[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2007027684A - Electronic parts module - Google Patents

Electronic parts module Download PDF

Info

Publication number
JP2007027684A
JP2007027684A JP2006089694A JP2006089694A JP2007027684A JP 2007027684 A JP2007027684 A JP 2007027684A JP 2006089694 A JP2006089694 A JP 2006089694A JP 2006089694 A JP2006089694 A JP 2006089694A JP 2007027684 A JP2007027684 A JP 2007027684A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
heat
electronic component
component module
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006089694A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4822900B2 (en
Inventor
Hiroyuki Arikawa
浩幸 有川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2006089694A priority Critical patent/JP4822900B2/en
Publication of JP2007027684A publication Critical patent/JP2007027684A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4822900B2 publication Critical patent/JP4822900B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1532Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H01L2924/15321Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a compact electronic parts module which is excellent in heat dissipation. <P>SOLUTION: This electronic parts module is equipped with a wiring board 1 formed with a cavity 2, a first semiconductor element 10 mounted on the wiring board 1, and a second semiconductor element 11 with heating property. The first semiconductor element 10 is housed in the cavity, and the second semiconductor element 11 is mounted on a heat dissipation substrate 7. The heat dissipation substrate 7 is mounted on the wiring board 1 so as to be positioned in a region just above the cavity 2. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、主として移動体通信機器に使用される電子部品モジュールに関するものである。   The present invention relates to an electronic component module mainly used for mobile communication equipment.

近年、配線基板上に半導体素子及び受動素子を含む複数の電子部品素子を搭載してなる電子部品モジュールが急速に普及してきている。   In recent years, electronic component modules in which a plurality of electronic component elements including semiconductor elements and passive elements are mounted on a wiring board have been rapidly spread.

かかる電子部品モジュールとして、複数の電子部品素子を備え、これら複数の電子部品素子を配線基板の上面に並べて載置するとともに、電子部品素子を金属製のシールドケースで覆うようにした構造のものが知られている。   Such an electronic component module includes a plurality of electronic component elements, a structure in which the plurality of electronic component elements are arranged and placed on the upper surface of the wiring board, and the electronic component elements are covered with a metal shield case. Are known.

電子部品モジュールには、その使用時にジュール熱などを発生する発熱性を有した半導体素子(例えば、パワーアンプを内蔵した半導体素子)が使用されている。   For the electronic component module, a semiconductor element having exothermic property that generates Joule heat or the like when used (for example, a semiconductor element incorporating a power amplifier) is used.

かかる発熱性を有する半導体素子から発せられる熱が外部へ放散されずに半導体素子自体に蓄積されてしまうと、半導体素子が過度に高温となって半導体素子の電気的特性が大きく変動し、その結果、電子部品モジュールの動作が不安定になってしまう。また、半導体素子から発生する熱が、周囲の電子部品素子に影響を及ぼすことによりその特性を変動させることがあり、これも、電子部品モジュールの動作不安定を引き起こす要因となる。   If the heat generated from the heat-generating semiconductor element is accumulated in the semiconductor element itself without being dissipated to the outside, the semiconductor element becomes excessively hot and the electrical characteristics of the semiconductor element greatly fluctuate. The operation of the electronic component module becomes unstable. In addition, the heat generated from the semiconductor element may affect the surrounding electronic component elements, thereby changing the characteristics thereof. This also causes unstable operation of the electronic component module.

そこで、半導体素子より発生した熱を電子部品モジュールの外部へ放出する手段として、半導体素子が実装される配線基板の内部で半導体素子の直下領域に、配線基板を厚み方向に貫く複数のサーマルビア導体を設けるとともに該サーマルビア導体を発熱性を有する半導体素子に接続させる方法が知られている。これによって、半導体素子で発生した熱を、サーマルビア導体を介して電子部品モジュールの外部へ放出させることが従来から行われている(例えば、特許文献1)。
特開2003−204013号公報
Therefore, as means for releasing the heat generated from the semiconductor element to the outside of the electronic component module, a plurality of thermal via conductors that penetrate the wiring board in the thickness direction inside the wiring board on which the semiconductor element is mounted, immediately below the semiconductor element. And a method of connecting the thermal via conductor to an exothermic semiconductor element is known. Thus, heat generated in the semiconductor element has been conventionally released to the outside of the electronic component module through the thermal via conductor (for example, Patent Document 1).
Japanese Patent Laid-Open No. 2003-204013

しかしながら、上記のような構造を有する従来の電子部品モジュールは、複数の電子部品素子を同一平面上に並べて載置させているため、配線基板が大型化し、これによって電子部品モジュールの全体構造が大型化してしまうという欠点があった。   However, since the conventional electronic component module having the above-described structure has a plurality of electronic component elements arranged and placed on the same plane, the size of the wiring board is increased, thereby increasing the overall structure of the electronic component module. There was a drawback of becoming.

本発明は上記欠点に鑑み案出されたものであり、その主たる目的は、小型で且つ放熱性に優れた電子部品モジュールを提供することにある。   The present invention has been devised in view of the above drawbacks, and a main object thereof is to provide an electronic component module that is small in size and excellent in heat dissipation.

本発明の電子部品モジュールは、キャビティを設けた配線基板と、前記配線基板に搭載される第1の半導体素子及び発熱性を有する第2の半導体素子と、を具備する電子部品モジュールにおいて、前記第1の半導体素子を前記キャビティ内に収容するとともに、前記第2の半導体素子を放熱性基板に実装し、前記放熱性基板を前記キャビティの直上領域に位置するようにして前記配線基板に実装したことを特徴とするものである。   The electronic component module according to the present invention is an electronic component module comprising: a wiring board provided with a cavity; and a first semiconductor element mounted on the wiring board and a second semiconductor element having heat generation. 1 semiconductor element is accommodated in the cavity, the second semiconductor element is mounted on a heat radiating board, and the heat radiating board is mounted on the wiring board so as to be located in a region immediately above the cavity. It is characterized by.

また本発明の電子部品モジュールは、前記放熱性基板を、前記配線基板の上面で且つ前記キャビティ開口部より外方に設けた接続パッドに導電性接合材を介して実装するとともに、前記接続パッドと前記配線基板の下面に設けた外部端子とを、前記配線基板の厚み方向を貫く複数個の第1のサーマルビア導体により接続したことを特徴とするものである。   In the electronic component module of the present invention, the heat dissipating board is mounted on a connection pad provided on the upper surface of the wiring board and outside the cavity opening via a conductive bonding material. The external terminal provided on the lower surface of the wiring board is connected by a plurality of first thermal via conductors that penetrate the thickness direction of the wiring board.

また本発明の電子部品モジュールは、前記放熱性基板と前記第2の半導体素子の実装面との間に伝熱用接合材を介在させたことを特徴とするものである。   In the electronic component module of the present invention, a heat transfer bonding material is interposed between the heat dissipating substrate and the mounting surface of the second semiconductor element.

また本発明の電子部品モジュールは、前記放熱性基板の前記第2の半導体素子が実装されている主面と反対側の主面に金属製のヒートシンク層を設けたことを特徴とするものである。   The electronic component module of the present invention is characterized in that a metal heat sink layer is provided on the main surface opposite to the main surface on which the second semiconductor element is mounted on the heat dissipation substrate. .

