[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2007204750A - サーマルインターフェース材料 - Google Patents

サーマルインターフェース材料 Download PDF

Info

Publication number
JP2007204750A
JP2007204750A JP2007015941A JP2007015941A JP2007204750A JP 2007204750 A JP2007204750 A JP 2007204750A JP 2007015941 A JP2007015941 A JP 2007015941A JP 2007015941 A JP2007015941 A JP 2007015941A JP 2007204750 A JP2007204750 A JP 2007204750A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
composition
epoxy
acrylic polymer
thermally conductive
silver
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007015941A
Other languages
English (en)
Inventor
Andrew Collins
アンドリュー・コリンス
Chih-Ming Cheng
チー−ミン・チェン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Starch and Chemical Investment Holding Corp
Original Assignee
National Starch and Chemical Investment Holding Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Starch and Chemical Investment Holding Corp filed Critical National Starch and Chemical Investment Holding Corp
Publication of JP2007204750A publication Critical patent/JP2007204750A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C09J9/02Electrically-conducting adhesives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/10Metal compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L15/00Compositions of rubber derivatives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/06Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
    • C08L33/08Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02Non-macromolecular additives
    • C09J11/04Non-macromolecular additives inorganic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08CTREATMENT OR CHEMICAL MODIFICATION OF RUBBERS
    • C08C19/00Chemical modification of rubber
    • C08C19/04Oxidation
    • C08C19/06Epoxidation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L13/00Compositions of rubbers containing carboxyl groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/02Homopolymers or copolymers of acids; Metal or ammonium salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253Bump and layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Thermal Insulation (AREA)

Abstract

【課題】 発熱電子デバイス中にサーマルインターフェース材料として使用するための組成物を提供すること。
【解決手段】 本組成物は、アクリルポリマー、一種以上の液体樹脂及び場合により一種以上の固体樹脂と、熱伝導性粒子とを含む、熱を移動させるための熱伝導性組成物である。前記アクリルポリマーが、ブチルアクリレート−エチルアクリロニトリル、ブチルアクリレート−コ−エチルアクリロニトリル、エチルアクリレート−アクリロニトリル及びその混合物からなる群から選択され、前記アクリルポリマーが、ヒドロキシル、カルボン酸、イソシアネートまたはエポキシ官能基をもち、前記アクリルポリマーが、約200,000〜約900,000の範囲の分子量を有し、前記アクリルポリマーが、約30℃〜約−40℃の範囲のTgを有することが好ましい。
【選択図】 図1

