JP2007082365A - 温度保護回路、電源装置、電子機器 - Google Patents
温度保護回路、電源装置、電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007082365A JP2007082365A JP2005269499A JP2005269499A JP2007082365A JP 2007082365 A JP2007082365 A JP 2007082365A JP 2005269499 A JP2005269499 A JP 2005269499A JP 2005269499 A JP2005269499 A JP 2005269499A JP 2007082365 A JP2007082365 A JP 2007082365A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- monitoring target
- signal
- threshold
- target temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/32—Means for protecting converters other than automatic disconnection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
【課題】本発明は、保護対象となるICの動作温度範囲を不必要に狭めることなく、より高精度で安全性の高い温度保護動作を行うことが可能な温度保護回路、並びに、これを備えた電源装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る温度保護回路は、監視対象温度と複数の閾値温度とを各々比較し、前記監視対象温度が所定の確認期間に亘ってある閾値温度以上に維持されたときに前記監視対象温度が当該閾値温度に達したと判断する手段と;前記監視対象温度と比較される閾値温度が低いほど、確認期間を長く設定する手段と;前記監視対象温度がいずれの閾値温度まで達したと判断されたかによって、各々対応する温度保護信号(Sarm、Slmt、Stsd1、Stsd2)を生成する手段と;を有して成る構成としている。
【選択図】 図1
【解決手段】本発明に係る温度保護回路は、監視対象温度と複数の閾値温度とを各々比較し、前記監視対象温度が所定の確認期間に亘ってある閾値温度以上に維持されたときに前記監視対象温度が当該閾値温度に達したと判断する手段と;前記監視対象温度と比較される閾値温度が低いほど、確認期間を長く設定する手段と;前記監視対象温度がいずれの閾値温度まで達したと判断されたかによって、各々対応する温度保護信号(Sarm、Slmt、Stsd1、Stsd2)を生成する手段と;を有して成る構成としている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、温度保護回路、並びに、これを備えた電源装置及び電子機器に関するものであり、特にその温度保護機能の精度向上や安全性向上に関するものである。
従来より、電源装置やモータ駆動装置など、パワートランジスタを駆動する半導体集積回路装置(以下、IC[Integrated Circuit]と呼ぶ)の多くは、その異常発熱に起因するICの破壊(特に、発熱源であるパワートランジスタの破壊)を防止する手段として、温度保護回路(いわゆるサーマルシャットダウン回路)を搭載して成る(例えば、本願出願人による特許文献1、2を参照)。
その他、本願発明に関連する従来技術としては、複数のパワー素子毎に異常発熱の検出を行い、異常発熱が検出されたパワー素子については、その駆動を停止する一方、当該異常発熱の影響を受けると考えられる他のパワー素子については、その閾値温度を一時的に高めることで、正常動作中のパワー素子まで停止させないようにした温度保護装置(特許文献3を参照)や、温度検出回路と温度設定回路の温度の変化による出力の変化係数の違いによって設定温度以外の温度で温度検出回路と温度設定回路の出力差を大きくすることで、検出精度の高い温度異常信号を出力することが可能な温度異常検出回路(特許文献4を参照)が開示・提案されている。
確かに、上記従来の温度保護回路を搭載したICであれば、誤動作や過負荷によるICの異常発熱を検知・遮断して、ICの破壊を未然に防止することが可能である。
しかしながら、上記従来の温度保護回路を搭載したICでは、温度保護回路の監視対象温度が所定の閾値温度に達した時点で、ICの駆動が即時遮断されていた。そのため、電源ICやモータ駆動ICへの適用時など、ICの本来動作(すなわち負荷のパルス駆動)に応じて監視対象温度が高頻度に変動する場合には、温度保護回路によって意図しないシャットダウン動作が行われるおそれもあり、ICの動作温度範囲が不必要に狭くなる、という課題があった。
また、従来の温度保護回路を搭載したICでは、チップの温度状態を事前に知ることができないまま、異常発熱時のシャットダウン動作によってその出力が急峻にオフされるため、ICの熱設計が困難である上、当該ICを組み込んだアプリケーションによっては、温度保護回路で異常発熱が検出された際に、システム全体のシャットダウンを安全に行うことができないおそれがあった。例えば、上記従来の温度保護回路を搭載した電源ICをマイクロコンピュータの電源として用いる電子機器において、温度保護回路によって電源ICの駆動がシャットダウンされた場合、マイクロコンピュータは、その初期化やメモリデータの保持を完了し得ないまま、電源供給を絶たれてしまうことになり、結果としてシステム全体のシャットダウンを正常に行うことができなくなっていた。
さらに、従来の温度保護回路を搭載したICでは、シャットダウン動作時にノイズやサージが発生し易く、特に、ICの駆動対象がインダクタンス成分を有するL負荷であった場合には、当該L負荷に生じる逆起電圧がICのシャットダウン動作時に跳ね上がり、ICの耐圧を超えてこれを破壊に至らしめる、というおそれがあった。
本発明は、上記の問題点に鑑み、保護対象となるICの動作温度範囲を不必要に狭めることなく、より高精度で安全性の高い温度保護動作を行うことが可能な温度保護回路、並びに、これを備えた電源装置及び電子機器を提供することを目的とする。
上記目的を達成すべく、本発明に係る温度保護回路は、監視対象温度と複数の閾値温度とを各々比較し、前記監視対象温度が所定の確認期間に亘ってある閾値温度以上に維持されたときに、前記監視対象温度が当該閾値温度に達したと判断する手段と;前記監視対象温度と比較される閾値温度が低いほど、前記確認期間を長く設定する手段と;前記監視対象温度がいずれの閾値温度まで達したと判断されたかによって、各々対応する温度保護信号を生成する手段と;を有して成る構成(第1の構成)としている。
なお、上記第1の構成は、3値以上の閾値温度を設けた形態(後述する実施形態)のみを想定したものではなく、2値の閾値温度を設けた形態をも包含する概念である。すなわち、2値の閾値温度を設けた形態の場合、より低い方の閾値温度に対応する確認期間は、より高い方の閾値温度に対応する確認期間よりも長く設定されることになる。
