JP2007220749A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体装置の製造方法において信頼性の向上を図ることにある。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板２００の表面上に形成された酸化珪素膜からなる剥離酸化膜２１０と、該剥離酸化膜２１０上に形成された単結晶半導体膜を用いた半導体素子２０と、を含むＳＯＩ装置１１００を製造する工程と、半導体素子２０が形成された半導体基板２００の表面を転写先基板２３０に接着する接着工程と、半導体基板２００の裏面より光３０を照射して剥離酸化膜２１０を局所的に加熱する加熱工程と、剥離酸化膜２１０中、及び／又は剥離酸化膜２１０と半導体基板２００との界面において剥離を生じさせて、半導体素子２０を転写先基板２３０に転写させる転写工程と、を含む。
【選択図】図８

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。

電気光学表示装置などの半導体装置の製造方法の一形態として、支持基板上に絶縁層を介してＳＯＩ（Silicon on insulator）層を形成し、当該ＳＯＩ層を他の支持基板に転写する方法が知られている（特許文献１及び２参照）。例えば、特許文献１及び２によれば、転写する際において、高圧流体ジェット噴射によってＳＯＩ層を基板から分離する方法が開示されているが、流体による分離は衝撃や振動が激しく、ＳＯＩ層が損傷する可能性がある。特に、フレキシブル基板にＳＯＩ層を転写し、フレキシブルな電子デバイスを製造する場合には、より信頼性の高い転写工程の手法が要求される。
特開２００４−１７９６４９号公報 特開２００４−３１００５１号公報

本発明の目的は、半導体装置の製造方法において信頼性の向上を図ることにある。

（１）本発明の一形態に係る半導体装置の製造方法は、
半導体基板の表面上に形成された酸化珪素膜からなる剥離酸化膜と、該剥離酸化膜上に形成された単結晶半導体膜を用いた半導体素子と、を含むＳＯＩ装置を製造する工程と、
前記半導体素子が形成された前記半導体基板の表面を転写先基板に接着する接着工程と、
前記半導体基板の裏面より光を照射して前記剥離酸化膜を局所的に加熱する加熱工程と、
前記剥離酸化膜中、及び／又は前記剥離酸化膜と前記半導体基板との界面において剥離を生じさせて、前記半導体素子を前記転写先基板に転写させる転写工程と、
を含む。

これによれば、光を照射して剥離酸化膜を局所的に加熱することにより、転写工程において、剥離酸化膜中、及び／又は剥離酸化膜と半導体基板との界面において剥離を生じさせることができる。すなわち、剥離工程において半導体素子が露出することがなく、半導体装置の破壊又は損傷等を防止することができる。また、光照射による剥離であるため、半導体素子に加えられる応力も少ない。したがって、信頼性及び歩留まりに優れる半導体装置の製造方法を提供することができる。

（２）本発明の他の形態に係る半導体装置の製造方法は、
半導体基板の表面上に形成された酸化珪素膜からなる剥離酸化膜と、該剥離酸化膜上に形成された分離膜と、該分離膜上に形成された下地酸化膜と、該下地酸化膜上に形成された単結晶半導体膜を用いた半導体素子と、を含むＳＯＩ装置を製造する工程と、
前記半導体素子が形成された前記半導体基板の表面を転写先基板に接着する接着工程と、
前記半導体基板の裏面より光を照射して前記剥離酸化膜を局所的に加熱する加熱工程と、
前記剥離酸化膜中、及び／又は前記剥離酸化膜と前記半導体基板との界面において剥離を生じさせて、前記半導体素子を前記転写先基板に転写させる転写工程と、
を含む。

これによれば、光を照射して剥離酸化膜を局所的に加熱することにより、転写工程において、剥離酸化膜中、及び／又は剥離酸化膜と半導体基板との界面において剥離を生じさせることができる。また、剥離時において、半導体素子が少なくとも下地酸化膜及び分離膜により保護されているので、半導体素子が露出することがなく、半導体装置の破壊又は損傷等を防止することができる。また、光照射による剥離であるため、半導体素子に加えられる応力も少ない。したがって、信頼性及び歩留まりに優れる半導体装置の製造方法を提供することができる。

