JP2007317739A - 半導体装置の実装体 - Google Patents

Abstract

【課題】電源またはグランド経路におけるインダクタンスを、簡単な構造を用いて効率的に低減することが可能な半導体装置の実装体を提供する。
【解決手段】導体配線１ｄが配置されたフレキシブルなベース基材１ｆ上に、半導体チップ３が搭載され導体配線と接続されて、導体配線を通じて半導体チップから外部へ信号を出力するように構成された半導体装置が、半導体チップの機能が用いられるセット装置の導体シャーシ５に、半導体チップの接地用端子が導体シャーシに接地されるように取り付けられる。半導体チップの接地用端子は導体配線におけるグランド配線に接続され、半導体装置は金属放熱板２を介して導体シャーシに結合されるとともに、グランド配線が金属放熱板に当接するように配置されることにより、接地用端子が導体配線および金属放熱板を介して導体シャーシに接地される。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体装置の実装体に関し、特にテレビ等のディスプレイ用途に多用されるＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）型パッケージ半導体装置におけるグランドおよび電源配線のインダクタンス低減に有効な構造に関する。

近年、ＴＣＰ型パッケージ半導体装置においては、半導体素子の高集積化に伴い入出力ピン数が著しく増加している。また半導体装置の高速化によって、出力信号の切り替え時間も短くなってきている。出力信号を瞬時に切り替えることによって電源経路に急激な電流変化が生じ、電源経路のインダクタンスの影響で電圧が発生する。そのような切り替えノイズが同時に発生することにより、半導体装置の電源ＶＤＤおよびグランドＶＳＳの電位が一時的に変動し、半導体装置が誤動作してしまう恐れがある。

一方、２層以上の導体層を有する半導体装置の場合、ＴＣＰテープの表面に導体層を設け、スルーホールを介してビスで金属放熱板に圧着してから、さらにパネルシャーシに接続することによって実効インダクタンスを低減している。同様の短絡ピンを用いたインダクタンス低減の技術は、例えば特許文献１にも記載されている。

図９は、従来例のＴＣＰ型パッケージ半導体装置の平面図である。図１０は図９のＴＣＰ型パッケージ半導体装置をパネルシャーシ５に取り付けた状態を示す断面図である。断面の位置は、図９のＣ−Ｃ’線で示される位置であるが、ＴＣＰ型パッケージ半導体装置は、図９に示した状態から上下を反転させた状態で示されている。

テープキャリア１Ｂは、テープキャリア基材１ｆ上に導体配線を設け、その一部をソルダーレジスト１ｃ（ドットで示す）で被覆し、アウターリード１ａ、１ｂを露出させたものである。テープキャリア基材１ｆには、第１の孔１ｇ、１ｈが形成されている。金属放熱板２には、パネルシャーシへの固定用の孔２ｃ、２ｄ、および第２の孔２ｅ、２ｆが形成されている。テープキャリア１Ｂには、半導体チップ３が搭載され、貫通ビス４ｇ、４ｈにより金属放熱板２が取り付けられている。金属放熱板２は、放熱板固定ビス４ｅ、４ｆによりパネルシャーシ５に固定されている。半導体チップ３は、グリス６を介して金属放熱板２に接している。半導体チップ３のテープキャリア１Ｂへの実装部分には、封止樹脂（チップコート樹脂）８ｂが充填されている。粘着テープ９は、テープキャリア１Ｂに金属放熱板２を固定するために用いられている。

