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JP2007059588A - Method of manufacturing wiring board, and wiring board - Google Patents

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JP2007059588A
JP2007059588A JP2005242506A JP2005242506A JP2007059588A JP 2007059588 A JP2007059588 A JP 2007059588A JP 2005242506 A JP2005242506 A JP 2005242506A JP 2005242506 A JP2005242506 A JP 2005242506A JP 2007059588 A JP2007059588 A JP 2007059588A
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solder
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solder resist
element connection
wiring board
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JP2005242506A
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Kenji Nakamura
憲志 中村
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Kyocera SLC Technologies Corp
Original Assignee
Kyocera SLC Technologies Corp
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Publication date
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    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a wiring board wherein an electrode terminal of electronic component and a solder bump are successfully bonded and thereby these elements can be connected stably with each other, and to provide the wiring board. <P>SOLUTION: The method comprises the steps of covering an insulating substrate 1 and an element connecting pad 3 with a first solder resist layer 4a including a first aperture 10a for exposing the central region of the upper surface of the element connecting pad 3, forming a solder bump 5 projected in its top area from the first solder resist layer 4a on the element connecting pad 3 exposed in the first aperture 10a, forming a flattened top surface 5a by pressing the top area, and covering the first solder resist layer 4a with a second solder resist layer 4b including a second aperture 10b for exposing the top surface 5a. The wiring board includes the top surface where the solder bump is flattened to the position lower than the upper surface of the solder resist layer. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板の製造方法および配線基板に関するものである。   The present invention relates to a method of manufacturing a wiring board used for mounting electronic components such as semiconductor elements and the wiring board.

近年、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板として、有機材料系の多層配線基板が多用されている。有機材料系の多層配線基板は、例えばガラス繊維基材に熱硬化性樹脂が含浸された絶縁板や、熱硬化性樹脂に無機絶縁フィラーが分散された絶縁層等の有機系絶縁材料が積層されて成る絶縁基板の内部および表面に、銅箔や銅めっき層等の導電材料から成る配線導体が配設されるとともに、前記絶縁基板の上面に半導体素子等の電子部品の電極端子と電気的に接続するための素子接続パッドが形成されて成る。   In recent years, organic material-based multilayer wiring boards have been widely used as wiring boards used for mounting electronic components such as semiconductor elements. Organic material-based multilayer wiring boards are laminated with organic insulating materials such as insulating plates in which a glass fiber substrate is impregnated with a thermosetting resin and insulating layers in which an inorganic insulating filler is dispersed in a thermosetting resin. A wiring conductor made of a conductive material such as a copper foil or a copper plating layer is disposed inside and on the surface of the insulating substrate, and electrically connected to an electrode terminal of an electronic component such as a semiconductor element on the upper surface of the insulating substrate. An element connection pad for connection is formed.

さらに、絶縁基板上および素子接続パッド上に、素子接続パッドの上面中央部を露出させる開口部を有するソルダーレジスト層が被着されているとともに、該ソルダーレジスト層の開口部内に露出した素子接続パッド上には、電子部品の電極端子と素子接続パッドとを電気的に接続するための半田バンプが形成されている。   Further, a solder resist layer having an opening for exposing the central portion of the upper surface of the element connection pad is deposited on the insulating substrate and the element connection pad, and the element connection pad exposed in the opening of the solder resist layer A solder bump for electrically connecting the electrode terminal of the electronic component and the element connection pad is formed on the top.

そして、電子部品を、その各電極端子がそれぞれ対応する半田バンプに当接するようにして配線基板の上面に載置し、これらを電気炉等の加熱装置で加熱して半田バンプを溶融させて、半田バンプと電子部品の電極端子とを接続させることによって、電子部品が配線基板上に実装される。   Then, the electronic component is placed on the upper surface of the wiring board so that each electrode terminal is in contact with the corresponding solder bump, and these are heated by a heating device such as an electric furnace to melt the solder bump, The electronic component is mounted on the wiring board by connecting the solder bump and the electrode terminal of the electronic component.

このような配線基板は、例えば次のようにして製作される。すなわち、まず内部および表面の少なくとも一方に複数の配線導体を有する絶縁基板の上面に、円形状の複数の素子接続パッドを形成するとともに、この絶縁基板および素子接続パッド上に、素子接続パッドの上面中央部を露出させる開口部を有するソルダーレジスト層を被着させる。次に、素子接続パッド上にフラックスおよび半田粉末から成る半田ペーストを従来周知のスクリーン印刷法により印刷塗布し、これを加熱して半田ペースト中の半田粉末を溶融させた後、溶融した半田を冷却固化させて素子接続パッド上に半田バンプを形成することによって製作される。このとき、半田バンプの表面は、溶融した半田の表面張力により球面状となる。   Such a wiring board is manufactured as follows, for example. That is, first, a plurality of circular element connection pads are formed on the upper surface of an insulating substrate having a plurality of wiring conductors inside and / or on the surface, and the upper surfaces of the element connection pads are formed on the insulating substrate and the element connection pads. A solder resist layer having an opening exposing the central portion is deposited. Next, a solder paste composed of flux and solder powder is printed on the element connection pads by a conventionally known screen printing method, and this is heated to melt the solder powder in the solder paste, and then the molten solder is cooled. It is manufactured by solidifying and forming solder bumps on the element connection pads. At this time, the surface of the solder bump becomes spherical due to the surface tension of the molten solder.

ここで、素子接続パッドに形成された半田バンプの表面が球面状のままでは、電子部品の電極端子と該半田バンプとの当接が不安定なものとなり、電子部品の電極端子と半田バンプとを接続することが困難となる。そこで、半田バンプの頂部をプレスにより平坦化し、平坦な頂面を有する半田バンプを形成するようになしている。   Here, if the surface of the solder bump formed on the element connection pad remains spherical, the contact between the electrode terminal of the electronic component and the solder bump becomes unstable, and the electrode terminal of the electronic component and the solder bump It becomes difficult to connect. Therefore, the top of the solder bump is flattened by pressing to form a solder bump having a flat top surface.

