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JP2007150015A - Pattern forming method and liquid drop discharge device - Google Patents

Pattern forming method and liquid drop discharge device Download PDF

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JP2007150015A
JP2007150015A JP2005343302A JP2005343302A JP2007150015A JP 2007150015 A JP2007150015 A JP 2007150015A JP 2005343302 A JP2005343302 A JP 2005343302A JP 2005343302 A JP2005343302 A JP 2005343302A JP 2007150015 A JP2007150015 A JP 2007150015A
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JP
Japan
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region
pattern
droplet
substrate
laser beam
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2005343302A
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Japanese (ja)
Inventor
Masayoshi Gohara
正義 轟原
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern forming method by a liquid drop discharge method which is hardly affected by the viscosity of a liquid drop to be discharged. <P>SOLUTION: The method includes a first process for discharging the liquid drop A, which is composed of a functional liquid B containing a material C to form a pattern in a base, toward the first region of the base to form the pattern; a second process for forming the pattern on the base by changing the state of the liquid drop A discharged on the base; and a third process for radiating a laser beam to a second region which is the region where the liquid drop A discharged on the base is naturally spread, and a third region which is the region after excluding the first region from the peripheral region of the second region. The spread of the liquid drop A is stopped by an interaction with the laser beam, so that the pattern is more precisely formed compared with a method for forming the pattern by removing a solvent D (a dispersion medium) after the liquid drop A is naturally spread. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、液滴吐出装置を用いたパターン形成方法、及び液滴吐出装置に関する。   The present invention relates to a pattern forming method using a droplet discharge device and a droplet discharge device.

近年、ガラス等の基板上に導電配線等のパターンを形成する手段として、パターン形成材料である溶質と、溶媒と、からなる液滴を前記基板の被吐出面に吐出し、前記液滴が被吐出面上を広がった後に前記液滴を乾燥させ、前記溶媒を気化させて除去することにより前記溶質からなるパターンを形成する、液滴吐出装置を用いたパターン形成方法が提案されている(特許文献1)。   In recent years, as means for forming a pattern such as a conductive wiring on a substrate such as glass, a droplet composed of a solute that is a pattern forming material and a solvent is discharged onto a discharge target surface of the substrate, and the droplet is covered. A pattern forming method using a droplet discharge device has been proposed in which the droplet is dried after spreading on the discharge surface, and the solvent is vaporized and removed to form the solute pattern (patent). Reference 1).

特開平11−274671号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-274671

しかしながら、前記特許文献1に記載の液滴吐出法は、吐出された前記液滴が前記被吐出面上に自然に広がった後に前記溶媒を除去してパターンを形成するため、得られるパターンの寸法や形状は、前記被吐出面の形状や濡れ性の分布、及び前記液滴の粘度や最小吐出量等に左右されることとなり、精度良いパターンの形成が難しいという課題があった。   However, since the droplet discharge method described in Patent Document 1 forms a pattern by removing the solvent after the discharged droplets naturally spread on the discharge target surface, the dimensions of the obtained pattern The shape and shape depend on the shape and wettability distribution of the surface to be ejected, the viscosity and the minimum ejection amount of the droplets, and there is a problem that it is difficult to form an accurate pattern.

前記課題を解決するために、本発明に係るパターン形成方法は、基体にパターンを形成するための材料を有する機能液からなる液滴を、前記基体上のパターンを形成すべき第1の領域内に吐出する第1の工程と、前記基体上に着弾した前記液滴の状態を変化させて、前記基体上にパターンを形成する第2の工程と、前記基体上に着弾した前記液滴が濡れ広がる第2の領域、または前記第2の領域を含む周辺領域から前記第1の領域を除いた第3の領域に第1のレーザ光を照射する第3の工程と、を含む。   In order to solve the above-mentioned problems, a pattern forming method according to the present invention includes a method of forming droplets made of a functional liquid having a material for forming a pattern on a substrate in a first region where the pattern on the substrate is to be formed. A second step of changing the state of the droplet landed on the substrate to form a pattern on the substrate, and the droplet landed on the substrate being wetted And a third step of irradiating the third region excluding the first region from the expanding second region or the peripheral region including the second region.

本発明に係るパターン形成方法によれば、前記第3の工程で、前記液滴とレーザ光との相互作用によって前記液滴が広がることを抑制させることができるレーザ光の照射を、前記第3の領域における前記液滴に行うことから、前記第1の領域と前記第3の領域が接している線上で前記着弾した液滴の広がりを停止し、もしくは前記第1の領域と前記第3の領域が接している線上まで後退させることができる。換言すれば、前記着弾した液滴が、前記第1の領域内に広がることを許容し、かつ、前記第1の領域外へ広がることを抑制することができる。これにより、従来のような、吐出された前記液滴が前記被吐出面上に広がった後に前記溶媒を除去してパターンを形成する方法に比べてより一層精度良いパターンの形成が可能となる。   According to the pattern forming method of the present invention, in the third step, the irradiation of the laser beam capable of suppressing the spread of the droplet due to the interaction between the droplet and the laser beam is performed in the third step. Since the liquid droplets in the region are not spread, the spread of the landed droplets is stopped on the line where the first region and the third region are in contact with each other, or the first region and the third region are stopped. It can be retracted to the line where the area touches. In other words, the landed droplets can be allowed to spread into the first region, and can be prevented from spreading outside the first region. As a result, it is possible to form a pattern with higher accuracy than in the conventional method of forming the pattern by removing the solvent after the ejected droplets spread on the ejection target surface.

ここで、液滴とレーザ光との相互作用とは、例えば、部分的光照射により生じた温度差による対流および物質移動、部分的気化(蒸発・沸騰)により生じる液滴を押し戻す力、光圧による液滴の運動量変化等を利用すること等が挙げられる。   Here, the interaction between the droplet and the laser beam is, for example, convection and mass transfer due to temperature difference caused by partial light irradiation, force to push back the droplet generated by partial vaporization (evaporation / boiling), light pressure, etc. For example, it is possible to use a change in the momentum of the droplet due to.

また、機能液とは、パターンを形成するための材料を含む溶質と溶媒、またはパターンを形成するための材料を含む分散質と分散媒を含む液体のことである。機能液としては、例えば、導電材料、バンク材料、絶縁材料、抵抗材料、誘電体材料、液体シリコン材料、エッチング材料、マーキング材料、接着材料、スペーサー材料、カラーフィルタ材料、光学レンズ材料、各種有機EL材料、チタニア分散材料等が挙げられる。   The functional liquid is a liquid containing a solute and a solvent containing a material for forming a pattern, or a dispersoid containing a material for forming a pattern and a dispersion medium. Examples of functional liquids include conductive materials, bank materials, insulating materials, resistive materials, dielectric materials, liquid silicon materials, etching materials, marking materials, adhesive materials, spacer materials, color filter materials, optical lens materials, and various organic ELs. Examples thereof include materials and titania-dispersed materials.

また、液滴の状態変化とは、溶媒(分散媒)等の気化による濃度(密度)変化や相変化、2液混合もしくは基材表面の物質との化学反応の進行もしくは光重合反応の進行による粘度変化や液相−固相変化、ゾルゲル反応等のことである。   In addition, the state change of the droplet is due to concentration (density) change due to vaporization of the solvent (dispersion medium), phase change, two-liquid mixing, progress of chemical reaction with the substance on the substrate surface, or progress of photopolymerization reaction. Changes in viscosity, liquid phase-solid phase change, sol-gel reaction, and the like.

好ましくは、前記第1の工程は、前記第3の工程の実施中に行われる。   Preferably, the first step is performed during the execution of the third step.

かかるパターン形成方法によれば、前記液滴が前記基体上に着弾して広がり始める前に、前記第3の領域にはレーザ光が照射されていることになる。したがって、前記液滴が前記第3の領域に入り込んだ瞬間にレーザ光との相互作用が始まり、前記第3の領域内にパターンが形成されることがより一層抑制され、より一層精度良いパターンの形成が可能となる。   According to this pattern forming method, the third region is irradiated with laser light before the droplets land on the substrate and begin to spread. Therefore, the interaction with the laser beam starts at the moment when the droplet enters the third region, and it is further suppressed that the pattern is formed in the third region, and the pattern with higher accuracy is obtained. Formation is possible.

好ましくは、前記第3の工程は、前記第3の領域が、前記液滴が前記基体上に着弾する位置を挟んで向かい合うように前記レーザ光を照射する。   Preferably, in the third step, the laser beam is irradiated so that the third region faces across the position where the droplets land on the substrate.

