JP2007208483A - Output circuit - Google Patents
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Abstract
【課題】トライステート出力回路の電源ノイズを減少させることにより、電源ノイズによる誤動作を防止することを課題とする。
【解決手段】ハイインピーダンス状態、ハイレベル状態及びローレベル状態を出力可能であり、ハイレベル状態及びローレベル状態はローインピーダンス状態であり、第1の制御信号に応じてハイインピーダンス状態及びローインピーダンス状態を切り替えるトライステート出力回路(101)と、第2の制御信号を入力し、ローインピーダンス状態からハイインピーダンス状態に切り替える第2の制御信号のタイミングの遅延時間に対して、ハイインピーダンス状態からローインピーダンス状態に切り替える第2の制御信号のタイミングの遅延時間が長くなるように、第2の制御信号を遅延して第1の制御信号をトライステート出力回路に出力する遅延回路(102)とを有する出力回路が提供される。
【選択図】図1An object of the present invention is to prevent malfunction due to power supply noise by reducing power supply noise of a tristate output circuit.
A high-impedance state, a high-level state, and a low-level state can be output. The high-level state and the low-level state are low-impedance states, and the high-impedance state and the low-impedance state according to a first control signal The tristate output circuit (101) for switching between the high impedance state and the low impedance state with respect to the delay time of the timing of the second control signal that inputs the second control signal and switches from the low impedance state to the high impedance state Output circuit having a delay circuit (102) for delaying the second control signal and outputting the first control signal to the tri-state output circuit so that the delay time of the timing of the second control signal to be switched to becomes longer Is provided.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、出力回路に関する。 The present invention relates to an output circuit.
LSIの消費電流の増大に伴う電源ノイズの増大やLSI内部回路の低電圧化に伴い、電源ノイズを低減する必要性が増大している。このようなノイズのうち、I/Oセルのスイッチング起因のノイズとしては、複数のI/Oセルの同時スイッチングにより生じるノイズの低減手法が提案されている(特許文献1)。 With the increase in power supply noise accompanying an increase in LSI current consumption and the reduction in the voltage of LSI internal circuits, the need to reduce power supply noise is increasing. Among such noises, a technique for reducing noise caused by simultaneous switching of a plurality of I / O cells has been proposed as noise caused by switching of I / O cells (Patent Document 1).
複数のI/Oセルの同時スイッチングによるノイズの他に、1個のトライステート出力回路内で電源ノイズが生じることがある。 In addition to noise due to simultaneous switching of a plurality of I / O cells, power supply noise may occur in one tri-state output circuit.
本発明の目的は、トライステート出力回路の電源ノイズを減少させることにより、電源ノイズによる誤動作を防止することである。 An object of the present invention is to prevent malfunction due to power supply noise by reducing power supply noise of a tri-state output circuit.
本発明の一観点によれば、ハイインピーダンス状態、ハイレベル状態及びローレベル状態を出力可能であり、前記ハイレベル状態及び前記ローレベル状態はローインピーダンス状態であり、第1の制御信号に応じて前記ハイインピーダンス状態及び前記ローインピーダンス状態を切り替えるトライステート出力回路と、第2の制御信号を入力し、前記ローインピーダンス状態から前記ハイインピーダンス状態に切り替える前記第2の制御信号のタイミングの遅延時間に対して、前記ハイインピーダンス状態から前記ローインピーダンス状態に切り替える前記第2の制御信号のタイミングの遅延時間が長くなるように、前記第2の制御信号を遅延して前記第1の制御信号を前記トライステート出力回路に出力する遅延回路とを有することを特徴とする出力回路が提供される。 According to an aspect of the present invention, it is possible to output a high impedance state, a high level state, and a low level state, and the high level state and the low level state are low impedance states, and according to a first control signal A tri-state output circuit that switches between the high impedance state and the low impedance state, and a second control signal, and a delay time of the timing of the second control signal that switches from the low impedance state to the high impedance state And delaying the second control signal so that the delay time of the timing of the second control signal for switching from the high impedance state to the low impedance state becomes longer. A delay circuit for outputting to the output circuit Output circuit that is provided.
第2の制御信号を遅延した第1の制御信号を生成することにより、ハイインピーダンス状態からローインピーダンス状態に切り替わるタイミングを遅延させることができる。これにより、ハイレベル状態とローレベル状態との間の遷移可能な時間的範囲を広げることができ、ノイズを防止することができる。また、ノイズによる誤動作を防止することができる。 By generating the first control signal obtained by delaying the second control signal, the timing of switching from the high impedance state to the low impedance state can be delayed. Thereby, the time range in which the transition between the high level state and the low level state can be made can be expanded, and noise can be prevented. In addition, malfunction due to noise can be prevented.
図15はトライステート出力回路101を示す図であり、図16はその動作を説明するためのタイミングチャートである。なお、入力信号IN及び制御信号CTLは、そのレベル遷移を分かり易くするために、電圧を少しずらして図16及び図17に示している。実際には、入力信号IN及び制御信号CTLは、ローレベルが0Vであり、ハイレベルが1.3Vである。電源電圧VDDは3.3V、基準電圧VSSは0Vである。
FIG. 15 is a diagram showing the
トライステート出力回路101は、電源電圧VDD及び基準電圧VSS間に接続され、制御信号CTL及び入力信号INを入力し、出力信号OUTを出力する。制御信号CTLがローレベルのときには、入力信号INがハイレベルであれば出力信号OUTもハイレベル状態になり、入力信号INがローレベルであれば出力信号OUTもローレベル状態になる。制御信号CTLがハイレベルのときには、トライステート出力回路101の出力はハイインピーダンス状態になり、出力信号OUTは前の状態を保持する。トライステート出力回路101は、ハイインピーダンス状態、ハイレベル状態、及びローレベル状態の3状態を出力可能である。ハイレベル状態及びローレベル状態は、出力がローインピーダンス状態である。
The tri-state
期間T21は、入力信号INの立ち下がりエッジから制御信号CTLの立ち上がりエッジまでの期間である。期間T21が十分に長いので、電源電圧VDD及び基準電圧VSSにほとんどノイズが生じない。その結果、出力信号OUTにもノイズが生じない。 The period T21 is a period from the falling edge of the input signal IN to the rising edge of the control signal CTL. Since the period T21 is sufficiently long, almost no noise is generated in the power supply voltage VDD and the reference voltage VSS. As a result, no noise occurs in the output signal OUT.
図17は、トライステート出力回路101に電源ノイズが生じる場合を示すタイミングチャートであり、図16に対応する。期間T22は、入力信号INの立ち下がりエッジから制御信号CTLの立ち上がりエッジまでの期間である。期間T22が短すぎるので、電源電圧VDD及び基準電圧VSSにノイズが生じる。その結果、出力信号OUTにもノイズが生じる。具体的には、入力信号INがハイレベルからローレベルに変化することにより、トライステート出力回路101内に大きな電流が流れる。その最中に、制御信号CTLがローレベルからハイレベルに変化することにより、トライステート出力回路101内のトランジスタがスイッチング動作を行う。これにより、電源ノイズが生じる。
FIG. 17 is a timing chart showing a case where power supply noise occurs in the
図18は、制御信号CTLのレベル遷移及びそれに伴う入力信号INのレベル遷移可能な範囲STを示す図である。図の上段は制御信号CTLがローレベル(ローインピーダンス状態)からハイレベル(ハイインピーダンス状態)に変化する場合を示し、図の下段は制御信号CTLがハイレベル(ハイインピーダンス状態)からローレベル(ローインピーダンス状態)に変化する場合を示す。 FIG. 18 is a diagram illustrating a level transition of the control signal CTL and a range ST in which the level transition of the input signal IN can be accompanied. The upper part of the figure shows a case where the control signal CTL changes from a low level (low impedance state) to a high level (high impedance state), and the lower part of the figure shows that the control signal CTL changes from a high level (high impedance state) to a low level (low impedance state). (Impedance state).
まず、図の上段において、制御信号CTLがローレベルからハイレベルに変化する場合について説明する。時刻t11より前で入力信号INがレベル遷移する場合は、図16の場合である。入力信号INがレベル遷移すると、トライステート出力回路101内で電流が流れ、出力信号OUTがレベル遷移する。出力信号OUTのレベル遷移が終了すると、トライステート出力回路101内の電流が流れなくなる。その後に、制御信号CTLがローレベルからハイレベルに変化するので、電源ノイズは生じない。
First, the case where the control signal CTL changes from the low level to the high level in the upper part of the drawing will be described. The case where the input signal IN makes a level transition before the time t11 is the case of FIG. When the level of the input signal IN changes, a current flows in the
時刻t11から時刻t12までの間で入力信号INがレベル遷移する場合は、図17の場合である。入力信号INがレベル遷移すると、トライステート出力回路101内で大きな電流が流れる。大きな電流が流れている間に、制御信号CTLがローレベルからハイレベルに変化するので、トライステート出力回路101内のスイッチング動作により電源ノイズが生じる。
The case where the level of the input signal IN transitions between time t11 and time t12 is the case of FIG. When the input signal IN makes a level transition, a large current flows in the
次に、時刻t12より後で入力信号INがレベル遷移する場合について説明する。入力信号INがレベル遷移すると、トライステート出力回路101内で電流が流れ始める。しかし、スイッチング開始直後はまだ電流が小さいため、この時点で制御信号CTLがローレベルからハイレベルに変化しても電源ノイズはほとんど生じない。
Next, a case where the input signal IN undergoes level transition after time t12 will be described. When the level of the input signal IN transitions, current starts to flow in the
また、制御信号CTLがローレベルからハイレベルに変化すると、トライステート出力回路101の出力はハイインピーダンス状態になる。その後に、入力信号INがレベル遷移しても、電源ノイズは生じない。
Further, when the control signal CTL changes from the low level to the high level, the output of the
次に、図の下段において、制御信号CTLがハイレベルからローレベルに変化する場合について説明する。時刻t13より前で入力信号INがレベル遷移する場合について説明する。制御信号CTLがハイレベルのとき、トライステート出力回路101の出力はハイインピーダンス状態になる。その状態で、入力信号INがレベル遷移しても、電源ノイズは生じない。
Next, the case where the control signal CTL changes from the high level to the low level will be described in the lower part of the figure. A case where the input signal IN undergoes level transition before time t13 will be described. When the control signal CTL is at a high level, the output of the
また、制御信号CTLがハイレベルからローレベルに変化すると、トライステート出力回路101内のトランジスタがスイッチング動作を行い、スイッチング電流が流れ始める。しかし、スイッチング開始直後はまだ電流が小さいため、この時点で入力信号INがレベル遷移しても電源ノイズはほとんど生じない。
Further, when the control signal CTL changes from the high level to the low level, the transistor in the
次に、時刻t13から時刻t14までの間で入力信号INがレベル遷移する場合について説明する。制御信号CTLがハイレベルからローレベルへ変化することにより、上記のスイッチング電流が流れる。そのスイッチング電流は、やがて大きな電流になる。大きな電流が流れている最中に、入力信号INがレベル遷移すると、電源ノイズが生じる。 Next, a case where the level of the input signal IN changes between time t13 and time t14 will be described. When the control signal CTL changes from the high level to the low level, the above switching current flows. The switching current will eventually become a large current. When the input signal IN makes a level transition while a large current is flowing, power supply noise occurs.
次に、時刻t14より後で入力信号INがレベル遷移する場合について説明する。制御信号CTLがハイレベルからローレベルへ変化することにより、上記のスイッチング電流が流れる。そのスイッチング電流は、出力信号OUTのレベルが落ち着くと、ほとんど流れなくなる。その後に入力信号INがレベル遷移しても、電源ノイズは生じない。 Next, a case where the input signal IN undergoes level transition after time t14 will be described. When the control signal CTL changes from the high level to the low level, the above switching current flows. The switching current hardly flows when the level of the output signal OUT settles. Even if the input signal IN subsequently changes in level, no power supply noise occurs.
上記の時刻t11からt12までの期間は、数nsである。上記の時刻t12からt13までの期間T12は、数十〜百数十psである。上記の時刻t13からt14までの期間は、数nsである。期間T11、T12及びT13は、図の上段及び下段において、電源ノイズが生じない範囲が重なる期間である。 The period from time t11 to t12 is several ns. The period T12 from time t12 to time t13 is several tens to several tens of ps. The period from time t13 to t14 is several ns. Periods T11, T12, and T13 are periods in which the ranges in which power supply noise does not occur overlap in the upper and lower stages of the figure.
以上のように、制御信号CTLがローレベルからハイレベルへ遷移する場合を図の上段に示した。制御信号CTLがローレベル(ローインピーダンス状態)のときに入力信号INが変化するとトライステート出力回路101の出力信号OUTがスイッチングする。このスイッチングの最中に制御信号CTLがローレベルからハイレベルに遷移すると、出力を駆動していたトランジスタで電源の間に流れていた電流が急激にカットされるため、電源のインダクタンスによって通常のスイッチング時よりも大きなノイズが電源にのる。
As described above, the case where the control signal CTL transits from the low level to the high level is shown in the upper part of the figure. When the input signal IN changes when the control signal CTL is at a low level (low impedance state), the output signal OUT of the
また、制御信号CTLがハイレベルからローレベルへ遷移する場合を図の下段に示した。制御信号CTLがハイレベルからローレベルになることで、トライステート出力回路101がスイッチングしている最中に入力信号INが反転すると、図の上段の場合と同様に電源及びトライステート出力回路101の間に急激な電流変化がおきることにより、通常のスイッチング時よりも大きなノイズが電源にのる。
The case where the control signal CTL transits from the high level to the low level is shown in the lower part of the figure. When the input signal IN is inverted while the
このように入力信号IN及び制御信号CTLにより同時スイッチングすると、通常のスイッチング時よりも大きなノイズが電源にのるため、通常スイッチングによるノイズのみ考慮して回路設計を行うと内部回路が誤動作してしまう可能性がある。制御信号CTLが切り替わるクロックサイクルで入力信号INが変化しないように論理設計で対処できればこの問題は回避できるが、制御信号CTLのタイミング要求が厳しい場合にはこの解決方法が適用できるとは限らない。 In this way, when simultaneous switching is performed using the input signal IN and the control signal CTL, a larger noise is applied to the power supply than during normal switching. Therefore, if the circuit design is performed considering only noise due to normal switching, the internal circuit malfunctions. there is a possibility. This problem can be avoided if the logic design can cope with the input signal IN so that the input signal IN does not change in the clock cycle in which the control signal CTL switches, but this solution is not always applicable when the timing requirement of the control signal CTL is severe.
この問題を入力信号IN及び制御信号CTL間の遅延調整で回避する場合、入力信号IN及び制御信号CTLによるスイッチングタイミングは下の要件を満たしている必要がある。 In order to avoid this problem by adjusting the delay between the input signal IN and the control signal CTL, the switching timing by the input signal IN and the control signal CTL needs to satisfy the following requirements.
まず、図の上段の制御信号CTLがローレベルからハイレベルへ遷移する時の要件を説明する。入力信号INの変化によるトライステート出力回路101のスイッチング電流がある程度大きくなる前、又はスイッチング電流が十分小さくなった後に制御信号CTLが変化する。
First, the requirements when the control signal CTL in the upper part of the figure transitions from a low level to a high level will be described. The control signal CTL changes before the switching current of the
次に、制御信号CTLがハイレベルからローレベルへ遷移する時の要件を説明する。制御信号CTLの変化によるトライステート出力回路101のスイッチング電流がある程度大きくなる前、又はスイッチング電流が十分小さくなった後に入力信号INが変化する。
Next, requirements when the control signal CTL transitions from a high level to a low level will be described. The input signal IN changes before the switching current of the
図18を見てわかるとおり、制御信号CTLの立ち上がりと立ち下がりで入力信号INと制御信号CTLの遷移順序の要件が逆になっているため、電源ノイズを抑制するためには制御信号CTLと入力信号INの遷移タイミングを十分離すか逆に非常に近づけなければならない。対策としては、以下の3つがある。 As can be seen from FIG. 18, since the requirements of the transition order of the input signal IN and the control signal CTL are reversed at the rise and fall of the control signal CTL, the control signal CTL and the input are required to suppress power supply noise. The transition timing of the signal IN must be separated enough or vice versa. There are the following three measures.
第1に、制御信号CTLと入力信号INの遷移タイミングを十分に離す。しかし、この場合、遅延性能が大きく悪化する問題がある。 First, the transition timing between the control signal CTL and the input signal IN is sufficiently separated. However, in this case, there is a problem that the delay performance is greatly deteriorated.
第2に、ノイズ対策として電源を強化する。しかし、この場合、半導体チップサイズが大きくなり、コストが増加する問題がある。 Secondly, the power supply is strengthened as a noise countermeasure. However, in this case, there is a problem that the semiconductor chip size increases and the cost increases.
第3に、制御信号CTLと入力信号INの遷移タイミングを非常に近づける。しかし、この場合、多数のトライステート出力回路(入出力回路)101に対して調整が必要となるため、設計工数が増加する問題がある。また、トライステート出力回路101の特性によっては、この調整のためのタイミングの窓がほとんど開いていないために、この対策が実行できない場合もある。
Third, the transition timing between the control signal CTL and the input signal IN is very close. However, in this case, since adjustment is required for a large number of tristate output circuits (input / output circuits) 101, there is a problem that the number of design steps increases. Further, depending on the characteristics of the
図1は本発明の実施形態による出力回路を示す図であり、図3は制御信号CTL及びCTL1を示すタイミングチャートである。出力回路は、トライステート出力回路101及び遅延回路102を有する半導体集積回路である。
FIG. 1 is a diagram showing an output circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a timing chart showing control signals CTL and CTL1. The output circuit is a semiconductor integrated circuit having a
時刻t1では、制御信号CTL及びCTL1がローレベルからハイレベルに遷移する。時刻t2では、制御信号CTLがハイレベルからローレベルに遷移する。時刻t3では、制御信号CTL1がハイレベルからローレベルに遷移する。時刻t2からt3までの期間は、遅延時間Tである。遅延回路102は、制御信号CTLが立ち上がると、ほとんど遅延時間なしで制御信号CTL1を出力し、制御信号CTLが立ち下がると、所定の遅延時間T遅延して制御信号CTL1を出力する。
At time t1, the control signals CTL and CTL1 transition from the low level to the high level. At time t2, the control signal CTL changes from the high level to the low level. At time t3, the control signal CTL1 changes from the high level to the low level. The period from time t2 to t3 is a delay time T. When the control signal CTL rises, the
すなわち、遅延回路102は、制御信号CTLを入力し、ローレベルからハイレベルに切り替える制御信号CTLのタイミングの遅延時間(例えば0)に対して、ハイレベルからローレベルに切り替える制御信号CTLのタイミングの遅延時間Tが長くなるように、制御信号CTLを遅延して制御信号CTL1をトライステート出力回路101に出力する。遅延回路102は、制御信号CTLに対し、ヒステリシス特性を持った制御信号CTL1を生成することができる。
That is, the
図16と同様に、トライステート出力回路101は、電源電圧VDD及び基準電圧VSS間に接続され、制御信号CTL1及び入力信号INを入力し、出力信号OUTを出力する。制御信号CTL1がローレベルのときには、入力信号INがハイレベルであれば出力信号OUTもハイレベル状態になり、入力信号INがローレベルであれば出力信号OUTもローレベル状態になる。制御信号CTL1がハイレベルのときには、トライステート出力回路101の出力はハインイーダンス状態になり、出力信号OUTは前の状態を保持する。トライステート出力回路101は、ハイインピーダンス状態、ハイレベル状態、及びローレベル状態の3状態を出力可能である。ハイレベル状態及びローレベル状態は、出力がローインピーダンス状態である。トライステート出力回路101の出力は、制御信号CTL1がハイレベルであればハイインピーダンス状態になり、制御信号CTL1がローレベルであればローインピーダンス状態になる。
Similarly to FIG. 16, the
図2は、トライステート出力回路101の構成例を示す回路図である。否定(NOT)回路201は、入力信号INを論理反転して出力する。否定回路202は、制御信号CTL1を論理反転して出力する。以下、MOS電界効果トランジスタを単にトランジスタという。pチャネルトランジスタ203は、ゲートが否定回路201の出力端子に接続され、ソースが電源電圧VDDに接続され、ドレインがpチャネルトランジスタ204のソースに接続される。pチャネルトランジスタ204は、ゲートが制御信号CTL1の線に接続され、ドレインが出力信号OUTの線に接続される。nチャネルトランジスタ205は、ゲートが否定回路202の出力端子に接続され、ドレインが出力信号OUTの線に接続され、ソースがnチャネルトランジスタ206のドレインに接続される。nチャネルトランジスタ206は、ゲートが否定回路201の出力端子に接続され、ソースが基準電圧VSSに接続される。
FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a configuration example of the
制御信号CTL1がハイレベルになると、トランジスタ204及び205がオフする。これにより、出力信号OUTの線は、ハイインピーダンス状態になる。制御信号CTL1がローレベルになると、トランジスタ204及び205がオンする。これにより、出力信号OUTの線は、ローインピーダンス状態になる。
When the control signal CTL1 becomes high level, the
制御信号CTL1がローレベルのとき、入力信号INがハイレベルになると、トランジスタ203〜205がオンし、トランジスタ206がオフになる。これにより、出力信号OUTは、ハイレベル(電源電圧VDD)になる。
When the control signal CTL1 is at a low level and the input signal IN is at a high level, the
制御信号CTL1がローレベルのとき、入力信号INがローレベルになると、トランジスタ204〜206がオンし、トランジスタ203がオフになる。これにより、出力信号OUTは、ローレベル(基準電圧VSS)になる。
When the control signal CTL1 is at a low level and the input signal IN is at a low level, the transistors 204 to 206 are turned on and the
図4は、遅延回路102の構成例を示す回路図である。pチャネルトランジスタ401は、ゲートが制御信号CTLの線に接続され、ソースが電源電圧VDDに接続され、ドレインがnチャネルトランジスタ402のドレインに接続される。nチャネルトランジスタ402は、ゲートが制御信号CTLの線に接続され、ソースが基準電圧VSSに接続される。pチャネルトランジスタ403は、ゲートがトランジスタ401及び402のドレインの相互接続点に接続され、ソースが電源電圧VDDに接続され、ドレインが制御信号CTL1の線に接続される。nチャネルトランジスタ404は、ゲートがトランジスタ401及び402のドレインの相互接続点に接続され、ドレインが制御信号CTL1の線に接続され、ソースが基準電圧VSSに接続される。
FIG. 4 is a circuit diagram illustrating a configuration example of the
トランジスタ403は、トランジスタ404よりも駆動能力が大きい。具体的には、トランジスタ403は、トランジスタ404よりもサイズ(ゲート幅)が大きい。トランジスタ403は大電流を流すので、トランジスタ403は高速に制御信号CTL1をハイレベルにすることができる。これに対し、トランジスタ404は小電流を流すので、トランジスタ404は低速に制御信号CTL1をローレベルにする。その結果、図3に示すように、制御信号CTL1は、制御信号CTLに対して、立ち上がりの遅延時間が短く、立ち下がりの遅延時間が長くなる。
The
また、トランジスタ402の駆動能力をトランジスタ401の駆動能力よりも大きくしても、同じ結果が得られる。すなわち、制御信号CTL1をハイレベルにするためのトランジスタ402及び/又は403の駆動能力を大きくし、制御信号CTL1をローレベルにするためのトランジスタ401及び/又は404の駆動能力を小さくすればよい。なお、遅延回路102が2段のインバータにより構成される例を説明したが、インバータの段数は何段でもよい。2段の場合、第1段のインバータはトランジスタ401及び402により構成され、第2段のインバータはトランジスタ403及び404により構成される。
The same result can be obtained even when the driving capability of the
図5は遅延回路102の他の構成例を示す回路図であり、図6はその動作を説明するためのタイミングチャートである。遅延回路102は、論理回路及び遅延素子を有する。否定回路501は、制御信号CTLを論理反転して信号S511を出力する。遅延素子(バッファ)502は、否定回路501の出力信号S511を遅延時間T遅延して信号S512を出力する。否定論理積(NAND)回路503は、信号S511及びS512の否定論理積を制御信号CTL1として出力する。
FIG. 5 is a circuit diagram showing another configuration example of the
図7は遅延回路102の他の構成例を示す回路図であり、図8はその動作を説明するためのタイミングチャートである。遅延回路102は、論理回路及び遅延素子を有する。遅延素子701は、制御信号CTLを遅延時間T遅延して信号S711を出力する。論理和(OR)回路702は、信号S711及び制御信号CTLの論理和を制御信号CTL1として出力する。
FIG. 7 is a circuit diagram showing another configuration example of the
以上は、トライステート出力回路101の出力が、制御信号CTL1がハイレベルのときにハイインピーダンス状態になり、制御信号CTL1がローレベルのときにローインピーダンス状態になる場合を説明した。逆に、トライステート出力回路101の出力が、制御信号CTL1がハイレベルのときにローインピーダンス状態になり、制御信号CTL1がローレベルのときにハイインピーダンス状態になるようにしてもよい。その場合の遅延回路102の動作を図9に示す。
The case where the output of the
図9は、遅延回路102の動作を説明するためのタイミングチャートである。時刻t1では、制御信号CTLがローレベルからハイレベルに遷移する。時刻t2では、制御信号CTL1がローレベルからハイレベルに遷移する。時刻t3では、制御信号CTL及びCTL1がハイレベルからローレベルに遷移する。時刻t1からt2までの期間は、遅延時間Tである。遅延回路102は、制御信号CTLが立ち上がると、所定の遅延時間T遅延して制御信号CTL1を出力し、制御信号CTLが立ち下がると、ほとんど遅延時間なしで制御信号CTL1を出力する。
FIG. 9 is a timing chart for explaining the operation of the
この場合も、図4の回路で遅延回路102を構成することができる。上記と逆に、制御信号CTL1をハイレベルにするためのトランジスタ402及び/又は403の駆動能力を小さくし、制御信号CTL1をローレベルにするためのトランジスタ401及び/又は404の駆動能力を大きくすればよい。
Also in this case, the
図10は図9の制御信号CTL1を生成する遅延回路102の構成例を示す回路図であり、図11はその動作を説明するためのタイミングチャートである。遅延回路102は、論理回路及び遅延素子を有する。否定回路1001は、制御信号CTLを論理反転して信号S1011を出力する。遅延素子1002は、否定回路1001の出力信号S1011を遅延時間T遅延して信号S1012を出力する。否定論理和(NOR)回路1003は、信号S1011及びS1012の否定論理和を制御信号CTL1として出力する。
FIG. 10 is a circuit diagram showing a configuration example of the
図12は図9の制御信号CTL1を生成する遅延回路102の他の構成例を示す回路図であり、図13はその動作を説明するためのタイミングチャートである。遅延回路102は、論理回路及び遅延素子を有する。遅延素子1201は、制御信号CTLを遅延時間T遅延して信号S1211を出力する。論理積(AND)回路1202は、信号S1211及び制御信号CTLの論理積を制御信号CTL1として出力する。
FIG. 12 is a circuit diagram showing another configuration example of the
以上のように、遅延回路102は、制御信号CTLを入力し、トライステート出力回路101のローインピーダンス状態からハイインピーダンス状態に切り替える制御信号CTLのタイミングの遅延時間(例えば0)に対して、ハイインピーダンス状態からローインピーダンス状態に切り替える制御信号CTLのタイミングの遅延時間Tが長くなるように、制御信号CTLを遅延して制御信号CTL1をトライステート出力回路101に出力する。
As described above, the
図14は、図18に対応し、本実施形態による制御信号CTL1のレベル遷移及びそれに伴う入力信号INのレベル遷移可能な範囲STを示す図である。図の上段は制御信号CTL1がローレベル(ローインピーダンス状態)からハイレベル(ハイインピーダンス状態)に変化する場合を示し、図の下段は制御信号CTL1がハイレベル(ハイインピーダンス状態)からローレベル(ローインピーダンス状態)に変化する場合を示す。 FIG. 14 corresponds to FIG. 18 and is a diagram showing a level transition of the control signal CTL1 according to the present embodiment and a range ST in which the level of the input signal IN can be transitioned accordingly. The upper part of the figure shows the case where the control signal CTL1 changes from the low level (low impedance state) to the high level (high impedance state), and the lower part of the figure shows that the control signal CTL1 changes from the high level (high impedance state) to the low level (low impedance state). (Impedance state).
図の上段に示すように、制御信号CTLがローレベル(ローインピーダンス状態)からハイレベル(ハイインピーダンス状態)に変化する場合には、ほとんど遅延なしで制御信号CTL1が生成される。 As shown in the upper part of the figure, when the control signal CTL changes from a low level (low impedance state) to a high level (high impedance state), the control signal CTL1 is generated with almost no delay.
それに対し、図の下段に示すように、制御信号CTLがハイレベル(ハイインピーダンス状態)からローレベル(ローインピーダンス状態)に変化する場合には、所定の遅延時間Tで制御信号CTL1が生成される。これにより、図14では、図18に比べ、時刻t12からt13までの間の期間T12を長くすることができる。期間T12は、低ノイズであり、入力信号INがレベル遷移可能な期間である。期間T12を長くすることにより、遅延調整用のタイミングの窓が狭く電源ノイズを取りきれなかったものについてはノイズの除去が可能になり、もともと窓があったものについても窓が広がることによりノイズ対策のための遅延調整が非常に容易になる。 On the other hand, as shown in the lower part of the figure, when the control signal CTL changes from a high level (high impedance state) to a low level (low impedance state), the control signal CTL1 is generated with a predetermined delay time T. . Thereby, in FIG. 14, the period T12 from the time t12 to t13 can be lengthened compared with FIG. The period T12 is a period in which the noise is low and the level of the input signal IN can be changed. By extending the period T12, the delay adjustment timing window is narrow and the power supply noise can be removed, so that it is possible to remove the noise. The delay adjustment for becomes very easy.
例として、図18のタイミング図において、制御信号CTLのレベル遷移時刻を0とした場合、時刻t11は−3ns、時刻t12は−30ps、時刻t13は+30ps、時刻t14は+3nsとする。すなわち、電源ノイズを抑制するために制御信号CTLと入力信号INの信号変化のタイミングを±30ps以内に近づけるか、又は±3ns以上離さなければならないトライステート出力回路101を考える。
As an example, in the timing diagram of FIG. 18, when the level transition time of the control signal CTL is 0, time t11 is −3 ns, time t12 is −30 ps, time t13 is +30 ps, and time t14 is +3 ns. That is, consider the
この回路で電源ノイズ抑制のために入力信号IN及び制御信号CLT間の遅延調整を行う場合、入力信号INの遅延調整用の窓T12は60psしかない。この領域T12に入れない場合には、3ns以上タイミングを離した領域T11又はT13に入れなければならなくなる。多ビットの双方向I/Oバスのように調整すべきトライステート出力回路(I/Oセル)101の数が大量にある場合や遅延バラツキなどを考慮すると、この遅延調整用の窓T12が狭いと遅延調整が非常に困難である。この状態では電源ノイズの増加や3ns規模の遅延調整を行うことになり、誤動作や遅延の悪化につながる。 In this circuit, when delay adjustment between the input signal IN and the control signal CLT is performed to suppress power supply noise, the delay adjustment window T12 for the input signal IN is only 60 ps. If it cannot enter this region T12, it must enter the region T11 or T13 separated by 3 ns or more. This delay adjustment window T12 is narrow in consideration of a large number of tristate output circuits (I / O cells) 101 to be adjusted, such as a multi-bit bidirectional I / O bus, and delay variations. And delay adjustment is very difficult. In this state, power supply noise increases and delay adjustment on the scale of 3 ns is performed, leading to malfunctions and delay deterioration.
次に、本実施形態に従い図1のように遅延回路102を挿入した場合を考える。遅延回路102は、制御信号CTLがハイインピーダンス状態からローインピーダンス状態に遷移する場合の遅延時間が270ps、制御信号CTLがローインピーダンス状態からハイインピーダンス状態に遷移する場合の遅延時間が30psとして、制御信号CTL1を生成する。
Next, consider the case where the
この場合、図14において、時刻t11は−2.97ns、時刻t12は0、時刻t13は300ps、時刻t14は+3.27nsとなる。時刻t12からt13までの間の期間T12は300psである。制御信号CTL1と入力信号INの同時スイッチング時の遅延調整可能な範囲T12は、図18の場合に比べて、60psから300psに広がる。これにより、入力信号INの遅延調整を行い、入力信号INが窓T12の中心近くに合わせるように調整すれば多ビットの調整や遅延バラツキを考慮した場合でも電源ノイズの抑制が容易になる。 In this case, in FIG. 14, time t11 is −2.97 ns, time t12 is 0, time t13 is 300 ps, and time t14 is +3.27 ns. A period T12 from time t12 to t13 is 300 ps. The delay adjustable range T12 at the time of simultaneous switching of the control signal CTL1 and the input signal IN extends from 60 ps to 300 ps as compared with the case of FIG. Thereby, if the delay adjustment of the input signal IN is performed and the input signal IN is adjusted so as to be close to the center of the window T12, it becomes easy to suppress the power supply noise even in the case of considering the multi-bit adjustment and the delay variation.