近時、高集積化が進むICやLSI等の半導体素子を搭載する半導体素子収納用パッケージや、各種電子部品を搭載する混成集積回路装置等に適用される配線基板においては、電子部品接続用の素子接続パッドの微細化および高密度配列化が要求されており、例えばソルダーレジスト層の開口部から露出する素子接続パッドの直径が70μm以下で配列間隔(パッド中心間の間隔)が120μm以下のものが出現するようになってきている。   Recently, in a semiconductor device housing package that mounts semiconductor devices such as ICs and LSIs that have been highly integrated, and in a wiring board that is applied to a hybrid integrated circuit device in which various electronic components are mounted, electronic component connection There is a demand for miniaturization and high density arrangement of element connection pads. For example, the diameter of the element connection pads exposed from the opening of the solder resist layer is 70 μm or less and the arrangement interval (interval between pad centers) is 120 μm or less. Has begun to appear.

図4(a)〜(c)は、微細化および高密度配列化された素子接続パッド上に形成される平坦な頂面を有する従来の半田バンプの形成方法を示す概略説明図である。まず、図4(a)に示すように、上面に微細化および高密度配列化された素子接続パッド30が形成され、かつ該素子接続パッド30の中央部を露出させる開口部41を有するソルダーレジスト層40が被着した配線基板100を準備する。   4A to 4C are schematic explanatory views showing a conventional method for forming a solder bump having a flat top surface formed on miniaturized and high-density arrayed element connection pads. First, as shown in FIG. 4A, a solder resist having an element connection pad 30 formed on the upper surface and miniaturized and densely arranged, and having an opening 41 exposing the central part of the element connection pad 30. A wiring substrate 100 to which the layer 40 is applied is prepared.

ついで、該配線基板100の素子接続パッド30上に半田粉末を含む半田ペーストを印刷する。ここで、隣接する素子接続パッド30間における半田ペーストの短絡を防止するためには、印刷する半田ペーストの量を少なくしなければならず、その結果、図4(b)に示すように、素子接続パッド30上に形成される半田バンプ50の高さが低いものとなってしまう。このような半田バンプ50は、その頂部がソルダーレジスト層40の上面から僅かに突出した状態となる。   Next, a solder paste containing solder powder is printed on the element connection pads 30 of the wiring board 100. Here, in order to prevent the solder paste from being short-circuited between the adjacent element connection pads 30, the amount of solder paste to be printed must be reduced. As a result, as shown in FIG. The height of the solder bump 50 formed on the connection pad 30 is low. Such a solder bump 50 is in a state where its top portion slightly protrudes from the upper surface of the solder resist layer 40.

ここで、前述の通り、半田バンプ50の頂部はプレスにより平坦化される。プレスは、一般に、平板状のプレス治具で前記頂部を平坦に押し潰す方法が採用されるが、ソルダーレジスト層40の上面から僅かに突出した半田バンプ50の頂部をプレスにより平坦化しても、図4(c)に示すように、僅かな面積の平坦化された頂面50aしか得られない。このため、電子部品の電極端子と該半田バンプ50とが良好に接触することができず、両者の接続が不安定になるという問題がある。   Here, as described above, the top of the solder bump 50 is flattened by pressing. In general, a method of flatly crushing the top portion with a flat plate pressing jig is used for pressing, but even if the top portion of the solder bump 50 slightly protruding from the upper surface of the solder resist layer 40 is flattened by pressing, As shown in FIG. 4C, only a flat top surface 50a having a small area can be obtained. For this reason, the electrode terminal of an electronic component and this solder bump 50 cannot contact favorably, but there exists a problem that both connection becomes unstable.

特許文献1には、配線基板の表面に形成した凹部に、第1の半田ペーストを充填し固化する工程と、前記固化によって収縮した第1の半田ペースト上の前記凹部の空間を、所定の融点を有する第2の半田ペーストで充填する工程とを含む半導体装置(電子部品)の実装方法が記載されている。この文献によると、接続部の半田形状を球形から信頼性の高い鼓型に形成することができると記載されている。   In Patent Document 1, a recess formed on the surface of a wiring board is filled with a first solder paste and solidified, and the space of the recess on the first solder paste shrunk by the solidification has a predetermined melting point. And a method of mounting a semiconductor device (electronic component) including a step of filling with a second solder paste having the following. According to this document, it is described that the solder shape of the connecting portion can be formed from a spherical shape to a highly reliable drum shape.

しかしながら、電子部品と該配線基板との接続において、リフロー温度を第2の半田ペーストの融点温度に調整する必要があり、また、液化した第2の半田ペーストが接着剤となることで実装している。このため、特許文献1に記載されている配線基板を用いても、必ずしも接続信頼性に優れた配線基板が得られていないのが現状である。
特開平7−273146号公報
However, when connecting the electronic component and the wiring board, it is necessary to adjust the reflow temperature to the melting point temperature of the second solder paste, and the liquefied second solder paste is used as an adhesive for mounting. Yes. For this reason, even if the wiring board described in Patent Document 1 is used, a wiring board having excellent connection reliability is not always obtained.
JP-A-7-273146

本発明はかかる従来の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、電子部品の電極端子と半田バンプとを良好に当接させることができ、それにより両者を安定して接続することが可能な配線基板の製造方法および配線基板を提供することにある。   The present invention has been completed in view of such conventional problems, and an object of the present invention is to satisfactorily contact the electrode terminals of the electronic component and the solder bumps, thereby stably connecting the two. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a wiring board and a wiring board that can be used.

本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、以下の構成からなる解決手段を見出し、本発明を完成するに至った。
(1)内部および表面の少なくとも一方に配線導体を有するとともに上面に素子接続パッドを有する絶縁基板を準備する工程と、前記絶縁基板上および前記素子接続パッド上に、該素子接続パッドの上面中央部を露出させる第一の開口部を有する第一のソルダーレジスト層を被着する工程と、前記第一の開口部内に露出する前記素子接続パッドの上に、頂部が前記第一のソルダーレジスト層から突出する半田バンプを形成する工程と、前記半田バンプの前記頂部をプレスして平坦化された頂面を有する半田バンプを形成する工程と、前記第一のソルダーレジスト層の上に前記頂面を露出させる第二の開口部を有する第二のソルダーレジスト層を被着する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventor has found a solution means having the following configuration, and has completed the present invention.
(1) a step of preparing an insulating substrate having a wiring conductor on the inside and at least one of its surfaces and having an element connection pad on the upper surface; and a central portion of the upper surface of the element connection pad on the insulating substrate and the element connection pad A step of depositing a first solder resist layer having a first opening exposing the top, and a top portion of the first solder resist layer on the element connection pad exposed in the first opening. A step of forming a protruding solder bump, a step of forming a solder bump having a flattened top surface by pressing the top portion of the solder bump, and the top surface on the first solder resist layer. And a step of depositing a second solder resist layer having a second opening to be exposed.

