JP2007299827A - 半導体集積回路 - Google Patents

Abstract

【課題】 ＬＥＤに流れる電流の量を微小な範囲まで精度良く、連続的にでも段階的にでも状況に応じて自由に制御できる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】 インターフェイス回路２は、第２の入力端子からのＰＷＭ信号の時比率に従ってオンオフ制御された入力基準電流を、第１の入力端子からの調光パルス信号のパルス数に応じた制御信号に基づいてＬＥＤ駆動電流量を調整するための参照電圧信号として出力し、制御電流生成回路３は、単一のＬＥＤに複数接続された駆動トランジスタＱ５、Ｑ６と該複数の駆動トランジスタの各々に接続されたセンス抵抗Ｒ３、Ｒ４を有し、前記参照電圧信号および前記センス抵抗からの帰還電圧信号に基づいて前記駆動トランジスタを制御し、また、前記調光パルス信号に基づくセレクト信号により選択された前記駆動トランジスタおよびこれに接続されるセンス抵抗により、ＬＥＤに流れる電流量を制御する。
【選択図】 図３

Description

本発明は、ＬＥＤを駆動する電流量の調整を行なうインターフェイス回路及びＬＥＤを駆動する電流を供給する制御電流生成回路を有する半導体集積回路に関するものである。

従来、ＬＥＤ(Light Emitting Diode)、特に白色ＬＥＤは、例えば、リチウム電池を電源とする携帯電話のディスプレイ用バックライトに用いられている。通常このようなディスプレイには、複数のＬＥＤが用いられ、これら複数のＬＥＤを並列に接続し、これらＬＥＤを駆動する電流量の調整を行なうＬＥＤドライバが知られている。ＬＥＤドライバは、ＬＥＤに供給する電流量の調整を行うインターフェイス（以下、ＩＦ）回路と、電流量の調整に応じて制御される駆動トランジスタを有する駆動回路と、ＬＥＤに供給する電流量をパルス数に応じて制御する調光パルス信号の入力されるＤＩＭ端子、信号のオンデューティーに応じてＬＥＤに供給する電流量を制御するＰＷＭ信号の入力されるイネーブル（ＥＮ）端子などを備えている。

従来技術としては、特許文献１に開示された単一ワイヤシリアルインターフェイスがある。このインターフェイスを使用するため、デバイスはＥＮ／ＳＥＴ入力ピンを有する。デバイス内のカウンタがＥＮ／ＳＥＴ入力ピンに送られたクロックパルスをカウントする。カウンタの出力はＲＯＭまたは他のデコーダ回路に渡される。ＲＯＭが、カウンタの値に対応するデバイスの動作状態を選択する。このように、ＥＮ／ＳＥＴピンに対応するクロックパルスを送ることにより、デバイスの制御状態を選択できる。ＥＮ／ＳＥＴピンをハイに保持すると、デバイスはその動作状態を維持する。ＥＮ／ＳＥＴピンを所定タイムアウト期間にわたってローに保持すると、カウンタがリセットし、ＥＮ／ＳＥＴピンで新しいクロックパルスを受信するまで、デバイスは所定の構成（例えば、オフとなる）を維持する。
特表２００５−５２１９４４号公報

例えば、特許文献１に開示されたパルス数のカウントにより白色ＬＥＤの電流を決定する方式では、電流量の変化を表示する図８に示されるように、電流量の変化が離散的になる。即ち、電流量を連続的に変化させることはできない。これは、白色ＬＥＤの明るさが見た目にも不連続に変わってしまうということを意味している。
また、先に示すＰＷＭ信号のデューティー比により白色ＬＥＤの電流量を決定する方式では、電流量を連続的に変化させることは可能である。しかし、微小な電流量の制御が難しい。即ち、デューティー比（＝ｄｕｔｙ比）が小さくなった場合に電流量の誤差が大きくなり、更に複数個あるＬＥＤ駆動回路間で電流量が不均一になり易い。
白色ＬＥＤの電流量が不均一になるということは、即ちＬＥＤの明るさが見た目に複数の白色ＬＥＤ間で不均一になるということであり、また、製品個体間でも不均一になるという問題がある。

