JP2008042143A - Iii族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
Iii族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008042143A JP2008042143A JP2006218463A JP2006218463A JP2008042143A JP 2008042143 A JP2008042143 A JP 2008042143A JP 2006218463 A JP2006218463 A JP 2006218463A JP 2006218463 A JP2006218463 A JP 2006218463A JP 2008042143 A JP2008042143 A JP 2008042143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- compound semiconductor
- group iii
- nitride compound
- iii nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】エピタキシャル成長用基板100に、n型層11、p型層12、透光性電極121、絶縁層150を設ける(1.A)。犠牲層122を設けて、接着層201を用いて保持基板200と接着する(1.B)。エピタキシャル成長用基板100をレーザーリフトオフにより除去し保持基板ウエハ290を得る(1.C)。高反射性金属層111、はんだ層等(metals)を形成し(1.D)、導電性基板300を接合する(1.E)。犠牲層122をウエットエッチングにより除去し、導電性基板ウエハ390が得られる(1.F)。
【選択図】図1
Description
L:発光領域
100:サファイア基板(エピタキシャル成長用基板)
11:n型III族窒化物系化合物半導体層
111:Alから成る高反射性金属層
112:Ti層
113:Ni層
114、301、302:Au層
115、305:Au−20Snはんだ層
12:p型III族窒化物系化合物半導体層
121:ITOから成る透光性電極
122:Niから成る犠牲層
125:台座電極
150:SiO2から成る絶縁層
200:シリコン基板(保持基板)
201:有機材料から成る接着層
H:ウエットエッチング用の孔
300:Cu基板
T1、T2:第1、及び第2のダイシングブレードにより形成される溝
Claims (5)
- 導電性基板と、
高反射性金属層と、
n型のIII族窒化物系化合物半導体層と、
p型のIII族窒化物系化合物半導体層と、
透光性電極とを、
各層間に他の層を介し又は介さずにこの順に有し、
前記透光性電極から前記導電性基板に電流を流して発光させることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。 - III族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法において、
エピタキシャル成長用基板に、少なくともn型のIII族窒化物系化合物半導体層と、最上層のp型のIII族窒化物系化合物半導体層までの所望の積層構造を形成するエピタキシャル成長工程と、
最上層である前記p型のIII族窒化物系化合物半導体層の上面に透光性電極を形成する透光性電極形成工程と、
透光性電極側に、主として有機材料から成る接着剤から成る接着層により一時保持用の保持基板を接着する保持基板接着工程と、
前記n型のIII族窒化物系化合物半導体層の、前記エピタキシャル成長用基板との界面近傍にレーザーを照射して当該界面近傍を分解するレーザー照射工程と、
その後、前記エピタキシャル成長用基板を除く成長基板除去工程と、
露出した前記n型のIII族窒化物系化合物半導体層裏面に高反射性金属層を形成する反射金属形成工程と、
前記高反射性金属層に覆われた前記n型のIII族窒化物系化合物半導体層裏面側に、導体による接続層を表面に形成した導電性基板を接合する導電性基板接合工程と、
前記保持基板と前記有機材料から成る接着層とを除去する保持基板除去工程と
を少なくとも有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。 - 前記保持基板接着工程においては、透光性電極側に、金属から成る犠牲層を介して前記有機材料から成る接着層により前記保持基板を接着するものであり、
前記保持基板除去工程においては、前記金属から成る犠牲層を分解又は除去した後に前記保持基板と前記有機材料から成る接着層とを除去するものであることを特徴とする請求項2に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。 - 前記透光性電極形成工程の後に、
当該透光性電極をパターニングする工程と、
パターニング後の当該透光性電極を覆う耐ウエットエッチング層を設ける工程とを有することを特徴とする請求項3に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。 - 前記保持基板除去工程に続いて、
前記導電性基板上に形成された積層構造を、最上層の前記p型のIII族窒化物系化合物半導体層側から、前記n型のIII族窒化物系化合物半導体層に達し、且つ前記高反射性金属層には達しないように、第1のダイシングブレードにより、分離用の第1の溝を形成するハーフカット工程と、
前記第1のダイシングブレードよりも厚さの薄い第2のダイシングブレードにより、前記導電性基板まで達する分離用の第2の溝を形成するフルカット工程と
を有することを特徴とする請求項2乃至請求項4のいずれか1項に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006218463A JP2008042143A (ja) | 2006-08-10 | 2006-08-10 | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006218463A JP2008042143A (ja) | 2006-08-10 | 2006-08-10 | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008042143A true JP2008042143A (ja) | 2008-02-21 |
JP2008042143A5 JP2008042143A5 (ja) | 2010-09-16 |
Family
ID=39176770
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006218463A Withdrawn JP2008042143A (ja) | 2006-08-10 | 2006-08-10 | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008042143A (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009231549A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子 |
JP2010114375A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
JP2010114374A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
