JP2008159706A - Light-emitting device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、LEDチップ(発光ダイオードチップ)を利用した発光装置に関するものである。 The present invention relates to a light emitting device using an LED chip (light emitting diode chip).
従来から、LEDチップとLEDチップから放射された光によって励起されてLEDチップとは異なる発光色の光を放射する蛍光体とを組み合わせ所望の混色光(例えば、白色光)を得るようにした発光装置の研究開発が各所で行われている(例えば、特許文献1参照)。 Conventionally, light emission in which a desired mixed color light (for example, white light) is obtained by combining an LED chip and a phosphor that emits light of a light emission color different from that of the LED chip when excited by light emitted from the LED chip. Research and development of the apparatus is performed in various places (for example, refer to Patent Document 1).
ここにおいて、上記特許文献1には、図4に示すように、LEDチップ10’と、LEDチップ10’が実装された実装基板20’と、LEDチップ10’に重ねて配置された凸レンズ状の光学部材(光取出し増大部)140’と、LEDチップ10’から放射される可視光によって励起されてLEDチップ10’の発光色とは異なる色の可視光を放射する粒子状の蛍光体および透光性材料(例えば、シリコーン樹脂など)により形成され光学部材140’を覆うように実装基板20’に気密的に封着されたドーム状の色変換部材(波長変換部材)160’とを備えた発光装置1’が提案されている。ここで、実装基板20’は、LEDチップ10’および光学部材140’の一部を収納する収納凹所20a’が一表面に設けられており、収納凹所20a’内でLEDチップ10’がフリップチップ実装されている。また、図4に示した構成の発光装置1’は、実装基板20’の収納凹所20a’に収納されたLEDチップ10’を封止した封止樹脂からなる封止部50’を備えている。
ところで、図4に示した構成の発光装置1’では、色変換部材160’における蛍光体として赤色蛍光体と緑色蛍光体とを用いることにより、蛍光体として黄色蛍光体のみを用いる場合に比べて演色性の高い白色光を得ることができるが、緑色蛍光体から放射された緑色光の一部が赤色蛍光体に二次吸収されて赤色光に変換されるので、LEDチップ10’からの青色光を赤色蛍光体により直接赤色光に変換する場合に比べて赤色の発光効率が低くなるため、このような二次吸収を抑制することが望まれていた。
By the way, in the
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、発光色の異なる2種類の蛍光体のうち低波長側に発光ピーク波長を有する蛍光体から放射された可視光が長波長側に発光ピーク波長を有する蛍光体に二次吸収されるのを抑制することができ且つ光取り出し損失の増大を抑制可能な発光装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above reasons, and its purpose is to make visible light emitted from a phosphor having an emission peak wavelength on the low wavelength side of two types of phosphors having different emission colors a long wavelength. An object of the present invention is to provide a light emitting device capable of suppressing secondary absorption by a phosphor having an emission peak wavelength on the side and suppressing increase in light extraction loss.
