JP2007207185A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007207185A JP2007207185A JP2006028841A JP2006028841A JP2007207185A JP 2007207185 A JP2007207185 A JP 2007207185A JP 2006028841 A JP2006028841 A JP 2006028841A JP 2006028841 A JP2006028841 A JP 2006028841A JP 2007207185 A JP2007207185 A JP 2007207185A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- power supply
- main power
- control circuit
- clock
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49112—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting a common bonding area on the semiconductor or solid-state body to different bonding areas outside the body, e.g. diverging wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Landscapes
- Power Sources (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
【課題】簡単な構成で、消費電流をさらに少なくすることができる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】時計回路21、および種々の制御回路ブロック24、25、26、27、28を第1チップ20に配置する一方、第2チップ30には、時計回路21にのみ電源を供給する時計用電源回路31、一次制御回路ブロック(クロックジェネレータ24、CPU25、ROM26)に電源を供給するための第1メイン電源回路32、二次制御回路ブロック27、28に電源を供給するための第2メイン電源回路33を配置する。時計用電源回路31は常時オンとして時計回路21を常時動作させるが、時計回路21によって計測される時間に基づいて他の制御回路ブロックの使用未使用を決定して、一次制御回路ブロックの未使用時には第1メイン電源回路32をオフにし、二次制御回路ブロックの未使用時には第2メイン電源回路33をオフにする。
【選択図】図1
【解決手段】時計回路21、および種々の制御回路ブロック24、25、26、27、28を第1チップ20に配置する一方、第2チップ30には、時計回路21にのみ電源を供給する時計用電源回路31、一次制御回路ブロック(クロックジェネレータ24、CPU25、ROM26)に電源を供給するための第1メイン電源回路32、二次制御回路ブロック27、28に電源を供給するための第2メイン電源回路33を配置する。時計用電源回路31は常時オンとして時計回路21を常時動作させるが、時計回路21によって計測される時間に基づいて他の制御回路ブロックの使用未使用を決定して、一次制御回路ブロックの未使用時には第1メイン電源回路32をオフにし、二次制御回路ブロックの未使用時には第2メイン電源回路33をオフにする。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体集積回路に関し、特に、消費電流を少なくした半導体集積回路に関する。
複数の制御回路ブロックを備えた半導体集積回路において、消費電流を抑制するため、時間計測を行い、計測した時間に基づいて、複数の制御回路ブロックを必要なときにのみ起動させるようにしたものが知られている。
複数の制御回路ブロックを必要なときにのみ起動させることで消費電流を抑制することができるが、電源ライン上に多くの回路が接続されている場合、制御回路ブロックが起動していなくても電源バイアスによる微小のチャネルリーク電流が存在する。特に集積化が進むほど電源ライン上に多くの回路が存在することになるため、チャネルリーク電流が多くなり、また、そのチャネルリーク電流は高温になるほど多くなる。
そこで、リーク電流を低減するために、電源と制御回路ブロックとを接続する電源ライン上にMOSトランジスタなどからなるスイッチを設け、待機時にはそのスイッチをオフにする方法が提案されている(たとえば、特許文献1)。
特開平10−208473号公報
特許文献1に記載されているように、待機時にスイッチをオフにすることによってリーク電流を低減させる場合、スイッチにおける電圧降下を考慮して制御回路ブロックを設計する必要があるために回路設計が複雑になるという問題がある。また、オンしている制御回路ブロックの数が少ないときには必要な電流が少ないにも係わらず、この点が考慮されていないので、電源回路における消費電流が大きいという問題もある。
本発明は、この事情に基づいて成されたものであり、その目的とするところは、簡単な構成で、消費電流をさらに少なくすることができる半導体集積回路を提供することにある。
その目的を達成するための請求項1記載の発明は、時計回路を含む少なくとも2つの制御回路ブロックを備え、その時計回路によって計測される時間に基づいて他の制御回路ブロックの使用未使用を決定して、未使用の制御回路ブロックには電源を供給しないようになっている半導体集積回路であって、前記制御回路ブロックへ電源を供給するための電源回路として、前記時計回路に電源を供給する時計用電源回路と、時計回路以外の制御回路ブロックに電源を供給する主電源回路とを備え、前記主電源回路から電源が供給される制御回路ブロックが未使用である時には、その主電源回路もオフにすることを特徴とする。
