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JP2008198769A - Organic electroluminescence (el) element - Google Patents

Organic electroluminescence (el) element Download PDF

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JP2008198769A
JP2008198769A JP2007031893A JP2007031893A JP2008198769A JP 2008198769 A JP2008198769 A JP 2008198769A JP 2007031893 A JP2007031893 A JP 2007031893A JP 2007031893 A JP2007031893 A JP 2007031893A JP 2008198769 A JP2008198769 A JP 2008198769A
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JP
Japan
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group
layer
light emitting
electron
electron extraction
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2007031893A
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Japanese (ja)
Inventor
Noriyuki Fukumatsu
敬之 福松
Natsumi Hensan
夏美 平安山
Hiroshi Miyazaki
浩 宮崎
Atsushi Oda
小田  敦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
Yamagata Promotional Organization for Ind Tech
Original Assignee
Nippon Steel Chemical Co Ltd
Yamagata Promotional Organization for Ind Tech
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Steel Chemical Co Ltd, Yamagata Promotional Organization for Ind Tech filed Critical Nippon Steel Chemical Co Ltd
Priority to JP2007031893A priority Critical patent/JP2008198769A/en
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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL element which can be driven on low voltage and has a high light emission efficiency and a long life. <P>SOLUTION: In the organic EL element, an electric charge generating unit is formed between a positive electrode and a light emission layer. The electric charge generating unit consists of an electron extraction layer and an adjacent layer which is adjacent to the negative electrode surface side of the electron extraction layer and has its electrons to be extracted into the electron extraction layer. The electron extraction layer consists of an aromatic carboxylic acid derivative expressed by a general expression (I), where Ar represents an aromatic group, X represents O or N-R, and k is an integer between 1 and 4. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、平面光源や表示素子に利用される有機エレクトロルミネッセント素子(以下、有機EL素子又は素子と略記することがある。)に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescent element (hereinafter sometimes abbreviated as an organic EL element or an element) used for a planar light source or a display element.

有機EL素子は、ディスプレイや照明への応用の観点から活発に開発が行われている。有機EL素子の駆動原理は、以下のようなものである。すなわち、陽極及び陰極からそれぞれホールと電子が注入され、これらが有機薄膜中を輸送され、発光層において再結合し励起状態が生じ、この励起状態から発光が得られる。発光効率を高めるためには、効率良くホール及び電子を注入させ、有機薄膜中を輸送させることが必要である。しかしながら、有機EL素子内のキャリアの移動は、電極と有機薄膜間のエネルギー障壁や、有機薄膜内のキャリア移動度の低さにより制限を受けるため、発光効率の向上にも限界がある。   Organic EL elements have been actively developed from the viewpoint of application to displays and lighting. The driving principle of the organic EL element is as follows. That is, holes and electrons are injected from the anode and the cathode, respectively, and these are transported through the organic thin film, recombined in the light emitting layer to generate an excited state, and light emission can be obtained from this excited state. In order to increase the luminous efficiency, it is necessary to inject holes and electrons efficiently and transport the organic thin film. However, since the movement of carriers in the organic EL element is limited by the energy barrier between the electrode and the organic thin film and the low carrier mobility in the organic thin film, there is a limit to improving the light emission efficiency.

かかる問題を解決する方法として、電荷発生層を用いて低電圧で高効率に発光させる方法が挙げられる。電荷発生層は、電子供与性化合物と電子授与性化合物の積層又は混合層によって形成され、両化合物が酸化還元反応によって電荷移動錯体を形成することにより、効率よくキャリア(正孔及び電子)を発生させることができる。   As a method for solving such a problem, there is a method of emitting light efficiently at a low voltage using a charge generation layer. The charge generation layer is formed by a layered or mixed layer of an electron-donating compound and an electron-donating compound, and both compounds efficiently form carriers (holes and electrons) by forming a charge transfer complex by a redox reaction. Can be made.

特許文献1においては、複数の発光ユニット間に大きな比抵抗を有する電荷発生層を設けた多層構造の有機EL素子を開示している。この電荷発生層は、電圧印加時において陰極方向にホールを注入し、陽極方向に電子を注入する作用をする。電荷発生層は、電気絶縁性の層であって、イオン化ポテンシャルが5.7eVより小さく、ホール輸送性(電子供与性)を有する有機物と、この有機物と酸化還元反応による電荷移動錯体を形成し得る無機又は有機物質とからなる積層体又は混合物からなる。具体的には、電荷発生層としてα−NPDとV25の混合層を用いてキャリアを発生させ、発光層にキャリアを供給する方法が報告されている。ただ、電子授与性化合物として、無機酸化物を用いることから蒸発温度が非常に高く、薄膜蒸着の際に多大な輻射熱が発生する。この発生する熱により、他の有機膜へのダメージが大きく、また装置内部に付着した不純物の再蒸発も引き起こすため、素子特性低下や寿命への悪影響を及ぼすなどの問題がある。また、電子授与性化合物として、有機化合物を用いた例示もあるが、この化合物は蒸発温度が低く、成膜性、膜安定性に問題があり、短寿命となる問題がある。 Patent Document 1 discloses an organic EL element having a multilayer structure in which a charge generation layer having a large specific resistance is provided between a plurality of light emitting units. The charge generation layer functions to inject holes in the cathode direction and inject electrons in the anode direction when a voltage is applied. The charge generation layer is an electrically insulating layer and has an ionization potential of less than 5.7 eV and can form a hole-transporting (electron donating) organic substance and a charge-transfer complex by an oxidation-reduction reaction with the organic substance. It consists of the laminated body or mixture which consists of an inorganic or organic substance. Specifically, a method for generating carriers using a mixed layer of α-NPD and V 2 O 5 as a charge generation layer and supplying the carriers to the light emitting layer has been reported. However, since an inorganic oxide is used as the electron-donating compound, the evaporation temperature is very high, and a great amount of radiant heat is generated during thin film deposition. This generated heat causes damage to other organic films and causes re-evaporation of impurities adhering to the inside of the apparatus, resulting in problems such as deterioration of device characteristics and adverse effects on the lifetime. Further, there is an example in which an organic compound is used as the electron-donating compound, but this compound has a problem that the evaporation temperature is low, there are problems in film formability and film stability, and the life is short.

特許文献2は、特許文献1に記載の発明の改良に係るものであるが、電子授与性化合物として無機酸化物のMoO3を用いており、上記問題を解決するものではなかった。 Patent Document 2 relates to the improvement of the invention described in Patent Document 1, but uses MoO 3 which is an inorganic oxide as an electron-donating compound, and does not solve the above problem.

また、特許文献3には、電子引き抜き層と電子注入層からなる中間ユニットを発光ユニット間に配置した有機EL素子を開示している。この中間ユニットは、陰極側に隣接する隣接層から電子を引き抜き、これにより発生したホールを陰極側の第一の発光ユニットに供給すると共に、引き抜いた電子を、電子注入層を介して陽極側の第二の発光ユニットに供給する作用をする。ここで、電子引き抜き層は隣接層から電子を引き抜く機能を有する層であり、隣接層は電子引き抜き層の陰極面側に隣接して設けられる層であり、電子注入層は電子引き抜き層の陽極面側に隣接して設けられる層である。そして、電子引き抜き層のLUMOのエネルギーレベルの絶対値(A)と隣接層のHOMOのエネルギーレベルの絶対値(B)の差が1.5eV以下であり、電子注入層LUMOのエネルギーレベルの絶対値(C)又は仕事関数の絶対値(W)は前記電子引き抜き層のLUMOのエネルギーレベルの絶対値(A)より小さい。そして、特許文献3は、電子引き抜き層に使用される電子授与性化合物として、ピラジン誘導体を開示している。   Patent Document 3 discloses an organic EL element in which an intermediate unit composed of an electron extraction layer and an electron injection layer is disposed between light emitting units. This intermediate unit draws electrons from the adjacent layer adjacent to the cathode side, supplies holes generated thereby to the first light emitting unit on the cathode side, and draws the extracted electrons on the anode side through the electron injection layer. It serves to supply the second light emitting unit. Here, the electron extraction layer is a layer having a function of extracting electrons from the adjacent layer, the adjacent layer is a layer provided adjacent to the cathode surface side of the electron extraction layer, and the electron injection layer is an anode surface of the electron extraction layer. It is a layer provided adjacent to the side. The difference between the absolute value (A) of the LUMO energy level of the electron extraction layer and the absolute value (B) of the HOMO energy level of the adjacent layer is 1.5 eV or less, and the absolute value of the energy level of the electron injection layer LUMO. (C) or the absolute value (W) of the work function is smaller than the absolute value (A) of the LUMO energy level of the electron extraction layer. And patent document 3 is disclosing the pyrazine derivative as an electron-donating compound used for an electron extraction layer.