電流量の不均一は２つの理由で発生する。
１つは、ＬＥＤ駆動回路内に組み込まれたオペアンプ回路のオフセット電圧に起因している（図２参照）。即ち、オペアンプがオフセット電圧を持たない場合ＬＥＤ電流ＩＬＥＤが、
ＩＬＥＤ＝ＶＲＥＦ／Ｒ （１）
で表わされるとすると、オフセット電圧ΔＶに起因するＬＥＤ電流の誤差ΔＩＬＥＤは、
ΔＩＬＥＤ＝−ΔＶ／Ｒ （２）
と表される。
誤差の比率は、
ΔＩＬＥＤ／ＩＬＥＤ＝−ΔＶ／ＶＲＥＦ （３）
となる。
ここでＩＬＥＤを絞ること（小さくすること）を考えると、（３）式に示すように、この場合はＶＲＥＦを下げることになる。そのために、誤差の比率−ΔＶ／ＶＲＥＦは相対的に増加する結果となるのである。この問題はパルスカウント方式であっても、ＰＷＭ方式であっても、オペアンプを用いたフィードバック制御であれば発生する。
もうひとつは、ＰＷＭ信号回路に用いられるスイッチングトランジスタのクロックフィードスルー及びチャージインジェクションに起因している。これらの影響で、ＰＷＭ制御方式のＬＥＤ電流は理想的な値よりも大きくなる。この影響は、ＰＷＭ周波数が高く、デューティー比が小さい場合、より顕著に発生する。
結果として、ＰＷＭ制御方式の微小電流制御時にはより大きな誤差が発生することになる。
本発明は、このような事情によりなされたものであり、ＬＥＤに流れる電流の量を微小な範囲まで精度良く、且つ連続的にでも段階的にでも状況に応じて自由に制御できる半導体集積回路を提供する。

本発明の半導体集積回路の一態様は、調光パルス信号の入力される第１の入力端子と、ＰＷＭ信号の入力される第２の入力端子と、入力される基準電流を前記ＰＷＭ信号の時比率に従ってオンオフ制御するスイッチングトランジスタ、前記調光パルス信号のパルス数に応じた制御信号を出力するカウンタ・デコーダ、オンオフ制御された前記基準電流を前記制御信号に基づいてＬＥＤを駆動する電流量を調整するための参照電圧信号として出力する抵抗型Ｄ／Ａ変換器（以下、抵抗ＤＡＣ）を有するＩＦ回路と、単一の前記ＬＥＤに接続されて前記ＬＥＤを駆動する並列接続された複数の駆動トランジスタ、一端が前記複数の駆動トランジスタの各々に接続され他端が接地された複数のセンス抵抗、前記参照電圧信号及び前記センス抵抗からの帰還電圧信号に基づいて前記駆動トランジスタを制御する増幅器、前記調光パルス信号のパルス数に基づいて前記複数の駆動トランジスタのいずれかを選択する第１のセレクタ、前記第１のセレクタによって選択された前記駆動トランジスタに接続された前記センス抵抗を選択する第２のセレクタを有する制御電流生成回路とを備えたことを特徴としている。

また、本発明の半導体集積回路の一態様は、調光パルス信号の入力される第１の入力端子と、ＰＷＭ信号の入力される第２の入力端子と、入力される基準電流を前記ＰＷＭ信号の時比率に従ってオンオフ制御するスイッチングトランジスタを有し、前記第１の入力端子から入力される前記調光パルス信号のパルス数に応じたセレクト信号を出力するＩＦ回路と、単一のＬＥＤに接続されて前記ＬＥＤを駆動する並列接続された複数の駆動トランジスタ、一端が前記複数の駆動トランジスタの各々に接続され他端が接地された複数のセンス抵抗、前記参照電圧信号及び前記センス抵抗からの帰還電圧信号に基づいて前記駆動トランジスタを制御する増幅器、前記調光パルス信号のパルス数に基づいて前記複数の駆動トランジスタのいずれかを選択する第１のセレクタ、前記第１のセレクタによって選択された前記駆動トランジスタに接続された前記センス抵抗を選択する第２のセレクタを有する制御電流生成回路とを備えたことを特徴としている。

