JP2007086898A - Memory controller, program, method, memory and rfid tag - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、リセッタブルなメモリを使用するための技術、特に、ビット状態とデータとの対応づけの技術に関する。 The present invention relates to a technique for using a resettable memory, and more particularly to a technique for associating bit states with data.
メモリのリセッタブル領域(Re−Settable Area)は、各ビットにおいて、1を0とすることは通常のwrite(書き込み)コマンドでできるが、0を1にすることは特別な手順を踏まないとできない領域である。この領域にデータを書き込んだときには、1を0に変更されて、データを改竄されてしまうおそれがある。例えば、二進法表現で書き込んだ9[1001](ここで[と]で囲んだ0と1の数値は、ビット状態を表すものとする)は、0[0000]はもちろん、1[0001]や8[1000]へと容易に書き換えられてしまう。したがって、従来においては、どこかのビットのみに1を立てるという表現方法が用いられてきた。 The memory resettable area (Re-Settable Area) is an area where 1 can be set to 0 in each bit by a normal write command, but 0 cannot be set to 1 unless special steps are taken. It is. When data is written in this area, 1 may be changed to 0 and the data may be falsified. For example, 9 [1001] written in binary notation (the values of 0 and 1 enclosed in [and] here indicate the bit state), as well as 0 [0000], 1 [0001] and 8 It is easily rewritten to [1000]. Therefore, conventionally, an expression method has been used in which 1 is set only for some bit.
この表現方法を、図5と図6を用いて説明する。図5は、5ビットの記憶領域を使用する場合の記憶状態を示す図である。5ビットの場合には、いずれかのビットにのみ1を立てるとすると、図5(a)に示した[00001]から図5(e)に示した[10000]までの5種類の状態をとりうる。これらの記憶状態を操作して1を0に変更した場合には、いずれも[00000]の記憶状態になるだけであり、図5(a)から図5(e)までのどの記憶状態とも一致しない。つまり、この表現方法の下では、5ビットの記憶領域を用いた場合の改竄不可能な記憶状態は5種類となる。 This expression method will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a diagram showing a storage state when a 5-bit storage area is used. In the case of 5 bits, if 1 is set in only one of the bits, five states from [00001] shown in FIG. 5 (a) to [10000] shown in FIG. 5 (e) are taken. sell. When these storage states are manipulated and 1 is changed to 0, all of them only become [00000] storage states, which coincides with any storage state from FIG. 5 (a) to FIG. 5 (e). do not do. That is, under this representation method, there are five types of storage states that cannot be tampered with when a 5-bit storage area is used.
同様にして、図6に示した8ビットの例では、図6(a)に示した[00000001]から図8(d)に示した[10000000]までの8種類のデータが表現可能となる。例えば、データを自然数と対応づけたならば、1から8までの数が表現できることになる。 Similarly, in the 8-bit example shown in FIG. 6, eight types of data from [00000001] shown in FIG. 6 (a) to [10000000] shown in FIG. 8 (d) can be expressed. For example, if data is associated with a natural number, a number from 1 to 8 can be expressed.
上述した表現方法を用いた場合には、リセッタブル領域に対して、ビット長と同じ数のデータしか記憶させることができない。したがって、記憶領域に記憶できるデータの数は著しく制限されることになる。 When the above-described expression method is used, only the same number of data as the bit length can be stored in the resettable area. Therefore, the number of data that can be stored in the storage area is significantly limited.
本発明の目的は、リセッタブルなメモリに改竄を防止しつつ記憶させうるデータ数を増加させることにある。 An object of the present invention is to increase the number of data that can be stored in a resettable memory while preventing falsification.
本発明の別の目的は、リセッタブルなメモリにおける新たなデータ表現方式を確立することにある。 Another object of the present invention is to establish a new data representation method in a resettable memory.