特許文献1〜3は、いずれも発光層を含む発光ユニットを一対の電極間に複数含む有機EL素子を開示している。発光ユニットを積層すると発光効率が低下するため、電荷発生層又は中間ユニットを発光ユニット間に配置して、その低下を防止しようとするものである。上記電荷発生層と中間ユニットは、いずれもそれらに隣接する陰極方向の層にホールを注入し、陽極方向の層に電子を注入する作用をするという点で同じものと解される。   Patent Documents 1 to 3 each disclose an organic EL element including a plurality of light emitting units each including a light emitting layer between a pair of electrodes. When the light emitting units are stacked, the light emission efficiency is lowered. Therefore, a charge generation layer or an intermediate unit is disposed between the light emitting units to prevent the lowering. It is understood that the charge generation layer and the intermediate unit are the same in that holes are injected into the cathode layer adjacent to the charge generation layer and electrons are injected into the anode layer.

ところで、特許文献4はある種の芳香族ビスイミド誘導体を有機EL素子材料として使用することを開示している。具体的には、特許文献4では正孔輸送材料又は発光材料としての利用を開示している。しかし、電子引き抜き層材料としての利用を教えるものはない。   By the way, Patent Document 4 discloses that a certain kind of aromatic bisimide derivative is used as an organic EL element material. Specifically, Patent Document 4 discloses use as a hole transport material or a light emitting material. However, there is nothing that teaches its use as an electron extraction layer material.

ここで、電子引き抜き層材料に求められる機能と一般的な正孔輸送材料に求められる機能を図4に沿って説明する。電子引き抜き層材料は、隣接層から電子を引き抜き、正孔を発生させることが重要であり、隣接層材料のIP(イオン化ポテンシャル)に電子引き抜き層材料のEA(電子親和力)をできるだけ近づけることが求められる。したがって、電子引き抜き層材料のIPは相当深くなっており、陽極から正孔が注入されることはほとんどない。一方、正孔輸送材料は、陽極から注入された正孔を効率良く発光層へ輸送することが重要であり、できるだけ正孔輸送材料のIPを陽極の仕事関数に近づけることが求められる。したがって、同じ位置に積層するにしても、要求される機能が全く異なっており、このような利用は特許文献4にまったく開示されていない。また、特許文献4と類似の化合物であっても、隣接層材料と一定の関係を持った化合物群を用いることで、陽極から正孔を注入させることなく、直接有機層内に正孔を発生させることができ、駆動電圧の低下が可能である。すなわち、特許文献4は陽極から正孔を注入する方法を教えるが、直接電荷発生層で正孔を発生させて、低電圧で高効率に発光させることを教えるものはない。   Here, the function required for the electron extraction layer material and the function required for a general hole transport material will be described with reference to FIG. It is important for the electron extraction layer material to extract electrons from the adjacent layer to generate holes, and it is required to make the EA (electron affinity) of the electron extraction layer material as close as possible to the IP (ionization potential) of the adjacent layer material. It is done. Therefore, the IP of the electron extraction layer material is considerably deep, and holes are hardly injected from the anode. On the other hand, it is important for the hole transport material to efficiently transport holes injected from the anode to the light emitting layer, and it is required that the IP of the hole transport material be as close to the work function of the anode as possible. Therefore, even if they are stacked at the same position, the required functions are completely different, and such use is not disclosed in Patent Document 4. Moreover, even if it is a compound similar to patent document 4, by using a compound group having a certain relationship with the adjacent layer material, holes are directly generated in the organic layer without injecting holes from the anode. The driving voltage can be reduced. That is, Patent Document 4 teaches a method of injecting holes from the anode, but nothing teaches that holes are directly generated in the charge generation layer to emit light efficiently at a low voltage.

特開2003−272860号公報JP 2003-272860 A 特開2006-024791号公報JP 2006-024791 A 特開2006-066380号公報JP 2006-066380 A 特開2004-143044号公報JP 2004-143044 A

本発明は低電圧駆動が可能で、発光効率が高く、しかも長寿命である少なくとも1つの発光ユニットを備えた有機EL素子を提供することにある。他の目的は、電荷発生層に使用される電子引き抜き層材料として、特定の有機化合物にすることで、有機EL素子の高効率かつ長寿命化を達成すると共に、製造時の高温を抑制して高品質な有機EL素子を得ることにある。   An object of the present invention is to provide an organic EL element including at least one light emitting unit that can be driven at a low voltage, has high luminous efficiency, and has a long lifetime. Another object is to achieve high efficiency and long life of the organic EL element by suppressing the high temperature during production by using a specific organic compound as the electron extraction layer material used for the charge generation layer. The object is to obtain a high-quality organic EL device.

本発明は、対向する陽極と陰極の間に、少なくとも1層の発光層を含む有機エレクトロルミネッセント素子において、陽極と発光層の間に、電子引き抜き層と電子引き抜き層の陰極面側に隣接し、電子引き抜き層へ電子を引き抜かれる隣接層とからなる電荷発生ユニットが少なくとも1層設けられており、電子引き抜き層が、下記一般式(I)で表される芳香族カルボン酸誘導体から選ばれる少なくとも1種の電子受容性の芳香族カルボン酸誘導体を含む電子引き抜き層材料からなり、隣接層のイオン化ポテンシャル(IP)と電子引き抜き層の電子親和力(EA)の差(IP-EA)が0〜2.0eVの範囲である有機エレクトロルミネッセント素子である。

Figure 2008198769
(ここで、Arは1以上の芳香族環を有する芳香族基を示し、-CO-X-CO-はAr
中の芳香族環と縮合してヘテロ環を構成する2価の基を示し、XはO又はN-Rを示し、
RはH又は1価の置換基を示し、kは1、2、3又は4を示す。該芳香族基は、縮合芳香族環を有する芳香族基であってもよく、置換基を有してよい。) The present invention relates to an organic electroluminescent device including at least one light emitting layer between an anode and a cathode facing each other, and adjacent to the cathode surface side of the electron extracting layer and the electron extracting layer between the anode and the light emitting layer. And at least one charge generating unit comprising an adjacent layer from which electrons are extracted to the electron extraction layer, and the electron extraction layer is selected from aromatic carboxylic acid derivatives represented by the following general formula (I) It consists of an electron extraction layer material containing at least one electron-accepting aromatic carboxylic acid derivative, and the difference between the ionization potential (IP) of the adjacent layer and the electron affinity (EA) of the electron extraction layer (IP-EA) is 0 to It is an organic electroluminescent device in the range of 2.0 eV.
Figure 2008198769
(Wherein Ar represents an aromatic group having one or more aromatic rings, and —CO—X—CO— represents Ar
A divalent group that forms a heterocycle by condensation with an aromatic ring therein, X represents O or N—R,
R represents H or a monovalent substituent, and k represents 1, 2, 3 or 4. The aromatic group may be an aromatic group having a condensed aromatic ring or may have a substituent. )

上記一般式(I)で表される芳香族カルボン酸誘導体としては、下記式(1)、(2)、(3)又は(4)で表される芳香族カルボン酸誘導体が好ましく例示される。   Preferred examples of the aromatic carboxylic acid derivative represented by the general formula (I) include aromatic carboxylic acid derivatives represented by the following formula (1), (2), (3) or (4).

Figure 2008198769
(式(1)、(2)、(3)及び(4)において、Ar1、Ar2、Ar3はそれぞれ含酸素環又は含窒素環と縮合する芳香族環を示し、該芳香族環は1環以上であっても、縮合環であっても、置換基を有してもよい。Yは単結合又は2価の結合基を示し、R1、R2、R3は水素原子又は置換基を示し、lは1、2又は3を示し、m、nは0、1又は2を示すが、m+nは1、2、3又は4である。)
Figure 2008198769
(In the formulas (1), (2), (3) and (4), Ar 1 , Ar 2 and Ar 3 each represent an aromatic ring condensed with an oxygen-containing ring or a nitrogen-containing ring, and the aromatic ring is One or more rings, a condensed ring, or a substituent may be present, Y represents a single bond or a divalent linking group, and R 1 , R 2 , and R 3 represent a hydrogen atom or a substituent. And 1 represents 1, 2 or 3; m, n represents 0, 1 or 2; m + n is 1, 2, 3 or 4)

上記電荷発生ユニットは、1層設けられていてもよく、2層以上設けられていてもよい。そして、発光層を含む発光ユニットが2層以上設けられており、発光ユニット間に電荷発生ユニットを設けることがよい。   The charge generation unit may be provided in one layer or in two or more layers. Two or more light emitting units including a light emitting layer are provided, and a charge generation unit is preferably provided between the light emitting units.

上記隣接層としては、ホール輸送性材料が好ましく、より好ましくはアリールアミン系ホール輸送性材料である。また、隣接層が発光層材料から形成されていることもよい。   The adjacent layer is preferably a hole transporting material, and more preferably an arylamine-based hole transporting material. Further, the adjacent layer may be formed of a light emitting layer material.

上記電子引き抜き層としては、電子引き抜き層材料とホール輸送性の隣接層材料の混合層から形成されていることもよい。   The electron extraction layer may be formed of a mixed layer of an electron extraction layer material and a hole transporting adjacent layer material.

