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JP2008172111A - リフロー処理装置およびリフロー処理方法 - Google Patents

リフロー処理装置およびリフロー処理方法 Download PDF

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豊 麻生
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Abstract

【課題】 リフロー処理における終点やリフローの進行状況を把握可能で、かつ基板面内で均一な処理が可能なリフロー処理装置およびリフロー処理方法を提供する。
【解決手段】 チャンバ４１の天壁部分には、シャワーヘッド５５が、載置台４３に対向するように設けられており、このシャワーヘッド５５の下面５５ａには、多数のガス吐出孔５７が設けられ、その中央付近には、ガス吐出孔５７の間にセンサ５９が配備されている。リフロー処理の間、センサ５９によりレジストパターンの膜厚および／または線幅を測定し、リフロー処理の終点検出を行う。
【選択図】図２

Description

本発明は、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などの製造過程でレジストをリフロー処理する際に利用可能なリフロー処理装置およびリフロー処理方法に関する。
アクティブ・マトリックス型液晶表示装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成したＴＦＴ基板と、カラーフィルタを形成した対向基板との間に液晶を挟み込んで担持し、画素毎に選択的に電圧を印加できるように構成されている。ここで用いられるＴＦＴ基板の作製過程では、フォトリソグラフィー技術によってレジスト等の感光性材料のパターニングが繰り返し行なわれるため、フォトリソグラフィー工程毎にレジストマスクが必要である。
しかし、近年では液晶表示装置の高集積化と微細化の進展に伴い、その製造工程が複雑化しており、製造コストが増加する傾向にある。そこで、製造コストを低減すべく、フォトリソグラフィーのためのマスクパターンの形成工程を統合させて全体の工程数を削減することが検討されている。マスクパターンの形成工程数を削減する技術として、パターン形成されたレジストに有機溶剤を浸透させることによりレジストを軟化させ、パターン形状を変化させることによって、マスクパターンの形成工程を省略できるリフロープロセスが提案されている（例えば、特許文献１）。このようなリフロープロセスには、チャンバ方式のリフロー処理装置を用いることが提案されている（例えば、特許文献２）。
特開２００２−３３４８３０号公報（特許請求の範囲など） 特開２００３−１５８０５４号公報（図１など）
リフロー技術には、フォトリソグラフィー工程の回数を削減できるとともに、レジストの消費量も節減できるというメリットがある。従来のリフロー処理では、リフロー処理装置のチャンバ内で基板表面のレジストを溶剤雰囲気に暴露する時間を管理することによりリフロー処理を終了させてきた。しかし、リフロー処理は、一旦乾燥し、固化したレジストに溶剤を浸透させて再び軟化させるプロセスであることから、レジストの材質、使用する溶剤の種類、溶剤濃度、溶剤を含む気体の供給量と排気量のバランス、処理温度などの条件によってレジストの流動速度（つまり、リフロー処理速度）に違いが生じる。従って、時間管理のみによってリフロー処理の終点を正確に把握することは困難であり、リフローの程度にばらつきが生じて、流動化・変形したレジストによる被覆が不十分になったり、逆にリフローが進み過ぎて不必要な領域までレジストで被覆されてしまう、あるいは溶剤を無駄に消費してしまうなどの問題が生じることがあった。また、特許文献２のようなチャンバ方式のリフロー処理装置の場合、チャンバ内で溶剤の流量や濃度に一定の分布が生じやすいことから、基板面内でリフロー速度に違いが生じて、処理むらが発生する原因となっていた。
従って本発明は、リフロー処理における終点やリフローの進行状況を把握可能で、かつ基板面内で均一な処理が可能なリフロー処理装置およびリフロー処理方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点は、基板表面にパターン形成されたレジストに溶剤を作用させて該レジストを流動化させ、変形させるリフロー処理を行うリフロー処理装置であって、
基板を収容する処理室と、
前記処理室内で基板を載置する載置台と、
前記溶剤を含む気体を前記処理室内に導入する溶剤供給部と、
前記レジストの変形の程度を検出する測定部と、
を備えたことを特徴とする、リフロー処理装置を提供する。
上記第１の観点において、前記測定部は、変形した前記レジストの膜厚または線幅を測定するセンサを有していることが好ましい。この場合、前記溶剤供給部は、前記載置台に対向して配備され該載置台に載置された基板の上方空間に前記溶剤を含む気体を吹き出すシャワーヘッドを備えており、前記センサは前記シャワーヘッドに配設されていることが好ましい。また、前記センサは、前記載置台に載置された基板上の複数の測定ポイントに対応して前記シャワーヘッドの複数位置に配備されていることが好ましい。また、前記センサは、前記測定ポイントの前記レジストに光を照射し、その反射光を計測する光学センサであることが好ましい。
さらに、前記測定部における測定結果に基づき、前記リフロー処理の終点を検出してリフロー処理を終了させる制御部を備えていてもよい。
また、前記測定部における測定結果に基づき、前記リフロー処理の条件を調節する制御部を備えていてもよく、この場合、前記制御部は、前記測定部における測定結果に基づき、前記載置台の温度を調節する温度調節機構により前記載置台の温度を調節するものであることが好ましく、また、前記温度調節機構は、基板上の複数の前記測定ポイントに対応して前記載置台の複数の領域を独立して温度調節できるように構成されていることが好ましい。また、前記制御部は、前記測定部における測定結果に基づき、前記シャワーヘッドから供給される溶剤を含む気体の流量を調節する流量調節機構により前記溶剤を含む気体の供給流量を調節することが好ましい。また、前記流量調節機構は、基板上の複数の前記測定ポイントに対応して前記シャワーヘッドに設けられた複数の溶剤供給口から供給される前記溶剤を含む気体の流量を独立して調節できるように構成されていることが好ましい。
また、前記制御部は、前記測定部における測定結果に基づき、前記溶剤を含む気体中の溶剤濃度を調節する濃度調節機構により、前記溶剤を含む気体中の溶剤濃度を調節することが好ましく、この場合、前記濃度調節機構は、基板上の複数の前記測定ポイントに対応して前記シャワーヘッドに設けられた複数の溶剤供給口から供給される溶剤濃度を独立して調節できるように構成されていることが好ましい。
