JP2007081322A - 化学機械研磨パッドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】化学機械研磨パッド用組成物をパッド概形に成型する工程、上記パッド概形を、フライスカッターの円形テーブル上に装着する工程、フライスカッターにより第2溝を形成する工程、および第1溝群を形成する工程を含む工程群、または化学機械研磨パッド用組成物を、第2溝群の形状に契合する凸部を有する金型を用いて第2溝群を有するパッド概形を成型する工程、および第1溝群を形成する工程を含む工程群のいずれかの工程群からなる化学機械研磨パッドの製造方法。
【選択図】なし
Description
従来、化学機械研磨では微細な気泡を含有するポリウレタンフォームを研磨パッドとして用い、この樹脂の表面に開口する穴(以下、「ポア」という)にスラリーを保持させて研磨が行われている。このとき、化学機械研磨用パッドの表面(研磨面)に溝を設けることにより研磨速度及び研磨結果が向上することが知られている(特許文献1、特許文献2および特許文献3参照)。
しかし、近年、半導体装置の高性能・小型化に伴い、配線の微細化・多積層化が進んでおり、化学機械研磨および化学機械研磨用パッドへの要求性能が高くなってきている。上記特許文献1においては詳細に化学研磨用パッドのデザインが記載されているが、研磨速度及び研磨後の被研磨面の状態は未だ満足できるものではない。特に、引っ掻き傷状の表面欠陥(以下、「スクラッチ」という。)が発生する場合があり、改善が望まれている。
本発明のさらに他の目的および利点は以下の説明から明らかになろう。
研磨面、それの裏面である非研磨面およびこれらの面を規定する側面を有する化学機械研磨パッドの製造方法であって、
研磨面はそれぞれ複数本の溝からなる少なくとも2つの溝群を有してなり、上記2つの溝群は、
(i)研磨面の中心部から周辺部へ向かう1本の仮想直線と交差する第1溝の複数本からなる第1の溝群、この複数本の第1溝同士は互いに交差することがない、および
(ii)研磨面の中心部から周辺部に向かう方向に伸びかつ上記第1溝群の第1溝と交差する第2溝の複数本からなる第2溝群、この複数本の第2溝同士は互いに交差することがない、
からなり、そして
少なくとも工程群(A)又は工程群(B)のいずれか一方を含むことを特徴とする、化学機械研磨パッドの製造方法(以下、「本発明の第1の方法」ということがある。)により与えられる。
(A1)化学機械研磨パッド用組成物を準備する工程、
(A2)化学機械研磨パッド用組成物をパッド概形に成型する工程、
(A3)上記パッド概形を、少なくとも、フライスカッターが装着されたフライス加工ユニット、角度割り出し位置決め可能な駆動機構および該駆動機構に軸承された円形テーブルとを有する切削加工装置の円形テーブル上に装着する工程、
(A4)フライスカッターにより上記第2溝を形成する工程、および
(A5)第1溝群を形成する工程。
(B1)化学機械研磨パッド用組成物を準備する工程、
(B2)化学機械研磨パッド用組成物を、上記第2溝群の形状に契合する凸部を有する金型を用いて第2溝群を有するパッド概形を成型する工程、および
(B3)第1溝群を形成する工程。
研磨面、それの裏面である非研磨面およびこれらの面を規定する側面を有する化学機械研磨パッドの製造方法であって、
研磨面は、1本の第1溝および複数本の第2溝群を有してなり、これら第1溝および第2溝群は
(i)研磨面の中心部から周辺部へ向かって次第に螺旋が拡大する1本の螺旋状溝である第1溝、および
(ii)研磨面の中心部から周辺部に向かう方向に伸びかつ上記螺旋状溝と交差する第2溝の複数本からなる第2溝群、この複数本の第2溝同士は互いに交差することがない、
からなり、そして
少なくとも工程群(A)又は工程群(B)のいずれか一方を含むことを特徴とする、化学機械研磨パッドの製造方法(以下、「本発明の第2の方法」ということがある。)によって与えられる。
(A1)化学機械研磨パッド用組成物を準備する工程、
(A2)化学機械研磨パッド用組成物をパッド概形に成型する工程、
(A3)上記パッド概形を、少なくとも、フライスカッターが装着されたフライス加工ユニット、角度割り出し位置決め可能な駆動機構および該駆動機構に軸承された円形テーブルとを有する切削加工装置の円形テーブル上に装着する工程、