(2)内部および表面の少なくとも一方に配線導体を有する絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された素子接続パッドと、前記絶縁基板上および前記素子接続パッド上に、該素子接続パッドの上面中央部を露出させる開口部を有するように被着されたソルダーレジスト層と、前記開口部内に露出する前記素子接続パッド上に形成された半田バンプとを具備してなる配線基板であって、前記半田バンプは、前記ソルダーレジスト層の上面よりも低い位置に平坦化された頂面を有することを特徴とする配線基板。
(3)前記ソルダーレジスト層は、前記平坦化された頂面より低い上面を有する第一のソルダーレジスト層と、該第一のソルダーレジスト層の上に積層された第二のソルダーレジスト層とからなることを特徴とする前記(2)記載の配線基板。
(2) An insulating substrate having a wiring conductor on at least one of the inside and the surface thereof, an element connection pad formed on the insulating substrate, and the center of the upper surface of the element connection pad on the insulating substrate and the element connection pad A wiring board comprising: a solder resist layer deposited so as to have an opening exposing a portion; and a solder bump formed on the element connection pad exposed in the opening, The bump has a top surface flattened at a position lower than the upper surface of the solder resist layer.
(3) The solder resist layer includes a first solder resist layer having an upper surface lower than the flattened top surface, and a second solder resist layer laminated on the first solder resist layer. The wiring board as set forth in (2), wherein

前記(1)によれば、素子接続パッド上に形成される半田バンプの高さが低い場合であっても、十分な面積の平坦化された頂面を有する半田バンプを形成することができるので、半田バンプの頂面に十分な面積の平坦面を確保することができ、その結果、電子部品の電極端子と半田バンプとを良好に当接させることができ、それにより両者を安定して接続することが可能な配線基板を提供することができる。しかも、十分な厚みのソルダーレジスト層を形成することができる。   According to the above (1), even if the height of the solder bump formed on the element connection pad is low, it is possible to form a solder bump having a flattened top surface with a sufficient area. A flat surface with a sufficient area can be secured on the top surface of the solder bump, and as a result, the electrode terminal of the electronic component and the solder bump can be in good contact with each other, thereby stably connecting the two. A wiring board that can be provided can be provided. In addition, a solder resist layer having a sufficient thickness can be formed.

前記(2),(3)によれば、ソルダーレジスト層の開口部内に露出する素子接続パッド上に形成された半田バンプは、ソルダーレジスト層の上面よりも低い位置に平坦化された頂面を有することから、電子部品の電極端子を半田バンプに当接させる際において、電子部品の電極端子と平坦な頂面を有する半田バンプとを良好に当接させることができるとともに、電子部品の電極端子を凹部となった前記開口部内に容易に位置決めすることができ、それにより電子部品の電極端子と半田バンプとを安定して接続することができる。   According to the above (2) and (3), the solder bump formed on the element connection pad exposed in the opening of the solder resist layer has the top surface flattened at a position lower than the upper surface of the solder resist layer. Therefore, when the electrode terminal of the electronic component is brought into contact with the solder bump, the electrode terminal of the electronic component and the solder bump having a flat top surface can be satisfactorily brought into contact, and the electrode terminal of the electronic component Can be easily positioned in the opening that is a recess, whereby the electrode terminal of the electronic component and the solder bump can be stably connected.

<配線基板の製造方法>
以下、本発明にかかる配線基板の製造方法の一実施形態について図面を参照して詳細に説明する。図1は、本実施形態にかかる配線基板および該配線基板に接続される電子部品を示す概略断面図である。同図に示すように、この配線基板は、上面から下面にかけて配線導体2が配設された絶縁基板1と、該絶縁基板1の上面に配設された素子接続パッド3と、該素子接続パッド3上に形成された半田バンプ5とを備え、さらに、その最表面には保護用のソルダーレジスト層4が披着されており、主にこれらで半導体素子等の電子部品20を搭載するための本実施形態にかかる配線基板(以下、単に配線基板ともいう)が構成される。
<Manufacturing method of wiring board>
Hereinafter, an embodiment of a method for manufacturing a wiring board according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a wiring board according to the present embodiment and electronic components connected to the wiring board. As shown in the figure, this wiring board includes an insulating substrate 1 in which wiring conductors 2 are disposed from the upper surface to the lower surface, an element connection pad 3 disposed on the upper surface of the insulating substrate 1, and the element connection pad. 3 and a protective solder resist layer 4 is displayed on the outermost surface thereof, mainly for mounting an electronic component 20 such as a semiconductor element. A wiring board according to the present embodiment (hereinafter also simply referred to as a wiring board) is configured.

絶縁基板1は、例えばガラス繊維を縦横に織り込んだガラス織物に、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成る絶縁板1aの上下面に、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂に酸化珪素粉末等の無機絶縁物フィラーを分散させた電気絶縁材料から成る絶縁層1bをそれぞれ複数層ずつ積層して成り、その内部および表面には、銅箔や銅めっき等の導電材料から成る配線導体2が配設されている。   The insulating substrate 1 is made of, for example, an epoxy resin or an epoxy resin on the upper and lower surfaces of an insulating plate 1a made of an electrically insulating material obtained by impregnating a glass fabric in which glass fibers are woven vertically and horizontally with a thermosetting resin such as epoxy resin or bismaleimide triazine resin. A plurality of insulating layers 1b each made of an electrically insulating material in which an inorganic insulating filler such as silicon oxide powder is dispersed in a thermosetting resin such as a bismaleimide triazine resin are laminated. A wiring conductor 2 made of a conductive material such as foil or copper plating is disposed.

