JP2007180252A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ダイシング工程で半導体ウエハの半導体素子形成面にハーフカットを施し、バックグラインド工程でチップを個片に分割するＤＢＧ工法では、研削時に剥がれた表面保護テープとチップ表面との隙間に入ったダストが完成品にも残る課題があった。
【解決手段】研削工程終了後に、表面保護テープを加熱、加圧の何れか、もしくはそれらを同時に行うことにより、研削時に表面保護テープが剥がれていたチップ表面に表面保護テープの粘着剤を再び貼り付けて、チップ表面に付着していたダストを粘着剤に転写除去することで、表面に汚れのない半導体装置を製造する。
【選択図】図１

Description

本発明は半導体装置の製造方法に関し、板状加工物である半導体ウエハの表面に裏面まで貫通しない切削溝を形成した後、裏面を研削して切削溝を表出させることにより、半導体ウエハ上の半導体素子を単体のチップの各個片に分割する技術に係るものである。

従来、半導体素子のチップを薄く加工する技術として先ダイシングと呼ばれるものがある。この先ダイシングは、ダイシング工程において半導体ウエハの表面に裏面まで貫通しない切り込みを形成した後、研削工程において半導体ウエハの裏面側を研削することで、裏面に切り込みを表出させて個片に分割するものであり、チップの厚みが１００μｍ以下のチップの薄型化が可能である。

しかしながら、半導体ウエハの裏面における研削によって、個片化後のチップの裏面には研削傷が残り、内部には１〜１０μｍ程度の研削歪層が形成される。このため、チップの抗折強度が低下し、破損の危険性が増す。そこで研削工程の後工程としてストレスリリーフ工程を設け、このストレスリリーフ工程において研削後の個々のチップの裏面の研削傷及び研削歪層を化学的エッチングによって除去し、抗折強度の向上を図る工夫もなされている。

一般的に用いられている先ダイシングを図７のフロー図および図８の各工程の詳細図に示す。
ダイシング工程Ｓ１において、図８（ａ）に示すように、被加工物である半導体ウエハ１を、その半導体素子面を上にしてダイシングチャックテーブル５に載置し、ダイシングブレード３によってダイシングライン４に沿って所定の深さ（仕上がりチップ厚みよりも深く）まで切り込み１ａを形成する。

次に、表面保護テープ貼り付け工程Ｓ２において、図８（ｂ）に示すように、切り込み１ａを形成された半導体ウエハ１を、その半導体素子面を上にして表面保護テープ貼り付けチャックテーブル８に載置する。

そして、バックグラインド貼り付けローラー７を用いて表面保護テープ６を加圧しながら半導体素子面に貼り付ける。図９に示すように、表面保護テープ６は、ＰＥＴやポリオレフィンなどの基材１５とアクリル系合成樹脂などの粘着剤１４からなり、粘着剤１４が半導体素子面に接して密着している。粘着剤１４は紫外線照射により樹脂中の結合状態が変化して接着力が低下する特徴を持っている。

半導体ウエハ１には、ダイシングライン４を除いてウエハ表面に数層の配線層２７が形成されており、その上に表面保護膜２８が形成されている。表面保護膜２８に形成した開口において電極パッド２９が露出している。

このため、半導体ウエハ１においてダイシングライン４と半導体素子の電極パッド２９の表面との間には、段差が発生しその段差は、配線層の総数により異なり３μｍから１０数μｍとなっている。

そして、ウエハ表面に表面保護テープ６を貼り付ける際に、ダイシングライン４の切り込み１ａにおいて半導体素子の表面と比べて貼り付け圧力が弱くなるために密着力が低くなって表面保護テープ６が剥がれる場合がある。このため、貼り付け圧力をダイシングライン４でも剥がれない強さまで上昇させなければならない。

次に、研削工程Ｓ３において、図８（ｃ）に示すように、半導体ウエハ１の裏面を上にして回転機構を持ったバックグラインドチャックテーブル９にセットし、チャックした半導体ウエハ１とバックグラインド用砥石１０を回転させ研削を行い、半導体ウエハ１をチップ３０の単位に分割する。

その後、表面保護テープ紫外線照射工程Ｓ４において、図８（ｄ）に示すように、各チップ３０を表面保護テープ６で一体化した状態で紫外線照射用チャック３２で保持し、表面保護テープ６の粘着力を低下させるために表面保護テープ６の表面に紫外線照射機３１から紫外線１３を照射する。