(A4)フライスカッターにより上記第2溝を形成する工程、および
(A5)第1溝を形成する工程。
(B1)化学機械研磨パッド用組成物を準備する工程、
(B2)化学機械研磨パッド用組成物を、上記第2溝群の形状に契合する凸部を有する金型を用いて第2溝群を有するパッド概形を成型する工程、および
(B3)第1溝を形成する工程。
研磨面、それの裏面である非研磨面およびこれらの面を規定する側面を有し、研磨面はそれぞれ複数本の溝からなる少なくとも2つの溝群を有してなり、上記2つの溝群は、
(i)研磨面の中心部から周辺部へ向かう1本の仮想直線と交差する第1溝の複数本からなる第1の溝群、この複数本の第1溝同士は互いに交差することがない、および
(ii)研磨面の中心部から周辺部に向かう方向に伸びかつ上記第1溝群の第1溝と交差する第2溝の複数本からなる第2溝群、この複数本の第2溝同士は互いに交差することがない、
からなる化学機械研磨パッド(以下、「第1研磨パッド」ということがある。)である。
第1溝群における複数本の第1溝同士は交差することがない。
複数個の多角形からなるときにも、複数個の環からなる場合と同様である。
また、溝の幅方向すなわち溝方向に直角方向における断面形状は特に限定されない。例えば、平坦な側面と底面により形成された三面以上の多面形状、U字形状、V字形状等とすることができる。
同心に配置された、直径の異なる複数本の溝(環)の数は例えば20〜400本であることができ、また複数本の螺旋状溝の数は例えば2〜10本であることができる。
溝の断面形状すなわち溝をその法線方向に切断した場合の切断面の形状は特に限定されないが、例えば多角形状、U字形状等とすることができる。多角形としては、例えば三角形、四角形、五角形等を挙げることができる。
また、溝の幅と隣り合う溝の間の距離との和であるピッチは0.15mm以上であることが好ましく、より好ましくは0.15〜105mmであり、更に好ましくは0.5〜13mmであり、特に好ましくは0.5〜5.0mmであり、就中0.5〜2.2mmである。
なお、上記表面粗さ(Ra)は、下記式(1)により定義される。
Ra=Σ|Z−Zav|/N ・・・(1)
ただし、上記式において、Nは測定点数であり、Zは粗さ局面の高さであり、Zavは粗さ局面の平均高さである。
第2溝群の第2溝の数は、好ましくは4〜65本であり、更に好ましくは8〜48本である。
第2溝の好ましい溝幅及び溝の深さは、上記第1溝の幅及び溝の深さと同様である。また、第2溝の内面の表面粗さ(Ra)の好ましい範囲も、第1溝の内面の表面粗さ(Ra)の好ましい範囲と同様である。
これら第2溝群の複数第2溝は、化学機械研磨パッド面上で、できるだけ均等に配置されることが好ましい。
第1螺旋状溝の巻回数は例えば20〜400であることができる。360度でのひと巻きが巻回数1に相当する。
第1螺旋状溝は、例えば0.1mm以上の溝幅および0.1mm以上の溝深さを有しそして該第1螺旋状溝と、研磨面の中心部から周辺部へ向う1本の仮想直線との隣接する交差点間の距離のうち最小のものが0.05mm以上であることができる。
第2パッドについてここに特に記載のない事項は、第1研磨パッドについての記載事項がそのままあるいは当業者に自明の変更の下に、第2研磨パッドについても適用されると理解されるべきである。
例えば、円盤状外形を有するとき、対向する円形状上面および円形状下面がそれぞれ研磨面および非研磨面となる。
化学機械研磨パッドの大きさも特に限定されないが、例えば円盤状の化学機械研磨パッドの場合、直径150〜1200mm、特に500〜800mm、厚さ0.5〜5.0mm、特に厚さ1.0〜3.0mm、就中厚さ1.5〜3.0mmとすることができる。
なお、以下図1〜10において、第1溝の数はいずれも10本または巻き回数10回程度であるが、これらの図は概略図であり、第1溝の数または巻回数としては、パッド研磨面の直径と、上記したピッチとから算出される本数または巻回数が好ましいと理解されるべきである。また、図1〜7はいずれも円盤状のパッドを例としているが、その他の形状のパッドについても同様に理解されるべきである。
本発明の製造方法は少なくとも下記工程群(A)又は下記工程群(B)のいずれか一方を含むものである。
ここで、工程群(A)は少なくとも下記の工程(A1)ないし(A5)を含む。