このような構成とすることにより、電源ICやモータ駆動ICへの適用時など、ICの本来動作(すなわち負荷のパルス駆動)に応じて監視対象温度が高頻度に変動する場合であっても、さほど緊急度の高くない低温側の閾値温度については、上記の確認期間が長く設定されるため、温度保護回路によって意図しないシャットダウン動作が行われるおそれは少なくなる。一方、明らかな異常発熱が生じている場合には、監視対象温度がより高い閾値温度に達すると考えられるため、上記の確認期間はより短く設定され、遅滞なくシャットダウン動作が行われる。従って、保護対象となるICの動作温度範囲を不必要に狭めることなく、より高精度で安全性の高い温度保護動作を行うことが可能となる。
なお、上記第1の構成から成る温度保護回路は、前記監視対象温度に応じてその電圧レベルが変動する発熱検出電圧を生成する発熱検出手段と;前記発熱検出電圧に基づいて前記監視対象温度が第1閾値温度に達したと判断したときに、その旨を報知するための警報信号を生成する警報信号生成手段と;前記警報信号に基づいて前記監視対象温度が第1閾値温度に達したと判断して以後、前記監視対象温度に応じて保護対象回路の駆動を連続的或いは段階的に抑制するための抑制信号を生成する抑制信号生成手段と;前記発熱検出電圧に基づいて前記監視対象温度が第1閾値温度よりも高い第2閾値温度に達したと判断したときに、前記保護対象回路の駆動を遮断するための第1遮断信号を生成する第1遮断信号生成手段と;前記発熱検出電圧に基づいて前記監視対象温度が第2閾値温度よりも高い第3閾値温度に達したと判断したときに、前記保護対象回路を含め、温度保護回路(及びその動作に必要な諸回路)を除く全ての回路の駆動を遮断するための第2遮断信号を生成する第2遮断信号生成手段と;を有して成る構成(第2の構成)にするとよい。このような構成とすることにより、警報信号や抑制信号を監視することで、シャットダウン前にチップの温度状態を知ることができるので、ICの熱設計を容易に行うことが可能となる。また、本構成であれば、保護対象回路の駆動が徐々に抑制された後、最終的にシャットダウン動作に移行されるため、IC破壊の原因となるノイズやサージの発生を抑制することが可能となる。
また、上記第2の構成から成る温度保護回路において、前記警報信号生成手段は、前記監視対象温度が第1確認期間に亘って第1閾値温度以上に維持されたときに、前記監視対象温度が第1閾値温度に達したと判断するものであり、第1遮断信号生成手段は、前記監視対象温度が第1確認期間よりも短い第2確認期間に亘って第2閾値温度以上に維持されたときに、前記監視対象温度が第2閾値温度に達したと判断するものであり、第2遮断信号生成手段は、前記監視対象温度が第3閾値温度に達した時点で、即時に前記監視対象温度が第3閾値温度に達したと判断するものである構成(第3の構成)にするとよい。
また、上記第3の構成から成る温度保護回路においては、前記警報信号生成手段は、前記監視対象温度に相当する発熱検出電圧と第1閾値温度に相当する第1閾値電圧とを比較し、前記監視対象温度が第1閾値温度を上回っているときにその出力論理がイネーブルとされる第1比較部と;第1比較部の出力論理が第1確認期間に亘ってイネーブル状態に維持されたときに初めてその出力論理がイネーブルとされる第1イネーブル制限部と;を有して成るものであって、第1イネーブル制限部の出力信号を前記警報信号として送出するものであり、第1遮断信号生成手段は、前記監視対象温度に相当する発熱検出電圧と第2閾値温度に相当する第2閾値電圧とを比較し、前記監視対象温度が第2閾値温度を上回っているときにその出力論理がイネーブルとされる第2比較部と;第2比較部の出力論理が第2確認期間に亘ってイネーブル状態に維持されたときに初めてその出力論理がイネーブルとされる第2イネーブル制限部と;を有して成るものであって、第2イネーブル制限部の出力信号を第1遮断信号として送出するものであり、第2遮断信号生成手段は、前記監視対象温度に相当する発熱検出電圧と第3閾値温度に相当する第3閾値電圧とを比較し、前記監視対象温度が第3閾値温度を上回っているときにその出力論理がイネーブルとされる第3比較部と;第3比較部の出力論理のイネーブルをラッチするラッチ部と;を有して成るものであって、前記ラッチ部の出力信号を前記遮断信号として送出するものである構成(第4の構成)にするとよい。
また、上記第2〜第4いずれかの構成から成る温度保護回路において、前記抑制信号生成手段及び第1遮断信号生成手段は、前記警報信号の出力論理に応じてその動作可否が決定されるものであり、第2遮断信号生成手段は、第1遮断信号の出力論理に応じてその動作可否が決定されるものである構成(第5の構成)にするとよい。このような構成とすることにより、不要な回路動作を抑えて、消費電力の低減を図ることが可能となる。
また、本発明に係る電源装置は、上記第2〜第5いずれかの構成から成る温度保護回路と;入力電圧から所定の出力電圧を生成する手段であって、前記抑制信号に応じてその出力電流が抑制され、前記遮断信号に応じてその駆動が遮断される電源回路と;を有して成る構成(第6の構成)とされている。このような構成とすることにより、その動作温度範囲を不必要に狭めることなく、より高精度で安全性の高い温度保護動作を行うことが可能な電源装置を提供することができる。
また、本発明に係る電子機器は、上記第6の構成から成る電源装置と、前記電源装置の出力電圧を電源とするシステム回路と、を有して成る電子機器であって、前記システム回路は、前記警報信号に応じて、前記電源装置からの電源供給が遮断されるよりも先に、自身の駆動を遮断するものである構成(第7の構成)としている。このような構成とすることにより、システム全体として、より安全性の高い温度保護動作を行うことが可能な電子機器を提供することができる。
上記したように、本発明によれば、保護対象となるICの動作温度範囲を不必要に狭めることなく、より高精度で安全性の高い温度保護動作を行うことができ、延いては、システム全体として、より安全性の高い温度保護動作を行うことが可能となる。
以下では、本発明に係る温度保護回路の搭載対象として、電子機器のシステム回路(マイクロコンピュータなど)に電源供給を行う電源ICを例に挙げて、詳細な説明を行う。
図1は、本発明に係る電子機器の概略構成を示すブロック図である。
本図に示す通り、本発明に係る電子機器は、入力電圧Viから所定の出力電圧Voを生成する電源IC1と、該電源IC1の出力電圧Voを電源とするシステム回路2と、を有して成る。なお、電源IC1は、温度保護回路10と、電源回路20と、を集積化して成る半導体集積回路装置である。
温度保護回路10は、外部端子T1を介して供給される入力電圧Viを駆動電圧とし、バイポーラトランジスタのベース・エミッタ間の順方向降下電圧やダイオードの順方向降下電圧が周囲温度に依存して変動するという特性を利用して、種々の温度保護信号(警報信号Sarm、抑制信号Slmt、第1、第2遮断信号Stsd1、Stsd2)を生成する構成とされている。
警報信号Sarmは、監視対象温度Tj(電源回路20を構成するパワートランジスタの発熱温度)が第1閾値温度Tth1(例えば150℃)に達したと判断されたときに、システム回路2に対して、その旨を報知するための信号である。より具体的に述べると、警報信号Sarmは、監視対象温度Tjが第1閾値温度Tth1に達したと判断されたときにイネーブル(例えばハイレベル)とされ、達していないと判断されたときにディセーブル(例えばローレベル)とされる2値信号である。
抑制信号Slmtは、監視対象温度Tjが第1閾値温度Tth1に達したと判断されて以後、監視対象温度Tjに応じて電源回路20の駆動(出力電流の上限値)を連続的或いは段階的に抑制するための信号である(図2を参照)。