前記ＩＦ回路は、前記参照電圧信号を平均化、平滑化した信号を出力するフィルタ回路を有するようにしても良い。前記複数の駆動トランジスタのサイズは、それぞれ異なるようにしても良い。
このような制御電流生成回路において、小さい電流量を調整する場合は、サイズの小さい駆動トランジスタを有する駆動回路の系統を選択して電流量を調整することにより、オペアンプに生ずるオフセット電圧に起因する複数のＬＥＤ間の電流量のばらつきを小さくすることができる。

本発明によれば、複数個あるＬＥＤに流れる電流の量を微小な範囲まで精度良く、且つ連続的にでも段階的にでも状況に応じて自由に制御できる。

以下、実施例を参照して発明の実施の形態を説明する。

まず、図１、図３乃至図６を参照して実施例１を説明する。
図１は、半導体集積回路、例えば、ＬＥＤドライバ回路にＬＥＤを接続した状態を説明するシステム図、図３は、ＬＥＤドライバ回路の内部を詳細に説明する回路図、図４は、ＬＥＤドライバ回路を構成するＩＦ回路を説明する回路図、図５は、図４のＩＦ回路を構成する抵抗ＤＡＣの回路図、図６は、ＬＥＤを駆動する電流量を制御する制御電流生成回路の回路図である。

図１に示すようにＬＥＤドライバ回路が形成されたＩＣチップ１は、電源端子ＶＩＮ、第１の入力端子（ＤＩＭ端子）、第２の入力端子（イネーブル（ＥＮ）端子）、ＬＥＤを駆動する電流量を調整する参照電圧信号を生成するＩＦ回路２、ＩＦ回路２の参照電圧信号に基づいてＬＥＤに流れる電流を制御する制御電流生成回路３及び電源端子ＶＩＮから入力される入力電圧を昇圧する昇圧回路５を備えている。制御電流生成回路３は、複数あり、その複数の制御電流生成回路３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄの夫々にＬＥＤ４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが夫々接続されている。

図３は、ＩＣチップ１上のＬＥＤドライバ回路の内部を詳細に示した図である。入力部は、オペアンプ（ＯＰ−ＡＭＰ）（演算増幅器）７、ｐＭＯＳトランジスタＱ１（以下、トランジスタＱ１）、ｎＭＯＳトランジスタＱ３（以下、トランジスタＱ３）及び抵抗Ｒ１を備えている。オペアンプ７の第１入力端には、基準電圧源で作成された基準電圧ＶＲＥＦが入力され、第２入力端は、トランジスタＱ３のソースと抵抗Ｒ１との間に接続されてフィードバック回路が形成される。トランジスタＱ１は、入力電圧が供給される電源端子ＶＩＮにソースが接続され、ドレインがトランジスタＱ３のドレインに接続されている。トランジスタＱ３のソースは抵抗Ｒ１を介して接地（ＧＮＤ）されている。オペアンプ７の出力端はトランジスタＱ３のゲートに接続される。