請求項1の発明は、可視光を放射するLEDチップと、当該LEDチップが実装された実装基板と、実装基板におけるLEDチップの実装面側でLEDチップを封止した封止樹脂からなる封止部と、LEDチップから放射される可視光によって励起されてLEDチップよりも長波長の可視光を放射する第1の蛍光体および透光性材料により形成されたドーム状の第1色変換部と、LEDチップから放射される可視光によって励起されてLEDチップよりも長波長かつ第1の蛍光体よりも短波長の可視光を放射する第2の蛍光体および透光性材料により形成され第1色変換部の外側に位置するドーム状の第2色変換部とを備え、第1色変換部と第2色変換部とが一体化されてなることを特徴とする。
The invention of
この発明によれば、LEDチップから放射される可視光によって励起されてLEDチップよりも長波長の可視光を放射する第1の蛍光体および透光性材料により形成されたドーム状の第1色変換部と、LEDチップから放射される可視光によって励起されてLEDチップよりも長波長かつ第1の蛍光体よりも短波長の可視光を放射する第2の蛍光体および透光性材料により形成され第1色変換部の外側に位置するドーム状の第2色変換部とを備えていることにより、第1の蛍光体と第2の蛍光体との2種類の蛍光体のうち低波長側に発光ピーク波長を有する第2の蛍光体から放射された可視光が長波長側に発光ピーク波長を有する第1の蛍光体に二次吸収されるのを抑制することが可能となり、しかも、第1色変換部と第2色変換部とが一体化されているので、第1色変換部と第2色変換部との間に空気層が存在する場合に比べて光取り出し損失の増大を抑制することが可能となる。 According to this invention, the dome-shaped first color formed by the first phosphor that is excited by the visible light emitted from the LED chip and emits visible light having a wavelength longer than that of the LED chip and the translucent material. Formed by a converter, a second phosphor that is excited by visible light emitted from the LED chip, and emits visible light having a longer wavelength than the LED chip and a shorter wavelength than the first phosphor, and a translucent material And a dome-shaped second color conversion unit located outside the first color conversion unit, so that the lower wavelength side of the two types of phosphors of the first phosphor and the second phosphor It is possible to suppress the secondary absorption of the visible light emitted from the second phosphor having the emission peak wavelength at the second wavelength into the first phosphor having the emission peak wavelength on the long wavelength side. 1 color conversion unit and 2nd color conversion unit integrated Because it is, it is possible to suppress an increase in the light extraction loss as compared with the case where there is an air layer between the first color conversion unit and the second color conversion unit.
請求項2の発明は、請求項1の発明において、前記第2色変換部と前記第1色変換部とは一体成形されてなることを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the second color conversion unit and the first color conversion unit are integrally formed.
この発明によれば、前記第2色変換部と前記第1色変換部との間に、隙間が形成されるのを防止でき、光取り出し損失の増大をより確実に抑制することが可能となる。 According to this invention, it is possible to prevent a gap from being formed between the second color conversion unit and the first color conversion unit, and it is possible to more reliably suppress an increase in light extraction loss. .
請求項3の発明は、請求項1または請求項2の発明において、前記第1色変換部と前記封止部との間で前記封止部に密着し前記第1色変換部との間に空気層が形成される形で前記実装基板の前記実装面側に配設されたドーム状の光学部材を備えてなることを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect of the present invention, the first color conversion portion and the sealing portion are in close contact with the sealing portion and between the first color conversion portion. A dome-shaped optical member disposed on the mounting surface side of the mounting substrate in a form in which an air layer is formed is provided.
この発明によれば、前記第1色変換部中の前記第1の蛍光体で散乱された可視光や前記第1の蛍光体から放射された可視光が前記封止部へ戻るのを抑制することができ、外部への光取り出し効率を向上できる。 According to this invention, visible light scattered by the first phosphor in the first color conversion unit and visible light emitted from the first phosphor are prevented from returning to the sealing unit. The light extraction efficiency to the outside can be improved.
請求項1の発明では、発光色の異なる第1の蛍光体と第2の蛍光体との2種類の蛍光体のうち低波長側に発光ピーク波長を有する第2蛍光体から放射された可視光が長波長側に発光ピーク波長を有する第1の蛍光体に吸収されるのを抑制することが可能になるという効果がある。 According to the first aspect of the present invention, visible light emitted from a second phosphor having a light emission peak wavelength on the lower wavelength side of the two types of phosphors of the first phosphor and the second phosphor having different emission colors. Can be suppressed from being absorbed by the first phosphor having the emission peak wavelength on the long wavelength side.
