JP2007088385A - 電子ビーム露光用マスク、電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】部分一括露光用マスクを用いて描画した隣接するパターンの周辺部に生ずる近接効果を、部分一括露光法によって精度良く補正するために必要な近接効果補正用のマスク、そのマスクを用いた近接効果の補正方法及び近接効果の補正を行う電子ビーム露光装置を提供すること。
【解決手段】開口部の大きさが配列順に所定の割合で周期的に変化するように配列された近接効果補正用の開口部を有する電子ビーム露光用マスクを用いて、部分一括露光用マスクを用いて描画した隣接するパターンの周辺部に重ねて露光することを特徴とする電子ビーム露光方法による。前記パターンの周辺部に重ねてする露光は、前記電子ビーム露光用マスクの一部を用いて行っても良い。
【選択図】図８

Description

本発明は、部分一括露光用マスクを用いた電子ビーム露光における近接効果の補正を行う電子ビーム露光用マスク、電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置に関する。

近年、半導体装置等の製造におけるリソグラフィ工程において、微細パターンを形成するために、電子ビーム露光装置が使用されるようになってきている。

電子ビーム露光装置では、入射電子がレジスト内で散乱する、いわゆる近接効果の影響により、レジスト上に転写されるパターンの線幅等が設計値と異なる現象が発生することが知られている。

例えば、図１（ａ）に示すようなライン＆スペースマスクパターン１を用いて露光、現像したとき、マスク上は同じ大きさのパターンであっても、図１（ｂ）に示すように周辺のパターン２はパターン形状が小さくなってしまう。これは、図１（ｃ）の蓄積エネルギー分布に示すように、内部のパターンと周辺のパターンとでは、入射電子の後方散乱によって受けるエネルギー量が異なるからである。図１（ｃ）は、入射電子の後方散乱に起因する蓄積エネルギー６に一次ビームのドーズが重畳された蓄積エネルギー３〜４を示している。このように規則的に繰り返すパターンで構成されている場合、描画領域の内部では、後方散乱による近接効果の影響は飽和して均一化しているが、周辺部は図１（ｃ）に示すように中央部から離れるほど蓄積エネルギーが低くなるような傾斜を持つ分布になる。

図１（ｃ）のような蓄積エネルギーが与えられたウエハを現像する場合、例えば閾値を５のラインとすると、閾値５と一次ビームによるエネルギー３〜４の交差する位置での線幅が現像される線幅となる。従って、図１（ｂ）に示すように、デバイス形成用パターンの内部と周辺部とで線幅が異なってしまうことになる。

このような近接効果を補正する方法が各種検討されている。例えば、特許文献１には、試料の同一フィールド領域上に、第１の露光パターンを補正する第２の露光パターンを重ねて露光する方法が開示されている。

また、特許文献２には、目的とするデバイス形成用パターンの周辺に補助露光パターンを重ねて露光することにより近接効果を補正する、いわゆるＧＨＯＳＴ露光方法を図形一括描画方式に応用した露光方法が開示されている。
特開平６−５３１２９号公報 特開平５−３３５２２１号公報

従来、蓄積エネルギーの低いデバイス形成用パターンの周辺部は、可変矩形露光法によりパターン毎に照射時間を変え、内部と周辺部における蓄積エネルギーがほぼ等しくなるようにパターンの描画を行っていた。

しかし、可変矩形露光法を使用するため、パターンの一つ一つについて露光することになり、部分一括露光法に比べ多大な時間が必要になる。

また、大パターンと小パターンとを隣接して露光する場合には、次のような不都合が生じる。

図２（ａ）は大パターン２１と小パターン２２とを隣接して露光する一例である。小パターン２２は、破線矩形で示された部分一括露光パターン２３を用いるものとする。この場合、図２（ｂ）に示すように、パターンが一様に露光されずに、太く露光されたり、細く露光される部分が発生する。すなわち、同じ線幅のラインパターンである部分一括露光パターンを用いて試料を露光しても、隣接する大パターン２１の影響を受け、内側（図２（ｂ）では上側）になるほど蓄積エネルギーが高く外側（図２（ｂ）では下側）になるほど低くなる。従って、部分一括露光パターンでは同じ線幅であったものが、図２（ｂ）に示すように、ライン２４の大パターン２１側が最も太く、ライン２５の小パターン２２側が最も細くなってしまう。

