JP2008181867A - 画像表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】画像表示エリア外における分断された導電層が所望の耐放電特性を有する画像表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の表示装置は、画像表示エリア外に複数の導電層を持つ。隣り合う導電層は抵抗体で電気的に接続されている。抵抗体は、第１の領域と、第１の領域よりも画像表示エリアから離れた位置の第２の領域とを有する。画像表示エリアから離れる方向への単位長さ当たりの面積は、第２の領域のほうが第１の領域に比べて小さい。
【選択図】図５

Description

本発明は、背面基板に設けた電子放出素子から電子を放出させて前面基板に設けた蛍光体層を励起発光させることにより画像を表示する平面型の画像表示装置に関する。

近年、偏平な平面パネル構造の真空外囲器を有する平面型表示装置として、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）や、表面伝導型の電子放出素子を備えた表示装置等が知られている。

ＦＥＤや表面伝導型の電子放出素子を備えた表示装置は、スペーサを介して所定の間隔を置いて対向配置された前面基板及び背面基板の周縁部を矩形枠状の側壁で互いに接合して内部を真空にした真空外囲器を有している。

前面基板の内面には３色の蛍光体層とこれを覆うメタルバックが形成され、背面基板の内面には蛍光体層を励起発光させる電子放出源として蛍光体層の画素毎に対応した多数の電子放出素子が配置されている。また、真空外囲器内部の高真空を維持するため、前面基板の内面にゲッタ膜が形成される。

メタルバック及びゲッタ膜には、電子放出素子より数ｋＶ高い電圧が印加されており、個々の電子放出素子から放出された電子ビームはこの電界によって加速される。そして、この加速された電子ビームがメタルバック及びゲッタ膜を通過し、対応する蛍光体層に照射され、蛍光体を励起発光させてカラー画像を表示する。

このように、電子ビームを加速するための高電圧を近接した前面基板と背面基板の間に印加すると、しばしば放電の問題を生じる。放電を生じると、放電箇所を通じて多大な電流が流れるため、同箇所での電子放出素子にダメージが発生する問題があった。

このような問題に対して、前面基板の蛍光体層を覆うメタルバックを電気的に小さい領域に分断して、分断領域間を高抵抗とすることで放電発生時に流れる電流を制限し、放電ダメージを緩和する技術が知られている（特許文献１参照）。また、特許文献２には分断領域間を電気的に接続する抵抗の抵抗値について開示されている。
特開平１０−３２６５８３号公報 特開２００６−１８５７０１号公報

電子を加速する電圧（アノード電圧）が印加される導電層を設ける場合を考える。

ここでこの導電層は、メタルバック及びゲッタの一方もしくは両方に相当する。

画像表示エリアのメタルバック層は、表示画像の輝度の均一化を図る観点から画像表示エリア全面に形成されていることが望ましい。また、ゲッタは真空度の保持と電子源寿命の均一性の観点から画像表示エリア全面に均一に形成することが望ましい。

このような導電層は、必要な領域に配置されていればよい。しかしながら必要な領域のみに形成するのは難しい。例えばこのような導電層はマスクを用いて蒸着により所望の形状に形成される。しかし、マスクは基板に密着させることができないため、画像表示エリア外に形成される導電層は、その蒸着範囲を定めることができない。導電層を形成しようとする領域を大きく設定することで、少なくとも導電層が配置されていなければならない領域に導電層が必ず形成されるようにすることは可能である。導電層が配置されていなければならない領域とは例えば画像表示エリアである。

しかしながら画像表示エリア内には確実に導電層が形成されるようにし、かつ画像表示エリア外に導電層が形成されないようにするのは困難である。また、導電層が一様に形成されていると、背面基板との間で放電が生じた場合に大きな電流が流れる。従って、導電層は大面積に１つの導電層としても受けるのではなく、複数の導電層に分けて設けるのが好適である。ここで、画像表示エリア外に導電層が形成される場合においても、画像表示エリア外の導電層は、複数の導電層に分けて設けるのが好適である。ただし、複数の導電層が電気的に完全に孤立していると、電位が不定になるという問題が生じる。

