[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2007005587A - Electronic component, manufacturing method thereof, mounting structure, electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents

Electronic component, manufacturing method thereof, mounting structure, electro-optical device and electronic apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2007005587A
JP2007005587A JP2005184443A JP2005184443A JP2007005587A JP 2007005587 A JP2007005587 A JP 2007005587A JP 2005184443 A JP2005184443 A JP 2005184443A JP 2005184443 A JP2005184443 A JP 2005184443A JP 2007005587 A JP2007005587 A JP 2007005587A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive member
electronic component
bump
exposed portion
conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2005184443A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Saito
淳 斎藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Epson Imaging Devices Corp
Original Assignee
Sanyo Epson Imaging Devices Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Epson Imaging Devices Corp filed Critical Sanyo Epson Imaging Devices Corp
Priority to JP2005184443A priority Critical patent/JP2007005587A/en
Publication of JP2007005587A publication Critical patent/JP2007005587A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic component easy to manufacture and having superior electrical conduction reliability of bumps with a reduced pitch, a manufacturing method thereof, a mounting structure, an electro-optical device and an electronic apparatus that is equipped therewith. <P>SOLUTION: The process for forming bumps 17 comprises the steps of forming (S3) an exposure portion 36 in a resist 35 by removing the resist 35 applied to the regions, wherein the bumps 17 are to be formed in the resist 35 applied to a silicon chip 14; arranging (S4) resin grains 23 in the exposing portions 36; and filling (S5) the exposure portions 36, wherein the resin grains 23 are arranged with conductive members 24, etc. Accordingly, the conductive members 24 exist only in the bumps 17 and conductive grains etc. can be made not to exist in an adhesive 45, and a liquid crystal device 1 can be manufactured, capable of preventing the electrical contact between the counterpart bumps 17 via e.g. conductive grains etc. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、パーソナルコンピュータや携帯電話機等の電子機器並びにこれらの電子機器に用いられる電子部品、実装構造体、電気光学装置及び電子部品の製造方法に関する。   The present invention relates to an electronic device such as a personal computer or a cellular phone, and an electronic component, a mounting structure, an electro-optical device, and an electronic component manufacturing method used in these electronic devices.

従来、パーソナルコンピュータや携帯電話機等といった電子機器の表示装置として電気光学装置としての例えば液晶装置等が用いられている。この液晶装置等は、例えば、ドライバIC(Integrated Circuit)が、金、銀等の導電粒子を含んだACF(Anisotropic Conductive Film)を介して、液晶パネルのガラス基板側に熱圧着して実装されているが、熱圧着時に加圧されても導電粒子が原形を保持したままで接続されるので、例えば導電粒子と、ドライバICの接続端子との接触面積を十分に確保することが難しい、という問題があった。   Conventionally, for example, a liquid crystal device or the like as an electro-optical device has been used as a display device of an electronic apparatus such as a personal computer or a mobile phone. For example, a driver IC (Integrated Circuit) is mounted on a glass substrate side of a liquid crystal panel via an ACF (Anisotropic Conductive Film) containing conductive particles such as gold and silver. However, since the conductive particles are connected while maintaining the original shape even when pressed during thermocompression bonding, for example, it is difficult to ensure a sufficient contact area between the conductive particles and the connection terminals of the driver IC. was there.

この問題を解決するために、例えば金属をゴム等に含有させた導電ゴムからなる導電粒子を絶縁性接着剤中に混合することで、ドライバICをガラス基板に対して圧着し導電粒子を弾性変形させて、接触面積を大きくして導電不良の発生を防止しようとする技術が開示されている。(例えば、特許文献1参照。)。
特開平5−182516号公報(段落[0007]、図1)。
In order to solve this problem, for example, by mixing conductive particles made of conductive rubber containing metal in rubber or the like into an insulating adhesive, the driver IC is pressed against the glass substrate to elastically deform the conductive particles. Thus, a technique for increasing the contact area and preventing the occurrence of defective conduction is disclosed. (For example, refer to Patent Document 1).
JP-A-5-182516 (paragraph [0007], FIG. 1).

しかしながら、上述した技術では、例えばACF等の中に導電粒子が混合されているため、電子部品等の端子の狭ピッチ化に伴い導電粒子を介した端子間でのリークの発生が生じてしまう、という問題がある。   However, in the above-described technology, for example, conductive particles are mixed in ACF or the like, so that leakage between terminals via the conductive particles occurs with the narrowing of the pitch of terminals such as electronic components. There is a problem.

本発明は、上述の課題に鑑みてなされるもので、製造が容易であり、狭ピッチ化されたバンプの導電信頼性に優れた電子部品、電子部品の製造方法、実装構造体、電気光学装置及び該電気光学装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and is easy to manufacture. The electronic component is excellent in the conductive reliability of bumps with a narrow pitch, the manufacturing method of the electronic component, the mounting structure, and the electro-optical device. And an electronic apparatus including the electro-optical device.

上記目的を達成するために、本発明の主たる観点に係る電子部品は、弾性粒子と前記弾性粒子を被覆するように設けられた導電部材とを有するバンプと、前記導電部材に電気的に接続された配線とを具備することを特徴とする。   In order to achieve the above object, an electronic component according to a main aspect of the present invention is electrically connected to a bump having elastic particles and a conductive member provided so as to cover the elastic particles, and the conductive member. Wiring.

本発明では、弾性粒子と弾性粒子を被覆するように設けられた導電部材とを有するバンプを備えているので、例えば導電粒子を含まない接着剤を介して電子部品を基板に実装する場合には、バンプ中にのみ導電部材が存在し接着剤中に導電粒子等が存在せず、例えば導電粒子を含む異方性導電膜を用いて電子部品を基板に実装する場合にリークを防止するために必要なバンプ間のピッチよりピッチが狭いときでも、バンプ同士の電気的な接触を防止できる。従って、狭ピッチ化されたバンプの導電信頼性に優れた電子部品を得ることができる。   In the present invention, since a bump having an elastic particle and a conductive member provided so as to cover the elastic particle is provided, for example, when an electronic component is mounted on a substrate via an adhesive that does not include the conductive particle. In order to prevent leakage when an electronic component is mounted on a substrate using an anisotropic conductive film containing conductive particles, for example, a conductive member is present only in the bump and no conductive particles are present in the adhesive. Even when the pitch is narrower than the necessary pitch between the bumps, electrical contact between the bumps can be prevented. Therefore, it is possible to obtain an electronic component that is excellent in the conductive reliability of bumps with a narrow pitch.

また、例えば球状の弾性粒子をバンプを形成する位置に配置し、導電部材を弾性粒子の周りに設けるだけでバンプを形成することができるので、製造が容易となる。   Further, for example, since the spherical elastic particles are arranged at positions where the bumps are formed and the conductive member is provided around the elastic particles, the bumps can be formed.

更に、例えばバンプを形成する位置にのみ導電部材が設けられているので、例えば導電部材の使用量を減少させたり、接着剤として導電粒子等を含まない安価な接着剤を用いたりして低コスト化を図ることができる。そして、バンプ中に弾性粒子が含まれることになるので、電子部品を基板に圧着するときにバンプが弾性変形し、バンプの導電部材と、基板側の例えば配線との接触面積を確保して導電性を確保することができる。   Furthermore, since the conductive member is provided only at the position where the bump is formed, for example, the amount of the conductive member used is reduced, or an inexpensive adhesive that does not contain conductive particles or the like is used as an adhesive. Can be achieved. Since elastic particles are contained in the bumps, the bumps are elastically deformed when the electronic component is pressure-bonded to the substrate, and the conductive area of the bumps and the wiring side on the substrate side are secured, for example. Sex can be secured.

本発明の一の形態によれば、前記バンプは、前記電子部品が実装されてなる被実装部材に接続される接続面を有し、前記接続面の少なくとも一部と前記配線とが電気的に接続されていることを特徴とする。これにより、バンプは、電子部品が実装されてなる被実装部材に接続される接続面を有し、接続面の少なくとも一部と配線とが電気的に接続されているので、電子部品を例えば被実装部材に圧着して実装したときに、弾性粒子を効果的に弾性変形させて接続面と配線との電気的な接続を図ることができる。   According to an aspect of the present invention, the bump has a connection surface connected to a mounted member on which the electronic component is mounted, and at least a part of the connection surface and the wiring are electrically connected. It is connected. Accordingly, the bump has a connection surface connected to the mounted member on which the electronic component is mounted, and at least a part of the connection surface and the wiring are electrically connected. When crimped and mounted on the mounting member, the elastic particles can be effectively elastically deformed to achieve electrical connection between the connection surface and the wiring.

本発明の他の観点に係る実装構造体は、弾性粒子と前記弾性粒子を被覆するように設けられた導電部材とを有するバンプと、前記導電部材に電気的に接続された配線とを備えた電子部品と、前記電子部品が実装された基板とを備えたことを特徴とする。   A mounting structure according to another aspect of the present invention includes a bump having elastic particles and a conductive member provided so as to cover the elastic particles, and a wiring electrically connected to the conductive member. An electronic component and a substrate on which the electronic component is mounted are provided.

本発明では、弾性粒子と弾性粒子を被覆するように設けられた導電部材とを有するバンプを備えているので、例えば導電粒子を含まない接着剤を介して電子部品を基板に実装する場合には、バンプ中にのみ導電部材が存在し接着剤中に導電粒子等が存在せず、例えば導電粒子を含む異方性導電膜を用いて電子部品を基板に実装する場合にリークを防止するために必要なバンプ間のピッチよりピッチが狭いときでも、バンプ同士の電気的な接触を防止できる。従って、狭ピッチ化されたバンプの導電信頼性に優れた実装構造体を得ることができる。また、例えば小型及び高性能な電子部品が基板に実装された実装構造体を得ることができる。   In the present invention, since a bump having an elastic particle and a conductive member provided so as to cover the elastic particle is provided, for example, when an electronic component is mounted on a substrate via an adhesive that does not include the conductive particle. In order to prevent leakage when an electronic component is mounted on a substrate using an anisotropic conductive film containing conductive particles, for example, a conductive member is present only in the bump and no conductive particles are present in the adhesive. Even when the pitch is narrower than the necessary pitch between the bumps, electrical contact between the bumps can be prevented. Therefore, it is possible to obtain a mounting structure excellent in the conductive reliability of the narrowed bumps. In addition, for example, a mounting structure in which small and high-performance electronic components are mounted on a substrate can be obtained.

また、例えば球状の弾性粒子をバンプを形成する位置に配置し、導電部材を弾性粒子の周りに設けるだけでバンプを形成することができるので、製造が容易となる。   Further, for example, since the spherical elastic particles are arranged at positions where the bumps are formed and the conductive member is provided around the elastic particles, the bumps can be formed.

