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JP2008188953A - Manufacturing method of plastic-made stamper, plastic-made stamper and manufacturing method of plastic-made substrate - Google Patents

Manufacturing method of plastic-made stamper, plastic-made stamper and manufacturing method of plastic-made substrate Download PDF

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JP2008188953A
JP2008188953A JP2007028400A JP2007028400A JP2008188953A JP 2008188953 A JP2008188953 A JP 2008188953A JP 2007028400 A JP2007028400 A JP 2007028400A JP 2007028400 A JP2007028400 A JP 2007028400A JP 2008188953 A JP2008188953 A JP 2008188953A
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Japan
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plastic
stamper
plastic material
manufacturing
substrate
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Pending
Application number
JP2007028400A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasuo Kurosaki
晏夫 黒▲崎▼
Naoki Shimizu
直紀 清水
Yukio Yamada
幸生 山田
Shinpei Okawa
晋平 大川
Tomoya Matayoshi
智也 又吉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Chemicals Inc
University of Electro Communications NUC
Original Assignee
Mitsui Chemicals Inc
University of Electro Communications NUC
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a stamper showing excellence in a mechanical property and productivity and usable for plastic molding. <P>SOLUTION: The manufacturing method of the plastic-made stamper 21 comprises a process of making a mother stamper 12 tightly contact a plate-like plastic material 11 to fix it, a process of radiating an infrared ray 19 to the plastic material 11 directing toward the mother stamper 12, and a process of transferring a pattern of the mother stamper 12 on the plastic material 11 to form the plastic-made stamper 21, wherein the plastic material 11 having a melting temperature higher than that of the plastic material molded in the plastic molding is used as the plastic material 11 for molding the stamper. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、プラスチック成形に使用するスタンパの製造方法、及び、プラスチック成形に使用するスタンパ、並びに、このスタンパを用いた微細形状を有するプラスチック製基板の製造方法に係わる。   The present invention relates to a stamper manufacturing method used for plastic molding, a stamper used for plastic molding, and a manufacturing method of a plastic substrate having a fine shape using the stamper.

マイクロ流体チップは、化学・生化学分野において、サンプルの前処理、反応、分離、検出等の操作において用いられている。これらのマイクロ流体チップを用いた操作は、チップ上に集積化したマイクロトータル分析システムにより行われている。   Microfluidic chips are used in operations such as sample pretreatment, reaction, separation, and detection in the chemical and biochemical fields. Operations using these microfluidic chips are performed by a micrototal analysis system integrated on the chip.

このようなマイクロ流体チップとしては、ガラスやプラスチック製の基板にマイクロメートルからミリメートルサイズの溝や孔を流路や液溜として形成したものがある(例えば、特許文献1参照)。例えば、数センチメートル角の光学的に透明なガラスやプラスチック製チップ上に幅10〜500μm、深さ1〜500μmの溝を形成し、この微細流路中で電気泳動操作を行うマイクロ電気泳動チップがある。血液などのサンプルの分析に際しては、該流路にサンプルを注入して、電圧を印加してその反応により分析を行うものである。   As such a microfluidic chip, there is one in which a micrometer to millimeter size groove or hole is formed as a flow path or a liquid reservoir on a glass or plastic substrate (for example, see Patent Document 1). For example, a micro-electrophoresis chip that forms a groove with a width of 10 to 500 μm and a depth of 1 to 500 μm on an optically transparent glass or plastic chip of several centimeters square and performs an electrophoresis operation in this fine channel There is. When analyzing a sample such as blood, the sample is injected into the flow path, a voltage is applied, and the analysis is performed by the reaction.

マイクロ流体チップを用いたサンプルの観察には、顕微鏡観察を用いるのが主流である。このため、マイクロ流体チップの構成材料がプラスチックである場合、光学的透明性、特に可視光域の透過性を有することが必要となる。このようなプラスチックとしては、例えば、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリスチレン(PS)、ポリカーボネート(PC)、環状オレフィン共重合体(COC)等のノルボルネン系環状ポリオレフィンがある。   For observation of a sample using a microfluidic chip, it is the mainstream to use microscopic observation. For this reason, when the constituent material of the microfluidic chip is plastic, it is necessary to have optical transparency, in particular, transparency in the visible light range. Examples of such plastics include norbornene-based cyclic polyolefins such as polydimethylsiloxane (PDMS), polymethyl methacrylate (PMMA), polystyrene (PS), polycarbonate (PC), and cyclic olefin copolymer (COC).

プラスチック製のマイクロ流体チップは、基板上にマイクロメートルサイズの流路を形成したもので、タンパク質やDNA等の分析に用いられる。このようなプラスチック成形品を作製するには、微細な溝等の構造を有する平板に対して、もう一枚の平板を接合する手法がある。
平板又はペレットを溶融した素材に、所定の微細な溝等の構造を与えるためには、最終形状に対し凹凸を反転した型(スタンパ)が必要である。
A plastic microfluidic chip has a micrometer-sized channel formed on a substrate, and is used for analysis of proteins, DNA, and the like. In order to produce such a plastic molded product, there is a method of joining another flat plate to a flat plate having a structure such as a fine groove.
In order to give a material such as a predetermined fine groove to a material obtained by melting a flat plate or a pellet, a mold (stamper) in which irregularities are reversed with respect to the final shape is necessary.

このようなマイクロ流体チップの製造に使用するスタンパとしては、半導体の製造技術を応用することによって製造されたシリコン基板やガラス基板が知られている。
また、シリコン基板やガラス基板をマザースタンパとして、電気化学的鋳造法(Ni電鋳法)により、金属製のスタンパを作製する方法がある。
As a stamper used for manufacturing such a microfluidic chip, a silicon substrate or a glass substrate manufactured by applying a semiconductor manufacturing technique is known.
Further, there is a method of manufacturing a metal stamper by an electrochemical casting method (Ni electroforming method) using a silicon substrate or a glass substrate as a mother stamper.

また、上述のスタンパとして、赤外線を透過可能な光学特性を有するスタンパが提案されている(例えば、特許文献2、特許文献3参照)。
赤外線を透過可能なスタンパを使用することにより、転写面をそなえた基材とスタンパとを密着させた状態で、転写面近傍に赤外線を効率よく吸収させることができる。
このため、赤外線照射によって、プラスチック基材の転写面に、スタンパを通して赤外線照射によるエネルギーを吸収させ、プラスチック基材の転写面近傍を昇温して粘性を低下させることができる。また、スタンパが赤外線を透過することにより、赤外線エネルギーがほとんど吸収されないため、スタンパの冷却を速やかに行うことができ、高速成形に優れる。
Further, as the above-mentioned stamper, a stamper having optical characteristics capable of transmitting infrared rays has been proposed (see, for example, Patent Document 2 and Patent Document 3).
By using a stamper that can transmit infrared rays, infrared rays can be efficiently absorbed in the vicinity of the transfer surface in a state where the base material having the transfer surface and the stamper are in close contact with each other.
For this reason, the infrared irradiation allows the transfer surface of the plastic substrate to absorb the energy of the infrared irradiation through the stamper, and raises the temperature near the transfer surface of the plastic substrate to reduce the viscosity. Moreover, since the stamper transmits infrared rays, infrared energy is hardly absorbed, so that the stamper can be cooled quickly and excellent in high-speed molding.

特開2000−310613号公報JP 2000-310613 A 特開2001−158044号公報JP 2001-158044 A 特開2001−158045号公報JP 2001-158045 A

しかしながら、シリコン基板やガラス基板は、ガラス及びシリコンの素材が持つ脆弱性という性質のため破損しやすい。また、半導体の製造方法を応用した、フォトリソグラフィ・エッチング法や、マイクロマシーニングプロセスを用いてシリコン基板やガラス基板を製造するため、製造する際の工程数が多く、また、工程が複雑化するため、生産性に劣る。   However, silicon substrates and glass substrates are susceptible to breakage due to the fragile nature of glass and silicon materials. In addition, a silicon substrate or a glass substrate is manufactured using a photolithography / etching method or a micromachining process that applies a semiconductor manufacturing method, so that the number of manufacturing processes is large and the process becomes complicated. Therefore, productivity is inferior.

また、金属製のスタンパでは、フォトリソグラフィ・エッチング法、電気化学的鋳造法、マイクロマシーニングプロセス等を用いて製造するため、スタンパの製造コストが高くなる。
さらに、金属性のスタンパは非透明材料であるため、例えば可視光を利用したスタンパの位置合わせが困難である。
In addition, since a metal stamper is manufactured using a photolithography / etching method, an electrochemical casting method, a micromachining process, etc., the manufacturing cost of the stamper increases.
Furthermore, since the metallic stamper is a non-transparent material, it is difficult to align the stamper using visible light, for example.

上述した問題の解決のため、本発明においては、低汚染性、離型性に優れ、かつ、安定生産性に優れた、プラスチック成形に使用するプラスチック製スタンパ、スタンパの製造方法、及び、このスタンパを用いた微細形状を有するプラスチック製基板の製造方法を提供するものである。   In order to solve the above-described problems, in the present invention, a plastic stamper used for plastic molding, excellent in low contamination, releasability, and stable productivity, a method for manufacturing a stamper, and the stamper The present invention provides a method for producing a plastic substrate having a fine shape using the above.