(A1)化学機械研磨パッド用組成物を準備する工程、
(A2)化学機械研磨パッド用組成物をパッド概形に成型する工程、
(A3)上記パッド概形を、少なくとも、フライスカッターが装着されたフライス加工ユニット、角度割り出し位置決め可能な駆動機構および該駆動機構に軸承された円形テーブルとを有する切削加工装置の円形テーブル上に装着する工程、
(A4)フライスカッターにより上記第2溝を形成する工程、および
(A5)第1溝群を形成する工程。
また、工程群(B)は、少なくとも下記工程(B1)ないし(B3)を含む。
(B1)化学機械研磨パッド用組成物を準備する工程、
(B2)化学機械研磨パッド用組成物を、上記第2溝群の形状に契合する凸部を有する金型を用いて第2溝群を有するパッド概形を成型する工程、および
(B3)第1溝群を形成する工程。
(A1)化学機械研磨パッド用組成物を準備する工程
化学機械研磨パッド用組成物としては、例えば
(a)熱可塑性樹脂、エラストマー、ゴムおよび硬化性樹脂からなる群から選択される少なくとも1種及び(b)水溶性粒子を含有する化学機械研磨パッド用組成物(以下、「第1組成物」ということがある。)、ならびに(1)ポリオール、(2)ポリイソシアナート及び(3)発泡剤を含有する化学機械研磨パッド用組成物(以下、「第2組成物」ということがある。)等を挙げることができる。
第1組成物において、(a)成分として使用することができる熱可塑性樹脂としては、例えば1,2−ポリブタジエン樹脂、ポリエチレンの如きポリオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリル樹脂例えば(メタ)アクリレート系樹脂等、ビニルエステル樹脂(アクリル樹脂を除く)、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリフッ化ビニリデンの如きフッ素樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアセタール樹脂等を挙げることができる。
また、これらは、その一部又は全部が酸無水物基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、エポキシ基、アミノ基等により変性されたものであってもよい。
これらのうち、ゴム、硬化性樹脂、熱可塑性樹脂またはエラストマー等を用いることが好ましく、熱可塑性樹脂またはエラストマーがより好ましく、1,2−ポリブタジエンが更に好ましい。
これらは、その一部が架橋された架橋重合体であってもよい。架橋は、例えば有機過酸化物、硫黄、硫黄化合物等を用いた化学架橋、電子線照射等による放射線架橋などにより行うことができる。
上記多価アルコールとしては、例えばエチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ペンタエリスリトール等を挙げることができる。
(2)ポリイソシアナートとしては、例えば2,4‐トルイレンジイソシアネート、2,6‐トルイレンジイソシアネート、ポリフェニルポリメチレンポリイソチアネート等を挙げることができる。これらのポリイソシアナートは、その一部又は全部がカルボイミド、ウレタン、イソシアヌレート基等を有するものであっても良い。
(2)ポリイソシアナートの使用量は、(1)ポリオールの有する水酸基1当量に対して、イソシアネートの量として、好ましくは0.9〜1.4当量であり、より好ましくは0.95〜1.3当量である。
(3)発泡剤としては、水、フレオン等を挙げることができる。(3)発泡剤の使用量は、(1)ポリオール100質量部に対して、好ましくは4〜10質量部である。
第2組成物は、上記以外にも、整泡剤、その他の樹脂、難燃剤、界面活性剤等を含有していても良い。
上記のような化学機械研磨パッド用組成物を調製する方法は特に限定されないが、例えば所定の材料を混練機等により混練して得ることができる。混練機としては、例えばロール、ニーダー、バンバリーミキサー、押し出し機(単軸、多軸)等を挙げることができる。
(A2)化学機械研磨パッド用組成物をパッド概形に成型する工程
上記化学機械研磨パッド用組成物をパッド概形に成形するには、例えば所望のパッド概形と契合する形状を有する金型を用いて金型成型する方法、化学機械研磨用組成物をシート上に成型し、これを所望のパッド概形に打ち抜く方法等を挙げることができる。
