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JP2007267252A - Condenser microphone - Google Patents

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JP2007267252A JP2006092076A JP2006092076A JP2007267252A JP 2007267252 A JP2007267252 A JP 2007267252A JP 2006092076 A JP2006092076 A JP 2006092076A JP 2006092076 A JP2006092076 A JP 2006092076A JP 2007267252 A JP2007267252 A JP 2007267252A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a condenser microphone in which stability in microphone operation is ensured without complicating manufacturing steps, the vibration property of a diaphragm is enhanced, and microphone sensitivity is improved by reducing parasitic capacitance of a condenser. <P>SOLUTION: A diaphragm 10 includes a central portion 12 and a peripheral portion 14, and four circular through-holes 16 are provided in an intermediate area of the central portion 12. A back plate 20 is disposed concentrically with the diaphragm 10 and a radius of the back plate 20 is approximately equal with that of the central portion 12 of the diaphragm 10. Therefore, the back plate 20 is in an approximately corresponding relation with the central portion 12 of the diaphragm 10, and the peripheral portion 14 of the diaphragm 10 is being protruded from the back plate 20. The back plate 20 is supported on a supporting substrate 30 by four pillar-like insulating second supporting parts 52 positioned within the four through-holes 16 of the diaphragm 10. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、コンデンサマイクロホンに係り、特に半導体膜を用いたコンデンサマイクロホンに関する。   The present invention relates to a condenser microphone, and more particularly to a condenser microphone using a semiconductor film.

従来、半導体デバイスの製造プロセスを応用して製造可能なコンデンサマイクロホンが知られている。コンデンサマイクロホンは、音波によって振動するダイヤフラム及びプレートのそれぞれに可動電極及び固定電極を有し、これらダイヤフラム及びプレートを絶縁性のスペーサによって互いに離間した状態で支持している。即ち、ダイヤフラム及びプレートの対向電極により、コンデンサが形成されている。   Conventionally, a condenser microphone that can be manufactured by applying a semiconductor device manufacturing process is known. The condenser microphone has a movable electrode and a fixed electrode on each of a diaphragm and a plate that are vibrated by sound waves, and supports the diaphragm and the plate in a state of being separated from each other by an insulating spacer. That is, a capacitor is formed by the diaphragm and the counter electrode of the plate.

このようなコンデンサマイクロホンでは、音波によってダイヤフラムが振動すると、その変位によってコンデンサの静電容量が変化し、その容量変化が電気信号に変換されて出力される。そこで、コンデンサマイクロホンの感度は、ダイヤフラムに所定の音圧を与えたときのマイクロホンの出力電圧で定義され、次式で表される。尚ここで、振動変位量とは、ダイヤフラムに所定の音圧を与えたときのダイヤフラムの中央部における変位量をいう。   In such a condenser microphone, when the diaphragm vibrates due to sound waves, the capacitance of the capacitor changes due to the displacement, and the change in capacitance is converted into an electrical signal and output. Therefore, the sensitivity of the condenser microphone is defined by the output voltage of the microphone when a predetermined sound pressure is applied to the diaphragm, and is expressed by the following equation. Here, the vibration displacement amount refers to a displacement amount at the center portion of the diaphragm when a predetermined sound pressure is applied to the diaphragm.

マイクロホン感度
∝ 振動変位量×電極間印加電圧×{信号容量/(信号容量+寄生容量)}
Microphone sensitivity ∝ Vibration displacement x Applied voltage between electrodes x {Signal capacity / (Signal capacity + Parasitic capacity)}

この式から、マイクロホン感度を向上させるためには、対向電極間の距離に対するダイヤフラムの振動変位量を大きくすること、即ちダイヤフラムの振動特性を改善すること、コンデンサの対向電極間に印加する電圧を大きくすること、マイク寸法を大きくして信号容量を大きくすること、コンデンサの容量変化になんら寄与しない寄生容量を低減すること等が考えられる。   From this formula, in order to improve the microphone sensitivity, the vibration displacement amount of the diaphragm with respect to the distance between the counter electrodes is increased, that is, the vibration characteristics of the diaphragm are improved, and the voltage applied between the counter electrodes of the capacitor is increased. It is conceivable to increase the signal size by increasing the microphone size, and to reduce the parasitic capacitance that does not contribute to the capacitance change of the capacitor.

非特許文献1には、ダイヤフラム及びプレートのそれぞれを導電性薄膜で構成したコンデンサマイクロホンが開示されている。しかし、プレート及びダイヤフラムの各全面が略対抗関係にあることから、ダイヤフラム−プレート間への印加電圧を大きくしたり、マイク寸法を大きくしたりすると、対向電極間の静電引力によってプレートが変形して、マイクロホン動作の安定性を損なうという問題がある。   Non-Patent Document 1 discloses a condenser microphone in which each of a diaphragm and a plate is formed of a conductive thin film. However, since the entire surfaces of the plate and diaphragm are in a substantially opposing relationship, when the applied voltage between the diaphragm and the plate is increased or the microphone size is increased, the plate is deformed by the electrostatic attractive force between the opposing electrodes. Therefore, there is a problem that the stability of the microphone operation is impaired.

また、ダイヤフラムの全周囲がスペーサに固定されているため、ダイヤフラムに音波が伝搬すると、ダイヤフラムの振動による変位は中央部で大きいものの、中央部の周囲の周辺部では極めて小さい。その結果、ダイヤフラムの振動が効率よく信号容量として検知されるのは主要にダイヤフラムの中央部であって、ダイヤフラムの周辺部は殆ど寄生容量を生じるのみである。従って、この大きな寄生容量の存在により、マイクロホン感度が向上しないという問題がある。   Further, since the entire periphery of the diaphragm is fixed to the spacer, when the sound wave propagates to the diaphragm, the displacement due to the vibration of the diaphragm is large in the central portion, but is extremely small in the peripheral portion around the central portion. As a result, the vibration of the diaphragm is efficiently detected as the signal capacity mainly at the center part of the diaphragm, and the peripheral part of the diaphragm almost only generates parasitic capacitance. Therefore, there is a problem that the microphone sensitivity is not improved due to the presence of the large parasitic capacitance.

更に、このような寄生容量を低減するために、プレートのうち、ダイヤフラムの周辺部に対応する領域に例えば多数の小通孔を設けて、ダイヤフラムの周辺部とプレートとが対応する面積を減少させようとすると、プレートの機械的強度が低下し、プレートの変形がより顕著になるという問題がある。   Further, in order to reduce such parasitic capacitance, for example, a large number of small holes are provided in a region of the plate corresponding to the periphery of the diaphragm to reduce the area corresponding to the periphery of the diaphragm and the plate. If it tries to do so, there is a problem that the mechanical strength of the plate is lowered and the deformation of the plate becomes more remarkable.

特許文献1には、可動電極をなすダイヤフラムに対向するプレートを絶縁性材料によって形成し、このプレートのダイヤフラムに対する対向面(以下、「ダイヤフラム対向面」という)のうち、ダイヤフラムの中央部に対応する領域のみに背面電極を設けることにより、ダイヤフラムの周辺部とプレートとの対応関係をなくし、ダイヤフラムの中央部での信号容量を効率よく検知する一方で、ダイヤフラムの周辺部での寄生容量を低減して、マイクロホン感度を向上させたコンデンサマイクロホンが開示されている。   In Patent Document 1, a plate facing a diaphragm forming a movable electrode is formed of an insulating material, and a surface of the plate facing the diaphragm (hereinafter referred to as a “diaphragm facing surface”) corresponds to a central portion of the diaphragm. By providing the back electrode only in the area, the correspondence between the peripheral part of the diaphragm and the plate is eliminated, and the signal capacity at the center part of the diaphragm is efficiently detected, while the parasitic capacity at the peripheral part of the diaphragm is reduced. Thus, a condenser microphone with improved microphone sensitivity is disclosed.

また、ダイヤフラムの振動ストッパとして機能する突起部を設置して、過度の音圧がダイヤフラムに加わったり、外部から機械的な衝撃を受けたりした場合であっても、ダイヤフラムが背面電極に接触することがないようにしたコンデンサマイクロホンが開示されている。   In addition, a protrusion that functions as a diaphragm vibration stopper is installed so that the diaphragm contacts the back electrode even when excessive sound pressure is applied to the diaphragm or mechanical shock is applied from the outside. There is disclosed a condenser microphone in which there is no problem.

しかし、絶縁性材料からなるプレートのダイヤフラム対向面の一定領域のみに背面電極を設ける必要があるため、製造工程が複雑となって製造歩留まりが低下し、製造コストが増大するという問題がある。また、ダイヤフラムとプレートとの間に介在する犠牲層をエッチング除去して空隙を形成する工程においては、プレートの背面電極を固定している絶縁性材料も少なからずエッチングされることから、この対策を製造プロセスに組み入れる必要が生じるため、更に製造コストの増大を招くことになる。   However, since it is necessary to provide the back electrode only in a certain region of the diaphragm facing surface of the plate made of an insulating material, there is a problem that the manufacturing process is complicated, the manufacturing yield is reduced, and the manufacturing cost is increased. In addition, in the step of etching away the sacrificial layer interposed between the diaphragm and the plate to form a gap, the insulating material that fixes the back electrode of the plate is also etched to some extent. Since it becomes necessary to be incorporated into the manufacturing process, the manufacturing cost is further increased.

