JP2007199854A - Constant-current circuit - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、定電流回路に関し、特に、基準電流がばらついた場合であっても、そのずれを補償する補償回路を備えて一定電流を出力する定電流回路に関する。 The present invention relates to a constant current circuit, and more particularly to a constant current circuit that includes a compensation circuit that compensates for a deviation even when a reference current varies, and outputs a constant current.
従来、例えば、アナログ回路等で必要とされる一定電流を供給する場合、カレントミラー回路が用いられる。 Conventionally, for example, when supplying a constant current required for an analog circuit or the like, a current mirror circuit is used.
図3は従来のカレントミラー回路の一例を示す概略図である。 FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of a conventional current mirror circuit.
図3に示すように、カレントミラー回路12は、ゲート端子とドレイン端子が接続されソース端子がグランドGNDに接続されたNMOSトランジスタM11と、ゲート端子がそのNMOSトランジスタM11のゲート端子と共通に接続されソース端子がグランドGNDに接続されたNMOSトランジスタM12とで構成されている。また、NMOSトランジスタM11のドレイン端子は、基準電流生成回路11により生成された基準電流I11が入力されるカレントミラー回路12の入力端子となっており、NMOSトランジスタM12のドレイン・ソース間には、基準電流I11がミラーされた電流(以下、ミラー電流)I12が流れる。
As shown in FIG. 3, the
図4は図3に示す基準電流生成回路11の一例を示す概略図である。
FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of the reference
図4に示すように、基準電流生成回路11は、例えば、抵抗Rと、演算増幅器22と、NMOSトランジスタM15と、PMOSトランジスタM16、M17とから構成さてれる。抵抗Rの一端は演算増幅器22の−入力端子に接続され、他端はグランドGNDに接続されている。演算増幅器22の+入力端子には、図示しないBGR(バンドギャップリファレンス)回路で生成された基準電圧Vrefが入力される。NMOSトランジスタM15のソース端子は抵抗Rの上記一端に、ゲート端子は上記演算増幅器22の出力端子に接続され、そのドレイン端子はPMOSトランジスタM16のドレイン端子に接続されている。PMOSトランジスタM16のゲート端子とドレイン端子は共通に接続され、ソース端子は電源電圧VDDに接続されている。PMOSトランジスタM17のソース端子は電源電圧VDDに接続され、ゲート端子はPMOSトランジスタM16のゲート端子に接続されている。したがって、PMOSトランジスタM16、M17とでカレントミラー回路が構成され、PMOSトランジスタM17のドレイン端子から基準電流Irefが出力される。
As shown in FIG. 4, the reference
ここで、基準電圧VrefはBGR回路で生成されるため、温度、電源電圧、プロセス等に依存しにくい一定電圧である。図4に示す構成においては、演算増幅器22のゲインが十分高ければ、Vref=Vxを保証することができ、基準電流IrefはVx/R(一定)となる。
Here, since the reference voltage Vref is generated by the BGR circuit, it is a constant voltage that does not easily depend on temperature, power supply voltage, process, and the like. In the configuration shown in FIG. 4, if the gain of the
図3において、NMOSトランジスタM11およびNMOSトランジスタM12は飽和領域で動作しており、各々のトランジスタのドレイン・ソース間を流れる基準電流I11およびミラー電流I12は以下の式(1)と式(2)で表される。 In FIG. 3, an NMOS transistor M11 and an NMOS transistor M12 operate in a saturation region, and a reference current I11 and a mirror current I12 flowing between the drain and source of each transistor are expressed by the following equations (1) and (2). expressed.
ここで、W11とL11はNMOSトランジスタM11のチャネル幅とチャネル長であり、W12とL12はNMOSトランジスタM12のチャネル幅とチャネル長である。また、μnは移動度、Coxは単位面積あたりのゲート容量、VgsとVthnはNMOSトランジスタM11、M12のゲート・ソース間電圧と閾値である。式(1)および式(2)から、 Here, W11 and L11 are the channel width and channel length of the NMOS transistor M11, and W12 and L12 are the channel width and channel length of the NMOS transistor M12. Further, the mu n is the mobility, Cox the gate capacitance per unit area, Vgs and Vthn are NMOS transistors M11, the gate-source voltage of M12 and the threshold. From Equation (1) and Equation (2)
の関係が成り立つ。 The relationship holds.