更に、例えばバンプを形成する位置にのみ導電部材が設けられているので、例えば導電部材の使用量を減少させたり、接着剤として導電粒子等を含まない安価な接着剤を用いたりして低コスト化を図ることができる。そして、バンプ中に弾性粒子が含まれることになるので、電子部品を基板に圧着するときにバンプが弾性変形し、バンプの導電部材と、基板側の例えば配線との接触面積を確保して導電性を確保することができる。従って、狭ピッチ化されたバンプの導電信頼性に優れた実装構造体を得ることができる。例えばバンプの導電部材と基板側の例えば配線との接続不良を生じさせるような外力が、実装構造体の基板や電子部品に働いても、バンプの導電部材と、基板側の例えば配線との接触面積が確保されているので、接続不良の発生を防止可能な実装構造体とすることができる。   Furthermore, since the conductive member is provided only at the position where the bump is formed, for example, the amount of the conductive member used is reduced, or an inexpensive adhesive that does not contain conductive particles or the like is used as an adhesive. Can be achieved. Since elastic particles are contained in the bumps, the bumps are elastically deformed when the electronic component is pressure-bonded to the substrate, and the conductive area of the bumps and the wiring side on the substrate side are secured, for example. Sex can be secured. Therefore, it is possible to obtain a mounting structure excellent in the conductive reliability of the narrowed bumps. For example, even if an external force that causes connection failure between the conductive member of the bump and the wiring on the substrate side, for example, acts on the substrate or electronic component of the mounting structure, the conductive member of the bump contacts the wiring on the substrate side, for example Since the area is secured, it is possible to provide a mounting structure capable of preventing the occurrence of connection failure.

本発明の他の観点に係る電気光学装置は、弾性粒子と前記弾性粒子を被覆するように設けられた導電部材とを有するバンプと、前記導電部材に電気的に接続された配線とを備えた電子部品と、前記電子部品が実装された基板を有する電気光学パネルとを備えたことを特徴とする。   An electro-optical device according to another aspect of the present invention includes a bump having elastic particles and a conductive member provided so as to cover the elastic particles, and a wiring electrically connected to the conductive member. An electronic component and an electro-optical panel having a substrate on which the electronic component is mounted are provided.

本発明では、弾性粒子と弾性粒子を被覆するように設けられた導電部材とを有するバンプを備えているので、例えば導電粒子を含まない接着剤を介して電子部品を基板に実装する場合には、バンプ中にのみ導電部材が存在し接着剤中に導電粒子等が存在せず、例えば導電粒子を含む異方性導電膜を用いて電子部品を基板に実装する場合にリークを防止するために必要なバンプ間のピッチよりピッチが狭いときでも、バンプ同士の電気的な接触を防止できる。従って、狭ピッチ化されたバンプの導電信頼性に優れた電気光学装置を得ることができる。また、電気光学装置は、例えば小型及び高性能な電子部品が基板に実装された電気光学パネルを備えているので、例えば電気光学装置の表示品位を向上させることができる。   In the present invention, since a bump having an elastic particle and a conductive member provided so as to cover the elastic particle is provided, for example, when an electronic component is mounted on a substrate via an adhesive that does not include the conductive particle. In order to prevent leakage when an electronic component is mounted on a substrate using an anisotropic conductive film containing conductive particles, for example, a conductive member is present only in the bump and no conductive particles are present in the adhesive. Even when the pitch is narrower than the necessary pitch between the bumps, electrical contact between the bumps can be prevented. Therefore, it is possible to obtain an electro-optical device that is excellent in the conductive reliability of bumps with a narrow pitch. In addition, since the electro-optical device includes, for example, an electro-optical panel in which small and high-performance electronic components are mounted on a substrate, the display quality of the electro-optical device can be improved, for example.

また、例えば球状の弾性粒子をバンプを形成する位置に配置し、導電部材を弾性粒子の周りに設けるだけでバンプを形成することができるので、製造が容易となる。   Further, for example, since the spherical elastic particles are arranged at positions where the bumps are formed and the conductive member is provided around the elastic particles, the bumps can be formed.

更に、例えばバンプを形成する位置にのみ導電部材が設けられているので、例えば導電部材の使用量を減少させたり、接着剤として導電粒子等を含まない安価な接着剤を用いたりして低コスト化を図ることができる。そして、バンプ中に弾性粒子が含まれることになるので、電子部品を基板に圧着するときにバンプが弾性変形し、バンプの導電部材と、基板側の例えば配線との接触面積を確保して導電性を確保することができる。従って、狭ピッチ化されたバンプの導電信頼性に優れた電気光学装置を得ることができる。例えばバンプの導電部材と電気光学パネルの基板側の例えば配線との接続不良を生じさせるような外力が、電気光学パネルの基板に働いても、バンプの導電部材と、基板側の例えば配線との接触面積が確保されているので、接続不良の発生を防止でき電気光学装置の表示品位を確保することができる。   Furthermore, since the conductive member is provided only at the position where the bump is formed, for example, the amount of the conductive member used is reduced, or an inexpensive adhesive that does not contain conductive particles or the like is used as an adhesive. Can be achieved. Since elastic particles are contained in the bumps, the bumps are elastically deformed when the electronic component is pressure-bonded to the substrate, and the conductive area of the bumps and the wiring side on the substrate side are secured, for example. Sex can be secured. Therefore, it is possible to obtain an electro-optical device that is excellent in the conductive reliability of bumps with a narrow pitch. For example, even if an external force that causes a connection failure between the conductive member of the bump and the substrate side of the electro-optical panel, for example, the wiring acts on the substrate of the electro-optical panel, the conductive member of the bump and the wiring on the substrate side, for example, Since the contact area is secured, the occurrence of poor connection can be prevented, and the display quality of the electro-optical device can be secured.

本発明の他の観点にかかる電子機器は、上述した電気光学装置を備えたことを特徴とする。   An electronic apparatus according to another aspect of the invention includes the above-described electro-optical device.

本発明では、製造が容易であり、狭ピッチ化されたバンプの導電信頼性に優れた電子部品を備えた電気光学装置を備えているので、例えば表示性能に優れた電子機器を得ることができる。   In the present invention, since an electro-optical device including an electronic component that is easy to manufacture and has excellent conductive reliability of bumps with a narrow pitch is provided, for example, an electronic device having excellent display performance can be obtained. .

本発明の他の観点に係る電子部品の製造方法は、基材に設けられたバンプを有する電子部品の製造方法であって、前記バンプを形成する工程は、前記バンプを形成する領域に弾性粒子を配置する工程と、前記弾性粒子に導電部材を被覆する工程とを具備することを特徴とする。   A method for manufacturing an electronic component according to another aspect of the present invention is a method for manufacturing an electronic component having a bump provided on a base material, wherein the step of forming the bump includes elastic particles in a region where the bump is formed. And a step of covering the elastic particles with a conductive member.

本発明では、バンプを形成する工程は、バンプを形成する領域に弾性粒子を配置する工程と、弾性粒子に導電部材を被覆する工程とを備えているので、例えばバンプを形成する領域に弾性粒子を配置し弾性粒子に導電部材を被覆しバンプを容易に製造することができ、例えば導電粒子を含まない接着剤を介して電子部品を基板に実装する場合には、バンプ中にのみ導電部材を存在させ接着剤中に導電粒子等を存在させないようにでき、例えば導電粒子を含む異方性導電膜を用いて電子部品を基板に実装する場合にリークを防止するために必要なバンプ間のピッチよりピッチが狭いときでも、例えばバンプ同士の電気的な接触を防止して電子部品を製造することができる。   In the present invention, the step of forming the bump includes a step of arranging the elastic particles in the region where the bump is formed and a step of covering the elastic particle with the conductive member. For example, the elastic particle is formed in the region where the bump is formed. Can be manufactured by covering the elastic particles with the conductive member and, for example, when mounting an electronic component on the substrate via an adhesive that does not contain conductive particles, The pitch between bumps necessary to prevent leakage when mounting electronic components on a substrate using an anisotropic conductive film containing conductive particles, for example, can be present to prevent the presence of conductive particles in the adhesive. Even when the pitch is narrower, for example, it is possible to manufacture an electronic component by preventing electrical contact between bumps.

本発明の他の観点に係る電子部品の製造方法は、基材に設けられたバンプを有する電子部品の製造方法であって、前記バンプを形成する工程は、前記基材にレジストを塗布する工程と、前記基材に塗布されたレジストのうち前記バンプを形成する領域に塗布されたレジストを除去することで、前記レジストに前記基材の露出部を形成する工程と、前記露出部に弾性粒子を配置する工程と、前記弾性粒子が配置された露出部に導電部材を充填する工程と、前記基材に塗布されたレジストを除去する工程とを具備することを特徴とする。   The method for manufacturing an electronic component according to another aspect of the present invention is a method for manufacturing an electronic component having a bump provided on a base material, wherein the step of forming the bump is a step of applying a resist to the base material. And removing the resist applied to the region where the bump is to be formed from the resist applied to the base material, thereby forming an exposed portion of the base material on the resist, and elastic particles on the exposed portion. , A step of filling the exposed portion where the elastic particles are arranged with a conductive member, and a step of removing the resist applied to the base material.

本発明では、バンプを形成する工程は、基材に塗布されたレジストのうちバンプを形成する領域に塗布されたレジストを除去することで、レジストに基材の露出部を形成する工程と、露出部に弾性粒子を配置する工程と、弾性粒子が配置された露出部に導電部材を充填する工程と、基材に塗布されたレジストを除去する工程とを備えているので、例えば導電粒子を含まない接着剤を介して電子部品を基板に実装する場合には、バンプ中にのみ導電部材を存在させ接着剤中に導電粒子等を存在させないようにでき、例えば導電粒子を含む異方性導電膜を用いて電子部品を基板に実装する場合にリークを防止するために必要なバンプ間のピッチよりピッチが狭いときでも、例えばバンプ同士の電気的な接触を防止して電子部品を製造することができる。   In the present invention, the step of forming the bump includes the step of forming the exposed portion of the base material on the resist by removing the resist applied to the region where the bump is to be formed from the resist applied to the base material. Including a step of placing elastic particles in the portion, a step of filling the exposed portion where the elastic particles are arranged with a conductive member, and a step of removing the resist applied to the base material. When an electronic component is mounted on a substrate via a non-adhesive, the conductive member can be present only in the bumps and the conductive particles can be prevented from being present in the adhesive. For example, an anisotropic conductive film containing conductive particles Even when the pitch is narrower than the pitch required between the bumps necessary for preventing leakage when mounting the electronic component on the substrate using, for example, the electronic component can be manufactured by preventing electrical contact between the bumps. so That.

また、例えば球状の弾性粒子をバンプを形成する位置に配置し、導電部材を弾性粒子の周りに設けるだけでバンプを形成することができるので、製造が容易となる。   Further, for example, since the spherical elastic particles are arranged at positions where the bumps are formed and the conductive member is provided around the elastic particles, the bumps can be formed.

更に、例えばバンプを形成する位置にのみ導電部材を配置するので、例えば導電部材の使用量を減少させたり、接着剤として導電粒子等を含まない安価な接着剤を用いたりして低コスト化を図ることができる。そして、バンプ中に弾性粒子を含ませることができるので、例えば電子部品を基板に圧着するときにバンプを弾性変形させ、バンプの導電部材と、電子部品の配線との接触面積を確保して導電性を確保することができる。   Furthermore, since the conductive member is disposed only at the position where the bump is formed, for example, the amount of the conductive member used is reduced, or an inexpensive adhesive that does not contain conductive particles or the like is used as an adhesive to reduce the cost. Can be planned. In addition, since elastic particles can be included in the bump, for example, when the electronic component is pressure-bonded to the substrate, the bump is elastically deformed to secure a contact area between the conductive member of the bump and the wiring of the electronic component. Sex can be secured.