本発明のプラスチック製スタンパの製造方法は、プラスチック成形に使用するスタンパの製造方法であって、板状のプラスチック材料に、マザースタンパを密着して固定する工程と、プラスチック材料に、マザースタンパを指向して赤外線を照射する工程と、プラスチック材料にマザースタンパのパターンを転写してスタンパを形成する工程とからなり、スタンパを形成するプラスチック材料として、プラスチック成形において成形されるプラスチック材料より、溶融温度の高いプラスチック材料を用いることを特徴とする。   The method for manufacturing a plastic stamper according to the present invention is a method for manufacturing a stamper used for plastic molding, in which a mother stamper is closely attached to a plate-shaped plastic material, and the mother stamper is oriented to the plastic material. And the step of irradiating infrared rays and the step of forming a stamper by transferring the pattern of the mother stamper to the plastic material. The plastic material forming the stamper has a melting temperature higher than that of the plastic material molded in plastic molding. It is characterized by using a high plastic material.

また、本発明のプラスチック製スタンパは、少なくとも一部がフッ素樹脂によって形成されていることを特徴とする。   The plastic stamper according to the present invention is characterized in that at least a part thereof is made of a fluororesin.

また、本発明の微細形状を有するプラスチック製基板の製造方法は、板状の第1のプラスチック材料に、マザースタンパを密着して固定する工程と、第1のプラスチック材料に、マザースタンパを指向して赤外線を照射する工程と、第1のプラスチック材料にマザースタンパのパターンを転写してプラスチック製スタンパを形成する工程と、板状の第2のプラスチック材料に、プラスチック製スタンパを密着して固定する工程と、第2のプラスチック材料にプラスチック製スタンパのパターンを転写して、微細形状を有するプラスチック製基板を形成する工程とを有し、第1のプラスチック材料に、第2のプラスチック材料よりも溶融温度の高いプラスチックを用いることを特徴とする。
ここで、本発明で用いるプラスチック材料の溶融温度とは、プラスチック材料が、結晶性樹脂のように融点を持つ場合には融点を意味し、非晶性樹脂のように融点を持たない場合にはガラス転移点を意味する。
The method for producing a plastic substrate having a fine shape according to the present invention includes a step of closely fixing a mother stamper to a plate-like first plastic material, and directing the mother stamper to the first plastic material. Irradiating infrared rays, transferring a mother stamper pattern to the first plastic material to form a plastic stamper, and fixing the plastic stamper to the plate-like second plastic material. And a step of transferring a pattern of a plastic stamper to the second plastic material to form a plastic substrate having a fine shape. The first plastic material is melted more than the second plastic material. A high-temperature plastic is used.
Here, the melting temperature of the plastic material used in the present invention means a melting point when the plastic material has a melting point like a crystalline resin, and when the plastic material does not have a melting point like an amorphous resin. It means the glass transition point.

本発明のプラスチック製スタンパの製造方法によれば、マザースタンパとプラスチック材料とを密着させた状態で、マザースタンパを指向して赤外線を照射する。これにより、マザースタンパ及びプラスチック材料を加熱することができる。そして、加熱によって粘度が低下したプラスチック材料に、マザースタンパのパターンを転写することができる。   According to the method for manufacturing a plastic stamper of the present invention, infrared light is irradiated toward the mother stamper while the mother stamper and the plastic material are in close contact with each other. Thereby, the mother stamper and the plastic material can be heated. Then, the mother stamper pattern can be transferred to a plastic material whose viscosity is reduced by heating.

また、本発明のプラスチック製スタンパによれば、溶融温度が高く、赤外線を透過し、離型性にすぐれたフッ素樹脂を用いてスタンパを形成している。このため、成形したプラスチック材料とスタンパとの剥離が容易であり、かつ、汚染し難いため、安定した成形が可能である。   Further, according to the plastic stamper of the present invention, the stamper is formed using a fluororesin having a high melting temperature, transmitting infrared rays, and having excellent releasability. For this reason, the molded plastic material and the stamper can be easily peeled off and hardly contaminated, so that stable molding is possible.

また、本発明の微細形状を有するプラスチック製基板の製造方法によれば、まず、マザースタンパと第1のプラスチック材料とを密着させた状態で、マザースタンパ及びプラスチック材料を指向して赤外線を照射する。これにより、プラスチック材料を加熱し、粘度が低下したプラスチック材料に、マザースタンパのパターンを転写して、プラスチック製スタンパを作製する。そして、このプラスチック製スタンパを第2のプラスチック材料に転写することによって、微細形状を有するプラスチック製基板を製造することができる。   According to the method of manufacturing a plastic substrate having a fine shape according to the present invention, first, the mother stamper and the first plastic material are in close contact with each other, and infrared rays are irradiated toward the mother stamper and the plastic material. . As a result, the plastic material is heated, and the mother stamper pattern is transferred to the plastic material having a reduced viscosity to produce a plastic stamper. A plastic substrate having a fine shape can be manufactured by transferring the plastic stamper to the second plastic material.

本発明によれば、プラスチック成形に使用するためのスタンパをプラスチック材料で製造することができる。このため、低コストで生産性に優れたプラスチック製スタンパを製造することができる。
また、このプラスチック製スタンパを用いることにより、安定して微細形状を有するプラスチック製基板を製造することができる。
According to the present invention, a stamper for use in plastic molding can be manufactured from a plastic material. Therefore, it is possible to manufacture a plastic stamper that is low in cost and excellent in productivity.
Further, by using this plastic stamper, a plastic substrate having a fine shape can be stably produced.

まず、本発明のプラスチック製スタンパの製造方法の一実施の形態を、図1及び図2を用いて説明する。   First, an embodiment of a method for producing a plastic stamper according to the present invention will be described with reference to FIGS.

図1は、本実施の形態のプラスチック製スタンパの製造方法にかかる、プラスチック製スタンパの製造装置10の構成毎の斜視図である。
製造装置10は、上部支持枠14と下部支持枠15とを有する。そして、上部支持枠14と下部支持枠15は、図示しない押圧手段と合わせて精密油圧プレス装置を構成し、上部支持枠14と下部支持枠15と間に組みこまれた部材をプレス成形することができる。
FIG. 1 is a perspective view for each configuration of a plastic stamper manufacturing apparatus 10 according to the plastic stamper manufacturing method of the present embodiment.
The manufacturing apparatus 10 includes an upper support frame 14 and a lower support frame 15. The upper support frame 14 and the lower support frame 15 together with a pressing means (not shown) constitute a precision hydraulic press device, and a member assembled between the upper support frame 14 and the lower support frame 15 is press-molded. Can do.

製造装置10の上部支持枠14と下部支持枠15との間には、この装置によって成形されてプラスチック製スタンパとなる、円板状のプラスチック材料11が配置されている。
そして、プラスチック材料11の上部には、プラスチック材料11に型を転写するためのパターンを有するマザースタンパ12が配置されている。さらに、マザースタンパ12に上部に、透明ヒートシンク13が接続されている。そして、マザースタンパ12と透明ヒートシンク13とを、上部支持枠14が内側で保持する構造となっている。
Between the upper support frame 14 and the lower support frame 15 of the manufacturing apparatus 10, a disk-shaped plastic material 11 that is molded by this apparatus and becomes a plastic stamper is disposed.
A mother stamper 12 having a pattern for transferring a mold to the plastic material 11 is disposed on the plastic material 11. Further, a transparent heat sink 13 is connected to the mother stamper 12 at the top. The mother stamper 12 and the transparent heat sink 13 are held by the upper support frame 14 inside.

さらに、製造装置10には、上部支持枠14及び透明ヒートシンク13の上方に、マザースタンパ12のパターンをプラスチック材料11に転写する際に用いる、赤外線照射用の光源16が設けられている。そして、光源16からの赤外線が、ランプシェード17及び光導路18を通過して、装置の下方に照射される構成となっている。   Further, the manufacturing apparatus 10 is provided with a light source 16 for infrared irradiation, which is used when the pattern of the mother stamper 12 is transferred to the plastic material 11 above the upper support frame 14 and the transparent heat sink 13. The infrared light from the light source 16 passes through the lamp shade 17 and the optical path 18 and is irradiated below the apparatus.

次に、図2を用いて、上述の製造装置10を使用し、マザースタンパ12のパターンをプラスチック材料11に転写して、プラスチック製スタンパ21を製造する方法を説明する。
図2は、図1に示した製造装置10の構成のうち、プラスチック材料11、マザースタンパ12、透明ヒートシンク13、上部支持枠14、下部支持枠15のみを断面図で表している。
Next, a method of manufacturing the plastic stamper 21 by using the manufacturing apparatus 10 described above and transferring the pattern of the mother stamper 12 to the plastic material 11 will be described with reference to FIG.
FIG. 2 is a sectional view showing only the plastic material 11, the mother stamper 12, the transparent heat sink 13, the upper support frame 14, and the lower support frame 15 in the configuration of the manufacturing apparatus 10 shown in FIG.

まず、図2Aに示すように、上部支持枠14と下部支持枠15との間に、プラスチック材料11を配置する。
このとき、上部支持枠14の内側には、図2Aに示すように、マザースタンパ12上に透明ヒートシンク13が接続した状態で固定されている。また、上部支持枠14と下部支持枠15とを、あらかじめ図示していないヒーターによって室温以上溶融温度未満に制御することによって、プラスチック材料11を予熱加熱しておく。
First, as shown in FIG. 2A, the plastic material 11 is disposed between the upper support frame 14 and the lower support frame 15.
At this time, as shown in FIG. 2A, the transparent heat sink 13 is fixed on the mother stamper 12 inside the upper support frame 14 while being connected. Further, the plastic material 11 is preheated by controlling the upper support frame 14 and the lower support frame 15 with a heater (not shown) in advance to a room temperature or higher and lower than a melting temperature.