ＩＦ回路２は、ｐＭＯＳトランジスタＱ２（以下、トランジスタＱ２）、ｎＭＯＳトランジスタＱ４（以下、トランジスタＱ４）、抵抗ＤＡＣ９及びフィルタ回路１２を備えている。トランジスタＱ２は、入力電圧が供給される電源端子ＶＩＮにソースが接続され、ドレインがトランジスタＱ４のドレインに接続されている。また、トランジスタＱ２のゲートはトランジスタＱ１のゲートに接続されており、トランジスタＱ１及びトランジスタＱ２でカレントミラー回路６が形成される。トランジスタＱ４のソースは抵抗ＤＡＣ９を介して接地（ＧＮＤ）されており、トランジスタＱ４のゲートにはＰＷＭ信号が入力される。抵抗ＤＡＣ９は、第２の入力端子に入力されるＰＷＭ信号の時比率に従って制御された入力基準電流を、第１の入力端子に入力される調光パルス信号のパルス数に基づいてＬＥＤを駆動する電流量を調整するための参照電圧信号として出力する。フィルタ回路１２は、制御電流生成回路３内のオペアンプ８の第１の入力端と抵抗ＤＡＣ９との間に介在された抵抗Ｒ２と、抵抗Ｒ２とオペアンプ８の第１の入力端との間に一端が接続され他端が接地（ＧＮＤ）された容量Ｃとから構成されており、抵抗ＤＡＣ９から出力される参照電圧信号を平均化、平滑化した信号を出力する。

図５は、抵抗ＤＡＣ９の内部回路を詳細に示した図である。
抵抗ＤＡＣ９では、入力された基準電流を元にして、分割された抵抗（Ｒ）９ｃによって種々の電圧値を生成している。この種々の電圧値は、抵抗ＤＡＣ９に組み込まれた複数のｎＭＯＳトランジスタ９ｄ（Ｑ８〜Ｑ１３）のゲートに入力されるカウンタ・デコーダからの指示によって抵抗ＤＡＣ９内の抵抗値を変えることにより選択される。抵抗ＤＡＣ９の出力電圧値、抵抗の分割比率などはこれら抵抗９ｃ及びｎＭＯＳトランジスタ９ｄによって任意に設定可能である。

制御電流生成回路３は、オペアンプ８、駆動ｎＭＯＳトランジスタＱ５（以下、トランジスタＱ５）及びセンス抵抗Ｒ３からなる駆動回路、駆動ｎＭＯＳトランジスタＱ６（以下、トランジスタＱ６）及びセンス抵抗Ｒ４からなる駆動回路、及びセレクタ１０、１１を有している。トランジスタＱ５は、ドレインがＬＥＤ４のカソードに接続され、ソースがセンス抵抗Ｒ３を介して接地（ＧＮＤ）されている。同じくトランジスタＱ６は、ドレインがＬＥＤ４のカソードに接続され、ソースがセンス抵抗Ｒ４を介して接地（ＧＮＤ）されている。ＬＥＤ４のアノードは、電源端子ＶＩＮに接続された昇圧回路に接続されている。オペアンプ８の出力端は、セレクタ１０を介してトランジスタＱ５、Ｑ６のゲートに接続され、オペアンプ８の第２の入力端は、セレクタ１１を介してトランジスタＱ５、Ｑ６のソースに接続されている。

次に、図３乃至図６により、本発明のＬＥＤドライバ回路の動作を説明する。
図３より、基準電圧源で作成された基準電圧ＶＲＥＦがオペアンプ７の第１の入力端に入力されて基準電流が作成される。この基準電流は、トランジスタＱ１及びトランジスタＱ２で構成されるカレントミラー回路６で倍数コピーされ、抵抗ＤＡＣ９に入力される。このとき、第２の入力端子からトランジスタＱ４のゲートに入力されるＰＷＭ信号の時比率によって、抵抗ＤＡＣ９に入力される基準電流のオンオフが決定される。一方、図４より、第１の入力端子から調光パルス信号がカウンタ・デコーダ９ａに入力されると、調光パルス信号のパルス数に応じた任意の制御信号が抵抗ＤＡＣ９に出力される。抵抗ＤＡＣ９は、オンオフの決定された基準電流を、カウンタ・デコーダ９ａから出力された制御信号に基づいてＬＥＤを駆動する電流量を調整するための参照電圧信号として出力する。このとき、調光パルス数のカウントと抵抗型ＤＡＣの出力の関係は一様に増加したり減少する必要はなく、任意に増加、減少させることが可能である。この参照電圧信号は、ＰＷＭ信号のオンオフに合わせて断続的な電圧として出力されるが、もし、ＰＷＭ信号がＤｕｔｙ比が１００％であれば、一定の電圧を出力することになる。