絶縁板1aは、その上面から下面にかけて直径が0.1〜1.0mm程度の複数のスルーホール6を有する厚みが0.3〜1.5mm程度の略四角平板であり、その上下面および各スルーホール6の内面には、配線導体2が被着されている。また、各スルーホール6の内部には、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る埋め込み樹脂7が充填されており、埋め込み樹脂7の上下端面上にも、配線導体2が被着されている。   The insulating plate 1a is a substantially rectangular flat plate having a thickness of about 0.3 to 1.5 mm and having a plurality of through holes 6 having a diameter of about 0.1 to 1.0 mm from the upper surface to the lower surface. A wiring conductor 2 is attached to the inner surface of the through hole 6. Each through hole 6 is filled with an embedded resin 7 made of a thermosetting resin such as an epoxy resin or a bismaleimide triazine resin, and the wiring conductor 2 is covered on the upper and lower end surfaces of the embedded resin 7. It is worn.

この絶縁板1aは、配線基板のコア部材として機能し、ガラス織物に未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させたシートを作製して熱硬化性樹脂を熱硬化させた後、これに上下面間にわたるスルーホール6をドリル加工で形成することにより製作される。   The insulating plate 1a functions as a core member of the wiring board. After a sheet in which a glass fabric is impregnated with an uncured thermosetting resin is prepared and the thermosetting resin is thermoset, the insulating plate 1a is formed between the upper and lower surfaces. The through-hole 6 is formed by drilling.

また、絶縁板1aの上下面の配線導体2は、絶縁板1a用のシートの上下面に厚みが3〜50μm程度の銅箔を予め貼着しておき、この銅箔をエッチング加工することにより形成される。スルーホール6内面や埋め込み樹脂7端面の配線導体2は、スルーホール6の内面や埋め込み樹脂7の端面に無電解めっき法および電解めっき法により厚みが3〜50μm程度の銅めっき層を被着することにより形成される。   Further, the wiring conductors 2 on the upper and lower surfaces of the insulating plate 1a are obtained by pasting a copper foil having a thickness of about 3 to 50 μm on the upper and lower surfaces of the sheet for the insulating plate 1a in advance and etching the copper foil. It is formed. The wiring conductor 2 on the inner surface of the through hole 6 and the end surface of the embedded resin 7 is coated with a copper plating layer having a thickness of about 3 to 50 μm on the inner surface of the through hole 6 and the end surface of the embedded resin 7 by electroless plating and electrolytic plating. Is formed.

さらに、絶縁板1aのスルーホール6の内部に充填された埋め込み樹脂7は、未硬化のペースト状の熱硬化性樹脂を銅めっき層が被着されたスルーホール6内にスクリーン印刷法により充填し、これを熱硬化させた後、その上下端面を平坦に研磨することにより形成される。   Further, the embedded resin 7 filled in the through hole 6 of the insulating plate 1a is filled with an uncured paste-like thermosetting resin into the through hole 6 to which the copper plating layer is applied by screen printing. After the thermosetting, the upper and lower end surfaces are polished flat.

絶縁板1aの上下面に積層された絶縁層1bは、それぞれの厚みが20〜60μm程度であり、各絶縁層1bの上下面間にわたって直径30〜100μm程度の複数のビアホール8が形成されており、これらの各絶縁層1bの表面およびビアホール8内には、銅めっきから成る配線導体2が被着形成されている。これらの絶縁層1bは、配線導体2を高密度に配線するための絶縁間隔を形成するためのものである。そして、絶縁層1bの上層側の配線導体2と下層側の配線導体2とを、ビアホール8内の配線導体2を介して電気的に接続することにより、高密度配線を立体的に形成可能としている。   The insulating layer 1b laminated on the upper and lower surfaces of the insulating plate 1a has a thickness of about 20 to 60 μm, and a plurality of via holes 8 having a diameter of about 30 to 100 μm are formed between the upper and lower surfaces of each insulating layer 1b. A wiring conductor 2 made of copper plating is deposited on the surface of each insulating layer 1b and the via hole 8. These insulating layers 1b are for forming insulating intervals for wiring the wiring conductors 2 with high density. Then, by electrically connecting the wiring conductor 2 on the upper layer side and the wiring conductor 2 on the lower layer side of the insulating layer 1b through the wiring conductor 2 in the via hole 8, a high-density wiring can be formed in three dimensions. Yes.

この絶縁層1bは、厚みが20〜60μm程度の未硬化の熱硬化性樹脂フィルムを配線導体2が形成された絶縁板1aの上下面に貼着し、これを熱硬化させるとともにレーザ加工によりビアホール8を穿孔し、さらにその上に次の絶縁層1bを同様にして順次積層することによって形成される。なお、各絶縁層1bの表面およびビアホール8内に被着された配線導体2は、各絶縁層1bを形成する毎に各絶縁層1bの表面およびビアホール8内に5〜50μm程度の厚みの銅めっきを公知のセミアディティブ法やサブトラクティブ法等のパターン形成法により所定のパターンに被着させることによって形成される。   The insulating layer 1b is formed by attaching an uncured thermosetting resin film having a thickness of about 20 to 60 μm to the upper and lower surfaces of the insulating plate 1a on which the wiring conductor 2 is formed, and thermally curing the film and via-hole processing by laser processing. 8 is perforated and the next insulating layer 1b is sequentially laminated thereon in the same manner. The wiring conductor 2 deposited in the surface of each insulating layer 1b and in the via hole 8 is made of copper having a thickness of about 5 to 50 μm in the surface of each insulating layer 1b and in the via hole 8 every time each insulating layer 1b is formed. It is formed by depositing the plating on a predetermined pattern by a pattern forming method such as a known semi-additive method or subtractive method.

また、絶縁基板1の上下面間にわたって形成された配線導体2は、電子部品20の各電極端子21を外部電気回路基板の配線導体等に接続するための導電路として機能し、絶縁基板1の上面にある配線導体2の一部が、電子部品20の各電極端子21に半田バンプ5を介して電気的に接続される素子接続パッド3に接続されている。また、絶縁基板1の下面に露出した配線導体2の一部が、外部電気回路基板の配線導体等に電気的に接続される外部接続パッド9に接続されている。   Further, the wiring conductor 2 formed between the upper and lower surfaces of the insulating substrate 1 functions as a conductive path for connecting each electrode terminal 21 of the electronic component 20 to the wiring conductor of the external electric circuit board. A part of the wiring conductor 2 on the upper surface is connected to the element connection pad 3 that is electrically connected to each electrode terminal 21 of the electronic component 20 via the solder bump 5. Further, a part of the wiring conductor 2 exposed on the lower surface of the insulating substrate 1 is connected to the external connection pad 9 that is electrically connected to the wiring conductor or the like of the external electric circuit board.