また本発明の電子部品モジュールは、前記放熱性基板と前記第2の半導体素子の実装面との間に伝熱用接合材を介在させるとともに、前記放熱性基板の前記第2の半導体素子が実装されている主面と反対側の主面に金属製のヒートシンク層を設け、前記伝熱用接合材と前記ヒートシンク層とを前記放熱性基板を貫く複数個の第2のサーマルビア導体により接続したことを特徴とするものである。   In the electronic component module of the present invention, a heat transfer bonding material is interposed between the heat dissipating substrate and the mounting surface of the second semiconductor element, and the second semiconductor element of the heat dissipating substrate is mounted. A heat sink layer made of metal is provided on the main surface opposite to the main surface, and the heat transfer bonding material and the heat sink layer are connected by a plurality of second thermal via conductors that penetrate the heat dissipation substrate. It is characterized by this.

また本発明の電子部品モジュールは、前記放熱性基板の内部に、前記第2のサーマルビア導体に接続されるとともに前記放熱性基板の側面まで延在される放熱用導体パターンを設けたことを特徴とするものである。   The electronic component module according to the present invention is characterized in that a heat dissipating conductor pattern connected to the second thermal via conductor and extending to a side surface of the heat dissipating substrate is provided inside the heat dissipating substrate. It is what.

また本発明の電子部品モジュールは、前記放熱性基板の前記配線基板への実装面には前記接続パッドに前記導電性接合材を介して接続される実装パッドが設けられており、該実装パッドと前記放熱用導体パターンとを導体を介して接続することにより、前記第1のサーマルビア導体と前記第2のサーマルビア導体とを熱的に接続したことを特徴とするものである。   In the electronic component module of the present invention, a mounting pad connected to the connection pad via the conductive bonding material is provided on the mounting surface of the heat dissipation board to the wiring board. The first thermal via conductor and the second thermal via conductor are thermally connected by connecting the heat radiating conductor pattern via a conductor.

また本発明の電子部品モジュールは、前記第2の半導体素子が、前記放熱性基板の前記配線基板への実装面とは反対側の面に実装されていることを特徴とするものである。   The electronic component module of the present invention is characterized in that the second semiconductor element is mounted on a surface opposite to the mounting surface of the heat dissipating substrate on the wiring substrate.

また本発明の電子部品モジュールは、前記放熱性基板及び第2の半導体素子を被覆する樹脂材が設けられていることを特徴とするものである。   The electronic component module of the present invention is characterized in that a resin material for covering the heat-radiating substrate and the second semiconductor element is provided.

また本発明の電子部品モジュールは、前記樹脂材の外表面を被覆するシールド層が設けられていることを特徴とするものである。   The electronic component module of the present invention is characterized in that a shield layer for covering the outer surface of the resin material is provided.

本発明の電子部品モジュールによれば、第1の半導体素子を配線基板に設けたキャビティ内に収容するとともに、第2の半導体素子を放熱性基板に実装し、該放熱性基板を前記キャビティの直上領域に位置するようにして配線基板に実装するようにしたことから、第2の半導体素子から発せられる熱が放熱性基板に伝導し、第2の半導体素子に熱が蓄積されるのを有効に防止することができる。これによって、第2の半導体素子が過度に高温になることがなくなり、熱の影響による第2の半導体素子の電気的特性の変動を抑制することが可能となる。しかも、第1の半導体素子と第2の半導体素子とは積層方向に重なるようにして配置されることから、電子部品モジュールの全体構造を小型化することができる。   According to the electronic component module of the present invention, the first semiconductor element is accommodated in the cavity provided on the wiring board, the second semiconductor element is mounted on the heat dissipation board, and the heat dissipation board is directly above the cavity. Since it is mounted on the wiring board so as to be located in the region, it is effective that the heat generated from the second semiconductor element is conducted to the heat dissipating board and the heat is accumulated in the second semiconductor element. Can be prevented. As a result, the second semiconductor element does not become excessively high in temperature, and fluctuations in the electrical characteristics of the second semiconductor element due to the influence of heat can be suppressed. Moreover, since the first semiconductor element and the second semiconductor element are arranged so as to overlap in the stacking direction, the overall structure of the electronic component module can be reduced in size.

また本発明の電子部品モジュールは、前記放熱性基板を、前記配線基板の上面で且つ前記キャビティ開口部より外方に設けた接続パッドに導電性接合材を介して実装するとともに、前記接続パッドと前記配線基板の下面に設けた外部端子とを、前記配線基板の厚み方向を貫く複数個の第1のサーマルビア導体により接続している。これにより、前記放熱性基板に伝導した熱を、第1のサーマルビア導体、外部端子等を介して外部へ効率良く伝導することができ、放熱作用をより高めることが可能となる。   In the electronic component module of the present invention, the heat dissipating board is mounted on a connection pad provided on the upper surface of the wiring board and outside the cavity opening via a conductive bonding material. External terminals provided on the lower surface of the wiring board are connected by a plurality of first thermal via conductors that penetrate the thickness direction of the wiring board. Thereby, the heat conducted to the heat radiating substrate can be efficiently conducted to the outside through the first thermal via conductor, the external terminal, etc., and the heat radiation action can be further enhanced.

また本発明の電子部品モジュールは、前記放熱性基板と前記第2の半導体素子の実装面との間に伝熱用接合材を介在させている。これによって、第2の半導体素子から発せられる熱を効率よく放熱性基板側へ伝導させることができる。また、伝熱用接合材により第2の半導体素子の放熱性基板への接合強度を高めることができるという利点もある。   In the electronic component module of the present invention, a heat transfer bonding material is interposed between the heat dissipating substrate and the mounting surface of the second semiconductor element. Thereby, the heat generated from the second semiconductor element can be efficiently conducted to the heat radiating substrate side. In addition, there is an advantage that the bonding strength of the second semiconductor element to the heat dissipation substrate can be increased by the heat transfer bonding material.

また本発明の電子部品モジュールには、前記放熱性基板の前記第2の半導体素子が実装されている主面と反対側の主面に金属製のヒートシンク層を設けている。これにより、第2の半導体素子より放熱性基板に伝導した熱を効率よく外部へ放出するこができ、放熱作用をより高めることが可能となる。   In the electronic component module of the present invention, a metal heat sink layer is provided on the main surface opposite to the main surface on which the second semiconductor element of the heat dissipating substrate is mounted. Thereby, the heat conducted to the heat dissipation substrate from the second semiconductor element can be efficiently released to the outside, and the heat dissipation action can be further enhanced.

また本発明の電子部品モジュールでは、前記放熱性基板と前記第2の半導体素子の実装面との間に伝熱用接合材を介在させるとともに、前記放熱性基板の前記第2の半導体素子が実装されている主面と反対側の主面に金属製のヒートシンク層を設け、前記伝熱用接合材と前記ヒートシンク層とを前記放熱性基板を貫く複数個の第2のサーマルビア導体により接続するようにしてもよい。これにより、第2の半導体素子から発せられる熱を、伝熱用接合材、第2のサーマルビア導体、及びヒートシンク層を介して外部へ効率よく放出することができ、放熱作用をよりいっそう高めることが可能となる。   In the electronic component module of the present invention, a heat transfer bonding material is interposed between the heat dissipation substrate and the mounting surface of the second semiconductor element, and the second semiconductor element of the heat dissipation substrate is mounted. A heat sink layer made of metal is provided on the main surface opposite to the main surface, and the heat transfer bonding material and the heat sink layer are connected by a plurality of second thermal via conductors that penetrate the heat dissipation substrate. You may do it. Thereby, the heat generated from the second semiconductor element can be efficiently released to the outside through the heat transfer bonding material, the second thermal via conductor, and the heat sink layer, and the heat dissipation action is further enhanced. Is possible.