第1遮断信号Stsd1は、監視対象温度Tjが第1閾値温度Tth1よりも高い第2閾値温度Tth2(例えば175℃)に達したと判断されたときに、電源回路20の駆動を遮断するための信号である(図2を参照)。より具体的に述べると、第1遮断信号Stsd1は、監視対象温度Tjが第2閾値温度Tth2に達したと判断されたときにイネーブル(例えばハイレベル)とされ、達していないと判断されたときにディセーブル(例えばローレベル)とされる2値信号である。
第2遮断信号Stsd2は、監視対象温度Tjが第2閾値温度Tth2よりも高い第3閾値温度Tth3(例えば200℃)に達したと判断されたときに、電源回路20を含めて、温度保護回路10(及び、その動作に必要な諸回路)を除く全ての内部回路(図示せず)の駆動を遮断するための信号である。より具体的に述べると、第2遮断信号Stsd2は、監視対象温度Tjが第3閾値温度Tth3に達したと判断されたときにイネーブル(例えばハイレベル)とされ、達していないと判断されたときにディセーブル(例えばローレベル)とされる2値信号である。
このような温度保護回路10を具備することにより、監視対象温度Tjがいずれの閾値温度まで達したと判断されたかによって、各々対応する温度保護動作を行い、異常発熱に起因する電源IC1の破壊(特に、電源回路20を構成するパワートランジスタの破壊)を未然に防止することが可能となる。また、警報信号Sarmや抑制信号Slmtを監視することで、シャットダウン前に電源IC1のチップ温度状態を知ることができるので、電源IC1の熱設計を容易に行うことが可能となる。
なお、温度保護回路10の内部構成及び動作については、後ほど詳細な説明を行う。
電源回路20は、外部端子T1を介して供給される入力電圧Viを所望の出力電圧Voに変換し、外部端子T2からシステム回路2や外部負荷(不図示)に対して、当該出力電圧Voを供給する直流変換手段である。
また、電源回路20は、温度保護回路10から抑制信号Slmtの入力を受けて、その駆動(出力電流の上限値)を連続的或いは段階的に抑制する機能を具備している(図2を参照)。このような構成とすることにより、電源IC1の駆動をシャットダウンしなければならないほど監視対象温度Tjが上昇してしまう前に、予備的な温度保護動作として、電源IC1の異常発熱を抑制することができる。従って、より安全性の高い温度保護動作を行うことが可能となる上、後述する異常発熱時のシャットダウン動作によっても、その出力が急峻にオフされることがなくなるので、種々の不具合(ノイズやサージの発生)を回避し、電源IC1の駆動を安全に停止することが可能となる。
また、電源回路20は、温度保護回路10から第1遮断信号Stsd1の入力を受け、そのイネーブル/ディセーブルに応じて異常発熱が生じているか否かを認識し、電源出力動作の禁止/許可を制御する機能を具備している(図2を参照)。このような構成とすることにより、抑制信号Slmtによる出力電流の抑制制御をもってしても、異常な温度上昇が続く場合には、電源回路20の駆動をシャットダウンして、異常発熱に起因するICの破壊を未然に防止することが可能となる。
また、電源回路20を含めて、温度保護回路10(及び、その動作に必要な諸回路)を除く全ての内部回路(不図示)は、温度保護回路10から第2遮断信号Stsd2の入力を受け、そのイネーブル/ディセーブルに応じて、電源回路20の駆動がシャットダウンされた後も異常発熱が継続しているか否かを認識し、その動作の禁止/許可を制御する機能を具備している。このような構成とすることにより、第1遮断信号Stsd1による電源供給の遮断制御をもってしても、異常な温度上昇が続く場合には、温度保護動作を除いて、電源IC1の全動作を完全にシャットダウンし、異常発熱に起因するICの破壊や熱暴走、延いては、電子機器の発煙や発火を未然に防止することが可能となる。
システム回路2は、外部端子T3を介して入力される警報信号Sarmのイネーブルに応じて、電源IC1からの電源供給が遮断されるよりも先に、自身の駆動を遮断する機能を具備している。より具体的に述べると、システム回路2としては、マイクロコンピュータなどを挙げることができ、当該システム回路2は、警報信号Sarmのイネーブルに応じて、その初期化やメモリデータの保持を開始する機能を具備している。このような構成とすることにより、異常発熱が検出された際にも、温度保護回路10による電源供給の遮断に先立って、システム全体のシャットダウンを正常に行うことができるので、電子機器のシステム全体として、より安全性の高い温度保護動作を行うことが可能となる。
なお、上記した温度保護回路10は、過熱監視対象である電源回路20(特にそのパワートランジスタ)の近傍に設けられている。このような構成とすることにより、発熱源となるパワートランジスタの接合温度(監視対象温度Tj)を直接的に検出し、高精度の温度保護動作を行うことが可能となる。
また、上記した警報信号Sarm、抑制信号Slmt、及び、第1遮断信号Stsd1は、いずれも、第1、第2閾値温度Tth1、Tth2にヒステリシスを有する自動復帰式とされている。このような方式を採用することにより、監視対象温度Tjが下がれば、外部からの復帰信号を待つことなく、迅速に電源IC1の駆動を自発復帰させることが可能となる。一方、第2遮断信号Stsd2については、一旦イネーブルとされて以後は、所定のリセット信号(パワーオンリセット信号など)が入力されない限り、ディセーブルに復帰されることのないラッチ式とされている。このような方式を採用することにより、電源IC1の熱暴走や発煙、発火のおそれがある閾値温度Tth3にまで監視対象温度Tjが上昇した場合には、電源IC1やその周辺回路に何らかの異常が生じている蓋然性が高いことに鑑み、その原因が解消されて所定のリセット信号が入力されるまで、確実に電源IC1の駆動をシャットダウンしておくことが可能となる。また、上記の各方式を採用することにより、各温度保護信号の論理発振を抑制することも可能となる。
以下、先出した図1及び図2のほか、図3を参照しながら、温度保護回路10の回路構成及び動作について、より具体的かつ詳細な説明を行う。なお、図3は、イネーブル制限動作の一例を説明するための図である。
図1に示すように、本実施形態の温度保護回路10は、発熱検出手段11と、警報信号生成手段12と、抑制信号生成手段13と、第1遮断信号生成手段14と、第2遮断信号生成手段15と、を有して成る。
発熱検出手段11は、バイポーラトランジスタのベース・エミッタ間の順方向降下電圧やダイオードの順方向降下電圧が周囲温度に依存して変動するという特性(約−2[mV/℃]の負の温度特性)を利用して、発熱検出電圧Va(監視対象温度Tjが高いほど、電圧レベルが低下していく電圧信号)を生成する手段である。
警報信号生成手段12は、第1比較部121と、第1イネーブル制限部122と、を有して成り、発熱検出電圧Vaに基づいて監視対象温度Tjが第1閾値温度Tth1に達したと判断したときに、警報信号Sarmを生成する手段である。
第1比較部121は、監視対象温度Tjに相当する発熱検出電圧Vaと、第1閾値温度Tth1に相当する第1閾値電圧Vth1とを比較し、両電圧の相対的な高低に応じて、その出力論理が変遷される比較信号S1を生成する。なお、比較信号S1は、発熱検出電圧Vaが第1閾値電圧Vth1よりも高ければディセーブル状態(ローレベル)とされ、逆に、前者が後者よりも低ければイネーブル状態(ハイレベル)とされる。すなわち、比較信号S1は、監視対象温度Tjが第1閾値温度Tth1に達したときにイネーブルとされる信号となる。