電気学会MSS−01−34The Institute of Electrical Engineers of Japan MSS-01-34 特表2004−506394Special table 2004-506394

本発明は、製造工程を複雑にすることなく、マイクロホン動作の安定性を確保すると共に、ダイヤフラムの振動特性を改善し、コンデンサの寄生容量を低減して、マイクロホン感度を向上させたコンデンサマイクロホンを提供することを目的とする。   The present invention provides a condenser microphone that increases the sensitivity of the microphone by ensuring the stability of the microphone operation without complicating the manufacturing process, improving the vibration characteristics of the diaphragm, reducing the parasitic capacitance of the capacitor, and so on. The purpose is to do.

(1)上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンは、中央部と、前記中央部の周囲に設けられた周辺部と、前記中央部に設けられた複数の通孔と、を有し、音波を受けて振動する導電性のダイヤフラムと、前記ダイヤフラムに対向して設けられている導電性のプレートと、前記ダイヤフラムに対して前記プレートの反対側に設けられ、前記ダイヤフラムに反プレート側から加わる圧力を緩和するためのキャビティを有する基板と、前記ダイヤフラムの前記周辺部を支持する絶縁性の第1支持部と、前記ダイヤフラムの複数の前記通孔内に位置して、前記プレートを前記基板上に支持する絶縁性の第2支持部と、を有し、前記ダイヤフラムの前記中央部と前記プレートとの間に空隙を形成している支持手段と、を備える。   (1) A condenser microphone for achieving the above object has a central part, a peripheral part provided around the central part, and a plurality of through holes provided in the central part, A conductive diaphragm that vibrates in response, a conductive plate provided opposite to the diaphragm, and provided on the opposite side of the plate with respect to the diaphragm, and applies pressure applied to the diaphragm from the side opposite to the plate A substrate having a cavity for relaxation, an insulating first support portion that supports the peripheral portion of the diaphragm, and a plate that is positioned in the plurality of through holes of the diaphragm and supports the plate on the substrate An insulating second support portion, and a support means that forms a gap between the central portion of the diaphragm and the plate.

このようなコンデンサマイクロホンにおいては、プレートがダイヤフラムの中央部に設けられた複数の通孔を通る第2支持部によって支持されていることにより、プレートの大きさをダイヤフラムの中央部のみに対応する大きさに小型化することが可能になり、プレートの機械的強度が強化されるため、たとえマイクロホン感度を向上させようとダイヤフラム−プレート間への印加電圧を大きくしても、対向電極間の静電引力によるプレートの変形が抑制されると共に、外部からの衝撃に対してもプレートの変形が抑制されるため、ダイヤフラムの振動特性を改善することが可能になると共に、マイクロホン動作の安定性を確保することが可能になる。   In such a condenser microphone, since the plate is supported by the second support portion that passes through a plurality of through holes provided in the central portion of the diaphragm, the size of the plate corresponds to only the central portion of the diaphragm. In addition, since the mechanical strength of the plate is enhanced, even if the applied voltage between the diaphragm and the plate is increased to improve the microphone sensitivity, the electrostatic capacitance between the counter electrodes is increased. The deformation of the plate due to the attractive force is suppressed, and the deformation of the plate is also suppressed against an external impact, so that the vibration characteristics of the diaphragm can be improved and the stability of the microphone operation is ensured. It becomes possible.

また、プレートが第2支持部によって基板上に直接に支持されていることにより、プレートが安定して保持され、たとえマイクロホン感度を向上させようとマイク寸法を大きくしても、対向電極間の静電引力によるプレートの変形が抑制されると共に、外部からの衝撃に対してもプレートの変形が抑制されるため、ダイヤフラムの振動特性の改善とマイクロホン動作の安定性の確保が図られる。   In addition, since the plate is directly supported on the substrate by the second support portion, the plate is stably held, and even if the microphone size is increased to improve the microphone sensitivity, the static electricity between the counter electrodes can be increased. The deformation of the plate due to the electric attractive force is suppressed, and the deformation of the plate is also suppressed against an external impact, so that the vibration characteristics of the diaphragm can be improved and the stability of the microphone operation can be ensured.

また、プレートがダイヤフラムの中央部にのみ対応し、ダイヤフラムの周辺部とは対応関係がないようにすることが可能となるため、ダイヤフラムの周辺部とプレートとの間に寄生容量を生じないようにして、全体としての寄生容量を減少させることが可能となる。   In addition, since the plate can only correspond to the central part of the diaphragm and not to have a corresponding relationship with the peripheral part of the diaphragm, parasitic capacitance is not generated between the peripheral part of the diaphragm and the plate. As a result, the parasitic capacitance as a whole can be reduced.

また、ダイヤフラム及びプレートの双方が導電性材料から形成されることにより、絶縁性材料からなるプレートのダイヤフラム対向面の一定領域のみに電極を設けるような複雑な製造工程は必要でないため、製造工程の簡略化が図られる。   In addition, since both the diaphragm and the plate are formed of a conductive material, a complicated manufacturing process is not required in which an electrode is provided only in a certain region of the diaphragm facing surface of the plate made of an insulating material. Simplification is achieved.

更に、ダイヤフラムの支持構造は、プレートの支持構造を阻害しない範囲において種々の形態をとることが可能である。例えばダイヤフラムを基板上に直接に下支えする構造、基板上に支持された懸架部からスペーサを介してダイヤフラムを吊り下げる構造、プレートから外側に延びる腕部からスペーサを介してダイヤフラムを吊り下げる構造等、ダイヤフラムに要求される応力の緩和や振動特性の改善等を考慮して、種々の構造を選択することが可能である。   Further, the support structure of the diaphragm can take various forms as long as the support structure of the plate is not hindered. For example, a structure that directly supports the diaphragm on the substrate, a structure that suspends the diaphragm from the suspension portion supported on the substrate via the spacer, a structure that suspends the diaphragm from the arm portion that extends outward from the plate, etc. Various structures can be selected in consideration of stress relaxation required for the diaphragm and improvement of vibration characteristics.

従って、このコンデンサマイクロホンによれば、製造工程を複雑にすることなく、マイクロホン動作の安定性を確保すると共に、ダイヤフラムの振動特性を改善し、コンデンサの寄生容量を低減して、マイクロホン感度を向上させることができる。   Therefore, according to this condenser microphone, the stability of the microphone operation is ensured without complicating the manufacturing process, the vibration characteristics of the diaphragm are improved, the parasitic capacitance of the condenser is reduced, and the microphone sensitivity is improved. be able to.

尚、本願明細書において、ダイヤフラムとプレートとが「対向」するとは、ダイヤフラムを含む平面とプレートを含む平面とが平行又は略平行な位置関係にあることを意味し、また、「対応」関係にあるとは、対向するダイヤフラムのある部分とプレートのある部分とが重なり合う位置関係にあることを意味する。   In the specification of the present application, “diaphragm” and “plate” mean that the plane including the diaphragm and the plane including the plate are in a parallel or substantially parallel positional relationship, and the “corresponding” relationship. “Present” means that a portion where the opposing diaphragms are located and a portion where the plates are located are in an overlapping positional relationship.

(2)上記コンデンサマイクロホンにおいて、前記プレートは、前記ダイヤフラムの前記中央部と略対応関係にあることが好適である。   (2) In the condenser microphone, it is preferable that the plate has a substantially corresponding relationship with the central portion of the diaphragm.

この場合、プレート及びダイヤフラムの各全面が略対抗関係にある従来の場合と比較すると、プレートがダイヤフラムの中央部と同じ大きさに小型化されるため、プレートの変形が抑制され、ダイヤフラムの振動特性の改善とマイクロホン動作の安定性の確保が図られる。同時に、ダイヤフラムの周辺部と対応関係がなくなるため、ダイヤフラムの周辺部とプレートとの間での寄生容量が生じず、コンデンサ全体としての寄生容量が減少する。   In this case, compared with the conventional case where the entire surface of the plate and the diaphragm are substantially in a counter relationship, the plate is downsized to the same size as the central part of the diaphragm, so that the deformation of the plate is suppressed, and the vibration characteristics of the diaphragm And stability of microphone operation can be ensured. At the same time, since there is no correspondence with the peripheral portion of the diaphragm, no parasitic capacitance is generated between the peripheral portion of the diaphragm and the plate, and the parasitic capacitance of the entire capacitor is reduced.

