JP2008059868A - 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法及び電子機器 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 404
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 139
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 85
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 30
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 29
- 238000001723 curing Methods 0.000 claims description 29
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 21
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 14
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 12
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 claims description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 10
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 7
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 6
- 230000006872 improvement Effects 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 claims description 4
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 claims description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 abstract description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 5
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 61
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 18
- -1 lithium oxide Chemical compound 0.000 description 18
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 17
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 9
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 9
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- VYFYYTLLBUKUHU-UHFFFAOYSA-N dopamine Chemical compound NCCC1=CC=C(O)C(O)=C1 VYFYYTLLBUKUHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical compound N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 2
- AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCOCC1CO1 AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-aminophenol Chemical class NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XPEKVUUBSDFMDR-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound CC1C=CCC2C(=O)OC(=O)C12 XPEKVUUBSDFMDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012644 addition polymerization Methods 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N benzene Substances C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229960003638 dopamine Drugs 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013032 Hydrocarbon resin Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 1
- 150000001989 diazonium salts Chemical class 0.000 description 1
- OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N diphenyliodanium Chemical class C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229920006270 hydrocarbon resin Polymers 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013035 low temperature curing Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N ε-Caprolactone Chemical compound O=C1CCCCCO1 PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Optical Filters (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】一対の電極10,11の間に有機発光層12を挟持した複数の発光素子21が形成された素子基板20Aと、素子基板21に対向配置され、複数の着色層37及びブラックマトリクス層32が形成された封止基板31と、が設けられた有機エレクトロルミネッセンス装置1において、封止基板31には、着色層37及びブラックマトリクス層32を被覆するオーバーコート層40が形成されていることを特徴とする。
【選択図】図3
Description
また、着色層及びブラックマトリクス層を形成する工程は、水分管理を行わない一般的な大気プロセスで行われる。そのため、着色層及びブラックマトリクス層には、大気中に含まれる水分が付着し、素子基板側と封止基板側を減圧下で貼り合わせる際に、その水分が気泡となって発生するという問題がある。
また、前記オーバーコート層は、炭素と水素を主成分とするオレフィン樹脂または環状オレフィン樹脂からなるため、大気中においても吸湿しない吸水率の低い前記オーバーコート層を形成することができる。
前記接着剤層は、ジカルボン酸無水物硬化剤とエポキシ基含有化合物を熱硬化により重合した樹脂からなるため、透明性及び耐熱性が高く、また微量の水分であればジカルボン酸無水物が接着剤層に含まれる水分を吸着して含水率をさらに低減させることができる。
前記濡れ改善層は、無機酸化物または無機酸窒化物からなるため、吸湿性を低減させることができる。
前記素子基板と前記封止基板との間に、前記発光素子を被覆する電極保護層と、前記電極保護層を被覆する有機緩衝層と、前記有機緩衝層を被覆するガスバリア層の少なくとも3層が積層されている薄膜封止層が形成されているため、前記発光素子が形成された前記素子基板上を平坦化させるとともに、前記発光素子への水分の浸入を防ぐことができる。
さらに、前記接着剤層の材料液を塗布する工程の前に、前記オーバーコート層の表面に、前記接着剤層の材料液との濡れ性を改善する濡れ改善処理を行う工程を有することを特徴としている。そのため、前記オーバーコート層と前記接着剤層との濡れ性を向上させ、前記接着剤層の充填時間と使用量の削減をすることができる。
なお、この実施の形態は、本発明の一部の態様を示すものであり、本発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
まず、本発明の有機EL装置の第1実施形態を説明する。
図1は、本実施形態の有機EL装置の配線構造を示す模式図であり、図1において符号1は有機EL装置である。
もちろん本発明の技術的思想に沿えば、TFTなどを用いるアクティブマトリクスは必須ではなく、単純マトリクス向けの素子基板を用いて本発明を実施し、単純マトリクス駆動しても全く同じ効果が低コストで得られる。
図2は、基板本体20上に形成された前述した各種配線,TFT,各種回路によって、発光層12を発光させるTFT素子基板(以下「素子基板」という。)20Aを示す図である。
有機EL装置の素子基板20Aは、中央部分の実表示領域4(図2中二点鎖線枠内)と、実表示領域4の周囲に配置されたダミー領域5(一点鎖線および二点鎖線の間の領域)とを備えている。
次に、図3を参照して、有機EL装置1の断面構造を説明する。
本実施形態における有機EL装置1は、いわゆる「トップエミッション構造」の有機EL装置である。トップエミッション構造では、光を素子基板側ではなく封止基板側から取り出すため、素子基板に配置された各種回路の大きさに影響されず、発光面積を広く確保できる効果がある。そのため、電圧及び電流を抑えつつ輝度を確保することが可能であり、発光素子の寿命を長く維持することができる。
この有機EL装置1は、陽極10と陰極11(一対の電極)の間に発光層12(有機発光層)を挟持した複数の発光素子21及び発光素子21を区切る画素隔壁13を有する素子基板20Aと、この素子基板20Aに対向配置された封止基板31と、が設けられている。