本発明のメモリ制御装置は、複数ビットの記憶容量をもちビット値を1から0にする操作に比べて0から1にする操作が困難であるリセッタブルなメモリに、ビット長m1,m2,...,mn,...,mNのN個の記憶単位を設定する単位設定手段と、各記憶単位においていずれか一つのビットに1、残るビットに0を割り当ててなる記憶状態を、N個の記憶単位について組み合わせてなる一個または複数個の記憶状態列に対し、それぞれ一つまたは複数のデータを対応付ける対応付け手段と、対応付け手段による対応付けに基づいて、各記憶単位の記憶状態をあるデータに対応する状態に変更させ、これによりメモリにデータを書き込ませる書込手段、または、各記憶単位の記憶状態を読み取らせて、対応付け手段による対応付けに基づいて対応するデータを求め、これによりメモリからデータを読み込む読込手段と、を備える。ただし、Nは2以上の自然数、nはN以下の自然数、m1,m2,...,mn,...,mNは自然数、m1+m2+...+mn+...+mNは5以上の自然数であるものとする。 The memory control device of the present invention has a bit length m 1 , m 2 , a resettable memory that has a storage capacity of a plurality of bits and is difficult to operate from 0 to 1 compared to an operation to change a bit value from 1 to 0. . . . , M n,. . . , M N unit setting means for setting N storage units and a storage state in which 1 is assigned to any one bit and 0 is assigned to the remaining bits in each storage unit in combination with N storage units. Corresponding means for associating one or a plurality of data with one or a plurality of storage state strings, and changing the storage state of each storage unit to a state corresponding to certain data based on the association by the associating means Reading means for writing data to the memory, or reading the storage state of each storage unit, obtaining the corresponding data based on the association by the association means, and thereby reading the data from the memory Means. However, N is a natural number of 2 or more, n is a natural number of N or less, m 1 , m 2 ,. . . , M n,. . . , M N is a natural number, m 1 + m 2 +. . . + M n +. . . + M N is a natural number of 5 or more.
リセッタブルなメモリとは、各ビットにおいて、1を0とする操作に比べて、0から1にする操作が困難であるメモリをいう。ここで、1と0はビットのとりうる二つの状態を表現しており、その値自体には格別の意味はない。リセッタブルなメモリの構造は特に限定されるものではなく、例えば、物理的あるいは化学的不可逆現象(コードの切断や素子の破壊など)を利用して作ることもできるし、通常の半導体メモリと暗号技術を組み合わせて、0から1への操作を困難にさせることでも作成可能である。また、リセッタブルなメモリは、例えば、チップ上に単独で形成されていてもよいし、チップ上に一般の半導体メモリ(ROMやRAMなど)とともに形成されていてもよい。 A resettable memory is a memory in which an operation to change from 0 to 1 is more difficult than an operation to set 1 to 0 in each bit. Here, 1 and 0 represent two possible states of the bit, and the value itself has no special meaning. The structure of the resettable memory is not particularly limited. For example, the resettable memory can be created using physical or chemical irreversible phenomena (code cutting, element destruction, etc.), or ordinary semiconductor memory and cryptographic technology. Can also be created by making the operation from 0 to 1 difficult. The resettable memory may be formed alone on the chip, for example, or may be formed on the chip together with a general semiconductor memory (ROM, RAM, etc.).
メモリ制御装置は、このリセッタブルなメモリを制御する装置であり、演算機能を備えたハードウエアとそれを動作を制御するソフトウエア(プログラム)で構成しうる。ソフトウエアの機能の一部または全部をハードウエア化することも可能である。メモリ制御装置は、単位設定手段、対応付け手段、及び、書込手段または読込手段の一方または両方を備える。単位設定手段は、メモリ上に、重複を許さずにビット長m1,m2,...,mn,...,mNのN個の記憶単位を設定する。例えば、メモリが1ビット記憶素子の集合からなる場合、ビット長mnの記憶単位は、mn個の記憶素子によって構成される。各記憶単位は物理的に連続していなくてもよく、また、記憶単位内の各記憶素子も物理的に連続していなくてよい。 The memory control device is a device that controls the resettable memory, and can be constituted by hardware having an arithmetic function and software (program) for controlling the operation thereof. It is also possible to implement a part or all of the software functions as hardware. The memory control device includes unit setting means, association means, and one or both of writing means and reading means. The unit setting means stores bit lengths m 1 , m 2 ,. . . , M n,. . . , M N N storage units are set. For example, when the memory is composed of a set of 1-bit storage elements, the storage unit of the bit length mn is composed of mn storage elements. Each storage unit may not be physically continuous, and each storage element in the storage unit may not be physically continuous.