（３）この半導体装置の製造方法において、
前記光の吸収係数は、前記半導体基板よりも前記剥離酸化膜の方が大きくてもよい。

（４）この半導体装置の製造方法において、
前記剥離酸化膜の厚みｔは、前記光の前記剥離酸化膜に対する透過光強度Ｉと、前記光の入射強度Ｉ₀と、前記光の前記剥離酸化膜による吸収係数ｋとにおいて、
Ｉ／Ｉ₀＝ｅｘｐ（−ｋ・ｔ）＜０．１
の関係を満たすように定められてもよい。

これによれば、剥離酸化膜は、所定関係式を満たす厚みを有しており、剥離工程において、剥離酸化膜中及び／又は剥離酸化膜と半導体基板との界面において剥離を生じさせることができる。

（５）この半導体装置の製造方法において、
前記剥離酸化膜の厚みは、約０．９２１（μｍ）より大きくてもよい。

（６）この半導体装置の製造方法において、
少なくとも前記接着工程前に、前記剥離酸化膜に水素又はフッ素のイオン注入を行うことをさらに含んでもよい。

（７）この半導体装置の製造方法において、
前記ＳＯＩ装置製造工程を４５０℃以下のプロセス温度において行ってもよい。

（８）この半導体装置の製造方法において、
前記光は、ＣＯ₂レーザであってもよい。

（９）この半導体装置の製造方法において、
前記剥離酸化膜は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法又は熱酸化法により形成されてもよい。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。

（第１の実施の形態）
図１〜図１１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。

（１）まず、図１に示すように、半導体基板１００上にバッファ膜１１０を介して半導体膜１０を形成し、一方、他の半導体基板２００を用意する。

半導体基板１００は、例えばシリコンウェハであり、その表面上には、バッファ膜１１０が形成され、当該バッファ膜１１０を介して半導体膜（例えば単結晶半導体膜）１０が形成されている。例えば、半導体基板１００上に、ポーラスシリコン膜を形成し、当該ポーラスシリコン膜上に、エピタキシャル成長させることにより、単結晶シリコン膜を形成することができる。なお、バッファ膜１１０の他の例としては、水素のイオン注入が施された酸化シリコン膜を挙げることができる。

半導体基板２００は、半導体基板１００から転写される半導体膜１０を支持するものであり、半導体基板１００と同様に例えばシリコンウェハで構成されている。また、半導体基板２００上には剥離酸化膜２１０が形成されている。剥離酸化膜２１０は、酸化珪素膜（ＳｉＯ₂）からなり、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法又は熱酸化法等により成膜することができる。剥離酸化膜２１０は、半導体基板２００よりも光の吸収係数が大きく、また、半導体基板２００よりも熱膨張係数が大きい。なお、剥離酸化膜２１０は、後述するように所定の厚みを有するように形成することができる。

（２）次に、図１及び図２に示すように、半導体基板１００上の半導体膜１０を、半導体基板２００上（詳しくは剥離酸化膜２１０上）に転写する。

具体的には、各半導体基板１００，２００をそれぞれの主面が対向する向きに配置し、両者を貼り合わせて圧力及び熱を加える。これにより、半導体膜１０がバッファ膜１１０から剥離され、当該半導体膜１０が半導体基板２００上の剥離酸化膜２１０に接着される。こうして、半導体基板２００、剥離酸化膜２１０及び半導体膜１０からなるＳＯＩ（Silicon on insulator）基板を形成する。

ここで、半導体基板２００上の剥離酸化膜２１０に、水素（Ｈ）又はフッ素（Ｆ）のイオン注入を行う。かかるイオン注入によれば、後工程において、光３０の照射による剥離酸化膜２１０の剥離を促進することができる（図８参照）。