従って、このコンデンサマイクロホンによれば、マイクロホン動作の安定性を確保すると共に、ダイヤフラムの振動特性を改善し、コンデンサの寄生容量を低減して、マイクロホン感度を向上させることができる。   Therefore, according to this condenser microphone, it is possible to ensure the microphone operation stability, improve the vibration characteristics of the diaphragm, reduce the parasitic capacitance of the condenser, and improve the microphone sensitivity.

(3)上記コンデンサマイクロホンにおいて、前記ダイヤフラムと前記プレートとの間の空隙に、絶縁性のストッパ層が設けられていることが好適である。   (3) In the condenser microphone, it is preferable that an insulating stopper layer is provided in a gap between the diaphragm and the plate.

この場合、過度の音圧がダイヤフラムに加わったり、外部から機械的な衝撃を受けたりした場合であっても、ストッパ層の存在によってダイヤフラムの過度の変位が制限され、ダイヤフラムがプレートに接触することが防止される。従って、このコンデンサマイクロホンによれば、マイクロホン動作の安定性を確保することができる。   In this case, even when excessive sound pressure is applied to the diaphragm or mechanical shock is applied from the outside, excessive displacement of the diaphragm is limited by the presence of the stopper layer, and the diaphragm contacts the plate. Is prevented. Therefore, according to this condenser microphone, the stability of the microphone operation can be ensured.

(4)上記コンデンサマイクロホンにおいて、前記ストッパ層は、前記第2支持部によって支持されていることが好適である。   (4) In the condenser microphone, it is preferable that the stopper layer is supported by the second support portion.

この場合、ストッパ層が第2支持部によって基板上に直接に支持されるため、ストッパ層が安定して保持され、ダイヤフラムとプレートとの接触を防止するという機能が安定して達成される。また、ストッパ層の支持手段として、プレートを支持する第2支持部が兼用されるため、構造の複雑化が抑制されると共に、コンデンサマイクロホンの製造プロセスにおいて、ストッパ層を形成する工程を追加するだけで足りるため、製造工程の複雑化が抑制される。従って、このコンデンサマイクロホンによれば、マイクロホン動作の安定性を確保することができる。   In this case, since the stopper layer is directly supported on the substrate by the second support portion, the stopper layer is stably held, and the function of preventing the contact between the diaphragm and the plate is stably achieved. In addition, since the second support part that supports the plate is also used as a support means for the stopper layer, the complexity of the structure is suppressed, and only the step of forming the stopper layer is added in the condenser microphone manufacturing process. Therefore, complication of the manufacturing process is suppressed. Therefore, according to this condenser microphone, the stability of the microphone operation can be ensured.

(5)上記コンデンサマイクロホンにおいて、前記ダイヤフラムの前記基板と対応関係にある領域に、複数の小通孔が設けられていることが好適である。   (5) In the condenser microphone, it is preferable that a plurality of small through holes are provided in a region corresponding to the substrate of the diaphragm.

この場合、複数の通孔が設けられている分だけダイヤフラムの剛性が低下し、その振動の際の変形が容易になり、中央部における変位が大きくなるため、ダイヤフラムの振動特性が良好になる。また、複数の通孔は、コンデンサマイクロホンの製造工程において、ダイヤフラムと基板との間に介在する犠牲層をエッチング除去して空隙を形成する際に、エッチング液の進入孔としても機能するため、製造工程の簡略化に寄与する。従って、このコンデンサマイクロホンによれば、製造工程を簡略化しつつ、ダイヤフラムの振動特性の改善を実現して、マイクロホン感度を向上させることができる。   In this case, the rigidity of the diaphragm is lowered by the amount of the plurality of through holes provided, the deformation at the time of vibration is facilitated, and the displacement at the center is increased, so that the vibration characteristics of the diaphragm are improved. In addition, in the manufacturing process of a condenser microphone, a plurality of through holes also function as etching solution entry holes when the sacrificial layer interposed between the diaphragm and the substrate is removed by etching to form a gap. Contributes to simplification of the process. Therefore, according to this condenser microphone, it is possible to improve the vibration sensitivity of the diaphragm and improve the microphone sensitivity while simplifying the manufacturing process.

尚、これら複数の通孔は、基板と対応関係にある領域にのみ設けられており、キャビティと対応関係にある領域には設けられていないため、ダイヤフラムに達した音波がダイヤフラムの振動に寄与しないままその複数の通孔を通り抜けていくことはない。   The plurality of through holes are provided only in the region corresponding to the substrate and not provided in the region corresponding to the cavity, so that the sound wave that reaches the diaphragm does not contribute to the vibration of the diaphragm. It does not go through the plurality of through holes.

(6)上記コンデンサマイクロホンにおいて、前記キャビティ周囲の前記基板と前記ダイヤフラムとによって、所定の音響抵抗が形成されていることが好適である。   (6) In the condenser microphone, it is preferable that a predetermined acoustic resistance is formed by the substrate around the cavity and the diaphragm.

この場合、キャビティ周囲の基板とダイヤフラムとによって形成されている所定の音響抵抗の存在により、ダイヤフラムに達した音波が他所に通り抜けることなくダイヤフラムの中央部を効率よく振動させることになる。従って、このコンデンサマイクロホンによれば、ダイヤフラムの振動特性の更なる改善を実現して、マイクロホン感度を向上させることができる。   In this case, due to the presence of the predetermined acoustic resistance formed by the substrate and the diaphragm around the cavity, the sound wave reaching the diaphragm can vibrate efficiently in the central portion of the diaphragm without passing elsewhere. Therefore, according to this condenser microphone, it is possible to further improve the vibration characteristics of the diaphragm and improve the microphone sensitivity.

以下、複数の実施例に基づいて本発明の実施の形態を説明する。各実施例において同一の符号が付された構成要素は、その符号が付された他の実施例の構成要素と対応する。   Embodiments of the present invention will be described below based on a plurality of examples. In each of the embodiments, the component having the same reference sign corresponds to the component of the other embodiment having the reference sign.

(第一実施例)
図1(a)は第一実施例に係るコンデンサマイクロホンの構成を模式的に示す平面図、図1(b)は図1(a)からバックプレートを取り除いた場合の平面図、図1(c)は図1(a)のA−A’線断面図、図1(d)は図1(a)のB−B’線断面図である。
(First Example)
1A is a plan view schematically showing the configuration of the condenser microphone according to the first embodiment, FIG. 1B is a plan view when the back plate is removed from FIG. 1A, and FIG. ) Is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1A, and FIG. 1D is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG.

図1(a)〜(d)に示されるように、第一実施例に係るコンデンサマイクロホンは、コンデンサの対向電極を構成するダイヤフラム10及びプレートとしてのバックプレート20、これらダイヤフラム10及びバックプレート20を絶縁しながら支持する支持手段が設けられた支持基板30等を有している。   As shown in FIGS. 1A to 1D, the condenser microphone according to the first embodiment includes a diaphragm 10 constituting a counter electrode of the condenser and a back plate 20 as a plate, and the diaphragm 10 and the back plate 20. It has a support substrate 30 provided with support means for supporting while insulating.

ダイヤフラム10は、例えばP(リン)が不純物として添加されたポリシリコンを材料とする導電性薄膜からなり、円盤状の中央部12とその中央部12の周囲に設けられた周辺部14とを有している。また、ダイヤフラム10の中央部12のうち、周辺部14に隣接する領域(以下、この領域を「中間領域」という)には、4個の円形の通孔16が等間隔をおいて設けられ、且つ、多数の小通孔18が連続的に設けられている。また、ダイヤフラム10の周辺部14のうち、等間隔をおいた4つの領域にも、多数の小通孔18が連続的に設けられている。そして、これら4個の通孔16と多数の小通孔18が設けられている領域は、支持基板30と対応関係にある。ここで、ダイヤフラム10の厚さは0.5μm程度、その中央部12の半径は0.35mm程度、周辺部14を含めた全体の半径は0.5mm程度、4個の通孔16の半径は25μm程度である。   The diaphragm 10 is made of a conductive thin film made of polysilicon doped with, for example, P (phosphorus) as an impurity, and has a disc-shaped central portion 12 and a peripheral portion 14 provided around the central portion 12. is doing. Further, in the central portion 12 of the diaphragm 10, four circular through holes 16 are provided at equal intervals in a region adjacent to the peripheral portion 14 (hereinafter, this region is referred to as “intermediate region”). A number of small through holes 18 are continuously provided. Further, a large number of small through holes 18 are continuously provided in four regions at equal intervals in the peripheral portion 14 of the diaphragm 10. A region where the four through holes 16 and the many small through holes 18 are provided has a corresponding relationship with the support substrate 30. Here, the thickness of the diaphragm 10 is about 0.5 μm, the radius of the central portion 12 is about 0.35 mm, the total radius including the peripheral portion 14 is about 0.5 mm, and the radius of the four through holes 16 is It is about 25 μm.