本発明の一の形態によれば、前記基材にレジストを塗布する工程の前に、前記基材の前記バンプが形成される領域に導電部を形成する工程を更に備え、前記露出部に弾性粒子を配置する工程は、前記導電部と前記弾性粒子とを逆の電荷に帯電させることで、前記弾性粒子を前記導電部に静電吸着させることを特徴とする。これにより、基材にレジストを塗布する工程の前に、基材のバンプが形成される領域に導電部を形成する工程を更に備え、露出部に弾性粒子を配置する工程は、導電部と弾性粒子とを逆の電荷に帯電させることで、弾性粒子を導電部に静電吸着させるので、例えば静電気による力を用いて容易かつ選択的に弾性粒子をレジストの露出部内に配置することができる。   According to one aspect of the present invention, before the step of applying a resist to the base material, the method further includes a step of forming a conductive portion in a region where the bump of the base material is formed, and the exposed portion is elastic. The step of arranging the particles is characterized in that the elastic particles are electrostatically adsorbed to the conductive portion by charging the conductive portion and the elastic particles to opposite charges. Thus, before the step of applying the resist to the base material, the method further includes the step of forming the conductive portion in the region where the bumps of the base material are formed, and the step of arranging the elastic particles in the exposed portion is elastic with the conductive portion. By charging the particles to the opposite charge, the elastic particles are electrostatically adsorbed to the conductive portion, so that the elastic particles can be easily and selectively disposed in the exposed portion of the resist using, for example, a force due to static electricity.

本発明の一の形態によれば、前記露出部に弾性粒子を配置する工程は、前記弾性粒子を前記露出部に射出することを特徴とする。これにより、露出部に弾性粒子を配置する工程は、弾性粒子を露出部に射出するので、例えば電気的な力を用いるために導電部を形成する製造工程を不要とすることも可能となり低コスト化を図ることができると共に、露出部に狙い打つように弾性粒子を射出させることで、選択的に露出部に弾性粒子を配置することができる。   According to one form of this invention, the process of arrange | positioning an elastic particle to the said exposed part inject | emits the said elastic particle to the said exposed part, It is characterized by the above-mentioned. As a result, the step of disposing the elastic particles in the exposed portion injects the elastic particles into the exposed portion, so that it is possible to eliminate the manufacturing process of forming the conductive portion in order to use an electric force, for example, and the cost is low. In addition, the elastic particles can be selectively arranged on the exposed portion by injecting the elastic particles so as to aim at the exposed portion.

本発明の一の形態によれば、前記露出部に導電部材を充填する工程は、前記基材に設けられ前記導電部材に接続される導電部をメッキ槽内のメッキ液に浸漬させることでメッキにより行うことを特徴とする。これにより、露出部に導電部材を充填する工程は、基材に設けられ導電部材に接続される導電部をメッキ槽内のメッキ液に浸漬させることでメッキにより行うので、例えば弾性粒子を露出部に配置するときに用いた導電部を、メッキ用の電極として用いることができ、製造コストの増加を抑えつつ確実に導電部材を露出部に充填することができる。   According to one aspect of the present invention, the step of filling the exposed portion with the conductive member is performed by immersing the conductive portion provided on the base material and connected to the conductive member in a plating solution in a plating tank. It is characterized by performing by. Thus, the step of filling the exposed portion with the conductive member is performed by plating by immersing the conductive portion provided on the base material and connected to the conductive member in the plating solution in the plating tank. The conductive portion used when arranging the conductive member can be used as an electrode for plating, and the conductive member can be reliably filled in the exposed portion while suppressing an increase in manufacturing cost.

本発明の一の形態によれば、前記露出部に導電部材を充填する工程は、前記レジストに露出部を形成する工程で前記基材に除去されずに残ったレジストをマスクとして用いることで、前記導電部材を印刷することを特徴とする。これにより、露出部に導電部材を充填する工程は、レジストに露出部を形成する工程で基材に除去されずに残ったレジストをマスクとして用いて導電部材を印刷するので、新たにマスクを形成する必要がなく製造時間及びコストの増加を抑えることができると共に、例えば導電部材を直接的かつ確実に露出部に充填することができる、無駄になる導電部材の量を減少させて低コスト化を図ることができる。   According to one aspect of the present invention, the step of filling the exposed portion with the conductive member uses the resist remaining without being removed on the substrate in the step of forming the exposed portion in the resist as a mask. The conductive member is printed. As a result, the step of filling the exposed portion with the conductive member prints the conductive member using the resist remaining without being removed from the base material in the step of forming the exposed portion in the resist, so a new mask is formed. It is not necessary to reduce the manufacturing time and cost, and for example, the exposed portion can be directly and surely filled with the conductive member. Can be planned.

本発明の一の形態によれば、前記露出部に導電部材を充填する工程は、前記導電部材を前記弾性粒子が配置された前記露出部に射出することを特徴とする。これにより、露出部に導電部材を充填する工程は、導電部材を弾性粒子が配置された露出部に射出するので、例えば、露出部に狙い打つように導電部材を射出させることができ、無駄な導電部材の量を減少させて低コスト化を図ることができる。   According to an aspect of the present invention, the step of filling the exposed portion with the conductive member injects the conductive member into the exposed portion where the elastic particles are disposed. Thus, the step of filling the exposed portion with the conductive member injects the conductive member into the exposed portion where the elastic particles are arranged. For example, the conductive member can be injected so as to aim at the exposed portion, which is useless. Cost reduction can be achieved by reducing the amount of the conductive member.

以下、本発明に実施形態を図面に基づき説明する。なお、以下実施形態を説明するにあたっては、電気光学装置としての液晶装置、具体的には反射半透過型のTFT(Thin Film Transistor)アクティブマトリックス方式の液晶装置、また、その液晶装置を用いた電子機器、及び液晶装置に実装された電子部品について説明するが、これに限られるものではない。また、以下の図面においては各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of the embodiments, a liquid crystal device as an electro-optical device, specifically, a reflective transflective TFT (Thin Film Transistor) active matrix liquid crystal device, and an electronic device using the liquid crystal device Although the electronic component mounted in the apparatus and the liquid crystal device will be described, the present invention is not limited to this. Moreover, in the following drawings, in order to make each structure easy to understand, the actual structure and the scale and number of each structure are different.

(第1の実施形態)   (First embodiment)

図1は本発明に係る第1の実施形態の液晶装置の概略斜視図、図2は図1の液晶装置のA−A断面図、図3は図1の液晶装置のドライバICの部分拡大平面図である。   1 is a schematic perspective view of a liquid crystal device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of the liquid crystal device of FIG. 1, and FIG. 3 is a partially enlarged plan view of a driver IC of the liquid crystal device of FIG. FIG.

(液晶装置の構成)   (Configuration of liquid crystal device)

液晶装置1は、液晶パネル2と、液晶パネル2に接続された回路基板3とを備えている。なお、液晶装置1は、液晶パネル2を支持する図示を省略したフレーム等のその他の付帯機構が必要に応じて付設される。   The liquid crystal device 1 includes a liquid crystal panel 2 and a circuit board 3 connected to the liquid crystal panel 2. The liquid crystal device 1 is provided with other auxiliary mechanisms such as a frame (not shown) that supports the liquid crystal panel 2 as necessary.

液晶パネル2は、基板4と、基板4に対向するように設けられた基板5と、基板4、5の間に設けられたシール材6及び基板4、5により封止された図示しない液晶とを備えている。液晶には、例えばTN(Twisted Nematic)が用いられている。   The liquid crystal panel 2 includes a substrate 4, a substrate 5 provided to face the substrate 4, a sealing material 6 provided between the substrates 4 and 5, and a liquid crystal (not shown) sealed by the substrates 4 and 5. It has. For example, TN (Twisted Nematic) is used for the liquid crystal.

基板4及び基板5は、例えばガラスや合成樹脂といった透光性を有する材料からなる板状部材である。基板4の液晶側には、ゲート電極7、ソース電極8、薄膜トランジスタ素子T及び画素電極9が形成されており、基板5の液晶側には、共通電極5aが形成されている。   The substrate 4 and the substrate 5 are plate-shaped members made of a light-transmitting material such as glass or synthetic resin. A gate electrode 7, a source electrode 8, a thin film transistor element T and a pixel electrode 9 are formed on the liquid crystal side of the substrate 4, and a common electrode 5 a is formed on the liquid crystal side of the substrate 5.

ゲート電極7はX方向に、ソース電極8はY方向に、それぞれ例えばアルミニウム等の金属材料等によって形成されている。ソース電極8は、例えば図1に示すように上半分が左側に、下半分が右側に引き回されて形成されている。なお、ゲート電極7及びソース電極8の本数は、液晶装置1の解像度や表示領域の大きさに応じて適宜変更可能である。   The gate electrode 7 is formed in the X direction, and the source electrode 8 is formed in the Y direction, for example, by a metal material such as aluminum. The source electrode 8 is formed, for example, as shown in FIG. 1, with the upper half routed to the left side and the lower half routed to the right side. Note that the number of the gate electrodes 7 and the source electrodes 8 can be appropriately changed according to the resolution of the liquid crystal device 1 and the size of the display area.

薄膜トランジスタ素子Tは、ゲート電極7、ソース電極8及び画素電極9にそれぞれ電気的に接続される3つの端子を備えている。薄膜トランジスタ素子Tは画素電極9、ゲート電極7、ソース電極8に電気的に接続されている。これにより、ゲート電極7に電圧を印加したときにソース電極8から画素電極9に又はその逆に電流が流れるように構成されている。   The thin film transistor element T includes three terminals that are electrically connected to the gate electrode 7, the source electrode 8, and the pixel electrode 9, respectively. The thin film transistor element T is electrically connected to the pixel electrode 9, the gate electrode 7, and the source electrode 8. Thus, a current flows from the source electrode 8 to the pixel electrode 9 or vice versa when a voltage is applied to the gate electrode 7.

また、基板4は、基板5の外縁から張り出した領域(以下、「張り出し部」と表記する)4aを備えている。張り出し部4aの面上には、例えば液晶を駆動するための電子部品としてのYドライバIC11、XドライバIC12及び13が実装されている。   In addition, the substrate 4 includes a region (hereinafter referred to as “projected portion”) 4 a that projects from the outer edge of the substrate 5. On the surface of the projecting portion 4a, for example, a Y driver IC 11 and X driver ICs 12 and 13 are mounted as electronic components for driving the liquid crystal.

YドライバIC11は、図2に示すように、シリコンチップ14と、シリコンチップ14の基板4と対向する面側に設けられた例えばアルミニウム製の入力端子15、出力端子16と、入力端子15、出力端子16にそれぞれ電気的に接続されYドライバIC11の実装面側に突設されたバンプ17と、入力端子15、出力端子16にそれぞれ一端が接続された配線55、56とを備えている。   As shown in FIG. 2, the Y driver IC 11 includes a silicon chip 14 and, for example, an aluminum input terminal 15, an output terminal 16, an input terminal 15, and an output provided on the surface of the silicon chip 14 facing the substrate 4. A bump 17 is provided which is electrically connected to the terminal 16 and protrudes from the mounting surface side of the Y driver IC 11, and wirings 55 and 56 each having one end connected to the input terminal 15 and the output terminal 16.