即ち、NMOSトランジスタM12のミラー電流I12はNMOSトランジスタ11のサイズおよび基準電流I11に比例した値となる。ここで、NMOSトランジスタのサイズが同じであれば、NMOSトランジスタM12のミラー電流I12は基準電流I11となる。
That is, the mirror current I12 of the NMOS transistor M12 has a value proportional to the size of the
しかし、一般的には製造プロセスのばらつきや電源電圧の変動によりミラーされる電流が想定した値からずれる場合がある。このような問題を解決する手段として、例えば、特許文献1には、製造プロセスのばらつきや電源電圧又は温度の変動があっても、入出力特性を一定にするカレントミラー回路が開示されている。また、特許文献2には、電源電圧や電気負荷の抵抗値が変動しても、その負荷に一定電流を流すカレントミラー回路が開示されている。
特許文献1や特許文献2に開示されている技術によれば、カレントミラー回路の入力電流(基準電流)に対するミラー電流を一定に保つことはできるものの、基準電流のばらつきや変動により所望のミラー電流を得ることができない場合がある。
According to the techniques disclosed in Patent Document 1 and
上述したように、基準電流は基準電流生成回路に用いる基準電圧Vx(=Vref)および抵抗Rが一定であれば一定電流となるが、実際にはPolySi等で生成した抵抗Rは20%程度のプロセス起因のばらつきがあり、例え基準電圧Vrefを一定に保ったとしても抵抗値がばらつくと基準電流にもばらつきが生ずる。しかし、従来のカレントミラー回路ではこのような基準電流のばらつきや変動を吸収することができず、所望のミラー電流を得ることができない。 As described above, the reference current is a constant current if the reference voltage Vx (= Vref) used in the reference current generation circuit and the resistance R are constant, but in reality, the resistance R generated by PolySi or the like is about 20%. There is variation due to the process, and even if the reference voltage Vref is kept constant, if the resistance value varies, the reference current also varies. However, the conventional current mirror circuit cannot absorb such variations and fluctuations in the reference current and cannot obtain a desired mirror current.
本発明の目的は、前記従来技術に基づく問題点を解消し、基準電流が想定した値からずれた場合でもこのずれを補償する補償回路を備え、所望の一定電流を得ることのできる定電流回路を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a constant current circuit capable of solving a problem based on the prior art and including a compensation circuit that compensates for the deviation even when the reference current is deviated from an assumed value, thereby obtaining a desired constant current. Is to provide.
上記目的を達成するために、本発明の定電流回路は、ゲート端子とドレイン端子が接続されそのドレイン端子に基準電流が入力される第1のMOSトランジスタと、その第1のMOSトランジスタと同一極性であってゲート端子が上記第1のMOSトランジスタのゲート端子と接続され上記基準電流に比例するミラー電流を供給する第2のMOSトランジスタを有するカレントミラー回路と、上記基準電流の増減に応じた前記ミラー電流の増減分を相殺する補償回路とを備えるものである。 In order to achieve the above object, the constant current circuit of the present invention includes a first MOS transistor having a gate terminal connected to a drain terminal and a reference current input to the drain terminal, and the same polarity as the first MOS transistor. A current mirror circuit having a second MOS transistor having a gate terminal connected to the gate terminal of the first MOS transistor and supplying a mirror current proportional to the reference current; And a compensation circuit that cancels the increase and decrease of the mirror current.
ここで、上記補償回路は、上記第1のMOSトランジスタのゲート電圧と基準電位とを比較する演算増幅器と、該演算増幅器の比較結果により前記ミラー電流を一定に保持する電流経路とを備えることが好ましい。 Here, the compensation circuit includes an operational amplifier that compares the gate voltage of the first MOS transistor with a reference potential, and a current path that holds the mirror current constant according to a comparison result of the operational amplifier. preferable.