(A3)上記パッド概形を、少なくとも、フライスカッターが装着されたフライス加工ユニット、角度割り出し位置決め可能な駆動機構および該駆動機構に軸承された円形テーブルとを有する切削加工装置の円形テーブル上に装着する工程
上記フライスカッターは、円盤状の基体の周端部に切削刃を多数有する回転刃ユニットである。各切削刃のすくい角は好ましくは−20〜40°であり、より好ましくは−5〜20°である。また、刃幅は0.2〜10mmであり、より好ましくは0.3〜3.0mmである。刃物角は好ましくは20〜110°であり、より好ましくは40〜70°である。図11はフライスカッターの一例である。
フライス加工ユニットは、パッド概形が装着された円形テーブル上のパッド面に対してX方向、Y方向およびZ方向に移動しうるので、フライスカッターによる切断加工を円滑に行うことができる。
上記角度割り出し位置決め可能な駆動機構は、サーボモータ、減速機およびベルトを備え、角度割り付けを行う円形テーブルに軸承されている。サーボモータ、減速機およびベルトにより円形テーブルの回転角度を割り付けることができるようになっている。
(A5)第1溝群を形成する工程は、第1溝群の形成を公知の切削機により形成することにより行うことができる。
なお、工程(A5)は、工程(A3)と(A4)の後で実施しても良いし、先に実施しても良い。
(B1)化学機械研磨パッド用組成物を準備する工程
工程(B1)における化学機械研磨パッド用組成物は、上記工程(A1)におけるのと同様である。
(B2)化学機械研磨パッド用組成物を、上記第2溝群の溝の形状に契合する凸部を有する金型を用いて第2溝群を有するパッド概形を成型する工程
図12は、化学機械研磨パッドの研磨面側を形成するための下型を示す概略図である。(a)は平面図、(b)はA−A断面図、(c)はB−B断面図および(d)はD−D断面図である。図12には、第2溝群の溝に契合する凸部の形状が、図12(c)に示されているように断面が矩形のものそして図12(b)および(d)に示されているように、凸部の端部(パッドの中心部およびパッドの周縁端部)がRを付けた形状のものが示されている。このような凸部の形状は、大きさ、数および配置等はそれぞれパッドの第2溝について前記した溝の断面形状、大きさ、数および配置等から理解される。また、凸部の端部の形状は、図示されたRを付けた形状の他に、直線状に高さが減ずる(三角形の斜辺のように)形状あるいは垂直に切りとった形状等であってもよい。
(B3)第1溝群を形成する工程
工程(B3)における化学機械研磨パッド用組成物は、上記工程(A5)におけるのと同様である。
上記の如き方法により製造された化学機械研磨パッドは、高い研磨速度で良好な被研磨面を得ることができ、かつ長い寿命を有する。
その場合の被研磨面、使用する化学機械研磨用水系分散体の種類は問わない。
なお、使用の際、上記化学機械研磨パッドの非研磨面上に支持層を備える多層型研磨パッドをしたうえで化学機械研磨に供してもよい。支持層は、化学機械研磨用パッドを研磨面の裏面上で支える層である。この支持層の特性は特に限定されないが、パッド本体(研磨層)に比べてより軟質であることが好ましい。パッド本体よりより軟質な支持層を備えることにより、パッド本体の厚さが薄い場合例えば、1.0mm以下であっても、研磨時にパッド本体が浮き上がることや、研磨層の表面が湾曲すること等を防止でき、安定して研磨を行うことができる。この支持層の硬度は、パッド本体の硬度の90%以下が好ましく、さらに好ましくは50〜90%であり、特に好ましくは50〜80%であり、就中50〜70%が好ましい。
(1)化学機械研磨パッドの製造
1,2−ポリブタジエン(JSR(株)製、商品名「JSR RB830」)80体積部(72質量部に相当)と、水溶性粒子であるβ−サイクロデキストリン((株)横浜国際バイオ研究所製、商品名「デキシパールβ−100」、平均粒径20μm)20体積部(28質量部に相当)とを160℃に調温されたルーダーにより混練した。その後、ジクミルパーオキシドとして「パークミルD40」(商品名、日本油脂(株)製、ジクミルパーオキシドを40質量%含有する。)1.0体積部(純ジクミルパーオキシドに換算して0.44質量部に相当)を配合して、120℃にて更に混練し、化学機械研磨パッド用組成物のペレットを得た。次いで、このペレットを金型内に仕込み、170℃で18分加熱し、架橋させて、直径600mm、厚さ2.5mmの円盤状の成形体(パッド概形)を得た。
