JP2008015341A - Pattern correction method and device - Google Patents
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Abstract
Description
この発明はパターン修正方法およびパターン修正装置に関し、特に、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法およびパターン修正装置に関する。より特定的には、この発明は、フラットパネルディスプレイの製造工程において発生する電極のオープン欠陥を修正するパターン修正方法およびパターン修正装置に関する。 The present invention relates to a pattern correction method and a pattern correction apparatus, and more particularly to a pattern correction method and a pattern correction apparatus for correcting a defective portion of a fine pattern formed on a substrate. More specifically, the present invention relates to a pattern correction method and a pattern correction device for correcting an open defect of an electrode that occurs in a manufacturing process of a flat panel display.
近年、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、ELディスプレイなどのフラットパネルディスプレイの大型化、高精細化に伴い、ガラス基板上に形成された電極や液晶カラーフィルタなどに欠陥が存在する確率が高くなっており、歩留まりの向上を図るため欠陥を修正する方法が提案されている。 In recent years, with the increase in size and definition of flat panel displays such as plasma displays, liquid crystal displays, and EL displays, the probability of defects in electrodes and liquid crystal color filters formed on glass substrates has increased. A method for correcting a defect has been proposed in order to improve the yield.
たとえば、液晶ディスプレイのガラス基板の表面には電極が形成されている。この電極が断線している場合、塗布針先端に付着させた導電性の修正ペースト(修正液)を断線部に塗布し、電極の長さ方向に塗布位置をずらしながら複数回塗布して電極を修正する(たとえば、特許文献1参照)。 For example, electrodes are formed on the surface of a glass substrate of a liquid crystal display. If this electrode is disconnected, apply the conductive correction paste (correction solution) attached to the tip of the application needle to the disconnection part, and apply the electrode several times while shifting the application position in the length direction of the electrode. It corrects (for example, refer patent document 1).
また、欠陥部を覆うようにフィルムを設け、欠陥部とフィルムとをレーザ光を用いて略同時に除去し、除去した部分にフィルムをマスクとして修正インク(修正液)を塗布し、その後、フィルムを剥離除去する方法がある(たとえば、特許文献2,3参照)。
しかしながら、電極を修正する方法では、塗布針先端に導電性の修正ペーストを付着させ、断線部に修正ペーストを転写するため、その塗布径は塗布針先端の平坦面の寸法で決まり、10μm前後の塗布径を実現するのは困難であり、これを用いた細線形成も同様に難しかった。 However, in the method of correcting the electrode, the conductive correction paste is attached to the tip of the application needle, and the correction paste is transferred to the disconnected portion. Therefore, the application diameter is determined by the flat surface size of the tip of the application needle, and is about 10 μm. It was difficult to realize the coating diameter, and it was also difficult to form a thin line using this.
一方、フィルムをマスクとして使用する方法では、10μm前後の細線で電極断線部などを修正することが可能であるが、修正インクを孔に塗布した時点で、フィルムと基板との隙間に毛細管現象で修正インク、あるいは、その溶媒が吸い込まれ、基板を汚染することも考えられる。 On the other hand, in the method using a film as a mask, it is possible to correct the electrode disconnection portion with a thin wire of about 10 μm, but at the time when the correction ink is applied to the hole, a capillary phenomenon occurs in the gap between the film and the substrate. It is also conceivable that the correction ink or its solvent is sucked in and contaminates the substrate.
それゆえに、この発明の主たる目的は、10μm前後の細線で電極断線部などを修正することができ、かつ、欠陥部周辺の汚染が小さなパターン修正方法およびパターン修正装置を提供することである。 Therefore, a main object of the present invention is to provide a pattern correction method and a pattern correction apparatus that can correct an electrode disconnection portion or the like with a thin wire of about 10 μm and that has little contamination around a defect portion.
この発明に係るパターン修正方法は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部をフィルムで覆い、フィルムの孔を介して欠陥部に修正液を塗布するパターン修正方法において、フィルムの基板側表面に、孔を囲むようにして、修正液が毛細管現象によってフィルムと基板の間に広がるのを防止するための溝が形成されていることを特徴とする。 The pattern correction method according to the present invention is a pattern correction method in which a defect portion of a fine pattern formed on a substrate is covered with a film, and a correction liquid is applied to the defect portion through a hole in the film. A groove for preventing the correction liquid from spreading between the film and the substrate by capillary action is formed so as to surround the hole.