素子接続パッド3や外部接続パッド9は、配線導体2に接続された導体層から成る略円形のパターンであり、その外周部がソルダーレジスト層4により15〜35μm程度の幅で被覆されることにより、露出する直径が、素子接続パッド3であれば50〜200μm程度、外部接続パッド9であれば0.5〜2.5mm程度になるように形成されている。このように、素子接続パッド3や外部接続パッド9の外周部をソルダーレジスト層4により被覆することによって、素子接続パッド3同士や外部接続パッド9同士間の電気的な絶縁信頼性が高まるとともに、素子接続パッド3や外部接続パッド9の絶縁基板1に対する被着強度を高くすることができる。   The element connection pad 3 and the external connection pad 9 are substantially circular patterns made of a conductor layer connected to the wiring conductor 2, and the outer peripheral portion thereof is covered with a solder resist layer 4 with a width of about 15 to 35 μm. The exposed diameter is about 50 to 200 μm for the element connection pad 3 and about 0.5 to 2.5 mm for the external connection pad 9. Thus, by covering the outer periphery of the element connection pads 3 and the external connection pads 9 with the solder resist layer 4, the electrical insulation reliability between the element connection pads 3 and the external connection pads 9 is increased, The adhesion strength of the element connection pads 3 and the external connection pads 9 to the insulating substrate 1 can be increased.

最表層の絶縁層1b上には、素子接続パッド3や外部接続パッド9の中央部を露出させる開口部10,11を有するソルダーレジスト層4が被着されている。ソルダーレジスト層4は、例えば耐半田性を有する(半田の融点では変形やクラック等を生じない)アクリル変性エポキシ樹脂にシリカやタルク等の無機物粉末フィラーを30〜70質量%程度分散させた絶縁材料から成り、素子接続パッド3同士や外部接続パッド9同士間の電気的絶縁信頼性を高めるとともに、素子接続パッド3や外部接続パッド9の絶縁基板1への被着強度を大きなものとする作用をなす。   On the outermost insulating layer 1b, a solder resist layer 4 having openings 10 and 11 exposing the central portions of the element connection pads 3 and the external connection pads 9 is deposited. The solder resist layer 4 is, for example, an insulating material in which about 30 to 70% by mass of an inorganic powder filler such as silica or talc is dispersed in an acrylic-modified epoxy resin having solder resistance (which does not cause deformation or cracking at the melting point of the solder). The electrical insulation reliability between the element connection pads 3 and the external connection pads 9 is increased, and the adhesion strength of the element connection pads 3 and the external connection pads 9 to the insulating substrate 1 is increased. Eggplant.

また、素子接続パッド3には、半田バンプ5が接続されている。半田バンプ5は、錫63−鉛37共晶半田や、錫96.5−銀3.5共晶半田、錫96−銀3.5−銅0.5非共晶半田等の低融点半田から成り、素子接続パッド3と電子部品20の電極端子21とを電気的および機械的に接続する接続材として機能する。そして、電子部品20の各電極端子21がそれぞれ対応する半田バンプ5に当接するようにして絶縁基板1上に電子部品20を載置し、これらを電気炉などの加熱装置で加熱して半田バンプ5を溶融させた後に冷却固化させることにより半田バンプ5と電子部品20の電極端子21とが接続される。   In addition, solder bumps 5 are connected to the element connection pads 3. The solder bump 5 is made of a low melting point solder such as tin 63-lead 37 eutectic solder, tin 96.5-silver 3.5 eutectic solder, tin 96-silver 3.5-copper 0.5 non-eutectic solder. It functions as a connecting material that electrically and mechanically connects the element connection pad 3 and the electrode terminal 21 of the electronic component 20. Then, the electronic component 20 is placed on the insulating substrate 1 so that each electrode terminal 21 of the electronic component 20 is in contact with the corresponding solder bump 5, and these are heated by a heating device such as an electric furnace to be solder bumps. The solder bumps 5 are connected to the electrode terminals 21 of the electronic component 20 by cooling and solidifying after melting 5.

ここで、半田バンプは、その頂部がプレスされて平坦化された頂面を有するが、本発明方法では,前記ソルダーレジスト層4を第一および第二のソルダーレジスト層4a,4bで構成するとともに、これらのソルダーレジスト層4a,4bを用いて平坦化された頂面を有する半田バンプを形成するので、素子接続パッド3上に形成される半田バンプの高さが低い場合でも、十分な面積の平坦化された頂面を有する半田バンプ5を形成することができる。このような半田バンプ5は、例えば図2のようにして形成することができる。   Here, the solder bump has a top surface whose top is pressed and flattened. In the method of the present invention, the solder resist layer 4 is composed of the first and second solder resist layers 4a and 4b. Since the solder bumps having a flattened top surface are formed using these solder resist layers 4a and 4b, a sufficient area can be obtained even when the height of the solder bumps formed on the element connection pads 3 is low. A solder bump 5 having a flattened top surface can be formed. Such solder bumps 5 can be formed, for example, as shown in FIG.

図2(a)〜(e)は、本実施形態にかかる平坦化された頂面を有する半田バンプの形成方法を示す要部拡大断面図である。なお、図2(a)〜(e)においては、図1に示す絶縁基板1のうち、絶縁層1bの一部しか図示していない。   2A to 2E are enlarged cross-sectional views of main parts showing a method for forming a solder bump having a flattened top surface according to the present embodiment. 2A to 2E, only a part of the insulating layer 1b is shown in the insulating substrate 1 shown in FIG.