シリコンチップ14は、例えば略矩形状のチップであり、基板4と対向する面側には、図3に示すように複数の入力端子15、出力端子16がそれぞれY方向に例えば間隔aで配列されている。間隔aは、例えば10μmとされている。シリコンチップ14の基板4と対向する側の面は、図2に示すように例えば入力端子15、出力端子16の中央部を除いてパッシベーション18により被覆されている。   The silicon chip 14 is, for example, a substantially rectangular chip, and a plurality of input terminals 15 and output terminals 16 are arranged in the Y direction at intervals a, for example, as shown in FIG. ing. The interval a is set to 10 μm, for example. As shown in FIG. 2, the surface of the silicon chip 14 facing the substrate 4 is covered with a passivation 18 except for the central portion of the input terminal 15 and the output terminal 16, for example.

入力端子15、出力端子16は、例えば略矩形状であり、それぞれY方向に略等間隔で設けられている。入力端子15、出力端子16の基板4側には、図2に示すようにTiW層21、Au層22が積層されたシード層20が形成されている。TiW層21、Au層22は、例えば外縁部がパッシベーション18に重なって設けられている。   The input terminal 15 and the output terminal 16 have, for example, a substantially rectangular shape, and are provided at substantially equal intervals in the Y direction. A seed layer 20 in which a TiW layer 21 and an Au layer 22 are laminated is formed on the substrate 4 side of the input terminal 15 and the output terminal 16 as shown in FIG. The TiW layer 21 and the Au layer 22 are provided, for example, with the outer edge portion overlapping the passivation 18.

バンプ17は、図3に示すようにY方向の幅bが例えば20μmとされている。バンプ17は、図2に示すように例えば略球形状の弾性粒子としての樹脂粒子23と、樹脂粒子23を被覆するように設けられた導電部材24とを備えている。   As shown in FIG. 3, the bump 17 has a width b in the Y direction of 20 μm, for example. As shown in FIG. 2, the bump 17 includes, for example, resin particles 23 as substantially spherical elastic particles, and a conductive member 24 provided so as to cover the resin particles 23.

樹脂粒子23は、弾性を有しており、例えばYドライバIC11の基板4への実装時等に弾性変形可能であり、例えばZ方向に押し潰された状態で設けられている。実装後に何らかの理由でYドライバIC11のシリコンチップ14と基板4とが離れた場合には、樹脂粒子23はシリコンチップ14と基板4との距離の変化に追従して元の形状に戻ろうとする。そのため、YドライバIC11と基板4との電気的接続を保つことができる。樹脂粒子23の押し潰される前の直径は、例えば15μm、図2に示すように入力端子15、出力端子16に対応するパッシベーション18の開口のX方向の幅c、TiW層21、Au層22がパッシベーション18に重なるX方向の幅d、幅eは適宜変更可能である。例えば、幅c、幅d及び幅eの長さは、例えば7μm、6μm及び6μm程度に設定されている。バンプ17には、例えばそれぞれ1個の樹脂粒子23が含まれている。なお、バンプ17に含まれる樹脂粒子23の個数は、1個に限定されず、例えば複数個含まれるようにしてもよい。   The resin particles 23 have elasticity, and can be elastically deformed, for example, when the Y driver IC 11 is mounted on the substrate 4. For example, the resin particles 23 are provided in a state of being crushed in the Z direction. If the silicon chip 14 of the Y driver IC 11 and the substrate 4 are separated for some reason after mounting, the resin particles 23 follow the change in the distance between the silicon chip 14 and the substrate 4 and attempt to return to the original shape. Therefore, the electrical connection between the Y driver IC 11 and the substrate 4 can be maintained. The diameter of the resin particle 23 before being crushed is, for example, 15 μm. As shown in FIG. 2, the width c in the X direction of the opening of the passivation 18 corresponding to the input terminal 15 and the output terminal 16, the TiW layer 21, and the Au layer 22 The width d and width e in the X direction overlapping the passivation 18 can be changed as appropriate. For example, the lengths of the width c, the width d, and the width e are set to about 7 μm, 6 μm, and 6 μm, for example. Each bump 17 includes, for example, one resin particle 23. Note that the number of resin particles 23 included in the bump 17 is not limited to one, and may be included, for example.

導電部材24は、Au層22、TiW層21を介して、それぞれ入力端子15、出力端子16に接続されると共に、それぞれ配線25、26に接続されている。導電部材24の構成材料には、例えば金、銀、銅、ニッケル等の金属材料が用いられている。このように、YドライバIC11の入力側のバンプ17を介して、基板4に設けられた配線25が入力端子15に接続され、YドライバIC11の出力側のバンプ17を介して、基板4に設けられた配線26が出力端子16に接続されている。なお、本実施形態では、導電部材24が接続面24aの略全面で入力端子25に接続されている例を示したが、バンプ17の接続面24aの少なくとも一部が配線55に電気的に接続されるようにすればよい。   The conductive member 24 is connected to the input terminal 15 and the output terminal 16 through the Au layer 22 and the TiW layer 21, respectively, and is connected to the wirings 25 and 26, respectively. As a constituent material of the conductive member 24, for example, a metal material such as gold, silver, copper, or nickel is used. In this way, the wiring 25 provided on the substrate 4 is connected to the input terminal 15 via the bump 17 on the input side of the Y driver IC 11, and provided on the substrate 4 via the bump 17 on the output side of the Y driver IC 11. The connected wiring 26 is connected to the output terminal 16. In the present embodiment, the conductive member 24 is connected to the input terminal 25 over substantially the entire connection surface 24a. However, at least a part of the connection surface 24a of the bump 17 is electrically connected to the wiring 55. What should I do?

配線55、56は、例えば他端がシリコンチップ14内に設けられた図示を省略したトランジスタ等の電子回路に接続されている。配線55、56は、バンプ17に電気的に接続されている。   For example, the other ends of the wires 55 and 56 are connected to an electronic circuit such as a transistor (not shown) provided in the silicon chip 14. The wirings 55 and 56 are electrically connected to the bumps 17.

YドライバIC11は、YドライバIC11と、基板4との間に設けられた例えばエポキシ樹脂製の接着剤45により基板4に接着されている。YドライバIC11は、接着剤45により封止されている。   The Y driver IC 11 is bonded to the substrate 4 with an adhesive 45 made of, for example, an epoxy resin provided between the Y driver IC 11 and the substrate 4. The Y driver IC 11 is sealed with an adhesive 45.

なお、XドライバIC12の図示しない入出力のバンプを介して、図1に示すように基板4に設けられた配線27、28がXドライバIC12の図示しない入出力端子にそれぞれ接続され、XドライバIC13の図示しない入出力のバンプを介して、基板4に設けられた配線29、30がXドライバIC13の図示しない入出力端子にそれぞれ接続されている。配線26はゲート電極7、配線28、30はソース電極8にそれぞれ電気的に繋がっている。   Note that wirings 27 and 28 provided on the substrate 4 as shown in FIG. 1 are connected to input / output terminals (not shown) of the X driver IC 12 via input / output bumps (not shown) of the X driver IC 12, respectively. Wirings 29 and 30 provided on the substrate 4 are connected to input / output terminals (not shown) of the X driver IC 13 via input / output bumps (not shown). The wiring 26 is electrically connected to the gate electrode 7, and the wirings 28 and 30 are electrically connected to the source electrode 8.

回路基板3は、図1に示すように、張り出し部4aに例えば接着剤等を介して接続されている。回路基板3は、可撓性基材31と、可撓性基材31に設けられた出力配線32、入力配線33と、YドライバIC11等を制御するために可撓性基材31に実装された半導体IC34とを備えている。   As shown in FIG. 1, the circuit board 3 is connected to the overhanging portion 4a via an adhesive or the like, for example. The circuit board 3 is mounted on the flexible base material 31 in order to control the flexible base material 31, the output wiring 32 provided on the flexible base material 31, the input wiring 33, the Y driver IC 11, and the like. And a semiconductor IC 34.

可撓性基材31には、例えば半導体IC34が実装されており、この他にも図示を省略した電源供給用の半導体IC等が実装されている。   For example, a semiconductor IC 34 is mounted on the flexible base 31, and a semiconductor IC for power supply and the like that are not shown are also mounted.

出力配線32は、図1に示すように、例えばX方向に引き回されており、その一端が、可撓性基材31に形成された図示を省略したスルーホール内に設けられた接続部材を介してACF等により配線25の端部に接続されている。出力配線32の他端は、ACF等を介して半導体IC34の図示を省略した出力端子に接続されている。   As shown in FIG. 1, the output wiring 32 is routed in the X direction, for example, and one end of a connection member provided in a through hole formed in the flexible base 31 and not shown. And connected to the end of the wiring 25 by ACF or the like. The other end of the output wiring 32 is connected to an output terminal (not shown) of the semiconductor IC 34 via an ACF or the like.

入力配線33は、図1に示すように、例えばX方向に引き回されている。入力配線33の一端は、図1に示すように例えば半導体IC34の図示しない入力端子にACF等を介して接続されている。入力配線33の他端は、例えば図示しない外部装置に接続されている。   As shown in FIG. 1, the input wiring 33 is routed, for example, in the X direction. As shown in FIG. 1, one end of the input wiring 33 is connected to, for example, an input terminal (not shown) of the semiconductor IC 34 via an ACF or the like. The other end of the input wiring 33 is connected to an external device (not shown), for example.

(液晶装置の製造方法)   (Manufacturing method of liquid crystal device)

次に、液晶装置1の製造方法について図面を参照しながら説明する。   Next, a method for manufacturing the liquid crystal device 1 will be described with reference to the drawings.

図4は第1の実施形態の液晶装置1の製造工程を示すフローチャートである。なお、本実施形態では、図5に示す入出力端子15、16の中央部がパッシベーション18の開口部から露出しているシリコンチップ14を製造する工程、及びステップ8の液晶パネル2の製造工程については、公知技術と同様なのでその説明を省略する。   FIG. 4 is a flowchart showing a manufacturing process of the liquid crystal device 1 of the first embodiment. In the present embodiment, the process of manufacturing the silicon chip 14 in which the central portions of the input / output terminals 15 and 16 shown in FIG. 5 are exposed from the opening of the passivation 18 and the process of manufacturing the liquid crystal panel 2 in step 8 are described. Since this is the same as the known technique, its description is omitted.

まず、図5に示すシリコンチップ14の入出力端子15、16が露出する側の面を覆うように、例えばスパッタにより、図6に示すようにTiW層21、Au層22からなるシード層20を形成する(S1)。このとき、例えば、TiW層21がシリコンチップ14の入力端子15、出力端子16側の面を被覆するように、また、Au層22がTiW層21を被覆するようにする。これにより、TiW層21、Au層22には、入力端子15、出力端子16と、パッシベーション18とで形成された段差に沿う段差が形成される。   First, a seed layer 20 made of a TiW layer 21 and an Au layer 22 is formed by sputtering, for example, by sputtering so as to cover the surface of the silicon chip 14 shown in FIG. 5 where the input / output terminals 15 and 16 are exposed. Form (S1). At this time, for example, the TiW layer 21 covers the surface of the silicon chip 14 on the input terminal 15 and output terminal 16 side, and the Au layer 22 covers the TiW layer 21. As a result, steps along the steps formed by the input terminal 15, the output terminal 16, and the passivation 18 are formed in the TiW layer 21 and the Au layer 22.