また本発明の電子部品モジュールは、前記放熱性基板の内部に、前記第2のサーマルビア導体に接続されるとともに前記放熱性基板の側面まで延在される放熱用導体パターンを設けている。これにより、放熱性基板に伝導した熱が放熱用導体パターンを介して外部へ効率よく放出され、放熱作用をよりいっそう高めることが可能となる。   In the electronic component module of the present invention, a heat radiating conductor pattern connected to the second thermal via conductor and extending to the side surface of the heat radiating substrate is provided inside the heat radiating substrate. Thereby, the heat conducted to the heat-radiating substrate is efficiently released to the outside through the heat-dissipating conductor pattern, and the heat-dissipating action can be further enhanced.

また本発明の電子部品モジュールは、前記放熱性基板の前記配線基板への実装面には前記接続パッドに前記導電性接合材を介して接続される実装パッドが設けられており、該実装パッドと前記放熱用導体パターンとを導体を介して接続している。これにより、前記第1のサーマルビア導体と前記第2のサーマルビア導体とが熱的に接続され、第2の半導体素子から発せられる熱をきわめて効率よく外部へ放熱することができるようになる。   In the electronic component module of the present invention, a mounting pad connected to the connection pad via the conductive bonding material is provided on the mounting surface of the heat dissipation board to the wiring board. The heat dissipating conductor pattern is connected via a conductor. As a result, the first thermal via conductor and the second thermal via conductor are thermally connected, and the heat generated from the second semiconductor element can be radiated to the outside very efficiently.

以下、本発明の電子部品モジュールを図面に基づいて詳細に説明する。なお、本実施形態においては第1の半導体素子としてベースバンドIC(BBIC)、第2の半導体素子としてRFICを用いた無線通信機器に使用される高周波モジュールとしての電子部品モジュールについて説明する。   Hereinafter, an electronic component module of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the present embodiment, an electronic component module as a high-frequency module used in a wireless communication device using a baseband IC (BBIC) as a first semiconductor element and an RFIC as a second semiconductor element will be described.

図1(a)は本発明の一実施形態に係る電子部品モジュールの斜視図(ただし、樹脂材9は省略)、図1(b)は、図1(a)に示す電子部品モジュールの分解斜視図、図2は図1(a)に示す電子部品モジュールに樹脂材9を設けた状態の断面図、図3は図1(a)に示す電子部品モジュールの上面図、図4は図1(a)に示す電子部品モジュールに使用される放熱性基板7の平面透視図、図5は図1に示す電子部品モジュールに組み込まれる回路のブロック図である。   1A is a perspective view of an electronic component module according to an embodiment of the present invention (however, the resin material 9 is omitted), and FIG. 1B is an exploded perspective view of the electronic component module shown in FIG. 2 is a cross-sectional view of the electronic component module shown in FIG. 1A provided with a resin material 9, FIG. 3 is a top view of the electronic component module shown in FIG. 1A, and FIG. FIG. 5 is a block diagram of a circuit incorporated in the electronic component module shown in FIG. 1. FIG. 5 is a plan perspective view of the heat dissipating substrate 7 used in the electronic component module shown in a).

同図に示す電子部品モジュールは、配線基板1、第1の半導体素子10、放熱性基板7、及び第2の半導体素子11から主に構成されており、図5において一点鎖線で囲んだフルモジュールの回路を備えている。   The electronic component module shown in the figure is mainly composed of a wiring board 1, a first semiconductor element 10, a heat dissipating board 7, and a second semiconductor element 11, and is a full module surrounded by an alternate long and short dash line in FIG. Circuit.

配線基板1は概略直方体形状をなし、上面側にキャビティ2が形成されている。また配線基板1には、第1の半導体素子10、第2の半導体素子11、SAWフィルタ12、水晶発振器13、チップ状電子部品14が搭載されている。チップ状電子部品14は、主にRF用の電子部品素子であり、例えばコンデンサ、抵抗、インダクタ等である。また配線基板1の内部には、図2に示すように、バンドパスフィルタ(BPF)やバラン等の受動素子15が形成されるとともに、各素子同士を接続するために配線導体16a及びビアホール導体16bからなる内部配線16が形成されている。さらに、配線基板1の内部には、後述する第1のサーマルビア導体8が形成されている。また、配線基板1の上面側には、配線基板上に搭載されている第2の半導体素子11、SAWフィルタ12、水晶発振器13等を被覆する樹脂材9が形成されている。   The wiring board 1 has a substantially rectangular parallelepiped shape, and a cavity 2 is formed on the upper surface side. The wiring board 1 is mounted with a first semiconductor element 10, a second semiconductor element 11, a SAW filter 12, a crystal oscillator 13, and a chip-shaped electronic component 14. The chip-shaped electronic component 14 is mainly an electronic component element for RF, such as a capacitor, a resistor, and an inductor. In addition, as shown in FIG. 2, a passive element 15 such as a band pass filter (BPF) or a balun is formed inside the wiring board 1, and a wiring conductor 16a and a via-hole conductor 16b are used to connect the elements. An internal wiring 16 is formed. Further, a first thermal via conductor 8 to be described later is formed inside the wiring board 1. In addition, a resin material 9 that covers the second semiconductor element 11, the SAW filter 12, the crystal oscillator 13, and the like mounted on the wiring board is formed on the upper surface side of the wiring board 1.

このような配線基板1は、例えば、ガラス−セラミックス、アルミナ、ムライト等のセラミック材料を主成分とする絶縁体層を複数個積層することにより形成さている。特に、電子部品モジュールを高周波用の機器に使用する場合、配線基板1には、ガラス−セラミックス材料を用いることが好ましい。ガラス−セラミックス材料を用いることにより、配線として低抵抗導体であるCuやAgが使用しやすくなる。また、熱伝導性が比較的低いガラス−セラミックス材料を用いれば、後述するように第2の半導体素子11から発生する熱が第1の半導体素子10に伝わるのを有効に防止ことができる。   Such a wiring board 1 is formed, for example, by laminating a plurality of insulator layers mainly composed of a ceramic material such as glass-ceramics, alumina, and mullite. In particular, when the electronic component module is used in a high-frequency device, it is preferable to use a glass-ceramic material for the wiring board 1. By using a glass-ceramic material, Cu and Ag which are low resistance conductors can be easily used as wiring. If a glass-ceramic material having a relatively low thermal conductivity is used, it is possible to effectively prevent the heat generated from the second semiconductor element 11 from being transmitted to the first semiconductor element 10 as will be described later.

また配線基板1は、例えば、ガラス−セラミックス材料等のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤を添加・混合して得たセラミックグリーンシートの表面等に回路配線や接続パッドとなる導体ペーストを従来周知のスクリーン印刷法等で塗布するとともに、これを複数個積層してプレス成形した後、高温で焼成することによって製作される。   In addition, for the wiring substrate 1, for example, a conductive paste serving as a circuit wiring or a connection pad is conventionally known on the surface of a ceramic green sheet obtained by adding and mixing an appropriate organic solvent to a ceramic material powder such as a glass-ceramic material. It is manufactured by applying a screen printing method or the like, laminating a plurality of these and press-molding them, followed by baking at a high temperature.

このような配線基板1の内部には内部配線16aやビアホール導体16b等が形成されるとともに下面には外部端子3が形成されている。また、上面には各種電子部品素子を実装するための電極パッド4や表面配線パターン(図示せず)が形成されている。   Internal wiring 16a, via-hole conductors 16b, and the like are formed inside such a wiring board 1, and external terminals 3 are formed on the lower surface. On the upper surface, electrode pads 4 and surface wiring patterns (not shown) for mounting various electronic component elements are formed.

