。
前記ＳＣＥ型は、第１基板上に相互対向して配置された第１電極と第２電極との間に導電薄膜を提供し、前記導電薄膜に微細亀裂を提供することによって電子放出源を形成した素子である。前記素子は、前記電極に電圧を印加して前記導電薄膜の表面に電流を流して、微細亀裂の電子放出源から電子が放出される原理を利用する。
前記ＭＩＭ型及びＭＩＳ型電子放出素子は、それぞれ金属−誘電層−金属（ＭＩＭ）と金属−誘電層−半導体（ＭＩＳ）構造からなる電子放出源を形成し、誘電層を介して位置する二つの金属または金属と半導体との間に電圧を印加する時、高い電子電位を有する金属または半導体から、低い電子電位を有する金属方向に電子が移動及び加速されつつ放出される原理を利用した素子である。
前記ＢＳＥ型は、半導体のサイズを半導体中の電子の平均自由行程より小さい寸法領域まで縮少すれば、電子が散乱せずに走行する原理を利用して、オーミック電極上に金属または半導体からなる電子供給層を形成し、電子供給層上に絶縁体層と金属薄膜を形成して、オーミック電極と金属薄膜とに電源を印加することによって電子を放出させた素子である。
このうち、ＦＥＡ型電子放出素子は、カソード電極とゲート電極との配置形態によって、トップゲート型とアンダーゲート型とに大別され、使われる電極の数によって２極管、３極管または４極管に分けられる。
前述したような電子放出素子のうち、電子を放出させる電子放出源を構成する物質として、カーボン系物質、例えば、伝導性、電界集中効果及び電界放出特性に優れ、仕事関数が低いＣＮＴが広く使われている。
しかし、ＣＮＴは、フィールド強化因子（β）の大きいファイバ形態のものが一般的であり、このような形態を有する材料は、材料の均一性及び寿命で多くの問題点を有している。また、ペースト、インクまたはスラリーを製造する時に、このようなファイバ形態によって粒子状の他材料より不利な工程上の問題点を有しており、さらに原材料自体が非常に高コストの物質であるという問題点がある。
最近では、ＣＮＴのこのような短所を解決するために、低コストのカーバイド系化合物からＣＮＴを代替しうる物質を開発するための研究が進められている。具体的には、特許文献１は、カーバイドを炭素前駆物質として使用して運搬孔隙率を有する作業片を形成し、熱化学処理によって前記作業片にナノサイズの孔隙を形成する工程を含む多孔性炭素製品の製造方法及び前記製造された多孔性炭素製品を電気層キャパシタで電極物質として使用することを開示している。また、特許文献２は、所定のサイズを有するナノ気孔が分布されたナノ多孔性炭素を冷陰極として採用することを開示している。
大韓民国特許出願公開第２００１−１３２２５号明細書 ロシア特許出願公開第２，２４９，８７６号明細書
そこで、本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、前記従来の技術の問題点を解決して均一性に優れ、かつ長寿命を有する電子放出源を提供できるだけでなく、従来の炭素ナノチューブを採用する場合に比べて、はるかに低いコストで電子放出源を製造できるカーバイド誘導炭素を利用したＣＮＴ混成体及びその製造方法、前記ＣＮＴ混成体を含む電子放出源及び前記電子放出源を備えた電子放出素子を提供することを目的とする。
前記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、カーバイド化合物をハロゲン族元素含有気体と反応させて、前記カーバイド化合物内の炭素以外の残りの元素を抽出することによって製造されたカーバイド誘導炭素と、前記カーバイド誘導炭素に担持された金属または前記カーバイド誘導炭素に残留する金属と、カーボンソースとの反応によって得られたＣＮＴ混成体であって、前記ＣＮＴ混成体が、カーバイド誘導炭素と当該カーバイド誘導炭素から成長したＣＮＴとを含むことを特徴とするＣＮＴ混成体が提供される。
前記課題を解決するために、本発明の他の観点によれば、カーバイド化合物をハロゲン族元素含有気体と反応させた上で、前記カーバイド化合物内の炭素以外の残りの元素を抽出してカーバイド誘導炭素を得る工程と、前記カーバイド誘導炭素に金属触媒含有化合物を付加し、それを混合して水素還元反応を実施して金属触媒が担持されたカーバイド誘導炭素を得る工程と、前記工程によって得たカーバイド誘導炭素とカーボンソースとを反応してＣＮＴ混成体を得る工程と、を含むことを特徴とするＣＮＴ混成体の製造方法が提供される。
前記課題を解決するために、本発明のさらに他の観点によれば、カーバイド化合物をハロゲン族（１７族）元素含有気体と反応させた上で、前記カーバイド化合物内の炭素以外の残りの元素を一定含量抽出して前記カーバイド化合物内の金属が残留されたカーバイド誘導炭素を得る工程と、前記工程によって得た結果物とカーボンソースとを反応して前述したＣＮＴ混成体を得る工程と、を含むことを特徴とするＣＮＴ混成体の製造方法が提供される。
前記課題を解決するために、本発明のさらに他の観点によれば、前述したＣＮＴ混成体を含む電子放出源が提供される。
前記課題を解決するために、本発明のさらに他の観点によれば、前述した電子放出源を備えた電子放出素子が提供される。
本発明によるＣＮＴ混成体は、均一性に優れ、かつ長寿命を有する電子放出源を提供できるだけでなく、従来の炭素ナノチューブを採用する場合に比べて、はるかに低いコストで電子放出能力の改善された電子放出源を製造しうる。また、前記電子放出源を利用する場合、電子放出能に優れた電子放出素子を製作しうる。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
本発明によるＣＮＴ混成体は、カーバイド化合物をハロゲン族元素含有気体と反応させて、前記カーバイド化合物内の炭素以外の残りの元素を抽出することによって製造されたカーバイド誘導炭素と、前記カーバイド誘導炭素、特にカーバイド誘導炭素の気孔及び表面のうち選択された一つ以上（望ましくは、カーバイド誘導炭素の気孔及び表面）に担持された金属または前記カーバイド誘導炭素に残留する金属と、カーボンソース（炭素源）との反応によって得られた結果物であって、前記カーバイド誘導炭素、特にカーバイド誘導炭素の気孔及び表面のうち選択された一つ以上から（望ましくは、カーバイド誘導炭素の気孔及び表面から）ＣＮＴが成長した構造を有している。この物質は、低いコストで製造可能であるだけでなく、優れた電子放出特性を有し、それを利用した電子放出特性に優れた電子放出源及びそれを備えた電子放出素子を製作しうる。
前記カーバイド誘導炭素の気孔及び表面に担持された金属、または前記カーバイド誘導炭素に残留する金属は、前記ＣＮＴの成長を手助けすることができる触媒金属である。前記触媒金属は、ナノサイズの粒径を有しており、これをさらに具体的に説明すれば、１ｎｍスケールから１ｎｍ以下のサブｎｍスケールまで粒径分布を有する。
前述した触媒金属の粒径範囲によってＣＮＴの半径が決定されるので、微細なＣＮＴが得られる。望ましくは、５ｎｍでサブなのメータ範囲のサイズ分布を有する金属触媒が望ましく、このような触媒を担持した場合、カーボンソースの種類、合成温度及び合成時間によって変わりうるが、数ｎｍのＳＷＮＴ、ＤＷＮＴあるいはｔｈｉｎ−ＭＷＮＴが得られる。具体的に、ｗａｌｌ数が１０個以下と直径が２０ｎｍ以下であるＣＮＴ混成体が得られる。また、混成体の収率を考慮すれば、Ｃ２Ｈ２ガスをカーボンソースとする場合、カーバイド誘導炭素からＭＷＮＴが成長したＣＮＴ混成体を得ることもある。
図１Ａは、本発明の一実施形態によるＣＮＴ混成体の合成初期の金属触媒が担持されたカーバイド誘導炭素の表面を示すＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）図面であり、担持された触媒から炭素層が成長していることが確認される。