その後、ストレスリリーフ工程Ｓ５において、図８(ｅ)に示すように、チップ３０の裏面に触れないようにしてプラズマ発生装置１６の中へ分割された半導体ウェハ１を収めて下部電極１７の上に載置し、所定の圧力まで減圧する。

所定の圧力に達したところで、硫化フッ素のガスを所定の流量だけ供給し、上部電極１８に電力を加えることでプラズマ１９を生成し、分割された半導体ウェハ１の各チップ３０を化学的・物理的にプラズマエッチングする。この際に、表面保護テープ６はプラズマ１９にさらされるとその温度上昇で溶解してチップ３０に付着することになる。

このため、プラズマエッチング工程では、表面保護テープ６が溶解してチップ３０に付着することを未然に防ぐために、下部電極１７を冷却すること、ならびに表面保護テープ６の保障温度に達する前にプラズマエッチングを中断して冷却時間を置いている。

このプラズマエッチングは各チップ３０をチップ厚み方向に０．２μｍ〜５０μｍ除去するまで続行し、チップ３０の裏面及びダイシング工程を行ったチップサイドの加工歪層をエッチングする。このことにより、以前の加工によって蓄積された各チップ３０の内部ストレスを除去することができ、各チップ３０の抗折強度を高めることができる。また、プラズマエッチングの代わりにウエットエッチングを用いても良い。

次に、マウント工程Ｓ６において、図８（ｆ）に示すように、加工歪層が除去された各チップ３０を表面保護テープ６により一体化した状態で表面保護テープ６側を下向きにしてマウントチャックテーブル２０に載置し、その周囲にマウントガイドリング２３をおく。そして、マウントテープ貼り付けローラー２１を用いて加圧しながらチップ３０の裏面とマウントガイドリング２３にマウントテープ２２を貼り付ける。

そして、表面保護テープ剥し工程Ｓ７において、図８（ｇ）に示すように、マウントテープ２２によりマウントガイドリング２３と一体化した各チップ３０をマウントテープ２２側を下向きにして表面保護テープ剥離チャックテーブル２４に載置する。そして、チャック２５により表面保護テープ６を各チップ３０の表面から剥がす。全ての工程が終了した半導体装置は、図８（ｈ）に示す状態となる。
特開２００４−９５９４６号公報

しかしながら、従来の半導体装置の製造方法においては以下の問題が起こる。研削によって各チップ３０に個片分割する場合に、チップ表面と表面保護テープの間に水が浸入して電極部を汚染する問題が発生する。その状況を図１０を用いて説明する。

図１０（ａ）は、バックグラインド用砥石１０を回転させて研削を行い、半導体ウエハ１を各チップ３０の単位に分割した状態を示している。図１０（ｂ）は図１０（ａ）の破線囲み部Ｚを拡大したものである。

半導体ウエハ１を研削する場合に、半導体ウエハ１の各場所によって研削量のバラツキが発生しても全てのチップ３０が個片分割できるように、ダイシングライン４の切り込み１ａの深さに達する研削量よりもさらに十分な量を研削している。

そのため、半導体ウエハ１が分割されてチップ３０に個片化した後もしばらくの間は研削時の振動が各チップ３０に加わっている。また、各チップ３０には周囲の研削水と研削により生じたダスト１３が接している。

前述したように、凹み部であるダイシングライン４の表面はチップ表面と比べて表面保護テープの貼り付け圧力が弱く、また、粘着剤は弾性変形して貼り付けられているため残留応力がある。そのため、研削時の振動によりダイシングライン４の表面と表面保護テープ６の粘着剤１４との界面が剥がれる場合がある。図１０（ｂ）はその剥がれた場合を示している。

ダイシングライン４の表面と表面保護テープ６の粘着剤１４との界面が剥がれると、研削水とダスト１３がその隙間に侵入する。侵入がひどい場合には、ダイシングライン１４の表面を超えて電極パッド２９にまで至る場合がある。

このような研削水、ダスト１３の浸入が有った場合は、ダイシングライン１４の表面と表面保護テープ６の粘着剤１４との隙間は狭いために、この隙間に入ったダスト１３は水洗浄を行っても除去し難いので、図１１に示すように残留し、表面保護テープ６を剥離した製品のダイシングライン４の上または電極パッド２９の上にダスト１３が残ったままとなる。