本実施形態によれば、トライステート出力回路101の電源ノイズによる遅延劣化や電源ノイズ回避のための大幅な遅延調整(入力信号INと制御信号CTLの遷移タイミングを離す)による遅延性能の悪化を防ぐことができ、遅延性能を改善することができる。また、トライステート出力回路101の入力信号IN及び制御信号CTLによる同時スイッチングによって生じる電源ノイズを低減することができる。
According to this embodiment, delay degradation due to power supply noise of the
制御信号CTLを遅延した制御信号CTL1を生成することにより、ハイインピーダンス状態からローインピーダンス状態に切り替わるタイミングを遅延させることができる。これにより、ハイレベル状態とローレベル状態との間の遷移可能な時間的範囲を広げることができ、ノイズを防止することができる。また、ノイズによる誤動作を防止することができる。本実施形態は、半導体集積回路に適用することができ、入出力回路の電源ノイズを低減することができる。 By generating the control signal CTL1 obtained by delaying the control signal CTL, the timing for switching from the high impedance state to the low impedance state can be delayed. Thereby, the time range in which the transition between the high level state and the low level state can be made can be expanded, and noise can be prevented. In addition, malfunction due to noise can be prevented. This embodiment can be applied to a semiconductor integrated circuit, and can reduce power supply noise of an input / output circuit.
なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。 The above-described embodiments are merely examples of implementation in carrying out the present invention, and the technical scope of the present invention should not be construed in a limited manner. That is, the present invention can be implemented in various forms without departing from the technical idea or the main features thereof.
本発明の実施形態は、例えば以下のように種々の適用が可能である。 The embodiment of the present invention can be applied in various ways as follows, for example.
(付記1)
ハイインピーダンス状態、ハイレベル状態及びローレベル状態を出力可能であり、前記ハイレベル状態及び前記ローレベル状態はローインピーダンス状態であり、第1の制御信号に応じて前記ハイインピーダンス状態及び前記ローインピーダンス状態を切り替えるトライステート出力回路と、
第2の制御信号を入力し、前記ローインピーダンス状態から前記ハイインピーダンス状態に切り替える前記第2の制御信号のタイミングの遅延時間に対して、前記ハイインピーダンス状態から前記ローインピーダンス状態に切り替える前記第2の制御信号のタイミングの遅延時間が長くなるように、前記第2の制御信号を遅延して前記第1の制御信号を前記トライステート出力回路に出力する遅延回路と
を有することを特徴とする出力回路。
(付記2)
前記トライステート出力回路は、入力信号を入力し、前記第1の制御信号により前記ローインピーダンス状態が指示されると、前記入力信号に応じて前記ハイレベル状態又は前記ローレベル状態を出力することを特徴とする付記1記載の出力回路。
(付記3)
前記遅延回路は、前記トライステート出力回路を前記ハイインピーダンス状態にするための前記第1の制御信号を生成する第1のトランジスタと、前記トライステート出力回路を前記ローインピーダンス状態にするための前記第1の制御信号を生成する第2のトランジスタとを有し、
前記第1のトランジスタは、前記第2のトランジスタよりも駆動能力が大きいことを特徴とする付記1記載の出力回路。
(付記4)
前記第1のトランジスタは、前記第2のトランジスタよりもサイズが大きいことを特徴とする付記3記載の出力回路。
(付記5)
前記遅延回路は、論理回路及び遅延素子を有することを特徴とする付記1記載の出力回路。
(付記6)
前記トライステート出力回路は、前記第1の制御信号がハイレベルのときには前記ハイインピーダンス状態を出力し、前記第1の制御信号がローレベルのときには前記ローインピーダンス状態を出力することを特徴とする付記1記載の出力回路。
(付記7)
前記遅延回路は、前記第1の制御信号をハイレベルにするための第1のトランジスタと、前記第1の制御信号をローレベルにするための第2のトランジスタとを有し、
前記第1のトランジスタは、前記第2のトランジスタよりも駆動能力が大きいことを特徴とする付記6記載の出力回路。
(付記8)
前記第1のトランジスタは、前記第2のトランジスタよりもサイズが大きいことを特徴とする付記7記載の出力回路。
(付記9)
前記遅延回路は、論理回路及び遅延素子を有することを特徴とする付記6記載の出力回路。
(付記10)
前記遅延回路は、前記第2の制御信号を論理反転するための否定回路と、前記否定回路の出力信号を遅延するための遅延素子と、前記否定回路及び前記遅延素子の出力信号の否定論理積を出力するための否定論理積回路とを有することを特徴とする付記9記載の出力回路。
(付記11)
前記遅延回路は、前記第2の制御信号を遅延するための遅延素子と、前記遅延素子の出力信号及び前記第2の制御信号の論理和を出力するための論理和回路とを有することを特徴とする付記9記載の出力回路。
(付記12)
前記トライステート出力回路は、前記第1の制御信号がローレベルのときには前記ハイインピーダンス状態を出力し、前記第1の制御信号がハイレベルのときには前記ローインピーダンス状態を出力することを特徴とする付記1記載の出力回路。
(付記13)
前記遅延回路は、前記第1の制御信号をハイレベルにするための第1のトランジスタと、前記第1の制御信号をローレベルにするための第2のトランジスタとを有し、
前記第2のトランジスタは、前記第1のトランジスタよりも駆動能力が大きいことを特徴とする付記12記載の出力回路。
(付記14)
前記第2のトランジスタは、前記第1のトランジスタよりもサイズが大きいことを特徴とする付記13記載の出力回路。
(付記15)
前記遅延回路は、論理回路及び遅延素子を有することを特徴とする付記12記載の出力回路。
(付記16)
前記遅延回路は、前記第2の制御信号を論理反転するための否定回路と、前記否定回路の出力信号を遅延するための遅延素子と、前記否定回路及び前記遅延素子の出力信号の否定論理和を出力するための否定論理和回路とを有することを特徴とする付記15記載の出力回路。
(付記17)
前記遅延回路は、前記第2の制御信号を遅延するための遅延素子と、前記遅延素子の出力信号及び前記第2の制御信号の論理積を出力するための論理積回路とを有することを特徴とする付記15記載の出力回路。
(Appendix 1)
A high impedance state, a high level state, and a low level state can be output, and the high level state and the low level state are low impedance states, and the high impedance state and the low impedance state according to a first control signal A tri-state output circuit for switching between,
The second control signal is inputted and the second control signal is switched from the high impedance state to the low impedance state with respect to a delay time of the timing of the second control signal to switch from the low impedance state to the high impedance state. An output circuit comprising: a delay circuit that delays the second control signal and outputs the first control signal to the tri-state output circuit so that a delay time of the timing of the control signal is increased. .