第1イネーブル制限部122は、比較信号S1の論理が第1確認期間t1に亘ってイネーブル状態に維持されたときに初めて、警報信号Sarmの論理をイネーブルとするものである。逆に言えば、比較信号S1が一時的にイネーブルとされたとしても、そのイネーブル状態が第1確認期間t1に亘って維持されない限り、警報信号Sarmはディセーブルとされたままとなる(図3(a)を参照)。
すなわち、警報信号生成手段12では、監視対象温度Tjが第1確認期間t1に亘って第1閾値温度Tth1以上に維持されたときに、監視対象温度Tjが第1閾値温度Tth1に達したと判断される。
抑制信号生成手段13は、警報信号Sarmに基づいて監視対象温度Tjが第1閾値温度Tth1に達したと判断して以後、監視対象温度Tjに応じて電源回路20の駆動(出力電流の上限値)を連続的或いは段階的に抑制するための抑制信号Slmtを生成する手段である。なお、抑制信号生成手段13としては、発熱検出電圧Vaが第1閾値電圧Vth1との差分電圧を増幅して出力するアンプ等を用いればよい。このような抑制信号生成部13で得られる抑制信号Slmtを用いて、電源回路20の出力電流制御を行うことにより、先出の図2で示した予備的な温度保護動作を容易に実現することが可能となる。
また、抑制信号生成手段13は、警報信号Sarmの出力論理に応じてその動作可否が決定される構成、より具体的に述べると、上記の警報信号Sarmがイネーブルとされるまで、その動作を停止される構成とされている。このような構成とすることにより、不要な回路動作を抑えて、消費電力の低減を図ることが可能となる。
第1遮断信号生成手段14は、第2比較部141と、第2イネーブル制限部142と、を有して成り、発熱検出電圧Vaに基づいて監視対象温度Tjが第1閾値温度Tth1よりも高い第2閾値温度Tth2に達したと判断したときに、第1遮断信号Stsd1を生成する手段である。
第2比較部141は、監視対象温度Tjに相当する発熱検出電圧Vaと、第2閾値温度Tth2に相当する第2閾値電圧Vth2とを比較し、両電圧の相対的な高低に応じて、その出力論理が変遷される比較信号S2を生成する。なお、比較信号S2は、発熱検出電圧Vaが第2閾値電圧Vth2よりも高ければディセーブル状態(ローレベル)とされ、逆に、前者が後者よりも低ければイネーブル状態(ハイレベル)とされる。すなわち、比較信号S2は、監視対象温度Tjが第2閾値温度Tth2に達したときにイネーブルとされる信号となる。
第2イネーブル制限部142は、比較信号S2の論理が第1確認期間t1よりも短い第2確認期間t2に亘ってイネーブル状態に維持されたときに初めて、第1遮断信号Stsd1の論理をイネーブルとするものである。逆に言えば、比較信号S2が一時的にイネーブルとされたとしても、そのイネーブル状態が第2確認期間t2に亘って維持されない限り、第1遮断信号Stsd1はディセーブルとされたままとなる(図3(b)を参照)。
すなわち、第1遮断信号生成手段14では、監視対象温度Tjが第1確認期間t1よりも短い第2確認期間t2に亘って第2閾値温度Tth2以上に維持されたときに、監視対象温度Tjが第2閾値温度Tth2に達したと判断される。
なお、第1遮断信号生成手段14は、抑制信号生成手段13と同様、警報信号Sarmの出力論理に応じてその動作可否が決定される構成とされている。このような構成とすることにより、不要な回路動作を抑えて、消費電力の低減を図ることが可能となる。
第2遮断信号生成手段15は、第3比較部151とラッチ部152を有して成り、発熱検出電圧Vaに基づいて監視対象温度Tjが第2閾値温度Tth2よりも高い第3閾値温度Tth3に達したと判断したときに、第2遮断信号Stsd2を生成する手段である。
第3比較部151は、監視対象温度Tjに相当する発熱検出電圧Vaと、第3閾値温度Tth3に相当する第3閾値電圧Vth3とを比較し、両電圧の相対的な高低に応じて、その出力論理が変遷される比較信号S3を生成する。なお、比較信号S3は、発熱検出電圧Vaが第3閾値電圧Vth3よりも高ければディセーブル状態(ローレベル)とされ、逆に、前者が後者よりも低ければイネーブル状態(ハイレベル)とされる。すなわち、比較信号S3は、監視対象温度Tjが第3閾値温度Tth3に達したときにイネーブルとされる信号となる。
ラッチ部152は、比較信号S3のイネーブルをラッチし、以後、所定のリセット信号が入力されるまで、当該論理の出力信号を第2遮断信号Stsd2として送出する(図3(c)を参照)。
なお、第2遮断信号生成手段15には、イネーブル制限部が設けられておらず、比較信号S3は、ラッチ部152に直接入力されている。すなわち、第2遮断信号生成手段15では、監視対象温度Tjが第3閾値温度Tth3に達した時点で、即時に監視対象温度Tjが第3閾値温度Tth3に達したと判断される。
また、第2遮断信号生成手段15は、第1遮断信号Stsd1の出力論理に応じてその動作可否が決定される構成、より具体的に述べると、上記の第1遮断信号Stsd1がイネーブルとされるまで、その動作を停止される構成とされている。このような構成とすることにより、不要な回路動作を抑えて、消費電力の低減を図ることが可能となる。
上記したように、本実施形態の温度保護回路10は、監視対象温度Tjと複数の閾値温度Tth1〜Tth3とを各々比較し、監視対象温度Tjが所定の確認期間に亘ってある閾値温度以上に維持されたときに、監視対象温度Tjが当該閾値温度に達したと判断する手段と;監視対象温度Tjと比較される閾値温度が低いほど、前記確認期間を長く設定する手段と;監視対象温度Tjがいずれの閾値温度まで達したと判断されたかによって、各々対応する温度保護信号(警報信号Sarm、抑制信号Slmt、第1、第2遮断信号Stsd1、Stsd2)を生成する手段と;を有して成る構成としている。
このような構成とすることにより、電源IC1の本来動作(すなわち、電源回路20を構成するパワートランジスタのパルス駆動)に応じて監視対象温度Tjが高頻度に変動する場合であっても、さほど緊急度の高くない低温側の閾値温度については、上記の確認期間が長く設定されるため、温度保護回路10によって意図しないシャットダウン動作が行われるおそれは少なくなる。一方、明らかな異常発熱が生じている場合には、監視対象温度Tjがより高い閾値温度に達すると考えられるため、上記の確認期間はより短く設定され、遅滞なくシャットダウン動作が行われる。従って、電源IC1の動作温度範囲を不必要に狭めることなく、より高精度で安全性の高い温度保護動作を行うことが可能となる。
なお、上記の実施形態では、本発明に係る温度保護回路の搭載対象として、電子機器のシステム回路(マイクロコンピュータなど)に電源供給を行う電源ICを例に挙げたが、その搭載対象はこれに限定されるものではなく、モータ駆動ICなど、他の半導体集積回路装置にも広く搭載することが可能である。
また、本発明の構成は、上記実施形態のほか、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記の実施形態では、単一の発熱検出手段11を各温度保護信号生成手段12〜15で共用する構成を例示して説明を行ったが、本発明の構成はこれに限定されるものではなく、各温度保護信号生成手段毎に複数の発熱検出手段を設けてもよい。
本発明は、例えば、温度保護回路を搭載した電源ICをマイクロコンピュータの電源として用いる電子機器につき、その温度保護動作の最適化技術として好適に利用することができる。
