JP2007012918A - Polishing head - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ウエハの表面研磨加工、特に、枚葉式研磨加工に好適に用いられる研磨ヘッドに関する。 The present invention relates to a polishing head that is suitably used for wafer surface polishing, particularly single-wafer polishing.
シリコンウエハ等の半導体ウエハ表面の研磨工程では、片面または両面の研磨加工いずれの場合においても、ウエハの被加工面と、定盤表面に貼付された研磨布とを平行に配置して、これらの面同士を接触させ、研磨ヘッドにより押圧しながら、相互に摺動させることによって、ウエハ表面を平坦化させる。 In the polishing process of the surface of a semiconductor wafer such as a silicon wafer, the surface to be processed of the wafer and the polishing cloth affixed to the surface of the surface plate are arranged in parallel in either case of polishing on one or both sides. The surfaces of the wafers are brought into contact with each other while being slid against each other while being pressed by the polishing head, thereby flattening the wafer surface.
前記摺動時の研磨ヘッドによるウエハの固定方法としては、ウエハをワックス等の粘着剤により接着固定させる方法、多孔質セラミックス板を介して、ウエハの裏面から減圧吸着により固定させる方法、ウエハの裏面にゴム等の弾性体を配置し、その上からの流体加圧により押圧固定する方法等がある。 As a method of fixing the wafer by the polishing head at the time of sliding, a method of adhering and fixing the wafer with an adhesive such as wax, a method of fixing by vacuum suction from the back surface of the wafer through a porous ceramic plate, and the back surface of the wafer There is a method in which an elastic body such as rubber is disposed on the top and pressed and fixed by fluid pressurization from above.
これらの固定方法のうち、粘着剤を用いるものは、研磨工程後、研磨ヘッドからウエハを剥離し、さらに、粘着剤を除去しなければならず、工程が煩雑となる。
また、多孔質セラミックス板を用いる場合には、該多孔質セラミックス板自体は剛性が高いため、ウエハ裏面との接触面の高平坦化が求められるとともに、吸着に伴うゴミの付着等の問題もある。
Among these fixing methods, those using pressure-sensitive adhesives require the wafer to be peeled off from the polishing head after the polishing step, and further the pressure-sensitive adhesive removed, which complicates the process.
In addition, when using a porous ceramic plate, the porous ceramic plate itself has high rigidity, so that it is required to flatten the contact surface with the back surface of the wafer, and there are also problems such as adhesion of dust accompanying adsorption. .
このため、一般には、弾性体を介した流体加圧方式の研磨ヘッドが用いられている。このような態様の研磨ヘッドの一例の概略を図1に示す。
図1に示す研磨ヘッドは、上定盤1の下面にメンブレン支持構造体2およびゴム膜3が設けられており、該ゴム膜3は、ゴム押さえ6によりメンブレン支持構造体2の周縁部に密着され、メンブレン支持構造体2およびゴム膜3との間に、流体による圧力調整可能な加圧室9が形成されている。また、ウエハWをヘッドの所定位置に保持するためにウエハ外周に係合させるリテーナリング4が、リング形状部材5を介して、ウエハWの裏面に接するゴム膜3による押圧とは別個に、下方の研磨布8に対して押圧することができるように設けられている。
For this reason, generally, a fluid pressurization type polishing head via an elastic body is used. FIG. 1 shows an outline of an example of such a polishing head.
The polishing head shown in FIG. 1 is provided with a
このように、ウエハWの研磨布8に対する押圧とリテーナリング4の研磨布に対する押圧とが独立しているフローティング構造の流体加圧式の研磨ヘッドによれば、リテーナリング4の磨耗が、ウエハWの研磨精度に影響を与えることなく、ウエハWの表面粗さが緩衝され、かつ、リテーナリング4の耐用性の向上も図られる。
Thus, according to the fluid pressure type polishing head having a floating structure in which the pressing of the wafer W against the
また、上記フローティング構造とは異なる構造の流体加圧方式の研磨ヘッドの一例の概略を図2に示す(例えば、特許文献2参照)。
図2に示す研磨ヘッドにおいては、ゴム膜3を加熱加圧成型すると同時に、上定盤1下面のメンブレン支持構造体2の外縁に接しているリング形状部材5に接着し、前記ゴム膜3とウエハWの裏面との間にバッキングパッド7を貼付して形成されている。さらに、前記バッキングパッド7下面の外周部には、ガラス繊維強化エポキシ樹脂製のリテーナリング4が設けられている。
An outline of an example of a fluid pressurization type polishing head having a structure different from the floating structure is shown in FIG. 2 (see, for example, Patent Document 2).