このように半導体ウエハ１に段差が有る場合には、特許文献１に示すように、先工程で表面保護テープをウエハ段差に対応した形状に段差を形成して張り付けて剥がれないようにしている。

しかし、ダイシングライン４などはウエハ全面に配置されているために、特許文献１に示すような方法では、ダイシングライン４の全ての段差に対応して表面保護テープの段差を作る微細な加工は困難である。このため、従来の半導体装置の製造方法は、ダイシングラインや電極パッド表面にダストが残ってしまうという問題があった。

本発明は上記問題点に鑑みたものであり、半導体ウエハ１の裏面の研削終了後に、表面保護テープ面を加熱、または、加圧、またはそれらを同時に行うことで、研削時に表面保護テープが剥がれていたダイシングライン表面および電極パッドを含むチップ表面に表面保護テープの粘着剤を再び貼り付け、ダイシングライン表面および電極パッドを含むチップ表面に付着していたダストを粘着剤に転写させて除去するものであり、表面に汚れのない半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

上記した課題を解決するために、本発明の請求項１に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの半導体素子を形成した表裏の一側面においてダイシングラインに沿って所定の深さの溝を形成する工程と、前記半導体ウエハの一側面上に表面保護テープを貼り付ける工程と、前記半導体ウエハの表裏の他側面を前記溝に達するまで研削及び研磨して前記半導体ウエハを個々のチップに分離する研削工程と、前記表面保護テープを剥がす工程を備え、前記研削工程の後に前記表面保護テープを加熱する工程を有することを特徴とする。

本発明の請求項２に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの半導体素子を形成した表裏の一側面においてダイシングラインに沿って所定の深さの溝を形成する工程と、前記半導体ウエハの一側面上に表面保護テープを貼り付ける工程と、前記半導体ウエハの表裏の他側面を前記溝に達するまで研削及び研磨して前記半導体ウエハを個々のチップに分離する研削工程と、前記表面保護テープを剥がす工程を備え、前記研削工程の後に前記表面保護テープとチップとを加圧する工程を有することを特徴とする。

本発明の請求項３に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの半導体素子を形成した表裏の一側面においてダイシングラインに沿って所定の深さの溝を形成する工程と、前記半導体ウエハの一側面上に表面保護テープを貼り付ける工程と、前記半導体ウエハの表裏の他側面を前記溝に達するまで研削及び研磨して前記半導体ウエハを個々のチップに分離する研削工程と、前記表面保護テープを剥がす工程を備え、前記研削工程の後に前記表面保護テープとチップとを加熱しながら加圧する工程を有することを特徴とする。

本発明の請求項４に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの半導体素子を形成した表裏の一側面においてダイシングラインに沿って所定の深さの溝を形成する工程と、前記半導体ウエハの一側面上に表面保護テープを貼り付ける工程と、前記半導体ウエハの表裏の他側面を前記溝に達するまで研削及び研磨して前記半導体ウエハを個々のチップに分離する研削工程と、前記表面保護テープを剥がす工程を備え、前記研削工程の後に大気圧よりも減圧された環境中において前記表面保護テープとチップとを加熱しながら加圧する工程を有することを特徴とする。

本発明によれば、研削工程終了後に、表面保護テープに加熱、加圧の何れか、もしくはそれらを同時に行うことにより、研削時に表面保護テープが剥がれていたダイシングライン表面および電極パッドを含むチップ表面に表面保護テープの粘着剤を再び貼り付けて、ダイシングライン表面および電極パッドを含むチップ表面に付着していたダストを粘着剤に転写除去することができ、表面に汚れのない半導体装置を製造することができる。また、加熱、加圧を大気圧より減圧された環境で行うことで、表面保護テープが剥がれていたダイシングライン表面および電極パッドを含むチップ表面との隙間への空気の閉じ込めを減少させることができるので、表面保護テープの粘着剤を再び貼り付ける効果がさらに高くなり、ダストの転写除去の効率が高くなる。

以下、本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図１は本発明の半導体装置の製造方法を示すフロー図、図２は各工程の詳細図である。