次いで、Au層22を図7に示すようにレジスト35により覆う(S2)。このとき、レジスト35のZ方向の厚さは、例えば樹脂粒子23の直径等に応じて適宜変更される。   Next, the Au layer 22 is covered with a resist 35 as shown in FIG. 7 (S2). At this time, the thickness of the resist 35 in the Z direction is appropriately changed according to, for example, the diameter of the resin particles 23.

次に、基材としてのシリコンチップ14のAu層22に塗布されたレジスト35のうちバンプ17を形成する領域に塗布されたレジスト35を除去することで、図8に示すようにレジスト35に露出部36を形成する(S3)。これにより、露出部36からAu層22が露出するようにする。露出部36は、樹脂粒子23を少なくとも1個配置することができる形状となる。   Next, the resist 35 applied to the region where the bumps 17 are formed is removed from the resist 35 applied to the Au layer 22 of the silicon chip 14 as the base material, thereby exposing the resist 35 as shown in FIG. The part 36 is formed (S3). As a result, the Au layer 22 is exposed from the exposed portion 36. The exposed portion 36 has a shape in which at least one resin particle 23 can be disposed.

続いて、図9に示すように、配線37を介してシード層20を図示しない負極に接続し、筒状部材38を正極に接続し、例えば筒状部材38内を通過する樹脂粒子23に電圧を印加し、正電荷を帯びた樹脂粒子23を、静電気の力によって筒状部材38から露出部36に選択的に配置(散布)する(S4)。これにより、例えば露出部36にそれぞれ1個の樹脂粒子23が配置される。   Subsequently, as shown in FIG. 9, the seed layer 20 is connected to the negative electrode (not shown) via the wiring 37, the cylindrical member 38 is connected to the positive electrode, and the voltage is applied to the resin particles 23 passing through the cylindrical member 38, for example. Is applied, and the positively charged resin particles 23 are selectively arranged (spread) from the tubular member 38 to the exposed portion 36 by electrostatic force (S4). Thereby, for example, one resin particle 23 is arranged in each exposed portion 36.

次に、図10に示す電解メッキ装置40を用いて例えば金メッキ処理を施すことで、図11に示すように樹脂粒子23が配置された露出部36内を導電部材24により充填する(S5)。例えば、電解メッキ装置40のメッキ槽41内のメッキ液43中に、図9に示すシリコンチップ14を浸漬させ、電解メッキ装置40のメッキ用陽極42を配線44を介して正極とし、シード層20を配線37を介して負極として、例えば金メッキする。なお、このとき、図2に示すバンプ17の接続面24aの少なくとも一部が配線55に電気的に接続されるようにすればよい。   Next, for example, by performing a gold plating process using the electrolytic plating apparatus 40 shown in FIG. 10, the exposed portion 36 where the resin particles 23 are arranged is filled with the conductive member 24 as shown in FIG. 11 (S5). For example, the silicon chip 14 shown in FIG. 9 is immersed in the plating solution 43 in the plating tank 41 of the electroplating apparatus 40, and the plating anode 42 of the electroplating apparatus 40 is used as the positive electrode via the wiring 44. Is plated as a negative electrode through the wiring 37, for example. At this time, at least a part of the connection surface 24 a of the bump 17 shown in FIG. 2 may be electrically connected to the wiring 55.

続いて、図12に示すように、塗布されたレジスト35を除去する(S6)。これにより、バンプ17以外の領域に設けられたシード層20が露出する。   Subsequently, as shown in FIG. 12, the applied resist 35 is removed (S6). As a result, the seed layer 20 provided in a region other than the bump 17 is exposed.

次に、図13に示すように、露出したシード層20を除去する(S7)。   Next, as shown in FIG. 13, the exposed seed layer 20 is removed (S7).

一方、液晶パネル2を製造した後(S8)、液晶パネル2に対してYドライバIC11を圧着して実装する(S9)。このとき、例えば導電粒子を含むACF等の接着膜を用いずに、導電粒子を含まないエポキシ樹脂等からなる接着剤45によりYドライバIC11と、液晶パネル2の基板4とを接着する。これにより、YドライバIC11を接着剤45により封止する。   On the other hand, after manufacturing the liquid crystal panel 2 (S8), the Y driver IC 11 is pressure-bonded to the liquid crystal panel 2 and mounted (S9). At this time, for example, the Y driver IC 11 and the substrate 4 of the liquid crystal panel 2 are bonded by an adhesive 45 made of an epoxy resin or the like not including conductive particles without using an adhesive film such as ACF including conductive particles. Thereby, the Y driver IC 11 is sealed with the adhesive 45.

そして、液晶パネル2の基板4と、半導体IC13が実装された回路基板3とを接着剤等により接続し偏光板やバックライトユニット等を設ける等して液晶装置1を製造する(S10)。   Then, the liquid crystal device 1 is manufactured by connecting the substrate 4 of the liquid crystal panel 2 and the circuit board 3 on which the semiconductor IC 13 is mounted with an adhesive or the like and providing a polarizing plate, a backlight unit, or the like (S10).

以上で液晶装置1の製造方法についての説明を終了する。   This is the end of the description of the method for manufacturing the liquid crystal device 1.

このように本実施形態によれば、バンプ17を形成する工程は、シリコンチップ14に塗布されたレジスト35のうちバンプ17を形成する領域に塗布されたレジスト35を除去することで、レジスト35に露出部36を形成する工程(S3)と、露出部36に樹脂粒子23を配置する工程(S4)と、樹脂粒子23が配置された露出部36に導電部材24を充填する工程(S5)と、シリコンチップ14に塗布されたレジスト35を除去する工程(S6)とを備えているので、バンプ17中にのみ導電部材24を存在させ接着剤45中に導電粒子等を存在させないようにでき、例えば導電粒子を含む異方性導電膜を用いてYドライバIC11を基板4に実装する場合にリークを防止するために必要なバンプ間のピッチよりピッチが狭いときでも、例えば導電粒子等を介したバンプ17同士の電気的な接触を防止できる液晶装置1を製造することができる。   As described above, according to the present embodiment, the step of forming the bump 17 is performed by removing the resist 35 applied to the region where the bump 17 is formed from the resist 35 applied to the silicon chip 14. A step (S3) of forming the exposed portion 36, a step (S4) of placing the resin particles 23 on the exposed portion 36, a step of filling the exposed portion 36 in which the resin particles 23 are placed with the conductive member 24 (S5), and And the step (S6) of removing the resist 35 applied to the silicon chip 14, the conductive member 24 can be present only in the bump 17 and the conductive particles and the like can be prevented from being present in the adhesive 45. For example, when the Y driver IC 11 is mounted on the substrate 4 using an anisotropic conductive film containing conductive particles, the pitch is narrower than the pitch between bumps necessary to prevent leakage. Also, it is possible to manufacture the liquid crystal device 1, for example a bump 17 electrically contact each other through the conductive particles or the like can be prevented.

また、球状の樹脂粒子23を露出部36に配置すると共に、導電部材24を露出部36内の樹脂粒子23の周りに充填する等するだけでバンプ17を形成することができるので、製造が容易となる。   In addition, the bumps 17 can be formed simply by placing the spherical resin particles 23 on the exposed portion 36 and filling the conductive member 24 around the resin particles 23 in the exposed portion 36, so that manufacturing is easy. It becomes.

更に、例えばバンプ17を形成する位置にのみ導電部材24を形成するので、例えば従来のようにACFを用いる場合に比べて、導電部材24の使用量を減少させたり、導電粒子等を含まない安価な接着剤45を用いたりして低コスト化を図ることができる。   Further, since the conductive member 24 is formed only at the position where the bump 17 is formed, for example, the amount of the conductive member 24 used can be reduced or the conductive particles 24 can be reduced as compared with the case where the ACF is used as in the prior art. The cost can be reduced by using a simple adhesive 45.

また、バンプ17中に樹脂粒子23が含まれることになるので、例えばYドライバIC11を基板4に圧着するときにバンプ17を弾性変形させ、バンプ17の導電部材24と、YドライバIC11の配線25との接触面積を確保して導電性を確保することができる。   Further, since the resin particles 23 are contained in the bumps 17, for example, when the Y driver IC 11 is pressure-bonded to the substrate 4, the bumps 17 are elastically deformed, and the conductive members 24 of the bumps 17 and the wirings 25 of the Y driver ICs 11 are It is possible to ensure the conductivity by securing the contact area with the.

更にまた、シリコンチップ14にレジスト35を塗布する工程(S2)の前に、導電部材24に接続されるシード層20をシリコンチップ14に形成する工程(S1)を備え、露出部36に樹脂粒子23を配置する工程(S4)では、シード層20と樹脂粒子23とを逆の電荷に帯電させるので、例えば静電気による力を用いて静電吸着により樹脂粒子23をレジスト35の露出部36内に配置することができる。   Furthermore, before the step (S2) of applying the resist 35 to the silicon chip 14, a step (S1) of forming the seed layer 20 connected to the conductive member 24 on the silicon chip 14 is provided. In the step (S4) of disposing 23, the seed layer 20 and the resin particles 23 are charged to opposite charges, so that the resin particles 23 are placed in the exposed portions 36 of the resist 35 by electrostatic adsorption using, for example, electrostatic force. Can be arranged.

また、露出部36に導電部材24を充填する工程(S5)は、シード層20をメッキ槽41内のメッキ液43に浸漬させることでメッキにより行うので、例えば樹脂粒子23を露出部36に配置するときに用いたシード層20を、メッキ用の電極として用いることができ、製造コストの増加を抑えつつ確実に導電部材23を露出部36に充填することができる。   Further, the step (S5) of filling the exposed portion 36 with the conductive member 24 is performed by plating by immersing the seed layer 20 in the plating solution 43 in the plating tank 41. For example, the resin particles 23 are disposed on the exposed portion 36. The seed layer 20 used in this process can be used as an electrode for plating, and the conductive member 23 can be reliably filled in the exposed portion 36 while suppressing an increase in manufacturing cost.

更に、バンプ17は、樹脂粒子23が1個収まる程度の大きさであるので、YドライバIC11を例えば基板4の配線25等に圧着するときに、樹脂粒子23を効率的に弾性変形させることができ、バンプ17と配線25等との接続信頼性を更に向上させることができると共に、樹脂粒子23の使用量を減少させることで低コスト化を図ることができる。なお、バンプを、樹脂粒子が複数収まる大きさにすることで、例えば多数の樹脂粒子が導電部材に被覆されたバンプ等のように多種多様なバンプを形成するようにしてもよい。また、図2に示すバンプ17の接続面24aの少なくとも一部が配線55に電気的に接続されるようにした(バンプ17の接続面24aから樹脂粒子23が露出している)ドライバICを用いる場合にも、例えば配線25と配線55とを同様に電気的に接続することができる。   Furthermore, since the bump 17 is large enough to contain one resin particle 23, the resin particle 23 can be efficiently elastically deformed when the Y driver IC 11 is pressure-bonded to the wiring 25 of the substrate 4, for example. In addition, the connection reliability between the bumps 17 and the wirings 25 can be further improved, and the cost can be reduced by reducing the amount of resin particles 23 used. It should be noted that a wide variety of bumps such as a bump in which a large number of resin particles are covered with a conductive member may be formed by making the bumps large enough to contain a plurality of resin particles. Further, a driver IC is used in which at least a part of the connection surface 24a of the bump 17 shown in FIG. 2 is electrically connected to the wiring 55 (the resin particles 23 are exposed from the connection surface 24a of the bump 17). Even in this case, for example, the wiring 25 and the wiring 55 can be electrically connected in the same manner.