1 電源IC
2 システム回路(マイクロコンピュータなど)
10 温度保護回路
11 発熱検出手段
12 警報信号生成手段
121 第1比較部(150℃検出用)
122 第1イネーブル制限部
13 抑制信号生成手段
14 第1遮断信号生成手段
141 第2比較部(175℃検出用)
142 第2イネーブル制限部
15 第2遮断信号生成手段
151 第3比較部(200℃検出用)
152 ラッチ部
20 電源回路
T1〜T3 外部端子
2 システム回路(マイクロコンピュータなど)
10 温度保護回路
11 発熱検出手段
12 警報信号生成手段
121 第1比較部(150℃検出用)
122 第1イネーブル制限部
13 抑制信号生成手段
14 第1遮断信号生成手段
141 第2比較部(175℃検出用)
142 第2イネーブル制限部
15 第2遮断信号生成手段
151 第3比較部(200℃検出用)
152 ラッチ部
20 電源回路
T1〜T3 外部端子
Claims (7)
- 監視対象温度と複数の閾値温度とを各々比較し、前記監視対象温度が所定の確認期間に亘ってある閾値温度以上に維持されたときに、前記監視対象温度が当該閾値温度に達したと判断する手段と;前記監視対象温度と比較される閾値温度が低いほど、前記確認期間を長く設定する手段と;前記監視対象温度がいずれの閾値温度まで達したと判断されたかによって、各々対応する温度保護信号を生成する手段と;を有して成ることを特徴とする温度保護回路。
- 前記監視対象温度に応じてその電圧レベルが変動する発熱検出電圧を生成する発熱検出手段と;前記発熱検出電圧に基づいて前記監視対象温度が第1閾値温度に達したと判断したときに、その旨を報知するための警報信号を生成する警報信号生成手段と;前記警報信号に基づいて前記監視対象温度が第1閾値温度に達したと判断して以後、前記監視対象温度に応じて保護対象回路の駆動を連続的或いは段階的に抑制するための抑制信号を生成する抑制信号生成手段と;前記発熱検出電圧に基づいて前記監視対象温度が第1閾値温度よりも高い第2閾値温度に達したと判断したときに、前記保護対象回路の駆動を遮断するための第1遮断信号を生成する第1遮断信号生成手段と;前記発熱検出電圧に基づいて前記監視対象温度が第2閾値温度よりも高い第3閾値温度に達したと判断したときに、前記保護対象回路を含め、温度保護回路を除く全ての回路の駆動を遮断するための第2遮断信号を生成する第2遮断信号生成手段と;を有して成ることを特徴とする請求項1に記載の温度保護回路。
- 前記警報信号生成手段は、前記監視対象温度が第1確認期間に亘って第1閾値温度以上に維持されたときに、前記監視対象温度が第1閾値温度に達したと判断するものであり、第1遮断信号生成手段は、前記監視対象温度が第1確認期間よりも短い第2確認期間に亘って第2閾値温度以上に維持されたときに、前記監視対象温度が第2閾値温度に達したと判断するものであり、第2遮断信号生成手段は、前記監視対象温度が第3閾値温度に達した時点で、即時に前記監視対象温度が第3閾値温度に達したと判断するものであることを特徴とする請求項2に記載の温度保護回路。
- 前記警報信号生成手段は、前記監視対象温度に相当する発熱検出電圧と第1閾値温度に相当する第1閾値電圧とを比較し、前記監視対象温度が第1閾値温度を上回っているときにその出力論理がイネーブルとされる第1比較部と;第1比較部の出力論理が第1確認期間に亘ってイネーブル状態に維持されたときに初めてその出力論理がイネーブルとされる第1イネーブル制限部と;を有して成るものであって、第1イネーブル制限部の出力信号を前記警報信号として送出するものであり、
第1遮断信号生成手段は、前記監視対象温度に相当する発熱検出電圧と第2閾値温度に相当する第2閾値電圧とを比較し、前記監視対象温度が第2閾値温度を上回っているときにその出力論理がイネーブルとされる第2比較部と;第2比較部の出力論理が第2確認期間に亘ってイネーブル状態に維持されたときに初めてその出力論理がイネーブルとされる第2イネーブル制限部と;を有して成るものであって、第2イネーブル制限部の出力信号を第1遮断信号として送出するものであり、
第2遮断信号生成手段は、前記監視対象温度に相当する発熱検出電圧と第3閾値温度に相当する第3閾値電圧とを比較し、前記監視対象温度が第3閾値温度を上回っているときにその出力論理がイネーブルとされる第3比較部と;第3比較部の出力論理のイネーブルをラッチするラッチ部と;を有して成るものであって、前記ラッチ部の出力信号を前記遮断信号として送出するものであることを特徴とする請求項3に記載の温度保護回路。 - 前記抑制信号生成手段及び第1遮断信号生成手段は、前記警報信号の出力論理に応じてその動作可否が決定されるものであり、第2遮断信号生成手段は、第1遮断信号の出力論理に応じてその動作可否が決定されるものであることを特徴とする請求項2〜請求項4のいずれかに記載の温度保護回路。
- 請求項2〜請求項5のいずれかに記載の温度保護回路と;入力電圧から所定の出力電圧を生成する手段であって、前記抑制信号に応じてその出力電流が抑制され、前記遮断信号に応じてその駆動が遮断される電源回路と;を有して成ることを特徴とする電源装置。
- 請求項6に記載の電源装置と、前記電源装置の出力電圧を電源とするシステム回路と、を有して成る電子機器であって、前記システム回路は、前記警報信号に応じて、前記電源装置からの電源供給が遮断されるよりも先に、自身の駆動を遮断するものであることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005269499A JP2007082365A (ja) | 2005-09-16 | 2005-09-16 | 温度保護回路、電源装置、電子機器 |
US12/066,855 US7961446B2 (en) | 2005-09-16 | 2006-09-15 | Temperature protection circuit, power supply, and electronic device |
CN200680034081.0A CN101268596B (zh) | 2005-09-16 | 2006-09-15 | 温度保护电路、电源和电子设备 |
EP06810197A EP1933439A1 (en) | 2005-09-16 | 2006-09-15 | Temperature protection circuit, power supply, and electronic device |
PCT/JP2006/318405 WO2007032489A1 (ja) | 2005-09-16 | 2006-09-15 | 温度保護回路、電源装置、電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005269499A JP2007082365A (ja) | 2005-09-16 | 2005-09-16 | 温度保護回路、電源装置、電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007082365A true JP2007082365A (ja) | 2007-03-29 |
Family
ID=37865073
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005269499A Pending JP2007082365A (ja) | 2005-09-16 | 2005-09-16 | 温度保護回路、電源装置、電子機器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7961446B2 (ja) |