このように、未使用の制御回路ブロックがある場合に、その未使用の制御回路ブロックに電源を供給する電源回路をオフにすれば、電源回路における消費電流を少なくすることができるとともに、電源回路がオフになっているので、電源ライン上に配置されている回路におけるリーク電流も減少する。また、電源回路自体のオンオフによって制御回路ブロックへの電源の供給を制御しているので、電源ライン上にスイッチを設ける場合のような電圧降下を考慮する必要がない。そのため、構成も簡単になる。
ここで、好ましくは、請求項2記載のように、前記主電源回路を少なくとも2つ備えるとともに、時計回路以外の制御回路ブロックを少なくとも2つ備え、使用する制御回路ブロックが必要とする電流に応じて、オンする主電源回路の数を制御するようにする。
主電源回路を1つしか備えていない場合には、その主電源回路の出力を大きくし、且つ、時計回路以外のいずれかの制御回路ブロックを使用する場合には、その出力の大きな主電源回路を常にオンしなければならないが、請求項2のようにすれば、制御回路ブロックが必要とする電流が少ないときはオンする主電源回路の数が少なくなるので、主電源回路における消費電流をさらに少なくすることができる。
また、請求項3記載の発明は、請求項2に記載の半導体集積回路において、前記制御回路ブロックが第1のチップに配置される一方、前記少なくとも2つの主電源回路が第2のチップに配置されており、その少なくとも2つの主電源回路からの出力電流が、同じチップ間経路で前記第1のチップ側の制御回路ブロックへ供給されることを特徴とする。
この請求項3記載の発明は、制御回路ブロックが第1のチップに配置され、少なくとも2つの主電源回路が第2のチップに配置されているマルチチップモジュールである。近年、半導体集積回路の高集積化に伴い、このように、複数の半導体チップを一つのパッケージに内蔵したいわゆるマルチチップモジュールが多く採用されている。マルチチップモジュールにおいてはチップ間を配線により接続することが必要となるが、本発明では、前述のように、制御回路ブロックの使用・未使用に応じて、その制御回路ブロックに電源を供給する電源回路をオンオフ制御にしているため、第2のチップに配置されている少なくとも2つの主電源回路からの出力電流を同じチップ間経路によって第1チップへ供給することができ、このようにすることにより、配線数を減らすことができる。
主電源回路のオン開始時点およびオフ時点は、請求項4記載のように、時計回路によって計測される時間に基づいて決定することができる。ただし、請求項5記載のように、前記時計回路による時間計測に基づいて定まる前期主電源回路のオフ時点前であっても、前記主電源回路から電源が供給される制御回路ブロックにおける一連の動作が終了した場合には、その主電源回路をオフにするようになっていることが好ましい。このようにすれば、主電源回路のオン時間をさらに短くすることができるので、より消費電流を少なくすることができる。
以下、本発明の実施の形態を、図面に基づいて説明する。図1は、本発明が適用された半導体集積回路10の構成を示すブロック図である。この半導体集積回路10は、第1チップ20と第2チップ30とを備えている。
第1チップ20には、種々の制御回路ブロック(すなわちリソース)が配置されている。第1チップ20に配置されている制御回路ブロックとしては、時計回路21、クロックジェネレータ24、CPU25、ROM26、タイマ回路27、アナログ回路28などがある。
時計回路21は、時計カウンタ22と発振回路23とによって構成される。発振回路23は、半導体集積回路10の外部に備えられている水晶振動子40と接続されており、その水晶振動子40に電圧が印加されることにより所定周波数(たとえば、4.19MHz)の基準パルス信号を生成する。時計カウンタ22は、上記発振回路23と接続されているとともに、図示しない内部に分周器を備えており、その分周器を用いて上記発振回路23で生成されたパルス信号を分周することにより、時間計測を行う。この時計回路21における消費電流は、数百マイクロアンペア程度と微小である。
クロックジェネレータ24は発振回路23と接続されており、発振回路23によって生成された基準パルス信号に基づいてCPU25等の動作タイミングを決定するための動作クロックを生成する。この動作クロックは、CPU25、ROM26、タイマ回路27、アナログ回路28等の第1チップ20に配置されている所定の制御回路ブロックに供給される。
CPU25は、データバス29により、ROM26、タイマ回路27、アナログ回路28等の他の制御回路ブロックと接続されている。また、データバス29には、時計カウンタ22も接続されている。このCPU25は、第2チップ30から電源が供給されると動作して、動作状態では、ROM26に記憶されているプログラムを実行するとともに、クロックジェネレータ24によって生成された動作クロックに基づいて、タイマ回路27、アナログ回路28等の動作タイミングを決定する。
すなわち、クロックジェネレータ24、CPU25およびROM26は一次制御回路ブロックであり、これら一次制御回路ブロックによって、タイマ回路27、アナログ回路28等の第1チップ20に配置されている制御回路ブロックのうち、一次制御回路および時計回路21以外の制御回路ブロックである二次制御回路ブロックの動作が制御される。
上記一次制御回路ブロック(クロックジェネレータ24、CPU25、ROM26)および二次制御回路ブロック(タイマ回路27、アナログ回路28等)は、共通の電源ラインL1を介して第2チップ30から電源が供給される。一方、時計回路21には、それとは異なる電源ラインL2を介して第2チップ30から電源が供給される。
第1チップ20と第2チップ30との間には、第1、第2チップ間配線50、51が形成されている。また、第1チップ20の内部端子53と、第2チップ30の内部端子54とは、外部端子55を介して連結されており、第1チップ20の内部端子56と、第2チップ30の内部端子57は共通の外部端子(グランド端子)58に接続されている。
