JP2008119716A - レーザ加工装置およびレーザ加工装置における焦点維持方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ビームプロファイリングを用いて、対物用光学素子の焦点合わせを可能とし、かつ、レーザ加工中に対物用光学素子の焦点を維持する。
【解決手段】レーザ加工装置3に設けられたビーム観察装置1には、レーザが照射される測定基準面13を有する観察用基板14が配置されている。CCDカメラ15に撮像されると共に表示された測定基準面13におけるレーザの照射形状に基づき、加工用レーザの焦点を測定基準面13に合わせる。次いで、この際の測定基準面13の加工用レーザの照射方向に沿った位置を、測定用レーザを用いて計測する。すなわち、測定基準面13の位置を測定用レーザの反射光を受光するPSD測定装置の受光面における受光位置として計測し、この受光位置を基準受光位置とする。作業中は、受光位置のずれに対応して対物用光学素子の位置を移動する。
【選択図】図2
【解決手段】レーザ加工装置3に設けられたビーム観察装置1には、レーザが照射される測定基準面13を有する観察用基板14が配置されている。CCDカメラ15に撮像されると共に表示された測定基準面13におけるレーザの照射形状に基づき、加工用レーザの焦点を測定基準面13に合わせる。次いで、この際の測定基準面13の加工用レーザの照射方向に沿った位置を、測定用レーザを用いて計測する。すなわち、測定基準面13の位置を測定用レーザの反射光を受光するPSD測定装置の受光面における受光位置として計測し、この受光位置を基準受光位置とする。作業中は、受光位置のずれに対応して対物用光学素子の位置を移動する。
【選択図】図2
Description
本発明は、対物用光学素子により被加工対象物上に結像または集光される加工用レーザの焦点位置を測定可能なビーム観察装置を備え、かつ、前記対物用光学素子を被加工対象物に対して測定された焦点位置に維持するレーザ加工装置および当該レーザ加工装置における焦点維持方法に関する。
一般に、レーザにより被加工対象物に各種加工(材料に溶接・切断・穴あけ・溝掘り・除去・改質)を施すレーザ加工装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
また、非加工対象物の表面の薄膜に微細加工施し、薄膜のパターニングを可能とする技術の開発も行われている。このようなレーザ加工装置では、特許文献1に示されるように、非加工対象物に対してレーザを結像もしくは集光する光学素子の高さ位置を所定の高さ位置(非加工対象物との距離)に調整する必要がある。すなわち、光学素子の結像や集光の焦点距離に基づいて、光学素子の高さ位置を調整する必要がある。
また、非加工対象物の表面の薄膜に微細加工施し、薄膜のパターニングを可能とする技術の開発も行われている。このようなレーザ加工装置では、特許文献1に示されるように、非加工対象物に対してレーザを結像もしくは集光する光学素子の高さ位置を所定の高さ位置(非加工対象物との距離)に調整する必要がある。すなわち、光学素子の結像や集光の焦点距離に基づいて、光学素子の高さ位置を調整する必要がある。
また、板状の被加工対象物に対するレーザの照射位置を板状の被加工対象物の面方向に沿って移動した場合に、被加工対象物の表面のうねりや、被加工対象物に対してレーザの照射位置を相対的に移動させた際の高さずれなどにより、前記光学素子と被加工対象物のレーザの照射位置との距離が変化してしまい、被加工対象物に対してレーザを正しく結像もしくは集光できなくなり、これにより加工精度が低下する。
そこで、特許文献1においては、被加工対象物の高さ位置、すなわち、被加工対象物の移動方向に直交し、ほぼレーザの照射方向となる方向に沿った方向の位置の変化を測定し、測定された高さ位置の変化に対応して、光学素子の位置を変化させ、被加工対象物と光学素子との距離をほぼ一定に保つようにしていた。
また、レーザの被加工対象物の被照射面に対する照射形状、すなわち、レーザのビームの断面形状は、例えば、円形や、その他の形状となっており、このようなビームの断面形状(照射形状)やビーム径やビームの断面におけるビーム強度の分布等の空間的なビーム形状や空間的な光強度の分布を測定する装置としてCCD、CMOSセンサ等の撮像素子を備えた撮像手段を有するビームプロファイラが知られており、レーザ加工装置においてもレーザのビーム断面形状の測定等に用いられている(例えば、特許文献2参照)。
そこで、特許文献1においては、被加工対象物の高さ位置、すなわち、被加工対象物の移動方向に直交し、ほぼレーザの照射方向となる方向に沿った方向の位置の変化を測定し、測定された高さ位置の変化に対応して、光学素子の位置を変化させ、被加工対象物と光学素子との距離をほぼ一定に保つようにしていた。
また、レーザの被加工対象物の被照射面に対する照射形状、すなわち、レーザのビームの断面形状は、例えば、円形や、その他の形状となっており、このようなビームの断面形状(照射形状)やビーム径やビームの断面におけるビーム強度の分布等の空間的なビーム形状や空間的な光強度の分布を測定する装置としてCCD、CMOSセンサ等の撮像素子を備えた撮像手段を有するビームプロファイラが知られており、レーザ加工装置においてもレーザのビーム断面形状の測定等に用いられている(例えば、特許文献2参照)。
ところで、レーザ加工装置においては、レーザ光強度の高いレーザを使用することから、結像もしくは集光用の光学素子におけるレーザ光の吸収や、光学素子としての組レンズ内部の散乱光により、レンズまたはレンズハウジングが加熱され、レンズ材料やレンズハウジングの部分的な熱膨張や、熱によるレンズ材料の屈折率の変化によりレンズの焦点距離が変動し(熱レンズ歪み)、加工に悪影響を及ぼすことになる。
すなわち、被加工対象物に対する光学素子の距離を一定に保持するようにしても、上述の焦点距離の変動により、加工用レーザを被加工対象物上に正確に結像させたり集光させたりすることができない。
また、ビームプロファイラのCCDカメラには、減衰されたレーザが直接的に入射されていた。これにより、CCDカメラに撮像されたレーザからビームの断面形状や強度分布(空間的な光強度の分布)を測定することは可能であるが、被加工対象物に対する光学素子の適切な高さ位置を求めることはできなかった。
すなわち、被加工対象物に対する光学素子の距離を一定に保持するようにしても、上述の焦点距離の変動により、加工用レーザを被加工対象物上に正確に結像させたり集光させたりすることができない。
また、ビームプロファイラのCCDカメラには、減衰されたレーザが直接的に入射されていた。これにより、CCDカメラに撮像されたレーザからビームの断面形状や強度分布(空間的な光強度の分布)を測定することは可能であるが、被加工対象物に対する光学素子の適切な高さ位置を求めることはできなかった。
また、ビームファイラを用いた紫外光レーザの測定においては、紫外光レーザを蛍光板に照射し、それにより発生する蛍光をCCDカメラで撮像することが知られている。
この場合に、蛍光板に紫外光レーザを結像もしくは集光する光学素子の位置を調整しながら、CCDカメラで蛍光板上の蛍光の形状を観察することで、レーザが蛍光板上に結像もしくは集光される光学素子の高さ位置の測定を行うことが考えられる。
この場合に、蛍光板に紫外光レーザを結像もしくは集光する光学素子の位置を調整しながら、CCDカメラで蛍光板上の蛍光の形状を観察することで、レーザが蛍光板上に結像もしくは集光される光学素子の高さ位置の測定を行うことが考えられる。
この場合に、直接レーザを観察するのではなく、レーザにより発生した蛍光板上の蛍光を観察しているため、蛍光板に対する前記光学素子の結像位置や焦点位置を正確に決定することが困難であった。特に、蛍光板上の蛍光の観察形状がレーザ光の強度や蛍光板の特性の違いにより変化し、正確な結像位置や焦点位置の特定が困難であった。
本発明は、上記事情に鑑みて為されたもので、レーザ加工装置のレーザを被加工対象物上に結像もしくは集光させる光学素子の被加工対象物に対する距離を容易かつ正確に決定し、さらに、決定された光学素子の被加工対象物に対する距離をレーザ加工中に維持することができるレーザ加工装置およびレーザ加工装置における焦点維持方法を提供することを目的とする。
請求項1に記載の発明は、加工用レーザを被加工対象物で結像もしくは集光させるための対物用光学素子を介して前記被加工対象物に前記加工用レーザを照射すると共に、前記対物用光学素子の焦点を被加工対象物に合わせるために前記対物用光学素子の被加工対象物の加工用レーザが照射される照射位置に対する距離を調整する焦点距離調整手段を有し、被加工対象物に対する加工用レーザの照射位置を加工用レーザの照射方向とほぼ直交する方向に相対的に移動させることにより被加工対象物に加工用レーザによる加工を施すレーザ加工装置であって、前記加工用レーザの光軸と略同じ光軸に沿うと共に、前記被加工対象物の加工用レーザが照射される照射位置もしくは照射位置近傍に測定用レーザを照射する測定用レーザ照射手段と、前記被加工対象物に照射された測定用レーザの反射光を受光すると共に、被加工対象物の前記加工用レーザの照射位置もしくは照射位置近傍までの前記加工用レーザの照射方向に沿った距離の変位を測定する変位計測手段とを備え、かつ、仮の被加工対象物として前記加工用レーザおよび測定用レーザが照射される測定基準面を有し、加工用レーザの波長に対して透明性の高い観察用基板と、前記加工用レーザの前記観察用基板の測定基準面における照射形状を撮像する撮像手段とを有するビーム観察装置を備え、前記測定用レーザが前記対物用光学素子を通過した後に前記被加工対象物もしくは前記測定基準面に照射され、かつ、前記被加工対象物もしくは前記測定基準面から反射した測定用レーザの反射光が対物用光学素子を通過した後に前記変位計測手段に入射するように前記測定用レーザ照射手段と、前記変位計測手段とが配置されていることを特徴とする。