EP (1) | EP1933439A1 (ja) |
JP (1) | JP2007082365A (ja) |
CN (1) | CN101268596B (ja) |
WO (1) | WO2007032489A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009072384A1 (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-11 | Sanden Corporation | 電動圧縮機の制御方法 |
JP2010112745A (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-20 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
WO2016063495A1 (ja) * | 2014-10-22 | 2016-04-28 | 株式会社デンソー | 温度保護装置 |
JP2017010813A (ja) * | 2015-06-23 | 2017-01-12 | 三菱電機株式会社 | 電力供給システム |
US10236679B2 (en) | 2014-10-03 | 2019-03-19 | Seiko Epson Corporation | Circuit apparatus and electronic appliance |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080159352A1 (en) * | 2006-12-27 | 2008-07-03 | Dhananjay Adhikari | Temperature calculation based on non-uniform leakage power |
EP2248247A2 (en) | 2008-02-27 | 2010-11-10 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | A method of protection from over-temperature and corresponding arrangement |
US8197127B2 (en) * | 2008-09-08 | 2012-06-12 | Infineon Technologies Austria Ag | Ultra low current consumption comparator for thermal shutdown |
CN101431228B (zh) | 2008-12-18 | 2010-10-27 | 华为终端有限公司 | 一种热保护控制方法及系统 |
CN101662324B (zh) * | 2009-09-24 | 2012-12-19 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种保护单板的方法及装置 |
CN101997302B (zh) * | 2010-08-13 | 2014-03-19 | 乌云翔 | 大功率变流器的电力电子器件温度过高的保护方法 |
US9524928B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-12-20 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) package having control and driver circuits |
US9362215B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-06-07 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) semiconductor package with leadframe islands for multi-phase power inverter |
US8587101B2 (en) | 2010-12-13 | 2013-11-19 | International Rectifier Corporation | Multi-chip module (MCM) power quad flat no-lead (PQFN) semiconductor package utilizing a leadframe for electrical interconnections |
US9711437B2 (en) | 2010-12-13 | 2017-07-18 | Infineon Technologies Americas Corp. | Semiconductor package having multi-phase power inverter with internal temperature sensor |
US9620954B2 (en) * | 2010-12-13 | 2017-04-11 | Infineon Technologies Americas Corp. | Semiconductor package having an over-temperature protection circuit utilizing multiple temperature threshold values |
US9659845B2 (en) | 2010-12-13 | 2017-05-23 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) package in a single shunt inverter circuit |
US9443795B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-09-13 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power quad flat no-lead (PQFN) package having bootstrap diodes on a common integrated circuit (IC) |
US9449957B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-09-20 | Infineon Technologies Americas Corp. | Control and driver circuits on a power quad flat no-lead (PQFN) leadframe |
US9324646B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-04-26 | Infineon Technologies America Corp. | Open source power quad flat no-lead (PQFN) package |