次に、上部支持枠14と下部支持枠15とを精密油圧プレス装置によって、圧力0.07〜0.26MPaでプラスチック材料11を型締めする。
このとき、図1に示した光源16、例えばハロゲンランプ(40W/cm)、から所定時間(例えば、10〜50秒)、赤外線19を放射する。そしてこの赤外線によって、プラスチック材料11をふく射加熱することにより、プラスチック材料11を昇温し、粘度を低下させる。
これにより、図2Bに示すようにプラスチック材料11を型締めし、マザースタンパ12に設けられたパターンを、プラスチック材料11に転写することができる。
Next, the plastic material 11 is clamped between the upper support frame 14 and the lower support frame 15 with a precision hydraulic press device at a pressure of 0.07 to 0.26 MPa.
At this time, infrared rays 19 are emitted from the light source 16 shown in FIG. 1, for example, a halogen lamp (40 W / cm 2 ) for a predetermined time (eg, 10 to 50 seconds). The plastic material 11 is radiantly heated by the infrared rays to raise the temperature of the plastic material 11 and reduce the viscosity.
2B, the plastic material 11 can be clamped and the pattern provided on the mother stamper 12 can be transferred to the plastic material 11.

次に、図2Cに示すように、光源16からの赤外線照射を停止し、プラスチック材料11を型締めしたまま所定時間(例えば、約180秒)、保持することによって、プラスチック材料11を冷却する。
これにより、プラスチック材料11は、パターンが転写された状態で固化し、プラスチック製スタンパ21となる。
Next, as shown in FIG. 2C, the infrared irradiation from the light source 16 is stopped, and the plastic material 11 is cooled by holding the plastic material 11 for a predetermined time (for example, about 180 seconds) with the mold clamped.
Thereby, the plastic material 11 is solidified in a state where the pattern is transferred, and becomes a plastic stamper 21.

そして、図2Dに示すように、上部支持枠14及び下部支持枠15にかかる圧力を解き、マザースタンパ12から離型することにより、冷却したプラスチック製スタンパ21を製造装置10から取り出す。
このようにして、プラスチック製スタンパ21を製造することができる。
2D, the pressure applied to the upper support frame 14 and the lower support frame 15 is released, and the mold is released from the mother stamper 12, whereby the cooled plastic stamper 21 is taken out from the manufacturing apparatus 10.
In this way, the plastic stamper 21 can be manufactured.

上述の製造装置10において、赤外線をマザースタンパ12及びプラスチック材料11を指向して照射し、プラスチック材料11を加熱するため、透明ヒートシンク13は、赤外線に対して高い透過性を有する材料で構成する必要がある。
また、マザースタンパ12は、プラスチック材料11を加熱、成形するためには、プラスチック材料11よりも充分に融点の高い材料によって形成されていなければならない。
このため、マザースタンパ12は、プラスチック材料11よりも充分に融点が高い、無機材料から形成されていることが好ましい。例えば、セレン亜鉛(ZnSe)、ガラス、シリコン、サファイア、マグネシア等が好ましい。特に、半導体の製造方法の応用による微細加工が可能なシリコンによって形成されていることが好ましい。
また、透明ヒートシンク13としては、可視光及び赤外線の透過性とともに、機械的強度、熱拡散性に優れたサファイア、マグネシアを用いることが好ましい。
In the manufacturing apparatus 10 described above, in order to irradiate infrared rays toward the mother stamper 12 and the plastic material 11 and to heat the plastic material 11, the transparent heat sink 13 needs to be made of a material having high transparency to infrared rays. There is.
Further, the mother stamper 12 must be formed of a material having a melting point sufficiently higher than that of the plastic material 11 in order to heat and mold the plastic material 11.
For this reason, the mother stamper 12 is preferably made of an inorganic material having a melting point sufficiently higher than that of the plastic material 11. For example, selenium zinc (ZnSe), glass, silicon, sapphire, magnesia and the like are preferable. In particular, it is preferably formed of silicon that can be finely processed by application of a semiconductor manufacturing method.
Moreover, as the transparent heat sink 13, it is preferable to use sapphire and magnesia which are excellent in mechanical strength and thermal diffusivity as well as visible light and infrared transmittance.

また、上部支持枠14及び下部支持枠15は、マザースタンパ12のパターンを、プラスチック材料11に転写する際に加わる圧力に耐える強度を有することが好ましい。また、冷却の際、赤外線によって加熱されたプラスチック材料の熱を速やかに取り除くために、優れた熱伝導性、放熱性を有することが好ましい。この上部支持枠14及び下部支持枠15としては、例えば、金属材料によって構成することができる。   Further, the upper support frame 14 and the lower support frame 15 preferably have a strength capable of withstanding the pressure applied when the pattern of the mother stamper 12 is transferred to the plastic material 11. Moreover, in order to remove rapidly the heat | fever of the plastic material heated with infrared rays in the case of cooling, it is preferable to have the outstanding heat conductivity and heat dissipation. The upper support frame 14 and the lower support frame 15 can be made of, for example, a metal material.

上部保持枠14、及び、下部保持枠15が、放熱性の高い金属材料によって構成され、さらに、透明ヒートシンク13としてサファイアを用いることにより、図2Cで示したプラスチック材料11の冷却を短時間で行うことができる。
このため、製造時間を短縮することが可能になり、プラスチック製スタンパの生産性を向上させることができる。
The upper holding frame 14 and the lower holding frame 15 are made of a metal material having high heat dissipation, and further, by using sapphire as the transparent heat sink 13, the plastic material 11 shown in FIG. 2C is cooled in a short time. be able to.
For this reason, it becomes possible to shorten manufacturing time and to improve the productivity of a plastic stamper.

上述の製造装置10において、赤外線の光源16としては、マザースタンパ12又はプラスッチック材料11を加熱することができる放射波長、及び、放射強度を発生する光源を使用することができる。例えば、光源16がレーザーである場合、固体レーザーとしては、発振波長が0.8以上1.6μm以下の範囲にある半導体レーザー、発振波長が1.06μmのNd(ネオジウム)をドープしたYAGレーザー、発振波長が1.8μm以上3.0μm以下の範囲にあるHo(ホルミウム)、Tm(ツリウム)、及び、Er(エルビウム)をドープしたYAGレーザー、ファイバーレーザー等を使用することができる。また、ガスレーザーとしては、一酸化炭素レーザー、炭酸ガスレーザー等を適宜使用することができる。さらに、量子カスケードレーザー、光パラメトリック発振器からなるレーザー等を使用してもよい。
この他、光源16としては、キセノンランプ、ハロゲンランプ、カーボンワイヤーを石英管に封入したカーボンランプ、発光ダイオード等を適宜使用することができる。
照射する赤外線の波長は、照射対象のマザースタンパ12及びプラスチック材料11を構成する材料の吸収波長の範囲内で、適宜選択することができる。
また、上述の製造装置10は、プラスチック材料11を、光を用いて成形できる構成であるため、安全で使いやすい製造装置を比較的安価に構成することができる。
また、上述のプラスチック製スタンパ21の製造方法は、光源16と、透明ヒートシンク13を用いた赤外線ふく射加熱を用いている。このため、マザースタンパ12及びプラスチック材料11の加熱、及び、冷却を効率的に行うことができ、プラスチック製スタンパ21を短時間で製造することができる。
In the manufacturing apparatus 10 described above, as the infrared light source 16, a light source that generates a radiation wavelength and a radiation intensity that can heat the mother stamper 12 or the plastic material 11 can be used. For example, when the light source 16 is a laser, the solid laser includes a semiconductor laser having an oscillation wavelength in the range of 0.8 to 1.6 μm, a YAG laser doped with Nd (neodymium) having an oscillation wavelength of 1.06 μm, A YAG laser, a fiber laser, or the like doped with Ho (holmium), Tm (thulium), and Er (erbium) having an oscillation wavelength in the range of 1.8 μm to 3.0 μm can be used. As the gas laser, a carbon monoxide laser, a carbon dioxide laser, or the like can be used as appropriate. Furthermore, a quantum cascade laser, a laser composed of an optical parametric oscillator, or the like may be used.
In addition, as the light source 16, a xenon lamp, a halogen lamp, a carbon lamp in which a carbon wire is sealed in a quartz tube, a light emitting diode, or the like can be used as appropriate.
The wavelength of the infrared ray to be irradiated can be appropriately selected within the range of the absorption wavelength of the material constituting the mother stamper 12 and the plastic material 11 to be irradiated.
Moreover, since the manufacturing apparatus 10 described above has a configuration in which the plastic material 11 can be molded using light, a safe and easy-to-use manufacturing apparatus can be configured at a relatively low cost.
The method for manufacturing the plastic stamper 21 described above uses infrared radiation heating using the light source 16 and the transparent heat sink 13. For this reason, the mother stamper 12 and the plastic material 11 can be efficiently heated and cooled, and the plastic stamper 21 can be manufactured in a short time.