本発明の有機EL素子は、対向する陽極と陰極の間に、少なくとも1層の発光層と少なくとも1層の電荷発生ユニットが設けられている。電荷発生ユニットは、発光層と陽極電極の間に設けられる。ここで、電荷発生ユニットは、電子引き抜き層と隣接層からなり、隣接層は電子引き抜き層へ電子を供給する機能を有する。そして、隣接層のイオン化ポテンシャル(IP)と電子引き抜き層の電子親和力(EA)の差(IP-EA)が0〜2.0eVの範囲である。   In the organic EL device of the present invention, at least one light emitting layer and at least one charge generation unit are provided between an anode and a cathode facing each other. The charge generation unit is provided between the light emitting layer and the anode electrode. Here, the charge generation unit includes an electron extraction layer and an adjacent layer, and the adjacent layer has a function of supplying electrons to the electron extraction layer. The difference (IP-EA) between the ionization potential (IP) of the adjacent layer and the electron affinity (EA) of the electron extraction layer is in the range of 0 to 2.0 eV.

また、複数の発光ユニットを設け、その間に電荷発生ユニットを配置することもできるが、この場合の発光ユニットは、一層以上の発光層を含み、陽極、陰極、電荷発生ユニット及び隣接層を除く意味で使用される。発光ユニットを構成する発光層又は他の層が電子引き抜き層へ電子を引き抜かれる隣接層となる場合は、これらの層は発光ユニット及び隣接層の両者を構成する層と解する。発光ユニットは好ましくは、陽極側から発光層、電子輸送層及び電子注入層を有する。なお、特許文献3では、陽極側から、電子注入層/電子引き抜き層/隣接層をまとめて中間ユニット(≒電荷発生層)としている点で、本発明の電荷発生ユニットの構成とやや異なるが、本発明の隣接層と文献3の隣接層は同一の機能を有すると解される。   Also, a plurality of light emitting units can be provided, and a charge generation unit can be disposed between them. In this case, the light emission unit includes one or more light emission layers, and means that the anode, the cathode, the charge generation unit, and the adjacent layers are excluded. Used in. When the light emitting layer or other layer constituting the light emitting unit is an adjacent layer from which electrons are extracted to the electron extracting layer, these layers are understood as layers constituting both the light emitting unit and the adjacent layer. The light emitting unit preferably has a light emitting layer, an electron transport layer and an electron injection layer from the anode side. In Patent Document 3, from the anode side, the electron injection layer / electron extraction layer / adjacent layer are collectively set as an intermediate unit (≈charge generation layer), which is slightly different from the configuration of the charge generation unit of the present invention. It is understood that the adjacent layer of the present invention and the adjacent layer of Document 3 have the same function.

電子引き抜き層材料としては、上記一般式(I)で表される芳香族カルボン酸誘導体から選ばれる少なくとも1種の電子受容性の芳香族カルボン酸誘導体を含む材料が使用される。この引き抜き層材料は、上記電子受容性の芳香族カルボン酸誘導体のみからなってもよく、他の化合物、好ましくは隣接層を構成する材料と混合されたものであってもよい。これは、上記(IP-EA)を適度の数値に保つように選択される。   As the electron extraction layer material, a material containing at least one electron-accepting aromatic carboxylic acid derivative selected from the aromatic carboxylic acid derivatives represented by the above general formula (I) is used. This pull-out layer material may consist only of the electron-accepting aromatic carboxylic acid derivative, or may be mixed with other compounds, preferably the material constituting the adjacent layer. This is selected to keep the above (IP-EA) at a reasonable value.

上記一般式(I)において、XはO又はN-Rを示し、RはH又は1価の置換基を示す
が、好ましくは炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜8のアリール基である。-CO-X-CO-はAr中の芳香族環と縮合してヘテロ環を構成する2価の基を示し、Arは
1以上の芳香族環を有する芳香族基を示し、Xを含有する環と縮合する芳香族環を示し、
該芳香族環は1環以上の芳香族環であっても、縮合芳香族環であってもよく、置換基を有してよい。芳香族環及びヘテロ環の合計の数は3〜8が好ましい。kは1、2、3又は4を示すが、好ましくは2又は3である。
In the above general formula (I), X represents O or N—R, and R represents H or a monovalent substituent, preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an aryl group having 1 to 8 carbon atoms. It is. -CO-X-CO- represents a divalent group constituting a heterocycle by condensation with an aromatic ring in Ar, Ar represents an aromatic group having one or more aromatic rings, and contains X An aromatic ring fused with the ring,
The aromatic ring may be one or more aromatic rings or a condensed aromatic ring, and may have a substituent. The total number of aromatic rings and heterocycles is preferably 3-8. k represents 1, 2, 3 or 4, and is preferably 2 or 3.

一般式(I)で表される芳香族カルボン酸誘導体は、下記式(1)、(2)、(3)又は(4)で表される芳香族カルボン酸誘導体であることが好ましい。上記式(1)、(2)、(3)及び(4)において、Ar1、Ar2、Ar3はそれぞれ含酸素環又は含窒素環と縮合する芳香族環を示し、該芳香族環は1環以上であっても、縮合環であっても、置換基を有してもよい。Yは単結合又は2価の結合基を示し、R1、R2、R3は水素原子又は置換基を示し、lは1、2又は3を示し、m、nは0、1又は2を示すが、m+nは1、2、3又は4である。 The aromatic carboxylic acid derivative represented by the general formula (I) is preferably an aromatic carboxylic acid derivative represented by the following formula (1), (2), (3) or (4). In the above formulas (1), (2), (3) and (4), Ar 1 , Ar 2 and Ar 3 each represent an aromatic ring condensed with an oxygen-containing or nitrogen-containing ring, and the aromatic ring is One or more rings, a condensed ring, or a substituent may be present. Y represents a single bond or a divalent linking group, R 1 , R 2 and R 3 represent a hydrogen atom or a substituent, l represents 1, 2 or 3, m, n represents 0, 1 or 2 As shown, m + n is 1, 2, 3 or 4.

式(1)〜(4)において、Ar1、Ar2、Ar3はそれぞれ芳香族環を示すが、好ましい芳香族環は、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、テトラセン環、クリセン環、ペリレン環、ピレン環等である。芳香族環を構成する環の数は1〜8、好ましくは1〜6である。 In the formulas (1) to (4), Ar 1 , Ar 2 , and Ar 3 each represent an aromatic ring, and preferred aromatic rings are a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, a tetracene ring, and a chrysene ring. Perylene ring, pyrene ring and the like. The number of rings constituting the aromatic ring is 1 to 8, preferably 1 to 6.

式(2)及び(4)において、Yは単結合又は2価の結合基を示すが、好ましくは単結合、O、S、CO又はCH2である。式(1)及び(3)において、lは1、2又は3を示すが、好ましくは2又は3である。式(2)及び(4)において、m、nは0、1又は2を示すが、好ましくはm及びnが共に1である。 In the formulas (2) and (4), Y represents a single bond or a divalent linking group, and is preferably a single bond, O, S, CO, or CH 2 . In the formulas (1) and (3), l represents 1, 2 or 3, preferably 2 or 3. In the formulas (2) and (4), m and n represent 0, 1 or 2, but preferably both m and n are 1.