In the polishing head shown in FIG. 2, the
上記構造は、メンブレン支持構造体2とゴム膜3との間に、流体による圧力調整可能な加圧室9が形成されている点では、上記図1に示した研磨ヘッドと同様であるが、ゴム膜3とリング形状部材5との間には、隙間が生じることなく、一体成型することができるという利点を有しており、寸法精度に優れたものとすることができる。また、バッキングパッド7の使用により、ウエハWの保持力が向上し、ウエハWの搬送ミスも低減され、研磨時のウエハWの横ずれも防止される。
しかしながら、上記特許文献1記載の研磨ヘッド構造では、ゴム膜3の外側周面とリテーナリング4の内周面とが接触していないため、ゴム膜3上方の加圧室9内をエア加圧した際、図3に示すように、ゴム膜3の横方向への伸びが生じる。このため、ウエハW外周部に対する加圧力が不均一となり、該外周部におけるウエハW表面の研磨量が不均一となり、高精度での研磨加工は困難であった。
However, in the polishing head structure described in
近年、上記のような最外周部における研磨量の不均一が、半導体ウエハの表面研磨における高精度化を図る上で、特に重要な課題となっている。
また、半導体回路の高集積化、微細化に伴い、半導体ウエハは両面研磨加工が一般的となり、ゴム膜中に混入している硬質異物または研磨時に生じる研磨屑および研磨剤の凝集固着物等の進入によって、ウエハ裏面に微細な傷(スクラッチ)が発生することも課題の一つとなっていた。特に、ウエハ外周部では、上記のように、加圧力の不均一により、ゴム膜とウエハとの間に隙間が生じやすく、傷の発生が集中する傾向にあった。
In recent years, the non-uniform polishing amount at the outermost peripheral portion as described above has become a particularly important issue in achieving high accuracy in the surface polishing of semiconductor wafers.
In addition, with high integration and miniaturization of semiconductor circuits, semiconductor wafers are generally subjected to double-side polishing processing, such as hard foreign matters mixed in the rubber film or polishing debris generated during polishing and aggregated fixed substances of abrasives, etc. One of the problems is that fine scratches (scratches) are generated on the back surface of the wafer due to the approach. In particular, at the outer peripheral portion of the wafer, as described above, due to the nonuniformity of the applied pressure, a gap is likely to be generated between the rubber film and the wafer, and the generation of scratches tends to concentrate.
これに対して、上記特許文献2の研磨ヘッド構造では、ゴム膜3にリテーナリング4およびバッキングパッド7を接着してウエハWを保持しているため、加圧エアによるゴム膜3の横方向への伸びは生じず、また、リテーナリング4の厚さによってウエハW外周部に加わる圧力を制御でき、外周部の研磨量の均一化が図られる。
さらに、バッキングパッド7は、硬質な樹脂フィルムに発泡ポリウレタン等の軟質樹脂を積層した多層構造であるため、ゴム膜3ほど柔軟には変形せず、ウエハWの保持面とバッキングパッド7との間に異物が入り難いという利点がある。
On the other hand, in the polishing head structure of
Further, since the backing pad 7 has a multilayer structure in which a soft resin such as foamed polyurethane is laminated on a hard resin film, the backing pad 7 is not deformed as flexibly as the
しかしながら、バッキングパッド7表面は軟質樹脂であるために、繰り返し使用による損傷が激しく、定期的に交換が必要である。
また、研磨の繰り返しによって、リテーナリング4の厚さ方向の磨耗が進行することに伴い、ウエハWの外周部に加わる研磨圧力が増加し、ウエハW外周部の研磨量が増加する。さらに、ウエハ研磨時に、ウエハWに加わる摺動摩擦力が大きい場合には、リテーナリング5が脱離してしまう場合もある。
したがって、上記特許文献2に記載されているような研磨ヘッド構造では、所望の研磨精度を得るためには、高価なバッキングパッド7およびリテーナリング4を頻繁に交換しなければならず、製造コストの増大および生産性の低下を招くという課題を有していた。
However, since the surface of the backing pad 7 is a soft resin, it is severely damaged by repeated use and needs to be replaced periodically.