請求項1記載の発明においては、撮像手段で撮像された測定基準面におけるレーザの照射形状(観察形状)に基づいて、焦点距離調整手段を調整することにより、対物用光学素子によりレーザを測定基準面で結像または集光させることができる。すなわち、測定基準面に対する対物用光学素子の焦点位置(焦点距離)を決定することができる。
また、変位計測手段により、上述のように対物用光学素子の焦点を合わせた際の加工用レーザの照射方向に沿った距離の変位を示す数値は、焦点を合わせた際の測定基準面の相対位置を示す数値となる。この際に測定された変位を0に設定して基準位置とするか、この際に測定された変位を示す数値をそのままの値で基準位置を示すものとする。
また、変位計測手段により、上述のように対物用光学素子の焦点を合わせた際の加工用レーザの照射方向に沿った距離の変位を示す数値は、焦点を合わせた際の測定基準面の相対位置を示す数値となる。この際に測定された変位を0に設定して基準位置とするか、この際に測定された変位を示す数値をそのままの値で基準位置を示すものとする。
ここで、測定用レーザおよび加工用レーザの照射位置(この段階で加工用レーザを照射する必要はない)を被加工対象物上に相対的に移動(加工用レーザの照射方向に直交する方向への移動)した場合に、被加工対象物の加工用レーザ照射位置と測定用基準面との加工用レーザの照射方向に沿った距離に違いがあった場合に、変位計測手段により基準位置からのずれとなる距離の変位が測定されることになる。
ここで、基準位置に対する変位に基づいて、対物用光学素子の位置を焦点距離調整手段で調整することで、対物用光学素子を測定基準面に対する焦点位置から被加工対象物に対する焦点位置に移動することができる。
そして、実際に加工作業を行い、加工用レーザの照射方向に対して直交する方向に被加工対象物と加工用レーザおよび測定用レーザの照射位置とを相対的に移動してレーザ加工を行った場合に、被加工対象物の加工用レーザが照射される表面のうねりや、上述の移動の際の誤差(高さずれ)等により、被加工対象物の加工用レーザの照射位置が、当該加工用レーザの照射方向に沿ってずれた場合に、変位計測手段により基準位置に対する変位が測定されることになる。
そして、実際に加工作業を行い、加工用レーザの照射方向に対して直交する方向に被加工対象物と加工用レーザおよび測定用レーザの照射位置とを相対的に移動してレーザ加工を行った場合に、被加工対象物の加工用レーザが照射される表面のうねりや、上述の移動の際の誤差(高さずれ)等により、被加工対象物の加工用レーザの照射位置が、当該加工用レーザの照射方向に沿ってずれた場合に、変位計測手段により基準位置に対する変位が測定されることになる。
この基準位置に対する変位に対応して対物用光学素子の位置を焦点距離調整手段で調整して変動させる(変位計測手段における測定結果が基準位置となるように変動させる)ことで、対物用光学素子と被加工対象物との距離をほぼ一定に保持して、対物用光学素子の焦点が被加工対象物に合わされた状態に維持することができる。
また、被加工対象物の加工用レーザの照射面の加工用レーザの照射方向に沿った位置の変位を測定する測定用レーザが対物用光学素子を通過すると共に、測定用レーザの被加工対象物からの反射光が対物用光学素子を通過するようになっており、変位計測手段の計測値が、前記照射面の位置の変位だけではなく、対物用光学素子の加工用レーザの熱の影響による焦点距離の変位によっても変化することになる。したがって、変位計測手段に計測された変位に基づいて対物用光学素子と被加工対象物との距離を焦点距離制御手段で制御することで、被加工対象物と対物用光学素子の距離の変化だけではなく、対物用光学素子の加工用レーザの熱の影響のよる焦点距離の変化にも対応できる。
また、被加工対象物の加工用レーザの照射面の加工用レーザの照射方向に沿った位置の変位を測定する測定用レーザが対物用光学素子を通過すると共に、測定用レーザの被加工対象物からの反射光が対物用光学素子を通過するようになっており、変位計測手段の計測値が、前記照射面の位置の変位だけではなく、対物用光学素子の加工用レーザの熱の影響による焦点距離の変位によっても変化することになる。したがって、変位計測手段に計測された変位に基づいて対物用光学素子と被加工対象物との距離を焦点距離制御手段で制御することで、被加工対象物と対物用光学素子の距離の変化だけではなく、対物用光学素子の加工用レーザの熱の影響のよる焦点距離の変化にも対応できる。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のレーザ加工装置における前記対物用光学素子の焦点を被加工対象物の加工用レーザ照射位置に合わせた状態に維持する焦点維持方法であって、
前記撮像手段で撮像された前記測定基準面におけるレーザの照射形状に基づいて、前記焦点距離調整手段により前記対物用光学素子の焦点を測定基準面に合わせ、前記対物用光学素子の焦点が測定基準面に合わされた状態で、前記測定用レーザ照射手段により前記対物用光学素子を介して前記測定用基準面に測定用レーザを照射すると共に、前記変位計測手段に測定用レーザの反射光を受光させ、この状態で前記変位計測手段に計測される前記距離の変位の基準位置を設定し、被加工対象物に加工用レーザを照射して加工する際に測定される前記変位計測手段における前記基準位置に対する変位に基づいて前記焦点距離調整手段により前記対物用光学素子の被加工対象物に対する距離を制御することを特徴とする。
前記撮像手段で撮像された前記測定基準面におけるレーザの照射形状に基づいて、前記焦点距離調整手段により前記対物用光学素子の焦点を測定基準面に合わせ、前記対物用光学素子の焦点が測定基準面に合わされた状態で、前記測定用レーザ照射手段により前記対物用光学素子を介して前記測定用基準面に測定用レーザを照射すると共に、前記変位計測手段に測定用レーザの反射光を受光させ、この状態で前記変位計測手段に計測される前記距離の変位の基準位置を設定し、被加工対象物に加工用レーザを照射して加工する際に測定される前記変位計測手段における前記基準位置に対する変位に基づいて前記焦点距離調整手段により前記対物用光学素子の被加工対象物に対する距離を制御することを特徴とする。
請求項2に記載の発明によれば、請求項1に記載の発明と同様の効果を奏することができる。
本発明のレーザ加工装置によれば、レーザ加工装置において、加工用レーザを被加工対象物上に結像若しくは集光する対物用光学素子の焦点合わせを極めて容易かつ正確に行うことができると共に、加工用レーザに対する被加工対象物の相対的移動や対物用光学素子に対する熱による影響により対物用光学素子の焦点がずれるのを防止することができる。
以下、添付した図面を参照しながら、本発明の実施の形態を説明する。
図1は、本発明に係るビーム観察装置(ビームプロファイラ装置)1を搭載したレーザ加工装置3の概略構成を示すものである。
レーザ加工装置3は、前記ビーム観察装置1と、X−Yステージ装置4と、図示しない加工用レーザの光源装置と、光源装置から照射された加工用レーザをX−Yステージ装置4にセットされた被加工対象物5上で結像もしくは集光させる対物用光学素子としての結像(集光)用レンズを備えた対物用光学装置6と、該対物用光学装置6を上下動自在に支持すると共に上下方向(Z軸上)に位置決めするZステージ装置7と、固定点からX−Yステージ装置4上の被加工対象物5等までのZ軸方向に沿った距離としての高さ位置を計測する高さ測定器8(高さ位置測定手段)とを備える。
図1は、本発明に係るビーム観察装置(ビームプロファイラ装置)1を搭載したレーザ加工装置3の概略構成を示すものである。
レーザ加工装置3は、前記ビーム観察装置1と、X−Yステージ装置4と、図示しない加工用レーザの光源装置と、光源装置から照射された加工用レーザをX−Yステージ装置4にセットされた被加工対象物5上で結像もしくは集光させる対物用光学素子としての結像(集光)用レンズを備えた対物用光学装置6と、該対物用光学装置6を上下動自在に支持すると共に上下方向(Z軸上)に位置決めするZステージ装置7と、固定点からX−Yステージ装置4上の被加工対象物5等までのZ軸方向に沿った距離としての高さ位置を計測する高さ測定器8(高さ位置測定手段)とを備える。
光源装置は、例えば、レーザとして、YAGレーザ(波長、1064nm、532nm、355nm、266nm)、CO2レーザ(波長、1.06μm)、エキシマレーザ(波長、308nm、248nm)や、その他の気体レーザ、固体レーザ、半導体レーザ、液体レーザ、ファイバーレーザ、薄膜ディスクレーザ等の少なくとも何れか1つを用いることできる。すなわち、被加工対象物の種類や、加工の種類に応じて好適なレーザを使用することができる。なお、レーザ加工装置は、溶接・切断・穴あけ・溝掘り・除去・改質や、薄膜のパターニング、シート材の加工等の少なくとも1つに用いられる。たとえば、レーザ加工装置は、フラットパネルディスプレイのガラス基板や樹脂基板(フィルム)等の透明基板における薄膜のパターニングに用いられるものとしてもよい。
