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JP2007141808A - Laser thermal transfer method and organic light emitting device manufacturing method using the same - Google Patents

Laser thermal transfer method and organic light emitting device manufacturing method using the same Download PDF

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JP2007141808A
JP2007141808A JP2006099087A JP2006099087A JP2007141808A JP 2007141808 A JP2007141808 A JP 2007141808A JP 2006099087 A JP2006099087 A JP 2006099087A JP 2006099087 A JP2006099087 A JP 2006099087A JP 2007141808 A JP2007141808 A JP 2007141808A
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JP
Japan
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acceptor substrate
donor film
thermal transfer
laser thermal
layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP2006099087A
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Japanese (ja)
Inventor
Sok Won Noh
碩原 魯
Mu Hyun Kim
茂顯 金
Soho Ri
相奉 李
Sun Hoe Kim
善浩 金
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Samsung SDI Co Ltd
Original Assignee
Samsung SDI Co Ltd
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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser heat transfer method that has enabled to laminate effectively by magnetic force when a donor film and an acceptor substrate are laminated by the laser transfer method, and a manufacturing method of an organic light emitting element utilizing this. <P>SOLUTION: The transfer method comprises a step in which an acceptor substrate on at least one side of which a magnetic body is formed is located on a substrate stage in a process chamber, a step in which a donor film including an electromagnet is located on the acceptor substrate, a step in which the donor film and the acceptor substrate are laminated by a magnetic force acting between the electromagnet formed on the donor film and the magnetic body of the acceptor substrate, and a step in which at least one region of the transfer layer is transferred on the acceptor substrate by irradiating laser on the donor film. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、レーザ熱転写方法及びこれを利用した有機発光素子の製造方法に関し、より具体的には、レーザ熱転写方法を利用してアクセプタ基板上に有機膜層を形成する時、磁気力によってドナーフィルムとアクセプタ基板をラミネーションさせることができるレーザ熱転写方法及びこれを利用した有機発光素子の製造方法に関する。   The present invention relates to a laser thermal transfer method and an organic light emitting device manufacturing method using the same, and more specifically, when an organic film layer is formed on an acceptor substrate using a laser thermal transfer method, a donor film is generated by magnetic force. The present invention relates to a laser thermal transfer method capable of laminating an acceptor substrate and an organic light emitting device manufacturing method using the same.

有機発光素子の有機膜層を形成する方法中、蒸着法はシャドウマスクを利用して有機発光物質を真空蒸着して有機膜層を形成する方法で、マスクの変形などによって高精細の微細パターンを形成し難く、大面積表示装置に適用し難い。   Among the methods for forming organic film layers of organic light-emitting devices, the vapor deposition method is a method of forming an organic film layer by vacuum-depositing an organic light-emitting substance using a shadow mask. It is difficult to form and difficult to apply to large area display devices.

蒸着法の問題点を解決するために、直接有機膜層をパターニングするインクジェット方式が提案された。インクジェット方式は、発光材料を溶媒に溶解または分散させて吐出液としてインクジェットプリント装置のヘッドから吐出させて有機膜層を形成する方法である。インクジェット方式は、工程が比較的簡単であるが、歩留まり低下や膜厚さの不均一性が発生されて、大面積の表示装置に適用し難いという問題点がある。   In order to solve the problems of the vapor deposition method, an ink jet method for directly patterning an organic film layer has been proposed. The ink jet method is a method in which a light emitting material is dissolved or dispersed in a solvent and discharged from a head of an ink jet printing apparatus as a discharge liquid to form an organic film layer. The inkjet method is relatively simple in process, but has a problem in that it is difficult to apply to a large-area display device due to a decrease in yield and non-uniformity in film thickness.

一方、レーザ熱転写方法を利用して有機膜層を形成する方法が提案された。レーザ熱転写方法は、基材基板、光-熱変換層及び転写層を含むドナーフィルムにレーザを照射させて基材基板を通過したレーザを光-熱変換層から熱に変換させて光-熱変換層を膨脹させることで、隣接した転写層を膨脹させ、アクセプタ基板に転写層が接着されて転写させる方法である。   On the other hand, a method of forming an organic film layer using a laser thermal transfer method has been proposed. In the laser thermal transfer method, a donor film including a base substrate, a light-heat conversion layer, and a transfer layer is irradiated with a laser, and the laser that has passed through the base substrate is converted from the light-heat conversion layer to heat to perform light-heat conversion. In this method, the adjacent transfer layer is expanded by expanding the layer, and the transfer layer is bonded to the acceptor substrate for transfer.

レーザ熱転写方法は、レーザで誘導されたイメージングプロセスで、高解像度のパターン形成、フィルム厚さの均一性、マルチレイヤー積層能力、大型マザーガラスへの拡張性のような固有の利点を持っている。   The laser thermal transfer method is a laser guided imaging process and has inherent advantages such as high resolution patterning, film thickness uniformity, multi-layer stacking capability, and scalability to large mother glass.

従来のレーザ熱転写方法を行う場合、発光層の転写がなされるチャンバ内部は、発光表示素子形成の時他の蒸着工程と同調されるようにするために真空状態でなされることが好ましいので、主に真空状態でなされるが、従来の方法によって真空状態でレーザ熱転写を行う場合、ドナーフィルムとアクセプタ基板の間に接合力が弱くなって転写層の転写特性が悪くなるという問題点がある。よって、レーザ熱転写方法において、ドナーフィルムとアクセプタ基板をラミネーションさせる方法は、重要な意味を持っており、これを解決するためのさまざまな方案が研究されている。   When performing the conventional laser thermal transfer method, it is preferable that the interior of the chamber where the light emitting layer is transferred is in a vacuum state in order to be synchronized with other vapor deposition processes when forming the light emitting display element. However, when laser thermal transfer is performed in a vacuum state by a conventional method, there is a problem in that the transfer force of the transfer layer is deteriorated because the bonding force between the donor film and the acceptor substrate is weakened. Therefore, in the laser thermal transfer method, the method of laminating the donor film and the acceptor substrate has an important meaning, and various methods for solving this have been studied.

以下では図面を参照して従来の技術によるレーザ熱転写方法及びレーザ熱転写装置を具体的に説明する。
図1は、従来の技術によるレーザ熱転写装置の部分断面図である。
図1を参照すれば、レーザ熱転写装置100は、チャンバ110内部に位置する基板ステージ120及びチャンバ110上部に位置したレーザ照射装置130を含んで構成される。
Hereinafter, a conventional laser thermal transfer method and laser thermal transfer apparatus will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a partial sectional view of a conventional laser thermal transfer apparatus.
Referring to FIG. 1, the laser thermal transfer apparatus 100 includes a substrate stage 120 positioned inside the chamber 110 and a laser irradiation apparatus 130 positioned above the chamber 110.

基板ステージ120は、チャンバ110で導入されるアクセプタ基板140とドナーフィルム150をそれぞれ順次位置させるためのもので、基板ステージ120にはアクセプタ基板140とドナーフィルム150をそれぞれ整列されるようにするための第1装着ホーム121及び第2装着ホーム123が形成されている。   The substrate stage 120 is for sequentially positioning the acceptor substrate 140 and the donor film 150 introduced in the chamber 110, and the substrate stage 120 is for aligning the acceptor substrate 140 and the donor film 150, respectively. A first mounting home 121 and a second mounting home 123 are formed.