上述の内部配線16や外部端子3、電極パッド5等は、Ag、Cu、W及びMo等の金属を主成分とする材料からなり、例えばAg系粉末、ホウ珪酸系低融点ガラスフリット、エチルセルロース等の有機バインダー、有機溶剤等を含有してなる導体ペーストを、配線基板1を構成する各絶縁体層となるセラミックグリーンシート上に、従来周知のスクリーン印刷等によって塗布し、焼成することによって形成される。   The internal wiring 16, the external terminal 3, the electrode pad 5, etc. are made of a material mainly containing a metal such as Ag, Cu, W, and Mo. For example, Ag-based powder, borosilicate-based low-melting glass frit, ethyl cellulose, etc. A conductive paste containing an organic binder, an organic solvent, and the like is formed by applying and baking on a ceramic green sheet serving as each insulator layer constituting the wiring substrate 1 by a conventionally known screen printing or the like. The

配線基板1に設けられたキャビティ2は、断面凹部形状で開口面が矩形状をなしており、第1の半導体素子10を収容するようになっている。キャビティ2の開口面から底面までの深さは、収容される第1の半導体素子10の上面が配線基板1の上面よりも突出しないように設定される。また、キャビティ2の平面寸法は、第1の半導体素子10の平面寸法よりひと回り大きくなるように設定されている。すなわち、キャビティ2によって第1の半導体素子10を少なくとも1個収容する分のスペースが確保される。   The cavity 2 provided in the wiring board 1 has a recessed cross-sectional shape and a rectangular opening surface, and accommodates the first semiconductor element 10. The depth from the opening surface to the bottom surface of the cavity 2 is set so that the upper surface of the accommodated first semiconductor element 10 does not protrude from the upper surface of the wiring substrate 1. The planar dimension of the cavity 2 is set to be slightly larger than the planar dimension of the first semiconductor element 10. That is, a space for accommodating at least one first semiconductor element 10 is secured by the cavity 2.

キャビティ2に収容される第1の半導体素子10は、例えば、SiやGaAs等の半導体素子基板の表面に、Al等の回路配線を形成した構造を有している。この第1の半導体素子10は、フリップチップ型のICであり、回路配線が形成された面を下面として、この下面に設けたパッドと、キャビティ2の底面に設けたパッドとを半田等の導電性接合材により、電気的・機械的に接続するようになっている。かかる第1の半導体素子10は、図5に示すBBICであり、例えば、音声信号やRF信号を変復調する機能を有している。   The first semiconductor element 10 accommodated in the cavity 2 has a structure in which circuit wiring such as Al is formed on the surface of a semiconductor element substrate such as Si or GaAs. The first semiconductor element 10 is a flip-chip type IC. The surface on which the circuit wiring is formed is used as the lower surface, and the pad provided on the lower surface and the pad provided on the bottom surface of the cavity 2 are electrically conductive such as solder. It is designed to be electrically and mechanically connected with a bonding material. The first semiconductor element 10 is a BBIC shown in FIG. 5, and has a function of modulating / demodulating an audio signal or an RF signal, for example.

第1の半導体素子10の直上領域には、放熱性基板7が配置され、放熱性基板7の上面には発熱性を有する第2の半導体素子11が実装されている。これにより、第1の半導体素子10と第2の半導体素子11とは積層方向に重なるようにして配置されることから、電子部品モジュールの全体構造を小型化することができる。また、全ての電子部品素子を配線基板1の上面側に配置させることにより、配線基板1の下面側にも電子部品素子を配置させる場合に比し、電子部品素子の実装作業が簡素化され、電子部品モジュールの生産効率がよい。   A heat dissipating substrate 7 is disposed immediately above the first semiconductor element 10, and a second semiconductor element 11 having heat generation is mounted on the upper surface of the heat dissipating substrate 7. Thereby, since the first semiconductor element 10 and the second semiconductor element 11 are arranged so as to overlap in the stacking direction, the entire structure of the electronic component module can be reduced in size. Moreover, by arranging all the electronic component elements on the upper surface side of the wiring board 1, the mounting operation of the electronic component elements is simplified as compared with the case where the electronic component elements are also disposed on the lower surface side of the wiring board 1, The production efficiency of electronic component modules is good.

第2の半導体素子11は、例えば、先に述べた第1の半導体素子10と同様に、フリップチップ型のICであり、SiやGaAs等の半導体素子基板の表面に、Al等の回路配線を形成した構造を有している。また、第2の半導体素子11は回路配線が形成された面を下面にして、この下面に設けたパッドと、放熱性基板7の上面に設けたパッドとを半田等の導電性接合材によって、電気的・機械的に接続するようになっている。かかる第2の半導体素子11は、図5に示すRFICであり、アンテナ(ANT)で受信した信号を増幅、周波数変換してBBICに復調信号を出力するRF受信回路と、BBICからの信号を増幅、周波数変換してアンテナに出力するRF送信回路を備えている。   The second semiconductor element 11 is, for example, a flip-chip type IC like the first semiconductor element 10 described above, and circuit wiring such as Al is provided on the surface of a semiconductor element substrate such as Si or GaAs. It has a formed structure. Further, the second semiconductor element 11 has the surface on which the circuit wiring is formed as the lower surface, and the pad provided on the lower surface and the pad provided on the upper surface of the heat-dissipating substrate 7 are connected by a conductive bonding material such as solder. Electrically and mechanically connected. The second semiconductor element 11 is the RFIC shown in FIG. 5, which amplifies the signal received by the antenna (ANT), converts the frequency and outputs a demodulated signal to the BBIC, and amplifies the signal from the BBIC. An RF transmission circuit that converts the frequency and outputs it to the antenna is provided.

第2の半導体素子11は発熱性を有しており、内部に消費電力が比較的大きな素子、例えばパワーアンプ等を内蔵し、電子部品モジュールの使用時、ジュール熱を発生しやすいものである。ここで発熱性を有するとは、第1の半導体素子と比較して発熱しやすいことをいう。例えば、RFICとしての第2の半導体素子11は内部にパワーアンプを内蔵し、その消費電力は、ベースバンドICである第1の半導体素子10の消費電力よりも大きい。   The second semiconductor element 11 has a heat generating property and incorporates an element with relatively large power consumption, such as a power amplifier, in the inside thereof, and tends to generate Joule heat when the electronic component module is used. Here, having exothermic property means that heat is easily generated as compared with the first semiconductor element. For example, the second semiconductor element 11 as an RFIC incorporates a power amplifier therein, and its power consumption is larger than the power consumption of the first semiconductor element 10 that is a baseband IC.

そして第2の半導体素子11で発生した熱は、主に放熱性基板7へ伝導し、第2の半導体素11から発生する熱が第2の半導体素子11に蓄積されるのを有効に防止している。   The heat generated in the second semiconductor element 11 is mainly conducted to the heat-dissipating substrate 7 and effectively prevents the heat generated from the second semiconductor element 11 from being accumulated in the second semiconductor element 11. ing.