(第1の変形例)   (First modification)

次に、本発明に係る第1の変形例の液晶装置1の製造方法について説明する。なお、本変形例以降においては、上記実施形態と同一の構成部材等には同一の符号を付しその説明を省略し、異なる箇所を中心に説明する。   Next, a manufacturing method of the liquid crystal device 1 of the first modification according to the present invention will be described. In addition, after this modification, the same code | symbol is attached | subjected to the same component as the said embodiment, the description is abbreviate | omitted, and it demonstrates centering on a different location.

本変形例の製造工程については、第1の実施の形態とはステップ5のみが異なるので、ステップ5について説明する。   As for the manufacturing process of this modification example, only step 5 is different from the first embodiment, and therefore step 5 will be described.

上記第1の実施の形態では、ステップ5において電解メッキ装置40を用いて金メッキすることにより、露出部36内に導電部材24を形成する例を示した。しかし、本変形例では、ステップ5において、例えば導電部材24を含む液状材料を射出可能な図14に示すインクジェット式の射出装置50を用いる。   In the first embodiment, the conductive member 24 is formed in the exposed portion 36 by performing gold plating using the electrolytic plating apparatus 40 in Step 5. However, in this modified example, in step 5, for example, the ink jet type injection device 50 shown in FIG. 14 capable of injecting a liquid material including the conductive member 24 is used.

インクジェット式の射出装置50は、図14に示すように、液状材料を射出する射出ヘッド51、射出ヘッド51に液状材料を供給するための供給ライン52等を備えている。   As shown in FIG. 14, the ink jet type injection device 50 includes an injection head 51 for injecting a liquid material, a supply line 52 for supplying the liquid material to the injection head 51, and the like.

射出ヘッド51は、供給ライン52から供給された液状材料を収容する収容室53と、収容室53に連通する射出室54と、射出室54内に動作可能に設けられた圧電体で構成された圧電部57とを備えている。射出室54には、液状材料を射出させるための射出口58が形成されている。圧電部57は外部からの駆動電圧により変形し、射出室54内の体積を増減させるように構成されている。   The ejection head 51 is composed of a storage chamber 53 that stores the liquid material supplied from the supply line 52, an injection chamber 54 that communicates with the storage chamber 53, and a piezoelectric body that is operatively provided in the injection chamber 54. And a piezoelectric portion 57. In the injection chamber 54, an injection port 58 for injecting the liquid material is formed. The piezoelectric unit 57 is configured to be deformed by an external driving voltage to increase or decrease the volume in the injection chamber 54.

インクジェット式の射出装置50を用いて、レジスト35の露出部36に、例えば導電部材24を含む液状材料を射出する。なお、液状材料は、例えば有機膜に被覆されたAgを、水やピロリドン等の溶媒に混入させて製造されている。インクジェット式の射出装置50で露出部36内に射出された液状材料を例えば150°C〜200°Cに加熱し溶剤を揮発させ有機膜を焼失させる等する。これにより、露出部36内の樹脂粒子23をAgからなる導電部材24で被覆するように、露出部36内を導電部材24で充填する。   For example, a liquid material including the conductive member 24 is injected onto the exposed portion 36 of the resist 35 using the ink jet type injection device 50. The liquid material is manufactured by mixing Ag coated on an organic film, for example, with a solvent such as water or pyrrolidone. The liquid material injected into the exposed portion 36 by the ink jet type injection device 50 is heated to, for example, 150 ° C. to 200 ° C. to volatilize the solvent and burn out the organic film. Thus, the exposed portion 36 is filled with the conductive member 24 so that the resin particles 23 in the exposed portion 36 are covered with the conductive member 24 made of Ag.

このように本変形例によれば、露出部36に導電部材24を充填する工程(S5)では、樹脂粒子23が配置された露出部36に、インクジェット式の射出装置50により、導電部材24を含んだ液状材料を射出するので、例えば、露出部36に狙い打つように導電部材24を含んだ液状材料を射出させることができ、無駄な導電部材24の量を減少させて低コスト化を図ることができる。   As described above, according to this modification, in the step of filling the exposed portion 36 with the conductive member 24 (S5), the conductive member 24 is applied to the exposed portion 36 where the resin particles 23 are disposed by the ink jet type injection device 50. Since the contained liquid material is injected, for example, the liquid material containing the conductive member 24 can be injected so as to aim at the exposed portion 36, and the amount of the unnecessary conductive member 24 is reduced, thereby reducing the cost. be able to.

(第2の変形例)   (Second modification)

次に、本発明に係る第2の変形例の液晶装置1の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the liquid crystal device 1 according to the second modification of the present invention will be described.

本変形例の製造工程については、第1の実施の形態とはステップ5のみが異なるので、ステップ5について説明する。   As for the manufacturing process of this modification example, only step 5 is different from the first embodiment, and therefore step 5 will be described.

本変形例では、第1の実施の形態のステップ5の代りに、レジスト35に露出部36を形成したときにシリコンチップ14に除去されずに残ったレジスト35をスクリーン印刷用のマスクとして用い、図15に示すように、例えば樹脂板60等をレジスト35の表面に略平行に移動させることで、導電部材24を含むペースト61を露出部36に充填(印刷)する。これにより、導電部材24が露出部36内に充填される。   In this modification, instead of Step 5 of the first embodiment, the resist 35 that remains without being removed on the silicon chip 14 when the exposed portion 36 is formed on the resist 35 is used as a mask for screen printing. As shown in FIG. 15, for example, by moving a resin plate 60 or the like substantially parallel to the surface of the resist 35, the paste 61 including the conductive member 24 is filled (printed) in the exposed portion 36. Thereby, the conductive member 24 is filled in the exposed portion 36.

このように本変形例では、露出部36に導電部材24を充填する工程(S5)では、レジスト35に露出部36を形成する工程(S3)でシリコンチップ14側に除去されずに残ったレジスト35をマスクとして用いて、導電部材24を含むペースト61を露出部36に充填(印刷)するので、別途、マスクを用意する必要がなく製造コストを抑えることができ、例えば導電部材24を直接的かつ確実に露出部36内に充填することができると共に、無駄になる導電部材24の量を減少させて低コスト化を図ることができる。   As described above, in this modification, in the step (S5) of filling the exposed portion 36 with the conductive member 24, the resist remaining without being removed on the silicon chip 14 side in the step (S3) of forming the exposed portion 36 on the resist 35. 35 is used as a mask, and the paste 61 including the conductive member 24 is filled (printed) in the exposed portion 36. Therefore, it is not necessary to prepare a mask separately, and the manufacturing cost can be reduced. In addition, the exposed portion 36 can be reliably filled, and the amount of the conductive member 24 that is wasted can be reduced to reduce the cost.

(第3の変形例)   (Third Modification)

次に、本発明に係る第3の変形例の液晶装置1の製造方法について説明する。なお、本変形例の製造工程については、第1の実施の形態とはステップ4のみが異なるので、ステップ4について説明する。   Next, a method for manufacturing the liquid crystal device 1 according to the third modification of the present invention will be described. Note that the manufacturing process of the present modification example is different from the first embodiment only in step 4, and therefore step 4 will be described.

本変形例では、ステップ4において、例えば射出装置50と略同じ構造の樹脂粒子23を射出可能なインクジェット式の射出装置を用いて、レジスト35の露出部36に、樹脂粒子23を射出するようにしてもよい。このような変形例によれば、露出部36に狙い打つように樹脂粒子23を噴出させることで、選択的に露出部36に樹脂粒子23を配置することができる。   In this modification, in step 4, the resin particles 23 are injected to the exposed portions 36 of the resist 35 using, for example, an ink jet type injection device that can inject the resin particles 23 having substantially the same structure as the injection device 50. May be. According to such a modification, the resin particles 23 can be selectively disposed on the exposed portion 36 by ejecting the resin particles 23 so as to aim at the exposed portion 36.

また、露出部36に導電部材24を充填する工程(S5)は、シード層20をメッキ槽41内のメッキ液43に浸漬させることでメッキにより行うので、シード層20を、メッキ用の電極として用いることでメッキにより導電部材24を露出部36に充填することができる。   Further, the step (S5) of filling the exposed portion 36 with the conductive member 24 is performed by plating by immersing the seed layer 20 in the plating solution 43 in the plating tank 41, so that the seed layer 20 is used as an electrode for plating. By using the conductive member 24, the exposed portion 36 can be filled by plating.

なお、第3の変形例のステップ5を、例えば導電部材24を含む液状材料を射出可能なインクジェット式の射出装置50を用いて、レジスト35の露出部36に射出するようにしてもよい。この場合には、露出部36に樹脂粒子23を配置する工程(S4)及び導電部材24をレジスト35の露出部36に充填する工程(S5)において、シード層20を用いる必要がないので、図4に示すステップ1、ステップ7が不要となり、製造時間を短縮することができると共に、AuやTiW等の金属材料を使用する必要がないので、低コスト化を図ることができる。   Note that step 5 of the third modification may be ejected onto the exposed portion 36 of the resist 35 using, for example, an ink jet ejection device 50 capable of ejecting a liquid material including the conductive member 24. In this case, it is not necessary to use the seed layer 20 in the step (S4) of placing the resin particles 23 on the exposed portion 36 and the step (S5) of filling the exposed portion 36 of the resist 35 with the conductive member 24. Steps 1 and 7 shown in FIG. 4 are not necessary, and the manufacturing time can be shortened, and it is not necessary to use a metal material such as Au or TiW, so that the cost can be reduced.

また、第3の変形例のステップ5を、例えば樹脂板60等をレジスト35の表面に略平行に移動させることで、導電部材24を含むペースト61を露出部36に充填(印刷)するようにしてもよい。この場合には、露出部36に樹脂粒子23を配置する工程(S4)及び導電部材24をレジスト35の露出部36に充填する工程(S5)において、シード層20を用いる必要がないので、図4に示すステップ1、ステップ7が不要となり、製造時間を短縮することができると共に、AuやTiW等の金属材料を使用する必要がないので、低コスト化を図ることができる。   Further, in step 5 of the third modification, the exposed portion 36 is filled (printed) with the paste 61 including the conductive member 24 by moving, for example, the resin plate 60 or the like substantially parallel to the surface of the resist 35. May be. In this case, it is not necessary to use the seed layer 20 in the step (S4) of placing the resin particles 23 on the exposed portion 36 and the step (S5) of filling the exposed portion 36 of the resist 35 with the conductive member 24. Steps 1 and 7 shown in FIG. 4 are not necessary, and the manufacturing time can be shortened, and it is not necessary to use a metal material such as Au or TiW, so that the cost can be reduced.

更に、上記実施形態及び変形例では、液晶装置が、入出力端子15、16のZ方向の直下にバンプ17を備えるドライバIC11等を備える例を示した。しかし、例えば図16に示すように、液晶装置が、入力端子15からY方向にずれた位置にバンプ70を備えたドライバICを備えるようにしてもよい。   Furthermore, in the said embodiment and modification, the liquid crystal device showed the example provided with driver IC11 etc. which provide the bump 17 directly under the input / output terminals 15 and 16 of the Z direction. However, for example, as shown in FIG. 16, the liquid crystal device may include a driver IC provided with bumps 70 at a position shifted from the input terminal 15 in the Y direction.