上記芳香族環は置換基を有し得る。好ましい置換基としては、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャルブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等)、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基等)、アルキニル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基等)、アリール基(例えば、フェニル基、ナフチル基等)、芳香族複素環基(例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等)、複素環基(例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等)、アルコキシル基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等)、シクロアルコキシル基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等)、シクロアルキルチオ基(例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2−ピリジルアミノスルホニル基等)、アシル基(例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等)、アシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等)、アミド基(例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等)、カルバモイル基(例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2−ピリジルアミノカルボニル基等)、ウレイド基(例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2−ピリジルアミノウレイド基等)、スルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2−ピリジルスルフィニル基等)、アルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等)、アリールスルホニル基(フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2−ピリジルスルホニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2−ピリジルアミノ基等)、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等)、フッ化炭化水素基(例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等)、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等)等が挙げられる。   The aromatic ring may have a substituent. Preferred substituents include alkyl groups (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, tertiary butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, etc.) A cycloalkyl group (eg, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.), an alkenyl group (eg, vinyl group, allyl group, etc.), an alkynyl group (eg, ethynyl group, propargyl group, etc.), an aryl group (eg, phenyl group, naphthyl group, etc.) Group), aromatic heterocyclic group (for example, furyl group, thienyl group, pyridyl group, pyridazinyl group, pyrimidinyl group, pyrazinyl group, triazinyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, quinazolinyl group, phthalazinyl group, etc.), Heterocyclic groups (eg, pyrrolidyl groups, imidazoles Group, morpholyl group, oxazolidyl group, etc.), alkoxyl group (for example, methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group, dodecyloxy group, etc.), cycloalkoxyl group (for example, Cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, etc.), aryloxy group (eg, phenoxy group, naphthyloxy group, etc.), alkylthio group (eg, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group) Etc.), a cycloalkylthio group (eg, cyclopentylthio group, cyclohexylthio group, etc.), an arylthio group (eg, phenylthio group, naphthylthio group, etc.), an alkoxycarbonyl group (eg, methyloxycarbonyl group, ethyl) Oxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, etc.), aryloxycarbonyl group (eg, phenyloxycarbonyl group, naphthyloxycarbonyl group, etc.), sulfamoyl group (eg, aminosulfonyl group, methyl) Aminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group, butylaminosulfonyl group, hexylaminosulfonyl group, cyclohexylaminosulfonyl group, octylaminosulfonyl group, dodecylaminosulfonyl group, phenylaminosulfonyl group, naphthylaminosulfonyl group, 2-pyridylaminosulfonyl group, etc. ), Acyl group (for example, acetyl group, ethylcarbonyl group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octyl group) Rucarbonyl group, 2-ethylhexylcarbonyl group, dodecylcarbonyl group, phenylcarbonyl group, naphthylcarbonyl group, pyridylcarbonyl group, etc.), acyloxy group (for example, acetyloxy group, ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group) Group, dodecylcarbonyloxy group, phenylcarbonyloxy group, etc.), amide group (for example, methylcarbonylamino group, ethylcarbonylamino group, dimethylcarbonylamino group, propylcarbonylamino group, pentylcarbonylamino group, cyclohexylcarbonylamino group, 2 -Ethylhexylcarbonylamino group, octylcarbonylamino group, dodecylcarbonylamino group, phenylcarbonylamino group, naphthylcarbonylamino group, etc.), Vamoyl group (for example, aminocarbonyl group, methylaminocarbonyl group, dimethylaminocarbonyl group, propylaminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl group, cyclohexylaminocarbonyl group, octylaminocarbonyl group, 2-ethylhexylaminocarbonyl group, dodecylaminocarbonyl group) , Phenylaminocarbonyl group, naphthylaminocarbonyl group, 2-pyridylaminocarbonyl group, etc.), ureido group (for example, methylureido group, ethylureido group, pentylureido group, cyclohexylureido group, octylureido group, dodecylureido group, phenylureido) Group naphthylureido group, 2-pyridylaminoureido group, etc.), sulfinyl group (for example, methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, butylsulfuric group) Nyl group, cyclohexylsulfinyl group, 2-ethylhexylsulfinyl group, dodecylsulfinyl group, phenylsulfinyl group, naphthylsulfinyl group, 2-pyridylsulfinyl group, etc.), alkylsulfonyl group (for example, methylsulfonyl group, ethylsulfonyl group, butylsulfonyl group) Cyclohexylsulfonyl group, 2-ethylhexylsulfonyl group, dodecylsulfonyl group, etc., arylsulfonyl group (phenylsulfonyl group, naphthylsulfonyl group, 2-pyridylsulfonyl group etc.), amino group (for example, amino group, ethylamino group, dimethyl) Amino group, butylamino group, cyclopentylamino group, 2-ethylhexylamino group, dodecylamino group, anilino group, naphthylamino group, 2-pyridylamino group, etc.), halogen atom ( For example, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, etc.), fluorinated hydrocarbon group (eg, fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, pentafluorophenyl group, etc.), cyano group, nitro group, hydroxy group , Mercapto group, silyl group (for example, trimethylsilyl group, triisopropylsilyl group, triphenylsilyl group, phenyldiethylsilyl group, etc.).

これらの置換基は、上記の置換基によって更に置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。   These substituents may be further substituted with the above substituents. In addition, a plurality of these substituents may be bonded to each other to form a ring.

式(3)及び(4)において、R1、R2、R3はそれぞれ窒素原子と結合する水素又は置換基を示すが、好ましい置換基を次に例示する。 In the formulas (3) and (4), R 1 , R 2 and R 3 each represent hydrogen or a substituent bonded to a nitrogen atom, and preferred substituents are exemplified below.

アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャルブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等)、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基等)、アルキニル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基等)、アリール基(例えば、フェニル基、ナフチル基等)、芳香族複素環基(例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等)、複素環基(例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等)、アルコキシル基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等)、シクロアルコキシル基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等)、シクロアルキルチオ基(例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等)、セレノ基(例えばメチルセレノ基、フェニルセレノ基等)、アシル基(例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等)、アシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等)、スルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2−ピリジルスルフィニル基等)、アルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等)、アリールスルホニル基(フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2−ピリジルスルホニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2−ピリジルアミノ基等)、フッ化炭化水素基(例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等)、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等)等がある。   An alkyl group (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, tertiary butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, etc.), cycloalkyl group (for example, , Cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.), alkenyl group (eg, vinyl group, allyl group, etc.), alkynyl group (eg, ethynyl group, propargyl group, etc.), aryl group (eg, phenyl group, naphthyl group, etc.), aromatic A heterocyclic group (for example, furyl group, thienyl group, pyridyl group, pyridazinyl group, pyrimidinyl group, pyrazinyl group, triazinyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, quinazolinyl group, phthalazinyl group, etc.), heterocyclic group (for example, Pyrrolidyl, imidazolidyl, morpholyl, o Sazolidyl group, etc.), alkoxyl group (eg, methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group, dodecyloxy group, etc.), cycloalkoxyl group (eg, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy) Group), aryloxy group (for example, phenoxy group, naphthyloxy group, etc.), alkylthio group (for example, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group, etc.), cycloalkylthio group (For example, cyclopentylthio group, cyclohexylthio group, etc.), arylthio group (for example, phenylthio group, naphthylthio group, etc.), seleno group (for example, methylseleno group, phenylseleno group, etc.), acyl group (for example, acetyl group, ethyl group, etc.) Carbonyl group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octylcarbonyl group, 2-ethylhexylcarbonyl group, dodecylcarbonyl group, phenylcarbonyl group, naphthylcarbonyl group, pyridylcarbonyl group, etc.), acyloxy group (for example, acetyl) Oxy group, ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, dodecylcarbonyloxy group, phenylcarbonyloxy group, etc.), sulfinyl group (for example, methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, butylsulfinyl group, cyclohexylsulfinyl group) 2-ethylhexylsulfinyl group, dodecylsulfinyl group, phenylsulfinyl group, naphthylsulfinyl group, 2-pyridylsulfinyl group Group), alkylsulfonyl group (for example, methylsulfonyl group, ethylsulfonyl group, butylsulfonyl group, cyclohexylsulfonyl group, 2-ethylhexylsulfonyl group, dodecylsulfonyl group, etc.), arylsulfonyl group (phenylsulfonyl group, naphthylsulfonyl group, 2-pyridylsulfonyl group, etc.), amino group (for example, amino group, ethylamino group, dimethylamino group, butylamino group, cyclopentylamino group, 2-ethylhexylamino group, dodecylamino group, anilino group, naphthylamino group, 2 -Pyridylamino group, etc.), fluorinated hydrocarbon group (eg, fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, pentafluorophenyl group, etc.), cyano group, nitro group, hydroxy group, mercapto group, silyl group ( example , Trimethylsilyl group, triisopropylsilyl group, triphenylsilyl group, a phenyl diethyl silyl group and the like) and the like.

これらの置換基は、上記の置換基によって更に置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。   These substituents may be further substituted with the above substituents. In addition, a plurality of these substituents may be bonded to each other to form a ring.

以下に、一般式(I)又は式(1)〜(4)で表される芳香族カルボン酸誘導体の具体例を示すが、これに限定されない。   Although the specific example of the aromatic carboxylic acid derivative represented by general formula (I) or formula (1)-(4) below is shown, it is not limited to this.

Figure 2008198769
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Figure 2008198769
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Figure 2008198769
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本発明の有機EL素子によれば、電荷発生ユニットに使用される材料として適度な蒸気圧を持つ有機化合物を用いることで、発熱による熱ダメージ及び装置壁面に付着した不純物の再蒸発を抑制し、従来の技術に比べて発光効率が高くかつ駆動安定性においても大きく改善された素子が得られる。この結果、フルカラーあるいはマルチカラーのパネルへの応用において優れた性能を発揮できる。本発明の有機EL素子は、低電圧で高効率に発光させることが可能となり、更には高温保存時の劣化の少ない素子を得ることができる。従って、本発明による有機電界発光素子はフラットパネル・ディスプレイ(例えばOAコンピュータ用や壁掛けテレビ)、車載表示素子、携帯電話表示や面発光体としての特徴を生かした光源(例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源)、表示板、標識灯への応用が考えられ、その技術的価値は大きいものである。   According to the organic EL element of the present invention, by using an organic compound having an appropriate vapor pressure as a material used for the charge generation unit, thermal damage due to heat generation and re-evaporation of impurities attached to the apparatus wall surface are suppressed, As compared with the conventional technology, an element having high luminous efficiency and greatly improved driving stability can be obtained. As a result, excellent performance can be exhibited in application to full-color or multi-color panels. The organic EL device of the present invention can emit light with high efficiency at a low voltage, and can further provide a device with little deterioration during high-temperature storage. Therefore, the organic electroluminescent device according to the present invention is a flat panel display (for example, for OA computers and wall-mounted televisions), an in-vehicle display device, a light source utilizing characteristics of a mobile phone display or a surface light emitter (for example, a light source of a copying machine, It can be applied to liquid crystal displays and back light sources for instruments, display panels, and indicator lights, and its technical value is great.

