JP2008176291A - Organic light-emitting apparatus - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 164
- 239000010408 film Substances 0.000 description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001615 p wave Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N iridium 1-phenylisoquinoline Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
本発明は、有機EL(Electro Luminescenceの略で、ELと略記する。)素子を有する有機発光装置に関する。 The present invention relates to an organic light emitting device having an organic EL (abbreviated as EL).
有機EL素子(有機発光素子)を複数有する有機発光装置をアクティブマトリクス回路により駆動する場合、例えば図3、図4に示す構成とされている。 When an organic light-emitting device having a plurality of organic EL elements (organic light-emitting elements) is driven by an active matrix circuit, for example, it is configured as shown in FIGS.
ガラス基板500上に有機発光素子(画素)を駆動するための薄膜トランジスタ(TFT)501が形成されている。TFT501は、ソース領域510、poly−Si511、ドレイン領域512、ゲート絶縁膜513、ゲート電極514、層間絶縁膜515、ドレイン電極516を有する。
A thin film transistor (TFT) 501 for driving an organic light emitting element (pixel) is formed on a glass substrate 500. The TFT 501 includes a
TFT501上に無機絶縁膜517が形成され、さらに表面を平坦化するために有機平坦化膜518が形成されている。
An inorganic
有機平坦化膜518上に陽極となる反射(下部)電極520が形成されている。反射電極520は画素ごとにパターニングされており、反射電極520とTFT501のドレイン電極516とは無機絶縁膜517及び有機平坦化膜518に形成されたコンタクトホール542を通して電気的に接続されている。
A reflective (lower)
反射電極520の周縁部を覆うように、隣接する画素間に画素分離膜530が形成されている。
A
画素分離膜530の開口部から露出した反射電極520上に有機機能層525として、正孔輸送層523、発光層522、電子輸送層524が形成され、さらに陰極となる透明(上部)電極521が形成されている。
A
有機発光素子を水分から守るために封止ガラス基板540がUV硬化エポキシ樹脂を用いて基板500に貼り付けられている。透明電極521と封止ガラス基板540との間には不活性ガス541が充填されている。
In order to protect the organic light emitting element from moisture, a
上記構成の有機発光装置は、反射電極520での可視光の反射率が高く、外部から光が入射すると、その光の一部が反射電極520によって反射し光取り出し面から出射される。
The organic light emitting device having the above configuration has a high reflectance of visible light at the
このため、有機発光装置に光が入射し易い環境、例えば太陽光下では有機発光装置のコントラストは低く、視認性が良くない。 For this reason, the contrast of the organic light emitting device is low and the visibility is not good in an environment where light easily enters the organic light emitting device, for example, under sunlight.
そこで、最近では光取り出し面側に直線偏光板と位相差フィルムとを配置し、外部から入射した光のうち有機発光装置内での反射光の射出を低減する工夫がなされている(特許文献1、2、3を参照)。 Therefore, recently, a linear polarizing plate and a retardation film are arranged on the light extraction surface side, and a device has been devised to reduce the emission of reflected light in the organic light emitting device among the light incident from the outside (Patent Document 1). 2 and 3).
これら開示されている反射光低減技術を有機発光装置に利用した構成の一例について、図5を用いて原理を説明する。 The principle of an example of a configuration in which these disclosed reflected light reduction techniques are used in an organic light emitting device will be described with reference to FIG.
