JP2008052770A - 半導体試験装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体試験装置10は、DUT40に与える二次元アドレスを生成するアドレスジェネレータ13、アドレスジェネレータ13が生成した二次元のアドレスA2を一次元のアドレスA4に変換するアドレス変換部16、及びアドレスA4を用いてコンパレータ14から出力されるフェイルデータD3を収集メモリ18にバースト転送する収集メモリコントローラ17を備える。アドレス変換部16は、二次元のアドレスA2を所定の第1変換規則に従って一次元のアドレスA11に変換するアドレススクランブラ21と、収集メモリ18に収集されるフェイルデータD3のバースト性が保証されるように、アドレスA11を所定の第2変換規則に従って変換するバーストアドレススクランブラ22とを備える。
【選択図】図1
Description
この発明によると、アドレス生成部で生成された二次元アドレスは被試験デバイスに出力され、被試験デバイスから出力される出力信号からフェイル情報が求められる。他方、アドレス生成部で生成された二次元アドレスは第1変換部に出力されて第一変換規則により変換された後に、第2変換部において第2変換規則により第1変換部から順次出力される一次元アドレスが所定数を単位として連続するように変換される。そして、第2変換部で変換された一次元アドレスを用いて上記のフェイル情報が第1メモリに対してバースト転送される。
また、本発明の半導体試験装置は、前記メモリ制御部の前記第1メモリに対する前記バースト転送を実行させるか否かを設定する転送モード設定部(27)を備えることを特徴としている。
また、本発明の半導体試験装置は、前記第1変換部で変換された前記一次元アドレスと前記第2変換部で変換された前記一次元アドレスとを入力とし、前記転送モード設定部の設定内容に応じて何れか一方の一次元アドレスを選択的に出力するアドレス選択部(23)を備えることを特徴としている。
また、本発明の半導体試験装置は、前記第1メモリを複数の領域に分けて前記フェイル情報を収集するために、前記第1変換部で変換された前記一次元アドレスを所定の第3規則に従って変換して前記第2変換部に出力する第3変換部(31)を備えることを特徴としている。
また、本発明の半導体試験装置は、前記第1メモリで収集された前記フェイル情報を待避するためのバースト転送が可能な第2メモリ(20)と、前記第1メモリから前記第2メモリに前記フェイル情報を待避させるための待避アドレスを生成する待避アドレス生成部(15)と、前記待避アドレス生成部で生成された前記待避アドレスを、前記第2変換規則に対して逆変換となる逆変換規則に従って変換する逆変換部(25)とを備え、前記メモリ制御部は、前記逆変換部で逆変換された前記待避アドレスを用いて、前記第1メモリに記憶されている前記フェイル情報を前記第2メモリにバースト転送することを特徴としている。
また、本発明の半導体試験装置は、前記メモリ制御部が、前記転送モード設定部の設定内容に応じて、前記フェイル情報を前記第1メモリから第2メモリにバースト転送するか否かを制御することを特徴としている。
また、本発明の半導体試験装置は、前記待避アドレス生成部で生成される前記待避アドレスと前記逆変換部で変換された前記アドレスとを入力とし、前記転送モード設定部の設定内容に応じて何れか一方の待避アドレスを選択的に出力する待避アドレス選択部(26)を備えることを特徴としている。
また、本発明の半導体試験装置は、前記第2変換規則が、前記バースト転送のバースト長を2k(kは1以上の整数)とすると、前記第1変換部から順次出力される前記一次元アドレスのk個毎に値が変化するビットを、最下位から数えて第kビット目に移動させる変換であることを特徴としている。
更に、本発明の半導体試験装置は、前記バースト長を設定するバースト長設定部(29)と、前記移動の対象となるビットを設定する移動ビット設定部(28)とを備え、前記第2変換部は、前記バースト長設定部及び前記移動ビット設定部の設定内容に応じて前記第1変換部から順次出力される前記一次元アドレスの変換を行うことを特徴としている。