なお、レーザによる微細加工における好適なレーザは、157nm〜1200nmのレーザと、9μm〜11μmの赤外線レーザとである。
なお、レーザによる微細加工における好適なレーザは、157nm〜1200nmのレーザと、9μm〜11μmの赤外線レーザとである。
X−Yステージ装置4は、周知のもので、基本的に板状もしくはシート状の被加工対象物5がセットされるステージ41を有し、このステージ41をX軸方向およびそれに直交するY軸方向に移動させるものであり、ステージ41の移動をコントロール(制御)するX−Yステージ制御装置42を備える。また、X−Yステージ装置4には、ステージ41を跨ぐように門形状に形成された固定部43が設けられ、この固定部43に、対物用光学装置6を備えたZステージ装置7と、高さ測定器8とが固定されている。
そして、対物用光学装置6は、ステージ41をX−Yステージ装置4における移動可能範囲内で移動させることで、ステージ41に固定される被加工対象物5の上面全体のいずれの真上でも配置可能で、かつ、ビーム観察装置1の後述の少なくとも測定基準面13の真上に配置可能となっている。
対物用光学装置6は、上述のように加工用レーザを被加工対象物5上で結像もしくは集光させる光学素子としてのレンズ(対物レンズ)もしくはレンズ群を備えた周知のものである。
Zステージ装置7は、対物用光学装置6をX軸方向およびY軸方向に直交するZ軸方向(加工用レーザの照射方向)に移動させるものであり、このZ軸方向の移動により対物用光学装置6(レンズ)と被加工対象物5との距離を調整し、結像もしくは集光用レンズにより加工用レーザを被加工対象物5上に結像もしくは集光させる際に焦点を合わせるものである。すなわち、Zステージ装置7は、対物用光学素子を備える対物用光学装置6の焦点を被加工対象物5に合わせるための焦点距離調整手段として機能するものである。なお、加工用レーザの被加工対象物5への照射方向は、Z軸方向に沿ったものである。
対物用光学装置6は、上述のように加工用レーザを被加工対象物5上で結像もしくは集光させる光学素子としてのレンズ(対物レンズ)もしくはレンズ群を備えた周知のものである。
Zステージ装置7は、対物用光学装置6をX軸方向およびY軸方向に直交するZ軸方向(加工用レーザの照射方向)に移動させるものであり、このZ軸方向の移動により対物用光学装置6(レンズ)と被加工対象物5との距離を調整し、結像もしくは集光用レンズにより加工用レーザを被加工対象物5上に結像もしくは集光させる際に焦点を合わせるものである。すなわち、Zステージ装置7は、対物用光学素子を備える対物用光学装置6の焦点を被加工対象物5に合わせるための焦点距離調整手段として機能するものである。なお、加工用レーザの被加工対象物5への照射方向は、Z軸方向に沿ったものである。
したがって、レーザ加工装置3は、加工用レーザを被加工対象物5で結像もしくは集光させるための対物用光学素子(対物用光学装置6)を介して前記被加工対象物5に前記加工用レーザを照射すると共に、前記対物用光学素子の焦点を被加工対象物に合わせるために前記対物用光学素子の被加工対象物5の加工用レーザが照射される照射位置に対する距離を調整する焦点距離調整手段(Zステージ装置7およびZステージ制御装置71)を有し、被加工対象物5に対する加工用レーザの照射位置を加工用レーザの照射方向(Z軸方向)とほぼ直交する方向(X−Y軸方向)に相対的に移動させることにより被加工対象物5に加工用レーザによる加工を施すものである。Zステージ装置7は、Zステージ制御装置71に制御されて、対物用光学装置6を移動させるようになっており、これらが焦点距離調整手段となる。
そして、このようなレーザ加工装置3で用いられる加工用レーザのビーム観察装置1は、図1に示すように、X−Yステージ装置4のステージ41の被加工対象物5をセットする際に邪魔にならない一側縁部に固定され、ステージ41と一体にX軸方向およびY軸方向に移動可能となっている。なお、ビーム観察装置(ビームプロファイラ装置)1は、ステージ41に固定される測定部11と、測定結果をモニタするためにモニタ部12に二分された状態となっており、ステージ41に接続固定されるのは測定部11だけである。
なお、本発明におけるビーム観察装置1は、CCD素子やCMOSセンサ素子などの撮像素子でビームの空間的な形状や強度分布を撮像する広義のビームプロファイラに含まれるものと考えてもよい。
なお、本発明におけるビーム観察装置1は、CCD素子やCMOSセンサ素子などの撮像素子でビームの空間的な形状や強度分布を撮像する広義のビームプロファイラに含まれるものと考えてもよい。
そして、図2に示すようにビーム観察装置1の測定部11には、レーザが照射される測定基準面13を有する観察用基板14と、観察用基板14に照射されたレーザを後述のCCDカメラ15とレーザの出力を検出する後述のパワーディテクタ16とに分岐するビームスプリッタ17と、測定基準面13に照射されたレーザを撮像することにより、レーザの照射形状と照射形状内における強度分布を測定する前記CCDカメラ15と、レーザの出力の計測に用いられるパワーディテクタ16と、前記測定基準面13にCCDカメラ15の焦点を合わせるための光のパターンを照射する光パターン照射手段としてのスリット板19を備えたパターン照明18と、CCDカメラ用照明装置34とを備える。なお、CCDカメラ15に代えてCMOSセンサ等の他の撮像素子を用いたデジタルカメラを用いてもよい。
また、モニタ部12は、CCDカメラ15に接続され、CCDカメラ15で撮像された画像を表示する画像モニタ20と、パワーディテクタ16に接続されパワーディテクタ16で計測された信号に基づいてレーザ出力値を表示する出力測定モニタ21とを備える。ここで、画像モニタ20は、撮像手段としてのCCDカメラ15に撮像されたレーザの測定基準面13における照射形状を表示する表示手段である。
前記観察用基板14は、例えば、ガラスや石英等からなるが、使用される加工用レーザの波長によって材質が決定されるものであり、加工用レーザに対して透明性の極めて高い基板が観察用基板14として用いられる。すなわち、観察用基板14としては、加工用レーザに加工(損傷)させられることがなく、かつ、通過するレーザをできるだけ減衰させない材質のものが用いられることになり、加工用レーザの波長によって決定される。
たとえば、エキシマレーザの場合には、石英板が観察用基板14として用いられる。
また、CO2レーザの場合は、ジンクセレン(ZnSe…Zinc
Selenide:ジンクセレナイド)を好適に用いることができる。
以上のことからビーム観察装置1は、仮の被加工対象物として加工用レーザおよび測定用レーザが照射される測定基準面13を有し、加工用レーザの波長に対して透明性の高い観察用基板14を備える。
たとえば、エキシマレーザの場合には、石英板が観察用基板14として用いられる。
また、CO2レーザの場合は、ジンクセレン(ZnSe…Zinc
Selenide:ジンクセレナイド)を好適に用いることができる。
以上のことからビーム観察装置1は、仮の被加工対象物として加工用レーザおよび測定用レーザが照射される測定基準面13を有し、加工用レーザの波長に対して透明性の高い観察用基板14を備える。
そして、観察用基板14は、基本的に厚さができるだけ一様な矩形状の板体であり、加工用レーザが照射される上面が、できるだけ平面化された測定基準面13となっている。
測定基準面13は、その左右の半分より一方側、例えば、左側に、クロムの薄膜からなるテストパターン23が形成されている。テストパターン23は、CCDカメラのフォーカスを測定基準面に合わせるためのものであり、例えば、縦横の格子状に形成されている。すなわち、テストパターン23は、観察用基板14の測定基準面13に形成されて撮像手段としてのCCDカメラ15の焦点合わせに用いられる焦点合わせ用パターンである。
測定基準面13は、その左右の半分より一方側、例えば、左側に、クロムの薄膜からなるテストパターン23が形成されている。テストパターン23は、CCDカメラのフォーカスを測定基準面に合わせるためのものであり、例えば、縦横の格子状に形成されている。すなわち、テストパターン23は、観察用基板14の測定基準面13に形成されて撮像手段としてのCCDカメラ15の焦点合わせに用いられる焦点合わせ用パターンである。
また、観察用基板14は、前記左右方向に観察用基板を移動可能な観察用基板1軸移動機構(図示略)により支持されている。したがって、観察用基板14は、レーザが照射される位置、すなわち、CCDカメラ15により撮像される位置を、前記テストパターン23が形成された位置と、テストパターン23が形成されておらず、観察用基板14が平面状に露出した状態となった位置とで切り換え可能となっている。
前記ビームスプリッタ17は、基本的に加工用レーザに対して透明性の極めて高い板体が用いられるが、レーザに対して斜めに配置され、空気とビームスプリッタ17との界面で、透過光と反射光に分離されることになる。そして、透過光がパワーディテクタ16に入射され、反射光がCCDカメラ15に入射されるようになっている。
この際に、CCDカメラ15に入射される加工用レーザの反射光ができるだけ小さい方が好ましく、パワーディテクタ16に入射される光はできるだけ大きい方が好ましい。