Further, as the abrasion of the
Therefore, in the polishing head structure as described in
本発明は、上記技術的課題を解決するためになされたものであり、ウエハの表面研磨加工において、研磨ヘッドの構造に起因して発生するウエハ裏面の傷の発生を防止し、研磨加工精度を向上させ、ウエハの製造コストの低減化および生産性の向上を図ることができる研磨ヘッドを提供することを目的とするものである。 The present invention has been made to solve the above technical problem, and prevents the occurrence of scratches on the wafer back surface caused by the structure of the polishing head in the surface polishing of the wafer, thereby improving the accuracy of the polishing process. An object of the present invention is to provide a polishing head capable of improving the manufacturing cost of the wafer and improving the productivity.
本発明に係る研磨ヘッドは、弾性体膜でウエハを接触保持する流体加圧方式による前記ウエハの研磨ヘッドであって、前記弾性体膜のウエハ保持面は、同心円状に表面粗さが制御され、該弾性体膜の外周から半径の10%以上80%以下までに形成された第一の領域における算術平均粗さRaが5.0μm以上50.0μm以下であり、かつ、前記領域よりも内側の第二の領域における算術平均粗さRaが5.0μm未満であることを特徴とする。
この第二の領域は、第一の領域より内側すべてであることが望ましいが、同様に十分な効果が得られる限り、一部であってもよい。
弾性体膜、例えば、ゴム膜のウエハ保持面の表面粗さを上記のように制御することによって、バッキングパッドを使用することなく、ウエハ裏面の傷の発生を防止することができ、高精度な研磨加工が可能となるとともに、研磨加工コストの低減化を図ることができる。
A polishing head according to the present invention is a polishing head for a wafer by a fluid pressurization method in which the wafer is held in contact with an elastic film, and the surface of the wafer holding surface of the elastic film is controlled concentrically. The arithmetic average roughness Ra in the first region formed from 10% to 80% of the radius from the outer periphery of the elastic membrane is 5.0 μm or more and 50.0 μm or less, and the inner side of the region The arithmetic average roughness Ra in the second region is less than 5.0 μm.
The second region is desirably all inside the first region, but may be a part as long as a sufficient effect is obtained.
By controlling the surface roughness of the wafer holding surface of the elastic film, for example, the rubber film, as described above, it is possible to prevent the occurrence of scratches on the back surface of the wafer without using a backing pad. The polishing process can be performed, and the polishing process cost can be reduced.
前記研磨ヘッドは、ウエハをヘッドの所定位置に保持するためにウエハ外周に係合させるリテーナリングの研磨布に対する加圧力と、弾性体膜からのウエハに対する流体加圧力とが、独立して制御されるフローティング構造のヘッドに好適に用いることができる。
上記のような弾性体膜をフローティング構造の研磨ヘッドに適用することにより、ウエハの外周部の研磨量の均一化を図ることができ、高精度な研磨加工が可能となるとともに、磨耗によるリテーナリングの交換頻度を少なくすることができ、研磨加工コストの低減化およびウエハの生産性の向上を図ることができる。
In the polishing head, the pressing force applied to the polishing cloth of the retainer ring that engages the outer periphery of the wafer to hold the wafer in a predetermined position of the head and the fluid pressing force applied to the wafer from the elastic film are independently controlled. It can be suitably used for a floating structure head.
By applying the elastic film as described above to a polishing head having a floating structure, the polishing amount of the outer periphery of the wafer can be made uniform, high-precision polishing can be performed, and retainer ring due to wear can be achieved. Can be reduced, and polishing costs can be reduced and wafer productivity can be improved.
上述したとおり、本発明に係る研磨ヘッドを用いれば、ウエハの表面研磨加工において、研磨加工精度を向上させるとともに、ウエハ裏面の傷の発生を防止し、ウエハの製造コストの低減化および生産性の向上を図ることができる。 As described above, when the polishing head according to the present invention is used, in the surface polishing of the wafer, the polishing accuracy is improved, the occurrence of scratches on the back surface of the wafer is prevented, the manufacturing cost of the wafer is reduced, and the productivity is improved. Improvements can be made.