図5に示した有機発光装置は反射層14、発光層13、位相差補償フィルム12、偏光層11が積層されたものである。なお、図5では反射層14、発光層13は説明上間隔を設けて図示されているが、実際には密着させた積層構成、もしくは他の有機層を介した積層構成をとる。
The organic light emitting device shown in FIG. 5 is formed by laminating a
偏光層11は入射する光のうちp波もしくはs波のどちらかのみ通過させる構成である。位相差補償フィルム12は複数の位相差フィルム(図示せず)を積層した構成であり、幅広い波長範囲において4分の1波長の位相差を持つ。偏光層11と位相差補償フィルム12とを合わせて円偏光板(円偏光部材)という。
The polarizing layer 11 is configured to pass only p-wave or s-wave of incident light. The
つまり偏光層11と位相差補償フィルム12とを通過した光は、幅広い波長範囲においてp波とs波との位相が4分の1波長分ずれるため円偏光に変換される。
That is, the light that has passed through the polarizing layer 11 and the
発光層13から偏光層11の方向に発光した光16は偏光層11を通過して有機発光装置の外に射出される。
一方、発光層13から反射層14の方向に発光した光19は反射層14で反射し、反射した光15は発光層13、位相差補償フィルム12、偏光層11を通過して有機発光装置の外に射出される。
On the other hand, the
このように発光層13から発せられた光16、19はどちらも有機発光装置の外に射出できる。しかしこれらの光16、19(15)は偏光層11を通過する際、一方の直線偏光成分のみ通過するため、光強度は減衰する。
Thus, both the
有機発光装置の外から入射した光17の一部は偏光層11の表面で反射光0となる。光17のうち偏光層11で反射しなかった光は偏光層11と位相差補償フィルム12とによって円偏光に変換され、反射層14で反射する。
A part of the
光17が反射層14で反射する際、光の位相は半波長ずれるため、次に位相差補償フィルム12を通過した光18は偏光層11を通過することはできない。
When the
これらの原理により反射層14による外光の反射は偏光層11の表面で反射した光0のみとなり低減できる。
Based on these principles, the reflection of external light by the
さらに、特許文献3では、このような円偏光部材に加えて、画素分離膜として黒色顔料や色素などの可視光を吸収する材料を用いることで発光素子からの迷光を吸収し、コントラストが向上する旨が記載されている(段落番号[0273]参照。)
しかしながら、有機発光装置内での金属など高反射膜での反射は、発光領域だけでなく、発光領域外の例えば平坦化層に形成された開口部(コンタクトホール)の領域においても存在する。 However, reflection by a highly reflective film such as a metal in the organic light emitting device exists not only in the light emitting region but also in a region of an opening (contact hole) formed in, for example, a planarization layer outside the light emitting region.
有機発光装置内に入射し、有機発光装置内で奇数回反射して円偏光板に到達する光は、発光領域の透明電極や有機機能層を通り反射電極で1回反射する奇数回の反射の場合(図6)、従来の構成は有効である。しかし、例えば発光領域外の透明電極や有機機能層を通り平坦化層の開口部に形成されたテーパ部で反射した光や、TFTもしくはその引出し線と反射電極との開口部の表面粗さにより散乱した光には、偶数回の反射の後に円偏光板に到達する光がある(図7)。偶数回反射した光の位相のズレは半波長ではなく、円偏光板を通り抜けて出射されてしまう。 Light that enters the organic light-emitting device, reflects an odd number of times in the organic light-emitting device, and reaches the circularly polarizing plate passes through the transparent electrode or the organic functional layer in the light-emitting region and is reflected once by the reflective electrode. In the case (FIG. 6), the conventional configuration is effective. However, for example, the light reflected by the tapered portion formed in the opening of the planarization layer through the transparent electrode or the organic functional layer outside the light emitting region, or the surface roughness of the opening of the TFT or its lead line and the reflecting electrode The scattered light includes light that reaches the circularly polarizing plate after an even number of reflections (FIG. 7). The phase shift of the light reflected even number of times is not a half wavelength but is emitted through the circularly polarizing plate.
このように偏光板を通り抜けて出射される光は、有機発光装置のコントラストを低下させてしまう。 Thus, the light emitted through the polarizing plate decreases the contrast of the organic light emitting device.
一方、特許文献3に記載の表示装置は、層間絶縁膜の開口部(コンタクトホール)の上に黒色顔料や色素などの可視光を吸収する材料を用いた絶縁物(画素分離膜)を形成している。これにより、開口部で反射する光のうち偶数回反射する光のパネル外部への出射を低減することができる。 On the other hand, in the display device described in Patent Document 3, an insulator (pixel separation film) using a material that absorbs visible light such as a black pigment or a dye is formed on an opening (contact hole) of an interlayer insulating film. ing. As a result, it is possible to reduce the emission of light that is reflected an even number of times out of the panel to the outside of the panel.
このような可視光を吸収する材料を用いた画素分離膜を実際に表示装置に形成する場合、感光性樹脂を用いてフォトリソグラフィーにより形成され、フォトリソグラフィーにおいては、露光部が不溶性となるような設計によりブラックマトリクスを形成する。 When a pixel separation film using such a material that absorbs visible light is actually formed on a display device, it is formed by photolithography using a photosensitive resin, and in photolithography, an exposed portion is insoluble. A black matrix is formed by design.