バンプ70は、弾性を有する樹脂粒子23と、樹脂粒子23を被覆するように設けられた導電部材72とを備えている。導電部材72は、シリコンチップ14からZ方向に突出するように設けられる突設部72aと、突設部72aと入力端子15とを接続する接続部72bとを備えている。突設部72aは配線25に接続されている。例えばバンプ70は、上記実施形態と同様に例えばフォトリソグラフィ技術を用いて形成するようにすればよい。接着剤45には、ACFではなく、例えばエポキシ樹脂等が用いればよい。   The bump 70 includes resin particles 23 having elasticity and conductive members 72 provided so as to cover the resin particles 23. The conductive member 72 includes a protruding portion 72 a provided so as to protrude from the silicon chip 14 in the Z direction, and a connecting portion 72 b that connects the protruding portion 72 a and the input terminal 15. The projecting portion 72 a is connected to the wiring 25. For example, the bump 70 may be formed by using, for example, a photolithography technique as in the above embodiment. For the adhesive 45, for example, epoxy resin or the like may be used instead of ACF.

これにより、例えば上記実施形態等と同様にフォトリソグラフィ技術を用いて、バンプ70を形成することができるので、製造が容易である。また、接着剤45中に導電粒子等を存在させずにバンプ70にのみ導電部材72を存在させることができるので、接着剤45中に含まれる導電粒子等によるバンプ70同士の短絡を防止でき、狭ピッチ化されたバンプ70の導電信頼性を向上させることができると共に、安価な接着剤45を用いて低コスト化を図ることができる。   Thereby, for example, the bump 70 can be formed by using the photolithography technique in the same manner as in the above-described embodiment and the like, so that the manufacture is easy. Further, since the conductive member 72 can be present only in the bump 70 without the presence of conductive particles or the like in the adhesive 45, a short circuit between the bumps 70 due to the conductive particles contained in the adhesive 45 can be prevented, The conductive reliability of the bumps 70 with a narrow pitch can be improved, and the cost can be reduced by using an inexpensive adhesive 45.

なお、本実施形態では、樹脂粒子23を入力端子15、出力端子16に対応する位置に設けるために、露出部36を形成したレジスト35を用いる例を示したが、これに限定されず、例えば、図8に示す露出部36を形成したレジスト35と同形状のマスク部材を用いるようにしてもよい。この場合には、例えば、シリコンチップ14の入力端子15、出力端子16と、マスク部材の開口部とが対応するようにマスク部材をセットした後、樹脂粒子23を、静電気の力によって筒状部材38からマスク部材の図示しない開口部に選択的に配置(散布)するようにすればよい(図9参照)。続いて、図10に示す電解メッキ装置40を用いて例えば金メッキ処理を施すことで、樹脂粒子23が配置されたマスク部材の開口部内を導電部材24により充填する。そして、マスク部材をシリコンチップ14側から剥離し、露出したシード層20を除去するなどしてバンプ17を形成するようにしてもよい。   In the present embodiment, an example in which the resist 35 in which the exposed portion 36 is formed is used to provide the resin particles 23 at positions corresponding to the input terminal 15 and the output terminal 16 is not limited thereto. A mask member having the same shape as the resist 35 in which the exposed portion 36 shown in FIG. 8 is formed may be used. In this case, for example, after setting the mask member so that the input terminal 15 and the output terminal 16 of the silicon chip 14 correspond to the opening of the mask member, the resin particles 23 are removed from the cylindrical member by electrostatic force. It is only necessary to selectively arrange (spread) from 38 to openings (not shown) of the mask member (see FIG. 9). Subsequently, the inside of the opening of the mask member in which the resin particles 23 are arranged is filled with the conductive member 24 by performing, for example, gold plating using the electrolytic plating apparatus 40 shown in FIG. Then, the bump 17 may be formed by peeling the mask member from the silicon chip 14 side and removing the exposed seed layer 20.

(第2の実施形態・電子機器)   Second Embodiment Electronic Device

次に、上述した液晶装置1を備えた本発明の第2の実施形態に係る電子機器について説明する。   Next, an electronic apparatus according to the second embodiment of the present invention including the above-described liquid crystal device 1 will be described.

図17は本発明の第2の実施形態に係る電子機器の表示制御系の全体構成の概略構成図である。   FIG. 17 is a schematic configuration diagram of the overall configuration of a display control system of an electronic apparatus according to the second embodiment of the present invention.

電子機器300は、表示制御系として例えば図17に示すように液晶パネル2及び表示制御回路390などを備え、その表示制御回路390は表示情報出力源391、表示情報処理回路392、電源回路393及びタイミングジェネレータ394などを有する。   The electronic device 300 includes, for example, a liquid crystal panel 2 and a display control circuit 390 as a display control system, as shown in FIG. 17, and the display control circuit 390 includes a display information output source 391, a display information processing circuit 392, a power supply circuit 393, and the like. A timing generator 394 and the like are included.

また、液晶パネル2には表示領域Iを駆動するYドライバIC11等を含む駆動回路361を有する。   Further, the liquid crystal panel 2 has a drive circuit 361 including a Y driver IC 11 for driving the display area I and the like.

表示情報出力源391は、ROM(Read Only Memory)やRAM(Random Access Memory)などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備えている。更に表示情報出力源391は、タイミングジェネレータ394によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路392に供給するように構成されている。   The display information output source 391 includes a memory such as a ROM (Read Only Memory) or a RAM (Random Access Memory), a storage unit such as a magnetic recording disk or an optical recording disk, and a tuning circuit that tunes and outputs a digital image signal. It has. Further, the display information output source 391 is configured to supply display information to the display information processing circuit 392 in the form of a predetermined format image signal or the like based on various clock signals generated by the timing generator 394.

また、表示情報処理回路392はシリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号CLKと共に駆動回路361へ供給する。また、電源回路393は、上述した各構成要素に夫々所定の電圧を供給する。   The display information processing circuit 392 includes various well-known circuits such as a serial-parallel conversion circuit, an amplification / inversion circuit, a rotation circuit, a gamma correction circuit, and a clamp circuit, and executes processing of input display information to display the image. Information is supplied to the drive circuit 361 together with the clock signal CLK. The power supply circuit 393 supplies a predetermined voltage to each component described above.

このように本実施形態によれば、製造が容易であり、狭ピッチ化されたバンプの導電信頼性に優れたYドライバIC11が実装された液晶装置1を備えているので、表示品位に優れた電子機器を得ることができる。   As described above, according to the present embodiment, the liquid crystal device 1 on which the Y driver IC 11 which is easy to manufacture and has excellent conductive reliability of the narrowed bumps is mounted is provided, so that the display quality is excellent. An electronic device can be obtained.

具体的な電子機器としては、携帯電話機やパーソナルコンピュータなどの他に液晶装置が搭載されたタッチパネル、プロジェクタ、液晶テレビやビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上述した例えば液晶装置1等が適用可能なのは言うまでもない。   Specific electronic devices include touch panels equipped with liquid crystal devices in addition to mobile phones and personal computers, projectors, liquid crystal televisions and viewfinder types, video tape recorders with direct view of monitors, car navigation systems, pagers, electronic notebooks, A calculator, a word processor, a workstation, a video phone, a POS terminal, etc. are mentioned. Needless to say, for example, the above-described liquid crystal device 1 or the like can be applied as a display unit of these various electronic devices.

なお、本発明のX,YドライバIC12、13、11、液晶パネル2及び電子機器は、上述した例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更を加え得ることは勿論である。   The X and Y driver ICs 12, 13, and 11, the liquid crystal panel 2, and the electronic device of the present invention are not limited to the above-described examples, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. Of course.

例えば、上述の実施形態ではTFT型の液晶装置1等について説明したがこれに限られるものではなく、例えばTFD(Thin Film Diode)型アクティブマトリックス型、パッシブマトリクス型の液晶装置であってもよい。また、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置(Field Emission Display及びSurface‐Conduction Electron‐Emitter Display等)などの各種電気光学装置に本発明を適用してもよい。   For example, in the above-described embodiment, the TFT type liquid crystal device 1 and the like have been described. However, the present invention is not limited to this. For example, a TFD (Thin Film Diode) type active matrix type or passive matrix type liquid crystal device may be used. Further, the present invention may be applied to various electro-optical devices such as a plasma display device, an electrophoretic display device, and a device using an electron-emitting device (Field Emission Display, Surface-Condition Electron-Emitter Display, etc.).

また、上記実施形態及び変形例では、半導体IC34の図示しないバンプは、可撓性基材31に設けられた出力配線32、入力配線33にACFを介して接続されている例を示した。しかし、例えば可撓性基材31の出力配線32、入力配線33に、ACFを介さずに、例えば導電粒子を含まない接着剤を用いて、ドライバIC11のバンプ17と同様な構造のバンプを備えた半導体ICを実装するようにてもよい。   Moreover, in the said embodiment and modification, the bump (not shown) of semiconductor IC34 showed the example connected to the output wiring 32 provided in the flexible base material 31, and the input wiring 33 via ACF. However, for example, the output wiring 32 and the input wiring 33 of the flexible substrate 31 are provided with bumps having the same structure as the bumps 17 of the driver IC 11 using, for example, an adhesive that does not include conductive particles without using the ACF. A semiconductor IC may be mounted.

本発明に係る第1の実施形態の液晶装置の概略斜視図である。1 is a schematic perspective view of a liquid crystal device according to a first embodiment of the present invention. 図1の液晶装置のA−A断面図である。It is AA sectional drawing of the liquid crystal device of FIG. 図1の液晶装置のドライバICの部分拡大平面図である。FIG. 2 is a partially enlarged plan view of a driver IC of the liquid crystal device of FIG. 1. 第1の実施形態の液晶装置の製造工程を示すフローチャートである。4 is a flowchart illustrating a manufacturing process of the liquid crystal device according to the first embodiment. シード層形成前のドライバICの断面図である。It is sectional drawing of the driver IC before seed layer formation. シード層が形成された状態のドライバIC(S1)の断面図である。It is sectional drawing of driver IC (S1) in the state in which the seed layer was formed. レジストが塗布された状態のドライバIC(S2)の断面図である。It is sectional drawing of driver IC (S2) in the state where the resist was apply | coated. レジストに露出部が形成された状態のドライバIC(S3)の断面図である。It is sectional drawing of driver IC (S3) in the state where the exposed part was formed in the resist. 露出部に樹脂粒子が配置された状態のドライバIC(S4)の断面図である。It is sectional drawing of driver IC (S4) of the state by which the resin particle is arrange | positioned at the exposed part. ドライバICの金メッキ工程(S5)の説明図である。It is explanatory drawing of the gold plating process (S5) of driver IC. 露出部に導電部材が充填された状態のドライバIC(S5)の断面図である。It is sectional drawing of driver IC (S5) in the state where the exposed part was filled with the electrically-conductive member. レジストが除去された状態のドライバIC(S6)の断面図である。It is sectional drawing of driver IC (S6) in the state where the resist was removed. シード層が除去された状態のドライバIC(S7)の断面図である。It is sectional drawing of driver IC (S7) in the state where the seed layer was removed. 第1の変形例の射出装置を用いたバンプの製造工程を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the manufacturing process of bump using the injection device of the 1st modification. スクリーン印刷によるバンプの製造工程を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the manufacturing process of the bump by screen printing. 入出力端子からずれたバンプを備えるドライバICの断面図である。It is sectional drawing of driver IC provided with the bump which shifted | deviated from the input-output terminal. 本発明に係る第3の実施形態の電子機器の表示制御系の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the display control system of the electronic device of 3rd Embodiment which concerns on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