図１Ｂは、本発明の一実施形態による多重壁ＣＮＴ混成体の形状を示す図面である。図１Ａに示したように、金属触媒が担持されたカーバイド誘導炭素の表面から多重壁炭素ナノチューブが成長したということが確認できる。
前記ＣＮＴは、基板に対して鉛直方向上向きに成長した形状を有することが望ましい。このようなＣＮＴは、カーボンプレカーサとしてメタルカーバイドを使用して高温で塩素化を通じてメタルを除去し、準備されたＣＤＣ材料を利用して前述した方法によって実施して得られる。すなわち、ＣＤＣ材料が、ＣＮＴ成長のための支持材料となり、ＦｅまたはＭｏイオンがＣＤＣ表面などに担持される。従って、均一に分散されたＦｅ，ＭｏイオンによってＣＤＣから放射形に垂直方向に成長することに反して、一般的にＣＮＴは、からみあって成長する。
このような構造を有するＣＮＴ混成体を電子放出源として使用する場合、電子放出能力に優れるだけでなく、下部電極とのオーミック接触によって均一な発光を誘導しうる。
前記ＣＮＴの末端形状は、特別に限定されるものではないが、図１Ｂに示したように、針状を有することが電界強化因子（βファクター）の側面で望ましい。
本発明によるＣＮＴの製造時に使われるカーバイド誘導炭素は、カーバイド化合物をハロゲン族元素含有気体と反応させて、前記カーバイド化合物内の炭素以外の残りの元素を抽出することによって製造される。前記方法は、韓国公開特許第２００１−１３２２５号公報に開示されたように、ｉ）カーバイド化合物の粒子に所定の運搬孔隙率を有する作業片を形成する工程、及びｉｉ）３５０℃ないし１６００℃の範囲の温度でハロゲン族元素含有気体中で前記作業片を熱化学的に処理して、前記作業片中の炭素以外の残りの元素を抽出することにより、前記作業片全体にわたってナノ孔隙率を有するカーバイド誘導炭素を製造する工程を含む。
本発明では、前記方法によって製造されたカーバイド誘導炭素のうち、特に、ラマンピーク分析時に１３５０ｃｍ−１での無秩序−誘導されたＤバンド及び１５９０ｃｍ−１でのグラファイトＧバンドの強度比率が０．３ないし５の範囲にあることを特徴とするカーバイド誘導炭素、本発明では、前記方法によって製造されたカーバイド誘導炭素のうち、特に、ラマンピーク分析時に１３５０ｃｍ−１での無秩序−誘導されたＤバンド及び１５９０ｃｍ−１でのグラファイトＧバンドの強度比率が０．３ないし５の範囲にあることを特徴とするカーバイド誘導炭素、ＢＥＴ比表面積が９５０ｍ２／ｇ以上であるカーバイド誘導炭素、Ｘ線回折分析結果、２θ＝２５°でグラファイト（００２）面の弱ピークまたは広いシングルピークが現れることを特徴とするカーバイド誘導炭素、さらに具体的に、結晶化度を表すｑ値が０〜６０の値を有することを特徴とするカーバイド誘導炭素が優秀な電子放出特性を有するという事実を発見して、本発明を完成した。なお、ＢＥＴ比表面積の上限は、１４００ｍ２／ｇ以下が望ましい（Ｇｏｒｄｅｅｖ Ｓ．Ｋ．ら著、「ＨＹＤＲＯＧＥＮ ＡＤＳＯＲＰＴＩＯＮ ＯＮ ＣＡＲＢＯＮ ＮＡＮＯＰＯＲＯＵＳ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ」を参照。）。
一般的に、ラマンピーク分析結果、Ｘ線回折分析結果及び電子顕微鏡分析結果は、結晶化度に対する尺度として頻繁に使われるが、本発明によるカーバイド誘導炭素は、前述したような分析結果を有することにより、その構造が短範囲で結晶化度を有する非晶質炭素に近接な構造的特性を有する。このように、短範囲で結晶化度を有する非晶質炭素の場合、曲がったグラファイトシート及び非６員環構造の開孔が混在された構造を有すると報告されたところがあり（Ｅｎｎ Ｌｕｓｔ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．ｅｌｅｃｔｒｏａｎａｌｙｔｉｃａｌ Ｃｈｅｍ．，ｖｏｌ．５８６，ｐｐ２４７，２００６）、図１Ｄには、前記文献で提案した非晶質炭素のナノ構造を模式的に示した。このような構造を有するカーバイド誘導炭素は、優秀な電界放出特性を有し、電界放出は、表面に垂直方向の非６員環構造の開孔で発生すると推定される。
図２Ａには、本発明の一実施例によるカーバイド誘導炭素に対するラマンピーク分析結果を示し（５１４．５３２ｎｍ，Ｄ１ ｆｉｌｔｅｒ，Ａｒｉｏｎ）、図２Ａを参照すれば、前記カーバイド誘導炭素は、１３５０ｃｍ−１での無秩序−誘導されたＤバンドの強度と１５９０ｃｍ−１でのグラファイトＧバンドの強度との比率であるＩＧ／ＩＤ値が約０．７６であるということが分かる。
図２Ｂには、本発明のこと実施例による図２Ａのカーバイド誘導炭素から、本発明で前述したように、ＣＮＴ混成体合成法によって合成されたＣＮＴ混成体のラマンピーク分析結果を示し（５１４．５３２ｎｍ，Ｄ１ ｆｉｌｔｅｒ，Ａｒｉｏｎ）、図２Ｂを参照すれば、１５９０ｃｍ−１でのグラファイトＧバンドの強度が図２Ａのカーバイド誘導炭素の強度に比べて上昇することが確認でき、その結果、無秩序−誘導されたＤバンドの強度と１５９０ｃｍ−１でのグラファイトＧバンドの強度との比率であるＩＧ／ＩＤ値が、約２．４６と増加するということが確認できる。また、１６４．０３．２１２．０１，２７０．７５ｃｍ−１でＲＢＭ（Ｒａｄｉａｌ Ｂｒｅａｔｈｉｎｇ Ｍｏｄｅ）ピークが発生することが確認できるが、これは、ＳＷＮＴの曲率と関連したピークであって、このピークの発生からカーバイド誘導炭素の表面及び気孔からＳＷＮＴが成長したということが確認できる。
また、図３には、本発明の一実施例によるカーバイド誘導炭素に対するＸ線回折分析結果を示し、図３を参照すれば、前記カーバイド誘導炭素は、２θ＝２５．９°でグラファイト（００２）面の弱ピークが現れるということが分かる。グラファイト（００２）面のピークとは、グラファイト結晶の構造を六角柱状と仮定した場合、六角柱の上面に平行方向に入射されるＸ線回折によって引き起こされるピークを意味し、一般的に、結晶質グラファイトは、２θ＝２５°の位置で非常に強いピークを表す。しかし、本発明によるカーバイド誘導炭素は、２θ＝２５°の位置で非常に弱いピークを表し、したがって、結晶質グラファイトとは異なる非晶質の特性を有するということが分かる。また、本発明によるカーバイド誘導炭素の半幅値（ＦＷＨＭ：Ｆｕｌｌ Ｗｉｄｔｈａｔ Ｈａｌｆ Ｍａｘｉｍｕｍ）は、６．６８７８°と確認された。図４には、本発明の一実施例によるカーバイド誘導炭素から、本発明の方法によって合成されたＣＮＴ混成体のＸ線回折分析結果を示し、図４を参照すれば、ＣＮＴ混成体の半幅値は、０．８９３６８°に減少したということが確認できた。これは、カーバイド誘導炭素の表面及び気孔から成長した炭素ナノチューブによる結晶化度の上昇による結果である。
また、図５には、単一壁ＣＮＴ及び本発明の一実施例によるカーバイド誘導炭素、ＣＮＴ混成体のＪ−Ｅ測定結果グラフを示した。各物質のターンオンフィールドは、単一壁ＣＮＴは１．５、カーバイド誘導炭素は３．５、ＣＮＴ混成体は１．９Ｖ／μｍのフィールドでそれぞれターンオンされ、７００μＡ／ｃｍ２に到達する時のフィールドは、それぞれ単一壁ＣＮＴは２．５、カーバイド誘導炭素は６．３、ＣＮＴ混成体は３．５Ｖ／μｍであった。本発明によって製造されたＣＮＴ混成体は、たとえ、単一壁ＣＮＴに比べてエミッション性能が多少低いとしても、フィールドエミッションアプリケーションに十分なエミッション性能を有しており、均一なエミッション、オーミック接触、寿命において、長所がある。