図3に示すように、有機EL装置1は、前述した各種配線(例えば、TFT等)が形成された素子基板20A上に、窒化珪素等からなる無機絶縁層14が被覆されている。また、無機絶縁層14にはコンタクトホール(不図示)が形成され、前述した陽極10が駆動用TFT123に接続されている。無機絶縁層14上にはアルミ合金等からなる金属反射板15が内装された平坦化層16が形成されている。
この平坦化層16上には、陽極10と陰極11が発光層12を挟持して形成され発光素子21として構成しているものである。また、この発光素子21を区分するように絶縁性の画素隔壁13が配置されている。
なお、本実施形態においては、トップエミッション構造のため、陽極10は必ずしも光透過性を有する材料を用いる必要はなく、アルミ等からなる金属電極を用いてもよい。この構成を採用した場合は、前述した金属反射板15は設けなくてよい。
なお、本実施形態では、フッ化リチウムとマグネシウム−銀合金、ITOの積層体を、透明性が得られる膜厚に調整して用いるものとする。
なお、発光層12の下層或いは上層に、トリアリールアミン(ATP)多量体正孔注入層、TDP(トリフェニルジアミン)系正孔輸送層、アルミニウムキノリノール(Alq3)層(電子輸送層)を成膜することが好ましい。
この電極保護層17は、透明性や密着性、耐水性、ガスバリア性を考慮して珪素酸窒化物などの珪素化合物で構成することが望ましい。また、電極保護層17の膜厚は100nm以上が好ましく、画素隔壁13を被覆することで発生する応力によるクラック発生を防ぐため、膜厚の上限は200nm以下に設定することが好ましい。
なお、本実施形態においては、電極保護層17を単層で形成しているが、複数層で積層してもよい。例えば、低弾性率の下層と高耐水性の上層とで電極保護層17を構成してもよい。
この有機緩衝層18は、画素隔壁13の形状の影響により、凹凸状に形成された電極保護層17の凹凸部分を埋めるように配置され、さらに、その上面は略平坦に形成される。有機緩衝層18は、素子基板20Aの反りや体積膨張により発生する応力を緩和し、不安定な形状の画素隔壁13からの電極保護層17の剥離を防止する機能を有する。また、有機緩衝層18の上面が略平坦化されるので、有機緩衝層18上に形成される硬い被膜からなる後述するガスバリア層19も平坦化される。したがって、応力が集中する部位がなくなり、これにより、ガスバリア層19でのクラックの発生を防止する。
また、硬化時間を短縮するためよく用いられるカチオン放出タイプの光重合開始剤を用いてもよいが、硬化収縮が急激に進まないよう反応の遅いものが良く、また、塗布後の加熱による粘度低下で平坦化を進めるように最終的には熱硬化を用いて硬化物を形成するものが好ましい。
また、硬化後の特性としては、有機緩衝層18の弾性率が1〜10GPaであることが好ましい。10GPa以上では、画素隔壁13上を平坦化した際の応力を吸収することができず、1GPa以下では耐摩耗性や耐熱性等が不足するためである。
ガスバリア層19は、酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより酸素や水分による発光素子21の劣化等を抑えることができる。ガスバリア層19の材質は、透明性、ガスバリア性、耐水性を考慮して、好ましくは窒素を含む珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物などによって形成される。
また、本実施形態では、有機EL装置1をトップエミッション構造としていることから、ガスバリア層19は光透過性を有する必要があり、したがってその材質や膜厚を適宜に調整することにより、本実施形態では可視光領域における光線透過率を例えば80%以上にしている。
さらに、ガスバリア層19が形成された素子基板20Aに封止基板31が対向配置されている。
この封止基板31は、発光光を取り出す表示面を有するため、ガラスまたは透明プラスチック(ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポリカーボネ―ト、ポリオレフィン等)などの光透過性を有する材料で構成されている。
図3,4に示すように、封止基板31の下面には、着色層37として赤色着色層37R、緑色着色層37G、青色着色層37Bがマトリクス状に配列形成されている。
この着色層37は、透明バインダー層に顔料または染料が混合して構成された層で、顔料を選択することにより目的とする赤(R)、緑(G)あるいは青(B)に調整されている。なお、着色層37は、各色のカラーレジストをパターニングして形成してもよい。また、着色層37の色は目的に応じてライトブルーやライトシアン、白などを加えてもよい。
このように、有機EL装置1においては、発光層12の発光光を利用し、かつ、複数色の着色層37によってカラー表示を行うようになっている。
このブラックマトリクス層32は、カーボンブラック等の顔料が混入された樹脂からなる遮光層である。なお、このブラックマトリクス層32には、フッ素樹脂等の撥液性を有する樹脂を混合させてもよい。
図5は、図3に示すA部の拡大断面図である。ここで、図5に示すように、ブラックマトリクス層32の周縁部は、着色層37の周縁部に乗り上げるように形成されている。したがって、着色層37とブラックマトリクス層32の境界部の表面においては、ブラックマトリクス層32が盛り上がり、表面に凹凸部分39が形成される。
なお、封止基板31には、着色層37及びブラックマトリクス層32の他に、紫外線遮断、吸収層や、光反射防止膜、放熱層などの機能層を設けてもよい。