しかしながら、感光性樹脂では、ブラックマトリクスの遮光性を十分高めるために、黒色の着色剤を相当量使用する必要がある。そして、露光された放射線が着色剤により吸収されるために、塗膜中の放射線の有効強度が、塗膜の表面から底部(即ち、基板表面近傍)に向かって次第に小さくなる現象が必然的に生じる。したがって、塗膜内部における硬化反応も表面から底部に向かって次第に不十分となりやすい。その結果、形成されたパターンの形状が逆テーパ形状となりやすかったり、あるいは基板への密着性が低下する問題があった。しかも、黒色感光性樹脂では、未露光部の基板上に残渣が生じ易い問題もある。 However, in the photosensitive resin, it is necessary to use a considerable amount of black colorant in order to sufficiently enhance the light blocking property of the black matrix. In addition, since the exposed radiation is absorbed by the colorant, a phenomenon in which the effective intensity of the radiation in the coating film gradually decreases from the surface of the coating film to the bottom (that is, near the substrate surface) inevitably occurs. Arise. Therefore, the curing reaction inside the coating film tends to become insufficient gradually from the surface toward the bottom. As a result, there is a problem that the shape of the formed pattern tends to be an inversely tapered shape or the adhesion to the substrate is lowered. Moreover, the black photosensitive resin also has a problem that a residue is likely to be generated on the unexposed portion of the substrate.
このように、画素分離膜の形状が逆テーパ形状である場合や、下部電極上に残渣がある場合、逆テーパの裾の部分や残渣の有機発光素子の有機化合物層に段切れが生じ、上部電極と下部電極がショートしてしまう。その結果、有機発光素子が発光しない画素が多数発生してしまう。 As described above, when the shape of the pixel separation film is a reverse taper shape or when there is a residue on the lower electrode, the bottom of the reverse taper or the organic compound layer of the organic light emitting element of the residue is cut off, The electrode and the lower electrode are short-circuited. As a result, many pixels where the organic light emitting element does not emit light are generated.
そこで本発明は、従来の構成によって発生し得る画素及び画素周辺の不具合を低減しつつ、有機発光素子に入射される光の反射を低減し、明環境においてコントラストの高い有機発光装置を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention provides a high-contrast organic light-emitting device that reduces reflection of light incident on an organic light-emitting element while reducing defects in the pixel and the periphery of the pixel that may occur due to a conventional configuration, and in a bright environment. With the goal.
上記背景技術の課題を解決するための手段として、本発明に係る有機発光装置は、
基板と、前記基板の上に形成されている複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタの上に形成されている平坦化層と、前記平坦化層の上に形成されている複数の有機発光素子と、光透過部材であって前記有機発光素子の発光領域を規定する開口を有する絶縁層と、前記複数の有機発光素子の上および遮光層の上に配置されている円偏光部材とを有し、
各有機発光素子は、前記平坦化層の上に順に、前記平坦化層に設けられている開口部を介して前記薄膜トランジスタと電気的に接続しており、前記有機発光素子毎にパターニングされている第1電極と、有機化合物層と、光透過電極である第2電極と、を有する有機発光装置において、
前記絶縁層は前記平坦化層の開口部及び隣り合う前記第1電極の間を覆う層であり、
前記絶縁層の上に前記平坦化層の開口部を覆う遮光層を有することを特徴とする。
As means for solving the problems of the background art, the organic light-emitting device according to the present invention includes:
A substrate, a plurality of thin film transistors formed on the substrate, a planarization layer formed on the plurality of thin film transistors, and a plurality of organic light emitting elements formed on the planarization layer, An insulating layer having an opening that defines a light emitting region of the organic light emitting element, and a circularly polarizing member disposed on the plurality of organic light emitting elements and on the light shielding layer,
Each organic light emitting element is sequentially connected to the thin film transistor through an opening provided in the planarizing layer in order on the planarizing layer, and is patterned for each organic light emitting element. In an organic light emitting device having a first electrode, an organic compound layer, and a second electrode that is a light transmission electrode,
The insulating layer is a layer covering between the opening of the planarization layer and the adjacent first electrode,
A light-shielding layer covering the opening of the planarizing layer is provided on the insulating layer.