かかるイオン注入は、半導体基板２００上に剥離酸化膜２１０を形成した後に行うことができ、例えば図２に示すように半導体膜１０の転写後に行ってもよいし、あるいは半導体膜１０の転写前に行ってもよい。イオン注入領域は、剥離酸化膜２１０の厚み及び注入エネルギーに基づいて適宜制御可能であるが、例えば、剥離酸化膜２１０における半導体基板２００との界面付近に行ってもよいし、あるいは剥離酸化膜２１０中に行ってもよい。各イオンのピーク濃度は限定されるものではないが、例えば１×１０²⁰ｃｍ^-3〜１×１０²²ｃｍ^-3程度の濃度に設定してもよい。こうして、イオン注入によりＳｉＯ₂の還元反応を経てＳｉＨ又はＳｉＦを生成することができる。この結果、剥離酸化膜２１０の一部（一例として図２では半導体基板２００との界面付近）に改質膜２１２を形成することができる。改質膜２１２では、ＳｉＨ又はＳｉＦが生成されており、ＳｉＯ₂の相互接続が切断された状態となっているので、半導体基板２００及び剥離酸化膜２１０の両者の剥離を促進することができる。なお、図２以外の図面においては、改質膜２１２は省略してある。

（３）次に、図３〜図６に示すように、半導体基板２００上において、複数の半導体素子２０を形成し、ＳＯＩ装置１１００を製造する。

具体的には、まず、図３に示すようにトランジスタ形成領域を画定するために半導体膜１０の素子分離を行い、複数の半導体膜１２を形成する。半導体膜１２は、メサ型の素子分離方法により形成される。メサ型の素子分離では、半導体膜１０上に、所望のパターンのマスク層（図示しない）を形成し、このマスク層を用いて半導体膜１０を下地の剥離酸化膜２１０が露出するまでエッチングする。

その後、図４に示すように、複数の半導体膜１２の表面を覆うように酸化シリコン膜１４を形成し、図５に示すように、各半導体膜１２上に酸化シリコン膜１４を介してゲート電極１６を形成する。酸化シリコン膜１４の一部（ゲート電極１６直下）は、ゲート絶縁膜となる。そして、図６に示すように、ゲート電極１６をマスクとして、各半導体膜１２に所定の不純物を注入し、かかる不純物を活性化させ、ソース又はドレインとなる不純物領域１８を形成する。その後、複数の半導体素子２０を覆う層間絶縁膜（例えば酸化又は窒化シリコン膜）２２０を形成する。

こうして、半導体基板２００上に剥離酸化膜２１０を介して複数の半導体素子２０を形成することができる。すなわち、半導体基板２００、剥離酸化膜２１０、複数の半導体素子２０、及び層間絶縁膜２２０を含む、ＳＯＩ装置１１００を製造することができる。

上記構成によれば、所定の厚みを有する剥離酸化膜２１０上において、複数の半導体素子２０を形成するので、バッファ膜１１０上において形成する場合に比べて、製造工程の安定化及び歩留まりの向上を図ることができる。例えば、ポーラスシリコン膜上において半導体素子を形成する場合、ポーラスシリコンは、熱に対して不安定であり、またエッチング時に剥離が生じる可能性もあり製造工程の制約も少なくないが、本工程によればこれらの弊害をなくし、半導体素子２０を損傷させることなく安定して形成することができる。

また、上述した半導体素子の形成工程は、例えば４５０℃以下の低温プロセスにおいて行うことができる。これにより、イオン注入した水素又はフッ素が化学反応するのを防止することができる。すなわち、水素又はフッ素が剥離酸化膜２１０から離脱又は消失するのを防止し、上述した剥離促進の機能を後工程にまで維持することができる。

（４）その後、図７〜図９に示すように、複数の半導体素子２０が形成された半導体基板２００の表面を転写先基板２３０に接着し、光照射による加熱工程を経て、複数の半導体素子２０を転写先基板２３０に転写させる。

具体的には、図７に示すように、転写先基板２３０を用意し、当該転写先基板２３０及び半導体基板２００をそれぞれの主面が対向する向きに配置し、両者を貼り合わせて圧力及び熱を加え、複数の半導体素子２０を転写先基板２３０に接着する。