また、第2の半導体素子11から発生した熱が、第1の半導体素子10や配線基板1の内部に形成されている受動素子15等に伝わりにくくするために、放熱性基板7は、配線基板1の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料により形成されている。例えば、配線基板1がガラス−セラミックスを主成分とする絶縁体層により形成されている場合、放熱性基板7はアルミナを主成分とする絶縁体層により形成すればよい。放熱性基板7の主成分と配線基板1の主成分との熱伝導率λ[W/mK]の差は、10以上であることが好ましく、より好ましくは15以上である。   In order to make it difficult for the heat generated from the second semiconductor element 11 to be transmitted to the first semiconductor element 10, the passive element 15 formed inside the wiring substrate 1, etc. It is formed of a material having a thermal conductivity higher than that of 1. For example, when the wiring substrate 1 is formed of an insulator layer mainly composed of glass-ceramics, the heat-radiating substrate 7 may be formed of an insulator layer mainly composed of alumina. The difference in thermal conductivity λ [W / mK] between the main component of the heat dissipation substrate 7 and the main component of the wiring substrate 1 is preferably 10 or more, more preferably 15 or more.

このように、放熱性基板7を配線基板1の主成分よりも高い熱伝導率を有する絶縁材料を用いて形成することにより、第2の半導体素子11から放熱性基板7へ伝導した熱が、配線基板1へ伝わりにくくなる。これによって、配線基板1のキャビティ内に収容されている第1の半導体素子10や配線基板1の内部に設けられている受動素子15に対する熱の影響が低減され、電子部品モジュールの動作を安定化させることが可能となる。   In this way, by forming the heat dissipating substrate 7 using an insulating material having a higher thermal conductivity than the main component of the wiring substrate 1, the heat conducted from the second semiconductor element 11 to the heat dissipating substrate 7 is It becomes difficult to be transmitted to the wiring board 1. This reduces the influence of heat on the first semiconductor element 10 accommodated in the cavity of the wiring board 1 and the passive element 15 provided inside the wiring board 1 and stabilizes the operation of the electronic component module. It becomes possible to make it.

かかる放熱性基板7は、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム等のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤を添加・混合して得たセラミックグリーンシートの表面等に回路配線や接続パッドとなる導体ペーストを従来周知のスクリーン印刷法等で塗布するとともに、これらを複数積層してプレス成形した後、高温で焼成することによって製作される。   For example, the heat dissipating substrate 7 has conventionally known a conductive paste that becomes a circuit wiring or a connection pad on the surface of a ceramic green sheet obtained by adding and mixing a suitable organic solvent to a ceramic material powder such as alumina or aluminum nitride. These are applied by the screen printing method, etc., and a plurality of these are laminated and press-molded, followed by firing at a high temperature.

また放熱性基板7は、概略直方体形状をなし、キャビティ2の開口部の一対の対向辺を跨ぐようにして配線基板1上に配置されている。そして、下面に設けた実装パッド4と配線基板1の上面でキャビティ2の開口部周囲に設けた接続パッド21とを導電性接合材6により電気的・機械的に接続することにより、配線基板1の上面に実装されている。   The heat dissipating substrate 7 has a substantially rectangular parallelepiped shape and is disposed on the wiring substrate 1 so as to straddle a pair of opposing sides of the opening of the cavity 2. Then, the wiring board 1 is electrically and mechanically connected to the mounting pad 4 provided on the lower surface and the connection pad 21 provided on the upper surface of the wiring board 1 around the opening of the cavity 2 by the conductive bonding material 6. It is mounted on the top surface.

そして、キャビティ2の開口部周囲に設けた接続パッド21と配線基板1の下面に設けた外部端子3とは、配線基板1の厚み方向を貫く複数個の第1のサーマルビア導体8により接続されている。これによって、第2の半導体素子11から放熱性基板7へ伝導した熱を、第1のサーマルビア導体8、外部端子3等を介して、電子部品モジュールの外部へ伝導させ、第2の半導体素子11に熱が蓄積するのをより有効に防止することができる。また、第1の半導体素子10や受動素子15への熱の影響を低減させることもできる。また、第1のサーマルビア導体8を、第1の半導体素子10を囲むようにしてキャビティ2の四側面それぞれの外方位置に形成するようにすれば、第1の半導体素子10に対する外部からの電磁的なノイズの影響を低減させることができる。   The connection pads 21 provided around the opening of the cavity 2 and the external terminals 3 provided on the lower surface of the wiring board 1 are connected by a plurality of first thermal via conductors 8 penetrating in the thickness direction of the wiring board 1. ing. As a result, the heat conducted from the second semiconductor element 11 to the heat-radiating substrate 7 is conducted to the outside of the electronic component module via the first thermal via conductor 8, the external terminal 3, etc. It is possible to more effectively prevent heat from being accumulated in 11. In addition, the influence of heat on the first semiconductor element 10 and the passive element 15 can be reduced. Further, if the first thermal via conductor 8 is formed at the outer position of each of the four side surfaces of the cavity 2 so as to surround the first semiconductor element 10, electromagnetic waves from the outside with respect to the first semiconductor element 10 can be obtained. Noise can be reduced.

放熱性基板7と第2の半導体素子11の実装面との間には、伝熱用接合材16が介在さされている。また、放熱性基板7の第2の半導体素子11が実装されている主面7aと反対側の主面7bには金属製のヒートシンク層17が設けられている。そして、伝熱用接合材16とヒートシンク層17とは放熱性基板7を貫く複数個の第2のサーマルビア導体18により接続されている。これによって、第2の半導体素子11から発生する熱を伝熱用接合材16により効率よく放熱性基板7へ伝導させることができ、さらには第2のサーマルビア導体18及びヒートシンク層17を介して外部へ熱を放散させやすくなる。   A heat transfer bonding material 16 is interposed between the heat dissipation substrate 7 and the mounting surface of the second semiconductor element 11. Further, a metal heat sink layer 17 is provided on the main surface 7b opposite to the main surface 7a on which the second semiconductor element 11 of the heat dissipation substrate 7 is mounted. The heat transfer bonding material 16 and the heat sink layer 17 are connected by a plurality of second thermal via conductors 18 penetrating the heat dissipation substrate 7. As a result, the heat generated from the second semiconductor element 11 can be efficiently conducted to the heat-radiating substrate 7 by the heat transfer bonding material 16, and further through the second thermal via conductor 18 and the heat sink layer 17. It becomes easy to dissipate heat to the outside.

前記伝熱用接合材16は、半田等からなり、第2の半導体素子11の下面中央領域に形成されている。伝熱用接合材16により、第2の半導体素子11の放熱性基板7への接合強度を高めることができるという利点もある。   The heat transfer bonding material 16 is made of solder or the like, and is formed in the central region of the lower surface of the second semiconductor element 11. The heat transfer bonding material 16 also has an advantage that the bonding strength of the second semiconductor element 11 to the heat dissipation substrate 7 can be increased.

また、第2のサーマルビア導体18は、伝熱用接合材16の塗布領域と対応する箇所に放熱性基板2を貫くようにして複数個に設けられており、これら複数個の第2のサーマルビア導体18が均一に分布するように、例えばマトリクス状に配置されている。   The plurality of second thermal via conductors 18 are provided so as to penetrate the heat-radiating substrate 2 at locations corresponding to the application regions of the heat transfer bonding material 16, and the plurality of second thermal via conductors 18 are provided. For example, the via conductors 18 are arranged in a matrix so as to be uniformly distributed.

ヒートシンク層17は、W、Mo等の金属材料から成り、放熱性基板7の下面7bの少なくとも伝熱用接合材16と対向する領域に矩形状をなすようにして形成されている。   The heat sink layer 17 is made of a metal material such as W or Mo, and is formed in a rectangular shape at least in a region facing the heat transfer bonding material 16 on the lower surface 7 b of the heat dissipation substrate 7.