これに対し、例えば可変矩形露光法を使用して、パターンを補正することもできるが、多大な時間が必要となり、スループットの低下を招いてしまう。

なお、特許文献１に記載された方法は、近接効果補正を行うために重ね露光を行っているが、部分一括露光法ではないため多大な時間がかかってしまう。

また、特許文献２に記載された方法では、デバイス形成用パターンの外側に補助パターンを露光して近接効果を補正するため、そのための領域がないと補正できない。しかも、補助露光量はデバイス形成用パターンに応じて決定されるが、部分的に異なるパターンを内部のエネルギーと同等にすることは困難である。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、目的は、部分一括露光用マスクを用いて描画した隣接するパターンの周辺部に生ずる近接効果を、部分一括露光法によって精度良く補正するために必要な近接効果補正用のマスク、そのマスクを用いた近接効果の補正方法及び近接効果の補正を行う電子ビーム露光装置を提供することである。

上記した課題は、開口部の大きさが配列順に所定の割合で周期的に変化するように配列された近接効果補正用の開口部を有することを特徴とする電子ビーム露光用マスクにより解決する。ここで、前記変化の方向は、行方向又は列方向のいずれでも良いし、行方向又は列方向の変化をマスクの中央を中心として所定の角度だけ回転させた方向であってもよい。

また、上記した課題は、開口部の大きさが配列順に所定の割合で周期的に変化するように配列された近接効果補正用の開口部を有する電子ビーム露光用マスクを用いて、部分一括露光用マスクを用いて描画した隣接するパターンの周辺部に重ねて露光することを特徴とする電子ビーム露光方法により解決する。

上記形態にかかる電子ビーム露光方法において、前記パターンの周辺部に重ねてする露光は、電子ビームの焦点をぼかして露光したり、電子ビームをさらに平面方向にずらして露光しても良い。

また、上記形態にかかる電子ビーム露光方法において、前記パターンの周辺部に重ねてする露光は、前記電子ビーム露光用マスクの一部を用いて行うようにしても良い。

さらに、上記した課題は、電子ビームを生成する電子ビーム生成部と、開口部の大きさが配列順に所定の割合で周期的に変化するように配列された近接効果補正用の開口部を有する電子ビーム露光用マスクと、前記電子ビームを前記露光用マスク上で偏向するマスク偏向部と、前記露光用マスクを通過した前記電子ビームを偏向して基板上に投影する基板偏向部と、前記マスク偏向部と前記基板偏向部における偏向量を制御する制御部とを有することを特徴とする電子ビーム露光装置により解決する。

本発明では、部分一括露光用マスクを用いて描画した隣接するパターンの周辺部の所定の位置に、開口部の大きさが配列順に所定の割合で周期的に変化するように配列された開口部を有する近接効果補正用マスクを用いて重ねて露光している。また、重ねて露光する際に、近接効果補正用マスクの一部を選択できるようにしている。これにより、部分一括露光マスクによって描画されたパターンの周辺部の一部を所望の形状に補正することが可能となる。

また、近接効果補正用の露光をぼかして行うことにより、近接効果補正用に構成したパターンが解像されることなく、エネルギーレベルを平坦にすることができる。これにより、所望のパターンを精度良く露光することが可能となる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。

はじめに、本実施形態で使用する電子ビーム露光装置の構成について説明する。次に、近接効果補正用マスクについて、開口部の分布等について説明する。次に、近接効果補正用マスクを使用した近接効果補正方法について説明する。

（電子ビーム露光装置の構成）
図３は、本実施形態に係る電子ビーム露光装置の構成図である。

この電子ビーム露光装置は、電子光学系コラム１００と、電子光学系コラム１００の各部を制御する制御部２００とに大別される。このうち、電子光学系コラム１００は、電子ビーム生成部１３０、マスク偏向部１４０及び基板偏向部１５０によって構成され、その内部が減圧される。

電子ビーム生成部１３０では、電子銃１０１から生成した電子ビームＥＢが第１電磁レンズ１０２で収束作用を受けた後、ビーム整形用マスク１０３の矩形アパーチャ１０３ａを透過し、電子ビームＥＢの断面が矩形に整形される。

その後、電子ビームＥＢは、マスク偏向部１４０の第２電磁レンズ１０５によって露光マスク１１０上に結像される。そして、電子ビームＥＢは、第１、第２静電偏向器１０４、１０６により、露光マスク１１０に形成された特定のパターンＳに偏向され、その断面形状がパターンＳの形状に整形される。