なお、上述のプラスチック製スタンパ21の製造方法において使用しているプラスチック材料11は、円板状でなくてもよく、例えば、長方形や正方形等のシートやフィルム状のプラスチック材料であっても使用することができる。   Note that the plastic material 11 used in the method for manufacturing the plastic stamper 21 described above may not be a disk shape, and may be, for example, a rectangular or square sheet or a film-like plastic material. be able to.

次に、上述の製造方法によって製造された、プラスチック製スタンパ21の一例を図3に示す。   Next, an example of the plastic stamper 21 manufactured by the manufacturing method described above is shown in FIG.

図3に示すプラスチック製スタンパ21は、円板状のプラスチック製スタンパ基体23と、プラスチック製スタンパ基体23の一方の表面上の凸パターン22とからなる。
プラスチック製スタンパ21の凸パターン22は、図1に示したマザースタンパ12のパターンの転写によって形成される。そして、この凸パターン22を、マイクロ流体チップの基板に転写することによって、マイクロ流体チップにおける流路を構成する溝を形成することができる。
凸パターン22の形状は、目的とするマイクロ流体チップの溝形状に合わせて適宜設計することができる。また、凸パターン22の形状は、マザースタンパ12のパターンを目的の形状に変更することによって、適宜変更することができる。
A plastic stamper 21 shown in FIG. 3 includes a disk-shaped plastic stamper base 23 and a convex pattern 22 on one surface of the plastic stamper base 23.
The convex pattern 22 of the plastic stamper 21 is formed by transferring the pattern of the mother stamper 12 shown in FIG. And the groove | channel which comprises the flow path in a microfluidic chip can be formed by transcribe | transferring this convex pattern 22 to the board | substrate of a microfluidic chip.
The shape of the convex pattern 22 can be appropriately designed according to the intended groove shape of the microfluidic chip. In addition, the shape of the convex pattern 22 can be changed as appropriate by changing the pattern of the mother stamper 12 to a target shape.

プラスチック製スタンパ21の大きさは、目的とするマイクロ流体チップの大きさに合わせて適宜設計することができ、例えば、プラスチック製スタンパ基体23の直径を22mm程度、厚さを1mm程度としたとき、凸パターン22の幅は10〜500μm、高さは1〜500μm程度で形成することができる。
また、図3において、円板状のプラスチック製スタンパ21を示しているが、プラスチック製スタンパ21の形状はこれに限られない。例えば、マイクロ流体チップの形状に、プラスチック製スタンパ21の形状を合わせることによって、マイクロ流体チップの製造を容易に行うことができる。例えば、プラスチック製スタンパ21は、円板状以外に、長方形や正方形等のシートやフィルム状の形状で形成することができる。
The size of the plastic stamper 21 can be appropriately designed according to the size of the target microfluidic chip. For example, when the plastic stamper base 23 has a diameter of about 22 mm and a thickness of about 1 mm, The convex pattern 22 can be formed with a width of about 10 to 500 μm and a height of about 1 to 500 μm.
Further, in FIG. 3, the disk-shaped plastic stamper 21 is shown, but the shape of the plastic stamper 21 is not limited to this. For example, the microfluidic chip can be easily manufactured by matching the shape of the plastic stamper 21 to the shape of the microfluidic chip. For example, the plastic stamper 21 can be formed in a sheet or film shape such as a rectangle or a square in addition to the disk shape.

また、図3に示したプラスチック製スタンパ21は、後述するマイクロ流体チップの製造において、スタンパとして使用されるため、溶融温度がマイクロ流体チップを構成する材料よりも充分に高い材料が好ましい。また、マイクロ流体チップを連続して製造するため、プラスチック製スタンパ21は、離型性に優れた材料で構成することが好ましい。   Further, since the plastic stamper 21 shown in FIG. 3 is used as a stamper in the manufacture of a microfluidic chip, which will be described later, a material having a melting temperature sufficiently higher than the material constituting the microfluidic chip is preferable. Further, in order to continuously manufacture the microfluidic chip, the plastic stamper 21 is preferably made of a material having excellent releasability.

溶融温度が高い材料としては、エンジニアリングプラスチック(EP)、スーパーエンジニアリングプラスチック(SEP)等を使用することができる。エンジニアリングプラスチックとしては、例えば、ポリアセタール(POM)、ポリアミド(PA)、ポリカーボネート(PC)、変性ポリフェニレンエーテル(m−PPE)、ポリブチレンテレフタレート(PPB)等を挙げることができる。また、スーパーエンジニアリングプラスチックとしては、ポリアリレート(PAR)、ポリスルホン(PSF)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド(PPS)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリイミド(PI)、ポリエーテルイミド(PEI)等を挙げることができる。
また、溶融温度が高く、離型性に優れた材料としてはフッ素樹脂が挙げられ、例えば、
テフロン(登録商標)(融点367℃)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE、融点327℃)、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体(FEP、融点260〜270℃)、ポリフッ化ビニリデン(PVDF、融点172〜175℃)、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE、融点300〜310℃)、テトラフルオロエチレンパーフルオロアルキルビニルエーテルコポリマー(PFA、融点300〜310℃)等を挙げることができる。
As the material having a high melting temperature, engineering plastic (EP), super engineering plastic (SEP), or the like can be used. Examples of the engineering plastic include polyacetal (POM), polyamide (PA), polycarbonate (PC), modified polyphenylene ether (m-PPE), polybutylene terephthalate (PPB), and the like. Super engineering plastics include polyarylate (PAR), polysulfone (PSF), polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide (PPS), polyetheretherketone (PEEK), polyimide (PI), and polyetherimide (PEI). And the like.
In addition, as a material having a high melting temperature and excellent releasability, a fluororesin can be exemplified,
Teflon (registered trademark) (melting point 367 ° C.), polytetrafluoroethylene (PTFE, melting point 327 ° C.), tetrafluoroethylene / hexafluoropropylene copolymer (FEP, melting point 260 to 270 ° C.), polyvinylidene fluoride (PVDF, melting point) 172 to 175 ° C), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE, melting point 300 to 310 ° C), tetrafluoroethylene perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA, melting point 300 to 310 ° C), and the like.

また、上述の性質を有する物質の中でも、特に、高い溶融温度と高い離型性の両方の性質を有するPFAを用いることが好ましい。   Of the substances having the above properties, it is particularly preferable to use PFA having both high melting temperature and high releasability.

なお、スタンパ21は、単一のプラスチック材料によって製造することも、複数のプラスチック材料によって製造することもできる。
例えば、上述した種類のプラスチック材料を単独で使用してもよく、また、複数のフッ素樹脂同士を混合、ないし積層化することや、フッ素樹脂とEP、SEPとを混合、ないし積層化することによって製造してもよい。
複数のプラスチック材料を混合、ないし積層化した場合は、単一の材料を用いる場合よりもプラスチック製スタンパとして必要となる、融点や離型性等の物性値を広い範囲で制御することができる。
The stamper 21 can be manufactured from a single plastic material or a plurality of plastic materials.
For example, the above-mentioned types of plastic materials may be used alone, or by mixing or laminating a plurality of fluororesins, or by mixing or laminating fluororesins with EP and SEP. It may be manufactured.
When a plurality of plastic materials are mixed or laminated, physical properties such as melting point and releasability required for a plastic stamper can be controlled in a wider range than when a single material is used.

また、離型性の低いエンジニアリングプラスチック(EP)、スーパーエンジニアリングプラスチック(SEP)を用いてプラスチック製スタンパ21を形成した場合には、離型性の高いフッ素樹脂などを、プラスチック製スタンパ21の表面に塗布することによって、離型性を確保することができる。例えば、プラスチック製スタンパ21の表面に、テフロン(登録商標)を塗布することによって、プラスチック製スタンパ21に高い離型性を与えることができる。   In addition, when the plastic stamper 21 is formed using engineering plastic (EP) or super engineering plastic (SEP) having low releasability, fluorine resin having high releasability or the like is applied to the surface of the plastic stamper 21. By applying, releasability can be ensured. For example, by applying Teflon (registered trademark) to the surface of the plastic stamper 21, it is possible to give the plastic stamper 21 high releasability.

プラスチック製スタンパ21は、脆弱なシリコンやガラスに比べて、柔軟な性質を有するプラスチックを原料としているため、割れ等の損傷が起こりづらく、汚染も生じ難い点で優れている。
また、プラスチック材料の中から可視域の光に対して透明である材料を選択することにより、後述のマイクロ流体チップの成形時において、位置合わせ等を容易にできる。このため、マイクロ流体チップの製造において、操作性を向上させることができる。
さらに、可視域〜赤外域の光に対して透明な材料を選択することにより、赤外線ふく射加熱を利用したプラスチック成形の型として使用することが可能である。
Since the plastic stamper 21 is made of a plastic having a flexible property as compared with fragile silicon and glass, it is excellent in that damage such as cracking hardly occurs and contamination is difficult to occur.
In addition, by selecting a material that is transparent to light in the visible range from among plastic materials, alignment and the like can be facilitated when molding a microfluidic chip described later. Therefore, operability can be improved in the manufacture of the microfluidic chip.
Furthermore, by selecting a material that is transparent to light in the visible range to infrared range, it can be used as a mold for plastic molding utilizing infrared radiation heating.

次に、上述のプラスチック製スタンパ21を用いた、マイクロ流体チップ用のプラスチック製基板の製造方法を、図4及び図5を用いて説明する。   Next, a method for manufacturing a plastic substrate for a microfluidic chip using the above-described plastic stamper 21 will be described with reference to FIGS.