また、本発明によれば、待避アドレス生成部で生成される待避アドレスを、第2変換部の第2変換規則に対して逆変換となる逆変換規則に従って変換し、この待避アドレスを用いてフェイル情報を第1メモリから第2メモリにバースト転送して待避しているため、フェイル情報を第1メモリから第2メモリに効率よく待避させることにより試験時間の短縮を図ることができるとともに、逆変換によって被試験デバイスのメモリマップに合致するようフェイル情報が第2メモリに待避されるため、フェイル情報の解析を容易に行うことができるという効果がある。
また、本発明によれば、フェイル情報の転送モードをバースト転送モードと他の転送モードとの間で切り替えることが可能であり、転送モードに応じてメモリ制御部に与える一次元アドレス及び待避アドレスを選択することができるため、データ転送方式に応じた適切なアドレス指定を行うことができるという効果がある。
更に、フェイル情報を第1メモリに収集する場合に、第1メモリを複数の領域に分けて収集することができるため、例えば被試験デバイスを高速で試験する場合に、フェイル情報の収集が追いつかないときでも、各フェイル情報を別の領域に記憶させることで、正常にフェイル情報の収集を行うことができる。
図1は、本発明の第1実施形態による半導体試験装置の要部構成を示すブロック図である。図1に示す通り、本実施形態の半導体試験装置10は、タイミングジェネレータ11、データジェネレータ12、アドレスジェネレータ13(アドレス生成部)、コンパレータ14、コピーアドレスジェネレータ15(待避アドレス生成部)、アドレス変換部16、収集メモリコントローラ17(メモリ制御部)、収集メモリ(フェイルメモリ)18(第1メモリ)、解析メモリコントローラ19(メモリ制御部)、及び解析メモリ20(第2メモリ)を備えており、DUT(被試験デバイス)40の試験を行う。尚、図1においては、1つのDUT40のみを図示しているが、半導体試験装置10は一度に複数のDUT40の試験を行うのが一般的である。また、DUT40は半導体メモリや内部メモリを備えるLSI等であり、その内部にはデータを記憶するためのメモリが設けられているとする。
まず、ランダム転送モードでは、バーストモード設定レジスタ27に値「0」が設定される。これにより、バーストアドレスセレクタ23はアドレススクランブラ21からのアドレスA11を出力するように設定され、バーストアドレスセレクタ26はコピーアドレスジェネレータ15からのアドレスA3を出力するように設定される。また、収集メモリコントローラ17及び解析メモリコントローラ19の転送モードは、バーストモード設定レジスタ27の設定内容に従って、ランダム転送モードに設定される。
まず、バースト転送モードでは、バーストモード設定レジスタ27に値「1」が設定される。これにより、バーストアドレスセレクタ23はバーストアドレススクランブラ22からのアドレスA12を出力するように設定され、バーストアドレスセレクタ26は逆バーストアドレススクランブラ25からのアドレスA13を出力するように設定される。また、収集メモリコントローラ17及び解析メモリコントローラ19の転送モードは、バーストモード設定レジスタ27の設定内容に従って、バースト転送モードに設定される。
図9は、本発明の第2実施形態による半導体試験装置の要部構成を示すブロック図である。尚、図9においては、図1に示した構成と同一の構成には同一の符号を付してある。図9に示す第2実施形態による半導体試験装置50と、図1に示す第1実施形態による半導体装置10とが異なる点は、図1に示すコンパレータ14に代えてコンパレータ51を備え、アドレス変換部16に代えてアドレス変換部52を備える点である。
13 アドレスジェネレータ
15 コピーアドレスジェネレータ
17 収集メモリコントローラ
18 収集メモリ
19 解析メモリコントローラ
20 解析メモリ