本発明によると、絶縁層ではなくその上に設けられる遮光層によって外光を吸収させるため、従来の構成において問題となっていた、画素及び画素周辺の不具合の発生を低減させることができる。 According to the present invention, since external light is absorbed not by the insulating layer but by the light shielding layer provided thereon, the occurrence of defects in the pixel and the periphery of the pixel, which has been a problem in the conventional configuration, can be reduced.
そして、外部から有機発光装置に入射した光のうちコンタクトホール領域に入射した光は、コンタクトホールを覆う絶縁層の上方に形成された遮光層に入射する。遮光層が光吸収部材であれば、外光はそのまま吸収されるため、外部に出る外光を著しく低減できる。また、遮光層が光反射部材である場合にも、遮光層で反射した外光は偏光部材によって透過を低減することができる。 Of the light incident on the organic light emitting device from the outside, the light incident on the contact hole region is incident on the light shielding layer formed above the insulating layer covering the contact hole. If the light shielding layer is a light absorbing member, the outside light is absorbed as it is, so that the outside light emitted to the outside can be significantly reduced. In addition, even when the light shielding layer is a light reflecting member, external light reflected by the light shielding layer can be reduced in transmission by the polarizing member.
そのため、外光の射出を抑えることができ、明環境においてコントラストの高い有機発光装置を提供できる。 Therefore, the emission of external light can be suppressed, and an organic light emitting device with high contrast in a bright environment can be provided.
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明するが、本発明は本実施の形態に限るものではない。
<第1の実施の形態>
図1は本実施の形態に係る有機発光装置を示す模式図である。
Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited to this embodiment.
<First Embodiment>
FIG. 1 is a schematic view showing an organic light emitting device according to this embodiment.
この有機発光装置は、有機発光素子を複数有し、光取り出し面側に偏光部材(偏光板)341を有する構成である。そして、隣り合う有機発光素子の間、即ち発光領域外に、有機発光素子の第1電極(反射電極)300と有機発光素子を駆動するTFT200とを接続するための開口部(コンタクトホール)が形成されている。そして、開口部の上に、開口部を覆う層として樹脂からなる絶縁層(画素分離膜)330が形成されている。絶縁層330は、前記開口部(コンタクトホール)とは別の開口を有しており、この開口によって発光領域が規定される。また、絶縁層330は、黒色樹脂や色素を含まない光透過部材であるため、従来の構成で問題となっていた段切れや、ショートなどの画素及び画素周辺の不具合を低減することができる。そして、絶縁層330上に開口部を覆う遮光層340が形成されている。
This organic light emitting device has a plurality of organic light emitting elements and a polarizing member (polarizing plate) 341 on the light extraction surface side. An opening (contact hole) for connecting the first electrode (reflecting electrode) 300 of the organic light emitting element and the
そのため、外部から有機発光装置に入射した光のうちコンタクトホール領域に入射した光は、絶縁層330上の遮光層340に入射する。遮光層340が光吸収部材であれば、外光はそのまま吸収されるため、外部に出る外光を著しく低減できる。また、遮光層340が光反射部材である場合にも、遮光層340で反射した外光は偏光部材341によって透過を低減することができる。遮光層340上における反射は、奇数回反射に相当するため、光の射出を抑えることができるためである。
Therefore, light incident on the contact hole region among light incident on the organic light emitting device from the outside enters the
そのため、絶縁層330は、開口部を平坦化することが好ましいが、平坦化されていなくても良い。絶縁層330を平坦化することによって、上に形成される遮光層340は平坦性を保って成膜されるため、遮光層340上における反射は奇数回反射となる。あるいは、絶縁層330が平坦化されていなくてもその上に形成される遮光層340が平坦化されている構成、または遮光層340が光吸収部材である構成であればよい。
Therefore, the insulating
また、発光領域内での反射も、図6に示す奇数回反射に相当する。そのため、光取り出し側に偏光板341があることにより、それらの光の射出を抑えることができ、明環境においてコントラストの高い有機発光装置を提供できる。
Further, the reflection in the light emitting region corresponds to the odd-numbered reflection shown in FIG. Therefore, the presence of the
なお、上記遮光層340の幅寸法Lmは、図2に示すように、開口部の幅Lcよりも大きく、開口部を挟んで隣り合う有機発光素子(画素)相互の間隔Lpよりも小さいことが好ましい。外部から有機発光装置に入射した光のうち開口部に入射した光を、より確実に遮光層340において反射できる。
As shown in FIG. 2, the width dimension Lm of the
また、遮光層340は、発光領域の周囲に存在する絶縁層330のテーパ部Ltを避けて形成されていることが好ましい。つまり、遮光層340は、テーパ部Ltには形成されていないことが好ましい。遮光層340が絶縁層330のテーパ部Lt上に配置された場合には、図8に示した一例のように入射光が絶縁層330のテーパ部Lt上に配置された遮光層340を介して偶数回反射し偏光部材を通り抜けて出射されてしまうことがある。
The
上記の有機発光装置の具体的な構成を、作製工程に沿って説明する。 A specific configuration of the organic light-emitting device will be described along a manufacturing process.