そこで本願発明者は、画像表示エリアの外側における複数の導電層を抵抗体で電気的に接続する構成を採用ことを検討した。具体的には隣り合う導電層が共通の抵抗体の異なる部分にそれぞれ重なって接触するようにし、隣り合う導電層を抵抗体を介して電気的に接続する構成を検討した。この検討の結果、該構成を採用した場合に特有の問題が生じることがわかった。

以下にその課題を説明する。

図９に、画像表示エリア外における導電層と抵抗体との接触状態を模式的に示す。図９（ａ）は蒸着により形成された導電層が広く拡散した例を示し、図９（ｂ）は、拡散領域がそれほど拡がらなかった例を示している。図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、抵抗体１６０の形状が単純な矩形の場合、抵抗体１６０と導電層１３５との接触面積は、蒸着による導電層の拡散具合に大きく影響を受ける。すわなち、図９（ａ）のように広く拡散して形成された導電層の場合は、破線で示す抵抗体１６０と導電層１３５との接触面積を広く確保することができる。一方、図９（ｂ）のようにそれほど拡がらなかった場合は、抵抗体１６０と導電層１３５との接触面積は少なくなる。このように、画像表示エリア外では蒸着される領域が不定であるため、単純な矩形の抵抗体では、抵抗体１６０から導電層１３５へ、あるいは導電層１３５から抵抗体１６０に確実に電流を流すための互いの接触面積が、導電層の蒸着具合によって左右されてしまう。

そこで本発明は、画像表示エリア外における導電層と抵抗体の重なる面積が導電膜の形成される領域の大きさに影響されにくい画像表示装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の画像表示装置は、
複数の蛍光体層、及び該複数の蛍光体層を覆う導電層を備えた前面基板と、
前記複数の蛍光体層に対して電子を照射する複数の電子放出素子を有する背面基板と、を有する画像表示装置であって、
前記前面基板は、前記前面基板において前記複数の蛍光体層が設けられているエリアである画像表示エリアの外側に位置する複数の導電層と、抵抗体とを有しており、
前記画像表示エリアの外側の前記複数の導電層のうちの隣り合う導電層は前記抵抗体の異なる部分にそれぞれ重なって前記抵抗体と電気的に接続されており、
前記抵抗体は、第１の領域と、前記第１の領域よりも前記画像表示エリアから離れた位置の第２の領域とを有し、
前記第２の領域のほうが前記第１の領域に比べて、前記画像表示エリアから離れる方向への単位長さ当たりの面積が小さいことを特徴とする。

本発明によれば、導電層が形成される範囲が厳密に定まらないことによって受ける影響を少なくすることができる。

以下、図面を参照しながら、この発明の実施の形態について詳細に説明する。

始めに、本発明の実施の形態に係る平面型表示装置の一例として、表面伝導型の電子放出素子を備えた表示装置について説明する。

図１は、前面基板を部分的に切り欠いた状態の表示装置の真空外囲器を示す斜視図である。図２は本実施形態の前面基板の平面図である。なお、図２は、前面基板の製作途中の段階を示している。図３は図２のＡ部の模式的な拡大図であり、図４はＡ部の他の例の模式図である。また、図４は、導電層であるメタルバック２３の外側まで画像表示エリア５０と同様の形状で絶縁リブ６が形成されている構造である。画像表示エリア５０の外側の画像表示エリア外部領域５１におけるメタルバック２３は絶縁リブ６で分断されている。ここで、蛍光体の有無は蛍光体自体絶縁体でありメタルバックの分割に寄与しないので、図５あるいは図６のいずれの構成であっても良い。また、図７に図４のＡ部の斜視図をそれぞれ示す。

図１に示すように、表示装置１は、それぞれ矩形状の厚さ１ｍｍ〜２ｍｍのガラス板からなる前面基板２及び背面基板４を備え、これらの基板はスペーサ８を介して約１．０ｍｍ〜２．０ｍｍの隙間をおいて対向配置されている。そして、前面基板２及び背面基板４は、周囲を矩形枠状の側壁６ｂを介して接合され、内部が真空の真空外囲器１０を構成している。側壁６ｂと前面基板２とは封着材によって接合されている。また、側壁６ｂと背面基板４とは封着材によって接合されている。