このＴＣＰ型半導体装置の製造工程では、リール装架状態でテープキャリア１Ｂに、半導体チップ３をインナーリードボンダーで接続後、半導体チップ３上に封止樹脂８ｂを塗布し、この樹脂を硬化後、リール装架状態から半導体装置を必要な外形サイズに打抜く（図示せず）。この際、半導体チップ３内のグランド端子をテープキャリア１Ｂのインナーリードと接続する。そのインナーリード延長上に設けたランド１ｉ、１ｊに、第１の孔１ｇ、１ｈが設けられている。次に、打抜いたテープキャリア１Ｂの第１の孔１ｇ、１ｈと金属放熱板２の第２の孔２ｅ、２ｆを位置合わせし、貫通ビス４ｇ、４ｈを用いてテープキャリア１Ｂを金属放熱板２に固定する。貫通ビス４ｇ、４ｈは同時に、インナーリード延長上に設けたランド１ｉ、１ｊと金属放熱板２を電気的に導通させるための短絡ビスあるいは導体軸の機能を持つ。このとき、半導体チップ３をグリス６を介して金属放熱板２に押し付け、金属放熱板２とテープキャリア１Ｂを粘着テープ９も用いて固定する。

次に、この状態で、金属放熱板２の孔２ｃ、２ｄを貫通させた貫通ビス４ｅ、４ｆを用いて、パネルシャーシ５に金属放熱板２を固定する。この固定により、半導体チップ３のグランド端子が電気的に接地される。さらに半導体装置を取り付ける向きは必ず、半導体チップ３が金属放熱板２とパネルシャーシ５に囲まれる配置になるように設定する。
特開平８−１３９２５８号公報 特許第３５６５８３５号明細書

ところが、上記のような半導体装置におけるインダクタンスの低減技術では、次のような問題がある。

すなわち、ＴＣＰテープの表面に導体層を設け、スルーホールと金属放熱板を接続し、金属放熱板を介してパネルシャーシに固定する方法では、部品点数、取り付け工数が多くなり、複雑な構造になってしまう。

本発明は、電源またはグランド経路におけるインダクタンスを、簡単な構造を用いて効率的に低減することが可能な半導体装置の実装体を提供することを目的とする。

本発明の半導体装置の実装体は、導体配線が配置されたフレキシブルなベース基材上に、半導体チップが搭載され前記導体配線と接続されて、前記導体配線を通じて前記半導体チップから外部へ信号を出力するように構成された半導体装置が、前記半導体チップの機能が用いられるセット装置の導体シャーシに、前記半導体チップの接地用端子が前記導体シャーシに接地されるように取り付けられた構成を前提とする。

上記課題を解決するために、本発明の第１の構成の半導体装置の実装体は、前記半導体チップの前記接地用端子は前記導体配線におけるグランド配線に接続され、前記半導体装置は金属放熱板を介して前記導体シャーシに結合されるとともに、前記グランド配線が前記金属放熱板に当接するように配置されることにより、前記接地用端子が前記導体配線および前記金属放熱板を介して前記導体シャーシに接地されていることを特徴とする。

また、本発明の第２の構成の半導体装置の実装体は、前記半導体チップの前記接地用端子は前記導体配線におけるグランド配線に接続され、前記半導体装置は前記グランド配線が前記導体シャーシに当接するように配置されて前記導体シャーシに結合されることにより、前記接地用端子が前記導体配線を介して前記導体シャーシに接地されていることを特徴とする。

本発明の半導体装置の実装体によれば、導体配線におけるグランド配線を、金属放熱板を介して導体シャーシと電気的に接続し、または直接導体シャーシと電気的に接続することによって、アウターリードを介さずに最短距離で接地でき、半導体装置におけるグランド配線を、部品点数の少ない簡単な構造で低インダクタンス化することが出来る。

また、第１の構成の半導体装置の実装体によれば、金属放熱板面を、導体シャーシ全面に押し当てることが出来るので、半導体チップの急激な温度上昇を抑制し、より安定した放熱特性を確保することが出来る。

本発明の第１の構成の半導体装置の実装体において、前記半導体装置、前記金属放熱板および前記導体シャーシは共通の貫通軸により結合されていることが好ましい。

また、前記グランド配線を形成する接地用ランドパターン部に金属突起が形成され、前記金属突起を介して、前記導体配線が前記金属放熱板に当接していることが好ましい。接地用ランドパターン部に金属突起を設けることにより、貫通軸でベース基材を介して導体配線を金属放熱板に押さえつける際、突起が貫通軸による押さえつけトルクを吸収して、より安定した電気的導通をすることができる。それにより、半導体装置におけるグランド電位または電源電位の変動を抑制することが出来る。