バックプレート20は、ダイヤフラム10との間に所定の間隔、例えば4μm程度の間隔の空隙40をおいて平行に設置されている。このバックプレート20も、例えばPが添加されたポリシリコンを材料とする導電性薄膜からなり、厚さ2μm程度の円盤状をなしている。そして、このバックプレート20は、ダイヤフラム10と同心円状に配置され、且つ、バックプレート20の半径は、ダイヤフラム10の中央部12の半径と略同じである。このため、バックプレート20は、ダイヤフラム10の中央部12と略対応関係にあり、ダイヤフラム10の周辺部14は、バックプレート20からはみ出した状態になっている。また、このバックプレート20には、外部からの音波を通過させてダイヤフラム10に到達させるための音響ホールとして機能する多数の小通孔22が連続的に設けられている。但し、これら多数の小通孔22は、ダイヤフラム10の多数の小通孔18とは対応関係にならないように配列されている。更に、このバックプレート20の外縁からは、電極に接続する引出し配線部24が外側に延びている。   The back plate 20 is disposed in parallel with the diaphragm 10 with a gap 40 having a predetermined interval, for example, an interval of about 4 μm. The back plate 20 is also made of a conductive thin film made of polysilicon doped with P, for example, and has a disk shape with a thickness of about 2 μm. The back plate 20 is arranged concentrically with the diaphragm 10, and the radius of the back plate 20 is substantially the same as the radius of the central portion 12 of the diaphragm 10. For this reason, the back plate 20 has a substantially corresponding relationship with the central portion 12 of the diaphragm 10, and the peripheral portion 14 of the diaphragm 10 is in a state of protruding from the back plate 20. The back plate 20 is continuously provided with a large number of small through holes 22 that function as acoustic holes for allowing sound waves from outside to reach the diaphragm 10. However, the large number of small holes 22 are arranged so as not to correspond to the large number of small holes 18 of the diaphragm 10. Furthermore, from the outer edge of the back plate 20, a lead wiring portion 24 connected to the electrode extends outward.

ダイヤフラム10は、その周辺部14の外縁側が、絶縁性の第1支持部50によって支持基板30上に円周状に支えられている。また、バックプレート20は、ダイヤフラム10の4個の通孔16内に位置する4本の柱状の絶縁性の第2支持部52によって支持基板30上に支えられている。これら第1支持部50及び第2支持部52は、例えばシリコン酸化膜からなる。   The outer edge side of the peripheral portion 14 of the diaphragm 10 is supported circumferentially on the support substrate 30 by an insulating first support portion 50. Further, the back plate 20 is supported on the support substrate 30 by four columnar insulating second support portions 52 positioned in the four through holes 16 of the diaphragm 10. The first support part 50 and the second support part 52 are made of, for example, a silicon oxide film.

支持基板30は、例えば厚さ500〜600μmのシリコン基板からなり、ダイヤフラム10の中央部12のうち、中間領域に囲まれた領域(以下、この領域を「中心領域」という)に対応する位置に、支持基板30を貫通してダイヤフラム10に達する開口部を有している。また、ダイヤフラム10の周辺部14のうち、小通孔18が設けられていない領域に対応する位置にも、支持基板30を貫通してダイヤフラム10に達する開口部を有している。そして、これらの開口部からキャビティ32が構成されている。このようなキャビティ32は、ダイヤフラム10に反プレート側から加わる圧力を緩和するための圧力緩衝室として機能する。   The support substrate 30 is made of, for example, a silicon substrate having a thickness of 500 to 600 μm, and is located at a position corresponding to a region surrounded by an intermediate region (hereinafter, this region is referred to as “central region”) in the central portion 12 of the diaphragm 10. And an opening that penetrates the support substrate 30 and reaches the diaphragm 10. Further, an opening that reaches the diaphragm 10 through the support substrate 30 is also provided at a position corresponding to a region where the small through hole 18 is not provided in the peripheral portion 14 of the diaphragm 10. And the cavity 32 is comprised from these opening parts. Such a cavity 32 functions as a pressure buffering chamber for relieving the pressure applied to the diaphragm 10 from the side opposite to the plate.

また、キャビティ32周囲の支持基板30とダイヤフラム10とによって、所定の音響抵抗を形成する通路34が設けられている。そしてこの通路34は、その高さ(即ち、ダイヤフラム10と支持基板30との間隔)及び長さ(即ち、ダイヤフラム10の4個の通孔16及び多数の小通孔18からキャビティ32の端部までの最も短い距離)によって音響抵抗を制御し、その所定の音響抵抗によってダイヤフラムに達した音波がダイヤフラムの中央部を効率よく振動させるようにしている。ここで、通路34の高さは例えば2μmであり、その長さは例えば15μmである。   Further, a passage 34 that forms a predetermined acoustic resistance is provided by the support substrate 30 around the cavity 32 and the diaphragm 10. The passage 34 has a height (that is, a distance between the diaphragm 10 and the support substrate 30) and a length (that is, the four through holes 16 and the large number of small holes 18 in the end of the cavity 32). The acoustic resistance is controlled by the shortest distance until the diaphragm reaches the diaphragm by the predetermined acoustic resistance so that the central portion of the diaphragm is vibrated efficiently. Here, the height of the passage 34 is, for example, 2 μm, and the length thereof is, for example, 15 μm.

尚、ダイヤフラム10の外縁から外側に延びる引出し配線部、この引出し配線部に接続する電極、バックプレート20に引出し配線部24を介して接続する電極、これらの電極を介してダイヤフラム10とバックプレート20との間に所定の電圧を印加するバイアス電源回路、所定の電圧が印加されたダイヤフラム10とバックプレート20との間の静電容量の変化を電気信号として検出する検出回路等は、その図示及び説明を省略する。   It should be noted that a lead wiring portion extending outward from the outer edge of the diaphragm 10, electrodes connected to the lead wiring portion, electrodes connected to the back plate 20 via the lead wiring portion 24, and the diaphragm 10 and the back plate 20 through these electrodes. A bias power supply circuit for applying a predetermined voltage between the first and second detection circuits, a detection circuit for detecting a change in capacitance between the diaphragm 10 and the back plate 20 to which the predetermined voltage is applied as an electric signal, and the like. Description is omitted.

以上のように、第一実施例に係るコンデンサマイクロホンによれば、バックプレート20がダイヤフラム10の中央部と同じ大きさに小型化されていることにより、プレートがダイヤフラムの大きさと略同等の従来の場合と比較すると、バックプレート20の機械的強度が強化される。このため、たとえマイクロホン感度の向上を目的としてダイヤフラム10及びバックプレート20間への印加電圧を大きくしても、対向電極間の静電引力によるバックプレート20の変形が抑制されると共に、外部からの衝撃に対しても、バックプレート20の変形が抑制される。従って、ダイヤフラム10の振動特性を改善することができると共に、マイクロホン動作の安定性を確保することができる。   As described above, according to the condenser microphone according to the first embodiment, the back plate 20 is downsized to the same size as the central portion of the diaphragm 10, so that the plate is approximately the same as the size of the diaphragm. Compared to the case, the mechanical strength of the back plate 20 is enhanced. For this reason, even if the applied voltage between the diaphragm 10 and the back plate 20 is increased for the purpose of improving the microphone sensitivity, the deformation of the back plate 20 due to the electrostatic attractive force between the counter electrodes is suppressed, and the external The deformation of the back plate 20 is also suppressed against an impact. Therefore, the vibration characteristics of the diaphragm 10 can be improved and the stability of the microphone operation can be ensured.

また、バックプレート20は4本の第2支持部52によって支持基板30上に直接に支えられることにより、バックプレート20が安定して保持されるため、この点からも、バックプレート20の変形を抑制することができ、従ってダイヤフラム10の振動特性を改善することができると共に、マイクロホン動作の安定性を確保することができる。   Further, since the back plate 20 is supported directly on the support substrate 30 by the four second support portions 52, the back plate 20 is stably held. From this point, the deformation of the back plate 20 is also prevented. Therefore, the vibration characteristics of the diaphragm 10 can be improved, and the stability of the microphone operation can be ensured.

また、バックプレート20は、ダイヤフラム10の中央部12と略対応関係にあって、バックプレート20からはみ出した状態のダイヤフラム10の周辺部14と対応関係がないことにより、ダイヤフラム10の周辺部14とバックプレート20との間には殆ど寄生容量が生じない。このため、プレート及びダイヤフラムの各全面が略対抗関係にある従来の場合と比較すると、全体としての寄生容量が減少し、従ってマイクロホン感度を向上させることができる。   Further, the back plate 20 has a substantially corresponding relationship with the central portion 12 of the diaphragm 10 and has no corresponding relationship with the peripheral portion 14 of the diaphragm 10 in a state of protruding from the back plate 20. There is almost no parasitic capacitance between the back plate 20 and the back plate 20. For this reason, as compared with the conventional case in which the entire surfaces of the plate and the diaphragm are substantially in a counter relationship, the overall parasitic capacitance is reduced, and thus the microphone sensitivity can be improved.

また、ダイヤフラム10の中央部12の中間領域及び周辺部14に4個の通孔16及び多数の小通孔18が設けられていることにより、ダイヤフラム10の剛性が低下して振動の際の変形が容易になり、その中央部12における変位が大きくなるため、ダイヤフラム10の振動特性が良好になり、従ってマイクロホン感度を向上させることができる。   In addition, since four through holes 16 and a large number of small through holes 18 are provided in the middle region 12 and the peripheral portion 14 of the center portion 12 of the diaphragm 10, the rigidity of the diaphragm 10 is reduced, and deformation during vibration is caused. Since the displacement at the central portion 12 is increased, the vibration characteristics of the diaphragm 10 are improved, and therefore the microphone sensitivity can be improved.

また、キャビティ32周囲の支持基板30とダイヤフラム10との間に通路34が設けられ、その通路34の高さH及び長さLによって音響抵抗が制御されていることにより、所定の音響抵抗によってダイヤフラム10に達した音波がその中央部12を効率よく振動させるため、ダイヤフラムの振動特性が改善され、従ってマイクロホン感度を向上させることができる。尚、ダイヤフラム10には4個の通孔16及び多数の小通孔18が設けられているが、これら通孔16及び小通孔18は、支持基板30と対応関係にある領域に限られており、キャビティ32と対応関係にある領域には設けられていないため、ダイヤフラム10に達した音波がダイヤフラム10の振動に寄与しないまま通孔16又は小通孔18を通り抜けていくことはない。   Further, a passage 34 is provided between the support substrate 30 around the cavity 32 and the diaphragm 10, and the acoustic resistance is controlled by the height H and length L of the passage 34, so that the diaphragm is generated by a predetermined acoustic resistance. Since the sound wave having reached 10 vibrates the central portion 12 efficiently, the vibration characteristics of the diaphragm are improved, and thus the microphone sensitivity can be improved. The diaphragm 10 is provided with four through holes 16 and a large number of small through holes 18. However, the through holes 16 and the small through holes 18 are limited to a region corresponding to the support substrate 30. Therefore, the sound wave reaching the diaphragm 10 does not pass through the through-hole 16 or the small through-hole 18 without contributing to the vibration of the diaphragm 10.

また、ダイヤフラム10及びバックプレート20の双方が導電性材料から形成されることにより、絶縁性材料からなるプレートのダイヤフラム対向面の一定部分のみに電極を設けるような複雑な製造工程は必要でないため、製造工程の簡略化を図ることができる。   In addition, since both the diaphragm 10 and the back plate 20 are formed of a conductive material, a complicated manufacturing process is not required in which an electrode is provided only on a certain portion of the diaphragm facing surface of a plate made of an insulating material. The manufacturing process can be simplified.

また、ダイヤフラム10に設けられる多数の小通孔18は、コンデンサマイクロホンの製造工程において、ダイヤフラム10と支持基板30との間に介在する犠牲層をエッチング除去し、その間に空隙を形成する際に、エッチング液の進入孔としても機能するため、製造工程の簡略化に寄与することができる。また、バックプレート20に設けられる多数の小通孔22も、バックプレート20とダイヤフラム10との間に介在する犠牲層をエッチング除去し、その間に空隙40を形成する際に、エッチング液の進入孔としても機能するため、製造工程の簡略化に寄与することができる。   In addition, a large number of small holes 18 provided in the diaphragm 10 are used when the sacrificial layer interposed between the diaphragm 10 and the support substrate 30 is removed by etching and a gap is formed between them in the manufacturing process of the condenser microphone. Since it also functions as an entrance hole for the etching solution, it can contribute to simplification of the manufacturing process. In addition, a large number of small holes 22 provided in the back plate 20 are also used for etching solution entry holes when the sacrificial layer interposed between the back plate 20 and the diaphragm 10 is removed by etching and a gap 40 is formed therebetween. Can also contribute to simplification of the manufacturing process.

尚、第一実施例に係るコンデンサマイクロホンにおいて、バックプレート20は4本の第2支持部52によって支持基板30上に支えられているが、この第2支持部52の数は4本に限定されるものではない。例えば3本であっても、バックプレート20を安定して保持することが可能である。この場合、ダイヤフラム10に設けられる円形の通孔16は3個でよい。   In the condenser microphone according to the first embodiment, the back plate 20 is supported on the support substrate 30 by the four second support parts 52, but the number of the second support parts 52 is limited to four. It is not something. For example, even if there are three, the back plate 20 can be stably held. In this case, the number of circular through holes 16 provided in the diaphragm 10 may be three.

また、ダイヤフラム10は、その周辺部14の外縁側を第1支持部50によって支持基板30上に円周状に支えられているが、このような支持構造に限定されるものではなく、種々の構造を選択することが可能である。例えばダイヤフラム10の周辺部14の外縁側を支持する場合、第一実施例のような円周状にではなく、円周上の複数個所で局部的に支持基板30上に下支えする構造、支持基板30上に支持される懸架部を設け、この懸架部からスペーサを介して吊り下げる構造、バックプレート20の外縁から外側に延びる腕部を設け、この腕部からスペーサを介して吊り下げる構造等が考えられる。ダイヤフラム10の複数の通孔16内に位置する第2支持部52によって支持基板30上に支えるというバックプレート20の支持構造を阻害しない範囲であれば、ダイヤフラム10に要求される応力の緩和や振動特性の改善等を考慮して、種々の変形が可能である。   Further, the diaphragm 10 is supported by the first support portion 50 on the support substrate 30 in a circumferential manner on the outer edge side of the peripheral portion 14, but is not limited to such a support structure. It is possible to select a structure. For example, when the outer edge side of the peripheral portion 14 of the diaphragm 10 is supported, the support substrate is supported on the support substrate 30 locally at a plurality of locations on the circumference, not in the circumferential shape as in the first embodiment. 30 is provided with a suspension part supported on 30 and suspended from this suspension part via a spacer, and an arm part extending outward from the outer edge of the back plate 20 is provided and suspended from this arm part via a spacer. Conceivable. As long as the support structure of the back plate 20 supported by the second support portion 52 positioned in the plurality of through holes 16 of the diaphragm 10 is not hindered, the stress relaxation and vibration required for the diaphragm 10 are prevented. Various modifications are possible in consideration of improvement of characteristics and the like.

次に、第一実施例に係るコンデンサマイクロホンの製造方法を説明する。
第一実施例に係るコンデンサマイクロホンは、所謂シリコンマイクロホンであって、半導体製造プロセスを用いて製造されるが、基本的には、通常のシリコンマイクロホンの製造方法と同様である。
Next, a method for manufacturing the condenser microphone according to the first embodiment will be described.
The condenser microphone according to the first embodiment is a so-called silicon microphone, which is manufactured using a semiconductor manufacturing process, and is basically the same as a normal silicon microphone manufacturing method.

先ず、単結晶シリコン基板からなる支持基板30上に、シリコン酸化膜からなる第1絶縁膜(第1犠牲膜)を介して、Pが添加されたポリシリコン層からなる第1導電層を形成し、この第1導電層を所定の形状にエッチングして、ダイヤフラム10及び引出し配線部を形成する。このダイヤフラム10は、図1(b)に示されるように、円盤状の中央部12とその中央部12の周囲に設けられた周辺部14とを有する。そして、ダイヤフラム10の中央部12の中間領域には、4個の円形の通孔16が等間隔をおいて設けられ、且つ多数の小通孔18が連続的に設けられる。また、ダイヤフラム10の周辺部14のうち、等間隔をおいた4つの領域にも、多数の小通孔18が連続的に設けられる。更に、このダイヤフラム10の外縁からは、電極に接続する引出し配線部が外側に延びる。   First, a first conductive layer made of a polysilicon layer doped with P is formed on a support substrate 30 made of a single crystal silicon substrate via a first insulating film made of a silicon oxide film (first sacrificial film). Then, the first conductive layer is etched into a predetermined shape to form the diaphragm 10 and the lead-out wiring portion. As shown in FIG. 1B, the diaphragm 10 includes a disc-shaped central portion 12 and a peripheral portion 14 provided around the central portion 12. In the middle region of the central portion 12 of the diaphragm 10, four circular through holes 16 are provided at equal intervals, and a large number of small through holes 18 are provided continuously. In addition, a large number of small through holes 18 are continuously provided in four regions at equal intervals in the peripheral portion 14 of the diaphragm 10. Furthermore, from the outer edge of the diaphragm 10, a lead wiring portion connected to the electrode extends outward.