抵抗ＤＡＣ９から出力された参照電圧信号は、ローパスフィルタ１２によって平均化・平滑化される。ローパスフィルタによって平均化・平滑化された参照電圧信号は、制御電流生成回路３に形成されたオペアンプ８に入力される基準電圧として用いられる。

参照電圧信号がＩＦ回路２から制御電流生成回路３のオペアンプ８に入力されると、この参照電圧信号に応じて駆動トランジスタＱ５、Ｑ６を制御し、ＬＥＤ４に流れる電流量を制御する。また、オペアンプ８は、センス抵抗Ｒ３、Ｒ４からフィードバックされる電圧を参照電圧に合わせるように駆動トランジスタＱ５又はＱ６を制御する。これにより、
ＩＬＥＤ＝ＶＲＥＦ／Ｒ
で示される関係によってＬＥＤの電流が制御される。

また、ＬＥＤに流れる電流量を大幅に変える場合には、異なるサイズの駆動トランジスタおよび異なる抵抗値のセンス抵抗を有する駆動回路に切り替える。例えば、図６に示すように、オン抵抗が５〜１５ΩのトランジスタＱ５および抵抗値が５〜１０Ωのセンス抵抗を有する駆動回路を用いる場合には、ＬＥＤに対し、２〜２０ｍＡの電流量制御を行うが、オン抵抗が５０〜１５０ΩのトランジスタＱ６および抵抗値が５０〜１００Ωのセンス抵抗を有する駆動回路に切り替えることにより、ＬＥＤに対し、０．２〜２ｍＡの微小電流量制御を行う。また、例えば、トランジスタＱ５を有する駆動回路は、電流量の１００％〜１０％を制御する場合に利用し、トランジスタＱ６を有する駆動回路は、電流量の１０％〜１％を制御する場合に利用する。駆動回路の切り替えは、調光パルス信号のパルス数に応じてカウンタ・デコーダ９ａから出力されるセレクト信号によって、アナログスイッチ等のセレクタ１０、１１を制御することにより行う。

ＬＥＤに流れる電流量が微小であっても、駆動回路を切り替えることによって電流量のばらつきが抑制されるのは次の理由による。すなわち、切り替え前の駆動回路のセンス抵抗の抵抗値をＲ１、ＬＥＤに流れる電流量をＩＬＥＤ１、オフセット電圧ΔＶに起因するＬＥＤ電流量の誤差をΔＩＬＥＤ１とすると、オペアンプがオフセット電圧をもたない場合のＬＥＤ電流量ＩＬＥＤ１は、前述の（１）式より、
ＩＬＥＤ１＝ＶＲＥＦ／Ｒ１ （４）
オフセット電圧を考慮すると、オフセット電圧ΔＶに起因するＬＥＤ電流量の誤差ΔＩＬＥＤ１は、前述の（２）式より、
ΔＩＬＥＤ１＝−ΔＶ／Ｒ１ （５）
上記（４）、（５）式から、誤差の比率は、
ΔＩＬＥＤ１／ＩＬＥＤ１＝−ΔＶ／ＶＲＥＦ （６）
となる。ここで、この駆動回路をそのままＬＥＤの微小電流駆動に用いるとする。
例えば、駆動回路に１／１０の微小電流（ＩＬＥＤ１／１０）が流れるものとすると、電流量の誤差の比率は、
ΔＩＬＥＤ１／ＩＬＥＤ２＝ΔＩＬＥＤ１／（ＩＬＥＤ／１０）
＝１０×（ΔＩＬＥＤ１／ＩＬＥＤ１）
となって、切り替え前のＬＥＤ電流量に対して誤差の比率が１０倍になってしまう。そこで、センス抵抗Ｒ１を抵抗値が１０倍のセンス抵抗Ｒ２で置き換えた駆動回路を用いることにより、この駆動回路に流れる電流ＩＬＥＤ２は（４）式より、
ＩＬＥＤ２＝ＶＲＥＦ／Ｒ２
＝ＶＲＥＦ／（Ｒ１×１０）
＝ＩＬＥＤ１／１０
となって、ＬＥＤに流れる電流量は、切り替え前の電流量の１／１０となる。
また、オフセット電圧ΔＶに起因するＬＥＤ電流量の誤差ΔＩＬＥＤ２は、
ΔＩＬＥＤ２＝−ΔＶ／Ｒ２
＝−ΔＶ／（Ｒ１×１０）
＝ΔＩＬＥＤ１／１０
となって、ＬＥＤ電流量の誤差は、切り替え前の１／１０となる。
したがって、誤差の比率は
ΔＩＬＥＤ２／ＩＬＥＤ２＝（ΔＩＬＥＤ１／１０）／（ＩＬＥＤ１／１０）
＝ΔＩＬＥＤ１／ＩＬＥＤ１
＝−ΔＶ／ＶＲＥＦ
となって、切り替え前と同じに保たれる。また、このとき、オペアンプの電圧出力特性を考慮して、切り替え後の駆動回路の駆動トランジスタのサイズは、切り替え前のサイズの１／１０にする必要がある。
この実施例によれば、複数個あるＬＥＤに流れる電流の量を微小な範囲まで精度良く、且つ連続的にでも段階的にでも状況に応じて自由に制御できる。