以下、本発明を、図面を参照して説明する。図1〜3は本発明の有機EL素子の一例を示す模式断面図である。   Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings. 1 to 3 are schematic cross-sectional views showing an example of the organic EL element of the present invention.

図1は発光ユニットと電荷発生ユニットを複数積層した有機EL素子を示す。基板1の上に陽極2、電荷発生ユニット31、発光ユニット41が積層され、第1ユニットを構成する。その上に、電荷発生ユニット32、発光ユニット42が積層され、第2ユニットを構成する。必要により第3ユニット、第Nユニットが構成され、その上に陰極7が積層されている。本発明の有機EL素子では、基板、陽極、電荷発生ユニット、発光層又は発光ユニット及び陰極を必須の層として有するが、必要により他の層を設けてもよい。ここで、第1ユニット等の第Nユニットは、陽極側から電荷発生ユニット31及び発光ユニット41の順に積層されて構成されている。   FIG. 1 shows an organic EL element in which a plurality of light emitting units and charge generating units are stacked. The anode 2, the charge generation unit 31, and the light emitting unit 41 are stacked on the substrate 1 to constitute a first unit. On top of that, the charge generation unit 32 and the light emitting unit 42 are stacked to constitute a second unit. If necessary, a third unit and an Nth unit are formed, and a cathode 7 is laminated thereon. In the organic EL device of the present invention, the substrate, the anode, the charge generation unit, the light emitting layer or the light emitting unit, and the cathode are included as essential layers, but other layers may be provided as necessary. Here, the Nth unit such as the first unit is configured by laminating the charge generation unit 31 and the light emitting unit 41 in this order from the anode side.

ここで、発光ユニット41は、少なくとも一層以上の発光層を有し、必要により複数の発光層を積層してもよい。発光ユニットは発光層を必須の層として含むが、通常は複数の層からなる。好ましくは、陽極側から発光層4a、電子輸送層4b、電子注入層4cである。発光ユニット41は、1層であっても、2層以上であってもよい。   Here, the light emitting unit 41 includes at least one light emitting layer, and a plurality of light emitting layers may be stacked as necessary. The light emitting unit includes a light emitting layer as an essential layer, but usually comprises a plurality of layers. The light emitting layer 4a, the electron transport layer 4b, and the electron injection layer 4c are preferable from the anode side. The light emitting unit 41 may be a single layer or two or more layers.

電荷発生ユニット31は、陽極側から電子引き抜き層3aと隣接層3bの順に積層された構造となっている。この電荷発生ユニット31は、陽極に接して設けられる電荷発生ユニットであることもできるし、発光ユニット間に設けられる電荷発生ユニットであることもできる。発光ユニット41が1層からなる場合は、電荷発生ユニット31は、陽極に接して設けられる。発光ユニット41が2層以上からなる場合は、電荷発生ユニット31は陽極に接して設けられる1層の電荷発生ユニットであることもできるし、発光ユニット間の一部又は全部に設けられる電荷発生ユニットであることもできるが、陽極に接して設けられる電荷発生ユニットと発光ユニット間の全部に設けられる電荷発生ユニットを有することが望ましい。   The charge generation unit 31 has a structure in which an electron extraction layer 3a and an adjacent layer 3b are stacked in this order from the anode side. The charge generation unit 31 may be a charge generation unit provided in contact with the anode, or may be a charge generation unit provided between the light emitting units. When the light emitting unit 41 is composed of one layer, the charge generating unit 31 is provided in contact with the anode. When the light emitting unit 41 is composed of two or more layers, the charge generation unit 31 can be a single layer charge generation unit provided in contact with the anode, or a charge generation unit provided in part or all of the light emission units. However, it is desirable to have a charge generation unit provided between the charge generation unit provided in contact with the anode and the light emitting unit.

本発明において、電子引き抜き層が隣接層から効率的に電子を引き抜き、隣接層内に正孔を発生させることが重要であり、そのためには図5に示すように電子引き抜き層材料のEAと隣接層材料のIPの差が2.0eV以内、好ましくは0〜1.0eVの範囲であるようにする。差がこれより大きくなると、電子引き抜き層材料が隣接層材料から電子を引き抜くことが困難となり、素子駆動の高電圧化等を引き起こす。   In the present invention, it is important for the electron extraction layer to efficiently extract electrons from the adjacent layer and generate holes in the adjacent layer. For this purpose, as shown in FIG. 5, the electron extraction layer material is adjacent to EA. The difference in the IP of the layer material is within 2.0 eV, preferably in the range of 0 to 1.0 eV. If the difference is larger than this, it becomes difficult for the electron extraction layer material to extract electrons from the adjacent layer material, which causes a high voltage for driving the element.

隣接層は、ホール輸送性材料から形成されていることが好ましく、特にアリールアミン系ホール輸送性材料から形成されていることが好ましい。ホール輸送性材料が発光層としても機能する場合は、この発光層は隣接層ともなる。   The adjacent layer is preferably formed from a hole transporting material, particularly preferably an arylamine-based hole transporting material. In the case where the hole transporting material also functions as a light emitting layer, this light emitting layer is also an adjacent layer.

図2は、発光ユニットと電荷発生ユニットを各1層積層した有機EL素子を示す。基板の上に陽極2、電荷発生ユニット3、発光ユニット4、陰極7が積層されている。ここで、電荷発生ユニット3、発光ユニット4の好ましい構成は図1と同様である。   FIG. 2 shows an organic EL element in which a light emitting unit and a charge generation unit are stacked in one layer. An anode 2, a charge generation unit 3, a light emitting unit 4, and a cathode 7 are stacked on the substrate. Here, preferred configurations of the charge generation unit 3 and the light emitting unit 4 are the same as those in FIG.

図3は、発光ユニットと電荷発生ユニットを各2層積層した有機EL素子を示す。陽極2の上に、電荷発生ユニット31、発光ユニット41が積層され、第1ユニットを構成する。その上に、電荷発生ユニット32、発光ユニット42が積層されて第2ユニットを構成する。ここで、電荷発生ユニット、発光ユニットの好ましい構成は図1と同様である。   FIG. 3 shows an organic EL element in which two layers each of a light emitting unit and a charge generating unit are laminated. A charge generation unit 31 and a light emitting unit 41 are stacked on the anode 2 to constitute a first unit. On top of that, the charge generation unit 32 and the light emitting unit 42 are stacked to constitute a second unit. Here, preferred configurations of the charge generation unit and the light emitting unit are the same as those in FIG.

本発明の有機EL素子の好ましい構成例を以下に示すが、これに限定されない。
1)陽極/電荷発生ユニット/発光ユニット/陰極
2)陽極/電荷発生ユニット/発光ユニット/電荷発生ユニット/発光ユニット/陰極
3)陽極/電荷発生ユニット/発光ユニット/電荷発生ユニット/発光ユニット/電荷発生ユニット/発光ユニット/陰極
Although the preferable structural example of the organic EL element of this invention is shown below, it is not limited to this.
1) Anode / charge generating unit / light emitting unit / cathode
2) Anode / charge generating unit / light emitting unit / charge generating unit / light emitting unit / cathode
3) Anode / charge generating unit / light emitting unit / charge generating unit / light emitting unit / charge generating unit / light emitting unit / cathode

上記のように、本発明の素子構成は、発光ユニットが単一でも複数ユニットでもよい。複数ユニットの場合、複数の発光ユニットの間に電荷発生ユニットを設けることにより、電子引き抜き層による隣接層からの電子の引き抜きにより発生したホールを陰極側発光ユニットに供給するとともに、引き抜いた電子を陽極側発光ユニットに供給することができ、個々の発光ユニットをそれぞれ単一ユニットの時と同様に遜色なく発光させることができる。   As described above, the element configuration of the present invention may be a single light emitting unit or a plurality of units. In the case of a plurality of units, by providing a charge generation unit between the plurality of light emitting units, holes generated by the extraction of electrons from the adjacent layer by the electron extraction layer are supplied to the cathode side light emitting unit, and the extracted electrons are supplied to the anode. The light emitting units can be supplied to the side light emitting units, and each individual light emitting unit can emit light in the same manner as in the case of a single unit.

電荷発生ユニットを構成する電子引き抜き層は、電子引き抜き層材料単体から形成されてもよいし、ホール輸送性の隣接層材料との混合層であってもよい。なお、隣接層材料との混合層である場合も、電荷発生ユニットは隣接層を有することは当然である。   The electron extraction layer constituting the charge generation unit may be formed from a single electron extraction layer material or a mixed layer with a hole transporting adjacent layer material. It should be noted that the charge generation unit also has an adjacent layer even when it is a mixed layer with the adjacent layer material.

基板1は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。   The substrate 1 serves as a support for the organic electroluminescent element, and a quartz or glass plate, a metal plate or a metal foil, a plastic film, a sheet, or the like is used. In particular, a glass plate or a transparent synthetic resin plate such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, or polysulfone is preferable. When using a synthetic resin substrate, it is necessary to pay attention to gas barrier properties. If the gas barrier property of the substrate is too small, the organic electroluminescent element may be deteriorated by the outside air that has passed through the substrate, which is not preferable. For this reason, a method of providing a gas barrier property by providing a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the synthetic resin substrate is also a preferable method.