図4は、プラスチック製基板の製造装置20の構成毎の斜視図である。
なお、図4に示したプラスチック製基板の製造装置20は、図1に示したプラスチック製スタンパの製造装置10と共通の装置を使用することができる。このため、図4及び図5において、図1及び図2と共通する構成には同一の符号を付して説明を省略する。
FIG. 4 is a perspective view for each configuration of the plastic substrate manufacturing apparatus 20.
The plastic substrate manufacturing apparatus 20 shown in FIG. 4 can use the same apparatus as the plastic stamper manufacturing apparatus 10 shown in FIG. Therefore, in FIG. 4 and FIG. 5, the same reference numerals are given to the same components as those in FIG. 1 and FIG.

製造装置20の上部支持枠14と下部支持枠15との間には、この装置によって成形されてプラスチック製基板となる、円板状のプラスチック材料34が配置されている。
そして、プラスチック材料34の上部には、プラスチック材料34にパターンを転写するためのプラスチック製スタンパ21が配置されている。さらに、プラスチック製スタンパ21の上部に、透明ヒートシンク13が接続されている。そして、プラスチック製スタンパ21と透明ヒートシンク13とを、上部支持枠14が内側で保持する構造となっている。
Between the upper support frame 14 and the lower support frame 15 of the manufacturing apparatus 20, a disk-shaped plastic material 34 that is molded by this apparatus and becomes a plastic substrate is disposed.
A plastic stamper 21 for transferring a pattern to the plastic material 34 is disposed on the plastic material 34. Further, the transparent heat sink 13 is connected to the upper part of the plastic stamper 21. The upper support frame 14 holds the plastic stamper 21 and the transparent heat sink 13 inside.

さらに、製造装置20には、上部支持枠14及び透明ヒートシンク13の上方に、プラスチック製スタンパ21のパターンをプラスチック材料34に転写する際に用いる、赤外線照射用の光源16が設けられている。そして、光源16からの赤外線が、ランプシェード17及び光導路18を通過して、装置の下方に照射される構成となっている。   Furthermore, the manufacturing apparatus 20 is provided with a light source 16 for infrared irradiation, which is used when transferring the pattern of the plastic stamper 21 onto the plastic material 34 above the upper support frame 14 and the transparent heat sink 13. The infrared light from the light source 16 passes through the lamp shade 17 and the optical path 18 and is irradiated below the apparatus.

次に、図5を用いて、上述の製造装置20を使用し、プラスチック製スタンパ21のパターンをプラスチック材料34に転写して、プラスチック製基板31を成形する方法を説明する。
図5は、図4に示した製造装置20の構成のうち、プラスチック材料34、プラスチック製スタンパ21、透明ヒートシンク13、上部支持枠14、下部支持枠15のみを断面図で表している。
Next, a method for forming the plastic substrate 31 by transferring the pattern of the plastic stamper 21 to the plastic material 34 using the manufacturing apparatus 20 described above will be described with reference to FIG.
FIG. 5 shows only the plastic material 34, the plastic stamper 21, the transparent heat sink 13, the upper support frame 14, and the lower support frame 15 in a cross-sectional view in the configuration of the manufacturing apparatus 20 shown in FIG. 4.

まず、図5Aに示すように、上部支持枠14と下部支持枠15との間に、プラスチック材料34を配置する。
このとき、上部支持枠14の内側には、図5Aに示すように、プラスチック製スタンパ21上に透明ヒートシンク13が接続した状態で固定されている。また、上部支持枠14と下部支持枠15とを、あらかじめ図示していないヒーターによってプラスチック材料34の溶融温度未満に制御することによって、プラスチック材料34を予熱加熱しておく。
First, as shown in FIG. 5A, a plastic material 34 is disposed between the upper support frame 14 and the lower support frame 15.
At this time, as shown in FIG. 5A, the transparent heat sink 13 is fixed to the inside of the upper support frame 14 on the plastic stamper 21. The plastic material 34 is preheated by controlling the upper support frame 14 and the lower support frame 15 below the melting temperature of the plastic material 34 with a heater (not shown) in advance.

次に、上部支持枠14と下部支持枠15とを精密油圧プレス装置によって、圧力約0.1MPaでプラスチック材料34を型締めする。
このとき、図4に示した光源16、例えばハロゲンランプ(40W/cm)から所定時間(例えば、8〜28秒)、赤外線29を放射する。そしてこの赤外線によって、プラスチック材料34を加熱することにより、プラスチック製スタンパ21及びプラスチック材料34を昇温し、粘度を低下させる。
これにより、図5Bに示すようにプラスチック材料34を型締めし、プラスチック製スタンパ21に設けられたパターンを、プラスチック材料34に転写することができる。
Next, the plastic material 34 is clamped between the upper support frame 14 and the lower support frame 15 with a precision hydraulic press device at a pressure of about 0.1 MPa.
At this time, infrared rays 29 are emitted from the light source 16 shown in FIG. 4, for example, a halogen lamp (40 W / cm 2 ) for a predetermined time (for example, 8 to 28 seconds). Then, by heating the plastic material 34 with the infrared rays, the temperature of the plastic stamper 21 and the plastic material 34 is raised and the viscosity is lowered.
Thereby, as shown in FIG. 5B, the plastic material 34 is clamped, and the pattern provided on the plastic stamper 21 can be transferred to the plastic material 34.

次に、図5Cに示すように、光源16からの赤外線照射を停止し、プラスチック材料34を型締めしたまま所定時間(例えば、約10秒)、保持することによって、プラスチック材料34を冷却する。
これにより、プラスチック材料34は、パターンが転写された状態で固化し、マイクロ流体チップ用のプラスチック製基板31となる。
Next, as shown in FIG. 5C, the infrared irradiation from the light source 16 is stopped, and the plastic material 34 is cooled by holding the plastic material 34 for a predetermined time (for example, about 10 seconds) while being clamped.
Thereby, the plastic material 34 is solidified in a state where the pattern is transferred, and becomes a plastic substrate 31 for the microfluidic chip.

そして、図5Dに示すように、上部支持枠14及び下部支持枠15にかかる圧力を解き、プラスチック製スタンパ21から離型することにより、冷却されたプラスチック材料34を製造装置20から取り出す。
このようにして、マイクロ流体チップ用のプラスチック製基板31を製造することができる。
Then, as shown in FIG. 5D, the pressure applied to the upper support frame 14 and the lower support frame 15 is released, and the plastic material 34 is taken out from the manufacturing apparatus 20 by releasing from the plastic stamper 21.
In this way, the plastic substrate 31 for the microfluidic chip can be manufactured.

上述の図5Bで示した工程において、プラスチック製スタンパ21及びプラスチック材料34に照射する赤外線29の波長は、照射対象のプラスチック製スタンパ21及びプラスチック材料34を構成する材料の吸収波長の範囲内で、適宜選択することができる。   In the process shown in FIG. 5B described above, the wavelength of the infrared rays 29 applied to the plastic stamper 21 and the plastic material 34 is within the range of the absorption wavelength of the material constituting the plastic stamper 21 and the plastic material 34 to be irradiated. It can be selected appropriately.

なお、上述のプラスチック製基板31の製造方法において、使用しているプラスチック材料34は、円板状でなくてもよい。例えば、プラスチック材料34の形状は、プラスチック製スタンパ21の形状と同様の形状を用いることにより、成形の際の位置合わせ等が容易になる。このため、プラスチック材料34の形状は、プラスチック製スタンパ21の形状に合わせて、円板状や、長方形、正方形等のシートやフィルム状のプラスチック材料を適宜選択することが好ましい。   In the method for manufacturing the plastic substrate 31 described above, the plastic material 34 used may not be in the shape of a disk. For example, the plastic material 34 has a shape similar to the shape of the plastic stamper 21, thereby facilitating alignment during molding. For this reason, it is preferable that the shape of the plastic material 34 is appropriately selected from a disk-like, rectangular, square or other sheet-like or film-like plastic material in accordance with the shape of the plastic stamper 21.

次に、上述の成形方法によって製造された、プラスチック製基板31の一例を図6に示す。   Next, an example of the plastic substrate 31 manufactured by the above-described molding method is shown in FIG.

図6に示すプラスチック製基板31は、円板状のプラスチック基体33と、プラスチック基体33の一方の表面に形成された凹パターン32とからなる。
プラスチック製基板31の凹パターン32は、図3に示したプラスチック製スタンパ21の凸パターン22の転写によって形成される。
そして、この凹パターン32が、マイクロ流体チップにおいて、流路となる溝を形成する。
A plastic substrate 31 shown in FIG. 6 includes a disk-shaped plastic base 33 and a concave pattern 32 formed on one surface of the plastic base 33.
The concave pattern 32 of the plastic substrate 31 is formed by transferring the convex pattern 22 of the plastic stamper 21 shown in FIG.
And this concave pattern 32 forms the groove | channel used as a flow path in a microfluidic chip.

凹パターン32の形状は、目的とするマイクロ流体チップの溝形状に合わせて適宜変更することができる。また、凹パターン32の形状は、図3に示したプラスチック製スタンパ21の凸パターン22の形状を変更することによって、目的とするマイクロ流体チップの溝形状に適宜変更することができる。   The shape of the concave pattern 32 can be appropriately changed according to the intended groove shape of the microfluidic chip. Further, the shape of the concave pattern 32 can be appropriately changed to the desired groove shape of the microfluidic chip by changing the shape of the convex pattern 22 of the plastic stamper 21 shown in FIG.