そして、図８に示すように、半導体基板２００の裏面より光３０を照射して、剥離酸化膜２１０を局所的に加熱する。ここで、光３０は、レーザ光（例えば赤外光）である。光３０は、半導体基板２００を透過し、剥離酸化膜２１０で少なくとも一部が吸収され、この光吸収により剥離酸化膜２１０が熱せられる。これにより、剥離酸化膜２１０が大きく熱膨張するのに対し、半導体基板２００はほとんど熱膨張しないので、両者の界面付近において横方向にせん断応力が発生する。あるいは、剥離酸化膜２１０の一部が大きく熱膨張することにより、剥離酸化膜２１０の内部において横方向にせん断応力が発生する。これらの結果、半導体基板２００の全面において、剥離酸化膜２１０中のみに剥離が生じるか、又は剥離酸化膜２１０と半導体基板２００との界面のみに剥離が生じる。あるいは、半導体基板２００の一部において剥離酸化膜２１０中に剥離が生じると共に、他の一部において剥離酸化膜２１０と半導体基板２００との界面に剥離が生じる。そして、このような剥離工程を経て、半導体素子２０を転写先基板２３０に転写させることができる。

効果的に剥離を促進するために、剥離酸化膜２１０は効率良く光３０を吸収することが好ましい。ここで、酸化珪素膜からなる剥離酸化膜２１０が最も効率良く光を吸収するのは、吸収係数が最も大きい非対称伸縮ピークであることが知られている。この非対称伸縮ピークで吸収させるためには、光３０の波長は、約８．９２９μｍ〜１０μｍの間にあることが好ましく、これを考慮すると、光３０として８．９μｍ〜１１μｍの波長帯に多くの発振線を有するＣＯ₂レーザ（炭酸ガスレーザ（例えば波長９．３μｍ付近；正確には９．３０５５±０．０００５μｍ））を使用することが好ましい。すなわち、酸化珪素膜からなる剥離酸化膜２１０には、光３０としてはＣＯ₂レーザが適している。

ここで、光３０の剥離酸化膜２１０に対する透過光強度Ｉと、光３０の入射強度Ｉ₀と、光３０の剥離酸化膜２１０による吸収係数ｋ（ｃｍ^-1）と、剥離酸化膜２１０の厚みｔ（ｃｍ）とにおいて、
Ｉ＝Ｉ₀ｅｘｐ（−ｋ・ｔ）
の関係が成立する。また、光３０は半導体基板２００の裏面より照射されるが、半導体素子２０の特性変動や損傷等を防止するためには、剥離酸化膜２１０を透過して半導体素子２０にまで至る光３０の割合は、全体の１０％未満であることが好ましい。

すなわち、上記関係式において、
Ｉ／Ｉ₀＝ｅｘｐ（−ｋ・ｔ）＜０．１
の関係を導出することができる。これを計算すると、
ｋ・ｔ＞２．３０
となり、ここで、酸化シリコンの吸収係数ｋ≒２５００ｃｍ^-1〜３０００ｃｍ^-1であるから、最終的に、
ｔ＞０．９２１μｍ
の関係が導出される。これによれば、剥離酸化膜２１０の厚みが例えば約０．９２１μｍより大きいと、半導体素子２０の特性変動や損傷等を防止し安定して半導体素子２０を剥離することができることがわかる。なお、上述した数値は一例に過ぎず、剥離酸化膜２１０の厚みは上述した数値に限定されるものではない。

また、上述したように、予め剥離酸化膜２１０に水素又はフッ素のイオン注入を行い、例えば改質膜２１２を形成しておくと（図２参照）、当該改質膜２１２又はその界面において剥離が促進される。すなわち、半導体素子２０に剥離酸化膜２１０の少なくとも一部を残した状態で、半導体素子２０を転写することが容易となる。