Description

本発明は、発熱電子デバイスからコールドシンクに熱を伝導して、伝導熱を吸収且つ分散させるために使用する熱伝導性材料に関する。
背景技術
半導体を含むような電子デバイスは、通常、操作時にかなりの量の熱を発生する。この半導体を冷却するためには、通常、コールドシンクを何らかの方法でデバイスに加える。操作時、使用している間に発生した熱を半導体からコールドシンクへ伝導して、そこで害を及ぼさない形で熱を分散させる。半導体からコールドシンクへの熱伝導を最大化するためには、熱伝導性サーマルインターフェース材料を使用する。このサーマルインターフェース材料は理想的には、コールドシンクと半導体との間を密接させて、熱伝導しやすくする。通常、ペースト様熱伝導性材料、たとえばシリコーングリースや、シート様熱伝導性材料、たとえばシリコーンゴムをサーマルインターフェース材料として使用する。
現行の相変化材料、グリース、ペースト及びパッドの熱伝導性材料は、その使用時に障害が発生するという欠点がある。たとえば、ペーストやグリースの中には熱抵抗の低いものがあるが、これらは液体か半固体状態で適用しなければならないので、その適用を最適化するためには製造での制御が必要である。適用時の制御を向上させることに加えて、ペーストやグリース材料は汚れやすく取り扱いにくいこともある。さらに、グリース及びペーストは、平坦でない表面には使用できない。現行材料を使用する際のさらなる問題点としては、ペーストに関しては再適用時の制御、不都合な領域にグリースが移動すること、及び相変化材料または熱硬化ペーストに関しては再加工性(reworkability)が挙げられる。従来のサーマルインターフェースパッドは、ペースト及びグリースの取り扱い及び適用問題に対処しているが、これらは通常、ペースト及びグリースと比較して熱抵抗が高い。従って、取り扱い及び適用が容易で、さらに熱抵抗が低いサーマルインターフェース材料を提供すると、都合がよい。
発明の概要
発熱性の半導体を含むデバイスでサーマルインターフェース材料として使用するための組成物を提供する。本組成物は、アクリルポリマー、一種以上の液体樹脂、熱伝導性粒子と、場合により一種以上の固体樹脂とのブレンドを含む。
本発明のもう一つの側面では、発熱性部材、コールドシンクと上記記載に従ったサーマルインターフェース材料とを含む電子デバイスを提供する。
好適な態様の詳細な説明
本発明のサーマルインターフェース材料は、熱を分散させるのが望ましい実質的に全ての発熱部材で使用することができる。特に、このサーマルインターフェース材料は、半導体デバイスの発熱性部材から熱を分散させやすくするのに有用である。そのようなデバイスでは、サーマルインターフェース材料は発熱性部材とコールドシンクとの間に層を形成して、分散すべき熱をコールドシンクに伝達する。このサーマルインターフェース材料は、ヒートスプレッダを含むデバイスでも使用することができる。そのようなデバイスでは、サーマルインターフェース材料の層は、前記発熱部材とヒートスプレッダとの間に設置することができ、前記第一の層より通常厚い第二の層は、ヒートスプレッダとコールドシンクの間に配置することができる。
サーマルインターフェース材料は、アクリルポリマーフィルム形成性材料、一種以上の液体樹脂、熱伝導性粒子、場合により一種以上の固体樹脂と、ベース配合物よりも熱輸送を高めるための他の添加剤のブレンドを含む。組成に依存して、ホットメルト押出によってフィルムを形成するのが望ましい。好ましくは、本材料は、そのような材料が加速応力試験下でもその特性を保持するようにブレンドする。
本組成物のアクリルポリマー成分は、主にフィルム形成性組成物として使用する。アクリルポリマーは極性の化学的性質と適合性で、基板及び充填材との親和性が高い。本発明のアクリルコポリマーはコーティング溶媒に可溶性なので、応力の少ない、高強度フィルム成形またはペースト接着剤を容易にする。好ましいアクリルコポリマーは、飽和ポリマーであり、酸化、経年変化及び劣化に耐性である。コポリマーの組成は、高分子量重合物を提供するために、好ましくはブチルアクリレート−エチルアクリロニトリルまたはブチルアクリレート−コ−エチルアクリロニトリルまたはエチルアクリレート−アクリロニトリルである。コポリマーは好ましくは、溶媒及びエポキシ適合性を改善するために、ヒドロキシル、カルボン酸、イソシアネートまたはエポキシ官能基を有する。コポリマーの分子量は高く、好ましくは、約200,000〜約900,000の範囲である。コポリマーのガラス転移温度(Tg)は室温に対して低く、好ましくは約30℃〜約−40℃の範囲である。種々の官能性アクリルコポリマーを使用し得るが、好ましい官能性アクリルコポリマーは、Nagase ChemteX Corporation(大阪、日本)より市販のTEISAN RESIN SG80Hである。