本発明の第２の構成の半導体装置の実装体において、前記半導体装置と前記導体シャーシは貫通軸により結合されていることが好ましい。

また、前記グランド配線を形成する接地用ランドパターン部に金属突起が形成され、前記金属突起を介して、前記導体配線が前記導体シャーシに当接していることが好ましい。それによる効果は、上述の第１の構成の半導体装置の実装体の場合と同様である。

上記いずれかの構成の半導体装置の実装体において、結合用の前記貫通軸は、ワンタッチ式で脱着が可能な形状を有することが好ましい。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。

（実施の形態１)
図１は、本発明の実施の形態１におけるＴＣＰ型パッケージ半導体装置の構造を示す平面図であり、短絡ビス（貫通軸）挿入前の状態を示す。図２は、同ＴＣＰ型パッケージ半導体装置において、短絡ビスすなわち貫通ビス４ａ、４ｂを挿入した後の状態を示す平面図である。図２には、図１では金属放熱板２の下に隠れているテープキャリア１Ａの構造および２個の半導体チップ３が示される。図３は、同ＴＣＰ型パッケージ半導体装置に短絡ビスが挿入されパネルシャーシ５に固定された状態を示す断面図である。断面の位置は、図２のＡ−Ａ’断面であるが、テープキャリア１Ａは、図１および図２の状態から上下を反転させた状態で示されている。なお、図９および図１０に示したものと同様の要素については同一の参照符号を付して、説明の繰り返しを省略する。

図３に示すように、２個の半導体チップ３は、テープキャリア１Ａの表面にフェイスダウン(半導体チップ表面を下向き)でフリップチップ実装されている。テープキャリア１Ａと半導体チップ３のギャップ間は、アンダーフィル樹脂（もしくは非導電性ペースト）８が充填され、樹脂コート後硬化されている。このようにして、ＣＯＦ（チップオンフィルム）形態のＴＣＰが形成されている。この状態ではテープキャリアのリール装架状態で形成されているが（図示せず）、このあと図１、図２に示されるように、テープキャリア１Ａの必要な領域のみを金型を用いて打ち抜いて半導体装置を完成する。

次に、金属放熱板２上の半導体チップ載置位置に放熱グリス６を塗布して、半導体装置の半導体チップ３裏面を金属放熱板２に押し付けながら、同時にテープキャリア１Ａ上の第１の孔１ｇ、１ｈと金属放熱板２の第２の孔２ａ、２ｂの位置合わせをし、粘着テープ９を用いてテープキャリア１Ａと金属放熱板２を互いに固着させる。さらに、表示パネル（図示せず）と半導体装置のアウターリード１ａをアウターリードボンディング後（図示せず）、テープキャリア１の第１の孔１ｇ、１ｈと金属放熱板２の第２の孔２ａ、２ｂの貫通孔に貫通ビス４ａ、４ｂを通して、導電体であるパネルシャーシ５に半導体装置を固定する。

テープキャリア１Ａの第１の孔１ｇ、１ｈの周辺には、半導体チップ３のグランド端子からインナーリードを通じて延びた銅箔１ｄのランドによりテープキャリアグランド配線が形成されており、テープキャリア配線保護用のソルダーレジスト１ｃは、そのランド上には塗布されていない。さらに、テープキャリア１Ａと金属放熱板２のそれぞれの孔周辺では、粘着テープ９も所定の大きさで開口されており、貫通ビス４ａ、４ｂをパネルシャーシ５へ所定のトルクでねじ込むことにより、ビス頭部およびビスワッシャがテープキャリア１Ａの裏面を押し、テープキャリア基材１ｆを介して、テープキャリアグランド配線の銅箔１ｄが金属放熱板２に押し当てられ、半導体チップ３のグランド端子とパネルシャーシ５が導通する経路を形成する。