なお、露光マスク１１０はマスクステージ１２３に固定されるが、そのマスクステージ１２３は水平面内において移動可能であって、第１、第２静電偏向器１０４、１０６の偏向範囲（ビーム偏向領域）を超える部分にあるパターンＳを使用する場合、マスクステージ１２３を移動することにより、そのパターンＳをビーム偏向領域内に移動させる。

露光マスク１１０の上下に配された第３、第４電磁レンズ１０８、１１１は、それらの電流量を調節することにより、電子ビームＥＢを基板Ｗ上で結像させる役割を担う。

露光マスク１１０を通った電子ビームＥＢは、第３、第４静電偏向器１１２、１１３の偏向作用によって光軸Ｃに振り戻された後、第５電磁レンズ１１４によってそのサイズが縮小される。

マスク偏向部１４０には、第１、第２補正コイル１０７、１０９が設けられており、それらにより、第１〜第４静電偏向器１０４、１０６、１１２、１１３で発生するビーム偏向収差が補正される。

その後、電子ビームＥＢは、基板偏向部１５０を構成する遮蔽板１１５のアパーチャ１１５ａを通過し、第１、第２投影用電磁レンズ１１６、１２１によって基板Ｗ上に投影される。これにより、露光マスク１１０のパターンの像が、所定の縮小率、例えば１／６０の縮小率で基板Ｗに転写されることになる。

基板偏向部１５０には、第５静電偏向器１１９と電磁偏向器１２０とが設けられており、これらの偏向器１１９、１２０によって電子ビームＥＢが偏向され、基板Ｗの所定の位置に露光マスクのパターンの像が投影される。

更に、基板偏向部１５０には、基板Ｗ上における電子ビームＥＢの偏向収差を補正するための第３、第４補正コイル１１７、１１８が設けられる。

基板Ｗは、モータ等の駆動部１２５により水平方向に移動可能なウェハステージ１２４に固定されており、ウェハステージ１２４を移動させることで、基板Ｗの全面に露光を行うことが可能となる。

一方、制御部２００は、電子銃制御部２０２、電子光学系制御部２０３、マスク偏向制御部２０４、マスクステージ制御部２０５、ブランキング制御部２０６、基板偏向制御部２０７及びウェハステージ制御部２０８を有する。これらのうち、電子銃制御部２０２は電子銃１０１を制御して、電子ビームＥＢの加速電圧やビーム放射条件等を制御する。また、電子光学系制御部２０３は、電磁レンズ１０２、１０５、１０８、１１１、１１４、１１６及び１２１への電流量等を制御して、これらの電磁レンズが構成される電子光学系の倍率や焦点位置等を調節する。ブランキング制御部２０６は、ブランキング電極１２７への印加電圧を制御することにより、露光開始前から発生している電子ビームＥＢを遮蔽板１１５上に偏向し、露光前に基板Ｗ上に電子ビームＥＢが照射されるのを防ぐ。

基板偏向制御部２０７は、第５静電偏向器１１９への印加電圧と、電磁偏向器１２０への電流量を制御することにより、基板Ｗの所定の位置上に電子ビームＥＢが偏向されるようにする。ウェハステージ制御部２０８は、駆動部１２５の駆動量を調節して基板Ｗを水平方向に移動させ、基板Ｗの所望の位置に電子ビームＥＢが照射されるようにする。上記の各部２０２〜２０８は、ワークステーション等の統合制御系２０１によって統合的に制御される。

（近接効果補正用マスク）
図４（ａ）は、上記した露光マスク１１０の平面図である。露光マスク１１０はシリコン材からなり、複数個の矩形状の区画７がマトリクス状に配列されている。矩形状の区画７の夫々は、図４（ｂ）に示すように、例えば一辺が３００μｍ程度の矩形状の小区画８がマトリクス状に配置され、小区画８内に複数種類のパターンの開口が設けられる。この小区画８をＣＰ（セルプロジェクション）と呼ぶ。また、ＣＰに設けられたパターン開口を部分一括形状と呼ぶ。

部分一括形状を用いてパターンを形成していくと、形成された各パターンの周辺は、隣接するパターンによる近接効果により所望のパターンとは異なるパターンが形成される。そのため、周辺部に形成されたパターンの線幅を予め用意された部分一括形状よりも太くする必要がある。