JP2010114373A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
JP2011522436A (ja) * | 2008-06-02 | 2011-07-28 | コリア ユニバーシティ インダストリアル アンド アカデミック コラボレイション ファウンデーション | 半導体発光素子製造用支持基板及びこの支持基板を用いた半導体発光素子 |
WO2011118489A1 (ja) * | 2010-03-24 | 2011-09-29 | 住友ベークライト株式会社 | 発光素子の製造方法およびそれを用いてなる発光素子 |
WO2014079708A1 (de) * | 2012-11-23 | 2014-05-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum vereinzeln eines verbundes in halbleiterchips und halbleiterchip |
JP2014525683A (ja) * | 2011-08-30 | 2014-09-29 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 基板の半導体発光素子への接合方法 |
KR101470020B1 (ko) * | 2008-03-18 | 2014-12-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 샌드위치 구조의 웨이퍼 결합 및 포톤 빔을 이용한 단결정 반도체 박막 전이 |
JP2016039242A (ja) * | 2014-08-07 | 2016-03-22 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子 |
CN105431252A (zh) * | 2013-08-08 | 2016-03-23 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 用于将复合体分割成半导体芯片的方法和半导体芯片 |
KR101608868B1 (ko) * | 2009-10-22 | 2016-04-04 | 삼성전자주식회사 | 조리개를 포함하는 발광다이오드 어레이, 이를 이용한 라인 프린터 헤드 및 발광다이오드 어레이의 제조방법 |
JP2020502796A (ja) * | 2016-12-16 | 2020-01-23 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 半導体構成素子を製造する方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005210066A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-08-04 | Kyocera Corp | 薄膜発光素子およびその製造方法 |
JP2005259768A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
JP2005276900A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
JP2006086254A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Kyocera Corp | 発光素子およびその製造方法ならびにその発光素子を用いた照明装置 |
-
2006
- 2006-08-10 JP JP2006218463A patent/JP2008042143A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005210066A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-08-04 | Kyocera Corp | 薄膜発光素子およびその製造方法 |
JP2005259768A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
JP2005276900A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
JP2006086254A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Kyocera Corp | 発光素子およびその製造方法ならびにその発光素子を用いた照明装置 |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101470020B1 (ko) * | 2008-03-18 | 2014-12-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 샌드위치 구조의 웨이퍼 결합 및 포톤 빔을 이용한 단결정 반도체 박막 전이 |
JP2009231549A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子 |
JP2011522436A (ja) * | 2008-06-02 | 2011-07-28 | コリア ユニバーシティ インダストリアル アンド アカデミック コラボレイション ファウンデーション | 半導体発光素子製造用支持基板及びこの支持基板を用いた半導体発光素子 |
US9224910B2 (en) | 2008-06-02 | 2015-12-29 | Lg Innotek Co., Ltd. | Supporting substrate for preparing semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device using supporting substrates |
US8877530B2 (en) | 2008-06-02 | 2014-11-04 | Lg Innotek Co., Ltd. | Supporting substrate for preparing semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device using supporting substrates |
JP2010114375A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
JP2010114374A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
JP2010114373A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
KR101608868B1 (ko) * | 2009-10-22 | 2016-04-04 | 삼성전자주식회사 | 조리개를 포함하는 발광다이오드 어레이, 이를 이용한 라인 프린터 헤드 및 발광다이오드 어레이의 제조방법 |
WO2011118489A1 (ja) * | 2010-03-24 | 2011-09-29 | 住友ベークライト株式会社 | 発光素子の製造方法およびそれを用いてなる発光素子 |