このオーバーコート層40は、着色層37及びブラックマトリクス層32の境界部の表面における凹凸部分39を平坦化させて後述する充填層34(接着剤層)の充填性を向上させる層である。そのため、オーバーコート層40の膜厚は、凹凸部分39を被覆するように1〜5μmの範囲で形成され、好ましくは3〜5μmの比較的厚い膜厚で形成される。また、オーバーコート層40の周縁部は、後述する周辺シール層33の幅内、あるいは周辺シール層33に囲まれた内側に位置する構成が好ましい。このような構成にすることで、オーバーコート層40と封止基板31との接触面の端部が保護され、水分の侵入及び損傷を防ぐことができる。
例えば、ポリエチレンやポリプロピレン等のポリオレフィンや、シクロペンタジエンやノルボルネン等と共重合された環状ポリオレフィンの炭化水素樹脂と呼ばれる炭素と水素を骨格とした樹脂等、含水率が0.01wt%(100ppm)以下に調整された材料が好ましい。
一方、実施例1,2では、含水率を0.01wt%(100ppm)に調整されたポリエチレン、環状ポリオレフィン樹脂を用いた。
以上の結果より、オーバーコート層40の材料としては、実施例1,2のように、含水率が低く調整され、吸湿しにくい材料であることが好ましい。
この周辺シール層33は、素子基板20Aと封止基板31の貼り合わせの位置精度の向上と後述する充填層34のはみ出しを防止する土手の機能を有し、紫外線によって硬化して粘度が向上するエポキシ材料等で構成されている。好ましくは、エポキシ基を有する分子量3000以下のエポキシモノマー/オリゴマーが用いられる(モノマーの定義:分子量1000以下、オリゴマーの定義:分子量1000〜3000)。例えば、ビスフェノールA型エポキシオリゴマーやビスフェノールF型エポキシオリゴマー、フェノールノボラック型エポキシオリゴマー、3,4-エポキシシクロヘキセニルメチル-3',4'-エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、ε-カプロラクトン変性3,4-エポキシシクロヘキシルメチル3',4'-エポキシシクロヘキサンカルボキレートなどがあり、これらが単独もしくは複数組み合わされて用いられる。
塗布時における粘度は、3万〜40万mPa・s(室温)が好ましく、5万〜20万mPa・sがさらに好ましい。また、紫外線照射後に徐々に粘度が上昇する材料を用いると、1mm以下の細いシール幅でも周辺シール層33の断裂を防ぎ、貼り合わせ後の充填剤のはみ出しを防ぐことができる。また、後述する充填層34と比べて透明性は重要ではないが、水分の影響で発生する気泡によって土手の機能が低下する恐れがあるため、含水量は0.1wt%(1000ppm)以下に脱水された材料であることが好ましい。
この充填層34は、前述した周辺シール層33で囲まれた有機EL装置1の内部に隙間なく充填されており、素子基板20Aに対向配置された封止基板31を固定させ、かつ外部からの機械的衝撃に対して緩衝機能を有し、発光層12やガスバリア層19の保護をするものである。
さらに、着色層37及びブラックマトリクス層32に付着した水分が、充填層34へ移行するのを、オーバーコート層40内で遮断することができる。
また、オーバーコート層40は、炭素と水素を主成分とするオレフィン樹脂または環状オレフィン樹脂からなるため、大気中においても吸湿しない吸水率の低いオーバーコート層40を形成することができる。
充填層34を構成する原料は、ジカルボン酸無水物硬化剤とエポキシ基含有化合物からなるため、この充填層34に含まれる微量の水分であれば吸着して含水率をさらに低減させることができる。
次に、図6,7を参照して本実施形態における有機EL装置1の製造方法を説明する。ここで、図6は、有機EL装置1の素子基板20A側の工程図であり、図7は、封止基板31側の工程図である。
具体的には、例えば、窒素を含む珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物などを、ECRスパッタ法やイオンプレーティング法等の高密度プラズマ成膜法により成膜する。
なお、透明無機材料としてのSiO2 などの無機酸化物やLiFやMgF等のアルカリハライドを、真空蒸着法や高密度プラズマ成膜法により積層してもよい。
具体的には、減圧雰囲気下でスクリーン印刷を行った有機緩衝層18を、60〜100℃の範囲で加熱して硬化させる。この時点の問題点として、加熱直後に反応が開始されるまで一時的に粘度が低下する。この時に、有機緩衝層18の形成材料が電極保護層17や陰極11を透過してAlp3 などの発光層12に浸透してダークスポットが発生する。 そこで、ある程度硬化が進むまでは低温で放置し、ある程度高粘度化したところで温度を上げて完全硬化させることが好ましい。
具体的には、ECRスパッタ法やイオンプレーティング法などの高密度プラズマ成膜法で形成する。また、形成前には、酸素プラズマ処理によって密着性を向上させると信頼性が向上する。
具体的には、着色層37をカラーレジストにより形成する場合、フォトリソグラフィー工程により各色毎にパターン形成する。その後、ブラックマトリクス層32をスパッタ法により成膜し、フォトリソグラフィー工程、エッチング工程によりパターニングしていく。
なお、透明バインダー層に顔料または染料が混合された材料を用いて着色層37を形成する場合は、まず、ブラックマトリクス層32の材料液をインクジェット法等の非接触塗布法により塗布する。その後、このブラックマトリクス層32を隔壁として着色層37の材料液をインクジェット法等の非接触塗布法により塗布する方法を用いてもよい。