基板101上に有機発光素子を駆動するためのTFT200を形成する。基板101は透明であっても不透明であっても良く、合成樹脂などからなる絶縁性基板、又は表面に酸化珪素(SiOx)膜や窒化珪素(SiNx)膜などの絶縁膜を形成した導電性基板あるいは半導体基板でも良い。TFT200の半導体層であるポリシリコンからなる能動層のpoly−Si104は、ポリシリコンに限定されるものではなく非晶質シリコン、微結晶シリコンなどを用いても良い。
A
TFT200は窒化珪素からなる無機絶縁層109で覆い、さらに表面を平坦化するためにアクリル系樹脂からなる有機平坦化層110で覆う。無機絶縁層109は、酸窒化珪素や酸化珪素等からなる無機絶縁層でも良い。有機平坦化層110はポリイミド系樹脂やノルボルネン系樹脂・フッ素系樹脂等でも良い。
The
発光領域に陽極として第1電極(反射電極)300を形成する。第1電極300は有機発光素子毎にパターニングされており、第1電極300とTFT200とのドレイン電極108は無機絶縁層109及び有機平坦化層110に形成された開口部を通して電気的に接続されている。
A first electrode (reflection electrode) 300 is formed as an anode in the light emitting region. The
なお、第1電極300にはクロムを用いているが、銀膜もしくは添加物を含む銀膜やアルミ膜もしくは添加物を含むアルミ膜やアルミ合金膜でも良い。
Note that although chromium is used for the
また、第1電極300上には、有機化合物層310へのキャリア注入性を向上させるために、高仕事関数の電極、例えばITO(インジウム錫酸化物)やIZO(インジウム亜鉛酸化物)などの酸化物透明導電層がさらに形成されていても良い。
Further, on the
更に、第1電極300とTFT200とのドレイン電極108は、直接接続されていても良いが、アルミ膜などの金属やITOなどの酸化物導電膜を介して接続されていても良い。
Furthermore, the drain electrode 108 of the
第1電極300の周縁部を覆い、且つ隣接する画素間に設けられた開口部を覆うように、開口部を覆う層として樹脂膜である絶縁層(画素分離膜)330を形成する。絶縁層330は、アクリル系樹脂・ポリイミド系樹脂・ノボラック系樹脂等を用いれば良い。
An insulating layer (pixel separation film) 330 that is a resin film is formed as a layer covering the opening so as to cover the peripheral edge of the
絶縁層330の開口部から露出する第1電極300上に有機化合物層310、さらに陰極となる第2電極(透明電極)320を形成する。有機化合物層310は、例えば、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の3層から構成されているが、発光層のみでも良い。あるいは2層、4層など複数の層から構成されていても良い。
An
正孔輸送層には、例えば電子供与性のFL03を用いているが、それ以外の材料であっても良い。 For the hole transport layer, for example, electron donating FL03 is used, but other materials may be used.
発光層は発光色毎に形成され、メタルマスクにより塗り分けられている。例えば、赤色発光層としてCBPにIr(piq)3をドープしたもの、緑色発光層としてAlq3にクマリンをドープしたもの、青色発光層としてB−Alq3にPeryleneをドープしたものを用いているがそれ以外の材料であっても良い。 The light emitting layer is formed for each light emitting color and is separately applied with a metal mask. For example, CBP doped with Ir (piq) 3 as a red light emitting layer, Alq 3 doped with coumarin as a green light emitting layer, and B-Alq 3 doped with perylene as a blue light emitting layer are used. Other materials may be used.