背面基板４の内面には、前面基板に設けられた蛍光体層を励起発光させるための電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子１６が設けられている。これらの電子放出素子１６は、画素毎に対応して複数列及び複数行に配列され、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。また、背面基板４の内面上には、各電子放出素子１６に駆動電圧を与えるための多数本の配線１８がマトリックス状に設けられ、その端部は真空外囲器１０の外部に引き出されている。

なお、これら前面基板２と背面基板４は、真空雰囲気中で脱ガス焼成後に側壁６ｂを挟んで周縁部同士を封着されて真空外囲器１０を形成する。封着に先立ち真空雰囲気中で前面基板２の内面全域にゲッタ層を成膜し、パネル化後の高真空を維持できるようにしている。

表示装置１において、画像を表示する場合、配線１８を介して電子放出素子１６の素子電極間に電圧を与え、任意の電子放出素子１６の電子放出部から電子ビームを放出する。これとともに、画像表示エリア５０に印加したアノード電圧により電子ビームを加速して蛍光体スクリーン１２に照射する。これにより、所望の蛍光体層５が励起発光し、画像を表示する。

図２は前面基板の構成を示す図である。前面基板に形成された蛍光体層の外縁を包絡する領域である画像表示エリア５０には、導電層であるメタルバック２３や絶縁リブが形成されている。メタルバック２３は画像表示エリア外にも形成されている。画像表示エリア内の導電層にアノード電圧を供給するための共通電極２４が前面基板の辺に沿って配置されている。画像表示エリア内の導電層と共通電極２４の間は接続抵抗２５で接続されている。

画像表示エリア５０と共通電極２４との間には、画像表示エリア外部領域５１が形成されている。

図３は図２のＡ部を拡大した模式図である。前面基板２の内面には画像を表示する画像表示エリア５０が形成されている。画像表示エリアは、蛍光体層の外縁を包絡することで規定されるエリアである。前面基板の内面のうちの、蛍光体層からの光を外部に取り出す必要がない領域には、黒色カーボン系の遮光層３が設けられている。個々の蛍光体４０を囲むように絶縁リブ６が形成されている。

さらに、画像表示エリア５０内には、横方向に形成された抵抗体である抵抗Ｒｘと、縦方向に形成された抵抗体である抵抗Ｒｙがある。絶縁リブ６は、個々の蛍光体４０を囲むように形成された下面に対し上面の幅が広い逆テーパなる側面を有している。この絶縁リブ６は、アルミニウム等の蒸着により形成された導電層３５ａを分断するのに十分な凹凸を有する。抵抗Ｒｘ及び抵抗Ｒｙも蒸着により形成されており、蛍光体４０間にある絶縁リブ６の下を潜るように配置されている。メタルバック２３もしくはゲッタである導電層３５ａは一括して蒸着されるが、絶縁リブ６が形成する段差によって段切れするため、複数の導電層となる。各導電層は抵抗Ｒｘ、Ｒｙが露出している部分上にも形成されるため、各導電層は抵抗Ｒｘ及び抵抗Ｒｙによって隣接間で電気的に結合されている。画像表示エリア５０の導電層３５ａはこのように、画像表示エリア５０に放電が生じた場合であっても放電箇所を通じて流れる電流が制限を受けることになり放電ダメージを緩和できる構造となっている。なお、図３では上述したように複数の層が積層されているが、構成をわかりやすくするために一部を透過的に図示している。

本発明の前面基板２には、画像表示エリア５０内の導電層３５ａを確実に形成するため、画像表示エリア外部領域５１にも導電層３５ｂが同時に形成される。画像表示エリア外部領域５１には絶縁リブ６と同様の断面構造を有する針状リブ６１が形成されている。画像表示エリア外部領域５１の導電層３５ｂは、長く延びた針状リブ６１によって分断されて、複数の導電層となっている。針状リブ６１は、画像表示エリア５０内の絶縁リブ６と繋がっているとともに、画像表示エリア５０に対して十分大きな範囲で形成されている導電層形成エリア９よりも十分長く伸びている。