さらに、本発明の定電流回路は、ゲート端子とドレイン端子が上記第2のMOSトランジスタのドレイン端子に共通に接続された第3のMOSトランジスタと、その第3のMOSトランジスタと同一極性であってゲート端子が上記第3のMOSトランジスタのゲート端子と接続された第4のMOSトランジスタを備え、その第4のMOSトランジスタは上記第3のMOSトランジスタを流れる上記ミラー電流をさらにミラーして出力することが好ましい。 Furthermore, the constant current circuit of the present invention includes a third MOS transistor having a gate terminal and a drain terminal connected in common to the drain terminal of the second MOS transistor, and the same polarity as the third MOS transistor. A fourth MOS transistor having a gate terminal connected to the gate terminal of the third MOS transistor, and the fourth MOS transistor further mirrors and outputs the mirror current flowing through the third MOS transistor; Is preferred.
また、上記電流経路は、ドレイン端子が前記第3のMOSトランジスタのドレイン端子に接続され、ゲート端子が前記演算増幅器の出力が接続された第5のMOSトランジスタを備えることが好ましい。 The current path preferably includes a fifth MOS transistor having a drain terminal connected to the drain terminal of the third MOS transistor and a gate terminal connected to the output of the operational amplifier.
本発明の定電流回路は、製造プロセス等の変動により基準電流が増加もしくは減少した場合、これを検出してその増減分の電流を生成する電流経路を備え、基準電流とこの電流経路を流れる電流を合算した電流をミラーするものである。本発明の定電流回路によれば、基準電流生成回路を構成する抵抗等のばらつきや電源電圧の変動等により基準電流が想定した値からずれた場合でも、一定の電流を出力することが可能になる。 The constant current circuit of the present invention includes a current path that detects when the reference current increases or decreases due to fluctuations in the manufacturing process or the like and generates a current corresponding to the increase or decrease, and the reference current and the current flowing through the current path Is used to mirror the current. According to the constant current circuit of the present invention, it is possible to output a constant current even when the reference current is deviated from an assumed value due to variations in resistance, etc. constituting the reference current generation circuit or fluctuations in the power supply voltage. Become.
以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の定電流回路について詳細に説明する。 Hereinafter, a constant current circuit of the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
図1は、本発明の定電流回路の内部構成を表す一実施形態の概略図である。 FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an internal configuration of a constant current circuit of the present invention.
図1に示す定電流回路10は、ゲート端子とドレイン端子が接続されソース端子がグランドGNDに接続されたNMOSトランジスタM1と、ゲート端子がNMOSトランジスタM1のゲート端子に接続されソース端子がグランドGNDに接続されたNMOSトランジスタM2とにより構成される従来と同様のカレントミラー回路2を備えている。さらに、本発明の定電流回路10は、ドレイン端子とゲート端子が共通に接続されかつNMOSトランジスタM2のドレイン端子に接続され、ソース端子が電源電圧VDDに接続されたPMOSトランジスタM4と、ソース端子が電源電圧VDDに接続されゲート端子がPMOSトランジスタM4のゲート端子に接続されたPMOSトランジスタM5から成るカレントミラー回路5を備えている。さらに、本発明の定電流回路10は、−入力端子にNMOSトランジスタM1のドレイン端子が接続され、+入力端子に基準電圧Vrefが接続された演算増幅器3と、ドレイン端子がPMOSトランジスタM4のドレイン端子に接続され、ソース端子がグランドGNDに接続され、ゲート端子が演算増幅器3の出力端子に接続されたNMOSトランジスタM3とから構成される補償回路4を備えている。NMOSトランジスタM3は、本発明でいうところの電流経路にあたり、補償回路4はこの電流経路により基準電流のばらつきや変動を補償する。
The constant
ここで、演算増幅器3の一方の入力となる基準電圧Vrefは固定電位であって、電源電圧の影響を受けにくいものであることが好ましく、例えば、バンドギャップリファレンス(BGR)回路で生成される基準電位を用いる。
Here, it is preferable that the reference voltage Vref as one input of the
ここで、NMOSトランジスタM1のドレイン端子は基準電流I1が入力される本発明の定電流回路10の入力端子であり、PMOSトランジスタM5のドレイン端子は本発明の定電流回路10が定電流を出力する出力端子となっている。
Here, the drain terminal of the NMOS transistor M1 is an input terminal of the constant