第1装着ホーム121がアクセプタ基板140の周方向に沿って形成されて、第2装着ホーム123はドナーフィルム150の周方向に沿って形成される。通常では、アクセプタ基板140は、ドナーフィルム150より面積が小さいので、第2装着ホーム123より第1装着ホーム121を小さく形成する。   The first mounting home 121 is formed along the circumferential direction of the acceptor substrate 140, and the second mounting home 123 is formed along the circumferential direction of the donor film 150. Normally, since the acceptor substrate 140 has a smaller area than the donor film 150, the first mounting home 121 is formed smaller than the second mounting home 123.

この時、アクセプタ基板140とドナーフィルム150の間に異物や空間なしにラミネーションさせるために、レーザ熱転写がなされるチャンバ110内部を真空で維持せず、第1装着ホーム121及び第2装着ホーム123の下部一区間にパイプ161、163を連結し、真空ポンプPで吸いこんでアクセプタ基板140とドナーフィルム150を合着させる。   At this time, the interior of the chamber 110 in which laser thermal transfer is performed is not maintained in a vacuum in order to allow lamination between the acceptor substrate 140 and the donor film 150 without any foreign matter or space. The pipes 161 and 163 are connected to one lower section, and the acceptor substrate 140 and the donor film 150 are bonded together by sucking with the vacuum pump P.

しかし、真空ポンプによってアクセプタ基板とドナーフィルムを密着させる方法は、有機発光素子を製作する他の工程が真空状態を維持することと違ってチャンバ内部の真空状態を維持することができなくなることにより、製品の信頼性と寿命に良くない影響を及ぼすという問題点がある。   However, the method of bringing the acceptor substrate and the donor film into close contact with each other by a vacuum pump makes it impossible to maintain the vacuum state inside the chamber unlike other processes for manufacturing the organic light emitting device that maintain the vacuum state. There is a problem of adversely affecting the reliability and life of the product.

一方、前記従来のレーザ熱転法及びこれを利用した有機発光素子の製造方法に関する技術を記載した文献としては、下記特許文献1ないし3等がある。
特開2004−296224号公報 特開2004−355949号公報 米国特許出願公開第4,377,339号明細書
On the other hand, the following Patent Documents 1 to 3 and the like are described as techniques related to the conventional laser thermal conversion method and a method for manufacturing an organic light-emitting element using the same.
JP 2004-296224 A JP 2004-355949 A US Patent Application Publication No. 4,377,339

したがって、本発明は、前記従来の問題点を解決するために考案された発明で、その目的は、レーザ熱転写が真空状態でなされながらドナーフィルムとアクセプタ基板の間に異物や空間が生じることなく、磁気力によってドナーフィルムとアクセプタ基板をラミネーションするレーザ熱転写方法及びこれを利用した有機発光素子の製造方法を提供することである。   Therefore, the present invention is an invention devised to solve the above-mentioned conventional problems, and the purpose thereof is that there is no foreign matter or space between the donor film and the acceptor substrate while laser thermal transfer is performed in a vacuum state. A laser thermal transfer method of laminating a donor film and an acceptor substrate by magnetic force and an organic light emitting device manufacturing method using the same.

上述した目的を果たすために、本発明によるレーザ熱転写方法は、工程チャンバ内の基板ステージ上に少なくとも一面に磁性体が形成されたアクセプタ基板を位置させる段階と、前記アクセプタ基板上に電磁石を含むドナーフィルムを位置させる段階と、前記ドナーフィルムに形成された電磁石と前記アクセプタ基板の磁性体の間に作用する磁気力によって前記ドナーフィルムと前記アクセプタ基板をラミネーションする段階、及び前記ドナーフィルム上にレーザを照射して転写層の少なくとも一領域をアクセプタ基板上に転写させる段階とを含む。   To achieve the above object, a laser thermal transfer method according to the present invention includes a step of positioning an acceptor substrate having a magnetic material formed on at least one surface on a substrate stage in a process chamber, and a donor including an electromagnet on the acceptor substrate. Positioning the film; laminating the donor film and the acceptor substrate by a magnetic force acting between an electromagnet formed on the donor film and a magnetic body of the acceptor substrate; and a laser on the donor film Irradiating to transfer at least one region of the transfer layer onto the acceptor substrate.

好ましくは、前記ドナーフィルムは基材基板と、前記基材基板上に形成される光-熱変換層と、前記光-熱変換層上に形成される転写層及び前記光-熱変換層の少なくともいずれか一面に形成された電磁石を含む。   Preferably, the donor film includes at least one of a base substrate, a light-heat conversion layer formed on the base substrate, a transfer layer formed on the light-heat conversion layer, and the light-heat conversion layer. It includes an electromagnet formed on any one surface.

前記光-熱変換層と前記転写層の間に層間挿入層をさらに含み、前記電磁石は基材基板または光-熱変換層内部に少なくとも一つの棒または円筒状で形成する。また、前記電磁石は電圧を印加するための電気配線が含まれる。   An intercalation layer is further provided between the light-heat conversion layer and the transfer layer, and the electromagnet is formed in at least one rod or cylinder inside the base substrate or the light-heat conversion layer. The electromagnet includes electrical wiring for applying a voltage.

そして、前記磁性体は、Fe、Ni、Cr、FeO、FeO、CoFeO、磁性ナノ粒子及びその混合物で構成されるグループより選ばれるいずれか一つであり、前記磁性ナノ粒子はスピンコーティング、電子ビーム蒸着(E-Beam蒸着)、またはインクジェット方法を利用して形成する。 The magnetic body is any one selected from the group consisting of Fe, Ni, Cr, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , CoFe 2 O 4 , magnetic nanoparticles, and a mixture thereof, Magnetic nanoparticles are formed using spin coating, electron beam evaporation (E-Beam evaporation), or ink jet methods.

また、前記アクセプタ基板に形成された駆動電源外郭領域と、画像表示部の画素領域以外の領域の中で少なくともいずれか一つ以上の面に形成される磁力支持用メタルラインを含み、前記工程チャンバは真空チャンバである。   The process chamber includes a drive power supply outer region formed on the acceptor substrate and a magnetic force supporting metal line formed on at least one of the regions other than the pixel region of the image display unit. Is a vacuum chamber.