また、前記制御部は、前記測定部における測定結果に基づき、排気量を独立して調節可能な複数の排気口を介して前記処理室内を排気する排気機構により、複数の前記排気口からの排気バランスを別々に制御することが好ましい。
本発明の第２の観点は、リフロー処理装置の処理室内で、基板表面にパターン形成されたレジストに溶剤を作用させて流動化させ、前記レジストを変形させる工程と、
前記溶剤の作用により流動化して変形した前記レジストの膜厚またはレジストパターンの線幅を測定する工程と、
測定結果に基づき、リフロー処理の終点検出を行う工程と、
を含む、リフロー処理方法を提供する。
本発明の第３の観点は、リフロー処理装置の処理室内で、基板表面にパターン形成されたレジストに溶剤を作用させて流動化させ、前記レジストを変形させる工程と、
前記溶剤の作用により流動化して変形した前記レジストの膜厚またはレジストパターンの線幅を測定する工程と、
測定結果に基づき、リフロー処理条件を調節してリフロー処理を行う工程と、
を含む、リフロー処理方法を提供する。
上記第３の観点において、基板上の複数の測定ポイントに対して測定を行うことが好ましい。また、前記測定結果に基づき、前記リフロー処理条件として、供給される前記溶剤を含む気体の流量を調節してもよい。また、前記測定結果に基づき、前記リフロー処理条件として、供給される前記溶剤を含む気体の溶剤濃度を調節してもよい。さらに、前記測定結果に基づき、前記リフロー処理条件として、供給される前記溶剤を含む気体を前記処理室から排気する際の排気バランスを調節してもよい。
また、本発明の第４の観点は、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、上記第２の観点または第３の観点のリフロー処理方法が行なわれるように前記リフロー処理装置を制御するものである、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体を提供する。
本発明によれば、リフロー処理装置において、レジストの変形の程度を検出する測定部を備えたので、前記測定部によりリフロー処理の進行程度をモニターすることにより、リフロー処理の終点検出を容易に行うことが可能になる。また、前記測定部による測定結果をリフロー処理条件に反映させることにより、リフロー処理条件を最適化することができる。従って、基板面内でリフロー処理結果の均一化や、基板間でのリフロー処理結果の均一化を図ることが可能になる。
以下、図面を参照しながら、本発明の好ましい形態について説明する。
図１は、本発明のリフロー方法に好適に利用可能なリフロー処理システムの全体を示す概略平面図である。ここでは、ＬＣＤ用ガラス基板（以下、単に「基板」と記す）Ｇの表面に形成されたレジスト膜を、現像処理後に軟化させて変形させ、下層膜をエッチングする際のエッチングマスクとして再使用するためのリフロー処理を行なうリフロー処理ユニットと、このリフロー処理に先だって表面改質処理を行なうアドヒージョンユニットを備えたリフロー処理システムを例に挙げて説明することとする。このリフロー処理システム１００は、図示しない基板搬送ラインを介して、外部のレジスト塗布・現像処理システムや露光装置、エッチング装置、アッシング装置などとの間で基板Ｇの受け渡しを行なえるように構成されている。
リフロー処理システム１００は、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション（搬入出部）１と、基板Ｇにリフロー処理およびこれに先行して行なわれる表面改質処理を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション（処理部）２と、リフロー処理システム１００の各構成部を制御する制御部３と、を備えている。なお、図１において、リフロー処理システム１００の長手方向をＸ方向、水平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。
カセットステーション１は、処理ステーション２の一方の端部に隣接して配置されている。このカセットステーション１は、カセットＣと処理ステーション２との間で基板Ｇの搬入出を行うための搬送装置１１を備えており、このカセットステーション１において外部に対するカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送装置１１は、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路１０上を移動可能な搬送アーム１１ａを有している。この搬送アーム１１ａは、Ｘ方向への進出・退避および回転可能に設けられており、カセットＣと処理ステーション２との間で基板Ｇの受渡しを行なえるように構成されている。
処理ステーション２は、基板Ｇに対してレジストのリフロー処理、その前処理として表面改質処理等を行うための複数の処理ユニットを備えている。これら各処理ユニットにおいて基板Ｇは１枚ずつ処理される。また、処理ステーション２は、基本的にＸ方向に延在する基板Ｇ搬送用の中央搬送路２０を有しており、この中央搬送路２０を挟んでその両側に各処理ユニットが、中央搬送路２０に臨むように配置されている。
また、中央搬送路２０には、各処理ユニットとの間で基板Ｇの搬入出を行うための搬送装置２１が備えられており、処理ユニットの配列方向であるＸ方向に移動可能な搬送アーム２１ａを有している。さらに、この搬送アーム２１ａは、Ｙ方向への進出・退避、上下方向への昇降および回転可能に設けられており、各処理ユニットとの間で基板Ｇの搬入出を行なえるように構成されている。
処理ステーション２の中央搬送路２０に沿って一方側には、カセットステーション１の側から、アドヒージョンユニット（ＡＤ）３０およびリフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）４０がこの順に配列され、中央搬送路２０に沿って他方側には、三つの加熱・冷却処理ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）８０ａ，８０ｂ，８０ｃが一列に配列されている。各加熱・冷却処理ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）８０ａ，８０ｂ，８０ｃは、鉛直方向に多段に積層配置されている（図示省略）。
アドヒージョンユニット（ＡＤ）３０は、リフロー処理に先だって、基板Ｇに対し、例えばＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）、ＴＭＳＤＥＡ（Ｎ−トリメチルシリルジエチルアミン）等のシリル化剤に代表される表面改質処理剤を含む雰囲気を形成して、レジストの流動を抑制するための表面改質処理を行なう。これらの表面改質処理剤は、疎水化処理作用を持ち、疎水化処理剤としても知られている。
リフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）４０は、基板Ｇ上に形成されたレジストを有機溶媒例えばシンナー雰囲気で軟化させてマスクパターン形状を変化させるリフロー処理を行なう。このリフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）４０の詳細については後述する。
三つの加熱・冷却処理ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）８０ａ，８０ｂ，８０ｃには、それぞれ基板Ｇに対して加熱処理を行うホットプレートユニット（ＨＰ）、基板Ｇに対して冷却処理を行うクーリングプレートユニット（ＣＯＬ）が、多段に重ねられて構成されている（図示省略）。この加熱・冷却処理ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）８０ａ，８０ｂ，８０ｃでは、表面改質処理後およびリフロー処理後の基板Ｇに対して、必要に応じて加熱処理や冷却処理が行なわれる。
図１に示すように、リフロー処理システム１００の各構成部は、制御部３のＣＰＵを備えたコントローラ９０に接続されて制御される構成となっている。コントローラ９０には、工程管理者がリフロー処理システム１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、リフロー処理システム１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース９１が接続されている。
また、コントローラ９０には、リフロー処理システム１００で実行される各種処理をコントローラ９０の制御にて実現するための制御プログラムや処理条件データ等が記録されたレシピが格納された記憶部９２が接続されている。
そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース９１からの指示等にて任意のレシピを記憶部９２から呼び出してコントローラ９０に実行させることで、コントローラ９０の制御下で、リフロー処理システム１００での所望の処理が行われる。また、前記レシピは、例えば、ＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリなどのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納された状態のものを利用したり、あるいは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させて利用したりすることも可能である。
以上のように構成されるリフロー処理システム１００においては、まず、カセットステーション１において、搬送装置１１の搬送アーム１１ａが、既にレジストパターンが形成された基板Ｇを収容しているカセットＣにアクセスして１枚の基板Ｇを取り出す。基板Ｇは、搬送装置１１の搬送アーム１１ａから、処理ステーション２の中央搬送路２０における搬送装置２１の搬送アーム２１ａに受渡され、この搬送装置２１により、アドヒージョンユニット（ＡＤ）３０へ搬入される。そして、アドヒージョンユニット（ＡＤ）３０にてリフロー処理に先立ち表面改質処理が行なわれた後、基板Ｇはアドヒージョンユニット（ＡＤ）３０から搬送装置２１によって取出され、加熱・冷却処理ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）８０ａ，８０ｂ，８０ｃのいずれかに搬入される。そして、各加熱・冷却処理ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）８０ａ，８０ｂ，８０ｃにおいて冷却処理が施された基板Ｇは、リフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）４０へ搬入され、そこでリフロー処理が行なわれる。
リフロー処理終了後は、必要に応じて各加熱・冷却処理ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）８０ａ，８０ｂ，８０ｃにおいて所定の加熱、冷却処理が施される。このような一連の処理が終了した基板Ｇは、搬送装置２１によりカセットステーション１の搬送装置１１に受渡され、任意のカセットＣに収容される。
次に、リフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）４０の構成について、詳細に説明する。図２は、リフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）４０の概略断面図である。リフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）４０は、チャンバ４１を有しており、このチャンバ４１は、下部容器４１ａと、この下部容器４１ａの上部に当接される上部容器４１ｂとから構成されている。上部容器４１ｂと下部容器４１ａとは、図示しない開閉機構により開閉可能に構成されており、開状態のときに、搬送装置２１により基板Ｇの搬入出が行なわれる。
このチャンバ４１内には、基板Ｇを水平に支持する載置台４３が設けられている。載置台４３は熱伝導率に優れた材質例えばアルミニウムで構成されている。
載置台４３には、図示しない昇降機構によって駆動され、基板Ｇを昇降させる３本の昇降ピン４５（図２では２本のみを図示する）が、載置台４３を貫通するように設けられている。この昇降ピン４５は、搬送装置２１との間で基板Ｇを受け渡しする際には、載置台４３の表面から突出し、基板Ｇを載置台４３から持ち上げて所定の高さ位置で支持し、基板Ｇのリフロー処理中は、例えば、その先端が載置台４３の上面と同じ高さとなるようにして保持される。
載置台４３の内部には、温度調節媒体流路４７が設けられており、この温度調節媒体流路４７には、例えば温調冷却水などの温度調節媒体が温度調節媒体導入管４９を介して導入され、温度調節媒体排出管５０から排出されて循環し、その熱（例えば冷熱）が載置台４３を介して基板Ｇに対して伝熱され、これにより基板Ｇの処理面が所望の温度に制御される。
下部容器４１ａの底部には、排気口５１ａ，５１ｂが形成されており、この排気口５１ａ，５１ｂには排気装置５３が接続されている。そして、この排気装置５３を作動させることによりチャンバ４１内の雰囲気ガスが排気される。