本組成物の液体樹脂成分と、場合によって採用される固体樹脂成分は、界面を湿潤し、熱伝導性を高めるように機能する。本発明で使用するための好ましい樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂などが挙げられ、例えば、ビスフェノール−Aとビスフェノール−Fの一官能性及び多官能性グリシジルエーテル、脂肪族及び芳香族エポキシ、飽和及び不飽和エポキシ、若しくは脂環式エポキシ樹脂またはその組み合わせが挙げられる。最も好ましいエポキシ樹脂はビスフェノールA型の樹脂である。これらの樹脂は、ビスフェノールA樹脂1モルとエピクロロヒドリン2モルとの反応により一般的に製造する。さらに好ましいタイプのエポキシ樹脂は、エポキシノボラック樹脂である。エポキシノボラック樹脂は、通常、フェノール樹脂とエピクロロヒドリンとの反応により製造する。使用し得る追加のエポキシ樹脂としては、ジシクロペンタジエン−フェノールエポキシ樹脂、ナフタレン樹脂、エポキシ官能性ブタジエンアクリロニトリルコポリマー、エポキシ官能性ポリジメチルシロキサン、エポキシ官能性コポリマー、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル-3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ビニルシクロヘキセンジオキシド、3,4-エポキシ-6-メチルシクロヘキシルメチル-3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ジシクロペンタジエンジオキシド、ポリ(フェニルグリシジルエーテル)−コ−ホルムアルデヒド、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン−フェノールエポキシ樹脂、ナフタレンエポキシ樹脂、エポキシ官能性ブタジエンアクリロニトリルコポリマー、エポキシ官能性ポリジメチルシロキサン及びその混合物が挙げられるが、これらに限定されない。市販のビスフェノール−F型の樹脂は、記号8230Eのもと、CVC Specialty Chemicals,Maple Shade(ニュージャージー州)から、及び記号RSL1739のもと、Resolution Performance Products Ltd.から市販されている。ビスフェノール−A型のエポキシ樹脂は、EPON 828としてResolution Performance Products Ltd.より市販されており、ビスフェノール−Aとビスフェノール−Fのブレンドは、記号ZX-1059のもと、Nippon Chemical Companyより市販されている。使用し得る追加の液体及び固体樹脂としては、フェノール、アクリル、シリコーン、ポリオール、アミン、ゴムベース(rubber based)、フェノキシ、オレフィン、ポリエステル、イソシアネート、シアネートエステル、ビスマレイミド化学物質及びその混合物が挙げられる。
アクリルポリマー及び樹脂に加えて、サーマルインターフェース材料はさらに、熱伝導性粒子を含む。これらの粒子は、導電性であっても非導電性であってもよい。この材料は好ましくは伝導性粒子を約20〜約95重量%の範囲で含み、最も好ましくは約50〜約95重量%の範囲で伝導性粒子を含む。伝導性粒子は、任意の好適な熱伝導性材料、たとえば銀、金、ニッケル、銅、金属酸化物、窒化ホウ素、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、銀−コーティング化有機粒子、銀メッキニッケル、銀メッキ銅、銀メッキアルミニウム、銀メッキガラス、銀フレーク、カーボンブラック、グラファイト、窒化ホウ素コーティング化粒子及びその混合物が挙げられる。好ましくは、伝導性粒子は窒化ホウ素である。
アクリルポリマーと樹脂との組合せは、必要に応じて、低粘度材料の特性及び室温で固体である十分な完全性をもつ材料を製造するように選択すべきである。従って、得られた材料はテープまたはフィルムとして使用するのに好適であり、良好な表面湿潤性(surface wetting)を提供するだろう。本材料は、金属などの表面エネルギーの高い基板、及びプラスチックなどの表面エネルギーの低い基板を湿潤することが可能である。さらに、アクリルポリマーと樹脂との組み合わせにより、得られた材料は再加工可能であり、溶媒や熱を使用することなく、適用後に基板から容易に除去することができる。この特性は、熱抵抗の低い他のサーマルインターフェース材料と比較して特徴的である。本発明のサーマルインターフェース材料は熱抵抗の低い薄いフィルムを提供するという点でも特徴的である。対照的にグリースのサーマルインターフェース材料は熱抵抗が低いが、分配したりスクリーン/ステンシル印刷が必要である。本発明のサーマルインターフェース材料のさらなる利点は、これらの材料が熱も溶媒も使用することなく再加工可能なので、どこでも再加工できるという点である。通常、この材料を使用するには、クランプなどの外部支持が必要だろう。最終的にフィルムの形状では、本発明のサーマルインターフェース材料は、適用されている基板の都合の悪い領域には全く流れないだろう。さらに、適用時に所定の位置にフィルムを保持するために十分な粘着性を提供するために感圧接着剤をフィルムに適用できる。所望により、本材料はペーストの形状であってもよい。