(実施形態1)
本実施形態の発光装置1は、図1に示すように、可視光を放射するLEDチップ10と、当該LEDチップ10が実装された実装基板20と、実装基板20におけるLEDチップ10の実装面側でLEDチップ10を封止した封止樹脂からなる封止部50と、LEDチップ10から放射される可視光によって励起されてLEDチップ10よりも長波長の可視光を放射する第1の蛍光体および透光性材料により形成されたドーム状の第1色変換部61と、LEDチップ10から放射される可視光によって励起されてLEDチップ10よりも長波長かつ第1の蛍光体よりも短波長の可視光を放射する第2の蛍光体および透光性材料により形成され第1色変換部61の外側に位置するドーム状の第2色変換部62とを備えている。
(Embodiment 1)
As shown in FIG. 1, the
本実施形態の発光装置1では、LEDチップ10として、青色光を放射するGaN系青色LEDチップを用い、第1色変換部61の第1の蛍光体として、LEDチップ10から放射された青色光によって励起されて赤色光を放射する粒子状の赤色蛍光体を用い、第2色変換部62の第2の蛍光体として、LEDチップ10から放射された青色光によって励起されて緑色光を放射する粒子状の緑色蛍光体を用いており、LEDチップ10から放射され封止部50および第1色変換部61および第2色変換部62を透過した青色光と、第1色変換部61の赤色蛍光体から放射され第2色変換部62を透過した赤色光と、第2色変換部62の緑色蛍光体から放射された緑色光との混色光からなる白色光を得ることができる。
In the
LEDチップ10は、厚み方向の一表面側(図1における下面側)にアノード電極(図示せず)が形成されるとともに、厚み方向の他表面側(図1における上面側)にカソード電極(図示せず)が形成されており、上記他表面側を光取り出し面11側としているが、側面からも青色光が放射される。ここにおいて、アノード電極およびカソード電極は、下層側のNi膜と上層側のAu膜との積層膜により構成されている。
The
実装基板20は、LEDチップ10が一表面側に搭載されるサブマウント部材30と、熱伝導性材料により形成されサブマウント部材30が一面側の中央部に固着される矩形板状の伝熱板21と、伝熱板21の一面側(図1における上面側)に例えばポリオレフィン系の固着シート(図示せず)を介して固着される矩形板状のフレキシブルプリント配線板により形成され中央部にサブマウント部材30を露出させる矩形状の窓孔24を有する配線基板22とで構成されている。したがって、LEDチップ10で発生した熱が配線基板22を介さずにサブマウント部材30および伝熱板21に伝熱されるようになっている。
The
上述の伝熱板21は、Cuからなる金属板21aを基礎とし、当該金属板21aの厚み方向の両面にAu膜からなるコーティング膜21bが形成されている。
The
一方、配線基板22は、ポリイミドフィルムからなる絶縁性基材22aの一表面側に、LEDチップ10への給電用の一対の配線パターン23,23が設けられるとともに、各配線パターン23,23および絶縁性基材22aにおいて配線パターン23,23が形成されていない部位を覆う白色系の樹脂からなるレジスト層26が積層されている。ここにおいて、LEDチップ10は、上記カソード電極がボンディングワイヤ14を介して一方の配線パターン23と電気的に接続され、上記アノード電極がサブマウント部材30の電極パターン31およびボンディングワイヤ14を介して他方の配線パターン23と電気的に接続されている。なお、各配線パターン23,23は、絶縁性基材22aの外周形状の半分よりもやや小さな外周形状に形成されている。また、絶縁性基材22aの材料としては、FR4、FR5、紙フェノールなどを採用してもよい。
On the other hand, the
レジスト層26は、配線基板22の窓孔24の近傍において各配線パターン23,23の2箇所が露出し、配線基板22の周部において各配線パターン23,23の1箇所が露出するようにパターニングされており、各配線パターン23,23は、配線基板22の窓孔24近傍において露出した部位が、ボンディングワイヤ14が接続される端子部23aを構成し、配線基板22の周部において露出した円形状の部位が外部接続用の電極部23bを構成している。なお、配線基板22の配線パターン23,23は、Cu膜とNi膜とAu膜との積層膜により構成され、最上層がAu膜となっている。
The
また、サブマウント部材30は、熱伝導率が比較的高く且つ電気絶縁性を有するAlNにより形成されており、平面サイズをLEDチップ10のチップサイズよりも大きく設定してあり、伝熱板21とLEDチップ10との線膨張率差に起因してLEDチップ10に働く応力を緩和する応力緩和機能と、LEDチップ10で発生した熱を伝熱板21においてLEDチップ10のチップサイズよりも広い範囲に伝熱させる熱伝導機能とを有している。したがって、本実施形態の発光装置1では、LEDチップ10と伝熱板21との線膨張率差に起因してLEDチップ10に働く応力を緩和することができるとともに、LEDチップ10で発生した熱をサブマウント部材30および伝熱板21を介して効率良く放熱させることができる。