かかるパターン形成方法によれば、前記基体上に着弾した前記液滴の広がりを、両側から挟むようにして抑制できる。したがって、片側のみから前記広がりを抑制する形成方法に比べて、前記基体上により一層精度良いパターンを形成することが可能となる。   According to this pattern forming method, the spread of the droplets landed on the substrate can be suppressed by being sandwiched from both sides. Therefore, it is possible to form a pattern with higher accuracy on the substrate as compared with the formation method that suppresses the spread only from one side.

好ましくは、前記第3の工程は、前記レーザ光の照射強度を前記液滴の状態の変化に応じて変化させる。   Preferably, in the third step, the irradiation intensity of the laser light is changed in accordance with a change in the state of the droplet.

かかるパターン形成方法によれば、前記液滴に含まれる溶媒(分散媒)の濃度に応じて最適な照射強度を与えることができ、効率的に物質移動を行うことができる。また、基体上に着弾した前記液滴が前記第1の領域と前記第3の領域が接している線上まで後退している途中で定着してしまった場合でも、例えばアブレーション閾値以上のレーザーパルスを加えることで、物質を除去することが可能となり、前記基体上により一層精度良いパターンを形成することが可能となる。   According to such a pattern forming method, an optimum irradiation intensity can be given according to the concentration of the solvent (dispersion medium) contained in the droplet, and mass transfer can be performed efficiently. Even when the droplets that have landed on the substrate are fixed on the way back to the line where the first region and the third region are in contact with each other, for example, a laser pulse having an ablation threshold value or more is applied. In addition, the substance can be removed, and a more accurate pattern can be formed on the substrate.

好ましくは、前記第1の工程は、前記液滴を、前記基体上に間隔を空けて不連続的に吐出し、前記第3の工程は、前記第3の領域を、前記液滴が着弾する位置に合わせて連続的に移動させる。   Preferably, in the first step, the droplets are discontinuously ejected on the substrate at intervals, and in the third step, the droplets land on the third region. Move continuously according to the position.

かかるパターン形成方法によれば、前記第3の領域を連続的に移動させることにより、前記基体上に着弾した前記液滴の広がりを連続的に抑制しつつ前記液滴を吐出していくことができる。したがって、前記第3の領域の面積の大きさを一定に保ちながら直線状に伸びるパターンを形成できる。   According to such a pattern forming method, by continuously moving the third region, it is possible to discharge the droplets while continuously suppressing the spread of the droplets that have landed on the substrate. it can. Therefore, it is possible to form a pattern that extends linearly while keeping the size of the area of the third region constant.

好ましくは、前記第3の工程は、前記レーザ光を、吐出された前記液滴の周囲を囲む領域に照射する。   Preferably, in the third step, the region surrounding the periphery of the discharged droplet is irradiated with the laser beam.

かかるパターン形成方法によれば、前記基体上に着弾した液滴の周囲を囲むように前記第3の領域を設定するため、着弾後の前記液滴の広がりを、全周囲において抑制できる。したがって、前記基体上に、方形状等のパターンを、より一層精度良く形成することができる。   According to this pattern forming method, since the third region is set so as to surround the periphery of the droplet that has landed on the substrate, the spread of the droplet after landing can be suppressed over the entire periphery. Therefore, a square pattern or the like can be formed on the substrate with higher accuracy.

また、前記課題を解決するために、本発明に係るパターン形成方法は、パターンを形成するための材料を有する機能液からなる液滴を、当該液滴を吐出すべき基体上の、パターンを形成すべき第1の領域内に吐出する第1の工程と、前記第1の領域とは重複しない領域に前記レーザ光を照射する第2の工程と、前記第1の領域内に着弾した前記液滴の状態を変化させて、前記基体上にパターンを形成する第3の工程と、前記基体上に着弾した前記液滴が濡れ広がる第2の領域、または前記第2の領域を含む周辺領域から前記第1の領域を除いた領域である前記第3の領域に前記レーザ光が照射されるように、前記レーザ光が照射される領域の形状を変化させる第4の工程と、を含む。   In addition, in order to solve the above-described problem, the pattern forming method according to the present invention forms a pattern on a substrate on which a droplet is to be ejected using a functional liquid having a material for forming the pattern. A first step of discharging into the first region to be performed, a second step of irradiating the laser beam to a region that does not overlap with the first region, and the liquid that has landed in the first region From a third step of changing the state of the droplet to form a pattern on the substrate, a second region in which the droplet landed on the substrate spreads out, or a peripheral region including the second region And a fourth step of changing the shape of the region irradiated with the laser light so that the third region, which is the region excluding the first region, is irradiated with the laser light.

かかるパターン形成方法によれば、前記第1の領域とは重なっていなかった前記レーザ光が照射される領域(以下、「照射領域」と称する。)を、前記液滴の着弾後に、前記第3の領域を含むように変化させることで、前記基体上に着弾した前記液滴の部分のみと相互作用させ、前記液滴の体積を徐々に縮小させて前記液滴が着弾した位置に向けて押し戻すことができる。したがって、前記照射領域内に、前記パターンを形成するための材料が残留することを抑制でき、精度良いパターンを形成できる。   According to this pattern forming method, a region irradiated with the laser light that has not overlapped with the first region (hereinafter referred to as an “irradiation region”) is the third after the droplet has landed. By changing the area so as to include the area of the liquid droplets, it interacts with only the portion of the liquid droplets that have landed on the substrate, gradually reduces the volume of the liquid droplets, and pushes back toward the position where the liquid droplets have landed. be able to. Therefore, it is possible to suppress the material for forming the pattern from remaining in the irradiation region, and it is possible to form a pattern with high accuracy.

好ましくは、前記第1の工程は、前記第2の工程の実施中に行われる。   Preferably, the first step is performed during the execution of the second step.

前記パターン形成方法によれば、前記液滴が前記基体上に着弾して広がり始める前に、前記照射領域が形成されていることになる。したがって、前記照射領域に差し掛かった瞬間に、即ち前記照射領域に前記液滴が接触した瞬間に、前記液滴と前記レーザ光との相互作用が始まることになり、前記液滴が前記照射領域内まで達することがより一層抑制され、より一層精度良いパターンの形成が可能となる。   According to the pattern forming method, the irradiation region is formed before the droplet starts to land on the substrate and spread. Therefore, the interaction between the droplet and the laser beam starts at the moment when the droplet reaches the irradiation region, that is, the moment when the droplet contacts the irradiation region. Reaching this level is further suppressed, and a pattern with higher accuracy can be formed.

好ましくは、前記第2の工程は、前記レーザ光を、当該レーザ光が照射される領域が前記第2の領域に重ならないように照射する。   Preferably, in the second step, the laser beam is irradiated so that a region irradiated with the laser beam does not overlap the second region.

かかるパターン形成方法によれば、前記液滴が前記基体上に着弾後自然に濡れ広がる領域の外側の領域をレーザ光で照射する。したがって前記着弾点に若干の狂いが生じても、前記液滴が前記照射領域内に着弾し、前記レーザ光との相互作用により前記液滴が瞬時に状態変化して、前記第1の領域の外部に前記パターンを形成するための材料を残留させる可能性が減少し、前記着弾点の位置精度が形成されるパターンの精度に及ぼす影響を抑制できる。   According to this pattern forming method, the region outside the region where the droplets naturally spread after landing on the substrate is irradiated with laser light. Therefore, even if a slight deviation occurs in the landing point, the liquid droplets land in the irradiation region, and the state of the liquid droplets changes instantaneously due to the interaction with the laser beam, so that the first region The possibility of leaving the material for forming the pattern outside decreases, and the influence of the position accuracy of the landing point on the accuracy of the pattern to be formed can be suppressed.

好ましくは、前記液滴の状態を変化させるために、前記液滴に前記レーザ光を照射することにより行なう。   Preferably, in order to change the state of the droplet, the droplet is irradiated with the laser light.

かかるパターン形成方法によれば、前記液滴の広がりを停止させるために用いるレーザ光を、前記溶媒の除去手段や定着したパターンの改質手段としても用いることができるので、コストを上昇させずに生産性を向上させることができる。   According to this pattern forming method, the laser beam used to stop the spread of the droplets can be used as the solvent removing means and the fixed pattern modifying means, so that the cost is not increased. Productivity can be improved.

また、前記課題を解決するために、本発明に係る液滴吐出装置は、パターンを形成するための材料を有する機能液からなる液滴を、当該液滴を吐出すべき基体のパターンを形成すべき領域内に吐出可能な液滴吐出手段と、前記液滴を吐出すべき物体を保持する保持手段と、前記基体の任意の領域にレーザ光を照射可能なレーザ光照射手段と、を有する。   In order to solve the above problems, a droplet discharge device according to the present invention forms a pattern of a substrate on which a droplet from a functional liquid having a material for forming a pattern is to be discharged. A droplet discharge unit capable of discharging into a region to be discharged; a holding unit configured to hold an object from which the droplet is to be discharged; and a laser beam irradiation unit capable of irradiating a laser beam on an arbitrary region of the substrate.