電子輸送層には、例えば電子受容性のBathophenantrolineを用いているが、それ以外の材料であっても良い。 For the electron transport layer, for example, electron-accepting Bathophane tropline is used, but other materials may be used.
上記有機化合物層310をなす正孔輸送層、発光層、電子注入層の材料を<化1>に示す。
The materials of the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron injection layer forming the
第2電極320は、光透過電極である。IZOを用いているが、ITOなどの酸化物透明導電層を用いた透明電極や、銀・アルミ・金などの金属半透過層を用いた半透過電極でも良い。
The
絶縁層330の上方、図1では絶縁層330上に形成された第2電極320上に遮光層340を形成する。遮光層340は、アルミを用いるが、その他の金属や、アルミ及びその他の金属に添加物を加えた物でも良い。遮光層340は、蒸着法により成膜され、メタルマスクにより塗りわけられるが、CVDで成膜されても良いしフォトリソグラフィー等により塗り分けられても良い。
A
このとき、上述したように、遮光層340の幅寸法Lmは、コンタクトホールの開口幅Lcより大きく、隣接する画素相互の間隔Lpより小さいことが好ましい。また、遮光層340は絶縁層330のテーパ部Ltを除いて形成されていることがより好ましい。
At this time, as described above, the width dimension Lm of the
遮光層340は第2電極320上に形成されているが、絶縁層330上に形成されていても良い。要するに、遮光層340は平坦化層の開口部を覆うように形成されていれば良い。
The
図2に示す遮光層340は、複数の開口部の間を跨いで連続して形成されているが、各開口部に対応して独立して形成されていても良い。また、複数(例えば3個、6個等)の開口部の間を跨いで連続して形成された開口部が、複数形成されていても良い。
The
なお、第2電極320が画素間を跨いで連続して形成された共通電極である場合であって、遮光層340が導電部材である場合には、第2電極と接するように遮光層340を形成しても良い。これにより、第2電極320の電気的導通を補助する補助配線の役割を担うことができる。この場合、遮光層340が複数の平坦化層の開口部を跨いで連続して形成された構成とすると良い。
Note that in the case where the
外部からの水分による劣化を防ぐために、露点−60℃以下の窒素雰囲気において封止ガラス基板401をUV硬化エポキシ樹脂により基板101に貼り付けると共に、封止ガラス基板401内にドライ窒素402を充填する。このとき、封止ガラス基板401の有機発光素子側には、酸化ストロンチウムや酸化カルシウムのような吸湿層が形成されていることが好ましい。なお、本構成では封止ガラス基板401によって封止しているが、窒化珪素、酸窒化珪素や酸化珪素等からなる無機絶縁層で封止されていても良い。
In order to prevent deterioration due to moisture from the outside, the sealing
封止ガラス基板401上に位相差補償フィルムと偏光フィルムとからなる偏光部材(偏光板)341を粘着材により貼り付ける。位相差補償フィルムと偏光フィルムとは粘着材で貼り合わせていても良い。
A polarizing member (polarizing plate) 341 made of a retardation compensation film and a polarizing film is attached to the sealing
本発明に係る有機発光装置は、様々な電気器具の表示部に適用させることができる。例えば、テレビ受像機の表示部、コンピュータの表示部、携帯電話の表示部、携帯情報端末(PDA)の表示部、音楽再生装置の表示部、カーナビゲーションシステムの表示部、撮像装置の電子ファインダー部や照明器具に適用させることができる。 The organic light emitting device according to the present invention can be applied to display portions of various electric appliances. For example, a display unit of a television receiver, a display unit of a computer, a display unit of a mobile phone, a display unit of a personal digital assistant (PDA), a display unit of a music playback device, a display unit of a car navigation system, an electronic viewfinder unit of an imaging device And can be applied to lighting equipment.