次に、図７を参照して実施例２を説明する。
図７は、この実施例の半導体集積回路であるＬＥＤドライバ回路のＩＦ回路に用いられるローパスフィルタの回路図である。ローパスフィルタ以外の回路構成は、基本的には図３と同じである。
フィルタ回路１３は、制御電流生成回路３のオペアンプ８の第１の入力端とＩＦ回路の抵抗ＤＡＣ９との間に介在されたｎＭＯＳトランジスタＱ７のオン抵抗を抵抗とし、ｎＭＯＳトランジスタＱ７と制御電流生成回路３のオペアンプの第１の入力端との間に一端が接続され他端が接地（ＧＮＤ）された容量Ｃとから構成されている。即ち、トランジスタＱ７のゲートに一定の電圧を与えることにより、一定の抵抗値を得ている。
この実施例によれば、複数個あるＬＥＤに流れる電流の量を微小な範囲まで精度良く、且つ連続的にでも段階的にでも状況に応じて自由に制御できる。フィルタの抵抗をトランジスタに代えることができる。

次に、図１０を参照して実施例３を説明する。
図１０は、この実施例の半導体集積回路であるＬＥＤドライバ回路に用いられるＩＦ回路の回路図であり、実施例１及び２で用いたカウンタ・デコーダ及び抵抗ＤＡＣを抵抗に代えることを特徴としている。そして、このＩＦ回路は、第１の入力端子から入力される調光パルス信号のパルス数に応じたセレクト信号を制御電流生成回路のセレクタに出力するように構成されている。このセレクト信号によって駆動回路の切り替えを行い、ＬＥＤに流れる電流量を調整する。一方、第２の入力端子から入力されるＰＷＭ信号によって、入力基準電流をＰＷＭ信号の時比率に基づいたオンオフ基準電流として制御電流生成回路の駆動トランジスタを制御し、ＬＥＤに流れる電流量の調整を行う。このようにすることにより、複数個あるＬＥＤに流れる電流の量を微小な範囲まで精度良くすることができるため、ＬＥＤに流れる電流の量を連続的及び段階的のいずれにでも状況に応じて自由に制御することができる。