アクリレートは場合により、圧縮性を高めるため、及び取り扱いやすさと材料の伸長しやすさのために主として添加することができる。好ましいアクリレートはNIPOL AR-14であり、Zeon Chemicalより市販されている。
サーマルインターフェース材料は、ペルオキシド類及びアミン類などの種々の公知材料と一緒に硬化させることができる。硬化方法としては、プレス硬化(press cure)及びオートクレーブ硬化が挙げられる。硬化時に適用した時間、温度及び圧力に依存して、広範な硬化条件が可能である。硬化スケジュールに影響を与える他の要素としては、ポリマーブレンド、硬化系、酸受容体(acid acceptor)、充填材系及び部構成が挙げられる。
本発明のサーマルインターフェース材料は好ましくは、アクリルポリマー約2〜約30重量%と一種以上の液体樹脂約2〜約30重量%を含む。本発明のサーマルインターフェース材料は、最も好ましくはアクリルポリマー約2〜約20重量%と、一種以上の液体樹脂約2〜約20重量%と、アクリレート約2〜約20重量%を含む。本材料は、好ましくは伝導性粒子を約15〜約95重量%の範囲で含む。
上記成分に加えて、所望の特性を提供するために配合物に添加剤を含めることができる。添加剤によって提供される最も好都合な特性の一つは、取り扱いの向上である。特に、フェノールホルムアルデヒド、フェノール樹脂、ワックス、エポキシ、熱可塑性樹脂及びアクリル類などの室温で固体の材料は、取り扱いを向上させると都合がよい。配合し得る種々の添加剤は、表面活性剤、界面活性剤、希釈剤、湿潤剤、酸化防止剤、チキソトロープ、強化材料、シラン官能性パーフルオロエーテル、ホスフェート官能性パーフルオロエーテル、シラン類、チタネート類、ワックス、フェノールホルムアルデヒド、エポキシ、並びに表面親和性及びポリマー適合性を提供する他の低分子量ポリマーである。
図1は、サーマルインターフェース材料の二層を使用する電子部材10を説明する。電子部材10は、内部連絡14を介してシリコンダイ(silicon die)12に結合した基板11を含む。このシリコンダイは発熱し、この熱は、ダイの少なくとも一方の側に隣接するサーマルインターフェースフィルム15を通して移動する。ヒートスプレッダ16は、サーマルインターフェースフィルムに隣接して配置され、第一のサーマルインターフェース材料層を通過する熱の一部を分散させるように機能する。コールドシンク17はヒートスプレッダに隣接して配置されて、移動した熱エネルギーを分散させる。サーマルインターフェースフィルムパッド18は、ヒートスプレッダとコールドシンクとの間に位置する。サーマルインターフェースフィルムパッド18は、通常、サーマルインターフェースフィルム15よりも厚い。
本発明を以下の非限定的な実施例によって詳細に説明する。
実施例1
サーマルインターフェース材料(配合A)を表1に示すように配合した(全ての割合は重量パーセントである)。アクリルポリマー、固体エポキシ及びアクリレートゴムをメチルエチルケトンに溶解した。次にこの成分を混合容器に段階的に添加した。この混合容器を空気駆動式ミキサー下に設置し、材料を20分間混合した。次にこの材料を脱気し、シリコーン処理済みキャリヤ基板上に5ft/minでコーティングした。材料のコーティング後、フィルムを75℃で20分間乾燥して、溶媒を除去した。
Figure 2007204750
配合A及び種々の市販のグリース及びパッドのサーマルインターフェース材料を熱抵抗に関して試験した。熱抵抗はレーザフラッシュ法によって測定した。当業者は、遷移加熱試験法(transient heating test method)に精通しているだろう。本方法において、サンプルはパルスレーザーによって一つのサンプル上で加熱し、サンプルの裏側で熱流量を測定する。優れた伝熱能力をもつサンプルは、高い熱拡散係数(測定値)をもつだろう。この熱拡散係数は、サンプルの熱伝導率に正比例し、サンプルの熱抵抗に反比例する。試験結果を表2に示す。
Figure 2007204750
表2に示されているように、本発明の配合物のパッドの抵抗は、現在市販されているサーマルインターフェースグリース及びパッドの抵抗とよく匹敵する。
当業者に明らかなように、本発明の趣旨及び範囲を逸脱することなく、本発明の多くの修正及び変形が可能であろう。本明細書中に記載の具体的な態様は、単なる例示を目的とするものであり、本発明は請求項により与えられる等価物の十分な範囲と共に、付記請求の範囲の用語によってのみ限定されるべきである。
図1は、コールドシンクとサーマルインターフェース材料を有する電子部材の側面である。

