JP2008171998A - Reticle chuck, reticle, absorption structure of reticle and exposure device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、露光装置内においてレチクルの保持に使用されるレチクルチャック、レチクル、レチクルの吸着構造および露光装置に関する。 The present invention relates to a reticle chuck used to hold a reticle in an exposure apparatus, a reticle, a reticle suction structure, and an exposure apparatus.
真空雰囲気中において露光を行うEUV露光装置、電子線露光装置等の露光装置では、真空吸着チャックを使用できないため、通常、静電チャックにレチクルを保持している。
しかしながら、静電チャックは、静電気力を用いているため、着脱の応答が遅いという問題があった。特に、レチクルを静電チャックから離脱する際には、残留吸着力により長い時間が必要になり、スループットの低下をもたらす。
本発明は、かかる従来の問題を解決するためになされたもので、レチクルの着脱を迅速に行うことができるレチクルチャック、レチクル、レチクルの吸着構造および露光装置を提供することを目的とする。
However, since the electrostatic chuck uses electrostatic force, there is a problem that the response of attachment / detachment is slow. In particular, when the reticle is detached from the electrostatic chuck, a longer time is required due to the residual attracting force, resulting in a decrease in throughput.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a conventional problem, and an object of the present invention is to provide a reticle chuck, a reticle, a reticle suction structure, and an exposure apparatus that can quickly attach and detach a reticle.
第1の発明のレチクルチャックは、吸着面にレチクルを吸着するレチクルチャックにおいて、前記レチクルに埋設される永久磁石を吸着する電磁石を有することを特徴とする。
第2の発明のレチクルチャックは、第1の発明のレチクルチャックにおいて、前記吸着面に凹部を形成し、前記凹部の内側に前記電磁石を埋設してなることを特徴とする。
第3の発明のレチクルチャックは、第1または第2の発明のレチクルチャックにおいて、前記電磁石は、偏平形状をしていることを特徴とする。
A reticle chuck according to a first aspect of the present invention is a reticle chuck that attracts a reticle to an attracting surface, and has an electromagnet that attracts a permanent magnet embedded in the reticle.
A reticle chuck according to a second invention is the reticle chuck according to the first invention, wherein a concave portion is formed in the attraction surface, and the electromagnet is embedded inside the concave portion.
A reticle chuck according to a third aspect of the present invention is the reticle chuck according to the first or second aspect, wherein the electromagnet has a flat shape.
第4の発明のレチクルチャックは、第1ないし第3のいずれか1の発明のレチクルチャックにおいて、前記レチクルを前記吸着面に吸着する静電チャック機能を有することを特徴とする。
第5の発明のレチクルチャックは、第1ないし第4のいずれか1の発明のレチクルチャックにおいて、前記吸着面を下にして用いられることを特徴とする。
A reticle chuck according to a fourth aspect of the invention is the reticle chuck according to any one of the first to third aspects, wherein the reticle chuck has an electrostatic chuck function for attracting the reticle to the attracting surface.
A reticle chuck according to a fifth aspect of the invention is the reticle chuck according to any one of the first to fourth aspects of the invention, wherein the reticle chuck is used with the suction surface facing down.
第6の発明のレチクルは、レチクルチャックの吸着面に吸着されるレチクルにおいて、前記レチクルチャックに埋設される電磁石に吸着される永久磁石を有することを特徴とする。
第7の発明のレチクルは、第6の発明のレチクルにおいて、前記レチクルの前記吸着面側に凹部を形成し、前記凹部の内側に前記永久磁石を埋設してなることを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a reticle that is attracted to the attracting surface of the reticle chuck. The reticle includes a permanent magnet that is attracted to an electromagnet embedded in the reticle chuck.
A reticle according to a seventh aspect is the reticle according to the sixth aspect, wherein a concave portion is formed on the side of the attracting surface of the reticle, and the permanent magnet is embedded inside the concave portion.