貫通ビス４ａ、４ｂにより、貫通ビス部ワッシャおよびテープキャリア基材１ｆを介してテープキャリアグランド配線の銅箔１ｄを金属放熱板２に押さえつける時の接触抵抗は、５０ｍｍΩ〜１００ｍｍΩの範囲を目安に管理する。貫通ビス４ａ、４ｂの締め付けトルクやパネルシャーシ５側のボスねじ山形加工状態に応じて、貫通ビス４ａ、４ｂとの接触抵抗が変動する可能性があるので、上記管理値を目安に完了状態を制御する。これにより、グランド電流をパネルシャーシ５に効果的に逃がすことが出来る。

以上のとおり、グランド電流の流れる経路は、半導体チップグランド端子からテープキャリアグランド配線を経由し、貫通ビスを通じて直接パネルシャーシへ落ちる経路となる。一方で、テープキャリアグランド配線を介して、アウターリード１ｂからコネクタもしくはＡＣＦ実装され基板配線(図示せず)を経由して、外部へ接地し流れるグランド電流もある。前者の方が明らかにグランド電流の流れる経路が短いので、本実施の形態の構成は、不要輻射電磁ノイズを効果的に抑制することが出来る。

（実施の形態２）
図４は、本発明の実施の形態２におけるＴＣＰ型パッケージ半導体装置の構造を示す断面図である。本実施の形態におけるＴＣＰ型パッケージ半導体装置の平面構造は、図１および図２に示したものと同様であり、図４は、図２におけるＡ−Ａ’線に沿った位置の断面図である。同図は、短絡ビスすなわち貫通ビス４ａ、４ｂを挿入した後の断面を示す。但し、金属放熱板２は取り付けられていない。

本実施の形態において、テープキャリア１Ａに半導体チップ３を実装し、半導体装置を個片化するまでの状態は実施の形態１と同様であるが、本実施の形態では、金属放熱板２を半導体装置に取り付けないままで、パネルシャーシ５に直接取り付ける。

すなわち、個片化した半導体装置のアウターリード１ａ（図１参照）を、表示パネル（図示せず）にアウターリードボンディング（図示せず）したときに、パネルシャーシ５上の半導体チップ３が載置される位置に、パネルシャーシ５の座繰り５ａ、５ｂを設け、放熱グリス６を塗布しておく。半導体チップ３とシャーシ座繰り５ａ、５ｂの位置を合わせて、テープキャリア１Ａ裏面から半導体チップ３の載置部を押さえながら、粘着テープ９により半導体装置のテープキャリア１Ａの面とパネルシャーシ５を接着させる。次に実施の形態１と同様に、半導体チップ３のグランド端子を引き出したテープキャリア上の孔１ｇ、１ｈの周辺のランドの銅箔１ｄとパネルシャーシ５を、実施の形態１と同様に貫通ビス４ａ、４ｂを用いて導通させる。

本実施の形態によれば、半導体装置を表示パネルおよびパネルシャーシ５に取り付ける際の工程が複雑になるが、最も単純に、貫通ビス４ａ、４ｂを介して接地できる。実施の形態１と同様、貫通ビス４ａ、４ｂにより、貫通ビス部ワッシャおよびテープキャリア基材１ｆを介してテープキャリアグランド配線の銅箔１ｄをパネルシャーシ５に押さえつける時の接触抵抗は、５０ｍｍΩ〜１００ｍΩの範囲で管理する。ここでは、貫通ビス締め付けトルク、パネルシャーシ５側のボスねじ山形加工状態、および貫通ビスの接触抵抗、さらにテープキャリアグランド端子配線が接触するパネルシャーシ５接触面の平坦性などが、接触抵抗を変動する要因になるので、同様に管理する必要がある。

（実施の形態３）
図５は、本発明の実施の形態３におけるＴＣＰ型パッケージ半導体装置の構造を示す断面図である。本実施の形態におけるＴＣＰ型パッケージ半導体装置の平面構造は、図１および図２に示したものと同様であり、図５は、図２におけるＡ−Ａ’線に沿った位置の断面図である。同図は、短絡ビスすなわち貫通ビス４ａ、４ｂを挿入した後の断面を示す。