隣接する導電層３５ｂどうしは、抵抗体６０で電気的に接続されている。ここで、抵抗体６０の形状について、図６及び図９７を用いて説明する。図６（ａ）は、Ｕ字形状をした本発明の抵抗体の一例であり、図６（ｂ）はＴ字形状をした本発明の抵抗体の他の例である。また、図７は、図６（ａ）に示す形状の抵抗体と画像表示エリア外部領域における導電層との接触状態を示す模式図である。図７（ａ）は、導電層が広く拡散して形成された場合を示し、図７（ｂ）は導電層がそれほど拡がることなく形成された場合を示す。

図６（ａ）に示すように、抵抗体６０は、第１の領域６０ａと、第１の領域６０ａよりも画像表示エリア５０から離れた第２の領域６０ｂとを有する。第１の領域６０ａは画像表示エリア５０の外縁５０ａに沿う方向に延びて形成されている。また、第２の領域６０ｂは第１の領域６０ａが延びて形成された方向に対して交差する方向（画像表示エリアの外縁の法線方向）に延びて形成されている。この抵抗体６０の、画像表示エリア５０から外側に向く方向であるＸ方向の単位長さ当たりの面積は、画像表示エリア５０近傍よりも遠方の方が小さい。すわなち、抵抗体６０は、第１の領域６０ａと、第２の領域６０ｂとでは、Ｘ方向の単位長さ当たりの面積が第２の領域６０ｂのほうが第１の領域６０ａに比べて小さくなるように形成されている（図中、ハッチング部参照）。

図７（ａ）には、分断された導電層３５ｂが示されている。この図７（ａ）に示す導電層３５ｂは、画像表示エリア５０から離れていくＸ方向に広く形成されたものが模式的に示されている。このように導電層３５ｂが広い範囲に形成されると、抵抗体６０は、第１の領域６０ａの全て（但し、分断された導電層３５ｂ間に位置する領域は除く）と、第２の領域６０ｂの全てとが導電層３５ｂで覆われることとなる。このように、第１の領域６０ａの他、第２の領域６０ｂが全て覆われていることで、抵抗体６０と導電層３５ｂとの接触面積を広く確保することができる。

一方、図７（ｂ）にも分断された導電層３５ｂが示されているが、この図７（ｂ）に示す導電層３５ｂは、図７（ａ）に比べ、Ｘ方向にそれほど広く形成されていないものが模式的に示されている。このように蒸着領域がそれほど拡がらなかった場合、第２の領域６０ｂの全部が導電層３５ｂによって覆われることはなく、一部のみが覆われることとなる。しかし、この場合であっても第１の領域６０ａは分断された導電層３５ｂに位置する領域を除いて導電層３５ｂで全て覆われ、また、第２の領域６０ｂも一部が覆われる。このため、抵抗体６０と導電層３５ｂとの所望の接触面積を確保することができる。

ここで、図７（ａ）の場合と、図７（ｂ）の場合とにおける抵抗体６０と導電層３５ｂとの接触面積を比較すると、図７（ｂ）の場合が接触面積は少なくなり、両者に接触面積の差違が生じる。しかしながら、図７（ｂ）の場合、図７（ａ）の場合に比べて接触面積は少なくなるものの、第２の領域６０ｂはＸ方向の単位長さ当たりの面積が小さい。このため、図７（ｂ）の場合であっても図７（ａ）の場合に比べて接触面積が極端に小さくなるといったことはなく、その面積差を少なくすることができる。

すわなち、本実施形態の抵抗体６０によれば、導電層３５ｂの蒸着の拡がり具合の影響を小さく留めつつ、画像表示エリア５０の導電層３５ｂと抵抗体６０との接触面積を広く確保することが可能となる。このため、本実施形態の抵抗体６０は、画像表示エリア外部領域５１における分断された導電層に所望の耐放電特性を持たせることができる。