プラスチック製基板31の大きさは、目的とするマイクロ流体チップの大きさに合わせて適宜設計することができる。例えば、プラスチック基体33の直径を24mm程度、厚さを1mm程度としたとき、凹パターンの幅を10〜500μm程度、深さを1〜500μm程度で形成することができる。
また、図6において、円板状のプラスチック製基板31を示しているが、プラスチック製基板31の形状はこれに限られない。
プラスチック製基板31は、これに蓋部材が接合されることによってマイクロ流体チップが形成される。このため、マイクロ流体チップの形状に合わせて、プラスチック製基板31を形成することで、マイクロ流体チップの製造を容易にすることができる。例えば、プラスチック製基板31は、円板状以外に、長方形や正方形等のシートやフィルム状の形状で形成することができる。
The size of the plastic substrate 31 can be appropriately designed according to the size of the target microfluidic chip. For example, when the plastic substrate 33 has a diameter of about 24 mm and a thickness of about 1 mm, the concave pattern can be formed with a width of about 10 to 500 μm and a depth of about 1 to 500 μm.
Moreover, in FIG. 6, although the disk-shaped plastic substrate 31 is shown, the shape of the plastic substrate 31 is not restricted to this.
The plastic substrate 31 has a microfluidic chip formed by bonding a lid member thereto. For this reason, the production of the microfluidic chip can be facilitated by forming the plastic substrate 31 in accordance with the shape of the microfluidic chip. For example, the plastic substrate 31 can be formed in a rectangular or square sheet or film shape other than the disk shape.

また、図6に示す、プラスチック製基板31は、上述のプラスチック製スタンパ21よりも充分に溶融温度の低い材料を使用する必要がある。   Further, the plastic substrate 31 shown in FIG. 6 needs to use a material having a melting temperature sufficiently lower than that of the plastic stamper 21 described above.

プラスチック製基板31には、プラスチック材料としては、例えば、非晶性環状オレフィンコポリマー(COC、ガラス転移点40〜180℃)、ポリメチルメタクリレート(PMMA、ガラス転移点105℃)、ポリカーボネート(PC、ガラス転移点150℃)等の光学的透明性に優れたプラスチック材料を用いることができる。   The plastic substrate 31 may be made of, for example, an amorphous cyclic olefin copolymer (COC, glass transition point 40 to 180 ° C.), polymethyl methacrylate (PMMA, glass transition point 105 ° C.), polycarbonate (PC, glass). A plastic material having excellent optical transparency such as a transition point of 150 ° C. can be used.

次に、上述のマイクロ流体チップ用のプラスチック製基板31を用いる、マイクロ流体チップの溶着方法の実施の形態を、図7及び図8を用いて説明する。   Next, an embodiment of a method for welding a microfluidic chip using the above-described plastic substrate 31 for the microfluidic chip will be described with reference to FIGS.

図7は、本実施の形態のマイクロ流体チップの溶着方法にかかる、マイクロ流体チップの溶着装置30の構成毎の斜視図である。
なお、図7に示したマイクロ流体チップの溶着装置30は、図1及び図4に示したプラスチック製スタンパ21の製造装置10、プラスチック製基板31の製造装置20と共通の装置を使用することができる。このため、図7及び図8において、図1、図2、図4、及び、図5と共通する構成には、同一の符号を付して説明を省略する。
FIG. 7 is a perspective view for each configuration of the microfluidic chip welding apparatus 30 according to the microfluidic chip welding method of the present embodiment.
The microfluidic chip welding apparatus 30 shown in FIG. 7 may use the same apparatus as the manufacturing apparatus 10 for the plastic stamper 21 and the manufacturing apparatus 20 for the plastic substrate 31 shown in FIGS. it can. Therefore, in FIG. 7 and FIG. 8, the same reference numerals are given to the same components as those in FIG. 1, FIG. 2, FIG. 4, and FIG.

溶着装置30の上部支持枠14と下部支持枠15との間には、この装置によって成形されてマイクロ流体チップとなる、プラスチック製基板31と蓋部材35とを配置している。
そして、プラスチック製基板31の下部には、透明ヒートシンク13Bが設けられ、蓋部材35の上部には、透明ヒートシンク13Aが設けられている。
さらに、透明ヒートシンク13Aの上部には、プラスチック製基板31の表面に設けられた溝部分に合わせて、赤外線を遮蔽するパターンマスク38が設けられている。
そして、透明ヒートシンク13Aが上部支持枠14の内側で保持され、下部の透明ヒートシンク13Bが下部支持枠15の内部で保持される構造となっている。
Between the upper support frame 14 and the lower support frame 15 of the welding apparatus 30, a plastic substrate 31 and a lid member 35 that are molded by this apparatus and become a microfluidic chip are arranged.
A transparent heat sink 13B is provided below the plastic substrate 31, and a transparent heat sink 13A is provided above the lid member 35.
Further, a pattern mask 38 for shielding infrared rays is provided on the transparent heat sink 13A in accordance with the groove portion provided on the surface of the plastic substrate 31.
The transparent heat sink 13 </ b> A is held inside the upper support frame 14, and the lower transparent heat sink 13 </ b> B is held inside the lower support frame 15.

さらに、溶着装置30には、上部支持枠14及びパターンマスク38の上方に、プラスチック製基板31と蓋部材35とを接合する際に用いる、赤外線照射用の光源16が設けられている。そして、光源16からの赤外線が、ランプシェード17及び光導路18を通過して、装置の下方に照射される構成となっている。   Further, the welding apparatus 30 is provided with a light source 16 for infrared irradiation used when the plastic substrate 31 and the lid member 35 are bonded to each other above the upper support frame 14 and the pattern mask 38. The infrared light from the light source 16 passes through the lamp shade 17 and the optical path 18 and is irradiated below the apparatus.

蓋部材35の形状は、プラスチック製基板31と同じ円板状であり、プラスチック製基板31に形成された溝(凹部)の端部に合わせた位置で、蓋部材35の厚さ方向に貫通した孔が設けられている。   The shape of the lid member 35 is the same disk shape as that of the plastic substrate 31, and penetrates in the thickness direction of the lid member 35 at a position corresponding to the end of the groove (concave portion) formed in the plastic substrate 31. A hole is provided.

パターンマスク38は、箔、めっき、蒸着等によって製膜された薄膜状の部品であり、赤外線を遮蔽できる金、アルミニウム、クロム、ニッケル等によって形成される。
そして、パターンマスク38を、プラスチック製基板31の溝部分の形状に合わせて設けることにより、プラスチック製基板31の溝部分への赤外線の照射を防ぐことができる。このため、プラスチック製基板31の溝部分に赤外線が直接照射されることによる溝形状の変形を防ぐことができる。
The pattern mask 38 is a thin film component formed by foil, plating, vapor deposition, or the like, and is formed of gold, aluminum, chromium, nickel, or the like that can shield infrared rays.
Then, by providing the pattern mask 38 according to the shape of the groove portion of the plastic substrate 31, it is possible to prevent infrared irradiation to the groove portion of the plastic substrate 31. For this reason, it is possible to prevent the groove shape from being deformed by directly irradiating the groove portion of the plastic substrate 31 with infrared rays.

次に、図8を用いて、上述の溶着装置30を使用する、プラスチック製基板31と蓋部材35との溶着によるマイクロ流体チップの溶着方法を説明する。
なお、図8は、図7に示した溶着装置30の構成のうち、プラスチック製基板31、蓋部材35、透明ヒートシンク13A,B、マスクパターン38、上部支持枠14、下部支持枠15のみを断面図で表している。
Next, a method for welding a microfluidic chip using the above-described welding apparatus 30 and welding the plastic substrate 31 and the lid member 35 will be described with reference to FIG.
8 is a cross-sectional view of only the plastic substrate 31, the lid member 35, the transparent heat sinks 13A and 13B, the mask pattern 38, the upper support frame 14, and the lower support frame 15 of the structure of the welding apparatus 30 shown in FIG. This is shown in the figure.

まず、図8Aに示すように、上部支持枠14と下部支持枠15との間に、プラスチック製基板31と、蓋部材35とを配置する。
このとき、図8Aに示すように、上部支持枠14内には、透明ヒートシンク13Aが固定され、下部支持枠15に内に、透明ヒートシンク13Bが固定されている。
また、上部支持枠14と下部支持枠15とを、あらかじめ図示していないヒーターによってプラスチック製基板31の熱変形温度未満の温度に制御することによって、プラスチック製基板31と蓋部材35とを加熱しておく。
First, as shown in FIG. 8A, a plastic substrate 31 and a lid member 35 are disposed between the upper support frame 14 and the lower support frame 15.
At this time, as shown in FIG. 8A, the transparent heat sink 13 </ b> A is fixed in the upper support frame 14, and the transparent heat sink 13 </ b> B is fixed in the lower support frame 15.
Further, by controlling the upper support frame 14 and the lower support frame 15 to a temperature lower than the thermal deformation temperature of the plastic substrate 31 by a heater (not shown) in advance, the plastic substrate 31 and the lid member 35 are heated. Keep it.