基板1上には陽極2が設けられる。この陽極は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び/又はスズの酸化物、亜鉛及び/又はスズの酸化物、タングステン及び/又はスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、あるいは、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。陽極の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などの場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散し、基板上に塗布することにより陽極を形成することもできる。更に、導電性高分子の場合は電解重合により直接基板上に薄膜を形成したり、基板上に導電性高分子を塗布して陽極を形成することもできる(Appl.Phys.Lett.,60巻,2711頁,1992年)。陽極は異なる物質で積層して形成することも可能である。陽極2の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常、60%以上、好ましくは80%以上とすることが望ましい。陽極2の膜厚については特に制限はないが、通常、1〜1000nm、好ましくは10〜500nmである。なお不透明でよい場合、陽極は基板と同一でもよい。また、更には上記の陽極の上に異なる導電材料を積層することも可能である。   An anode 2 is provided on the substrate 1. This anode is usually a metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, platinum or the like, an oxide of indium and / or tin, an oxide of zinc and / or tin, an oxide of tungsten and / or tin. It is composed of an oxide, a metal halide such as copper iodide, carbon black, or a conductive polymer such as poly (3-methylthiophene), polypyrrole, or polyaniline. In general, the anode is often formed by a sputtering method, a vacuum deposition method, or the like. Also, in the case of fine metal particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, conductive polymer fine powder, etc., it is dispersed in an appropriate binder resin solution and placed on the substrate. An anode can also be formed by coating. Further, in the case of a conductive polymer, a thin film can be directly formed on the substrate by electrolytic polymerization, or an anode can be formed by applying a conductive polymer on the substrate (Appl. Phys. Lett., Vol. 60). 2711, 1992). The anode can be formed by stacking different materials. The thickness of the anode 2 varies depending on the required transparency. When transparency is required, the visible light transmittance is usually 60% or more, preferably 80% or more. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of the anode 2, Usually, 1-1000 nm, Preferably it is 10-500 nm. In addition, when it may be opaque, an anode may be the same as a board | substrate. Furthermore, it is also possible to laminate different conductive materials on the anode.

陽極2の上には電荷発生ユニット3が設けられる。電荷発生ユニットは電子引き抜き層と隣接層からなり、隣接層は電子引き抜き層へ電子を供給する機能を有する。   A charge generation unit 3 is provided on the anode 2. The charge generation unit includes an electron extraction layer and an adjacent layer, and the adjacent layer has a function of supplying electrons to the electron extraction layer.

電子引き抜き層は一般式(I)又は式(1)〜(4)で表わされる電子引き抜き層材料単体のみで形成してもよいし、隣接層と任意の割合で混合層を形成してもよいが、効率的に電荷を発生させるには、電子引き抜き層のEAと隣接層のIPの差が2.0eV以内の組み合わせであればよく、好ましくは1.0eV以内の組み合わせが望ましい。これにより、隣接層から電子を引き抜いて陽極側へ電子を流すと共に、隣接層内に正孔を発生させ、陰極側へ正孔を流すことができる。これにより、発光ユニットが複数であっても、効率的にすべての発光ユニットを発光させることができる。   The electron extraction layer may be formed of only the electron extraction layer material represented by the general formula (I) or the formulas (1) to (4), or a mixed layer may be formed at an arbitrary ratio with the adjacent layer. However, in order to generate electric charges efficiently, it is sufficient that the difference between the EA of the electron extraction layer and the IP of the adjacent layer is 2.0 eV or less, and preferably a combination of 1.0 eV or less. Thus, electrons can be extracted from the adjacent layer and flowed to the anode side, holes can be generated in the adjacent layer, and holes can flow to the cathode side. Thereby, even if there are a plurality of light emitting units, all the light emitting units can be made to emit light efficiently.

電子引き抜き層は、上記電子引き抜き層材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。   The electron extraction layer can be formed by thinning the electron extraction layer material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. .

電子引き抜き層の膜厚については特に制限はないが、通常、1〜300nm、好ましくは5〜100nmである。この電子引き抜き層は、上記材料の1種又は2種以上からなる一層構造であってもよい。   Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of an electron extraction layer, Usually, 1-300 nm, Preferably it is 5-100 nm. The electron extraction layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

隣接層はホール輸送性化合物から形成されるのが望ましく、一般的に知られている正孔輸送層材料を用いることが出来る。例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。   The adjacent layer is preferably formed of a hole transporting compound, and generally known hole transport layer materials can be used. For example, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbenes Derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers, and the like can be given.

隣接層材料としては、上記のものを使用することができるが、その中でも特にアリールアミン系ホール輸送性材料を用いることが好ましい。   As the adjacent layer material, the above-mentioned materials can be used, and among them, an arylamine-based hole transporting material is particularly preferable.

アリールアミン系ホール輸送性材料の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、更には、米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(α−NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。   Representative examples of arylamine hole transport materials include N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminophenyl; N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3- Methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di) -P-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ', N'-tetra-p-tolyl-4,4'-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl)- 4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N′-diphenyl-N, N′-di (4 -Methoxy N), 4'-diaminobiphenyl; N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenyl) Vinyl) benzene; 3-methoxy-4'-N, N-diphenylaminostilbenzene; N-phenylcarbazole and two condensed aromatics described in US Pat. No. 5,061,569 Having a ring in the molecule, for example, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (α-NPD), described in JP-A-4-308688 4,4 ', 4 "-tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine (MTDATA) in which three triphenylamine units are linked in a starburst type Can be mentioned.

隣接層の膜厚については特に制限はないが、通常、1〜300nm、好ましくは5〜100nmであり、電子引き抜き層と同様の方法にて電子引き抜き層上に薄膜形成される。この隣接層は、上記材料の1種又は2種以上からなる一層構造であってもよい。   Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of an adjacent layer, Usually, it is 1-300 nm, Preferably it is 5-100 nm, and a thin film is formed on an electron extraction layer by the method similar to an electron extraction layer. This adjacent layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

電荷発生ユニット3の上には発光ユニット4が設けられる。発光ユニットは発光層と電子輸送層を含み、必要により電子注入層を設けてもよい。発光ユニットは正孔及び電子を再結合させ、発光する機能を有する。   A light emitting unit 4 is provided on the charge generation unit 3. The light emitting unit includes a light emitting layer and an electron transport layer, and an electron injection layer may be provided as necessary. The light emitting unit has a function of recombining holes and electrons to emit light.

発光ユニット内の発光層は、単一の発光層から形成されていてもよいし、複数の発光層を直接接するように積層して構成されていてもよい。なお発光層は、ホスト材料と蛍光性発光材料又は燐光性発光材料から構成され、従来これらの層の形成に用いられた任意の材料を用いることができる。また、発光層のホスト材料が隣接層として適するホール輸送性材料である場合には、発光層を隣接層と兼ねさせてもよい。   The light emitting layer in the light emitting unit may be formed from a single light emitting layer, or may be configured by laminating a plurality of light emitting layers so as to be in direct contact with each other. The light emitting layer is composed of a host material and a fluorescent light emitting material or a phosphorescent light emitting material, and any material conventionally used for forming these layers can be used. In the case where the host material of the light emitting layer is a hole transporting material suitable as the adjacent layer, the light emitting layer may also be used as the adjacent layer.

発光層の膜厚については特に制限はないが、通常、1〜300nm、好ましくは5〜100nmであり、隣接層上に電子引き抜き層と同様の方法にて薄膜形成される。   Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of a light emitting layer, Usually, it is 1-300 nm, Preferably it is 5-100 nm, and a thin film is formed by the method similar to an electron extraction layer on an adjacent layer.

電子輸送層は、電界を与えられた電極間において陰極から注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送することができる化合物より形成される。電子輸送層に用いられる電子輸送性化合物としては、陰極からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。   The electron transport layer is formed of a compound capable of efficiently transporting electrons injected from the cathode between the electrodes to which an electric field is applied in the direction of the light emitting layer. The electron transporting compound used in the electron transporting layer needs to be a compound that has high electron injection efficiency from the cathode and that has high electron mobility and can efficiently transport injected electrons. is there.

このような条件を満たす電子輸送材料としては、Alq3などの金属錯体(特開昭59−194393号公報)、10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3−又は5−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン(米国特許第 5,645,948号)、キノキサリン化合物(特開平6−207169号公報)、フェナントロリン誘導体(特開平5−331459号公報)、2−t−ブチル−9,10−N,N'−ジシアノアントラキノンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛などが挙げられる。   As an electron transport material satisfying such conditions, a metal complex such as Alq3 (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393), a metal complex of 10-hydroxybenzo [h] quinoline, an oxadiazole derivative, a distyrylbiphenyl derivative, Silole derivatives, 3- or 5-hydroxyflavone metal complexes, benzoxazole metal complexes, benzothiazole metal complexes, trisbenzimidazolylbenzene (US Pat. No. 5,645,948), quinoxaline compounds (JP-A-6-207169) Phenanthroline derivatives (Japanese Patent Laid-Open No. 5-33159), 2-t-butyl-9,10-N, N′-dicyanoanthraquinonediimine, n-type hydrogenated amorphous silicon carbide, n-type zinc sulfide, n-type Examples include zinc selenide.