なお、抵抗体６０の形状は、図６（ａ）に示す形状の他、例えば、図６（ｂ）に示すような形状であってもよい。図６（ｂ）の形状も、第１の領域６０ａと、第１の領域６０ａよりも画像表示エリア５０から離れた第２の領域６０ｂとでは、Ｘ方向の単位長さ当たりの面積が第２の領域６０ｂのほうが第１の領域６０ａに比べて小さくなる。また、第１の領域６０ａは画像表示エリア５０の外縁５０ａに沿う方向に延びて形成されている。一方、第２の領域６０ｂは第１の領域６０ａが延びて形成された方向に対して交差する方向に延びて形成されている。つまり、図６（ｂ）に示す形状の抵抗体６０も図６（ａ）の抵抗体と同じ効果が得られることとなる。

上記のとおり本発明の画像表示装置は、画像表示エリア外部領域の隣り合う導電層を接続する抵抗体の第２の領域の単位長さ当たりの面積が第１の領域に比べ小さい。抵抗体をこのような形状とすることで、導電層と抵抗体の接触面積を確保しつつ、導電層が蒸着される範囲が定まらないことによって受ける影響を少なくすることができる。

（実施例１）
以下、具体的な実施例を図２〜図５を用いて挙げて本発明の実施例を詳しく説明する。

前面基板２には、最下層として基板のほぼ全面に遮光層３が形成されている。その上層に画像表示エリア５０と、画像表示エリア５０に対して数ｍｍ程度大きく形成したメタルバック２３と、その周囲を囲う共通電極２４と、メタルバック２３と共通電極２４とを電気的に接続する接続抵抗２５で構成されている。接続抵抗２５は画像表示エリア５０の画素の数と同じ本数配置されている。なお、メタルバック２３が形成されている領域のうち、画像表示エリア５０に対して数ｍｍ程度大きく形成された領域が画像表示エリア外部領域５１である。

図３及び図４では画像表示エリアにおいて、蛍光体４０は１層目で上面が凹凸のある形状の絶縁リブで分離されている。図５では、蛍光体４０以外の構造物は、膜厚が１０〜２０μｍ程度の下面に対し上面の幅が広いリブとなっている。このリブは２層構造であり、１層目は蛍光体４０を囲むＴｉＯ₂系の抵抗Ｒｘ及び抵抗Ｒｙと、ＴｉＯ₂系の絶縁リブ６とで形成されている。２層目は、１層目と同じ材料なる絶縁リブが１層目の影の部分となるようにして形成されており、導電層を分断している。

画像表示エリア外部領域５１には、針状リブ６１と、抵抗Ｒｘと、抵抗体６０と、導電層３５ｂが存在する。画像表示エリア外部領域５１の導電層３５ｂは針状リブ６１による断差によって分割されている。従って、１つの導電層３５ｂは針状リブ６１及び絶縁リブ６によって囲まれていることになる。また、隣り合う導電層３５ｂは図３の上下方向には抵抗体６０により電気的に接合されている。また導電層３５ｂと画像表示エリア内の導電層とは抵抗Ｒｘで電気的に接合されている。針状リブ６１は１層目及び２層目の絶縁リブ６と同時形成される。抵抗Ｒｘは画像表示エリア５０から伸びた抵抗体である。抵抗体６０は、上述したように、第１の領域６０ａと、第２の領域６０ｂとを有し、１層目の絶縁リブの切れ目に入り２層目の絶縁リブに跨れるようにして形成されている。導電層３５ｂは、針状リブ６１を避けて抵抗Ｒｘと抵抗体６０に乗り上げるよう形成されたＭｎ系の薄膜からなる。

ここで、画像表示エリア５０の抵抗Ｒｘは５０ｋΩ、抵抗Ｒｙは４００ｋΩ、画像表示エリア外部領域５１の抵抗Ｒｘは５０ｋΩ、抵抗体６０は２００ｋΩ程度で形成した。その結果、導電層３５ｂの蒸着範囲のバラツキにかかわらず一定の耐放電特性を得ることができる周辺構造が形成できた。