図６は、単一壁ＣＮＴ及び本発明の一実施例によるＣＮＴ混成体の寿命結果を示したグラフである。ＤＣモードでＪ−Ｅループエージングを６０回（目的電流密度：６００μＡ／ｃｍ２）実施した後、単一壁ＣＮＴ及び本発明の一実施例によるＣＮＴ混成体の寿命をＤＣモード、一定電圧モードで測定した。このとき、初期電流密度は、１００μＡ／ｃｍ２（Ｉｏ）と設定し、初期電流密度の半減期、すなわち、５０μＡ／ｃｍ２（１／２Ｉｏ）に到達する時の時間を寿命と見なした。もちろん、測定された寿命は、実際デバイス寿命と異なる。その理由は、実際デバイスＡＣ駆動を行い、そのとき、周波数及びパルス幅がＤＣと相当な差があるためである。ＤＣで寿命を測定する理由は、短時間に相対的な寿命の差を確認できるためである。図６を参照すれば、単一壁ＣＮＴは、約６時間である一方、本発明の一実施例によって合成されたＣＮＴ混成体は、４６時間と測定され、単一壁ＣＮＴ対比７．６倍向上した寿命特性を示した。
以下、本発明による炭素ナノチューブ混成体の製造方法を説明すれば、次の通りである。
第一に、製造方法について説明すれば、まず、カーバイド化合物をハロゲン族元素含有気体と３５０℃ないし１６００℃で４ないし６時間反応させた上で、前記カーバイド化合物内の炭素以外の残りの元素を全部抽出してカーバイド誘導炭素を得る。
前記カーバイド化合物は、炭素と周期律表のＩＩＩ族、ＩＶ族、Ｖ族またはＶＩ族元素との化合物であって、さらに望ましくは、ＳｉＣ４またはＢ４Ｃのようなダイヤモンド類カーバイドと、ＴｉＣまたはジルコニウムカーバイドのような金属類カーバイドと、Ａｌ４Ｃ３またはＣａＣ２のような塩類カーバイドと、チタンタンタルカーバイド（ＴｉＴａＣ）またはモリブデンタングステンカーバイド（ＭｏＷＣ）のような錯体カーバイドと、チタンカーボナイトライド（ＴｉＮＣ）またはジルコニウムカーボナイトライド（ＺｒＮＣ）のようなカーボナイトライドと、または前記カーバイド物質の混合物である。
本発明で使われるカーバイド化合物は、以後に形成されるＣＮＴ成長用触媒として作用可能な金属元素を含有する化合物であることが望ましい。
前記ハロゲン族元素含有気体は、Ｃｌ２、ＴｉＣｌ４またはＦ２気体であることが好ましい。
次いで、前記カーバイド誘導炭素に金属ハライド、金属ナイトレートのような触媒金属含有化合物を付加し、これを混合して水素還元反応を実施して、金属が担持されたカーバイド誘導炭素を得る。ここで、金属ハライドとしては、ＣＮＴ成長促進用触媒金属を含有するハライドであって、ニッケルハライド、コバルトハライド、アイアンハライド、タングステンハライドなどの遷移金属を含むハライド系列の物質を使用し、一方、金属ナイトレートは、金属ハライドと同じ役割を行い、ニッケルナイトレート、コバルトナイトレート、アイアンナイトレート、タングステンナイトレートなどの遷移金属を含むナイトレート系列の物質を使用し、その含量は、カーバイド誘導炭素１００質量部を基準として０．１ないし５０質量部であることが望ましい。
前記水素還元反応時の温度は、２００ないし８００℃の範囲であることが望ましい。
前記金属としては、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｗなどの遷移金属系列の物質であり、Ｍｏと混合して触媒凝集を防止し、サイズを減らして効果を増加しうる。このような観点から、前記金属の含量は、カーバイド誘導炭素と金属との総含量１００質量部を基準として０．１ないし２０質量部であることが望ましい。
前記工程によって得たカーバイド誘導炭素を、高温合成炉を利用して、カーボンソースと６００ないし１２００℃で反応させて所望のＣＮＴを得る。
前記反応温度が７００℃の未満である場合には、ＣＮＴの外壁にｄｅＦｅ３Ｃｔが多く発生し、結晶性が低く、１２００℃を超える場合には、金属触媒が成長して均一なＣＮＴを得難く、半径の大きい多重壁ナノチューブが成長して望ましくない。
前記カーバイド誘導炭素の気孔は、その直径が０．３ないし１０ｎｍの範囲を有し、マイクロ気孔及びメゾ気孔のサイズを有する。
第二に、ＣＮＴの製造方法を説明すれば、次の通りである。
まず、カーバイド化合物をハロゲン族元素含有気体と３５０ないし１６００℃で反応させた上で、前記カーバイド化合物内の炭素以外の残りの元素を一部抽出して、前記カーバイド化合物内の金属が所定含量に人為的に残留するカーバイド誘導炭素を得る。ここで、カーバイド誘導炭素内に存在する金属の含量は、金属とカーバイド誘導炭素との総含量１００質量部を基準として１ないし１０質量部であることが望ましい。
前記工程によって得た結果物にエアーパージを実施してハロゲン族元素含有気体を合成炉で除去した後、カーボンソースを注入し、これを７００ないし１２００℃で反応して所望のＣＮＴ混成体を得る。
前記反応温度が７００℃の未満である場合には、ＣＮＴの外壁に欠陥が多く発生し、結晶性が低く、１２００℃を超える場合には、金属触媒が成長して均一なＣＮＴを得難く、半径の大きい多重壁ナノチューブが成長して望ましくない。
前記第二の製造方法において、カーバイド化合物、ハロゲン族含有気体及びカーボンソースは、第一の製造方法と同じ種類及び含量を使用する。
本発明の製造方法で使われるカーボンソースとしては、エチレンガス、アセチレン、あるいはこれらの各ガスと水素との混合ガス、一酸化炭素を使用する。
本発明はまた、前記製造方法によって得たＣＮＴ混成体を含む電子放出源を提供する。
本発明による電子放出源は、特に、冷陰極用電子放出源であって、加熱によって熱電子を放出するものではなく、イオン衝撃による２次電子放出及びイオンの再結合によって生じる光電子放出、または電場放出によって電子を放出し、前述したように優秀な電子放出特性を有するＣＮＴ混成体を含むことによって、その電子放出効率が非常に優秀である。
本発明による電子放出源は、これに制限されるものではないが、前記ＣＮＴ混成体を含む電子放出源形成用組成物を製造した後、これを基板に印刷及び焼成するなどの方法によって製造され、これを説明すれば、下記の通りである。
まず、前述したＣＮＴ混成体及びビヒクルを含む電子放出源形成用組成物を製造するが、前記ビヒクルは、電子放出源形成用組成物の印刷性及び粘度を調節して、樹脂成分及び溶媒成分を含む。また、電子放出源形成用組成物は、必要に応じて感光性樹脂及び光開始剤、接着成分、フィルタをさらに含むこともある。
この後、前記提供された電子放出源形成用組成物を基板に印刷する。前記“基板”とは、電子放出源が形成される基板であって、形成しようとする電子放出素子によって異なり、これは、当業者に容易に認識可能である。例えば、前記“基板”とは、カソード電極とアノード電極との間にゲート電極が備えられた形態の電子放出素子を製造する場合には、カソード電極となりうる。
電子放出源形成用組成物を印刷する工程は、感光性樹脂を含む場合と感光性樹脂を含んでいない場合とによって異なる。
まず、電子放出源形成用組成物が感光性樹脂を含む場合には、別途のフォトレジストパターンが不要である。すなわち、基板上に感光性樹脂を含む電子放出源形成用組成物を塗布した後、これを所望の電子放出源形成領域によって露光及び現像する。一方、電子放出源形成用組成物が感光性樹脂を含んでいない場合には、別途のフォトレジストパターンを利用したフォトリソグラフィ工程が必要である。すなわち、フォトレジスト膜を利用してフォトレジストパターンをまず形成した後、前記フォトレジストパターンを利用して電子放出源形成用組成物を印刷として供給する。
前述したように印刷された電子放出源形成用組成物は、焼成工程を経る。焼成工程を通じて電子放出源形成用組成物のうち、カーバイド誘導炭素は、基板との接着力が向上し、一部以上のビヒクルは、揮発され、他の無機バインダーが溶融及び固形化されて電子放出源の耐久性向上に寄与しうる。焼成温度は、電子放出源形成用組成物に含まれたビヒクルの揮発温度及び時間を考慮して決定されねばならない。焼成工程は、カーバイド誘導炭素の劣化を防止するために不活性ガスの存在下で行われ、前記不活性ガスは、例えば、窒素ガス、アルゴンガス、ネオンガス、キセノンガス及びそれらのうち２以上の混合ガスでありうる。