ダイシング工程Ｓ１において、図２（ａ）に示すように、被加工物である半導体ウエハ１はダイシングチャックテーブル５の上に半導体素子面２を上にして載置する。そして、ダイシングブレード３によるダイシングによってチップとチップの間にあるダイシングライン４の上に切り込み１ａを形成する。このダイシングは、仕上がりのチップ厚みよりも深くなるようにダイシングブレード３を深さ方向に制御し、ダイシングチャックテーブル５をｙ軸方向に移動させて行う。

次に、ダイシングライン４のピッチに合わせてダイシングチャックテーブル５をｘ軸方向に移動させ、上述したダイシングを繰り返すことで切り込み１ａを形成する。Ｙ軸に平行なダイシングライン４のすべてに切り込み１ａが形成された後、ダイシングチャックテーブル５を９０°回転させ、同様の動作を繰り返しｘ軸に平行なダイシングライン４の上に切り込みを形成する。

次に、表面保護テープ貼り付け工程Ｓ２において、図２（ｂ）に示すように、切り込みが形成された半導体ウエハ１を、表面保護テープ貼り付けチャックテーブル８の上に半導体素子面２を上にして載置する。そして、バックグラインド貼り付けローラー７を用いて加圧しながら半導体素子面２に表面保護テープ６を貼り付ける。

この表面保護テープ６は、図３に示すように、ＰＥＴやポリオレフィンなどの基材１５とアクリル系合成樹脂などの粘着剤１４からなり、粘着剤１４が半導体素子面２に接して密着している。粘着剤１４は紫外線照射により樹脂中の結合状態が変化し接着力が低下する特徴を持っている。

次に、研削工程Ｓ３において、図２（ｃ）に示すように、半導体ウエハ１をその裏面を上にして回転機構を持ったバックグラインドチャックテーブル９上にセットし、チャックした半導体ウエハ１とバックグラインド用砥石１０を回転させて研削を行い、半導体ウエハ１をチップ３０の単位に分割する。

次に、表面保護テープ加熱工程において、図２（ｄ）に示すように、水の中で研削されて濡れているチップ３０および表面保護テープ６を回転機構を持ったスピンナーテーブル１１上にセットして水分を遠心力により除去する。

その後、スピンナーテーブルに内蔵された加熱機１２により表面保護テープ６を加熱する。加熱温度は表面保護テープ６が溶融に至らない温度であり、５０℃から１００℃が望ましい。この表面保護テープ６の加熱前後の状態を図３に示す。

図３（ａ）に示すように、加熱する前は、研削時に表面保護テープ６が剥がれた場所のチップ３０の表面と表面保護テープ６の表面には研削時に生じたダスト１３が付着している。

図３（ｂ）に示すように、表面保護テープ６を加熱すると、チップ３０の表面と密着しているところはチップ３０の膨張率が粘着剤１４より小さいため粘着剤１４の膨張は抑えられるが、ダイシングライン４の部分などの研削時にできた隙間部分にある粘着剤１４の熱膨張は大きい。

このため、隙間部分の粘着剤１４が横方向および上方にも膨張するためチップ３０の表面に粘着剤１４が再接触する。このときに、チップ３０の表面に付着したダスト１３を粘着剤１４に転写するため、後述する後工程を通過して表面保護テープ６を剥がした後のチップ３０の表面にはダスト１３が無くなるか、もしくは、従来よりも少なくなる。

次に、表面保護テープ紫外線照射工程Ｓ５において、図２（ｅ）に示すように、各チップ３０を表面保護テープ６で一体化した状態で紫外線照射用チャック３２で保持し、表面保護テープ６の粘着力を低下させるために表面保護テープ６の表面に紫外線照射機３１から紫外線１３を照射する。

その後、ストレスリリーフ工程Ｓ６において、図２(ｆ)に示すように、チップ裏面に触れないように、表面保護テープ６により一体化しているチップ３０をプラズマ発生装置１６の中へ納め、下部電極１７上に表面保護テープ６の側を下向きにして載置し、所定の圧力まで減圧を行う。所定の圧力に達したところで硫化フッ素のガスを所定の流量だけ流し、上部電極１８に電力を加えることでプラズマ１９を生成し、チップ３０を化学的・物理的にプラズマエッチングする。

このプラズマエッチング工程では、表面保護テープ６がプラズマ１９中にさらされて温度上昇のため溶解してチップ３０に付着することを未然に防ぐために、下部電極１７を冷却すること、ならびに表面保護テープ６の保障温度に達する前にプラズマエッチングを中断して冷却時間をおくことを行っている。