すなわち、CCDカメラ15の感度は出力の大きな加工用レーザに対して極めて高く、加工用レーザの出力のうちの極めて僅かな部分だけ入射されればよく、逆に加工用レーザの出力の一部であっても出力が強すぎると、CCDカメラ15が破壊される可能性がある。
この際に、CCDカメラ15に入射される加工用レーザの反射光ができるだけ小さい方が好ましく、パワーディテクタ16に入射される光はできるだけ大きい方が好ましい。
すなわち、CCDカメラ15の感度は出力の大きな加工用レーザに対して極めて高く、加工用レーザの出力のうちの極めて僅かな部分だけ入射されればよく、逆に加工用レーザの出力の一部であっても出力が強すぎると、CCDカメラ15が破壊される可能性がある。
一方、パワーディテクタ16では、正確に加工用レーザの出力を測る上で、できるだけ減衰されていない加工用レーザが入射されることが好ましい。
すなわち、ビームスプリッタ17は、加工用レーザの極一部をCCDカメラ15に分岐し、加工用レーザの大部分をパワーディテクタ16に分岐する。
また、CCDカメラ15に入射される加工用レーザの光は、極めて僅かで良いので、ビームスプリッタ17の加工用レーザが照射される面に、周知の反射光を抑えるコーティングを施すことにより、反射光を小さくするようにしてもよい。
すなわち、ビームスプリッタ17は、加工用レーザの極一部をCCDカメラ15に分岐し、加工用レーザの大部分をパワーディテクタ16に分岐する。
また、CCDカメラ15に入射される加工用レーザの光は、極めて僅かで良いので、ビームスプリッタ17の加工用レーザが照射される面に、周知の反射光を抑えるコーティングを施すことにより、反射光を小さくするようにしてもよい。
また、前記CCDカメラ15と、後述のパターン照明18とは、同一の鏡筒24内に配置されている。そして、鏡筒24には、対物レンズ25が設けられ、ビームスプリッタ17で分岐されたレーザが対物レンズ25を介して鏡筒24内に入射する。また、CCDカメラ15は、対物レンズ25から入射するレーザの入射軸に対してオフセットされた位置に配置されており、対物レンズ25から配置された2つのミラー26,27により反射された光がCCDカメラ15に受光レンズ28を介して入射される。
なお、対物レンズ25の光軸上に配置されたミラー26は、透明な板体であり、入射した加工用レーザを反射すると共に、後述のようにパターン照明18の光を透過するようになっており、ビームスプリッタもしくはダイクロックミラーなどと同様の構成となっている。
また、CCDカメラ15に入射する加工用レーザは、上述のようにビームスプリッタ17により出力が小さいものとなっているが、さらに、フィルタ29(例えば、ニュートラルデンシディ(ND)フィルタ)が配置されており、入射する加工用レーザをフィルタ29によりさらに減光して、CCDカメラ15を保護するようになっている。
また、鏡筒24内には、前記スリット板19を備えたパターン照明18が対物レンズ25の光軸上に配置されており、投光レンズ30(例えば、コリメートレンズ)を介してミラー26を透過して対物レンズ25により、観察用基板14の測定基準面13でスリット板19に形成されたスリットの形状(例えば、十字等)を結像するようになっている。
なお、パターン照明により照射される形状は、十字に限定されるものではなく、焦点合わせに使える形状ならばよい。したがって、パターンを形成するためのものは、スリットが形成されたスリット板19に限られるものではなく、金属マスクやガラスフォトマスク等のマスクにより光のパターンが形成可能なものでもよく、パターンを測定基準面13に投影して結像できればよい。
また、CCDカメラ15に入射する加工用レーザは、上述のようにビームスプリッタ17により出力が小さいものとなっているが、さらに、フィルタ29(例えば、ニュートラルデンシディ(ND)フィルタ)が配置されており、入射する加工用レーザをフィルタ29によりさらに減光して、CCDカメラ15を保護するようになっている。
また、鏡筒24内には、前記スリット板19を備えたパターン照明18が対物レンズ25の光軸上に配置されており、投光レンズ30(例えば、コリメートレンズ)を介してミラー26を透過して対物レンズ25により、観察用基板14の測定基準面13でスリット板19に形成されたスリットの形状(例えば、十字等)を結像するようになっている。
なお、パターン照明により照射される形状は、十字に限定されるものではなく、焦点合わせに使える形状ならばよい。したがって、パターンを形成するためのものは、スリットが形成されたスリット板19に限られるものではなく、金属マスクやガラスフォトマスク等のマスクにより光のパターンが形成可能なものでもよく、パターンを測定基準面13に投影して結像できればよい。
すなわち、パターン照明18と、CCDカメラ15とで、対物レンズ25を共用している。また、スリット板19は、パターン照明18と投光レンズ30との間で、これらの光軸に沿って移動自在とされており、スリット板19を移動させることにより、観察用基板14の測定基準面13にスリット板19の形状を結像させることができる。すなわち、焦点を合わせることができる。なお、スリット板19は、鏡筒24の外部から操作により移動可能となっている。
以上のことから、CCDカメラ15は、観察用基板14の測定基準面13を通過すると共に減衰された加工用レーザが入射され、加工用レーザの測定基準面13における照射形状を撮像する撮像手段となる。また、スリット板19およびパターン照明18と、投光レンズ30、対物レンズ25、ミラーとして機能するビームスプリッタ17等の光学系部品とからCCDカメラ15の焦点合わせ用パターンとして、前記観察用基板14の測定基準面13に結像する光のパターンを照射する光パターン照射手段が構成され、スリット板19を移動させる機構が光パターン照射手段による光のパターンを前記測定基準面13に結像させるように調整するパターン結像調整手段となる。
また、CCDカメラ15やパターン照明18等が収容されている鏡筒24は、当該鏡筒24をビームスプリッタ17でCCDカメラ15に向かって分岐された加工用レーザの光軸方向に沿って移動自在とする1軸ステージを備えた焦点位置制御装置31により支持されている。この焦点位置制御装置31が、撮像手段としてのCCDカメラ15の焦点を観察用基板14の測定基準面13に合わせるための撮像装置用焦点調整手段となる。
すなわち、CCDカメラ15をその光学系(対物レンズ25および受光レンズ28等)を含めて入射されるレーザの光軸方向に沿って移動させることで、CCDカメラ15の焦点を観察用基板14の測定基準面13に合わせられるようになっている。
すなわち、CCDカメラ15をその光学系(対物レンズ25および受光レンズ28等)を含めて入射されるレーザの光軸方向に沿って移動させることで、CCDカメラ15の焦点を観察用基板14の測定基準面13に合わせられるようになっている。
パワーディテクタ16には、ビームスプリッタ17で分岐されたレーザがミラー32およびレンズ33(例えば集光レンズ)を介して入射される。
また、パワーディテクタ16は、周知のレーザ用のものであり、照射されたレーザの出力を検出する。なお、使われるレーザがパルス状の場合には、周知のパルス状のレーザの出力を検出可能なディテクタを用いるものとしてもよい。
すなわち、パワーディテクタ16は、測定基準面13を通過したレーザの出力を検出する。また、ビームスプリッタ17は、測定基準面13を通過したレーザをCCDカメラ15と、パワーディテクタ16とに分岐する。
また、パワーディテクタ16は、周知のレーザ用のものであり、照射されたレーザの出力を検出する。なお、使われるレーザがパルス状の場合には、周知のパルス状のレーザの出力を検出可能なディテクタを用いるものとしてもよい。
すなわち、パワーディテクタ16は、測定基準面13を通過したレーザの出力を検出する。また、ビームスプリッタ17は、測定基準面13を通過したレーザをCCDカメラ15と、パワーディテクタ16とに分岐する。
パワーディテクタ16において、レーザが照射された際に、レーザの強度を測定することが可能となる。これにより、レーザの強度が加工を行うのに適切な範囲内か否かを測定することができる。また、この際にも、レーザの出力が上述のレンズの変形や、光源装置の経年変化等により変化するので、実際の加工にあたって、その出力を測定することにより、出力が適切か否かの判定と、適切でなかった場合の光源装置の出力の調整を行うことができる。
また、ビーム観察装置1には、CCDカメラ用照明装置34が内蔵されており、CCDカメラ用照明装置34の照明光がビームスプリッタ17およびミラー32(ダイクロックミラー)を透過して測定基準面13のテストパターン23に照射される。
また、ビーム観察装置1には、CCDカメラ用照明装置34が内蔵されており、CCDカメラ用照明装置34の照明光がビームスプリッタ17およびミラー32(ダイクロックミラー)を透過して測定基準面13のテストパターン23に照射される。
そして、このようなレーザ加工装置3で用いられる高さ測定器8は、レーザ加工装置3が被加工対象物5の加工面で加工用レーザを集光させる集光光学系のものか、被加工対象物5の加工面に例えば予め決められた加工形状となるマスクの像を加工用レーザにより結像させる結像光学系を有するものかによって構造が僅かに異なるものとなる。