このように焼成された焼成結果物の表面は、選択的に活性化工程を経る。前記活性化工程の一実施例によれば、熱処理工程を通じてフィルム形態に硬化される溶液、例えば、ポリイミド系高分子を含む電子放出源表面処理剤を前記焼成結果物上に塗布した後、これを熱処理した後、前記熱処理で形成されたフィルムを剥離する。活性化工程の他の実施例によれば、所定の駆動源で駆動されるローラの表面に接着力を有する接着部を形成して、前記焼成結果物の表面に所定の圧力で加圧することによって、活性化工程を行うこともある。このような活性化工程を通じて、ＣＮＴ混成体が電子放出源の表面に露出されるか、または垂直配向されるように制御される。
また、本発明は、前述した電子放出源を含む電子放出素子を提供する。
本発明による電子放出素子は、第１基板と、前記第１基板上に配置されたカソード電極及び電子放出源と、前記カソード電極と電気的に絶縁されるように配置されたゲート電極と、前記カソード電極と前記ゲート電極との間に配置され、前記カソード電極と前記ゲート電極とを絶縁する絶縁体層と、を備えうる。このとき、前記電子放出源は、前述したように、本発明によるＣＮＴ混成体を含む。
前記電子放出素子は、前記ゲート電極の上側を覆う第２絶縁体層をさらに備え、前記第２絶縁体層によって前記ゲート電極と絶縁され、前記ゲート電極と平行方向に配置された集束電極をさらに備えうるなど、多様な変形例が可能である。
前記電子放出素子は、多様な電子装置、平板ディスプレイ、テレビ、Ｘ線チューブ、エミッションゲート増幅器のような真空電子装置に非常に有効に使われる。
図７には、本発明による電子放出素子の部分断面図であって、代表的に、３極管構造の電子放出素子を示した。
図示したように、電子放出素子２００は、上板２０１と下板２０２とを備え、前記床板２０１は、上面基板１９０、前記上面基板の下面１９０ａに配置されたアノード電極１８０、前記アノード電極の下面１８０ａに配置された蛍光体層１７０を備える。
前記下板２０２は、内部空間を有するように所定の間隔をおいて、前記上面基板１９０と対向して平行に配置される下面基板１１０、前記下面基板１１０上にストライプ状に配置されたカソード電極１２０、前記カソード電極１２０と交差してストライプ状に配置されたゲート電極１４０、前記ゲート電極１４０と前記カソード電極１２０との間に配置された絶縁体層１３０、前記絶縁体層１３０と前記ゲート電極１４０との一部に形成された電子放出源ホール１６９、前記電子放出源ホール１６９内に配置されて前記カソード電極１２０と通電され、前記ゲート電極１４０より低く配置される電子放出源１６０を備える。
前記上板２０１と下板２０２とは、大気圧より低い圧力の真空に維持され、前記真空によって発生する前記上板と下板との間の圧力を支持し、発光空間２１０を区画するようにスペーサ１９２が前記上板と下板との間に配置される。
前記アノード電極１８０は、前記電子放出源１６０から放出された電子の加速に必要な高電圧を印加して前記電子が前記蛍光体層１７０に高速に衝突できるようにする。前記蛍光体層は、前記電子によって励起されて高エネルギーレベルから低エネルギーレベルに落ちつつ、可視光を放出する。カラー電子放出素子の場合には、単位画素をなす複数の前記発光空間２１０のそれぞれに赤色発光、緑色発光、青色発光の蛍光体層が前記アノード電極の下面１８０ａに配置される。
前記ゲート電極１４０は、前記電子放出源１６０から電子を容易に放出させうる機能を担当し、前記絶縁体層１３０は、前記電子放出源ホール１６９を区画し、前記電子放出源１６０と前記ゲート電極１４０とを絶縁する機能を担当する。
電界形成によって電子を放出する前記電子放出源１６０は、前述したように、本発明によるＣＮＴ混成体を含む。
本発明によるＣＮＴ混成体の製造方法を利用した多様な形態のＣＮＴ混成体を製造しうる。このようなＣＮＴ混成体は、前述したように、電子放出源として利用可能であり、それ以外にも燃料電池用水素保存材料として活用可能である。また、本発明のＣＮＴ混成体は、ＣＤＣの気孔から無秩序にＣＮＴが成長したウニ型である場合には、従来のＣＮＴが有している絡み合い、分散などの問題を解決しうる。
また、本発明によるＣＮＴ混成体は、電子放出素子の電子放出源及び面光源材料としても使われる場合、基板とのオーミック接触、均一度側面で非常に有利である。そして、前述したＣＮＴ混成体を含有する電子放出源は、電子放出素子をはじめとする平板ディスプレイ、ＴＶ、Ｘ線チューブ、エミッションゲート増幅器のような電子真空デバイスに非常に有用である。
以下、本発明を下記実施例を通じてさらに詳細に説明するが、本発明が下記の実施例にのみ限定されるものではない。
（実施例１：ＣＮＴ混成体の製造）
炭素前駆体であって、平均粒径０．７μｍであるα−ＳｉＣ １００ｇを使用して、グラファイト反応チャンバ、トランスフォーマで構成された高温電気炉を利用して、１０００℃で分当たり０．５リットルのＣｌ２ガスを流して反応を７時間維持することにより、Ｓｉを前駆体から抽出することによってカーバイド誘導炭素３０ｇを製造した。
前記カーバイド誘導炭素に対するラマンピーク分析、Ｘ線回折分析及び電子顕微鏡分析を行い、その結果、ＩＧ／ＩＤ値が約０．５〜１であり、２θ＝２５°でグラファイト（００２）面の弱ピークが現れ、電子回折パターンが非晶質炭素のハロパターンを表した。また、合成後比表面積は、１０００〜１１００ｍ２／ｇの値を表した。
なお、本実施例及び以下の実施例では、ラマン分析用の機器として、ＨＯＲＩＢＡ ＪＯＢＩＮＹＶＯＮ社製のＨＯＲＩＢＡ ＨＲ ８００ＵＶを用い、以下の条件で分析した。
光源：Ａｒレーザ
レーザ出力：２０〜３０ｍＷ
レーザ波長：５１４．５ｎｍ
露光時間（測定）：１２０秒
ビームホール：１００μｍ
また、本実施例及び以下の実施例では、ＢＥＴ比表面積の測定を以下のようにして行った。
１）試料容器内のＨｅを除去する。
２）装置内に窒素ガスを注入して圧力を記録する。
３）試料容器部分を液体窒素が含まれている容器に入れ、吸着実験中液体窒素の水位を表示された部分に維持するために、実験中に液体窒素を添加し続ける（７７Ｋ 維持）。
４）試料容器内に窒素を入れて平衡圧力を記録する。
５）装置内の圧力を少しずつ増加させながら２）〜４）を繰り返す。
（０．０３〜０．３ａｔｍの間で５つ〜６つの平衡圧力値を得る。）
６）液体窒素除去後、常温で３０分間真空排気する。
７）試料が入っている試料容器の質量を測定する。
８）各粉末試料に対して全処理と吸着実験過程を繰り返す。
＜測定条件＞
試料重量（Ｌｏａｄｉｎｇ量）：０．３〜０．５ｇ
平衡時間：１０秒
自動脱気（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｄｅｇａｓ）
冷却浴温度（Ａｎａｌｙｓｉｓ Ｂａｔｈ Ｔｅｍｐ．）：−１９５．８℃
前記カーバイド誘導炭素２０ｇとアイアンナイトレート（ＩＩＩ）Ｆｅ（ＮＯ３）３２ｇとをエタノール溶液中で混錬し、これを濾過した後に水素還元反応を実施して、金属触媒が担持されたカーバイド誘導炭素からＣＮＴが成長したＣＮＴ混成体を製造した。このような方法で製造されたＣＮＴ混成体のラマンスペクトルを図２Ｂに、ＸＲＤパターンを図４に、それぞれ表した。
（実施例２：ＣＮＴ混成体の製造）
出発カーバイド化合物であって、平均粒径が３μｍであるニッケルカーバイド（Ｎｉ３Ｃ）１００ｇを使用して５００℃で２時間熱化学反応させたことを除いては、実施例１と同じ方法によってカーバイド誘導炭素９．５ｇを製造し、前記カーバイド誘導炭素に対するラマンピーク分析結果、ＩＧ／ＩＤ値が約１〜１．３であり、ＸＲＤ上で２θ＝２５°でグラファイト（００２）面の広いシングルピークが現れた。また、合成後比表面積は、１２００ｍ２／ｇの値を示した。
前記カーバイド誘導炭素でニッケルの含量は、カーバイド誘導炭素とニッケルの総含量１００質量部を基準として１０．５質量部であった。