対応付け手段は、N個の記憶単位によりつくられる記憶状態列のうちの一個または複数個を、一つまたは複数のデータと対応付ける。ここで、記憶状態列とは、N個の記憶単位の記憶状態を組み合わせた全体のビット状態を指し、記憶状態とは、各記憶単位におけるビット状態を指す。そして、この記憶状態は、改竄防止のため、各記憶単位においていずれか一つのビットに1を残るビットに0を割り当ててなる状態に限定されている。また、記憶状態とデータとの対応づけとは、装置内部で識別されるある符号としてのデータ(通常は2進法表現されている)と、メモリの記憶状態列とを、一方向あるいは双方向に結びつけることをいう。対応づけは、ソフトウエア的に行われても、ハードウエア的に行われてもよい。対応付け手段においては、典型的には、一つの記憶状態列に一つのデータを対応づける。しかし、例えば、記憶状態列と他の記憶状態(例えばROMやRAMの状態など)の組み合わせをデータと対応づけることも可能であり、この場合には、一つの記憶状態列が複数のデータと対応づけられる。 The associating means associates one or a plurality of storage status sequences created by N storage units with one or a plurality of data. Here, the storage state sequence indicates the entire bit state obtained by combining the storage states of N storage units, and the storage state indicates the bit state in each storage unit. In order to prevent falsification, this storage state is limited to a state where 1 is assigned to any one bit in each storage unit and 0 is assigned to the remaining bits. Also, the correspondence between the storage state and the data means that the data (usually expressed in binary) as a certain code identified inside the apparatus and the storage state sequence of the memory are unidirectional or bidirectional. It means tying to. The association may be performed in software or hardware. In the association means, typically, one piece of data is associated with one storage state sequence. However, for example, a combination of a storage state sequence and another storage state (for example, ROM or RAM state) can be associated with data. In this case, one storage state sequence corresponds to a plurality of data. It is attached.
書込手段または読込手段は、直接メモリにアクセスして書込または読込を行う手段に指令を行うものである。直接メモリにアクセスして書込または読込を行う手段は、このメモリ制御装置に内蔵されていても、外部に設けられていてもよい。 The writing means or the reading means gives a command to the means for directly accessing the memory and writing or reading. The means for directly accessing the memory for writing or reading may be built in the memory control device or provided externally.
この構成によれば、1を立てるビットを一つのみとする表現方式よりも多数のデータをメモリに記憶させることが可能となる。しかも、1を0に変更する改竄がなされても、それを発見することが可能であり、セキュリティの低下を回避することができる。 According to this configuration, it is possible to store a larger number of data in the memory than in an expression method in which only one bit for setting 1 is set. In addition, even if tampering is performed to change 1 to 0, it can be found, and a reduction in security can be avoided.
本発明のメモリ制御装置の一態様においては、前記対応付け手段は、ビット長がmnであるn番目の記憶単位においてとりうるmn個の記憶状態を、N個の記憶単位について組み合わせて得られるm1×m2×...×mn×...×mN個の記憶状態列に対し、それぞれ一つのデータを対応づける。ビット長がmnであるn番目の記憶単位においては、1を割り当てるビットの違いによりmn個の記憶状態をとることができる。そして、これをN個の記憶単位について一義的に組み合わせることで、m1×m2×...×mn×...×mN個の記憶状態列が設定される。 In one aspect of the memory control device of the present invention, the associating means obtains mn storage states that can be taken in the nth storage unit having a bit length of mn by combining the N storage units. M 1 × m 2 ×. . . × mn ×. . . Xm One piece of data is associated with each of N storage state columns. In n-th memory unit bit length is m n, it can take m n number of storage state by the bit difference assign a. And by uniquely combining this with respect to N storage units, m 1 × m 2 ×. . . × mn ×. . . Xm N storage state columns are set.
この構成によれば、ビット長がm1+m2+...+mn+...+mNである記憶領域を用いて、m1×m2×...×mn×...×mN個のデータを記憶することができる。この記憶量は、通常のメモリにおける記憶量2の(m1+m2+...+mn+...+mN)乗には及ばないが、従来のリセッタブルなメモリにおける記憶量m1+m2+...+mn+...+mNに比べて大きなものとなる。
According to this configuration, the bit length is m 1 + m 2 +. . . + M n +. . . + M N , m 1 × m 2 ×. . . × mn ×. . . × m N data can be stored. This storage amount is less than the (m 1 + m 2 +... + M n +... + M N ) power of the
本発明のメモリ制御装置の一態様においては、ビット長m1,m2,...,mn,...,mNは、全て2以上である。これは、改竄防止のためには、ビット長が1の記憶単位における記憶状態は0であっても1であっても同じ値であると推定する必要があるとの理由による。 In one aspect of the memory control device of the present invention, the bit lengths m 1 , m 2 ,. . . , M n,. . . , M N are all 2 or more. This is because, in order to prevent tampering, it is necessary to estimate that the storage state in a storage unit having a bit length of 1 is the same value regardless of whether it is 0 or 1.