かかる液滴吐出装置によれば、前記保持手段により保持された基体に着弾した前記液滴が、前記基体の表面を広がる現象を、レーザ光の照射で液滴と相互作用させることにより抑制することができる。したがって、着弾した前記液滴の広がりを抑制する手段を有しない液滴吐出装置に比べてパターンの制御性が向上し、精度良いパターンの形成ができる。   According to such a droplet discharge device, the phenomenon that the droplet that has landed on the substrate held by the holding means spreads on the surface of the substrate is suppressed by interacting with the droplet by laser light irradiation. Can do. Therefore, the controllability of the pattern is improved and a pattern can be formed with high accuracy compared to a droplet discharge device that does not have a means for suppressing the spread of the landed droplets.

好ましくは、前記レーザ光照射手段は、少なくともレーザ光を発生させる光源と、前記レーザ光を回折させる回折光学素子と、を有する。   Preferably, the laser light irradiation means includes at least a light source that generates laser light and a diffractive optical element that diffracts the laser light.

かかる液滴吐出装置によれば、前記回折光学素子に前期レーザ光を透過させる事により、前記レーザ光が照射される領域の大きさや形状を容易に変更できるので、前記基体に形成するパターンの高精度化を、装置コストの上昇を抑制しつつ実施できる。   According to such a droplet discharge device, the size and shape of the region irradiated with the laser beam can be easily changed by transmitting the laser beam to the diffractive optical element in the previous period. Accuracy can be implemented while suppressing an increase in device cost.

(第1の実施形態)
以下、本発明に係る液滴吐出法によるパターン形成方法、及び液滴吐出装置の実施形態について、図面を参照して説明する。まず、本実施形態に係る液滴吐出装置について、図1を参照して説明する。
(First embodiment)
Embodiments of a pattern forming method using a droplet discharge method and a droplet discharge apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. First, the droplet discharge device according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

図1は、本実施形態に係る、ピエゾ素子(圧電素子)が電気信号の印加により変形する性質を利用した電気機械変換方式の液滴吐出手段10と、波長が810nmのレーザ光を照射する半導体レーザーアレイに、回折光学素子を組み合わせたレーザ光照射手段20と、パターンを形成すべき基体としての基板(以下、単に「基板」と称する。)40を保持してXY方向、すなわち平面方向に移動可能な基板保持手段30と、を備えた液滴吐出装置の概略断面図である。   FIG. 1 shows an electromechanical conversion type droplet discharge means 10 that utilizes the property that a piezoelectric element (piezoelectric element) is deformed by application of an electrical signal, and a semiconductor that emits laser light having a wavelength of 810 nm, according to the present embodiment. Laser beam irradiation means 20 combining a diffractive optical element and a substrate (hereinafter simply referred to as “substrate”) 40 on which a pattern is to be formed are held in a laser array and moved in the XY direction, that is, in the plane direction. 2 is a schematic cross-sectional view of a droplet discharge device including a possible substrate holding means 30. FIG.

液滴吐出手段は、下側にノズルプレート102が備えられ、その下面には後述する機能液Bから液滴Aを形成し、後述する対面する基板40に液滴Aを吐出する円形孔のノズル106が形成されている。ノズルプレート102の上面には圧力室としてのキャビティ108が形成されている。キャビティ108は、それぞれ対応する連通孔110、及び供給路112を介して、図示しない収容タンクに導通し、タンク内に収納されている機能液Bをノズル106まで供給する。なお、各実施形態、及び変形例における機能液Bとは、溶媒(分散媒)Dにパターン形成材料のCを溶解(分散)して得られる液である。   The droplet discharge means is provided with a nozzle plate 102 on the lower side, and forms a droplet A from a functional liquid B described later on the lower surface thereof, and a circular hole nozzle that discharges the droplet A onto a facing substrate 40 described later. 106 is formed. A cavity 108 as a pressure chamber is formed on the upper surface of the nozzle plate 102. The cavities 108 are electrically connected to a storage tank (not shown) via the corresponding communication holes 110 and supply paths 112, and supply the functional liquid B stored in the tank to the nozzle 106. The functional liquid B in each embodiment and modification is a liquid obtained by dissolving (dispersing) the pattern forming material C in the solvent (dispersion medium) D.

キャビティ108の上方には、振動板104が備えられている。振動板は、厚さが約2μmのポリフェニ連サルファイドフィルムであり、上下方向に振動可能に貼り付けられ、その振動によりキャビティ108内の容積を拡大、及び縮小する。振動板の上方には、ピエゾ素子114が配置されている。ピエゾ素子114は、図示しない制御装置から供給される駆動信号を受けて収縮、又は伸張し、振動板104を上下方向に振動させる。そして、ピエゾ素子114が振動すると、キャビティ108内の容積が拡大、又は縮小し、縮小した分の容積に対応する機能液Bが、ノズル106から液滴Aとして吐出される。   A diaphragm 104 is provided above the cavity 108. The diaphragm is a polyphenylene sulfide film having a thickness of about 2 μm, and is attached so as to be able to vibrate in the vertical direction, and the volume in the cavity 108 is enlarged and reduced by the vibration. A piezo element 114 is disposed above the diaphragm. The piezo element 114 contracts or expands in response to a drive signal supplied from a control device (not shown), and vibrates the diaphragm 104 in the vertical direction. When the piezo element 114 vibrates, the volume in the cavity 108 expands or contracts, and the functional liquid B corresponding to the reduced volume is ejected as a droplet A from the nozzle 106.

レーザ光照射手段20は、筐体122内に備えられている半導体レーザーアレイ124、コリメータ126、回折光学素子128、反射鏡130、及び、対物レンズ132で形成されている。コリメータ126は、半導体レーザーアレイ124から出射される波長が810nmのレーザ光を平行光束にして回折光学素子128に導く。回折光学素子128は、前記光束の断面形状(光束に垂直な面に照射される形状)を光束方向に渡って任意の形状に加工する。反射鏡130は、前記光束に対する角度を調整可能であり、前記加工後の光束を基板表面の上述した着弾すべき目標位置44の近辺に導く。そして、対物レンズ132は、反射鏡130により反射されたレーザ光を着弾すべき目標位置44近辺の領域に集光する。   The laser beam irradiation means 20 is formed by a semiconductor laser array 124, a collimator 126, a diffractive optical element 128, a reflecting mirror 130, and an objective lens 132 provided in a housing 122. The collimator 126 guides the laser beam having a wavelength of 810 nm emitted from the semiconductor laser array 124 to the diffractive optical element 128 as a parallel beam. The diffractive optical element 128 processes the cross-sectional shape of the light beam (the shape irradiated on the surface perpendicular to the light beam) into an arbitrary shape in the light beam direction. The reflecting mirror 130 can adjust the angle with respect to the light beam, and guides the processed light beam to the vicinity of the target position 44 to be landed on the substrate surface. Then, the objective lens 132 condenses the laser light reflected by the reflecting mirror 130 in a region near the target position 44 where it should land.

そして基板保持手段30は、ガラス等の基板40を保持し、所定の範囲内において当該基板を平面方向に移動させることができ、ノズル106のほぼ直下に後述するパターン形成領域(図2参照)を位置させることができる。   The substrate holding means 30 holds the substrate 40 such as glass, and can move the substrate in the plane direction within a predetermined range. A pattern formation region (see FIG. 2) described later is provided almost directly below the nozzle 106. Can be positioned.

以上の構成により、本実施形態に係る液滴吐出装置は、基板40の表面の任意の位置に吐出した液滴Aを着弾させ、同時に着弾すべき目標位置44の周辺に任意の形状の領域にレーザ光を照射できる。そして、レーザ光が照射される領域が着弾した液滴Aの広がりを抑制させることができ、基板40の表面にパターン形成材料Cからなる精度良いパターンを形成できる。   With the configuration described above, the droplet discharge device according to the present embodiment causes the droplet A discharged at any position on the surface of the substrate 40 to land, and at the same time, in a region of any shape around the target position 44 to be landed. Laser light can be irradiated. Then, the spread of the droplet A landed on the region irradiated with the laser beam can be suppressed, and a pattern made of the pattern forming material C can be formed on the surface of the substrate 40 with high accuracy.