NMOSトランジスタM1およびNMOSトランジスタM2は、従来と同様のカレントミラー回路2を構成している。上述したように、基準電流I1とNMOSトランジスタを流れるドレイン電流I2との間では以下の式に示される関係が成り立つ。
The NMOS transistor M1 and the NMOS transistor M2 constitute a
この構成のカレントミラー回路2において、NMOSトランジスタM1とNMOSトランジスタM2のサイズは同じもの(W1=W2、L1=L2)とし、NMOSトランジスタM2は基準電流I1と同一値の電流がミラーされるものとする。即ち、NMOSトランジスタM1のドレイン端子には、基準電流発生回路1からの基準電流I1が入力され、NMOSトランジスタM1とNMOSトランジスタM2のサイズは同じであるので、式(4)よりNMOSトランジスタM2のドレイン・ソース間にはI2=I1の電流が流れる。
In the
次に、本発明の定電流回路10を構成する補償回路の動作について説明する。
Next, the operation of the compensation circuit constituting the constant
上述したように、補償回路4において、NMOSトランジスタM3のゲート端子には、正側の+入力端子に基準電圧Vrefが接続され負側の−入力端子にNMOSトランジスタM1のドレイン端子が接続された演算増幅器3の出力端子が接続されているため、NMOSトランジスタM3には基準電圧VrefとNMOSトランジスタM1のゲート電圧との差に応じた電流I3が流れる。
As described above, in the compensation circuit 4, the gate terminal of the NMOS transistor M3 has the positive voltage input terminal connected to the reference voltage Vref and the negative voltage negative input terminal connected to the drain terminal of the NMOS transistor M1. Since the output terminal of the
ここで、基準電流I1(=ミラー電流I2)は以下の式で表される。 Here, the reference current I1 (= mirror current I2) is expressed by the following equation.
(5)式からNMOSトランジスタM1およびM2のゲート・ソース間電圧は、 From the equation (5), the gate-source voltage of the NMOS transistors M1 and M2 is
となる。また、NMOSトランジスタM3のゲート・ソース間電圧は以下の式で表される。 It becomes. The gate-source voltage of the NMOS transistor M3 is expressed by the following equation.
したがって、NMOSトランジスタM3のドレイン・ソース間を流れる電流I3は、 Therefore, the current I3 flowing between the drain and source of the NMOS transistor M3 is
となる。 It becomes.
式(8)から分かるように、NMOSトランジスタM3を流れるドレイン電流は基準電流I1が増加すると減少し、基準電流I1が減少すると増加する。 As can be seen from equation (8), the drain current flowing through the NMOS transistor M3 decreases as the reference current I1 increases, and increases as the reference current I1 decreases.
PMOSトランジスタM4にはMOSトランジスタM2を流れる電流I2=I1とNMOSトランジスタM3を流れる電流I3を合わせた電流I4が流れることになり、その電流値は基準電圧Vrefを適当な値に設定すること、または、W3、L3の値を適当に設定するにより任意に設定できる。 The PMOS transistor M4 has a current I4 that is a sum of the current I2 = I1 flowing through the MOS transistor M2 and the current I3 flowing through the NMOS transistor M3, and the current value is set to an appropriate value for the reference voltage Vref, or , W3, and L3 can be arbitrarily set by appropriately setting the values.
また、PMOSトランジスタM4はソース端子が電源電圧VDDに接続され、そのゲート端子とドレイン端子は共通に接続されており、PMOSトランジスタM5のソース端子は電源電圧VDDにゲート端子はPMOSトランジスタM4のドレイン端子に接続されているため、PMOSトランジスタM4とM5によりカレントミラー回路5を構成している。従って、PMOSトランジスタM5のドレイン端子からはIout=I4の電流が出力される。
Further, the source terminal of the PMOS transistor M4 is connected to the power supply voltage VDD, the gate terminal and the drain terminal thereof are connected in common, the source terminal of the PMOS transistor M5 is the power supply voltage VDD, and the gate terminal is the drain terminal of the PMOS transistor M4. Therefore, the PMOS transistor M4 and M5 constitute a
ここで、あらかじめ基準電圧Vrefを適当な値に設定しておき所望の出力電流が得られているものとし、その状態で基準電流が製造プロセスその他の原因でばらつきが生じた場合を考える。 Here, it is assumed that the reference voltage Vref is set to an appropriate value in advance to obtain a desired output current, and the reference current varies in that state due to a manufacturing process or other causes.