（実施例２）
本実施例では、画像表示エリア外部領域５１の構成は実施例１と同様であるが、画像表示エリア内の構成が異なっている。すわなち、図８に示すように各蛍光体上に設けられる導電層３５ｃは走査線の並ぶ方向（走査線方向）には１画素ピッチでは分断されておらず、２画素ピッチで分断されている。図８では電気的な接続の関係をわかり易くするために各蛍光体上の導電層３５ｃはそれぞれ独立に図示しているが、構造上は導電層３５ｃ１と導電層３５ｃ２は一体のものである。また導電層３５ｃ３と導電層３５ｃ４も一体のものである。一方導電層３５ｃ２と導電層３５ｃ３の間は分断されている。分断されている部分は抵抗を介して接続されている。走査線方向に直交する方向（走査線の延びる方向）の分断は１画素ピッチとしている。分断された導電層３５ｃは抵抗を介して接続されている。導電層３５ｃであるメタルバック間を横方向につなぐ抵抗Ｒｘと縦方向につなぐ抵抗Ｒｙがメタルバックの下に配置されている。本実施例では、共通電極が上下に配置されている。本実施例の場合、抵抗Ｒｘ、Ｒｙの抵抗値Ｒは、アノード電圧をＶ、走査線方向分断数（導電層の数）をｎ、エミッション電流をＩとしたとき、０．３Ｖ＞ｎＲＩを満たすように設定した。

アノード電圧Ｖ＝１０ｋＶ，走査線方向分断数ｎ＝５４０、エミッション電流Ｉ＝５ｕＡとすると、ＲはＲ＜１．１ＭΩであることから、Ｒｙ＝６００ｋΩとした。また、放電時の発生電圧の観点から、Ｒｘ＝３００ｋΩとした。なお、共通電極と最外メタルバックとをつなぐ抵抗は１０ＭΩとした。次に、製造方法について記述する。ガラス基板上にＢＭをリソグラフィーで形成する。その後、蛍光体各色を印刷で形成する。次に、抵抗材（ＡＴＯコートされたＴｉ０₂をベースにした材料）を印刷により形成する。次にＡｌを蒸着により成膜する。その後、フォトリソグラフィ及びウエットエッチングによりメタルバックを分断する。

以上の構成において放電電流を測定したところ、アノード電圧Ｖ＝１０ｋＶにおいて、分断間が絶縁破壊されて導通するといったことはなく、放電電流を低減でき、０．２Ａとなった。このような分断を実施しない場合、放電電流は１００Ａレベルになることから、本実施例の構成とすることでけた違いの低減効果が得られることがわかった。また、駆動による輝度低下を調べたところ、メタルバック電位低下による輝度低下は３％以内で、ほとんど検知できないレベルとなった。また、この構成では、メタルバックが縦方向２画素ごとのカットであるため、メタルバックをＲｘと強く密着させることができる。その結果、メタルバックの密着力が向上し、クーロン力による剥がれが、１画素毎のカットの場合に比べて大幅に低減した。また、走査線方向の分断ピッチを２画素以上ごととすることで、走査線方向の分断数を少なくし、エミッション電流によるメタルバックの電位低下を低減する。

また、共通電極が画素上部の片側のみの場合についても同様に検討した。

この場合、抵抗Ｒｘ、Ｒｙの抵抗値Ｒは、０．１Ｖ＞ｎＲＩを満たすように設定した。アノード電圧Ｖ＝１０ｋＶ，走査線方向分断数ｎ＝５４０、エミッション電流Ｉ＝５ｕＡとすると、Ｒ＜３７０ｋΩであることから、抵抗ＲｙのＲ＝２００ｋΩとした。また、抵抗ＲｘのＲは２００ｋΩ、最外画素と共通電極をつなぐ抵抗は１０ＭΩとした。この場合も同様に放電電流を測定したところ、０．３Ａとなった。また輝度低下も３％以内で検知できないレベルとなった。