本実施の形態３においては、テープキャリア１Ａの第一の孔１ｇ、１ｈの周辺ランドの銅箔１ｄに、テープキャリア形成段階で金属突起１ｅを形成する。金属突起１ｅは、例えば、特許文献２に記載の方法を使用して形成することができる。

例えば、まず、テープキャリア１Ａの配線パターンを形成後、再度感光性フォトレジストを全面に塗布し、第一の孔１ｇ、１ｈ周辺のランド部のみにレジストを開口させて、ランド部の銅箔１ｄを露出させる(図示せず)。さらにその露出した導体部分に金属めっきを施して、２０μｍ程度の高さの金属突起１ｅを形成する。

このように作製したテープキャリア１Ａを用い、以降、実施の形態１において説明した方法と同様にして、半導体チップ３を実装し、半導体装置と金属放熱板２を接着する。さらに、実施の形態１と同様に、貫通ビス４ａ、４ｂでテープキャリア１Ａの裏面から押圧することにより、ランド部の銅箔１ｄが、金属突起１ｅを介して金属導熱板２に押圧され、また、金属導熱板２がパネルシャーシ５に押圧される。第一の孔１ｇ、１ｈ周辺のランド部の銅箔１ｄが、金属突起１ｅを介して金属放熱板２に押圧されるので、面接触ではなく、点、線接触での導通を取ることが出来る。それにより、貫通ビス４ａ、４ｂの締め付けトルク、貫通ビスの傾きなどの変動要因を、金属突起１ｅで吸収させることができる。

（実施の形態４）
図６は、本発明の実施の形態４におけるＴＣＰ型パッケージ半導体装置の構造を示す断面図である。本実施の形態におけるＴＣＰ型パッケージ半導体装置の平面構造は、図１および図２に示したものと同様であり、図６は、図２におけるＡ−Ａ’線に沿った位置の断面図である。同図は、貫通ピン４ｃ、４ｄを挿入した後の断面を示す。

本実施の形態では、貫通ピン４ｃ、４ｄが、上述の実施の形態における貫通ビス４ａ、４ｂとは相違する。貫通ピン４ｃ、４ｄは、主要材料としてプラスチックを用い非導電体である。貫通ピン４ｃ、４ｄの先端には、差し込んだ後外れないようにするための返り１０を同材質で形成する。また、貫通ピン４ｃ、４ｄの押さえ部分１１では、テープキャリア１Ａ側の第１の孔１ｇ、１ｈの周辺のみがワッシャ状に広くなっている。さらに、ドライバー等を用いずに手で押し込めるように、人差し指太さサイズのフック１２が設けられている。

貫通ピン４ｃ、４ｄを用い、実施の形態１で説明した方法と同様に、第１の孔１ｇ、１ｈに貫通ピン４ｃ、４ｄを挿入し、テープキャリア１Ａの第１の孔１ｇ、１ｈの周辺の銅箔１ｄを金属放熱板２に押し付け、導通させる。

実施の形態1〜３では、貫通ビスは金属製であるため、貫通ビスの締め付けトルクを数値制御するなどして貫通ビスの接触抵抗値を安定化することが出来る。これに対して、本実施の形態では、貫通ピン４ｃ、４ｄの引き抜く際の引っ張り強度が、５Ｎ〜１０Ｎになるように調整する。また、テープキャリアグランド配線の銅箔１ｄと金属放熱板２の接触抵抗も、５０ｍｍΩ〜１００ｍｍΩの範囲で調整する。

以上の実施の形態３、４の説明では、実施の形態１の構成を前提として説明しているが、実施の形態２のように金属放熱板２を用いない構成との組合せも可能である。すなわち、実施の形態２と実施の形態３、実施の形態２と実施の形態４、あるいは実施の形態２、３、４という組合せも可能である。