具体的には、水分管理を行わない一般的な大気中で、着色層37及びブラックマトリクス層32の全面に、スピンコート法等によりオーバーコート層40の材料液を塗布していく。その後、フォトリソグラフィー工程によりオーバーコート層40の周縁部を除去する。なお、スクリーン印刷法等によりオーバーコート層40をパターニングされた状態で形成してもよい。
次に、封止基板31の周辺シール層33に囲まれた内部に充填層34を形成する。
具体的には、ジェットディスペンス法により前述した熱硬化性樹脂材料を塗布していく。なお、この熱硬化性樹脂材料は、必ずしも封止基板31の全面に塗布する必要はなく、封止基板31上の複数箇所に塗布すればよい。
また、周辺シール層33及び充填層34の形成工程は、大気中の水分を吸着しないように、窒素ガスまたは乾燥空気、露点−60℃(水分量10ppm)以下の雰囲気下で行う。なお、真空度が例えば1Paの減圧雰囲気下で行ってもよい。
具体的には、周辺シール層33を仮硬化させる目的で、例えば、照度30mW/cm2 、光量2000mJ/cm2 の紫外線を封止基板上に照射する。この時、紫外線硬化性樹脂である周辺シール層33のみが硬化され粘度が向上する。
なお、紫外線照射は、硬化速度が速い材料の場合は貼り合わせ後に行い、硬化速度の遅い場合は貼り合わせ前に行う。特に、狭い額縁幅を達成するためには、硬化速度の遅い材料を用いて貼り合わせ前に紫外線照射を行う方法が好ましい。
具体的には、この貼り合わせ工程は、大気中の水分を吸着しないように、窒素ガスまたは乾燥空気、露点−60℃(水分量10ppm)以下の雰囲気下で行い、加圧600Nで200秒間保持して圧着させる。なお、真空度が例えば1Paの減圧雰囲気下で行ってもよい。
具体的には、素子基板20A側と封止基板31側を貼り合わせた状態で大気中において加熱することで、前述した仮硬化した周辺シール層33と、充填層34を熱硬化させる。 なお、素子基板20Aと封止基板31との間には真空の空間が存在しても、大気中で加熱硬化を行うことにより、充填層34がその空間に充填される。以上より、前述した本実施形態における所望の有機EL装置1を得ることができる。
次に、本発明の第2実施形態における有機EL装置2について説明する。なお、本実施形態においては、第1実施形態と同一構成には同一符号を付して説明を省略する。ここで、図8は有機EL装置2を模式的に示す断面図である。
本発明の第2実施形態における、有機EL装置2は、前述したオーバーコート層40の表面に塗れ性を改善する濡れ改善層41を形成する点が相違している。
濡れ改善層41の形成材料としては、吸湿性の低い材料が好ましい。例えば、酸化チタンや酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸窒化珪素等の無機酸化物または、無機酸窒化物をECRスパッタ法やイオンプレーティング法などの高密度プラズマ成膜法で形成する。膜厚は、10〜100nmで形成することが好ましく、また、濡れ改善層41の濡れ性の指標として純水の接触角が30度以下であることが好ましい。
なお、オーバーコート層40の表面を大気圧プラズマ処理や減圧プラズマ処理等によって酸化又は窒化させることで最表面(5nm以下)のみを改質してもよい。
ここで、実施例1の濡れ改善層41を形成する場合、および実施例2の濡れ改善処理を行う場合には、充填層34の材料液との接触角θが30度以下と小さいため、充填層34の材料液が素早く濡れ広がり、充填層34の材料液を30秒未満で充填できることが確認された。また、濡れ性が良く、充填時間が早いため、充填層34の材料液の塗布量を削減して、充填層34の膜厚を薄く形成することも可能である。
また、濡れ改善層41は無機酸化物、または無機酸窒化物からなるため、吸湿性を低減させることができる。
さらに、着色層37及びブラックマトリクス層32に付着した水分が、充填層34へ移行するのを、オーバーコート層40内で遮断することができる。
また、オーバーコート層40は、炭素と水素を主成分とするオレフィン樹脂または環状オレフィン樹脂からなるため、大気中においても吸湿しない吸水率の低いオーバーコート層40を形成することができる。
充填層34は、ジカルボン酸無水物硬化剤を含有する熱硬化性エポキシ化合物からなるため、この充填層34に含まれる水分を脱水し易くして含水率を低減させることができる。
次に、前記実施形態の有機EL装置を備えた電子機器の例について説明する。
図9(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図9(a)において、符号50は携帯電話本体を示し、符号51は有機EL装置を備えた表示部を示している。
図9(b)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図9(b)において、符号60は情報処理装置、符号61はキーボードなどの入力部、符号63は情報処理本体、符号62は有機EL装置を備えた表示部を示している。
図9(c)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図9(c)において、符号70は時計本体を示し、符号71は有機EL装置を備えたEL表示部を示している。