Claims (18)

  1. アクリルポリマー、一種以上の液体樹脂及び場合により一種以上の固体樹脂と、熱伝導性粒子とを含む、熱を移動させるための熱伝導性組成物。
  2. 前記アクリルポリマーが、ブチルアクリレート−エチルアクリロニトリル、ブチルアクリレート−コ−エチルアクリロニトリル、エチルアクリレート−アクリロニトリル及びその混合物からなる群から選択される、請求項1に記載の熱伝導性組成物。
  3. 前記アクリルポリマーが、ヒドロキシル、カルボン酸、イソシアネートまたはエポキシ官能基をもつ、請求項1に記載の熱伝導性組成物。
  4. 前記アクリルポリマーが、約200,000〜約900,000の範囲の分子量を有する、請求項1に記載の熱伝導性組成物。
  5. 前記アクリルポリマーが、約30℃〜約−40℃の範囲のTgを有する、請求項1に記載の熱伝導性組成物。
  6. 前記組成物が、アクリルポリマーを約2重量%〜約20重量%の範囲で含む、請求項1に記載の熱伝導性組成物。
  7. 前記組成物が、アクリルポリマーを約2重量%〜約20重量%の範囲で含む、請求項2に記載の熱伝導性組成物。
  8. 前記伝導性粒子が、銀、金、ニッケル、銅、金属酸化物、窒化ホウ素、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、銀コーティング化有機粒子、銀メッキニッケル、銀メッキ銅、銀メッキアルミニウム、銀メッキガラス、銀フレーク、カーボンブラック、グラファイト、窒化ホウ素コーティング粒子及びその混合物を含む、請求項1に記載の組成物。
  9. 前記熱伝導性組成物が、伝導性粒子約15重量%〜約95重量%の範囲で含む、請求項8に記載の組成物。
  10. 前記一種以上の液体及び固体樹脂が、ビスフェノール−A及びビスフェノール−Fの一官能性及び多官能性グリシジルエーテル、脂肪族及び芳香族エポキシ、飽和及び不飽和エポキシ、脂環式エポキシ樹脂、ビスフェノールAエポキシ樹脂、エポキシノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン−フェノールエポキシ樹脂、ナフタレン樹脂、エポキシ官能性ブタジエンアクリロニトリルコポリマー、エポキシ官能性ポリジメチルシロキサン、エポキシ官能性コポリマー、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル-3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ビニルシクロヘキセンジオキシド、3,4-エポキシ-6-メチルシクロヘキシルメチル-3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ジシクロペンタジエンジオキシド、ポリ(フェニルグリシジルエーテル)−コ−ホルムアルデヒド、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン−フェノールエポキシ樹脂、ナフタレンエポキシ樹脂、エポキシ官能性ブタジエンアクリロニトリルコポリマー、エポキシ官能性ポリジメチルシロキサン、フェノール、アクリル、シリコーン、ポリオール、アミン、ゴムベース、フェノキシ、オレフィン、ポリエステル、イソシアネート、シアネートエステル、ビスマレイミド及びその混合物からなる群から選択される、請求項1に記載の組成物。
  11. 前記組成物が、一種以上の液体樹脂を約2重量%〜約30重量%の範囲で含む、請求項1に記載の組成物。
  12. 一種以上のアクリレート類をさらに含む、請求項1に記載の組成物。
  13. 一種以上の添加剤をさらに含む、請求項1に記載の組成物。
  14. 前記添加剤が、表面活性剤、酸化防止剤、界面活性剤、希釈剤、湿潤剤、チキソトロープ、強化材料、シラン官能性パーフルオロエーテル、ホスフェート官能性パーフルオロエーテル、シラン類、チタネート類、ワックス、フェノールホルムアルデヒド、エポキシ、アクリル、表面親和性及びポリマー適合性を提供する低分子量ポリマー、並びにその混合物からなる群から選択される、請求項10に記載の組成物。
  15. 前記組成物が、ペースト、支持されたまたはフリースタンディングフィルムの形状である、請求項1に記載の組成物。
  16. 感圧接着剤をさらに含む、請求項1に記載の組成物。
  17. 発熱部材、コールドシンク及び請求項1に記載のサーマルインターフェース材料を含む電子デバイス。
  18. 発熱部材、ヒートスプレッダ及び請求項1に記載のサーマルインターフェース材料を含む電子デバイス。
JP2007015941A 2006-01-30 2007-01-26 サーマルインターフェース材料 Pending JP2007204750A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/275,786 US20070179232A1 (en) 2006-01-30 2006-01-30 Thermal Interface Material