本発明のメモリ制御装置の一態様においては、ビット長m1,m2,...,mn,...,mNは、全て4以下である。ビット長が5以上の記憶単位を設定するよりも、これを分割して4以下の複数の記憶単位を設定した方が、記憶量を増加させることができる。 In one aspect of the memory control device of the present invention, the bit lengths m 1 , m 2 ,. . . , M n,. . . , M N are all 4 or less. Rather than setting a storage unit with a bit length of 5 or more, it is possible to increase the storage amount by dividing this and setting a plurality of storage units of 4 or less.
本発明のメモリ制御装置の一態様においては、ビット長m1,m2,...,mn,...,mNのうち、4は無しかつ2は一つ若しくは二つ、または、2は無しかつ4は無し若しくは一つである。ビット長4の記憶単位を一つ設けても、これを分割してビット長2の記憶単位を二つ設けても記憶量は変わらない。しかし、ビット長が2または4の記憶単位を多数設けるよりも、ビット長が3の記憶単位を多数設けた方が記憶量が増加するため、このような制約を課すことが有効となる。 In one aspect of the memory control device of the present invention, the bit lengths m 1 , m 2 ,. . . , M n,. . . , MN , 4 is none and 2 is one or two, or 2 is none and 4 is none or one. Even if one storage unit with a bit length of 4 is provided or divided into two storage units with a bit length of 2, the storage amount does not change. However, it is effective to impose such a restriction because a larger amount of storage is provided by providing a large number of storage units having a bit length of 3 than by providing a large number of storage units having a bit length of 2 or 4.
本発明のメモリ制御装置の一態様においては、単位設定手段は、設定したN個の記憶単位に対し階層構造を設け、対応付け手段は、複数のデータとの対応づけを、下位の階層の記憶単位から記憶状態を順次更新することで行う。つまり、ある階層の記憶状態のバリエーションを使ってしまったら、その上位の階層の記憶状態を一つ更新(繰り上げ)したうえで、その階層の記憶状態を最初の状態から順次更新していくことで、システマチックかつ効率的にデータを割り当てることが可能となる。 In one aspect of the memory control device of the present invention, the unit setting means provides a hierarchical structure for the set N storage units, and the associating means associates a plurality of data with a lower-level storage. This is done by sequentially updating the storage state from the unit. In other words, if you use a variation of the storage status of a certain hierarchy, update the storage status of the higher hierarchy by one, and then update the storage status of that hierarchy sequentially from the first status. Data can be allocated systematically and efficiently.
本発明のメモリは、前記メモリ制御装置により、あるデータが記憶されている。別の見方をすれば、メモリ制御装置は、あるデータが記憶されたメモリを製造する装置であるといえる。また、本発明のRFID(Radio Frequency IDentification)タグは、前記メモリを備える。RFIDタグは、IC(integrated Circuit)タグなどとも呼ばれる微少な装置であり、メモリ及び無線通信機能を備えている。上述したメモリをRFIDタグに組み込むことで、記憶データの改竄防止機能を備えたRFIDタグが実現できる。なお、メモリ制御装置は、RFIDタグ内に組み込まれていてもよいし、RFIDタグに外部から通信を行うリーダ/ライタに組み込まれていてもよい。 In the memory of the present invention, certain data is stored by the memory control device. From another viewpoint, it can be said that the memory control device is a device for manufacturing a memory in which certain data is stored. The RFID (Radio Frequency IDentification) tag of the present invention includes the memory. An RFID tag is a very small device called an IC (integrated circuit) tag and has a memory and a wireless communication function. By incorporating the memory described above into an RFID tag, an RFID tag having a function of preventing stored data from being falsified can be realized. Note that the memory control device may be incorporated in the RFID tag, or may be incorporated in a reader / writer that communicates with the RFID tag from the outside.