図9(a)〜(c)に示す電子機器は、先の実施形態に示した有機EL装置が備えられたものであるので、表示特性が良好な電子機器となる。
Claims (13)
- 一対の電極の間に有機発光層を挟持した複数の発光素子が形成された素子基板と、
前記素子基板に対向配置され、複数の着色層及びブラックマトリクス層が形成された封止基板と、が設けられた有機エレクトロルミネッセンス装置において、
前記封止基板には、前記着色層及び前記ブラックマトリクス層を被覆するオーバーコート層が形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記オーバーコート層の含水率が0.01wt%以下に設定されることを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記オーバーコート層は、炭素と水素を主成分とするオレフィン樹脂または環状オレフィン樹脂からなることを特徴とする請求項1又は2記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記素子基板と前記封止基板との間に、前記素子基板と前記封止基板を固定する接着剤層が形成され、
前記接着剤層の含水率が0.01wt%以下に設定されることを特徴とする請求項1から請求項3いずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記接着剤層は、ジカルボン酸無水物硬化剤とエポキシ基含有化合物が熱硬化によって高分子化した透明性を有する樹脂からなり、前記素子基板と前記封止基板との距離を規制する有機材料からなる所定粒径の球状粒子が混合されていることを特徴とする請求項1から請求項4いずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記オーバーコート層の表面に、前記接着剤層の材料液との濡れ性を改善する濡れ改善層が被覆されていることを特徴とする請求項1から請求項5いずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記濡れ改善層は、無機酸化物または無機酸窒化物からなることを特徴とする請求項1から請求項6いずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記素子基板と前記封止基板との間に、前記発光素子を被覆する電極保護層と、
前記電極保護層を被覆する有機緩衝層と、
前記有機緩衝層を被覆するガスバリア層の少なくとも3層が積層されている薄膜封止層が形成されていることを特徴とする請求項1から請求項7いずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 一対の電極の間に有機発光層を挟持した複数の発光素子が形成された素子基板と、
前記素子基板に対向配置され、複数の着色層及びブラックマトリクス層が形成された封止基板と、が設けられた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記封止基板上に、前記着色層及び前記ブラックマトリクス層を被覆するオーバーコート層を形成する工程と、
前記素子基板と前記封止基板を固定する接着剤層の材料液を塗布する工程と
前記素子基板と前記封止基板を減圧下で貼り合わせる工程と、を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 前記オーバーコート層を形成する工程は、含水率が0.01wt%以下の前記オーバーコート層の材料液を塗布することを特徴とする請求項9記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 前記接着剤層の材料液を塗布する工程と、前記素子基板及び前記封止基板を貼り合わせる工程は、水分が10ppm以下の脱水環境下で行われることを特徴とする請求項9又は10記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 前記接着剤層の材料液を塗布する工程の前に、前記オーバーコート層の表面に、前記接着剤層の材料液との濡れ性を改善する濡れ改善処理を行う工程を有することを特徴とする請求項9から請求項11いずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 請求項1から請求項8いずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006234570A JP2008059868A (ja) | 2006-08-30 | 2006-08-30 | 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008059868A true JP2008059868A (ja) | 2008-03-13 |
Family
ID=39242364
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006234570A Pending JP2008059868A (ja) | 2006-08-30 | 2006-08-30 | 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2008059868A (ja) |
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