また、本発明によるレーザ熱転写方法によって第1電極と第2電極の間に発光層が形成される有機発光素子の製造方法において、基板ステージ上に画素領域が形成されて、磁性体を含むアクセプタ基板を位置させるアクセプタ基板移送段階と、前記アクセプタ基板上に電磁石を含んで発光層を具備したドナーフィルムを移送させるドナーフィルム移送段階と、前記アクセプタ基板に形成された前記磁性体と前記ドナーフィルムに含まれた前記電磁石の間の磁気力によって前記アクセプタ基板と前記ドナーフィルムを接合するラミネーション段階及び前記ドナーフィルムにレーザを照射して前記アクセプタ基板の前記画素領域に前記発光層を転写する転写段階とを含む。   In addition, in the method of manufacturing an organic light emitting device in which a light emitting layer is formed between the first electrode and the second electrode by the laser thermal transfer method according to the present invention, an acceptor substrate including a magnetic material in which a pixel region is formed on a substrate stage. An acceptor substrate transfer step of positioning the donor film, a donor film transfer step of transferring a donor film including an electromagnet on the acceptor substrate and including a light emitting layer, and the magnetic material formed on the acceptor substrate and the donor film A lamination step of bonding the acceptor substrate and the donor film by a magnetic force between the electromagnets and a transfer step of irradiating the donor film with a laser to transfer the light emitting layer to the pixel region of the acceptor substrate. Including.

以上説明したように、本発明によれば、レーザ熱転写方法によってドナーフィルムとアクセプタ基板をラミネーションする時に、レーザ熱転写が真空状態でなされながらドナーフィルムとアクセプタ基板の間に異物及び空間が生じないようにすると同時に、ドナーフィルムに形成された電磁石と、アクセプタ基板に形成された磁性体の間に発生する磁気力によってドナーフィルムとアクセプタ基板をラミネーションすることで、密着性及び有機発光素子の寿命、歩留まり及び信頼性を高めることができる。   As described above, according to the present invention, when the donor film and the acceptor substrate are laminated by the laser thermal transfer method, foreign matter and space are not generated between the donor film and the acceptor substrate while the laser thermal transfer is performed in a vacuum state. At the same time, by laminating the donor film and the acceptor substrate by the magnetic force generated between the electromagnet formed on the donor film and the magnetic material formed on the acceptor substrate, the adhesion, the lifetime of the organic light emitting device, the yield and Reliability can be increased.

以下では本発明の実施例を示した図面を参照して本発明によるレーザ熱転写方法及びこれを利用した有機発光素子の製造方法を具体的に説明する。
図2aないし図2hを参照し、本発明によるレーザ熱転写方法の一実施例を説明する。本発明によるレーザ熱転写方法を進行するレーザ熱転写装置は、工程チャンバ200a、200b、基板ステージ220、レーザオシレータ210を含んで構成される。
Hereinafter, a laser thermal transfer method according to the present invention and an organic light emitting device manufacturing method using the same will be described in detail with reference to the drawings illustrating embodiments of the present invention.
An embodiment of the laser thermal transfer method according to the present invention will be described with reference to FIGS. 2a to 2h. The laser thermal transfer apparatus that proceeds with the laser thermal transfer method according to the present invention includes process chambers 200a and 200b, a substrate stage 220, and a laser oscillator 210.

チャンバは、通常のレーザ熱転写装置で使われる工程チャンバ200aを使うことができ、工程チャンバ200a外部には電磁石(図示せず)を含むドナーフィルム280または磁性体271を含むアクセプタ基板270を工程チャンバ200a内部に移送するためのロボット腕260及びエンドエフェクタ(end-effector)261などを含む移送チャンバ200bが具備される。工程チャンバ200aと移送チャンバ200bの間にはゲートバルブ250が存在する。ゲートバルブ250は工程チャンバ200aと移送チャンバ200bを遮断する役割をする。   As the chamber, a process chamber 200a used in an ordinary laser thermal transfer apparatus can be used, and a donor film 280 including an electromagnet (not shown) or an acceptor substrate 270 including a magnetic body 271 is provided outside the process chamber 200a. A transfer chamber 200b including a robot arm 260 and an end-effector 261 for transferring to the inside is provided. A gate valve 250 exists between the process chamber 200a and the transfer chamber 200b. The gate valve 250 serves to shut off the process chamber 200a and the transfer chamber 200b.

一方、基板ステージ220は移動されるための駆動手段(図示せず)をさらに具備することができる。例えば、レーザが縦長方向に照射される場合、横長方向に基板ステージ220を移動させる駆動手段をさらに具備することができる。   Meanwhile, the substrate stage 220 may further include driving means (not shown) for moving. For example, when the laser is irradiated in the vertically long direction, a driving unit that moves the substrate stage 220 in the horizontally long direction can be further provided.

また、基板ステージ220は、アクセプタ基板270及びドナーフィルム280を収納して装着させるそれぞれの装着手段を具備することができる。装着手段は、移送チャンバ200b内のロボット腕260及びエンドエフェクタ261のような移送手段によって工程チャンバ200a内に移送されたアクセプタ基板270が基板ステージ220の決まった位置に正確に装着されるようにする。   In addition, the substrate stage 220 can include respective mounting means for receiving and mounting the acceptor substrate 270 and the donor film 280. The mounting means ensures that the acceptor substrate 270 transferred into the process chamber 200a by the transfer means such as the robot arm 260 and the end effector 261 in the transfer chamber 200b is accurately mounted at a predetermined position on the substrate stage 220. .

本実施例で、装着手段は貫通ホール(図示せず)、ガイドバー231、241、移動プレート230、240、支持台(図示せず)及び装着ホーム221、222を含んで構成されうる。この時、ガイドバー231、241は移動プレート230、240及び支持台に伴って上昇または下降運動するが、ガイドバー231、241が貫通ホールを通過して上昇しながらアクセプタ基板270を収容して、下降しながらアクセプタ基板270を装着ホーム221、222に安着させるようになる構造である。この時、アクセプタ基板270及びドナーフィルム280を正確な位置に安着させるために装着ホーム221、222は壁面が斜めに形成されることが好ましい。   In this embodiment, the mounting means may include a through hole (not shown), guide bars 231 and 241, moving plates 230 and 240, a support base (not shown), and mounting homes 221 and 222. At this time, the guide bars 231 and 241 move up or down along with the moving plates 230 and 240 and the support, but the guide bars 231 and 241 receive the acceptor substrate 270 while moving up through the through holes, In this structure, the acceptor substrate 270 is seated on the mounting homes 221 and 222 while descending. At this time, it is preferable that wall surfaces of the mounting homes 221 and 222 are formed obliquely in order to secure the acceptor substrate 270 and the donor film 280 at accurate positions.

前記貫通ホールは、ドナーフィルム280及びアクセプタ基板270を支持するガイドバー231、241が上下移動可能になるように基板ステージ220に形成されたホールである。そして、支持台は、ガイドバー231、241と移動プレート230、240を支持しながら上下移動可能にさせる役割をし、別途のモーター(図示せず)と連結されている。   The through holes are holes formed in the substrate stage 220 so that the guide bars 231 and 241 that support the donor film 280 and the acceptor substrate 270 can move up and down. The support base serves to support the guide bars 231 and 241 and the moving plates 230 and 240 so as to be movable up and down, and is connected to a separate motor (not shown).

レーザオシレータ210は、工程チャンバ200aの外部または内部に設置されうるし、レーザが上部から照らされうるように設置されることが好ましい。   The laser oscillator 210 may be installed outside or inside the process chamber 200a, and is preferably installed so that the laser can be illuminated from above.