上記で製造した化学機械研磨パッドを研磨装置((株)荏原製作所製、型式「EPO112」)の定盤上に装着し、化学機械研磨用スラリーとして3倍に希釈したCMS−1101(商品名、JSR(株)製)を使用し、以下の条件でパターンなしSiO2膜(PETEOS膜;テトラエチルオルトシリケート(TEOS)を原料として、促進条件としてプラズマを利用して化学気相成長で成膜したSiO2膜)を有するウェハ(直径8インチ)を研磨し、研磨速度及びスクラッチ数を評価した。その結果、研磨速度は、210nm/分であり、被研磨面にスクラッチは確認されなかった。
定盤の回転数;70rpm
ヘッドの回転数;63rpm
ヘッド押しつけ圧;4psi
スラリー供給量;200mL/分
研磨時間;2分
なお、上記研磨速度は光学式膜厚計により研磨前後の膜厚を測定し、これらの膜厚差から算出した。また、スクラッチは研磨後のSiO2膜ウェハの被研磨面をウェハ欠陥検査装置(ケーエルエー・テンコール社製、型式「KLA2351」)を使用して被研磨面の全面に生成したスクラッチの全数を測定した。
分子の両末端に2個の水酸基を有する数平均分子量650のポリテトラメチレングリコール(三菱化学(株)製、品名「PTMG650」)28.2質量部と4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(住化バイエルウレタン(株)製、品名「スミジュール44S」)21.7質量部を反応容器に仕込み、攪拌しながら90℃で3時間保温して反応させ、その後冷却して、両末端イソシアネートプレポリマーを得た。
この化学機械研磨パッド用組成物を直径60cm、厚さ3mmの金型に注入し、80℃で20分間保持してポリウレタンの重合を行い、更に110℃で5時間ポストキュアを行い、直径600mm、厚さ2.5mmの成形体(パッド概形)を成型した。
その後この成形体に実施例1と同様にして、第1溝群および第2溝群を形成し、化学機械研磨パッドを形成した。なお、ここで形成した溝群の、内面の表面粗さは、第1群の溝、第2群の溝とも3.0μmであった。
上記で作成した研磨パッドを使用した他は実施例1と同様にして研磨速度、スクラッチ数を評価した。その結果、研磨速度は231nm/分であり、スクラッチは確認されなかった。
実施例1において、パッド概形に第一群の溝を形成した後、第2溝群の溝として、パッドの中心から外周端に至る直線状の溝4本(それぞれの幅は1.0mmであり、深さは1.0mmである。)を、パッド研磨面の中心で互いに接し、隣接する直線溝となす角度はいずれも90°となるように、角度割り出し位置決め可能な駆動機構を備えた切削加工装置を用いて形成した。この4本の溝は図9において中心で接する4本の第2溝に相当する。なお、この際、フライスカッターは、一個を装着して使用した。更に、パッド中心から25mmの点から外周端に至る直線溝を、いずれも隣接する直線溝となす角度が11.25°となるように、28組の2本ペアの直線溝(各溝のピッチは2mmである。)を、上記と同じ切削加工装置を用いて形成した。この28組のペア溝は図9における28組のペア溝に相当する。なお、この際、フライスカッターは、ペア溝の形成のため、ピッチ(刃の中心間の距離)2mmで2個を装着して使用した。
ここで形成した溝群は図9に示した概略図に相当する。なお、内面の表面粗さは、第1群の溝、第2群の溝とも2.7μmであった。ここで製造した化学機械研磨パッドを使用した他は実施例1と同様にして研磨速度、スクラッチ数を評価した。その結果、研磨速度は233nm/分であり、スクラッチは確認されなかった。