このプラズマエッチングは各チップ３０をチップ厚み方向に０．２μｍ〜５０μｍ除去できるまで続行する。このように、チップ３０の裏面及びダイシング工程を行ったチップサイドの加工歪層をエッチングすることにより、以前の加工によって蓄積されたチップ３０の内部ストレスを除去することができ、チップ３０の抗折強度を高めることができる。また、プラズマエッチングに代わり、フッ化水素酸や硝酸などを用いたウエットエッチングによって加工歪層をエッチングしてもよい。

次に、マウント工程Ｓ７において、図２（ｇ）に示すように、加工歪層が除去されて表面保護テープ６により一体化しているチップ３０をマウントチャックテーブル２０の上に表面保護テープ６側を下向きにして載置し、その周囲にマウントガイドリング２３をおく。そして、マウントテープ貼り付けローラー２１を用いて加圧しながらチップ３０の裏面とマウントガイドリング２３にマウントテープ２２を貼り付ける。

次に、表面保護テープ剥し工程Ｓ８において、図２（ｈ）に示すように、マウントテープ２２によりマウントガイドリング２３と一体化した各チップ３０を表面保護テープ剥離チャックテーブル２４上にマウントテープ２２側を下向きにして載置する。そして、チャック２５により表面保護テープ６をチップ３０の表面から剥がす。

全ての工程を終了した半導体装置は、図２（ｉ）および図２（ｊ）に示すようになる。
本実施の形態によれば、図２（ｄ）に示した表面保護テープ加熱工程Ｓ４のときにチップ３０の表面のダスト１３が表面保護テープ６の粘着剤１４に転写される。この表面保護テープ６を、図２（ｈ）に示した表面保護テープ剥がし工程Ｓ８において剥がすことで、図２（ｉ）、（ｊ）に示すように、半導体装置のチップ３０の表面にはダスト１３が存在しないか、または従来の工法に比べ減少する。

なお、本実施の形態では、研削時に剥がれたチップ３０の表面と粘着剤１４の界面の再接着に表面保護テープ６の加熱による粘着剤１４の熱膨張を利用した。しかし、これに限らず、例えば図４に示すように、回転機構を持ったスピンナーテーブル１１の上に、水の中で研削されて濡れているチップ３０および表面保護テープ６をセットし、水分を遠心力により除去した後に、スピンナーテーブル１１と水平対向配置されているプレスプレート３３により表面保護テープ６とそれにより一体化されているチップ３０を加圧してもよい。加圧することにより、チップ３０が粘着剤１４の方向へ沈み込むので、研削時に剥がれたチップ３０表面が粘着剤１４に再度接触して接着する。

また、図５に示すように、回転機構を持ったスピンナーテーブル１１の上に、水の中で研削されて濡れているチップ３０および表面保護テープ６をセットし、水分を遠心力により除去した後に、スピンナーテーブル１１と水平対向配置されているプレスプレート３３により表面保護テープ６とそれにより一体化されているチップ３０を加圧するときに、スピンナーテーブル１１に内蔵された加熱機１２により表面保護テープ６を加熱してもよい。このようにすれば、加圧によってチップ３０が粘着剤１４の方向へ沈み込むことにより研削時に剥がれたチップ３０の表面が粘着剤１４に押し付けられて生じる応力と、加熱による粘着剤１４の熱膨張によって押し付けられて生じる応力が合わさることで、チップ３０の表面と粘着剤１４との密着力がより強くなり、ダスト１３をより良く除去できる。

また、図６に示すように、回転機構を持ったスピンナーテーブル１１の上に、水の中で研削されて濡れているチップ３０および表面保護テープ６をセットし、水分を遠心力により除去した後に、スピンナーテーブル１１と水平対向配置されているプレスプレート３３により表面保護テープ６とそれにより一体化されているチップ３０を加圧するときに、スピンナーテーブル１１に内蔵された加熱機１２により表面保護テープ６を加熱する工程を所定の圧力まで減圧された真空容器２６の中で行ってもよい。

または、図２（ｄ）に示した加熱する工程だけを行っても良く、または、図４に示した加圧する工程だけを減圧された真空容器２６の中で行っても良い。このようにすれば、減圧化により、研削時に剥がれたチップ３０の表面と粘着剤１４の再接着が行われるため、接着部に発生しやすい空気の噛み込みを防止することができ、よりダスト１３を除去できる。