なお、集光光学系のレーザ加工装置3においては、被加工対象物5に対して加工用レーザの照射位置を相対的に移動したり停止したりすることで加工形状が決定されるのに対して、結像光学系では、加工用レーザを移動しなくともマスクによって加工形状が決定されるが、例えば、同じマスクを用いて同じ加工形状を1つの被加工対象物5に複数作成する場合や、順次マスクを切り換えて異なる加工形状を1つの被加工対象物5に複数作成する場合に、被加工対象物5に対して加工用レーザを相対的に移動させる必要があり、結像光学系のレーザ加工装置3においても、被加工対象物5の表面のうねりや、被加工対象物5に対してレーザ照射位置を相対的に移動させた際の高さずれなどにより、前記対物用光学装置6と被加工対象物5の加工用レーザの照射位置との距離が変化してしまという問題が生じる。
なお、集光光学系のレーザ加工装置3においては、被加工対象物5に対して加工用レーザの照射位置を相対的に移動したり停止したりすることで加工形状が決定されるのに対して、結像光学系では、加工用レーザを移動しなくともマスクによって加工形状が決定されるが、例えば、同じマスクを用いて同じ加工形状を1つの被加工対象物5に複数作成する場合や、順次マスクを切り換えて異なる加工形状を1つの被加工対象物5に複数作成する場合に、被加工対象物5に対して加工用レーザを相対的に移動させる必要があり、結像光学系のレーザ加工装置3においても、被加工対象物5の表面のうねりや、被加工対象物5に対してレーザ照射位置を相対的に移動させた際の高さずれなどにより、前記対物用光学装置6と被加工対象物5の加工用レーザの照射位置との距離が変化してしまという問題が生じる。
集光光学系のレーザ加工装置3における高さ測定器8は、図3に示すように、測定用レーザを発生させると共に、測定用レーザの強度を制御する制御装置を備えた測定用レーザ発生装置81と、測定用レーザ発生装置81から出力される測定用レーザを伝播するシングルモード光ファイバ82と、シングルモード光ファイバ82から出射された測定用レーザを平行光とする投光レンズ83と、投光レンズ83を通る測定用レーザを被加工対象物5側(ここでは、後述のダイクロックミラー85側)に向けると共に被加工対象物5からの測定用レーザの反射光を後述のPSD測定装置86側に向けるビームスプリッタ84と、異なる方向から照射される測定用レーザと加工用レーザとをほぼ同じ光軸上に配置させるダイクロックミラー85と、ダイクロックミラー85から対物用光学装置6を介して被加工対象物5に照射されて反射された反射光が再び対物用光学装置6、ダイクロックミラー85、ビームスプリッタ84および反射光を集光する受光レンズ88を介して入射されるPSD測定装置86と、PSD測定装置86により測定された前記反射光の位置の変化および出力の変化を求め、これらを測定用レーザ発生装置81およびZステージ制御装置71に出力するPSD解析装置87とを備えている。
測定用レーザ発生装置81は、例えば、波長635nmの赤色の半導体レーザを用いた光源を備えると共に、出力を変更可能となっている。なお、測定用レーザ発生装置81の制御装置は、PSD解析装置87から入力される測定用レーザの反射光の強度の測定値の変化に基づいて測定用レーザの出力をほぼリアルタイムでフィードバック制御する。制御方法は周知のフィードバック制御方法を用いることができ、基本的に、反射光の測定強度が減少傾向なら測定用レーザの出力を増加傾向とし、測定強度が増加傾向なら測定用レーザの出力を減少傾向とする。すなわち、レーザ強度制御手段としての測定用レーザ発生装置81の制御装置は、高さ位置計測手段(受光位置変位計測手段)としてのPSD測定装置86からPSD解析装置87を介して出力される測定用レーザの反射光の受光強度の変化に基づいて測定用レーザの強度をフィードバック制御することになる。
シングルモード光ファイバ82は、測定用レーザ発生装置81から出力された測定用レーザをシングルモードのレーザとして伝播すると共に出射する。これにより、出力される測定用レーザを小さな径とすると共にレーザビームの断面の強度分布においてピークが1つとなるものとし、PSD測定装置86における測定精度を高めることができる。
ビームスプリッタ84は、シングルモード光ファイバ82の出射端から出射される測定レーザを被加工対象物5側に反射し、被加工対象物5から反射される測定用レーザの反射光をPSD測定装置86側に透過させる。
ビームスプリッタ84は、シングルモード光ファイバ82の出射端から出射される測定レーザを被加工対象物5側に反射し、被加工対象物5から反射される測定用レーザの反射光をPSD測定装置86側に透過させる。
ダイクロックミラー85は、互いに波長の異なる加工用レーザと、測定用レーザにおいて、加工用レーザの波長の光を透過させ、測定用レーザの波長の光を反射させるものとなっている。そして、ダイクロックミラー85により異なる方向から入射される加工用レーザと測定用レーザを略同じ光軸上に配置し、対物用光学装置6により被加工対象物5のほぼ同じ位置に照射する。なお、加工用レーザによる加工が溝掘りや穴あけの場合のように、被加工対象物5の表面位置を低下させる場合に、測定用レーザの照射位置が加工用レーザによる加工位置と完全に一致しない方が好ましい。
また、ダイクロックミラー85は、被加工対象物5の加工用レーザが照射されるほぼ平面である照射面(加工される面)に対して測定用レーザを僅か(照射面に直交するようにレーザ加工装置および高さ測定器8を組み立てた際の組立誤差レベルでよい)に斜めに入射させるようになっている。これにより、被加工対象物5の加工用レーザの照射面の高さ位置(Z軸方向に沿った位置)が上下に変動した場合に、測定用レーザの反射光の光軸がずれる(変位)するようにしている。このずれに基づく反射光の受光位置の変化を後述のPSD測定装置86で計測することで、被加工対象物5の加工用レーザ照射位置のZ軸方向に沿った距離の変位、すなわち、高さ位置の変化を計測できるようにしている。
以上のことから、上述の測定用レーザ発生装置81は、前記加工用レーザの光軸と略同じ光軸に沿うと共に、前記被加工対象物の加工用レーザが照射される照射位置もしくは照射位置近傍に測定用レーザを照射する測定用レーザ照射手段となる。また、測定用レーザ発生装置81は、照射する測定用レーザの強度を可変とし、かつ、測定用レーザの強度の変更を制御するレーザ強度制御手段としての制御装置を内蔵している。
そして、測定用レーザが対物用光学装置6を加工用レーザと略同じ光軸に沿って通過した後に、測定用レーザの反射光が対物用光学装置6を通過した後にPSD測定装置86に入射するようになっていることから、上述の被加工対象物5の表面における加工用レーザの照射位置のZ軸方向の位置の変化だけではなく、対物用光学装置6における上述の熱レンズ歪みに基づく焦点距離の変動によっても、PSD測定装置86における測定用レーザの反射光の受光位置が変化するようになっている。これにより、実際の被加工対象物5表面のZ軸方向の沿った変化(高低差)による反射光の受光位置の変化と、対物用光学装置6における焦点距離の変動による受光位置の変化とを合わせた変化をPSD測定装置86で測定可能となっている。
一方、図3に示す、結像光学系のレーザ加工装置3で用いられる高さ測定器8aは、基本的に、集光光学系のレーザ加工装置3で用いられる高さ測定器8と以下の点が相違するが、同様の構成については、説明を省略する。
なお、結像光学系のレーザ加工装置3には、対物用光学装置6より加工用レーザの光源側にマスク9が配置される。
そして、高さ測定器8aでは、高さ測定器8にあった受光レンズ88が無い構成となっている。
また、投光レンズ83は、シングルモード光ファイバ82から出向した測定用レーザを平行光とするものではなく、例えば、ビームスプリッタ84より前となる位置で一旦測定用レーザを集光させる集光レンズとなっている。
なお、結像光学系のレーザ加工装置3には、対物用光学装置6より加工用レーザの光源側にマスク9が配置される。
そして、高さ測定器8aでは、高さ測定器8にあった受光レンズ88が無い構成となっている。
また、投光レンズ83は、シングルモード光ファイバ82から出向した測定用レーザを平行光とするものではなく、例えば、ビームスプリッタ84より前となる位置で一旦測定用レーザを集光させる集光レンズとなっている。
そして、投光レンズ83で集光された集光点10からビームスプリッター84を介してダイクロイックミラー85までの測定用レーザの光路長L1と、ダイクロイックミラー85からマスク9までの加工用レーザの光路長L2と、ダイクロイックミラー85からPSD素子の受光面までの光路長L3とが等しくなるようにそれぞれ集光点10、マスク9、PSD素子等を配置する。
なお、これにより、マスク9から対物用光学装置6を介して被加工対象物5の加工用レーザ照射位置までの光路長と、集光点10から対物用光学装置6を介して被加工対象物5の測定用レーザ照射位置までの光路長と、被加工対象物5の測定用レーザ照射位置から対物用光学装置6を介してPSD素子の受光面までの光路長が等しくなる。
以上の構成により、測定用レーザは、集光点10で集光した後に、マスクにより形成される画像を被加工対象物5の加工用レーザ照射面に結像させる対物用光学装置6を通り、被加工対象物5に照射された状態となるとともに反射され、この反射光が対物用光学装置6を通り、再び、PSD素子の受光面に集光(結像)した状態で達する。したがって、高さ測定器8のように、集光レンズ88がなくてもPSD素子の受光面上に略点状の測定用レーザの反射光が入射することになる。