以下、本発明を、添付図面を参照して、より詳細に説明する。
本発明に係る研磨ヘッドは、例えば、図1または図2に示すようなゴム膜等の弾性体膜でウエハを接触保持する流体加圧方式によるウエハの研磨ヘッドにおいて、弾性体膜のウエハ保持面を所定の形状に制御することを特徴とするものである。
本発明は、研磨ヘッドの弾性体膜のウエハ保持面の形状、特に、表面粗さを制御することにより、たとえ、弾性体膜中に混入している硬質異物または研磨時に生じる研磨屑および研磨剤の凝集固着物等が、弾性体膜とウエハとの間に進入した場合であっても、弾性体膜のウエハ保持面の外周部において、前記異物等をトラップすることができ、ウエハ裏面の傷の発生を防止することができる。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
The polishing head according to the present invention is, for example, a wafer polishing head using a fluid pressurization method in which a wafer is held in contact with an elastic film such as a rubber film as shown in FIG. Is controlled to a predetermined shape.
The present invention controls the shape of the wafer holding surface of the elastic film of the polishing head, in particular, the surface roughness, so that, for example, hard foreign matter mixed in the elastic film or polishing dust and abrasive generated during polishing Even when agglomerated fixed matter or the like enters between the elastic film and the wafer, the foreign matter or the like can be trapped at the outer peripheral portion of the wafer holding surface of the elastic film, and the back surface of the wafer can be damaged. Can be prevented.
前記弾性体膜のウエハ保持面は、具体的には、同心円状に表面粗さを制御し、該弾性体膜の外周から半径の10%以上80%以下までに形成された第一の領域における算術平均粗さRaが5.0μm以上50.0μm以下、かつ、前記第一の領域の内側の第二の領域における算術平均粗さRaが5.0μm未満となるように構成する。
すなわち、該弾性体膜は、ウエハ保持面の外周側部分が内側よりも粗く形成されたものである。
Specifically, the wafer holding surface of the elastic film controls the surface roughness concentrically, and in the first region formed from 10% to 80% of the radius from the outer periphery of the elastic film. The arithmetic average roughness Ra is 5.0 μm or more and 50.0 μm or less, and the arithmetic average roughness Ra in the second region inside the first region is less than 5.0 μm.
That is, the elastic film is formed such that the outer peripheral side portion of the wafer holding surface is rougher than the inner side.
前記弾性体膜のウエハ保持面において、算術平均粗さRaが5.0μm以上50.0μm以下、すなわち、表面が粗い第一の領域は、外周から半径の10%以上80%以下までの領域とする。
前記第一の領域が、外周から半径の10%未満の範囲までの場合は、ウエハ裏面の傷の発生を十分に抑制することができない。一方、前記第一の領域が、外周から半径の80%を超える範囲までの場合は、ウエハ吸着保持力の低下により、ウエハ搬送エラーが発生しやすくなる。
On the wafer holding surface of the elastic film, the arithmetic average roughness Ra is 5.0 μm or more and 50.0 μm or less, that is, the first region having a rough surface is a region from 10% to 80% of the radius from the outer periphery. To do.
When the first region is from the outer periphery to a range of less than 10% of the radius, the occurrence of scratches on the back surface of the wafer cannot be sufficiently suppressed. On the other hand, when the first region is from the outer periphery to a range exceeding 80% of the radius, a wafer conveyance error is likely to occur due to a decrease in the wafer suction holding force.
また、前記弾性体膜のウエハ保持面の算術平均粗さRaは、JIS B0601:’01により求められる値であり、上記のように、前記第一の領域の表面が粗い領域の算術平均粗さRaが、5.0μm以上50.0μm以下であれば、ウエハ裏面の傷の発生を効果的に防止することができる。
なお、上記範囲内の表面粗さにおいても、表面粗さがより大きい場合は、ウエハ吸着保持力が低下し、表面粗さがより小さい場合は、ウエハ裏面の傷の発生防止効果が低減するため、前記第一の領域は、その表面粗さの程度に応じて、弾性体膜の外周から半径の10%以上80%以下までの範囲内において適宜調整される。
The arithmetic average roughness Ra of the wafer holding surface of the elastic film is a value obtained according to JIS B0601: '01, and as described above, the arithmetic average roughness of the area where the surface of the first area is rough. If Ra is not less than 5.0 μm and not more than 50.0 μm, the occurrence of scratches on the back surface of the wafer can be effectively prevented.