さらに、放熱性基板7の内部には、図4の放熱性基板7の平面透視図に示すように、第2のサーマルビア導体18に接続されるとともに放熱性基板7の側面7cまで延在される放熱用導体パターン19が形成されている。図4では、放熱性基板7の内部に形成されている放熱用導体パターン19及び導体20を点線で示している。この放熱用導体パターン19により、第2の半導体素子11から放熱性基板2へ伝導した熱をより効率的に外部へ放出することができるようになる。かかる放熱用導体パターン19は、Ag、Cu、W等の金属を主成分とする材料からなり、放熱性基板7の中央領域に略矩形状をなすようにして形成された中央部19aと中央部19aから放熱性基板7の側面まで延在する延在部19bとからなる。放熱用導体パターン19の延在部19bは、放熱性基板7の下面7bに設けられた実装パッド4と、ビアホール導体などの導体20を介して接続されている。これによって、第1のサーマルビア導体8と第2のサーマルビア導体18とが、放熱用導体パターン19、導体20等を介して熱的に接続されることになり、第2の半導体素子11から発生する熱をより効果的に外部へ放散させることができ、電子部品モジュールの動作を安定化することが可能となる。   Furthermore, as shown in the plan perspective view of the heat dissipation substrate 7 in FIG. 4, the heat dissipation substrate 7 is connected to the second thermal via conductor 18 and extends to the side surface 7 c of the heat dissipation substrate 7. A heat dissipating conductor pattern 19 is formed. In FIG. 4, the heat dissipating conductor pattern 19 and the conductor 20 formed in the heat dissipating substrate 7 are indicated by dotted lines. The heat dissipating conductor pattern 19 makes it possible to more efficiently release the heat conducted from the second semiconductor element 11 to the heat dissipating substrate 2 to the outside. The heat dissipating conductor pattern 19 is made of a material mainly containing a metal such as Ag, Cu, or W, and has a central portion 19a and a central portion formed in the central region of the heat dissipating substrate 7 so as to form a substantially rectangular shape. It consists of the extending part 19b extended from 19a to the side surface of the heat-radiating substrate 7. The extending portion 19b of the heat dissipating conductor pattern 19 is connected to the mounting pad 4 provided on the lower surface 7b of the heat dissipating substrate 7 through a conductor 20 such as a via-hole conductor. As a result, the first thermal via conductor 8 and the second thermal via conductor 18 are thermally connected via the heat radiation conductor pattern 19, the conductor 20, and the like. The generated heat can be dissipated more effectively to the outside, and the operation of the electronic component module can be stabilized.

また、放熱用導体パターン19の中央部19aの平面寸法を、第1の半導体素子10もしくは第2の半導体素子11の平面寸法より大きくなるように設定すれば、放熱用導体パターン19の中央部19aが第1の半導体素子10と第2の半導体素子11との間に介在することになる。これにより、第1の半導体素子10と第2の半導体素子11との間で信号の干渉が起こるのを有効に防止することができる。また、電子部品モジュールの使用時、放熱用導体パターン19がグランド電位に保持されるようにしておけば、第1の半導体素子10と第2の半導体素子11との間で信号の干渉が起こるのをより有効に防止することができる。従って、放熱用導体パターン19はグランド用の外部端子3と接続させておくことが好ましい。   Further, if the planar dimension of the central portion 19a of the heat radiating conductor pattern 19 is set to be larger than the planar dimension of the first semiconductor element 10 or the second semiconductor element 11, the central portion 19a of the radiating conductor pattern 19 is set. Is interposed between the first semiconductor element 10 and the second semiconductor element 11. Thereby, it is possible to effectively prevent signal interference between the first semiconductor element 10 and the second semiconductor element 11. Further, when the electronic component module is used, signal interference occurs between the first semiconductor element 10 and the second semiconductor element 11 if the heat dissipating conductor pattern 19 is held at the ground potential. Can be prevented more effectively. Therefore, it is preferable that the heat radiating conductor pattern 19 is connected to the ground external terminal 3.

上述した第2の半導体素子11、SAWフィルタ12、水晶発振器13、チップ状電子部品14を被覆するようにして配線基板1の上面側に樹脂材9が形成されている。樹脂材9は、例えば、エポキシ等の樹脂材料が用いられ、第2の半導体素子11、SAWフィルタ12、水晶発振器13、チップ状電子部品14の接合強度を補強している。   A resin material 9 is formed on the upper surface side of the wiring substrate 1 so as to cover the second semiconductor element 11, the SAW filter 12, the crystal oscillator 13, and the chip-shaped electronic component 14 described above. For example, a resin material such as epoxy is used as the resin material 9 to reinforce the bonding strength of the second semiconductor element 11, the SAW filter 12, the crystal oscillator 13, and the chip-shaped electronic component 14.

また樹脂材9はキャビティ2内にも充填されている。これによって、第1の半導体素子10の配線基板1に対する接合強度を補強することができる。   The resin material 9 is also filled in the cavity 2. Thereby, the bonding strength of the first semiconductor element 10 to the wiring board 1 can be reinforced.

また樹脂材9の上面には図8に示すように、電磁波シールド機能を有するシールド層21を形成してもよい。電子部品モジュールを例えば800MHz以上の無線周波数を扱う携帯電話等の高周波回路に組み込むときは、シールド層21を、焼結金属粒子のみからなる金属焼結層で形成することが好ましい。ここで金属焼結層とは、バインダー等の樹脂成分を殆ど含有せず、金属の微粒子が焼結したものである。この金属焼結層は、平均粒径1nm〜100nm、より好適には、平均粒径10nm〜50nmの金属ナノ粒子を有機系の分散溶媒、例えばトルエン、テルピネオール、キシレン、テトラデカン等で分散させ、ペースト状にした後、樹脂材9の上面に塗布し、これを130〜300℃で加熱処理することにより形成される。このようにナノオーダーの金属粒子からなるペーストを用いることにより、緻密な金属層が形成され、外部からの電磁的なノイズを有効に遮蔽することができる。なお、金属焼結層の金属材料としてはAg、Cu、Ni等が例示できる。また、金属焼結層の厚みは、例えば5〜10μmに設定される。   Further, as shown in FIG. 8, a shield layer 21 having an electromagnetic wave shielding function may be formed on the upper surface of the resin material 9. For example, when the electronic component module is incorporated in a high-frequency circuit such as a mobile phone that handles a radio frequency of 800 MHz or higher, the shield layer 21 is preferably formed of a metal sintered layer made only of sintered metal particles. Here, the metal sintered layer is one obtained by sintering metal fine particles without containing a resin component such as a binder. This metal sintered layer is a paste in which metal nanoparticles having an average particle diameter of 1 nm to 100 nm, more preferably an average particle diameter of 10 nm to 50 nm are dispersed with an organic dispersion solvent such as toluene, terpineol, xylene, tetradecane, etc. After forming, it is formed by applying on the upper surface of the resin material 9 and heat-treating it at 130 to 300 ° C. By using a paste made of nano-order metal particles in this way, a dense metal layer is formed, and electromagnetic noise from the outside can be effectively shielded. In addition, Ag, Cu, Ni etc. can be illustrated as a metal material of a metal sintered layer. Moreover, the thickness of a metal sintered layer is set to 5-10 micrometers, for example.

なお、シールド層21としては、上記金属焼結層の他に、例えば、エポキシ等の樹脂材料中にAg、Al、Ni、Fe等の金属粉末を分散させた導電性樹脂材が例示できる。   Examples of the shield layer 21 include a conductive resin material in which metal powders such as Ag, Al, Ni, and Fe are dispersed in a resin material such as epoxy in addition to the metal sintered layer.