前記過程によって得た結果物にエアーパージを実施してＣｌ２ガスを合成炉で完全に除去した後、ここにエチレンガスを注入し、９００℃で反応を実施してカーバイド誘導炭素からＣＮＴが成長したＣＮＴ混成体を製造した。
（実施例３：ＣＮＴ混成体の製造）
カーバイド誘導炭素の製造時に出発カーバイド化合物であって、平均粒径が５μｍであるＺｒＣ１００ｇを使用して６００℃で５時間熱化学反応させたことを除いては、実施例１と同じ方法によってカーバイド誘導炭素１３ｇを製造し、前記カーバイド誘導炭素に対するラマンピーク分析結果、ＩＧ／ＩＤ値が約１〜１．３であり、ＸＲＤ上で２θ＝２５°でグラファイト（００２）面の広いシングルピークが現れた。また、合成後比表面積は、１２００ｍ２／ｇの値を示した。
前記カーバイド誘導炭素を利用したことを除いては、実施例１と同じ方法によって実施してＣＮＴ混成体を製造した。
（実施例４：ＣＮＴ混成体の製造）
カーバイド誘導炭素の製造時に出発カーバイド化合物であって、平均粒径が３２５ｍｅｓｈであるＡｌ４Ｃ３ １００ｇを使用して７００℃で５時間熱化学反応させたことを除いては、実施例１と同じ方法によってカーバイド誘導炭素２５ｇを製造し、前記カーバイド誘導炭素に対するラマンピーク分析及びＸ線回折結果、ＩＧ／ＩＤ値が約１〜３．２であり、２θ＝２５°でグラファイト（００２）面の広いシングルピークが現れ、高解像度ＴＥＭの分析結果、多量のグラファイトフリンジが観察された。そのイメージを図９に示した。また、合成後比表面積は、１０５０〜１１００ｍ２／ｇの値を示した。
前記カーバイド誘導炭素を利用したことを除いては、実施例１と同じ方法によって実施してＣＮＴ混成体を製造した。
（実施例５：ＣＮＴ混成体の製造）
カーバイド誘導炭素の製造時に出発カーバイド化合物であって、平均粒径が０．８μｍであるＢ４Ｃ １００ｇを使用して１０００℃で３時間反応させたことを除いては、実施例１と同じ方法によってカーバイド誘導炭素を製造し、前記カーバイド誘導炭素に対するラマンピーク分析及びＸ線回折分析ＩＧ／ＩＤ値が約０．４〜１であり、２θ＝２５°でグラファイト（００２）面の弱ピークが現れ、高解像度ＴＥＭの分析結果、非晶質の開口からグラファイトフリンジに部分的に遷移される過程の形態が観察された。そのイメージを図１０に表した。また、合成後比表面積は、１３１０ｍ２／ｇの値を示した。
前記カーバイド誘導炭素を利用したことを除いては、実施例１と同じ方法によって実施してＣＮＴ混成体を製造した。
下記表１には、実施例１、３−５によって得られたカーバイド誘導炭素の主要物性を要約記載した。
前記実施例１、３−５で得られたカーバイド誘導炭素に対する物性及び電界放出特性を分析すれば、類似したラマンＩＧ／ＩＤ比率、ＸＲＤパターン、ＴＥＭモルホロジーを示すが、電界放出性能の差が観察される。また、同じ出発物質で合成しても、合成条件によって異なる物性と電界放出性能とを示す。出発物質の種類によって、同じ合成条件で合成されても、合成後カーバイド誘導炭素の炭素間距離、結晶質の分布、非晶質の開口サイズ及び体積が変わるため、異なる電界放出特性を表すと判断される。但し、１／１４０デューティー率以上で電界放出可能なカーバイド誘導炭素材料は、ラマンピーク分析時に１３５０ｃｍ−１での無秩序−誘導されたＤバンド及び１５９０ｃｍ−１でのグラファイトＧバンドの強度比率が０．３ないし５の範囲にあることを特徴とするカーバイド誘導炭素、比表面積が９５０ｍ２／ｇ以上である炭素、Ｘ線回折分析結果、２θ＝２５°でグラファイト（００２）面の弱ピークまたは広いシングルピークが現れることを特徴とするカーバイド誘導炭素、または電子顕微鏡分析結果、電子回折パターンが非晶質炭素のハロパターンを表すことを特徴とするカーバイド誘導炭素の場合である。
前記表１と同様に、前記実施例１ないし５のＣＮＴ混成体の電界放出能力を調べ、その結果、前述したような特性を有するカーバイド誘導炭素と同様に、これらの電界放出能力も優秀であるということが分かる。
（実施例６：電子放出源及び電子放出素子の製作）
前記実施例１によって得たＣＮＴ混成体１ｇ、アクリレートバインダー６．５ｇ、エトキシレートトリメチロールプロパントリアクリレート５．５ｇ、テキサノール５．５ｇ、光開始剤１ｇ及び可塑剤としてジオクチルフタレート１ｇを混合した後、３ロールミルを使用して均一なペースト状の電子放出源形成用組成物を得るまで混錬した（８回反復）。得られた組成物をＩＴＯ電極がコーティングされた透明ガラス基板にスクリーン印刷し（１０×１０ｍｍ）、露光（５００ｍＪ）及び現像した後、４５０℃の窒素雰囲気下で焼成し、活性化過程を経てＩＶ測定用冷陰極カソードを製造した。前記冷陰極カソードに、１００μｍの厚さのポリエチレンテレフタレートフィルムをスペーサで、銅プレートをアノード電極として使用して電子放出素子を製作した。
前記過程によって製作された電子放出素子に対してパルス幅が２０μｓ、周波数が１００Ｈｚである１／５００デューティー率でパルス電圧を印加して放出電流密度を測定した。その結果、実施例１によるＣＮＴ混成体を利用した電子放出素子の場合、優秀な電子放出性能を表した。そのＪ−Ｅ結果を図５に図示した。図５には、単一壁ＣＮＴ及び本発明の一実施例によるカーバイド誘導炭素、ＣＮＴ混成体のＪ−Ｅ測定結果グラフを示した。各物質のターンオンフィールドは、単一壁ＣＮＴは１．５、カーバイド誘導炭素は３．５、ＣＮＴ混成体は１．９Ｖ／μｍのフィールドでそれぞれターンオンされ、７００μＡ／ｃｍ２に到達する時のフィールドは、それぞれ単一壁ＣＮＴは２．５、カーバイド誘導炭素は６．３、ＣＮＴ混成体は３．５Ｖ／μｍであった。本発明によって製造されたＣＮＴ混成体は、たとえ、単一壁ＣＮＴに比べてエミッション性能が多少低いとしても、フィールドエミッションアプリケーションに十分なエミッション性能を有しており、均一なエミッション、オーミック接触、寿命で長所がある。
残りのＣＮＴ混成体を利用した電子放出素子に対しても同じ性能測定実験を行い、その結果、実施例１によるＣＮＴ混成体を利用した電子放出素子とほぼ類似した電子放出性能を表すということが確認できた。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明は、半導体基板関連の技術分野に適用可能である。
本発明の一実施形態によるＣＮＴ混成体の合成初期の金属触媒が担持されたカーバイド誘導炭素の表面を示すＴＥＭ図面である。 本発明の一実施形態によるＣＮＴ混成体の形状を示すＴＥＭ図面である。 本発明の一実施形態によるＣＮＴ混成体の形状を示すＳＥＭ図面である。 従来の技術によるカーバイド誘導炭素のナノ構造を概略的に示す模式図である。 本発明の一実施形態によるカーバイド誘導炭素に対するラマンピーク分析結果を示すグラフである。 本発明の一実施形態によるＣＮＴ混成体に対するラマンピーク分析結果を示すグラフである。 本発明の一実施形態によるカーバイド誘導炭素に対するＸ線回折分析結果を示すグラフである。 本発明の一実施形態によるＣＮＴ混成体のＸ線回折分析結果を示すグラフである。 本発明の一実施形態による炭素ナノチューブ、カーバイド誘導炭素及びＣＮＴ混成体組成物の電界放出結果を比較して示すグラフである。 本発明の一実施形態によるＣＮＴ対比ＣＮＴ混成体の寿命測定結果を比較して示すグラフである。 本発明による電子放出素子の部分断面図である。 実施例４によるＡｌ４Ｃ３の合成後、カーバイド誘導炭素のＴＥＭイメージ写真である。 実施例４によるＡｌ４Ｃ３の合成後、カーバイド誘導炭素のＴＥＭイメージ写真である。 実施例５によるＢ４Ｃの合成後、カーバイド誘導炭素のＴＥＭイメージ写真である。
符号の説明
１１０ 下面基板
１２０ カソード電極
１３０ 絶縁体層
１４０ ゲート電極
１６０ 電子放出源
１６９ 電子放出源ホール
１７０ 蛍光体層
１８０ アノード電極
１９０ 上面基板
１９２ スペーサ
２００ 電子放出素子
２０１ 上板
２０２ 下板
２１０ 発光空間