Even in the case of the surface roughness within the above range, if the surface roughness is larger, the wafer suction holding force is reduced, and if the surface roughness is smaller, the effect of preventing scratches on the back surface of the wafer is reduced. The first region is appropriately adjusted within a range from 10% to 80% of the radius from the outer periphery of the elastic film according to the degree of the surface roughness.
上記のような表面粗さが制御された弾性体膜は、ウレタンゴム、シリコンゴム、その他の合成ゴムの他、天然ゴム等の各種ゴム膜を使用することができる。
このゴム膜の作製は、例えば、ゴム膜を金型で成型する際に、ウエハ保持面側の金型表面に、エッチングによる所定の表面粗さのシボ加工を施し、これをゴム膜に転写する方法等により行うことができる。
As the elastic film whose surface roughness is controlled as described above, various rubber films such as natural rubber can be used in addition to urethane rubber, silicon rubber, and other synthetic rubbers.
For producing the rubber film, for example, when the rubber film is molded with a mold, the surface of the mold on the wafer holding surface side is subjected to embossing with a predetermined surface roughness by etching, and this is transferred to the rubber film. It can be performed by a method or the like.
上記のような弾性体膜を装着した研磨ヘッドは、特に、ウエハをヘッドの所定位置に保持するためにウエハ外周に係合させるリテーナリングの研磨布に対する加圧力と、弾性体膜からのウエハに対する流体加圧力とが、独立して制御されるフローティング構造のヘッドに好適に用いることができる。
上述した本発明に係る弾性体膜の使用により、バッキングパッドを使用することなく、ウエハ裏面の傷の発生の防止、ウエハ搬送エラーの低減化およびウエハの外周部の研磨量の均一化を図ることができ、高精度な研磨加工が可能となる。
また、上記のような研磨ヘッドを用いれば、磨耗によるリテーナリングの交換頻度を少なくすることができ、研磨加工コストの低減化およびウエハの生産性の向上に寄与し得る。
The polishing head equipped with the elastic film as described above is particularly applied to the polishing cloth of the retainer ring that engages the outer periphery of the wafer to hold the wafer at a predetermined position of the head, and the wafer from the elastic film to the wafer. It can be suitably used for a floating structure head in which fluid pressure is controlled independently.
By using the elastic film according to the present invention described above, it is possible to prevent the occurrence of scratches on the back surface of the wafer, reduce wafer transfer errors, and make the polishing amount uniform on the outer periphery of the wafer without using a backing pad. And high-precision polishing is possible.
In addition, if the polishing head as described above is used, the replacement frequency of the retainer ring due to wear can be reduced, which can contribute to reduction of polishing processing cost and improvement of wafer productivity.
なお、本発明は、シリコンウエハ、GaAsウエハ等の半導体ウエハに限らず、例えば、アルミニウム等の金属材、ガラス材、セラミックス材等からなる円盤状の薄肉部材等のウエハ状のものに対しても、有効に適用することができる。 The present invention is not limited to semiconductor wafers such as silicon wafers and GaAs wafers, but also to wafer-like ones such as disk-shaped thin members made of metal materials such as aluminum, glass materials, ceramic materials, etc. Can be applied effectively.
以下、本発明を実施例に基づきさらに具体的に説明するが、本発明は下記の実施例により制限されるものではない。
(ゴム膜の評価)
各金型を用いて、下記の7種類の研磨ヘッド用のゴム膜を作製した。
表面が切削加工されたままの状態でシボ加工されていない金型を用いた場合(比較例1)、外周からそれぞれ半径の5%(比較例2)、10%(実施例1)、50%(実施例2)、80%(実施例3)、90%(比較例3)までの領域にシボ加工された金型を用いた場合、表面全体がシボ加工された金型を用いた場合(比較例4)の7種類とした。
このとき、金型のシボ加工が転写された表面が粗い第一の領域のゴム膜表面の算術平均粗さRaは5.0μm以上50.0μm以下であり、シボ加工領域以外の第二の領域のゴム膜表面の算術平均粗さRaは5.0μm未満であった。
各ゴム膜をフローティング構造(図1参照)のヘッドに装着し、シリコンウエハの研磨試験を行い、ウエハ裏面の傷の発生率およびウエハ搬送エラーの発生率について評価した。
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated more concretely based on an Example, this invention is not restrict | limited by the following Example.