The
本実施形態では、サブマウント部材30の材料として熱伝導率が比較的高く且つ絶縁性を有するAlNを採用しているが、サブマウント部材30の材料はAlNに限らず、例えば、複合SiC、Siなどを採用してもよい。また、サブマウント部材30の一表面側には、LEDチップ10におけるサブマウント部材30側の電極である上記アノード電極と接合される上述の電極パターン31が形成され、当該電極パターン31の周囲にLEDチップ10の側面から放射された光を反射する反射膜32が形成されている。したがって、LEDチップ10の側面から放射された可視光がサブマウント部材30に吸収されるのを防止することができ、外部への光取出し効率をさらに高めることが可能となる。ここにおいて、電極パターン31は、Auを主成分とするAuとSnとの合金(例えば、80Au−20Sn、70Au−30Snなど)により形成されている。また、反射膜32は、Alにより形成されているが、Alに限らず、Ag,Ni,Auなどにより形成してもよい。
In the present embodiment, AlN having a relatively high thermal conductivity and insulating properties is adopted as the material of the
また、本実施形態の発光装置1では、サブマウント部材30の厚み寸法を、当該サブマウント部材30の表面が配線基板22のレジスト層26の表面よりも伝熱板21から離れるように設定してあり、LEDチップ10から側方に放射された光が配線基板22の窓孔24の内周面を通して配線基板22に吸収されるのを防止することができる。
In the
上述の封止部50の材料である封止樹脂としては、シリコーン樹脂を用いているが、シリコーン樹脂に限らず、例えばエポキシ樹脂などを用いてもよい。
As the sealing resin that is the material of the sealing
第1色変換部61は、シリコーン樹脂のような透光性材料にLEDチップ10から放射された青色光によって励起されて赤色光を放射する粒子状の赤色蛍光体を分散させた混合材料を用いてドーム状に形成されている。ここで、本実施形態では、第1色変換部61の透光性材料としてシリコーン樹脂を採用しているので、第1色変換部61と封止部50との屈折率差および線膨張率差を小さくすることができる。なお、封止部50の材料がエポキシ樹脂の場合には、第1色変換部61もエポキシ樹脂により形成することが好ましい。
The first
また、第2色変換部62は、シリコーン樹脂のような透光性材料にLEDチップ10から放射された青色光によって励起されて緑色光を放射する粒子状の緑色蛍光体を分散させた混合材料を用いて第1色変換部61よりも大きなドーム状に形成されている。
The second
なお、第1色変換部61および第2色変換部62の材料として用いる透光性材料は、シリコーン樹脂に限らず、例えば、アクリル樹脂、ガラス、有機成分と無機成分とがnmレベルもしくは分子レベルで混合、結合した有機・無機ハイブリッド材料などを採用してもよい。また、第1色変換部61および第2色変換部62は、それぞれ肉厚が一様となるように形成されている。また、第1色変換部61および第2色変換部62は、実装基板20側の端縁(開口部の周縁)を実装基板20に対して、例えば接着剤(例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など)を用いて固着すればよい。
In addition, the translucent material used as the material of the first
以上説明した本実施形態の発光装置1では、LEDチップから放射される青色光によって励起されてLEDチップ10よりも長波長の赤色光を放射する赤色蛍光体および透光性材料により形成されたドーム状の第1色変換部61と、LEDチップ10から放射される青色光によって励起されてLEDチップ10よりも長波長かつ赤色蛍光体よりも短波長の緑色光を放射する緑色蛍光体および透光性材料により形成され第1色変換部61の外側に位置するドーム状の第2色変換部62とを備えていることにより、赤色蛍光体と緑色蛍光体との2種類の蛍光体のうち低波長側に発光ピーク波長を有する緑色蛍光体から放射された緑色光が長波長側に発光ピーク波長を有する赤色蛍光体に二次吸収されるのを抑制することが可能となる。しかも、本実施形態の発光装置1では、第1色変換部61と第2色変換部62とが一体化されているので、図2に示すように封止部50が内側に形成されるドーム状の光学部材40と第1色変換部61と第1色変換部61との間に空気層70が形成されるとともに、第1色変換部61と第2色変換部62との間に空気層80が形成されている場合に比べて、光取り出し損失の増大を抑制することが可能となる。