先ず、図2(a)に示すように、内部および表面の少なくとも一方に配線導体2を有するとともに、上面に素子接続パッド3が形成された絶縁基板1を準備する。該絶縁基板1は、上述したように、例えばガラス繊維を縦横に織り込んだガラス織物にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る板状の絶縁板1aの上下面にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁層1bをそれぞれ複数層ずつ積層したものであり、その上面から下面にかけて銅箔や銅めっき膜から成る配線導体2が形成されている。また、パッド3は、配線導体2の一部として例えばセミアディティブ法により円形のパターンに形成される。   First, as shown in FIG. 2A, an insulating substrate 1 having a wiring conductor 2 on at least one of the inside and the surface and having an element connection pad 3 formed on the upper surface is prepared. As described above, the insulating substrate 1 is formed on the upper and lower surfaces of a plate-like insulating plate 1a formed by impregnating a glass fabric in which glass fibers are woven vertically and horizontally with a thermosetting resin such as epoxy resin or bismaleimide triazine resin. A plurality of insulating layers 1b made of a thermosetting resin such as an epoxy resin or a bismaleimide triazine resin are laminated, and a wiring conductor 2 made of a copper foil or a copper plating film is formed from the upper surface to the lower surface. . The pad 3 is formed as a part of the wiring conductor 2 in a circular pattern by a semi-additive method, for example.

次に、図2(b)に示すように、絶縁基板1および素子接続パッド3の上に、素子接続パッド3の上面中央部を露出させる第一の開口部10aを有する厚みが5〜15μm程度の第一のソルダーレジスト層4aを被着する。第一のソルダーレジスト層4aは、絶縁基板1および素子接続パッド3上に第一のソルダーレジスト層4a用の感光性樹脂層を被着させた後、これをフォトリソグラフィ技術により第一の開口部10aを有するように露光および現像し、最後に紫外線硬化および熱硬化させることにより形成される。   Next, as shown in FIG. 2B, the thickness having the first opening 10 a that exposes the center of the upper surface of the element connection pad 3 on the insulating substrate 1 and the element connection pad 3 is about 5 to 15 μm. The first solder resist layer 4a is applied. The first solder resist layer 4a is formed by depositing a photosensitive resin layer for the first solder resist layer 4a on the insulating substrate 1 and the element connection pad 3 and then applying the first opening portion by photolithography. It is formed by exposure and development so as to have 10a, and finally UV curing and heat curing.

第一のソルダーレジスト層4a用の感光性樹脂層は、感光性樹脂ペーストを絶縁基板1および素子接続パッド3上にスクリーン印刷法等により塗布した後に乾燥させるか、あるいは感光性樹脂フィルムを絶縁基板1および素子接続パッド3上に貼着することにより被着させる。   The photosensitive resin layer for the first solder resist layer 4a is formed by applying a photosensitive resin paste on the insulating substrate 1 and the element connection pad 3 by a screen printing method or the like, or drying the photosensitive resin layer. It adheres by sticking on 1 and the element connection pad 3. FIG.

次に、図2(c)に示すように、第一の開口部10a内に露出する素子接続パッド3の上に、頂部が第一のソルダーレジスト層4aの上面から突出する半球状の半田バンプ5を形成する。このような半田バンプ5は、第一の開口部10a内に露出した素子接続パッド3上に、半田およびフラックスを含有する半田ペーストをスクリーン印刷法等により印刷し、次にそれを加熱することにより半田を溶融し、半田の表面張力で半球状とした後、冷却固化して形成される。   Next, as shown in FIG. 2C, a hemispherical solder bump whose top portion protrudes from the upper surface of the first solder resist layer 4a on the element connection pad 3 exposed in the first opening 10a. 5 is formed. Such a solder bump 5 is obtained by printing a solder paste containing solder and flux on the element connection pad 3 exposed in the first opening 10a by screen printing or the like and then heating it. It is formed by melting the solder, making it hemispherical with the surface tension of the solder, and then solidifying by cooling.

このとき、第一のソルダーレジスト層4aの厚みが5〜15μm程度と薄いことから、素子接続パッド3上に印刷される半田ペーストの量が少なくても、頂部が第一のソルダーレジスト層4aの上面から十分な高さで突出する半球状の半田バンプ5を形成することができる。なお、半田ペースト中の半田としては、錫63−鉛37共晶半田や、錫96.5−銀3.5共晶半田、錫96−銀3.5−銅0.5非共晶半田等の低融点半田から成る粒径が3〜25μm程度の球状の半田が好適に使用される。   At this time, since the thickness of the first solder resist layer 4a is as thin as about 5 to 15 μm, even if the amount of the solder paste printed on the element connection pad 3 is small, the top portion is the first solder resist layer 4a. A hemispherical solder bump 5 protruding from the upper surface with a sufficient height can be formed. As solder in the solder paste, tin 63-lead 37 eutectic solder, tin 96.5-silver 3.5 eutectic solder, tin 96-silver 3.5-copper 0.5 non-eutectic solder, etc. A spherical solder having a particle diameter of about 3 to 25 μm and made of a low melting point solder is preferably used.

次に、図2(d)に示すように、第一のソルダーレジスト層4aの上面から突出した半球状の半田バンプ5の頂部をプレスして、平坦化された頂面5aを有する半田バンプ5を形成する。半田バンプ5の頂部をプレスするには、ステンレスやセラミックス等の硬質材料からなる平板状のプレス治具を半田バンプ5の上に油圧や空気圧等を利用して押し付け、該プレス治具によって半田バンプ5の頂部を平坦に押し潰す方法が採用される。このとき、半田バンプ5の頂部は第一のソルダーレジスト層4aの上面から十分な高さで突出しているので、プレスにより広い面積の平坦な頂面5aを形成することができる。   Next, as shown in FIG. 2D, the top of the hemispherical solder bump 5 protruding from the upper surface of the first solder resist layer 4a is pressed, and the solder bump 5 having a flattened top surface 5a. Form. In order to press the top of the solder bump 5, a flat press jig made of a hard material such as stainless steel or ceramics is pressed onto the solder bump 5 using hydraulic pressure or air pressure, and the solder bump is pressed by the press jig. A method of flatly crushing the top of 5 is adopted. At this time, since the top of the solder bump 5 protrudes from the upper surface of the first solder resist layer 4a with a sufficient height, a flat top surface 5a having a large area can be formed by pressing.