図6は、本発明に係る電子部品モジュールの他の実施例を示す断面図である。同図に示す電子部品モジュールは、第2の半導体素子11が放熱性基板7の下面7bに実装されている点で図1に示す電子部品モジュールと異なっている。また、ヒートシンク層17は放熱性基板7の上面7a側に設けられている。図6に示す電子部品モジュールの場合、ヒートシンク層17が放熱性基板の上面7a側に設けられているので、第2の半導体素子11からヒートシンク層17に伝導してきた熱が外部へ放出されやすい構造となっている。また、樹脂材9をヒートシンク層17が露出するようにして形成すれば、ヒートシンク層17の放熱効果をより高めることができる。   FIG. 6 is a sectional view showing another embodiment of the electronic component module according to the present invention. The electronic component module shown in the figure is different from the electronic component module shown in FIG. 1 in that the second semiconductor element 11 is mounted on the lower surface 7 b of the heat-radiating substrate 7. The heat sink layer 17 is provided on the upper surface 7 a side of the heat dissipation substrate 7. In the case of the electronic component module shown in FIG. 6, since the heat sink layer 17 is provided on the upper surface 7a side of the heat dissipation substrate, the heat conducted from the second semiconductor element 11 to the heat sink layer 17 is easily released to the outside. It has become. Moreover, if the resin material 9 is formed so that the heat sink layer 17 is exposed, the heat dissipation effect of the heat sink layer 17 can be further enhanced.

図7は、本発明に係る電子部品モジュールのさらに他の実施例を示す断面図である。同図に示す電子部品モジュールは、キャビティ2が配線基板1の下面側に設けられている点で図1に示す電子部品モジュールと異なっている。   FIG. 7 is a sectional view showing still another embodiment of the electronic component module according to the present invention. The electronic component module shown in the figure is different from the electronic component module shown in FIG. 1 in that the cavity 2 is provided on the lower surface side of the wiring board 1.

尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良が可能である。   In addition, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, A various change and improvement are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention.

例えば、上述した実施形態においては、配線基板上の第2の半導体素子11、SAWフィルタ12、水晶発振器13等を被覆するように樹脂材9を設けたが、樹脂材9に代えて、配線基板1の上面に第2の半導体素子11、SAWフィルタ12、水晶発振器13等を覆う金属製のシールドケースを装着するようにしてもよい。   For example, in the above-described embodiment, the resin material 9 is provided so as to cover the second semiconductor element 11, the SAW filter 12, the crystal oscillator 13, and the like on the wiring board, but instead of the resin material 9, the wiring board is provided. A metal shield case that covers the second semiconductor element 11, the SAW filter 12, the crystal oscillator 13, and the like may be attached to the upper surface of 1.

(a)は本発明の一実施形態に係る電子部品モジュールの樹脂材を省略した状態の外観斜視図、(b)は(a)に示す電子部品モジュールの分解斜視図である。(A) is the external appearance perspective view of the state which abbreviate | omitted the resin material of the electronic component module which concerns on one Embodiment of this invention, (b) is a disassembled perspective view of the electronic component module shown to (a). 図1(a)に示す電子部品モジュールに樹脂材を形成した状態の断面図である。It is sectional drawing of the state which formed the resin material in the electronic component module shown to Fig.1 (a). 図1(a)に示す電子部品モジュールの平面図である。It is a top view of the electronic component module shown to Fig.1 (a). 図1(a)に示す電子部品モジュールに使用される放熱性基板の平面透視図である。It is a plane perspective view of the heat dissipation board | substrate used for the electronic component module shown to Fig.1 (a). 図1(a)に示す電子部品モジュールに組み込まれる回路のブロック図である。It is a block diagram of the circuit integrated in the electronic component module shown to Fig.1 (a). 本発明の他の実施形態に係る電子部品モジュールの断面図である。It is sectional drawing of the electronic component module which concerns on other embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態に係る電子部品モジュールの断面図である。It is sectional drawing of the electronic component module which concerns on other embodiment of this invention. 図1に示す電子部品モジュールの変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the electronic component module shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・配線基板
2・・・キャビティ
3・・・外部端子
4・・・実装パッド
5・・・電極パッド
6・・・導電性接合材
7・・・放熱性基板
8・・・第1のサーマルビア導体
9・・・樹脂材
10・・・第1の半導体素子(RFIC)
11・・・第2の半導体素子(ベースバンドIC)
12・・・SAWフィルタ
13・・・水晶発振器
14・・・チップ状電子部品
15・・・受動素子
16・・・伝熱用接合材
17・・・ヒートシンク層
18・・・第2のサーマルビア導体
19・・・放熱用導体パターン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wiring board 2 ... Cavity 3 ... External terminal 4 ... Mounting pad 5 ... Electrode pad 6 ... Conductive joining material 7 ... Heat dissipation board 8 ... 1st Thermal via conductor 9 ... Resin material 10 ... First semiconductor element (RFIC)
11: Second semiconductor element (baseband IC)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 12 ... SAW filter 13 ... Crystal oscillator 14 ... Chip-shaped electronic component 15 ... Passive element 16 ... Heat transfer bonding material 17 ... Heat sink layer 18 ... 2nd thermal via Conductor 19 ... Heat dissipation conductor pattern

Claims (10)