上記第1チップ間配線50の一方の端が接続されている内部端子には電源ラインL2が接続され、第2チップ間配線51の一方の端が接続されている内部端子は時計カウンタ22と接続されている。
次に、第2チップ30側を説明する。第2チップ30には、時計用電源回路31と、主電源回路に相当する第1メイン電源回路32および第2メイン電源回路33が配置されている。さらに、第2チップ30には、ウェイクアップ回路34も備えられている。
時計用電源回路31は第1チップ間配線50に接続されており、その第1チップ間配線50を介して、第1チップ20の時計回路21に電源を供給する。この時計用電源回路31は時計回路21のみを動作させるためのものであるので、その最大出力電流は数百マイクロアンペア程度の小さい値となっている。従って、時計用電源回路31は回路規模が小さく消費電流も少ない。
第1メイン電源回路32は、第1チップ20の一次制御ブロック(クロックジェネレータ24、CPU25、ROM26)に電源を供給するものであり、第2メイン電源回路33は、第1チップ20の二次制御ブロック(タイマ回路27、アナログ回路28等)に電源を供給するためのものである。そのため、第1メイン電源回路32および第2メイン電源回路33は、それら一次制御回路ブロックおよび二次制御回路ブロックにおける消費電流に応じた最大出力電流を生成できるようになっている。たとえば、第1メイン電源回路32は数十ミリアンペア程度の最大出力電流、第2メイン電源回路33は第1メイン電源回路32の最大出力電流の10倍程度(数百ミリアンペア)となっている。
上記第1メイン電源回路32および第2メイン電源回路33は、電源ラインL3、内部端子54、外部端子55から、第1チップ20の内部端子53を介して電源ラインL1に接続されており、この経路で電源が第1チップ20側へ供給される。なお、第1メイン電源回路32および第2メイン電源回路33からの電源は、外部端子55から半導体集積回路10の外部にも供給される。
また、第1メイン電源回路32および第2メイン電源回路33には、ウェイクアップ回路34からウェイクアップ信号が供給される。そして、第1メイン電源回路32および第2メイン電源回路33は、ウェイクアップ信号がハイの間はオンし、ウェイクアップ信号がローとなるとオフする。
ウェイクアップ回路34は、第2チップ間配線51を介して第1チップ20の時計カウンタ22に接続されており、時計カウンタ22において計時されている時間に基づいて第1パルス信号および第2パルス信号を生成するとともに、それら第1、第2パルス信号に基づいて、第1ウェイクアップ信号および第2ウェイクアップ信号を生成する。そして、その第1ウェイクアップ信号および第2ウェイクアップ信号を、それぞれ第1メイン電源回路32および第2メイン電源回路33に出力する。
図2には、それら第1パルス信号、第2パルス信号、第1ウェイクアップ信号、および第2ウェイクアップ信号のタイムチャートが示されている。第1パルス信号は1Hzの信号であり、第2パルス信号は立ち上がりが第1パルスの立ち上がりと同期した4Hz(すなわち0.125秒周期)の信号である。
上記第2ウェイクアップ信号は、第1パルス信号が三回目にハイとなった後に最初に第2パルス信号がローとなっている期間だけハイとなるパルス信号である。一方、第1ウェイクアップ信号は、第1パルス信号の立ち上がりに同期して立ち上がる第2パルス信号がハイとなっている期間および上記第2ウェイクアップ信号がハイとなっている期間においてハイとなるパルス信号である。
上記第1ウェイクアップ信号がハイとなっている期間は、第1メイン電源回路32がオンとなるので、クロックジェネレータ24、CPU25およびROM26がオンとなり、CPU25において、ROM26に記憶されているプログラムに従った所定の処理が実行される。そして、CPU25は、その処理に基づいて定まるタイミングで二次制御回路ブロックにおける処理を開始させる。
第2ウェイクアップ信号は、CPU25が二次制御回路ブロックを起動させるタイミングに基づいてハイとなるように設定されている。そのため、二次制御回路ブロックには、CPU25によって起動させられるタイミングで電源が供給されることになる。また、第2ウェイクアップ信号がローとなるタイミングは、二次制御回路ブロックにおける所定の処理が終了するタイミングに基づいて定められている。そのため、二次制御回路ブロックにおける所定の処理が終了すると、その二次制御回路ブロックには電源が供給されないようになる。なお、二次制御回路ブロックが動作している状態では、CPU25等の一次制御回路ブロックも動作する必要があるので、第1メイン電源回路32のオンオフ時期を決定する第1ウェイクアップ信号は、第2ウェイクアップ信号がハイの期間もハイになるように設定されているのである。
次に、図2に基づいて、本実施形態の半導体集積回路10における待機時の消費電流について説明する。なお、待機時とは、たとえば、車両に用いられた場合には、キーオフされたときの動作状態であり、時間計測に基づいて間欠的に動作する時計動作状態である。この状態において流れる電流は暗電流とも呼ばれることから、時計動作状態は暗電流状態ともいえる。
図2において、t0時点は通常動作開始時点を示している。通常動作状態では、時計用電源回路31、第1メイン電源回路32、および第2メイン電源回路33が全てオンとなっており、時計用電源回路31がオンとなっているので、発振回路23にて基準パルス信号が生成されている。なお、t0時点より前は、全ての電源回路31、32、33がオフの状態である。
t1時点は待機状態となった時点を示している。待機状態となると、第1メイン電源回路32、第2メイン電源回路33はオフとなり、時計用電源回路31のみがオンされている状態となる。待機状態でも、時計用電源回路31はオンのままであるので、基準パルス信号は継続して生成されている。待機状態では、その基準パルス信号に基づいてウェイクアップ回路34にて第1パルス信号および第2パルス信号が生成されるとともに、それら第1パルス信号および第2パルス信号に基づいて、前述した第1ウェイクアップ信号および第2ウェイクアップ信号が生成される。