次に、図2(e)に示すように、第一のソルダーレジスト層4aの上に、半田バンプ5の平坦化された頂面5aを露出させる第二の開口部10bを有する第二のソルダーレジスト層4bを、その上面が半田バンプ5の頂面5aよりも高くなる厚みに被着する。このように、第二のソルダーレジスト層4bを、その上面が半田バンプ5の頂面5aよりも高くなる厚みに被着することにより、第二の開口部10b内が半田バンプ5の頂面5aを底面とする凹部となり、この凹部内に電子部品20の電極端子21を容易に位置決めすることができる。   Next, as shown in FIG. 2E, a second solder having a second opening 10b for exposing the flattened top surface 5a of the solder bump 5 on the first solder resist layer 4a. The resist layer 4b is deposited to a thickness such that the upper surface thereof is higher than the top surface 5a of the solder bump 5. In this way, the second solder resist layer 4b is applied to a thickness such that the upper surface of the second solder resist layer 4b is higher than the top surface 5a of the solder bump 5, so that the inside of the second opening 10b is within the top surface 5a of the solder bump 5. The electrode terminal 21 of the electronic component 20 can be easily positioned in the recess.

また、第二の開口部10b内に露出する半田バンプ5の頂面は、プレスにより平坦化され十分な面積を有しているので、電子部品20の電極端子21と半田バンプ5とを良好に当接させることができる。さらに、第二のソルダーレジスト層4bによりソルダーレジスト層4の厚みを十分なものとすることができ、第一のソルダーレジスト層4aと第二のソルダーレジスト層4bとから成るソルダーレジスト層4により、素子接続パッド3同士の電気的な絶縁信頼性を良好なものとすることができるとともに、素子接続パッド3の被着強度を高めることができる。   Moreover, since the top surface of the solder bump 5 exposed in the second opening 10b is flattened by pressing and has a sufficient area, the electrode terminals 21 and the solder bumps 5 of the electronic component 20 are satisfactorily connected. It can be made to contact. Furthermore, the thickness of the solder resist layer 4 can be made sufficient by the second solder resist layer 4b, and by the solder resist layer 4 composed of the first solder resist layer 4a and the second solder resist layer 4b, The electrical insulation reliability between the element connection pads 3 can be improved, and the adhesion strength of the element connection pads 3 can be increased.

<配線基板>
次に、本発明にかかる配線基板について図面を参照して詳細に説明する。図3は、本発明にかかる配線基板の要部を示す要部拡大断面図である。なお、図3においては、前述した図1および図2の構成と同一または同等な部分には同一の符号を付して説明は省略する。
<Wiring board>
Next, the wiring board according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of the wiring board according to the present invention. In FIG. 3, the same or equivalent parts as those in FIGS. 1 and 2 described above are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

図3に示すように、本発明の配線基板における半田バンプ5は、ソルダーレジスト層4の上面よりも低い位置に平坦化された頂面5aを有している。このように、半田バンプ5がソルダーレジスト層4の上面よりも低い位置に平坦化された頂面5aを有していることから、電子部品20の電極端子21を半田バンプ5に当接させる際には、電子部品20の電極端子21と平坦な頂面5aを有する半田バンプ5とを良好に当接させることができるとともに、電子部品20の電極端子21を凹部となった開口部10内に容易に位置決めすることができ、それにより電子部品20の電極端子21と半田バンプ5とを安定して接続することができる。   As shown in FIG. 3, the solder bump 5 in the wiring board of the present invention has a top surface 5 a that is flattened at a position lower than the upper surface of the solder resist layer 4. As described above, since the solder bump 5 has the flattened top surface 5 a at a position lower than the upper surface of the solder resist layer 4, the electrode terminal 21 of the electronic component 20 is brought into contact with the solder bump 5. The electrode terminal 21 of the electronic component 20 and the solder bump 5 having the flat top surface 5a can be satisfactorily brought into contact with each other, and the electrode terminal 21 of the electronic component 20 is placed in the opening 10 which is a recess. Positioning can be performed easily, whereby the electrode terminal 21 of the electronic component 20 and the solder bump 5 can be stably connected.

具体的には、図3に示す半田バンプ5の頂面5aからソルダーレジスト層4の上面までの高さHが2〜20μm、好ましくは5〜15μm程度となるように、半田バンプ5の頂面5aがソルダーレジスト層4の上面よりも低い位置にあるのがよい。これにより、電子部品20の電極端子21を凹部となった開口部10内に極めて良好に位置決めすることができる。   Specifically, the top surface of the solder bump 5 is set so that the height H from the top surface 5a of the solder bump 5 shown in FIG. 3 to the top surface of the solder resist layer 4 is about 2 to 20 μm, preferably about 5 to 15 μm. 5a should be lower than the upper surface of the solder resist layer 4. Thereby, the electrode terminal 21 of the electronic component 20 can be positioned very well in the opening 10 which is a recess.

本発明の配線基板において、半田バンプ5のプレスされた頂面5aがソルダーレジスト層4の上面よりも低い位置となるように構成するには、上面側のソルダーレジスト層4を、上面が半田バンプ5の頂面5aよりも低くなる厚みの第一のソルダーレジスト層4aと、その上に積層され、上面が半田バンプ5の頂面5aより高くなる厚みの第二のソルダーレジスト層4bとから構成するのがよい。   In the wiring board of the present invention, in order to configure the pressed top surface 5a of the solder bump 5 to be at a position lower than the upper surface of the solder resist layer 4, the upper surface side of the solder resist layer 4 is formed with the upper surface of the solder resist layer 4 being solder bumps. The first solder resist layer 4a having a thickness lower than that of the top surface 5a of 5 and the second solder resist layer 4b having a thickness higher than that of the top surface 5a of the solder bump 5 and laminated thereon. It is good to do.

そして、前述の通り、絶縁基板1および素子接続パッド3上に第一の開口部10aを有する第一のソルダーレジスト層4aを形成した後、第一の開口部10aから露出する素子接続パッド3上に半田バンプ5を溶着させるとともに、該半田バンプ5の頂部をプレスして平坦な頂面5aを形成し、その後、第二の開口部10bを有する第二のソルダーレジスト層4bをその上面が半田バンプ5の頂面より高くなる厚みに形成している。   And as above-mentioned, after forming the 1st soldering resist layer 4a which has the 1st opening part 10a on the insulating substrate 1 and the element connection pad 3, on the element connection pad 3 exposed from the 1st opening part 10a The solder bumps 5 are welded to each other, and the top of the solder bumps 5 is pressed to form a flat top surface 5a. Thereafter, the second solder resist layer 4b having the second opening 10b is soldered on the upper surface. The bump 5 is formed to a thickness that is higher than the top surface of the bump 5.