図1は、本実施の形態にかかるRFIDタグ10の概略構成を示すブロック図である。RFIDタグ10は、メモリ12を備えており、このメモリ12は、ROM(Read Only Memory)14、リセッタブル(Re−Settable)領域16、及びRAM(Random Access Memory)18を含んでいる。ROM14は、読み出し専用の記憶装置であり、RFIDタグ10を制御するためのプログラムなどの記憶に用いられる。また、RAM18は、読み書き可能な記憶装置であり、主として、演算処理過程での一時的な記憶に用いられる。そして、リセッタブル領域16は、ビット値1を0に変更することは通常のwriteコマンドで可能であるが、0を1に変更する操作には特別な手順を必要とする記憶装置であり、例えばRFIDタグ10を装着する物品の識別情報の記憶に用いられる。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of an
RFIDタグ10には、さらに、このメモリ12に対しデータの読み込み及び書き込みを行う手段である読み書きIF(インターフェース)20、CPU(中央演算装置)として機能する制御部22、及び、アンテナを備えアンテナを通じて外部装置とデータを送受信する送受信部24が設けられている。送受信部24や読み書きI/F20の動作は制御部22により制御されている。
The
図2と図3は、リセッタブル領域16で使用される記憶状態列の例を示す図である。図2は5ビットの例であり、図3は8ビットの例である。
2 and 3 are diagrams showing examples of storage state sequences used in the
図2(a)の[01001]から図2(f)[10100]までの6つの記憶状態列は、5ビットの記憶領域に対し、上位2ビットのラウンドビット30と下位3ビットのデータビット32の各記憶単位を設定し、各記憶単位において与えた記憶状態を組み合わせることで形成されている。そして、ラウンドビット30とデータビット32の記憶状態は、ともに一つのビットのみを1、残るビットを0とすることで作られている。具体的には、ラウンドビット30の二つのビットは、[01]と[10]の二つの記憶状態をとることができ、データビット32の三つのビットは、[001]、[010]、及び[100]の三つの記憶状態をとることができる。そして、図2(a)から図2(c)までの記憶状態列は、ラウンドビット30を[01]に固定して、データビット32の記憶状態を順次更新して作られ、図2(d)から図2(f)までの記憶状態列は、ラウンドビット30を更新して[10]に固定し、再びデータビット32の記憶状態を順次更新することで作られている。 The six storage status strings from [01001] to FIG. 2 (f) [10100] in FIG. 2A are the upper 2 bits round bit 30 and the lower 3 bits data bit 32 with respect to the 5-bit storage area. Each storage unit is set, and the storage states given in each storage unit are combined. The storage state of the round bit 30 and the data bit 32 is created by setting only one bit to 1 and the remaining bits to 0. Specifically, the two bits of the round bit 30 can take two storage states, [01] and [10], and the three bits of the data bit 32 are [001], [010], and Three storage states of [100] can be taken. The storage state sequence from FIG. 2A to FIG. 2C is created by fixing the round bit 30 to [01] and sequentially updating the storage state of the data bits 32. FIG. ) To FIG. 2F are created by updating the round bit 30 and fixing it to [10], and sequentially updating the storage state of the data bit 32 again.
これにより作られた六つの各記憶状態列は、1を0に書き換える操作を行われても、これら六つの記憶状態列のいずれとも一致しない。例えば、図6(a)の記憶状態列は、書き換えにより[01000][000001][00000]の三つに変更しうるが、これらは、いずれも図6(a)から図6(f)までの記憶状態列とは異なっている。つまり、図6(a)から図6(f)までの記憶状態列は、1を0に書き換える操作によっては他の記憶状態列へと改竄することができず、かつ、改竄行為の発見を可能とするように設定されている。 Each of the six storage state columns thus created does not match any of these six storage state columns even if an operation of rewriting 1 to 0 is performed. For example, the storage state sequence in FIG. 6A can be changed to three of [01000] [000001] [00000] by rewriting, all of these from FIG. 6 (a) to FIG. 6 (f). This is different from the memory state sequence. In other words, the storage state sequence from FIG. 6A to FIG. 6F cannot be altered to another storage state sequence by an operation of rewriting 1 to 0, and tampering can be discovered. It is set to be.