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007204750A true JP2007204750A (ja) 2007-08-16

Family

ID=38121448

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007015941A Pending JP2007204750A (ja) 2006-01-30 2007-01-26 サーマルインターフェース材料

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20070179232A1 (ja)
EP (1) EP1816175B1 (ja)
JP (1) JP2007204750A (ja)
KR (1) KR20070078792A (ja)
CN (1) CN101012369A (ja)
AT (1) ATE445680T1 (ja)
DE (1) DE602007002726D1 (ja)
TW (1) TW200745307A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007262348A (ja) * 2006-03-30 2007-10-11 Achilles Corp ペースト状のアクリル系グリース
JP2011108617A (ja) * 2009-10-19 2011-06-02 Nitto Denko Corp 熱伝導部材、及びそれを用いた組電池装置
JP2012224765A (ja) * 2011-04-20 2012-11-15 Jsr Corp 熱伝導性シート用組成物
JP2013510926A (ja) * 2009-11-13 2013-03-28 ヘンケル コーポレイション フェニルエステルを含む熱界面材料

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100848837B1 (ko) * 2007-08-06 2008-07-28 주식회사 휘닉스아이씨피 메모리모듈 방열장치 및 그 제조방법
DE102007037622A1 (de) * 2007-08-09 2009-02-12 Siemens Ag Harz-Formulierung auf Bismaleinimid-Basis und Verwendung der Harz-Formulierung
DE102007037621B4 (de) * 2007-08-09 2014-09-18 Siemens Aktiengesellschaft Verwendung einer Harz-Formulierung als Folie in einem Verfahren zur planaren Kontaktierung einer elektrischen Kontaktstelle eines elektrischen Bauelements und ein entsprechendes Verfahren
EP2343332A4 (en) * 2008-10-21 2017-03-01 Hitachi Chemical Company, Ltd. Heat conducting sheet, manufacturing method thereof, and heat radiator that utilizes same
CN102348763B (zh) 2009-03-16 2013-04-10 道康宁公司 导热润滑脂以及使用所述润滑脂的方法和器件
US20110044004A1 (en) * 2009-08-18 2011-02-24 Garosshen Thomas J Heat transfer apparatus having a thermal interface material
CN102667959B (zh) * 2009-09-24 2016-02-03 E.I.内穆尔杜邦公司 用作电镀连接件的聚合物厚膜银电极组合物
JP5680097B2 (ja) 2009-10-27 2015-03-04 ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング エポキシ化ナットシェルオイルを有する熱界面材料
TWI425347B (zh) 2009-11-19 2014-02-01 Compal Electronics Inc 應用於電子裝置的散熱模組
TWI475103B (zh) * 2009-12-15 2015-03-01 Ind Tech Res Inst 散熱結構
CN102762495A (zh) * 2010-02-18 2012-10-31 日立化成工业株式会社 复合粒子及其制造方法以及树脂组合物
CN102812099B (zh) * 2010-03-25 2014-12-03 株式会社巴川制纸所 电子部件用液状粘接剂以及胶带
CN101824297A (zh) * 2010-05-06 2010-09-08 苏州仙奇化学有限公司 一种高导热胶及其制备方法
CN102263185A (zh) * 2010-05-28 2011-11-30 景德镇正宇奈米科技有限公司 热辐射散热发光二极管结构及其制作方法
CN201854534U (zh) * 2010-06-24 2011-06-01 景德镇正宇奈米科技有限公司 陶瓷辐射散热结构