第8の発明のレチクルは、第6または第7の発明のレチクルにおいて、前記永久磁石は、偏平形状をしていることを特徴とする。
第9の発明のレチクルの吸着構造は、レチクルチャックの吸着面にレチクルを吸着するレチクルの吸着構造において、前記レチクルチャックに電磁石を埋設するとともに、前記レチクルに永久磁石を埋設してなることを特徴とする。
The reticle of the eighth invention is the reticle of the sixth or seventh invention, characterized in that the permanent magnet has a flat shape.
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a reticle adsorption structure in which a reticle is adsorbed on an adsorption surface of a reticle chuck, wherein an electric magnet is embedded in the reticle chuck and a permanent magnet is embedded in the reticle. And
第10の発明のレチクルの吸着構造は、第9の発明のレチクルの吸着構造において、前記電磁石は、鉄心の外側にコイルを巻回してなることを特徴とする。
第11の発明のレチクルの吸着構造は、第9または第10の発明のレチクルの吸着構造において、前記レチクルチャックは、静電チャックであることを特徴とする。
第12の発明の露光装置は、第1ないし第5のいずれか1の発明のレチクルチャックを有することを特徴とする。
A reticle adsorption structure according to a tenth aspect of the invention is the reticle adsorption structure according to the ninth aspect of the invention, wherein the electromagnet is formed by winding a coil around an iron core.
The reticle suction structure according to an eleventh aspect of the invention is the reticle suction structure according to the ninth or tenth aspect of the invention, wherein the reticle chuck is an electrostatic chuck.
An exposure apparatus according to a twelfth aspect includes the reticle chuck according to any one of the first to fifth aspects.
本発明では、レチクルの着脱を迅速に行うことができる。 In the present invention, the reticle can be quickly attached and detached.
以下、本発明の実施形態を図面を用いて詳細に説明する。
(第1の実施形態)
図1は、本発明のレチクルの吸着構造の第1の実施形態を示している。この実施形態では、本発明のレチクルの吸着構造がEUV露光装置のレチクルステージに適用される。
この実施形態のレチクルの吸着構造では、レチクルチャック11にレチクル13が吸着保持される。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
(First embodiment)
FIG. 1 shows a first embodiment of the reticle adsorption structure of the present invention. In this embodiment, the reticle adsorption structure of the present invention is applied to a reticle stage of an EUV exposure apparatus.
In the reticle suction structure of this embodiment, the
レチクルチャック11は、露光装置のレチクルステージ15の下面に固定されている。レチクルチャック11は、セラミック、低熱膨張金属等からなる。レチクルチャック11の下面には、レチクル13を吸着する吸着面11aが形成されている。
レチクルチャック11の両側には、電磁石17が埋設されている。電磁石17は、レチクル13に埋設される永久磁石19を吸着する。電磁石17は、鉄心21の外側にコイル23を巻回してなる。電磁石17は、レチクルチャック11の両側に形成される貫通穴11b内に収容され固定されている。
The
レチクルチャック11は、図2に示すように矩形形状をしている。レチクルチャック11の両側には、それぞれ一対の貫通穴11bが形成されている。貫通穴11bは、レーシングトラック状をした偏平状をしており、長手方向をレチクルチャック11の両側の辺部11cに沿って延在されている。一対の貫通穴11bは、辺部11cの方向に所定間隔を置いて形成されている。また、辺部11cにできるだけ近い位置に形成されている。
The