図1に示した制御部22では、図2(a)から図2(f)までの2×3=6種類の記憶状態列をそれぞれ適当なデータと対応づけることで、6種類のデータを表すことができる。すなわち、対応づけに従って記憶状態列を書き込みまたは読み込むことでこれら6種類のデータを入出力することが可能となる。対応づけるデータの種類は特に限定されるものではなく、例えば、データとして自然数を採用しることもできる。この場合には、図2(a)から図2(f)の各記憶状態列は、それぞれ1から6までの数を表現することになる。また、例えば、記憶単位数と対応した複数のデータ要素が結合したデータを採用することもできる。データ要素として自然数を用いた場合には、(1,1),(1,2),(1,3),(2,1),(2,2),(2,3)の自然数の組を表現することができる。この態様は、データ要素毎に意味をもたせるような場合、例えば(i,j)をiラウンド目のj番目のデータと認識するような場合に有効である。
The
本表現形式を採用した場合、ビット長5の記憶領域を用いて、6種類のデータを表現できる。これは、図5に示した5種類のデータを表現できる表現形式に比べて優れている。この利点は、次に示すように、使用する記憶領域のビット長が長くなるほど顕著となる。 When this representation format is adopted, six types of data can be represented using a storage area having a bit length of five. This is superior to the expression format that can express the five types of data shown in FIG. This advantage becomes more prominent as the bit length of the storage area to be used becomes longer, as shown below.
図3は、8ビットの記憶領域を使用する例を示している。この例では、8ビットを三つの記憶単位に分割しており、上位2ビットを第2ラウンドビット40、次の3ビットを第1ラウンドビット42、下位3ビットをデータビット44と呼ぶことにする。図2の例と同様にして、第2ラウンドビット40、第1ラウンドビット42、データビット44においては、一つのビットのみを1とし、他のビットは0にするというルールの下で記憶状態を作り出している。そして、この記憶状態列を組み合わせることで、図3(a)から図3(f)に一部省略して示した2×3×3=18の記憶状態列が表現できている。これは、図6の表現形式で表現可能な8種類に比べて2倍以上となっている。 FIG. 3 shows an example in which an 8-bit storage area is used. In this example, 8 bits are divided into three storage units, the upper 2 bits are called the second round bit 40, the next 3 bits are called the first round bit 42, and the lower 3 bits are called the data bit 44. . As in the example of FIG. 2, in the second round bit 40, the first round bit 42, and the data bit 44, the storage state is set under the rule that only one bit is set to 1 and the other bits are set to 0. Producing. Then, by combining these storage state sequences, 2 × 3 × 3 = 18 storage state sequences that are partially omitted in FIGS. 3A to 3F can be expressed. This is more than twice the eight types that can be expressed in the expression format of FIG.
図4は、総ビット数と表現可能なデータ数との関係を、従来の表現形式と本表現形式とで比較した表である。従来の表現形式では、総ビット数と同じ数だけのデータ数が表現された。すなわち、8,12,16ビットの記憶領域を用いた場合には、それぞれ、8,12,16種類のデータが表現された。これに対し、本発明では、8ビットの記憶領域をビット長2,3,3の各記憶単位に分割することで、2×3×3=18種類のデータを表現することができる。同様にして、12ビットの記憶領域は、3×3×3×3=81種類、16ビットの記憶領域は、3×3×3×3×4=324種類のデータを表現することができる。
FIG. 4 is a table comparing the relationship between the total number of bits and the number of data that can be expressed in the conventional expression format and the present expression format. In the conventional representation format, the same number of data as the total number of bits is represented. That is, when 8, 12, and 16-bit storage areas are used, 8, 12, and 16 types of data are expressed, respectively. On the other hand, in the present invention, 2 × 3 × 3 = 18 types of data can be expressed by dividing an 8-bit storage area into each storage unit of
使用する記憶領域を複数の記憶単位へ分割する態様には、任意性がある。例えば、8ビットの記憶領域をビット長2,2,2,2の4つの記憶単位に分割することも可能である。しかし、この場合には、2×2×2×2=16種類のデータしか記憶できない。検討したところでは、一般に、記憶領域は可能な限り3ビットの記憶単位に分割することが有効である。そして、3ビットに分割できない場合に限り、一つまたは二つの2ビットの記憶単位(ただし、2ビットの二つの記憶単位の代わりに4ビットの一つの記憶単位を設けてもよい)に分割することで、最大の記憶量を確保することができる。 The mode of dividing the storage area to be used into a plurality of storage units is arbitrary. For example, it is possible to divide an 8-bit storage area into four storage units having bit lengths of 2, 2, 2, and 2. However, in this case, only 2 × 2 × 2 × 2 = 16 types of data can be stored. In general, it is effective to divide the storage area into 3-bit storage units as much as possible. Then, only when it cannot be divided into 3 bits, it is divided into one or two 2-bit storage units (however, one 4-bit storage unit may be provided instead of two 2-bit storage units). Thus, the maximum storage amount can be ensured.