電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常、1〜300nm、好ましくは5〜100nmであり、電子引き抜き層と同様の方法にて発光層上に薄膜形成される。この電子輸送層は、上記材料の1種又は2種以上からなる一層構造であってもよい。   Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of an electron carrying layer, Usually, it is 1-300 nm, Preferably it is 5-100 nm, and a thin film is formed on a light emitting layer by the method similar to an electron extraction layer. This electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

陰極は、発光ユニットに電子を注入する役割を果たす。陰極として用いられる材料は、前記陽極に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。   The cathode serves to inject electrons into the light emitting unit. The material used as the cathode can be the material used for the anode, but a metal having a low work function is preferable for efficient electron injection, such as tin, magnesium, indium, calcium, aluminum, A suitable metal such as silver or an alloy thereof is used. Specific examples include low work function alloy electrodes such as magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, and aluminum-lithium alloy.

また、低仕事関数金属からなる陰極を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することは素子の安定性を増す。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。   Further, for the purpose of protecting a cathode made of a low work function metal, further laminating a metal layer having a high work function and stable to the atmosphere on the cathode increases the stability of the device. For this purpose, metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold, platinum are used.

陰極の膜厚については特に制限はないが、通常、1〜1000nm、好ましくは10〜500nmであり、電子引き抜き層と同様の方法にて発光ユニット上に薄膜形成される。この陰極は、上記材料の1種又は2種以上からなる一層構造であってもよい。   Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of a cathode, Usually, it is 1-1000 nm, Preferably it is 10-500 nm, and a thin film is formed on a light emitting unit by the method similar to an electron extraction layer. This cathode may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

更に、陰極側の発光ユニットに、LiF、MgF2、Li2O等のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属塩、Liq等のアルカリ金属錯体及びLi、Cs、Ca等のアルカリ金属、アルカリ土類金属を、電子注入層4cとして設けることも素子の効率を向上させる有効な方法である。 Further, the cathode side light-emitting unit includes an alkali metal salt such as LiF, MgF 2 , Li 2 O, an alkaline earth metal salt, an alkali metal oxide, an alkaline earth metal salt, an alkali metal complex such as Liq, and Li, Cs. It is also an effective method for improving the efficiency of the device to provide alkali metal such as Ca, alkaline earth metal as the electron injection layer 4c.

また、陰極に上記金属を1nm〜20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することも可能である。   Moreover, after producing the said metal by the film thickness of 1 nm-20 nm to a cathode, the transparent or semi-transparent cathode can be produced by producing the electroconductive transparent material quoted by description of the anode on it, By applying this, it is possible to produce a device in which both the anode and the cathode are transparent.

なお、図1とは逆の構造、すなわち、基板上に陰極、発光ユニット、電荷発生ユニット、陽極の順に積層することも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明性の高い2枚の基板の間に本発明の有機EL素子を設けることも可能である。この場合も、必要により層を追加したり、省略したりすることが可能である。また、本発明では、有機EL素子が、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がX−Yマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。   Note that the structure opposite to that shown in FIG. 1, that is, a cathode, a light emitting unit, a charge generation unit, and an anode can be laminated on the substrate in this order. It is also possible to provide the organic EL element of the present invention between the substrates. Also in this case, layers can be added or omitted as necessary. Further, in the present invention, the organic EL element can be applied to any of a single element, an element having a structure arranged in an array, and a structure in which an anode and a cathode are arranged in an XY matrix. .

以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to these.

実施例1
図2において、膜厚110nmのITOからなる陽極電極が形成されたガラス基板上に、各薄膜を真空蒸着法にて、真空度1.0×10-5 Paで積層させた。まず、ITO上に電子引き抜き層としてNTCDA(例示化合物2)を蒸着速度0.1nm/sにて10nmの厚さに形成した。次に、隣接層としてNPB(4,4'−ビス(N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ)ビフェニル)を蒸着速度0.1nm/sにて25nmの厚さに形成した。次に、隣接層上に、発光層としてDNA(9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン)とTBP(2,5,8,11−テトラターシャリーブチルペリレン)とを異なる蒸着源から、TBPが1.0重量%になるよう共蒸着し、30nmの厚さに形成した。次に、電子輸送層としてAlq3(トリス(8−キノリノラト)アルミニウム錯体)を蒸着速度0.1nm/sにて30nmの厚さに形成した。更に、電子輸送層上に、電子注入層としてAlq3とLiq((8−キノリノラト)リチウム錯体)とを異なる蒸着源から、Liqが25重量%になるよう共蒸着し、10nmの厚さに形成した。最後に、電子注入層上に陰極電極としてアルミニウム(Al)を蒸着速度0.5nm/sにて100nmの厚さに形成し、1ユニットの有機EL素子を作成した。ここで、NTCDAのEAとNPBのIP差は0.7eVである。
Example 1
In FIG. 2, each thin film was laminated at a vacuum degree of 1.0 × 10 −5 Pa by a vacuum deposition method on a glass substrate on which an anode electrode made of ITO having a thickness of 110 nm was formed. First, NTCDA (Exemplary Compound 2) was formed on ITO as an electron extraction layer to a thickness of 10 nm at a deposition rate of 0.1 nm / s. Next, NPB (4,4′-bis (N- (1-naphthyl) -N-phenylamino) biphenyl) was formed as an adjacent layer to a thickness of 25 nm at a deposition rate of 0.1 nm / s. Next, on the adjacent layer, DNA (9,10-di (2-naphthyl) anthracene) and TBP (2,5,8,11-tetratertiary butylperylene) are used as the light emitting layer from different vapor deposition sources, and TBP. Was co-evaporated so as to have a thickness of 30 nm. Next, Alq3 (tris (8-quinolinolato) aluminum complex) was formed as an electron transport layer to a thickness of 30 nm at a deposition rate of 0.1 nm / s. Further, Alq3 and Liq ((8-quinolinolato) lithium complex) were co-deposited on the electron transport layer from different deposition sources so that Liq would be 25% by weight to form a thickness of 10 nm. . Finally, aluminum (Al) was formed as a cathode electrode on the electron injection layer to a thickness of 100 nm at a vapor deposition rate of 0.5 nm / s to produce one unit of an organic EL device. Here, the IP difference between EA and NPB of NTCDA is 0.7 eV.

実施例2
電子引き抜き層をNTCDAとNPBの混合層(重量比50:50)10nmにし、隣接層はNPB25nmにした以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作成した。
Example 2
An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the electron extraction layer was a mixed layer of NTCDA and NPB (weight ratio 50:50) 10 nm, and the adjacent layer was NPB 25 nm.

比較例1
電子引き抜き層を省き、隣接層であるNPBを35nmにした以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作成した。
Comparative Example 1
An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the electron extraction layer was omitted and the adjacent layer NPB was 35 nm.

得られた有機EL素子に外部電源を接続し直流電圧を印加したところ、表1のような発光特性を有することが確認された。表1において、輝度、電圧及び発光効率は、100A/m2、半減寿命は250A/m2での値を示す。なお、素子発光スペクトルの極大波長は460 nmであり、TBPからの発光が得られていることがわかった。 When an external power source was connected to the obtained organic EL element and a DC voltage was applied, it was confirmed that the organic EL element had the light emission characteristics as shown in Table 1. In Table 1, luminance, voltage, and luminous efficiency are values at 100 A / m 2 , and half-life is 250 A / m 2 . The maximum wavelength of the device emission spectrum was 460 nm, indicating that light emission from TBP was obtained.

Figure 2008198769
Figure 2008198769

表1のように、実施例1及び2の素子は比較例1と比べて低電圧駆動、高効率化、長寿命化を達成出来ている。   As shown in Table 1, the devices of Examples 1 and 2 can achieve lower voltage driving, higher efficiency, and longer life as compared with Comparative Example 1.