また、近年、光露光用のマスクを使用して光露光をした場合、所望のパターンが形成されない現象が発生している。特に、露光する線幅が微細になると、光の近接効果の影響が大きくなる。この場合の光の近接効果を計算で求めると、マスクのパターン形状が周期的に細くなっている。このため、光露光用のマスクの一部だけの線幅を周期的に太くするような強度変化を付与することが必要である。

このために、本実施形態では、隣接するパターンから受ける近接効果を補正するための様々なパターンを用意する。さらに、光露光用のマスクとして使用するために必要となる周期的なパターンに補正するためのパターンを用意する。

図５（ａ）は、本実施形態で使用する近接効果補正用マスクのパターンの構成の一例を示す図である。ここでは、エネルギー分布に周期性を持たせるように補正するパターンを示している。

図５（ａ）に示すように、本実施形態の近接効果補正用マスクは、大きさが周期的に変化する開口群５１ａ〜５１ｉが形成されている。また、開口の中心が格子状になるように配列され、同列には同じ大きさの開口が並んでいる。

図５（ａ）は、Ｘ方向（列方向）に開口が周期的に変化するパターンであり、図５（ｂ）は、Ｙ方向（行方向）に開口が周期的に変化するパターンを示している。

また、描画されるパターンが周囲のパターンからの、どのような方向からの近接効果の影響にも対処できるように、上記した基本的な近接効果補正用パターンを回転させたパターンも用意しておく。例えば、図６は、パターン６１を基本パターンとして、４５°毎に回転させた近接効果補正用パターン（６２〜６８）を示している。なお、この角度は４５°に限定されるものではなく、例えば、１０°毎にして３６個のパターンを用意してもよい。

このような、近接効果補正用のマスクとしては、例えば、マスク倍率（試料上に形成されるパターンに対するマスクに形成するパターンの大きさ）を１０倍とし、微細開口は、厚さが２μｍのシリコンマスクに１辺の長さが５００ｎｍから２００ｎｍの矩形とする。この微細開口は、図５及び図６に示したように密度を変えて形成する。

図５及び図６に示したパターンは、波動関数等の周期性を持つ関数のパターンを形成するためのマスクである。近接効果を効率的に補正するために、この他にも様々なパターンを用意しておく。例えば、凹面関数、凸面関数、２次元的なフーリエ関数の開口分布を用意しておく。

また、周期的な関数だけでなく、蓄積エネルギーとして、周期的な変化に加えて強度分布に傾斜がある場合も考えられる。予め、例えば４５°毎に回転させた増減のパターンを形成しておいてもよいが、ここでは、単調増加（減少）する関数に対応したパターンと組み合わせて周期的かつ強度分布に傾斜があるようなパターンを形成するものとする。

図７は単調に増加する関数に対応したパターンである。このパターンとして、図７（ａ）から（ｄ）に示すように４種のパターンを用意している。図７（ａ）に示すパターンは、大きさの異なる開口群７１ａ〜７１ｆが形成され、Ｘ方向（列方向）に一次関数的に開口の大きさが小さくなっていく構成をしている。図７（ｂ）から図７（ｄ）は、Ｙ方向（行方向）に開口が小さくなるパターン（７２ａ〜７２ｆ）、Ｘ方向（列方向）に開口が大きくなるパターン（７３ａ〜７３ｆ）、Ｙ方向（行方向）に開口が大きくなるパターン（７４ａ〜７４ｆ）である。

これらのパターンを用いることにより、露光強度分布を変えることが出来る。

上述した周期性がありかつ強度分布に傾斜がある場合には、図５に示す周期関数に対応するパターンと、図７に示す強度分布を変えるパターンとを組み合わせて露光に使用する。まず、周期性に対応するために図５及び図６のいずれかのマスクを使用してパターンの周辺部の所定の場所に近接効果補正のための露光をする。次に、図７に示す強度分布を変えるマスクを使用して、先に露光した場所に重ねて露光する。これにより、周期性がありかつ強度分布に傾斜がある場合に対応することができる。

図７に示すパターンは、Ｘ方向及びＹ方向に増減するパターンであるが、これらを組み合わせて露光することにより、４５°毎に回転させた方向に増減させることも可能である。すなわち、図７（ａ）に示すような、図の右方向に大きな開口７１ａから小さな開口７１ｆに変化するマスクと、図７（ｄ）に示すような、図の下方向に大きな開口７４ｆから小さな開口７４ａに変化するマスクを用い、露光量を同量にして重ねて露光することにより図の右斜め下４５°の方向にエネルギーを減少させることが可能である。