また、この発明に係る他のパターン修正方法は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法において、欠陥部に応じた形状の孔をフィルムに開けるとともに孔を囲むようにして溝を形成し、フィルムの溝側の表面を基板側に向け、欠陥部に孔を位置合わせして基板上にフィルムを配置し、孔を介して欠陥部に修正液を塗布し、修正液が毛細管現象によってフィルムと基板の間に広がるのを溝によって防止することを特徴とする。 Another pattern correction method according to the present invention is a pattern correction method for correcting a defect portion of a fine pattern formed on a substrate. In the pattern correction method, a hole having a shape corresponding to the defect portion is formed in the film and a groove is formed so as to surround the hole. The film groove side of the film is directed to the substrate side, the hole is aligned with the defective portion, the film is placed on the substrate, the correction liquid is applied to the defective portion through the hole, and the correction liquid is capillary The groove is prevented from spreading between the film and the substrate due to the phenomenon.
好ましくは、溝はリング状に形成されている。
また好ましくは、フィルムの上方からレーザ光を照射してフィルムに孔および溝を形成した後、フィルムの表裏を反転させてフィルムの溝側の表面を基板側に向ける。
Preferably, the groove is formed in a ring shape.
Preferably, after forming holes and grooves in the film by irradiating laser light from above the film, the front and back of the film are reversed so that the groove side surface of the film faces the substrate side.
また好ましくは、溝と孔との間には隔壁が存在する。
また好ましくは、孔と欠陥部とを隙間を開けて対峙させ、孔を含む所定の範囲でフィルムを基板に押圧して孔を介して欠陥部に修正液を塗布し、フィルムの復元力でフィルムを基板から剥離させる。
Preferably, a partition wall exists between the groove and the hole.
Preferably, the hole and the defective portion are opposed to each other with a gap, the film is pressed against the substrate within a predetermined range including the hole, and the correction liquid is applied to the defective portion through the hole, and the film is restored by the restoring force of the film. Is peeled from the substrate.
また好ましくは、フィルムの基板側の表面に凹部を形成し、凹部内に孔および溝を形成し、孔と欠陥部とを位置合わせしてフィルムと基板を接触させることにより、孔と欠陥部とを隙間を開けて対峙させる。 Preferably, a recess is formed on the surface of the film on the substrate side, a hole and a groove are formed in the recess, the hole and the defect are aligned, and the film and the substrate are brought into contact with each other. With a gap.
また好ましくは、欠陥部の近傍にスペーサを配置し、孔を欠陥部に位置合わせしてフィルムをスペーサ上に配置することにより、孔と欠陥部とを隙間を開けて対峙させる。 Preferably, a spacer is disposed in the vicinity of the defect portion, the hole is aligned with the defect portion, and the film is disposed on the spacer so that the hole and the defect portion are opposed to each other with a gap.
また好ましくは、フィルムの基板側の表面に凹部を形成し、凹部内に孔および溝を形成し、欠陥部の近傍にスペーサを配置し、孔を欠陥部に位置合わせしてフィルムをスペーサ上に配置することにより、孔と欠陥部とを隙間を開けて対峙させる。 Preferably, a concave portion is formed on the surface of the film on the substrate side, holes and grooves are formed in the concave portion, a spacer is disposed in the vicinity of the defective portion, the hole is aligned with the defective portion, and the film is placed on the spacer. By arranging, the hole and the defective part are opposed to each other with a gap.
また、この発明に係るパターン修正装置は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部をフィルムで覆い、フィルムの孔を介して欠陥部に修正液を塗布するパターン修正装置において、フィルムの基板側表面に、孔を囲むようにして、修正液が毛細管現象によってフィルムと基板の間に広がるのを防止するための溝が形成されていることを特徴とする。 Moreover, the pattern correction apparatus according to the present invention is a pattern correction apparatus that covers a defective portion of a fine pattern formed on a substrate with a film and applies correction liquid to the defective portion through a hole in the film. A groove for preventing the correction liquid from spreading between the film and the substrate due to capillary action is formed on the surface so as to surround the hole.
この発明に係るパターン修正方法およびパターン修正装置では、フィルムの基板側表面において孔を囲むようにして、修正液が毛細管現象によってフィルムと基板の間に広がるのを防止するための溝が形成されている。したがって、10μm前後の細線で電極断線部などを修正することができ、かつ、欠陥部周辺が修正液によって汚染されるのを防止することができる。 In the pattern correction method and the pattern correction apparatus according to the present invention, grooves for preventing the correction liquid from spreading between the film and the substrate due to capillary action are formed so as to surround the hole on the substrate side surface of the film. Therefore, it is possible to correct an electrode disconnection portion or the like with a thin wire of about 10 μm, and to prevent the periphery of the defective portion from being contaminated by the correction liquid.