本発明の実施例１のＬＥＤドライバ回路にＬＥＤを接続した状態を説明するシステム図。 ＬＥＤドライバの駆動回路内に組み込まれたオペアンプ回路のオフセット電圧に起因している電流量のずれを説明する回路図。 図１のＬＥＤドライバ回路の内部を詳細に説明する回路図。 図１のＬＥＤドライバ回路のＩＦ回路を説明する回路図。 図４のＩＦ回路を構成する抵抗ＤＡＣの回路図。 図１のＬＥＤの駆動電流を調整する制御電流生成回路の回路図。 本発明の実施例２のＩＦ回路に用いられるローパスフィルタの回路図。 従来のＬＥＤドライバの駆動回路が制御する離散的な電流量を示す特性図。 従来のＬＥＤドライバの駆動回路が制御する電流量を絞ったときの電流量ばらつきを説明する特性図。 本発明の実施例３のＬＥＤドライバ回路のＩＦ回路の回路図。

符号の説明

１・・・ＩＣチップ ２・・・インターフェイス（ＩＦ）回路
３・・・制御電流生成回路 ３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ・・・駆動回路
４、４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ・・・ＬＥＤ ５・・・昇圧回路
６・・・カレントミラー回路 ７、８・・・オペアンプ
９・・・抵抗ＤＡＣ ９ａ・・・カウンタ・デコーダ
９ｃ・・・分割された抵抗（Ｒ） ９ｄ・・・トランジスタ
１０、１１・・・セレクタ
１２、１３・・・フィルタ回路（ローパシフィルタ）
Ｃ・・・容量
Ｒ１〜Ｒ４・・・抵抗
Ｑ１〜Ｑ１３・・・トランジスタ

Claims (4)

1. 調光パルス信号の入力される第１の入力端子と、ＰＷＭ信号の入力される第２の入力端子と、入力される基準電流を前記ＰＷＭ信号の時比率に従ってオンオフ制御するスイッチングトランジスタ、前記調光パルス信号のパルス数に応じた制御信号を出力するカウンタ・デコーダ、オンオフ制御された前記基準電流を前記制御信号に基づいてＬＥＤを駆動する電流量を調整するための参照電圧信号として出力する抵抗型Ｄ／Ａ変換器を有するインターフェイス回路と、単一の前記ＬＥＤに接続されて前記ＬＥＤを駆動する並列接続された複数の駆動トランジスタ、一端が前記複数の駆動トランジスタの各々に接続され他端が接地された複数のセンス抵抗、前記参照電圧信号及び前記センス抵抗からの帰還電圧信号に基づいて前記駆動トランジスタを制御する増幅器、前記調光パルス信号のパルス数に基づいて前記複数の駆動トランジスタのいずれかを選択する第１のセレクタ、前記第１のセレクタによって選択された前記駆動トランジスタに接続された前記センス抵抗を選択する第２のセレクタを有する制御電流生成回路とを備えたことを特徴とする半導体集積回路。
2. 調光パルス信号の入力される第１の入力端子と、ＰＷＭ信号の入力される第２の入力端子と、入力される基準電流を前記ＰＷＭ信号の時比率に従ってオンオフ制御するスイッチングトランジスタを有し、前記第１の入力端子から入力される前記調光パルス信号のパルス数に応じたセレクト信号を出力するインターフェイス回路と、単一のＬＥＤに接続されて前記ＬＥＤを駆動する並列接続された複数の駆動トランジスタ、一端が前記複数の駆動トランジスタの各々に接続され他端が接地された複数のセンス抵抗、前記参照電圧信号及び前記センス抵抗からの帰還電圧信号に基づいて前記駆動トランジスタを制御する増幅器、前記調光パルス信号のパルス数に基づいて前記複数の駆動トランジスタのいずれかを選択する第１のセレクタ、前記第１のセレクタによって選択された前記駆動トランジスタに接続された前記センス抵抗を選択する第２のセレクタを有する制御電流生成回路とを備えたことを特徴とする半導体集積回路。
3. 前記インターフェイス回路は、前記参照電圧信号を平均化、平滑化した信号を出力するフィルタ回路を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体集積回路。
4. 前記複数の駆動トランジスタのサイズは、それぞれ異なることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体集積回路。
   
   

Images