次いで、ダイヤフラム10及び第1絶縁膜の上に、シリコン酸化膜からなる第2絶縁膜(第2犠牲膜)を介して、Pが添加されたポリシリコン層からなる第2導電層を形成し、この第2導電層を所定の形状にエッチングして、バックプレート20及び引出し配線部24を形成する。このバックプレート20は、図1(a)に示されるように、円盤状をなすと共に、ダイヤフラム10と同心円状に配置され、且つ、バックプレート20の半径は、ダイヤフラム10の中央部12の半径と略同じである。また、このバックプレート20には、外部からの音波を通過させてダイヤフラム10に到達させるための音響ホールとして機能する多数の小通孔22が連続的に設けられる。更に、このバックプレート20の外縁からは、電極に接続する引出し配線部24が外側に延びる。   Next, a second conductive layer made of a polysilicon layer to which P is added is formed on the diaphragm 10 and the first insulating film through a second insulating film made of a silicon oxide film (second sacrificial film). The second conductive layer is etched into a predetermined shape to form the back plate 20 and the lead wiring portion 24. As shown in FIG. 1A, the back plate 20 has a disk shape and is arranged concentrically with the diaphragm 10, and the radius of the back plate 20 is equal to the radius of the central portion 12 of the diaphragm 10. It is almost the same. The back plate 20 is continuously provided with a large number of small through holes 22 that function as acoustic holes for allowing external sound waves to pass through and reach the diaphragm 10. Furthermore, from the outer edge of the back plate 20, a lead wiring portion 24 connected to the electrode extends outward.

次いで、バックプレート20及び第2絶縁膜の上に、シリコン酸化膜からなる第3絶縁膜を形成した後、支持基板30裏面を研削してその厚さを調整する。続いて、例えばディープRIEと通称される異方性エッチング技術により支持基板30を選択的にエッチング除去して、第1絶縁膜に達する開口部を形成する。この開口部は、ダイヤフラム10の中央部12の中心領域に対応する位置及び周辺部14の小通孔18が設けられていない領域に対応する位置にある。   Next, after forming a third insulating film made of a silicon oxide film on the back plate 20 and the second insulating film, the back surface of the support substrate 30 is ground to adjust its thickness. Subsequently, for example, the support substrate 30 is selectively removed by an anisotropic etching technique commonly called deep RIE to form an opening reaching the first insulating film. This opening is located at a position corresponding to the central region of the central portion 12 of the diaphragm 10 and a region corresponding to a region where the small through holes 18 of the peripheral portion 14 are not provided.

次いで、所定のフォトレジストパターンをマスクとして用い、例えばバッファードフッ酸(Buffered HF)を使用したウェットエッチング技術により第3絶縁膜、第2絶縁膜、及び第1絶縁膜を選択的にエッチング除去する。このとき、バックプレート20の多数の小通孔22は、バックプレート20とダイヤフラム10との間に介在する第2絶縁膜をエッチング除去する際のエッチング液の進入孔として機能する。また、ダイヤフラム10の4個の通孔16と多数の小通孔18も、ダイヤフラム10と支持基板30との間に介在する第1絶縁膜をエッチング除去する際のエッチング液の進入孔として機能する。また、バッファードフッ酸は、支持基板30の開口部側からも第1絶縁膜等を選択的にエッチング除去する。   Next, using the predetermined photoresist pattern as a mask, the third insulating film, the second insulating film, and the first insulating film are selectively etched away by a wet etching technique using, for example, buffered HF. . At this time, the numerous small through holes 22 of the back plate 20 function as etching solution entrance holes when the second insulating film interposed between the back plate 20 and the diaphragm 10 is removed by etching. In addition, the four through holes 16 and a large number of small through holes 18 of the diaphragm 10 also function as etching solution entrance holes when the first insulating film interposed between the diaphragm 10 and the support substrate 30 is removed by etching. . Further, the buffered hydrofluoric acid selectively removes the first insulating film and the like from the opening side of the support substrate 30 by etching.

このようにしてバックプレート20とダイヤフラム10との間の第2絶縁膜を除去し、そこに空隙40を形成する。また、第1絶縁膜を除去し、支持基板30の開口部をダイヤフラム10に達するまで拡大してキャビティ32を形成すると共に、このキャビティ32周囲の支持基板30とダイヤフラム10との間に所望の音響抵抗を形成するための通路34を形成する。   In this way, the second insulating film between the back plate 20 and the diaphragm 10 is removed, and a gap 40 is formed there. Further, the first insulating film is removed, and the opening of the support substrate 30 is expanded until reaching the diaphragm 10 to form a cavity 32, and a desired acoustic wave is formed between the support substrate 30 and the diaphragm 10 around the cavity 32. A passage 34 for forming a resistance is formed.

同時に、ダイヤフラム10と支持基板30との間に、意図的に第1絶縁膜を残存させ、第1支持部50を形成する。更に、バックプレート20と支持基板30との間にも、意図的に第1絶縁膜と第2絶縁膜とが積層された積層絶縁膜を残存させ、ダイヤフラム10の4個の円形の通孔16を通り抜ける第2支持部52を形成する。   At the same time, the first insulating film is intentionally left between the diaphragm 10 and the support substrate 30 to form the first support portion 50. Furthermore, the laminated insulating film in which the first insulating film and the second insulating film are intentionally left is also left between the back plate 20 and the support substrate 30, and the four circular through holes 16 of the diaphragm 10 are left. The second support portion 52 that passes through is formed.

このような工程を経て、図1(a)〜(d)に示される第一実施例に係るコンデンサマイクロホンが作製される。   Through these steps, the condenser microphone according to the first embodiment shown in FIGS. 1A to 1D is manufactured.

以上のように、第一実施例に係るコンデンサマイクロホンの製造方法によれば、各フォトリソグラフィ工程において使用するレジストマスクのパターンが異なるだけで、従来の製造プロセスを殆どそのまま踏襲することが可能であり、絶縁性材料からなるプレートのダイヤフラム対向面の一定部分のみに背面電極を設ける工程等、製造歩留まりの低下を招くような工程を特に必要としないため、製造コストを増大させないようにすることができる。   As described above, according to the method of manufacturing the condenser microphone according to the first embodiment, it is possible to follow the conventional manufacturing process almost as it is, except that the resist mask pattern used in each photolithography process is different. In addition, it is possible to prevent an increase in manufacturing cost because there is no need for a process that causes a decrease in manufacturing yield, such as a process of providing a back electrode only on a certain portion of the diaphragm facing surface of a plate made of an insulating material. .

(第二実施例)
図2(a)は第二実施例に係るコンデンサマイクロホンの構成を模式的に示す平面図、図2(b)は図2(a)からバックプレートを取り除いた場合の平面図、図2(c)は図2(a)のA−A’線断面図、図2(d)は図2(a)のB−B’線断面図である。
(Second embodiment)
2A is a plan view schematically showing the configuration of the condenser microphone according to the second embodiment, FIG. 2B is a plan view when the back plate is removed from FIG. 2A, and FIG. ) Is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 2A, and FIG. 2D is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG.

図2(a)〜(d)に示されるように、第二実施例に係るコンデンサマイクロホンは、図1(a)〜(d)に示される第一実施例に係るコンデンサマイクロホンと略同様の構造をなしている。従って、第一実施例に係るコンデンサマイクロホンと相違する点について主に説明し、共通する点については説明を省略する。   As shown in FIGS. 2A to 2D, the condenser microphone according to the second embodiment has substantially the same structure as the condenser microphone according to the first embodiment shown in FIGS. I am doing. Therefore, the difference from the condenser microphone according to the first embodiment will be mainly described, and the description of the common points will be omitted.

ダイヤフラム110は、円盤状ではなく、矩形の平面形状をなす中央部112とその中央部112の周囲に設けられた周辺部114とを有し、全体としても矩形の平面形状をなしている。また、ダイヤフラム110の中央部112のうち、相対する長辺側において周辺部114に隣接する2つの領域に、それぞれに3個の円形の通孔116が等間隔をおいて設けられ、且つ、多数の小通孔118が連続的に設けられている。また、ダイヤフラム110の周辺部114のうち、相対する短辺側において通孔116に隣接する計4つの領域にも、多数の小通孔118が連続的に設けられている。そして、これら計6個の通孔116と多数の小通孔118が設けられている領域は、支持基板130と対応関係にある。   Diaphragm 110 has a central portion 112 having a rectangular planar shape and a peripheral portion 114 provided around the central portion 112, and has a rectangular planar shape as a whole. Further, in the central portion 112 of the diaphragm 110, three circular through holes 116 are provided at equal intervals in two regions adjacent to the peripheral portion 114 on the long side facing each other. The small through holes 118 are continuously provided. In addition, a large number of small through holes 118 are continuously provided in a total of four regions adjacent to the through holes 116 on the short side facing each other in the peripheral portion 114 of the diaphragm 110. The region where the total of six through holes 116 and a large number of small through holes 118 are provided has a corresponding relationship with the support substrate 130.