なお、これにより、マスク9から対物用光学装置6を介して被加工対象物5の加工用レーザ照射位置までの光路長と、集光点10から対物用光学装置6を介して被加工対象物5の測定用レーザ照射位置までの光路長と、被加工対象物5の測定用レーザ照射位置から対物用光学装置6を介してPSD素子の受光面までの光路長が等しくなる。
以上の構成により、測定用レーザは、集光点10で集光した後に、マスクにより形成される画像を被加工対象物5の加工用レーザ照射面に結像させる対物用光学装置6を通り、被加工対象物5に照射された状態となるとともに反射され、この反射光が対物用光学装置6を通り、再び、PSD素子の受光面に集光(結像)した状態で達する。したがって、高さ測定器8のように、集光レンズ88がなくてもPSD素子の受光面上に略点状の測定用レーザの反射光が入射することになる。
以上のことから、測定用レーザが対物用光学装置6を通過した後に被加工対象物5に照射され、かつ、被加工対象物5から反射した測定用レーザの反射光が対物用光学装置6を通過した後にPSD素子を有するPSD測定装置86に入射するように、前記測定用レーザ照射手段の末端となるシングルモード光ファイバ82の出射端と、PSD測定装置86のPSD素子とが配置されている。
そして、PSD測定装置86は、PSD(ポジションセンシングデバイス)素子の受光面における受光位置の変位を測定するものであり、例えば、図3および図4における配置において、被加工対象物5の測定用レーザの照射位置がZ軸方向に沿って上下に変化すると、PSD素子の受光面における測定用レーザの反射光の位置もZ軸方向に沿って変化する。
この変化をPSD測定装置86が信号としてPSD解析装置87に出力する。また、PSD測定装置86は、基本的に光検知装置であり、入射光の位置情報と共に入射光の強度も測定可能であり、PSD測定装置86から出力される上記信号には、入射光強度の変化を示す信号も含まれるものとなっている。
この変化をPSD測定装置86が信号としてPSD解析装置87に出力する。また、PSD測定装置86は、基本的に光検知装置であり、入射光の位置情報と共に入射光の強度も測定可能であり、PSD測定装置86から出力される上記信号には、入射光強度の変化を示す信号も含まれるものとなっている。
そして、PSD測定装置86は、被加工対象物に照射された測定用レーザの反射光を受光すると共に、被加工対象物5の加工用レーザの照射面が加工用レーザの照射方向に沿って位置を変位させた場合に、この変位に基づいた受光位置の変位を計測するPSD素子を備えた受光位置変位計測手段として機能する。また、PSD測定装置86は、PSD素子における前記測定用レーザの反射光の受光強度の変化を示す信号を出力可能とされている。
なお、PSD素子における受光位置は、後述のように、三角測量に基づくPSD素子から被加工対象物までの距離を示すものとなる。そして、これは、測定用レーザの照射位置(すなわち、加工用レーザの照射位置に近似する位置)の加工用レーザの照射方向に沿った位置としての高さ位置を示すものとなる。したがって、PSD素子を備えたPSD測定装置86は、被加工対象物に照射された測定用レーザの反射光を受光すると共に、被加工対象物の前記加工用レーザの照射位置もしくは照射位置近傍までの前記加工用レーザの照射方向に沿った距離の変位を測定する変位計測手段となる。
なお、PSD素子における受光位置は、後述のように、三角測量に基づくPSD素子から被加工対象物までの距離を示すものとなる。そして、これは、測定用レーザの照射位置(すなわち、加工用レーザの照射位置に近似する位置)の加工用レーザの照射方向に沿った位置としての高さ位置を示すものとなる。したがって、PSD素子を備えたPSD測定装置86は、被加工対象物に照射された測定用レーザの反射光を受光すると共に、被加工対象物の前記加工用レーザの照射位置もしくは照射位置近傍までの前記加工用レーザの照射方向に沿った距離の変位を測定する変位計測手段となる。
そして、PSD解析装置87は、PSD測定装置86から入力された信号のうちの上述のPSD測定装置86の受光面における測定用レーザの反射光の位置(高さ位置)の変化の信号に基づいて、Zステージ装置7のZステージ制御装置71に対物用光学装置6のZ軸方向の移動のための信号を出力する。すなわち、被加工対象物5の測定用レーザの照射位置が上昇した場合に、対物用光学装置6を上昇させ、被加工対象物5の測定用レーザの照射位置が下降した場合に、対物用光学装置6を下降させる。
また、測定用レーザの反射光の位置の変化の信号には、測定用レーザおよびその反射光が対物用光学装置6を通過することから、上述のように対物用光学装置6の焦点距離の変動の情報も含まれており、対物用光学装置6の焦点距離が長くなった場合に、対物用光学装置6を上昇させ、対物用光学装置6の焦点距離が短くなった場合に、対物用光学装置6を下降させる。すなわち、受光位置変位計測手段としてのPSD測定装置86により計測された測定用レーザの反射光の受光位置の変位に基づいて焦点距離制御手段としてのZステージ装置7およびZステージ制御装置71が対物用光学装置6と被加工対象物5との間の距離を制御する。
なお、PSD測定装置86において、被加工対象物5の測定用レーザの照射位置が上昇した際に、受光位置が高さ方向(Z軸方向)の下側に移動し、被加工対象物5の測定用レーザの照射位置が下降した際に、受光位置が高さ方向(Z軸方向)の上側に移動すると仮定した場合に、対物用光学装置6の焦点距離が長くなった際に、受光位置が高さ方向(Z軸方向)の下側に移動し、対物用光学装置6の焦点距離が短くなった際に、受光位置が高さ方向(Z軸方向)の上側に移動する。
これにより、被加工対象物5の表面状態やX−Yステージ装置4の動作に伴う対物用光学装置6と被加工対象物5の距離の変動と、対物用光学装置6の加工用レーザの熱による焦点距離の変動に対応して、Zステージ装置7により対物用光学装置6を被加工対象物5上に加工用レーザが結像もしくは集光される位置に保持することができる。
すなわち、被加工対象物5と対物用光学装置6との距離の変動に対応してZステージ装置7により距離を一定に保つのではなく、対物用光学装置6の焦点距離の変動も考慮して、対物用光学装置6の焦点を常に被加工対象物5に合わせるようにZステージ装置7及びZステージ制御装置71により対物用光学装置6の位置が制御されることになる。
すなわち、被加工対象物5と対物用光学装置6との距離の変動に対応してZステージ装置7により距離を一定に保つのではなく、対物用光学装置6の焦点距離の変動も考慮して、対物用光学装置6の焦点を常に被加工対象物5に合わせるようにZステージ装置7及びZステージ制御装置71により対物用光学装置6の位置が制御されることになる。
また、PSD測定装置86から入力された信号に基づいてPSD解析装置87においてPSD測定装置86における入射光(測定用レーザの被加工対象物5からの反射光)強度の変化を示す信号を測定用レーザ発生装置81の制御装置に出力する。この信号に基づいて前記制御装置は、入射光強度が上がると測定用レーザ発生装置81における測定用レーザの発射強度が下げられ、入射光強度が下がると測定用レーザ発生装置81における測定用レーザの発射強度が上げられる。
これにより、上述のX−Yステージで、被加工対象物5を移動させることにより、加工用レーザおよび測定用レーザの照射位置が移動した際の被加工対象物5の表面状態の変化により測定用レーザの反射光の強度が変動した場合、例えば、測定用レーザ発生装置81において反射光強度が低下した際に測定用レーザの強度を高くし、反射光強度が上昇した際に測定用レーザの強度を低くする。
これにより、上述のX−Yステージで、被加工対象物5を移動させることにより、加工用レーザおよび測定用レーザの照射位置が移動した際の被加工対象物5の表面状態の変化により測定用レーザの反射光の強度が変動した場合、例えば、測定用レーザ発生装置81において反射光強度が低下した際に測定用レーザの強度を高くし、反射光強度が上昇した際に測定用レーザの強度を低くする。
これにより、被加工対象物5の表面状態が一様でない場合に、表面状態の変化により
測定用レーザの反射光の強度が低下したり上昇したりした場合にフィードバック制御により、測定用レーザの発射強度を変更することで、測定用レーザの反射光の強度の変動を小さくするようにできる。したがって、測定用レーザの反射光の強度の変動が、例えば、PSD測定装置86の測定レンジを越えるような大きな変動であっても、測定レンジ内に収まる変動に調整することができる。
これらのことから、測定用レーザの反射光強度の変動により反射光強度がPSD測定装置86の測定レンジを越えることで、上述の被加工対象物5の高さの変動の正確な測定が困難になるような場合でも正確な測定が可能となる。また、測定レンジを越えないような反射光強度の変動であっても変動幅を狭くすることが可能であり、より正確な測定を可能とすることができる。
測定用レーザの反射光の強度が低下したり上昇したりした場合にフィードバック制御により、測定用レーザの発射強度を変更することで、測定用レーザの反射光の強度の変動を小さくするようにできる。したがって、測定用レーザの反射光の強度の変動が、例えば、PSD測定装置86の測定レンジを越えるような大きな変動であっても、測定レンジ内に収まる変動に調整することができる。