（実施の形態５）
図７は、本発明の実施の形態５におけるＴＣＰ型パッケージ半導体装置の構造を示す平面図であり、短絡ビス挿入前の状態を示す。なお、金属放熱板２の下に隠れているテープキャリア１Ｂの構造および２個の半導体チップ３が示される。図８は、同ＴＣＰ型パッケージ半導体装置に短絡ビスが挿入されパネルシャーシ５に固定された状態を示す断面図である。断面の位置は、図７のＢ−Ｂ’断面であるが、テープキャリア１Ｂは、図７の状態から上下を反転させた状態で示されている。

上述の実施の形態１〜４では、テープキャリア１Ａが２層テープキャリアのＣＯＦ（チップオンフィルム）構造の場合を例として説明した。これに対して、本実施の形態５では、テープキャリア１Ｂは、３層テープキャリアであり、テープキャリア基材１ｆを打抜いたデバイスホール１３が形成される。テープキャリア１Ｂ上に半導体チップ３を載置する際、フライングインナーリード（図示せず）が半導体チップ３と接続される。

本実施の形態においては、２個の半導体チップ３は、テープキャリア１Ｂの表面にフェイスダウン(半導体チップ表面を下向き)でギャングボンディング実装される。テープキャリア１Ｂと半導体チップ３の実装部上にチップコート樹脂８ｂを充填し、硬化させる。この状態では、テープキャリアのリール装架状態で形成されているが（図示せず）、このあと図７に示されるテープキャリア１Ｂの必要な領域のみを金型を用いて打ち抜いて、半導体装置を完成する。

次に、金属放熱板２上の半導体チップ載置位置に放熱グリス６を塗布して、半導体装置の半導体チップ３裏面を金属放熱板２に押し付けながら、同時にテープキャリア１Ｂ上の第１の孔１ｇ、１ｈと金属放熱板２の第２の孔２ａ、２ｂの位置合わせをし、粘着テープ９を用いて固着させる。さらに、表示パネル（図示せず）と半導体装置のアウターリード１ａをアウターリードボンディング後（図示せず）、テープキャリア１の第１の孔１ｇ、１ｈと金属放熱板２の第２の孔２ａ、２ｂに貫通ビス４ａ、４ｂを通して、半導体装置を導電体であるパネルシャーシ５に固定する。

テープキャリア１Ｂの第１の孔１ｇ、１ｈの周辺には、半導体チップ３のグランド端子からインナーリードを通じて延びた銅箔１ｄのランドが形成されており、テープキャリア配線保護用のソルダーレジスト１ｃはランド上には塗布されていない。さらに、粘着テープ９は、テープキャリア１Ｂと金属放熱板２のそれぞれの孔周辺が所定の大きさで開口されている。したがって、貫通ビス４ａ、４ｂをパネルシャーシ５へ所定のトルクでねじ込むことにより、ビス頭部およびビスワッシャがテープキャリア１Ｂ裏面を押圧し、テープキャリア基材１ｆを介して銅箔１ｄが金属放熱板２に押圧され、半導体チップ３のグランド端子とパネルシャーシ５が導通する経路が形成される。

貫通ビスにより、貫通ビス部ワッシャおよびテープキャリア基材を介してテープキャリアグランド配線を金属放熱板に押さえつける時の接触抵抗は、実施の形態１〜４と同様に５０ｍｍΩ〜１００ｍｍΩの範囲を目安に管理する。

本実施の形態５の構成も、実施の形態２〜４とそれぞれ、適宜組み合わせて実施することでができる。

本発明の半導体装置の実装体によれば、半導体装置におけるグランド配線のインダクタンスを大幅に低減することが出来、同時切り替えノイズに強く、放熱効果が良好で、テレビ等のディスプレイ用途に有用である。