有機発光素子の製作に適用された本実施例でレーザ熱転写方法は、アクセプタ基板270移送段階、ドナーフィルム280移送段階、ラミネーション段階及び転写段階を含む。
アクセプタ基板270移送段階は、レーザ熱転写装置の工程チャンバ200a内にアクセプタ基板200aを位置させる段階で、この時、磁性体271を含むアクセプタ基板270を移送チャンバ200aの移送手段であるエンドエフェクタ261上に位置させる(図2a)。
In this embodiment, the laser thermal transfer method applied to manufacture an organic light emitting device includes an acceptor substrate 270 transfer step, a donor film 280 transfer step, a lamination step, and a transfer step.
The acceptor substrate 270 transfer step is a step of positioning the acceptor substrate 200a in the process chamber 200a of the laser thermal transfer apparatus. At this time, the acceptor substrate 270 including the magnetic body 271 is placed on the end effector 261 as transfer means of the transfer chamber 200a. Position (Figure 2a).

そして、ロボット腕260によってエンドエフェクタ261を工程チャンバ200a内部に進入させて基板ステージ220上部に位置させる(図2b)。   Then, the end effector 261 is advanced into the process chamber 200a by the robot arm 260 and positioned on the substrate stage 220 (FIG. 2b).

工程チャンバ200a内に移送されたアクセプタ基板270は、貫通ホールを通じて上昇したガイドバー231によって支えられる。その後、エンドエフェクタ261は工程チャンバ200aを抜け出て再度移送チャンバ200bに移動する(図2c)。   The acceptor substrate 270 transferred into the process chamber 200a is supported by the guide bar 231 raised through the through hole. Thereafter, the end effector 261 exits the process chamber 200a and moves to the transfer chamber 200b again (FIG. 2c).

アクセプタ基板270を支えているガイドバー231は、再度下降しながらアクセプタ基板270を基板ステージ220の第1装着ホーム222上に正確に位置させる(図2d)。   The guide bar 231 supporting the acceptor substrate 270 accurately positions the acceptor substrate 270 on the first mounting home 222 of the substrate stage 220 while lowering again (FIG. 2d).

ドナーフィルム280移送段階は、アクセプタ基板270移送段階と同様に、移送チャンバ200b内に位置したロボット腕260に付着されたエンドエフェクタ261などの移送手段によって工程チャンバ200a内に移送される(図2e)。   The donor film 280 transfer step, like the acceptor substrate 270 transfer step, is transferred into the process chamber 200a by transfer means such as an end effector 261 attached to a robot arm 260 located in the transfer chamber 200b (FIG. 2e). .

この時、ドナーフィルム280は、移送の時にフィルムトレイ290によって移送されることが好ましい。工程チャンバ200a内に移送されたドナーフィルム280は、貫通ホールを通じて上昇したガイドバー241によって支えられる。ドナーフィルム280がガイドバー241に支えられれば、ロボット腕260によってエンドエフェクタ261は、工程チャンバ200aを抜け出て再度移送チャンバ200bに移動する(図2f)。   At this time, the donor film 280 is preferably transferred by the film tray 290 at the time of transfer. The donor film 280 transferred into the process chamber 200a is supported by the guide bar 241 raised through the through hole. When the donor film 280 is supported by the guide bar 241, the end effector 261 moves out of the process chamber 200 a and moves to the transfer chamber 200 b again by the robot arm 260 (FIG. 2 f).

ドナーフィルム280を支えているガイドバー241は再度下降しながら、ドナーフィルム280を基板ステージ220の第2装着ホーム221上に正確に位置させる(図2g)。   The guide bar 241 supporting the donor film 280 is lowered again to accurately position the donor film 280 on the second mounting home 221 of the substrate stage 220 (FIG. 2g).

ラミネーション段階は、アクセプタ基板270に形成された磁性体271とドナーフィルム280に形成された電磁石(図示せず)に形成された電気配線に電力を印加させることで、前記アクセプタ基板270と前記ドナーフィルムの間に形成される磁気的引力でアクセプタ基板270とドナーフィルム280の間を接合させる段階である。   In the lamination step, electric power is applied to the magnetic material 271 formed on the acceptor substrate 270 and the electric wiring formed on the electromagnet (not shown) formed on the donor film 280 to thereby apply the acceptor substrate 270 and the donor film. In this step, the acceptor substrate 270 and the donor film 280 are bonded together by a magnetic attractive force formed between them.

前記電磁石は、基材基板または光-熱変換層内部に少なくとも一つの棒または円筒状に形成される。この時、工程チャンバ200a内部は、真空状態を維持するので、ドナーフィルム280とアクセプタ基板270の間には異物や空間の発生が極小化され、転写効率が高くなる。   The electromagnet is formed in at least one rod or cylinder inside the base substrate or the light-heat conversion layer. At this time, since the inside of the process chamber 200a is maintained in a vacuum state, the generation of foreign matters and spaces between the donor film 280 and the acceptor substrate 270 is minimized, and the transfer efficiency is increased.

転写段階は、アクセプタ基板270とラミネーションされたドナーフィルム280上にレーザ照射装置210でレーザを照射してドナーフィルム280に形成された発光層をアクセプタ基板270の画素規定膜の一領域及び開口部に転写する段階である。レーザを照射する場合、ドナーフィルム280の光-熱変換層が膨れ上がるようになり、これによって、隣接した発光層もアクセプタ基板270方向に膨れ上がるようになって発光層がアクセプタ基板270に接触するようになることで転写がなされる(図2h)。   In the transfer step, the light emitting layer formed on the donor film 280 is irradiated on the donor film 280 laminated with the acceptor substrate 270 by the laser irradiation device 210 to the region and the opening of the pixel defining film of the acceptor substrate 270. This is the stage of transcription. When laser irradiation is performed, the light-to-heat conversion layer of the donor film 280 swells, so that the adjacent luminescent layer also swells in the direction of the acceptor substrate 270 so that the luminescent layer contacts the acceptor substrate 270. As a result, transcription is performed (FIG. 2h).

以下では本発明による電磁石が含まれるレーザ熱転写ドナーフィルムを説明する。
ドナーフィルムは、アクセプタ基板に転写される転写層が具備されたフィルムで、順次積層された基材基板、光-熱変換層及び転写層を含んで構成される。この時、性能向上のために光-熱変換層と転写層の間にバッファー層(図示せず)及び層間挿入層などがさらに含まれることができる。
Hereinafter, a laser thermal transfer donor film including an electromagnet according to the present invention will be described.
The donor film is a film including a transfer layer transferred to an acceptor substrate, and includes a base substrate, a light-heat conversion layer, and a transfer layer that are sequentially stacked. At this time, a buffer layer (not shown) and an interlayer insertion layer may be further included between the light-heat conversion layer and the transfer layer to improve performance.

本発明によるレーザ熱転写ドナーフィルムには電磁石が含まれる。この場合、ドナーフィルムを成す多くの層の間に少なくとも一つの電磁石が形成される。   The laser thermal transfer donor film according to the present invention includes an electromagnet. In this case, at least one electromagnet is formed between many layers constituting the donor film.