(Evaluation of rubber film)
The following seven types of rubber films for polishing heads were produced using each mold.
When using a die that has not been subjected to crimping with the surface being cut (Comparative Example 1), 5% (Comparative Example 2), 10% (Example 1), and 50% of the radius from the outer periphery, respectively. (Example 2) When using a die that has been textured in the region up to 80% (Example 3) and 90% (Comparative Example 3), when using a die that has been textured on the entire surface ( Seven types of Comparative Example 4) were used.
At this time, the arithmetic average roughness Ra of the rubber film surface of the first region having a rough surface transferred with the embossing process of the mold is 5.0 μm or more and 50.0 μm or less, and the second region other than the embossing region The arithmetic average roughness Ra of the rubber film surface was less than 5.0 μm.
Each rubber film was mounted on a head having a floating structure (see FIG. 1), a silicon wafer polishing test was performed, and the occurrence rate of scratches on the back surface of the wafer and the occurrence rate of wafer transfer errors were evaluated.
上記試験の結果、表面が粗い第一の領域がゴム膜の外周から半径の10%以上の範囲までの場合(比較例1,2以外)、ウエハ裏面の傷の発生率の低下が認められたが、ウエハ搬送エラーの発生率は、表面が粗い第一の領域がゴム膜の外周から半径の90%以上の範囲までの場合(比較例3,4)増加することが認められた。
このことから、ゴム膜の表面が粗い第一の領域は、外周から半径10%以上80%以下までの範囲内(実施例1〜3)であることが好ましいと言える。
As a result of the above test, when the first region having a rough surface is in the range from the outer periphery of the rubber film to a range of 10% or more of the radius (except for Comparative Examples 1 and 2), a reduction in the incidence of scratches on the wafer back surface was observed However, it was recognized that the occurrence rate of the wafer transfer error increased when the first region having a rough surface was in the range of 90% or more of the radius from the outer periphery of the rubber film (Comparative Examples 3 and 4).
From this, it can be said that the first region where the surface of the rubber film is rough is preferably in the range from the outer periphery to the radius of 10% to 80% (Examples 1 to 3).
(研磨ヘッドの性能比較)
上記実施例1または比較例1のゴム膜を用いて、表1に示すような各種研磨ヘッドの性能比較を行った。
なお、表1における性能比較は、相対評価であり、◎:非常に良好、○:良好、×:不良として示したものである。
(Comparison of polishing head performance)
Using the rubber film of Example 1 or Comparative Example 1, the performance of various polishing heads as shown in Table 1 was compared.
In addition, the performance comparison in Table 1 is relative evaluation, and is shown as :: very good, ◯: good, ×: poor.
表1に示したように、表面が粗い第一の領域が、外周から半径の10%までの範囲であるゴム膜(実施例1)を使用することにより、バッキングパッドを用いなくても、ウエハ裏面の傷の発生を防止することができることが認められた。
また、フローティング構造(図1参照)の研磨ヘッドにおいては、実施例1のようなゴム膜を使用することにより、図2に示すようなタイプの研磨ヘッドにおいてゴム膜の側面内側とゴム膜を保持するリング形状部材の側面を接着した場合(実施例5)よりも優れた研磨加工精度が得られることが認められた。
As shown in Table 1, by using a rubber film (Example 1) in which the first region having a rough surface is in the range from the outer periphery to 10% of the radius, the wafer can be obtained without using a backing pad. It was recognized that the occurrence of scratches on the back surface can be prevented.
Further, in the polishing head having the floating structure (see FIG. 1), the rubber film as in the first embodiment is used, so that the inner side surface of the rubber film and the rubber film are held in the type of polishing head as shown in FIG. It was confirmed that better polishing accuracy was obtained than when the side surfaces of the ring-shaped member to be bonded were bonded (Example 5).
1 上定盤
2 メンブレン支持構造体
3 ゴム膜(弾性体膜)
4 リテーナリング
5 リング形状部材
6 ゴム押さえ
7 バッキングパッド
8 研磨布
9 加圧室
W ウエハ
1
4
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