なお、パターン形成工程においては、着弾すべき目標位置44と液滴Aが実際に着弾する位置(以下、「着弾点」という。)とは完全には一致せずに、着弾すべき目標位置44を中心とする、液滴吐出手段の精度等で定まる所定の範囲内に着弾する。着弾した液滴Aは着弾点を中心に広がるが、着弾点を検出する機構は備えられておらず、また、液滴の着弾前からレーザ光の照射を行うため、液滴Aは着弾すべき目標位置44に着弾するものと仮定してレーザ光を照射する。また、前記図1では液滴Aを吐出するノズル106を1つとして図示してあるが、本発明の実施においては、ノズルは1つに限るものではなく、複数のノズルを用いることも可能である。また、レーザ光の波長も810nmに限定されるものではない。   In the pattern formation step, the target position 44 to land and the position where the droplet A actually landed (hereinafter referred to as “landing point”) do not completely coincide with each other, and the target position 44 to land. Centering on the surface of the droplet, and landing within a predetermined range determined by the accuracy of the droplet discharge means. The landed droplet A spreads around the landing point, but there is no mechanism for detecting the landing point, and since the laser beam is irradiated before the droplet reaches, the droplet A should land The laser beam is irradiated assuming that the target position 44 is landed. In FIG. 1, the nozzle 106 that discharges the droplet A is illustrated as one, but in the practice of the present invention, the number of nozzles is not limited to one, and a plurality of nozzles may be used. is there. Further, the wavelength of the laser beam is not limited to 810 nm.

図2は、本実施形態の液滴吐出法によるパターン形成方法を示すものであり、基板40上に配線状のパターンを形成する場合を、配線に垂直な方向から見た工程断面図である。まず図2(a)に示すように、パターンが形成されるべき領域(以下、「パターン形成領域」という。)202に隣接する領域204に対しレーザ光の照射を開始する。次に、図2(b)に示すように、パターン形成領域202の中心線上に位置する、着弾すべき目標位置44を狙って、機能液Bの液滴Aをノズル106から吐出する。着弾すべき目標位置44の近辺に着弾した液滴Aは、図2(c)に示すように、広がり始める。そして、上述した広がりは、図2(d)に示すように照射領域204に差し掛かる。そして、照射領域204内で照射されたレーザ光と液滴Aが相互作用を起こし、液滴A中の溶媒(分散媒)Dの一部が気化し始める。その気化により生じる気体の流れ、及び、温度勾配の発生に伴う表面張力の働き等により矢印方向に物質の流れが生じ、前記広がりは抑制され、液滴Aは着弾すべき目標位置44に向けて収縮する。そして、図2(e)に示すように、パターン形成領域202内に液滴Aの広がりが収まった時点でレーザ光の照射を停止する。液滴Aは溶媒(分散媒)Dの一部が気化することにより全体の体積が減少し、液滴A中に占めるパターン形成材料Cの比率が上昇した状態である。そして最後に、図2(f)に示すように、液滴Aから溶媒(分散媒)Dを完全に除去して、パターン形成材料Cからなる配線状のパターンを基板40上に形成する。   FIG. 2 shows a pattern forming method by the droplet discharge method of this embodiment, and is a process sectional view when a wiring pattern is formed on the substrate 40 as seen from a direction perpendicular to the wiring. First, as shown in FIG. 2A, irradiation of laser light is started on a region 204 adjacent to a region where a pattern is to be formed (hereinafter referred to as “pattern formation region”) 202. Next, as shown in FIG. 2B, the droplet A of the functional liquid B is ejected from the nozzle 106 aiming at the target position 44 to be landed, which is located on the center line of the pattern formation region 202. The droplet A that has landed in the vicinity of the target position 44 to land begins to spread as shown in FIG. The spread described above reaches the irradiation region 204 as shown in FIG. Then, the laser beam irradiated in the irradiation region 204 interacts with the droplet A, and a part of the solvent (dispersion medium) D in the droplet A starts to vaporize. The flow of the substance is generated in the direction of the arrow due to the gas flow generated by the vaporization and the action of the surface tension accompanying the generation of the temperature gradient. Shrink. Then, as shown in FIG. 2E, the irradiation of the laser beam is stopped when the spread of the droplet A falls within the pattern formation region 202. The droplet A is in a state in which a part of the solvent (dispersion medium) D is vaporized to reduce the entire volume, and the ratio of the pattern forming material C in the droplet A is increased. Finally, as shown in FIG. 2 (f), the solvent (dispersion medium) D is completely removed from the droplet A to form a wiring pattern made of the pattern forming material C on the substrate 40.

なお、液滴Aから溶媒(分散媒)Dを完全に除去する手段としても、レーザ光の照射を用いることができる。   Laser light irradiation can also be used as means for completely removing the solvent (dispersion medium) D from the droplet A.

図3は、第1の実施形態に係る照射領域204の形状と、液滴Aが吐出される着弾すべき目標位置44の配置を示す。上述したように配線状のパターンを形成する場合の例であり、直線状に伸びるパターン形成領域202の両側に照射領域204がある。そして、パターン形成領域202の中心線304上に複数の着弾すべき目標位置44が実質的に等しい間隔に設定されており、着弾すべき目標位置44に向けて順次液滴Aが吐出される。そして着弾すべき目標位置44の近辺に着弾した液滴Aは、上述した仕組により照射領域204までははみ出ず、パターン形成領域202内に留まることにより配線状のパターンが形成される。なお、着弾後の液滴Aの広がりが抑制される方向は、中心線304に直角方向のみで、中心線304方向には通常の液滴吐出法と同様に広がり得る。したがって、配線膜厚(配線の高さ)には影響を与えずに、精度良い配線状のパターンを形成できる。   FIG. 3 shows the shape of the irradiation region 204 according to the first embodiment and the arrangement of the target position 44 where the droplet A is to be ejected. As described above, this is an example of forming a wiring pattern, and there are irradiation regions 204 on both sides of a pattern forming region 202 extending linearly. A plurality of target positions 44 to be landed are set at substantially equal intervals on the center line 304 of the pattern formation region 202, and the droplets A are sequentially discharged toward the target position 44 to be landed. Then, the droplet A that has landed in the vicinity of the target position 44 to be landed does not protrude to the irradiation region 204 by the above-described mechanism, and remains in the pattern formation region 202 to form a wiring pattern. The direction in which the spread of the droplet A after landing is suppressed is only in the direction perpendicular to the center line 304, and can spread in the direction of the center line 304 in the same manner as in the normal droplet discharge method. Therefore, an accurate wiring pattern can be formed without affecting the wiring film thickness (wiring height).

(第2の実施形態)
図4に、本発明の第2の実施形態に係る照射領域204の形状と、液滴Aの吐出位置を示す。本実施形態に用いる液滴吐出装置、及びパターン形成方法は、第1の実施形態の図1、及び図2に示すものと同様であり、照射領域204の形状のみが異なっている。後述する第3の実施形態、及び第4の実施形態も同様である。
(Second Embodiment)
FIG. 4 shows the shape of the irradiation region 204 and the ejection position of the droplet A according to the second embodiment of the present invention. The droplet discharge device and the pattern forming method used in this embodiment are the same as those shown in FIGS. 1 and 2 of the first embodiment, and only the shape of the irradiation region 204 is different. The same applies to a third embodiment and a fourth embodiment described later.

一列に並ぶ着弾すべき目標位置44の片側に照射領域204がある。そして、着弾すべき目標位置44は照射領域204に沿って並ぶ一列だけではなく、当該一列を挟む、照射領域204とは反対側の領域にも複数存在している。当該一列に着弾した液滴Aの広がりは、照射領域204で抑制され、その他の着弾すべき目標位置44に着弾した液滴Aは、自然な広がりにまかされる。片側のみ、着弾した液滴Aの広がりを抑制でき、端部の境界は厳密であるパターンの形成に有効である。   There is an irradiation area 204 on one side of the target positions 44 to be landed in a line. The target positions 44 to be landed are not only in a single line along the irradiation area 204 but also in a plurality of areas on the opposite side of the irradiation area 204 across the single line. The spread of the droplets A that have landed in one row is suppressed in the irradiation region 204, and the droplets A that have landed on other target positions 44 to be landed are spread naturally. Only on one side can the spread of the landed droplet A be suppressed, and the boundary of the end is effective for forming a strict pattern.