図3は、本発明によるレーザ転写用ドナーフィルムの第1実施例を示した断面図である。
図3を参照すれば、ドナーフィルムは基材基板310、光-熱変換層320、電磁石330、層間挿入層340及び転写層350で構成される。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a first embodiment of a donor film for laser transfer according to the present invention.
Referring to FIG. 3, the donor film includes a base substrate 310, a light-heat conversion layer 320, an electromagnet 330, an interlayer insertion layer 340, and a transfer layer 350.

基材基板310は、ドナーフィルムの支持体役割を遂行する基板で、透明性高分子からなり、厚さは10μmないし500μmであることが好ましい。この時、ポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリスチレンなどを透明性高分子として使用することができるがこれに制限されない。   The base substrate 310 is a substrate that serves as a support for the donor film, is made of a transparent polymer, and preferably has a thickness of 10 μm to 500 μm. At this time, polyester, polyacryl, polyepoxy, polyethylene, polystyrene, or the like can be used as the transparent polymer, but is not limited thereto.

光-熱変換層320は、レーザ光を吸収して熱に変換させる光吸収性物質からなる層で、光-熱変換層320の厚さは、使われる光吸収性物質及び形成方法によって異なるが、金属または金属の酸化物などからなる場合には、真空蒸着法、電子ビーム蒸着方、またはスパッタリングで100Åないし5000Åに形成され、有機膜に形成される場合には、圧出、グラビア、スピン、ナイフコーティング法で0.1μmないし2μmで形成されることが好ましい。   The light-heat conversion layer 320 is a layer made of a light-absorbing material that absorbs laser light and converts it into heat. The thickness of the light-heat conversion layer 320 varies depending on the light-absorbing material used and the forming method. In the case of being made of metal or metal oxide, etc., it is formed in a thickness of 100 to 5000 by vacuum deposition, electron beam deposition or sputtering, and in the case of being formed in an organic film, it is expressed by extruding, gravure, spin, It is preferable that the thickness is 0.1 μm to 2 μm by a knife coating method.

光-熱変換層320の厚さが前記範囲より薄く形成される場合には、エネルギー吸収率が低くて光に熱に変換されるエネルギーの量が少なくなって膨脹圧力が低くなり、前記範囲より厚く形成される場合には、ドナーフィルムとアクセプタ基板の間で発生する段差によるエッジオープン不良(bad edge open)が発生し得る。   When the thickness of the light-heat conversion layer 320 is formed to be thinner than the above range, the energy absorption rate is low, the amount of energy converted into light is reduced, and the expansion pressure is reduced. In the case of being formed thick, a bad edge open may occur due to a step generated between the donor film and the acceptor substrate.

金属または金属の酸化物などからなる光吸収性物質としては、光学濃度が0.1ないし0.4のもので、アルミニウム、銀、クロム、タングステン、スズ、ニッケル、チタン、コバルト、亜鉛、金、銅、モリブデン、鉛及びその酸化物等がある。   The light-absorbing substance made of metal or metal oxide has an optical density of 0.1 to 0.4, and aluminum, silver, chromium, tungsten, tin, nickel, titanium, cobalt, zinc, gold, Examples include copper, molybdenum, lead, and oxides thereof.

また、有機膜からなる光合性物質では、カーボンブラック、黒鉛または赤外線染料が添加された高分子がある。この時、高分子結合樹脂を形成する物質では、例示的にアクリル(メタ)アクリレートオリゴマー、エステル(メタ)アクリレートオリゴマー、エポキシ(メタ)アクリレートオリゴマー、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーなどのような(メタ)アクリレートオリゴマー、または前記オリゴマー(メタ)アクリレートモノマーの混合物があり、これに制限されるのではない。   In addition, as a photosynthesis material made of an organic film, there is a polymer to which carbon black, graphite, or infrared dye is added. At this time, the substances forming the polymer-bound resin include, for example, acrylic (meth) acrylate oligomers, ester (meth) acrylate oligomers, epoxy (meth) acrylate oligomers, urethane (meth) acrylate oligomers, etc. There are, but are not limited to, acrylate oligomers, or mixtures of said oligomeric (meth) acrylate monomers.

磁石330は、後述するアクセプタ基板に挿入される磁性体と互いに磁気力を形成させるために挿入される層である。   The magnet 330 is a layer that is inserted to form a magnetic force with a magnetic body that is inserted into an acceptor substrate, which will be described later.

図面には示されなかったが、バッファー層は、転写層の転写特性向上及び転写後のデバイス寿命向上のために磁石330と転写層350の間に導入される層で、金属酸化物、金属硫化物または非金属無機化合物や高分子または低分子有機物が使用されうる。   Although not shown in the drawing, the buffer layer is a layer introduced between the magnet 330 and the transfer layer 350 in order to improve the transfer characteristics of the transfer layer and to improve the device life after transfer. Or a non-metallic inorganic compound or a high molecular or low molecular organic substance can be used.

中間挿入層340は、光-熱変換層320を保護するためのもので、高い熱抵抗を持つことが好ましく、有機または無機膜で構成されうる。   The intermediate insertion layer 340 is for protecting the light-heat conversion layer 320 and preferably has a high thermal resistance, and may be composed of an organic or inorganic film.

転写層350は、ドナーフィルムから分離してアクセプタ基板に転写される層で、有機発光素子の製作に利用される場合、発光層を形成するためには高分子または低分子有機発光物質からなることができる。また、電子輸送層ETL、電子注入層EIL、正孔輸送層HTL、正孔注入層HILを形成するためには、それぞれに適する材料からなることができる。この時、各転写層の材料は限定的ではなく、当業者が容易に追求できるどんな材料も可能であり、圧出、グラビア、スピン、ナイフコーティング、真空蒸着、CVD等の方法によって形成可能である。   The transfer layer 350 is a layer that is separated from the donor film and transferred to the acceptor substrate. When the transfer layer 350 is used for manufacturing an organic light emitting device, the transfer layer 350 is made of a polymer or a low molecular organic light emitting material to form the light emitting layer. Can do. Further, in order to form the electron transport layer ETL, the electron injection layer EIL, the hole transport layer HTL, and the hole injection layer HIL, they can be made of materials suitable for each. At this time, the material of each transfer layer is not limited, and any material that can be easily pursued by those skilled in the art is possible, and can be formed by methods such as extrusion, gravure, spin, knife coating, vacuum deposition, and CVD. .

前述したように、磁石330をドナーフィルムに挿入させることで、ドナーフィルムは磁性を持つようになって、アクセプタ基板上部に位置される時磁性体が挿入されたアクセプタ基板と相互磁気的引力を形成する。よって、ドナーフィルムとアクセプタ基板を磁力によって密着されるようにする。   As described above, when the magnet 330 is inserted into the donor film, the donor film becomes magnetic and forms a mutual magnetic attraction with the acceptor substrate into which the magnetic material is inserted when positioned above the acceptor substrate. To do. Therefore, the donor film and the acceptor substrate are brought into close contact by magnetic force.