次に、上部支持枠14と下部支持枠15との間に、プラスチック製基板31と蓋部材35とを組み込み、精密油圧プレス装置によって上下から圧力0.1MPa程度に加圧する。
このとき、図7に示した光源16、例えばハロゲンランプ(放射照度12W/cm)、から所定時間(例えば、8〜20秒)、赤外線39を放射する。そして、この赤外線によってプラスチック製基板31及び蓋部材35の接触面をふく射加熱することにより、プラスチック材料を昇温し、粘度を低下させる。
また、プラスチック基板31の凹パターン32に合わせて設けられたマスクパターン38によって、赤外線39を遮蔽することができる。このため、赤外線ふく射加熱による凹部パターン32の変形を防ぐことができる。
これにより、図8Bに示すように、凸パターン32の変形を抑制した上で、プラスチック製基板31と蓋部材35とを短時間で溶着することができる。
Next, the plastic substrate 31 and the lid member 35 are assembled between the upper support frame 14 and the lower support frame 15, and the pressure is pressurized to about 0.1 MPa from above and below by a precision hydraulic press device.
At this time, infrared rays 39 are radiated from the light source 16 shown in FIG. 7, for example, a halogen lamp (irradiance 12 W / cm 2 ) for a predetermined time (for example, 8 to 20 seconds). Then, the contact surface between the plastic substrate 31 and the lid member 35 is radiantly heated by the infrared rays, whereby the temperature of the plastic material is raised and the viscosity is lowered.
Further, the infrared rays 39 can be shielded by the mask pattern 38 provided in accordance with the concave pattern 32 of the plastic substrate 31. For this reason, deformation of the concave pattern 32 due to infrared radiation heating can be prevented.
As a result, as shown in FIG. 8B, the plastic substrate 31 and the lid member 35 can be welded in a short time while suppressing the deformation of the convex pattern 32.

次に、図8Cに示すように、プラスチック製基板31と蓋部材35とを固定した状態で所定時間(例えば、約10秒)、保持することによって冷却する。
これにより、プラスチック製基板31と蓋部材35とが溶着した状態で固化し、マイクロ流体チップ40となる。
Next, as shown in FIG. 8C, cooling is performed by holding the plastic substrate 31 and the lid member 35 for a predetermined time (for example, about 10 seconds).
Thereby, the plastic substrate 31 and the lid member 35 are solidified in a welded state, and the microfluidic chip 40 is obtained.

そして、図8Dに示すように、上部支持枠14及び下部支持枠15にかかる圧力を解き、プラスチック製スタンパ21から離型することにより、冷却されたマイクロ流体チップ40を溶着装置30から取り出す。
このようにして、マイクロ流体チップ40を製造することができる。
Then, as shown in FIG. 8D, the pressure applied to the upper support frame 14 and the lower support frame 15 is released and released from the plastic stamper 21, whereby the cooled microfluidic chip 40 is taken out from the welding apparatus 30.
In this way, the microfluidic chip 40 can be manufactured.

上述の図8Bで示した工程において、プラスチック製基板31及び蓋部材35に照射する赤外線39の波長は、照射対象のプラスチック製基板31及び蓋部材35を構成する高分子の吸収波長の範囲内で、適宜選択することができる。   In the process shown in FIG. 8B described above, the wavelength of the infrared rays 39 applied to the plastic substrate 31 and the lid member 35 is within the range of the absorption wavelength of the polymer constituting the plastic substrate 31 and the lid member 35 to be irradiated. Can be appropriately selected.

なお、上述のマイクロ流体チップ40の溶着方法において、使用しているプラスチック製基板31及び蓋部材35は、円板状でなくてもよい。プラスチック製基板31及び蓋部材35の形状は、目的のマイクロ流体チップ40の形状に合わせて、円板状や、長方形、正方形等のシートやフィルム状のプラスチック材料を適宜選択することが好ましい。   In the above-described method of welding the microfluidic chip 40, the plastic substrate 31 and the lid member 35 that are used may not be disk-shaped. The shapes of the plastic substrate 31 and the lid member 35 are preferably appropriately selected from disc-shaped, rectangular, square, and other sheet-like or film-like plastic materials according to the shape of the target microfluidic chip 40.

また、上述のマイクロ流体チップ40の溶着方法において、パターンマスク38を用いた構成としている。しかし、赤外線照射によるプラスチック製基板31の溝形状の変形を問題としない場合や、プラスチック製基板31の材料又は赤外線照射量を選択することによって、溝形状の変形を無視できる程度まで軽減することにより、パターンマスク38を用いずにマイクロ流体チップ40を溶着することができる。   In the above-described method for welding the microfluidic chip 40, the pattern mask 38 is used. However, when deformation of the groove shape of the plastic substrate 31 due to infrared irradiation is not a problem, or by selecting the material of the plastic substrate 31 or the amount of infrared irradiation, the deformation of the groove shape can be reduced to a negligible level. The microfluidic chip 40 can be welded without using the pattern mask 38.

また、上述の溶着装置30において、パターンマスク38を透明ヒートシンク13Aの上部に設ける構成としている。しかし、パターンマスク38の位置は、光源16とマイクロ流体チップ40と透明ヒートシンク13Aの接触面との間であれば、どの位置に設けてもよい。
例えば、透明ヒートシンク13Aを複数層から構成する場合には、複数の透明ヒートシンク13Aの層と層の間に設けることもできる。
Further, in the above-described welding apparatus 30, the pattern mask 38 is provided on the transparent heat sink 13A. However, the position of the pattern mask 38 may be provided at any position between the light source 16, the microfluidic chip 40, and the contact surface of the transparent heat sink 13A.
For example, when the transparent heat sink 13A is composed of a plurality of layers, it can be provided between the layers of the plurality of transparent heat sinks 13A.

また、上述の溶着装置30では、下部支持枠15内に、透明ヒートシンク13Bを設けた構成としている。しかし、溶着装置30は、図1及び図4に示した製造装置10,20のように、下部支持枠15内に、透明ヒートシンク15を設けない構成とすることもできる。
赤外線を照射することによってプラスチック材料をふく射加熱する場合に、プラスチック材料を透明ヒートシンク13A,Bで挟むことにより、放熱性を高めることができる。このため、溶着時間の短縮が可能となり、マイクロ流体チップの生産性を向上させることができる。
Further, the above-described welding apparatus 30 has a configuration in which the transparent heat sink 13 </ b> B is provided in the lower support frame 15. However, the welding apparatus 30 may be configured such that the transparent heat sink 15 is not provided in the lower support frame 15 as in the manufacturing apparatuses 10 and 20 illustrated in FIGS. 1 and 4.
When the plastic material is radiantly heated by irradiating infrared rays, the heat dissipation can be enhanced by sandwiching the plastic material between the transparent heat sinks 13A and 13B. For this reason, the welding time can be shortened, and the productivity of the microfluidic chip can be improved.

次に、上述の溶着方法によって製造された、マイクロ流体チップ40の一例を図9に示す。   Next, an example of the microfluidic chip 40 manufactured by the above-described welding method is shown in FIG.

図9に示すマイクロ流体チップ40は、プラスチック製基板31の凹パターン(溝)32が形成された面に、蓋部材35が溶着することによって構成されている。そして、プラスチック製基板31に設けられた溝32の端部と、蓋部材35の貫通孔36との位置がほぼ一致した状態で溶着されている。   A microfluidic chip 40 shown in FIG. 9 is configured by welding a lid member 35 on a surface of a plastic substrate 31 on which a concave pattern (groove) 32 is formed. And it welds in the state in which the position of the edge part of the groove | channel 32 provided in the plastic board | substrates 31 and the through-hole 36 of the cover member 35 correspond substantially.

プラスチック製基板31の溝32は、マイクロ流体チップにおいて分析試料の流路となる。そして、蓋部材35の貫通孔36は、分析試料がマイクロ流体チップの流路へ投入、又は、流路から排出されるための開口部である。さらに、マイクロ流体チップの流路へ投入される分析試料の液溜め部となる。貫通孔36は、作業性の観点から、内径が0.5〜10mmの範囲であることが好ましく、さらに、1〜5mmの範囲であることが好ましい。   The groove 32 of the plastic substrate 31 serves as a flow path for the analysis sample in the microfluidic chip. The through hole 36 of the lid member 35 is an opening through which the analysis sample is input into or discharged from the flow path of the microfluidic chip. Further, it serves as a reservoir for the analysis sample that is put into the flow path of the microfluidic chip. From the viewpoint of workability, the through hole 36 preferably has an inner diameter in the range of 0.5 to 10 mm, and more preferably in the range of 1 to 5 mm.

図9に示したマイクロ流体チップ40には、2本の溝32が交差し、溝32のそれぞれの端部において、4つの貫通孔36と連結する構成となっている。しかし、マイクロ流体チップ40に設けられた、溝32及び貫通孔36の数や形状は、必要に応じて任意に設計することができる。
なお、マイクロ流体チップ40に設けられる流路は、試料の分析のためには、少なくとも1本以上必要である。このため、プラスチック製基板31には、少なくとも1本以上の溝32を形成する必要がある。
また、マイクロ流体チップ40の流路は、複数本の溝32によって形成されてもよい。そして、複数本の溝32を形成する場合には、それぞれの溝32を交差させることが好ましい。また、複数本の溝32の端部には、貫通穴36をそれぞれ連結させることが好ましい。
In the microfluidic chip 40 shown in FIG. 9, two grooves 32 intersect each other and are connected to four through holes 36 at each end of the groove 32. However, the number and shape of the grooves 32 and the through holes 36 provided in the microfluidic chip 40 can be arbitrarily designed as necessary.
It should be noted that at least one flow path provided in the microfluidic chip 40 is required for analyzing the sample. For this reason, it is necessary to form at least one groove 32 in the plastic substrate 31.
The flow path of the microfluidic chip 40 may be formed by a plurality of grooves 32. And when forming the several groove | channel 32, it is preferable to make each groove | channel 32 cross | intersect. Moreover, it is preferable to connect the through holes 36 to the end portions of the plurality of grooves 32.