第1ウェイクアップ信号および第2ウェイクアップ信号がともにローである期間においては、時計用電源回路31のみがオンであり、第1、第2メイン電源回路32、33はオフであるので、消費電流は極めて少ない。また、第1ウェイクアップ信号がハイであるが第2ウェイクアップ信号がローである期間も、第2メイン電源回路33がオフであるので、消費電流は比較的少ない。
第1ウェイクアップ信号および第2ウェイクアップ信号がともにハイとなっている期間は、全ての電源回路31、32、33がオンとなるので、通常動作時と同じ消費電流となるが、第2メイン電源回路33がオンとなる期間は、二次制御回路ブロックが動作するときのみであるのでその期間は比較的短い。従って、消費電流が少なくて済む。
以上、説明した本実施形態によれば、一次制御回路ブロックが未使用である場合には、一次制御回路ブロックに電源を供給するための第1メイン電源回路32がオフとされ、二次制御回路ブロックが未使用である場合には、二次制御回路ブロックに電源を供給するための第2メイン電源回路33がオフとされるので、メイン電源回路32、33における消費電流を少なくすることができるとともに、メイン電源回路32、33がオフになっているので、電源ライン上に配置されている回路におけるリーク電流も減少する。
また、電源回路自体のオンオフによって制御回路ブロックへの電源の供給を制御しているので、電源ライン上にスイッチを設ける場合のような電圧降下を考慮する必要がない。そのため、構成も簡単になる。
また、本実施形態によれば、第1メイン電源回路32からの電源および第2メイン電源回路33からの電源が、共通の内部端子54、53を介して第1チップ20側へ供給されるようになっているので、チップ間の配線数が少なくなる。
次に、本発明の第2実施形態を説明する。なお、以下の説明において、前述の実施形態と同一の構成を有する部分には同一の符号を付して説明を省略する。
図3は、第2実施形態の半導体集積回路60の構成を示すブロック図である。第2実施形態の半導体集積回路60が第1実施形態の半導体集積回路10と異なる点は、CPU25からスリープ信号が出力され、そのスリープ信号が第3チップ間配線62を介して第2チップ30の第1メイン電源回路32および第2メイン電源回路33に供給される点である。このスリープ信号は、一次制御回路ブロックにおける一連の処理が終了した場合、および、その一次制御回路ブロックによって制御される二次制御回路ブロックにおいて一連の処理が終了した場合に出力される。
第1メイン電源回路32および第2メイン電源回路33は、第1実施形態と同様に、ウェイクアップ信号がハイの間はオンし、ウェイクアップ信号がローとなるとオフする。ただし、ウェイクアップ信号がハイであっても、スリープ信号が供給された場合にはオフするようになっている。
図4は、第2実施形態において、種々の信号、電源回路の動作状態、消費電流等の時間変化を示す図である。t2、t3、t4時点においてスリープ信号が出力されているが、t2、t3時点は、ウェイクアップ信号の立下り時点とほぼ同一の時点である。この場合には、前述の第1実施形態と消費電流は同じになる。
しかし、t4時点は第1、第2ウェイクアップ信号がハイとなっている期間である。第1、第2ウェイクアップ信号がハイの状態でも、スリープ信号が供給された場合には、図4に示されるように、そのスリープ信号が供給された時点で第1、第2メイン電源回路32、33がオフする。これにより、さらに消費電流が少なくなる。
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、次の実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
たとえば、前述の実施形態では、メイン電源回路は2つ備えられていたが、1つのみであってもよいし、3つ以上でもよい。また、メイン電源回路が複数備えられる場合、出力電流が互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。
また、前述の実施形態は、複数のチップが同一のパッケージ内に収容されたマルチチップの半導体集積回路であったが、単一のチップからなる半導体集積回路であってもよい。
また、前述の実施形態では、メイン電源回路32、33は、スリープ信号が供給されない場合には、ウェイクアップ信号に基づいてオフされるようになっていたが、オン時点はウェイクアップ信号で決定されるが、オフ時点は常にスリープ信号によって制御されるようになっていてもよい。また、二次制御回路ブロックについては、オン時点も、CPU25によって制御されるようになっていてもよい。
10:半導体集積回路
20:第1チップ
21:時計回路
30:第2チップ
31:時計用電源回路
32:第1メイン電源回路(主電源回路)
33:第2メイン電源回路(主電源回路)
20:第1チップ
21:時計回路
30:第2チップ
31:時計用電源回路
32:第1メイン電源回路(主電源回路)
33:第2メイン電源回路(主電源回路)
Claims (5)
- 時計回路を含む少なくとも2つの制御回路ブロックを備え、その時計回路によって計測される時間に基づいて他の制御回路ブロックの使用未使用を決定して、未使用の制御回路ブロックには電源を供給しないようになっている半導体集積回路であって、
前記制御回路ブロックへ電源を供給するための電源回路として、前記時計回路に電源を供給する時計用電源回路と、時計回路以外の制御回路ブロックに電源を供給する主電源回路とを備え、
前記主電源回路から電源が供給される制御回路ブロックが未使用である時には、その主電源回路もオフにすることを特徴とする半導体集積回路。 - 前記主電源回路を少なくとも2つ備えるとともに、時計回路以外の制御回路ブロックを少なくとも2つ備え、
使用する制御回路ブロックが必要とする電流に応じて、オンする主電源回路の数を制御することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。 - 前記制御回路ブロックが第1のチップに配置される一方、前記少なくとも2つの主電源回路が第2のチップに配置されており、
その少なくとも2つの主電源回路からの出力電流が、同じチップ間経路で前記第1のチップ側の制御回路ブロックへ供給されることを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路。 - 前記時計回路によって計測される時間に基づいて、主電源回路のオン開始時点およびオフ時点が決定されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体集積回路。
- 前記時計回路による時間計測に基づいて定まる前期主電源回路のオフ時点前であっても、前記主電源回路から電源が供給される制御回路ブロックにおける一連の動作が終了した場合には、その主電源回路をオフにするようになっていることを特徴とする請求項4に記載の半導体集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006028841A JP2007207185A (ja) | 2006-02-06 | 2006-02-06 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006028841A JP2007207185A (ja) | 2006-02-06 | 2006-02-06 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007207185A true JP2007207185A (ja) | 2007-08-16 |
Family
ID=38486566
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006028841A Pending JP2007207185A (ja) | 2006-02-06 | 2006-02-06 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007207185A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011210954A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2021106377A (ja) * | 2019-03-29 | 2021-07-26 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | ウェイクアップ回路及び受信システム |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11272371A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-10-08 | Toshiba Video Products Japan Kk | 遠隔操作装置付電子機器の省電力装置 |
JP2000164811A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路装置、半導体集積回路装置の設計方法、及び、記録媒体 |
JP2002334578A (ja) * | 2002-01-18 | 2002-11-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JP2003209616A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置および携帯端末装置 |
WO2003085501A1 (fr) * | 2002-04-04 | 2003-10-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit integre semi-conducteur a sources de puissance multiples |
JP2005236207A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2005254736A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Sharp Corp | 画像形成装置 |
JP2005347797A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Orion Denki Kk | 再生装置若しくは記録再生装置、又は、再生装置若しくは記録再生装置を内蔵した映像表示装置 |
-
2006
- 2006-02-06 JP JP2006028841A patent/JP2007207185A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11272371A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-10-08 | Toshiba Video Products Japan Kk | 遠隔操作装置付電子機器の省電力装置 |
JP2000164811A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路装置、半導体集積回路装置の設計方法、及び、記録媒体 |
JP2003209616A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置および携帯端末装置 |