キャビティを設けた配線基板と、前記配線基板に搭載される第1の半導体素子及び発熱性を有する第2の半導体素子と、を具備する電子部品モジュールにおいて、
前記第1の半導体素子を前記キャビティ内に収容するとともに、前記第2の半導体素子を放熱性基板に実装し、前記放熱性基板を前記キャビティの直上領域に位置するようにして前記配線基板に実装したことを特徴とする電子部品モジュール。
In an electronic component module comprising a wiring board provided with a cavity, and a first semiconductor element mounted on the wiring board and a second semiconductor element having heat generation,
The first semiconductor element is accommodated in the cavity, the second semiconductor element is mounted on a heat radiating board, and the heat radiating board is mounted on the wiring board so as to be located in a region immediately above the cavity. An electronic component module characterized by that.
前記放熱性基板を、前記配線基板の上面で且つ前記キャビティ開口部より外方に設けた接続パッドに導電性接合材を介して実装するとともに、前記接続パッドと前記配線基板の下面に設けた外部端子とを、前記配線基板の厚み方向を貫く複数個の第1のサーマルビア導体により接続したことを特徴とする請求項1に記載の電子部品モジュール。 The heat dissipating board is mounted on a connection pad provided on the upper surface of the wiring board and outside the cavity opening portion through a conductive bonding material, and an external surface provided on the lower surface of the connection pad and the wiring board. 2. The electronic component module according to claim 1, wherein the terminal is connected by a plurality of first thermal via conductors penetrating in a thickness direction of the wiring board. 前記放熱性基板と前記第2の半導体素子の実装面との間に伝熱用接合材を介在させたことを特徴とする請求項1に記載の電子部品モジュール。 The electronic component module according to claim 1, wherein a heat transfer bonding material is interposed between the heat dissipating substrate and the mounting surface of the second semiconductor element. 前記放熱性基板の前記第2の半導体素子が実装されている主面と反対側の主面に金属製のヒートシンク層を設けたことを特徴とする請求項1に記載の電子部品モジュール。 The electronic component module according to claim 1, wherein a metal heat sink layer is provided on a main surface opposite to a main surface on which the second semiconductor element of the heat dissipating substrate is mounted. 前記放熱性基板と前記第2の半導体素子の実装面との間に伝熱用接合材を介在させるとともに、前記放熱性基板の前記第2の半導体素子が実装されている主面と反対側の主面に金属製のヒートシンク層を設け、前記伝熱用接合材と前記ヒートシンク層とを前記放熱性基板を貫く複数個の第2のサーマルビア導体により接続したことを特徴とする請求項1に記載の電子部品モジュール。 A heat transfer bonding material is interposed between the heat dissipating substrate and the mounting surface of the second semiconductor element, and the heat dissipating substrate is opposite to the main surface on which the second semiconductor element is mounted. 2. A metal heat sink layer is provided on a main surface, and the heat transfer bonding material and the heat sink layer are connected by a plurality of second thermal via conductors penetrating the heat dissipation substrate. The electronic component module described. 前記放熱性基板の内部に、前記第2のサーマルビア導体に接続されるとともに前記放熱性基板の側面まで延在される放熱用導体パターンを設けたことを特徴とする請求項5に記載の電子部品モジュール。 6. The electron according to claim 5, wherein a heat radiating conductor pattern connected to the second thermal via conductor and extending to a side surface of the heat radiating substrate is provided inside the heat radiating substrate. Parts module. 前記放熱性基板の前記配線基板への実装面には前記接続パッドに前記導電性接合材を介して接続される実装パッドが設けられており、該実装パッドと前記放熱用導体パターンとを導体を介して接続することにより、前記第1のサーマルビア導体と前記第2のサーマルビア導体とを熱的に接続したことを特徴とする請求項6に記載の電子部品モジュール。 A mounting pad connected to the connection pad via the conductive bonding material is provided on the mounting surface of the heat dissipation board to the wiring board, and a conductor is connected between the mounting pad and the heat dissipating conductor pattern. The electronic component module according to claim 6, wherein the first thermal via conductor and the second thermal via conductor are thermally connected by being connected to each other. 前記第2の半導体素子が、前記放熱性基板の前記配線基板への実装面とは反対側の面に実装されていることを特徴とする請求項1に記載の電子部品モジュール。 2. The electronic component module according to claim 1, wherein the second semiconductor element is mounted on a surface opposite to a mounting surface of the heat dissipation substrate on the wiring substrate. 前記放熱性基板及び第2の半導体素子を被覆する樹脂材が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の電子部品モジュール。 The electronic component module according to claim 1, wherein a resin material that covers the heat-radiating substrate and the second semiconductor element is provided. 前記樹脂材の外表面を被覆するシールド層が設けられていることを特徴とする請求項9に記載の電子部品モジュール。 The electronic component module according to claim 9, further comprising a shield layer that covers an outer surface of the resin material.
JP2006089694A 2005-06-15 2006-03-29 Electronic component module Expired - Fee Related JP4822900B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006089694A JP4822900B2 (en) 2005-06-15 2006-03-29 Electronic component module

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005174545 2005-06-15
JP2005174545 2005-06-15
JP2006089694A JP4822900B2 (en) 2005-06-15 2006-03-29 Electronic component module

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007027684A true JP2007027684A (en) 2007-02-01
JP4822900B2 JP4822900B2 (en) 2011-11-24

Family

ID=37787991

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006089694A Expired - Fee Related JP4822900B2 (en) 2005-06-15 2006-03-29 Electronic component module

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4822900B2 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012079718A (en) * 2010-09-30 2012-04-19 Dainippon Printing Co Ltd Voltage conversion module
WO2014171403A1 (en) * 2013-04-17 2014-10-23 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル Semiconductor device
JP2016115696A (en) * 2014-12-11 2016-06-23 日立金属株式会社 Electronic component
CN113016065A (en) * 2018-11-14 2021-06-22 株式会社村田制作所 Electronic component and electronic component module provided with same

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05102336A (en) * 1991-10-08 1993-04-23 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JPH08130288A (en) * 1994-10-31 1996-05-21 Toshiba Corp Semiconductor device
JP2000174204A (en) * 1998-12-09 2000-06-23 Mitsubishi Electric Corp Rf circuit module
JP2001144203A (en) * 1999-11-16 2001-05-25 Mitsubishi Electric Corp Cavity-down type bga package
JP2001244688A (en) * 2000-02-28 2001-09-07 Kyocera Corp High-frequency module component and its manufacturing method
JP2003188342A (en) * 2001-12-19 2003-07-04 Sony Corp Semiconductor device
JP2004071597A (en) * 2002-08-01 2004-03-04 Renesas Technology Corp Semiconductor module
JP2005026263A (en) * 2003-06-30 2005-01-27 Nec Compound Semiconductor Devices Ltd Hybrid integrated circuit

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05102336A (en) * 1991-10-08 1993-04-23 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JPH08130288A (en) * 1994-10-31 1996-05-21 Toshiba Corp Semiconductor device
JP2000174204A (en) * 1998-12-09 2000-06-23 Mitsubishi Electric Corp Rf circuit module
JP2001144203A (en) * 1999-11-16 2001-05-25 Mitsubishi Electric Corp Cavity-down type bga package
JP2001244688A (en) * 2000-02-28 2001-09-07 Kyocera Corp High-frequency module component and its manufacturing method
JP2003188342A (en) * 2001-12-19 2003-07-04 Sony Corp Semiconductor device
JP2004071597A (en) * 2002-08-01 2004-03-04 Renesas Technology Corp Semiconductor module
JP2005026263A (en) * 2003-06-30 2005-01-27 Nec Compound Semiconductor Devices Ltd Hybrid integrated circuit

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012079718A (en) * 2010-09-30 2012-04-19 Dainippon Printing Co Ltd Voltage conversion module
WO2014171403A1 (en) * 2013-04-17 2014-10-23 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル Semiconductor device
JP2016115696A (en) * 2014-12-11 2016-06-23 日立金属株式会社 Electronic component
CN113016065A (en) * 2018-11-14 2021-06-22 株式会社村田制作所 Electronic component and electronic component module provided with same

Also Published As

Publication number Publication date
JP4822900B2 (en) 2011-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101048863B (en) Electronic component module and wireless communication equipment
US8125788B2 (en) Circuit module and radio communications equipment, and method for manufacturing circuit module
US6335669B1 (en) RF circuit module
JP3973402B2 (en) High frequency circuit module
US7808796B2 (en) Electronic component module and method for manufacturing the same
JP2002359327A (en) Electronic circuit module
JP2008034778A (en) Circuit module
JP4173308B2 (en) SAW filter
JP2005026263A (en) Hybrid integrated circuit
JP4822900B2 (en) Electronic component module
JP2005311230A (en) Circuit module and circuit device using the same
JP2007294829A (en) High-frequency circuit module, and method of manufacturing the same
JP2006120996A (en) Circuit module
JP2009010149A (en) Connection terminal, package and electronic device using the same
JP2005101365A (en) Electronic device
JP2001308235A (en) Semiconductor module
JP2004111938A (en) Semiconductor device
WO2022014066A1 (en) Wireless communication module
JP2008289131A (en) Transmission device and electronic device using the same
JP2000133765A (en) High-frequency integrated circuit device
JP3760877B2 (en) High frequency composite parts
JP2020047688A (en) Laminated circuit board, laminated module and portable display device
US10388628B2 (en) Electronic component package
JP2007201517A (en) Semiconductor device
JP2005340713A (en) Multichip module

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080916

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101104

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101109

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110108

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110809

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110906

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140916

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees