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JP2008004514A - Conductive paste, and manufacturing method of ceramic multilayer board using it - Google Patents

Conductive paste, and manufacturing method of ceramic multilayer board using it Download PDF

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JP2008004514A
JP2008004514A JP2006186224A JP2006186224A JP2008004514A JP 2008004514 A JP2008004514 A JP 2008004514A JP 2006186224 A JP2006186224 A JP 2006186224A JP 2006186224 A JP2006186224 A JP 2006186224A JP 2008004514 A JP2008004514 A JP 2008004514A
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Ryoji Nakamura
良二 中村
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide conductive paste suitable for forming an interlayer connection conductor provided for a ceramic multilayer board manufactured by using a so-called nonshrink process. <P>SOLUTION: This conductive paste contains an inorganic constituent and an organic constituent. In the conductive paste, the inorganic constituent contains silver powder, and additive powder containing alumina and/or anorthite; D<SB>050</SB>, D<SB>min</SB>and a specific surface area of the silver powder are 3-6 μm, not smaller than 1.5 μm and not larger than 0.3 m<SP>2</SP>/g, respectively; D<SB>050</SB>of the additive powder is not larger than 1.0 μm; the content of the silver powder is 85-95 wt.%; and the content of the additive powder is 0.2-1.0 wt.%. This conductive paste is advantageously used for forming non-sintered conductor patterns 3 and 4 formed in relation to a non-sintered ceramic base material layer 1 in a composite layered product 8 manufactured for obtaining a ceramic multilayer board. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

この発明は、銀粉末を含む導電性ペースト、および当該導電性ペーストを導体パターンの形成のために用いて実施されるセラミック多層基板の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a conductive paste containing silver powder, and a method for producing a ceramic multilayer substrate, which is carried out using the conductive paste for forming a conductor pattern.

ガラスセラミック多層基板は、ガラス成分およびセラミック成分を含む複数のガラスセラミック層を積層してなるガラスセラミック積層体と、このガラスセラミック積層体の表面や内部に形成された導体パターンとを有するものである。この導体パターンとしては、ガラスセラミック層の平面方向に延びる面内導体と、ガラスセラミック層を貫通するように延びる層間接続導体(代表的にはビアホール導体)とがある。   A glass ceramic multilayer substrate has a glass ceramic laminate formed by laminating a glass component and a plurality of glass ceramic layers containing the ceramic component, and a conductor pattern formed on the surface or inside of the glass ceramic laminate. . As this conductor pattern, there are an in-plane conductor extending in the plane direction of the glass ceramic layer and an interlayer connection conductor (typically a via hole conductor) extending so as to penetrate the glass ceramic layer.

一般に、このようなガラスセラミック多層基板は、半導体デバイスやチップ積層コンデンサ等の表面実装部品を搭載し、各表面実装部品を相互に配線するものである。また、ガラスセラミック多層基板には、キャパシタやインダクタのような受動部品が内蔵されることがあり、上述した面内導体や層間接続導体によって、これらの受動素子が構成され、また、必要に応じて、各表面実装部品と内蔵された受動素子とが接続される。   In general, such a glass-ceramic multilayer substrate mounts surface-mounted components such as semiconductor devices and chip multilayer capacitors, and interconnects each surface-mounted component. In addition, passive components such as capacitors and inductors may be built in the glass-ceramic multilayer substrate, and these passive elements are constituted by the above-mentioned in-plane conductors and interlayer connection conductors. Each surface mount component and the built-in passive element are connected.

ガラスセラミック多層基板をより多機能化、高機能化、高性能化するためには、上述した導体パターンを高精度かつ高密度に形成することが必要となる。   In order to make a glass ceramic multilayer substrate more multifunctional, highly functional, and high performance, it is necessary to form the above-described conductor pattern with high accuracy and high density.

ところで、ガラスセラミック多層基板を得るためには、ガラスセラミックグリーンシートを積層してなる未焼結セラミック積層体を焼成しなければならない。この焼成工程において、ガラスセラミックグリーンシートは、このグリーンシートに含まれる有機バインダの消失やセラミック粉末の焼結に伴って収縮するが、収縮は、特に大面積のセラミック多層基板においては、基板全体にて均一には生じにくく、そのため、ガラスセラミック多層基板の平面方向に関して、収縮ばらつきによる寸法誤差を生じることがある。   By the way, in order to obtain a glass ceramic multilayer substrate, an unsintered ceramic laminate formed by laminating glass ceramic green sheets must be fired. In this firing step, the glass ceramic green sheet shrinks with the disappearance of the organic binder contained in the green sheet or the sintering of the ceramic powder. Therefore, a dimensional error due to shrinkage variation may occur in the planar direction of the glass ceramic multilayer substrate.

その結果、導体パターンに不所望な変形や歪みが生じ、より具体的には、面内導体や層間接続導体の位置精度が低下したり、面内導体や層間接続導体において断線が生じたりすることがある。このような導体パターンに生じる変形や歪みは、導体パターンの高密度化を阻害する主な原因となっている。   As a result, undesired deformation or distortion occurs in the conductor pattern, and more specifically, the positional accuracy of the in-plane conductor and the interlayer connection conductor is lowered, and the in-plane conductor and the interlayer connection conductor are disconnected. There is. Such deformation and distortion in the conductor pattern are the main causes that hinder the high density of the conductor pattern.

そこで、たとえばセラミック多層基板を製造するにあたって、セラミック多層基板の平面方向における焼成収縮を実質的に生じさせない方法、いわゆる無収縮プロセスが提案されている(たとえば、特許文献1参照)。   Therefore, for example, in manufacturing a ceramic multilayer substrate, a so-called non-shrink process has been proposed that does not cause firing shrinkage in the plane direction of the ceramic multilayer substrate (see, for example, Patent Document 1).

この無収縮プロセスにおいては、Al等のセラミック粉末にホウ珪酸ガラス等のガラス粉末を混合してなるガラスセラミック粉末を主成分とする基板用ガラスセラミックグリーンシートが用意されるとともに、Al粉末を主成分とする補助層(収縮抑制層)用セラミックグリーンシートが用意される。そして、基板用ガラスセラミックグリーンシートに面内導体や層間接続導体が形成された後、これらを積層して、未焼結ガラスセラミック積層体を作製し、次いで、このガラスセラミック積層体の上下両主面上に補助層用セラミックグリーンシートを配置し、これらを圧着することによって、複合積層体が作製される。 In this non-shrinking process, a glass ceramic green sheet for a substrate mainly comprising glass ceramic powder obtained by mixing glass powder such as borosilicate glass with ceramic powder such as Al 2 O 3 is prepared, and Al 2 A ceramic green sheet for an auxiliary layer (shrinkage suppression layer) mainly composed of O 3 powder is prepared. Then, after in-plane conductors and interlayer connection conductors are formed on the glass ceramic green sheet for substrates, these are laminated to produce a green glass ceramic laminate, and then both the upper and lower main parts of this glass ceramic laminate An auxiliary layer ceramic green sheet is disposed on the surface, and these are pressure-bonded to produce a composite laminate.

このようにして得られた複合積層体は、各グリーンシート中に含まれる有機バインダ等の有機成分を除去するために熱処理され、次いで、ガラスセラミックグリーンシートが焼結する温度、すなわち、ガラスセラミック粉末が焼結する温度で焼成される。この焼成工程において、補助層用セラミックグリーンシートに含まれるAl粉末は実質的に焼結しないため、補助層用セラミックグリーンシートは、実質的に収縮せず、ガラスセラミック積層体の上下両主面に対して拘束力を及ぼす。このことから、ガラスセラミック積層体の平面方向の収縮が実質的に抑制され、ガラスセラミック積層体は、実質的に厚み方向にのみ収縮する。そして、焼成工程の後、補助層用セラミックグリーンシートに由来するAl粉末からなる多孔質層を除去することによって、焼結したガラスセラミック積層体、すなわちガラスセラミック多層基板が取り出される。 The composite laminate thus obtained is subjected to heat treatment to remove organic components such as an organic binder contained in each green sheet, and then the temperature at which the glass ceramic green sheet is sintered, that is, the glass ceramic powder. Is fired at a temperature for sintering. In this firing step, since the Al 2 O 3 powder contained in the ceramic green sheet for the auxiliary layer is not substantially sintered, the ceramic green sheet for the auxiliary layer is not substantially shrunk, and the upper and lower sides of the glass ceramic laminate are both upper and lower. A restraining force is exerted on the main surface. From this, the shrinkage | contraction of the plane direction of a glass-ceramic laminated body is suppressed substantially, and a glass-ceramic laminated body shrink | contracts substantially only in the thickness direction. After the firing step, by removing the porous layer of Al 2 O 3 powder from the ceramic green sheet for the auxiliary layer, a glass ceramic laminate formed by sintering, i.e. a glass ceramic multilayer substrate is taken out.

上述した無収縮プロセスによれば、平面方向に関して、積層されたガラスセラミックグリーンシートの寸法精度が維持されるため、不均一な変形がもたらされにくく、導体パターンの不所望な変形や歪みがもたらされにくくなり、高精度に形成された信頼性の高い導体パターンを有したガラスセラミック多層基板を得ることができる。   According to the non-shrink process described above, the dimensional accuracy of the laminated glass ceramic green sheets is maintained in the planar direction, so that non-uniform deformation is unlikely to occur, and undesired deformation or distortion of the conductor pattern is caused. Therefore, it is possible to obtain a glass ceramic multilayer substrate having a highly reliable conductor pattern which is difficult to be pulled down and formed with high accuracy.

しかしながら、上述した無収縮プロセスによれば、未焼結ガラスセラミック積層体は、その平面方向に実質的に収縮しない代わりに、厚み方向には大きく収縮する。したがって、面内導体や層間接続導体とガラスセラミックグリーンシートとの焼結挙動の違いにより、面内導体や層間接続導体の内部にボイドが発生したり、面内導体や層間接続導体とその周囲のガラスセラミック層部分との間に空隙が発生したり、さらには、面内導体や層間接続導体の周辺のガラスセラミック層部分にクラックが発生したり、あるいは、層間接続導体の端部がセラミック多層基板の表面から突出して、セラミック多層基板の表面に凸形状をもたらしたりする、という問題が発生することがある。   However, according to the above-described non-shrink process, the green glass ceramic laminate does not substantially shrink in the plane direction, but greatly shrinks in the thickness direction. Therefore, voids are generated inside the in-plane conductor or interlayer connection conductor due to the difference in sintering behavior between the in-plane conductor or interlayer connection conductor and the glass ceramic green sheet. An air gap is generated between the glass ceramic layer portion, a crack is generated in the glass ceramic layer portion around the in-plane conductor and the interlayer connection conductor, or the end portion of the interlayer connection conductor is a ceramic multilayer substrate. In some cases, the surface of the ceramic multi-layer substrate protrudes from the surface of the ceramic multi-layer substrate to form a convex shape.

上記の問題は、また、次のような問題を引き起こす。   The above problems also cause the following problems.

すなわち、面内導体や層間接続導体の内部にボイドが発生すると、面内導体や層間接続導体の比抵抗値が増加し、特に高周波帯域の信号の損失が大きくなって、半導体素子等の動作性が劣化することがある。   In other words, when voids are generated inside the in-plane conductors and interlayer connection conductors, the specific resistance values of the in-plane conductors and interlayer connection conductors increase, and in particular, the loss of signals in the high frequency band increases, resulting in the operability of semiconductor elements, etc. May deteriorate.

また、面内導体や層間接続導体の周囲に空隙やクラックが発生すると、ここからめっき時に水分が侵入し、この水分によって、面内導体や層間接続導体に含まれる導体成分が拡散し、導体成分(代表的には銀)のマイグレーションが発生することがある。   In addition, if voids or cracks occur around the in-plane conductor or interlayer connection conductor, moisture penetrates from here during plating, and this moisture diffuses the conductor component contained in the in-plane conductor or interlayer connection conductor. (Typically silver) migration may occur.

さらに、ボイドに水分が蓄積されてしまうと、めっき後に半導体素子やチップコンデンサ等をはんだで基板表面に実装するとき、はんだ溶融時のリフローによる熱で、蓄積された水分が蒸発し、蒸発した水分が溶融したはんだを吹き飛ばし、周辺の部品と短絡してしまう、いわゆる「はんだ爆ぜ」という問題が生じることがある。「はんだ爆ぜ」は面内導体や層間接続導体の内部のボイドによっても発生する。   Furthermore, if moisture accumulates in the void, when the semiconductor element or chip capacitor is mounted on the substrate surface with solder after plating, the accumulated moisture evaporates due to heat generated by reflow during solder melting, and the evaporated moisture May cause a problem of so-called “solder explosion” that blows away the melted solder and short-circuits the surrounding parts. "Solder explosion" also occurs due to voids in the in-plane conductors and interlayer connection conductors.

また、層間接続導体がセラミック多層基板の表面に凸形状をもたらすと、セラミック多層基板の表面の平滑性が損なわれ、特に、凸形状部の上にはんだを介して半導体素子やチップコンデンサ等を実装すると、その接合部の強度が低下し、一般的に言われているはんだ接合応力により、接合部が破断するという問題が生じることがある。   In addition, if the interlayer connection conductor has a convex shape on the surface of the ceramic multilayer substrate, the smoothness of the surface of the ceramic multilayer substrate is impaired. In particular, a semiconductor element or chip capacitor is mounted on the convex portion via solder. Then, the strength of the joint portion is lowered, and there is a problem that the joint portion breaks due to generally-known solder joint stress.

これらの問題が生じる原因は、焼成過程において、面内導体や層間接続導体を形成するために付与された導電性ペーストと未焼結ガラスセラミック積層体との焼成収縮量や焼成収縮挙動のずれに大いに関係しているものと思われる。すなわち、未焼結ガラスセラミック積層体と導電性ペーストとの焼成収縮量や焼成収縮挙動に大きなずれがあると、焼成されたセラミック多層基板とその内部に形成された面内導体や層間接続導体との間に過大な応力や歪みが生じて、前述のようなボイドや空隙、クラック、さらにはセラミック多層基板表面の層間接続導体による凸形状が生じることとなる。   The cause of these problems is the difference in firing shrinkage and firing shrinkage behavior between the conductive paste applied to form in-plane conductors and interlayer connection conductors and the unsintered glass ceramic laminate in the firing process. It seems to be greatly related. That is, if there is a large deviation in the firing shrinkage amount or firing shrinkage behavior between the unsintered glass ceramic laminate and the conductive paste, the fired ceramic multilayer substrate and the in-plane conductors and interlayer connection conductors formed therein Excessive stress and strain are generated between the above, and voids, voids, cracks as described above, and convex shapes due to interlayer connection conductors on the surface of the ceramic multilayer substrate are generated.

ところで、上述した無収縮プロセスにおいては、未焼結のガラスセラミック積層体の積層方向に強制的に圧力を加えながら焼成する、という手法もある(たとえば特許文献2参照)。このように、強制的に高い圧力を加えながら焼成することにより、ボイドや空隙、クラック、さらには層間接続導体による凸形状を抑制することができると考えられる。   By the way, in the non-shrink process described above, there is also a technique of firing while forcibly applying pressure in the laminating direction of the unsintered glass ceramic laminate (see, for example, Patent Document 2). In this way, it is considered that voids, voids, cracks, and convex shapes due to interlayer connection conductors can be suppressed by firing while forcibly applying high pressure.

実際、前記のような加圧焼成によれば、ボイドや空隙、クラック、層間接続導体による凸形状の発生は抑制され得る。しかしながら、加圧焼成を実施しようとすると、加圧するための設備コストが高くなるばかりか、加圧によってガラスセラミックグリーンシート中のガラスが基板の表面に浮き出てきやすくなるため、ガラスが補助層に含有しているAlと激しく反応し、不必要に補助層が焼結してしまうため、焼成後に補助層を除去するのが困難になるといった欠点を有している。
特許第2554415号公報 特開平10−84056号公報
In fact, according to the pressure firing as described above, generation of convex shapes due to voids, voids, cracks, and interlayer connection conductors can be suppressed. However, when trying to carry out pressure firing, not only the equipment cost for pressurization increases, but the glass in the glass ceramic green sheet tends to float on the surface of the substrate by pressurization, so glass is contained in the auxiliary layer. Since the auxiliary layer reacts violently with the Al 2 O 3 being used and the auxiliary layer is unnecessarily sintered, it is difficult to remove the auxiliary layer after firing.
Japanese Patent No. 2554415 JP-A-10-84056

この発明は、上述した実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、いわゆる無収縮プロセスにおいて、ボイドの発生を抑制し、信頼性の高いセラミック多層基板を製造することができる、銀粉末を含む導電性ペースト、およびそれを用いたセラミック多層基板の製造方法を提供しようとすることである。   The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and an object of the present invention is to provide a silver powder capable of suppressing the generation of voids and producing a highly reliable ceramic multilayer substrate in a so-called non-shrinking process. It is an object of the present invention to provide a conductive paste including the same and a method for manufacturing a ceramic multilayer substrate using the same.

この発明に係る導電性ペーストは、無機成分および有機成分を含む。無機成分は、銀粉末と、アルミナおよび/またはアノーサイトを含む添加物粉末とを含む。銀粉末は、積算50%粒径(D050)が3〜6μm、積算最小粒径(Dmin)が1.5μm以上、かつ比表面積(SSA)が0.3m/g以下であり、添加物粉末は、積算50%粒径(D050)が1.0μm以下である。また、銀粉末の含有量は85〜95重量%であり、添加物粉末の含有量は0.2〜1.0重量%である。 The conductive paste according to the present invention includes an inorganic component and an organic component. The inorganic component includes silver powder and an additive powder containing alumina and / or anorthite. Silver powder has an integrated 50% particle size (D 050 ) of 3 to 6 μm, an integrated minimum particle size (D min ) of 1.5 μm or more, and a specific surface area (SSA) of 0.3 m 2 / g or less. The product powder has an integrated 50% particle size (D 050 ) of 1.0 μm or less. Moreover, content of silver powder is 85 to 95 weight%, and content of additive powder is 0.2 to 1.0 weight%.

この発明に係る導電性ペーストにおいて、銀粉末は、積算50%粒径(D050)が3.5〜5μm、かつ積算最小粒径(Dmin)が2μm以上であり、添加物粉末の含有量は0.2〜0.8重量%であることが好ましい。 In the conductive paste according to the present invention, the silver powder has an accumulated 50% particle diameter (D 050 ) of 3.5 to 5 μm and an accumulated minimum particle diameter (D min ) of 2 μm or more, and the content of the additive powder Is preferably 0.2 to 0.8% by weight.

また、銀粉末は球状であることが好ましい。   The silver powder is preferably spherical.

この発明は、また、上述の導電性ペーストを用いて実施されるセラミック多層基板の製造方法にも向けられる。   The present invention is also directed to a method for manufacturing a ceramic multilayer substrate, which is performed using the above-described conductive paste.

この発明に係るセラミック多層基板の製造方法は、複数の未焼結セラミック基材層を積層してなり、かつ未焼結セラミック基材層に関連して設けられる未焼結導体パターンを備えた、未焼結セラミック積層体と、未焼結セラミック基材層に接するように設けられ、未焼結セラミック基材層および未焼結導体パターンが焼結する温度では実質的に焼結しない、収縮抑制層とを含む、複合積層体を作製する工程と、複合積層体を、収縮抑制層が実質的に焼結せず、未焼結セラミック基材層および未焼結導体パターンが焼結する温度で焼成する工程とを有するものであって、未焼結導体パターンが、前述した、この発明に係る導電性ペーストによって形成されることを特徴としている。   The method for producing a ceramic multilayer substrate according to the present invention comprises a plurality of unsintered ceramic base layers and a non-sintered conductor pattern provided in association with the unsintered ceramic base layers. Inhibition of shrinkage, provided to be in contact with the unsintered ceramic laminate and unsintered ceramic substrate layer, and does not substantially sinter at the temperature at which the unsintered ceramic substrate layer and unsintered conductor pattern sinter And a step of producing a composite laminate including a layer, and a temperature at which the shrinkage suppression layer is not substantially sintered and the unsintered ceramic base layer and the unsintered conductor pattern are sintered. A step of firing, wherein the unsintered conductor pattern is formed by the conductive paste according to the present invention described above.

上述した焼成する工程において、強制的な加圧を伴わずに、複合積層体を焼成することが好ましい。   In the firing step described above, it is preferable to fire the composite laminate without forcible pressurization.

また、未焼結セラミック基材層は、セラミック粉末およびガラス粉末を含んで構成される基材層用グリーンシートによって与えられることが好ましい。この場合、基材層用グリーンシートは、CaO−Al−SiO−B系ガラス粉末とAl系セラミック粉末とを含み、他方、収縮抑制層はAl系セラミック粉末を含むことが好ましい。 Moreover, it is preferable that an unsintered ceramic base material layer is provided with the green sheet for base material layers comprised including a ceramic powder and glass powder. In this case, the green sheet for the base layer includes CaO—Al 2 O 3 —SiO 2 —B 2 O 3 glass powder and Al 2 O 3 ceramic powder, while the shrinkage suppression layer is Al 2 O 3. The ceramic ceramic powder is preferably included.

また、複合積層体において、収縮抑制層は未焼結セラミック積層体の両主面上に位置しているとき、焼成する工程の後、収縮抑制層を除去する工程がさらに実施される。他方、複合積層体において、収縮抑制層は複数の未焼結セラミック基材層の層間に位置していてもよい。   Further, in the composite laminate, when the shrinkage suppression layers are located on both main surfaces of the unsintered ceramic laminate, a step of removing the shrinkage suppression layer is further performed after the firing step. On the other hand, in the composite laminate, the shrinkage suppression layer may be located between a plurality of unsintered ceramic base layers.

この発明に係るセラミック多層基板の製造方法は、さらに、表面実装部品を搭載する工程を備えていてもよい。   The method for manufacturing a ceramic multilayer substrate according to the present invention may further include a step of mounting a surface mount component.

いわゆる無収縮プロセスを適用して実施されるセラミック多層基板の製造方法において、面内導体や層間接続導体のような導体パターンを形成するために、この発明に係る導電性ペーストを用いると、導体パターンの内部ボイド等の欠陥をなくし、また、導体パターン周辺のセラミック部分へのクラックや空隙の発生、さらには、層間接続導体による凸形状等の欠陥等をなくすことができる。   In a method for manufacturing a ceramic multilayer substrate implemented by applying a so-called shrinkless process, when the conductive paste according to the present invention is used to form a conductor pattern such as an in-plane conductor or an interlayer connection conductor, the conductor pattern It is possible to eliminate defects such as internal voids, to generate cracks and voids in the ceramic portion around the conductor pattern, and to eliminate defects such as convex shapes due to interlayer connection conductors.

すなわち、この発明に係る上記組成の導電性ペーストによれば、セラミック多層基板の焼成時、セラミックの焼成収縮挙動に導電性ペーストによる厚膜導体パターンの焼成収縮挙動を一致させるよう、その無機成分の組成が調整されているため、面内導体や層間接続導体の内部ボイド等の欠陥をなくし、また、面内導体や層間接続導体周辺のセラミック部分へのクラックや空隙の発生、さらには、層間接続導体による凸形状等の欠陥等をなくすことができる。   That is, according to the conductive paste of the above composition according to the present invention, when firing the ceramic multilayer substrate, the inorganic component of the inorganic component is adjusted so that the firing shrinkage behavior of the thick film conductor pattern by the conductive paste matches the firing shrinkage behavior of the ceramic. Since the composition is adjusted, defects such as internal voids in in-plane conductors and interlayer connection conductors are eliminated, cracks and voids are generated in the ceramic area around in-plane conductors and interlayer connection conductors, and interlayer connections Defects such as a convex shape due to the conductor can be eliminated.

より具体的に言うと、銀粉末の粒径、粒度分布や比表面積を特定し、かつ、添加物粉末の組成や粒径を特定しているので、添加物粉末であるアルミナ粉末あるいはアノーサイト粉末が焼成中、導体パターンの核として保持されるため、銀粉末同士の焼結(ネッキング)をコントロールし、また、さらに、添加したアルミナおよび/またはアノーサイトを含む添加物粉末がセラミック基材層、特にセラミック基材層のガラス中に拡散することで、厚膜導体パターン周囲のガラスの軟化収縮を抑制でき、未焼結セラミック基材層の焼成収縮温度範囲で、未焼結セラミック基材層の焼成収縮に導体パターンが追従し、面内導体や層間接続導体での内部ボイド等の欠陥をなくし、また、面内導体や層間接続導体周辺のセラミック部分へのクラックや空隙の発生、さらには、層間接続導体による凸形状等の欠陥等をなくすことができ、セラミック多層基板の内部に信頼性の高い面内導体や層間接続導体といった導体パターンを形成することが可能となる。   More specifically, since the particle size, particle size distribution and specific surface area of the silver powder are specified, and the composition and particle size of the additive powder are specified, the alumina powder or anorthite powder which is the additive powder Is held as the core of the conductor pattern during firing, so that sintering (necking) between the silver powders is controlled, and the additive powder containing the added alumina and / or anorthite is further added to the ceramic base layer, In particular, by diffusing into the glass of the ceramic substrate layer, it is possible to suppress the softening shrinkage of the glass around the thick film conductor pattern, and within the firing shrinkage temperature range of the unfired ceramic substrate layer, The conductor pattern follows the firing shrinkage, eliminates defects such as internal voids in the in-plane conductor and interlayer connection conductor, and cracks and voids in the ceramic area around the in-plane conductor and interlayer connection conductor In addition, defects such as convex shapes due to interlayer connection conductors can be eliminated, and a highly reliable conductor pattern such as an in-plane conductor or interlayer connection conductor can be formed inside the ceramic multilayer substrate. .

本件発明者は、前述した課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、いわゆる無収縮プロセスを適用して製造されたセラミック多層基板において、面内導体や層間接続導体の内部のボイド等の欠陥をなくし、また、面内導体や層間接続導体の周辺のクラックや空隙の発生や、さらには、層間接続導体による凸形状等の不所望な欠陥等をなくすためには、
(1)未焼結セラミック基材層と比べて、層間接続導体用の導電性ペーストの焼結温度、焼結開始温度等が低くなり過ぎないようにすること、
(2)焼成時において、面内導体/層間接続導体の周辺のセラミックと他の部分のセラミックとの軟化温度の差、軟化の速さの差が生じないようにすること、
が必要で、そのためには、面内導体や層間接続導体を形成するための導電性ペーストに含まれる無機成分のうち、銀粉末の粒径や含有量さらには添加物種等を特定する必要があることを見出すに至った。
As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the present inventors have found that defects such as voids in the in-plane conductors and interlayer connection conductors in the ceramic multilayer substrate manufactured by applying a so-called shrink-free process. In addition, in order to eliminate the occurrence of cracks and voids around the in-plane conductors and interlayer connection conductors, and unwanted defects such as convex shapes due to interlayer connection conductors,
(1) Compared to the unsintered ceramic base layer, the sintering temperature of the conductive paste for the interlayer connection conductor, the sintering start temperature, etc. should not be too low.
(2) During firing, the difference in softening temperature between the ceramic around the in-plane conductor / interlayer connection conductor and the ceramic in the other part and the difference in the speed of softening should not occur.
For that purpose, among the inorganic components contained in the conductive paste for forming the in-plane conductor and the interlayer connection conductor, it is necessary to specify the particle size and content of the silver powder, and the additive type, etc. I came to find out.

すなわち、この発明に係る導電性ペーストは、無機成分として、積算50%粒径(D050)が3〜10μmで、積算最小粒径(Dmin)が1.5μm以上、かつ比表面積(SSA)が0.3m/g以下の銀粉末を85〜95重量%含有するとともに、D050が1.0μm以下のアルミナおよび/またはアノーサイトを含む添加物粉末を0.2〜1.0重量%含有することを特徴とするものである。 That is, the conductive paste according to the present invention has, as an inorganic component, an integrated 50% particle size (D 050 ) of 3 to 10 μm, an integrated minimum particle size (D min ) of 1.5 μm or more, and a specific surface area (SSA). Is contained in an amount of 85 to 95% by weight of silver powder having a particle size of 0.3 m 2 / g or less, and 0.2 to 1.0% by weight of additive powder containing alumina and / or anorthite having a D 050 of 1.0 μm or less. It is characterized by containing.

この発明に係る導電性ペーストによれば、焼成サイクル中、セラミック多層基板の焼結温度より低い温度領域では、未焼結セラミック基材層は焼結収縮せず、銀粉末については、アルミナ粉末等の添加物粉末が銀粉末間に存在するために、その焼結が抑制されている。そして、セラミック多層基板の焼結温度付近では、未焼結セラミック基材層が焼結収縮を開始し、これに伴い、面内導体や層間接続導体等を形成するための未焼結導体パターンの体積も収縮する。このとき、銀粉末は、アルミナ粉末等の添加物粉末が銀粉末間に存在するために、銀の焼結(ネッキング)が妨げられており、銀粉末が比較的自由に移動できる状態にあるので、未焼結セラミック基材層の焼結収縮に追従して、未焼結導体パターンの体積収縮が生じ、さらに、このとき、添加したアルミナ等の添加物粉末粒子が導体パターンの周囲のセラミック中に拡散し、この粒子がセラミックのガラスに溶け込み、ガラスの軟化が抑制され、セラミック多層基板中のセラミックの軟化状態の不均一さが緩和される。このため、面内導体や層間接続導体の周辺のセラミック部分へのクラックや空隙の発生、さらには、層間接続導体による凸形状等の欠陥等をなくすことができる。   According to the conductive paste of the present invention, during the firing cycle, in the temperature region lower than the sintering temperature of the ceramic multilayer substrate, the unsintered ceramic substrate layer does not sinter and shrink, and the silver powder is alumina powder or the like. Since the additive powder is present between the silver powders, the sintering is suppressed. In the vicinity of the sintering temperature of the ceramic multilayer substrate, the unsintered ceramic base material layer starts sintering shrinkage, and accordingly, the unsintered conductor pattern for forming in-plane conductors, interlayer connection conductors, etc. The volume also shrinks. At this time, silver powder is in a state where silver powder can move relatively freely because additive powder such as alumina powder is present between the silver powders, thus preventing silver sintering (necking). The volume shrinkage of the unsintered conductor pattern occurs following the sintering shrinkage of the unsintered ceramic base layer. Further, at this time, the additive powder particles such as added alumina are contained in the ceramic around the conductor pattern. The particles are dissolved in the ceramic glass, and the softening of the glass is suppressed, and the non-uniformity of the softened state of the ceramic in the ceramic multilayer substrate is alleviated. For this reason, it is possible to eliminate the occurrence of cracks and voids in the ceramic portion around the in-plane conductor and the interlayer connection conductor, and defects such as a convex shape due to the interlayer connection conductor.

以下、この発明に係る導電性ペーストをより詳細に説明する。   Hereinafter, the conductive paste according to the present invention will be described in more detail.

導電性ペーストにおける導体材料としては、低抵抗で難酸化性材料である銀が用いられる。銀は、純銀であることが望ましいが、白金やパラジウムが極少量含まれていても構わない。   As a conductive material in the conductive paste, silver which is a low resistance and hardly oxidizable material is used. The silver is preferably pure silver, but may contain a very small amount of platinum or palladium.

この発明に係る導電性ペーストにおける銀粉末は、D050が3〜6μmであることが必要であり、3.5〜5μmであることが好ましい。 Silver powder in the conductive paste according to the present invention, it is necessary that D 050 is 3 to 6 [mu] m, is preferably 3.5~5Myuemu.

050が3μm未満の場合、アルミナ粉末等の添加物とは無関係に焼結が低温領域側より開始されるようになり、導体パターンの体積収縮も大きくなるので、セラミックとの焼結収縮開始のタイミングが大きくずれ、これにより、得られた面内導体や層間接続導体の内部には、空隙やボイド等の欠陥が生じやすくなる。また、D050が3μm未満であると、銀のセラミックに対する拡散量が増えるため、面内導体や層間接続導体の近傍のセラミックの軟化収縮が早くなり、面内導体や層間接続導体の近傍にボイドが発生しやすくなる。 When D 050 is less than 3 μm, sintering starts from the low temperature region side regardless of additives such as alumina powder, and the volume shrinkage of the conductor pattern also increases. The timing is greatly deviated, and defects such as voids and voids are likely to occur inside the obtained in-plane conductor and interlayer connection conductor. Further, if D050 is less than 3 μm, the amount of diffusion of silver into the ceramic increases, so that the softening and shrinkage of the ceramic in the vicinity of the in-plane conductor and interlayer connection conductor is accelerated, and voids are formed in the vicinity of the in-plane conductor and interlayer connection conductor. Is likely to occur.

なお、銀の拡散によるガラスの軟化が早くなる現象は、セラミックのガラスに銀が拡散すると、ガラスを構成するSiOの格子の中に銀が入り込み、SiOの結合を切るため、軟化が進むと考えられている。 In addition, the phenomenon that the softening of the glass due to the diffusion of silver is accelerated is that, when silver diffuses into the ceramic glass, the silver enters the lattice of SiO 2 constituting the glass and cuts the bond of SiO 2. It is believed that.

他方、D050が6μmより大きいと、面内導体や層間接続導体の焼結が進みにくくなるため、厚み方向へのセラミックの収縮量に対して追従できなくなり、層間接続導体の内部にボイドの発生が見られるようになる。また、印刷性も低下する。 On the other hand, if D 050 is larger than 6 μm, sintering of the in-plane conductor and the interlayer connection conductor is difficult to proceed, and it becomes impossible to follow the shrinkage amount of the ceramic in the thickness direction, and voids are generated inside the interlayer connection conductor. Can be seen. Also, printability is reduced.

また、D050が上記適正範囲内でも、粒径の小さい銀粉末が多く含まれる場合には、銀が面内導体や層間接続導体の近傍に拡散しやすくなり、銀の拡散によって面内導体や層間接続導体の近傍のセラミックのガラス中に溶け込み、セラミックの軟化収縮を促進するため、面内導体/層間接続導体の近傍にボイドが発生しやすくなる。このことから、Dminは、1.5μm以上であることが必要であり、2μm以上であることが好ましい。 Further, even when D 050 is within the above appropriate range, when a large amount of silver powder having a small particle diameter is contained, silver is likely to diffuse in the vicinity of the in-plane conductor and the interlayer connection conductor. Since it melts in the ceramic glass near the interlayer connection conductor and promotes softening and shrinkage of the ceramic, voids are likely to occur in the vicinity of the in-plane conductor / interlayer connection conductor. From this, Dmin needs to be 1.5 μm or more, and preferably 2 μm or more.

同様に、D050が上記適正範囲内でも、SSAが0.3m/gより大きな銀粉末になると、焼成時に軟化したガラスが面内導体/層間接続導体と接触する割合がより多くなるので、銀が拡散しやすくなり、面内導体/層間接続導体の近傍のセラミックのガラス中に溶け込み、セラミックの軟化収縮を促進するため、面内導体/層間接続導体の近傍に空隙が発生しやすくなる。したがって、SSAは0.3m/g以下であることが必要である。 Similarly, even when D 050 is within the above appropriate range, when the SSA becomes a silver powder larger than 0.3 m 2 / g, the ratio of the glass softened during firing to contact with the in-plane conductor / interlayer connection conductor increases. Silver easily diffuses and dissolves in the ceramic glass near the in-plane conductor / interlayer connection conductor to promote softening and shrinkage of the ceramic, so that voids are likely to occur near the in-plane conductor / interlayer connection conductor. Therefore, SSA needs to be 0.3 m 2 / g or less.

なお、銀粉末のSSAを0.3m/g以下とするためには、銀粉末は、SSAをより小さくすることが容易な球状であることが好ましい。 In addition, in order to make SSA of silver powder 0.3 m < 2 > / g or less, it is preferable that silver powder is a spherical shape which can make SSA smaller further.

銀粉末や後記の添加物粉末の粒径D050およびDminについては、たとえば、レーザー式粒度分布測定装置により測定して算出することができる。また、銀粉末のSSAについては、BET法によって求められる。 The particle diameters D 050 and D min of the silver powder and the additive powder described later can be calculated by measuring with a laser particle size distribution measuring device, for example. Further, SSA of silver powder is determined by the BET method.

導電性ペースト中に含まれる銀粉末の含有量は85〜95重量%であることが必要である。   Content of the silver powder contained in an electrically conductive paste needs to be 85 to 95 weight%.

銀粉末の含有量が85重量%未満の場合、導電性ペーストを層間接続導体用として用いると、層間接続導体を受け入れる穴内での導電材料の充填量が少なくなるため、後述する収縮抑制層による拘束力の影響が小さい多層基板の厚み方向の中央付近において、焼成時にセラミック基材層がその平面方向に局所的に収縮して、層間接続導体との境界で剥がれやすくなる。   When the content of the silver powder is less than 85% by weight, if the conductive paste is used for the interlayer connection conductor, the filling amount of the conductive material in the hole for receiving the interlayer connection conductor is reduced. In the vicinity of the center in the thickness direction of the multilayer substrate where the influence of the force is small, the ceramic base material layer locally shrinks in the plane direction during firing and is easily peeled off at the boundary with the interlayer connection conductor.

一方、銀粉末の含有量が95重量%より多くなると、焼成時にセラミック基材層が厚み方向に収縮するときに、導電性ペーストが追従できなくなり、層間接続導体がセラミック多層基板の表面から飛び出て、セラミック多層基板が破損されやすい。   On the other hand, when the content of silver powder is more than 95% by weight, when the ceramic base material layer shrinks in the thickness direction during firing, the conductive paste cannot follow, and the interlayer connection conductor protrudes from the surface of the ceramic multilayer substrate. The ceramic multilayer substrate is easily damaged.

よって、導電性ペースト中に含まれる銀粉末の含有量は、85〜95重量%であることが必要であり、88〜92重量%の範囲にあるのがより好ましい。   Therefore, the content of the silver powder contained in the conductive paste needs to be 85 to 95% by weight, and more preferably in the range of 88 to 92% by weight.

なお、主成分粉末である銀粉末は、粗大粉末や極端な凝集粉末がなく、導電性ペーストとした後の最大粗粒の粒径(Dmax)が50μm以下になるようにすることが望ましい。 In addition, it is desirable that the silver powder as the main component powder has no coarse powder or extremely agglomerated powder, and the particle diameter (D max ) of the maximum coarse particles after making the conductive paste is 50 μm or less.

また、導電性ペーストには、主成分の銀粉末以外に、アルミナ(Al)および/またはアノーサイト(CaAlSi)を含む添加物粉末が含まれる。 The conductive paste contains additive powder containing alumina (Al 2 O 3 ) and / or anorsite (CaAl 2 Si 2 O 8 ) in addition to the main component silver powder.

添加物粉末の平均粒径D050は1.0μm以下であることが必要である。平均粒径が1.0μmより大きくなると、焼成時に、これら添加物がガラス中に拡散せず、主成分の銀が優先的にガラス中に拡散してしまい、その結果、添加物が導体中に占める割合が大きくなり、導体抵抗値が上がるため、電気伝導性や熱伝導性が低下する。 The average particle diameter D 050 of the additive powder needs to be 1.0 μm or less. When the average particle size is larger than 1.0 μm, these additives are not diffused into the glass during firing, and the main component silver is preferentially diffused into the glass, and as a result, the additive is contained in the conductor. Since the proportion occupied increases and the conductor resistance value increases, the electrical conductivity and thermal conductivity decrease.

また、添加物粉末の含有量は、0.2〜1.0重量%であることが必要であり、0.2〜0.8重量%であることが好ましい。   Further, the content of the additive powder is required to be 0.2 to 1.0% by weight, and preferably 0.2 to 0.8% by weight.

添加物粉末の含有量が0.2重量%未満の場合、添加物粉末の、セラミック中のガラスとの反応性に乏しくなるため、セラミックの軟化抑制の効果が十分に得られず、また、収縮抑制の効果が十分に得られないため、面内導体/層間接続導体の近傍での空隙の発生を抑制できなくなる。   When the content of the additive powder is less than 0.2% by weight, the additive powder becomes less reactive with the glass in the ceramic, so that the effect of suppressing the softening of the ceramic cannot be sufficiently obtained, and the shrinkage Since the suppression effect cannot be obtained sufficiently, the generation of voids in the vicinity of the in-plane conductor / interlayer connection conductor cannot be suppressed.

他方、添加物粉末の含有量が1.0重量%より多くなると、必要以上に導体の焼結時の収縮を妨げるため、導体とセラミックの収縮が合わず、導体とセラミックとが焼成中に剥がれやすくなる。そのため、面内導体とセラミック基材層との間、および層間接続導体とその周囲のセラミック基材層との間、すなわち、層間接続導体の外周面とセラミック基材層側の層間接続導体を受け入れる穴を規定する内周面との間に、空隙が生じたり、面内導体/層間接続導体の周辺のセラミック基材層部分にクラックが発生したり、あるいは、層間接続導体の端部がセラミック多層基板の表面から突出して、さらには、埋め込まれた層間接続導体がセラミック層を押し上げて、この表面に凸形状をもたらしたりしやすくなる。   On the other hand, if the content of the additive powder is more than 1.0% by weight, the conductor and the ceramic do not shrink due to unnecessarily preventing the shrinkage during sintering of the conductor, and the conductor and the ceramic peel off during firing. It becomes easy. Therefore, between the in-plane conductor and the ceramic base layer, and between the interlayer connection conductor and the surrounding ceramic base layer, that is, accept the interlayer connection conductor on the outer peripheral surface of the interlayer connection conductor and the ceramic base layer side. An air gap occurs between the inner peripheral surface defining the hole, a crack occurs in the ceramic base layer around the in-plane conductor / interlayer connection conductor, or the end of the interlayer connection conductor is a ceramic multilayer It protrudes from the surface of the substrate, and further, the embedded interlayer connection conductor pushes up the ceramic layer and tends to give a convex shape to this surface.

なお、添加物粉末の平均粒径が0.01μm未満の場合、比表面積が大きくなって、添加物粉末同士の凝集が進み、添加物粉末が導電性ペースト中で均一に拡散しなくなってしまうことがある。そして、その結果、面内導体/層間接続導体近傍に添加物が十分に拡散しないため、セラミックの軟化を抑制できず、面内導体/層間接続導体の近傍の空隙の発生を抑制できなくなることがある。このことから、添加物粉末の平均粒径は、0.01μm以上であることが好ましい。   In addition, when the average particle diameter of the additive powder is less than 0.01 μm, the specific surface area becomes large, aggregation of the additive powders proceeds, and the additive powder does not diffuse uniformly in the conductive paste. There is. As a result, the additive is not sufficiently diffused in the vicinity of the in-plane conductor / interlayer connection conductor, so that the softening of the ceramic cannot be suppressed and the generation of voids in the vicinity of the in-plane conductor / interlayer connection conductor cannot be suppressed. is there. From this, the average particle size of the additive powder is preferably 0.01 μm or more.

この発明に係る導電性ペーストは、上記の無機成分に対して、所定の割合で有機成分としての有機ビヒクルを所定量加え、攪拌、混練することにより作製されたもの、すなわち、上記の無機成分が、有機バインダを構成するバインダや溶剤とともに均一に分散したペースト状組成物である。   The conductive paste according to the present invention is prepared by adding a predetermined amount of an organic vehicle as an organic component at a predetermined ratio to the above inorganic component, and stirring and kneading, that is, the above inorganic component is A paste-like composition uniformly dispersed together with a binder and a solvent constituting an organic binder.

有機ビヒクルに含まれるバインダとしては、たとえばエチルセルロース、アルキッド樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、メタクリル樹脂などを使用することができる。また、有機ビヒクルに含まれる溶剤としては、たとえばターピネオール、ジヒドロターピネオール、ジヒドロターピネオールアセテート、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、オクタンジオール、テキサノール、アルコール類などを使用することができる。また、必要に応じて、導電性ペーストに、各種の分散剤、可塑剤、活性剤などを添加してもよい。   As the binder contained in the organic vehicle, for example, ethyl cellulose, alkyd resin, acrylic resin, polyvinyl butyral, methacrylic resin, or the like can be used. As the solvent contained in the organic vehicle, for example, terpineol, dihydroterpineol, dihydroterpineol acetate, butyl carbitol, butyl carbitol acetate, octanediol, texanol, alcohols and the like can be used. Moreover, you may add various dispersing agents, a plasticizer, an activator, etc. to an electrically conductive paste as needed.

導電性ペーストの粘度は、印刷性を考慮して、50〜700Pa・sとすることが望ましい。   The viscosity of the conductive paste is preferably 50 to 700 Pa · s in consideration of printability.

以下、この発明に係るセラミック多層基板の製造方法の一実施形態について、図1ないし図4の各断面図を参照しながら説明する。   Hereinafter, an embodiment of a method for producing a ceramic multilayer substrate according to the present invention will be described with reference to the sectional views of FIGS.

まず、図1に示すように、未焼結のセラミック基材層1(図2参照)となるべき基材層用グリーンシート1aが用意される。基材層用グリーンシート1aは、たとえば、ガラスセラミック原料混合物を、有機バインダ、有機溶剤、可塑剤等からなる有機ビヒクル中に分散させることによって、スラリーを調製し、次いで、得られたスラリーをドクターブレード法やキャスティング法によってシート状に成形することによって作製される。   First, as shown in FIG. 1, a green sheet 1a for a base material layer to be an unsintered ceramic base material layer 1 (see FIG. 2) is prepared. The base layer green sheet 1a is prepared by, for example, preparing a slurry by dispersing a glass-ceramic raw material mixture in an organic vehicle composed of an organic binder, an organic solvent, a plasticizer, and the like. It is manufactured by forming into a sheet shape by a blade method or a casting method.

上記ガラスセラミック原料混合物としては、具体的には、CaO:10〜55重量%、SiO:35〜70重量%、Al:0〜30重量%、不純物:0〜10重量%、およびB:5〜20重量%からなる組成のガラス粉末:50〜64重量%と、不純物が0〜10重量%のAl粉末:35〜50重量%とからなるものが用いられる。 Specifically, the glass ceramic raw material mixture includes CaO: 10 to 55 wt%, SiO 2 : 35 to 70 wt%, Al 2 O 3 : 0 to 30 wt%, impurities: 0 to 10 wt%, and B 2 O 3 : Glass powder having a composition of 5 to 20% by weight: 50 to 64% by weight and Al 2 O 3 powder having impurities of 0 to 10% by weight: 35 to 50% by weight are used. .

なお、未焼結のセラミック基材層1は、上述したシート成形法により形成したグリーンシート1aによって与えられることが好ましいが、厚膜印刷法により形成した未焼結の厚膜印刷層によって与えられてもよい。   The unsintered ceramic base layer 1 is preferably provided by the green sheet 1a formed by the above-described sheet forming method, but is provided by the unsintered thick film printed layer formed by the thick film printing method. May be.

また、基材層用グリーンシート1aに含まれるセラミック粉末としては、上述したAl粉末のような絶縁体材料粉末のほか、フェライト等の磁性体材料からなる粉末、チタン酸バリウム等の誘電体材料からなる粉末を使用することもできる。いずれにしても、基材層用グリーンシート1aは、1050℃以下の温度で焼結するものであることが好ましく、このため、上述したガラス粉末は、750℃以下の軟化点を有するものであることが好ましい。 In addition, the ceramic powder contained in the base layer green sheet 1a includes a dielectric material such as a powder made of a magnetic material such as ferrite, a dielectric material such as barium titanate, in addition to the insulating material powder such as the Al 2 O 3 powder described above. It is also possible to use powder made of body material. In any case, it is preferable that the green sheet 1a for the base material layer is sintered at a temperature of 1050 ° C. or lower. For this reason, the glass powder described above has a softening point of 750 ° C. or lower. It is preferable.

次いで、同じく図1を参照して、パンチング加工やレーザー加工により、基材層用グリーンシート1aに層間接続導体用孔2が形成される。そして、層間接続導体用孔2に、この発明に係る導電性ペーストが充填され、未焼結の層間接続導体3が形成される。次いで、基材層用グリーンシート1a上に、この発明に係る導電性ペーストをスクリーン印刷法やグラビア印刷法等により印刷することによって、未焼結の面内導体4が形成される。なお、図示した実施形態では、一部の面内導体4については、後述する収縮抑制層用グリーンシート5a上に形成される。   Next, referring also to FIG. 1, interlayer connection conductor holes 2 are formed in the base layer green sheet 1 a by punching or laser processing. Then, the interlayer connection conductor hole 2 is filled with the conductive paste according to the present invention, and the unsintered interlayer connection conductor 3 is formed. Subsequently, the unsintered in-plane conductor 4 is formed by printing the electroconductive paste which concerns on this invention on the green sheet 1a for base materials by the screen printing method, the gravure printing method, etc. In the illustrated embodiment, some of the in-plane conductors 4 are formed on a shrinkage suppression layer green sheet 5a described later.

いわゆる無収縮プロセスを適用したとき、焼成によって、セラミック積層体は、その平面方向には実質的に収縮しない代わりに、厚み方向には大きく収縮する(おおよそ45〜55%位縮む)ため、特に、層間接続導体の焼成収縮挙動をセラミック積層体の焼成収縮挙動に合わせ込むことが重要である。したがって、この発明に係る導電性ペーストは、特に、セラミック多層基板内に設けられる層間接続導体(ビアホール導体)を形成するために有利に用いられる。   When applying the so-called non-shrink process, the ceramic laminate shrinks greatly in the thickness direction (roughly shrinks by about 45 to 55%) instead of substantially shrinking in the plane direction due to firing. It is important to match the firing shrinkage behavior of the interlayer connection conductor with the firing shrinkage behavior of the ceramic laminate. Therefore, the conductive paste according to the present invention is particularly advantageously used for forming an interlayer connection conductor (via hole conductor) provided in a ceramic multilayer substrate.