実施例3
図3において、膜厚110 nmのITOからなる陽極電極が形成されたガラス基板上に、各薄膜を真空蒸着法にて、真空度1.0×10-5 Paで積層させた。まず、ITO上に電子引き抜き層としてNTCDAを蒸着速度0.1nm/sにて10nmの厚さに形成した。次に、隣接層としてNPBを蒸着速度0.1nm/sにて25nmの厚さに形成した。次に、隣接層上に、発光層としてDNAとTBPとを異なる蒸着源から、TBPが1.0重量%になるよう共蒸着し、30nmの厚さに形成した。次に、電子輸送層としてAlq3を蒸着速度0.1nm/sにて30nmの厚さに形成した。更に、電子輸送層上に、Alq3とLiqとを異なる蒸着源から、Liqが25重量%になるよう共蒸着し、10nmの厚さに形成した後、続いてAlを0.05nm/sにて2nm蒸着し、電子注入層を形成した。次に、再び電子引き抜き層であるNTCDAを上記と同レートにて50nmの厚さに形成した。続いて隣接層から電子注入層までを上記と同じように成膜した。最後に、電子注入層上に陰極電極としてアルミニウム(Al)を蒸着速度0.5nm/sにて100nmの厚さに形成し、2ユニットの有機EL素子を作成した。
Example 3
In FIG. 3, each thin film was laminated at a vacuum degree of 1.0 × 10 −5 Pa by a vacuum deposition method on a glass substrate on which an anode electrode made of ITO having a thickness of 110 nm was formed. First, NTCDA was formed on ITO as an electron extraction layer to a thickness of 10 nm at a deposition rate of 0.1 nm / s. Next, NPB was formed as an adjacent layer to a thickness of 25 nm at a deposition rate of 0.1 nm / s. Next, on the adjacent layer, DNA and TBP were co-deposited as a light emitting layer from different vapor deposition sources so that the TBP was 1.0% by weight to form a thickness of 30 nm. Next, Alq3 was formed as an electron transport layer to a thickness of 30 nm at a deposition rate of 0.1 nm / s. Further, on the electron transport layer, Alq3 and Liq were co-deposited from different vapor deposition sources so that Liq was 25% by weight to form a thickness of 10 nm, and subsequently Al was added at 0.05 nm / s. An electron injection layer was formed by vapor deposition of 2 nm. Next, NTCDA, which is an electron extraction layer, was again formed to a thickness of 50 nm at the same rate as described above. Subsequently, the layers from the adjacent layer to the electron injection layer were formed in the same manner as described above. Finally, aluminum (Al) was formed as a cathode electrode on the electron injection layer to a thickness of 100 nm at a deposition rate of 0.5 nm / s, thereby producing a 2-unit organic EL device.

比較例2
第2ユニット目の電子引き抜き層を省いて隣接層であるNPBを70nmにした以外は実施例2と同様にして有機EL素子を作成した。
Comparative Example 2
An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 2 except that the second unit electron extraction layer was omitted and the adjacent layer NPB was changed to 70 nm.

得られた有機EL素子に外部電源を接続し直流電圧を印加したところ、表2のような発光特性を有することが確認された。表2において、輝度、電圧及び発光効率は、100A/m2、半減寿命は250A/m2での値を示す。なお、素子発光スペクトルの極大波長は460 nmであり、TBPからの発光が得られていることがわかった。 When an external power source was connected to the obtained organic EL element and a DC voltage was applied, it was confirmed that the organic EL element had the light emission characteristics as shown in Table 2. In Table 2, luminance, voltage, and luminous efficiency are values at 100 A / m 2 and half-life is 250 A / m 2 . The maximum wavelength of the device emission spectrum was 460 nm, indicating that light emission from TBP was obtained.

Figure 2008198769
Figure 2008198769

表2のように、複数の発光ユニット間に電荷発生ユニットを形成させることにより、同じ電流でも効率良く発光させることができ、かつ長寿命を達成できている。   As shown in Table 2, by forming a charge generation unit between a plurality of light emitting units, light can be emitted efficiently even with the same current, and a long life can be achieved.

有機EL素子の一例を示した模式断面図。The schematic cross section which showed an example of the organic EL element. 発光ユニットと電荷発生ユニットを各1層有する有機EL素子の模式断面図Schematic cross-sectional view of an organic EL device having a light emitting unit and a charge generation unit each in one layer 発光ユニットと電荷発生ユニットを各2層有する有機EL素子の模式断面図Schematic sectional view of an organic EL device having two layers each of a light emitting unit and a charge generating unit 電子引き抜き層材料と正孔輸送材料の機能を示す図Diagram showing the function of electron extraction layer material and hole transport material 電荷発生ユニットのエネルギーダイヤグラムを示す図Diagram showing the energy diagram of the charge generation unit

符号の説明Explanation of symbols

1 基板、2 陽極、3 電荷発生ユニット、3a 電子引き抜き層、3b 隣接層、4 発光ユニット、4a 発光層、4b 電子輸送層、4c 電子注入層、7 陰極 1 substrate, 2 anode, 3 charge generation unit, 3a electron extraction layer, 3b adjacent layer, 4 light emitting unit, 4a light emitting layer, 4b electron transport layer, 4c electron injection layer, 7 cathode

Claims (9)

対向する陽極と陰極の間に、少なくとも1層の発光層を含む有機エレクトロルミネッセント素子において、陽極と発光層の間に、電子引き抜き層と電子引き抜き層の陰極面側に隣接し、電子引き抜き層へ電子を引き抜かれる隣接層とからなる電荷発生ユニットが少なくとも1層設けられており、電子引き抜き層が、下記一般式(I)で表される芳香族カルボン酸誘導体から選ばれる少なくとも1種の電子受容性の芳香族カルボン酸誘導体を含む電子引き抜き層材料からなり、隣接層のイオン化ポテンシャル(IP)と電子引き抜き層の電子親和力(EA)の差(IP-EA)が0〜2.0eVの範囲であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
Figure 2008198769
(ここで、Arは1以上の芳香族環を有する芳香族基を示し、-CO-X-CO-はAr
中の芳香族環と縮合してヘテロ環を構成する2価の基を示し、XはO又はN-Rを示し、
RはH又は1価の置換基を示し、kは1、2、3又は4を示す。該芳香族基は、縮合芳香族環を有する芳香族基であってもよく、置換基を有してよい。)
In an organic electroluminescent device including at least one light-emitting layer between an anode and a cathode facing each other, the electron-extracting layer and the electron-extracting layer are adjacent to the cathode side of the electron-extracting layer between the anode and the light-emitting layer. At least one charge generation unit comprising an adjacent layer from which electrons are extracted to the layer is provided, and the electron extraction layer is at least one selected from aromatic carboxylic acid derivatives represented by the following general formula (I) It consists of an electron extraction layer material containing an electron-accepting aromatic carboxylic acid derivative, and the difference between the ionization potential (IP) of the adjacent layer and the electron affinity (EA) of the electron extraction layer (IP-EA) is 0 to 2.0 eV. An organic electroluminescent device having a range.
Figure 2008198769
(Wherein Ar represents an aromatic group having one or more aromatic rings, and —CO—X—CO— represents Ar
A divalent group that forms a heterocycle by condensation with an aromatic ring therein, X represents O or N—R,
R represents H or a monovalent substituent, and k represents 1, 2, 3 or 4. The aromatic group may be an aromatic group having a condensed aromatic ring or may have a substituent. )
一般式(I)で表される芳香族カルボン酸誘導体が、下記式(1)、(2)、(3)又は(4)で表される芳香族カルボン酸誘導体である請求項1記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
Figure 2008198769
(式(1)、(2)、(3)及び(4)において、Ar1、Ar2、Ar3はそれぞれ含酸素環又は含窒素環と縮合する芳香族環を示し、該芳香族環は1環以上であっても、縮合環であっても、置換基を有してもよい。Yは単結合又は2価の結合基を示し、R1、R2、R3は水素原子又は置換基を示し、lは1、2又は3を示し、m、nは0、1又は2を示すが、m+nは1、2、3又は4である。)
The organic compound according to claim 1, wherein the aromatic carboxylic acid derivative represented by the general formula (I) is an aromatic carboxylic acid derivative represented by the following formula (1), (2), (3) or (4). Electroluminescent element.
Figure 2008198769
(In the formulas (1), (2), (3) and (4), Ar 1 , Ar 2 and Ar 3 each represent an aromatic ring condensed with an oxygen-containing ring or a nitrogen-containing ring, and the aromatic ring is One or more rings, a condensed ring, or a substituent may be present, Y represents a single bond or a divalent linking group, and R 1 , R 2 , and R 3 represent a hydrogen atom or a substituent. And 1 represents 1, 2 or 3; m, n represents 0, 1 or 2; m + n is 1, 2, 3 or 4)
電荷発生ユニットが、1層設けられている請求項1又は2記載の有機エレクトロルミネッセント素子。   The organic electroluminescent device according to claim 1 or 2, wherein one layer of charge generation units is provided. 発光層を含む発光ユニットが2層以上設けられており、発光ユニット間に電荷発生ユニットが設けられている請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。   The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein two or more light emitting units including a light emitting layer are provided, and a charge generation unit is provided between the light emitting units. 電子引き抜き層が、式(1)又は(2)で表される芳香族カルボン酸誘導体から形成されている請求項1〜4のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子。   The organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 4, wherein the electron extraction layer is formed from an aromatic carboxylic acid derivative represented by the formula (1) or (2). 隣接層が、ホール輸送性材料から形成されている請求項1〜5のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子。   The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the adjacent layer is formed from a hole transporting material. ホール輸送性材料が、アリールアミン系ホール輸送性材料である請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。   The organic electroluminescent device according to claim 6, wherein the hole transporting material is an arylamine-based hole transporting material. 隣接層が、発光層材料から形成されている請求項1〜7のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子。   The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the adjacent layer is formed from a light emitting layer material. 電子引き抜き層が、電子引き抜き層材料とホール輸送性の隣接層材料の混合層から形成されている請求項1〜8のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子。









































The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the electron extraction layer is formed of a mixed layer of an electron extraction layer material and a hole transporting adjacent layer material.









































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