JP2002334578A (ja) * | 2002-01-18 | 2002-11-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
WO2003085501A1 (fr) * | 2002-04-04 | 2003-10-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit integre semi-conducteur a sources de puissance multiples |
JP2005236207A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2005254736A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Sharp Corp | 画像形成装置 |
JP2005347797A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Orion Denki Kk | 再生装置若しくは記録再生装置、又は、再生装置若しくは記録再生装置を内蔵した映像表示装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011210954A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2021106377A (ja) * | 2019-03-29 | 2021-07-26 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | ウェイクアップ回路及び受信システム |
JP7444661B2 (ja) | 2019-03-29 | 2024-03-06 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | ウェイクアップ回路及び受信システム |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6363031B2 (en) | Circuit, architecture and method for reducing power consumption in a synchronous integrated circuit | |
US8120410B2 (en) | Adaptive control of power supply for integrated circuits | |
US8364988B2 (en) | Substrate bias switching unit for a low power processor | |
US8030956B2 (en) | Method of on-chip current measurement and semiconductor IC | |
US20080297233A1 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
KR19980079958A (ko) | 저전력 고정밀 클럭 회로 및 집적 회로 클럭 방법 | |
JP2009202822A (ja) | 制御装置 | |
KR101343305B1 (ko) | 전하 펌프 제어기 및 그것을 위한 방법 | |
JP2007207185A (ja) | 半導体集積回路 | |
JP2006309479A (ja) | クロック補正回路及びクロック補正方法並びにマイクロコントローラ | |
US10255984B2 (en) | Semiconductor device and method of controlling the semiconductor device | |
KR900005234B1 (ko) | 반도체 집적회로장치 | |
US8266459B2 (en) | Supplying voltage to digital subcircuits | |
CN114785342A (zh) | 用于系统级芯片soc的低频高精度振荡器及系统级芯片soc | |
CN113900478A (zh) | 一种适用于SoC芯片的时钟模块设计方法 | |
JP2004119268A (ja) | 電池充電保護回路および電源装置 | |
JP5029161B2 (ja) | 半導体集積装置 | |
US20100097130A1 (en) | Device having circuit capable of intermittent operation | |
JP3602115B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2003174323A (ja) | 半導体集積回路 | |
CN113495593B (zh) | 多电压芯片 | |
US8154325B2 (en) | Semiconductor integrated device and control method thereof | |
US20120086487A1 (en) | Semiconductor device | |
KR100894106B1 (ko) | 전원전압 레벨다운 회로 | |
JPS60105026A (ja) | マイクロコンピユ−タ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080215 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100204 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100330 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100727 |