また、図７（ａ）〜（ｄ）に示したマスクを組み合わせて使用し、それぞれの露光量を調節することにより、任意の方向にエネルギーを増減させることが可能である。

なお、周期的な変化に加えて強度分布に傾斜がある場合に、周期的かつ強度分布に傾斜があるような開口部を形成してもよい。

また、近接効果補正用マスクを構成する開口群の形状を本実施形態では矩形として説明したが、これに限るものではなく、例えば円形であってもよい。

（近接効果補正方法）
次に、上記した近接効果補正用マスクを用いて、近接効果を補正する方法について説明する。

図８は近接効果補正用マスクを用いて、近接効果の補正処理を行う一例を示すフローチャートである。

まず、ステップＳ１１において、光近接効果に対する補正処理をマスクの中央部に施した部分一括露光用マスクを用意する。このマスクの中央部とは、部分一括露光によって周囲のパターンを露光したときに、その影響を受けない範囲である。すなわち、試料に所望の形状が描画されるように変形した形状となる。なお、光露光用マスクの形成を目的としない場合には、本処理は必要ない。

次に、ステップＳ１２において、部分一括露光用マスクを使用して露光した隣接するパターンの周辺部に表れる近接効果を補正する近接効果補正用マスクを選択する。使用する部分一括露光用マスクによって予め計算によりどのような近接効果が現れるかを求め、それに対応する近接効果補正用マスクを選択する。また、光露光用のマスクを形成する場合には、光近接効果の影響も予め求め、隣接するパターンによる近接効果と合わせて、対応するマスクを選択する。また、このとき、近接効果補正用マスクの全体のパターンを使用せずに、マスクパターンの一部を選択するようにしてもよい。

次に、ステップＳ１３において、部分一括露光用マスクを用いて、露光処理をする。この露光の際には、露光強度を弱くして露光する。後で、近接効果補正用マスクを用いて重ねて露光するため、部分一括露光用マスクを用いた露光と近接効果補正用マスクを用いた露光とを合計した蓄積エネルギーが描画領域で均一になるようにするためである。

次に、ステップＳ１４において、部分一括露光用マスクを使用して露光した隣接するパターン周辺部の所定の部分を、近接効果補正用マスクを使用して重ねて露光する。近接効果補正用マスクを使用して重ねて露光する場合には、マスクパターンが解像されないようにぼかして露光するようにする。これは、近接効果補正用マスクを使用して露光した結果、パターンの周辺部の蓄積エネルギーを平坦にするためである。パターンをぼかす方法としては、例えばレンズの焦点をずらして露光するようにする。また、電子ビームを照射する位置をずらして露光するようにしてもよい。

なお、上記の重ね露光は、サブフィールドの露光が終了するたびに行っても良いし、フレームごとに行ってもよい。例えば、フレーム露光で部分一括露光を行い、リターンの際に近接効果補正のための重ね露光をするようにしても良い。

以上説明したように、部分一括露光マスクによって描画される隣接するパターンの周辺部の所定の位置に、近接効果補正用マスクを用いて重ねて露光することにより、描画パターンの一部の線幅等を補正することが可能となる。

また、近接効果補正用マスクを用いることにより、周期的に露光強度を変化させたり、周期的かつ漸次減少するように露光強度を変化させることができるため、近接効果の補正を効率的かつ柔軟に行うことが可能となる。

図１（ａ）〜（ｃ）は、電子ビーム露光による近接効果を説明するための図（その１）である。 電子ビーム露光による近接効果を説明するための図（その２）である。 本発明の実施形態で使用される電子ビーム露光装置の構成図である。 図４（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施形態で使用される近接効果補正用マスクを説明するための図（その１）である。 図５（ａ）、（ｂ）は、周期性を有する近接効果補正用マスクの一例を示す図である。 周期性を有する近接効果補正用マスクの一例を示す図である。 一次関数的なパターンを形成するための近接効果補正用マスクの一例である。 本実施形態の電子ビーム露光方法の一例を示すフローチャートである。