貫通穴11b内には、貫通穴11bの形状に対応する形状の電磁石17が嵌挿され固定されている。貫通穴11bの上下には、凹部11dが座ぐり状に形成されている。凹部11dは、貫通穴11bの開口部に沿ってレーシングトラック状に形成されている。このように凹部11dを形成することにより、電磁石17の通電時に、凹部11d内にゴミが吸引される。従って、レチクルチャック11のレチクルステージ15側の取付面11eおよび吸着面11aにゴミが付着することを防止することができる。
In the through hole 11b, an
レチクル13は、レチクルチャック11の吸着面11aに吸着保持される。レチクル13は低熱膨張ガラス等からなる。レチクル13の下面にはパターン面13aが形成されている。パターン面13aには露光パターンが形成されている。パターン面13aで反射したEUV光Eにより露光が行われる。
レチクル13の両側には、レチクルチャック11の電磁石17に対応する位置に永久磁石19が埋設されている。永久磁石19は、レチクルチャック11に埋設される電磁石17に吸着される。永久磁石19は、レチクル13の両側に形成される貫通穴13b内に収容され固定されている。
The
On both sides of the
レチクル13は、図3に示すように矩形形状をしている。レチクル13の両側には、それぞれ一対の貫通穴13bが形成されている。貫通穴13bは、レーシングトラック状をした偏平状をしており、長手方向をレチクル13の両側の辺部13cに沿って延在されている。一対の貫通穴13bは、辺部13cの方向に所定間隔を置いて形成されている。また、辺部13cにできるだけ近い位置に形成されている。このように貫通穴13bを形成することにより、レチクル13のパターン面13aのパターンを外れた位置に貫通穴13bを比較的容易に形成することができる。
The
貫通穴13b内には、貫通穴13bの形状に対応する形状の永久磁石19が嵌挿され固定されている。貫通穴13bの上下には、凹部13dが座ぐり状に形成されている。凹部13dは、貫通穴13bの開口部に沿ってレーシングトラック状に形成されている。このように凹部13dを形成することにより、永久磁石19に吸引されたゴミが凹部13d内に吸引される。従って、レチクル13の吸着面11a側およびパターン面13a側にゴミが付着することを防止することができる。この実施形態では、レチクル13の貫通穴13bは、レチクルチャック11の貫通穴11bに対応する位置に同一形状および同一の大きさで形成されている。また、レチクル13の凹部13dは、レチクルチャック11の凹部11dより深さが浅いことを除いて同一形状および同一の大きさで形成されている。
A
図1において符号25は電源制御部を示している。電源制御部25は電磁石17のオン,オフを行う。また、電磁石17への電圧の印加方向を制御する。
上述したレチクルの吸着構造では、レチクルチャック11へのレチクル13の着脱が以下述べるようにして行われる。
レチクルチャック11へのレチクル13の装着時には、電源制御部25によりレチクルチャック11の電磁石17をオフにした状態で、搬送アーム(不図示)によりレチクル13がレチクルチャック11の下方近傍の所定位置に搬送される。この状態では、永久磁石19は、電磁石17の鉄心21に直接吸着しない距離だけ離間されている。そして、この状態から、電源制御部25によりレチクルチャック11の電磁石17を、電磁石17の永久磁石19側が永久磁石19の電磁石17側の極性と反対になるようにオンすることによりレチクル13の永久磁石19がレチクルチャック11の電磁石17に吸着され、レチクル13がレチクルチャック11に保持される。そして、電源制御部25により電磁石17がオフにされる。この状態では、永久磁石19は電磁石17の鉄心21に直接吸着する距離だけ接近しており、レチクル13のレチクルチャック11への保持が維持される。なお、電源制御部25により電磁石17をオフにすることなく保持を行うようにしても良い。
In FIG. 1,
In the reticle suction structure described above, the
When the
レチクルチャック11からのレチクル13の離脱時には、電源制御部25によりレチクルチャック11の電磁石17をオフにした状態で、搬送アーム(不図示)が、レチクル13の下方近傍の所定位置に位置される。そして、この状態から、電源制御部25によりレチクルチャック11の電磁石17を、電磁石17の永久磁石19側が永久磁石19の電磁石17側の極性と同一になるようにオンすることによりレチクル13の永久磁石19がレチクルチャック11の電磁石17に対して反発し、レチクル13がレチクルチャック11から離脱し搬送アーム(不図示)に保持される。
When the
上述したレチクルの吸着構造では、レチクルチャック11の電磁石17によりレチクル13の永久磁石19を吸着してレチクル13をレチクルチャック11に吸着し、また、レチクルチャック11の電磁石17によりレチクル13の永久磁石19を反発してレチクル13をレチクルチャック11から離脱するようにしたので、レチクル13の着脱を迅速に行うことができる。
(第2の実施形態)
図4は、本発明のレチクルの吸着構造の第2の実施形態を示している。
In the reticle attracting structure described above, the
(Second Embodiment)
FIG. 4 shows a second embodiment of the reticle adsorption structure of the present invention.