また、大気圧を保持するためのスペーサ８であるが、抵抗Ｒｘの上に配置した。抵抗Ｒｙ部分は凸凹形状であるため、スペーサの圧力により形状が崩れ、パーティクルの発生につながる可能性がある。抵抗Ｒｘは走査線方向にフラットであるため、上記のような問題が回避される。

前面基板を部分的に切り欠いた状態のＳＥＤの真空外囲器を示す斜視図である。 本発明の前面基板の一例の平面図である。 図２のＡ部の模式的な拡大図である。 Ａ部の他の例の模式図である。 Ａ部の斜視図である。 抵抗体の形状の例を示す図である。 画像表示エリア外における導電層と本発明の抵抗体の一例との接触状態を示す模式図である。 画像表示エリア内における導電層の分断ピッチ及び抵抗の配線構成を説明する図である。 画像表示エリア外における導電層と単純な矩形の抵抗体との接触状態を示す模式図である。

符号の説明

２ 前面基板
３５ｂ 導電層
５０ 画像表示エリア
５１ 画像表示エリア外部領域
６０ａ 第１の領域
６０ｂ 第２の領域

Claims (6)

1. 複数の蛍光体層、及び該複数の蛍光体層を覆う導電層を備えた前面基板と、前記複数の蛍光体層に対して電子を照射する複数の電子放出素子を有する背面基板と、を有する画像表示装置において、
   前記前面基板は、前記前面基板において前記複数の蛍光体層が設けられているエリアである画像表示エリアの外側に位置する複数の導電層と、抵抗体とを有しており、
   前記画像表示エリアの外側の前記複数の導電層のうちの隣り合う導電層は前記抵抗体の異なる部分にそれぞれ重なって前記抵抗体と電気的に接続されており、
   前記抵抗体は、第１の領域と、前記第１の領域よりも前記画像表示エリアから離れた位置の第２の領域とを有し、
   前記第２の領域のほうが前記第１の領域に比べて、前記画像表示エリアから離れる方向への単位長さ当たりの面積が小さいことを特徴とする画像表示装置。
2. 前記第１の領域は前記画像表示エリアの外縁に沿う方向に延びて形成されており、前記第２の領域は前記第１の領域が延びて形成された方向に対して交差する方向に延びて形成されている、請求項１に記載の画像表示装置。
3. 前記画像表示エリア内の前記複数の導電層のうちの隣り合う導電層は抵抗体で電気的に接続されている、請求項１または２に記載の画像表示装置。
4. 前記画像表示エリア内の前記複数の導電層は、走査線方向及び前記走査線方向に直交する方向に配列されており、前記走査線方向の配列のピッチは２画素以上ごと、前記走査線方向に直交する方向の配列のピッチは１画素ごとである、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の画像表示装置。
5. 前記画像表示エリア内の複数の導電層にアノード電圧を印加する共通電極と、
   前記画像表示エリア内の複数の導電層のうちの隣り合う導電層を接続する抵抗体と、を有しており、
   前記共通電極が前記画像表示エリアの両側に位置しており、
   前記走査線方向に配列される、前記画像表示エリア内の複数の導電層の数をｎ、
   前記画像表示エリア内の複数の導電層のうちの隣り合う導電層を接続する前記抵抗体の抵抗をＲ、
   １画素に注入される電流をＩ、
   アノード電圧をＶとした場合、
   ０．３Ｖ＞ｎＲＩの関係が満たされている、請求項４に記載の画像表示装置。
6. 前記画像表示エリア内の複数の導電層にアノード電圧を印加する共通電極と、
   前記画像表示エリア内の複数の導電層のうちの隣り合う導電層を接続する抵抗体と、を有しており、
   前記共通電極が前記画像表示エリアの片側のみに位置しており、
   前記走査線方向に配列される、前記画像表示エリア内の複数の導電層の数をｎ、
   前記画像表示エリア内の複数の導電層のうちの隣り合う導電層を接続する前記抵抗体の抵抗をＲ、
   １画素に注入される電流をＩ、
   アノード電圧をＶとした場合、
   ０．１Ｖ＞ｎＲＩの関係が満たされている、請求項４に記載の画像表示装置。