（５）その後、図１０及び図１１に示すように、転写先基板２３０に接着された複数の半導体素子２０を他の基板３００に転写する。

必要があれば、図１０に示すように、半導体素子２０の転写前に剥離酸化膜２１０を除去し、半導体膜１２が露出した状態で半導体素子２０を基板３００に接着してもよい。あるいは、剥離酸化膜２１０を残した状態で（すなわち半導体膜１２が剥離酸化膜２１０で覆われた状態で）半導体素子２０を基板３００に接着してもよい。こうして、図１１に示すように、基板３００上に複数の半導体素子２０が設けられた半導体装置１０００を製造することができる。

基板３００は、例えば各半導体基板１００，２００よりも耐熱性の低い材質からなり、例としては、フィルム又はテープ等のフレキシブル基板（例えばポリイミド樹脂基板）が挙げられる。基板３００がフレキシブル基板である場合、半導体装置１０００はフレキシブル電子デバイスである。また、半導体装置１０００の例としては、液晶表示装置、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置又は電気泳動表示装置などの電気光学表示装置が挙げられる。

なお、上述した例では、半導体素子２０を半導体基板２００から転写先基板２３０に転写し、その後、基板３００に転写する方法を説明したが、半導体素子２０を半導体基板２００から直接基板３００に転写することもできる。その場合、基板３００上には、図１１と比べて上下反転形状の半導体素子が得られる。

本実施の形態によれば、光３０を照射して剥離酸化膜２１０を局所的に加熱することにより、転写工程において、剥離酸化膜２１０中、及び／又は剥離酸化膜２１０と半導体基板２００との界面において剥離を生じさせることができる。すなわち、剥離工程において半導体素子２０が露出することがなく、半導体装置の破壊又は損傷等を防止することができる。また、光照射による剥離であるため、半導体素子２０に加えられる応力も少ない。したがって、信頼性及び歩留まりに優れる半導体装置の製造方法を提供することができる。

（第２の実施の形態）
図１２〜図１４は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。本実施の形態では、第１の実施の形態の内容と異なる点について説明し、第１の実施の形態から導き出せる内容については説明を省略する。

本実施の形態では、ＳＯＩ装置１２００の構成が第１の実施の形態と異なっている。具体的には、図１２に示すように、半導体基板２００上には、剥離酸化膜２１０、分離膜２１４及び下地酸化膜２１６が順に積層され、剥離酸化膜２１０は上述した関係式から導き出せる所定の厚みを有している。分離膜２１４は、剥離酸化膜２１０及び下地酸化膜２１０，２１６に比べて光吸収率が小さい（すなわち光透過率が大きい）ものであり、例えばアモルファスシリコン膜を使用することができるがその材料は限定されるものではない。分離膜２１４は、例えばＣＶＤ法により剥離酸化膜２１０上に成膜することができる。ＣＶＤ法によれば、下地に対する密着力が比較的高くないので、後工程での分離膜２１４の除去に効果的である。

図１２及び図１３に示すように、半導体基板１００にバッファ膜１１０を介して形成された半導体膜１０を、半導体基板２００上（詳しくは下地酸化膜２１６上）に転写する。

また、上述したように、剥離酸化膜２１０に水素又はフッ素のイオン注入を行うと、光３０の照射による剥離酸化膜２１０の剥離を促進することができるのでより好ましい。

その後、図１４に示すように、半導体基板２００上において複数の半導体素子２０を形成し、さらに複数の半導体素子２０を覆う層間絶縁膜２２０を形成することにより、ＳＯＩ装置１２００を形成する。かかるＳＯＩ装置１２００では、半導体素子２０及び半導体基板２００の間に、剥離酸化膜２１０、分離膜２１４及び下地酸化膜２１６からなる３層構造が設けられている。