なお、この実施形態において第1の実施形態と同一の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
この実施形態では、本発明が静電チャックに適用される。
レチクルチャック11Aは、ジョンソン・ラーベック力型の静電チャックであり、チャック本体27内には、一対の内部電極29A,29Bが配置されている。内部電極29Aに電源制御部25Aにより、例えば正の電圧を印加し、内部電極29Bに負の電圧を印加することにより静電気力が発生しレチクル13が吸着される。そして、電源制御部25Aによる電圧の印加を解除すると、内部電極29A,29Bが接地される。
In addition, in this embodiment, the same code | symbol is attached | subjected to the element same as 1st Embodiment, and detailed description is abbreviate | omitted.
In this embodiment, the present invention is applied to an electrostatic chuck.
The
チャック本体27の両側には、第1の実施形態と同様にして電磁石17が配置されている。また、レチクル13の両側には、第1の実施形態と同様にして永久磁石19が配置されている。
この実施形態では、レチクルチャック11Aへのレチクル13の着脱が以下述べるようにして行われる。
In this embodiment, the
レチクルチャック11Aへのレチクル13の装着時には、電源制御部25Aによりレチクルチャック11Aの電磁石17および内部電極29A,29Bをオフにした状態で、搬送アーム(不図示)によりレチクル13がレチクルチャック11Aの下方近傍の所定位置に搬送される。そして、この状態から、電源制御部25Aによりレチクルチャック11Aの電磁石17を、電磁石17の永久磁石19側が永久磁石19の電磁石17側の極性と反対になるようにオンする。また、同時に電源制御部25Aにより内部電極29A,29Bをオンにする。これによりレチクル13の永久磁石19がレチクルチャック11Aの電磁石17に吸着され、同時に、レチクル13が静電気力によりチャック本体27に吸着され、レチクル13がレチクルチャック11Aに迅速に保持される。そして、電源制御部25Aにより電磁石17のみがオフにされ、内部電極29A,29Bはオンの状態を維持される。この状態では、静電気力によりレチクル13がチャック本体27に吸着されレチクル13のレチクルチャック11Aへの保持が維持される。
When the
レチクルチャック11Aからのレチクル13の離脱時には、電源制御部25Aによりレチクルチャック11Aの電磁石17をオフにし内部電極29A,29Bをオンにした状態で、搬送アーム(不図示)が、レチクル13の下方近傍の所定位置に位置される。そして、この状態から、電源制御部25Aによりレチクルチャック11Aの電磁石17を、電磁石17の永久磁石19側が永久磁石19の電磁石17側の極性と同一になるようにオンする。また、同時に電源制御部25Aにより内部電極29A,29Bをオフにする。これによりレチクル13の永久磁石19がレチクルチャック11Aの電磁石17に対して反発し、レチクル13がレチクルチャック11Aから迅速に離脱し搬送アーム(不図示)に保持される。
When the
この実施形態では、レチクルチャック11Aの電磁石17によりレチクル13の永久磁石19を吸着してレチクル13をレチクルチャック11Aに吸着し、また、レチクルチャック11Aの電磁石17によりレチクル13の永久磁石19を反発してレチクル13をレチクルチャック11Aから離脱するようにしたので、レチクル13の着脱を迅速に行うことができる。
In this embodiment, the