符号の説明

１…ライン＆スペースマスクパターン、２…露光後パターン、３、４…一次ビームによるエネルギー、５…閾値、６…蓄積エネルギー、８、２３…ＣＰ（セルプロジェクション）、２１…大パターン、２２…小パターン、２４、２５…ライン、５１、５２、７１、７２、７３、７４…開口、６１、６２、６３、６４、６５、６６、６７、６８…近接効果補正用マスク、１００…電子光学系コラム、１０１…電子銃、１０２…第１電磁レンズ、１０３…ビーム整形用マスク、１０３ａ…矩形アパーチャ、１０４…第１静電偏向器、１０５…第２電磁レンズ、１０６…第２静電偏向器、１０７…第１補正コイル、１０８…第３電磁レンズ、１０９…第２補正コイル、１１０…露光用マスク、１１１…第４電磁レンズ、１１２…第３静電偏向器、１１３…第４静電偏向器、１１４…第５電磁レンズ、１１５…遮蔽板、１１５ａ…アパーチャ、１１６…第１投影用電磁レンズ、１１７…第３補正コイル、１１８…第４補正コイル、１１９…第５静電偏向器、１２０…電磁偏向器、１２１…第２投影用電磁レンズ、１２３…マスクステージ、１２４…ウェハステージ、１２５…駆動部、１２７…ブランキング電極。

Claims (17)

1. 開口部の大きさが配列順に所定の割合で周期的に変化するように配列された近接効果補正用の開口部を有することを特徴とする電子ビーム露光用マスク。
2. 前記変化の方向は、行方向又は列方向のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光用マスク。
3. 前記変化の方向は、前記マスクの中央を中心として所定の角度だけ回転させた方向であることを特徴とする請求項２に記載の電子ビーム露光用マスク。
4. 前記開口部の形状は矩形又は円形であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の電子ビーム露光用マスク。
5. 開口部の大きさが配列順に所定の割合で周期的に変化するように配列された近接効果補正用の開口部を有する電子ビーム露光用マスクを用いて、部分一括露光用マスクを用いて描画した隣接するパターンの周辺部の所定の位置に重ねて露光することを特徴とする電子ビーム露光方法。
6. 前記パターンの周辺部に重ねてする露光は、前記電子ビーム露光用マスクの一部を用いてすることを特徴とする請求項５に記載の電子ビーム露光方法。
7. 更に、開口部の大きさが配列順に一次関数的に変化するように配列された開口部を有する電子ビーム露光用マスクを用いて、前記パターンの周辺部の所定の位置に重ねて露光することを特徴とする請求項５または６に記載の電子ビーム露光方法。
8. 前記変化の方向は、行方向又は列方向のいずれかであることを特徴とする請求項５から７のいずれか一項に記載の電子ビーム露光方法。
9. 前記変化の方向は、前記マスクの中央を中心として所定の角度だけ回転させた方向であることを特徴とする請求項８に記載の電子ビーム露光方法。
10. 前記変化の割合は露光量を変えることにより行うものであることを特徴とする請求項５から７のいずれか一項に記載の電子ビーム露光方法。
11. 前記開口部の形状は矩形又は円形であることを特徴とする請求項５から１０のいずれか一項に記載の電子ビーム露光方法。
12. 前記パターンの周辺部に重ねてする露光は、電子ビームの焦点をぼかして露光することを特徴とする請求項５から７のいずれか一項に記載の電子ビーム露光方法。
13. 前記パターンの周辺部に重ねてする露光は、電子ビームをさらに平面方向にずらして露光することを特徴とする請求項５から７のいずれか一項に記載の電子ビーム露光方法。
14. 電子ビームを生成する電子ビーム生成部と、
    開口部の大きさが配列順に所定の割合で周期的に変化するように配列された近接効果補正用の開口部を有する電子ビーム露光用マスクと、
    前記電子ビームを前記露光用マスク上で偏向するマスク偏向部と、
    前記露光用マスクを通過した前記電子ビームを偏向して基板上に投影する基板偏向部と、
    前記マスク偏向部と前記基板偏向部における偏向量を制御する制御部と
    を有することを特徴とする電子ビーム露光装置。
15. 前記変化の方向は、行方向又は列方向のいずれかであることを特徴とする請求項１４に記載の電子ビーム露光装置。
16. 前記変化の方向は、前記マスクの中央を中心として所定の角度だけ回転させた方向であることを特徴とする請求項１５に記載の電子ビーム露光装置。
17. 前記開口部の形状は矩形又は円形であることを特徴とする請求項１４から１６のいずれか一項に記載の電子ビーム露光装置。

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