図4は、本発明によるレーザ転写用ドナーフィルムの第2実施例を示した断面図である。図4を参照すれば、図3で電磁石330が光-熱変換層320と層間挿入層340の間に形成されるものとは異なって、基材基板410と光-熱変換層430の間に電磁石420が形成されている。各層の機能は図3と同様であるから、これに対する詳細な説明は略する。   FIG. 4 is a sectional view showing a second embodiment of the donor film for laser transfer according to the present invention. Referring to FIG. 4, unlike the case where the electromagnet 330 is formed between the light-heat conversion layer 320 and the interlayer insertion layer 340 in FIG. 3, between the base substrate 410 and the light-heat conversion layer 430. An electromagnet 420 is formed. Since the function of each layer is the same as in FIG. 3, detailed description thereof will be omitted.

図5は、本発明によるアクセプタ基板の第1実施例を示した断面図である。
図5を参照してアクセプタ基板上の構造を説明すれば、基板500上にはバッファー層502が形成され、前記バッファー層502が形成された面と対向する基板500の他面に磁性体501を含む層が形成されている。
FIG. 5 is a sectional view showing a first embodiment of an acceptor substrate according to the present invention.
The structure on the acceptor substrate will be described with reference to FIG. 5. A buffer layer 502 is formed on the substrate 500, and the magnetic body 501 is formed on the other surface of the substrate 500 opposite to the surface on which the buffer layer 502 is formed. A containing layer is formed.

前記磁性体501は、Fe、Ni、Cr、FeO、FeO、CoFeO、磁性ナノ粒子及びその混合物で構成されるグループより選ばれるいずれか一つである。この中で、磁性ナノ粒子はスピンコーティング、E-Beam蒸着、またはインクジェット方法を利用して形成する。 The magnetic body 501 is any one selected from the group consisting of Fe, Ni, Cr, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , CoFe 2 O 4 , magnetic nanoparticles, and a mixture thereof. Among these, the magnetic nanoparticles are formed using spin coating, E-Beam deposition, or an inkjet method.

そして、前記バッファー層502の一領域上には、アクティブチャンネル層503aとオーミックコンタクト層503bの間にLDD層(図示せず)を含む半導体層が形成される。前記半導体層上には、ゲート絶縁層504とゲート電極505がパターニングされて順次形成される。前記ゲート電極505上に形成され、前記半導体層の中でオーミックコンタクト層503bが露出するように形成された層間絶縁膜506と、露出した前記オーミックコンタクト層503bに接触されるようにソース及びドレイン電極507a、507bが前記層間絶縁膜506の一領域上に形成される。   A semiconductor layer including an LDD layer (not shown) is formed between the active channel layer 503a and the ohmic contact layer 503b on a region of the buffer layer 502. A gate insulating layer 504 and a gate electrode 505 are sequentially formed on the semiconductor layer. An interlayer insulating film 506 formed on the gate electrode 505 so that the ohmic contact layer 503b is exposed in the semiconductor layer, and a source and drain electrode so as to be in contact with the exposed ohmic contact layer 503b. 507a and 507b are formed on a region of the interlayer insulating film 506.

また、層間絶縁膜506上に平坦化膜508を形成し、前記平坦化膜508上には前記平坦化膜508の一領域をエッチングして前記ドレイン電極507bが露出するように形成されたビアホール(図示せず)を通じて前記ドレイン電極507bと第1電極層509が電気的に連結される。前記第1電極層509は、前記平坦化膜508の一領域に形成され、前記平坦化膜508上に前記第1電極層509を少なくとも部分的に露出させる開口部511が形成された画素規定膜510が形成されている。   Also, a planarization film 508 is formed on the interlayer insulating film 506, and a via hole (on the planarization film 508 is formed so that the drain electrode 507b is exposed by etching a region of the planarization film 508. The drain electrode 507b and the first electrode layer 509 are electrically connected through a not-shown). The first electrode layer 509 is formed in a region of the planarization film 508, and a pixel defining film in which an opening 511 for exposing the first electrode layer 509 at least partially is formed on the planarization film 508. 510 is formed.

図6及び図7は、本発明によるアクセプタ基板の他の実施例を示した断面図で、図5と同じ構成に対する説明は略する。
図6は、本発明によるアクセプタ基板の第2実施例を示した断面図である。図6は、基板600とバッファー層602の間にFe、Ni、Cr、FeO、FeO、CoFeO、磁性ナノ粒子及びその混合物で構成されるグループより選ばれるいずれか一つに形成される磁性体801が形成されている。
6 and 7 are cross-sectional views showing other embodiments of the acceptor substrate according to the present invention, and a description of the same configuration as that in FIG. 5 is omitted.
FIG. 6 is a sectional view showing a second embodiment of the acceptor substrate according to the present invention. FIG. 6 illustrates one selected from the group consisting of Fe, Ni, Cr, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , CoFe 2 O 4 , magnetic nanoparticles, and a mixture thereof between the substrate 600 and the buffer layer 602. A single magnetic body 801 is formed.

図7は、本発明によるアクセプタ基板の第3実施例を示した断面図である。図7を参照すれば、アクセプタ基板700上には少なくとも一つの画素領域770を具備する画像表示部760、走査駆動部740、データ駆動部730、駆動電源710、基底電源720などが形成されている。   FIG. 7 is a sectional view showing a third embodiment of the acceptor substrate according to the present invention. Referring to FIG. 7, an image display unit 760 including at least one pixel region 770, a scan driving unit 740, a data driving unit 730, a driving power source 710, and a base power source 720 are formed on the acceptor substrate 700. .

アクセプタ基板700上に形成された駆動電源710外郭領域と、画像表示部760の画素領域770以外の領域の中で少なくともいずれか一つ以上の面に磁力支持用メタルライン750が形成される。磁力支持用メタルライン750は磁性体で、前記磁性体はFe、Ni、Cr、FeO、FeO、CoFeO、磁性ナノ粒子及びその混合物で構成されるグループより選ばれるいずれか一つである。 A magnetic force supporting metal line 750 is formed on at least one of the outer area of the drive power source 710 formed on the acceptor substrate 700 and the area other than the pixel area 770 of the image display unit 760. The magnetic support metal line 750 is a magnetic body, and the magnetic body is selected from the group consisting of Fe, Ni, Cr, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , CoFe 2 O 4 , magnetic nanoparticles, and a mixture thereof. One of them.

走査駆動部740は、各画素領域770内の有機発光素子(図示せず)を駆動するための選択信号を制御し、制御された選択信号を走査線に供給する。選択信号は、走査線を通じて各画素領域770内のスイッチング素子(図示せず)に伝達されてスイッチング素子がターンオンまたはターンオプされるように機能する。   The scan driver 740 controls a selection signal for driving an organic light emitting element (not shown) in each pixel region 770, and supplies the controlled selection signal to the scanning line. The selection signal is transmitted to a switching element (not shown) in each pixel region 770 through the scanning line, so that the switching element is turned on or turned on.

そして、データ駆動部730は、各画素領域770の画像信号を示したデータ電圧または電流を制御し、制御されたデータ電圧または電流を各データ線に供給する役割をする。   The data driver 730 controls the data voltage or current indicating the image signal of each pixel region 770 and serves to supply the controlled data voltage or current to each data line.

図8aないし図8eは、本発明による有機発光素子の製造方法を説明するための断面図である。
図8aのように、本発明によるレーザ熱転写方法によって発光層を形成する時には、まず、磁性体801が含まれたアクセプタ基板を準備する。
8a to 8e are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an organic light emitting device according to the present invention.
As shown in FIG. 8a, when a light emitting layer is formed by the laser thermal transfer method according to the present invention, first, an acceptor substrate including a magnetic body 801 is prepared.