In the
ここにおいて、本実施形態の発光装置1では、第2色変換部62と第1色変換部61とが一体成形されているので、第2色変換部62と第1色変換部61との間に隙間が形成されるのを防止でき、光取り出し損失の増大をより確実に抑制することが可能となる。なお、第1色変換部61と第2色変換部62とは透明な接着剤(例えば、シリコーン樹脂など)を用いて一体化してもよく、この場合には、製造時に、あらかじめ第2の蛍光体の濃度が異なる複数種類の第2色変換部62を用意しておき、第2色変換部62を第1色変換部61に接着する前に、第1色変換部61を通して出射される混色光を検出して当該検出結果に応じて適宜濃度の第2色変換部62を第1色変換部61に接着するようにすれば、発光装置1ごとの色ばらつきを低減できる。また、本実施形態の発光装置1では、第2色変換部62において緑色蛍光体を含有している透光性材料(媒質)の屈折率が第1色変換部61において赤色蛍光体を含有している透光性材料(媒質)の屈折率よりも大きくなるように、第1色変換部61および第2色変換部62それぞれの透光性材料(本実施形態では、シリコーン樹脂)を選定すれば、第2色変換部62の緑色蛍光体から放射された緑色光が第1色変換部61中へ入射するのを抑制することができる。
Here, in the
(実施形態2)
本実施形態の発光装置1の基本構成は実施形態1と略同じであって、図3に示すように、第1色変換部61と封止部50との間で封止部50に密着し第1色変換部61との間に空気層70が形成される形で実装基板20の上記実装面側に配設されたドーム状の光学部材40を備えている点が相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
(Embodiment 2)
The basic configuration of the
光学部材40は、透光性材料(例えば、シリコーン樹脂など)の成形品であってドーム状に形成されている。ここで、本実施形態では、光学部材40をシリコーン樹脂により形成してあるので、光学部材40と封止部50との屈折率差および線膨張率差を小さくすることができる。なお、封止部50の材料がエポキシ樹脂の場合には、光学部材40もエポキシ樹脂により形成することが好ましい。
The
しかして、本実施形態の発光装置1では、第1色変換部61中の赤色蛍光体で散乱された青色光や赤色蛍光体から放射された赤色光が封止部50へ戻るのを抑制することができ、外部への光取り出し効率を向上できる。
Therefore, in the
なお、上記各実施形態では、LEDチップ10から放射される可視光を青色光、第1色変換部61における第1の蛍光体から放射される可視光を赤色光、第2色変換部62における第2の蛍光体から放射される可視光を緑色光とした場合について例示したが、各可視光の色は特に限定するものではない。
In each of the above embodiments, visible light emitted from the
1 発光装置
10 LEDチップ
11 光取り出し面
20 実装基板
40 光学部材
50 封止部
61 第1色変換部
62 第2色変換部
70 空気層
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Cited By (3)
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008166782A (en) * | 2006-12-26 | 2008-07-17 | Seoul Semiconductor Co Ltd | Light-emitting element |
KR101363116B1 (en) | 2011-06-28 | 2014-02-13 | 가부시키가이샤 고이토 세이사꾸쇼 | Planar light-emitting module |
WO2013097736A1 (en) * | 2011-12-30 | 2013-07-04 | 大连路明发光科技股份有限公司 | Color light emitting module and light source |
CN104169634A (en) * | 2011-12-30 | 2014-11-26 | 大连路明发光科技股份有限公司 | Color light emitting module and light source |
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