(第3の実施形態)
図5に、本発明の第3の実施形態に係る照射領域204の形状と、液滴Aの吐出位置を示す。照射領域204は方形ではなく、複数の着弾すべき目標位置44の周囲を囲む枠状である。着弾した液滴の広がりは全周囲に渡って抑制されるので、独立した飛び石状の精度良いパターンを形成できる。なお、図5では4角形の枠状の照射領域204の中に一つの液滴Aを着弾させる例を示したが、照射領域204の形状は4角形に限るものではなく、回折光学素子132の選択により任意の形状、例えば円形、あるいは屈折部を有するパターン等にすることもできる。また着弾すべき目標位置44を複数設けず、1つの枠状の照射領域204の中に1つの着弾すべき目標位置44を設定することも可能である。
(Third embodiment)
FIG. 5 shows the shape of the irradiation region 204 and the discharge position of the droplet A according to the third embodiment of the present invention. The irradiation area 204 is not rectangular but has a frame shape surrounding a plurality of target positions 44 to be landed. Since the spread of the landed droplets is suppressed over the entire circumference, an independent stepping stone-like pattern can be formed. 5 shows an example in which one droplet A is landed in the rectangular frame-shaped irradiation region 204, the shape of the irradiation region 204 is not limited to the quadrangular shape. An arbitrary shape, for example, a circular shape or a pattern having a refracting portion can be formed by selection. It is also possible to set one target position 44 to be landed in one frame-shaped irradiation region 204 without providing a plurality of target positions 44 to land.

(第4の実施形態)
図6に、本発明の第4の実施形態に係る照射領域204の形状と、液滴Aの着弾すべき目標位置44を示す。照射領域204は、環状のパターン形成領域202に略等間隔に配列された複数の着弾すべき目標位置44を、内側、及び外側の双方から囲む2重の形状である。着弾した液滴Aは、内側、及び外側の双方の側から、レーザ光の照射により広がりが抑制されるので、任意の幅と形状の枠状のパターンが形成される。なお、上述の第3の実施形態と同様に、照射領域204の形状は図示するような方形に限定されるものではなく、円形等の他の形状でも可能である。
(Fourth embodiment)
FIG. 6 shows the shape of the irradiation region 204 according to the fourth embodiment of the present invention and the target position 44 where the droplet A should land. The irradiation region 204 has a double shape that surrounds a plurality of target positions 44 to be landed arranged at substantially equal intervals in the annular pattern formation region 202 from both the inside and the outside. Since the spread droplet A is suppressed from being irradiated with laser light from both the inner side and the outer side, a frame-like pattern having an arbitrary width and shape is formed. Note that, similarly to the third embodiment described above, the shape of the irradiation region 204 is not limited to a square as shown in the figure, and may be other shapes such as a circle.

(第5の実施形態)
図7の(a)〜(d)に、第5の実施形態におけるパターン形成方法を、基板上に配線状のパターンを形成する場合を例として示す。図2と同様に配線に垂直な方向から見た、工程断面図である。図2(a)〜図2(c)に示す、レーザ光が照射されている基板上に吐出された液滴Aが広がり始めるところまでは、第1の実施形態と共通する工程なので、図示は省略してある。したがって、図7(a)は、図2(d)に相当する状態、すなわちパターン形成領域202の両側の第1の照射領域702にレーザ光を照射し、パターン形成領域202内の着弾すべき目標位置44の近辺に、溶媒(分散媒)Dとパターン形成材料Cとからなる機能液Bの液滴Aを着弾させ、基板上を広がり始めた液滴Aが第1の照射領域702に差し掛かった状態である。液滴A中の溶媒(分散媒)Dがレーザ光との相互作用により気化し始め、その気化により生じる気体の流れ、及び、温度勾配の発生に伴う表面張力の働きにより矢印方向に物質の流れが生じ、前記広がりが着弾すべき目標位置44に向けて収縮し始めた状態である。この状態を、前記レーザ光の照射がなくても前記広がりが停止するまで暫時保つ。ここで、第1の照射領域702は、第1〜4の実施形態の照射領域204とは異なり、パターン形成領域202に隣接せず、若干の間隙をもって存在する領域である。
(Fifth embodiment)
7A to 7D show a pattern forming method according to the fifth embodiment as an example in which a wiring pattern is formed on a substrate. FIG. 3 is a process cross-sectional view seen from a direction perpendicular to the wiring as in FIG. 2. Since the steps shown in FIGS. 2A to 2C are the same as those in the first embodiment until the droplet A ejected on the substrate irradiated with the laser beam starts spreading, the illustration is shown. It is omitted. Accordingly, FIG. 7A shows a state corresponding to FIG. 2D, that is, the target to be landed in the pattern formation region 202 by irradiating the first irradiation region 702 on both sides of the pattern formation region 202 with laser light. In the vicinity of the position 44, the droplet A of the functional liquid B composed of the solvent (dispersion medium) D and the pattern forming material C was landed, and the droplet A started to spread on the substrate approached the first irradiation region 702. State. The solvent (dispersion medium) D in the droplet A starts to vaporize due to the interaction with the laser beam, and the material flow in the direction of the arrow due to the gas flow generated by the vaporization and the surface tension accompanying the generation of the temperature gradient. This is a state in which the spread starts to shrink toward the target position 44 where it should land. This state is maintained for a while until the spread stops even without the irradiation of the laser beam. Here, unlike the irradiation region 204 of the first to fourth embodiments, the first irradiation region 702 is a region that is not adjacent to the pattern formation region 202 and has a slight gap.

次に図7(b)に示すように、第1のレーザ光の照射領域702を着弾すべき目標位置44に近づく方向に移動させ、パターン形成領域202に隣接する第2の照射領域704にレーザ光が照射されるようにする。基板上に広がった液滴Aとレーザ光の照射領域が一部重なることにより、溶媒(分散媒)Dの気化が再開して液滴Aの体積が再び減少し始める。溶媒(分散媒)Dの気化により生じる気体の流れ、及び、温度勾配の発生に伴う表面張力の働きにより矢印方向に物質の流れが生じ、前記広がりが着弾すべき目標位置44に向けて再び収縮し始める。次に図7(c)に示すように、液滴Aの体積が充分に減少した時点でレーザ光の照射を停止する。溶媒(分散媒)Dが大幅に減少しているので、レーザ光の照射領域を停止しても、液滴Aがパターン形成領域202を超えることはない。最後に、図7(d)に示すように、液滴Aから溶媒(分散媒)Dを完全に除去し、パターン形成材料Cからなる配線状のパターンを基板40上に形成する。   Next, as shown in FIG. 7B, the irradiation region 702 of the first laser beam is moved in a direction approaching the target position 44 to be landed, and the laser is applied to the second irradiation region 704 adjacent to the pattern formation region 202. Let it be irradiated with light. When the droplet A spreading on the substrate partially overlaps with the laser light irradiation region, the evaporation of the solvent (dispersion medium) D resumes and the volume of the droplet A begins to decrease again. The gas flow generated by the vaporization of the solvent (dispersion medium) D and the surface tension accompanying the generation of the temperature gradient cause a material flow in the direction of the arrow, and the shrinkage is again contracted toward the target position 44 where the spread should land. Begin to. Next, as shown in FIG. 7C, when the volume of the droplet A is sufficiently reduced, the laser beam irradiation is stopped. Since the solvent (dispersion medium) D is greatly reduced, the droplet A does not exceed the pattern formation region 202 even if the laser light irradiation region is stopped. Finally, as shown in FIG. 7D, the solvent (dispersion medium) D is completely removed from the droplets A, and a wiring pattern made of the pattern forming material C is formed on the substrate 40.

本実施形態によれば、基板40に着弾した液滴A中の溶媒(分散媒)Dをある程度気化させて液滴Aの体積を減少させた後に、レーザ光を照射する領域を着弾すべき目標位置44に向けて移動させることにより、広がりが停止した液滴Aをさらに着弾すべき目標位置44に向けて押し戻せる。したがって、レーザ光を照射する領域を固定するパターン形成方法に比べ、より一層の精度良いパターンを形成できる。   According to this embodiment, after the solvent (dispersion medium) D in the droplet A that has landed on the substrate 40 is vaporized to some extent to reduce the volume of the droplet A, the target to be landed on the region irradiated with the laser light By moving toward the position 44, the droplet A that has stopped spreading can be pushed back toward the target position 44 where it should land. Therefore, a pattern with higher accuracy can be formed as compared with a pattern forming method in which a region irradiated with laser light is fixed.

なお、配線パターンを形成するために吐出する主な液滴として、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液や、有機銀化合物や酸化銀ナノ粒子を溶媒に分散した分散液からなるものが挙げられる。導電性微粒子としては、例えば、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーの微粒子などが好ましい。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるため、表面に有機物等をコーティングして用いることが好ましい。コーティング剤としては、例えばキシレン、トルエン等の有機溶剤やクエン酸等が好ましい。   The main droplets ejected to form the wiring pattern include a dispersion liquid in which conductive fine particles are dispersed in a dispersion medium and a dispersion liquid in which organic silver compounds or silver oxide nanoparticles are dispersed in a solvent. Can be mentioned. As the conductive fine particles, for example, metal fine particles containing any one of gold, silver, copper, palladium and nickel, oxides thereof, and fine particles of conductive polymer are preferable. These conductive fine particles are preferably used with a surface coated with an organic substance or the like in order to improve dispersibility. As the coating agent, for example, organic solvents such as xylene and toluene, citric acid, and the like are preferable.