すなわち、一般に静電チャックは、静電気力を用いているため、着脱の応答が比較的遅くなる。特に、レチクル13を静電チャックから離脱する際には、残留吸着力により長い時間が必要になり、スループットの低下をもたらす。しかしながら、この実施形態では、レチクルチャック11Aの電磁石17によりレチクル13の永久磁石19を吸着してレチクル13をレチクルチャック11Aに吸着するようにしたので、レチクル13のレチクルチャック11Aへの装着を迅速に行うことが可能になる。また、レチクルチャック11Aの電磁石17によりレチクル13の永久磁石19を反発してレチクル13をレチクルチャック11Aから離脱するようにしたので、レチクル13のレチクルチャック11Aからの離脱を迅速に行うことが可能になる。従って、スループットを向上することができる。
(第3の実施形態)
図5は、本発明のレチクルの吸着構造の第3の実施形態を示している。
That is, generally, since the electrostatic chuck uses electrostatic force, the attachment / detachment response becomes relatively slow. In particular, when the
(Third embodiment)
FIG. 5 shows a third embodiment of the reticle adsorption structure of the present invention.
なお、この実施形態において第1の実施形態と同一の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
この実施形態では、本発明が光透過形のレチクルの吸着構造に適用される。
この実施形態では、レチクルステージ15Aの上面にレチクルチャック11Bが配置されている。また、レチクルチャック11Bの上面に光透過形のレチクル13Aが配置されている。レチクルチャック11Bおよびレチクルステージ15Aには、レチクル13Aを透過した光Lを通過させるための光通過穴11f,15aが形成されている。
In addition, in this embodiment, the same code | symbol is attached | subjected to the element same as 1st Embodiment, and detailed description is abbreviate | omitted.
In this embodiment, the present invention is applied to a light-transmitting reticle adsorption structure.
In this embodiment, a reticle chuck 11B is disposed on the upper surface of the reticle stage 15A. Further, a light transmission type reticle 13A is disposed on the upper surface of the reticle chuck 11B. The reticle chuck 11B and the reticle stage 15A are formed with light passage holes 11f and 15a for allowing the light L transmitted through the reticle 13A to pass therethrough.
そして、レチクルチャック11Bの両側には、第1の実施形態と同様にして電磁石17が配置されている。また、レチクル13Aの両側には、第1の実施形態と同様にして永久磁石19が配置されている。
この実施形態では、レチクルチャック11Bへのレチクル13Aの着脱が以下述べるようにして行われる。
The
In this embodiment, the attachment / detachment of the reticle 13A to / from the reticle chuck 11B is performed as described below.