この発明に係るパターン修正方法では、フィルムに開けた孔の周りに一定幅の溝を全周に渡って形成し、溝を形成したフィルム面を基板に接触させた状態で孔を介して欠陥部に修正ペーストを塗布する。孔の周りに溝を形成することで、孔の周りにフィルムと基板とが接触しない領域を確保するので、毛細管現象でフィルムと基板の隙間に修正ペーストが吸い込まれても、この溝の外側には侵入しない。したがって、欠陥部の周辺が修正ペーストで汚染されるのを防止することができ、孔の形状と略同形状の微細パターンを得ることができる。 In the pattern correction method according to the present invention, a groove having a constant width is formed over the entire circumference around the hole formed in the film, and the defect portion is formed through the hole in a state where the film surface having the groove is in contact with the substrate. Apply corrective paste. By forming a groove around the hole, an area where the film and the substrate do not contact around the hole is secured, so even if correction paste is sucked into the gap between the film and the substrate due to capillary action, Does not invade. Therefore, it is possible to prevent the periphery of the defective portion from being contaminated with the correction paste, and a fine pattern having substantially the same shape as the hole can be obtained.
上記例では、フィルムを基板に接触させているが、少なくとも孔を含む微小範囲のフィルムと、欠陥部を含む微小範囲の基板とが接触しないように隙間を開けて対峙した状態で、孔の上方から塗布針等の塗布手段で修正ペーストを塗布しても構わない。この場合、修正ペーストが先端に付着した塗布針で孔を含む微小範囲を押すと、フィルムが変形して孔の周囲が欠陥部の周囲に接触する。接触時間は、フィルムに開けた孔を塗布針が押している間であり、修正ペーストがフィルムと基板との隙間に毛細管現象で流れる前に、塗布針をフィルムから上方に退避するように制御する。塗布針がフィルムから離れると、フィルムは元の状態に復元し、孔は欠陥部から離れる。孔の周囲が欠陥部の周囲に接触する時間はわずかであるので、基板が修正ペーストで汚染されることを防止することができる。したがって、溝の効果と合わせて、より安定した効果を得ることができる。以下、このパターン修正方法について図面を用いて詳細に説明する。 In the above example, the film is brought into contact with the substrate, but at the top of the hole in a state where the film is opposed to at least a minute range of the film including the hole and the minute range of the substrate including the defective portion. The correction paste may be applied by application means such as an application needle. In this case, when the microscopic range including the hole is pressed with the application needle having the correction paste attached to the tip, the film is deformed and the periphery of the hole comes into contact with the periphery of the defective portion. The contact time is while the application needle is pushing the hole opened in the film, and is controlled so that the application needle is retracted upward from the film before the correction paste flows into the gap between the film and the substrate by capillary action. When the application needle is separated from the film, the film is restored to the original state, and the hole is separated from the defective portion. Since the time for the periphery of the hole to contact the periphery of the defective portion is short, the substrate can be prevented from being contaminated with the correction paste. Therefore, a more stable effect can be obtained together with the effect of the groove. Hereinafter, this pattern correction method will be described in detail with reference to the drawings.
[実施の形態1]
図1(a)は、この発明の実施の形態1によるパターン修正方法を示す平面図であり、図1(b)は図1(a)のIB−IB線断面図である。図1(a)(b)において、このパターン修正方法では、基板1の上に孔3aの開いたフィルム3が配置される。基板1の表面には、図2に示すように、微細パターンである電極2が形成されており、電極2にはオープン欠陥部(断線部)2aが発生している。
[Embodiment 1]
1A is a plan view showing a pattern correction method according to
図1(a)(b)に戻って、このパターン修正方法では、欠陥部2aに応じた形状の孔3aの開いたフィルム3がマスクとして使用される。孔3aが欠陥部2aに位置合わせされた状態で、フィルム3が基板1の上面に接触するように配置される。フィルム3は、たとえば薄膜のポリイミドフィルムであり、その幅はマスクとして使用するのに十分な幅があれば良く、たとえば、5mm〜15mm程度にスリットしたロール状フィルムを使用する。フィルム3の厚さFtは、その下が透けて見える程度のものが好ましく、たとえば10〜25μm程度である。
Referring back to FIGS. 1A and 1B, in this pattern correction method, the
孔3aの開口部は、たとえば、短軸長がSw、長軸長がSlの長方形状であり、欠陥部2aの両端に位置する正常な電極面2bにも修正ペーストを塗布できるように、孔3aは欠陥部2aよりも長く形成される。これにより、修正部の抵抗値の低減化、修正部の密着性の向上などの効果的が期待できる。
The opening of the
また図3にも示すように、フィルム3の基板1側のフィルム面3Pには、貫通した孔3aを囲むようにしてリング状の溝3bが形成されている。溝3bは孔3aとは少し離れた位置に形成され、溝3bと孔3aとの間には隔壁3cが残されている。たとえば、隔壁3cの幅W1は1〜5μmであり、溝3bの幅W2は5〜50μmであり、溝3bの深さD1はフィルム3の膜厚によるが、1〜5μm程度である。孔3aの周りに隔壁3cおよび溝3bを設けたので、孔3a内に修正ペーストを充填したとき、修正ペーストが広がる範囲は孔3aと隔壁3cを含む範囲、すなわち幅Sy=Sw+2×W1、長さSx=Sl+2×W1の範囲に限定される。
As shown in FIG. 3, a ring-
孔3aおよび溝3bは、フィルム3にレーザ光を照射することにより形成される。レーザとしては、YAG第3高調波レーザやYAG第4高調波レーザ、あるいはエキシマレーザなどのパルスレーザを用いる。たとえば、図4(a)に示すように、レーザ部4は観察光学系5の上部に固定され、レーザ部4から出射されたレーザ光は観察光学系5の下端に固定した対物レンズ6を介してフィルム3に照射される。孔3aは、たとえばレーザ部4に内蔵される可変スリット(図示せず)により整形され、対物レンズ6で集光されたレーザ光の断面形状になる。孔3aの形状および寸法は、可変スリットにより決定される。
The
なお、四角形状のスリットを用いて孔3aの周りをレーザ加工して溝3bを形成する場合、孔3aが四角であれば、その四辺を4回に分けて加工するので、重複して加工される領域が生じ、重複部分は約2倍の深さになるので、溝3bがフィルム3を貫通しないように、フィルム3の膜厚を考慮の上、溝3bの深さD1を決める必要がある。
In addition, when the
フィルム3に孔3aを開ける工程は、欠陥部2aの位置から離れた位置で行なわれるか、あるいは、欠陥部2aにレーザ光が当たらないように、フィルム3単体で行なわれる。たとえば、フィルム3は、加工台7から上方に離れた位置で、左右に配置された固定ローラ8,9と、それらの間の上方に配置された固定ローラ10とにより、左右に折り返して上下に並行に張り渡された状態にされる。図4(a)の例では、固定ローラ9と10の間のフィルム3に上方からレーザ光を照射して孔3aおよび溝3bを形成する。加工台7の代わりに基板1の上で孔3aや溝3bを加工する場合には、レーザアブレーションにより発生するごみが基板1上に落下しないように遮蔽板11をフィルム3の下(上下に並行に張り渡されたフィルム3の間)に配置してもよい。
The step of opening the
フィルム3は図示しないフィルム供給リールから供給され、固定ローラ10,9,8を経由して図示しないフィルム巻き取りリールで回収される。これらは図示しないフィルム供給ユニットの主要部品となり、図示しないXYZステージにより、XYZ方向に移動可能とされる。また、フィルム供給ユニットに回転手段を持たせてあってもよい。
The
なお、加工台7は、フィルム3に孔3aを開ける際の加工領域であり、基板1とは異なる位置に配置されるが、省略することも可能である。また、図4(a)では、フィルム3が左右に折り返されていて、上方にあるフィルム3に孔3aを開ける際には、少し距離を置いてその下方にもフィルム3が存在するので、下方にあるフィルム3が遮蔽板11の代用として使用可能な場合には、遮蔽板11は省略可能である。
The processing table 7 is a processing region when the
孔3aおよび溝3bの形成が終了した時点では、フィルム3のレーザ加工面3Pには、レーザアブレーションした際に発生したごみが飛散している。ごみの除去のため、孔3aを中心として、その周りの広い範囲を弱いパワーでレーザ光を照射する工程を入れてもよい。このとき、YAG第2高調波レーザに切り替えて、弱いレーザパワーで孔3aを中心とする広い範囲を照射すれば、ごみのみを除去することも可能であり、新たにごみが発生することを防止することができる。レーザ部4としては、孔3aを開けるためのレーザ光と、ごみを除去するためのレーザ光の2種類のレーザ光のうちのいずれかのレーザ光を選択的に出射できるものを使用するとよい。
At the time when the formation of the
このように、欠陥部2aにフィルム3を付着、あるいは密着した状態でレーザ光による孔3aの加工を行わないので、電極2や欠陥部2aの近傍を損傷することはない。また、フィルム3を浮かした状態で孔3aを開けるので、フィルム3の裏面にゴミが付着することを抑制することができる。
Thus, since the
次に、図4(b)に示すように、フィルム3をR方向に巻き取り(図では右回転)、レーザ加工したフィルム面3Pが下に向くようにフィルム3を反転させる。次いで、画像処理結果に基づいて基板1に対してフィルム3を相対移動させ、孔3aと欠陥部2aを位置合わせして基板1とフィルム3が対峙した状態にする。次に、図1(a)(b)で示したように、フィルム3を下降させて基板1に接触した状態とする。この工程は手動で行なっても構わない。このとき、フィルム3の張力を緩めてフィルム3をU字状に垂らした状態で、基板1にフィルム3を接触(付着)させてもよい。
Next, as shown in FIG. 4B, the
次に、塗布手段により修正ペースト13を欠陥部2aに塗布する。塗布手段としては、たとえば、図5に示すように塗布針12が用いられる。塗布針12の先端部は尖っているが、その先端は平坦に加工されている。塗布針12先端の平坦面12aの直径は、たとえば、30〜70μm程度あり、孔3aの大きさに合わせて最適な直径のものを選択して使用する。孔3aの開口部が平坦面12aにすべて収まるような塗布針12を選択して使用するのが好ましい。このような塗布針12を使用すれば、1回の塗布動作で孔3a全体に修正ペースト13を充填することができる。
Next, the
塗布針12の平坦面12aの周りに修正ペースト13が付着した状態で、孔3aの略中央に塗布針12を上方から下降させると、欠陥部2aに修正ペースト13が充填される。塗布針12は、図示しないガイド(直動軸受)上を上下に進退可能にしたものであり、塗布針12を含む可動部の自重のみでフィルム3を押す。塗布針12がフィルム3に接触した後にさらに下降させようとしても、塗布針12はガイドに沿って上方に退避するので、塗布針12の平坦面12aは過負荷とならない。塗布針12の駆動手段は、図示しない制御手段によって時間管理されて制御される。
In a state where the
塗布針12が孔3aを含む微小範囲のフィルム3を押している時間は極短く、たとえば1秒以下である。修正ペースト13がフィルム3と基板1(欠陥部2a近傍)との隙間に毛細管現象で流入した場合であっても、フィルム3の溝3bにおいては基板1とフィルム3とが接触しないので、溝3bで修正ペースト7の流入は食い止められる。そのため、修正ペースト13が流れ込む範囲は、孔3aおよび隔壁3cを含む範囲、すなわち図1(a)(b)および図3で示した幅Sy、長さSxの範囲に限られる。
The time during which the
修正ペースト13の粘度が大きければ、基板1とフィルム3との隙間に毛細管現象で吸い込まれる可能性は低くなるが、逆に流動性が悪くなって、孔3a全体に入らないため、欠陥部2aに修正ペースト13が付着しないことも想定される。それに対して、この実施の形態1では、毛細管現象による修正ペースト13の吸い込みを、孔3aと溝3bの境界に設けた隔壁3cまでに留めることができるので、修正ペースト13の粘度は小さくても構わない。
If the viscosity of the
なお、1つの欠陥部2aを修正する際、1回の塗布で修正を完了する方が好ましい。その理由は、塗布回数が多くなると、孔3aに付着する修正ペースト13の量が多くなって、その分、フィルム3と基板1との隙間に修正ペースト13が吸い込まれる量が多くなる可能性が考えられるからである。ただし、複数回同じ位置に塗布することで修正層の膜厚を厚くすることも可能であり、使用する修正ペースト13の仕様に合わせて決めることが望ましい。
When correcting one
また、電極2の欠陥部2aを修正するための修正ペースト13としては、金、銀などの金属ナノ粒子を用いた金属ナノペーストや金属錯体溶液、金属コロイドを用いる。
Moreover, as the
次に図6に示すように、塗布針12を上方に退避させ、硬化ユニット14によって修正ペースト13の硬化処理を行なう。硬化ユニット14は、修正ペースト13の仕様に合わせて紫外線硬化処理、加熱硬化処理、あるいは乾燥処理を施す。次いでフィルム3を基板1から除去すれば、図7に示すように、欠陥部2aは、塗布針12による塗布形状よりも微細な修正層13A(パターン)で覆われ、修正が完了する。なお、必要があれば、その後、修正層13Aの加熱処理を行なってもよい。
Next, as shown in FIG. 6, the
この実施の形態1では、孔3aを囲むようにして溝3bを設けたので、塗布された修正ペースト13が基板1とフィルム3との隙間に毛細管現象で吸い込まれることも無く、孔3aよりも広い範囲に渡って基板1を汚染する心配もなくなる。
In the first embodiment, since the
なお、この実施の形態1では、塗布手段として塗布針12を用いたが、図8(a)に示すように、マイクロディスペンサ15を用いて修正ペースト13を孔3aに充填してもよいし、図8(b)に示すように、塗布ノズル16の先端を孔3aの一方端から他方端に移動させながら、霧状にした修正ペースト13を塗布ノズル16の先端から噴出して、修正ペースト13を欠陥部2aに塗布してもよい。修正ペースト13の厚みが不足する場合は、所望の厚みが得られるまで塗布ノズル16を往復動させればよい。また、図示しないが、インクジェットのようにノズルから修正ペースト13の液滴を孔3a内に飛ばして、修正ペースト13を欠陥部2aに塗布してもよい。
In the first embodiment, the
[実施の形態2]
図9は、この発明の実施の形態2によるパターン修正方法を示す断面図であって、図1(b)と対比される図である。図9を参照して、このパターン修正方法が実施の形態1のパターン修正方法と異なる点は、フィルム3と基板1が一定の隙間Gを開けて対峙される点である。
[Embodiment 2]
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a pattern correction method according to the second embodiment of the present invention, and is a view compared with FIG. Referring to FIG. 9, this pattern correction method is different from the pattern correction method of the first embodiment in that
たとえば、図4(b)に示した2つの固定ローラ8,9の間でフィルム3を一定の張力で張った状態で、フィルム3と基板1を対峙させる。隙間Gは、フィルム3を支持する支点(たとえば、固定ローラ8,9)の間隔やフィルム3の厚さによって異なるが、たとえば10〜1000μm程度に設定される。基板1の表面が凹凸形状の場合、基板1に対峙したフィルム3が、基板1とは接触しない程度の隙間Gを保ってもよいし、孔3aを含む微小範囲が、欠陥部2aと接触しないような隙間Gを保つようにしてもよい。
For example, the
修正ペースト13の塗布手段としては、実施の形態1と同様に、たとえば塗布針12が用いられる。塗布針12の平坦面12aの周りに修正ペースト13が付着した状態で、孔3aの略中央に塗布針12を上方から下降させると、図10に示すように、フィルム3が変形して孔3aの周りの微小範囲のフィルム3が欠陥部2aを含む範囲に付着し、欠陥部2aに修正ペースト13が充填される。
As the application means of the
孔3aを含む微小範囲のフィルム3が欠陥部2aを含む範囲に接触する時間は、塗布針12がフィルム3を押している間であり、修正ペースト13がフィルム3と基板1(欠陥部2a近傍)との隙間に毛細管現象で流れる前に、塗布針12を上方に退避させる。塗布針12がフィルム3から離れれば、フィルム3の弾性で元の状態に戻り、孔3aを含む微小範囲のフィルム3は欠陥部2aから離れる。そのため、フィルム3が基板1に接触する時間は極わずかである。
The time during which the
図11は、塗布針12を上方に退避させた状態を示す断面図である。図11において、フィルム3は基板1から離れた状態に復帰しており、欠陥部2aには、孔3aの形状と略同形状の修正層13Aが残る。また、余分に塗布された修正ペースト13はフィルム3の表面に残る。このように、孔3aの周りに溝3bを備えたフィルム3をマスクとして修正を行なうので、毛細管現象でフィルム3と基板1の隙間に修正ペースト13が吸い込まれても溝3bの外には侵入しない効果と相乗して、塗布針12による塗布形状よりも微細な修正層13A(パターン)を安定して得ることが可能となる。
FIG. 11 is a cross-sectional view showing a state where the
塗布された修正ペースト13には、修正ペースト13の仕様に合わせて紫外線硬化、加熱硬化処理、あるいは乾燥処理が施される。図11の状態で硬化処理を行なってもよいし、欠陥部2aの上方からフィルム3を除去した後で硬化処理を行なってもよい。
The applied
このような方法で欠陥部2aの修正を行なえば、塗布された修正ペースト13が基板1とフィルム3との隙間に毛細管現象で吸い込まれることも無く、孔3aよりも広い範囲に渡って基板1を汚染する心配もなくなる。また、塗布が終了した時点で、フィルム3は欠陥部2aや基板1から完全に離れているため、その後の工程でフィルム3を除去する際には、フィルム3が修正層13Aに接触して修正層13Aを崩す心配がない。
If the
フィルム3と基板1との隙間が数10μmのようにわずかな場合には、固定ローラ8が基板1に接触する可能性もあるため、固定ローラ8,9を上下動自在に保持する保持手段を設けてもよい。
When the gap between the
固定ローラ8,9が上下動自在に設けられている場合は、図12に示すように、固定ローラ8を小径部8aと大径部8bとが同軸上に配置された2段形状とし、小径部8aにフィルム3を接触させ、大径部8bを基板1に接触させる。固定ローラ9も固定ローラ8と同様に構成する。この場合、大径部8bと小径部8aとの半径差からフィルム3の膜厚を減算した寸法が隙間Gとなる。この方法によれば、フィルム3と基板1の隙間調整を容易に行なうことができる。
When the fixed
この実施の形態2では、基板1からフィルム3を浮かせた状態で配置し、フィルム3に開けた孔3aおよびその周囲を塗布針12で押している間だけ、フィルム3に開けた孔3aを含む微小範囲が欠陥部2aおよびその周辺の基板1に接触するため、基板1とフィルム3との隙間に修正ペースト13が侵入することを防止することができ、安定して孔3aの形状と略同じ形状の微細パターンを得ることができる。
In the second embodiment, the
以下、この実施の形態2の種々の変更例について説明する。図13の変更例では、フィルム3の基板1に接触する面に凹部3eが形成され、凹部3eの略中央に孔3aが形成され、凹部3e内において孔3aを囲むようにして溝3bが形成される。凹部3eの幅Wや深さDは、フィルム3が塗布時に変形して、孔3aを含む微小範囲のフィルム3が、欠陥部2aに付着可能な範囲に設定される。たとえば、12.5μm厚のフィルム3であれば、幅Wは100μm〜300μm前後、深さDは1μm〜5μm程度である。凹部3eは、予めフィルム3に加工してあってもよく、加工手段としては、レーザや、機械的な手段(たとえば金型の転写)を用いる。なお、凹部3eはフィルムの延在方向に連続して形成してもよいし、断続的に形成しても構わない。
Hereinafter, various modifications of the second embodiment will be described. In the modified example of FIG. 13, a
図14は、図13で示したフィルム3に孔3aおよび溝3bを形成した後で、孔3aを欠陥部2aに位置合わせしてフィルム3を基板1上に配置した状態を示している。このように、フィルム3の基板1に接する側に凹部3eを形成したので、フィルム3を基板1上に直接置くだけで、孔3aと欠陥部2aを一定の隙間を開けて対峙させることができる。この場合、フィルム3に一定の張力をかけないで、緩ました状態にあってもよい。なお、修正ペースト13の塗布方法は図10で示した方法と同じであるので、その説明は繰り返さない。この点は以下の変更例でも同じである。
FIG. 14 shows a state in which the
図15(a)は、この実施の形態の他の変更例を示す平面図であり、図15(b)は図15(a)のXVB−XVB線断面図である。この変更例では、フィルム3の基板1に接触する面の中央部に四角形の凹部3fが形成され、凹部3fの略中央に孔3aが形成され、凹部3f内において孔3aを囲むようにして溝3bが形成される。凹部3fの面積や深さは、塗布針12で塗布した際にフィルム3が変形して、孔3aを含む微小範囲のフィルム3が基板1の欠陥部2aの周囲に付着可能な範囲に設定される。凹部3fは、たとえば、レーザアブレーションにより図4(a)で示した方法で形成される。この他、金型の転写などの機械的方法でフィルム3に予め凹部3fを形成してあってもよい。
FIG. 15A is a plan view showing another modification of this embodiment, and FIG. 15B is a cross-sectional view taken along the line XVB-XVB in FIG. In this modification, a
図16は、この実施の形態のさらに他の変更例を示す断面図である。図16において、孔3aと欠陥部2aを一定の隙間を開けて対峙させることができるように、孔3aを持つフィルム3と基板1との間にスペーサ17を介在させている。スペーサ17としては、フィルム3と同じフィルムを用いてもよい。
FIG. 16 is a cross-sectional view showing still another modification of this embodiment. In FIG. 16, a
なお、図15(a)(b)の変更例と図16の変更例とを組み合わせ、基板1上にスペーサ17を配置し、凹部3fが形成されたフィルム3をスペーサ17の上に配置して、孔3aと欠陥部2aを一定の隙間を開けて対峙させてもよい。
15A and 15B and the modification example of FIG. 16 are combined, the
図17(a)は、この実施の形態のさらに他の変更例を示す平面図であり、図17(b)は図17(a)のXVIIB−XVIIB線断面図である。この変更例では、一定の間隔で孔18aが開いたフィルム18の上にフィルム3を重ねてフィルム19を構成する。フィルム3と18は、たとえば12.5μm厚のポリイミドフィルムとする。フィルム19は、たとえばロール状に巻かれる。孔18aは、プレス、レーザなどにより、欠陥部2aよりも十分に大きく形成されている。孔18aの略中央のフィルム3に孔3aおよび溝3bを形成し、孔3aを欠陥部2aに位置合わせしてフィルム18,3を基板1上に配置する。フィルム18がスペーサとなって孔3aと欠陥部2aは一定の隙間を開けて対峙される。この変更例では、図15(a)(b)で示した凹部3fを形成する必要がないので、凹部3fの形成時に発生するごみを無くすことができ、また、加工時間の短縮化を図ることができる。
FIG. 17A is a plan view showing still another modified example of this embodiment, and FIG. 17B is a cross-sectional view taken along line XVIIB-XVIIB in FIG. In this modified example, the
なお、以上の実施の形態1,2および変更例では、直線状の欠陥部2aを修正する場合について説明したが、L字形やコの字形などのように直線状以外の形状の欠陥部であっても、その欠陥部に応じた形状の孔3aをフィルム3に開ければ修正可能であることは言うまでもない。
In the above-described first and second embodiments and modified examples, the case where the
また、フィルム3の支持方法を図4(a)(b)に示したが、図18に示すように、基板1と略平行に張られ、上方に位置するフィルム3Bと、その下方に折り返して張られるフィルム3Aとが上下に重ならないように捻ってあってもよい。この場合、固定ローラ8と9は平行でなく、ある角度を持つ。こうすることで、フィルム3Aの上方にはフィルム3Bが存在しない部分ができるため、塗布手段との干渉を回避することができる。孔3aは、フィルム3Bの位置で加工された後で、フィルム3の巻き取りによってフィルム3Aの位置に移動するが、フィルム3の折り返し部で捻られているため、孔3aの回転が生じる。孔3aの回転は、孔3aの加工向きを補正するか、または、フィルム供給ユニットを回転することにより補正される。
4 (a) and 4 (b) show how to support the
その他、フィルム3を折り返すことなく、基板1側からレーザ加工するようにしてあっても構わない。
In addition, laser processing may be performed from the
また、以上のパターン修正方法によれば、細線パターンを容易に形成することができるので、たとえば、液晶パネルのTFT(薄膜トランジスタ)パネルの電極修正のように、10μm以下のパターン形成が必要な場所に応用できる。また、電極以外では、液晶カラーフィルタのブラックマトリックスは高精細化に伴い線幅が20μmを切っており、この修正にも適用が可能となる。 Further, according to the above pattern correction method, a thin line pattern can be easily formed. For example, in a place where pattern formation of 10 μm or less is required, such as electrode correction of a TFT (thin film transistor) panel of a liquid crystal panel. Can be applied. In addition to the electrodes, the black matrix of the liquid crystal color filter has a line width of less than 20 μm with higher definition, and can be applied to this correction.
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
1 基板、2 電極、2a オープン欠陥部、3,3A,3B,18 フィルム、3a,18a 孔、3b 溝、3c 隔壁、3e,3f 凹部、3P フィルム面、4 レーザ部、5 観察光学系、6 対物レンズ、7 加工台、8〜10 固定ローラ、8a 小径部、8b 大径部、11 遮蔽板、12 塗布針、12a 平坦面、13 修正ペースト、13A 修正層、14 硬化ユニット、15 マイクロディスペンサ、16 塗布ノズル、17 スペーサ。 1 substrate, 2 electrode, 2a open defect part, 3, 3A, 3B, 18 film, 3a, 18a hole, 3b groove, 3c partition, 3e, 3f recess, 3P film surface, 4 laser part, 5 observation optical system, 6 Objective lens, 7 processing table, 8-10 fixed roller, 8a small diameter part, 8b large diameter part, 11 shielding plate, 12 application needle, 12a flat surface, 13 correction paste, 13A correction layer, 14 curing unit, 15 micro dispenser, 16 coating nozzles, 17 spacers.
Claims (10)
前記フィルムの前記基板側表面に、前記孔を囲むようにして、前記修正液が毛細管現象によって前記フィルムと前記基板の間に広がるのを防止するための溝が形成されていることを特徴とする、パターン修正方法。 In the pattern correction method of covering the defect portion of the fine pattern formed on the substrate with a film and applying a correction liquid to the defect portion through the hole of the film,
A groove for preventing the correction liquid from spreading between the film and the substrate by capillary action is formed on the substrate side surface of the film so as to surround the hole. How to fix.
前記欠陥部に応じた形状の孔をフィルムに開けるとともに前記孔を囲むようにして溝を形成し、
前記フィルムの前記溝側の表面を前記基板側に向け、前記欠陥部に前記孔を位置合わせして前記基板上に前記フィルムを配置し、
前記孔を介して前記欠陥部に修正液を塗布し、
前記修正液が毛細管現象によって前記フィルムと前記基板の間に広がるのを前記溝によって防止することを特徴とする、パターン修正方法。 In a pattern correction method for correcting a defective portion of a fine pattern formed on a substrate,
A hole is formed in the film in a shape corresponding to the defect portion, and a groove is formed so as to surround the hole,
Directing the groove side surface of the film to the substrate side, aligning the holes in the defect and placing the film on the substrate;
Applying correction fluid to the defect through the hole,
The pattern correction method, wherein the groove prevents the correction liquid from spreading between the film and the substrate by capillary action.
前記孔を含む所定の範囲で前記フィルムを前記基板に押圧して前記孔を介して前記欠陥部に前記修正液を塗布し、
前記フィルムの復元力で前記フィルムを前記基板から剥離させることを特徴とする、請求項2から請求項5までのいずれかに記載のパターン修正方法。 The hole and the defective part are opposed to each other with a gap,
The film is pressed against the substrate in a predetermined range including the hole, and the correction liquid is applied to the defective portion through the hole.
The pattern correction method according to claim 2, wherein the film is peeled from the substrate by a restoring force of the film.
前記フィルムの前記基板側表面に、前記孔を囲むようにして、前記修正液が毛細管現象によって前記フィルムと前記基板の間に広がるのを防止するための溝が形成されていることを特徴とする、パターン修正装置。 In the pattern correction apparatus for covering the defect portion of the fine pattern formed on the substrate with a film and applying the correction liquid to the defect portion through the hole of the film,
A groove for preventing the correction liquid from spreading between the film and the substrate by capillary action is formed on the substrate side surface of the film so as to surround the hole. Correction device.
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