また、蓋部材35は、上述のプラスチック製基板31を構成する材料と同様に、例えば、非晶性環状オレフィンコポリマー(COC)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリカーボネート(PC)等の透明性プラスチック材料を用いることができる。さらに、スチレンエチレンブチレンスチレンブロック共重合体(SEBS)、スチレンエチレンプロピレンスチレンブロック共重合体(SEPS)等のスチレン系熱可塑性エラストマーや、オレフィン系熱可塑性エラストマー等の透明性を有するエラストマーを用いることができる。
特に、COCとスチレン系エラストマー、又は、COCとオレフィン系エラストマーは、互いに溶着し易い材料の組み合わせであるため、プラスチック製基板31と蓋材料35のいずれか一方にCOCを使用し、他方にスチレン系エラストマー又はオレフィン系エラストマーを使用することが好ましい。
The lid member 35 is made of a transparent plastic material such as amorphous cyclic olefin copolymer (COC), polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), etc., as in the material constituting the plastic substrate 31 described above. Can be used. Further, a styrene thermoplastic elastomer such as styrene ethylene butylene styrene block copolymer (SEBS) or styrene ethylene propylene styrene block copolymer (SEPS), or a transparent elastomer such as olefin thermoplastic elastomer may be used. it can.
In particular, since COC and styrene elastomer or COC and olefin elastomer are a combination of materials that are easily welded to each other, COC is used for either one of plastic substrate 31 and lid material 35, and styrene is used for the other. It is preferable to use an elastomer or an olefin-based elastomer.

また、本実施の形態において、図1、図4で示した製造装置10,20及び図7で示した溶着装置30を共通に使用することができる。このため、マイクロ流体チップを製造するための設備投資を最小限に抑えることができ、また、装置を共通で使用することによりコストを減少させることができる   In the present embodiment, the manufacturing apparatuses 10 and 20 shown in FIGS. 1 and 4 and the welding apparatus 30 shown in FIG. 7 can be used in common. For this reason, the capital investment for manufacturing the microfluidic chip can be minimized, and the cost can be reduced by using the apparatus in common.

上述の実施の形態では、本発明の微細形状を有するプラスチック製基板の製造方法を、マイクロ流体チップの製造方法に適用して説明した。しかし、本発明の微細形状を有するプラスチック製基板の製造方法はマイクロ流体チップの製造方法に限らず、例えば、細な凹凸形状を有するプラスチック製基板等、微細形状を有するプラスチック製基板の製造方法に適用することができる。   In the above-described embodiment, the method for manufacturing a plastic substrate having a fine shape according to the present invention is applied to the method for manufacturing a microfluidic chip. However, the method for producing a plastic substrate having a fine shape according to the present invention is not limited to the method for producing a microfluidic chip, and for example, a method for producing a plastic substrate having a fine shape, such as a plastic substrate having a fine uneven shape. Can be applied.

本発明は、上述の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。   The present invention is not limited to the above-described configuration, and various other configurations can be employed without departing from the gist of the present invention.

プラスチック製スタンパの製造装置を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing apparatus of a plastic stamper. A〜D 本実施の形態のプラスチック製スタンパの製造方法を説明する図である。AD is a figure explaining the manufacturing method of the plastic stamper of this Embodiment. プラスチック製スタンパの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a plastic stamper. マイクロ流体チップ用のプラスチック製基板の製造装置を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing apparatus of the plastic substrate for microfluidic chips. A〜D マイクロ流体チップ用のプラスチック製基板の製造方法を説明する図である。AD is a figure explaining the manufacturing method of the plastic substrate for microfluidic chips. マイクロ流体チップ用のプラスチック製基板の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the plastic-made board | substrates for microfluidic chips. マイクロ流体チップの溶着装置を説明する図である。It is a figure explaining the welding apparatus of a microfluidic chip. A〜D マイクロ流体チップの溶着方法を説明する図である。AD is a figure explaining the welding method of a microfluidic chip | tip. マイクロ流体チップを示す図である。It is a figure which shows a microfluidic chip.

符号の説明Explanation of symbols

10,20 製造装置、11,34 プラスチック材料、12 マザースタンパ、13,13A,13B 透明ヒートシンク、14、上部支持枠、15 下部支持枠、16 光源、17 ランプシェード、18 光導路、19,29,39 赤外線、21 プラスチック製スタンパ、22 凸パターン、23 プラスチック製スタンパ基体、30 溶着装置、31プラスチック製基板、32 凹パターン、33 プラスチック基体、35 蓋部材、36 貫通孔、38 パターンマスク、40 マイクロ流体チップ   10, 20 Manufacturing equipment, 11, 34 Plastic material, 12 Mother stamper, 13, 13A, 13B Transparent heat sink, 14, Upper support frame, 15 Lower support frame, 16 Light source, 17 Lamp shade, 18 Light path, 19, 29, 39 Infrared, 21 Plastic stamper, 22 Convex pattern, 23 Plastic stamper base, 30 Welding device, 31 Plastic substrate, 32 Concave pattern, 33 Plastic base, 35 Lid member, 36 Through hole, 38 Pattern mask, 40 Microfluidic Chip

Claims (7)

プラスチック成形に使用するスタンパの製造方法であって、
板状のプラスチック材料に、マザースタンパを密着して固定する工程と、
前記プラスチック材料に、前記マザースタンパを指向して赤外線を照射する工程と、
前記プラスチック材料に前記マザースタンパのパターンを転写してスタンパを形成する工程とからなり、
前記スタンパを形成するプラスチック材料として、前記プラスチック成形において成形されるプラスチック材料より、溶融温度の高いプラスチック材料を用いる
ことを特徴とするプラスチック製スタンパの製造方法。
A method of manufacturing a stamper used for plastic molding,
A step of closely fixing the mother stamper to the plate-like plastic material;
Irradiating the plastic material with infrared rays toward the mother stamper;
A step of transferring a pattern of the mother stamper to the plastic material to form a stamper;
A method for producing a plastic stamper, wherein a plastic material having a melting temperature higher than that of a plastic material molded in the plastic molding is used as the plastic material forming the stamper.
前記プラスチック成形が、マイクロ流体チップ基板の成形加工であることを特徴とする請求項1に記載のプラスチック製スタンパの製造方法。   The method of manufacturing a plastic stamper according to claim 1, wherein the plastic molding is a molding process of a microfluidic chip substrate. 前記プラスチック材料として、少なくとも一部がフッ素樹脂である材料を使用することを特徴とする請求項1に記載のプラスチック製スタンパの製造方法。   The method for manufacturing a plastic stamper according to claim 1, wherein a material at least part of which is a fluororesin is used as the plastic material. 少なくとも一部がフッ素樹脂によって形成されていることを特徴とするプラスチック成形加工用のプラスチック製スタンパ。   A plastic stamper for plastic molding processing, characterized in that at least a part thereof is made of a fluororesin. 前記フッ素樹脂が、テトラフルオロエチレンパーフルオロアルキルビニルエーテルコポリマーであることを特徴とする請求項4に記載のプラスチック製スタンパ。   The plastic stamper according to claim 4, wherein the fluororesin is a tetrafluoroethylene perfluoroalkyl vinyl ether copolymer. 板状の第1のプラスチック材料に、マザースタンパを密着して固定する工程と、
前記第1のプラスチック材料に、前記マザースタンパを指向して赤外線を照射する工程と、
前記第1のプラスチック材料に前記マザースタンパのパターンを転写してプラスチック製スタンパを成形する工程と、
板状の第2のプラスチック材料に、前記プラスチック製スタンパを密着して固定する工程と、
前記第2のプラスチック材料に前記プラスチック製スタンパのパターンを転写して、微細形状を有するプラスチック製基板を形成する工程とを有し、
前記第1のプラスチック材料に、前記第2のプラスチック材料よりも溶融温度の高いプラスチックを用いる
ことを特徴とする微細形状を有するプラスチック製基板の製造方法。
A step of closely fixing the mother stamper to the plate-like first plastic material;
Irradiating the first plastic material with infrared rays toward the mother stamper;
Transferring a pattern of the mother stamper to the first plastic material to form a plastic stamper;
A step of closely fixing the plastic stamper to the plate-like second plastic material;
Transferring the pattern of the plastic stamper to the second plastic material to form a plastic substrate having a fine shape,
A method of manufacturing a plastic substrate having a fine shape, wherein a plastic having a melting temperature higher than that of the second plastic material is used for the first plastic material.
前記微細形状を有するプラスチック製基板を形成する工程の後に、前記微細形状を有するプラスチック製基板に蓋部材を溶着して、マイクロ流体チップを製造する工程を有することを特徴とする請求項6に記載の微細形状を有するプラスチック製基板の製造方法。   The method according to claim 6, further comprising a step of manufacturing a microfluidic chip by welding a lid member to the plastic substrate having the fine shape after the step of forming the plastic substrate having the fine shape. Of manufacturing a plastic substrate having a fine shape.
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