Claims (13)

  1. カーバイド化合物をハロゲン族元素含有気体と反応させて、前記カーバイド化合物内の炭素以外の残りの元素を抽出することによって製造されたカーバイド誘導炭素と、前記カーバイド誘導炭素に担持された金属または前記カーバイド誘導炭素に残留する金属と、カーボンソースとの反応によって得られたカーボンナノチューブ混成体であって、
    前記カーボンナノチューブ混成体が、前記カーバイド誘導炭素と当該カーバイド誘導炭素から成長したカーボンナノチューブとを含むことを特徴とするカーボンナノチューブ混成体。
  2. 前記金属は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、またはＷであり、
    前記金属の含量が、前記金属と前記カーバイド誘導炭素との総含量１００質量部を基準として０．１から２０質量部であることを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブ混成体。
  3. 前記カーボンナノチューブは、一方向に成長するか、またはランダムに成長することを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブ混成体。
  4. 前記カーボンナノチューブは、鉛直方向上向きに成長することを特徴とする請求項３に記載のカーボンナノチューブ混成体。
  5. 前記カーバイド誘導炭素は、ラマンピーク分析時に１３５０ｃｍ−１での無秩序−誘導された（ｄｉｓｏｒｄｅｒｅｄ−ｉｎｄｕｃｅｄ）Ｄバンドに対する１５９０ｃｍ−１でのグラファイトＧバンドの強度比率が０．３から５の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブ混成体。
  6. 前記カーバイド誘導炭素のＢＥＴ比表面積は、９５０ｍ２／ｇ以上であることを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブ混成体。
  7. 前記カーバイド誘導炭素のＸ線回折分析結果、２θ＝２５°でグラファイト（００２）面の弱ピークまたは広いシングルピークが現れることを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブ混成体。
  8. 前記カーバイド誘導炭素の電子顕微鏡分析結果、電子回折パターンが非晶質炭素のハロパターンを表すことを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブ混成体。
  9. 前記カーバイド化合物は、ＳｉＣ４、Ｂ４Ｃ、ＴｉＣ、ＺｒＣｘ、Ａｌ４Ｃ３、ＣａＣ２、チタンタンタルカーバイド、モリブデンタングステンカーバイド、チタンカーボナイトライド、及びジルコニウムカーボナイトライドからなる郡から選択された少なくとも一つのカーバイド化合物であることを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブ混成体。
  10. カーバイド化合物をハロゲン族元素含有気体と反応させた上で、前記カーバイド化合物内の炭素以外の残りの元素を抽出してカーバイド誘導炭素を得る工程と、
    前記カーバイド誘導炭素に金属含有化合物を付加し、かつこれらを混合して水素還元反応を実施して、金属が担持されたカーバイド誘導炭素を得る工程と、
    前記工程により得たカーバイド誘導炭素とカーボンソースとを反応して、請求項１から９のうち何れか１項に記載のカーボンナノチューブ混成体を得る工程と、
    を含むことを特徴とするカーボンナノチューブ混成体の製造方法。
  11. カーバイド化合物をハロゲン族元素含有気体と反応させた上で、前記カーバイド化合物内の炭素以外の残りの元素を抽出して、前記カーバイド化合物内の金属が残留されたカーバイド誘導炭素を得る工程と、
    前記工程によって得た結果物とカーボンソースとを反応して、請求項１から９のうち何れか１項に記載のカーボンナノチューブ混成体を得る工程と、
    を含むことを特徴とするカーボンナノチューブ混成体の製造方法。
  12. 請求項１から９のうち何れか１項に記載のカーボンナノチューブ混成体を含む電子放出源。
  13. 請求項１２に記載の電子放出源を備えた電子放出素子。