10 RFIDタグ、12 メモリ、14 ROM、16 リセッタブル領域、18 RAM、20 読み書きI/F、22 制御部、24 送受信部、30 ラウンドビット、32,44 データビット、40 第2ラウンドビット、42 第1ラウンドビット。 10 RFID tag, 12 memory, 14 ROM, 16 resettable area, 18 RAM, 20 read / write I / F, 22 control unit, 24 transceiver unit, 30 round bits, 32, 44 data bits, 40 second round bit, 42 1st Round bit.
Claims (10)
各記憶単位においていずれか一つのビットに1、残るビットに0を割り当ててなる記憶状態を、N個の記憶単位について組み合わせてなる一個または複数個の記憶状態列に対し、それぞれ一つまたは複数のデータを対応付ける対応付け手段と、
対応付け手段による対応付けに基づいて、各記憶単位の記憶状態をあるデータに対応する状態に変更させ、これによりメモリにデータを書き込ませる書込手段、または、各記憶単位の記憶状態を読み取らせて、対応付け手段による対応付けに基づいて対応するデータを求め、これによりメモリからデータを読み込む読込手段と、
を備える、ことを特徴とするメモリ制御装置。
ただし、Nは2以上の自然数、nはN以下の自然数、m1,m2,...,mn,...,mNは自然数、m1+m2+...+mn+...+mNは5以上の自然数であるものとする。 Bit length m 1 , m 2 ,. . . , M n,. . . , M N unit setting means for setting N storage units;
In each storage unit, one or a plurality of storage state columns each formed by combining a storage state in which 1 is assigned to any one bit and 0 is assigned to the remaining bits for N storage units. Association means for associating data;
Based on the association by the associating means, the storage state of each storage unit is changed to a state corresponding to certain data, and thereby the writing means for writing data to the memory, or the storage state of each storage unit is read. Obtaining the corresponding data based on the association by the association means, thereby reading the data from the memory,
A memory control device comprising:
However, N is a natural number of 2 or more, n is a natural number of N or less, m 1 , m 2 ,. . . , M n,. . . , M N is a natural number, m 1 + m 2 +. . . + M n +. . . + M N is a natural number of 5 or more.
前記対応付け手段は、ビット長がmnであるn番目の記憶単位においてとりうるmn個の記憶状態を、N個の記憶単位について組み合わせて得られるm1×m2×...×mn×...×mN個の記憶状態列に対し、それぞれ一つのデータを対応づける、ことを特徴とするメモリ制御装置。 The memory control device according to claim 1.
The association means obtains m 1 × m 2 × .m obtained by combining mn storage states that can be taken in the nth storage unit having a bit length of mn with respect to N storage units. . . × mn ×. . . Xm A memory control device, wherein one piece of data is associated with each of N storage state columns.
ビット長m1,m2,...,mn,...,mNは、全て2以上である、ことを特徴とするメモリ制御装置。 The memory control device according to claim 1 or 2,
Bit lengths m 1 , m 2 ,. . . , M n,. . . , M N are all 2 or more.
ビット長m1,m2,...,mn,...,mNは、全て4以下である、ことを特徴とするメモリ制御装置。 The memory control device according to any one of claims 1 to 3,
Bit lengths m 1 , m 2 ,. . . , M n,. . . , M N are all 4 or less.
ビット長m1,m2,...,mn,...,mNのうち、4は無しかつ2は一つ若しくは二つ、または、2は無しかつ4は無し若しくは一つである、ことを特徴とするメモリ制御装置。 The memory control device according to claim 4.
Bit lengths m 1 , m 2 ,. . . , M n,. . . , M N , 4 is none and 2 is one or two, or 2 is none and 4 is none or one.