バックプレート120は、ダイヤフラム110との間に空隙140をおいて平行に設置されている。このバックプレート120も、矩形の平面形状をなし、ダイヤフラム110の中央部112と略対応関係にあり、ダイヤフラム110の周辺部114は、バックプレート120からはみ出した状態になっている。また、このバックプレート120には、音響ホールとして機能する多数の小通孔122が連続的に設けられている。更に、このバックプレート120の外縁から、電極に接続する引出し配線部124が外側に延びている。   The back plate 120 is installed in parallel with the gap 140 between the back plate 120 and the diaphragm 110. The back plate 120 also has a rectangular planar shape and is substantially in a corresponding relationship with the central portion 112 of the diaphragm 110, and the peripheral portion 114 of the diaphragm 110 protrudes from the back plate 120. The back plate 120 is continuously provided with a large number of small through holes 122 that function as acoustic holes. Furthermore, a lead wiring portion 124 connected to the electrode extends outward from the outer edge of the back plate 120.

ダイヤフラム110は、その周辺部114のうち、相対する長辺側における外縁側が、絶縁性の第1支持部150によって支持基板130上に支えられている。また、バックプレート120は、ダイヤフラム110の6個の通孔116内に位置する6本の柱状の絶縁性の第2支持部152によって支持基板130上に支えられている。   The diaphragm 110 is supported on the support substrate 130 by an insulating first support 150 at the outer edge side of the long side facing the peripheral portion 114. The back plate 120 is supported on the support substrate 130 by six columnar insulating second support portions 152 located in the six through holes 116 of the diaphragm 110.

支持基板130は、ダイヤフラム110の中央部112及び周辺部114のうち、6個の通孔116と多数の小通孔118が設けられていない領域に対応する位置に、支持基板130を貫通してダイヤフラム110に達する開口部を有しており、これらの開口部からキャビティ132が構成されている。また、キャビティ132周囲の支持基板130とダイヤフラム110とによって、所定の音響抵抗を形成する通路134が設けられている。   The support substrate 130 penetrates the support substrate 130 at a position corresponding to a region where the six through holes 116 and the many small through holes 118 are not provided in the central portion 112 and the peripheral portion 114 of the diaphragm 110. An opening reaching the diaphragm 110 is provided, and a cavity 132 is formed from these openings. In addition, a passage 134 that forms a predetermined acoustic resistance is provided by the support substrate 130 and the diaphragm 110 around the cavity 132.

尚、第二実施例に係るコンデンサマイクロホンの製造方法は、各フォトリソグラフィ工程において使用するレジストマスクのパターンが異なるだけで、基本的に第一実施例に係るコンデンサマイクロホンの製造方法と同様であるため、その説明は省略する。   The method of manufacturing the condenser microphone according to the second embodiment is basically the same as the method of manufacturing the condenser microphone according to the first embodiment, except that the resist mask pattern used in each photolithography process is different. The description is omitted.

以上のように、第二実施例に係るコンデンサマイクロホンによれば、バックプレート120が、ダイヤフラム110の通孔116内に位置する第2支持部152によって支持基板130上に支えられていること、ダイヤフラム110の中央部112と略対応関係にあってダイヤフラム110の周辺部114とは対応関係がないこと等、その基本的な特徴が第一実施例に係るコンデンサマイクロホンと共通するため、第一実施例の場合と同様の効果を奏することができる。   As described above, according to the condenser microphone according to the second embodiment, the back plate 120 is supported on the support substrate 130 by the second support portion 152 located in the through hole 116 of the diaphragm 110, and the diaphragm The basic features of the first embodiment are the same as those of the condenser microphone according to the first embodiment, such as being substantially corresponding to the central portion 112 of 110 and not having the corresponding relationship to the peripheral portion 114 of the diaphragm 110. The same effect as in the case of can be obtained.

また、第二実施例に係るコンデンサマイクロホンによれば、バックプレート120が6本の第2支持部152によって支持基板130上に支えられていることにより、第一実施例に係るコンデンサマイクロホンの場合よりも更にバックプレート20が安定して保持され、その変形が抑制されるため、マイクロホン動作の安定性を更に高めることができる。従って、例えばマイク寸法を大きくしてマイクロホン感度を向上させる場合等に適している。   In addition, according to the condenser microphone according to the second embodiment, the back plate 120 is supported on the support substrate 130 by the six second support portions 152, so that the condenser microphone according to the first embodiment can be obtained. Furthermore, since the back plate 20 is stably held and its deformation is suppressed, the stability of the microphone operation can be further improved. Therefore, it is suitable, for example, when the microphone sensitivity is increased by increasing the microphone size.

また、ダイヤフラム110の周辺部14の相対する外縁側が一対の第1支持部150によって支持基板130上に支えられていることにより、ダイヤフラム10の周辺部14の外縁側が第1支持部50によって支持基板30上に円周状に支えられている第一実施例に係るコンデンサマイクロホンの場合と比較すると、ダイヤフラム110の振動特性が更に改善されるため、マイクロホン感度を更に向上させることができる。   Further, the outer peripheral side of the peripheral portion 14 of the diaphragm 110 is supported on the support substrate 130 by the pair of first support portions 150, so that the outer peripheral side of the peripheral portion 14 of the diaphragm 10 is supported by the first support portion 50. Compared with the case of the condenser microphone according to the first embodiment supported on the support substrate 30 in a circumferential shape, the vibration characteristic of the diaphragm 110 is further improved, so that the microphone sensitivity can be further improved.

尚、第二実施例に係るコンデンサマイクロホンにおいて、バックプレート120は6本の第2支持部152によって支持基板130上に支えられているが、この第2支持部152の数は6本に限定されるものではない。例えばバックプレート120の相対する短辺側に1本ずつ追加して、第2支持部152の数を8本とすることも可能である。この場合には、ダイヤフラム110に設ける通孔116の数を8個に増加したり、支持基板130に設けるキャビティ132の開口部の位置を変更したりすることが必要となる。一般には、第2支持部152の数を増加することにより、バックプレート120の安定した保持と変形の抑制が実現されるため、マイク寸法を大きくしてマイクロホン感度を向上させることが可能になる。   In the condenser microphone according to the second embodiment, the back plate 120 is supported on the support substrate 130 by the six second support portions 152, but the number of the second support portions 152 is limited to six. It is not something. For example, it is possible to add one to the opposite short sides of the back plate 120 so that the number of the second support parts 152 is eight. In this case, it is necessary to increase the number of through holes 116 provided in the diaphragm 110 to 8 or to change the position of the opening of the cavity 132 provided in the support substrate 130. In general, by increasing the number of second support parts 152, stable holding of the back plate 120 and suppression of deformation are realized, so that the microphone sensitivity can be increased and the microphone sensitivity can be improved.

(第三実施例)
図3(a)は第三実施例に係るコンデンサマイクロホンの構成を模式的に示す平面図、図3(b)は図3(a)からバックプレートを取り除いた場合の平面図、図3(c)は図3(a)のA−A’線断面図、図3(d)は図3(a)のB−B’線断面図である。
(Third embodiment)
FIG. 3A is a plan view schematically showing the configuration of the condenser microphone according to the third embodiment, FIG. 3B is a plan view when the back plate is removed from FIG. 3A, and FIG. ) Is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 3A, and FIG. 3D is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG.

図3(a)〜(d)に示されるように、第三実施例に係るコンデンサマイクロホンは、図2(a)〜(d)に示される第二実施例に係るコンデンサマイクロホンと略同様の構造をなしている。従って、第二実施例に係るコンデンサマイクロホンと相違する点について主に説明し、共通する点については説明を省略する。   As shown in FIGS. 3A to 3D, the condenser microphone according to the third embodiment has substantially the same structure as the condenser microphone according to the second embodiment shown in FIGS. 2A to 2D. I am doing. Therefore, the difference from the condenser microphone according to the second embodiment will be mainly described, and the description of the common points will be omitted.

ダイヤフラム110とバックプレート120との間の空隙140に位置し、バックプレート120を支持基板130上に支える6本の第2支持部152の中間に固定された絶縁性のストッパ層160が設けられている。このストッパ層160は、例えば不純物が添加されていないポリシリコンを材料とする薄膜からなり、厚さが0.5μm程度、半径が30μm程度の円盤状をなしている。また、ストッパ層160とダイヤフラム110との間隔は3μm程度である。   An insulating stopper layer 160 is provided in the gap 140 between the diaphragm 110 and the back plate 120 and fixed in the middle of the six second support portions 152 that support the back plate 120 on the support substrate 130. Yes. The stopper layer 160 is made of, for example, a thin film made of polysilicon to which no impurity is added, and has a disk shape with a thickness of about 0.5 μm and a radius of about 30 μm. The distance between the stopper layer 160 and the diaphragm 110 is about 3 μm.

尚、第三実施例に係るコンデンサマイクロホンの製造方法は、第二実施例に係るコンデンサマイクロホンの製造方法に次のような工程が追加されたものとなる。   The method for manufacturing the condenser microphone according to the third embodiment is obtained by adding the following steps to the method for manufacturing the condenser microphone according to the second embodiment.