本発明の実施の形態１におけるＴＣＰ型パッケージ半導体装置の構造を示す平面図 同ＴＣＰ型パッケージ半導体装置の金属放熱板２の下部を透視して示された平面図 同ＴＣＰ型パッケージ半導体装置を図２のＡ−Ａ’線に沿った位置で示す断面図 本発明の実施の形態２におけるＴＣＰ型パッケージ半導体装置の構造を示す断面図 本発明の実施の形態３におけるＴＣＰ型パッケージ半導体装置の構造を示す断面図 本発明の実施の形態４におけるＴＣＰ型パッケージ半導体装置の構造を示す断面図 本発明の実施の形態５におけるＴＣＰ型パッケージ半導体装置の構造を示す平面図 同ＴＣＰ型パッケージ半導体装置を図７のＢ−Ｂ’線に沿った位置で示す断面図 従来例のＴＣＰ型パッケージ半導体装置の平面図 同ＴＣＰ型パッケージ半導体装置を図９のＣ−Ｃ’線に沿った位置で示す断面図

符号の説明

１Ａ、１Ｂ テープキャリア
１ａ、１ｂ アウターリード
１ｃ ソルダーレジスト
１ｄ 配線箔
１ｅ 配線上の金属突起
１ｆ テープキャリア基材
１ｇ、１ｈ 第１の孔
１ｉ、１ｊ ランド
２ 金属放熱板
２ａ、２ｂ、２ｅ、２ｆ 第２の孔
２ｃ、２ｄ 孔（パネルシャーシへの固定用）
３ 半導体チップ
４ａ、４ｂ、４ｇ、４ｈ 貫通ビス
４ｃ、４ｄ 貫通ピン
４ｅ、４ｆ 放熱板固定ビス
５ パネルシャーシ
５ａ、５ｂ シャーシ座繰り
６ グリス
７ 金属突起
８ａ 封止樹脂（非導電ペースト）
８ｂ 封止樹脂（チップコート樹脂）
９ 粘着テープ
１０ 返り
１１ 押さえ部分
１２ フック
１３ デバイスホール

Claims (7)

1. 導体配線が配置されたフレキシブルなベース基材上に、半導体チップが搭載され前記導体配線と接続されて、前記導体配線を通じて前記半導体チップから外部へ信号を出力するように構成された半導体装置が、前記半導体チップの機能が用いられるセット装置の導体シャーシに、前記半導体チップの接地用端子が前記導体シャーシに接地されるように取り付けられた半導体装置の実装体において、
   前記半導体チップの前記接地用端子は前記導体配線におけるグランド配線に接続され、
   前記半導体装置は金属放熱板を介して前記導体シャーシに結合されるとともに、前記グランド配線が前記金属放熱板に当接するように配置されることにより、前記接地用端子が前記導体配線および前記金属放熱板を介して前記導体シャーシに接地されていることを特徴とする半導体装置の実装体。
2. 前記半導体装置、前記金属放熱板および前記導体シャーシは共通の貫通軸により結合されている請求項１に記載の半導体装置の実装体。
3. 前記グランド配線を形成する接地用ランドパターン部に金属突起が形成され、前記金属突起を介して、前記導体配線が前記金属放熱板に当接している請求項１または２に記載の半導体装置の実装体。
4. 導体配線が配置されたフレキシブルなベース基材上に、半導体チップが搭載され前記導体配線と接続されて、前記導体配線を通じて前記半導体チップから外部へ信号を出力するように構成された半導体装置が、前記半導体チップの機能が用いられるセット装置の導体シャーシに、前記半導体チップの接地用端子が前記導体シャーシに接地されるように取り付けられた半導体装置の実装体において、
   前記半導体チップの前記接地用端子は前記導体配線におけるグランド配線に接続され、
   前記半導体装置は前記グランド配線が前記導体シャーシに当接するように配置されて前記導体シャーシに結合されることにより、前記接地用端子が前記導体配線を介して前記導体シャーシに接地されていることを特徴とする半導体装置の実装体。
5. 前記半導体装置と前記導体シャーシは貫通軸により結合されている請求項１に記載の半導体装置の実装体。
6. 前記グランド配線を形成する接地用ランドパターン部に金属突起が形成され、前記金属突起を介して、前記導体配線が前記導体シャーシに当接している請求項４または５に記載の半導体装置の実装体。
7. 結合用の前記貫通軸は、ワンタッチ式で脱着が可能な形状を有する請求項２または５に記載の半導体装置の実装体。

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