チャンバ４１の天壁部分には、シャワーヘッド５５が、載置台４３に対向するように設けられている。このシャワーヘッド５５の下面５５ａには、多数のガス吐出孔５７が設けられている。また、シャワーヘッド５５の下面５５ａの中央付近には、ガス吐出孔５７の間にセンサ５９が配備されている。このセンサ５９は、光学センサであり、図３に示すように基板Ｇの被エッチング層１０１より上層に設けられた、パターン形成されたレジスト１０２に照射部１１０から所定波長の光を照射し、その反射光を受光部１１２において多波長領域で検知し、予め計算した理論値から得られるスペクトルのプロファイルと検知されたスペクトルのプロファイルとを照合することにより、レジスト１０２の断面形状、膜厚、線幅などを測定するものである。そして、センサ５９を利用したリフロー処理の終点検出は、リフロー処理によってレジストが軟化・流動化し、レジスト１０２が図３中二点鎖線で示すリフロー処理前の状態から実線で示す状態に変形したことをその形状の変化から検知することにより行われる。
すなわち、リフロー処理によって、レジスト１０２の膜厚が、Ｔ０からＴ１へ減少する場合または線幅がＬ０からＬ１へ増加する場合、予めリフロー処理の終点設定値として膜厚Ｔ１および／または線幅Ｌ１をプロセスレシピの一部として制御部３の記憶部９２に保存しておく。そして、保存されたこれら終点設定値の膜厚Ｔ１および／または線幅Ｌ１と、センサ５９からの膜厚および／または線幅の測定データとをコントローラ９０が照合し、測定された膜厚および／または線幅が終点設定値の膜厚Ｔ１および／または線幅Ｌ１に達したか否かを判定することにより、リフロー処理の終点検出を行うことができる。なお、センサ５９としては、図４に示すように、照射部と受光部とが一体形成された照射・受光部１１１から、基板Ｇの表面へ向けて所定波長の光を垂直に照射してそのときの反射光を検知する方式のものでもよい。
シャワーヘッド５５の上部中央には、ガス導入部６１が設けられており、このガス導入部６１はシャワーヘッド５５の内部に形成された空間６３に連通している。ガス導入部６１には配管６５が接続されている。配管６５には、有機溶媒例えばシンナーを気化して供給するバブラータンク６７が接続され、その途中には開閉バルブ６９が設けられている。バブラータンク６７の底部には、シンナーを気化させるための気泡発生手段として、図示しないＮ２ガス供給源に接続されたＮ２ガス供給配管７１が配備されている。このＮ２ガス供給配管７１には、マスフローコントローラ７３および開閉バルブ７５が設けられている。また、バブラータンク６７は、内部に貯留されるシンナーの温度を所定温度に調節するための図示しない温度調節機構を備えている。そして、図示しないＮ２ガス供給源からＮ２ガスをマスフローコントローラ７３によって流量制御しながらバブラータンク６７の底部に導入することにより、所定温度に温度調節されたバブラータンク６７内のシンナーを気化させ、配管６５、ガス導入部６１を介してチャンバ４１内に導入できるように構成されている。
また、チャンバ４１の天壁におけるシャワーヘッド５５の周囲には、複数のパージガス導入部７７が設けられており、各パージガス導入部７７には、例えばパージガスとしてのＮ２ガスをチャンバ４１内に供給するパージガス供給配管７８が接続されている。パージガス供給配管７８は、図示しないパージガス供給源に接続されており、その途中には開閉バルブ７９が設けられている。
このような構成のリフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）４０においては、例えば図５に示すステップＳ１〜Ｓ７の手順に従って基板Ｇ表面にパターン形成されたレジストに対するリフロー処理を行うことができる。まず、上部容器４１ｂを下部容器４１ａから開放し、その状態で、搬送装置２１の搬送アーム２１ａにより、既にパターン形成され、表面改質処理がなされたレジストを有する基板Ｇを載置台４３に載置する（ステップＳ１）。そして、上部容器４１ｂと下部容器４１ａを当接させ、チャンバ４１を閉じる。
次に配管６５の開閉バルブ６９およびＮ２ガス供給配管７１の開閉バルブ７５を開放し、マスフローコントローラ７３によってＮ２ガスの流量を調節してシンナーの気化量を制御しつつ、バブラータンク６７から、気化されたシンナーを配管６５、ガス導入部６１を介してシャワーヘッド５５の空間６３に導入し、ガス吐出孔５７から吐出させてリフロー処理を開始する（ステップＳ２）。これにより、チャンバ４１内が所定濃度のシンナー雰囲気となる。チャンバ４１内の載置台４３に載置された基板Ｇ上には、既にパターン形成されたレジストが設けられているので、このレジストがシンナー雰囲気に曝されることにより、シンナーがレジストに浸透する。これにより、パターン形成されたレジストが軟化してその流動性が高まり、レジストが変形して基板Ｇ表面の所定の領域が変形レジストで被覆され、新しいエッチングマスクとなる。
リフロー処理の間は、載置台４３の内部に設けられた温度調節媒体流路４７に、温度調節媒体を導入することによって、その熱が載置台４３を介して基板Ｇに対して伝熱され、これにより基板Ｇの処理面が所望の温度例えば２０℃に制御される。シャワーヘッド５５から基板Ｇの表面に向けて吐出されたシンナーを含むガスは、基板Ｇの表面に接触した後、排気口５１ａ，５１ｂへ向けて流れ、排気装置５３によりチャンバ４１内から排気される。
リフロー処理の間、センサ５９により、レジストパターンの膜厚および／または線幅を測定する（ステップＳ３）。次に、測定された膜厚および／または線幅がプロセスレシピに含まれる終点設定値の膜厚および／または線幅に達したか否かを判定する（ステップＳ４）。そして、このステップＳ４で、測定膜厚および／または測定線幅が終点設定値の膜厚および／または線幅に達した（Ｙｅｓ）と判断された場合には、シンナーの供給を停止し、リフロー処理を終了する（ステップＳ５）。一方、ステップＳ４で測定膜厚および／または測定線幅が終点設定値の膜厚および／または線幅に達していない（Ｎｏ）と判断された場合には、再びステップＳ３に戻り、膜厚および／または線幅の測定と、ステップＳ４の判定を行う。このようにして、リフロー処理の終点を確実に把握できる。
リフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）４０におけるリフロー処理が終了した後は、排気を継続しながらパージガス供給配管７８上の開閉バルブ７９を開放し、パージガス導入部７７を介してチャンバ４１内にパージガスとしてのＮ２ガスを導入し、チャンバ内雰囲気を置換する（ステップＳ６）。その後、上部容器４１ｂを下部容器４１ａから開放し、前記と逆の手順でリフロー処理後の基板Ｇを搬送アーム２１ａによってリフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）４０から搬出する（ステップＳ７）。以上のようにして、１枚の基板Ｇに対するリフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）４０でのリフロー処理が終了する。
