JP2007294901A - 有機発光素子 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 47
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 47
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 12
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 10
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract 5
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 abstract 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 12
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 11
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 4
- -1 aluminum quinolinol derivative Chemical class 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- QWNCDHYYJATYOG-UHFFFAOYSA-N 2-phenylquinoxaline Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CN=C(C=CC=C2)C2=N1 QWNCDHYYJATYOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001447 alkali salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000002174 soft lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
- H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
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Abstract
【解決手段】陽極14及び陰極17からなる一対の電極間に狭持された発光層12と電子注入輸送層16とを有する。電子注入輸送層16は、電子輸送材料に対して電子注入ドーパント材料をドープする際に、膜厚方向で、発光層12側から順にドープ濃度がそれぞれ小、大、小の領域16a,16b,16cとなるようにする。さらに、電子注入輸送層16の陰極17に接する領域16dでは、ドープ濃度が大となるように設定することが好ましい。
【選択図】図1
Description
前記電子注入輸送層は、電子輸送材料と、電子注入ドーパント材料としてアルカリ金属あるいはアルカリ金属化合物、を含む有機発光素子であって、
前記電子注入輸送層は、前記発光層側から順に、前記電子注入ドーパント濃度の異なる第1領域、第2領域、第3領域、を有しており、
前記第2領域の前記電子注入ドーパント材料の濃度は、前記第1領域および前記第3領域の前記電子注入ドーパント材料の濃度よりも高いことを特徴とする。
上述したように、本発明に係る有機発光素子10は、基板15上に陽極14が形成され、その上に有機化合物層として、ホール輸送層13、発光層12、電子注入輸送層16が形成され、さらにその上に陰極17が形成されている(図1参照)。ここで、本発明の実施例に係る有機発光素子10を構成する各層は、以下に示す具体的な材料を用いている。
電子注入輸送層における炭酸セシウムの濃度を領域aで0.01%、領域bで5.10%、領域cで0.5%、領域dで4.9%として実施例1の有機発光素子を作成した。なお、領域a,領域b,領域c,領域dは、図1における領域16a,16b,16c,16dにそれぞれ対応する(以下の各実施例および各比較例において同様)。
電子注入輸送層における炭酸セシウムの濃度を領域aで0.01%、領域bで4.9%、領域cで4.9%、領域dで4.9%として比較例1の有機発光素子を作成した。
電子注入輸送層における炭酸セシウムの濃度を領域aで0.005%、領域bで0.5%、領域cで0.5%、領域dで0.5%として比較例2の有機発光素子を作成した。
電子注入輸送層における炭酸セシウムの濃度を領域aで0.01%、領域bで4.8%、領域cで0.5%、領域dで0.5%として実施例2の有機発光素子を作成した。
電子注入輸送層における炭酸セシウムの濃度を領域aで0.005%、領域bで0.5%、領域cで0.5%、領域dで5.1%として比較例3の有機発光素子を作成した。
電子注入輸送層における炭酸セシウムの濃度を領域aで0.005%、領域bで5.1%、領域cで0%、領域dで4.8%として比較例4の有機発光素子を作成した。
実施例3の有機発光素子は、電子注入輸送層としてET−2と炭酸セシウムの共蒸着層を用いる以外は、実施例1と同様の手順で作成したものである。
本発明によれば、電子注入輸送層において、膜厚方向で、ドープ濃度が発光層側から順に小、大、小、大となる様に設定することにより、光取り出し効率の低下を招くことなく駆動電圧を低減することができると共に、駆動耐久特性を向上させることができる。
12 発光層
13 ホール輸送層
14 陽極
15 基板
16 電子注入輸送層
17 陰極
Claims (6)
- 互いに対向して配置されている陽極および陰極と、前記陽極と前記陰極の間に形成されている発光層と、前記陰極と前記発光層の間に形成されており、前記陰極および前記発光層に接している電子注入輸送層と、を有し、
前記電子注入輸送層は、電子輸送材料と、電子注入ドーパント材料としてアルカリ金属あるいはアルカリ金属化合物、を含む有機発光素子において、
前記電子注入輸送層は、前記発光層側から順に、前記電子注入ドーパント材料の濃度の異なる第1領域、第2領域、第3領域、を有しており、
前記第2領域の前記電子注入ドーパント材料の濃度は、前記第1領域および前記第3領域の前記電子注入ドーパント材料の濃度よりも高いことを特徴とする有機発光素子。 - 前記電子注入ドーパント材料の濃度は、前記第1領域では0.01重量%以下であり、前記第2領域では4重量%以上6重量%以下であり、前記第3領域では0.1重量%以上1重量%以下であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記電子注入層は、前記第3領域と前記陰極との間に第4領域を有しており、
前記第4領域の前記電子注入ドーパント材料の濃度は、前記第3領域の前記電子注入ドーパント材料の濃度よりも高いことを特徴とする請求項1または請求項2のいずれか1項に記載の有機発光素子。 - 前記電子注入ドーパント材料の濃度は、前記第4領域では4重量%以上6重量%以下であることを特徴とする請求項3に記載の有機発光素子。
- 前記電子注入輸送層の前記第2領域の厚みは、5nm以上20nm以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の有機発光素子。
- 前記電子注入ドーパント材料は炭酸セシウムであることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の有機発光素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007068479A JP2007294901A (ja) | 2006-03-31 | 2007-03-16 | 有機発光素子 |
US11/692,545 US7605532B2 (en) | 2006-03-31 | 2007-03-28 | Organic light emitting device |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006097181 | 2006-03-31 | ||
JP2007068479A JP2007294901A (ja) | 2006-03-31 | 2007-03-16 | 有機発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007294901A true JP2007294901A (ja) | 2007-11-08 |
JP2007294901A5 JP2007294901A5 (ja) | 2010-04-15 |
Family
ID=38557823
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007068479A Pending JP2007294901A (ja) | 2006-03-31 | 2007-03-16 | 有機発光素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7605532B2 (ja) |
JP (1) | JP2007294901A (ja) |
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- 2007-03-16 JP JP2007068479A patent/JP2007294901A/ja active Pending
- 2007-03-28 US US11/692,545 patent/US7605532B2/en not_active Expired - Fee Related
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JP2016115717A (ja) * | 2014-12-11 | 2016-06-23 | 株式会社Joled | 有機el素子および有機el素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7605532B2 (en) | 2009-10-20 |
US20070228948A1 (en) | 2007-10-04 |
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