前記導電性微粒子の粒径は1nm以上100nm以下であることが好ましい。100nmより大きいとノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、1nmより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。   The conductive fine particles preferably have a particle size of 1 nm to 100 nm. If it is larger than 100 nm, the nozzle may be clogged. On the other hand, if it is smaller than 1 nm, the volume ratio of the coating agent to the conductive fine particles becomes large, and the ratio of the organic matter in the obtained film becomes excessive.

分散媒としては、前記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、n−ヘプタン、n−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンデン、テトラヒデロナフタレン、デカヒデロナフタレン、シクロヘキシルベンゼン等の炭化水素系化合物、また、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル等のエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノントウの極性化合物を用いることができる。これらのうち、微粒子の分散性と分散媒との安定性、また液滴吐出方への適用の容易さの点、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい溶媒としては、水、炭化水素系化合物がある。   The dispersion medium is not particularly limited as long as it can disperse the conductive fine particles and does not cause aggregation. For example, in addition to water, alcohols such as methanol, ethanol, propanol and butanol, n-heptane, n-octane, decane, dodecane, tetradecane, toluene, xylene, cymene, durene, indene, dipentene, tetrahydronaphthalene, deca Hydrocarbon compounds such as hyderonaphthalene and cyclohexylbenzene, ether compounds such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, and ethylene glycol methyl ethyl ether, as well as propylene carbonate, γ-butyrolactone, and N-methyl-2-pyrrolidone , Polar compounds of dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, and cyclohexanone tow can be used. Among these, water, alcohols, hydrocarbon compounds, and ether compounds are preferable, and more preferable solvents are the dispersibility of the fine particles and the stability of the dispersion medium, and the ease of application to the droplet discharge method. There are water and hydrocarbon compounds.

前記導電性微粒子の分散媒の表面張力は0.02N/m以上、0.07N/m以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法にて液滴を吐出する際、表面張力が0.02N/m未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するので飛行曲がりが生じやすくなり、表面張力が0.07N/mを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため、吐出量や吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため前記分散媒には、基板との接触角を大きくは低下させない範囲でフッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加する事が好ましい。ノニオン系表面張力調節剤は、液滴の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良する。前記表面張力調節剤は、必要に応じてアルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでも良い。   The surface tension of the dispersion medium of the conductive fine particles is preferably in the range of 0.02 N / m or more and 0.07 N / m or less. When ejecting droplets by the droplet ejection method, if the surface tension is less than 0.02 N / m, the wettability of the ink composition with respect to the nozzle surface increases, and thus flight bending easily occurs, and the surface tension is 0. If it exceeds 0.07 N / m, the shape of the meniscus at the tip of the nozzle is not stable, and it becomes difficult to control the discharge amount and the discharge timing. In order to adjust the surface tension, it is preferable to add a small amount of a surface tension adjusting agent such as a fluorine-based material, a silicone-based material, or a nonionic-based material to the dispersion medium as long as the contact angle with the substrate is not greatly reduced. The nonionic surface tension modifier improves the wettability of the droplets to the substrate and improves the leveling property of the film. The surface tension modifier may contain an organic compound such as alcohol, ether, ester, or ketone, if necessary.

前記液滴の粘度は、1mPa・s以上50mPa・s以下であることが好ましい。液滴を吐出する際、粘度が1mPa・sより小さい場合にはノズル周辺部が液滴の流出により汚染されやすく、また、粘度が50mPa・sより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難になる。   The viscosity of the droplet is preferably 1 mPa · s or more and 50 mPa · s or less. When a droplet is ejected, if the viscosity is less than 1 mPa · s, the peripheral portion of the nozzle is likely to be contaminated by the outflow of the droplet, and if the viscosity is greater than 50 mPa · s, the frequency of clogging in the nozzle hole is high. It becomes high and it becomes difficult to smoothly discharge droplets.

なお、配線パターンを形成する方法として、具体例として上記の通り、分散液について例示したが、分散液に限らず金属イオンや金属錯体、導電性高分子等を溶解した溶液でも本実施形態を適用することができる。   As a method for forming the wiring pattern, the dispersion liquid is exemplified as described above as a specific example. However, the present embodiment is not limited to the dispersion liquid but is applied to a solution in which metal ions, metal complexes, conductive polymers, and the like are dissolved. can do.

上述した実施形態では、基板40上に液滴Aを吐出する手段として電気機械変換方式を挙げたが、本発明に適用可能な吐出手段はそれに限定されるものではなく、帯電制御方式、加圧振動方式、電気熱変換方式、静電吸引方式等も適用可能である。   In the above-described embodiment, the electromechanical conversion method is described as the means for discharging the droplet A onto the substrate 40. However, the discharge means applicable to the present invention is not limited thereto, and the charging control method, the pressurization method, and the like. A vibration method, an electrothermal conversion method, an electrostatic suction method, or the like is also applicable.

帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で当該材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また加圧振動方式は、材料に30kg/cm2程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものである。また電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒーターにより当該材料を急激に加熱してバブルを発生させ、当該バブルの圧力により空間内の材料を吐出させるものである。また静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。 In the charge control method, a charge is applied to a material with a charging electrode, and the flight direction of the material is controlled with a deflection electrode and discharged from a nozzle. In the pressurization vibration method, an ultra-high pressure of about 30 kg / cm 2 is applied to the material to discharge the material to the nozzle tip side. In the electrothermal conversion method, bubbles are generated by rapidly heating the material with a heater provided in the space in which the material is stored, and the material in the space is discharged by the pressure of the bubble. In the electrostatic attraction method, a minute pressure is applied to the space in which the material is stored to form a meniscus of the material on the nozzle, and the material is pulled out after an electrostatic attractive force is applied in this state.

(変形例1)
上述した各実施形態では、略平坦な基板上にパターン形成材料が分散された液滴を吐出するものであり、パターンを形成すべき領域は物理的に確定しているものではなかった。しかし本発明によるパターン形成方法はそれに限定されるものではなく、隔壁で周囲を囲まれた領域に液滴吐出法によりパターンを形成する場合にも適用できる。
(Modification 1)
In each of the above-described embodiments, a droplet in which a pattern forming material is dispersed is ejected on a substantially flat substrate, and a region where a pattern is to be formed is not physically determined. However, the pattern forming method according to the present invention is not limited thereto, and can also be applied to a case where a pattern is formed by a droplet discharge method in a region surrounded by a partition wall.

図8の(a)〜(e)に本変形例によるパターン形成方法の概略の工程断面図を示す。まず、図8(a)に示すように、基板40上に隔壁材料層802を形成する。次に、図8(b)に示すように、隔壁材料層802の一部を選択的に除去してパターン形成領域202を囲む隔壁804を形成する。次に、図8(c)に示すように、隔壁804の上面にレーザ光を照射する。次に、図8(d)に示すように、上面にレーザ光の照射が継続されている隔壁804で囲まれたパターン形成領域202内の着弾すべき目標位置44に、パターン形成材料Cと溶媒(分散媒)Dからなる機能液の液滴Aを吐出する。隔壁804の上面にはレーザ光が照射されているため、液滴Aが隔壁804の上面に達しても、レーザ光との相互作用によりパターン形成領域202内に戻る力が働く。したがって、着弾した液滴Aは、パターン形成領域202に留まり、隔壁804の外部、あるいは隔壁804の上面にはみ出すことはない。液滴Aがパターン形成領域202に着弾し若干の時間経過後に、レーザ光の照射を停止する。そして、図8(e)に示すように、液滴A内の溶媒(分散媒)Dを除去して、パターン形成領域202内にパターン形成材料Cからなる機能層を形成する。
本変形例によれば、隔壁804の上面に撥水加工を行なわずに隔壁804の外部に機能液が漏れることを抑制でき、隔壁804で囲まれた領域内に機能層を形成する工程についての生産性を向上させることができる。
8A to 8E show schematic process cross-sectional views of the pattern forming method according to this modification. First, as shown in FIG. 8A, a partition wall material layer 802 is formed on the substrate 40. Next, as shown in FIG. 8B, a part of the partition material layer 802 is selectively removed to form a partition 804 that surrounds the pattern formation region 202. Next, as shown in FIG. 8C, the upper surface of the partition 804 is irradiated with laser light. Next, as shown in FIG. 8D, the pattern forming material C and the solvent are placed at the target position 44 to be landed in the pattern forming region 202 surrounded by the partition wall 804 whose upper surface is continuously irradiated with the laser beam. A droplet A of a functional liquid composed of (dispersion medium) D is discharged. Since the upper surface of the partition wall 804 is irradiated with laser light, even when the droplet A reaches the upper surface of the partition wall 804, a force to return into the pattern formation region 202 is exerted by interaction with the laser light. Accordingly, the landed droplet A remains in the pattern formation region 202 and does not protrude outside the partition wall 804 or on the top surface of the partition wall 804. After the droplet A has landed on the pattern formation region 202 and a little time has passed, the irradiation of the laser beam is stopped. Then, as shown in FIG. 8E, the solvent (dispersion medium) D in the droplet A is removed, and a functional layer made of the pattern forming material C is formed in the pattern forming region 202.
According to this modification, the functional liquid can be prevented from leaking to the outside of the partition wall 804 without performing water repellency processing on the upper surface of the partition wall 804, and the functional layer is formed in the region surrounded by the partition wall 804. Productivity can be improved.