21 アドレススクランブラ
22 バーストアドレススクランブラ
23 バーストアドレスセレクタ
25 逆バーストアドレススクランブラ
26 バーストアドレスセレクタ
27 バーストモード設定レジスタ
28 バーストスクランブル設定レジスタ
29 バースト長設定レジスタ
31 バーストアドレス固定回路
40 DUT
50 半導体試験装置
Claims (9)
- 被試験デバイスの出力信号からパス/フェイルを示すフェイル情報を求めて前記被試験デバイスの試験を行う半導体試験装置において、
前記被試験デバイスから前記出力信号を得るための二次元アドレスを生成するアドレス生成部と、
前記アドレス生成部で生成された前記二次元アドレスを所定の第1変換規則に従って一次元アドレスに変換する第1変換部と、
前記第1変換部から順次出力される前記一次元アドレスが所定数を単位として連続するように、前記一次元アドレスを所定の第2変換規則に従って変換する第2変換部と、
前記フェイル情報を収集するバースト転送が可能な第1メモリと、
前記第2変換部で変換された前記一次元アドレスを用いて、前記フェイル情報を前記所定数を単位として前記第1メモリに対してバースト転送するメモリ制御部と
を備えることを特徴とする半導体試験装置。 - 前記メモリ制御部の前記第1メモリに対する前記バースト転送を実行させるか否かを設定する転送モード設定部を備えることを特徴とする請求項1記載の半導体試験装置。
- 前記第1変換部で変換された前記一次元アドレスと前記第2変換部で変換された前記一次元アドレスとを入力とし、前記転送モード設定部の設定内容に応じて何れか一方の一次元アドレスを選択的に出力するアドレス選択部を備えることを特徴とする請求項2記載の半導体試験装置。
- 前記第1メモリを複数の領域に分けて前記フェイル情報を収集するために、前記第1変換部で変換された前記一次元アドレスを所定の第3規則に従って変換して前記第2変換部に出力する第3変換部を備えることを特徴とする請求項2又は請求項3記載の半導体試験装置。
- 前記第1メモリで収集された前記フェイル情報を待避するためのバースト転送が可能な第2メモリと、
前記第1メモリから前記第2メモリに前記フェイル情報を待避させるための待避アドレスを生成する待避アドレス生成部と、
前記待避アドレス生成部で生成された前記待避アドレスを、前記第2変換規則に対して逆変換となる逆変換規則に従って変換する逆変換部とを備え、
前記メモリ制御部は、前記逆変換部で逆変換された前記待避アドレスを用いて、前記第1メモリに記憶されている前記フェイル情報を前記第2メモリにバースト転送することを特徴とする請求項2から請求項4の何れか一項に記載の半導体試験装置。 - 前記メモリ制御部は、前記転送モード設定部の設定内容に応じて、前記フェイル情報を前記第1メモリから第2メモリにバースト転送するか否かを制御することを特徴とする請求項5記載の半導体試験装置。
- 前記待避アドレス生成部で生成される前記待避アドレスと前記逆変換部で変換された前記アドレスとを入力とし、前記転送モード設定部の設定内容に応じて何れか一方の待避アドレスを選択的に出力する待避アドレス選択部を備えることを特徴とする請求項5又は請求項6記載の半導体試験装置。
- 前記第2変換規則は、前記バースト転送のバースト長を2k(kは1以上の整数)とすると、前記第1変換部から順次出力される前記一次元アドレスのk個毎に値が変化するビットを、最下位から数えて第kビット目に移動させる変換であることを特徴とする請求項1から請求項7の何れか一項に記載の半導体試験装置。
- 前記バースト長を設定するバースト長設定部と、
前記移動の対象となるビットを設定する移動ビット設定部とを備え、
前記第2変換部は、前記バースト長設定部及び前記移動ビット設定部の設定内容に応じて前記第1変換部から順次出力される前記一次元アドレスの変換を行うことを特徴とする請求項8記載の半導体試験装置。
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