即ち、第2の実施例の場合と同様にしてダイヤフラム110を形成した後、ダイヤフラム110及び第1絶縁膜上に、例えばシリコン酸化膜からなる厚さ3μm程度の追加絶縁膜(追加犠牲膜)を介して、不純物が添加されていないポリシリコン層を形成し、このポリシリコン層を所定の形状にエッチングして、ストッパ層160を形成する。   That is, after the diaphragm 110 is formed in the same manner as in the second embodiment, an additional insulating film (additional sacrificial film) made of, for example, a silicon oxide film having a thickness of about 3 μm is formed on the diaphragm 110 and the first insulating film. Then, a polysilicon layer to which no impurity is added is formed, and this polysilicon layer is etched into a predetermined shape to form the stopper layer 160.

その後、ストッパ層160及び追加絶縁膜上に、第2の実施例の場合と同様に、第2絶縁膜(第2犠牲膜)を介して第2導電層を形成し、この第2導電層を所定の形状にエッチングしてバックプレート120を形成し、バックプレート120及び第2絶縁膜の上に第3絶縁膜を形成し、支持基板130裏面を研削し、支持基板130を選択的にエッチング除去して開口部を形成する。   Thereafter, a second conductive layer is formed on the stopper layer 160 and the additional insulating film via the second insulating film (second sacrificial film) in the same manner as in the second embodiment. The back plate 120 is formed by etching into a predetermined shape, the third insulating film is formed on the back plate 120 and the second insulating film, the back surface of the support substrate 130 is ground, and the support substrate 130 is selectively etched away. Thus, an opening is formed.

その後、第3絶縁膜、第2絶縁膜、追加絶縁膜、及び第1絶縁膜を選択的にエッチング除去して、バックプレート120とダイヤフラム110との間に空隙140を形成し、支持基板130にキャビティ132を形成し、所望の音響抵抗を形成するための通路134を形成し、ダイヤフラム110と支持基板130との間に第1支持部152を形成する。そしてその際に、バックプレート120とストッパ層160との間の第2絶縁膜及びストッパ層160と支持基板130との間の追加絶縁膜と第1絶縁膜とが積層された積層絶縁膜を意図的に残存させて、ストッパ層160を中間に固定しつつバックプレート20を支持基板130上に支える第2支持部52を形成する。   Thereafter, the third insulating film, the second insulating film, the additional insulating film, and the first insulating film are selectively removed by etching to form a gap 140 between the back plate 120 and the diaphragm 110, thereby forming a support substrate 130. A cavity 132 is formed, a passage 134 for forming a desired acoustic resistance is formed, and a first support portion 152 is formed between the diaphragm 110 and the support substrate 130. At this time, a second insulating film between the back plate 120 and the stopper layer 160 and an additional insulating film between the stopper layer 160 and the support substrate 130 and the first insulating film are stacked. Thus, the second support portion 52 that supports the back plate 20 on the support substrate 130 is formed while fixing the stopper layer 160 in the middle.

このようにして図3(a)〜(d)に示される第一実施例に係るコンデンサマイクロホンを作製する。   In this way, the condenser microphone according to the first example shown in FIGS. 3A to 3D is manufactured.

以上のように、第三実施例に係るコンデンサマイクロホンによれば、第二実施例に係るコンデンサマイクロホンの場合の効果に加え、絶縁性のストッパ層160がダイヤフラム110とバックプレート120との間の空隙140に設けられていることにより、ダイヤフラム110に過度の音圧が加わったり、外部からの機械的な衝撃を受けたりした場合でも、ダイヤフラム110がバックプレート120に接触することが防止されるため、マイクロホン動作の安定性を確保することができる。   As described above, according to the condenser microphone according to the third embodiment, in addition to the effects in the case of the condenser microphone according to the second embodiment, the insulating stopper layer 160 has a gap between the diaphragm 110 and the back plate 120. By being provided in 140, it is possible to prevent the diaphragm 110 from contacting the back plate 120 even when an excessive sound pressure is applied to the diaphragm 110 or a mechanical shock is applied from the outside. The stability of the microphone operation can be ensured.

図1(a)は第一実施例に係るコンデンサマイクロホンの構成を模式的に示す平面図、図1(b)は図1(a)からバックプレートを取り除いた場合の平面図、図1(c)は図1(a)のA−A’線断面図、図1(d)は図1(a)のB−B’線断面図である。1A is a plan view schematically showing the configuration of the condenser microphone according to the first embodiment, FIG. 1B is a plan view when the back plate is removed from FIG. 1A, and FIG. ) Is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1A, and FIG. 1D is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. 図2(a)は第二実施例に係るコンデンサマイクロホンの構成を模式的に示す平面図、図2(b)は図2(a)からバックプレートを取り除いた場合の平面図、図2(c)は図2(a)のA−A’線断面図、図2(d)は図2(a)のB−B’線断面図である。2A is a plan view schematically showing the configuration of the condenser microphone according to the second embodiment, FIG. 2B is a plan view when the back plate is removed from FIG. 2A, and FIG. ) Is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 2A, and FIG. 2D is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG. 図3(a)は第三実施例に係るコンデンサマイクロホンの構成を模式的に示す平面図、図3(b)は図3(a)からバックプレートを取り除いた場合の平面図、図3(c)は図3(a)のA−A’線断面図、図3(d)は図3(a)のB−B’線断面図である。3A is a plan view schematically showing the configuration of the condenser microphone according to the third embodiment, FIG. 3B is a plan view when the back plate is removed from FIG. 3A, and FIG. ) Is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 3A, and FIG. 3D is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

10、110:ダイヤフラム、12、112:中央部、14、114:周辺部、16、116:通孔、18、118:小通孔、20、120:バックプレート、22、122:小通孔、24、124:引出し配線部、30、130:支持基板、32、132:キャビティ、34、134:通路、40、140:空隙、50、150:第1支持部、52、152:第2支持部、160:ストッパ破層。   10, 110: Diaphragm, 12, 112: Central part, 14, 114: Peripheral part, 16, 116: Through hole, 18, 118: Small through hole, 20, 120: Back plate, 22, 122: Small through hole, 24, 124: Lead wiring part, 30, 130: Support substrate, 32, 132: Cavity, 34, 134: Passage, 40, 140: Gap, 50, 150: First support part, 52, 152: Second support part 160: Stopper fracture.

Claims (6)

中央部と、前記中央部の周囲に設けられた周辺部と、前記中央部に設けられた複数の通孔と、を有し、音波を受けて振動する導電性のダイヤフラムと、
前記ダイヤフラムに対向して設けられている導電性のプレートと、
前記ダイヤフラムに対して前記プレートの反対側に設けられ、前記ダイヤフラムに反プレート側から加わる圧力を緩和するためのキャビティを有する基板と、
前記ダイヤフラムの前記周辺部を支持する絶縁性の第1支持部と、前記ダイヤフラムの複数の前記通孔内に位置して、前記プレートを前記基板上に支持する絶縁性の第2支持部と、を有し、前記ダイヤフラムの前記中央部と前記プレートとの間に空隙を形成している支持手段と、
を備えるコンデンサマイクロホン。
A central portion, a peripheral portion provided around the central portion, and a plurality of through holes provided in the central portion, and a conductive diaphragm that vibrates in response to sound waves;
A conductive plate provided opposite to the diaphragm;
A substrate provided on the opposite side of the plate with respect to the diaphragm, and having a cavity for relieving pressure applied to the diaphragm from the side opposite to the plate;
An insulating first support portion that supports the peripheral portion of the diaphragm; and an insulating second support portion that is positioned in the plurality of through holes of the diaphragm and supports the plate on the substrate; And a support means for forming a gap between the central portion of the diaphragm and the plate,
Condenser microphone with
前記プレートは、前記ダイヤフラムの前記中央部と略対応関係にある、
請求項1に記載のコンデンサマイクロホン。
The plate substantially corresponds to the central portion of the diaphragm;
The condenser microphone according to claim 1.
前記ダイヤフラムと前記プレートとの間の空隙に、絶縁性のストッパ層が設けられている、
請求項1又は2に記載のコンデンサマイクロホン。
An insulating stopper layer is provided in the gap between the diaphragm and the plate.
The condenser microphone according to claim 1 or 2.
前記ストッパ層は、前記第2支持部によって支持されている、
請求項3に記載のコンデンサマイクロホン。
The stopper layer is supported by the second support part,
The condenser microphone according to claim 3.
前記ダイヤフラムの前記周辺部のうち、前記基板と対応関係にある領域
に、複数の小通孔が設けられている、
請求項1乃至4のいずれかに記載のコンデンサマイクロホン。
In the peripheral portion of the diaphragm, a plurality of small through holes are provided in a region corresponding to the substrate.
The condenser microphone according to any one of claims 1 to 4.
前記キャビティ周囲の前記基板と前記ダイヤフラムとによって、所定の音響抵抗が形成されている、
請求項1乃至5のいずれかに記載のコンデンサマイクロホン。



A predetermined acoustic resistance is formed by the substrate and the diaphragm around the cavity.
The condenser microphone according to claim 1.



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