(変形例2)
上述した各実施形態では、パターン形成材料を溶質とする液滴を吐出し、レーザ光の照射により広がりを抑制して精度良いパターンを形成していた。しかし本発明によるパターン形成方法はそれに限定されるものではなく、パターン形成材料層が全面に形成された基板上にマスク形成材料と溶媒とからなる液滴を吐出してマスクを形成し、当該パターン形成材料層のマスクで覆われていない領域をエッチングにより除去してパターンを形成する場合にも適用できる。
(Modification 2)
In each of the embodiments described above, droplets having a pattern forming material as a solute are ejected, and the pattern is formed with high accuracy by suppressing the spread by laser light irradiation. However, the pattern forming method according to the present invention is not limited thereto, and a mask is formed by discharging droplets of a mask forming material and a solvent onto a substrate on which a pattern forming material layer is formed on the entire surface. The present invention can also be applied to the case where a pattern is formed by removing a region of the forming material layer that is not covered with a mask by etching.

図9の(a)〜(e)に本変形例によるパターン形成方法の概略の工程断面図を示す。まず、図9(a)に示すように、基板40上の全面にパターン形成材料層902を形成する。次に、図9(b)に示すように、パターン形成材料層902のうちのパターン形成領域202の周囲にレーザ光を照射する。次に、図9(c)に示すように、前記レーザ光の照射を維持した状態で、マスク材料Eと溶媒(分散媒)Dとからなる液滴Aをパターン形成領域202内の着弾すべき目標位置44に吐出する。上述した実施形態の図2で示す機構により、吐出された液滴Aがレーザ光照射領域204までははみ出ないため、図9(d)に示すようにパターン形成領域202のみにマスク材料Eからなるマスクパターン904を形成できる。この時点でレーザ光の照射は停止する。最後に、図9(e)に示すように、マスクパターン904で覆われていない部分のパターン形成材料層902をエッチングにより除去し、さらにその後マスクパターン904も除去して、基板40上にパターン906を形成できる。   9A to 9E show schematic process cross-sectional views of the pattern forming method according to this modification. First, as shown in FIG. 9A, a pattern forming material layer 902 is formed on the entire surface of the substrate 40. Next, as shown in FIG. 9B, the periphery of the pattern formation region 202 in the pattern formation material layer 902 is irradiated with laser light. Next, as shown in FIG. 9C, a droplet A composed of a mask material E and a solvent (dispersion medium) D should be landed in the pattern formation region 202 while maintaining the laser light irradiation. Discharge to the target position 44. Since the ejected droplet A does not protrude to the laser light irradiation region 204 by the mechanism shown in FIG. 2 of the above-described embodiment, only the pattern formation region 202 is made of the mask material E as shown in FIG. A mask pattern 904 can be formed. At this point, the laser beam irradiation is stopped. Finally, as shown in FIG. 9E, the portion of the pattern forming material layer 902 that is not covered with the mask pattern 904 is removed by etching, and then the mask pattern 904 is also removed to form a pattern 906 on the substrate 40. Can be formed.

本変形例によれば、目的とするパターンの形成に直接的に本発明を適用するのではなく、エッチング時のマスクとなるパターンの形成に適用することで、液滴にして吐出することが困難な材質からなるパターンの形成にも本発明を適用でき、精度良いパターンをフォトリソグラフィー法等に比べて低コストで形成できる。   According to this modification, the present invention is not directly applied to the formation of a target pattern, but is difficult to be ejected as droplets by being applied to the formation of a pattern serving as a mask during etching. The present invention can also be applied to the formation of patterns made of various materials, and a highly accurate pattern can be formed at a lower cost than photolithography.

(変形例3)
上述した実施形態では、図1において、液滴を吐出するノズルが1つである液滴吐出装置を概略図として挙げたが、ノズルの個数は1つに限定されるものではない。複数のノズルを備えた液滴吐出手段を有する液滴吐出装置も本発明に適用可能である。同時に複数の液滴を吐出できるので、配線等の細長いパターンを形成する場合、あるいは大面積のパターンを形成する場合には好適である。
(Modification 3)
In the above-described embodiment, the droplet discharge apparatus having one nozzle for discharging droplets is illustrated in FIG. 1 as a schematic diagram, but the number of nozzles is not limited to one. A droplet discharge apparatus having a droplet discharge means provided with a plurality of nozzles is also applicable to the present invention. Since a plurality of droplets can be discharged at the same time, it is suitable for forming an elongated pattern such as a wiring or a pattern having a large area.

(変形例4)
上述した実施形態では、レーザ光照射手段が1つである液滴吐出装置を概略図として挙げたが、複数のレーザ光照射手段を有する液滴吐出装置も本発明に適用可能である。レーザ光照射手段が2つあれば、着弾すべき目標位置44の両側からレーザ光を照射できるので複雑な照射領域の設定が容易になる。また液滴の広がりを抑制するレーザ光とは別途に、溶媒(分散媒)Dを気化させるためのレーザ光を照射できるので、乾燥工程を別途行なう必要がなくなり生産性を向上させることができる。
(Modification 4)
In the above-described embodiment, the droplet discharge device having one laser beam irradiation unit is shown as a schematic diagram, but a droplet discharge device having a plurality of laser beam irradiation units is also applicable to the present invention. If there are two laser light irradiation means, it is possible to irradiate laser light from both sides of the target position 44 to be landed, so that a complicated irradiation region can be easily set. In addition, laser light for vaporizing the solvent (dispersion medium) D can be irradiated separately from the laser light for suppressing the spread of the droplets, so that it is not necessary to separately perform a drying step, and productivity can be improved.

(変形例5)
上述した実施形態では、図1において、レーザ光照射手段に備えられている回折光学素子は単体である液滴吐出装置を概略図として挙げたが、表面に複数個の回折光学素子が備えられた円盤上のディスクを用いることも可能である。各パターンの回折光学素子容易に切り替えることができるので生産効率が向上する。
(Modification 5)
In the above-described embodiment, the diffractive optical element provided in the laser light irradiation means in FIG. 1 is illustrated as a schematic diagram of a single droplet discharge device, but a plurality of diffractive optical elements are provided on the surface. It is also possible to use a disk on a disk. Since the diffractive optical element of each pattern can be easily switched, the production efficiency is improved.

(変形例6)
上述した実施形態、及び変形例では、パターンを形成すべき領域202は、照射領域204、又は、第2の照射領域704と接している。形成されたパターンの外周は溶媒(分散媒)Dが完全に除去される前の段階におけるレーザ光の照射で決定されている。しかし、本発明によるパターン形成方法は、溶媒(分散媒)Dが完全に除去された後にもレーザ光を照射することを除外するものではない。溶媒(分散媒)Dが完全に除去され、パターン形成材料Cからなるパターンが形成された後さらに、前記パターンのエッジ部分にレーザ光を照射してパターン形成材料Cを一部除去することも、本発明のパターン形成方法に含まれる。吐出された液滴Aの広がりを押えて形成されたパターンのエッジ部分を、乾燥後さらに整形できるので、より一層精度良いパターンを形成できる。
(Modification 6)
In the embodiment and the modification described above, the region 202 where the pattern is to be formed is in contact with the irradiation region 204 or the second irradiation region 704. The outer periphery of the formed pattern is determined by laser light irradiation at a stage before the solvent (dispersion medium) D is completely removed. However, the pattern forming method according to the present invention does not exclude the irradiation with laser light even after the solvent (dispersion medium) D is completely removed. After the solvent (dispersion medium) D is completely removed and the pattern made of the pattern forming material C is formed, the pattern forming material C may be partially removed by irradiating the edge portion of the pattern with laser light. It is contained in the pattern formation method of this invention. Since the edge portion of the pattern formed by suppressing the spread of the discharged droplet A can be further shaped after drying, a pattern with higher accuracy can be formed.