レチクルチャック11Bへのレチクル13Aの装着時には、電源制御部25によりレチクルチャック11Bの電磁石17をオフにした状態で、搬送アーム(不図示)によりレチクル13Aがレチクルチャック11Bの上方近傍の所定位置に搬送される。その後、レチクル13Aは搬送アーム(不図示)により鉛直下方に搬送され、レチクルチャック11B上に置かれる。そして、この状態から、電源制御部25によりレチクルチャック11Bの電磁石17を、電磁石17の永久磁石19側が永久磁石19の電磁石17側の極性と反対になるようにオンすることによりレチクル13Aの永久磁石19がレチクルチャック11Bの電磁石17に吸着され、レチクル13Aがレチクルチャック11Bに保持される。そして、電源制御部25により電磁石17がオフにされる。この状態では、永久磁石19は電磁石17の鉄心21に直接吸着する距離だけ接近しており、レチクル13Aのレチクルチャック11Bへの保持が維持される。なお、電源制御部25により電磁石17をオフにすることなく保持を行うようにしても良い。
When the reticle 13A is mounted on the reticle chuck 11B, the reticle 13A is transported to a predetermined position near the upper side of the reticle chuck 11B by a transport arm (not shown) while the
レチクルチャック11Bからのレチクル13Aの離脱時には、電源制御部25によりレチクルチャック11Bの電磁石17をオフにした状態で、搬送アーム(不図示)によりレチクル13Aを把持する。そして、この状態から、電源制御部25によりレチクルチャック11Bの電磁石17を、電磁石17の永久磁石19側が永久磁石19の電磁石17側の極性と同一になるようにオンすることによりレチクル13Aの永久磁石19がレチクルチャック11Bの電磁石17に対して反発し、レチクル13Aがレチクルチャック11Bから離脱し搬送アーム(不図示)に保持される。
When the reticle 13A is detached from the reticle chuck 11B, the reticle 13A is gripped by the transfer arm (not shown) while the
この実施形態では、レチクルチャック11Bの電磁石17によりレチクル13Aの永久磁石19を吸着してレチクル13Aをレチクルチャック11Bに吸着し、また、レチクルチャック11Bの電磁石17によりレチクル13Aの永久磁石19を反発してレチクル13Aをレチクルチャック11Bから離脱するようにしたので、レチクル13Aの着脱を迅速に行うことができる。
In this embodiment, the
そして、この実施形態では、第1の実施形態と同様に、レチクル13Aおよびレチクルチャック11Bの貫通穴13b,11bを偏平状にし、長手方向をレチクル13Aおよびレチクルチャック11Bの両側の辺部13c,11cに沿って延在したので、貫通穴13b,11bにより光Lの通過が邪魔されることが比較的少なくなる。従って、レチクル13Aおよびレチクルチャック11Bをコンパクトにすることができる。
(露光装置の実施形態)
図6は、図1のレチクルステージ15を備えたEUV露光装置のEUV光リソグラフィシステムを模式化して示している。なお、この実施形態において第1の実施形態と同一の部材には、同一の符号を付している。
In this embodiment, similarly to the first embodiment, the through holes 13b and 11b of the reticle 13A and the reticle chuck 11B are made flat, and the longitudinal direction is the sides 13c and 11c on both sides of the reticle 13A and the reticle chuck 11B. Therefore, the passage of the light L is relatively less disturbed by the through holes 13b and 11b. Therefore, the reticle 13A and the reticle chuck 11B can be made compact.
(Embodiment of exposure apparatus)
FIG. 6 schematically shows an EUV light lithography system of an EUV exposure apparatus provided with the
この実施形態では、露光の照明光としてEUV光が用いられる。EUV光は0.1〜400nmの間の波長を持つもので、この実施形態では特に1〜50nm程度の波長が好ましい。投影像は像光学系システム101を用いたもので、ウエハW上にレチクル13によるパターンの縮小像を形成するものである。
ウエハW上に照射されるパターンは、レチクルステージ15の下側にレチクルチャック11を介して配置されている反射型のレチクル13により決められる。また、ウエハWはウエハステージ105の上に載せられている。典型的には、露光はステップ・スキャンによりなされる。
In this embodiment, EUV light is used as illumination light for exposure. The EUV light has a wavelength of 0.1 to 400 nm, and in this embodiment, a wavelength of about 1 to 50 nm is particularly preferable. The projected image uses the image