JP2014525683A (ja) * | 2011-08-30 | 2014-09-29 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 基板の半導体発光素子への接合方法 |
US10158049B2 (en) | 2011-08-30 | 2018-12-18 | Lumileds Llc | Method of bonding a substrate to a semiconductor light emitting device |
WO2014079708A1 (de) * | 2012-11-23 | 2014-05-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum vereinzeln eines verbundes in halbleiterchips und halbleiterchip |
US9728459B2 (en) | 2012-11-23 | 2017-08-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for singulating an assemblage into semiconductor chips, and semiconductor chip |
CN105431252A (zh) * | 2013-08-08 | 2016-03-23 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 用于将复合体分割成半导体芯片的方法和半导体芯片 |
CN105431252B (zh) * | 2013-08-08 | 2017-06-23 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 用于将复合体分割成半导体芯片的方法和半导体芯片 |
US9873166B2 (en) | 2013-08-08 | 2018-01-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for dividing a composite into semiconductor chips, and semiconductor chip |
US10232471B2 (en) | 2013-08-08 | 2019-03-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for dividing a composite into semiconductor chips, and semiconductor chip |
JP2016039242A (ja) * | 2014-08-07 | 2016-03-22 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子 |
JP2020502796A (ja) * | 2016-12-16 | 2020-01-23 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 半導体構成素子を製造する方法 |
US11081620B2 (en) | 2016-12-16 | 2021-08-03 | Osram Oled Gmbh | Method of producing a semiconductor component |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008042143A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP4841378B2 (ja) | 垂直構造発光ダイオードの製造方法 | |
JP2008186959A (ja) | Iii−v族半導体素子、およびその製造方法 | |
JP4758857B2 (ja) | 垂直構造発光ダイオードの製造方法 | |
US20070141806A1 (en) | Method for producing group III nitride based compound semiconductor device | |
JP2008130799A (ja) | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 | |
JP2006073619A (ja) | 窒化物系化合物半導体発光素子 | |
JP4835409B2 (ja) | Iii−v族半導体素子、およびその製造方法 | |
JP4489747B2 (ja) | 垂直構造の窒化物半導体素子の製造方法 | |
JP5992702B2 (ja) | 半導体発光素子、および、車両用灯具、ならびに、半導体発光素子の製造方法 | |
JP5774712B2 (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
JP5658604B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
JP4910664B2 (ja) | Iii−v族半導体素子の製造方法 | |
EP2426741B1 (en) | Method of fabricating a semiconductor light emitting device | |
KR100916366B1 (ko) | 반도체 발광소자용 지지기판 및 이를 이용한 수직구조의 반도체 발광소자 제조 방법 | |
JP2010225852A (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
JP2008306021A (ja) | Ledチップの製造方法 | |
JP2008153362A (ja) | 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子及び発光装置 | |
JP2008140871A5 (ja) | ||
JP4920249B2 (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 | |
JP2013058707A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
JPH11354841A (ja) | 半導体発光素子の製法 | |
US20070141753A1 (en) | Group III nitride based compound semiconductor device and producing method for the same | |
JP4738999B2 (ja) | 半導体光素子の製造方法 | |
JP2007158131A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081022 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081219 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100802 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110412 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110413 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20110610 |