1,2−ポリブタジエン(JSR(株)製、商品名「JSR RB830」)56体積部(48質量部に相当)と、ポリスチレン(エー・アンド・エンスチレン(株)製、商品名「GPPS HF55」)14体積部(12質量部に相当)と、水溶性粒子であるβ−サイクロデキストリン((株)横浜国際バイオ研究所製、商品名「デキシパールβ−100」、平均粒径20μm)30体積部(40質量部に相当)とを160℃に調温されたルーダーにより混練した。その後、ジクミルパーオキシド(日本油脂(株)製、商品名「パークミルD」)0.5体積部(0.56質量部に相当)を配合して、120℃にて更に混練し、化学機械研磨パッド用組成物のペレットを得た。次いで、このペレットを図12((a)平面図)に図示された、第2溝群と契合する凸部を有する金型内において180℃で10分加熱し、架橋させて、直径600mm、厚さ2.8mmの円盤状の成形体を得た。この成形体は、円盤の片面(研磨面となるべき面)に、第2群の溝として当該面の中心から外周端に至る直線状の溝4本(それぞれの幅は1.0mmであり、深さは1.4mmであり、当該面の中心で互いに接し、隣接する直線溝となす角度いずれも90°である。)および当該面の中心から25mmの点から外周端に至る28本の直線溝(それぞれの幅は1.0mmであり、深さは1.4mmであり、いずれも隣接する直線溝となす角度が11.25°である。)を有する。
ここで製造した化学機械研磨パッドを使用した他は実施例1と同様にして研磨速度、スクラッチ数を評価した。その結果、研磨速度は210nm/分であり、スクラッチは1個であった。
実施例1と同様にして実施例1と同じ大きさの円盤状の成形体(パッド概形)を作製し、研磨面側に加藤機械(株)製の切削加工機を用いて、幅が0.5mm、ピッチが2.0mm、深さが1.0mmの同心円状の溝(第1溝群の溝)のみを形成し、第2群の溝を形成しなかった以外は、実施例1と同様にして、化学機械研磨パッドを製造した。ここで形成した溝群の、内面の表面粗さは4.8μmであった。
この研磨パッドを用い、実施例1と同様にして研磨速度、スクラッチの有無を評価した。その結果、研磨速度は200nm/分であり、スクラッチは15個であった。
実施例1と同様にして実施例1と同じ大きさの円盤状の成形体(パッド概形)を作製し、研磨面側に第1溝群の同心円状の溝を形成せず、第2溝群の溝のみを形成した以外は実施例1に従い研磨パッドを製造した。ここで形成した溝群の、内面の表面粗さは4.5μmであった。
この研磨パッドを用い、実施例1と同様にして研磨速度、スクラッチの有無を評価した。その結果、研磨速度は120nm/分であり、スクラッチは25個であった。
実施例1と同様にして同じ大きさの円盤状の成形体を作製し、幅が1.0mm、ピッチが10.0mm、深さが1.0mmの格子状の溝を形成した以外は、実施例1と同様にして、化学機械研磨パッドを製造した。ここで形成した溝群の、内面の表面粗さは5.5μmであった。
なお、上記溝の形成は、実施例にて第2群の溝を形成したのと同じ研削機にて、フライスカッターをピッチ10mmで10枚装着し、まずフライスユニットをパッド面に対して相対移動しつつ一方向の平行溝を形成した後、パッドを90°回転させ、次いで同様にフライスユニットをパッド面に対して相対移動しつつ上記溝と直行する平行溝を形成して行った。
この研磨パッドを用い、実施例1と同様にして研磨速度、スクラッチの有無を評価した。その結果、研磨速度は150nm/分であり、スクラッチは50個であった。
2 2’、2’’直線溝
3 同心円溝
4 螺旋状溝
Claims (9)
- 研磨面、それの裏面である非研磨面およびこれらの面を規定する側面を有する化学機械研磨パッドの製造方法であって、
研磨面はそれぞれ複数本の溝からなる少なくとも2つの溝群を有してなり、上記2つの溝群は、
(i)研磨面の中心部から周辺部へ向かう1本の仮想直線と交差する第1溝の複数本からなる第1の溝群、この複数本の第1溝同士は互いに交差することがない、および
(ii)研磨面の中心部から周辺部に向かう方向に伸びかつ上記第1溝群の第1溝と交差する第2溝の複数本からなる第2溝群、この複数本の第2溝同士は互いに交差することがない、
からなり、そして
少なくとも下記工程群(A)又は工程群(B)のいずれか一方を含むことを特徴とする、化学機械研磨パッドの製造方法。
工程群(A)は少なくとも下記の工程(A1)ないし(A5)を含む。
(A1)化学機械研磨パッド用組成物を準備する工程、
(A2)化学機械研磨パッド用組成物をパッド概形に成型する工程、
(A3)上記パッド概形を、少なくとも、フライスカッターが装着されたフライス加工ユニット、角度割り出し位置決め可能な駆動機構および該駆動機構に軸承された円形テーブルとを有する切削加工装置の円形テーブル上に装着する工程
(A4)フライスカッターにより上記第2溝群を形成する工程、および