KR101043346B1 (ko) * 2011-01-28 2011-06-29 주식회사 네원 방열특성이 우수한 유무기 하이브리드 조성물 및 이를 이용한 박막 타입의 열방사 시트
US9840070B2 (en) * 2012-03-23 2017-12-12 Dow Global Technologies Llc Crash-durable adhesive with enhanced stress durability
JP6022546B2 (ja) 2012-03-30 2016-11-09 昭和電工株式会社 硬化性放熱組成物
US9434870B2 (en) 2012-09-19 2016-09-06 Momentive Performance Materials Inc. Thermally conductive plastic compositions, extrusion apparatus and methods for making thermally conductive plastics
US8946333B2 (en) 2012-09-19 2015-02-03 Momentive Performance Materials Inc. Thermally conductive plastic compositions, extrusion apparatus and methods for making thermally conductive plastics
CN103342976A (zh) * 2013-06-26 2013-10-09 苏州天脉导热科技有限公司 一种耐短时高温的丙烯酸基组合物及以其制备导热片的方法
CN105492563B (zh) * 2013-07-22 2019-04-23 爱博斯迪科化学(上海)有限公司 可b阶段化且无需固化的晶片背面涂覆粘合剂
KR102165264B1 (ko) * 2013-10-10 2020-10-13 삼성전자 주식회사 아연 입자를 함유하는 비전도성 폴리머 막, 비전도성 폴리머 페이스트, 이들을 포함하는 반도체 패키지, 및 반도체 패키지의 제조 방법
CN105899714B (zh) 2013-12-05 2018-09-21 霍尼韦尔国际公司 具有经调节的pH的甲基磺酸亚锡溶液
EP3105300B1 (en) 2014-02-13 2019-08-21 Honeywell International Inc. Compressible thermal interface materials
JP5563175B1 (ja) * 2014-03-05 2014-07-30 清二 加川 高熱伝導率の放熱シート及びその製造方法
EP3166999B1 (en) 2014-07-07 2023-03-08 Honeywell International Inc. Thermal interface material with ion scavenger
WO2016086410A1 (en) 2014-12-05 2016-06-09 Honeywell International Inc. High performance thermal interface materials with low thermal impedance
DE102015200425A1 (de) * 2015-01-14 2016-07-14 Robert Bosch Gmbh Reaktionsharzsystem mit hoher Wärmeleitfähigkeit
US10312177B2 (en) 2015-11-17 2019-06-04 Honeywell International Inc. Thermal interface materials including a coloring agent
JP6721692B2 (ja) 2016-02-01 2020-07-15 キャボット コーポレイションCabot Corporation カーボンブラックを含有する熱伝導性ポリマー組成物
KR102554661B1 (ko) 2016-03-08 2023-07-13 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 상 변화 물질
US10501671B2 (en) 2016-07-26 2019-12-10 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material
US11041103B2 (en) 2017-09-08 2021-06-22 Honeywell International Inc. Silicone-free thermal gel
US10428256B2 (en) 2017-10-23 2019-10-01 Honeywell International Inc. Releasable thermal gel
US11072706B2 (en) 2018-02-15 2021-07-27 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material
US11373921B2 (en) 2019-04-23 2022-06-28 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material with low pre-curing viscosity and elastic properties post-curing