これらのことから、測定用レーザの反射光強度の変動により反射光強度がPSD測定装置86の測定レンジを越えることで、上述の被加工対象物5の高さの変動の正確な測定が困難になるような場合でも正確な測定が可能となる。また、測定レンジを越えないような反射光強度の変動であっても変動幅を狭くすることが可能であり、より正確な測定を可能とすることができる。
以上のような、レーザ加工装置3において、ビーム観察装置1を用いて以下のようにレーザ加工装置3の対物用光学装置の焦点を合わせる。
まず、観察用基板14を観察用基板1軸移動機構により移動し、CCDカメラ15の撮像範囲の中央部に測定基準面13のテストパターン23が配置されるようにする。
次に、CCDカメラ15でテストパターン23を撮像し、撮像されたテストパターン23を画像モニタ20に表示し、画像モニタ20上のテストパターン23を見ながら焦点位置制御装置31を操作して鏡筒24を鏡筒24に入射されるレーザの光軸方向に移動させることで、CCDカメラ15の焦点を合わせる。
まず、観察用基板14を観察用基板1軸移動機構により移動し、CCDカメラ15の撮像範囲の中央部に測定基準面13のテストパターン23が配置されるようにする。
次に、CCDカメラ15でテストパターン23を撮像し、撮像されたテストパターン23を画像モニタ20に表示し、画像モニタ20上のテストパターン23を見ながら焦点位置制御装置31を操作して鏡筒24を鏡筒24に入射されるレーザの光軸方向に移動させることで、CCDカメラ15の焦点を合わせる。
CCDカメラ15の焦点が合った状態で、次いで、観察用基板14を移動して、観察用基板14のテストパターン23が形成されていない部分が、CCDカメラ15の撮影範囲となるようにする。なお、この際の観察用基板14の位置が加工用レーザのプロファイリングを行う位置となる。そして、パターン照明18をオンとすると共にスリット板19を移動して、観察用基板14の測定基準面にスリット板19に形成された十字のスリット形状を投影すると共に、その焦点を合わせる。
これにより、CCDカメラ15の撮像中に、パターン照明18をオンし、測定基準面13の投影されたスリットの画像モニタ20で確認することにより、CCDカメラ15の焦点が測定基準面13に合っているか否かを確認することができる。
また、基本的に測定基準面13を見て投影されたスリットの焦点が合っていれば、CCDカメラ15の焦点が合っていることになる。
また、基本的に測定基準面13を見て投影されたスリットの焦点が合っていれば、CCDカメラ15の焦点が合っていることになる。
次に、X―Yステージ装置4のステージ41をX−Yステージ制御装置42の操作により移動し、ビーム観察装置1の測定基準面13のCCDカメラ15の撮像範囲の中央となる部分に、対物用光学装置6を介して照射される加工用レーザが照射されるように調節する。そして、加工用レーザを測定基準面13に照射する。
これにより、測定基準面13に焦点が合ったCCDカメラ15により、測定基準面13に照射されたレーザの照射形状と前記照射形状内のレーザの強度分布を示す画像が撮像され、画像モニタ20に表示される。
これにより、測定基準面13に焦点が合ったCCDカメラ15により、測定基準面13に照射されたレーザの照射形状と前記照射形状内のレーザの強度分布を示す画像が撮像され、画像モニタ20に表示される。
この画像モニタ20に表示された測定基準面13における照射形状および強度分布を見ながら対物用光学装置6をZステージ装置7により移動させることで、測定基準面13で加工用レーザが結像もしくは集光されるように調節する。すなわち、加工用レーザの対物用光学装置6による焦点を測定基準面13に合わせる。この際に、加工用レーザの焦点が測定基準面13に合う対物用光学装置6の焦点位置(結像位置もしくは集光位置)が決定され、加工用レーザの焦点が測定基準面13に合うことになる測定基準面13と対物用光学装置6の対物用レンズとの距離が決定されることになる。この距離を基準距離として、例えば、Zステージ制御装置71で記憶する。
一方、高さ測定器8の測定用レーザ発生装置81により測定基準面13に加工用レーザと略同じ光軸で測定用レーザを照射し、PSD測定装置86のPSD素子の受光面で測定用レーザの測定基準面13からの発射光を受光し、受光位置を示す信号をPSD解析装置87に送出する。PSD解析装置87では、この受光位置(距離の変位を示す値)を基準受光位置(基準位置)として記憶する。なお、上記基準距離は、対物用光学装置6のZ軸方向の位置を示すものであり、基準受光位置の受光位置は、被加工対象物の加工用レーザ照射面(ここでは、測定基準面)のZ軸方向の位置を示すものである。この際に、PSD素子やPSD測定装置86がPSDの受光面に平行な方向に移動自在に固定部43に固定されているものとし、PSD素子における上記基準受光位置がPSD素子の受光面の受光範囲の略中央にくるように調整するものとしてもよい。この場合に、測定基準面13における測定用レーザの反射光のPSD素子における受光位置と、被加工対象物5における測定用レーザの反射光のPSD素子における受光位置とができるだけ近い方が好ましい。すなわち、被加工対象物の上面と測定基準面のZ軸方向の位置ができるだけ等しくなるようにすることが好ましい。これにより、PSD素子の受光面の受光範囲を有効に利用可能となるし、PSD素子の受光範囲のできるだけ中央部を使用することによる測定精度の向上を図ることができる。
また、例えば、レーザ加工装置3での実際のレーザ加工での加工用レーザの照射パターン(照射強度、照射時間、照射のオン、オフのタイミングなどを含む)や、それに類似するような照射パターンで測定基準面13に加工用レーザを照射することにより、加工用レーザを照射して対物用光学装置6に熱的負荷がかけられた状態とし、この状態で上述のビーム観察装置1による焦点合わせと、高さ測定器8による高さの測定を行うものとしてもよい。これにより、対物用光学装置6を実際の使用状態に近い状態として、対物用光学装置6の上述の基準距離および基準受光位置を測定することができる。すなわち、対物用光学装置6の対物用光学素子としてのレンズやレンズハウジング等の熱による変形や、レンズ材料の熱による屈折率の変化による焦点距離の変動を含んだ状態で基準距離および基準受光位置を測定することができる。
そして、実際のレーザ加工に当たっては、測定用レーザを加工用レーザと略同じ光軸で被加工対象物5に連続的(パルスであってもよい)に照射すると共に、PSD測定装置86で測定する。そして、PSD測定装置86からの信号が入力されるPSD解析装置87では、上述の基準受光位置から現在の受光位置との差に基づいて三角測量法により測定基準面13に対する被加工対象物5の加工用レーザ照射面のZ軸方向の位置の変位量を求め、この変位量だけ対物用光学装置6を上記基準距離の位置からZ軸方向に沿って移動するように、Zステージ制御装置71にZ軸方向の移動量を示す信号を出力する。
これにより、被加工対象物5正面のうねりや、X−Yステージ装置4による被加工対象物5移動時のZ軸方向への変動などにより、被加工対象物5の加工用レーザ照射面の位置がZ軸方向に変動しても対物用光学装置6をその変動と同様にリアルタイムで移動させることができる。さらに、測定用レーザおよび反射光が上述のように対物用光学装置6を通過することから、対物用光学装置6のレンズの熱レンズ歪みや温度変化に対応した屈折率の変化による焦点距離の変動にも追随させて、対物用光学装置6をZ軸方向に移動できることになる。
上記例では、レーザ加工用装置として、加工時に、X−Yステージ装置4を用いて被加工対象物5をレーザに対して移動するレーザ加工装置を示したが、本発明のビーム観察装置1は、その他のレーザ加工装置にも適用可能であり、対物用光学装置6の焦点合わせ、レーザの強度調整を必要とするレーザ加工装置の全てに適用可能であり、例えば、被加工対象物5に対してレーザを移動するレーザ加工装置や、被加工対象物5とレーザの両方を移動可能としたレーザ加工装置にも適用可能である。
また、ビーム観察装置1にパワーディテクタ16およびパワーディテクタ16に光を分岐するビームスプリッタ17を備えないものとしてもよい。また、測定基準面13にCCDカメラ15用のテストパターンを投影するためのスリット板19およびパターン照明18等からなる光パターン照射手段およびパターン結像調整手段を備えないものとしてもよい。また、鏡筒24内において、CCDカメラ15を対物レンズ25の光軸上に配置し、スリット板19およびパターン照明18を前記光軸からオフセットした位置に配置してもよい。また、上記例では、観察用基板14のレーザが入射される側の面(上面)を測定基準面13としたが、観察用基板14を通過したレーザが出射される側の面(下面)を測定基準面13としてもよい。また、テストパターンを投影するための光パターン照射手段およびパターン結像調整手段をCCDカメラ15と同じ鏡筒24内に収容し、対物レンズ25をCCDカメラ15と共用するものとしたが、これら光パターン照射手段およびパターン結像調整手段をCCDカメラ15用の鏡筒24の外に配置してもよい。
また、上記例では、鏡筒24を移動させることにより、CCDカメラ15の焦点を測定基準面13に合わせるようにしたが、対物レンズ25や受光レンズ28等の光学系部品を移動させることにより、CCDカメラ15の焦点を合わせるようにしてもよい。この場合に、光学系部品を移動させる手段が撮像装置用焦点調整手段となる。