以上のように、基板Ｇ上のレジストパターンの変形の程度を測定可能なセンサ５９を備えたリフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）４０を用いてリフロー処理の進行状況をモニターしながらリフロー処理を行うことによって、レジストの材質、溶剤の種類や濃度などに関わらず、リフロー処理の終点を確実に把握できることができる。従って、流動化・変形したレジストによる被覆が不十分になったり、逆にリフローが進み過ぎて不必要な領域までレジストで被覆されてしまう、あるいは溶剤を無駄に消費してしまうなどの問題を回避することができる。
図６は、リフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）の別の実施形態を示している。このリフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）１４０は、チャンバ１４１を有しており、このチャンバ１４１は、下部容器１４１ａと、この下部容器１４１ａの上部に当接される上部容器１４１ｂとから構成されている。上部容器１４１ｂと下部容器１４１ａとは、図示しない開閉機構により開閉可能に構成されており、開状態のときに、搬送装置２１によって基板Ｇの搬入出が行なわれる。
このチャンバ１４１内には、基板Ｇを水平に支持する載置台１４３が設けられている。載置台１４３は熱伝導率に優れた材質例えばアルミニウムで構成されている。この載置台１４３には、図示しない昇降機構によって駆動され、基板Ｇを昇降させる３本の昇降ピン１４５（図６では２本のみを図示する）が、載置台１４３を貫通するように設けられている。この昇降ピン１４５は、搬送装置２１との間で基板Ｇを受け渡しする際には、載置台１４３の表面から突出し、基板Ｇを載置台１４３から持ち上げて所定の高さ位置で支持し、基板Ｇのリフロー処理中は、例えば、その先端が載置台１４３の上面と同じ高さとなるようにして保持される。
載置台１４３の内部には、図７の水平断面図に示すように複数（本実施形態では９つ）の温度調節媒体流路１４７が形成されている。各温度調節媒体流路１４７は、例えば合成樹脂などの断熱性を有する材質からなる格子状の隔壁１４８により隔てられており、各領域における温度調節が応答性良く行われるようになっている。これらの分割形成された温度調節媒体流路１４７の構造は、載置台１４３に対向配備されたシャワーヘッド１５５に配設された９つのセンサ１５９（後述）に対応して設けられているものである。各温度調節媒体流路１４７には、例えば温調冷却水などの温度調節媒体が温度調節媒体導入管１４９を介して導入され、温度調節媒体排出管１５０から排出されて循環し、その熱（例えば冷熱）が載置台１４３を介して基板Ｇに対して伝熱され、これにより基板Ｇが所望の温度に制御される。
下部容器１４１ａの底部には、排気口１５１ａ，１５１ｂが形成されており、この排気口１５１ａ，１５１ｂにはそれぞれ排気装置１５３ａ，１５３ｂが接続されている。そして、これらの排気装置１５３ａ，１５３ｂを独立して作動させることにより、排気バランス（つまり、排気口１５１ａと排気口１５１ｂから排気される気体の流量比率）を調節しつつチャンバ１４１内の雰囲気ガスを排気することができる。
チャンバ１４１の天壁部分には、シャワーヘッド１５５が、載置台１４３に対向するように設けられている。図８はシャワーヘッド１５５の下面（載置台１４３に対向する面）１５５ａを示している。このシャワーヘッド１５５の下面１５５ａには、多数のガス吐出孔１５７が設けられている。また、シャワーヘッド１５５の下面１５５ａの中央付近には、ガス吐出孔１５７の間にセンサ１５９が配備されている。このセンサ１５９は、光学センサであり、図３および図４に示すものと同様の構成を有する。
また、シャワーヘッド１５５の上部には、複数（この例では９つであるが図６では３つのみ図示）のガス導入部１６１が設けられており、各ガス導入部１６１はシャワーヘッド１５５の内部に、仕切り壁１６２によって９つに分割して形成された空間１６３（３つのみ図示）にそれぞれ連通している。各ガス導入部１６１にはそれぞれ配管１６５が接続されている。つまり、配管１６５は、空間１６３と同数の９本配備されていることになる（３本のみを図示）。各ガス導入部１６１にそれぞれ接続された各配管１６５には、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１６８およびその前後の開閉バルブ１６９が設けられており、他端側は一本の配管１６６に統合されて有機溶媒例えばシンナーを気化して供給するバブラータンク１６７に接続されている。
バブラータンク１６７の底部には、シンナーを気化させるための気泡発生手段として、図示しないＮ２ガス供給源に接続されたＮ２ガス供給配管１７１が配備されている。このＮ２ガス供給配管１７１には、マスフローコントローラ１７３および開閉バルブ１７５が設けられている。また、バブラータンク１６７は、内部に貯留されるシンナーの温度を所定温度に調節するための図示しない温度調節機構を備えている。そして、図示しないＮ２ガス供給源からＮ２ガスをマスフローコントローラ１７３によって流量制御しながらバブラータンク１６７の底部に導入することにより、所定温度に温度調節されたバブラータンク１６７内のシンナーを気化させ、配管１６６、分岐した各配管１６５、各ガス導入部１６１を介してチャンバ１４１内に導入できるように構成されている。この際、各配管１６５に設けられたマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１６８およびその前後の開閉バルブ１６９により、シンナーを含む気体を独立して流量調節して各ガス導入部１６１を介して各空間１６３に導入できるようになっている。
また、チャンバ１４１の天壁におけるシャワーヘッド１５５の周囲には、複数のパージガス導入部１７７が設けられており、各パージガス導入部１７７には、例えばパージガスとしてのＮ２ガスをチャンバ１４１内に供給するパージガス供給配管１７８が接続されている。パージガス供給配管１７８は、図示しないパージガス供給源に接続されており、その途中には開閉バルブ１７９が設けられている。
以上のように、第２実施形態のリフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）１４０では、複数（９個）のセンサ１５９によって、基板Ｇ表面を細分化した９つの領域別にモニターし、各領域におけるモニター結果、つまり、各領域におけるパターン形成されたレジストのリフローの進行状況に応じて、リフロー条件を細かく調節し、リフロー処理が基板Ｇの面内において均一に進行するように制御できる。