そして、図１４に示すように、複数の半導体素子２０が形成された半導体基板２００の表面を転写先基板２３０に接着させた後、半導体基板２００の裏面から光３０を照射する。これにより、光３０は、半導体基板２００を透過し、剥離酸化膜２１０で少なくとも一部が吸収され、この光吸収により剥離酸化膜２１０が熱せられる。これにより、剥離酸化膜２１０が大きく熱膨張するのに対し、半導体基板２００はほとんど熱膨張しないので、両者の界面付近において横方向にせん断応力が発生する。あるいは、剥離酸化膜２１０の一部が大きく熱膨張することにより、剥離酸化膜２１０の内部において横方向にせん断応力が発生する。これらの結果、半導体基板２００の全面において、剥離酸化膜２１０中のみに剥離が生じるか、又は剥離酸化膜２１０と半導体基板２００との界面のみに剥離が生じる。あるいは、半導体基板２００の一部において剥離酸化膜２１０中に剥離が生じると共に、他の一部において剥離酸化膜２１０と半導体基板２００との界面に剥離が生じる。そして、このような剥離工程を経て、半導体素子２０を転写先基板２３０に転写させることができる。

本実施の形態によれば、第１の実施の形態で説明した効果に加えて、剥離時において、半導体素子２０が少なくとも下地酸化膜２１６及び分離膜２１４により保護されているので、半導体素子２０が露出することがなく、半導体装置の破壊又は損傷等を防止することができる。

なお、本実施の形態におけるその後の工程は、第１の実施の形態において説明したとおりであり、複数の半導体素子２０は、下地酸化膜２１６及び分離膜２１４と共に、あるいはそれらの一部又は全部を除去した後に、最終製品となる基板に転写することができる。

本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。

符号の説明

１０，１２…半導体膜 ２０…半導体素子 ３０…光 ２００…半導体基板
２１０…剥離酸化膜 ２１４…分離膜 ２１６…下地酸化膜 ２３０…転写先基板
１１００，１２００…ＳＯＩ装置

Claims (9)

1. 半導体基板の表面上に形成された酸化珪素膜からなる剥離酸化膜と、該剥離酸化膜上に形成された単結晶半導体膜を用いた半導体素子と、を含むＳＯＩ装置を製造する工程と、
   前記半導体素子が形成された前記半導体基板の表面を転写先基板に接着する接着工程と、
   前記半導体基板の裏面より光を照射して前記剥離酸化膜を局所的に加熱する加熱工程と、
   前記剥離酸化膜中、及び／又は前記剥離酸化膜と前記半導体基板との界面において剥離を生じさせて、前記半導体素子を前記転写先基板に転写させる転写工程と、
   を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 半導体基板の表面上に形成された酸化珪素膜からなる剥離酸化膜と、該剥離酸化膜上に形成された分離膜と、該分離膜上に形成された下地酸化膜と、該下地酸化膜上に形成された単結晶半導体膜を用いた半導体素子と、を含むＳＯＩ装置を製造する工程と、
   前記半導体素子が形成された前記半導体基板の表面を転写先基板に接着する接着工程と、
   前記半導体基板の裏面より光を照射して前記剥離酸化膜を局所的に加熱する加熱工程と、
   前記剥離酸化膜中、及び／又は前記剥離酸化膜と前記半導体基板との界面において剥離を生じさせて、前記半導体素子を前記転写先基板に転写させる転写工程と、
   を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 請求項１又は請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
   前記光の吸収係数は、前記半導体基板よりも前記剥離酸化膜の方が大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
   前記剥離酸化膜の厚みｔは、前記光の前記剥離酸化膜に対する透過光強度Ｉと、前記光の入射強度Ｉ₀と、前記光の前記剥離酸化膜による吸収係数ｋとにおいて、
   Ｉ／Ｉ₀＝ｅｘｐ（−ｋ・ｔ）＜０．１
   の関係を満たすように定められることを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
   前記剥離酸化膜の厚みは、約０．９２１（μｍ）より大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
   少なくとも前記接着工程前に、前記剥離酸化膜に水素又はフッ素のイオン注入を行うことをさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
   前記ＳＯＩ装置製造工程を４５０℃以下のプロセス温度において行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
   前記光は、ＣＯ₂レーザであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
   前記剥離酸化膜は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法又は熱酸化法により形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
   
   

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