また、測定基準面13における照射形状に基づいて対物用光学装置6の焦点を合わせる際に、予め焦点の合った照射形状を撮像して記憶しておき、記憶された照射形状と、撮像さている照射形状とを周知の画像認識手段で比較し、撮像された照射形状が記憶された照射形状に近づくように自動的にZステージ装置7により対物用光学装置6を移動させるようにすることで、焦点合わせを自動化するものとしてもよい。
また、測定基準面13における照射形状に基づいて対物用光学装置6の焦点を合わせる際に、予め焦点の合った照射形状を撮像して記憶しておき、記憶された照射形状と、撮像さている照射形状とを周知の画像認識手段で比較し、撮像された照射形状が記憶された照射形状に近づくように自動的にZステージ装置7により対物用光学装置6を移動させるようにすることで、焦点合わせを自動化するものとしてもよい。
また、ダイクロックミラー85により、測定用レーザを反射させ、加工用レーザを透過させるようにしたが、ダイクロックミラー85として、測定用レーザを透過させ、加工用レーザを反射させるものを使用する構成としてもよい。この場合に、測定用レーザの経路に応じて各構成要素の位置が変更になるが、基本的な構成は、ダイクロックミラー85が変更になる以外は同様となる。
また、変位測定手段による上述の距離の変位の計測は、PSD素子を備えたPSD測定装置86を用いた方法に限られるものではなく、例えば、以下の方法を使用できる。
1.強度検出方法
例えば、測定用レーザを対物用光学素子を通して加工面から反射してきた反射光の光強度をピンホールと光強度検出器の組み合わせで測定する。この検出器は光電型または焦電型で、ピンホールは検出器の前に、測定用レーザと共焦点の位置に置く。加工用対物レンズの焦点位置が適切なときに、測定用レーザの反射光がピンホールの位置で焦点を結ぶように設定しておくと、この状態で検出器に受光する反射光の強度が最大となる。対物用光学素子の焦点位置がずれたときや熱レンズ効果によりレンズの焦点距離が変化したときは、検出する光強度が低下する。これにより、上述の距離の変位を測定することができる。この光強度が最大になるように対物用光学素子高さを制御することで加工対象物に焦点が合うようにすることができる。なお、この方法では、特にビーム観察装置を用いた加工用レーザの焦点合わせに関係なく、対物光学素子の焦点が加工用レーザの照射位置に合うように調整可能であるが、上述のようにビーム観察装置による焦点合わせをした際に、前記検出器の受光強度が最大となるように微調整可能とすることが好ましい。
1.強度検出方法
例えば、測定用レーザを対物用光学素子を通して加工面から反射してきた反射光の光強度をピンホールと光強度検出器の組み合わせで測定する。この検出器は光電型または焦電型で、ピンホールは検出器の前に、測定用レーザと共焦点の位置に置く。加工用対物レンズの焦点位置が適切なときに、測定用レーザの反射光がピンホールの位置で焦点を結ぶように設定しておくと、この状態で検出器に受光する反射光の強度が最大となる。対物用光学素子の焦点位置がずれたときや熱レンズ効果によりレンズの焦点距離が変化したときは、検出する光強度が低下する。これにより、上述の距離の変位を測定することができる。この光強度が最大になるように対物用光学素子高さを制御することで加工対象物に焦点が合うようにすることができる。なお、この方法では、特にビーム観察装置を用いた加工用レーザの焦点合わせに関係なく、対物光学素子の焦点が加工用レーザの照射位置に合うように調整可能であるが、上述のようにビーム観察装置による焦点合わせをした際に、前記検出器の受光強度が最大となるように微調整可能とすることが好ましい。
2.結像位置検出法
測定用レーザを対物用光学素子を通して加工面から反射してきた反射光をCCD、CMOSなどの撮像素子で検出する。撮像素子を測定用レーザ出射面との共焦点位置、もしくは共焦点像面がイメージリレーされた結像位置に置く。対物用光学素子の焦点位置が適切なときに、測定用レーザの出射面の像が撮像素子上に結像するように設定しておく。対物用光学素子の焦点位置がずれたときや熱レンズ効果によりレンズの焦点距離が変化したときは、撮像素子の像がぼける。この像を既存の画像処理手段を用いて、正しく結像しているかを判定する。例えば、モニター上のこの像の面積を計測し、この面積が最小になるように対物レンズ高さを制御することで加工対象物に焦点が合うようにする。こ場合も、上述のようにビーム観察装置による焦点合わせをした際に、前記面積が最小となるように微調整可能とすることが好ましい。
測定用レーザを対物用光学素子を通して加工面から反射してきた反射光をCCD、CMOSなどの撮像素子で検出する。撮像素子を測定用レーザ出射面との共焦点位置、もしくは共焦点像面がイメージリレーされた結像位置に置く。対物用光学素子の焦点位置が適切なときに、測定用レーザの出射面の像が撮像素子上に結像するように設定しておく。対物用光学素子の焦点位置がずれたときや熱レンズ効果によりレンズの焦点距離が変化したときは、撮像素子の像がぼける。この像を既存の画像処理手段を用いて、正しく結像しているかを判定する。例えば、モニター上のこの像の面積を計測し、この面積が最小になるように対物レンズ高さを制御することで加工対象物に焦点が合うようにする。こ場合も、上述のようにビーム観察装置による焦点合わせをした際に、前記面積が最小となるように微調整可能とすることが好ましい。
なお、例えば、レーザの照射位置を高速で移動する場合、すなわち、上述のX−Yステージ装置4を高速で作動させる場合に、変位計測手段による変位の計測と、変位の計測結果に基づくZステージ装置7の制御の処理を十分に早く行う必要があり、この場合に距離の変位の計測を高速で行うことが可能なPSD測定装置86を用いることが好ましい。
1 ビーム観察装置
3 レーザ加工装置
4 X−Yステージ装置
5 被加工対象物
6 対物用光学装置(対物用光学素子)
7 Zステージ装置(焦点距離調整手段)
71 Zステージ制御装置(焦点距離調整手段)
8 高さ測定器
13 測定基準面
14 観察用基板
15 CCDカメラ(撮像手段)
81 測定用レーザ発生装置(測定用レーザ照射手段)
86 PSD測定装置(変位計測手段)
3 レーザ加工装置
4 X−Yステージ装置
5 被加工対象物
6 対物用光学装置(対物用光学素子)
7 Zステージ装置(焦点距離調整手段)
71 Zステージ制御装置(焦点距離調整手段)
8 高さ測定器
13 測定基準面
14 観察用基板
15 CCDカメラ(撮像手段)
81 測定用レーザ発生装置(測定用レーザ照射手段)
86 PSD測定装置(変位計測手段)
Claims (2)
- 加工用レーザを被加工対象物で結像もしくは集光させるための対物用光学素子を介して前記被加工対象物に前記加工用レーザを照射すると共に、前記対物用光学素子の焦点を被加工対象物に合わせるために前記対物用光学素子の被加工対象物の加工用レーザが照射される照射位置に対する距離を調整する焦点距離調整手段を有し、被加工対象物に対する加工用レーザの照射位置を加工用レーザの照射方向とほぼ直交する方向に相対的に移動させることにより被加工対象物に加工用レーザによる加工を施すレーザ加工装置であって、
前記加工用レーザの光軸と略同じ光軸に沿うと共に、前記被加工対象物の加工用レーザが照射される照射位置もしくは照射位置近傍に測定用レーザを照射する測定用レーザ照射手段と、
前記被加工対象物に照射された測定用レーザの反射光を受光すると共に、被加工対象物の前記加工用レーザの照射位置もしくは照射位置近傍までの前記加工用レーザの照射方向に沿った距離の変位を測定する変位計測手段とを備え、かつ、
仮の被加工対象物として前記加工用レーザおよび測定用レーザが照射される測定基準面を有し、加工用レーザの波長に対して透明性の高い観察用基板と、前記加工用レーザの前記観察用基板の測定基準面における照射形状を撮像する撮像手段とを有するビーム観察装置を備え、
前記測定用レーザが前記対物用光学素子を通過した後に前記被加工対象物もしくは前記測定基準面に照射され、かつ、前記被加工対象物もしくは前記測定基準面から反射した測定用レーザの反射光が対物用光学素子を通過した後に前記変位計測手段に入射するように前記測定用レーザ照射手段と、前記変位計測手段とが配置されていることを特徴とするレーザ加工装置。 - 請求項1に記載のレーザ加工装置における前記対物用光学素子の焦点を被加工対象物の加工用レーザ照射位置に合わせた状態に維持する焦点維持方法であって、
前記撮像手段で撮像された前記測定基準面におけるレーザの照射形状に基づいて、前記焦点距離調整手段により前記対物用光学素子の焦点を測定基準面に合わせ、前記対物用光学素子の焦点が測定基準面に合わされた状態で、前記測定用レーザ照射手段により前記対物用光学素子を介して前記測定用基準面に測定用レーザを照射すると共に、前記変位計測手段に測定用レーザの反射光を受光させ、この状態で前記変位計測手段に計測される前記距離の変位の基準位置を設定し、
被加工対象物に加工用レーザを照射して加工する際に測定される前記変位計測手段における前記基準位置に対する変位に基づいて前記焦点距離調整手段により前記対物用光学素子の被加工対象物に対する距離を制御することを特徴とするレーザ加工装置における焦点維持方法。
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