すなわち、シャワーヘッド１５５は、その下面１５５ａに配備された９つのセンサ１５９に対応して、シャワーヘッド１５５内部に空間１６３が９つに分割して形成されている。従って、各マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１６８を用いて空間１６３毎に個別に流量を制御しつつシンナーを含む気体を供給することにより、各空間１６３にそれぞれ連通する複数のガス吐出孔群から、異なるガス流量でチャンバ１４１内にシンナーを含む気体を導入できるように構成されている。このように、シャワーヘッド１５５から、これに対向する載置台１４３に載置された基板Ｇ面内の９つの領域に対して、それぞれシンナーを含む気体の流量を変化させて吐出させることができるので、基板Ｇ面内においてリフロー速度を調節することができる。
なお、空間１６３毎に気体の流量を個別に制御する方法に代えて、空間１６３毎に気体中のシンナー濃度を変化させることも可能である。この場合、図示は省略するが、複数（本実施形態では９本）の配管１６５を９個のバブラータンク１６７にそれぞれ接続し、各バブラータンク１６７を独立的に温度調節することによって、供給気体中のシンナー濃度を変化させることができる。また、図示は省略するが、バブラータンク１６７に代えて配管１６５と同数の気化器を配備し、キャリアガス（Ｎ２ガス）中に混合するシンナーの量を調節することによって、供給気体中のシンナー濃度を空間１６３毎に個別に変化させてもよい。
また、本実施形態のリフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）１４０では、チャンバ１４１の排気口１５１ａ，１５１ｂに、それぞれ排気装置１５３ａ，１５３ｂを接続しているので、これらの排気装置１５３ａ，１５３ｂを独立して作動させることにより、チャンバ１４１から排気される気体の排気バランスを調節することができる。これにより、載置台１４３上に載置された基板Ｇの表面に沿って流されるシンナーを含む気体の気流を制御し、基板Ｇの面内におけるリフロー速度を調節することができる。
さらに、上記シャワーヘッド１５５の分割構造に対応して、図７に示すように載置台１４３の温度調節媒体流路１４７も９つに分割されているので、各温度調節媒体流路１４７に流通させる温度調節媒体の温度を変化させることによって載置台１４３の温度を９つの領域でそれぞれ独立的に温度調節できるようになっている。従って、載置台１４３に載置された基板Ｇの面内における温度調節を高い精度できめ細かに行うことにより、基板Ｇ面内におけるリフロー速度を調節することができる。
このような構成のリフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）１４０においては、例えば図９に示すステップＳ１１〜Ｓ１９の手順に従って基板Ｇ表面にパターン形成されたレジストに対するリフロー処理を行うことができる。まず、上部容器１４１ｂを下部容器１４１ａから開放し、その状態で、搬送装置２１の搬送アーム２１ａにより、既にパターン形成され、表面改質処理がなされたレジストを有する基板Ｇを搬入し、載置台１４３に載置する（ステップＳ１１）。そして、上部容器１４１ｂと下部容器１４１ａを当接させ、チャンバ１４１を閉じる。
次に、各配管１６５の開閉バルブ１６９およびＮ２ガス供給配管１７１の開閉バルブ１７５を開放し、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１７３によってＮ２ガスの流量を調節してシンナーの気化量を制御しつつ、気化されたシンナーをバブラータンク１６７から配管１６６へ導き、各配管１６５において、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１６８で独立して流量コントロールしながら、各ガス導入部１６１を介してシャワーヘッド１５５の各空間１６３にそれぞれ導入し、多数のガス吐出孔１５７から吐出させ、リフロー処理を開始する（ステップＳ１２）。これにより、チャンバ１４１内が所定濃度のシンナー雰囲気となる。チャンバ１４１内の載置台１４３に載置された基板Ｇ上には、既にパターン形成されたレジストが設けられているので、このレジストがシンナー雰囲気に曝されることにより、シンナーがレジストに浸透する。これにより、レジストが軟化してその流動性が高まり、レジストが変形して基板Ｇ表面の所定の領域（ターゲット領域）が変形レジストで被覆される。
リフロー処理の間は、載置台１４３の内部に設けられた各温度調節媒体流路１４７に、個別に温度調節された温度調節媒体を導入することによって、その熱が載置台１４３を介して基板Ｇに対して伝熱され、これにより基板Ｇの面内温度が領域別に精密に制御される。また、シャワーヘッド１５５の各空間１６３から基板Ｇの表面に向けてそれぞれ流量調節されつつ吐出されたシンナーを含むガスは、排気装置１５３ａ，１５３ｂを独立的に作動させることにより所定の排気バランスで排気口１５１ａ，１５１ｂへ向けて流れていくので、この排気バランスを調節することにより、基板Ｇの面内で表面に接触するシンナー量を調節することができる。
リフロー処理の開始とともに、９個のセンサ１５９により、基板Ｇの９つの領域毎にレジストの膜厚および／または線幅の測定を開始する（ステップＳ１３）。
次に、制御部３のコントローラ９０が、基板Ｇ上の各領域でリアルタイムに測定されたレジストの膜厚および／または線幅の測定結果を取得し、予めプロセスレシピの一部として記憶部９２に保存しておいた膜厚および／または線幅の基準値（一定の幅を有しているものとする）と各領域別に比較し、リフロー処理条件の補正が必要か否かを判断する（ステップＳ１４）。ここでは、例えば基板Ｇ上のある領域における測定膜厚および／または測定線幅が前記基準値から外れている場合に補正が必要（Ｙｅｓ）と判断し、前記基準値内であれば補正は不要（Ｎｏ）と判断する。そして、ある領域で補正が必要な場合（Ｙｅｓ）には、その領域におけるリフロー処理の進行が基準値内になるようにリフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）１４０におけるリフロー処理条件、例えば、シンナーを含む気体の流量、シンナー濃度、載置台１４３の温度、排気バランスなどを調節し、基板Ｇの面内でリフロー処理が均一に進むように補正する（ステップＳ１５）。
ステップＳ１４で補正が不要と判断された場合、またはステップ１５で補正が行われた場合には、次に、測定された膜厚および／または線幅がプロセスレシピに含まれる終点設定値の膜厚および／または線幅に達したか否かを判定する（ステップＳ１６）。そして、このステップＳ１６で、測定膜厚および／または測定線幅が終点設定値の膜厚および／または線幅に達した（Ｙｅｓ）と判断された場合には、シンナーの供給を停止し、リフロー処理を終了する（ステップＳ１７）。一方、ステップＳ１６で測定膜厚および／または測定線幅が終点設定値の膜厚および／または線幅に達していない（Ｎｏ）と判断された場合には、再びステップＳ１４の判定に戻る。
リフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）１４０においてリフロー処理が終了した後は、排気を継続しながらパージガス供給配管１７８上の開閉バルブ１７９を開放し、パージガス導入部１７７を介してチャンバ１４１内にパージガスとしてのＮ２ガスを導入し、チャンバ内雰囲気を置換する（ステップＳ１８）。その後、上部容器１４１ｂを下部容器１４１ａから開放し、前記と逆の手順でリフロー処理後の基板Ｇを搬送アーム２１ａによってリフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）１４０から搬出する（ステップＳ１９）。以上のようにして、１枚の基板Ｇに対するリフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）１４０でのリフロー処理が終了する。
以上のように、リフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）１４０を用いてレジストのリフロー状態をリアルタイムでモニターすることにより、リフローの終点検出が容易に行えるだけでなく、基板Ｇの面内各領域におけるリフローの進行状況が均一になるように補正を行うことによって、リフロー処理後の変形レジストの形状を基板Ｇの面内で均一化することができる。
また、リフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）１４０では、例えば図１０に示すステップＳ２１〜ステップ３２の手順に従い、ある基板Ｇのリフロー処理における膜厚や線幅の測定結果に基づき、別の基板Ｇのリフロー処理条件を補正してリフロー処理結果に反映させることもできる。なお、図１０における工程の中で図５および図９と同様の内容については、説明を省略する。
まず、レジストパターンを有する１枚目の基板Ｇをチャンバ１４１に搬入して載置台１４３に載置し（ステップＳ２１）、次にリフロー処理を開始する（ステップＳ２２）。所定時間経過後、リフロー処理を終了し（ステップＳ２３）、次に、リフロー処理終了時点で、９個のセンサ１５９により、基板Ｇの９つの領域毎にレジストパターンの膜厚および／または線幅の測定を行う（ステップＳ２４）。この測定結果から、制御部３のコントローラ９０によりリフロー処理条件の補正が行われ、補正後のリフロー処理条件として記憶部９２に保存される。次に、チャンバ１４１内にパージガスとしてのＮ２ガスを導入し、チャンバ内雰囲気を置換する（ステップＳ２５）。その後、１枚目の基板Ｇを搬送アーム２１ａによってリフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）１４０から搬出する（ステップＳ２６）。以上のようにして、１枚の基板Ｇに対するリフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）１４０でのリフロー処理が終了する。
次に、レジストパターンを有する２枚目の基板Ｇをチャンバ１４１に搬入して載置台１４３に載置し（ステップＳ２７）、次にチャンバ１４１内に溶剤を供給し、リフロー処理を開始する（ステップＳ２８）。この際、ステップＳ２４で得られた１枚目の基板Ｇに対するリフロー処理終了時点でのレジストの膜厚および／または線幅の測定結果を基に、より目的に沿った適切なリフロー処理（例えば基板Ｇの面内で均一なリフロー処理）が行えるように補正されたリフロー処理条件よって２枚目の基板Ｇを処理する。
所定時間経過後、リフロー処理を終了し（ステップＳ２９）、次に、リフロー処理終了時点で、９個のセンサ１５９により、基板Ｇの９つの領域毎にレジストパターンの膜厚および／または線幅の測定を行う（ステップＳ３０）。この測定結果は、制御部３のコントローラ９０に送られる。このステップＳ３０の測定結果を基に、リフロー処理が適正に行われたかどうかを判定することもできる。さらに、その判定の結果、リフロー処理が目的に沿った適切なものでなく、例えば基板Ｇの面内での均一性が得られていない場合には、コントローラ９０により再度リフロー処理条件の補正を行い、補正後のリフロー処理条件を記憶部９２に保存して、次に処理する基板Ｇのリフロー処理条件に反映させることもできる。
次に、チャンバ１４１内にパージガスとしてのＮ２ガスを導入し、チャンバ内雰囲気を置換する（ステップＳ３１）。その後、２枚目の基板Ｇを搬送アーム２１ａによってリフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）１４０から搬出する（ステップＳ３２）。
以上のようにして、リフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）１４０での２枚目の基板Ｇに対するリフロー処理が終了する。以降、３枚目、４枚目・・・の基板Ｇに同様に対してステップＳ２７〜ステップＳ３２の処理を行うことによって、目的に沿った適切なリフロー処理を行うことができる。なお、１枚目の基板Ｇに対するレジストパターンの膜厚および／または線幅の測定（ステップＳ２４）の結果を基に補正されたリフロー処理条件を２枚目以降の基板Ｇの処理で一貫して使用する場合には、２枚目以降の基板Ｇの処理の際は、ステップＳ３０のレジストパターンの膜厚および／または線幅の測定は省略してもよい。もちろん、１枚の基板Ｇを処理する毎にステップＳ３０の測定を行って、その結果を次の基板Ｇのリフロー処理条件に反映させることもできる。
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこのような形態に限定されるものでない。
例えば、上記説明においては、ＬＣＤ用ガラス基板上にパターン形成されたレジストのリフロー処理を例に取り挙げたが、他のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）基板や、半導体基板等の基板にパターン形成されたレジストのリフロー処理を行なう場合にも本発明を適用することができる。
また、センサ５９，１５９を用いたリフロー処理の終点検出や条件補正は、チャンバ方式のリフロー処理装置に限らず、例えばコロやローラなどの搬送手段を用いて基板Ｇを搬送しつつリフロー処理を行なう平流し方式のリフロー処理装置においても適用可能である。
本発明は、例えばＴＦＴ素子などの半導体装置の製造において好適に利用可能である。