US9355995B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-05-31 | Infineon Technologies Americas Corp. | Semiconductor packages utilizing leadframe panels with grooves in connecting bars |
DE102011001050B4 (de) * | 2011-03-03 | 2019-03-28 | Halla Visteon Climate Control Corporation 95 | Temperatur-Schutzschaltung für Versorgungsspannungs-Schaltkreise von elektrischen Einrichtungen |
US8947064B2 (en) | 2011-09-20 | 2015-02-03 | Infineon Technologies Austria Ag | System and method for driving an electronic switch dependent on temperature |
CN102393765B (zh) * | 2011-10-26 | 2013-09-18 | 迈普通信技术股份有限公司 | 温度保护设计方法、及温度保护测试方法 |
DE102012008999B3 (de) * | 2012-05-04 | 2013-10-10 | HKR Seuffer Automotive GmbH & Co. KG | Verfahren zur Steuerung einer Leistungszufuhr und Vorrichtung |
EP2779228B1 (en) * | 2013-03-13 | 2020-09-16 | Infineon Technologies Americas Corp. | Semiconductor package having an over-temperature protection circuit utilizing multiple temperature threshold values |
KR102039350B1 (ko) | 2013-05-03 | 2019-11-27 | 삼성전자주식회사 | 무선 전력 수신기에서 비정상 상태를 제어하기 위한 방법 |
JP6187093B2 (ja) * | 2013-09-26 | 2017-08-30 | 株式会社ジェイテクト | 電力変換装置 |
CN107271755B (zh) * | 2017-06-09 | 2020-02-18 | 合肥远见电力科技有限公司 | 一种管型母线智能检测系统 |
US11493967B2 (en) * | 2018-06-01 | 2022-11-08 | Interdigital Madison Patent Holdings, Sas | Thermal shutdown with hysteresis |
CN110289594B (zh) * | 2019-06-17 | 2021-08-03 | 深圳市波若波罗科技有限公司 | 一种电子设备的过热保护系统、方法及装置 |
CN110932241A (zh) * | 2019-11-21 | 2020-03-27 | 珠海格力电器股份有限公司 | 具有多路输出通道的芯片的过载保护方法、装置和电路 |
CN115373443B (zh) * | 2022-08-26 | 2024-04-05 | 深圳市广通远驰科技有限公司 | 温度控制方法、装置、电子设备及存储介质 |
CN118626317A (zh) * | 2024-08-12 | 2024-09-10 | 上海燧原智能科技有限公司 | 一种基于协处理器的智能卡过温自恢复方法及系统 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1093010A (ja) * | 1996-07-25 | 1998-04-10 | Konami Co Ltd | 半導体集積回路基板の過熱保護装置 |
JP2004127037A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Osaka Gas Co Ltd | 異常判定方法,復帰判定方法,および電子機器 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US587026A (en) | 1897-07-27 | Process of manufacturing filaments and mantles for incandescent gas-lighting | ||
JPS6412481A (en) | 1987-07-06 | 1989-01-17 | Hitachi Ltd | Forming/cutting method for flat type multicore cable and its device |
JPS6412481U (ja) * | 1987-07-10 | 1989-01-23 | ||
DE4207481A1 (de) | 1992-03-10 | 1993-09-16 | Bayer Ag | Liposomale wirkstoff-formulierungen und verfahren zu ihrer herstellung |
JPH0661414A (ja) | 1992-08-05 | 1994-03-04 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の温度異常検出回路 |
US5870267A (en) | 1996-07-25 | 1999-02-09 | Konami Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit device with overheating protector and method of protecting semiconductor integrated circuit against overheating |
JPH10117428A (ja) | 1996-10-14 | 1998-05-06 | Nishishiba Electric Co Ltd | 電力変換装置の冷却装置 |
FR2759504B1 (fr) * | 1997-02-10 | 1999-03-26 | Schneider Electric Sa | Relais et procede de protection |
US5943206A (en) * | 1997-08-19 | 1999-08-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Chip temperature protection using delay lines |
US6351360B1 (en) * | 1999-09-20 | 2002-02-26 | National Semiconductor Corporation | Apparatus for selective shutdown of devices of an integrated circuit in response to thermal fault detection |
US6222761B1 (en) * | 2000-07-17 | 2001-04-24 | Microchip Technology Incorporated | Method for minimizing program disturb in a memory cell |