(Appendix 2)
The tri-state output circuit receives an input signal and outputs the high level state or the low level state according to the input signal when the low impedance state is instructed by the first control signal. The output circuit according to
(Appendix 3)
The delay circuit includes a first transistor that generates the first control signal for setting the tristate output circuit to the high impedance state, and the first transistor for setting the tristate output circuit to the low impedance state. A second transistor for generating one control signal,
The output circuit according to
(Appendix 4)
The output circuit according to
(Appendix 5)
The output circuit according to
(Appendix 6)
The tristate output circuit outputs the high impedance state when the first control signal is at a high level, and outputs the low impedance state when the first control signal is at a low level. The output circuit according to 1.
(Appendix 7)
The delay circuit includes a first transistor for setting the first control signal to a high level, and a second transistor for setting the first control signal to a low level,
The output circuit according to appendix 6, wherein the first transistor has a driving capability larger than that of the second transistor.
(Appendix 8)
The output circuit according to
(Appendix 9)
The output circuit according to appendix 6, wherein the delay circuit includes a logic circuit and a delay element.
(Appendix 10)
The delay circuit includes a negative circuit for logically inverting the second control signal, a delay element for delaying an output signal of the negative circuit, and a negative logical product of the negative circuit and the output signal of the delay element The output circuit according to claim 9, further comprising a NAND circuit for outputting
(Appendix 11)
The delay circuit includes a delay element for delaying the second control signal, and an OR circuit for outputting a logical sum of the output signal of the delay element and the second control signal. The output circuit according to appendix 9.
(Appendix 12)
The tri-state output circuit outputs the high impedance state when the first control signal is at a low level, and outputs the low impedance state when the first control signal is at a high level. The output circuit according to 1.
(Appendix 13)
The delay circuit includes a first transistor for setting the first control signal to a high level, and a second transistor for setting the first control signal to a low level,
The output circuit according to appendix 12, wherein the second transistor has a driving capability larger than that of the first transistor.
(Appendix 14)
14. The output circuit according to appendix 13, wherein the second transistor is larger in size than the first transistor.
(Appendix 15)
13. The output circuit according to appendix 12, wherein the delay circuit includes a logic circuit and a delay element.
(Appendix 16)
The delay circuit includes a negative circuit for logically inverting the second control signal, a delay element for delaying an output signal of the negative circuit, and a negative logical sum of the negative circuit and output signals of the delay element The output circuit according to claim 15, further comprising: a negative OR circuit for outputting
(Appendix 17)
The delay circuit includes a delay element for delaying the second control signal, and an AND circuit for outputting a logical product of the output signal of the delay element and the second control signal. The output circuit according to appendix 15.
101 トライステート出力回路
102 遅延回路
CTL,CTL1 制御信号
IN 入力信号
OUT 出力信号
101
Claims (10)
第2の制御信号を入力し、前記ローインピーダンス状態から前記ハイインピーダンス状態に切り替える前記第2の制御信号のタイミングの遅延時間に対して、前記ハイインピーダンス状態から前記ローインピーダンス状態に切り替える前記第2の制御信号のタイミングの遅延時間が長くなるように、前記第2の制御信号を遅延して前記第1の制御信号を前記トライステート出力回路に出力する遅延回路と
を有することを特徴とする出力回路。 A high impedance state, a high level state, and a low level state can be output, and the high level state and the low level state are low impedance states, and the high impedance state and the low impedance state according to a first control signal A tri-state output circuit for switching between,
The second control signal is inputted and the second control signal is switched from the high impedance state to the low impedance state with respect to a delay time of the timing of the second control signal to switch from the low impedance state to the high impedance state. An output circuit comprising: a delay circuit that delays the second control signal and outputs the first control signal to the tri-state output circuit so that a delay time of the timing of the control signal is increased. .
前記第1のトランジスタは、前記第2のトランジスタよりも駆動能力が大きいことを特徴とする請求項1記載の出力回路。 The delay circuit includes a first transistor that generates the first control signal for setting the tristate output circuit to the high impedance state, and the first transistor for setting the tristate output circuit to the low impedance state. A second transistor for generating one control signal,
The output circuit according to claim 1, wherein the first transistor has a driving capability larger than that of the second transistor.
前記第1のトランジスタは、前記第2のトランジスタよりも駆動能力が大きいことを特徴とする請求項5記載の出力回路。 The delay circuit includes a first transistor for setting the first control signal to a high level, and a second transistor for setting the first control signal to a low level,
The output circuit according to claim 5, wherein the first transistor has a driving capability larger than that of the second transistor.
前記第2のトランジスタは、前記第1のトランジスタよりも駆動能力が大きいことを特徴とする請求項8記載の出力回路。 The delay circuit includes a first transistor for setting the first control signal to a high level, and a second transistor for setting the first control signal to a low level,
9. The output circuit according to claim 8, wherein the second transistor has a driving capability larger than that of the first transistor.
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