(A5)第1溝群を形成する工程。
工程群(B)は、少なくとも下記工程(B1)ないし(B3)を含む。
(B1)化学機械研磨パッド用組成物を準備する工程、
(B2)化学機械研磨パッド用組成物を、上記第2溝群の形状に契合する凸部を有する金型を用いて、第2溝群を有するパッド概形に成型する工程、および
(B3)第1溝群を形成する工程。 - 化学機械研磨パッドが円盤状外形を有し、対向する円形状上面および円形状下面がそれぞれ研磨面および非研磨面である、請求項1に記載の化学機械研磨パッドの製造方法。
- 化学機械研磨パッドの研磨面の有する複数本の第1溝が、同心に配置された、直径の異なる複数本の溝からなるか、あるいは複数本の螺旋状溝からなる、請求項1に記載の化学機械研磨パッドの製造方法。
- 化学機械研磨パッドの研磨面の有する複数本の第2溝が、研磨面の中心部から周辺部へ向かう直線状溝の複数本からなり、少なくともそのうちの1本の溝がパッドの側面に達している、請求項1に記載の化学機械研磨パッドの製造方法。
- 工程(A4)において使用するフライスカッターのすくい角が−20〜40°であり、刃物角が20〜110°である、請求項1乃至4のうちのいずれか1項に記載の化学機械研磨パッドの製造方法。
- 研磨面、それの裏面である非研磨面およびこれらの面を規定する側面を有する化学機械研磨パッドの製造方法であって、
研磨面は、1本の第1溝および複数本の第2溝群を有してなり、これら第1溝および第2溝群は
(i)研磨面の中心部から周辺部へ向かって次第に螺旋が拡大する1本の螺旋状溝である第1溝、および
(ii)研磨面の中心部から周辺部に向かう方向に伸びかつ上記螺旋状溝と交差する第2溝の複数本からなる第2溝群、この複数本の第2溝同士は互いに交差することがない、そして
からなり、
少なくとも工程群(A)又は工程群(B)のいずれか一方を含むことを特徴とする、化学機械研磨パッドの製造方法。
工程群(A)は少なくとも下記の工程(A1)ないし(A5)を含む。
(A1)化学機械研磨パッド用組成物を準備する工程、
(A2)化学機械研磨パッド用組成物をパッド概形に成型する工程、
(A3)上記パッド概形を、少なくとも、フライスカッターが装着されたフライス加工ユニット、角度割り出し位置決め可能な駆動機構および該駆動機構に軸承された円形テーブルとを有する切削加工装置の円形テーブル上に装着する工程、
(A4)フライスカッターにより上記第2溝群を形成する工程、および
(A5)第1溝を形成する工程。
工程群(B)は、少なくとも下記工程(B1)ないし(B3)を含む。
(B1)化学機械研磨パッド用組成物を準備する工程、
(B2)化学機械研磨パッド用組成物を、上記第2溝群の形状に契合する凸部を有する金型を用いて第2溝群を有するパッド概形を成型する工程、および
(B3)第1溝を形成する工程。 - 化学機械研磨パッドが円盤状外形を有し、対向する円形状上面および円形状下面がそれぞれ研磨面および非研磨面である、請求項6に記載の化学機械研磨パッドの製造方法。
- 化学機械研磨パッドの研磨面の有する複数本の第2溝が、研磨面の中心部から周辺部へ向かう直線状溝の複数本からなり、少なくともそのうちの1本の溝がパッドの側面に達している、請求項6に記載の化学機械研磨パッドの製造方法。
- 工程(A4)において使用するフライスカッターのすくい角が−20〜40°であり、刃物角が20〜110°である、請求項6乃至8のうちのいずれか1項に記載の化学機械研磨パッドの製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005270688A JP2007081322A (ja) | 2005-09-16 | 2005-09-16 | 化学機械研磨パッドの製造方法 |
DE602006006512T DE602006006512D1 (de) | 2005-09-16 | 2006-09-14 | Verfahren zur Herstellung eines Polierkissens zum chemisch-mechanischen Polieren |
EP06120638A EP1764189B1 (en) | 2005-09-16 | 2006-09-14 | Method of manufacturing chemical mechanical polishing pad |