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4690858A (en) * 1985-02-15 1987-09-01 Hitachi, Ltd. Thermal transfer sheet
US5288769A (en) * 1991-03-27 1994-02-22 Motorola, Inc. Thermally conducting adhesive containing aluminum nitride
US5213868A (en) * 1991-08-13 1993-05-25 Chomerics, Inc. Thermally conductive interface materials and methods of using the same
DE69424069T2 (de) * 1993-06-18 2001-01-11 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Wärmeübertragungsblatt
US5968606A (en) * 1997-06-30 1999-10-19 Ferro Corporation Screen printable UV curable conductive material composition
US6432497B2 (en) * 1997-07-28 2002-08-13 Parker-Hannifin Corporation Double-side thermally conductive adhesive tape for plastic-packaged electronic components
JP2000129215A (ja) * 1998-10-21 2000-05-09 Sekisui Chem Co Ltd 熱伝導性粘接着シート及びその製造方法
JP2001049228A (ja) * 1999-08-12 2001-02-20 Sony Chem Corp 低温硬化型接着剤及びこれを用いた異方導電性接着フィルム
US6984685B2 (en) * 2000-04-05 2006-01-10 The Bergquist Company Thermal interface pad utilizing low melting metal with retention matrix
JP2004043673A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Sekisui Chem Co Ltd 熱伝導性組成物及びプラズマディスプレイ表示装置
US6874573B2 (en) * 2003-07-31 2005-04-05 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Thermal interface material
US7312261B2 (en) * 2004-05-11 2007-12-25 International Business Machines Corporation Thermal interface adhesive and rework

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007262348A (ja) * 2006-03-30 2007-10-11 Achilles Corp ペースト状のアクリル系グリース
JP2011108617A (ja) * 2009-10-19 2011-06-02 Nitto Denko Corp 熱伝導部材、及びそれを用いた組電池装置
JP2013510926A (ja) * 2009-11-13 2013-03-28 ヘンケル コーポレイション フェニルエステルを含む熱界面材料
JP2012224765A (ja) * 2011-04-20 2012-11-15 Jsr Corp 熱伝導性シート用組成物

Also Published As

Publication number Publication date
US20070179232A1 (en) 2007-08-02
CN101012369A (zh) 2007-08-08
TW200745307A (en) 2007-12-16
DE602007002726D1 (de) 2009-11-26
KR20070078792A (ko) 2007-08-02
EP1816175A2 (en) 2007-08-08
EP1816175A3 (en) 2007-09-05
ATE445680T1 (de) 2009-10-15
EP1816175B1 (en) 2009-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007204750A (ja) サーマルインターフェース材料
US6874573B2 (en) Thermal interface material
US7312261B2 (en) Thermal interface adhesive and rework
CN109072051B (zh) 相变材料
JP5233032B2 (ja) 半導体ウエハ用保護フィルム
TW200409246A (en) Thermal interconnect and interface systems, methods of production and uses thereof
JP4507488B2 (ja) 接合材料
TWI599634B (zh) 半導體裝置
TWI694126B (zh) 樹脂組成物、接著膜及半導體裝置
TW200841402A (en) Adhesive film for semiconductor and semiconductor device using the same
JP5648617B2 (ja) 熱伝導性接着剤組成物並びにそれを用いた接着用シート及び熱伝導性ダイシング・ダイアタッチフィルム
US20040180209A1 (en) Thermal interface material
US6776226B1 (en) Electronic device containing thermal interface material
TWI814766B (zh) 熱傳導性薄膜狀硬化物及其製造方法,以及熱傳導性構件
JP6423603B2 (ja) 絶縁フィルム、および半導体装置
TW201134934A (en) Thermal interface material with phenyl ester
KR102141722B1 (ko) 열전도성 시트용 점착제 조성물 및 이로부터 제조된 열전도성 시트
JP2021082640A (ja) 導電性ペーストおよび半導体装置
TW202115216A (zh) 導熱性組成物及半導體裝置
JPWO2020075663A1 (ja) 樹脂組成物、樹脂硬化物および複合成形体
JP2004238513A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2016210832A (ja) 熱伝導性組成物および熱伝導性部材
CN111373516A (zh) 半导体用粘合膜及半导体用粘合片