そこで、層間接続導体を形成するために、この発明に係る導電性ペーストを用いた場合、面内導体は、必ずしも、この発明に係る導電性ペーストを用いる必要はない。所定形状の金属箔を転写する等の方法により、面内導体を形成することも可能である。   Therefore, when the conductive paste according to the present invention is used to form the interlayer connection conductor, the in-plane conductor does not necessarily need to use the conductive paste according to the present invention. An in-plane conductor can be formed by a method such as transferring a metal foil having a predetermined shape.

他方、同じく図1に示すように、収縮抑制層5(図2参照)となるべき収縮抑制層用グリーンシート5aが用意される。収縮抑制層用グリーンシート5aは、上記の基材層用グリーンシート1aならびに未焼結の層間接続導体3および面内導体4が焼結する温度では実質的に焼結しないアルミナ等のセラミック粉末を含むものである。収縮抑制層用グリーンシート5aは、セラミック粉末を、有機バインダ、有機溶剤、可塑剤等からなる有機ビヒクル中に分散させてスラリーを調製し、得られたスラリーをドクターブレード法やキャスティング法等によってシート状に成形することによって作製される。収縮抑制層用グリーンシート5aの焼結温度は、たとえば1400〜1600℃であり、前述した基材層用グリーンシート1aの焼結温度では実質的に焼結しない。   On the other hand, similarly as shown in FIG. 1, a green sheet 5a for a shrinkage suppression layer to be the shrinkage suppression layer 5 (see FIG. 2) is prepared. The shrinkage-suppressing layer green sheet 5a is made of ceramic powder such as alumina that is not substantially sintered at a temperature at which the base layer green sheet 1a and the unsintered interlayer connection conductor 3 and in-plane conductor 4 are sintered. Is included. The green sheet 5a for the shrinkage suppression layer is prepared by dispersing ceramic powder in an organic vehicle composed of an organic binder, an organic solvent, a plasticizer, and the like, and preparing the slurry by using a doctor blade method or a casting method. It is produced by molding into a shape. The sintering temperature of the shrinkage suppression layer green sheet 5a is, for example, 1400 to 1600 ° C., and the sintering temperature of the base material layer green sheet 1a is not substantially sintered.

なお、収縮抑制層用グリーンシート5aに含まれるセラミック粉末の平均粒径は0.1〜5.0μmであることが好ましい。   In addition, it is preferable that the average particle diameter of the ceramic powder contained in the green sheet 5a for shrinkage | contraction suppression layers is 0.1-5.0 micrometers.

収縮抑制層用グリーンシート5a中のセラミック粉末の平均粒径が0.1μm未満であると、後述する焼成工程において、セラミック粉末が、セラミック基材層1の表面近傍に含有しているガラスと激しく反応して、焼成後にセラミック基材層1と収縮抑制層5とが密着して、収縮抑制層5の除去ができなくなったり、小粒径のためにシート中のバインダ等の有機成分が、焼成工程において、分解飛散しにくく、そのため、得られたセラミック多層基板6(図4参照)中にデラミネーションが発生したりすることがある。   When the average particle size of the ceramic powder in the green sheet 5a for shrinkage suppression is less than 0.1 μm, the ceramic powder is intensely mixed with the glass contained in the vicinity of the surface of the ceramic base layer 1 in the firing step described later. The ceramic base material layer 1 and the shrinkage suppression layer 5 adhere to each other after firing and the shrinkage suppression layer 5 cannot be removed, or the organic components such as a binder in the sheet are fired due to the small particle size. In the process, decomposition and scattering are difficult, and therefore delamination may occur in the obtained ceramic multilayer substrate 6 (see FIG. 4).

他方、収縮抑制層用グリーンシート5a中のセラミック粉末の平均粒径が5.0μmを超えると、焼成収縮の抑制力が小さくなって、セラミック多層基板6が平面方向に収縮したり、うねったりする傾向にある。   On the other hand, when the average particle size of the ceramic powder in the green sheet 5a for the shrinkage suppression layer exceeds 5.0 μm, the firing shrinkage suppression force becomes small, and the ceramic multilayer substrate 6 shrinks or swells in the plane direction. There is a tendency.

また、収縮抑制層用グリーンシート5a中のセラミック粉末は、前述したように、未焼結のセラミック基材層1ならびに層間接続導体3および面内導体4が焼結する温度では実質的に焼結しないものであればよく、アルミナのほか、ジルコニアやマグネシア等からなるセラミック粉末も使用できる。ただし、未焼結のセラミック基材層1の表層領域にガラスを多く存在させるためには、表層と収縮抑制層5とが接触している境界で表層のガラスが収縮抑制層5に対して好適に濡れる必要があるので、収縮抑制層用グリーンシート5a中のセラミック粉末は、未焼結のセラミック基材層1に含まれるセラミック粉末と同種のものであることが好ましい。   Further, as described above, the ceramic powder in the green sheet 5a for the shrinkage suppression layer is substantially sintered at a temperature at which the unsintered ceramic base material layer 1, the interlayer connection conductor 3, and the in-plane conductor 4 are sintered. In addition to alumina, ceramic powder made of zirconia, magnesia or the like can also be used. However, in order to allow a large amount of glass to be present in the surface layer region of the unsintered ceramic base material layer 1, the surface glass is suitable for the shrinkage suppression layer 5 at the boundary where the surface layer and the shrinkage suppression layer 5 are in contact with each other. Therefore, the ceramic powder in the green sheet 5a for shrinkage suppression layer is preferably the same type as the ceramic powder contained in the unsintered ceramic base layer 1.

次いで、層間接続導体3や面内導体4といった導体パターンがそれぞれ形成された複数の基材層用グリーンシート1aが積層されることによって、図2に示すような未焼結セラミック積層体7が作製される。セラミック積層体7において、基材層用グリーンシート1aは未焼結セラミック基材層1を構成する。また、未焼結セラミック積層体7の一方主面上および他方主面上のそれぞれに、収縮抑制層用グリーンシート5aが重ね合わされることによって、セラミック積層体7の一方主面および他方主面に沿って収縮抑制層5が形成される。このようにして得られた複合積層体8は、たとえば5〜200MPaの圧力下にて、静水圧プレス等によって、圧着される。   Next, a plurality of green sheets 1a for base material layers each formed with a conductor pattern such as an interlayer connection conductor 3 and an in-plane conductor 4 are laminated to produce a green ceramic laminate 7 as shown in FIG. Is done. In the ceramic laminate 7, the base layer green sheet 1 a constitutes the unsintered ceramic base layer 1. Moreover, the green sheet 5a for shrinkage | contraction suppression layers is superimposed on each of the one main surface and the other main surface of the unsintered ceramic multilayer body 7, whereby the one main surface and the other main surface of the ceramic multilayer body 7 are overlapped. The shrinkage | contraction suppression layer 5 is formed along. The composite laminate 8 obtained in this way is pressure-bonded by a hydrostatic press or the like under a pressure of 5 to 200 MPa, for example.

なお、収縮抑制層5の厚みは25〜500μmが好ましい。この厚みが25μm未満であると、焼成収縮の抑制力が小さくなって、得られたセラミック多層基板6が平面方向に収縮したり、うねったりすることがあり、他方、厚みが500μmを超えると、収縮抑制層5中のバインダ等の有機成分が焼成中に分解飛散しにくく、得られたセラミック多層基板6中にデラミネーションが発生する傾向にある。   The thickness of the shrinkage suppression layer 5 is preferably 25 to 500 μm. When this thickness is less than 25 μm, the suppression of firing shrinkage is reduced, and the obtained ceramic multilayer substrate 6 may shrink or swell in the plane direction. On the other hand, when the thickness exceeds 500 μm, Organic components such as a binder in the shrinkage suppression layer 5 are not easily decomposed and scattered during firing, and delamination tends to occur in the obtained ceramic multilayer substrate 6.

また、収縮抑制層5は、1枚のグリーンシート5aで構成してもよいが、複数枚のグリーンシート5aを積層することにより構成してもよい。   The shrinkage suppression layer 5 may be composed of one green sheet 5a, but may be composed by laminating a plurality of green sheets 5a.

次いで、周知のベルト炉やバッチ炉を用いて、収縮抑制層5が実質的に焼結せず、未焼結のセラミック基材層1および未焼結の層間接続導体3や面内導体4が焼結する温度、たとえば850〜950℃の温度で、複合積層体8が焼成される。焼成雰囲気は、大気雰囲気とされるが、必要に応じて、低酸素雰囲気とされてもよい。また、この焼成工程において、複合積層体8は、強制的な加圧を伴わずに焼成される。   Next, using a well-known belt furnace or batch furnace, the shrinkage suppression layer 5 is not substantially sintered, and the unsintered ceramic base material layer 1, the unsintered interlayer connection conductor 3 and the in-plane conductor 4 are formed. The composite laminate 8 is fired at a sintering temperature, for example, a temperature of 850 to 950 ° C. The firing atmosphere is an air atmosphere, but may be a low oxygen atmosphere if necessary. Moreover, in this baking process, the composite laminated body 8 is baked without forced pressurization.

上述の焼成工程の結果、複合積層体8において、収縮抑制層5は実質的に焼結しないが、セラミック積層体7を構成するセラミック基材層1ならびに層間接続導体3および面内導体4が焼結して、図3に示すように、収縮抑制層5の間に、焼結後のセラミック積層体7、すなわちセラミック多層基板6がもたらされる。図2と図3とを対比すればわかるように、焼結後のセラミック多層基板6は、焼成前のセラミック積層体7に比べて、収縮抑制層5の作用により、平面方向の収縮が抑制されている。他方、厚み方向に関しては、図2に焼成前のセラミック積層体7の厚みT1および図3に焼結後のセラミック多層基板6の厚みT2がそれぞれ示されているが、T2<T1であり、焼結後のセラミック多層基板6は、焼成前のセラミック積層体7に比べて、厚み方向に比較的大きく収縮している。   As a result of the above-described firing step, the shrinkage suppression layer 5 is not substantially sintered in the composite laminate 8, but the ceramic base material layer 1, the interlayer connection conductor 3 and the in-plane conductor 4 constituting the ceramic laminate 7 are fired. As a result, as shown in FIG. 3, a sintered ceramic laminate 7, that is, a ceramic multilayer substrate 6 is provided between the shrinkage suppression layers 5. As can be seen from a comparison between FIG. 2 and FIG. 3, the ceramic multilayer substrate 6 after sintering is suppressed from contracting in the planar direction by the action of the shrinkage suppressing layer 5 compared to the ceramic laminate 7 before firing. ing. On the other hand, regarding the thickness direction, FIG. 2 shows the thickness T1 of the ceramic laminate 7 before firing, and FIG. 3 shows the thickness T2 of the ceramic multilayer substrate 6 after sintering. The sintered ceramic multilayer substrate 6 contracts relatively greatly in the thickness direction as compared with the ceramic laminate 7 before firing.

次いで、焼成後の複合積層体8から収縮抑制層5を除去することによって、図4に示すように、焼結後のセラミック多層基板6が取り出される。なお、図3に示した焼成後の複合積層体8において、収縮抑制層5は、前述したように、実質的に焼結しておらず、また、焼成前に含まれていた有機成分が飛散し、多孔質の状態になっているため、サンドブラスト法、ウェットブラスト法、超音波振動法等により容易に除去することができる。   Next, by removing the shrinkage suppression layer 5 from the fired composite laminate 8, the sintered ceramic multilayer substrate 6 is taken out as shown in FIG. In the composite laminate 8 after firing shown in FIG. 3, the shrinkage suppression layer 5 is not substantially sintered as described above, and the organic components contained before firing are scattered. However, since it is in a porous state, it can be easily removed by a sand blast method, a wet blast method, an ultrasonic vibration method, or the like.

上述のようにして取り出されたセラミック多層基板6を製造するにあたって、層間接続導体3および面内導体4を形成するため、この発明に係る導電性ペーストを用いているので、焼成工程において、複合積層体8に対して強制的な加圧を行なわなくても、欠陥のない状態でセラミック多層基板6を得ることができる。そのため、設備コストも低減することができる。   In manufacturing the ceramic multilayer substrate 6 taken out as described above, since the conductive paste according to the present invention is used to form the interlayer connection conductor 3 and the in-plane conductor 4, in the firing step, the composite laminate The ceramic multilayer substrate 6 can be obtained without any defects without forcibly pressing the body 8. Therefore, equipment costs can also be reduced.