The pattern irradiated onto the wafer W is determined by a
露光時の照明光として使用するEUV光は大気に対する透過性が低いので、EUV光が通過する光経路は、適当な真空ポンプ73を用いて真空に保たれた本体チャンバ21に囲まれている。またEUV光はレーザプラズマX線源によって生成される。レーザプラズマX線源はレーザ源108(励起光源として作用)とキセノンガス供給装置109からなっている。レーザプラズマX線源は真空チャンバ110によって取り囲まれている。レーザプラズマX線源によって生成されたEUV光は真空チャンバ110の窓111を通過する。
Since EUV light used as illumination light at the time of exposure has low permeability to the atmosphere, the light path through which the EUV light passes is surrounded by the
放物面ミラー113は、キセノンガス放出部の近傍に配置されている。放物面ミラー113はプラズマによって生成されたEUV光を集光する。放物面ミラー113は集光光学系を構成し、ノズル112からのキセノンガスが放出される位置の近傍に焦点位置がくるように配置されている。EUV光は放物面ミラー113の多層膜で反射し、真空チャンバ110の窓111を通じて集光ミラー114へと達する。集光ミラー114は反射型のレチクル13へとEUV光を集光、反射させる。EUV光は集光ミラー114で反射され、レチクル13の所定の部分を照明する。すなわち、放物面ミラー113と集光ミラー114はこの装置の照明システムを構成する。
The
レチクル13は、EUV光を反射する多層膜とパターンを形成するための吸収体パターン層を持っている。レチクル13でEUV光が反射されることによりEUV光は「パターン化」される。パターン化されたEUV光は投影システム101を通じてウエハWに達する。
この実施形態の像光学システム101は、凹面第1ミラー115a、凸面第2ミラー115b、凸面第3ミラー115c、凹面第4ミラー115dの4つの反射ミラーからなっている。各ミラー115a〜115dにはEUV光を反射する多層膜が備えられている。
The
The image
レチクル13により反射されたEUV光は第1ミラー115aから第4ミラー115dまで順次反射されて、レチクルパターンの縮小(例えば、1/4、1/5、1/6)された像を形成する。像光学系システム101は、像の側(ウエハWの側)でテレセントリックになるようになっている。
レチクル13は可動のレチクルステージ15によって少なくともX−Y平面内で支持されている。ウエハWは、好ましくはX,Y,Z方向に可動なウエハステージ105によって支持されている。ウエハW上のダイを露光するときには、EUV光が照明システムによりレチクル13の所定の領域に照射され、レチクル13とウエハWは像光学系システム101に対して像光学システム101の縮小率に従った所定の速度で動く。このようにして、レチクルパターンはウエハW上の所定の露光範囲(ダイに対して)に露光される。
The EUV light reflected by the
The
露光の際には、ウエハW上のレジストから生じるガスが像光学システム101のミラー115a〜115dに影響を与えないように、ウエハWはパーティション116の後ろに配置されることが望ましい。パーティション116は開口116aを持っており、それを通じてEUV光がミラー115dからウエハWへと照射される。パーティション116内の空間は真空ポンプ117により真空排気されている。このように、レジストに照射することにより生じるガス状のゴミがミラー115a〜115dあるいはレチクル13に付着するのを防ぐ。それゆえ、これらの光学性能の悪化を防いでいる。
During exposure, the wafer W is preferably disposed behind the
この実施形態の露光装置では、レチクルチャック11へのレチクル13の着脱を迅速に行うことができるため、スループットを向上することができる。
(実施形態の補足事項)
以上、本発明を上記の実施形態によって説明してきたが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、以下のような形態でも良い。
In the exposure apparatus of this embodiment, since the
(Supplementary items of the embodiment)
As mentioned above, although this invention has been demonstrated by said embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the said embodiment. For example, the following forms may be used.
(1)上述した実施形態では、貫通穴11b,13bを、レーシングトラック状にした例について説明したが、例えば、長方形形状あるいは長楕円形状等の偏平状にしても良い。
(2)上述した実施形態では、レチクルチャック11およびレチクル13に貫通穴11b,13bを形成した例について説明したが、貫通穴を形成することなく止まり穴を形成し、止まり穴に電磁石または永久磁石を収容しても良い。
(1) In the above-described embodiment, the example in which the through holes 11b and 13b are formed in a racing track shape has been described. However, the through holes 11b and 13b may have a flat shape such as a rectangular shape or an elliptical shape.