JP4178904B2 (ja) | 2002-10-16 | 2008-11-12 | アンデン株式会社 | パワー素子の温度保護装置 |
JP3995043B2 (ja) | 2003-02-19 | 2007-10-24 | ローム株式会社 | 熱保護機能付き半導体集積回路 |
-
2005
- 2005-09-16 JP JP2005269499A patent/JP2007082365A/ja active Pending
-
2006
- 2006-09-15 US US12/066,855 patent/US7961446B2/en active Active
- 2006-09-15 CN CN200680034081.0A patent/CN101268596B/zh active Active
- 2006-09-15 WO PCT/JP2006/318405 patent/WO2007032489A1/ja active Application Filing
- 2006-09-15 EP EP06810197A patent/EP1933439A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1093010A (ja) * | 1996-07-25 | 1998-04-10 | Konami Co Ltd | 半導体集積回路基板の過熱保護装置 |
JP2004127037A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Osaka Gas Co Ltd | 異常判定方法,復帰判定方法,および電子機器 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009072384A1 (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-11 | Sanden Corporation | 電動圧縮機の制御方法 |
JP2009138521A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Sanden Corp | 電動圧縮機の制御方法 |
CN101883925A (zh) * | 2007-12-03 | 2010-11-10 | 三电有限公司 | 电动压缩机的控制方法 |
JP2010112745A (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-20 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
US10236679B2 (en) | 2014-10-03 | 2019-03-19 | Seiko Epson Corporation | Circuit apparatus and electronic appliance |
WO2016063495A1 (ja) * | 2014-10-22 | 2016-04-28 | 株式会社デンソー | 温度保護装置 |
JP2016086453A (ja) * | 2014-10-22 | 2016-05-19 | 株式会社デンソー | 温度保護装置 |
JP2017010813A (ja) * | 2015-06-23 | 2017-01-12 | 三菱電機株式会社 | 電力供給システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101268596B (zh) | 2010-12-01 |
EP1933439A1 (en) | 2008-06-18 |
US20090262468A1 (en) | 2009-10-22 |
WO2007032489A1 (ja) | 2007-03-22 |
CN101268596A (zh) | 2008-09-17 |
US7961446B2 (en) | 2011-06-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007082365A (ja) | 温度保護回路、電源装置、電子機器 | |
JP4827565B2 (ja) | 半導体装置および該半導体装置を組み込んだ電子機器 | |
US11217989B2 (en) | Drive device, power supply system, and method of testing drive device | |
JP6784918B2 (ja) | レギュレータ用半導体集積回路 | |
US20110058297A1 (en) | Semiconductor device and circuit protection method | |
JP6748935B2 (ja) | 電流センス付き半導体スイッチの保護回路 | |
JP2011061966A (ja) | ボルテージレギュレータ | |
JP4477607B2 (ja) | 内燃機関用点火装置 | |
KR20090113174A (ko) | 부하구동장치 | |
US5638246A (en) | Semiconductor device having a protection circuit, and electronic system including the same | |
JP4862527B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP7132197B2 (ja) | 保護回路、半導体装置及び方法 | |
JP2010161890A (ja) | 電源装置、電気機器、および、電源装置の制御方法 | |
JP2006230111A (ja) | Dc/dcコンバータ | |
JP2006237331A (ja) | 過温度検出回路及び過温度保護回路 | |
JP6738700B2 (ja) | 駆動回路、制御装置、および駆動回路の保護方法 | |
JP2001244411A (ja) | ドライバicモジュール | |
JP2006287209A (ja) | 熱保護回路及びこれを備えた半導体集積回路装置 | |
JP5293083B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2009156047A (ja) | 燃料ポンプ制御装置 | |
JP2007019728A (ja) | 電力供給制御装置 | |
JP2021169799A (ja) | 内燃機関の点火装置 | |
JP4651100B2 (ja) | 電力供給制御装置 | |
JP5157091B2 (ja) | 半導体保護回路装置 | |
JP2007329987A (ja) | 負荷異常検出回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080908 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111115 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120111 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120828 |