第1の実施形態の液滴吐出装置の概略断面図。1 is a schematic cross-sectional view of a droplet discharge device according to a first embodiment. 第1の実施形態によるパターン形成方法の概略の工程断面図。FIG. 3 is a schematic process cross-sectional view of the pattern forming method according to the first embodiment. 第1の実施形態の、照射領域204と着弾すべき目標位置44を示す図。The figure which shows the irradiation position 204 and the target position 44 which should land in 1st Embodiment. 第2の実施形態の、照射領域204と着弾すべき目標位置44を示す図。The figure which shows the irradiation position 204 and the target position 44 which should land in 2nd Embodiment. 第3の実施形態の、照射領域204と着弾すべき目標位置44を示す図。The figure which shows the irradiation position 204 and the target position 44 which should land in 3rd Embodiment. 第4の実施形態の、照射領域204と着弾すべき目標位置44を示す図。The figure which shows the irradiation position 204 and the target position 44 which should land in 4th Embodiment. 第5の実施形態の、パターン形成方法の工程断面図。Process sectional drawing of the pattern formation method of 5th Embodiment. 変形例1によるパターン形成方法の概略の工程断面図。FIG. 10 is a schematic process cross-sectional view of a pattern forming method according to Modification 1; 変形例2によるパターン形成方法の概略の工程断面図。FIG. 10 is a schematic process cross-sectional view of a pattern forming method according to Modification 2.

符号の説明Explanation of symbols

10…液滴吐出手段、20…レーザ光照射手段、30…基板保持手段、40…基板、44…着弾すべき目標位置、102…ノズルプレート、104…振動板、106…ノズル、108…圧力室としてのキャビティ、110…連通孔、112…供給路、114…ピエゾ素子、122…筐体、124…半導体レーザーアレイ、126…コリメータ、128…回折光学素子、130…反射鏡、132…対物レンズ、202…パターン形成領域、204…照射領域、304…中心線、702…第1の照射領域、704…第2の照射領域、802…隔壁材料層、804…隔壁、902…パターン形成材料層、904…マスクパターン、906…パターン、A…液滴、B…機能液、C…パターン形成材料、D…溶媒(分散媒)、E…マスク材料。

DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Droplet discharge means, 20 ... Laser beam irradiation means, 30 ... Substrate holding means, 40 ... Substrate, 44 ... Target position to land, 102 ... Nozzle plate, 104 ... Vibrating plate, 106 ... Nozzle, 108 ... Pressure chamber Cavity, 110 ... Communication hole, 112 ... Supply path, 114 ... Piezo element, 122 ... Case, 124 ... Semiconductor laser array, 126 ... Collimator, 128 ... Diffraction optical element, 130 ... Reflective mirror, 132 ... Objective lens, 202 ... Pattern formation region, 204 ... Irradiation region, 304 ... Center line, 702 ... First irradiation region, 704 ... Second irradiation region, 802 ... Partition wall material layer, 804 ... Partition wall, 902 ... Pattern formation material layer, 904 ... mask pattern, 906 ... pattern, A ... droplet, B ... functional liquid, C ... pattern forming material, D ... solvent (dispersion medium), E ... mask material.

Claims (12)

基体にパターンを形成するための材料を有する機能液からなる液滴を、前記基体上のパターンを形成すべき第1の領域内に吐出する第1の工程と、
前記基体上に着弾した前記液滴の状態を変化させて、前記基体上にパターンを形成する第2の工程と、
前記基体上に着弾した前記液滴が濡れ広がる第2の領域、または前記第2の領域を含む周辺領域から前記第1の領域を除いた第3の領域にレーザ光を照射する第3の工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。
A first step of discharging droplets made of a functional liquid having a material for forming a pattern on a substrate into a first region on which the pattern is to be formed;
A second step of changing the state of the droplets landed on the substrate to form a pattern on the substrate;
A third step of irradiating the third region excluding the first region from the second region where the droplets that have landed on the substrate spread wet or the peripheral region including the second region. And a pattern forming method comprising:
前記第1の工程は、前記第3の工程の実施中に行われることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。   The pattern forming method according to claim 1, wherein the first step is performed during the execution of the third step. 前記第3の工程は、前記第3の領域が、前記液滴が前記基体上に着弾する位置を挟んで向かい合うように前記レーザ光を照射することを特徴とする請求項1、又は2に記載のパターン形成方法。   The said 3rd process irradiates the said laser beam so that the said 3rd area | region may face across the position where the said droplet lands on the said base | substrate, The 1st or 2 characterized by the above-mentioned. Pattern forming method. 前記第3の工程は、前記レーザ光の照射強度を前記液滴の状態の変化に応じて変化させることを特徴とする請求項1〜3のうちのいずれかの1項に記載のパターン形成方法。   The pattern forming method according to claim 1, wherein the third step changes the irradiation intensity of the laser light in accordance with a change in the state of the droplet. . 前記第1の工程は、前記液滴を、前記基体上に間隔を空けて不連続的に吐出し、
前記第3の工程は、前記第3の領域を、前記液滴が着弾する位置に合せて連続的に移動させることを特徴とする請求項1〜4のうちのいずれかの1項に記載のパターン形成方法。
In the first step, the droplets are ejected discontinuously at intervals on the substrate.
5. The method according to claim 1, wherein in the third step, the third region is continuously moved in accordance with a position at which the liquid droplets land. 6. Pattern forming method.
前記第3の工程は、前記レーザ光を、吐出された前記液滴の周囲を囲む領域に照射することを特徴とする請求項1〜5のうちのいずれかの1項に記載のパターン形成方法。   The pattern forming method according to claim 1, wherein the third step irradiates a region surrounding the periphery of the discharged droplet with the laser beam. . パターンを形成するための材料を有する機能液からなる液滴を、当該液滴を吐出すべき基体上の、パターンを形成すべき第1の領域内に吐出する第1の工程と、
前記第1の領域とは重複しない領域にレーザ光を照射する第2の工程と、
前記第1の領域内に着弾した前記液滴の状態を変化させて、前記基体上にパターンを形成する第3の工程と、
前記基体上に着弾した前記液滴が濡れ広がる第2の領域、または前記第2の領域を含む周辺領域から前記第1の領域を除いた領域である前記第3の領域に前記レーザ光が照射されるように、前記レーザ光が照射される領域の形状を変化させる第4の工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。
A first step of discharging a droplet made of a functional liquid having a material for forming a pattern into a first region on which a pattern is to be formed on a substrate on which the droplet is to be discharged;
A second step of irradiating a laser beam to a region that does not overlap with the first region;
Changing the state of the droplet landed in the first region to form a pattern on the substrate;
The laser beam is applied to the third region, which is a second region where the droplet landed on the substrate spreads out or the peripheral region including the second region is excluded from the first region. And a fourth step of changing the shape of the region irradiated with the laser light.
前記第1の工程は、前記第2の工程の実施中に行われることを特徴とする請求項7に記載のパターン形成方法。   The pattern forming method according to claim 7, wherein the first step is performed during the execution of the second step. 前記第2の工程は、前記レーザ光を、当該レーザ光が照射される領域が前記第2の領域に重ならないように照射することを特徴とする請求項7、又は8に記載のパターン形成方法。   The pattern forming method according to claim 7, wherein the second step irradiates the laser beam so that a region irradiated with the laser beam does not overlap the second region. . 前記液滴の状態を変化させるために、前記液滴に前記レーザ光を照射することにより行なうことを特徴とする請求項1〜9のうちのいずれかの1項に記載のパターン形成方法。   The pattern forming method according to claim 1, wherein the state of the droplet is changed by irradiating the droplet with the laser beam. パターンを形成するための材料を有する機能液からなる液滴を、当該液滴を吐出すべき基体のパターンを形成すべき領域内に吐出可能な液滴吐出手段と、
前記液滴を吐出すべき物体を保持する保持手段と、
前記基体の任意の領域にレーザ光を照射可能なレーザ光照射手段と、を有することを特徴とする液滴吐出装置。
Droplet discharge means capable of discharging droplets made of a functional liquid having a material for forming a pattern into a region where a pattern of a substrate on which the droplets are to be discharged is to be formed;
Holding means for holding an object to which the droplets are to be discharged;
And a laser beam irradiation unit capable of irradiating a laser beam to an arbitrary region of the substrate.
前記レーザ光照射手段は、少なくともレーザ光を発生させる光源と、前記レーザ光を回折させる回折光学素子と、を有することを特徴とする請求項11に記載の液滴吐出装置。
The liquid droplet ejection apparatus according to claim 11, wherein the laser light irradiation unit includes at least a light source that generates laser light and a diffractive optical element that diffracts the laser light.
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JP2014046254A (en) * 2012-08-30 2014-03-17 Advantest Corp Pattern printing device, pattern printing method and testing equipment

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