JP2008080005A 2007-04-04 2008-03-26 カーバイド誘導炭素を利用したカーボンナノチューブ混成体とその製造方法、それを含む電子放出源及び前記電子放出源を備えた電子放出素子 Pending JP2008255003A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070033358A KR100829759B1 (ko) 2007-04-04 2007-04-04 카바이드 유도 탄소를 이용한 카본나노튜브 혼성체, 이를포함하는 전자 방출원 및 상기 전자 방출원을 구비한 전자방출 소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008255003A true JP2008255003A (ja) 2008-10-23

Family

ID=39643922

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008080005A Pending JP2008255003A (ja) 2007-04-04 2008-03-26 カーバイド誘導炭素を利用したカーボンナノチューブ混成体とその製造方法、それを含む電子放出源及び前記電子放出源を備えた電子放出素子

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7678452B2 (ja)
EP (1) EP1977999A1 (ja)
JP (1) JP2008255003A (ja)
KR (1) KR100829759B1 (ja)
CN (1) CN101279732A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014231444A (ja) * 2013-05-28 2014-12-11 Jsr株式会社 炭素材料
KR101472313B1 (ko) * 2014-10-01 2014-12-15 고려대학교 산학협력단 탄화물 세라믹스로부터 유도된 탄소층 및 이의 제조방법
US9957456B2 (en) 2012-11-20 2018-05-01 Ksm Co., Ltd. Carbon layer derived from carbide ceramics and preparation method thereof

Families Citing this family (387)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
KR101582588B1 (ko) * 2009-06-05 2016-01-05 고려대학교 산학협력단 탄화물로부터 탄소결정이 제어된 표면 탄소층 형성 방법
CN101924816B (zh) * 2009-06-12 2013-03-20 清华大学 柔性手机
JP4782222B2 (ja) * 2009-08-03 2011-09-28 ユニオンツール株式会社 穴明け工具用非晶質炭素皮膜及び穴明け工具
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
EE200900080A (et) * 2009-10-26 2011-06-15 Tartu �likool Kihiline aktuaator
WO2012110944A1 (en) 2011-02-14 2012-08-23 Council Of Scientific & Industrial Research A process for developing a composite coating of diamond like carbon and graphite on silicon carbide grain by indirect arc plasma heating dissociation
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9341296B2 (en) 2011-10-27 2016-05-17 Asm America, Inc. Heater jacket for a fluid line
US9096931B2 (en) 2011-10-27 2015-08-04 Asm America, Inc Deposition valve assembly and method of heating the same
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9167625B2 (en) 2011-11-23 2015-10-20 Asm Ip Holding B.V. Radiation shielding for a substrate holder
US9005539B2 (en) 2011-11-23 2015-04-14 Asm Ip Holding B.V. Chamber sealing member
US9202727B2 (en) 2012-03-02 2015-12-01 ASM IP Holding Susceptor heater shim
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US8728832B2 (en) 2012-05-07 2014-05-20 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor device dielectric interface layer
US8933375B2 (en) 2012-06-27 2015-01-13 Asm Ip Holding B.V. Susceptor heater and method of heating a substrate
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9117866B2 (en) 2012-07-31 2015-08-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9169975B2 (en) 2012-08-28 2015-10-27 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for mass flow controller verification
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US8894870B2 (en) 2013-02-01 2014-11-25 Asm Ip Holding B.V. Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
CA2905499C (en) 2013-03-15 2018-06-26 West Virginia University Research Corporation Process for pure carbon production, compositions, and methods thereof
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9396934B2 (en) 2013-08-14 2016-07-19 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US9605343B2 (en) * 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
EA029795B1 (ru) * 2014-01-08 2018-05-31 Эксет Лабс Б.В. Автоэмиссионный катод на основе нанотрубок
CN104795293B (zh) * 2014-01-20 2017-05-10 清华大学 电子发射源
CN104795300B (zh) * 2014-01-20 2017-01-18 清华大学 电子发射源及其制备方法
CN104795295B (zh) * 2014-01-20 2017-07-07 清华大学 电子发射源
CN104795297B (zh) * 2014-01-20 2017-04-05 清华大学 电子发射装置及电子发射显示器
CN104795296B (zh) * 2014-01-20 2017-07-07 清华大学 电子发射装置及显示器
CN104795298B (zh) * 2014-01-20 2017-02-22 清华大学 电子发射装置及显示器
CN104795292B (zh) * 2014-01-20 2017-01-18 清华大学 电子发射装置、其制备方法及显示器
CN104795291B (zh) * 2014-01-20 2017-01-18 清华大学 电子发射装置、其制备方法及显示器
CN104795294B (zh) * 2014-01-20 2017-05-31 清华大学 电子发射装置及电子发射显示器
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
BR112017008279A2 (pt) 2014-10-21 2018-06-19 West Virginia University Research Corporation métodos e aparelhos para a produção de carbono, eletrodos de carboneto e composições de carbono
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US9833765B2 (en) 2015-04-24 2017-12-05 Georgia Tech Research Corporation Carbide-derived carbons having incorporated metal chloride or metallic nanoparticles
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
CN109312479B (zh) * 2016-04-20 2021-07-13 西弗吉尼亚大学研究公司 用纳米结构化的碳化物化合物进行碳化物-至-碳转化的方法、设备及电极
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
CN106698430B (zh) * 2016-12-27 2018-11-02 陕西科技大学 一种聚多巴胺作为过渡层碳化钛原位生长CNTs三维复合材料及其制备方法
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
CN106784729B (zh) * 2017-01-20 2019-07-30 武汉科技大学 碳化物衍生碳/炭复合储能材料及其制备方法与应用
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI852426B (zh) 2018-01-19 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TWI756590B (zh) 2019-01-22 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
JP7561437B2 (ja) 2019-04-30 2024-10-04 キャズム アドバンスト マテリアルズ，インク． カーボン－カーボンナノチューブハイブリッド材料およびその製造方法
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
CN111628181B (zh) * 2020-05-25 2021-07-23 常熟氢能源研究院有限公司 一种以木材为原料制备燃料电池用气体扩散层的工艺
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006127017A2 (en) * 2004-06-21 2006-11-30 Drexel University Methods for bulk synthesis of single-wall carbon nanotubes