アクセプタ基板は、前述したように、基板800上に薄膜トランジスターが形成され、前記薄膜トランジスターと対向する基板800の他面に磁性体801が形成されている。前記磁性体801は、ナノ粒子からなることができ、スピンコーティング、E-Beam蒸着、またはインクジェット方法を利用して形成する。そして、前記薄膜トランジスター上に第1電極層809及び前記第1電極層809の少なくとも一領域が露出された開口部810を具備する画素規定膜811が形成されている。   As described above, in the acceptor substrate, a thin film transistor is formed on the substrate 800, and a magnetic body 801 is formed on the other surface of the substrate 800 facing the thin film transistor. The magnetic body 801 may be formed of nanoparticles, and may be formed using spin coating, E-Beam deposition, or an inkjet method. A pixel defining layer 811 having an opening 810 exposing at least one region of the first electrode layer 809 and the first electrode layer 809 is formed on the thin film transistor.

その後、図8bのように、アクセプタ基板上にドナーフィルム820をラミネーションさせる。ドナーフィルム820と基板の間に密着特性が良いほど後続転写工程での転写効率が向上するので、ドナーフィルム820の電磁石822とアクセプタ基板の磁性体801の間に作用する磁気力によって密着特性がよくなる。   Thereafter, as shown in FIG. 8b, a donor film 820 is laminated on the acceptor substrate. The better the adhesion characteristics between the donor film 820 and the substrate, the better the transfer efficiency in the subsequent transfer process. Therefore, the adhesion characteristics are improved by the magnetic force acting between the electromagnet 822 of the donor film 820 and the magnetic body 801 of the acceptor substrate. .

本発明の実施例によるドナーフィルム820は、基材基板821、電磁石822、光-熱変換層823、層間挿入層824、転写層825で構成されているが、電磁石を含むことができるドナーフィルムの他の構造を適用しても良いのは勿論である。   The donor film 820 according to the embodiment of the present invention includes a base substrate 821, an electromagnet 822, a light-heat conversion layer 823, an interlayer insertion layer 824, and a transfer layer 825. The donor film 820 may include an electromagnet. Of course, other structures may be applied.

以後、図8cのように、アクセプタ基板とドナーフィルム820がラミネーションされた状態で、ドナーフィルム820上から発光層825が転写される領域のみに局所的にレーザを照射する。レーザが照射されれば、前記光-熱変換層823がアクセプタ基板方向に膨脹することによって転写層825も膨脹され、レーザが照射された領域の転写層825がドナーフィルム820から分離しながらアクセプタ基板に転写される。   Thereafter, as shown in FIG. 8c, in a state where the acceptor substrate and the donor film 820 are laminated, only the region where the light emitting layer 825 is transferred from the donor film 820 is locally irradiated with the laser. When the laser is irradiated, the light-heat conversion layer 823 expands in the direction of the acceptor substrate, so that the transfer layer 825 is also expanded, and the transfer layer 825 in the region irradiated with the laser is separated from the donor film 820 while accepting the acceptor substrate. Is transcribed.

そして、図8dのように、アクセプタ基板上に転写層825bが転写されれば、ドナーフィルム820とアクセプタ基板を分離させる。分離されたアクセプタ基板上には、画素規定膜811の少なくとも一領域及び開口部に転写層825bが形成されており、ドナーフィルム820上にはレーザが照射された領域の転写層825bのみ転写されて残りの部分825aはそのままドナーフィルム820上に残される。   Then, as shown in FIG. 8d, when the transfer layer 825b is transferred onto the acceptor substrate, the donor film 820 and the acceptor substrate are separated. On the separated acceptor substrate, a transfer layer 825b is formed in at least one region and opening of the pixel defining film 811. Only the transfer layer 825b in the region irradiated with the laser is transferred onto the donor film 820. The remaining portion 825a is left on the donor film 820 as it is.

最後に、図8eのように、アクセプタ基板上に転写層825bが転写された後、前記転写層である発光層825b上に第2電極層832を形成し、有機発光素子を保護できるように封止膜830を形成する。前記封止膜830の内面には吸収部材831が形成されており、前記吸収部材831は、有機発光素子に浸透する水気などを吸収する役割をする。これによって、有機発光素子の発光層825bが水気などによって損傷及び腐食されることを防止することができる。   Finally, as shown in FIG. 8e, after the transfer layer 825b is transferred onto the acceptor substrate, a second electrode layer 832 is formed on the light emitting layer 825b, which is the transfer layer, and sealed to protect the organic light emitting device. A stop film 830 is formed. An absorbing member 831 is formed on the inner surface of the sealing film 830, and the absorbing member 831 serves to absorb moisture and the like that permeate the organic light emitting device. Accordingly, the light emitting layer 825b of the organic light emitting device can be prevented from being damaged or corroded by moisture or the like.

前記実施例ではアクセプタ基板下部に磁性体が形成されたことを説明したが、アクセプタ基板上部に磁性体が形成されても良いのは勿論である。   In the above embodiment, it has been described that the magnetic material is formed in the lower portion of the acceptor substrate. However, it is needless to say that the magnetic material may be formed in the upper portion of the acceptor substrate.

以上添付した図面を参照して本発明について詳細に説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということを理解することができる。   The present invention has been described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is only illustrative, and various modifications and other equivalent implementations may be made by those having ordinary skill in the art. It can be understood that the form is possible.

従来の技術によるレーザ熱転写装置の部分断面図である。It is a fragmentary sectional view of the laser thermal transfer apparatus by a prior art. 本発明の一側面によるレーザ熱転写方法を説明するための工程の段階別断面図である。It is sectional drawing according to the step of the process for demonstrating the laser thermal transfer method by one side of this invention. 本発明の一側面によるレーザ熱転写方法を説明するための工程の段階別断面図である。It is sectional drawing according to the step of the process for demonstrating the laser thermal transfer method by one side of this invention. 本発明の一側面によるレーザ熱転写方法を説明するための工程の段階別断面図である。It is sectional drawing according to the step of the process for demonstrating the laser thermal transfer method by one side of this invention. 本発明の一側面によるレーザ熱転写方法を説明するための工程の段階別断面図である。It is sectional drawing according to the step of the process for demonstrating the laser thermal transfer method by one side of this invention. 本発明の一側面によるレーザ熱転写方法を説明するための工程の段階別断面図である。It is sectional drawing according to the step of the process for demonstrating the laser thermal transfer method by one side of this invention. 本発明の一側面によるレーザ熱転写方法を説明するための工程の段階別断面図である。It is sectional drawing according to the step of the process for demonstrating the laser thermal transfer method by one side of this invention. 本発明の一側面によるレーザ熱転写方法を説明するための工程の段階別断面図である。It is sectional drawing according to the step of the process for demonstrating the laser thermal transfer method by one side of this invention. 本発明の一側面によるレーザ熱転写方法を説明するための工程の段階別断面図である。It is sectional drawing according to the step of the process for demonstrating the laser thermal transfer method by one side of this invention. 本発明によるレーザ転写用ドナーフィルムの第1実施例を示した断面図である。It is sectional drawing which showed 1st Example of the donor film for laser transfer by this invention. 本発明によるレーザ転写用ドナーフィルムの第2実施例を示した断面図である。It is sectional drawing which showed 2nd Example of the donor film for laser transfer by this invention. 本発明によるアクセプタ基板の第1実施例を示した断面図である。It is sectional drawing which showed 1st Example of the acceptor board | substrate by this invention. 本発明によるアクセプタ基板の第2実施例を示した断面図である。It is sectional drawing which showed 2nd Example of the acceptor board | substrate by this invention. 本発明によるアクセプタ基板の第3実施例を示した断面図である。It is sectional drawing which showed 3rd Example of the acceptor board | substrate by this invention. 本発明の他の側面による有機発光素子の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the organic light emitting element by the other side of this invention. 本発明の他の側面による有機発光素子の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the organic light emitting element by the other side of this invention. 本発明の他の側面による有機発光素子の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the organic light emitting element by the other side of this invention. 本発明の他の側面による有機発光素子の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the organic light emitting element by the other side of this invention. 本発明の他の側面による有機発光素子の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the organic light emitting element by the other side of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