0 偏光層により反射された光
11 偏光層
12 位相差補償フィルム
13 発光層
14 反射層
15 発光層から反射層の方向に発光され反射層で反射した光
16 発光層から偏光層の方向に発光した光
17 有機発光装置の外から入射した光
18 有機発光装置の外から入射し反射層で反射した光
19 発光層から反射層の方向に発光した光
101 ガラス基板
102 ソース領域
103 ドレイン領域
104 poly−Si
105 ゲート電極
106 ゲート絶縁層
107 層間絶縁層
108 ドレイン電極
109 無機絶縁層
110 有機平坦化層
200 薄膜トランジスタ(TFT)
300 第1電極
310 有機化合物層
320 第2電極
330 絶縁層
340 遮光層
341 偏光部材
401 封止ガラス基板
402 ドライ窒素
500 ガラス基板
501 薄膜トランジスタ(TFT)
510 ソース領域
511 poly−Si
512 ドレイン領域
514 ゲート電極
513 ゲート絶縁膜
515 層間絶縁膜
516 ドレイン電極
517 無機絶縁膜
518 有機平坦化膜
520 反射電極(下部電極)
521 透明電極(上部電極)
522 発光層
523 正孔輸送層
524 電子輸送層
525 有機機能層
530 画素分離膜
540 封止ガラス基板
541 不活性ガス
542 コンタクトホール
543 入射光
0 Light reflected by the polarizing layer 11
105
300
510 Source region 511 poly-Si
512 Drain region 514
521 Transparent electrode (upper electrode)
522
Claims (5)
各有機発光素子は、前記平坦化層の上に順に、前記平坦化層に設けられている開口部を介して前記薄膜トランジスタと電気的に接続しており、前記有機発光素子毎にパターニングされている第1電極と、有機化合物層と、光透過電極である第2電極と、を有する有機発光装置において、
前記絶縁層は前記平坦化層の開口部及び隣り合う前記第1電極の間を覆う層であり、
前記絶縁層の上に前記平坦化層の開口部を覆う遮光層を有することを特徴とする有機発光装置。 A substrate, a plurality of thin film transistors formed on the substrate, a planarization layer formed on the plurality of thin film transistors, and a plurality of organic light emitting elements formed on the planarization layer, An insulating layer having an opening that defines a light emitting region of the organic light emitting element, and a circularly polarizing member disposed on the plurality of organic light emitting elements and on the light shielding layer,
Each organic light emitting element is sequentially connected to the thin film transistor through an opening provided in the planarizing layer in order on the planarizing layer, and is patterned for each organic light emitting element. In an organic light emitting device having a first electrode, an organic compound layer, and a second electrode that is a light transmission electrode,
The insulating layer is a layer covering between the opening of the planarization layer and the adjacent first electrode,
An organic light emitting device comprising: a light shielding layer that covers an opening of the planarizing layer on the insulating layer.
前記遮光層は導電部材であって、かつ前記第2電極に接しており、前記第2電極の電気的導通を補助する補助配線であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光装置。 The second electrode is an electrode formed continuously across the plurality of organic light emitting elements,
2. The organic light emitting device according to claim 1, wherein the light shielding layer is a conductive member, is in contact with the second electrode, and is an auxiliary wiring that assists electrical conduction of the second electrode.
前記遮光層の幅は、前記平坦化層の開口部の幅より大きく、隣り合う有機発光素子の間隔よりも小さいことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の有機発光装置。 The light shielding layer is a layer formed continuously across the opening of the planarization layer,
5. The organic material according to claim 1, wherein a width of the light shielding layer is larger than a width of the opening portion of the planarizing layer and smaller than an interval between adjacent organic light emitting elements. Light emitting device.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007301429A JP2008176291A (en) | 2006-12-21 | 2007-11-21 | Organic light-emitting apparatus |
US11/960,039 US20080150421A1 (en) | 2006-12-21 | 2007-12-19 | Organic light-emitting apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006343772 | 2006-12-21 | ||
JP2007301429A JP2008176291A (en) | 2006-12-21 | 2007-11-21 | Organic light-emitting apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008176291A true JP2008176291A (en) | 2008-07-31 |
Family
ID=39703320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007301429A Withdrawn JP2008176291A (en) | 2006-12-21 | 2007-11-21 | Organic light-emitting apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008176291A (en) |
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---|---|---|---|---|
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US10014354B2 (en) | 2015-09-07 | 2018-07-03 | Joled Inc. | Organic EL element, organic EL display panel using same, and organic EL display panel manufacturing method |
CN111739910A (en) * | 2020-06-16 | 2020-10-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Array substrate, preparation method thereof and display device |
-
2007
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CN111739910A (en) * | 2020-06-16 | 2020-10-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Array substrate, preparation method thereof and display device |
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