本発明にかかる半導体装置の製造方法は、研削時に剥がれたチップ表面と粘着剤の再接着ができ、チップ表面に付着したダストを除去できるので、ウエハを分割する製造装置などに有用である。

本発明の実施の形態におけるウエハ分割方法の流れ図 同実施の形態におけるウエハ分割方法の各工程の詳細図 図２(ｄ)の破線囲み部Ｚの拡大図であり、同実施の形態における表面保護テープを加熱する前後のダイシングライン表面近傍の断面拡大図 本発明の他の実施の形態における加圧による再接着方法を示す断面図 本発明の他の実施の形態における加圧と加熱による再接着方法を示す断面図 本発明の他の実施の形態における減圧化での加圧と加熱による再接着方法を示す断面図 従来の先ダイシングの流れ図 従来の先ダイシングの各工程の詳細図 図８(ｂ)の破線囲み部Ｚの拡大図であり、従来の先ダイシングにおける表面保護テープを貼り付けた時のダイシングライン表面近傍の断面拡大図 従来の先ダイシングにおける研削中のダイシングライン表面近傍の断面拡大図 従来の先ダイシングにおける不具合事例を示すダイシングライン表面近傍の断面拡大図

符号の説明

１ 半導体ウエハ
２ 半導体素子面
３ ダイシングブレード
４ ダイシングライン
５ ダイシングチャックテーブル
６ 表面保護テープ
７ バックグラインド貼り付けローラー
８ チャックテーブル
９ バックグラインドチャックテーブル
１０ バックグラインド用砥石
１１ スピンナーテーブル
１２ 加熱機
１３ 紫外線
１４ 粘着剤
１５ 基材
１６ プラズマ発生装置
１７ 下部電極
１８ 上部電極
１９ プラズマ
２０ マウントチャックテーブル
２１ マウントテープ貼り付けローラー
２２ マウントテープ
２３ マウントガイドリング
２４ 表面保護テープ剥離チャックテーブル
２５ チャック
２６ 真空容器
２７ 配線層
２８ 表面保護膜
２９ 電極パッド
３０ チップ
３１ 紫外線照射機
３２ 紫外線照射用チャック
３３ プレスプレート

Claims (4)

1. 半導体ウエハの半導体素子を形成した表裏の一側面においてダイシングラインに沿って所定の深さの溝を形成する工程と、前記半導体ウエハの一側面上に表面保護テープを貼り付ける工程と、前記半導体ウエハの表裏の他側面を前記溝に達するまで研削及び研磨して前記半導体ウエハを個々のチップに分離する研削工程と、前記表面保護テープを剥がす工程を備え、前記研削工程の後に前記表面保護テープを加熱する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 半導体ウエハの半導体素子を形成した表裏の一側面においてダイシングラインに沿って所定の深さの溝を形成する工程と、前記半導体ウエハの一側面上に表面保護テープを貼り付ける工程と、前記半導体ウエハの表裏の他側面を前記溝に達するまで研削及び研磨して前記半導体ウエハを個々のチップに分離する研削工程と、前記表面保護テープを剥がす工程を備え、前記研削工程の後に前記表面保護テープとチップとを加圧する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 半導体ウエハの半導体素子を形成した表裏の一側面においてダイシングラインに沿って所定の深さの溝を形成する工程と、前記半導体ウエハの一側面上に表面保護テープを貼り付ける工程と、前記半導体ウエハの表裏の他側面を前記溝に達するまで研削及び研磨して前記半導体ウエハを個々のチップに分離する研削工程と、前記表面保護テープを剥がす工程を備え、前記研削工程の後に前記表面保護テープとチップとを加熱しながら加圧する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 半導体ウエハの半導体素子を形成した表裏の一側面においてダイシングラインに沿って所定の深さの溝を形成する工程と、前記半導体ウエハの一側面上に表面保護テープを貼り付ける工程と、前記半導体ウエハの表裏の他側面を前記溝に達するまで研削及び研磨して前記半導体ウエハを個々のチップに分離する研削工程と、前記表面保護テープを剥がす工程を備え、前記研削工程の後に大気圧よりも減圧された環境中において前記表面保護テープとチップとを加熱しながら加圧する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

Images