200a:工程チャンバ
200b:移送チャンバ
222:第1装着ホーム
221:第2装着ホーム
270:アクセプタ基板
271:磁性体
280、820:ドナーフィルム
330、420:電磁石
200a: process chamber 200b: transfer chamber 222: first mounting home 221: second mounting home 270: acceptor substrate 271: magnetic body 280, 820: donor film 330, 420: electromagnet

Claims (10)

工程チャンバ内の基板ステージ上に少なくとも一面に磁性体が形成されたアクセプタ基板を位置させる段階と、
前記アクセプタ基板上に電磁石を含むドナーフィルムを位置させる段階と、
前記ドナーフィルムに形成された電磁石と前記アクセプタ基板の磁性体の間に作用する磁気力によって前記ドナーフィルムと前記アクセプタ基板をラミネーションする段階と、
前記ドナーフィルム上にレーザを照射して転写層の少なくとも一領域をアクセプタ基板上に転写させる段階と、
を含むことを特徴とするレーザ熱転写方法。
Positioning an acceptor substrate having a magnetic material formed on at least one surface on a substrate stage in a process chamber;
Positioning a donor film comprising an electromagnet on the acceptor substrate;
Laminating the donor film and the acceptor substrate by a magnetic force acting between an electromagnet formed on the donor film and a magnetic body of the acceptor substrate;
Irradiating the donor film with a laser to transfer at least one region of the transfer layer onto the acceptor substrate;
A laser thermal transfer method comprising:
前記ドナーフィルムは、
基材基板と、
前記基材基板上に形成される光-熱変換層と、
前記光-熱変換層上に形成される転写層と、
前記光-熱変換層の少なくともいずれか一面に形成された電磁石を含むことを特徴とする請求項1に記載のレーザ熱転写方法。
The donor film is
A base substrate;
A light-to-heat conversion layer formed on the base substrate;
A transfer layer formed on the light-heat conversion layer;
2. The laser thermal transfer method according to claim 1, further comprising an electromagnet formed on at least one surface of the light-heat conversion layer.
前記光-熱変換層と前記転写層の間に層間挿入層をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載のレーザ熱転写方法。   3. The laser thermal transfer method according to claim 2, further comprising an interlayer insertion layer between the light-heat conversion layer and the transfer layer. 前記電磁石を基材基板または光-熱変換層内部に少なくとも一つの棒または円筒状で形成することを特徴とする請求項1に記載のレーザ熱転写方法。   2. The laser thermal transfer method according to claim 1, wherein the electromagnet is formed in at least one rod or cylinder in a base substrate or a light-heat conversion layer. 前記電磁石は、
電圧を印加するための電気配線が含まれることを特徴とする請求項1に記載のレーザ熱転写方法。
The electromagnet
The laser thermal transfer method according to claim 1, further comprising an electrical wiring for applying a voltage.
前記磁性体は、
Fe、Ni、Cr、FeO、FeO、CoFeO、磁性ナノ粒子及びその混合物で構成されるグループより選ばれるいずれかひとつであることを特徴とする請求項1に記載のレーザ熱転写方法。
The magnetic body is
2. The composition according to claim 1, which is any one selected from the group consisting of Fe, Ni, Cr, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , CoFe 2 O 4 , magnetic nanoparticles, and a mixture thereof. Laser thermal transfer method.
前記磁性ナノ粒子は、
スピンコーティング、電子ビーム蒸着、またはインクジェット方法を利用して形成することを特徴とする請求項6に記載のレーザ熱転写方法。
The magnetic nanoparticles are:
7. The laser thermal transfer method according to claim 6, wherein the laser thermal transfer method is formed by using spin coating, electron beam evaporation, or an ink jet method.
前記アクセプタ基板に形成された駆動電源外郭領域と、
画像表示部の画素領域以外の領域の中で少なくともいずれか一つ以上の面に形成される磁力支持用メタルラインを含むことを特徴とする請求項1に記載のレーザ熱転写方法。
A drive power supply outer region formed on the acceptor substrate;
2. The laser thermal transfer method according to claim 1, further comprising a magnetic support metal line formed on at least one of the areas other than the pixel area of the image display unit.
前記工程チャンバは、
真空チャンバであることを特徴とする請求項1に記載のレーザ熱転写方法。
The process chamber includes
The laser thermal transfer method according to claim 1, wherein the laser thermal transfer method is a vacuum chamber.
レーザ熱転写方法によって第1電極と第2電極の間に発光層が形成される有機発光素子の製造方法において、
基板ステージ上に画素領域が形成されて、磁性体を含むアクセプタ基板を位置させるアクセプタ基板移送段階と、
前記アクセプタ基板上に電磁石を含み、発光層を具備したドナーフィルムを移送させるドナーフィルム移送段階と、
前記アクセプタ基板に形成された前記磁性体と前記ドナーフィルムに含まれた前記電磁石の間の磁気力によって前記アクセプタ基板と前記ドナーフィルムとを接合するラミネーション段階と、
前記ドナーフィルムにレーザを照射して前記アクセプタ基板の前記画素領域に前記発光層を転写する転写段階と、
を含むことを特徴とするレーザ熱転写方法を利用した有機発光素子の製造方法。
In a method for manufacturing an organic light emitting device in which a light emitting layer is formed between a first electrode and a second electrode by a laser thermal transfer method,
An acceptor substrate transfer step in which a pixel region is formed on a substrate stage and an acceptor substrate including a magnetic material is positioned;
A donor film transfer step for transferring a donor film including an electromagnet on the acceptor substrate and having a light emitting layer;
A lamination step of joining the acceptor substrate and the donor film by a magnetic force between the magnetic material formed on the acceptor substrate and the electromagnet included in the donor film;
A transfer step of irradiating the donor film with a laser to transfer the light emitting layer to the pixel region of the acceptor substrate;
A method for producing an organic light-emitting device using a laser thermal transfer method.
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