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60246264A (ja) * 1984-05-23 1985-12-05 東芝セラミツクス株式会社 炭化珪素質材料の製造方法
RU2151737C1 (ru) 1997-05-30 2000-06-27 Акционерное общество закрытого типа "Карбид" Способ получения пористого углеродного изделия и пористое углеродное изделие, полученное этим способом
JP3335330B2 (ja) 1999-08-09 2002-10-15 株式会社東芝 カーボンナノチューブの製造方法およびカーボンナノチューブ膜の製造方法
SE9903079L (sv) 1999-08-31 2001-03-01 Ultratec Ltd Förfarande för framställning av nanorörformigt material och material vilket framställts genom detta förfarande
KR100382879B1 (ko) * 2000-09-22 2003-05-09 일진나노텍 주식회사 탄소 나노튜브 합성 방법 및 이에 이용되는 탄소 나노튜브합성장치.
JP2002201014A (ja) 2000-10-30 2002-07-16 Honda Motor Co Ltd カーボンナノチューブの製造方法
KR200223522Y1 (ko) 2000-12-08 2001-05-15 주식회사씨엠테크 디지털 스틸 카메라의 입사장치
EP1219578B1 (en) * 2000-12-27 2006-03-22 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Silicon/silicon carbide composite and process for manufacturing the same
WO2004037714A2 (en) 2002-04-09 2004-05-06 Massachusetts Institute Of Technology Carbon nanoparticles and composite particles and process of manufacture

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006127017A2 (en) * 2004-06-21 2006-11-30 Drexel University Methods for bulk synthesis of single-wall carbon nanotubes

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9957456B2 (en) 2012-11-20 2018-05-01 Ksm Co., Ltd. Carbon layer derived from carbide ceramics and preparation method thereof
JP2014231444A (ja) * 2013-05-28 2014-12-11 Jsr株式会社 炭素材料
KR101472313B1 (ko) * 2014-10-01 2014-12-15 고려대학교 산학협력단 탄화물 세라믹스로부터 유도된 탄소층 및 이의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR100829759B1 (ko) 2008-05-15
US20080248310A1 (en) 2008-10-09
CN101279732A (zh) 2008-10-08
EP1977999A1 (en) 2008-10-08
US7678452B2 (en) 2010-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008255003A (ja) カーバイド誘導炭素を利用したカーボンナノチューブ混成体とその製造方法、それを含む電子放出源及び前記電子放出源を備えた電子放出素子
Saito et al. Field emission from carbon nanotubes and its application to electron sources
EP1643020B1 (en) Method of making carbon fibers and uses thereof
JP5698982B2 (ja) 照明ランプ及びナノ炭素材料複合基板とその製造方法
JP2007533581A6 (ja) 電子電界放出特性を有する、小直径カーボンナノチューブの合成方法
JP2007533581A (ja) 電子電界放出特性を有する、小直径カーボンナノチューブの合成方法
JP2005203348A (ja) 炭素を含むファイバー、炭素を含むファイバーを用いた基板、電子放出素子、該電子放出素子を用いた電子源、該電子源を用いた表示パネル、及び、該表示パネルを用いた情報表示再生装置、並びに、それらの製造方法
JP2008105922A (ja) カーバイド誘導炭素、冷陰極用電子放出源及び電子放出素子
JP5182237B2 (ja) 電子源電極の製造方法
JP2003115255A (ja) 電界電子放出電極およびその製造方法
JP2005243646A (ja) 電子放出素子の電子放出源形成用組成物及びこれを用いた電子放出源
JP2008280241A (ja) カーボンナノチューブ及びカーバイド誘導炭素を含む混成複合体、該混成複合体を含む電子放出源及びその製造方法、並びに該電子放出源を採用した電子放出素子
JP3897794B2 (ja) 電子放出素子、電子源、画像形成装置の製造方法
JP5283030B2 (ja) らせん状ナノ炭素材料複合体を用いた電子デバイス
JP5549028B2 (ja) フレーク状ナノ炭素材料の製造方法及び電子放出素子並びに面発光素子
JP2006294525A (ja) 電子放出素子、その製造方法及びそれを用いた画像表示装置
JP5376197B2 (ja) ナノ炭素材料複合体の製造方法
JP5549027B2 (ja) 粒子状ナノ炭素材料の製造方法及び電子放出素子並びに面発光素子
JP5099331B2 (ja) ナノ炭素材料複合体およびその製造方法並びにそれを用いた電子放出素子
JP5476751B2 (ja) ナノカーボンエミッタ及びその製造方法並びにそれを用いた面発光素子
JP4984130B2 (ja) ナノカーボンエミッタとその製造方法並びに面発光素子
JP5283031B2 (ja) コイン積層状ナノ炭素材料複合体を用いた電子デバイス
KR20080054165A (ko) 카바이드 유도 탄소, 이를 포함하는 냉음극용 전자 방출원및 상기 전자 방출원을 구비한 전자 방출 소자
WO2006120789A1 (ja) 触媒によるカーボンナノチューブの製造方法、電界放出電子源の製造方法、電界放出電子源及び電界放出型ディスプレイ
JP2008053177A (ja) ナノカーボンエミッタとその製造方法並びに面発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110218

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20110218

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130128

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130205

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130709