これにより、半田バンプ5の高さが低い場合であっても、平坦で十分な面積の頂面5aを有する半田バンプ5を形成することができるとともに、第一のソルダーレジスト層4aと第二のソルダーレジスト層4bとによりソルダーレジスト層4としての十分な厚さを確保することができ、素子接続パッド3同士の電気的な絶縁信頼性および素子接続パッド3の被着強度を高めることができる。
なお、上記した以外の構成は、上記で説明した本発明方法と同じであるので、説明を省略する。
Thereby, even if the height of the solder bump 5 is low, the solder bump 5 having a flat top surface 5a having a sufficient area can be formed, and the first solder resist layer 4a and the second solder resist layer 4a can be formed. A sufficient thickness as the solder resist layer 4 can be ensured by the solder resist layer 4b, and the electrical insulation reliability between the element connection pads 3 and the adhesion strength of the element connection pads 3 can be increased.
Since the configuration other than that described above is the same as the method of the present invention described above, description thereof will be omitted.

上記で説明した本発明方法にかかる実施形態では、第一のソルダーレジスト層4aの上に、第二のソルダーレジスト層4bを、その上面が半田バンプ5の頂面5aよりも高くなる厚みに被着する場合について説明したが、本発明方法はこれに限定されるものではなく、例えば第一のソルダーレジスト層4aの上に、第二のソルダーレジスト層4bを、その上面が半田バンプ5の頂面5aと同じ高さになる厚み、または低くなる厚みに被着してもよい。このような構成であっても、十分な面積の平坦化された頂面を有する半田バンプ5を形成することができる。   In the embodiment according to the method of the present invention described above, the second solder resist layer 4b is coated on the first solder resist layer 4a so that the upper surface thereof is higher than the top surface 5a of the solder bump 5. However, the method of the present invention is not limited to this. For example, the second solder resist layer 4b is formed on the first solder resist layer 4a, and the top surface of the solder bump 5 is formed on the upper surface. You may adhere to the thickness which becomes the same height as the surface 5a, or the thickness which becomes low. Even with such a configuration, the solder bump 5 having a flattened top surface with a sufficient area can be formed.

本発明にかかる配線基板の製造方法の一実施形態における配線基板および該配線基板に接続される電子部品を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the wiring board in one Embodiment of the manufacturing method of the wiring board concerning this invention, and the electronic component connected to this wiring board. (a)〜(e)は、本実施形態にかかる平坦化された頂面を有する半田バンプの形成方法を示す要部拡大断面図である。(A)-(e) is a principal part expanded sectional view which shows the formation method of the solder bump which has the planarized top surface concerning this embodiment. 本発明にかかる配線基板の要部を示す要部拡大断面図である。It is a principal part expanded sectional view which shows the principal part of the wiring board concerning this invention. (a)〜(c)は、素子接続パッド上に形成される平坦な頂面を有する従来の半田バンプの形成方法を示す概略説明図である。(A)-(c) is a schematic explanatory drawing which shows the formation method of the conventional solder bump which has the flat top surface formed on an element connection pad.

符号の説明Explanation of symbols

1:絶縁基板
2:配線導体
3:素子接続パッド
4:ソルダーレジスト層
4a:第一のソルダーレジスト層
4b:第二のソルダーレジスト層
5:半田バンプ
5a:半田バンプ5の頂面
10:ソルダーレジスト層4の開口部
10a:第一の開口部
10b:第二の開口部
1: Insulating substrate 2: Wiring conductor 3: Element connection pad 4: Solder resist layer 4a: First solder resist layer 4b: Second solder resist layer 5: Solder bump 5a: Top surface 10 of solder bump 5: Solder resist Layer 10 opening 10a: first opening 10b: second opening

Claims (3)

内部および表面の少なくとも一方に配線導体を有するとともに上面に素子接続パッドが形成された絶縁基板を準備する工程と、
前記絶縁基板の上および前記素子接続パッド上に、該素子接続パッドの上面中央部を露出させる第一の開口部を有する第一のソルダーレジスト層を被着する工程と、
前記第一の開口部内に露出する前記素子接続パッドの上に、頂部が前記第一のソルダーレジスト層から突出する半田バンプを形成する工程と、
前記半田バンプの前記頂部をプレスして平坦化された頂面を有する半田バンプを形成する工程と、
前記第一のソルダーレジスト層の上に前記頂面を露出させる第二の開口部を有する第二のソルダーレジスト層を被着する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
Preparing an insulating substrate having a wiring conductor on at least one of the inside and the surface and having an element connection pad formed on the upper surface;
Depositing a first solder resist layer having a first opening on the insulating substrate and on the element connection pad to expose a central portion of the upper surface of the element connection pad;
Forming solder bumps whose tops protrude from the first solder resist layer on the element connection pads exposed in the first opening;
Forming a solder bump having a flattened top surface by pressing the top of the solder bump;
Depositing a second solder resist layer having a second opening that exposes the top surface on the first solder resist layer.
内部および表面の少なくとも一方に配線導体を有する絶縁基板と、
該絶縁基板上に形成された素子接続パッドと、
前記絶縁基板上および前記素子接続パッド上に、前記素子接続パッドの上面中央部を露出させる開口部を有するように被着されたソルダーレジスト層と、
前記開口部内に露出する前記素子接続パッド上に形成された半田バンプとを具備してなる配線基板であって、
前記半田バンプは、前記ソルダーレジスト層の上面よりも低い位置に平坦化された頂面を有することを特徴とする配線基板。
An insulating substrate having a wiring conductor on at least one of the inside and the surface;
An element connection pad formed on the insulating substrate;
A solder resist layer deposited on the insulating substrate and on the element connection pad so as to have an opening that exposes a central portion of the upper surface of the element connection pad;
A wiring board comprising solder bumps formed on the element connection pads exposed in the openings,
The wiring board according to claim 1, wherein the solder bump has a flattened top surface at a position lower than an upper surface of the solder resist layer.
前記ソルダーレジスト層は、前記平坦化された頂面より低い上面を有する第一のソルダーレジスト層と、該第一のソルダーレジスト層の上に積層された第二のソルダーレジスト層とからなることを特徴とする請求項2記載の配線基板。

The solder resist layer is composed of a first solder resist layer having an upper surface lower than the flattened top surface, and a second solder resist layer laminated on the first solder resist layer. The wiring board according to claim 2.

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