T…薄膜トランジスタ素子、 a…間隔、 I…表示領域、 1…液晶装置、 2…液晶パネル、 3…回路基板、 4、5…基板、 4a…張り出し部、 5a…共通電極、 6…シール材、 7…ゲート電極、 8…ソース電極、 9…画素電極、 11、12、13、34…半導体装置、 14…シリコンチップ、 15…入力端子、 16…出力端子、 17、70…バンプ、 18…パッシベーション、 20…シード層、 21…TiW層、 22…Au層、 23…樹脂粒子、 24、72…導電部材、 24a…接続面、 25、26、27、28、29、30、37、44、55、56…配線、 31…可撓性基材、 32…出力配線、 33…入力配線、 35…レジスト、 36…露出部、 38…筒状部材、 40…電解メッキ装置、 41…メッキ槽、 42…メッキ用陽極、 43…メッキ液、 45…接着剤、50…射出装置、 51…吐出ヘッド、 52…供給ライン、 53…収容室、 54…射出室、 57…圧電部、 58…射出口、 60…樹脂板、 61…ペースト、 72a…突設部、72b…接続部、 300…電子機器、 361…駆動回路、 390…表示制御回路   T ... Thin film transistor element, a ... Space, I ... Display area, 1 ... Liquid crystal device, 2 ... Liquid crystal panel, 3 ... Circuit board, 4, 5 ... Substrate, 4a ... Overhang part, 5a ... Common electrode, 6 ... Sealing material, DESCRIPTION OF SYMBOLS 7 ... Gate electrode, 8 ... Source electrode, 9 ... Pixel electrode, 11, 12, 13, 34 ... Semiconductor device, 14 ... Silicon chip, 15 ... Input terminal, 16 ... Output terminal, 17, 70 ... Bump, 18 ... Passivation 20 ... Seed layer, 21 ... TiW layer, 22 ... Au layer, 23 ... Resin particles, 24, 72 ... Conductive member, 24a ... Connection surface, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 37, 44, 55 , 56 ... wiring, 31 ... flexible substrate, 32 ... output wiring, 33 ... input wiring, 35 ... resist, 36 ... exposed part, 38 ... cylindrical member, 40 ... electrolytic plating apparatus, 4 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Plating tank 42 ... Plating anode 43 ... Plating liquid 45 ... Adhesive 50 ... Injection device 51 ... Discharge head 52 ... Supply line 53 ... Storage chamber 54 ... Injection chamber 57 ... Piezoelectric part 58 ... Injection port, 60 ... Resin plate, 61 ... Paste, 72a ... Projection part, 72b ... Connection part, 300 ... Electronic device, 361 ... Drive circuit, 390 ... Display control circuit

Claims (12)

弾性粒子と前記弾性粒子を被覆するように設けられた導電部材とを有するバンプと、
前記導電部材に電気的に接続された配線と
を具備することを特徴とする電子部品。
A bump having elastic particles and a conductive member provided to cover the elastic particles;
An electronic component comprising: a wiring electrically connected to the conductive member.
前記バンプは、前記電子部品が実装されてなる被実装部材に接続される接続面を有し、前記接続面の少なくとも一部と前記配線とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の電子部品。   The bump has a connection surface connected to a mounted member on which the electronic component is mounted, and at least a part of the connection surface and the wiring are electrically connected. Item 2. The electronic component according to Item 1. 弾性粒子と前記弾性粒子を被覆するように設けられた導電部材とを有するバンプと、前記導電部材に電気的に接続された配線とを備えた電子部品と、
前記電子部品が実装された基板と
を備えたことを特徴とする実装構造体。
An electronic component comprising a bump having elastic particles and a conductive member provided so as to cover the elastic particles, and a wiring electrically connected to the conductive member;
A mounting structure comprising: a substrate on which the electronic component is mounted.
弾性粒子と前記弾性粒子を被覆するように設けられた導電部材とを有するバンプと、前記導電部材に電気的に接続された配線とを備えた電子部品と、
前記電子部品が実装された基板を有する電気光学パネルと
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
An electronic component comprising a bump having elastic particles and a conductive member provided so as to cover the elastic particles, and a wiring electrically connected to the conductive member;
An electro-optical device comprising: an electro-optical panel having a substrate on which the electronic component is mounted.
請求項4に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 4. 基材に設けられたバンプを有する電子部品の製造方法であって、
前記バンプを形成する工程は、
前記バンプを形成する領域に弾性粒子を配置する工程と、
前記弾性粒子に導電部材を被覆する工程と
を具備することを特徴とする電子部品の製造方法。
A method for producing an electronic component having a bump provided on a substrate,
The step of forming the bump includes
Arranging elastic particles in a region where the bump is formed;
And a step of coating the elastic particles with a conductive member.
基材に設けられたバンプを有する電子部品の製造方法であって、
前記バンプを形成する工程は、
前記基材にレジストを塗布する工程と、
前記基材に塗布されたレジストのうち前記バンプを形成する領域に塗布されたレジストを除去することで、前記レジストに前記基材の露出部を形成する工程と、
前記露出部に弾性粒子を配置する工程と、
前記弾性粒子が配置された露出部に導電部材を充填する工程と、
前記基材に塗布されたレジストを除去する工程と
を具備することを特徴とする電子部品の製造方法。
A method for producing an electronic component having a bump provided on a substrate,
The step of forming the bump includes
Applying a resist to the substrate;
Removing the resist applied to the region for forming the bumps of the resist applied to the base material, thereby forming an exposed portion of the base material on the resist; and
Disposing elastic particles in the exposed portion;
Filling the exposed portion where the elastic particles are disposed with a conductive member;
And a step of removing the resist applied to the base material.
前記基材にレジストを塗布する工程の前に、前記基材の前記バンプが形成される領域に導電部を形成する工程を更に備え、
前記露出部に弾性粒子を配置する工程は、前記導電部と前記弾性粒子とを逆の電荷に帯電させることで、前記弾性粒子を前記導電部に静電吸着させることを特徴とする請求項7に記載の電子部品の製造方法。
Before the step of applying a resist to the substrate, further comprising the step of forming a conductive portion in the region where the bump of the substrate is formed,
8. The step of disposing elastic particles in the exposed portion includes electrostatically adsorbing the elastic particles to the conductive portion by charging the conductive portion and the elastic particles to opposite charges. The manufacturing method of the electronic component of description.
前記露出部に弾性粒子を配置する工程は、前記弾性粒子を前記露出部に射出することを特徴とする請求項7に記載の電子部品の製造方法。   The method of manufacturing an electronic component according to claim 7, wherein the step of disposing the elastic particles in the exposed portion includes injecting the elastic particles to the exposed portion. 前記露出部に導電部材を充填する工程は、前記基材に設けられ前記導電部材に接続される導電部をメッキ槽内のメッキ液に浸漬させることでメッキにより行うことを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の電子部品の製造方法。   9. The step of filling the exposed portion with a conductive member is performed by plating by immersing a conductive portion provided on the base material and connected to the conductive member in a plating solution in a plating tank. Or the manufacturing method of the electronic component of Claim 9. 前記露出部に導電部材を充填する工程は、前記レジストに露出部を形成する工程で前記基材に除去されずに残ったレジストをマスクとして用いることで、前記導電部材を印刷することを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の電子部品の製造方法。   The step of filling the exposed portion with the conductive member is characterized in that the conductive member is printed by using the resist remaining without being removed on the base material in the step of forming the exposed portion in the resist as a mask. The manufacturing method of the electronic component of Claim 8 or Claim 9 to do. 前記露出部に導電部材を充填する工程は、前記導電部材を前記弾性粒子が配置された前記露出部に射出することを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の電子部品の製造方法。   10. The method of manufacturing an electronic component according to claim 8, wherein the step of filling the exposed portion with a conductive member injects the conductive member into the exposed portion where the elastic particles are arranged.
JP2005184443A 2005-06-24 2005-06-24 Electronic component, manufacturing method thereof, mounting structure, electro-optical device and electronic apparatus Withdrawn JP2007005587A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005184443A JP2007005587A (en) 2005-06-24 2005-06-24 Electronic component, manufacturing method thereof, mounting structure, electro-optical device and electronic apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005184443A JP2007005587A (en) 2005-06-24 2005-06-24 Electronic component, manufacturing method thereof, mounting structure, electro-optical device and electronic apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007005587A true JP2007005587A (en) 2007-01-11

Family

ID=37690894

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005184443A Withdrawn JP2007005587A (en) 2005-06-24 2005-06-24 Electronic component, manufacturing method thereof, mounting structure, electro-optical device and electronic apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007005587A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8258005B2 (en) 2010-02-16 2012-09-04 Renesas Electronics Corporation Method of making a semiconductor device having a conductive particle on an electric pad

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8258005B2 (en) 2010-02-16 2012-09-04 Renesas Electronics Corporation Method of making a semiconductor device having a conductive particle on an electric pad

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6542374B1 (en) Circuit board, method for manufacturing the circuit board, and display device and electronic equipment employing the circuit board
KR100516597B1 (en) Semiconductor device, semiconductor device mounting structure, liquid crystal device, and electronic apparatus
US20090153765A1 (en) Wiring substrate and display device including the same
JP3979405B2 (en) Electro-optical device, mounting structure, and electronic apparatus
JP2003273476A (en) Mounting structure and method of manufacturing the same, electro-optical device and electronic device
KR100747960B1 (en) Electronic component, electro-optical device, and electronic apparatus
JP3998014B2 (en) Semiconductor device, mounting structure, electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus
JP2007048801A (en) Mounting structural body, electro-optical device and electronic apparatus
US7180196B2 (en) Semiconductor device mounting method, semiconductor device mounting structure, electro-optical device, electro-optical device manufacturing method and electronic device
KR20040088347A (en) Electro-optical device, electronic instrument having the same, and manufacturing method of the same
JP2008277647A (en) Mounting structure and electronic equipment
JP2007258518A (en) Semiconductor device, electro-optic device, and electronic device
JP2007005587A (en) Electronic component, manufacturing method thereof, mounting structure, electro-optical device and electronic apparatus
JP3979231B2 (en) Semiconductor device, circuit board and connection structure
JP2003273486A (en) Packaging structure body and manufacturing method thereof, electro-optic device, and electronic equipment
JP4396563B2 (en) Manufacturing method of electro-optical device
JP2007329316A (en) Wiring substrate and mounting structure
JP4061758B2 (en) Display device, display device manufacturing method, and electronic apparatus
JPH09101533A (en) Liquid crystal display device
JP2008277646A (en) Substrate for electrooptical device, mounting structure, and electronic equipment
JP2007187777A (en) Electro-optical device, semiconductor device, method for manufacturing the electro-optical device, and electronic equipment
JP2006278388A (en) Packaging structure, electro-optical device, and electronic apparatus
JP2006227048A (en) Anisotropic conductive film, semiconductor mounting board, electrooptical apparatus, and electronic device
JP4779399B2 (en) Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, mounting structure, and electronic apparatus
JP2004087939A (en) Electro-optical device, electronic apparatus, and method of manufacturing electro-optical device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070302

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20070403

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090210

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100105

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20100303