セラミック多層基板6の上方主面上には、図5の断面図に示すように、表面実装部品11および12が搭載される。一方の表面実装部品11は、たとえばチップコンデンサであり、外表面上に位置する面内導体4に半田13を介して電気的に接続される。他方の表面実装部品12は、たとえば半導体チップであり、外表面上に位置する面内導体4に半田バンプ14を介して電気的に接続される。   On the upper main surface of the ceramic multilayer substrate 6, surface mount components 11 and 12 are mounted as shown in the sectional view of FIG. One surface-mounted component 11 is a chip capacitor, for example, and is electrically connected to the in-plane conductor 4 located on the outer surface via the solder 13. The other surface mounting component 12 is, for example, a semiconductor chip, and is electrically connected to the in-plane conductor 4 located on the outer surface via the solder bumps 14.

なお、表面実装部品11および12の電気的接続のために用いた面内導体4に代えて、特定の層間接続導体3の端面(表面に露出した部分)そのものを利用してもよい。   Instead of the in-plane conductor 4 used for electrical connection of the surface mount components 11 and 12, the end face (part exposed on the surface) of the specific interlayer connection conductor 3 itself may be used.

また、図6の断面図に示すように、セラミック多層基板6は、マザー基板15上に実装される。このとき、セラミック多層基板6の下方主面上に形成された面内導体4が、半田16を介して、マザー基板15上の導電ランド17に電気的に接続される。   Further, as shown in the cross-sectional view of FIG. 6, the ceramic multilayer substrate 6 is mounted on the mother substrate 15. At this time, the in-plane conductor 4 formed on the lower main surface of the ceramic multilayer substrate 6 is electrically connected to the conductive land 17 on the mother substrate 15 via the solder 16.

この発明に係る導電性ペーストは、上述したように、未焼結のセラミック積層体7の両主面上に位置する収縮抑制層5を焼成後に除去する工程を有する製造方法に用いることが好適であるが、複数の未焼結のセラミック基材層の層間に収縮抑制層を位置させ、未焼結のセラミック基材層と収縮抑制層との間のガラス流動を利用する製造方法(たとえば特開2000−25157号公報参照)にて使用することも可能である。   As described above, the conductive paste according to the present invention is preferably used in a manufacturing method including a step of removing the shrinkage suppression layers 5 located on both main surfaces of the unsintered ceramic laminate 7 after firing. However, a manufacturing method that uses a glass flow between the unsintered ceramic substrate layer and the shrinkage suppression layer (for example, JP 2000-25157)).

以下に、この発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。   Below, the experiment example implemented in order to confirm the effect by this invention is demonstrated.

まず、40重量部のアルミナ粉末と、60重量部のSiO(60重量%)−B(8重量%)−Al(6重量%)−CaO(26重量%)系ガラス粉末(軟化点:700℃)とを、アクリル樹脂からなる有機バインダ、トルエンおよびイソプロピレンアルコールからなる有機溶剤ならびにジ−n−ブチルフタレートからなる可塑剤を含んだ有機ビヒクル中に分散させ、スラリーを調製した。次いで、このスラリーをドクターブレード法でシート成形し、厚み100μmの基材層用グリーンシートを作製した。 First, 40 parts by weight of alumina powder and 60 parts by weight of SiO 2 (60% by weight) -B 2 O 3 (8% by weight) -Al 2 O 3 (6% by weight) -CaO (26% by weight) glass. The powder (softening point: 700 ° C.) is dispersed in an organic vehicle containing an organic binder made of acrylic resin, an organic solvent made of toluene and isopropylene alcohol, and a plasticizer made of di-n-butyl phthalate. Prepared. Subsequently, this slurry was formed into a sheet by a doctor blade method to prepare a green sheet for a base material layer having a thickness of 100 μm.

また、上記の基材層用グリーンシートの焼成温度では実質的に焼結しないアルミナ粉末(平均粒径:0.4μm)をポリビニルブチラールからなる有機バインダ、トルエンおよびイソプロピレンアルコールからなる有機溶剤ならびにジ−n−ブチルフタレートからなる可塑剤を含んだ有機ビヒクル中に分散させ、スラリーを調製した。次いで、このスラリーをドクターブレード法でシート成形し、厚み100μmの収縮抑制層用グリーンシートを作製した。なお、この収縮抑制層用グリーンシートの焼結温度は1600℃である。   In addition, an alumina powder (average particle size: 0.4 μm) that is not substantially sintered at the firing temperature of the green sheet for the base material layer, an organic binder composed of polyvinyl butyral, an organic solvent composed of toluene and isopropylene alcohol, and di A slurry was prepared by dispersing in an organic vehicle containing a plasticizer composed of n-butyl phthalate. Next, the slurry was formed into a sheet by a doctor blade method to produce a green sheet for a shrinkage suppression layer having a thickness of 100 μm. In addition, the sintering temperature of this green sheet for shrinkage | contraction suppression layers is 1600 degreeC.

また、表1に示すように、銀粉末およびアルミナ粉末を固形分(無機成分)とし、これに、有機成分として、樹脂(エチルセルロース、アルキッド樹脂)および溶剤(ターピネオール)を加え、攪拌機にて予備混合し、その後、混練機で混練して、試料1〜20の各々に係る導電性ペーストを作製した。これら導電性ペーストの粘度は、約200Pa・sになるように調整した。   Moreover, as shown in Table 1, silver powder and alumina powder are made into solid content (inorganic component), and resin (ethylcellulose, alkyd resin) and solvent (terpineol) are added to this as organic components, and premixed with a stirrer Thereafter, the mixture was kneaded with a kneader to prepare conductive pastes according to samples 1 to 20. The viscosity of these conductive pastes was adjusted to be about 200 Pa · s.

Figure 2008004514
Figure 2008004514

同様に、表2に示すように、銀粉末およびアノーサイト粉末を固形分(無機成分)とし、これに、有機成分として、樹脂(エチルセルロース、アルキッド樹脂)および溶剤(ターピネオール)を加え、攪拌機にて予備混合し、その後、混練機で混練して、試料21〜23の各々に係る導電性ペースト作製した。これら導電性ペーストの粘度は、約200Pa・sになるように調整した。   Similarly, as shown in Table 2, silver powder and anorthite powder were made into solid content (inorganic component), and resin (ethylcellulose, alkyd resin) and solvent (terpineol) were added to this as organic components, and agitator was used. Preliminary mixing was performed, and then kneading was performed using a kneader to prepare conductive pastes according to samples 21 to 23. The viscosity of these conductive pastes was adjusted to be about 200 Pa · s.

Figure 2008004514
Figure 2008004514

同様に、表3に示すように、銀粉末および酸化モリブデン粉末を固形分(無機成分)とし、これに、有機成分として、樹脂(エチルセルロース、アルキッド樹脂)および溶剤(ターピネオール)を加え、攪拌機にて予備混合し、その後、混練機で混練して、試料24〜26の各々に係る導電性ペースト作製した。これら導電性ペーストの粘度は、約200Pa・sになるように調整した。   Similarly, as shown in Table 3, silver powder and molybdenum oxide powder were made solid (inorganic component), and resin (ethylcellulose, alkyd resin) and solvent (terpineol) were added to the organic component, and this was stirred with a stirrer. Preliminary mixing was performed, and then the mixture was kneaded with a kneader to prepare a conductive paste according to each of samples 24-26. The viscosity of these conductive pastes was adjusted to be about 200 Pa · s.

Figure 2008004514
Figure 2008004514

同様に、表4に示すように、銀粉末およびホウ珪酸ガラス粉末を固形分(無機成分)とし、これに、有機成分として、樹脂(エチルセルロース、アルキッド樹脂)および溶剤(ターピネオール)を加え、攪拌機にて予備混合し、その後、混練機で混練して、試料27〜29の各々に係る導電性ペースト作製した。これら導電性ペーストの粘度は、約200Pa・sになるように調整した。   Similarly, as shown in Table 4, silver powder and borosilicate glass powder are made into a solid content (inorganic component), and resin (ethyl cellulose, alkyd resin) and a solvent (terpineol) are added thereto as an organic component, and the mixture is added to a stirrer. Then, the mixture was premixed and then kneaded with a kneader to prepare a conductive paste according to each of samples 27 to 29. The viscosity of these conductive pastes was adjusted to be about 200 Pa · s.

Figure 2008004514
Figure 2008004514

さらに、表5に示すように、銀粉末として、アルミナコート銀粉末(アルミナ0.5重量%相当)を用い、試料31および32においてのみ、さらに酸化モリブデン粉末を添加して、固形分(無機成分)とし、これに、有機成分として、樹脂(エチルセルロース、アルキッド樹脂)および溶剤(ターピネオール)を加え、攪拌機にて予備混合し、その後、混練機で混練して、試料30〜32の各々に係る導電性ペースト作製した。これら導電性ペーストの粘度は、約200Pa・sになるように調整した。   Furthermore, as shown in Table 5, alumina-coated silver powder (corresponding to 0.5% by weight of alumina) was used as the silver powder, and only in samples 31 and 32, molybdenum oxide powder was added and solid content (inorganic component) The resin (ethyl cellulose, alkyd resin) and solvent (terpineol) are added as organic components to this, premixed with a stirrer, and then kneaded with a kneader to conduct the conductivity of each of the samples 30 to 32 Paste was prepared. The viscosity of these conductive pastes was adjusted to be about 200 Pa · s.

Figure 2008004514
Figure 2008004514

以上の表1ないし表5に示した試料1〜32において、銀粉末としては、球状のものを使用した。ただし、表1の試料20については、偏平状(フレーク状)のものを使用した。また、アルミナ粉末、アノーサイト粉末、酸化モリブデン粉末およびホウ珪酸ガラス粉末としては、ともに、球状のものを使用した。   In Samples 1 to 32 shown in Tables 1 to 5, a spherical powder was used as the silver powder. However, for the sample 20 in Table 1, a flat shape (flakes) was used. In addition, as the alumina powder, anorthite powder, molybdenum oxide powder and borosilicate glass powder, spherical ones were used.

次いで、基材層用グリーンシートにパンチングによって直径200μmの層間接続導体用孔を形成し、この孔に上記導電性ペーストを印刷によって充填した。   Next, a hole for an interlayer connection conductor having a diameter of 200 μm was formed in the green sheet for the base material layer by punching, and the conductive paste was filled in the hole by printing.

次いで、11枚の上記基材層用グリーンシートを積層して、合計厚み1.1mmの未焼結セラミック積層体を得るとともに、その上下各主面上に、上記収縮抑制層用グリーンシートを3枚ずつ重ね合わせ、合計厚み0.3mmの収縮抑制層を未焼結セラミック積層体の各主面上に設けた、複合積層体を作製した。そして、複合積層体を、100MPaの圧力にてプレスした。   Next, 11 green sheets for the base material layer were laminated to obtain a green ceramic laminate having a total thickness of 1.1 mm, and 3 green sheets for the shrinkage suppression layer were formed on the upper and lower main surfaces. A composite laminate was produced in which the sheets were superposed one by one and a shrinkage suppression layer having a total thickness of 0.3 mm was provided on each main surface of the unsintered ceramic laminate. Then, the composite laminate was pressed at a pressure of 100 MPa.

次いで、複合積層体をアルミナセッターに載置し、低酸素濃度(PO:1%以下)の雰囲気下において、900℃の温度で1時間焼成した。その後、ウェットブラスト法により、焼成後の複合積層体から、多孔質状態にある収縮抑制層を除去して、セラミック多層基板を取り出した。 Next, the composite laminate was placed on an alumina setter and baked at a temperature of 900 ° C. for 1 hour in an atmosphere having a low oxygen concentration (PO 2 : 1% or less). Then, the shrinkage | contraction suppression layer in a porous state was removed from the composite laminated body after baking by the wet blast method, and the ceramic multilayer substrate was taken out.

得られた各試料に係るセラミック多層基板について、その断面を研磨して鏡面にした後、測長可能なSEMにより層間接続導体近傍(層間接続導体界面から30μmまでの距離の範囲内)における最大ボイドの径を測定した。その測定結果が表6に示されている。   About the obtained ceramic multilayer substrate according to each sample, the cross section is polished to a mirror surface, and then the maximum void in the vicinity of the interlayer connection conductor (within a distance of 30 μm from the interlayer connection conductor interface) by a SEM capable of measuring the length The diameter of was measured. The measurement results are shown in Table 6.

また、各試料に係るセラミック多層基板について、層間接続導体の隆起量をセラミック多層基板表面からレーザーによる3次元測長機を用いて測定した。その結果も表6に併せて示されている。   Further, with respect to the ceramic multilayer substrate according to each sample, the amount of protrusion of the interlayer connection conductor was measured from the surface of the ceramic multilayer substrate using a laser three-dimensional length measuring machine. The results are also shown in Table 6.

なお、最大ボイドの径が12μm以上のものを不良として判定し、また、層間接続導体隆起量の絶対値が10μmより大きいものを不良として判定し、いずれかの不良に該当する試料については、表6の「判定」の欄に「×」を付し、それ以外の試料については、「○」を付した。   A sample having a maximum void diameter of 12 μm or more is determined as a failure, and a sample having an absolute value of the amount of protrusion of the interlayer connection conductor greater than 10 μm is determined as a failure. In FIG. 6, “x” was assigned to the “determination” column, and “◯” was assigned to the other samples.

Figure 2008004514
Figure 2008004514

表6から、層間接続導体近傍最大ボイド径が12μm未満、および層間接続導体隆起量が−10μm〜10μmの範囲内という条件を満たすセラミック多層基板を得るためには、無機成分としての添加物粉末がアルミナ粉末である試料1〜20では、試料2、3、4、7、8、11、12、14、15、18および19のように、銀粉末については、積算50%粒径(D050)が3〜6μm、積算最小粒径(Dmin)が1.5μm以上、かつ比表面積(SSA)が0.3m/g以下であり、さらに、その含有量が85〜95重量%であり、また、アルミナ粉末については、積算50%粒径(D050)が1.0μm以下であり、かつその含有量が0.2〜1.0重量%である、ということが必要であることがわかる。 In order to obtain a ceramic multilayer substrate satisfying the conditions that the maximum void diameter in the vicinity of the interlayer connection conductor is less than 12 μm and the protruding amount of the interlayer connection conductor is within the range of −10 μm to 10 μm from Table 6, the additive powder as an inorganic component is In samples 1 to 20 which are alumina powders, as in samples 2, 3, 4, 7, 8, 11, 12, 14, 15, 18 and 19, the silver powder has an integrated 50% particle size (D 050 ). 3 to 6 μm, the cumulative minimum particle size (D min ) is 1.5 μm or more, the specific surface area (SSA) is 0.3 m 2 / g or less, and the content thereof is 85 to 95% by weight, Further, it is understood that the alumina powder needs to have an integrated 50% particle size (D 050 ) of 1.0 μm or less and a content of 0.2 to 1.0% by weight. .

また、添加物粉末がアノーサイト粉末である試料21〜23でも、上記条件を満たすセラミック多層基板を得るためには、試料21および22のように、銀粉末については、積算50%粒径(D050)が3〜6μm、積算最小粒径(Dmin)が1.5μm以上、かつ比表面積(SSA)が0.3m/g以下であり、さらに、その含有量が85〜95重量%であり、また、アノーサイト粉末については、積算50%粒径(D050)が1.0μm以下であり、かつその含有量が0.2〜1.0重量%である、ということが必要であることがわかる。 In addition, in Samples 21 to 23 in which the additive powder is anorthite powder, in order to obtain a ceramic multilayer substrate that satisfies the above conditions, as in Samples 21 and 22, the silver powder has an integrated 50% particle size (D 050 ) is 3 to 6 μm, the cumulative minimum particle size (D min ) is 1.5 μm or more, the specific surface area (SSA) is 0.3 m 2 / g or less, and the content is 85 to 95% by weight. In addition, the anorthite powder needs to have an integrated 50% particle size (D 050 ) of 1.0 μm or less and a content of 0.2 to 1.0% by weight. I understand that.

これらに対して、試料1のように、導電性ペースト中の銀粉末含有量が85重量%未満になると、焼結収縮量が必要以上に多くなるため、層間接続導体近傍最大ボイド径が12μm以上になり、セラミック多層基板の中に欠陥が存在し、また、層間接続導体隆起量が−10μmを下回り、層間接続導体が凹んでしまった。この欠陥はセラミック多層基板において、層間ショートを引き起こす原因になる。   On the other hand, as in sample 1, when the silver powder content in the conductive paste is less than 85% by weight, the amount of sintering shrinkage increases more than necessary, so the maximum void diameter near the interlayer connection conductor is 12 μm or more. As a result, defects were present in the ceramic multilayer substrate, the amount of protrusion of the interlayer connection conductor was less than −10 μm, and the interlayer connection conductor was recessed. This defect causes an interlayer short in the ceramic multilayer substrate.

また、試料5のように、導電性ペースト中の銀粉末含有量が95重量%より多くなると、焼結収縮量が必要以上に少なくなるため、層間接続導体隆起量が10μmより大きくなり、層間接続導体が飛び出してしまい、層間接続導体が側壁のセラミックとも剥がれてしまったため、層間接続導体近傍最大ボイド径が12μm以上と大きくなってしまった。   Further, as in Sample 5, when the silver powder content in the conductive paste is more than 95% by weight, the amount of sintering shrinkage is unnecessarily reduced. Since the conductor jumped out and the interlayer connection conductor was peeled off from the ceramic on the side wall, the maximum void diameter in the vicinity of the interlayer connection conductor was increased to 12 μm or more.

また、試料6のように、導電性ペースト中のアルミナ粉末含有量が0.2重量%未満になると、基材層用グリーンシートの厚み方向の焼結収縮に追従できずに、層間接続導体近傍最大ボイド径が12μm以上になり、セラミック多層基板の中に欠陥が存在していた。この欠陥は、めっき時に水分をトラップしやすくし、はんだ爆ぜやマイグレーションの不具合を引き起こしやすくするものである。   Further, as in Sample 6, when the content of alumina powder in the conductive paste is less than 0.2% by weight, it is not possible to follow the sintering shrinkage in the thickness direction of the green sheet for the base layer, and the vicinity of the interlayer connection conductor The maximum void diameter was 12 μm or more, and defects were present in the ceramic multilayer substrate. This defect makes it easier to trap moisture during plating, and easily causes solder explosion and migration failure.

また、試料9のように、導電性ペースト中のアルミナ粉末含有量が1.0重量%より多くなると、層間接続導体隆起量が10μmより大きくなり、層間接続導体が飛び出してしまい、層間接続導体が側壁のセラミックとも剥がれてしまったため、層間接続導体近傍最大ボイド径が12μm以上と大きくなってしまった。   Further, as in Sample 9, when the content of alumina powder in the conductive paste exceeds 1.0% by weight, the amount of protrusion of the interlayer connection conductor becomes larger than 10 μm, the interlayer connection conductor pops out, and the interlayer connection conductor becomes Since the ceramic on the side wall was peeled off, the maximum void diameter in the vicinity of the interlayer connection conductor was as large as 12 μm or more.

また、試料10のように、導電性ペースト中の銀粉末粒径(D050)が3μm未満になると、銀の拡散量が増加し、層間接続導体周囲のセラミックの軟化収縮が速く進むため、層間接続導体近傍最大ボイド径が12μm以上になり、セラミック多層基板の中に欠陥が存在していた。この欠陥は、めっき時に水分をトラップしやすくし、はんだ爆ぜやマイグレーションの不具合を引き起こしやすくするものである。 Further, as in sample 10, when the silver powder particle size (D 050 ) in the conductive paste is less than 3 μm, the amount of silver diffusion increases, and the softening and shrinkage of the ceramic around the interlayer connection conductor proceeds rapidly. The maximum void diameter in the vicinity of the connecting conductor was 12 μm or more, and defects were present in the ceramic multilayer substrate. This defect makes it easier to trap moisture during plating, and easily causes solder explosion and migration failure.

また、試料13のように、導電性ペースト中の銀粉末粒径(D050)が6μmより大きくなると、銀粉末の焼結が遅くなりすぎるため、層間接続導体隆起量が10μmより大きくなり、層間接続導体が飛び出してしまい、層間接続導体が側壁のセラミックとも剥がれてしまったため、層間接続導体近傍最大ボイド径が12μm以上と大きくなってしまった。 Further, as in Sample 13, when the silver powder particle size (D 050 ) in the conductive paste is larger than 6 μm, the sintering of the silver powder becomes too slow, and the amount of protrusion of the interlayer connection conductor becomes larger than 10 μm. Since the connecting conductor popped out and the interlayer connecting conductor was peeled off from the ceramic on the side wall, the maximum void diameter in the vicinity of the interlayer connecting conductor was increased to 12 μm or more.

また、試料16のように、導電性ペースト中のアルミナ粉末粒径(D050)が1μmより大きくなると、層間接続導体近傍のセラミックにアルミナが拡散しにくくなり、セラミックの軟化状態を抑制しづらくなるため、層間接続導体隆起量が10μmより大きくなり、層間接続導体が飛び出してしまい、層間接続導体が側壁のセラミックとも剥がれてしまったため、層間接続導体近傍最大ボイド径が12μm以上と大きくなってしまった。 In addition, when the alumina powder particle size (D 050 ) in the conductive paste is larger than 1 μm as in the sample 16, the alumina is difficult to diffuse into the ceramic near the interlayer connection conductor, and it is difficult to suppress the softened state of the ceramic. Therefore, the protruding amount of the interlayer connection conductor is larger than 10 μm, the interlayer connection conductor protrudes, and the interlayer connection conductor is peeled off from the ceramic on the side wall, so that the maximum void diameter in the vicinity of the interlayer connection conductor is increased to 12 μm or more. .

また、試料17のように、導電性ペースト中の銀粉末のDminが1.5μmより小さいと、この粒径1.5μm未満の銀粉末が激しくセラミック中に拡散し、セラミックの軟化収縮を促進してしまうため、層間接続導体隆起量が10μmより大きくなり、層間接続導体が飛び出してしまい、層間接続導体が側壁のセラミックとも剥がれてしまったため、層間接続導体近傍最大ボイド径が12μm以上と大きくなってしまった。 Further, as in Sample 17, when the D min of the silver powder in the conductive paste is smaller than 1.5 μm, the silver powder having a particle diameter of less than 1.5 μm diffuses violently into the ceramic and promotes softening shrinkage of the ceramic. Therefore, the protruding amount of the interlayer connection conductor is larger than 10 μm, the interlayer connection conductor protrudes, and the interlayer connection conductor is peeled off from the ceramic on the side wall, so that the maximum void diameter in the vicinity of the interlayer connection conductor is increased to 12 μm or more. I have.

また、試料20のように、導電性ペースト中の銀粉末のSSAが0.3m/gより大きいと、焼成時に軟化したガラスが層間接続導体と接触する割合がより多くなるので、銀が拡散しやすくなり、層間接続導体の近傍のセラミックのガラス中に溶け込み、セラミックの軟化収縮を促進してしまうため、層間接続導体隆起量が10μmより大きくなり、層間接続導体が飛び出してしまい、層間接続導体が側壁のセラミックとも剥がれてしまったため、層間接続導体近傍最大ボイド径が12μm以上と大きくなってしまった。 Further, as in Sample 20, when the SSA of the silver powder in the conductive paste is larger than 0.3 m 2 / g, the proportion of the glass softened during firing comes into contact with the interlayer connection conductor increases, so that silver diffuses. Since it melts in the ceramic glass near the interlayer connection conductor and promotes softening and shrinkage of the ceramic, the amount of protrusion of the interlayer connection conductor becomes larger than 10 μm, and the interlayer connection conductor pops out, and the interlayer connection conductor However, since the ceramic on the side wall was peeled off, the maximum void diameter in the vicinity of the interlayer connection conductor was increased to 12 μm or more.

また、試料23のように、導電性ペースト中のアノーサイト粉末含有量が1.0重量%より多くなると、アルミナ粉末を1.0重量%より多く含有する試料9の場合と同様、層間接続導体隆起量が10μmより大きくなり、層間接続導体が飛び出してしまい、層間接続導体が側壁のセラミックとも剥がれてしまったため、層間接続導体近傍最大ボイド径が12μm以上と大きくなってしまった。   Further, as in Sample 23, when the content of anorthite powder in the conductive paste is more than 1.0% by weight, the interlayer connection conductor is the same as in the case of Sample 9 containing more than 1.0% by weight of alumina powder. Since the amount of protrusion was larger than 10 μm, the interlayer connecting conductor was popped out, and the interlayer connecting conductor was peeled off from the ceramic on the side wall, so that the maximum void diameter in the vicinity of the interlayer connecting conductor was increased to 12 μm or more.

また、試料24〜26のように、アルミナ粉末でも、アノーサイト粉末でもない、酸化モリブデン粉末を添加した場合には、セラミック中に拡散した酸化モリブデンによって、セラミックの軟化が早くなってしまったため、添加量が0.2〜1.0重量%の範囲にあっても、1.2重量%となっても、層間接続導体隆起量が10μmより大きくなり、また、層間接続導体近傍最大ボイド径が12μm以上と大きくなってしまった。   In addition, when molybdenum oxide powder, which is neither alumina powder nor anorthite powder, was added as in samples 24-26, the softening of the ceramic was accelerated by molybdenum oxide diffused in the ceramic. Even if the amount is in the range of 0.2 to 1.0% by weight or 1.2% by weight, the amount of protrusion of the interlayer connection conductor is larger than 10 μm, and the maximum void diameter in the vicinity of the interlayer connection conductor is 12 μm. It has grown bigger than above.

また、試料27〜29のように、アルミナ粉末でも、アノーサイト粉末でもない、ホウ珪酸ガラス粉末を添加した場合には、層間接続導体近傍のセラミックの収縮軟化を抑制する効果が小さくなったため、添加量が0.2〜1.0重量%の範囲にあっても、1.2重量%となっても、層間接続導体隆起量が−10μm〜10μmの範囲内にあるものの、層間接続導体近傍最大ボイド径が12μm以上と大きくなってしまった。   Moreover, when the borosilicate glass powder which is neither an alumina powder nor an anorthite powder was added like the samples 27-29, since the effect which suppresses the shrinkage | contraction softening of the ceramic near an interlayer connection conductor became small, addition Even if the amount is in the range of 0.2 to 1.0% by weight or 1.2% by weight, the amount of protrusion of the interlayer connection conductor is within the range of −10 μm to 10 μm, but the maximum in the vicinity of the interlayer connection conductor The void diameter has become larger than 12 μm.

また、試料30のように、アルミナコート銀粉末を無機成分とした場合には、銀の焼結が大幅に遅れ、焼結が開始すると、急激に収縮するため、セラミックとの間で収縮タイミングおよび収縮量に大きな差が生じてしまい、層間接続導体隆起量が10μmより大きくなり、また、層間接続導体近傍最大ボイド径が12μm以上と大きくなってしまった。   Further, when the alumina-coated silver powder is used as an inorganic component as in the sample 30, the sintering of silver is greatly delayed, and when the sintering starts, it contracts rapidly. A large difference was generated in the amount of shrinkage, the amount of protrusion of the interlayer connection conductor was larger than 10 μm, and the maximum void diameter in the vicinity of the interlayer connection conductor was as large as 12 μm or more.

さらに、試料31および32のように、アルミナコート銀粉末および酸化モリブデン粉末を無機成分とした場合には、セラミック中に拡散した酸化モリブデンによって、セラミックの軟化が早くなってしまい、また、アルミナコート銀粉末のために、銀の焼結が遅くなりすぎてしまったため、添加量が0.5〜1.0重量%の範囲にあっても、層間接続導体隆起量が10μmより大きくなり、層間接続導体が飛び出してしまい、また、層間接続導体近傍で50μmより大きいクラックが発生し、層間接続導体近傍最大ボイド径が12μm以上と大きくなってしまった。   Further, when the alumina-coated silver powder and the molybdenum oxide powder are used as inorganic components as in the samples 31 and 32, the softening of the ceramic is accelerated by the molybdenum oxide diffused in the ceramic. Due to the powder, the sintering of silver was too slow, so that even when the addition amount was in the range of 0.5 to 1.0% by weight, the protruding amount of the interlayer connection conductor was larger than 10 μm, and the interlayer connection conductor Popped out, and cracks larger than 50 μm were generated in the vicinity of the interlayer connection conductor, and the maximum void diameter in the vicinity of the interlayer connection conductor was increased to 12 μm or more.

上述の試料24〜32から、添加物粉末として、アルミナおよび/またはアノーサイトを含んでいなければならないことがわかる。   From Samples 24-32 above, it can be seen that the additive powder must contain alumina and / or anorthite.

この発明に係るセラミック多層基板の製造方法を説明するためのもので、基材層用グリーンシート1aおよび収縮抑制層用グリーンシート5aを互いに分離して示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a ceramic multilayer substrate according to the present invention, in which a base layer green sheet 1a and a shrinkage suppression layer green sheet 5a are separated from each other. 図1に示した基材層用グリーンシート1aおよび収縮抑制層用グリーンシート5aを積層して得られた未焼結の複合積層体8を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the unsintered composite laminated body 8 obtained by laminating | stacking the green sheet 1a for base materials shown in FIG. 1, and the green sheet 5a for shrinkage | contraction suppression layers. 図2に示した複合積層体8を焼成した後の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state after baking the composite laminated body 8 shown in FIG. 図3に示した収縮抑制層5を除去して取り出された焼結後のセラミック多層基板6を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the ceramic multilayer substrate 6 after the sintering removed by removing the shrinkage | contraction suppression layer 5 shown in FIG. 図4に示したセラミック多層基板6上に表面実装部品11および12を搭載した状態を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state where surface-mounted components 11 and 12 are mounted on the ceramic multilayer substrate 6 shown in FIG. 4. 図5に示したセラミック多層基板6をマザー基板15上に実装した状態を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state in which the ceramic multilayer substrate 6 shown in FIG. 5 is mounted on a mother substrate 15.

符号の説明Explanation of symbols

1a 基材層用グリーンシート
1 セラミック基材層
3 層間接続導体
4 面内導体
5a 収縮抑制層用グリーンシート
5 収縮抑制層
6 セラミック多層基板
7 未焼結セラミック積層体
8 複合積層体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1a Green sheet for base material layer 1 Ceramic base material layer 3 Interlayer connection conductor 4 In-plane conductor 5a Green sheet for shrinkage suppression layer 5 Shrinkage suppression layer 6 Ceramic multilayer substrate 7 Unsintered ceramic laminate 8 Composite laminate

Claims (10)

無機成分および有機成分を含む、導電性ペーストであって、
前記無機成分は、銀粉末と、アルミナおよび/またはアノーサイトを含む添加物粉末とを含み、
前記銀粉末は、積算50%粒径(D050)が3〜6μm、積算最小粒径(Dmin)が1.5μm以上、かつ比表面積(SSA)が0.3m/g以下であり、
前記添加物粉末は、積算50%粒径(D050)が1.0μm以下であり、
前記銀粉末の含有量は85〜95重量%であり、
前記添加物粉末の含有量は0.2〜1.0重量%である、
導電性ペースト。
A conductive paste containing an inorganic component and an organic component,
The inorganic component includes silver powder and additive powder containing alumina and / or anorthite,
The silver powder has an integrated 50% particle size (D 050 ) of 3 to 6 μm, an integrated minimum particle size (D min ) of 1.5 μm or more, and a specific surface area (SSA) of 0.3 m 2 / g or less,
The additive powder has an integrated 50% particle size (D 050 ) of 1.0 μm or less,
The silver powder content is 85-95 wt%,
The content of the additive powder is 0.2 to 1.0% by weight,
Conductive paste.
前記銀粉末は、積算50%粒径(D050)が3.5〜5μm、かつ積算最小粒径(Dmin)が2μm以上であり、前記添加物粉末の含有量は0.2〜0.8重量%である、請求項1に記載の導電性ペースト。 The silver powder has an integrated 50% particle size (D 050 ) of 3.5 to 5 μm and an integrated minimum particle size (D min ) of 2 μm or more, and the content of the additive powder is 0.2 to 0.00. The electrically conductive paste of Claim 1 which is 8 weight%. 前記銀粉末は球状である、請求項1または2の導電性ペースト。   The conductive paste according to claim 1 or 2, wherein the silver powder is spherical. 複数の未焼結セラミック基材層を積層してなり、かつ前記未焼結セラミック基材層に関連して設けられる未焼結導体パターンを備えた、未焼結セラミック積層体と、前記未焼結セラミック基材層に接するように設けられ、前記未焼結セラミック基材層および前記未焼結導体パターンが焼結する温度では実質的に焼結しない、収縮抑制層とを含む、複合積層体を作製する工程と、
前記複合積層体を、前記収縮抑制層が実質的に焼結せず、前記未焼結セラミック基材層および前記未焼結導体パターンが焼結する温度で焼成する工程と
を有する、セラミック多層基板の製造方法であって、
前記未焼結導体パターンは、導電性ペーストによって形成され、
前記導電性ペーストは、無機成分および有機成分を含み、
前記無機成分は、銀粉末と、アルミナおよび/またはアノーサイトを含む添加物粉末とを含み、
前記銀粉末は、積算50%粒径(D050)が3〜6μm、積算最小粒径(Dmin)が1.5μm以上、かつ比表面積(SSA)が0.3m/g以下であり、
前記添加物粉末は、積算50%粒径(D050)が1.0μm以下であり、
前記銀粉末の含有量は85〜95重量%であり、
前記添加物粉末の含有量は0.2〜1.0重量%である、
セラミック多層基板の製造方法。
A non-sintered ceramic laminate having a non-sintered conductor pattern provided in association with the non-sintered ceramic base layer, wherein the non-sintered ceramic base material layer is laminated. A composite laminate including a shrinkage suppression layer provided in contact with the sintered ceramic base layer and not substantially sintered at a temperature at which the green ceramic base layer and the green conductor pattern are sintered. A step of producing
Firing the composite laminate at a temperature at which the shrinkage suppression layer does not substantially sinter and the unsintered ceramic base layer and the unsintered conductor pattern sinter. A manufacturing method of
The unsintered conductor pattern is formed by a conductive paste,
The conductive paste includes an inorganic component and an organic component,
The inorganic component includes silver powder and additive powder containing alumina and / or anorthite,
The silver powder has an integrated 50% particle size (D 050 ) of 3 to 6 μm, an integrated minimum particle size (D min ) of 1.5 μm or more, and a specific surface area (SSA) of 0.3 m 2 / g or less,
The additive powder has an integrated 50% particle size (D 050 ) of 1.0 μm or less,
The silver powder content is 85-95 wt%,
The content of the additive powder is 0.2 to 1.0% by weight,
A method for producing a ceramic multilayer substrate.
前記焼成する工程において、強制的な加圧を伴わずに、前記複合積層体を焼成する、請求項4に記載のセラミック多層基板の製造方法。   The method for producing a ceramic multilayer substrate according to claim 4, wherein, in the firing step, the composite laminate is fired without forced pressurization. 前記未焼結セラミック基材層は、セラミック粉末およびガラス粉末を含んで構成される基材層用グリーンシートによって与えられる、請求項4または5に記載のセラミック多層基板の製造方法。   The method for producing a ceramic multilayer substrate according to claim 4 or 5, wherein the unsintered ceramic substrate layer is provided by a green sheet for a substrate layer comprising ceramic powder and glass powder. 前記基材層用グリーンシートは、CaO−Al−SiO−B系ガラス粉末とAl系セラミック粉末とを含み、前記収縮抑制層はAl系セラミック粉末を含む、請求項6に記載のセラミック多層基板の製造方法。 The green sheet for base material layer includes CaO—Al 2 O 3 —SiO 2 —B 2 O 3 glass powder and Al 2 O 3 ceramic powder, and the shrinkage suppression layer is Al 2 O 3 ceramic powder. The manufacturing method of the ceramic multilayer substrate of Claim 6 containing these. 前記複合積層体において、前記収縮抑制層は前記未焼結セラミック積層体の両主面上に位置しており、前記焼成する工程の後、前記収縮抑制層を除去する工程をさらに備える、請求項4ないし7のいずれかに記載のセラミック多層基板の製造方法。   In the composite laminate, the shrinkage suppression layer is located on both main surfaces of the unsintered ceramic laminate, and further includes a step of removing the shrinkage suppression layer after the firing step. A method for producing a ceramic multilayer substrate according to any one of 4 to 7. 前記複合積層体において、前記収縮抑制層は複数の前記未焼結セラミック基材層の層間に位置している、請求項4ないし8のいずれかに記載のセラミック多層基板の製造方法。   9. The method for producing a ceramic multilayer substrate according to claim 4, wherein in the composite laminate, the shrinkage suppression layer is located between a plurality of the unsintered ceramic base layers. さらに、表面実装部品を搭載する工程を備える、請求項8または9に記載のセラミック多層基板の製造方法。   Furthermore, the manufacturing method of the ceramic multilayer substrate of Claim 8 or 9 provided with the process of mounting surface mounting components.
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