リフロー処理システムの概要を説明する図面である。 第１実施形態のリフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）の概略構成を示す断面図である。 センサによる測定方法の原理を説明する図面である。 センサによる測定方法の他の例を説明する図面である。 リフロー処理方法の手順の一例を示すフロー図である。 第２実施形態のリフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）の概略構成を示す断面図である。 載置台の水平断面図である。 シャワーヘッドの下面の構造を示す図面である。 リフロー処理方法の手順の他の例を示すフロー図である。 リフロー処理方法の手順の別の例を示すフロー図である。
符号の説明
１：カセットステーション
２：処理ステーション
３：制御部
２０：中央搬送路
２１：搬送装置
３０：アドヒージョンユニット（ＡＤ）
４０，１４０：リフロー処理ユニット（ＲＥＦＬＷ）
４１，１４１：チャンバ
４３，１４３：載置台
５５，１５５：シャワーヘッド
５９，１５９：センサ
６１，１６１：ガス導入部
６３，１６３：空間
６７，１６７：バブラータンク
８０ａ，８０ｂ，８０ｃ：加熱・冷却処理ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）
１００：リフロー処理システム
Ｇ：基板

Claims (21)

  1. 基板表面にパターン形成されたレジストに溶剤を作用させて該レジストを流動化させ、変形させるリフロー処理を行うリフロー処理装置であって、
    基板を収容する処理室と、
    前記処理室内で基板を載置する載置台と、
    前記溶剤を含む気体を前記処理室内に導入する溶剤供給部と、
    前記レジストの変形の程度を検出する測定部と、
    を備えたことを特徴とする、リフロー処理装置。
  2. 前記測定部は、変形した前記レジストの膜厚または線幅を測定するセンサを有していることを特徴とする、請求項１に記載のリフロー処理装置。
  3. 前記溶剤供給部は、前記載置台に対向して配備され該載置台に載置された基板の上方空間に前記溶剤を含む気体を吹き出すシャワーヘッドを備えており、前記センサは前記シャワーヘッドに配設されていることを特徴とする、請求項２に記載のリフロー処理装置。
  4. 前記センサは、前記載置台に載置された基板上の複数の測定ポイントに対応して前記シャワーヘッドの複数位置に配備されていることを特徴とする、請求項３に記載のリフロー処理装置。
  5. 前記センサは、前記測定ポイントの前記レジストに光を照射し、その反射光を計測する光学センサであることを特徴とする、請求項４に記載のリフロー処理装置。
  6. さらに、前記測定部における測定結果に基づき、前記リフロー処理の終点を検出してリフロー処理を終了させる制御部を備えたことを特徴とする、請求項５に記載のリフロー処理装置。
  7. さらに、前記測定部における測定結果に基づき、前記リフロー処理の条件を調節する制御部を備えたことを特徴とする、請求項５に記載のリフロー処理装置。
  8. 前記制御部は、前記測定部における測定結果に基づき、前記載置台の温度を調節する温度調節機構により前記載置台の温度を調節することを特徴とする、請求項７に記載のリフロー処理装置。
  9. 前記温度調節機構は、基板上の複数の前記測定ポイントに対応して前記載置台の複数の領域を独立して温度調節できるように構成されていることを特徴とする、請求項８に記載のリフロー処理装置。
  10. 前記制御部は、前記測定部における測定結果に基づき、前記シャワーヘッドから供給される溶剤を含む気体の流量を調節する流量調節機構により前記溶剤を含む気体の供給流量を調節することを特徴とする、請求項７に記載のリフロー処理装置。
  11. 前記流量調節機構は、基板上の複数の前記測定ポイントに対応して前記シャワーヘッドに設けられた複数の溶剤供給口から供給される前記溶剤を含む気体の流量を独立して調節できるように構成されていることを特徴とする、請求項１０に記載のリフロー処理装置。
  12. 前記制御部は、前記測定部における測定結果に基づき、前記溶剤を含む気体中の溶剤濃度を調節する濃度調節機構により、前記溶剤を含む気体中の溶剤濃度を調節することを特徴とする、請求項７に記載のリフロー処理装置。
  13. 前記濃度調節機構は、基板上の複数の前記測定ポイントに対応して前記シャワーヘッドに設けられた複数の溶剤供給口から供給される溶剤濃度を独立して調節できるように構成されていることを特徴とする、請求項１２に記載のリフロー処理装置。
  14. 前記制御部は、前記測定部における測定結果に基づき、排気量を独立して調節可能な複数の排気口を介して前記処理室内を排気する排気機構により、複数の前記排気口からの排気バランスを別々に制御することを特徴とする、請求項７に記載のリフロー処理装置。
  15. リフロー処理装置の処理室内で、基板表面にパターン形成されたレジストに溶剤を作用させて流動化させ、前記レジストを変形させる工程と、
    前記溶剤の作用により流動化して変形した前記レジストの膜厚またはレジストパターンの線幅を測定する工程と、
    測定結果に基づき、リフロー処理の終点検出を行う工程と、
    を含む、リフロー処理方法。
  16. リフロー処理装置の処理室内で、基板表面にパターン形成されたレジストに溶剤を作用させて流動化させ、前記レジストを変形させる工程と、
    前記溶剤の作用により流動化して変形した前記レジストの膜厚またはレジストパターンの線幅を測定する工程と、
    測定結果に基づき、リフロー処理条件を調節してリフロー処理を行う工程と、
    を含む、リフロー処理方法。
  17. 基板上の複数の測定ポイントに対して測定を行うことを特徴とする、請求項１６に記載のリフロー処理方法。
  18. 前記測定結果に基づき、前記リフロー処理条件として、供給される前記溶剤を含む気体の流量を調節することを特徴とする、請求項１６または請求項１７に記載のリフロー処理方法。
  19. 前記測定結果に基づき、前記リフロー処理条件として、供給される前記溶剤を含む気体の溶剤濃度を調節することを特徴とする、請求項１６または請求項１７に記載のリフロー処理方法。
  20. 前記測定結果に基づき、前記リフロー処理条件として、供給される前記溶剤を含む気体を前記処理室から排気する際の排気バランスを調節することを特徴とする、請求項１６または請求項１７に記載のリフロー処理方法。
  21. コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
    前記制御プログラムは、実行時に、請求項１５から請求項２０のいずれか１項に記載のリフロー処理方法が行なわれるように前記リフロー処理装置を制御するものである、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
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