(2) In the above-described embodiment, the example in which the through holes 11b and 13b are formed in the
(3)上述した実施形態では、電磁石17を、鉄心21の外側にコイル23を巻回して構成した例について説明したが、鉄心21を配置することなくコイル23のみで構成しても良い。
(4)上述した実施形態では、EUV光を用いた露光装置の例を説明したが、その他、荷電粒子線、i線、g線、KrF、ArF、F2等を用いた露光装置にも勿論適用することができる。
(3) In the above-described embodiment, the example in which the
(4) In the above-described embodiment, an example of an exposure apparatus using EUV light has been described. Of course, the present invention can also be applied to an exposure apparatus using charged particle beams, i-rays, g-rays, KrF, ArF, F2, etc. can do.
11,11A,11B…レチクルチャック、11a…吸着面、11d…凹部、13,13A…レチクル、13d…凹部、17…電磁石、19…永久磁石、21…鉄心、23…コイル、25…電源制御部、29A,29B…内部電極。
DESCRIPTION OF
Claims (12)
前記レチクルに埋設される永久磁石を吸着する電磁石を有することを特徴とするレチクルチャック。 In the reticle chuck that attracts the reticle to the adsorption surface,
A reticle chuck comprising an electromagnet for attracting a permanent magnet embedded in the reticle.
前記吸着面に凹部を形成し、前記凹部の内側に前記電磁石を埋設してなることを特徴とするレチクルチャック。 The reticle chuck according to claim 1,
A reticle chuck comprising: a concave portion formed in the attraction surface; and the electromagnet embedded in the concave portion.
前記電磁石は、偏平形状をしていることを特徴とするレチクルチャック。 The reticle chuck according to claim 1 or 2,
The reticle chuck according to claim 1, wherein the electromagnet has a flat shape.
前記レチクルを前記吸着面に吸着する静電チャック機能を有することを特徴とするレチクルチャック。 The reticle chuck according to any one of claims 1 to 3,
A reticle chuck having an electrostatic chuck function for attracting the reticle to the attracting surface.
前記吸着面を下にして用いられることを特徴とするレチクルチャック。 The reticle chuck according to any one of claims 1 to 4,
A reticle chuck characterized by being used with the suction surface down.
前記レチクルチャックに埋設される電磁石に吸着される永久磁石を有することを特徴とするレチクル。 In the reticle that is attracted to the attracting surface of the reticle chuck,
A reticle having a permanent magnet attracted to an electromagnet embedded in the reticle chuck.
前記レチクルの前記吸着面側に凹部を形成し、前記凹部の内側に前記永久磁石を埋設してなることを特徴とするレチクル。 The reticle according to claim 6, wherein
A reticle, wherein a concave portion is formed on the side of the attracting surface of the reticle, and the permanent magnet is embedded inside the concave portion.
前記永久磁石は、偏平形状をしていることを特徴とするレチクル。 Reticle according to claim 6 or claim 7,
The reticle is characterized in that the permanent magnet has a flat shape.
前記レチクルチャックに電磁石を埋設するとともに、前記レチクルに永久磁石を埋設してなることを特徴とするレチクルの吸着構造。 In the reticle adsorption structure that adsorbs the reticle to the adsorption surface of the reticle chuck,
An reticle attracting structure, wherein an electromagnet is embedded in the reticle chuck, and a permanent magnet is embedded in the reticle.
前記電磁石は、鉄心の外側にコイルを巻回してなることを特徴とするレチクルの吸着構造。 Reticle adsorption structure according to claim 9,
2. The reticle attracting structure according to claim 1, wherein the electromagnet is formed by winding a coil around an iron core.
前記レチクルチャックは、静電チャックであることを特徴とするレチクルの吸着構造。 In the reticle adsorption structure according to claim 9 or 10,
The reticle chucking structure is characterized in that the reticle chuck is an electrostatic chuck.
An exposure apparatus comprising the reticle chuck according to any one of claims 1 to 5.
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