単位設定手段は、設定したN個の記憶単位に対し階層構造を設け、
対応付け手段は、複数のデータとの対応づけを、下位の階層の記憶単位から記憶状態を順次更新することで行う、ことを特徴とするメモリ制御装置。 The memory control device according to claim 2.
The unit setting means provides a hierarchical structure for the set N storage units,
The association means performs association with a plurality of data by sequentially updating the storage state from the storage unit of the lower hierarchy.
複数ビットの記憶容量をもちビット値を1から0にする操作に比べて0から1にする操作が困難であるリセッタブルなメモリに、ビット長m1,m2,...,mn,...,mNのN個の記憶単位を設定する単位設定手順と、
各記憶単位においていずれか一つのビットに1、残るビットに0を割り当ててなる記憶状態を、N個の記憶単位について組み合わせてなる一個または複数個の記憶状態列に対し、それぞれ一つまたは複数のデータを対応付ける対応付け手順と、
対応付け手順による対応付けに基づいて、各記憶単位の記憶状態をあるデータに対応する状態に変更させ、これによりメモリにデータを書き込ませる書込手順、または、各記憶単位の記憶状態を読み取らせて、対応付け手順による対応付けに基づいて対応するデータを求め、これによりメモリからデータを読み込む読込手順と、
を実行させる、ことを特徴とするメモリ制御プログラム。
ただし、Nは2以上の自然数、nはN以下の自然数、m1,m2,...,mn,...,mNは自然数、m1+m2+...+mn+...+mNは5以上の自然数であるものとする。 Against the computer
Bit length m 1 , m 2 ,. . . , M n,. . . , M N unit setting procedure for setting N storage units,
In each storage unit, one or a plurality of storage state columns each formed by combining a storage state in which 1 is assigned to any one bit and 0 is assigned to the remaining bits for N storage units. A matching procedure for associating data;
Based on the association by the association procedure, the storage state of each storage unit is changed to a state corresponding to certain data, and thereby the writing procedure for writing data to the memory, or the storage state of each storage unit is read. And obtaining the corresponding data based on the association by the association procedure, thereby reading the data from the memory,
A memory control program characterized by the above.
However, N is a natural number of 2 or more, n is a natural number of N or less, m 1 , m 2 ,. . . , M n,. . . , M N is a natural number, m 1 + m 2 +. . . + M n +. . . + M N is a natural number of 5 or more.
複数ビットの記憶容量をもちビット値を1から0にする操作に比べて0から1にする操作が困難であるリセッタブルなメモリに、ビット長m1,m2,...,mn,...,mNのN個の記憶単位を設定する単位設定手順と、
各記憶単位においていずれか一つのビットに1、残るビットに0を割り当ててなる記憶状態を、N個の記憶単位について組み合わせてなる一個または複数個の記憶状態列に対し、それぞれ一つまたは複数のデータを対応付ける対応付け手順と、
対応付け手順による対応付けに基づいて、各記憶単位の記憶状態をあるデータに対応する状態に変更させ、これによりメモリにデータを書き込ませる書込手順、または、各記憶単位の記憶状態を読み取らせて、対応付け手順による対応付けに基づいて対応するデータを求め、これによりメモリからデータを読み込む読込手順と、
を含む、ことを特徴とするメモリ制御方法。
ただし、Nは2以上の自然数、nはN以下の自然数、m1,m2,...,mn,...,mNは自然数、m1+m2+...+mn+...+mNは5以上の自然数であるものとする。 A method performed by a computer,
Bit length m 1 , m 2 ,. . . , M n,. . . , M N unit setting procedure for setting N storage units,
In each storage unit, one or a plurality of storage state columns each formed by combining a storage state in which 1 is assigned to any one bit and 0 is assigned to the remaining bits for N storage units. A matching procedure for associating data;
Based on the association by the association procedure, the storage state of each storage unit is changed to a state corresponding to certain data, and thereby the writing procedure for writing data to the memory, or the storage state of each storage unit is read. And obtaining the corresponding data based on the association by the association procedure, thereby reading the data from the memory,
A memory control method comprising:
However, N is a natural number of 2 or more, n is a natural number of N or less, m 1 , m 2 ,. . . , M n,. . . , M N is a natural number, m 1 + m 2 +. . . + M n +. . . + M N is a natural number of 5 or more.
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