基準電流I1が所定の値よりも増加した場合、NMOSトランジスタM1のドレイン電圧は上昇し、基準電圧Vrefとそのドレイン電圧の差に応じて、演算増幅器3の出力電圧が低下する。すると、NMOSトランジスタM3のゲート電圧が低下することによりドレイン・ソース間の電流I3は減少し、PMOSトランジスタM4を流れる基準電流I1とPMOSトランジスタM3の電流I3を合わせた電流I4は、基準電流I1が増加した影響が弱められ補償されることになる。
When the reference current I1 increases from a predetermined value, the drain voltage of the NMOS transistor M1 increases, and the output voltage of the
逆に、基準電流I1が所定の値よりも減少した場合、NMOSトランジスタM1のドレイン電圧は下降し、基準電圧Vrefとそのドレイン電圧の差に応じて、演算増幅器3の出力電圧が上昇する。今度は、NMOSトランジスタM3のゲート電圧が上昇するため、電流I3は増加し、PMOSトランジスタM4を流れる基準電流I1とPMOSトランジスタM3の電流I3を合わせた電流I4は、基準電流I1が減少した影響が弱められ補償されることになる。
On the other hand, when the reference current I1 decreases below a predetermined value, the drain voltage of the NMOS transistor M1 decreases, and the output voltage of the
図2は図1に示す定電流回路において基準電流I1が変化した場合の出力電流Ioutの変化する様子をシミュレーションにより求めた入出力特性曲線である。 FIG. 2 is an input / output characteristic curve obtained by simulation of how the output current Iout changes when the reference current I1 changes in the constant current circuit shown in FIG.
図2では基準電流I1を30μAから50μAまで変動させている。図から明らかなように出力電流Ioutは数%しか変化しておらず、本発明の定電流回路10を構成する補償回路4により基準電流I1の増減が補償されていることが分かる。
In FIG. 2, the reference current I1 is varied from 30 μA to 50 μA. As can be seen from the figure, the output current Iout changes only a few percent, and it can be seen that the compensation circuit 4 constituting the constant
本発明の定電流回路は、製造プロセスのばらつきや電源電圧の変動により基準電流がばらついたとしても、このばらつきを補償する補償回路を備えることにより、所望の安定した一定電流を出力することが可能となる。 The constant current circuit of the present invention can output a desired stable constant current by providing a compensation circuit that compensates for this variation even if the reference current varies due to variations in manufacturing processes and variations in power supply voltage. It becomes.
本発明は、基本的に以上のようなものである。 The present invention is basically as described above.
以上、本発明の定電流回路について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよい。 Although the constant current circuit of the present invention has been described in detail above, the present invention is not limited to the above embodiment, and various improvements and modifications may be made without departing from the spirit of the present invention.
1、11 基準電流生成回路
2、5、12カレントミラー回路
3、22 演算増幅器
4 補償回路
M1、M2、M3、M11、M12、M13、M14、M15 NMOSトランジスタ
M4、M5、M16、M17 PMOSトランジスタ
Vref 基準電位
1, 11 Reference
Claims (4)
前記基準電流の増減に応じた前記ミラー電流の増減分を相殺する補償回路とを備えることを特徴とする定電流回路。 A first MOS transistor in which a gate terminal and a drain terminal are connected and a reference current is input to the drain terminal; and a gate terminal having the same polarity as the first MOS transistor and the gate terminal of the first MOS transistor A current mirror circuit having a second MOS transistor connected and supplying a mirror current proportional to the reference current;
A constant current circuit, comprising: a compensation circuit that cancels an increase / decrease in the mirror current according to an increase / decrease in the reference current.
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