US11/521,547 US7329174B2 (en) | 2004-05-20 | 2006-09-15 | Method of manufacturing chemical mechanical polishing pad |
CN2006101728577A CN1970232B (zh) | 2005-09-16 | 2006-09-15 | 制造化学机械抛光垫的方法及抛光垫 |
KR1020060089520A KR101248641B1 (ko) | 2005-09-16 | 2006-09-15 | 화학적 기계적 연마 패드의 제조 방법 |
TW095134332A TW200726573A (en) | 2005-09-16 | 2006-09-15 | Method of manufacturing chemical mechanical polishing pad |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005270688A JP2007081322A (ja) | 2005-09-16 | 2005-09-16 | 化学機械研磨パッドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007081322A true JP2007081322A (ja) | 2007-03-29 |
Family
ID=37591729
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005270688A Pending JP2007081322A (ja) | 2004-05-20 | 2005-09-16 | 化学機械研磨パッドの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1764189B1 (ja) |
JP (1) | JP2007081322A (ja) |
KR (1) | KR101248641B1 (ja) |
CN (1) | CN1970232B (ja) |
DE (1) | DE602006006512D1 (ja) |
TW (1) | TW200726573A (ja) |
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- 2006-09-14 EP EP06120638A patent/EP1764189B1/en not_active Ceased
- 2006-09-14 DE DE602006006512T patent/DE602006006512D1/de active Active
- 2006-09-15 TW TW095134332A patent/TW200726573A/zh unknown
- 2006-09-15 KR KR1020060089520A patent/KR101248641B1/ko not_active Expired - Fee Related
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---|---|
CN1970232A (zh) | 2007-05-30 |
CN1970232B (zh) | 2010-09-29 |
EP1764189B1 (en) | 2009-04-29 |
KR101248641B1 (ko) | 2013-03-28 |
TW200726573A (en) | 2007-07-16 |
DE602006006512D1 (de) | 2009-06-10 |
KR20070032236A (ko) | 2007-03-21 |
EP1764189A1 (en) | 2007-03-21 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110120 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A02 | Decision of refusal |
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